JP2019021670A - 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ - Google Patents
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 53
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 24
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 14
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical class [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052644 β-spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
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Abstract
【課題】素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供する。【解決手段】主面3aを有し、複数の第1のセラミック層3bが積層されてなる底部3と、底部3の一部の領域を囲むように主面3aに設けられており、複数の第2のセラミック層4bが積層されてなる隔壁部4と、主面3aにおける隔壁部4の内側に露出している第1の端部5aと、主面3aにおける隔壁部4の外側に露出している第2の端部5eとを有し、かつ底部3内を通る配線5とを備えることを特徴とする。【選択図】図1
Description
本発明は、素子を搭載するための積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージに関する。
従来、発光素子を搭載するために、発光素子搭載用基板が用いられている。発光素子搭載用基板に搭載される発光素子の一例としてのLED(Light Emitting Diode)は、小型で消費電力が低い光源である。なかでも、白色LEDは、白熱球や、蛍光ランプに代わる照明として注目を集めている。また、紫外LEDは、殺菌、空気洗浄、がん治療、または樹脂硬化等の用途において、紫外線光源として注目を集めている。
下記の特許文献1には、窒化アルミニウム基板上に光反射層が設けられてなる発光素子搭載用基板が開示されている。特許文献1では、窒化アルミニウム基板内にフィルドビアが設けられている。上記フィルドビアは、表面側電極と裏面側電極とを接続している。
また、特許文献1には、上記発光素子搭載用基板に発光素子が搭載された発光デバイスが開示されている。上記発光素子は、上記表面側電極に接続されている。特許文献1では、上記発光素子を覆うように樹脂が設けられており、それによって発光素子が封止されている。
近年、殺菌や空気清浄、または樹脂硬化等の性能をより一層向上させる観点から、深紫外線LEDへの注目が高まっている。深紫外線LEDを発光素子として用いる場合、より一層高い気密性が必要となる。しかしながら、特許文献1の発光デバイスは、可視光線を発光する発光素子を前提としており、気密性が十分でなかった。
また、発光素子は、発光素子搭載用基板の裏面側電極を介して他の素子と電気的に接続される。そのため、他の素子が搭載された別の実装基板に、発光素子搭載用基板を搭載することを要するため、装置全体の低背化が困難であった。
本発明の目的は、素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供することにある。
本発明の積層セラミック基板は、主面を有し、複数の第1のセラミック層が積層されてなる底部と、底部の一部の領域を囲むように主面に設けられており、複数の第2のセラミック層が積層されてなる隔壁部と、主面における隔壁部の内側に露出している第1の端部と、主面における隔壁部の外側に露出している第2の端部とを有し、かつ底部内を通る配線とを備えることを特徴とする。
底部の第1のセラミック層と隔壁部の第2のセラミック層とが同じセラミック材料からなることが好ましい。
第1のセラミック層及び第2のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第1の端部の高さ方向の位置と、第2の端部の高さ方向の位置とが同じであってもよい。
第1のセラミック層及び第2のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第1の端部の高さ方向の位置が、第2の端部の高さ方向の位置より高くてもよい。
第1のセラミック層及び第2のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第1の端部の高さ方向の位置が、第2の端部の高さ方向の位置より低くてもよい。
配線が、隔壁部の内側において、底部の少なくとも1層のセラミック層を積層方向に貫通している第1の貫通部と、隔壁部の外側において、底部の少なくとも1層のセラミック層を積層方向に貫通している第2の貫通部と、底部内を通り、第1の貫通部及び第2の貫通部を接続している接続部とを有することが好ましい。この場合、配線が複数設けられており、複数の配線のうち少なくとも2つの配線の接続部が、互いに異なる第1のセラミック層に設けられていることが好ましい。また、配線が、接続部が延びる方向に直交する方向に複数設けられており、接続部が延びる方向に直交する方向において隣り合う配線の接続部が、互いに異なる第1のセラミック層に設けられており、第1のセラミック層の積層方向と、接続部が延びる方向とに直交する方向に沿う長さを幅としたときに、接続部の幅が第1の貫通部及び第2の貫通部の幅より広いことが好ましい。
本発明の積層セラミックパッケージは、上記積層セラミック基板と、隔壁部上に設けられているガラス蓋とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供することができる。
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。図2は、第1の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的平面図である。なお、図2においては、後述するガラス蓋、封着材層やワイヤ等を省略している。
図1は、本発明の第1の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。図2は、第1の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的平面図である。なお、図2においては、後述するガラス蓋、封着材層やワイヤ等を省略している。
図1に示すように、積層セラミックパッケージ1は、本発明の一実施形態に係る積層セラミック基板2と、ガラス蓋7とを備える。積層セラミック基板2には、素子10が搭載されている。素子10としては、例えば、可視光線用のLED及び深紫外線LED等の発光素子や反射型映像デバイス等を挙げることができる。
図2に示すように、積層セラミック基板2は、主面3aを有する底部3と、底部3の一部の領域を囲むように主面3aに設けられている隔壁部4とを備える。底部3は、隔壁部4の内側の領域と外側の領域とを有する。素子10は、底部3の主面3aにおける、隔壁部4の内側の領域に配置されている。
図1に戻り、底部3は複数の第1のセラミック層3bが積層されてなる。隔壁部4は、底部3の第1のセラミック層3bと同じセラミック材料からなる複数の第2のセラミック層4bが積層されてなる。積層セラミック基板2は、底部3及び隔壁部4が一体的に設けられた積層セラミック基板である。なお、第1のセラミック層3bと第2のセラミック層4bとは、異なるセラミック材料からなっていてもよい。
積層セラミック基板2の隔壁部4上には、上記ガラス蓋7が設けられている。ガラス蓋7は、封着材層6により隔壁部4に接合されている。素子10は、積層セラミック基板2及びガラス蓋7により封止されている。
積層セラミック基板2は、底部3を通る配線5を備える。より具体的には、配線5は、隔壁部4の内側において、底部3の少なくとも1層の第1のセラミック層3bを積層方向zに貫通している第1の貫通部5bを有する。第1の貫通部5bは、底部3の主面3aにおける隔壁部4の内側に露出している第1の端部5aを含む。配線5は、隔壁部4の外側において、少なくとも1層の第1のセラミック層3bを積層方向zに貫通している第2の貫通部5dを有する。第2の貫通部5dは、主面3aにおける隔壁部4の外側に露出している第2の端部5eを含む。さらに、配線5は、底部3内を通り、第1の貫通部5b及び第2の貫通部5dを接続している接続部5cを有する。
なお、接続部5cは、複数の第1のセラミック層3bのうち1層に設けられている。該第1のセラミック層3bの接続部5cが設けられている面に、さらに他の第1のセラミック層3bが積層されている。
ここで、第1のセラミック層3b及び第2のセラミック層4bの積層方向zを高さ方向zとしたときに、本実施形態では、配線5の第1の端部5aの高さ方向zの位置と、第2の端部5eの高さ方向zの位置とは同じである。なお、本明細書においては、底部3の高さ方向zの位置よりもガラス蓋7の高さ方向zの位置の方が高いものとする。
素子10は、ワイヤ8により配線5に電気的に接続されている。素子10は、ワイヤ8及び配線5を介して他の素子等に電気的に接続される。配線5及びワイヤ8は適宜の金属からなる。なお、本実施形態においては、ワイヤ8はAuからなる。
本実施形態の特徴は、底部3及び隔壁部4が複数のセラミック層の積層体であり、かつ底部3内を通り、主面3aにおける隔壁部4の内側及び外側に露出している配線5を有することにある。これにより、隔壁部4の第2のセラミック層4bが全面において底部3の第1のセラミック層3bと接するため、底部3と隔壁部4とを一体的に設けることができる。よって、積層セラミックパッケージ1の密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線5が主面3aにおける隔壁部4の外側に露出しているため、積層セラミックパッケージ1を実装基板に実装せずに、図1に示す素子10を他の素子等と電気的に接続することができる。よって、素子10以外の素子等を含む装置全体として、低背化を図ることができる。
ここで、接続部5cが延びる方向を方向xとし、方向x及び積層方向zに直交する方向を方向yとする。図2に示すように、本実施形態においては、配線5は方向yに複数設けられている。さらに、配線5は方向xに複数設けられている。より具体的には、図1に示すように、複数の配線5の接続部5cは、互いに異なる第1のセラミック層3bに設けられている。配線5において、第1の貫通部5bが隔壁部4に近い位置に配置されているほど、第2の貫通部5dも隔壁部4に近い位置に配置されている。それによって、複数の配線5を短絡させずに集中的に配置することができるため、配線5を配置するための面積を小さくすることができる。従って、積層セラミック基板2及び積層セラミックパッケージ1を小型化することができる。なお、配線5の配置は上記に限定されない。
接続部5cが設けられている第1のセラミック層3bの外層側に、複数の第1のセラミック層3bが設けられていることが好ましい。それによって、積層セラミック基板2の強度を高めることができ、かつ配線5が断線し難い。
第1のセラミック層3bと第2のセラミック層4bとは、本実施形態のように、同じセラミック材料からなることが好ましい。それによって、底部3と隔壁部4との密着性を効果的に高めることができ、積層セラミックパッケージ1の密閉性を効果的に高めることができる。さらに、底部3の材料と隔壁部4の材料との熱膨張係数が同じであるため、温度変化に際しても安定して密閉性を高めることができ、信頼性を高めることができる。
本実施形態では、配線5の第1の端部5aの高さ方向zの位置と、第2の端部5eの高さ方向zの位置とは同じである。よって、底部3の厚みの均一性が高く、温度変化による複雑な変形が生じ難い。従って、温度変化に際してもより一層安定して密閉性を高めることができ、信頼性をより一層高めることができる。
複数の配線5のうち少なくとも2つの配線5の接続部5cが、互いに異なる第1のセラミック層3bに設けられていることが好ましい。それによって、上述したように、配線5を集中的に配置することができ、積層セラミック基板2及び積層セラミックパッケージ1を小型化することができる。
図3は、第1の実施形態の変形例における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。本変形例の積層セラミック基板22は、底部23における素子10が配置される部分を方向zに貫通している、複数の放熱部材28を有する。それによって、素子10から生じる熱を効果的に放熱することができる。放熱部材28は、特に限定されないが、熱伝導性が高いAg等の金属からなることが好ましい。なお、放熱部材28は、底部23の材料よりも熱伝導性が高い材料からなっていればよい。
以下、図1に示す積層セラミックパッケージ1を構成する各部材の詳細を説明する。
底部3の第1のセラミック層3b及び隔壁部4の第2のセラミック層4bを構成するセラミック材料としては、LTCC(Low Temperature Co−fired Ceramics)等が挙げられる。LTCCの具体的な例としては、酸化アルミニウムや酸化ジルコニウム等の無機粉末とガラス粉末との焼結体等が挙げられる。
ガラス蓋7を構成するガラスの具体例としては、SiO2−B2O3−RO(RはMg、Ca、SrまたはBa)系ガラス、SiO2−B2O3−R’2O(R’はLi、NaまたはKa)系ガラス、SiO2−B2O3−RO−R’2O(R’はLi、NaまたはK)系ガラス等が挙げられる。
封着材層6を形成するための封着材料は、Bi2O3系ガラス粉末、SnO−P2O5系ガラス粉末、V2O5−TeO2系ガラス粉末等の低融点の封着ガラスを含んでいることが好ましい。特に、レーザーを照射して封着する場合、封着材料をより一層短時間の加熱で軟化させる必要性とより一層接合強度を高める観点から、封着ガラスには、軟化点の低いビスマス系ガラス粉末を用いることがより好ましい。また、封着材料には、低膨張耐火性フィラーや、レーザー吸収材等が含まれていてもよい。低膨張耐火性フィラーとしては、例えば、コーディエライト、ウイレマイト、アルミナ、リン酸ジルコニウム系化合物、ジルコン、ジルコニア、酸化スズ、石英ガラス、β−石英固溶体、β−ユークリプタイト、β−スポジュメンが挙げられる。また、レーザー吸収材としては、例えば、Fe、Mn、Cu等から選ばれる少なくとも1種の金属または該金属を含む酸化物等の化合物が挙げられる。
(製造方法)
以下において、第1の実施形態の積層セラミックパッケージ1の製造方法の一例を説明する。図4(a)〜(d)は、本発明の第1の実施形態の積層セラミックパッケージの製造方法を説明するための模式的断面図である。
以下において、第1の実施形態の積層セラミックパッケージ1の製造方法の一例を説明する。図4(a)〜(d)は、本発明の第1の実施形態の積層セラミックパッケージの製造方法を説明するための模式的断面図である。
図4(a)に示す第1のグリーンシート83bを用意する。より具体的には、セラミック粉末に、樹脂バインダー、可塑剤及び溶剤を添加して混練することにより、スラリーを作製する。次に、作製したスラリーをドクターブレード等によりPET(ポリエチレンテレフタレート)等の基材の上に塗布した後乾燥し、第1のグリーンシート83bを作製する。次に、第1のグリーンシート83bに複数の孔85aを設ける。なお、孔85aの形成方法としては、特に限定されず、例えば、パンチングやドリルによる機械加工や、レーザー加工等により形成することができる。
次に、図4(b)に示すように、孔85aに金属ペースト85bを充填した後、印刷等により、第1のグリーンシート83b上に金属ペースト85cを塗布する。金属ペースト85cは、図1に示した配線5の接続部5cを形成するための金属ペーストである。同様の方法により、複数の第1のグリーンシート83bを作製する。なお、金属ペースト85cや孔85aを形成していない第1のグリーンシート83bを少なくとも1枚作製することが好ましい。
一方で、第1のグリーンシート83bと同様にして作製したグリーンシートを枠状の形状に打ち抜くことにより、複数の第2のグリーンシートを作製する。
次に、図4(c)に示すように、金属ペースト85cが外部に露出しないようにすると共に、各第1のグリーンシート83bの孔85aに充填した金属ペースト85bが重なるように、複数の第1のグリーンシート83bを積層圧着する。なお金属ペースト85cを形成していない第1のグリーンシート83bが、上記素子10を搭載しない方の最外層となるように積層することが好ましい。それによって、上記底部3の強度を高めることができ、かつ上記配線5が断線し難い。
次に、複数の第1のグリーンシート83bの積層体上に、複数の第2のグリーンシート84bを積層する。なお、各金属ペースト85cの、枠状の第2のグリーンシート84bの内側に位置する部分に至る金属ペースト85b(孔85a)と、第2のグリーンシート84bの外側に位置する部分に至る金属ペースト85b(孔85a)とを有するように、第2のグリーンシート84bを積層する。次に、温水ラミネータ等を用いて、複数の第1のグリーンシート83b及び複数の第2のグリーンシート84bを圧着する。
次に、例えば、800℃以上、900℃以下の温度で焼成を行うことにより、図4(d)に示す積層セラミック基板2を得る。
次に、封着材料86を隔壁部4上もしくはガラス蓋7下に配置する。封着材料86の配置は、例えば、封着材料86と適宜の有機バインダとを混合したペーストを印刷することにより行うことができる。次に、例えば、400℃以上、600℃以下の温度で焼成を行う。
次に、素子10を積層セラミック基板2の底部3の主面3a上に配置する。次に、素子10と配線5の第1の端部5aとを、ワイヤ8により接続する。なお、素子10を積層セラミック基板2上に配置する前に、配線5の第1の端部5aにAu膜等の金属膜を形成することが好ましい。これにより、ワイヤ8により、素子10と配線5とを容易に接続することができる。上記金属膜は、例えば、無電解めっき法や、電解めっき法により形成することができる。
次に、ガラス蓋7を隔壁部4上に配置する。次に、ガラス蓋7を封着材料86及び隔壁部4に密着させた状態で、ガラス蓋7側から封着材料86にレーザー光Lを照射する。これにより、封着材料86を軟化させ、ガラス蓋7と隔壁部4とを接合する。レーザー光Lとしては、例えば、波長が600nm以上、1600nm以下のレーザー光を用いることができる。それによって、内部を気密封止して、図1に示す積層セラミックパッケージ1を得る。
(第2の実施形態)
図5は、本発明の第2の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、底部33における隔壁部4の内側の領域に、凹部33cが設けられている点において、第1の実施形態と異なる。
図5は、本発明の第2の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、底部33における隔壁部4の内側の領域に、凹部33cが設けられている点において、第1の実施形態と異なる。
凹部33cが設けられていることにより、底部33の主面33aは段差を有する。図5に示すように、配線35の第1の貫通部5bの高さ方向zに沿う長さは、第2の貫通部35dの高さ方向zに沿う長さより短い。第1の端部5aの高さ方向zの位置は第2の端部35eの高さ方向zの位置より低い。この場合、底部33においては、隔壁部4の内側の領域の厚みよりも外側の領域の厚みの方が厚いため、積層セラミック基板32における外側の強度を高めることができる。それによって、外部から衝撃等が加えられた際、破損し難い。
本実施形態においても、底部33と隔壁部4とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線35が主面33aにおける隔壁部4の外側に露出しているため、第1の実施形態と同様に、素子10以外の素子等を含む装置全体として、低背化を図ることができる。
(第3の実施形態)
図6は、本発明の第3の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板42において、配線45が設けられている位置に凹部43cが至っていない点及び底部43における隔壁部4の外側の厚みが、凹部43cが設けられている部分における厚みと同じである点において、第2の実施形態と異なる。
図6は、本発明の第3の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板42において、配線45が設けられている位置に凹部43cが至っていない点及び底部43における隔壁部4の外側の厚みが、凹部43cが設けられている部分における厚みと同じである点において、第2の実施形態と異なる。
図6に示すように、配線45の第1の貫通部45bの高さ方向zに沿う長さは第2の貫通部5dの高さ方向zに沿う長さより長い。第1の端部45aの高さ方向zの位置は第2の端部5eの高さ方向zの位置より高い。それによって、第1の端部45aの高さ方向zの位置と、素子10のワイヤ8に接続される部分の高さ方向zの位置とを近づけることができる。よって、素子10と配線45とを接続し易くすることができ、生産性を高めることができる。
第1の端部45aの高さ方向zの位置と、素子10のワイヤ8に接続される部分の高さ方向zの位置とがほぼ同じであることが好ましい。それによって、素子10と配線45とをより一層接続し易くすることができ、より一層生産性を高めることができる。
底部43における隔壁部4の外側の厚みは、配線45の第1の貫通部45aが設けられている部分における厚みよりも薄い。それによって、底部43に用いるセラミック材料の量を削減することができ、生産性を高めることができる。
本実施形態においても、底部43と隔壁部4とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線45が主面における隔壁部4の外側に露出しているため、第2の実施形態と同様に、素子10以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
(第4の実施形態)
図7は、本発明の第4の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板52において、配線5が設けられている位置に凹部43cが至っていない点において、第2の実施形態と異なる。
図7は、本発明の第4の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板52において、配線5が設けられている位置に凹部43cが至っていない点において、第2の実施形態と異なる。
図7に示すように、配線5の第1の端部5aの高さ方向zの位置と第2の端部5eの高さ方向zの位置とは同じである。この場合においても、第3の実施形態と同様に、凹部43cが設けられていることにより、第1の端部5aの高さ方向zの位置と、素子10のワイヤ8に接続される部分の高さ方向zの位置とを近づけることができる。よって、素子10と配線5とを接続し易くすることができ、生産性を高めることができる。加えて、底部53において、凹部43cが設けられている部分の厚みよりも、隔壁部4の外側の領域の厚みの方が厚いため、積層セラミック基板52における外側の強度を高めることができる。
本実施形態においても、底部53と隔壁部4とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線5が主面における隔壁部4の外側に露出しているため、第2の実施形態と同様に、素子10以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
(第5の実施形態)
図8は、本発明の第5の実施形態における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。図9は、図8中のI−I線に沿う断面図である。本実施形態の積層セラミック基板62は、配線65の構成が第1の実施形態と異なる。
図8は、本発明の第5の実施形態における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。図9は、図8中のI−I線に沿う断面図である。本実施形態の積層セラミック基板62は、配線65の構成が第1の実施形態と異なる。
図8に示すように、配線65は方向yに等ピッチで複数設けられている。なお、配線65の方向yにおけるピッチをDとする。方向yにおいて隣り合う配線65の各第1の端部5aの、方向xにおける位置は互いに異なる。これにより、第1の端部5aの位置ずれが生じた場合においても、隣接する配線65が短絡し難い。よって、配線65間の短絡を招くことなくピッチを狭くすることができ、配線65を集中的に配置することができる。
図9に示すように、方向yにおいて隣り合う配線65の接続部65cは、互いに異なる第1のセラミック層3bに設けられている。方向yに沿う長さを幅としたときに、接続部65cの幅は第1の貫通部5b及び第2の貫通部の幅より広い。それによって、配線65を設ける際に、第1の貫通部5b及び第2の貫通部と、接続部65cとをより一層確実に接続することができる。加えて、配線65の電気抵抗を小さくすることができる。
本実施形態においても、底部63と隔壁部4とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線65が主面における隔壁部4の外側に露出しているため、第1の実施形態と同様に、素子10以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
積層セラミック基板62においては、3層の第1のセラミック層3bにそれぞれ接続部65cが設けられている。配線65は方向yにおいて3つ毎に、接続部65cが同じ第1のセラミック層3bに設けられている。よって、同じ第1のセラミック層3bに設けられている配線65のピッチは3Dである。この場合、接続部65cの幅は、同じ第1のセラミック層3bに設けられた配線65のピッチである3D未満であればよい。
図10は、第5の実施形態の変形例における積層セラミック基板の模式的断面図である。なお、図10は、図9に示す断面に相当する変形例の断面を示す。
本変形例の底部73においては、6層の第1のセラミック層3bにそれぞれ接続部75cが設けられている。この場合には、接続部75cの幅を3Dよりも広くすることができ、配線75の電気抵抗をより一層低くすることができる。このように、第1のセラミック層3bの層数を多くすることにより、接続部75cの幅を広くしてもよい。
もっとも、図9に示す本実施形態では、接続部65cが設けられている第1のセラミック層3bは3層であるため、第1のセラミック層3bの最低限の層数を4層とすることができ、効果的に低背化することができる。
1…積層セラミックパッケージ
2…積層セラミック基板
3…底部
3a…主面
3b…第1のセラミック層
4…隔壁部
4b…第2のセラミック層
5…配線
5a…第1の端部
5b…第1の貫通部
5c…接続部
5d…第2の貫通部
5e…第2の端部
6…封着材層
7…ガラス蓋
8…ワイヤ
10…素子
22…積層セラミック基板
23…底部
28…放熱部材
32…積層セラミック基板
33…底部
33a…主面
33c…凹部
35…配線
35d…第2の貫通部
35e…第2の端部
42…積層セラミック基板
43…底部
43c…凹部
45…配線
45a…第1の貫通部
45b…第1の端部
52…積層セラミック基板
53…底部
62…積層セラミック基板
63…底部
65…配線
65c…接続部
73…底部
75…配線
75c…接続部
83b,84b…第1,第2のグリーンシート
85a…孔
85b…金属ペースト
85c…金属ペースト
86…封着材料
2…積層セラミック基板
3…底部
3a…主面
3b…第1のセラミック層
4…隔壁部
4b…第2のセラミック層
5…配線
5a…第1の端部
5b…第1の貫通部
5c…接続部
5d…第2の貫通部
5e…第2の端部
6…封着材層
7…ガラス蓋
8…ワイヤ
10…素子
22…積層セラミック基板
23…底部
28…放熱部材
32…積層セラミック基板
33…底部
33a…主面
33c…凹部
35…配線
35d…第2の貫通部
35e…第2の端部
42…積層セラミック基板
43…底部
43c…凹部
45…配線
45a…第1の貫通部
45b…第1の端部
52…積層セラミック基板
53…底部
62…積層セラミック基板
63…底部
65…配線
65c…接続部
73…底部
75…配線
75c…接続部
83b,84b…第1,第2のグリーンシート
85a…孔
85b…金属ペースト
85c…金属ペースト
86…封着材料
Claims (9)
- 主面を有し、複数の第1のセラミック層が積層されてなる底部と、
前記底部の一部の領域を囲むように前記主面に設けられており、複数の第2のセラミック層が積層されてなる隔壁部と、
前記主面における前記隔壁部の内側に露出している第1の端部と、前記主面における前記隔壁部の外側に露出している第2の端部とを有し、かつ前記底部内を通る配線とを備える、積層セラミック基板。 - 前記底部の前記第1のセラミック層と前記隔壁部の前記第2のセラミック層とが同じセラミック材料からなる、請求項1に記載の積層セラミック基板。
- 前記第1のセラミック層及び前記第2のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第1の端部の前記高さ方向の位置と、前記第2の端部の前記高さ方向の位置とが同じである、請求項1または2に記載の積層セラミック基板。
- 前記第1のセラミック層及び前記第2のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第1の端部の前記高さ方向の位置が、前記第2の端部の前記高さ方向の位置より高い、請求項1または2に記載の積層セラミック基板。
- 前記第1のセラミック層及び前記第2のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第1の端部の前記高さ方向の位置が、前記第2の端部の前記高さ方向の位置より低い、請求項1または2に記載の積層セラミック基板。
- 前記配線が、前記隔壁部の内側において、前記底部の少なくとも1層の前記セラミック層を積層方向に貫通している第1の貫通部と、前記隔壁部の外側において、前記底部の少なくとも1層の前記セラミック層を積層方向に貫通している第2の貫通部と、前記底部内を通り、前記第1の貫通部及び前記第2の貫通部を接続している接続部とを有する、請求項1〜5のいずれか一項に記載の積層セラミック基板。
- 前記配線が複数設けられており、
前記複数の配線のうち少なくとも2つの配線の前記接続部が、互いに異なる前記第1のセラミック層に設けられている、請求項6に記載の積層セラミック基板。 - 前記配線が、前記接続部が延びる方向に直交する方向に複数設けられており、
前記接続部が延びる方向に直交する方向において隣り合う前記配線の前記接続部が、互いに異なる前記第1のセラミック層に設けられており、
前記第1のセラミック層の積層方向と、前記接続部が延びる方向とに直交する方向に沿う長さを幅としたときに、前記接続部の前記幅が前記第1の貫通部及び前記第2の貫通部の前記幅より広い、請求項7に記載の積層セラミック基板。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の積層セラミック基板と、
前記隔壁部上に設けられているガラス蓋とを備える、積層セラミックパッケージ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017136080A JP2019021670A (ja) | 2017-07-12 | 2017-07-12 | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ |
PCT/JP2018/017588 WO2019012787A1 (ja) | 2017-07-12 | 2018-05-07 | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ |
TW107116037A TW201909210A (zh) | 2017-07-12 | 2018-05-11 | 積層陶瓷基板及積層陶瓷封裝 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017136080A JP2019021670A (ja) | 2017-07-12 | 2017-07-12 | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019021670A true JP2019021670A (ja) | 2019-02-07 |
Family
ID=65002576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017136080A Pending JP2019021670A (ja) | 2017-07-12 | 2017-07-12 | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019021670A (ja) |
TW (1) | TW201909210A (ja) |
WO (1) | WO2019012787A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11372238B2 (en) | 2019-01-30 | 2022-06-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit |
JP7414553B2 (ja) | 2019-01-30 | 2024-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学ユニット |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005183900A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
KR20080042798A (ko) * | 2005-06-27 | 2008-05-15 | 라미나 라이팅, 인크. | 발광 다이오드 패키지 및 제작방법 |
JP5224802B2 (ja) * | 2007-09-29 | 2013-07-03 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージ、発光装置ならびに発光素子収納用パッケージおよび発光装置の製造方法 |
JP2009164311A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子搭載用基板およびその製造方法およびそれを用いた発光装置 |
JP2009289841A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
DE102011115314B4 (de) * | 2011-09-29 | 2019-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul |
JP6694153B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2020-05-13 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置、および照明装置 |
-
2017
- 2017-07-12 JP JP2017136080A patent/JP2019021670A/ja active Pending
-
2018
- 2018-05-07 WO PCT/JP2018/017588 patent/WO2019012787A1/ja active Application Filing
- 2018-05-11 TW TW107116037A patent/TW201909210A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201909210A (zh) | 2019-03-01 |
WO2019012787A1 (ja) | 2019-01-17 |
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