JP2019021670A - 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ - Google Patents
積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019021670A JP2019021670A JP2017136080A JP2017136080A JP2019021670A JP 2019021670 A JP2019021670 A JP 2019021670A JP 2017136080 A JP2017136080 A JP 2017136080A JP 2017136080 A JP2017136080 A JP 2017136080A JP 2019021670 A JP2019021670 A JP 2019021670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer ceramic
- wiring
- ceramic substrate
- height direction
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 53
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 24
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 14
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000004887 air purification Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;lithium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Li+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O CNLWCVNCHLKFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 1
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B zirconium(4+);tetraphosphate Chemical class [Zr+4].[Zr+4].[Zr+4].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O LEHFSLREWWMLPU-UHFFFAOYSA-B 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000500 β-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052644 β-spodumene Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/06—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties
- H01L23/08—Containers; Seals characterised by the material of the container or its electrical properties the material being an electrical insulator, e.g. glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【課題】素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供する。【解決手段】主面３ａを有し、複数の第１のセラミック層３ｂが積層されてなる底部３と、底部３の一部の領域を囲むように主面３ａに設けられており、複数の第２のセラミック層４ｂが積層されてなる隔壁部４と、主面３ａにおける隔壁部４の内側に露出している第１の端部５ａと、主面３ａにおける隔壁部４の外側に露出している第２の端部５ｅとを有し、かつ底部３内を通る配線５とを備えることを特徴とする。【選択図】図１
Description
本発明は、素子を搭載するための積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージに関する。
従来、発光素子を搭載するために、発光素子搭載用基板が用いられている。発光素子搭載用基板に搭載される発光素子の一例としてのＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、小型で消費電力が低い光源である。なかでも、白色ＬＥＤは、白熱球や、蛍光ランプに代わる照明として注目を集めている。また、紫外ＬＥＤは、殺菌、空気洗浄、がん治療、または樹脂硬化等の用途において、紫外線光源として注目を集めている。
下記の特許文献１には、窒化アルミニウム基板上に光反射層が設けられてなる発光素子搭載用基板が開示されている。特許文献１では、窒化アルミニウム基板内にフィルドビアが設けられている。上記フィルドビアは、表面側電極と裏面側電極とを接続している。
また、特許文献１には、上記発光素子搭載用基板に発光素子が搭載された発光デバイスが開示されている。上記発光素子は、上記表面側電極に接続されている。特許文献１では、上記発光素子を覆うように樹脂が設けられており、それによって発光素子が封止されている。
近年、殺菌や空気清浄、または樹脂硬化等の性能をより一層向上させる観点から、深紫外線ＬＥＤへの注目が高まっている。深紫外線ＬＥＤを発光素子として用いる場合、より一層高い気密性が必要となる。しかしながら、特許文献１の発光デバイスは、可視光線を発光する発光素子を前提としており、気密性が十分でなかった。
また、発光素子は、発光素子搭載用基板の裏面側電極を介して他の素子と電気的に接続される。そのため、他の素子が搭載された別の実装基板に、発光素子搭載用基板を搭載することを要するため、装置全体の低背化が困難であった。
本発明の目的は、素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供することにある。
本発明の積層セラミック基板は、主面を有し、複数の第１のセラミック層が積層されてなる底部と、底部の一部の領域を囲むように主面に設けられており、複数の第２のセラミック層が積層されてなる隔壁部と、主面における隔壁部の内側に露出している第１の端部と、主面における隔壁部の外側に露出している第２の端部とを有し、かつ底部内を通る配線とを備えることを特徴とする。
底部の第１のセラミック層と隔壁部の第２のセラミック層とが同じセラミック材料からなることが好ましい。
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置と、第２の端部の高さ方向の位置とが同じであってもよい。
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置が、第２の端部の高さ方向の位置より高くてもよい。
第１のセラミック層及び第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、配線の第１の端部の高さ方向の位置が、第２の端部の高さ方向の位置より低くてもよい。
配線が、隔壁部の内側において、底部の少なくとも１層のセラミック層を積層方向に貫通している第１の貫通部と、隔壁部の外側において、底部の少なくとも１層のセラミック層を積層方向に貫通している第２の貫通部と、底部内を通り、第１の貫通部及び第２の貫通部を接続している接続部とを有することが好ましい。この場合、配線が複数設けられており、複数の配線のうち少なくとも２つの配線の接続部が、互いに異なる第１のセラミック層に設けられていることが好ましい。また、配線が、接続部が延びる方向に直交する方向に複数設けられており、接続部が延びる方向に直交する方向において隣り合う配線の接続部が、互いに異なる第１のセラミック層に設けられており、第１のセラミック層の積層方向と、接続部が延びる方向とに直交する方向に沿う長さを幅としたときに、接続部の幅が第１の貫通部及び第２の貫通部の幅より広いことが好ましい。
本発明の積層セラミックパッケージは、上記積層セラミック基板と、隔壁部上に設けられているガラス蓋とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、素子を搭載して封止したときに、高い気密性を発現することができ、かつ低背化することができる、積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージを提供することができる。
以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。図２は、第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的平面図である。なお、図２においては、後述するガラス蓋、封着材層やワイヤ等を省略している。
図１は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。図２は、第１の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的平面図である。なお、図２においては、後述するガラス蓋、封着材層やワイヤ等を省略している。
図１に示すように、積層セラミックパッケージ１は、本発明の一実施形態に係る積層セラミック基板２と、ガラス蓋７とを備える。積層セラミック基板２には、素子１０が搭載されている。素子１０としては、例えば、可視光線用のＬＥＤ及び深紫外線ＬＥＤ等の発光素子や反射型映像デバイス等を挙げることができる。
図２に示すように、積層セラミック基板２は、主面３ａを有する底部３と、底部３の一部の領域を囲むように主面３ａに設けられている隔壁部４とを備える。底部３は、隔壁部４の内側の領域と外側の領域とを有する。素子１０は、底部３の主面３ａにおける、隔壁部４の内側の領域に配置されている。
図１に戻り、底部３は複数の第１のセラミック層３ｂが積層されてなる。隔壁部４は、底部３の第１のセラミック層３ｂと同じセラミック材料からなる複数の第２のセラミック層４ｂが積層されてなる。積層セラミック基板２は、底部３及び隔壁部４が一体的に設けられた積層セラミック基板である。なお、第１のセラミック層３ｂと第２のセラミック層４ｂとは、異なるセラミック材料からなっていてもよい。
積層セラミック基板２の隔壁部４上には、上記ガラス蓋７が設けられている。ガラス蓋７は、封着材層６により隔壁部４に接合されている。素子１０は、積層セラミック基板２及びガラス蓋７により封止されている。
積層セラミック基板２は、底部３を通る配線５を備える。より具体的には、配線５は、隔壁部４の内側において、底部３の少なくとも１層の第１のセラミック層３ｂを積層方向ｚに貫通している第１の貫通部５ｂを有する。第１の貫通部５ｂは、底部３の主面３ａにおける隔壁部４の内側に露出している第１の端部５ａを含む。配線５は、隔壁部４の外側において、少なくとも１層の第１のセラミック層３ｂを積層方向ｚに貫通している第２の貫通部５ｄを有する。第２の貫通部５ｄは、主面３ａにおける隔壁部４の外側に露出している第２の端部５ｅを含む。さらに、配線５は、底部３内を通り、第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部５ｄを接続している接続部５ｃを有する。
なお、接続部５ｃは、複数の第１のセラミック層３ｂのうち１層に設けられている。該第１のセラミック層３ｂの接続部５ｃが設けられている面に、さらに他の第１のセラミック層３ｂが積層されている。
ここで、第１のセラミック層３ｂ及び第２のセラミック層４ｂの積層方向ｚを高さ方向ｚとしたときに、本実施形態では、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。なお、本明細書においては、底部３の高さ方向ｚの位置よりもガラス蓋７の高さ方向ｚの位置の方が高いものとする。
素子１０は、ワイヤ８により配線５に電気的に接続されている。素子１０は、ワイヤ８及び配線５を介して他の素子等に電気的に接続される。配線５及びワイヤ８は適宜の金属からなる。なお、本実施形態においては、ワイヤ８はＡｕからなる。
本実施形態の特徴は、底部３及び隔壁部４が複数のセラミック層の積層体であり、かつ底部３内を通り、主面３ａにおける隔壁部４の内側及び外側に露出している配線５を有することにある。これにより、隔壁部４の第２のセラミック層４ｂが全面において底部３の第１のセラミック層３ｂと接するため、底部３と隔壁部４とを一体的に設けることができる。よって、積層セラミックパッケージ１の密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線５が主面３ａにおける隔壁部４の外側に露出しているため、積層セラミックパッケージ１を実装基板に実装せずに、図１に示す素子１０を他の素子等と電気的に接続することができる。よって、素子１０以外の素子等を含む装置全体として、低背化を図ることができる。
ここで、接続部５ｃが延びる方向を方向ｘとし、方向ｘ及び積層方向ｚに直交する方向を方向ｙとする。図２に示すように、本実施形態においては、配線５は方向ｙに複数設けられている。さらに、配線５は方向ｘに複数設けられている。より具体的には、図１に示すように、複数の配線５の接続部５ｃは、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられている。配線５において、第１の貫通部５ｂが隔壁部４に近い位置に配置されているほど、第２の貫通部５ｄも隔壁部４に近い位置に配置されている。それによって、複数の配線５を短絡させずに集中的に配置することができるため、配線５を配置するための面積を小さくすることができる。従って、積層セラミック基板２及び積層セラミックパッケージ１を小型化することができる。なお、配線５の配置は上記に限定されない。
接続部５ｃが設けられている第１のセラミック層３ｂの外層側に、複数の第１のセラミック層３ｂが設けられていることが好ましい。それによって、積層セラミック基板２の強度を高めることができ、かつ配線５が断線し難い。
第１のセラミック層３ｂと第２のセラミック層４ｂとは、本実施形態のように、同じセラミック材料からなることが好ましい。それによって、底部３と隔壁部４との密着性を効果的に高めることができ、積層セラミックパッケージ１の密閉性を効果的に高めることができる。さらに、底部３の材料と隔壁部４の材料との熱膨張係数が同じであるため、温度変化に際しても安定して密閉性を高めることができ、信頼性を高めることができる。
本実施形態では、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。よって、底部３の厚みの均一性が高く、温度変化による複雑な変形が生じ難い。従って、温度変化に際してもより一層安定して密閉性を高めることができ、信頼性をより一層高めることができる。
複数の配線５のうち少なくとも２つの配線５の接続部５ｃが、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられていることが好ましい。それによって、上述したように、配線５を集中的に配置することができ、積層セラミック基板２及び積層セラミックパッケージ１を小型化することができる。
図３は、第１の実施形態の変形例における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。本変形例の積層セラミック基板２２は、底部２３における素子１０が配置される部分を方向ｚに貫通している、複数の放熱部材２８を有する。それによって、素子１０から生じる熱を効果的に放熱することができる。放熱部材２８は、特に限定されないが、熱伝導性が高いＡｇ等の金属からなることが好ましい。なお、放熱部材２８は、底部２３の材料よりも熱伝導性が高い材料からなっていればよい。
以下、図１に示す積層セラミックパッケージ１を構成する各部材の詳細を説明する。
底部３の第１のセラミック層３ｂ及び隔壁部４の第２のセラミック層４ｂを構成するセラミック材料としては、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）等が挙げられる。ＬＴＣＣの具体的な例としては、酸化アルミニウムや酸化ジルコニウム等の無機粉末とガラス粉末との焼結体等が挙げられる。
ガラス蓋７を構成するガラスの具体例としては、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ（ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａ）系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫａ）系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫ）系ガラス等が挙げられる。
封着材層６を形成するための封着材料は、Ｂｉ２Ｏ３系ガラス粉末、ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５系ガラス粉末、Ｖ２Ｏ５−ＴｅＯ２系ガラス粉末等の低融点の封着ガラスを含んでいることが好ましい。特に、レーザーを照射して封着する場合、封着材料をより一層短時間の加熱で軟化させる必要性とより一層接合強度を高める観点から、封着ガラスには、軟化点の低いビスマス系ガラス粉末を用いることがより好ましい。また、封着材料には、低膨張耐火性フィラーや、レーザー吸収材等が含まれていてもよい。低膨張耐火性フィラーとしては、例えば、コーディエライト、ウイレマイト、アルミナ、リン酸ジルコニウム系化合物、ジルコン、ジルコニア、酸化スズ、石英ガラス、β−石英固溶体、β−ユークリプタイト、β−スポジュメンが挙げられる。また、レーザー吸収材としては、例えば、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ等から選ばれる少なくとも１種の金属または該金属を含む酸化物等の化合物が挙げられる。
（製造方法）
以下において、第１の実施形態の積層セラミックパッケージ１の製造方法の一例を説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージの製造方法を説明するための模式的断面図である。
以下において、第１の実施形態の積層セラミックパッケージ１の製造方法の一例を説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の積層セラミックパッケージの製造方法を説明するための模式的断面図である。
図４（ａ）に示す第１のグリーンシート８３ｂを用意する。より具体的には、セラミック粉末に、樹脂バインダー、可塑剤及び溶剤を添加して混練することにより、スラリーを作製する。次に、作製したスラリーをドクターブレード等によりＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等の基材の上に塗布した後乾燥し、第１のグリーンシート８３ｂを作製する。次に、第１のグリーンシート８３ｂに複数の孔８５ａを設ける。なお、孔８５ａの形成方法としては、特に限定されず、例えば、パンチングやドリルによる機械加工や、レーザー加工等により形成することができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、孔８５ａに金属ペースト８５ｂを充填した後、印刷等により、第１のグリーンシート８３ｂ上に金属ペースト８５ｃを塗布する。金属ペースト８５ｃは、図１に示した配線５の接続部５ｃを形成するための金属ペーストである。同様の方法により、複数の第１のグリーンシート８３ｂを作製する。なお、金属ペースト８５ｃや孔８５ａを形成していない第１のグリーンシート８３ｂを少なくとも１枚作製することが好ましい。
一方で、第１のグリーンシート８３ｂと同様にして作製したグリーンシートを枠状の形状に打ち抜くことにより、複数の第２のグリーンシートを作製する。
次に、図４（ｃ）に示すように、金属ペースト８５ｃが外部に露出しないようにすると共に、各第１のグリーンシート８３ｂの孔８５ａに充填した金属ペースト８５ｂが重なるように、複数の第１のグリーンシート８３ｂを積層圧着する。なお金属ペースト８５ｃを形成していない第１のグリーンシート８３ｂが、上記素子１０を搭載しない方の最外層となるように積層することが好ましい。それによって、上記底部３の強度を高めることができ、かつ上記配線５が断線し難い。
次に、複数の第１のグリーンシート８３ｂの積層体上に、複数の第２のグリーンシート８４ｂを積層する。なお、各金属ペースト８５ｃの、枠状の第２のグリーンシート８４ｂの内側に位置する部分に至る金属ペースト８５ｂ（孔８５ａ）と、第２のグリーンシート８４ｂの外側に位置する部分に至る金属ペースト８５ｂ（孔８５ａ）とを有するように、第２のグリーンシート８４ｂを積層する。次に、温水ラミネータ等を用いて、複数の第１のグリーンシート８３ｂ及び複数の第２のグリーンシート８４ｂを圧着する。
次に、例えば、８００℃以上、９００℃以下の温度で焼成を行うことにより、図４（ｄ）に示す積層セラミック基板２を得る。
次に、封着材料８６を隔壁部４上もしくはガラス蓋７下に配置する。封着材料８６の配置は、例えば、封着材料８６と適宜の有機バインダとを混合したペーストを印刷することにより行うことができる。次に、例えば、４００℃以上、６００℃以下の温度で焼成を行う。
次に、素子１０を積層セラミック基板２の底部３の主面３ａ上に配置する。次に、素子１０と配線５の第１の端部５ａとを、ワイヤ８により接続する。なお、素子１０を積層セラミック基板２上に配置する前に、配線５の第１の端部５ａにＡｕ膜等の金属膜を形成することが好ましい。これにより、ワイヤ８により、素子１０と配線５とを容易に接続することができる。上記金属膜は、例えば、無電解めっき法や、電解めっき法により形成することができる。
次に、ガラス蓋７を隔壁部４上に配置する。次に、ガラス蓋７を封着材料８６及び隔壁部４に密着させた状態で、ガラス蓋７側から封着材料８６にレーザー光Ｌを照射する。これにより、封着材料８６を軟化させ、ガラス蓋７と隔壁部４とを接合する。レーザー光Ｌとしては、例えば、波長が６００ｎｍ以上、１６００ｎｍ以下のレーザー光を用いることができる。それによって、内部を気密封止して、図１に示す積層セラミックパッケージ１を得る。
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、底部３３における隔壁部４の内側の領域に、凹部３３ｃが設けられている点において、第１の実施形態と異なる。
図５は、本発明の第２の実施形態の積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、底部３３における隔壁部４の内側の領域に、凹部３３ｃが設けられている点において、第１の実施形態と異なる。
凹部３３ｃが設けられていることにより、底部３３の主面３３ａは段差を有する。図５に示すように、配線３５の第１の貫通部５ｂの高さ方向ｚに沿う長さは、第２の貫通部３５ｄの高さ方向ｚに沿う長さより短い。第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置は第２の端部３５ｅの高さ方向ｚの位置より低い。この場合、底部３３においては、隔壁部４の内側の領域の厚みよりも外側の領域の厚みの方が厚いため、積層セラミック基板３２における外側の強度を高めることができる。それによって、外部から衝撃等が加えられた際、破損し難い。
本実施形態においても、底部３３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線３５が主面３３ａにおける隔壁部４の外側に露出しているため、第１の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として、低背化を図ることができる。
（第３の実施形態）
図６は、本発明の第３の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板４２において、配線４５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点及び底部４３における隔壁部４の外側の厚みが、凹部４３ｃが設けられている部分における厚みと同じである点において、第２の実施形態と異なる。
図６は、本発明の第３の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板４２において、配線４５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点及び底部４３における隔壁部４の外側の厚みが、凹部４３ｃが設けられている部分における厚みと同じである点において、第２の実施形態と異なる。
図６に示すように、配線４５の第１の貫通部４５ｂの高さ方向ｚに沿う長さは第２の貫通部５ｄの高さ方向ｚに沿う長さより長い。第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置は第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置より高い。それによって、第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とを近づけることができる。よって、素子１０と配線４５とを接続し易くすることができ、生産性を高めることができる。
第１の端部４５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とがほぼ同じであることが好ましい。それによって、素子１０と配線４５とをより一層接続し易くすることができ、より一層生産性を高めることができる。
底部４３における隔壁部４の外側の厚みは、配線４５の第１の貫通部４５ａが設けられている部分における厚みよりも薄い。それによって、底部４３に用いるセラミック材料の量を削減することができ、生産性を高めることができる。
本実施形態においても、底部４３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線４５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第２の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
（第４の実施形態）
図７は、本発明の第４の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板５２において、配線５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点において、第２の実施形態と異なる。
図７は、本発明の第４の実施形態における積層セラミックパッケージを示す模式的断面図である。本実施形態は、積層セラミック基板５２において、配線５が設けられている位置に凹部４３ｃが至っていない点において、第２の実施形態と異なる。
図７に示すように、配線５の第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と第２の端部５ｅの高さ方向ｚの位置とは同じである。この場合においても、第３の実施形態と同様に、凹部４３ｃが設けられていることにより、第１の端部５ａの高さ方向ｚの位置と、素子１０のワイヤ８に接続される部分の高さ方向ｚの位置とを近づけることができる。よって、素子１０と配線５とを接続し易くすることができ、生産性を高めることができる。加えて、底部５３において、凹部４３ｃが設けられている部分の厚みよりも、隔壁部４の外側の領域の厚みの方が厚いため、積層セラミック基板５２における外側の強度を高めることができる。
本実施形態においても、底部５３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第２の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
（第５の実施形態）
図８は、本発明の第５の実施形態における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。図９は、図８中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。本実施形態の積層セラミック基板６２は、配線６５の構成が第１の実施形態と異なる。
図８は、本発明の第５の実施形態における積層セラミック基板を示す模式的平面図である。図９は、図８中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。本実施形態の積層セラミック基板６２は、配線６５の構成が第１の実施形態と異なる。
図８に示すように、配線６５は方向ｙに等ピッチで複数設けられている。なお、配線６５の方向ｙにおけるピッチをＤとする。方向ｙにおいて隣り合う配線６５の各第１の端部５ａの、方向ｘにおける位置は互いに異なる。これにより、第１の端部５ａの位置ずれが生じた場合においても、隣接する配線６５が短絡し難い。よって、配線６５間の短絡を招くことなくピッチを狭くすることができ、配線６５を集中的に配置することができる。
図９に示すように、方向ｙにおいて隣り合う配線６５の接続部６５ｃは、互いに異なる第１のセラミック層３ｂに設けられている。方向ｙに沿う長さを幅としたときに、接続部６５ｃの幅は第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部の幅より広い。それによって、配線６５を設ける際に、第１の貫通部５ｂ及び第２の貫通部と、接続部６５ｃとをより一層確実に接続することができる。加えて、配線６５の電気抵抗を小さくすることができる。
本実施形態においても、底部６３と隔壁部４とを一体的に設けることができ、積層セラミックパッケージの密閉性を効果的に高めることができる。加えて、配線６５が主面における隔壁部４の外側に露出しているため、第１の実施形態と同様に、素子１０以外の素子等を含む装置全体として低背化を図ることができる。
積層セラミック基板６２においては、３層の第１のセラミック層３ｂにそれぞれ接続部６５ｃが設けられている。配線６５は方向ｙにおいて３つ毎に、接続部６５ｃが同じ第１のセラミック層３ｂに設けられている。よって、同じ第１のセラミック層３ｂに設けられている配線６５のピッチは３Ｄである。この場合、接続部６５ｃの幅は、同じ第１のセラミック層３ｂに設けられた配線６５のピッチである３Ｄ未満であればよい。
図１０は、第５の実施形態の変形例における積層セラミック基板の模式的断面図である。なお、図１０は、図９に示す断面に相当する変形例の断面を示す。
本変形例の底部７３においては、６層の第１のセラミック層３ｂにそれぞれ接続部７５ｃが設けられている。この場合には、接続部７５ｃの幅を３Ｄよりも広くすることができ、配線７５の電気抵抗をより一層低くすることができる。このように、第１のセラミック層３ｂの層数を多くすることにより、接続部７５ｃの幅を広くしてもよい。
もっとも、図９に示す本実施形態では、接続部６５ｃが設けられている第１のセラミック層３ｂは３層であるため、第１のセラミック層３ｂの最低限の層数を４層とすることができ、効果的に低背化することができる。
１…積層セラミックパッケージ
２…積層セラミック基板
３…底部
３ａ…主面
３ｂ…第１のセラミック層
４…隔壁部
４ｂ…第２のセラミック層
５…配線
５ａ…第１の端部
５ｂ…第１の貫通部
５ｃ…接続部
５ｄ…第２の貫通部
５ｅ…第２の端部
６…封着材層
７…ガラス蓋
８…ワイヤ
１０…素子
２２…積層セラミック基板
２３…底部
２８…放熱部材
３２…積層セラミック基板
３３…底部
３３ａ…主面
３３ｃ…凹部
３５…配線
３５ｄ…第２の貫通部
３５ｅ…第２の端部
４２…積層セラミック基板
４３…底部
４３ｃ…凹部
４５…配線
４５ａ…第１の貫通部
４５ｂ…第１の端部
５２…積層セラミック基板
５３…底部
６２…積層セラミック基板
６３…底部
６５…配線
６５ｃ…接続部
７３…底部
７５…配線
７５ｃ…接続部
８３ｂ，８４ｂ…第１，第２のグリーンシート
８５ａ…孔
８５ｂ…金属ペースト
８５ｃ…金属ペースト
８６…封着材料
２…積層セラミック基板
３…底部
３ａ…主面
３ｂ…第１のセラミック層
４…隔壁部
４ｂ…第２のセラミック層
５…配線
５ａ…第１の端部
５ｂ…第１の貫通部
５ｃ…接続部
５ｄ…第２の貫通部
５ｅ…第２の端部
６…封着材層
７…ガラス蓋
８…ワイヤ
１０…素子
２２…積層セラミック基板
２３…底部
２８…放熱部材
３２…積層セラミック基板
３３…底部
３３ａ…主面
３３ｃ…凹部
３５…配線
３５ｄ…第２の貫通部
３５ｅ…第２の端部
４２…積層セラミック基板
４３…底部
４３ｃ…凹部
４５…配線
４５ａ…第１の貫通部
４５ｂ…第１の端部
５２…積層セラミック基板
５３…底部
６２…積層セラミック基板
６３…底部
６５…配線
６５ｃ…接続部
７３…底部
７５…配線
７５ｃ…接続部
８３ｂ，８４ｂ…第１，第２のグリーンシート
８５ａ…孔
８５ｂ…金属ペースト
８５ｃ…金属ペースト
８６…封着材料
Claims (9)
- 主面を有し、複数の第１のセラミック層が積層されてなる底部と、
前記底部の一部の領域を囲むように前記主面に設けられており、複数の第２のセラミック層が積層されてなる隔壁部と、
前記主面における前記隔壁部の内側に露出している第１の端部と、前記主面における前記隔壁部の外側に露出している第２の端部とを有し、かつ前記底部内を通る配線とを備える、積層セラミック基板。 - 前記底部の前記第１のセラミック層と前記隔壁部の前記第２のセラミック層とが同じセラミック材料からなる、請求項１に記載の積層セラミック基板。
- 前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置と、前記第２の端部の前記高さ方向の位置とが同じである、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。
- 前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置が、前記第２の端部の前記高さ方向の位置より高い、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。
- 前記第１のセラミック層及び前記第２のセラミック層の積層方向を高さ方向としたときに、前記配線の前記第１の端部の前記高さ方向の位置が、前記第２の端部の前記高さ方向の位置より低い、請求項１または２に記載の積層セラミック基板。
- 前記配線が、前記隔壁部の内側において、前記底部の少なくとも１層の前記セラミック層を積層方向に貫通している第１の貫通部と、前記隔壁部の外側において、前記底部の少なくとも１層の前記セラミック層を積層方向に貫通している第２の貫通部と、前記底部内を通り、前記第１の貫通部及び前記第２の貫通部を接続している接続部とを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の積層セラミック基板。
- 前記配線が複数設けられており、
前記複数の配線のうち少なくとも２つの配線の前記接続部が、互いに異なる前記第１のセラミック層に設けられている、請求項６に記載の積層セラミック基板。 - 前記配線が、前記接続部が延びる方向に直交する方向に複数設けられており、
前記接続部が延びる方向に直交する方向において隣り合う前記配線の前記接続部が、互いに異なる前記第１のセラミック層に設けられており、
前記第１のセラミック層の積層方向と、前記接続部が延びる方向とに直交する方向に沿う長さを幅としたときに、前記接続部の前記幅が前記第１の貫通部及び前記第２の貫通部の前記幅より広い、請求項７に記載の積層セラミック基板。 - 請求項１〜８のいずれか一項に記載の積層セラミック基板と、
前記隔壁部上に設けられているガラス蓋とを備える、積層セラミックパッケージ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017136080A JP2019021670A (ja) | 2017-07-12 | 2017-07-12 | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ |
| PCT/JP2018/017588 WO2019012787A1 (ja) | 2017-07-12 | 2018-05-07 | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ |
| TW107116037A TW201909210A (zh) | 2017-07-12 | 2018-05-11 | 積層陶瓷基板及積層陶瓷封裝 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017136080A JP2019021670A (ja) | 2017-07-12 | 2017-07-12 | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2019021670A true JP2019021670A (ja) | 2019-02-07 |
Family
ID=65002576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017136080A Pending JP2019021670A (ja) | 2017-07-12 | 2017-07-12 | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2019021670A (ja) |
| TW (1) | TW201909210A (ja) |
| WO (1) | WO2019012787A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11372238B2 (en) | 2019-01-30 | 2022-06-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit |
| JP7414553B2 (ja) | 2019-01-30 | 2024-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学ユニット |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005183900A (ja) * | 2003-10-30 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | 発光装置および照明装置 |
| KR20080042798A (ko) * | 2005-06-27 | 2008-05-15 | 라미나 라이팅, 인크. | 발광 다이오드 패키지 및 제작방법 |
| JP5224802B2 (ja) * | 2007-09-29 | 2013-07-03 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージ、発光装置ならびに発光素子収納用パッケージおよび発光装置の製造方法 |
| JP2009164311A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子搭載用基板およびその製造方法およびそれを用いた発光装置 |
| JP2009289841A (ja) * | 2008-05-28 | 2009-12-10 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 発光素子収納用パッケージ |
| DE102011115314B4 (de) * | 2011-09-29 | 2019-04-25 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | LED-Modul |
| JP6694153B2 (ja) * | 2015-09-24 | 2020-05-13 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置、および照明装置 |
-
2017
- 2017-07-12 JP JP2017136080A patent/JP2019021670A/ja active Pending
-
2018
- 2018-05-07 WO PCT/JP2018/017588 patent/WO2019012787A1/ja active Application Filing
- 2018-05-11 TW TW107116037A patent/TW201909210A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201909210A (zh) | 2019-03-01 |
| WO2019012787A1 (ja) | 2019-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6884823B2 (ja) | 電気素子搭載用パッケージ、アレイ型パッケージおよび電気装置 | |
| JP5490876B2 (ja) | 光反射基板、発光素子搭載用基板、発光装置および発光素子搭載用基板の製造方法 | |
| JP5554680B2 (ja) | 発光素子搭載用基板、発光装置およびこれらの製造方法 | |
| JP2010074117A (ja) | 発光装置 | |
| JP5991065B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2006216764A (ja) | 発光素子実装用配線基板 | |
| JP2008172113A (ja) | 配線基板 | |
| JP6476703B2 (ja) | セラミックスパッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 | |
| JP2008235827A (ja) | 発光装置 | |
| JP6597476B2 (ja) | 配線基体の製造方法並びに配線基体及びそれを用いた発光装置。 | |
| JP2019021670A (ja) | 積層セラミック基板及び積層セラミックパッケージ | |
| JP2009141219A (ja) | 発光装置 | |
| JP2011159968A (ja) | 化合物半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法 | |
| JP4163932B2 (ja) | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 | |
| JP6642552B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR101173398B1 (ko) | 발광다이오드 수납용 패키지 및 그 제조방법 | |
| WO2018055846A1 (ja) | 発光素子搭載用基板及びその製造方法、並びに発光素子搭載パッケージ | |
| JP2007329370A (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
| EP2713411B1 (en) | Luminescence device | |
| JP5546390B2 (ja) | 発光素子搭載用基板およびその製造方法 | |
| JP2006049715A (ja) | 発光光源、照明装置及び表示装置 | |
| JP6064415B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP5150384B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| KR100966744B1 (ko) | 세라믹 패키지 및 이의 제조 방법 | |
| JP6335638B2 (ja) | 放熱基板、その製造方法及びその放熱基板を利用したｌｅｄ発光装置 |