JP2019021653A - 圧電素子およびその製造方法、ならびに圧電素子応用デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
第1電極と、
前記第1電極の上方に設けられ、カリウム、ナトリウム、ニオブ、チタン、および酸素を含む圧電体層と、
前記圧電体層の上方に設けられた第2電極と、
を含む。
前記圧電体層に電界強度が200kV/cmである電界を印加したときのリーク電流の電流密度は、1×10−6A/cm2以下であってもよい。
下記一般式を満たす、前記圧電体層における前記チタンの不均一性を示すU値は、140%以下であってもよい。
U={2×(IMAX−IMIN)/(IMAX+IMIN)}×100
(式中、IMAXは、二次イオン質量分析法で前記第2電極側から深さ方向分析を行った場合に、前記圧電体層の所定区間における前記チタンの信号の最大強度であり、IMINは、二次イオン質量分析法で前記第2電極側から深さ方向分析を行った場合に、前記圧電体層の所定区間における前記チタンの信号の最小強度である。)
このような圧電素子では、リーク電流の電流密度(リーク電流密度)を、1×10−6A/cm2以下にすることができる(詳細は、後述する「3. 実験例」参照)。
前記圧電体層の前記カリウム、前記ナトリウム、前記ニオブ、および前記酸素の組成は、
(Kx,Na1−x)ANbO3 (0.1≦x≦0.9、0.85≦A≦1.15)の関係を満たしてもよい。
前記圧電体層は、リチウムを含み、
前記リチウムの含有量は、前記カリウムと前記ナトリウムとのモル数の和に対して、20モル%以下であってもよい。
第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上方に、カリウム、ナトリウム、ニオブ、チタン、および酸素を含む圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の上方に第2電極を形成する工程と、
を含む。
前記第1電極を形成する工程の前に、チタンを含む層を形成する工程と、
前記第1電極を形成する工程の後であって、前記圧電体層を形成する工程の前に、650℃以上750℃以下で熱処理する工程と、
を含み、
前記圧電体層を形成する工程は、焼成する工程を含んでもよい。
本発明に係る圧電素子を含む。
1.1. 構成
まず、本実施形態に係る圧電素子応用デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図1は、本実施形態に係る圧電素子応用デバイスである記録ヘッドを備えた液体噴射装置の一例であるインクジェット式記録装置1000を模式的に示す斜視図である。
隔壁11によって区画されている。
は、圧力発生室12ごとに独立する個別電極として構成されている。第1電極60は、X軸方向において、圧力発生室12の幅よりも狭い幅で形成されている。第1電極60は、Y軸方向において、圧力発生室12よりも広い幅で形成されている。すなわち、Y軸方向において、第1電極60の両端部は、圧力発生室12に対向する領域より外側まで形成されている。Y軸方向において、第1電極60の一端部側(連通路14とは反対側)には、リード電極90が接続されている。
が接合されている。固定板42のマニホールド100に対向する領域は、厚さ方向であるZ軸方向に完全に除去された開口部43となっている。マニホールド100の一方の面(+Z軸方向側の面)は、可撓性を有する封止層41のみで封止されている。
次に、圧電素子300の詳細について説明する。圧電素子300は、第1電極60と、第1電極60の上方に(図示の例では第1電極60上に)設けられた圧電体層70と、圧電体層70の上方に(図示の例では圧電体層70上に)設けられた第2電極80と、を含む。第1電極60の厚さは、例えば、約50nmである。圧電体層70の厚さは、例えば、50nm以上2000nm以下であり、圧電体層70は、いわゆる薄膜の圧電体からなる層である。第2電極80の厚さは、約50nmである。
NNに由来する特性を十分に発揮することができる。
・・・ (3)
結晶が、所定の結晶面に配向していることを示すものとする。例えば「(100)面に優先配向している」とは、圧電体層70の全ての結晶が(100)面に配向している場合と、半分以上の結晶(50%以上、好ましくは80%以上)が(100)面に配向している場合を含む。
してずれていたとしても、圧電素子300は、良好な特性を有することができる。
次に、本実施形態に係る圧電素子300の製造方法について、記録ヘッド1の製造方法と合わせて、図面を参照しながら説明する。図8〜図14は、本実施形態に係る記録ヘッド1の製造工程を模式的に示す断面図である。なお、図8〜図14は、図3のB−B線断面図である。
って構成される。圧電体層70は、例えば、MOD(Metal Organic Decomposition)法やゾルゲル法等の溶液法(化学溶液法)により形成される。このように溶液法によって圧電体層70を形成することで、圧電体層70の生産性を高めることができる。このように溶液法によって形成された圧電体層70は、前駆体溶液を塗布する工程(塗布工程)から前駆体膜を焼成する工程(焼成工程)までの一連の工程を複数回繰り返すことによって形成される。
以下に実験例を示し、本発明をより具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実験例によって何ら限定されるものではない。
以下の方法で、実施例1〜5の圧電素子を作製した。
シリコン基板の表面を熱酸化することで、シリコン基板上に二酸化シリコンからなる弾性層(厚さ1000nm)を形成した。次に、弾性層上にジルコニウム層をスパッタリング法によって成膜し、ジルコニウム層を熱酸化することで酸化ジルコニウムからなる絶縁体層(厚さ400nm)を形成した。次に、絶縁体層上に、厚さ20nmのチタン層をスパッタリング法によって成膜し、密着層を形成した。そして、密着層上に白金層をスパッタリング法によって成膜した後、RTAを用いて、窒素雰囲気中、温度700℃、昇温レート100℃/secで3分間、熱処理を行った。その後、白金層を所定形状にパターニングすることで、厚さ50nmの第1電極を形成した。
気中、温度500℃、昇温レート100℃/secで3分間、熱処理を行った(第1焼成工程)。この塗布工程〜第1焼成工程を7回繰り返した後、電気炉を用いて700℃で、さらに追加で熱処理をする(第2焼成工程)ことで、ニオブ酸カリウムナトリウム(KNN)から成る圧電体層を作製した。
実施例2では、絶縁体層上に、厚さ10nmのチタン層をスパッタリング法によって成膜し、密着層を形成した。上記のこと以外は、実施例2は、実施例1と同様の方法で作製した。
実施例3では、2−エチルヘキサン酸カリウム、2−エチルヘキサン酸ナトリウム、2−エチルヘキサン酸ニオブ、および2−エチルヘキサン酸リチウムからなる溶液を準備し、これを用いて、(K0.4,Na0.6)NbO3の組成の化合物にLiが添加された前駆体溶液を調合した。Liの含有量は、KとNaとのモル数の和に対して、10モル%とした。上記のこと以外は、実施例3は、実施例2と同様の方法で作製した。
実施例4では、密着層上に白金層をスパッタリング法によって成膜した後、熱処理を行わずに、第1電極を形成した。さらに、実施例4では、第1焼成工程では、電気炉を用いたFA(Furnace Annealing)で酸素雰囲気中、温度700℃、昇温レート5℃/sec未満で2時間、熱処理した。上記のこと以外は、実施例4は、実施例1と同様の方法で作製した。
実施例5では、第1焼成工程では、電気炉を用いたFAで酸素雰囲気中、温度800℃、昇温レート5℃/sec未満で2時間、熱処理した。上記のこと以外は、実施例5は、実施例4と同様の方法で作製した。
実施例1〜5において、SIMSを行い、圧電体層におけるTiの不均一性を示すU値を求めた。SIMSは、CAMECA社製の「2次イオン質量分析計 IMS7F」を用いて行った。図15〜図19は、それぞれ実施例1〜5におけるSIMSの結果を示すグラフである。図20は、実施例1〜5におけるU値を示す表である。なお、図20では、リーク電流の電流密度(リーク電流密度)についても表している(詳細は後述する「3.3. リーク電流評価」参照)。
いためである。
実施例1〜5のリーク電流密度を測定した。具体的には、圧電体層に(第1電極と第2電極との間に)電界強度が200kV/cmである電界を印加したときのリーク電流密度を測定した。リーク電流密度の測定は、Agilent社製の「4140B pA Meter」を用いて行った。図20は、実施例1〜5の圧電素子のリーク電流密度を示す表である。図21は、U値とリーク電流密度との関係を示すグラフである。なお、200kV/cmの電界強度は、圧電素子を駆動させるための代表的な電界強度である。
高い場合を、電界強度が負である領域は第1電極の電位が第2電極の電位より低い場合を指す。圧電素子の駆動は電位の正負に依らないが、本実験例では、第1電位が正である時のリーク電流密度に着目した。第1電位の極性(正か負か)による非対象性すなわちリーク電流値の相違は、圧電体と電極とが作る界面構造の相違に由来する。厳密には界面構造の差異による相違は見られるが、圧電体層の構造すなわち圧電体層の組成に起因するリーク電流値にはほとんど差異はない。本実験例では、電流値の評価はセグメント電位が正である場合を採用した。
第1電極製膜後の熱処理(密着層上に白金層をスパッタリング法によって成膜した後、白金層をパターニングする前の熱処理)の影響を調査した。実施例6〜10では、熱処理の温度を、それぞれ、600℃、650℃、700℃、750℃、800℃としたこと以外は、実施例1と同様の方法で作製した。実施例11では、熱処理を行わなかったこと以外は、実施例1と同様の方法で作製した。
走査型透過電子顕微鏡/エネルギー分散型X線分析(STEM−EDS)によって、実施例3および実施例12のチタンの分布を調査した。
施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
Claims (8)
- 第1電極と、
前記第1電極の上方に設けられ、カリウム、ナトリウム、ニオブ、チタン、および酸素を含む圧電体層と、
前記圧電体層の上方に設けられた第2電極と、
を含む、圧電素子。 - 請求項1において、
前記圧電体層に電界強度が200kV/cmである電界を印加したときのリーク電流の電流密度は、1×10−6A/cm2以下である、圧電素子。 - 請求項1または2において、
下記一般式を満たす、前記圧電体層における前記チタンの不均一性を示すU値は、140%以下である、圧電素子。
U={2×(IMAX−IMIN)/(IMAX+IMIN)}×100
(式中、IMAXは、二次イオン質量分析法で前記第2電極側から深さ方向分析を行った場合に、前記圧電体層の所定区間における前記チタンの信号の最大強度であり、IMINは、二次イオン質量分析法で前記第2電極側から深さ方向分析を行った場合に、前記圧電体層の所定区間における前記チタンの信号の最小強度である。) - 請求項1ないし3のいずれか1項において、
前記圧電体層の前記カリウム、前記ナトリウム、前記ニオブ、および前記酸素の組成は、
(Kx,Na1−x)ANbO3 (0.1≦x≦0.9、0.85≦A≦1.15)の関係を満たす、圧電素子。 - 請求項1ないし4のいずれか1項において、
前記圧電体層は、リチウムを含み、
前記リチウムの含有量は、前記カリウムと前記ナトリウムとのモル数の和に対して、20モル%以下である、圧電素子。 - 第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上方に、カリウム、ナトリウム、ニオブ、チタン、および酸素を含む圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の上方に第2電極を形成する工程と、
を含む、圧電素子の製造方法。 - 請求項6において、
前記第1電極を形成する工程の前に、チタンを含む層を形成する工程と、
前記第1電極を形成する工程の後であって、前記圧電体層を形成する工程の前に、650℃以上750℃以下で熱処理する工程と、
を含み、
前記圧電体層を形成する工程は、焼成する工程を含む、圧電素子の製造方法。 - 請求項1ないし5のいずか1項に記載の圧電素子を含む、圧電素子応用デバイス。
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