JP2018529232A - オプトエレクトロニクス部品 - Google Patents
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- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 274
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 83
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 40
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 39
- 239000012778 molding material Substances 0.000 claims description 35
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 15
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000012772 electrical insulation material Substances 0.000 description 2
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
- H01S5/02234—Resin-filled housings; the housings being made of resin
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02257—Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
- H01S5/02216—Butterfly-type, i.e. with electrode pins extending horizontally from the housings
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Abstract
Description
2 更なるオプトエレクトロニクス部品
3 隣接するオプトエレクトロニクス部品
10 オプトエレクトロニクス半導体チップ
12 放出方向
14 放出された放射
100 ハウジング
102 凹部
103 出口面の横幅
104 出口面
106 外壁面
107 外壁面の一部位
110 ハウジング本体
111 ハウジング壁
112 開口部
113 開口部の横幅
114 キャビティ
120 ハウジング基部
122 上側
123 下側
125 基部凹部
126 リードフレーム
127 接触要素
128 チップ接触パッド
129 基部接触パッド
140 封止材料
200 ハウジング本体を有するハウジング部品集合体
202 ハウジング部品集合体の凹部
205 分割面
210 成形型
212 出口面の形を定めるパーツ
214 凹部の形を定めるパーツ
300 オプトエレクトロニクス部品
310 ハウジング
311 外壁面
312 ハウジングカバー
313 キャビティ
314 凹部
316 ベアリング面
317 下側
318 上側
319 側面
320 ハウジング基部
321 前端部
322 はんだ接触部
330 台座
334 高さ
Claims (20)
- ハウジング(100、310)に配置されて電磁放射(14)を放出するためのオプトエレクトロニクス半導体チップ(10)を有する、オプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)であって、
前記ハウジング(100、300)は外壁面(106、311)と、前記電磁放射(14)に対して透明な出口面(104)を有し、
前記出口面(104)は前記外壁面(106、311)に比べて前記ハウジング(100、310)の内部に向かう方向に後退しており、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)から放出方向(12)において放出された放射(14)を前記出口面(104)を通って前記オプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)から出せるように配置されている、オプトエレクトロニクス部品。 - 前記外壁面(106、311)には分割跡があり、前記出口面(104)には分割跡がない、
請求項1に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記出口面(104)は前記放出方向(12)に対し垂直である、
請求項1または2に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)は、前記ハウジング(100、310)のハウジング基部(120、320)の上側(122)の上方に配置されている、
請求項1〜3のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記放出方向(12)は前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)に対し平行である、
請求項4に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)は、前記出口面(104)の領域に基部凹部(125)を有し、
前記基部凹部(125)は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)と前記外壁面(106、311)の間に位置する、
請求項4または5に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)は前記上側(122)に配置されている台座(330)に配置されている、
請求項4〜6のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記台座(330)は前記上側(122)に施されたメタライゼーション層により形成され、前記メタライゼーション層の高さ(334)は前記上側(122)に垂直な方向において少なくとも20μm、特に100μmから300μmである、
請求項7に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング(100、310)は、前記ハウジング基部(120、320)を有するハウジング本体(110)と、封止材料(140)とを有し、
前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)に隣接するキャビティ(114、313)が前記ハウジング本体(110)に形成されており、
前記ハウジング本体(110)は少なくとも前記外壁面(106)の一部を有し、
前記キャビティ(114、313)は少なくとも一部が前記封止材料(140)で封止されており、
前記出口面(104)は前記封止材料(140)から形成される、
請求項4〜8のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング本体(110)は、内部に前記出口面(104)が配置されている開口部(112)を有し、
前記開口部(112)は少なくとも一部が前記封止材料(140)で封止されている、
請求項9に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記外壁面(106)の一部位(107)は前記封止材料(140)から形成される、
請求項9または10に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング基部(127)は、チップ接触パッド(128)および基部接触パッド(129)を有する接触要素(127)を有しており、
前記チップ接触パッド(128)および前記基部接触パッド(129)は互いに導通接続しており、
前記接触要素(127)は前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)から、前記ハウジング基部(120、320)において前記上側(122)の反対側に位置する下側(123)まで延伸しており、
前記チップ接触パッド(128)は前記ハウジング基部(120、320)の前記上側(122)の一部を形成し、前記基部接触パッド(129)は前記ハウジング基部(120、320)の前記下側(123)の一部を形成している、
請求項9〜11のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング(100、310)は、前記放射(14)に対して透明でありかつ前記ハウジング基部(120、320)に配置されているハウジングカバー(312)を有し、
前記外壁面(311)と前記出口面(104)は少なくとも一部が前記ハウジングカバー(312)に形成されており、
前記ハウジングカバー(312)は前記ハウジング基部(120、320)に配置されている、
請求項4〜8のいずれか1項に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 前記ハウジング基部(120、320)は、回路基板またはセラミック基板を有している、
請求項13に記載のオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)。 - 外壁面(106、311)と、内部に配置されたオプトエレクトロニクス半導体チップ(10)から放出された電磁放射(14)に対して透明な出口面(104)とを有するハウジング(100、310)、を有するオプトエレクトロニクス部品(1、2、3、4、300)を製造するための方法であって、
前記出口面(104)は前記外壁面(106、311)に比べて前記ハウジング(100、310)の内部に向かう方向に後退しており、
前記方法は、
前記放射に対して透明な成形材料から前記出口面(104)を、前記出口面(104)の形を定める成形型(210)を使用して、ハウジング部品集合体(200)内で成形する工程を含む、方法。 - 前記ハウジング部品集合体(200)を分割することにより、前記外壁面(106、311)を形成する工程を更に含む、
請求項15に記載の方法。 - 前記出口面(104)は、前記成形型(210)によって形が定められる、前記ハウジング部品集合体(200)の凹部(202)の中に形成され、
前記凹部(202)は、前記ハウジング部品集合体(200)の分割の際に分割される、
請求項16に記載の方法。 - 前記オプトエレクトロニクス半導体チップ(10)を受け入れるためのキャビティ(114、313)を有する前記ハウジング(100、310)の、ハウジング本体(110)を有する前記ハウジング部品集合体(200)を準備する工程と、
前記成形型(210)を前記キャビティ(114、313)に配置する工程と、
前記キャビティ(114、313)に前記透明な成形材料を充填する工程と、を更に含む、請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。 - 前記成形型(210)の、前記出口面(104)の形を定めるパーツが、前記ハウジング本体(110)の開口部(112)に配置される、
請求項18に記載の方法。 - 前記出口面(104)と共に、前記ハウジング(100、310)のハウジングカバー(312)を有する前記ハウジング部品集合体(200)が、前記透明な成形材料から成形され、
前記方法は、更に前記ハウジングカバー(312)を、前記ハウジング(100、310)のハウジング基部(120、320)に配置する工程を更に含む、
請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015115824.8A DE102015115824A1 (de) | 2015-09-18 | 2015-09-18 | Optoelektronisches Bauelement |
DE102015115824.8 | 2015-09-18 | ||
PCT/EP2016/071851 WO2017046257A1 (de) | 2015-09-18 | 2016-09-15 | Optoelektronisches bauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018529232A true JP2018529232A (ja) | 2018-10-04 |
JP6691960B2 JP6691960B2 (ja) | 2020-05-13 |
Family
ID=56926218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018512196A Active JP6691960B2 (ja) | 2015-09-18 | 2016-09-15 | オプトエレクトロニクス部品 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10784411B2 (ja) |
JP (1) | JP6691960B2 (ja) |
CN (1) | CN108475708B (ja) |
DE (1) | DE102015115824A1 (ja) |
WO (1) | WO2017046257A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023119768A1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | ローム株式会社 | レーザダイオード装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7238277B2 (ja) * | 2018-06-14 | 2023-03-14 | 富士電機株式会社 | 半導体装置、リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
WO2020092296A1 (en) | 2018-10-30 | 2020-05-07 | Excelitas Canada, Inc. | High speed switching circuit configuration |
US11264778B2 (en) * | 2018-11-01 | 2022-03-01 | Excelitas Canada, Inc. | Quad flat no-leads package for side emitting laser diode |
US11152288B2 (en) * | 2019-04-25 | 2021-10-19 | Infineon Technologies Ag | Lead frames for semiconductor packages |
WO2022098694A1 (en) * | 2020-11-04 | 2022-05-12 | Excelitas Canada, Inc. | Semiconductor side emitting laser on board package and method forming same |
DE102021118354A1 (de) | 2021-07-15 | 2023-01-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verkapselung von seitenemittierenden laserpackages mittels vacuum injection molding |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5868991A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子装置用ステムの製造方法 |
JPS63136684A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Hitachi Ltd | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム |
JPH05129731A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-25 | Rohm Co Ltd | モールド型半導体レーザ装置の製造方法 |
JP2003179292A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
US20060285565A1 (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-21 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Structure of laser and method of manufacturing the same |
JP2007035794A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型led及びその製造方法 |
JP2009170741A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2014531132A (ja) * | 2011-10-20 | 2014-11-20 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram OptoSemiconductors GmbH | 放射放出部品 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001196640A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Sharp Corp | サイド発光型led装置及びその製造方法 |
CN1189951C (zh) * | 2000-04-24 | 2005-02-16 | 罗姆股份有限公司 | 侧发射型半导体光发射器件及其制造方法 |
JP2003133626A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子用パッケージ及び発光素子の封止方法 |
DE10153259A1 (de) * | 2001-10-31 | 2003-05-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
JP3743426B2 (ja) | 2002-02-13 | 2006-02-08 | オムロン株式会社 | 光学式エンコーダ |
DE20302873U1 (de) * | 2003-02-21 | 2004-07-01 | Harting Electro-Optics Gmbh & Co. Kg | Lasermodul |
US6960872B2 (en) * | 2003-05-23 | 2005-11-01 | Goldeneye, Inc. | Illumination systems utilizing light emitting diodes and light recycling to enhance output radiance |
DE102004045950A1 (de) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
JP2009117536A (ja) * | 2007-11-05 | 2009-05-28 | Towa Corp | 樹脂封止発光体及びその製造方法 |
JP5217800B2 (ja) * | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
CN201739899U (zh) * | 2010-02-23 | 2011-02-09 | 金芃 | 直下式薄型led背光模组 |
CN201717509U (zh) * | 2010-04-27 | 2011-01-19 | 光环科技股份有限公司 | 高气密度的塑胶光学封装罩 |
US20110280266A1 (en) * | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser apparatus, method of manufacturing semiconductor laser apparatus and optical apparatus |
DE102010053809A1 (de) * | 2010-12-08 | 2012-06-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und Verwendung eines derartigen Bauelements |
US9583681B2 (en) * | 2011-02-07 | 2017-02-28 | Cree, Inc. | Light emitter device packages, modules and methods |
DE102011056700A1 (de) | 2011-12-20 | 2013-06-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
CN103423608A (zh) * | 2012-05-14 | 2013-12-04 | 中央大学 | 发光二极管混光元件 |
CN103199177A (zh) * | 2013-02-26 | 2013-07-10 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 光学组件的制造方法 |
CN205050160U (zh) * | 2015-10-13 | 2016-02-24 | 青岛东软载波智能电子有限公司 | 一种采用红外标记的字轮码读取装置 |
-
2015
- 2015-09-18 DE DE102015115824.8A patent/DE102015115824A1/de active Pending
-
2016
- 2016-09-15 CN CN201680067562.5A patent/CN108475708B/zh active Active
- 2016-09-15 JP JP2018512196A patent/JP6691960B2/ja active Active
- 2016-09-15 US US15/760,027 patent/US10784411B2/en active Active
- 2016-09-15 WO PCT/EP2016/071851 patent/WO2017046257A1/de active Application Filing
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5868991A (ja) * | 1981-10-20 | 1983-04-25 | Toshiba Corp | 半導体発光素子装置用ステムの製造方法 |
JPS63136684A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Hitachi Ltd | 光電子装置およびその製造方法ならびにその方法に用いるリ−ドフレ−ム |
JPH05129731A (ja) * | 1991-11-06 | 1993-05-25 | Rohm Co Ltd | モールド型半導体レーザ装置の製造方法 |
JP2003179292A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
US20060285565A1 (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-21 | Unity Opto Technology Co., Ltd. | Structure of laser and method of manufacturing the same |
JP2007035794A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型led及びその製造方法 |
JP2009170741A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2014531132A (ja) * | 2011-10-20 | 2014-11-20 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram OptoSemiconductors GmbH | 放射放出部品 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023119768A1 (ja) * | 2021-12-22 | 2023-06-29 | ローム株式会社 | レーザダイオード装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108475708B (zh) | 2021-10-12 |
DE102015115824A1 (de) | 2017-03-23 |
US20180261731A1 (en) | 2018-09-13 |
CN108475708A (zh) | 2018-08-31 |
JP6691960B2 (ja) | 2020-05-13 |
US10784411B2 (en) | 2020-09-22 |
WO2017046257A1 (de) | 2017-03-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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