JP2018504697A - 電子機器 - Google Patents
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Abstract
本発明は電子機器10を開示し、前記電子機器10は、コイル101と、非接触機能を有するチップ102と、整流装置103と切替装置104とを含み、切替装置104はコイル101と非接触機能を有するチップ102との間に接続され、コイル101の第1出力端はそれぞれ整流装置103の第1入力端と非接触機能を有するチップ102の第2入力端に電気的に接続され、その中で、コイル101は誘導して第1入力端により交流信号を出力し、整流装置103は、コイル101が第1入力端から入力の交流信号を受信して、整流装置103の第2出力端により電気エネルギーを出力し、切替装置104は、入力された作動電圧の働きで、コイル101と、非接触機能を有するチップ102とを連通させ、また、制御信号を受信した場合、受信された制御信号に基づいて、コイル101と非接触式機能を有するチップ102との導通・遮断を制御する、ことを特徴とする。【選択図】図2
Description
本発明は電子技術分野に関し、特に電子機器に関する。
従来技術において、電子機器例えばスマートカード等はリーダーと通信する場合に、スマートカードはコイルを介してリーダー(POS機、NFC携帯電話等)のコイルに接続されるとともに、スマートカードはリーダーのコイルにより給電されることができるが、現在のスマートカードはリーダーにより発生された電磁場のエネルギーを有効に利用することができず、リーダーコイルの電磁場のエネルギーを無駄にする。
本発明の目的は、上記の技術的課題の一つを解決することである。
本発明の主となる目的は、電子機器を提供することである。
上記の目的を達成するために、本発明の技術案は以下のように実現される。
本発明の一つの側面によると、電子機器を提供する。前記電子機器は、コイルと、非接触機能を有するチップと、整流装置と、切替装置と、を含み、前記切替装置は前記コイルと前記非接触機能を有するチップとの間に接続され、前記コイルの第1出力端は前記整流装置の第1入力端に電気的に接続されて前記切替装置を介して前記非接触機能を有するチップの第2入力端に電気的に接続されている。
前記コイルは誘導されて前記第1出力端により交流信号を出力することに用いる。
前記整流装置は、前記コイルが前記第1入力端から入力し前記交流信号を受信して、前記整流装置の第2出力端により電気エネルギーを出力する。
前記切替装置は、入力された作動電圧の働きで前記コイルと、前記非接触機能を有するチップとを連通させ、また、制御信号を受信した場合、受信された前記制御信号に基づいて、前記コイルと非接触式機能を有するチップとの導通・遮断を制御することに用いる。
また、前記作動電圧は前記整流装置から出力された電圧以上である。
また、前記作動電圧と前記整流装置から出力された電圧との差は所定値より以上である。
また、前記整流装置は、前記切替装置に前記作動電圧を提供するように、前記切替装置に電気的に接続される。
また、前記切替装置は前記非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、前記非接触機能を有するチップの制御端から出力された前記制御信号を受信する。
また、前記電子機器は、中央制御ユニットMCUを更に含み、その中、前記切替モジュールは前記MCUの制御端に電気的に接続され、前記MCUの制御端から出力された前記制御信号を受信する。
また、前記電子機器は、電気部品を更に含み、その中、前記整流装置の第2出力端は、前記電気部品に電気エネルギーを提供するように、前記電気部品に電気的に接続される。
また、前記電気機器は、充電電池を更に含み、その中、前記整流装置は、前記充電電池に電気エネルギーを提供するように、前記充電電池に電気的に接続される。
また、前記電子機器は、前記整流装置と前記充電電池との間に接続される充電回路を更に含み、前記充電回路は前記充電電池を充電するように制御される。
また、前記切替装置は、交流入力端と、第3出力端と、制御モジュールと、第1導通・遮断モジュールと第2導通・遮断モジュールとを含む。
その中、前記第1導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置される。その中、前記第1導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第1通路を導通し、前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との第2通路を遮断する一方、前記第1導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第1端は前記第3出力端の第1端との間の第1通路を遮断し、前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第2通路を導通し、その中、前記第1通路は第2通路と反対の方向がで、前記第1通路は、前記交流入力端の第1端から前記第3出力端の第1端までの通路又は前記第3出力端の第1端から前記交流入力端の第1端までの通路である。
前記第2導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第2端及び前記第3出力端の第2端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置される。その中、前記第2導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第3通路を導通し、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第4通路を遮断する一方、前記第2導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第3通路を遮断し、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第4通路を導通し、その中、前記第3通路は第4通路と反対の方向で、前記第3通路は、前記交流入力端の第2端から前記第3出力端の第2端までの通路又は前記第3出力端の第2端から前記交流入力端の第1端までの通路である。
前記制御モジュールは、前記切替装置の作動電圧と共通接地との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、その中、前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールが遮断状態になるように制御する一方、前記制御モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端と協力して前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールのうちの一つが導通状態になるように制御する。
また、前記第1導通・遮断モジュールは第1の制御可能なスイッチと第1フリーホイール導通部品とを含む。
その中、前記第1の制御可能なスイッチは、第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、前記第1フリーホイール導通部品は、前記第1の制御可能なスイッチの第1接続端と前記第1の制御可能なスイッチの第2接続端との間に接続され、且つ第1の制御可能なスイッチの導通方向に反対する。
前記第1の制御可能なスイッチの第1接続端は前記交流入力端の第1端に接続されるように配置され、前記第1の制御可能なスイッチの第2接続端は、前記第3出力端の第1端に接続されるように配置され、前記第1の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、前記制御信号の制御で前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第1通路を導通又は遮断するように配置され、前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第1通路は、前記交流入力端の第1端から前記第3出力端の第1端までの通路又は前記第3出力端の第1端から前記交流入力端の第1端までの通路である。
また、前記第2導通・遮断モジュールは第2の制御可能なスイッチと第2フリーホイール導通部品とを含む。
前記第2の制御可能なスイッチは、第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、前記第2フリーホイール導通部品は前記第2の制御可能なスイッチの第1接続端と前記第2の制御可能なスイッチの第2接続端との間に接続され且つ第2の制御可能なスイッチの導通方向と反対する。
前記第2の制御可能なスイッチの第1接続端は、前記交流入力端の第2端に接続されるように配置され、前記第2の制御可能なスイッチの第2接続端は、前記第3出力端の第2端に接続されるように配置され、前記第2の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、制御信号の制御で前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第1通路を導通又は遮断するように配置され、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第1通路は、前記交流入力端の第2端から前記第3出力端の第2端までの通路又は前記第3出力端の第2端から前記交流入力端の第2端の通路である。
また、前記第1導通・遮断モジュールは、第1強化型MOSトランジスタを含み、前記第2導通・遮断モジュールは第2強化型MOSトランジスタを含む。
また、前記第1導通・遮断モジュールは、第1負荷部品を含み、その中、前記第1強化型MOSトランジスタのゲートは前記第1負荷部品を介して前記制御モジュールに接続される。
前記第2導通・遮断モジュールは第2負荷部品を含み、その中、前記第2強化型MOSトランジスタのゲートは前記第2負荷部品を介して前記制御モジュールに接続される。
また、前記第1負荷部品は抵抗器又は第1の一方向導通部品である。前記第1の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む。
前記第2負荷部品は抵抗器又は第2の一方向導通部品である。前記第2の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む。
また、前記第1の制御可能なスイッチは第1MOSトランジスタと第1バイアス抵抗器とを含む。
また、前記第1MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタで、前記第1MOSトランジスタのソースは前記第1の制御可能なスイッチの第1接続端で、前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第1の制御可能なスイッチの第2接続端で、前記第1MOSトランジスタのゲートは前記第1の制御可能なスイッチの制御端である。前記第1バイアス抵抗器の一端は前記第1MOSトランジスタのソースに接続され、他端は前記第1MOSトランジスタのゲートに接続されている。
また、前記第1の制御可能なスイッチは、第1負荷部品を更に含み、その中、前記第1MOSトランジスタのゲートは前記第1負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている。
また、前記第1負荷部品は抵抗器又は第1の一方向導通部品で、前記第1の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む。
また、前記第2の制御可能なスイッチは、第2MOSトランジスタと第2バイアス抵抗器を含む。
また、前記第2MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタで、前記第2MOSトランジスタのソースは前記第2の制御可能なスイッチの第1接続端で、前記第2MOSトランジスタのドレインは前記第2の制御可能なスイッチの第2接続端で、前記第2MOSトランジスタのゲートは前記第2の制御可能なスイッチの制御端である。前記第2バイアス抵抗器の一端は前記第2MOSトランジスタのソースに接続され、他端は前記第2MOSトランジスタのゲートに接続されている。
また、前記第2の制御可能なスイッチは、第2負荷部品を更に含み、その中、前記第2MOSトランジスタのゲートは前記第2負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている。
また、前記第2負荷部品は抵抗器又は第2の一方向導通部品で、前記第2の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む。
また、制御可能なスイッチである前記制御モジュールは、第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、その中、前記制御モジュールの第1接続端は、前記作動電圧に接続されるように配置され、前記制御モジュールの第2接続端は、共通接地に接続されるように配置され、前記制御モジュールの制御端は、外部から前記制御信号を受信して前記制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、前記制御モジュールの第1接続端は、前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールとに接続されるように配置され、前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールとが遮断状態になるように制御し、前記制御モジュールが遮断状態にある場合に、前記交流入力端と結合して前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールの中からの一つが導通状態になるように制御する。
また、前記制御モジュールは、第3MOSトランジスタと第3バイアス抵抗器とを含む。
また、前記第3MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタで、前記第3MOSトランジスタのドレインは前記制御モジュールの第1接続端で、前記第3バイアス抵抗器を介して前記作動電圧に接続され、前記第3MOSトランジスタのソースは前記制御モジュールの第2接続端で、前記第3MOSトランジスタのゲートは前記制御モジュールの制御端である。
また、前記第1MOSトランジスタと前記第2MOSトランジスタは接合型電界効果トランジスタ(JFET)である。
従来技術に比べ、本発明の実施例により提供される電子機器は、整流装置と非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイルとチップとは連通状態にする場合、電子機器は他の機器と近距離無線通信(NFC)を行うとともに、電子機器のコイルから電気を供給することもでき、電子機器の作業に給電し、又は電子機器に内蔵された電源を充電し、これにより通信すると共に電気を供給し、電子機器の利用率を高め、電気エネルギーの無駄遣いを防止する。また、本実施例は、コイルとチップとの間の通路を更に遮断ことができ、コイルとチップとが遮断状態にする場合、チップはこれ以上電気を消耗しないため、整流装置は最大限で電気エネルギーを受信することができ、外に給電して、整流装置の電気を供給する効率を向上することができる。また、本発明の実施例において、コイルとチップとの間に切替装置を加えることで、システムは共通接地問題を解決し、ベースを共通できない整流装置とチップとに、ベースを共通させることができ、電子機器も普通に作業することができる。
本発明の実施例による技術案をより明白に説明するために、以下に、実施例に対する説明による必要となる図面を簡単に紹介し、明らかに、下記の説明による図面はただ本発明の一部の実施例だけであり、当業者にとっては、進歩性に値する労力を必要としない前提で、これらの図面から他の図面を取得することができる。
従来技術におけるスマートカードの構造概略図である。
本発明の実施例1と3により提供される電子機器の構造概略図である。
本発明の実施例1により提供される電子機器における整流装置の概略図である。
本発明の実施例1により提供される電子機器のもう一つの構造概略図である。
本発明の実施例2により提供される電子機器の構造概略図である。
本発明の実施例5により提供される電子機器の構造概略図である。
本発明の実施例7により提供される電子機器の構造概略図である。
本発明の実施例8により提供される切替装置の構造ブロック図である。
本発明の実施例8により提供される切替装置の回路図である。
本発明の実施例9により提供される切替装置の回路図である。
本発明の実施例10により提供される電子機器の回路図である。
本発明の実施例11により提供される電子機器の回路図である。
以下に、本発明の実施例における図面を結合して、本発明の実施例による技術案を明瞭で完全的に説明し、明らかに、説明された実施例は本発明の一部の実施例だけで、全部の実施例ではない。本発明の実施例に基づき、当業者は進歩性に値する労力を必要としない前提でなし得る全ての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に属する。
本発明の説明において、「中心」、「縦方向」、「横方向」、「上」、「下」、「前」、「後」、「左」、「右」、「鉛直」、「水平」、「頂」、「底」、「内」、「外」などの用語が示す方位又は位置関係は、図面に示す方位又は位置関係に基づき、本発明を便利にまたは簡単に説明するために使用されるものであり、指定された装置又は部品が特定の方位にあり、特定の方位において構造され操作されると指示又は暗示するものではないので、本発明に対する限定と理解してはいけない。なお、「第1」、「第2」の用語は目的を説明するためだけに用いられるものであり、比較的な重要性又は数又は位置を指示又は暗示すると理解してはいけない。
なお、本発明の説明において、明確な規定と限定がない限り、「取り付け」、「互いに接続」、「接続」の用語の意味は広く理解されるべきである。例えば、固定接続や、着脱可能な接続や、あるいは一体的な接続でも可能である。机械的な接続や、電気的な接続も可能である。直接的に接続することや、中間媒体を介して間接的に接続することや、二つの部品の内部が連通することも可能である。当業者にとって、具体的な場合によって上記用語の本発明においての具体的な意味を理解することができる。
以下に、図面を参照しながら本発明の実施例を更に詳しく説明する。
実施例1
従来技術分野において、電子機器をスマートカードとすることを例とし、図1に示すように、スマートカードは、コイルとスマートカードチップとを含み、コイルはスマートカードに直接的に接続され、スマートカードが近距離である(即ち、スマートカードを他の機器(例えばリーダーや、携帯)の無線周波数電磁場(Radio-frequency field)に置く)と、スマートカードチップの回路は電磁場のエネルギーを消耗することになり、電気を供給する回路はスマートカードとコイルを共有して最適な電気を供給する効率を取得することができず、一つの電気を供給するコイルが増えると、回路の難度とコストをアップすると共に、スマートカードが機器と通信する機能までに影響を与える。従って、如何に電気を供給するコイルを増やさずに電気を供給する回路(本実施例において、「整流装置」とも呼ぶ)がスマートカードとコイルを共有し、電気を供給する回路の電気を供給する効率を向上することは、従来のスマートカードが解消する必要がある難題となる。
従来技術分野において、電子機器をスマートカードとすることを例とし、図1に示すように、スマートカードは、コイルとスマートカードチップとを含み、コイルはスマートカードに直接的に接続され、スマートカードが近距離である(即ち、スマートカードを他の機器(例えばリーダーや、携帯)の無線周波数電磁場(Radio-frequency field)に置く)と、スマートカードチップの回路は電磁場のエネルギーを消耗することになり、電気を供給する回路はスマートカードとコイルを共有して最適な電気を供給する効率を取得することができず、一つの電気を供給するコイルが増えると、回路の難度とコストをアップすると共に、スマートカードが機器と通信する機能までに影響を与える。従って、如何に電気を供給するコイルを増やさずに電気を供給する回路(本実施例において、「整流装置」とも呼ぶ)がスマートカードとコイルを共有し、電気を供給する回路の電気を供給する効率を向上することは、従来のスマートカードが解消する必要がある難題となる。
本発明の実施例によると、電子機器10を提供する。図2は本発明の実施例による電子機器の構造を示す模式図である。図2に示すように、本発明の実施例による電子機器10は、コイル101と、非接触機能を有するチップ102とを含み、整流装置103と切替装置104とを更に含む。
本発明の実施例により提供される技術案において、コイル101の第1出力端は整流装置103の第1出力端と切替装置104の第1端にそれぞれ接続され、コイル101の第2出力端は整流装置103の第2出力端と切替装置104の第2端にそれぞれ接続されている。その中、コイル101の第1出力端は第2出力端と位相が反対する交流信号を出力する。これにより切替装置104は導通する場合、第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905(実施例8の図9を参照)の中から少なくとも一つが導通状態になる。
切替装置104の第3端は非接触機能を有するチップ102の第1入力端に接続されているが、切替装置104の第4端は非接触機能を有するチップ102の第2入力端に接続されている。
切替装置104の第5端は、作動電圧を受信するように配置され、コイル101を非接触機能を有するチップと連通させる。本実施例において、初期状態において、切替装置104の第5端は作動電圧を受信し、当該作動電圧はコイル101を非接触機能を有するチップ102と連通させることができ、制御信号を受信していない場合、コイル101と非接触機能を有するチップ102とは連通状態になると黙認する。
切替装置104の第6端は制御信号を受信するように配置され、切替装置は制御信号に応じて制御されて導通状態又は遮断状態になり、切替装置が遮断状態にある場合、制御コイルは非接触機能を有するチップと遮断する一方、切替装置が導通状態にある場合、制御コイルは非接触機能を有するチップと導通する。
本発明の実施例により提供される技術案において、電子機器は、スマートカード又は他のNFC機能を有するものを含むがこれらを限定するものではない。当該電子機器10を他の機器のRF場に置いて非接触の近距離無線通信(NFC)を行うと、電子機器10のコイル101はそれぞれ非接触機能を有するチップ102と整流装置103とに接続され、当該コイル101を利用して電気を吸い込んで整流装置103(即ち電気を供給する回路)に給電し、非接触機能を有するチップ102との通信を更に完了し、整流装置103は交流(AC)について整流した後電子機器の作動のための電源を出力する。これにより、本実施例における電子機器は他の機器と近距離無線通信(NFC)すると同時に、電子機器のコイルから電気を供給することができ、電子機器の作動に給電することができ、又は電子機器に内蔵された電源を充電することにより、電子機器の利用率を高める。
本発明の実施例により提供される技術案において、電気を供給するコイルはスマートカードとコイルを共有することで、電気を供給するコイルの電気の供給効率を向上できない課題を解消するために、コイル101とチップ102との間のRFキャリアを有効に遮断しなければならない。従って、本実施例に切替装置を増やし、当該切替装置はコイル101と非接触機能を有するチップ102との間に接続され、切替装置104と非接触機能を有するチップ102とは共通接地に接続され(即ち両者が共通接地)、受信された制御信号に基づいて制御コイル101が非接触機能を有するチップ102との導通・遮断を制御し、コイル101と非接触機能を有するチップ102との間の通路の遮断を示す信号を受信すると、切替装置はコイル101と非接触機能を有するチップ102との間の通路を遮断し、このように、非接触機能を有するチップ102はコイルとのRFキャリアが遮断され、非接触機能を有するチップ102の影響がない場合に、コイルの電流は全部整流回路に流れ、整流回路が最大効率に電気量を供給することができる。
本発明の実施例により提供される技術案において、電子機器はスマートカード又はNFC機能を有するものを含むがそれらを限定するものではない。表示、キー入力等の機能を有してもよく、同時に、当該スマートカードには更にセキュリティチップを含んでも良く、セキュリティチップは、電子署名、署名検証、動的パスワードの生成と検証等の機能に用いられる。当該電子機器は無線方式(RF、NFC等)で他の機器(例えば、カードリーダー、POS機、NFC携帯電話等)と通信する。非接触機能を有するチップはスマートカードチップ又は、CPUに接続される、非接触機能を有するインターフェースチップを含むがそれらを限定するものではなく、即ち、非接触機能を有するチップであれば、いずれも本実施例に適用される。
本発明の実施例による一つの選択的な実施案において、コイル101はRFコイル又はNFCコイル等であっても良く、当該コイルは13.56Mで働くことができる。コイル101が受信する信号はNFC信号、RF信号等非接触信号を含むがそれらを限定するものではなく、非接的式は非接触式を指し、電気的に接続しなくても通信することができる。電子機器は近距離であると、(即ち、他の機器、(例えば、カードリーダー、携帯)のRF場に入る)と、コイルは非接的式でNFC信号を受信して電気を吸込んで整流装置に給電し、非接触機能を有するチップは他の機器と近距離無線通信する。
本実施例において、整流回路はブリッジ回路を採用して実現することができ、本実施例による一つの選択可能な実施形態において、整流回路は図3に示すようなブリッジ回路を採用し、二つのダイオード口を増やして「ブリッジ」のような構造に接続すれば、全波整流回路を有し、当該二級管整流ブリッジの一端IBはコイルの第1入力端に接続されるが、当該二級管整流ブリッジの他端IAはコイルの第2入力端に接続される。
本発明の実施例による一つの選択的な実施案において、切替装置104の第6端は非接触機能を有するチップ102の制御端に接続され(図2における実線で示すように)、非接触機能を有するチップ102により送信された制御信号を受信する。本実施例において、非接触機能を有するチップ102は切替装置104に制御信号を送信して、切替装置の導通・遮断を制御するように、切替装置に対する…を達成することができる。当該選択可能な実施例形態において、当該非接触機能を有するチップ102はMCUのスマートカードチップを集積しても良く(図2における点線に示すように)、非接触機能を有するインターフェースチップであっても良い(図2に示されていない)。当該インターフェースチップは一つのCPUに接続されても良く、当該CPUからインターフェースチップを介して切替装置104に制御信号を送信する。このように、非接触機能を有するチップ102により切替装置104に対する導通・遮断の制御を達成する。
本発明の実施例による選択可能な実施案において、本実施例による電子機器波、非接触機能を有するチップ102に接続される中央制御ユニットMCU105(図2における点線に示すように)を更に含む。
その中で、切替装置104の第6端はMCU105の制御端に接続され、MCUから送信した信号を受信する。これにより、MCU105により切替装置104についての導通・遮断を制御することができる。
本実施例により提供される技術案において、切替装置を作動電圧Vccに入れ、非接触機能を有するチップ102と共通接地することを黙認し、コイル101は非接触機能を有するチップ102とずっと連通する状態にさせる。本実施例による一つの選択可能な実施例形態において、切替装置104は制御されて導通状態又は遮断状態にする。切替装置104は遮断を示す制御信号を受信した場合、切替装置104は遮断状態にし、コイル101と非接触機能を有するチップ102とが遮断するように制御し、切替装置104は再び導通を示す制御信号を受信した場合、切替装置は作動電圧Vccに入れたため、切替装置104は導通状態になり、コイル101と非接触機能を有するチップ102とが導通するように制御する。
本実施例によると、整流装置は非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイル101は非接触機能を有するチップ102と連通状態になると、通信とともに電気を供給することができるが、コイル101は非接触機能を有するチップ102と遮断状態になると、チップはこれ以上電気を消耗しないことで、整流装置は最大限で電気エネルギーを受信し、整流装置の電気を供給する効率を向上することができる。
また、一般、非接触機能を有するチップは一定の電力又は電圧で作動し、チップの電力又は電圧は固有電力又は固有電圧を超えると、チップの素子を破壊したり通常に作動できなくなったりするので、普通、自体の作動の需要を維持するために、非接触機能を有するチップはその自体に入れる電圧を限定するが、本発明において、非接触機能を有するチップはコイルに接続された場合、コイルの出力電圧を限定する必要があり、チップは整流装置とコイルを共有する時、整流装置により受信された電圧も低くさせ、整流装置の電気吸込みの効率を下げ、その給電効率も下がり、それに対し、本発明の切替装置を利用すると、チップが作動の必要がない場合にコイルとチップとの通路を遮断することで、コイルの出力電圧に影響を与えず、整流装置はカードリーダーフィールドの最大可能な電圧を受信することができ、これによりカードリーダー電磁場のエネルギーが利用される効率を高める。
本実施例による一つの選択可能な実施形態において、図4に示すように、切替装置104の第5端は、整流装置103の出力端と導通するように配置され、整流装置103の出力端は切替装置104に作動電圧Vccを出力する。該電子機器は他の機器のRF場に入る時、コイル101が生じるのは交流電で、交流電の電圧はコイルによって生じた電界強度の変化につれて変化し、よって、切替装置の第5端と整流装置103の出力端と導通した後、電子機器内部に切替装置104に提供した作動電圧は整流装置出力の出力電圧と同一電圧で、これにより切替装置は初期状態に作動電圧に入れると、ずっと導通状態を保持することができ、これでコイル101は非接触機能を有するチップ102と連通する。しかも、電子機器はフィールドを離れる(即ち、他の機器のRF場から離れる)と、コイル101により生じた交流は電流が生じないまでに次第に小さくなり、この時、切替装置の作動電圧はゼロで、切替装置は遮断状態にし、コイル101は非接触機能を有するチップ102も自動的に遮断し、即ち電子機器がフィールドから離れると、コイル101と、非接触機能を有するチップ102との間のRFキャリアを遮断することを保証することができる。
本実施例において、整流装置は非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイル101は非接触機能を有するチップ102と連通状態になる時、通信と同時に電気を供給することができ、コイル101は非接触機能を有するチップ102と遮断状態になる時、整流装置の電気を供給する効率を向上することができる。
実施例2
図5に示すように、本実施例に電子機器が提供され、本実施例は、本実施例における切替装置104の第5端は、整流装置103の出力端と導通するように配置されなく、その代わりに、切替装置104の第5端は外部電源に接続され、外部電源により切替装置に作動電圧Vccを提供する点で、実施例1と相違する。
図5に示すように、本実施例に電子機器が提供され、本実施例は、本実施例における切替装置104の第5端は、整流装置103の出力端と導通するように配置されなく、その代わりに、切替装置104の第5端は外部電源に接続され、外部電源により切替装置に作動電圧Vccを提供する点で、実施例1と相違する。
本実施例における選択可能な実施形態において、外部電源の給電電圧Veeは予め設定された条件を満たす必要がある。
その中で、本実施例による一つの選択可能な実施形態において、以下に、切替装置はNMOSトランジスタを採用するものを例として説明する。外部電源が切替装置に提供する作動電圧Veeは整流装置103の出力端により出力された電圧VCCより以上である。その中で、一つの選択可能な形態として、外部電源の給電電圧は整流装置103の出力端により出力された電圧+0.7Vの和より大きい場合は、最適な効果を達成することができる。
VCCの最適な方式は外部整流レベルを採用することであり、VCCはコイル両端の最大レベルが一つのダイオード圧力降下を引くものにイコールし、外部電圧は外部整流レベルより小さい場合、コイルはチップと連通すると、切替装置により受信された最大の作動電圧VeeはVCCがMOSトランジスタターンオン電圧を引くものであるため、外部に電源を入れる場合、最適な作動電圧Veeは整流電圧VCCより以上となり、電圧が整流電圧VCCより小さい場合、導通するとエネルギー損失があり、ICカードの作動距離は外部電圧に限定される。
勿論、切替装置はPMOSトランジスタを採用しても良く、外部電源が切替装置に提供する作動電圧Veeは整流装置出力端により出力された電圧と満足する条件として、具体的にPMOSトランジスタの導通条件によって設置されるため、ここで説明を省略する。
本実施例により提供される技術案によると、外部電源の給電電圧は予め設定された条件を満たせば、電子機器が電磁場範囲に入っても離れても切替装置を導通状態にさせることが保証することができ、更にコイル101は非接触機能を有するチップ102と連通する。
実施例3
本発明の実施例は、電子機器を提供する。
本発明の実施例は、電子機器を提供する。
図2は本発明の実施例により提供される電子機器10の構造概略図である。図2に示すように、当該電子機器10は、コイル101と非接触機能を有するチップ102とを含み、更に、整流装置103と切替装置104とを含む。切替装置104はコイル101と非接触機能を有するチップ102との間に接続され、コイル101の第1出力端は整流装置103の第1入力端に電気的に接続され、前記切替装置により非接触機能を有するチップ102の第2入力端に電気的に接続される。その中で、コイル101は誘導して第1出力端により交流信号を出力するためのものである。整流装置103はコイル101が第1入力端から入力の交流信号を受信し、整流装置103の第2出力端により電気エネルギーを出力したり又は外部へ給電したりするためのものである。切替装置104は入力された作動電圧の作用でコイル101と非接触機能を有するチップ102とを連通すること、及び制御信号が受信された場合、受信された制御信号に基づいてコイル101の非接触機能を有するチップ102との導通・遮断を制御することに用いる。
本実施例により提供される電子機器10において、整流装置103によりコイルが誘導した電磁場のエネルギーが有効に利用され、切替装置104により、チップ102はデータ通信を行わない場合に、コイルとチップ102との接続を遮断し、整流装置103から出力の電気エネルギーを増やす。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、以下に、切替装置はNMOSトランジスタを例として説明し、切替装置104の作動電圧は整流装置103から出力の電圧以上である。具体的に実施されるうちに、電子機器10に電池が設けられ、当該電池で切替装置104に作動電圧を提供し、柔軟に達成することができる。好ましくは、作動電圧は整流装置103により出力された電圧の差は予め設定された値より大きい。好ましくは、当該予め設定された値は整流装置103が誘導した圧力降下(0V以上)、例えば、0.7∨であっても良い。これにより最大限で切替装置104はコイル101とチップ102との接続の導通を保証することができる。勿論、切替装置はPMOSトランジスタを採用しても良く、作動電圧は整流装置出力端から出力の電圧と満たす条件として、具体的にはPMOSトランジスタの導通条件により設置するものであるため、ここで説明を省略する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、整流装置103は切替装置104に電気的に接続され、切替装置104に作動電圧を提供する。当該選択可能な実施案により、整流装置103から出力の電圧は切替装置104に作動電圧を提供し、エネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、切替装置104は非接触機能を有するチップ102の制御端に電気的に接続され、非接触機能を有するチップ102の制御端から出力の制御信号を受信する。当該選択可能な実施案により、チップ102から制御信号を送信し、他にコントローラーを追加する必要はなく、コストダウンする。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器10は、中央制御ユニットMCU105を更に含む。その中で、切替モジュールはMCU105の制御端に電気的に接続され、MCU105の制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施形態において、MCU105から制御信号を送信することで、制御しやすくなる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器10は電気部品を更に含み、その中、整流装置103の第2出力端は電気部品に電気的に接続され、電気部品に電気エネルギーを提供する。この選択可能な実施案において、整流装置103から出力された電気エネルギーは電気部品に電気エネルギーを提供し、コイルにより誘導された電磁場のエネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器10は、充電電池を更に含む。その中、整流装置103は充電電池に電気的に接続され、充電電池に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施案において、整流装置103から出力された電気エネルギーは充電電池を充電し、充電電池により、チップ102がカードリーダーを離れても引き続きチップ102を充電することができ、スマートカードの機能を豊富させ、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器10は、整流装置103と充電電池との間を接続する充電回路を更に含み、前記充電回路は制御されて充電電池を充電する。当該選択可能な実施案において、制御されて充電することにより、チップ102が使用されていない時に電池を充電することができ、チップ102の通信効果が保証された上で充電効率を高める。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、当該選択可能な構造において、切替装置104は、交流入力端と、第3出力端と、制御モジュールと、第2導通・遮断モジュールと、第2導通・遮断モジュールとを含んでも良い。その中で、第1導通・遮断モジュールは交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間に設けられ、制御されて導通状態又は遮断状態になるように配置されている。その中で、第1導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間の第1通路を導通するが、交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間の第2通路を遮断する。第1導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間の通路を遮断する一方、交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間の第2通路を遮断する。その中で、第1通路は第2通路と反対の方向である。第1通路は交流入力端の第1端から第3出力端の第1端までの通路又は第3出力端の第1端から交流入力端の第1端までの通路である。第2導通・遮断モジュールは、交流入力端の第2端と第3出力端の第2端との間に設けられ、制御されて導通状態又は遮断状態になるように配置されている。その中で、第2導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、交流入力端の第2端鳩第3出力端の第2端との間の第3通路を導通するが、交流入力端の第2端と第3出力端の第2端との間の第4通路を遮断する。第2導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第2端と第3端の第2端との間の第3通路を遮断する一方、交流入力端の第2端と第3出力端の第2端との間の第4通路を導通する。その中で、第3通路は第4通路の方向と反対である。第3通路は交流入力端の第2端から第3出力端の第2端までの通路又は第3出力端の第2端から交流入力端の第1端までの通路である。制御モジュールは、切替装置の作動電圧と共通接地との間に設けられ、制御されて導通状態又は遮断状態になるように配置されている。その中で制御モジュールが導通状態にある場合、第1導通・遮断モジュールと第2導通・遮断モジュールとが遮断状態になるように制御する一方、制御モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端と結合して第1導通・遮断モジュール及び第2導通・遮断モジュールの中からの1つが導通状態になるように制御する。
その中で、第1導通・遮断モジュールの第1通路又は第2通路と、第2導通・遮断の第3通路又は第4通路の方向と反対する場合、交流入力端と第3出力端に回路が形成され、これこそ信号は交流入力端と第3出力端との間に伝送する。
これにより、本発明の実施例により提供される切替装置104は、制御されて交流入力端と出力端との間の電圧出力の達成が保証される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュールは第1の制御可能なスイッチと第1フリーホイール導通部品とを含み、その中で、第1の制御可能なスイッチは、第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、第1フリーホイール導通部品は第1の制御可能なスイッチの第1接続端と第1の制御可能なスイッチの第2接続端との間に接続され且つ第1の制御可能なスイッチの導通方向と反対である。第1の制御可能なスイッチの第1接続端は交流入力端の第1端に接続されるように配置され、第1の制御可能なスイッチの第2接続端は第3出力端の第1端に接続されるように配置され、第の1制御可能なスイッチの制御端は制御モジュールから制御信号を受信し、更に、制御信号の制御で交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間の第1通路を導通又は遮断するように配置され、交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間の第1通路は交流入力端の第1端から第3出力端の第1端までの通路又は第3出力端の第1端から交流入力端の第1端までの通路である。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュールは第2の制御可能なスイッチと第2フリーホイール導通部品とを含み、その中で、第2の制御可能なスイッチは、第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、第2フリーホイール導通部品は第2の制御可能なスイッチの第1接続端と第2の制御可能なスイッチの第2接続端との間に接続され且つ第2の制御可能なスイッチの導通方向と反対である。第2の制御可能なスイッチの第1接続端は交流入力端の第2端に接続されるように配置され、第2の制御可能なスイッチの第2接続端は第3出力端の第2端に接続されるように配置され、第2の制御可能なスイッチの制御端は制御モジュールから制御信号を受信して、更に、制御信号の制御で交流入力端の第2端と第3出力端の第2端との間の第1通路を導通又は遮断するように配置され、交流入力端の第2端と第3出力端の第2端との間の第1通路は交流入力端の第2端から第3出力端の第2端までの通路又は第3出力端の第2端から交流入力端の第2端までの通路である。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュールは第2導通・遮断モジュールと同一の制御可能なスイッチを採用することができるが、第2導通・遮断モジュールと異なる制御可能なスイッチを採用することもでき、本発明の実施例における第1導通・遮断モジュールと第2導通・遮断モジュールとの機能が発揮される制御可能なスイッチであれば、いずれも本発明の保護範囲に属すべきである。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュールは、第1強化型MOSトランジスタ(MOSFET管)を含むことができるが、第2導通・遮断モジュールは第2強化型MOSトランジスタ(MOSFET管)を含むこともできる。選択的には、第1導通・遮断モジュールは第2導通・遮断モジュールの中からの少なくとも一つが強化型MOSトランジスタを採用し、強化型MOSトランジスタにダイオードが寄生されている。強化型MOSトランジスタを採用するのは、スイッチの導通・遮断機能を達成することができ、その等価抵抗が小さいことを利用することにより、切替装置と結合する他の部品への影響を小さくさせ、コストダウンされて回路の信頼性を向上する。
本実施例において、Nチャンネル又はPチャンネル強化型MOSトランジスタを選択することができる。以下に、第1強化型MOSトランジスタと第2強化型MOSトランジスタとはNチャンネルMOSトランジスタであることを例として説明する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1強化型NMOSトランジスタのソースは交流入力端の第1端に接続され、ドレインは出力端の第1端に接続され、ゲートは制御モジュールに接続される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュールは第1強化型MOSトランジスタを含む以外、第1バイアス抵抗器R1を更に含み、第1オフセットR1の一端は第1強化型NMOSトランジスタのソースに接続され、他端は第1強化型NMOSトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第1強化型NMOSトランジスタのソースとゲートとの間に接続されることは、第1強化型MOSトランジスタを確実に遮断させることが決定され、回路の安定性と信頼性を保証する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュールは第1強化型MOSトランジスタを含む以外、第1負荷部品を更に含み、第1負荷部品の一端はゲートに接続され、他端は制御モジュールに接続される。負荷部品を採用して第1強化型NMOSトランジスタと制御モジュールとに接続されることは、回路の安定性と信頼性が保証される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1負荷部品は抵抗であっても良い。第1バイアス抵抗器R1の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第1負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1負荷部品は第1片方向であっても良い。第1の一方向導通部品の出力端は第1負荷部品の一端として第1強化型NMOSトランジスタのゲートに接続され、第1の一方向導通部品の入力端は第1負荷部品の他端として制御モジュールに接続される。第1バイアス抵抗器R1の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第1負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止することができ、回路の安定性と信頼性を高める。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現することができる。
勿論、本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュールはPチャンネルMOSトランジスタを採用しても良く、その接続関係はMOSトランジスタの特性によって適切な補正をすれば良い。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2強化型NMOSトランジスタのソースは交流入力端の第2端に接続され、ドレインは入力端の第2端に接続され、ゲートは制御モジュールに接続される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュールは第2強化型MOSトランジスタを含む以外、第2バイアス抵抗器R1を更に含み、第2オフセットR1の一端は第2強化型NMOSトランジスタのソースに接続され、他端は第2強化型NMOSトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第2強化型NMOSトランジスタのソースとゲートとの間に接続されることは、第2強化型MOSトランジスタを確実に遮断させることが決定され、回路の安定性と信頼性を保証する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュールは第2強化型MOSトランジスタを含む以外、第2負荷部品を更に含み、第2負荷部品の一端はゲートに接続され、他端は制御モジュールに接続される。負荷部品を採用して第2強化型NMOSトランジスタと制御モジュールとに接続されることは、回路の安定性と信頼性が保証される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2負荷部品は抵抗であっても良い。第2バイアス抵抗器R1の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第2負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することができる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2負荷部品は第2片方向であっても良い。第2の一方向導通部品の出力端は第2負荷部品の一端として第2強化型NMOSトランジスタのゲートに接続され、第2の一方向導通部品の入力端は第2負荷部品の他端として制御モジュールに接続される。第2バイアス抵抗器R1の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第2負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止することができ、回路の安定性と信頼性を高める。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現することができる。
勿論、本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュールはPチャンネルMOSトランジスタを採用しても良く、その接続関係はMOSトランジスタの特性によって適切な補正をすれば良い。
本発明の実施例のもう1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュールは第1の制御可能なスイッチと第1フリーホイール導通部品とを含み、第2導通・遮断モジュールとは第2の制御可能なスイッチと第2フリーホイール導通部品とを含む。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュールは第1の制御可能なスイッチを含む場合、第1の制御可能なスイッチは第1MOSトランジスタを含んでも良く、この時、第1の制御可能なスイッチは第1バイアス抵抗器を更に含み、本発明の一つの選択可能な実施形態として、第1MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタを選択しても良く、ソースを第1の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端の第1端に接続され、ドレインを第1の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端の第1端に接続され、ゲートを第1の制御可能なスイッチとして第1の制御可能なスイッチの制御端とし、第1バイアス抵抗器の一端により第1MOSトランジスタのソースに接続され、他端は第1MOSトランジスタのゲートに接続される。本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、回路の安定性が保証されるために、第1の制御可能なスイッチは第1MOSトランジスタと第1の一方向導通部品とを含む以外、第1負荷部品を更に含むことができ、第1MOSトランジスタのゲートは当該第1負荷部品を介して制御モジュールに接続される。勿論、第1の制御可能なスイッチはPチャンネルMOSトランジスタを採用すること我でき、その接続関係はMOSトランジスタの特性により適切な補正をすれば良い。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1負荷部品は抵抗器又は第1の一方向導通部品であっても良く、第1の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現される。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1MOSトランジスタ(第1NMOSトランジスタと第1PMOSトランジスタを含む)は接合型電界効果トランジスタ(JFET)を採用することができる。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュールは第2の制御可能なスイッチを含む場合、第2の制御可能なスイッチは第2MOSトランジスタを含むことができ、この時、第2の制御可能なスイッチは第2バイアス抵抗器を更に含んでも良い。本発明の一つの選択可能な実施形態として、第2MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタと選択することができ、ソースは第2の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端の第2端に接続され、ドレインは第2の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端の第2端に接続され、ゲートは第2制御可能な制御端として、第2バイアス抵抗器の一端は第2MOSトランジスタのソースに接続され、他端は第2MOSトランジスタのゲートに接続される。本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、回路の安定性を保証するために、第2の制御可能なスイッチは第1MOSトランジスタと第2バイアス抵抗器を含む以外、第2負荷部品を更に含み、第2MOSトランジスタのゲートは第2負荷部品で制御モジュールに接続される。勿論、第2の制御可能なスイッチはPチャンネルMOSトランジスタを採用することができ、その接続関係はMOSトランジスタの特性により適切な補正をすれば良い。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2負荷部品は抵抗器又は第2の一方向導通部品であっても良く、ここで、第2の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用して実現することができる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2MOSトランジスタ(第2NMOSトランジスタと第2PMOSトランジスタを含む)は接合型電界効果トランジスタ(JFET)を採用しても良い。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1の制御可能なスイッチはPチャンネルMOSトランジスタを選択することができ、第2の制御可能なスイッチはPチャンネルMOSトランジスタを選択することもできる。勿論、第1の制御可能なスイッチは第2の制御可能なスイッチと異なる種類のMOSトランジスタを選択してもよく、例えば、第1の制御可能なスイッチはNチャンネルMOSトランジスタを採用し、第2の制御可能なスイッチはPチャンネルMOSトランジスタを採用する等、本発明の実施例による第1の制御可能なスイッチと第2の制御可能なスイッチの機能を実現できる制御可能なスイッチであれば、いずれも本発明の保護範囲に属すべきである。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、制御モジュールは制御可能なスイッチであっても良く、制御可能なスイッチは第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、その中、第1接続端は前記作動電圧に接続されるように配置され、第2接続端は共通接地に接続されるように配置され、制御端は外部から前記制御信号を受信して前記制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、同時に、第1接続端は第1導通・遮断モジュールと第2導通・遮断モジュールとに接続されるように配置され、更に制御モジュールが導通状態にある場合、第1導通・遮断モジュールと第2導通・遮断モジュールとが遮断モジュールとに入るように制御し、制御モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端と結合して第1導通・遮断モジュールと第2導通・遮断モジュールの中からの一つが導通状態に入るように制御する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、制御モジュールは制御可能なスイッチである場合、MOSトランジスタを含むことができ、この時、回路を結合して合理的な負荷を決定するように、制御可能なスイッチは第3バイアス抵抗器R3を更に含む。本発明の一つの選択可能な実施形態として、MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタを選択することができ、ドレインを制御可能なスイッチの第1接続端とし、第3バイアス抵抗器R3により作動電圧に接続され、即ち、ドレインは第3バイアス抵抗器R3の一端に接続され、第3バイアス抵抗器R3の他端は作動電圧に接続され、ソースを制御可能なスイッチの第2接続端として、共通接地に接続され、ゲートを制御端として外部からの制御信号を受信する。勿論、制御モジュールはPチャンネルMOSトランジスタを採用しても良く、その接続関係はMOSトランジスタの特性により適切な補正をすれば良い。
実施例4
本発明の実施例によると、電子機器を提供する。
本発明の実施例によると、電子機器を提供する。
本発明の実施例により提供される電子機器は、コイルと非接触機能を有するチップとを含み、整流装置を更に含み、コイルの出力端はそれぞれ整流装置の入力端と非接触機能を有するチップの入力端とに電気的に接続される。ここで、コイルは、交流信号の発生、及び出力端による交流信号の出力のためのものである。整流装置はコイルが整流装置の入力端から入力の交流信号を受信するためのもので、更に整流装置の出力端により電気エネルギーを出力したり外に電気エネルギーを提供したりする。
本実施例による電子機器は、コイルにより発生された交流信号を電気エネルギーとして外へ提供することができ、電磁場のエネルギーの有効利用率を向上する。
本発明の実施例により提供された技術案において、電子機器は、スマートカード又は他のNFC機能を有する電子機器を含むがそれらを限定するものではない。非接触機能を有するチップはスマートカード、又は非接触機能を有するインターフェースチップを含むがそれを限定するわけではない。前記インターフェースチップはCPUに接続される。本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、コイル101により受信された信号はNFC信号、RF信号等非接触信号を含むがそれらを限定するものではないが、非接的式即ち非接触式は、電気的な接続を介しなくても通信することができる。電子機器は近距離であるとき、(即ち他の機器(例えばカードリーダーや、携帯電話)のRFに入る)時、コイルは非接的式でNFC信号を受信することで、非接触機能を有するチップは他の機器と近距離無線通信する。
本発明の実施例による選択可能な実施案において、電子機器は、コイルと非接触機能を有するチップとの間に接続された切替装置を更に含むことができる。ここで、切替装置は入力された作動電圧の作用でコイルと非接触機能を有するチップとを連通し、及び制御信号を受信した場合に、受信された制御信号に基づいてコイルと非接触機能を有するチップとの導通・遮断を制御する。当該選択可能な実施案において、切替装置を通して、チップはデータ通信しない場合にコイルとチップとの接続を遮断して、整流装置により出力された電気エネルギーを増やすことができ、切替装置の具体的な構造は実施例8及び図8と図9とを参照する。一つの選択可能な実施例において、切替装置は図9におけるMOSトランジスタを採用して達成することができる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、以下に、切替装置はNMOSトランジスタを例として説明し、作動電圧は整流装置が出力する電圧以上である。当該選択可能な実施形態により、電池から切替装置に作動電圧を提供することができ、柔軟である。本発明の実施例による一つの実施可能な実施案において、作動電圧は整流装置から入力された電圧の差は予め設定された値より以上である。好ましくは、予め設定された値は整流装置により生じた圧力降下(0V以上)、例えば0.7Vであっても良い。当該実施形態により、切替装置は、コイルとチップとの接続を導通することが最大限で保証される。勿論、切替装置はPMOSトランジスタを採用することができ、作動電圧と整流装置の出力端から出力された電圧とは満たす条件は、具体的に、PMOSトランジスタの導通条件により設けられるため、ここで説明を省略する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、整流装置は切替装置に電気的に接続され、切替装置に作動電圧を提供する。当該選択可能な実施案により、整流装置から出力された電気エネルギーは切替装置に作動電圧を提供し、エネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、切替装置は非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、非接触機能を有するチップの制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施案により提供される電子機器は、チップから制御信号を送信し、他にコントローラーを追加する必要はない。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、当該電子機器は、中央制御ユニットMCUを更に含む。ここで、切替モジュールはMCUの制御端に電気的に接続され、MCUの制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施案により提供される電子機器は、MCUから制御信号を送信し、制御しやすい。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、コイルの出力端は、第1出力端口と第2出力端口とを含み、非接触機能を有するチップの入力端は、第1入力端口と第2入力端口とを含み、切替装置は、第1端口と、第2端口と、第3端口と、第4端口と、第5端口と第6端口とを含む。ここで、切替装置の第1端口はコイルの第1出力端口に電気的に接続され、切替装置の第2端口はコイルの第2出力端口に接続され、切替装置の第3端口は非接触機能を有するチップの第1入力端口に接続され、切替装置の第4端口は非接触機能を有するチップの第2入力端口に接続され、切替装置の作動電圧は切替装置の第5端から入力し、制御信号は切替装置の第6端から出力する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、電気部品を更に含む。その中で、整流装置は電気部品に電気的に接続され、電気部品に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施案において、整流装置により出力された電気エネルギーを電気部品に提供し、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、充電電池を更に含む。その中で、整流装置の出力端は充電電池に電気的に接続され、充電電池に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施案において、整流装置により出力された電気エネルギーは充電電池を充電し、充電電池により、チップはカードリーダーから離れても引き続きチップに給電することができ、スマートカードの機能を豊かにし、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、整流装置と充電電池との間に接続された充電回路を更に含み、充電回路は制御されて充電電池を充電する。当該選択可能な実施案により、制御されて充電することにより、チップが使用されていない時に電池を充電することができ、チップの通信効果が保証された場合の充電効率を向上する。
実施例5
本実施例により提供される電子機器70は、図6に示すように、コイル701と、非接触機能を有するチップ702と、整流装置703とを含む。具体的な実施形態において、当該電子機器は1枚のスマートカードであっても良く、当該スマートカードは、表示、キー入力等の機能を有してもよく、同時に、当該スマートカードには更にセキュリティチップを含むことができ、セキュリティチップは、電子署名、署名検証、動的パスワードの生成と検証等の機能に用いられる。当該スマートカードは無線(RF、NFC等)でカードリーダー(例えば、POS機、NFC携帯電話等)と通信する。
本実施例により提供される電子機器70は、図6に示すように、コイル701と、非接触機能を有するチップ702と、整流装置703とを含む。具体的な実施形態において、当該電子機器は1枚のスマートカードであっても良く、当該スマートカードは、表示、キー入力等の機能を有してもよく、同時に、当該スマートカードには更にセキュリティチップを含むことができ、セキュリティチップは、電子署名、署名検証、動的パスワードの生成と検証等の機能に用いられる。当該スマートカードは無線(RF、NFC等)でカードリーダー(例えば、POS機、NFC携帯電話等)と通信する。
本実施例による一つの選択可能な実施形態において、コイル701はRFコイル又はNFCコイル等であっても良く、当該コイル701を利用して、電子機器70はカードリーダーのコイルに接続されることができ、これによりカードリーダーとの通信又は電子機器70に給電することが実現される。当該スマートカードは13.56MHzに作動し、当該コイルは1443協議の規定に該当する周波数のコイルである。コイル101により受信された信号は、NFC信号、RF信号等非接触信号を含むがそれらを限定するものではない。非接的式は非接触式で、電気的な接続を介する必要はなく通信することができる。電子機器は近距離である(即ち他の機器(例えばカードリーダー、携帯電話)のRF場に入る)と、コイルは非接的式でNFC信号を受信して電気を吸込んで整流装置に出力して給電し、非接触機能を有するチップは他の機器と近距離無線通信する。
本実施例における選択可能な実施形態において、非接触機能を有するチップ702は1443協議の規定に該当するチップで、普通のICカードチップであっても良いし、非接触インターフェースとCPUを含むチップであっても良い。即ち、非接触機能を有するチップであれば、いずれも本発明に適用することができる。
本実施例による一つの選択可能な実施形態において、整流装置703はダイオード等片方向の導通部品を含むことができ、具体的には、4つのダイオードにより接続されたブリッジ回路であっても良く、コイルから出力された電気エネルギーについて整流を行い、電気エネルギーを出力する。
コイル701の第1出力端は整流装置703の第1入力端と非接触機能を有するチップ702の第1端とにそれぞれ接続され、コイル701の第2出力端は整流装置703の第2入力端と非接触機能を有するチップ702の第2端とにそれぞれ接続される。具体的には、コイル701は、整流装置703と非接触機能を有するチップ702とにそれぞれ接続され、同時に整流装置703と非接触機能を有するチップ702とに電気エネルギーを出力する。
本実施例により提供される電子機器は、当該電子機器はカードリーダーに接続される場合に、電子機器のコイルにより電気エネルギーを得られ、更に電気エネルギーを整流装置とチップとに伝送し、チップに給電すると同時に、エネルギーを整流装置に出力し、カードリーダーコイルの電磁場のエネルギーを十分に利用することにより、電気エネルギーの無駄遣いが防止される。本実施例において、整流装置は非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイルと非接触機能を有するチップとは連通状態にする場合、通信と同時に電気を供給することができ、コイルと非接触機能を有するチップとは遮断状態になる場合、整流装置の電気吸込み効率を向上することができる。
また、整流装置703の出力端は電子機器70における給電が必要となる装置に接続される。具体的な実施形態において、整流装置703の出力端は当該電子機器70の他の給電が必要となる装置に接続され、例えば、ディスプレイと、キーと、セキュリティチップ等、電子機器の他の給電が必要となる装置が通常に作業できることを維持し、他の給電が必要となる装置のために更に電気エネルギーを配置する必要はなくなり、エネルギーを節約することができる。その中で、整流装置は図3に示すダイオードブリッジ整流回路を採用し、具体的な説明は図3に対する説明を参照してください。非接触機能を有するチップ内部にも整流回路があり、当該整流回路は図3に類似する二級管整流ブリッジを採用し、当該二級管整流ブリッジのIA端はコイルの第1入力端Aに接続され、当該二級管整流ブリッジのIB端はコイルの第2入力端Bに接続され、当該二級管整流ブリッジのIC端は給電端VCCで、当該二級管整流ブリッジのID端は接地し、給電端において地と直接にフィルタ・コンデンサに接続され、フィルタリングするためのものである。
また、電子機器70は電池装置704を更に含む。電池装置704の一端は整流装置703の出力端に接続される。具体的な実施形態において、電気エネルギーを更に十分に利用するために、当該電子機器は電池装置704を更に含み、整流装置703から出力された電気エネルギーを電池装置を充電することができる。
また、電池装置704は充電制御回路7041及び充電電池7042とを更に含み、充電制御回路7041は導通する場合、コイル701は充電電池7042を充電する。具体的な実施形態において、充電制御回路は充電電池を充電するか否かを制御し、例えば、充電制御回路は一つのスイッチであっても良く、スイッチの導通・遮断を制御することにより充電電池を充電するか否かを判定し、充電電池7042を充電する必要がある場合、スイッチを連通するが、充電電池7042を充電する必要はない場合、スイッチを遮断する。
また、電池装置704の他端は非接触機能を有するチップ702の給電端に接続される。具体的には、当該電池装置704は非接触機能を有するチップ702に更に接続され、当該電池装置704を利用して非接触機能を有するチップ702に給電し、これにより非接触機能を有するチップ702に電池を配置する必要はなくなり、非接触機能を有するチップ702はコイルが遮断しても引き続き作業できる。
実施例6
本発明の実施例によると、電子機器を提供する。
本発明の実施例によると、電子機器を提供する。
本発明の実施例による電子機器は、主に、コイルと非接触機能を有するチップとを含み、更に、コイルと非接触機能を有するチップとの間に接続された切替装置を含む。その中で、コイルは、交流信号を生じてその出力端から出力するためのものである。切替装置は入力された作動電圧の作用で、コイルの出力端と非接触機能を有するチップの入力端とを連通する、及び制御信号を受信した場合に受信された制御信号に基づいて、コイルと非接触機能を有するチップとの導通・遮断を制御するためのものである。
本実施例により提供される電子機器は、切替装置によりコイルとチップとの間の接続を遮断することにより、チップが通信しない場合、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による技術案において、電子機器は、スマートカード又は他のNFC機能を有する電子機器を含むがそれらを限定するものではない。非接触機能を有するチップはスマートカードチップ、又は非接触機能を有するインターフェースチップを含みがそれらを限定するものではなく、前記インターフェースチップはCPUに接続される。本発明の実施例による1つの選択可能な実施案において、コイル101により受信された信号はNFC信号、RF信号等非接触信号を含むがそれらを限定するものではないが、非接的式即ち非接触式で、電気的な接続を介しなくても通信することができる。電子機器は近距離である、(即ち他の機器(例えばカードリーダー、携帯電話)のRF場に入る)と、コイルは非接的式でNFC信号を受信し、非接触機能を有するチップは他の機器と近距離無線通信を行う。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施案において、切替装置は非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、非接触機能を有するチップの制御端から出力された制御信号を受信する。切替装置の具体的な構造は実施例8及び図8と図9とを参照すると、1つの選択可能な実施例において、切替装置は図9におけるMOSトランジスタを採用して実現することができる。当該選択可能な実施形態により、チップから制御信号を送信し、他のコントローラーを追加する必要はなく、コストダウンする。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施案において、電子機器は、中央制御ユニットMCUを更に含む。その中で、切替装置はMCUの制御端に電気的に接続され、MCUの制御端から出力された制御信号を受信する。この選択可能な実施形態において、MCUから制御信号を送信することで、制御しやすくなる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、コイルの出力端は、第1出力端と第2出力端とを含み、非接触機能を有するチップの入力端は、第1入力端口と第2入力端口とを含み、切替装置は、第1端口と、第2端口と、第3端口と、第4端口と、第5端口と第6端口とを含む。ここで、切替装置の第1端口はコイルの第1出力端口に電気的に接続され、切替装置の第2端口はコイルの第2出力端口に接続され、切替装置の第3端口は非接触機能を有するチップの第1入力端口に接続され、切替装置の第4端口は非接触機能を有するチップの第2入力端口に接続され、切替装置の作動電圧は切替装置の第5端から入力し、制御信号は切替装置の第6端から出力する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施案において、電子機器は、整流装置を更に含むことができる。整流装置の入力端はコイルの出力端に電気的に接続される。その中、整流装置はコイルが整流装置の入力端から入力された交流信号を受信するためのもので、更に、整流装置の出力端により電気エネルギーを出力する。当該選択可能な実施形態により、電子機器は外へ電気エネルギーを提供することができ、電磁場のエネルギーがより有効に利用される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、以下に、切替装置はNMOSトランジスタを採用することを例として説明し、作動電圧は整流装置の出力電圧以上である。当該選択可能な実施形態により、電池から切替装置に作動電圧を提供することができ、柔軟に実現される。本発明の実施例による1つの選択可能な実施案において、作動電圧は整流装置から出力された電圧との差は予め設定された値より以上である。好ましくは、予め設定された値は整流装置により生じた圧力降下(0V以上)、例えば0.7Vであっても良い。当該実施形態により、切替装置は、コイルとチップとの接続を導通することが最大限で保証される。勿論、切替装置はPMOSトランジスタを採用することができ、作動電圧と整流装置の出力端から出力された電圧とは満たす条件は、具体的に、PMOSトランジスタの導通条件により設けられるため、ここで説明を省略する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、整流装置の出力端は切替装置に電気的に接続され、切替装置に作動電圧を提供する。当該選択可能な実施形態により、整流装置から出力された電気エネルギーは切替装置に作動電圧を提供し、エネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、電気部品を更に含む。その中で、整流装置は電気部品に電気的に接続され、電気部品に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施形態により、整流装置により出力された電気エネルギーを電気部品に提供し、コイルにより発生された電磁場のエネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による選択可能な実施案において、電子機器は、充電電池を更に含む。その中で、整流装置は充電電池に電気的に接続され、充電電池に電気エネルギーを提供する。当該選択可能な実施形態により、整流装置により出力された電気エネルギーは充電電池を充電し、充電電池により、チップはカードリーダーから離れても引き続きチップに給電することができ、スマートカードの機能を豊かにし、電磁場のエネルギーを有効に利用する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器は、整流装置と充電電池との間に接続された充電回路を更に含み、充電回路は制御されて充電電池を充電する。当該選択可能な実施形態により、制御されて充電することにより、チップが使用されていない時に電池を充電し、チップの通信効果が保証された場合に充電効率を向上する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施案において、充電電池は切替装置に電気的に接続され、切替装置に作動電圧を出力するためのものである。当該選択可能な実施形態により、充電電池から切替装置に作動電圧を提供し、これでコイルにより発生された電磁場のエネルギーを有効に利用することができる。
実施例7
従来技術において、スマートカードコイルはスマートカードチップに接続され、スマートカードは電磁場範囲に入った(RF場に置いた)後カードリーダーコイルに接続される場合、この時、スマートカードチップは作業状態にする必要があるか否かはともかく、スマートカードチップは電磁場のエネルギーを消耗することになり、電気エネルギーの無駄遣いになる。カードリーダーにより生じた電磁場のエネルギーを十分に利用するには、電気を供給する回路を設けてスマートカードに電気を吸込むことができ、電気を供給する回路は単独的な電気を供給するコイルが設けられれば、当該電気を供給するコイルの設けは回路の難度とコストが増加し、当該電気を供給するコイルはスマートカードとカードリーダーとの通信に影響を及ぼす。電気を供給する回路とスマートカードとはコイルを共有すれば、スマートカードはコイルの一部の電気エネルギーを分配することで、最適な電気を供給する効率を取得することができない。
従来技術において、スマートカードコイルはスマートカードチップに接続され、スマートカードは電磁場範囲に入った(RF場に置いた)後カードリーダーコイルに接続される場合、この時、スマートカードチップは作業状態にする必要があるか否かはともかく、スマートカードチップは電磁場のエネルギーを消耗することになり、電気エネルギーの無駄遣いになる。カードリーダーにより生じた電磁場のエネルギーを十分に利用するには、電気を供給する回路を設けてスマートカードに電気を吸込むことができ、電気を供給する回路は単独的な電気を供給するコイルが設けられれば、当該電気を供給するコイルの設けは回路の難度とコストが増加し、当該電気を供給するコイルはスマートカードとカードリーダーとの通信に影響を及ぼす。電気を供給する回路とスマートカードとはコイルを共有すれば、スマートカードはコイルの一部の電気エネルギーを分配することで、最適な電気を供給する効率を取得することができない。
上記の問題を解決するために、本実施例において電子機器80が提供され、図7に示すように、前記電子機器80は、コイル801と切替装置802と、非接触機能を有するチップ803とを含む。具体的な実施形態において、当該電子機器は、スマートカードであっても良く、前記スマートカードは、表示、キー入力等の機能を有してもよく、同時に、当該スマートカードには更にセキュリティチップを含んでも良く、セキュリティチップは、電子署名、署名検証、動的パスワードの生成と検証等の機能に用いられる。当該電子機器は無線(RF、NFC等)でカードリーダー(例えば、POS機、NFC携帯電話等)と通信する。コイル801はRFコイル又はNFCコイル等であってもよく、当該コイル801を利用して、電子機器80はカードリーダーのコイルに接続され、カードリーダーとの通信又は電子機器80に給電することが実現される。当該スマートカードは13.56MHzに作業し、当該コイルは1443協議の規定に該当する周波数のコイルである。本実施例における1つの選択可能な実施形態において、非接触機能を有するチップ803は1443協議の規定に該当するチップで、非接触インターフェースとCPUを含むチップであっても良い。即ち、非接触機能を有するチップであれば、いずれも本発明に適用することができる。切替装置802の具体的な構造は実施例8及び図8と図9とを参照してください。1つの選択可能な実施例において、切替装置は図9におけるMOSトランジスタにより実現される。MOSトランジスタの抵抗が小さく、導通する場合、たとえ当該MOSトランジスタは電子機器(スマートカード)の非接触機能を有するチップの第1入力端LAと、第2入力端LBの共振回路との間に連なっても、電子機器はカードリーダー機器又はNFC携帯電話の通信に影響を与えない。
コイル801の第1出力端は切替装置802の第1端に接続され、コイル801の第2出力端は切替装置802の第2端に接続される。
切替装置802の第3端は非接触機能を有するチップ803の第1入力端に接続され、切替装置802の第4端は非接触機能を有するチップ803の第2入力端に接続される。
切替装置802の第5端は、作動電圧を受信するためのもので、コイル801と非接触機能を有するチップ803とを連通させる。切替装置802の第6端は、制御信号を受信するためのもので、制御信号により制御コイル801は非接触機能を有するチップ803との導通・遮断を制御する。具体的な実施形態において、当該制御信号はレベル信号であっても良く、高低のレベル信号の変化によりコイル801と非接触機能を有するチップ803との導通・遮断を制御する。
本発明の1つの実施例において、切替装置802の第6端は、制御信号を受信するためのもので、制御信号に応じコイル801と非接触機能を有するチップ803との導通・遮断を制御し、これは、切替装置802の第6端は、制御信号を受信するためのものであり、制御信号は高レベルである場合、コイル801と非接触機能を有するチップ803とは遮断することを含む。具体的には、切替装置802は高レベル信号を受信する場合、切替装置内部レベルの転換により、切替装置におけるMOSトランジスタ等の部品を利用してコイルと非接触機能を有するチップとの1つの通路又は二つの通路を遮断するように制御し、これによりコイルと非接触機能を有するチップとの接続を遮断する。当該切替装置は低レベル信号を受信する又はレベル信号を受信していない場合、切替装置はコイルと非接触機能を有するチップとの少なくとも1つの通路の連通を保持し、これによりコイルと非接触機能を有するチップとの接続を保持する。
本発明の他の実施例において、切替装置802の第6端は、制御信号を受信するためのもので、制御信号に応じコイル801と非接触機能を有するチップ803の導通・遮断を制御し、これは、切替装置802の第6端は、制御信号を受信するためのものであり、制御信号は低レベルである場合、コイル801と非接触機能を有するチップ803とは遮断することを含む。具体的には、切替装置は低レベル信号を受信する又はレベル信号を受信していない場合、切替装置内部レベルの転換により、切替装置におけるMOSトランジスタ等の部品を利用してコイルと非接触機能を有するチップとの1つの通路又は二つの通路を遮断するように制御し、これによりコイルと非接触機能を有するチップとの接続を遮断する。当該切替装置は高レベル信号を受信する場合、切替装置はコイルと非接触機能を有するチップとの少なくとも1つの通路の連通を保持し、これによりコイルと非接触機能を有するチップとの接続を保持する。
本実施例により提供される電子機器は、当該電子機器はカードリーダーに接続される場合に、電子機器のコイルにより電気エネルギーを取得し、更に電気エネルギーを非接触機能を有するチップにそれぞれ伝送する。非接触機能を有するチップに給電する場合、切替装置により非接触機能を有するチップとコイルの導通・遮断を制御することができ、カードリーダーコイルの電磁場のエネルギーを十分に利用して、電気エネルギーの無駄遣いが防止される。
また、本発明の切替装置はアナログスイッチと異なっている。アナログスイッチは導通する場合に導通抵抗があり、導通する場合の導通抵抗は電子機器(スマートカード)の、非接触機能を有するチップの第1入力端LAと、第2入力端LBの共振回路との間に連なり、スマートカードコイルの共振Q値を降下することにより、電子機器とカードリーダー機器又はNFC携帯電話との通信に影響を与える。それに対して、本発明の切替装置を利用すれば、当該切替装置は図9におけるMOSトランジスタを採用することにより実現され、MOSトランジスタの抵抗は小さく、導通すつ場合、たとえ当該MOSトランジスタは、電子機器(スマートカード)の、非接触機能を有するチップの第1出力端LAと、第2入力端LBの共振回路の間に連なり、電子機器とカードリーダー機器又はNFC携帯電話との通信に影響を与えない。よって、チップとコイルとの導通・遮断を制御するとともに、本発明の切替装置はアナログスイッチを採用することにより通信に影響を及ぼすことが防止される。
具体的な実施形態において、切替装置は少なくとも以下いくつの方式で作動電圧を受信する。
(1)電子機器に1つの整流装置が更に含まれる場合、コイルは整流装置に更に接続され、当該切替装置の第5端は整流装置の出力端と導通し、整流装置の出力端から作動電圧を出力する。整流装置の出力端を採用して切替装置の作動電圧とすることは、整流装置の出力端は切替装置の作動電圧のレベル変化と同期ステータスにあり、当該切替装置の作動電圧は、非接触機能を有するチップを受信するという通常の作業に影響を及ぼさず、且つ電子機器の作動距離に影響を及ぼさない。
(2)当該電子機器は、切替装置に給電する電池を更に含む場合、切替装置の第5端は電池の給電端に接続され、電池により切替装置に作動電圧を提供する。この時、以下に、切替装置はNMOSトランジスタを採用することを例として説明し、切替装置の作動電圧は整流装置(あれば)の出力端から出力された電圧より以上であっても良く、特に、作動電圧と整流装置から出力された電圧の差は予め設定された値より以上である。好ましくは、当該予め設定された値は整流装置が誘導する圧力降下(0V以上)であり、切替装置の作動電圧は整流装置(あれば)の出力端から出力された電圧+0.7Vで、切替装置は通常に作業できることを保証する。勿論、切替装置はPMOSトランジスタを採用しても良く、作動電圧と整流装置の出力端から出力された電圧とが満たす条件は、具体的にPMOSトランジスタの導通条件により設定するため、ここで説明を省略する。切替装置の作動電圧は整流装置の出力端の出力電圧より小さければ、切替装置は導通するとエネルギー損失が発生し、電子機器(スマートカード)の作動距離は制限され、スマートカードの作動距離を短縮することになる。勿論、当該電池は切替装置に給電すると同時に、電子機器の他の装置とモジュールとにも給電する。
(1)電子機器に1つの整流装置が更に含まれる場合、コイルは整流装置に更に接続され、当該切替装置の第5端は整流装置の出力端と導通し、整流装置の出力端から作動電圧を出力する。整流装置の出力端を採用して切替装置の作動電圧とすることは、整流装置の出力端は切替装置の作動電圧のレベル変化と同期ステータスにあり、当該切替装置の作動電圧は、非接触機能を有するチップを受信するという通常の作業に影響を及ぼさず、且つ電子機器の作動距離に影響を及ぼさない。
(2)当該電子機器は、切替装置に給電する電池を更に含む場合、切替装置の第5端は電池の給電端に接続され、電池により切替装置に作動電圧を提供する。この時、以下に、切替装置はNMOSトランジスタを採用することを例として説明し、切替装置の作動電圧は整流装置(あれば)の出力端から出力された電圧より以上であっても良く、特に、作動電圧と整流装置から出力された電圧の差は予め設定された値より以上である。好ましくは、当該予め設定された値は整流装置が誘導する圧力降下(0V以上)であり、切替装置の作動電圧は整流装置(あれば)の出力端から出力された電圧+0.7Vで、切替装置は通常に作業できることを保証する。勿論、切替装置はPMOSトランジスタを採用しても良く、作動電圧と整流装置の出力端から出力された電圧とが満たす条件は、具体的にPMOSトランジスタの導通条件により設定するため、ここで説明を省略する。切替装置の作動電圧は整流装置の出力端の出力電圧より小さければ、切替装置は導通するとエネルギー損失が発生し、電子機器(スマートカード)の作動距離は制限され、スマートカードの作動距離を短縮することになる。勿論、当該電池は切替装置に給電すると同時に、電子機器の他の装置とモジュールとにも給電する。
具体的な実施形態において、切替装置は、少なくとも以下いくつの方式で制御信号を受信する。
(1)切替装置802の第6端は非接触機能を有するチップ803の制御端に接続され、非接触機能を有するチップ803から送信された制御信号を受信する。非接触機能を有するチップ803は普通のICカードである場合、当該ICカードチップから切替装置に制御信号を送信するが、非接触機能を有するチップ803は非接触機能を有するインターフェースとCPUのチップを含むものである場合、当該チップのCPUから制御信号を送信する。
(2)電子機器は中央制御ユニットMCU804を更に含む。切替装置802の第6端はMCU804の制御端に接続され、MCU804から送信された制御信号を受信する。電子機器にMCU804を更に含む場合は、MCUを利用して切替装置に制御信号を送信しても良いし、スマートカードからMCUに制御信号を送信して、更にMCUから切替装置に制御信号を送信しても良い。
(1)切替装置802の第6端は非接触機能を有するチップ803の制御端に接続され、非接触機能を有するチップ803から送信された制御信号を受信する。非接触機能を有するチップ803は普通のICカードである場合、当該ICカードチップから切替装置に制御信号を送信するが、非接触機能を有するチップ803は非接触機能を有するインターフェースとCPUのチップを含むものである場合、当該チップのCPUから制御信号を送信する。
(2)電子機器は中央制御ユニットMCU804を更に含む。切替装置802の第6端はMCU804の制御端に接続され、MCU804から送信された制御信号を受信する。電子機器にMCU804を更に含む場合は、MCUを利用して切替装置に制御信号を送信しても良いし、スマートカードからMCUに制御信号を送信して、更にMCUから切替装置に制御信号を送信しても良い。
実施例8
図8は本発明の実施例により提供される切替装置を示す構造ブロック図である。図8は本発明の実施例による1つの選択可能な切替装置の構造ブロック図で、当該選択可能な構造において、切替装置90は、交流入力端901と、第3出力端902(以下に、出力端902)と、制御モジュール903と第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905とを含む。
図8は本発明の実施例により提供される切替装置を示す構造ブロック図である。図8は本発明の実施例による1つの選択可能な切替装置の構造ブロック図で、当該選択可能な構造において、切替装置90は、交流入力端901と、第3出力端902(以下に、出力端902)と、制御モジュール903と第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905とを含む。
その中で、第1導通・遮断モジュール904は、交流入力端901の第1端と出力端902の第1端との間に設けられ、制御的に導通状態又は遮断状態にするように配置されている。第1導通・遮断モジュール904が導通状態にある場合、交流入力端901の第1端と出力端902の第1端との間の第1通路を導通し、交流入力端901の第1端と出力端902との間の第2通路を遮断する。第1導通・遮断モジュール904が遮断状態にある場合、交流入力端901の第1端と出力端902の第1端との第1通路を遮断する一方、交流入力端901の第1端と出力端902の第1端との間の第2通路を導通する。その中で、第1通路は交流入力端901の第1端から出力端902の第1端までの通路であっても良く、第2通路は出力端902の第1端から交流入力端901の第1端までの通路であっても良く、逆も同様である。
第2導通・遮断モジュール905は、交流入力端901の第2端及び出力端902の第2端との間に設けられ、制御的に導通状態又は遮断状態にするように配置されている。第2導通・遮断モジュール905は導通状態にするする場合、交流入力端901の第2端は出力端902の第2端との間の第1通路を導通するが、交流入力端901の第2端と出力端902の第2端との間の第2通路を遮断する。第2導通・遮断モジュール905が遮断状態にある場合、交流入力端901の第2端と出力端902の第2端との第1通路を遮断する一方、交流入力端901の第2端と出力端902の第2端との間の第2通路を導通する。その中で、第1通路は交流入力端901の第2端から出力端902の第2端までの通路であっても良く、第2通路は出力端902の第2端から交流入力端901の第2端までの通路であっても良く、逆も同様である。
制御モジュール903は、作動電圧と共通接地との間に設けられ、制御的に導通状態又は遮断状態にするように配置されている。制御モジュール903が導通状態にある場合、第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905とが遮断状態にするように制御しするが、制御モジュール903が遮断状態にある場合、交流入力端901を結合して第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905の中からの1つが導通状態にするように制御する。
その中で、第1導通・遮断モジュールの第1通路又は第2通路と第2導通・遮断モジュールの第3通路又は第4通路の方向は正反対となる場合、交流入力端と第3出力端に回路が形成されてからこそ、信号は交流入力端と第3出力端との間に伝送することができる。
これより、本発明の実施例により提供される切替装置90は、制御されて交流入力端901と出力端902との間の導通・遮断の実現を保証すると同時に、切替装置90は交流入力端901と出力端902とが外部装置にそれぞれ接続された後、切替装置90内部に電流回路の形成を保証することができる。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904は第1の制御可能なスイッチと第1フリーホイール導通部品とを含み、第1の制御可能なスイッチは、第1の制御可能なスイッチの第1接続端と、第1の制御可能なスイッチの第2接続端及び第1の制御可能なスイッチの制御端とを含むことができ、第1フリーホイール導通部品は第1の制御可能なスイッチの第1接続端と第1の制御可能なスイッチの第2接続端との間に接続され、第1の制御可能なスイッチの導通方向と反対する。その中で、第1の制御可能なスイッチの第1接続端は交流入力端901の第1端に接続され、第1の制御可能なスイッチの第2接続端は出力端902の第1端に接続されるように配置され、第1の制御可能なスイッチの制御端は制御モジュール903から制御信号を受信し、制御信号の制御で交流入力端901の第1端と出力端902の第1端との間の第1通路との接続を導通又は遮断し、その中で、第1通路は交流入力端901の第1端から出力端902の第1端までの通路、又は第1通路は出力端902の第1端から交流入力端901の第1端までの通路であっても良い。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュール905は第2の制御可能なスイッチと第2フリーホイール導通部品とを含み、第2の制御可能なスイッチは、第2の制御可能なスイッチの第1接続端と、第2の制御可能なスイッチの第2接続端及び第2の制御可能なスイッチの制御端とを含むことができ、第2フリーホイール導通部品は第2の制御可能なスイッチの第1接続端と第2の制御可能なスイッチの第2接続端との間に接続され、第2の制御可能なスイッチの導通方向と反対する。その中で、第2の制御可能なスイッチの第1接続端は交流入力端901の第2端に接続されるように配置され、第2の制御可能なスイッチの第2接続端は出力端902の第2端に接続されるように配置され、第2の制御可能なスイッチの制御端は制御モジュール903から制御信号を受信し、制御信号の制御で交流入力端901の第2端と出力端902の第2端との間の第1通路の接続を導通又は遮断し、その中で、第1通路は交流入力端901の第2端から出力端902の第2端までの通路、又は第1通路は出力端902の第2端から交流入力端901の第2端までの通路であっても良い。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904は第2導通・遮断モジュール905と同様な制御可能なスイッチを採用しても良いし、第2導通・遮断モジュール905と異なる制御可能なスイッチを採用しても良いが、第2導通・遮断モジュール905と同様なフリーホイール導通部品を採用しても良いし、第2導通・遮断モジュール905と異なるフリーホイール導通部品を採用しても良く、本発明の実施例における第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905との機能さえ実現すれば、いずれも本発明の保護範囲に属すべきである。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904は、第1強化型MOSトランジスタ(MOSFET管)を含むことができ、第2導通・遮断モジュール905は、第2強化型MOSトランジスタ(MOSFET管)を含むことできる。好ましくは、第1導通・遮断モジュール904は第2導通・遮断モジュール905の少なくとも1つは強化型MOSトランジスタを採用し、強化型MOSトランジスタにダイオードが寄生されている。強化型MOSトランジスタを採用すればスイッチの導通・遮断機能を実現することができ、その等価抵抗は小さくて、切替装置を結合する他の部品に対する影響を小さく及ぼし、コストダウンして回路の信頼性を向上する。
本実施例において、Nチャンネル又はPチャンネル強化型MOSトランジスタを選択することができる。以下、第1強化型MOSトランジスタと第2強化型MOSトランジスタとはNチャンネル強化型MOSトランジスタを例として説明する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1強化型MOSトランジスタのソースは交流入力端901の第1端に接続され、ドレインは出力端902の第1端に接続され、ゲートは制御モジュール903に接続される。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904は第1強化型MOSトランジスタを含む以外、第1バイアス抵抗器R1を更に含み、第1バイアス抵抗器R1の一端は第1強化型NMOSトランジスタのソースに接続され、他端は第1強化型NMOSトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第1強化型NMOSトランジスタのソースとゲートとの間に接続されることにより、第1強化型NMOSトランジスタを確実に遮断し、回路の安定性と信頼性が保証される。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904は第1強化型MOSトランジスタを含む以外、第1負荷部品を更に含み、その中、第1負荷部品の一端はゲートに接続され、第1負荷部品の他端は制御モジュール903に接続される。負荷部品を採用して第1強化型NMOSトランジスタと制御モジュールとに接続されることにより、回路の安定性と信頼性が保証される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1負荷部品は抵抗であっても良い。第1バイアス抵抗器R1の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第1負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1負荷部品は第1片方向であっても良い。第1の一方向導通部品の出力端は第1負荷部品の一端として第1強化型NMOSトランジスタのゲートに接続され、第1の一方向導通部品の入力端は第1負荷部品の他端として制御モジュール903に接続される。第1バイアス抵抗器R1の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第1負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止し、回路の安定性と信頼性を高める。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現することができる。
勿論、本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904はPチャンネルMOSトランジスタを採用しても良く、その接続関係はMOSトランジスタの特性によって適切な補正をすれば良い。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2強化型NMOSトランジスタのソースは交流入力端901の第2端に接続され、ドレインは入力端902の第2端に接続され、ゲートは制御モジュール903に接続される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュール904は第2強化型MOSトランジスタを含む以外、第2バイアス抵抗器R1を更に含み、第2オフセットR1の一端は第2強化型NMOSトランジスタのソースに接続され、他端は第2強化型NMOSトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第2強化型NMOSトランジスタのソースとゲートとの間に接続されることは、第2強化型MOSトランジスタが確実に遮断されることが決定され、回路の安定性と信頼性を保証する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュール904は第2強化型MOSトランジスタを含む以外、第2負荷部品を更に含み、第2負荷部品の一端はゲートに接続され、他端は制御モジュール903に接続される。負荷部品を採用して第2強化型NMOSトランジスタと制御モジュールとに接続されることは、回路の安定性と信頼性が保証される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2負荷部品は抵抗であっても良い。第2バイアス抵抗器R1の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第2負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2負荷部品は第2の一方向導通部品であっても良い。第2の一方向導通部品の出力端は第2負荷部品の一端として第2強化型NMOSトランジスタのゲートに接続され、第2の一方向導通部品の入力端は第2負荷部品の他端として制御モジュール903に接続される。第2バイアス抵抗器R1の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第2負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止し、回路の安定性と信頼性を高める。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現することができる。
勿論、本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュール904はPチャンネルMOSトランジスタを採用しても良く、その接続関係はMOSトランジスタの特性によって適切な補正をすれば良い。
本発明の実施例のもう一つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904は第1の制御可能なスイッチと第1フリーホイール導通部品とを含み、第2導通・遮断モジュール905とは第2の制御可能なスイッチと第2フリーホイール導通部品とを含む。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904は第1の制御可能なスイッチと第1フリーホイール導通部品とを含む場合、第1導通・遮断モジュール904は第1MOSトランジスタの組立部品を採用して実現することができ、当該第1MOSトランジスタ組立部品は、1つの、第1の制御可能なスイッチとしての第1MOSトランジスタと、1つの、第1フリーホイール導通部品としての第1フリーホイールダイオードとを含むことができ、当該第1フリーホイールダイオードは第1MOSトランジスタのソースとドレインとの間に接続され、第1MOSトランジスタ組立部品を採用してスイッチの導通・遮断機能を実現し、その等価抵抗が小さいであることを利用して、切替装置を結合する他の部品に対する影響を減少することができ、更にコストダウンして回路の信頼性を向上する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1MOSトランジスタ組立部品はNチャンネルMOSトランジスタ組立部品を選択しても良く、1つのNチャンネル第1MOSトランジスタと、1つの、入力端がNチャンネルMOSトランジスタのソースに接続され、出力端がNチャンネルMOS(NMOS)管のドレインに接続された第1フリーホイールダイオードとを含むことができる。以下に、第1MOSトランジスタ組立部品は第1NMOSトランジスタと第1フリーホイールダイオードを例として説明する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1NMOSトランジスタのソースを第1の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端901の第1端に接続され、ドレインを第1の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端902の第1端に接続され、ゲートを第1の制御可能な制御端として制御モジュール903に接続される。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1の制御可能なスイッチは第1MOSトランジスタ組立部品を含む以外、更に、第1バイアス抵抗器R1を含み、第1NMOSトランジスタのソースを第1の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端901の第1端に接続され、ドレインを第1の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端902の第1端に接続され、ゲートを第1の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール903に接続され、第1バイアス抵抗器R1の一端は第1NMOSトランジスタのソースに接続されるが、他端は第1NMOSトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第1NMOSトランジスタのソースとゲートとの間に接続され、第1MOSトランジスタ組立部品における第1NMOSトランジスタを確実に遮断することを決定し、回路の安定性と信頼性を保証する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1の制御可能なスイッチは第1MOSトランジスタ組立部品を含む以外、更に、第1負荷部品を含む。その中で、第1NMOSトランジスタのソースを第1の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端901の第1端に接続され、ドレインを第1の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端902の第1端に接続され、第1NMOSトランジスタのゲートは第1負荷部品を介して制御モジュール903に接続され、即ち、第1負荷部品の一端はゲートに接続され、第1負荷部品の他端は第1の制御可能なスイッチの制御端として、制御モジュール903に接続される。負荷部品は第1NMOSトランジスタと制御モジュールとを採用し、回路の安定性と信頼性を保証する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1の制御可能なスイッチは第1MOSトランジスタ組立部品と、第1負荷部品と第1バイアス抵抗器R1とを含むことができ、第1NMOSトランジスタのソースを第1の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端901の第1端に接続され、ドレインを第1の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端902の第1端に接続され、第1NMOSトランジスタのゲートは第1負荷部品を介して制御モジュール903に接続され、即ち、第1負荷部品の一端はゲートに接続され、第1負荷部品の他端は第1の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール903に接続され、第1オフセットR1の一端は第1NMOSトランジスタのソースに接続され、他端は第1NMOSトランジスタのゲートに接続される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1負荷部品は抵抗であっても良い。第1バイアス抵抗器R1の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第1負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1負荷部品は第1の一方向導通部品であっても良い。第1の一方向導通部品の出力端は第1負荷部品の一端として第1強化型NMOSトランジスタのゲートに接続され、第1の一方向導通部品の入力端は第1負荷部品の他端として制御モジュール903に接続される。第1バイアス抵抗器R1の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第1負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止し、回路の安定性と信頼性を高める。
本発明の実施例の選択可能な実施形態として、第1の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現される。
勿論、本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904はPチャンネルMOSトランジスタ組立部品を採用しても良く、その接続関係はMOSトランジスタ組立部品の特性によって適切な補正をすれば良い。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第1MOSトランジスタ(第1NMOSトランジスタと第1PMOSトランジスタを含む)は接合型電界効果トランジスタ(JFET)を採用することができる。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュール905は第2の制御可能なスイッチと第2フリーホイール導通部品とを含む場合、第2導通・遮断モジュール905は第2MOSトランジスタの組立部品を採用して実現することができ、当該第2MOSトランジスタ組立部品は、1つの、第2の制御可能なスイッチとしての第2MOSトランジスタと、1つの、第2フリーホイール導通部品としての第2フリーホイールダイオードとを含むことができ、当該第2フリーホイールダイオードは第2MOSトランジスタのソースとドレインとの間に接続され、第2MOSトランジスタ組立部品を採用してスイッチの導通・遮断機能を実現し、その等価抵抗が小さいであることを利用して、切替装置を結合する他の部品に対する影響を減少することができ、更にコストダウンして回路の信頼性を向上する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2MOSトランジスタ組立部品はNチャンネルMOSトランジスタ組立部品を選択しても良く、1つのNチャンネル第2MOSトランジスタと、1つの、入力端がNチャンネル第2MOSトランジスタのソースに接続され、出力端がNチャンネルMOS(NMOS)管のドレインに接続された第2フリーホイールダイオードとを含むことができる。以下に、第2MOSトランジスタ組立部品は第2NMOSトランジスタと第2フリーホイールダイオードを例として説明する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2NMOSトランジスタのソースを第2の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端901の第2端に接続され、ドレインを第2の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端902の第2端に接続され、ゲートを第2の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール903に接続される。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2の制御可能なスイッチは第2MOSトランジスタ組立部品を含む以外、更に、第2バイアス抵抗器R2を含み、第2NMOSトランジスタのソースを第2の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端901の第2端に接続され、ドレインを第2の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端902の第2端に接続され、ゲートを第2の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール903に接続され、第2バイアス抵抗器R2の一端は第2NMOSトランジスタのソースに接続されるが、他端は第2NMOSトランジスタのゲートに接続される。バイアス抵抗器を採用して第2NMOSトランジスタのソースとゲートとの間に接続され、第2MOSトランジスタ組立部品における第2NMOSトランジスタを確実に遮断することを決定し、回路の安定性と信頼性を保証する。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2の制御可能なスイッチは第2MOSトランジスタ組立部品を含む以外、更に、第2負荷部品を含む。その中で、第2NMOSトランジスタのソースを第2の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端901の第2端に接続され、ドレインを第2の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端902の第2端に接続され、第2NMOSトランジスタのゲートは第2負荷部品を介して制御モジュール903に接続され、即ち、第2負荷部品の一端はゲートに接続され、第2負荷部品の他端は第2の制御可能なスイッチの制御端として、制御モジュール903に接続される。負荷部品を採用して第2NMOSトランジスタと制御モジュールとに接続され、回路の安定性と信頼性が保証される。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2の制御可能なスイッチは第2MOSトランジスタ組立部品と、第2負荷部品と第2バイアス抵抗器R2とを含むことができ、第2NMOSトランジスタのソースを第2の制御可能なスイッチの第1接続端として交流入力端901の第2端に接続され、ドレインを第2の制御可能なスイッチの第2接続端として出力端902の第2端に接続され、第2NMOSトランジスタのゲートは第2負荷部品を介して制御モジュール903に接続され、即ち、第2負荷部品の一端はゲートに接続され、第2負荷部品の他端は第2の制御可能なスイッチの制御端として制御モジュール903に接続され、第2オフセットR2の一端は第2NMOSトランジスタのソースに接続され、他端は第2NMOSトランジスタのゲートに接続される。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2負荷部品は抵抗であっても良い。第2バイアス抵抗器R2の抵抗値が大きい場合、交流入力端に対する影響は小さく、この時、第2負荷部品は抵抗を採用することにより回路の安定性を保証することもできる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第2負荷部品は第2の一方向導通部品であっても良い。第2の一方向導通部品の出力端は第2負荷部品の一端として第2NMOSトランジスタのゲートに接続され、第2の一方向導通部品の入力端は第2負荷部品の他端として制御モジュール903に接続される。第2バイアス抵抗器R2の抵抗が小さい場合、交流入力端に対する影響は大きく、この時第2負荷部品は片方向導通部品を採用しても良く、回路は交流入力端に対する影響を防止し、回路の安定性と信頼性を高める。
本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2の一方向導通部品はダイオード又はトライオード等任意の片方向導通機能を有する部品を採用することにより実現される。
勿論、本発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2導通・遮断モジュール905はPチャンネルMOSトランジスタ組立部品を採用しても良く、その接続関係はMOSトランジスタ組立部品の特性によって適切な補正をすれば良い。
本発明の実施例の1つの選択可能な実施形態として、第2MOSトランジスタ(第2NMOSトランジスタと第2PMOSトランジスタを含む)は接合型電界効果トランジスタ(JFET)を採用することができる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、第1導通・遮断モジュール904はPチャンネルMOSトランジスタ組立部品を更に選択することができ、第2導通・遮断モジュール905はPチャンネルMOSトランジスタ組立部品を選択することもできるが、勿論、第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905とは、違う種類のMOSトランジスタ組立部品を選択することができ、例えば第1導通・遮断モジュール904はNチャンネルMOSトランジスタ組立部品を採用するが、第2導通・遮断モジュール905はPチャンネルMOSトランジスタ組立部品を採用する等、本発明の実施例における第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905の機能を実現できる制御可能なスイッチさえであれば、いずれも本発明の保護範囲に属すべきである。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、制御モジュール903も第3制御可能なスイッチであっても良く、第3制御可能なスイッチは、第3制御可能なスイッチの第1接続端と、第3制御可能第2制御端と第3制御可能な制御端とを含むことができる。その中で、第3制御可能なスイッチの第1接続端は作動電圧に接続されるように配置され、第3制御可能なスイッチの第2制御端は共通接地に接続されるように配置され、第3制御可能な制御端は外部から制御信号を受信して制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、同時に、第3制御可能なスイッチの第1接続端は更に第1導通・遮断モジュール904の制御端と第2導通・遮断モジュール905の制御端とに接続され、更に、制御モジュール903が導通状態にある場合に、第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905とが遮断状態にするように制御し、制御モジュール903は遮断状態に、交流入力端901を結合して第1導通・遮断モジュール904と第2導通・遮断モジュール905の中からの一つが導通状態にするように制御する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施形態として、制御モジュール903は第3制御可能なスイッチである場合、第3MOSトランジスタを含むことができ、この時、第3制御可能なスイッチは第3バイアス抵抗器R3を更に含み、第1MOSトランジスタ及び/又は第2MOSトランジスタに提供されるオフセット電圧を提供し、且つ第3MOSトランジスタが導通する場合の電流を制限する。本発明の一つの選択可能な実施形態として、第3MOSトランジスタ組立部品はNチャンネルMOSトランジスタ組立部品を選択しても良く、ドレインを第3制御可能なスイッチの第1接続端として、第3バイアス抵抗器R3を介して作動電圧に接続され、即ち、ドレインは第3バイアス抵抗器R3の一端に接続され、第3バイアス抵抗器R3の他端は作動電圧に接続され、ソースを第3制御可能なスイッチの第2接続端として、共通接地に接続され、ゲートを制御端として、外部からの制御信号を受信する。勿論、制御モジュール903はPチャンネルMOSトランジスタ組立部品を採用することもでき、その接続関係はMOSトランジスタ組立部品の特性により適切に補正すれば良い。
本実施例において、第3MOSトランジスタは接合型電界効果トランジスタ(JFET)又は強化型MOSトランジスタを選択することができ、本実施例はこれを限定しない。
以下に、本発明により提供された切替装置を例として説明する。図9は本発明の実施例による一つの選択可能な切替装置の回路図である。この選択可能な回路図において、第1導通・遮断モジュール904は、第1MOSトランジスタ組立部品としての第1NチャンネルMOSトランジスタ(接合型電界効果トランジスタ(JFET))Q1及び第1フリーホイールダイオードE1と、第1の一方向導通部品の第1、ダイオードD1と、第1バイアス抵抗器R1とを含み、第2導通・遮断モジュール905は、第2MOSトランジスタ組立部品としての第2NチャンネルMOSトランジスタQ2及び第2フリーホイールダイオードE2と、第2の一方向導通部品としての第2、ダイオードD2と、第2バイアス抵抗器R2とを含み、制御モジュール903は第3NチャンネルMOSトランジスタQ3と第3バイアス抵抗器R3とを含む。その中で、交流入力端901の第1端は第1NチャンネルMOSトランジスタQ1ソースに接続され、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のドレインは第3出力端902(以下、出力端902と呼ぶ)の第1端に接続され、第1バイアス抵抗器R1は第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のソースとゲートとの間に接続され、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のゲートは第1ダイオードD1の出力端902に接続され、第1ダイオードD1の入力端は第3NチャンネルMOSトランジスタQ3のドレインに接続され、第1フリーホイールダイオードE1の入力端は第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のソースに接続され、第1フリーホイールダイオードE1の出力端は第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のドレインに接続される。交流入力端901の第2端は第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のソースに接続され、第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のドレインは出力端902の第1端に接続され、第2バイアス抵抗器R2は、第2チャンネルMOSトランジスタQ2のソースとゲートとの間に接続され、第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のゲートは第2ダイオードD2の出力端902に接続され、第2ダイオードD2の入力端は第3NチャンネルMOSトランジスタQ3のドレインに接続され、第2フリーホイールダイオードE2の入力端は第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のソースに接続され、第2フリーホイールダイオードE2の出力端は第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のドレインに接続される。第3NチャンネルMOSトランジスタQ3のドレインは第3バイアス抵抗器R3は作動電圧に接続され、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3のソースは共通接地に接続され、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3のゲートは外部の制御端に接続され、外部の制御信号を受信する。その中で、NチャンネルMOSトランジスタ組立部品は2N7002と、FDV301と、FDV303等との型番を採用することができるがそれらを限定するものではなく、以上の型番において、MOSトランジスタを含む以外、いずれもフリーホイールダイオードを含み、勿論、保護ダイオード等も更に含むが、ここで、詳しく説明しないことにする。ダイオードは、BAR43と、BAR54と、BAR46と、BAR50等の型番を採用することができるがこれらを限定しない。また、第1オフセットR1と第2オフセットR2の抵抗値は需要に応じて選択することができ、第3バイアス抵抗器値R3の抵抗値も需要に応じて選択することができるが、ここで説明しないことにする。その中で、第1オフセットR1と第2オフセットR2は第3バイアス抵抗器R3より十倍以上の抵抗値であっても良い。例えば、第1オフセットR1の抵抗値は10kΩ‐10MΩであっても良く、100kΩ‐9MΩが好ましく、1MΩ‐5MΩがより好ましい。第3バイアス抵抗器R3の抵抗値は1kΩ‐1MΩであっても良く、10kΩ‐900kΩが好ましいが、100kΩ‐500kΩがより好ましい。
以下に、交流入力端901の第1端を高レベルとし、交流入力端901の第2端は低レベルとし、切替装置の交流入力端は第1外部装置に接続され、出力端は第2外部装置に接続されるものを例として、本発明により提供される切替装置90の作動原理について簡単に説明する。初期状態に、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のゲートと第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のゲートとは、それぞれダイオードD1とダイオードD2を介してVCCの所に接続されると、高レベルとするが、外部制御端から出力された制御信号は低レベルである又はレベル信号はない場合、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3は遮断状態にする。この時、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のゲートと第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のゲートとの所は高レベルである場合、交流入力端901の第1端は高レベルで、交流入力端901の第2端は低レベルであるため、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1は遮断状態で、第1フリーホイールダイオードE1は導通するが、第2NチャンネルMOSトランジスタQ2は導通状態にし、この時、第1外部装置は交流入力端901により出力端902に接続された第2外部装置に交流信号を出力することができ、即ち、電流の方向は、第1外部機器……>交流入力端901の第1端……>第1フリーホイールダイオードE1……>出力端902の第1端……>第2外部機器……>出力端902の第2端……>第2NチャンネルMOSトランジスタQ2……>交流入力端901の第2端……>第1外部機器である。外部制御端から出力された制御信号は高レベルである場合、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3は導通状態にし、この時、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のゲートと第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のゲートとの所は低レベルである。交流入力端901の第1端は高レベルで、交流入力端901の第2端は低レベルであるため、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1は遮断状態で、第2NチャンネルMOSトランジスタQ2も遮断状態である。この時、交流入力端901は出力端902との接続を遮断し、第1外部装置と第2外部装置との間に信号伝送を実現することができない。
勿論、交流入力端の第1端は低レベルで、交流入力端901の第2端は高レベルであると、原理は上記のと同じであるため、ここで詳しく説明しないことにする。
実施例9
本発明の実施例によると、具体的な切替装置の例が提供され、図10に示すように、図10は本発明の実施例により提供された選択的な切替装置の回路図である。
本発明の実施例によると、具体的な切替装置の例が提供され、図10に示すように、図10は本発明の実施例により提供された選択的な切替装置の回路図である。
本実施例により提供される切替装置は実施例8の図9に示す切替装置との相違点として、以下のようである。第1導通・遮断モジュール904における第1MOSトランジスタ組立部品(第1NチャンネルMOSトランジスタ(接合型電界効果トランジスタJFET)Q1と第1フリーホイールダイオードE1)を第1強化型MOSトランジスタQ1’に置き換え、第2導通・遮断モジュール904における第2MOSトランジスタ組立部品(第2NチャンネルMOSトランジスタ(接合型電界効果トランジスタJFET)Q2と第2フリーホイールダイオードE2)を第2強化型MOSトランジスタQ2’に置き換え、強化型MOSトランジスタ内部に寄生ダイオードが寄生され、当該寄生ダイオードの作用はフリーホイールダイオードの作用と同じで、その導通方向はMOSトランジスタの導通方向と反対する。具体的に回路接続関係は図10に示すように、他の部品は図9のと同じで、具体的に図9部分の説明を参照してください。
以下に、交流入力端901の第1端を高レベルとし、交流入力端901の第2端は低レベルとし、切替装置の交流入力端は第1外部装置に接続され、出力端は第2外部装置に接続されるのを例として、本発明により提供される切替装置90(図2に示すように)の作動原理について簡単に説明する。初期状態に、第1強化型MOSトランジスタQ1’のゲートと第2強化型MOSトランジスタQ2’のゲートとは、それぞれダイオードD1とダイオードD2を介してVCCの所に接続されると、高レベルとするが、外部制御端から出力された制御信号は低レベルである又はレベル信号はない場合、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3は遮断状態にする。この時、第1強化型MOSトランジスタQ1’のゲートと第2強化型MOSトランジスタQ2’のゲートとの所は高レベルである場合、交流入力端901の第1端は高レベルで、交流入力端901の第2端は低レベルであるため、第1強化型MOSトランジスタQ1’内部の寄生ダイオードは導通し、即ちQ1’は逆導通し、第2強化型MOSトランジスタQ2’は導通状態で、この時、第1外部装置は交流入力端901により第3出力端902(以下、出力端902と略称する)に接続された第2外部装置に交流信号を出力することができ、即ち、電流の方向は、第1外部機器……>交流入力端901の第1端……>第1強化型MOSトランジスタQ1’……>出力端902の第1端……>第2外部機器……>出力端902の第2端……>第2強化型MOSトランジスタQ2’……>交流入力端901の第2端……>第1外部機器である。外部制御端から出力された制御信号は高レベルである場合、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3は導通状態にし、この時、第1強化型MOSトランジスタQ1’のゲートと第2強化型MOSトランジスタQ2’のゲートとは低レベルである。交流入力端901の第1端は高レベルで、交流入力端901の第2端は低レベルであるため、第1強化型MOSトランジスタQ1’は遮断状態で、第2強化型MOSトランジスタQ2’も遮断状態である。この時、交流入力端901は出力端902との接続を遮断し、第1外部装置と第2外部装置との間に信号伝送を実現することができない。
勿論、交流入力端の第1端は低レベルで、交流入力端901の第2端は高レベルであると、原理は上記のと同じであるため、ここで詳しく説明しないことにする。
実施例10
本発明の実施例によると、電子機器20を提供する。本発明の実施例の電子機器20は、コイル201と、非接触機能を有するチップ202とを含み、更に、整流装置203と切替装置204とを含む。図11は本実施例の電子機器の回路図を提供する。その中で、整流装置203は図3に示すダイオードブリッジ整流回路を採用し、具体的な説明は図3に対する説明を参照してください。切替装置204は実施例8における切替装置を採用し、具体的な回路は図9に示すように、非接触機能を有するチップ内部にも整流回路があり、一つの選択可能な形態として、当該整流回路は図3に類似する二級管整流ブリッジを採用し、当該二級管整流ブリッジのIA端はコイルの第1入力端Aに接続され、当該二級管整流ブリッジのIB端はコイルの第2入力端Bに接続され、当該二級管整流ブリッジのIC端は給電端VCCで、当該二級管整流ブリッジのID端は接地され、給電端に地と直接にフィルタ・コンデンサに接入し、フィルタリングすることに用いる。
本発明の実施例によると、電子機器20を提供する。本発明の実施例の電子機器20は、コイル201と、非接触機能を有するチップ202とを含み、更に、整流装置203と切替装置204とを含む。図11は本実施例の電子機器の回路図を提供する。その中で、整流装置203は図3に示すダイオードブリッジ整流回路を採用し、具体的な説明は図3に対する説明を参照してください。切替装置204は実施例8における切替装置を採用し、具体的な回路は図9に示すように、非接触機能を有するチップ内部にも整流回路があり、一つの選択可能な形態として、当該整流回路は図3に類似する二級管整流ブリッジを採用し、当該二級管整流ブリッジのIA端はコイルの第1入力端Aに接続され、当該二級管整流ブリッジのIB端はコイルの第2入力端Bに接続され、当該二級管整流ブリッジのIC端は給電端VCCで、当該二級管整流ブリッジのID端は接地され、給電端に地と直接にフィルタ・コンデンサに接入し、フィルタリングすることに用いる。
コイルの第1出力端Aは切替装置204の交流入力端の第1端TBに接続され、コイルの第2出力端Bは切替装置204の交流入力端の第2端TA端に接続され、切替装置204の出力端の第1端HBはチップ202の入力端LB端に接続され、切替装置204の出力端の第2端HA端はチップ202の入力端LA端に接続され、切替装置204のHC端は制御信号を受信し、NFC_SWは制御信号である。図11に示すように、切替装置204は、第1NチャンネルMOSトランジスタのQ1と、第2NチャンネルMOSトランジスタQ2と、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3とを含み、フリーホイール二級管E1、E2と、バイアス抵抗器R1、R2、R3と、ダイオードD1、D2とを含み、切替装置の部品は具体的な接続及び回路原理は実施例8における図9に対する説明を参照すれば良い。
以下に、コイルの第1出力端Aを高レベルとし、コイルの第2出力端Bを低レベルとし、本発明により提供される電子機器20の作動原理について簡単に説明する。初期状態に、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のゲートと第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のゲートとは、それぞれダイオードD1とダイオードD2を介してVCCの所に接続されると高レベルとするが、外部制御端HCから出力された制御信号は低レベルである又はレベル信号はない場合、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3は遮断状態にする。この時、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のゲートと第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のゲートとの所は高レベルである場合、TBは高レベルで、TAは低レベルであるため、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1は遮断状態で、第1フリーホイールダイオードE1は導通するが、第2NチャンネルMOSトランジスタQ2は導通状態にし、この時、コイル201は切替装置204のTBとTAによりチップ202に交流信号を出力することができ、即ち、電流の方向は、コイル201のA……>TB……>第1フリーホイールダイオードE1……>HB……>チップ202……>HA……>第2NチャンネルMOSトランジスタQ2……>TA……>コイル201のBである。外部制御端HCから出力された制御信号NFC_SWは高レベルである場合、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3は導通状態にし、この時、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1のゲートと第2NチャンネルMOSトランジスタQ2のゲートとは低レベルである。切替装置204の交流入力端の第1端TBは高レベルで、切替装置204の交流入力端の第2端TAは低レベルであるため、第1NチャンネルMOSトランジスタQ1は遮断状態で、第2NチャンネルMOSトランジスタQ2も遮断状態である。この時、TBとLBとの接続を遮断し、TAとLAとの接続を遮断し、コイル201とチップ202との間に信号伝送を実現することができない。
勿論、コイルの第1出力端Bは低レベルで、コイルの第2出力端Aは高レベルである場合、原理は上記のと同じであるため、ここで詳しく説明しないことにする。
本実施例において、TBとLBとの間の接続が遮断されると、TAとLAとの間の接続も遮断され、コイル201及びチップ202との間に信号伝送を実現することができず、チップ202内部は電磁場のエネルギーを消耗しないため、整流装置の負荷出力能力を有効に向上することができる。
実施例11
本発明の実施例によると、電子機器20が提供される。図12に示すように、図12は本発明の実施例により提供される一つの選択可能な電子機器の回路図である。
本発明の実施例によると、電子機器20が提供される。図12に示すように、図12は本発明の実施例により提供される一つの選択可能な電子機器の回路図である。
本実施例と実施例10との相違点として、以下のようである。実施例10における切替装置を置き換え、実施例10における切替装置における第1NチャンネルMOSトランジスタ(接合型電界効果トランジスタJFET)Q1とフリーホイールダイオードE1とを第1強化型MOSトランジスタQ1’に置き換え、切替装置における第2NチャンネルMOSトランジスタ(接合型電界効果トランジスタJFET)Q2とフリーホイールダイオードE2とを第2強化型MOSトランジスタQ2’に置き換え、強化型MOSトランジスタ内部に寄生ダイオードが寄生され、当該寄生ダイオードの作用はフリーホイールダイオードの作用と同じで、その導通方向はMOSトランジスタの導通方向と反対する。具体的に回路接続関係は図12に示すように、他の部品は実施例10のと同じで、具体的に図10における図11に対する説明を参照してください。
以下に、コイルの第1出力端Aを高レベルとし、コイルの第2出力端Bを低レベルとし、本発明により提供される電子機器20の作動原理について簡単に説明する。初期状態に、第1強化型MOSトランジスタQ1’のゲートと第2強化型MOSトランジスタQ2’のゲートとは、それぞれダイオードD1とダイオードD2を介してVCCの所に接続されると高レベルとするが、外部制御端HCから出力された制御信号は低レベルである又はレベル信号はない場合、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3は遮断状態にする。この時、第1強化型MOSトランジスタQ1’のゲートと第2強化型MOSトランジスタQ2’のゲートとの所は高レベルである場合、TBは高レベルで、TAは低レベルであるため、第1強化型MOSトランジスタQ1’内部の寄生ダイオードは反対方向に導通し、即ち逆導通し、第2強化型MOSトランジスタQ2’は導通状態にし、この時、コイル201は切替装置204のTBとTAによりチップ202に交流信号を出力することができ、即ち、電流の方向は、コイル201のA……>TB……>第1強化型MOSトランジスタQ1’……>HB……>チップ202……>HA……>第2強化型MOSトランジスタQ2’……>TA……>コイル201のBである。外部制御端HCから出力された制御信号NFC_SWは高レベルである場合、第3NチャンネルMOSトランジスタQ3は導通状態にし、この時、第1強化型MOSトランジスタQ1’のゲートと第2強化型MOSトランジスタQ2’のゲートとの所は低レベルである。切替装置204の交流入力端の第1端TBは高レベルで、切替装置204の交流入力端の第2端TAは低レベルであるため、第1強化型MOSトランジスタQ1’は遮断状態で、第2強化型MOS管Q2’も遮断状態である。この時、TBとLBとの接続を遮断し、TAとLAとの接続も遮断し、コイル201とチップ202との間に信号伝送を実現することができない。
勿論、コイルの第1出力端Bは低レベルで、コイルの第2出力端Aは高レベルであると、原理は上記のと同じであるため、ここで詳しく説明しないことにする。
本実施例において、TBとLBとの間の接続が遮断されると、TAとLAとの間の接続も遮断され、コイル201及びチップ202との間に信号伝送を実現することができず、チップ202内部は電磁場のエネルギーを消耗しないため、整流装置の負荷出力能力を有効に向上することができる。
上記の実施例1〜11において、一つの選択可能な実施形態として、整流装置の出力端は電子機器における給電が必要となる装置に接続される。本実施例における一つの選択可能な実施形態において、整流装置の出力端は当該電子機器の他の給電が必要となる装置に接続され、例えば、ディスプレイと、キーと、セキュリティチップ等、電子機器他の給電が必要となる装置が通常に作業できることを維持し、他の給電が必要となる装置のために更に電気エネルギーを配置する必要はなくなり、エネルギーを節約する。
また、電子機器は電池装置を更に含む。電池装置の一端は整流装置の出力端に接続される。具体的な実施形態において、電気エネルギーを更に十分に利用するために、当該電子機器は電池装置を更に含み、整流装置から出力された電気エネルギーを電池装置を充電することができる。
また、電池装置は充電制御回路及び充電電池とを更に含み、充電制御回路は導通する場合、コイルは充電電池を充電する。本実施例における1つの選択可能な実施形態において、充電制御回路は充電電池を充電するか否かを制御し、例えば、充電制御回路は一つのスイッチであっても良く、スイッチの導通・遮断を制御することにより充電電池を充電するか否かを判定し、充電電池を充電する場合、スイッチを連通するが、充電電池を充電する必要がない場合、スイッチを遮断する。
また、電池装置の他端は非接触機能を有するチップの給電端に接続される。具体的には、当該電池装置は非接触機能を有するチップに更に接続され、当該電池装置を利用して非接触機能を有するチップに給電し、非接触機能を有するチップに電池を配置する必要はなくなり、非接触機能を有するチップは交流コイルが遮断しても引き続き作業できる。
従来技術に比べ、本実施例により提供される電子機器は他の機器と近距離無線通信(NFC)を行うと同時に、電子機器の交流コイルから電気を供給することができ、電子機器の作動に給電し、又は電子機器に内蔵された電源を充電することにより、電子機器の利用率を向上し、電気エネルギーの無駄遣いが防止される。整流装置は非接触機能を有するチップと交流コイルを共有する場合、交流コイルはチップと連通状態にすると、通信と同時に電気を供給することができ、交流コイルはチップと遮断状態にすると、整流装置の電気吸込みの効率を向上することができる。
従来技術に比べ、本実施例により提供される電子機器は、整流装置が非接触機能を有するチップとコイルを共有する場合、コイルはチップと連通状態にすると、電子機器は、他の機器と近距離無線通信(NFC通信)を行うと同時に、電子機器のコイルから電気を供給することができ、電子機器の作動に給電し、又は電子機器に内蔵された電源を充電することにより、通信すると同時に電気を供給することができ、電子機器の利用率を向上し、電気エネルギーの無駄遣いが防止される。コイルとチップとが遮断状態にする時、チップは電気を消耗しないため、整流装置は最大限で電気エネルギーを受信することができ、外に給電して、整流装置の電気を供給する効率を向上することができる。また、本実施例において、コイルとチップとの間に切替装置を加えることで、システムは共通接地問題を解決し、ベースを共通できない整流装置とチップとに、ベースを共通させることができ、電子機器も普通に作業することができる。
フローチャートまたは他の方式で説明した如何なる過程や方法は、一つまたは複数の、特定ロジック性能または過程のステップの実行できるコマンドのコードのモジュール、セクターあるいは部分を含む。本発明の望ましい実施方式の範囲は、他の実現を含み、表示または討論の順序に従わなくてもよく、述べられた機能に基づいて基本的に同様な方式または逆の順序で、その機能を実行することができる。これは、本発明の実施例の当業者に理解されるべきである。
また、理解すべきなのは、本発明の各部分は、ハードウェア、ソフトウェア、部品またはそれらの組み合わせで実現できる。上記の実施形態には、複数のステップまたは方法がメモリに保存され、適当なコマンド実行システムのソフトウェアまたは部品で実現される。たとえば、ハードウェアで実現する場合、他の実施方式と同じように、本領域周知の下記の任意一つまたはそれらの組み合わせで実現できる。すなわち、デジタル信号に対してロジック機能を実現するロジックゲート回路を有する個別のロジック回路、ロジックゲート回路を組み合わせた適当な専用IC、プログラマブルゲートアレイ(PGA)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)などである。
実施例の方法にある全部または一部のステップがプログラムにより関連のハードウェアの完成を指令することができることは当業者に理解される。前記プログラムは一つの計算機の読み出し書き込み可能な記憶メディアに記憶される。当プログラムを実行するとき、実施例方法のステップの一つまたはそれらの組み合わせを含む。
なお、本発明の各実施例の各機能モジュールを一つの処理モジュールに集中し、または、単独に存在し、あるいは、二つまたは二つ以上モジュールを一つの処理モジュールに集中することができる。上記集成したモジュールは、ハードウェアの形式、または、ソフトウェアの形式で実現される。前記集成したモジュールは、ソフトウェアの形式で実現し、また、独立の製品として販売や使用するとき、計算機の読み出し書き込み可能な記憶メディアに記憶されることができる。
上述の記憶メディアは、読み出し専用メモリ、ディスク、または、CDなどである。
本発明の説明において、「一つの実施形態」、「一部の実施形態」、「示例」、「具体的な示例」、或いは「一部の示例」などの用語を参考した説明とは、該実施例或いは示例に結合して説明された具体的な特徴、構成、材料或いは特徴が、本発明の少なくとも一つの実施例或いは示例に含まれることである。本明細書において、上記用語に対する例示的な描写は、必ずしも同じ実施例或いは示例を示すことではない。又、説明された具体的な特徴、構成、材料或いは特徴は、いずれか一つ或いは複数の実施形態又は示例において適切に結合することができる。
以上、本発明の実施例を示して説明したが、上記実施例は例示的なもので、本発明を限定するものであると理解してはいけない。当業者は、本発明の原理及び主旨から逸脱しない限りこれらの実施例に対して複種の変化、補正、切り替え及び変形を行うことができる。本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその等価物により限定される。
また、前記電子機器は、中央制御ユニットMCUを更に含み、その中、前記切替装置は前記MCUの制御端に電気的に接続され、前記MCUの制御端から出力された前記制御信号を受信する。
前記第2導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第2端及び前記第3出力端の第2端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置される。その中、前記第2導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第3通路を導通し、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第4通路を遮断する一方、前記第2導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第3通路を遮断し、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第4通路を導通し、その中、前記第3通路は第4通路と反対の方向で、前記第3通路は、前記交流入力端の第2端から前記第3出力端の第2端までの通路又は前記第3出力端の第2端から前記交流入力端の第2端までの通路である。
実施例2
図5に示すように、本実施例に電子機器が提供され、本実施例は、本実施例における切替装置104の第5端は、整流装置103の出力端と導通するように配置されなく、その代わりに、切替装置104の第5端は外部電源に接続され、外部電源により切替装置に作動電圧Veeを提供する点で、実施例1と相違する。
図5に示すように、本実施例に電子機器が提供され、本実施例は、本実施例における切替装置104の第5端は、整流装置103の出力端と導通するように配置されなく、その代わりに、切替装置104の第5端は外部電源に接続され、外部電源により切替装置に作動電圧Veeを提供する点で、実施例1と相違する。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、電子機器10は、中央制御ユニットMCU105を更に含む。その中で、切替装置はMCU105の制御端に電気的に接続され、MCU105の制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施形態において、MCU105から制御信号を送信することで、制御しやすくなる。
本発明の実施例による一つの選択可能な実施案において、当該電子機器は、中央制御ユニットMCUを更に含む。ここで、切替装置はMCUの制御端に電気的に接続され、MCUの制御端から出力された制御信号を受信する。当該選択可能な実施案により提供される電子機器は、MCUから制御信号を送信し、制御しやすい。
本 発明の実施例による1つの選択可能な実施形態として、第2強化型NMOSトランジスタのソースは交流入力端901の第2端に接続され、ドレインは第3出力端902の第2端に接続され、ゲートは制御モジュール903に接続される。
Claims (29)
- コイルと、非接触機能を有するチップと、整流装置と、切替装置と、を含み、
前記切替装置は前記コイルと前記非接触機能を有するチップとの間に接続され、
前記コイルの第1出力端は、前記整流装置の第1入力端に電気的に接続され、前記切替装置を介して前記非接触機能を有するチップの第2入力端に電気的に接続され、
前記コイルは、誘導されて前記第1出力端により交流信号を出力し、
前記整流装置は、前記コイルが前記第1入力端から入力した前記交流信号を受信して、前記整流装置の第2出力端により電気エネルギーを出力し、
前記切替装置は、入力された作動電圧の働きで、前記コイルと、前記非接触機能を有するチップとを連通させ、また、制御信号を受信した場合、受信された前記制御信号に基づいて、前記コイルと前記非接触式機能を有するチップとの導通・遮断を制御する、
ことを特徴とする電子機器。 - 前記作動電圧は前記整流装置から出力された電圧以上である、
ことを特徴とする請求項1に記載の電子機器。 - 前記作動電圧と前記整流装置から出力された電圧との差は所定値以上である、
ことを特徴とする請求項2に記載の電子機器。 - 前記整流装置は、前記切替装置に前記作動電圧を提供するように、前記切替装置に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の電子機器。 - 前記切替装置は、前記非接触機能を有するチップの制御端に電気的に接続され、前記非接触機能を有するチップの制御端から出力された前記制御信号を受信する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電子機器。 - 前記電子機器は、中央制御ユニットMCUを更に含み、
前記切替モジュールは前記MCUの制御端に電気的に接続され、前記MCUの制御端から出力された前記制御信号を受信する、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の電子機器。 - 電気部品を更に含み、
前記整流装置の第2出力端は、前記電気部品に電気エネルギーを提供するように、前記電気部品に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の電子機器。 - 充電電池を更に含み、
前記整流装置は、前記充電電池に電気エネルギーを提供するように、前記充電電池に電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の電子機器。 - 前記整流装置と前記充電電池との間に接続される充電回路を更に含み、
前記充電回路は前記充電電池を充電するように制御される、
ことを特徴とする請求項8に記載の電子機器。 - 前記切替装置は、交流入力端と、第3出力端と、制御モジュールと、第1導通・遮断モジュールと、第2導通・遮断モジュールと、を含み、
前記第1導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第1端と第3出力端の第1端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記第1導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第1通路を導通し、前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との第2通路を遮断する一方、
前記第1導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第1通路を遮断し、前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第2通路を導通し、前記第1通路は第2通路と反対の方向であり、前記第1通路は、前記交流入力端の第1端から前記第3出力端の第1端までの通路又は前記第3出力端の第1端から前記交流入力端の第1端までの通路であり、
前記第2導通・遮断モジュールは、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記第2導通・遮断モジュールが導通状態にある場合、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第3通路を導通し、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第4通路を遮断する一方、
前記第2導通・遮断モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第3通路を遮断し、前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第4通路を導通し、その中、前記第3通路は第4通路と反対の方向であり、前記第3通路は、前記交流入力端の第2端から前記第3出力端の第2端までの通路又は前記第3出力端の第2端から前記交流入力端の第1端までの通路であり、
前記制御モジュールは、前記切替装置の作動電圧と共通接地との間に設けられ、導通状態又は遮断状態になるように制御されて配置され、
前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールとが遮断状態になるように制御する一方、
前記制御モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端と協力して前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールのうちの一つが導通状態になり、もう一つが遮断状態になるように制御する、
ことを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の電子機器。 - 前記第1導通・遮断モジュールは、第1の制御可能なスイッチと第1フリーホイール導通部品とを含む、
ことを特徴とする請求項10に記載の電子機器。 - 前記第1の制御可能なスイッチは、第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、前記第1フリーホイール導通部品は、前記第1の制御可能なスイッチの第1接続端と前記第1の制御可能なスイッチの第2接続端との間に接続され、且つ第1の制御可能なスイッチの導通方向と反対し、
前記第1の制御可能なスイッチの第1接続端は、前記交流入力端の第1端に接続されるように配置され、
前記第1の制御可能なスイッチの第2接続端は、前記第3出力端の第1端に接続されるように配置され、
前記第1の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、前記制御信号の制御で前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第1通路を導通又は遮断するように配置され、
前記交流入力端の第1端と前記第3出力端の第1端との間の第1通路は、前記交流入力端の第1端から前記第3出力端の第1端までの通路又は前記第3出力端の第1端から前記交流入力端の第1端までの通路である、
ことを特徴とする請求項11に記載の電子機器。 - 前記第2導通・遮断モジュールは、第2の制御可能なスイッチと第2フリーホイール導通部品とを含む、
ことを特徴とする請求項10乃至12のいずれかに記載の電子機器。 - 前記第2の制御可能なスイッチは、第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、前記第2フリーホイール導通部品は、前記第2の制御可能なスイッチの第1接続端と前記第2の制御可能なスイッチの第2接続端との間に接続され、且つ第2の制御可能なスイッチの導通方向と反対し、
前記第2の制御可能なスイッチの第1接続端は、前記交流入力端の第2端に接続されるように配置され、
前記第2の制御可能なスイッチの第2接続端は、前記第3出力端の第2端に接続されるように配置され、
前記第2の制御可能なスイッチの制御端は、前記制御モジュールから制御信号を受信し、制御信号の制御で前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第1通路を導通又は遮断するように配置され、
前記交流入力端の第2端と前記第3出力端の第2端との間の第1通路は、前記交流入力端の第2端から前記第3出力端の第2端までの通路又は前記第3出力端の第2端から前記交流入力端の第2端の通路である、
ことを特徴とする請求項13に記載の電子機器。 - 前記第1導通・遮断モジュールは、第1強化型MOSトランジスタを含み、及び/又は、前記第2導通・遮断モジュールは第2強化型MOSトランジスタを含む、
ことを特徴とする請求項10乃至14のいずれかに記載の電子機器。 - 前記第1導通・遮断モジュールは、第1負荷部品を更に含み、前記第1強化型MOSトランジスタのゲートは前記第1負荷部品を介して前記制御モジュールに接続され、及び/又は、
前記第2導通・遮断モジュールは、第2負荷部品を更に含み、前記第2強化型MOSトランジスタのゲートは前記第2負荷部品を介して前記制御モジュールに接続される、
ことを特徴とする請求項15に記載の電子機器。 - 前記第1負荷部品は抵抗器又は第1の一方向導通部品であり、前記第1の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含み、
前記第2負荷部品は抵抗器又は第2の一方向導通部品であり、前記第2の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項16に記載の電子機器。 - 前記第1の制御可能なスイッチは第1MOSトランジスタと第1バイアス抵抗器とを含む、
ことを特徴とする請求項11又は12のいずれかに記載の電子機器。 - 前記第1MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタであり、
前記第1MOSトランジスタのソースは前記第1の制御可能なスイッチの第1接続端であり、
前記第1MOSトランジスタのドレインは前記第1の制御可能なスイッチの第2接続端であり、
前記第1MOSトランジスタのゲートは前記第1の制御可能なスイッチの制御端であり、
前記第1バイアス抵抗器の一端は前記第1MOSトランジスタのソースに接続され、他端は前記第1MOSトランジスタのゲートに接続されている、
ことを特徴とする請求項18に記載の電子機器。 - 前記第1の制御可能なスイッチは、第1負荷部品を更に含み、
前記第1MOSトランジスタのゲートは前記第1負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている、
ことを特徴とする請求項18又は19のいずれかに記載の電子機器。 - 前記第1負荷部品は抵抗器又は第1の一方向導通部品であり、前記第1の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項20に記載の電子機器。 - 前記第2の制御可能なスイッチは、第2MOSトランジスタと第2バイアス抵抗器を含む、
ことを特徴とする請求項13又は14のいずれかに記載の電子機器。 - 前記第2MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタであり、
前記第2MOSトランジスタのソースは前記第2の制御可能なスイッチの第1接続端であり、
前記第2MOSトランジスタのドレインは前記第2の制御可能なスイッチの第2接続端であり、
前記第2MOSトランジスタのゲートは前記第2の制御可能なスイッチの制御端であり、
前記第2バイアス抵抗器の一端は前記第2MOSトランジスタのソースに接続され、他端は前記第2MOSトランジスタのゲートに接続されている、
ことを特徴とする請求項22に記載の電子機器。 - 前記第2の制御可能なスイッチは、第2負荷部品を更に含み、
前記第2MOSトランジスタのゲートは前記第2負荷部品を介して前記制御モジュールに接続されている、
ことを特徴とする請求項22に記載の電子機器。 - 前記第2負荷部品は抵抗器又は第2の一方向導通部品であり、前記第2の一方向導通部品は、ダイオード又はトライオードを含む、
ことを特徴とする請求項24に記載の電子機器。 - 制御可能なスイッチである前記制御モジュールは、第1接続端と、第2接続端と、制御端と、を含み、
前記制御モジュールの第1接続端は、前記作動電圧に接続されるように配置され、
前記制御モジュールの第2接続端は、共通接地に接続されるように配置され、
前記制御モジュールの制御端は、外部から前記制御信号を受信して前記制御信号の制御で導通又は遮断するように配置され、
前記制御モジュールの第1接続端は、前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールとに接続されるように配置され、
前記制御モジュールが導通状態にある場合、前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールとを遮断状態になるように制御し、
前記制御モジュールが遮断状態にある場合、前記交流入力端と協力して前記第1導通・遮断モジュールと前記第2導通・遮断モジュールとの中の一つが導通状態になるように制御する、
ことを特徴とする請求項25に記載の電子機器。 - 前記制御モジュールは、第3MOSトランジスタと第3バイアス抵抗器とを含む、
ことを特徴とする請求項26に記載の電子機器。 - 前記第3MOSトランジスタはNチャンネルMOSトランジスタであり、前記第3MOSトランジスタのドレインは前記制御モジュールの第1接続端であり、前記第3バイアス抵抗器を介して前記作動電圧に接続され、前記第3MOSトランジスタのソースは前記制御モジュールの第2接続端であり、前記第3MOSトランジスタのゲートは前記制御モジュールの制御端である、
ことを特徴とする請求項27に記載の電子機器。 - 前記第1MOSトランジスタ、前記第2MOSトランジスタ及びMOSトランジスタは接合型電界効果トランジスタである、
ことを特徴とする請求項18乃至28のいずれかに記載の電子機器。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN107688847B (zh) * | 2017-09-22 | 2020-11-13 | 深圳市文鼎创数据科技有限公司 | 一种天线开关电路及智能卡 |
CN108649814A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-10-12 | 深圳市文鼎创数据科技有限公司 | 智能卡、智能卡控制方法、装置及设备 |
CN109581912B (zh) * | 2018-11-20 | 2024-02-27 | 南京华士电子科技有限公司 | 冗余无触点逻辑控制单元的控制方法 |
CN110536274B (zh) * | 2019-08-06 | 2022-11-25 | 拉卡拉支付股份有限公司 | Nfc设备控制方法、装置、nfc设备和存储介质 |
CN110601312B (zh) * | 2019-09-30 | 2021-12-24 | 联想(北京)有限公司 | 电子设备和能量传输*** |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011018180A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカード |
JP2012090904A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Konami Digital Entertainment Co Ltd | ゲーム装置、ゲーム装置の制御方法、及びプログラム |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1329869C (zh) * | 1995-06-02 | 2007-08-01 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 芯片卡 |
JP3916291B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2007-05-16 | ローム株式会社 | 情報通信装置 |
US8616984B2 (en) * | 2002-06-12 | 2013-12-31 | Igt | Intelligent player tracking card and wagering token tracking techniques |
CN2553448Y (zh) * | 2002-07-11 | 2003-05-28 | 蔡小如 | 非接触智能卡防伪电子标签 |
JP3614157B2 (ja) * | 2002-07-30 | 2005-01-26 | オムロン株式会社 | Rfidタグならびにrfidタグにおける共振周波数の調整方法 |
US8795061B2 (en) * | 2006-11-10 | 2014-08-05 | Igt | Automated data collection system for casino table game environments |
CN1414516A (zh) * | 2002-09-20 | 2003-04-30 | 商庆海 | 非接触式安全卡 |
CN2620326Y (zh) | 2003-05-06 | 2004-06-09 | 上海国绿商业信息技术有限公司 | 非接触感应式电子名片 |
JP4244169B2 (ja) * | 2003-08-04 | 2009-03-25 | 日本発條株式会社 | 非接触情報媒体およびこれを用いた通信システム |
CN1834983A (zh) | 2005-03-14 | 2006-09-20 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 用于非接触智能卡的定量调制技术及电路实现 |
JP4750530B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2011-08-17 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置及びそれを用いた非接触電子装置 |
JP4839841B2 (ja) | 2006-01-04 | 2011-12-21 | 株式会社日立製作所 | スナップショット再起動方法 |
CN100424723C (zh) * | 2006-05-09 | 2008-10-08 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 一种用于机车监控装置数据读写与存储的无线ic卡 |
CN101454788A (zh) * | 2006-05-31 | 2009-06-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件以及具有这种半导体器件的ic标贴、ic标签和ic卡 |
CN100458841C (zh) * | 2006-12-28 | 2009-02-04 | 复旦大学 | 一种支持无线充电的半有源射频识别标签 |
JP2009081943A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Seiko Epson Corp | 送電制御装置、送電装置、送電側装置および無接点電力伝送システム |
CN101256621A (zh) * | 2008-03-20 | 2008-09-03 | 北京握奇数据***有限公司 | 共用天线电路、读卡器及其切换方法 |
JP5258490B2 (ja) | 2008-10-02 | 2013-08-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路及びそれを用いたicカード |
KR100995752B1 (ko) * | 2008-12-24 | 2010-11-19 | 삼성에스디에스 주식회사 | 접촉식 아이씨카드 판독기의 전원 인터페이스회로 |
CN101887528B (zh) * | 2009-05-12 | 2014-11-26 | 数伦计算机技术(上海)有限公司 | 通用rfid标签、读写终端、***及其通讯方法 |
JP4719285B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2011-07-06 | 株式会社東芝 | 携帯端末機器に装着される電子装置及び電子装置の制御方法 |
JP5754964B2 (ja) * | 2011-02-07 | 2015-07-29 | キヤノン株式会社 | 充電装置 |
JP5677875B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2015-02-25 | 日立マクセル株式会社 | 非接触電力伝送システム |
CN102521642A (zh) * | 2011-12-06 | 2012-06-27 | 颜力 | 一种rfid标签芯片 |
CN103500352A (zh) * | 2013-10-18 | 2014-01-08 | 步步高教育电子有限公司 | 一种基于近场感应的标签信息显示装置及益智玩具 |
CN104331733A (zh) * | 2014-10-31 | 2015-02-04 | 中国科学院上海高等研究院 | 一种超高频rfid标签及其抗干扰方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011018180A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Dainippon Printing Co Ltd | Icカード |
JP2012090904A (ja) * | 2010-10-28 | 2012-05-17 | Konami Digital Entertainment Co Ltd | ゲーム装置、ゲーム装置の制御方法、及びプログラム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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