JP2018503966A - レーザシステム、及び、レーザシステムの出力パワーを調整する方法 - Google Patents
レーザシステム、及び、レーザシステムの出力パワーを調整する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018503966A JP2018503966A JP2017513110A JP2017513110A JP2018503966A JP 2018503966 A JP2018503966 A JP 2018503966A JP 2017513110 A JP2017513110 A JP 2017513110A JP 2017513110 A JP2017513110 A JP 2017513110A JP 2018503966 A JP2018503966 A JP 2018503966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- diode
- laser
- bank
- banks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 17
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 9
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 239000012770 industrial material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000009118 appropriate response Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000008450 motivation Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0427—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying modulation to the laser
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
- B23K26/0608—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
- B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/0869—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction
- B23K26/0876—Devices involving movement of the laser head in at least one axial direction in at least two axial directions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
- B23K26/703—Cooling arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S5/0071—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping for beam steering, e.g. using a mirror outside the cavity to change the beam direction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4012—Beam combining, e.g. by the use of fibres, gratings, polarisers, prisms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4018—Lasers electrically in series
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
- H01S5/4062—Edge-emitting structures with an external cavity or using internal filters, e.g. Talbot filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
- H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling
- H01S5/02423—Liquid cooling, e.g. a liquid cools a mount of the laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/14—External cavity lasers
- H01S5/141—External cavity lasers using a wavelength selective device, e.g. a grating or etalon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4087—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar emitting more than one wavelength
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
Description
なし
本実施形態の1つの態様では、制御ユニットは、さらに、波長ロックモードで他のダイオードバンクのレーザダイオードを動作させるように構成されており、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は、レーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲で動作され、レーザダイオードは、確実に制限されたパワーの範囲のみでロックする。
本実施形態の他の態様では、制御ユニットは、さらに、波長制御モードで他のダイオードバンクのレーザダイオードを動作させるように構成されており、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は、レーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲で動作され、レーザダイオードを制限されたパワーの範囲の外側で動作させるのと比較してより狭い発光バンドを生成し、より狭い発光バンドは制限されたパワーの範囲に対応する。
本実施形態のさらなる態様では、制御ユニットは、さらに、他のダイオードバンクのレーザダイオードを高輝度モードで動作させるように構成されており、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は、レーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲のみで確実に高輝度出力を生成し、高輝度モードで動作させることは制限されたパワーの範囲内のみで動作させることを含む。
本実施形態のさらに他の態様では、制御ユニットは、さらに、他のダイオードバンクのレーザダイオードを短パルスモードで動作させるように構成されており、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は、レーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲内のみで特定のパルスパラメータの範囲内で確実に発振し、短パルスモードで動作することは制限されたパワーの範囲内のみで動作することを含む。
本実施形態のまたさらに他の態様では、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々はレーザイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲内のみで高電気光(変換)効率で動作し、制御ユニットは、さらに、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々を制限されたパワーの範囲内のみで動作させるように構成されている。
本実施形態の1つの態様では、方法は、他のダイオードバンクのレーザダイオードを波長ロックモードで動作させることを含み、他のレーザダイオードのダイオードバンクの各々は、レーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲で動作され、レーザダイオードは制限されたパワーの範囲のみで確実にロックする。
本実施形態の他の態様では、方法は、他のダイオードバンクのレーザダイオードを波長制御モードで動作させることを含み、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は、レーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲で動作され、レーザダイオードを制限されたパワーの範囲の外側で動作させるのと比較してより狭い発光バンドを生成し、より狭い発光バンドは制限されたパワーの範囲に対応する。
本実施形態のさらなる態様では、方法は、他のダイオードバンクのレーザダイオードを高輝度モードで動作させることを含み、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は、レーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲内のみで確実に高輝度出力を生成し、高輝度モードで動作させることは制限されたパワーの範囲内のみで動作させることを含む。
本実施形態のまたさら他の態様では、方法は、他のダイオードバンクのレーザダイオードを短パルスモードで動作させることを含み、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は、レーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲内のみで特定のパルスパラメータの範囲内で確実に発振し、短パルスモードで動作することは制限されたパワーの範囲内のみで動作することを含む。
本実施形態のさらに他の態様では、他のダイオードバンクのレーザダイオードはレーザダイオードの公称パワーを含むレーザダイオードの制限されたパワーの範囲内のみで高電気光効率で動作し、方法は、さらに、他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々を制限されたパワーの範囲内のみで動作させることを含む。
1つの変形例では、バンクの少なくとも1つは、レーザシステムの出力パワーを低減するためにゼロ出力パワーを生成するように制御される。
別の変形例では、バンクは個別に調整可能ではなく、個別のパワー調整を提供するために、グループメンバーがそれぞれ所定の出力パワーを生成する(出力パワーが各バンクで個々に予め定められている)グループで制御される。
さらなる変形例では、バンクは制限された出力パワーの範囲で個別に調整される。1つの例では、バンクのうちの1つは、広い出力パワーの範囲に渡ってパワー調整可能であり、他のバンクは、制限された出力パワーの範囲に渡ってパワー調整可能である。
別の例では、バンクの1つは、他のバンクよりも大きな出力パワーの容量を有する。さらなる例では、バンクの1つは、他のバンクよりも小さな出力パワーの容量を有する。
図2は、ダイオードバンク20の一例を示す。ビームコンバイナ24は、当該技術分野で知られている、または将来開発される任意の方法でビームを結合し、結合ビーム26を加工ヘッド14に出力する。各レーザビーム22は、制御部30によって調整される出力パワーを有する。一例において、制御部30は、電源32によって供給される電力を複数のダイオードバンク20への複数の電流の流れへと調節し、各電流の流れは、ダイオードバンク20がレーザビーム22を介して所望の出力パワーを生成するように、制御部30によって個別に制御される。ダイオードバンク20の温度を所望の範囲内に維持するために、冷却液をダイオードバンク20に循環させる冷却システム34が設けられてもよい。
ダイオードバンクとそれらの各々によって出力されるべきパワーを選択するいくつかの方法を以下に説明する。一例では、制御ロジックは、最大パワーが要求されたパワーを超える最小数のダイオードバンクを選択するようにプログラムされる。従って、各バンクが120ワットの最大容量を有し、580ワットが要求された場合、制御ロジックは5バンクを選択する。バンクが1つのパワーレベルのみ、例えば最大パワーで動作するように構成されていれば、制御ロジックは、5つのバンク全てが600ワットを出力するように動作させることがある。バンクの各々が例えばそれらの最大パワーの70%から100%に調整可能で、制限されたパワーの範囲で動作されれば、制御ロジックは、5つのバンクのそれぞれを116ワットで動作させ、これにより各バンクに均等に負荷をかけるという要求を満たす。大部分のバンクが1つのパワーレベルのみで動作するように構成され、少なくとも1つのバンクがその最大範囲の少なくとも50%に渡って調整可能であれば、制御ロジックは最大パワーで4つのバンクを動作させ、調整可能なバンクを100ワットで動作させ、これにより要求を満たす。
いくつかの実施形態では、全てのバンクより少数のバンクが動作されるとき、他のバンクよりもオン時間が少ないレーザシステムが使用されるたびに使用状況を追跡し、バンクを選択することによって、その選択が生涯使用またはオン時間のアンバランスを軽減して、レーザシステムの寿命を延ばすことができる。レーザシステムがどのように構成されているかに応じて使用され得る種々のロジックルーチンが、レーザシステムに含まれてもよい。構成ファイルは制御部に含まれてもよく、レーザシステムのモジュラユニットが選択されるとき、またはレーザシステムの用途が選択されるときに、構成ファイルが変更されてもよい。構成ファイルは、ダイオードバンクの調整範囲、最大パワー、及び以下に説明する他の構成または調整パラメータを規定することができる。
電流コントローラ176の各々は、電力導体154によって電源152に電気的に結合され、信号導体158a〜158eのうちの1つによって制御ユニット160に電気的に結合されている。例示的な制御ユニット160は、図4を参照して詳細に説明される。各電流コントローラ176は、ダイオードバンク178が、制御ユニット160によって決定され、電流コントローラ176に対する電流制御信号として信号導体158を介して送信されたパワーの量を出力するように、ダイオードバンク178への電流の流れを可能にする。従って、各ダイオードバンク178は、制御ユニット160によって決定されるように、ダイオードバンク178の他のいずれかと同じまたは異なる量のパワーを出力することができる。
各ダイオードバンク178は、レーザダイオードによって出力された放射を導波ファイバ180a〜180eへと導き、整形し、集束させる結合光学系を含む。典型的な結合光学系が図2を参照して開示された。導波ファイバ180a〜180eは、ダイオードバンク178の各々をビームコンバイナ182に接続し、ここで、ビームは出力ファイバ188によって伝送されるシステムビームへと結合される。例示的な電流コントローラは、信号導体を介して送信される電流制御信号に基づいて定電流出力を維持するように構成されたフィードバック構成要素を有する電流源を備える。
本実施形態において、各信号導体158a〜158eは、電流制御信号を異なるダイオードバンクに供給する。レーザシステムの出力パワーは、ダイオードバンクの出力パワーの合計である。
さらに別の技術は、波長分割多重化としても知られている波長合成を含み、例えば、モジュラユニット170a〜170eは異なる波長で、おそらく波長ロックまたは波長制御動作で動作することができ、異なる波長を組み合わせるために、回折格子または薄膜フィルタのアレイを使用することができる。2またはそれ以上の光源が波長多重化されている場合、結合効率は、各光源の出力が所望の波長帯域にどれだけ含まれるかによって決定される。従って、マルチプレクサの合成出力パワーは、各ソース出力パワーだけでなく結合効率の関数でもあり、従って各ソースのスペクトル特性に直接依存する。もし、各光源のスペクトル特性が、例えば自己発熱のために時間の関数として変化するとすれば、合成された出力パワーは時間的特性を示す。共通のアーティファクトは、各光源のスペクトル特性が安定するのに必要な時間のため、光出力の合成の立ち上がり時間の増加である。
一実施形態において、例えばその最大パワーの0%から100%の広範囲に渡って調整されるダイオードバンクは、80μ秒よりも大きい(すなわち、より遅い)立ち上がり時間を達成する。最大パワーの70%〜100%を含む制限された範囲内でダイオードバンクを調整することによって、強い波長ロック、少なくとも50%の改善を提供することにより、立ち上がり時間を40μ秒またはそれ以下に低減することができる。変調周波数に依存して、40μ秒の改善は、出力パワーの1〜5%の増加に置き換えることができる。より好ましくは、調整能力を保持しながら25μ秒またはそれ以下の立ち上がり時間を達成するために範囲をさらに制限してもよい。勿論、特定のダイオードバンクで達成可能な実際の立ち上り時間及び調整範囲は、レーザシステムの温度を含む他の変数の影響を受ける。
さらに、レーザダイオードを100%デューティサイクル以下に変調する場合、より高い所望の温度、例えば40℃を維持することが望ましいことがある。例示的な温度制御特性は、ダイオードバンクの温度を所望のレベルに維持するように構成された温度制御ロジックにフィードバックを提供するフィードバックセンサを有する電気抵抗素子を含む。抵抗要素は、抵抗層、セラミック抵抗器、または任意の他の既知の電気抵抗要素を含んでよい。温度制御ロジックは、変調周波数を、変調周波数の関数として可変である所望の温度にダイオードバンクの温度を上昇させるのに必要な加熱量に相関させるテーブルを備えてもよい。相関は、経験的にまたはエネルギバランスモデルを用いて決定することができる。一旦、変調周波数が設定されると、冷却板を加熱するために電流の相関量が抵抗素子に供給される。
1つの変形例では、制御ユニット160は、デジタル値に対応するアナログ制御信号を出力するように構成されたデジタル−アナログ変換器(DAC)を含む。制御ユニット160はまた、アドレスと電流レベルとの間の関係を示す埋め込み型ランダムアクセスメモリ(RAM)ルックアップテーブル164a〜164eを含む。各テーブルは1つのDACに対応する。各アドレスは出力パワーレベルに対応する。従って、アドレスの選択は、所与の要求されたパワーに対して各DACの対応する電流レベルを識別する。
このようにして、個々のバンクの電流プロファイル(入力または要求されたパワーの範囲に渡る)は無限に柔軟であり、所望の制御アルゴリズムまたはロジック(ここに記載されるものを含む)に従って動作することが可能である。テーブルはユーザによって手動で設定されてもよく、またはファームウェア及び/またはプログラマブルロジックベースのプログラムを使用して自動的に設定されてもよい。
DACのリフレッシュレートは電流レギュレータ回路の固有の立ち上り/立ち下り時間よりもはるかに高速であるため、光学的な理由がない限り、連続波(CW)動作とパルス/変調動作との間で区別したり、異なるアルゴリズムを使用したりする必要はない。動作電流は、単に、要求されたパワー信号(すなわち、それぞれのプログラムされたプロファイルに従う)をレギュレータ回路の立ち上がり/立ち下がり能力の範囲内で“追跡”する。電流変動を低減するために、要求されたパワー信号またはフィードバック信号に不感帯を設けることによって、安定性を増加させてもよい。不感帯は、柔軟性を高めるためにユーザがプログラム可能であってもよく、それによってユーザはヒステリシスの量を決定することができる。
テーブルはいつでも書き直すことができ、高度な柔軟性とカスタマイズが可能である。閉ループフィードバックのテーブル及びパラメータは、レーザシステムによる出力パワーの不連続性の事例を低減するために定期的に更新されてもよい。例えば、ダイオードバンクがオンまたはオフするとき不連続性が発生することがある。不連続性の事例を減少させるためにダイオードバンクがスイッチオン及びスイッチオフされるときに、調整するための応答時間及び他の要因を考慮して電流が調整されてもよい。
閉ループフィードバックのテーブル及びパラメータは、レーザシステムのパワー精度を向上させるために周期的に更新されてもよい。パワー精度は、レーザシステムの要求されたパワーと出力パワーとの間の誤差を減少させることによって増加させてもよい。テーブル及びパラメータは、レーザダイオードのエージング及びパワー精度を低下させる他の要因を考慮に入れて経時的に変化してもよい。
いくつかの実施形態において、パワーは、制限されたパワーの範囲内でのみダイオードバンクを動作させるように調整される。最大動作パワーの100%はダイオードバンクの公称パワーの100%より大きいため、最大パワーの70〜100%の範囲は公称パワーを含むことを理解されたい。
ダイオードバンクの制限されたパワーの範囲の例は、最大パワーの50〜100%を含む範囲、公称パワーの70%を超える範囲、公称パワーの90〜110%を含む範囲、及び、所与のダイオードバンク及び動作方法と互換性がある他の任意の範囲を含む。ダイオードバンクが調整され得るパワーの範囲は、“アクセス可能なパワー”と呼ばれ、その範囲外のパワーは、“アクセス不可のパワー”と呼ばれる。レーザシステムの構造に依存して、要求されたパワーは、アクセス可能、すなわち、レーザシステムが要求されたパワーを供給するように調整され得るか、またはアクセス不可、すなわち、ダイオードバンクの組み合わせがなく、要求されたパワーを供給することができる制限されたパワーの範囲がないから、レーザシステムは要求されたパワーより大きいかまたは小さいパワーしか供給できない。
図5を参照して以下で議論するように、例えば、システム内のダイオードバンクの組み合わせは、システムの最大出力パワーの28〜40%の間で調整可能であり、他の組み合せは42〜60%の間で調整可能である。従って、それらの組み合わせに対するシステムのアクセス可能なパワーは28〜40%及び42〜60%を含み、システムのアクセス不可のパワーは41%を含む。
表1は、全てのダイオードバンクが同じパワー容量を有する構成で、テーブル164a〜164eを使用して、粗く、または離散的な、調整可能性の例を示す。ダイオードバンク各々のパワーレベルは、説明の目的のため容量のパーセンテージで示されている。
1つの変形例では、テーブル164a〜164eは、異なる要求されたパワーに対してどのバンクが動作するかを循環させるように構成された追加のアドレス及び電流を含む。例えば、制御ロジック162は、20%の出力パワーが要望される場合、モジュラユニット170aを動作させる代わりに、モジュラユニット170bを動作させるようにプログラムされたアドレスで構成することができる。例えば、所与のパワーレベルのアドレスをモジュラユニットの数だけインクリメントすることによって、レーザシステムの各起動後にアドレスをインデックスするためのインデックスロジックを提供することができる。
このようなレーザダイオードの典型的な高パワー動作では、ダイオードチップの温度は30〜40℃のオーダーで上昇し、従って、約9〜12nmの利得ピークの波長のシフトを引き起こす。
一方、例えば最大パワーの10%未満の低パワー動作では、温度は約3℃未満で上昇し、利得ピークは約1nmまたはそれ以下しかシフトしない。非ロックのレーザダイオードではこの利得シフトは問題とはならず、レーザダイオードは、典型的には、あらゆる状況下でほぼ利得ピークでレーザ発振するので、高パワーで940nmと規定されたレーザダイオードで、出力波長は、例えば、低パワーで約930nmから高パワーで約940nmまでのパワーで単純に変化する。このような変動は、多数の用途において問題とはならない。
分布帰還型(DFB)レーザ及び分布ブラッグ反射型(DBR)レーザの場合のように、グレーティングをチップ上に直接書き込むことができ、ボリュームブラッググレーティング(VBG)、ファイバブラッググレーティング(FBG)、または透過グレーティングのようなバルクグレーティングの場合のように、グレーティングはチップの外部にあってもよい。このようなグレーティングは、GaAsよりもはるかに低い温度係数を有し、従って、典型的には、1〜2nmまたはそれ以下の波長制御を提供する。
しかしながら、ダイオードの利得ピークは、依然として、グレーティングによって規定される所望のレーザ発振波長に正確に一致しなければならず、これが高パワーで設計された場合、低パワーでは、利得ピークは温度変化により10nmのオーダーで発振波長からずれることになる。
GaAsレーザでは、利得ピークはそれ自体が10〜20nmのオーダーであるので、このシフトは利得ピークの幅に対して非常に大幅である。レーザが低パワーでロックされたままであることが要求されれば、グレーティングが利得ピークからグレーティング波長までレーザ発振波長を“引く”ために、さもなければ必要であったグレーティング強度よりも高いグレーティング強度を使用する必要がある。このより高いグレーティング強度は、有用な出力パワーとしてそれを提供するというよりむしろ、ロックさせるためにより多くのレーザパワーをレーザに逆戻りさせ、結果として、低パワーでのロックを保証する必要がないため、必要とされていたよりも高いパワーでより低い出力パワー及びより低い効率となる。
従って、ロックレンジ(従って動作パワー範囲)と出力パワー/効率との間にはトレードオフがある。ダイオードの許容動作パワーが、例えば、最大パワーの70%から100%に制限される場合、利得ピークは、約30%×10nm=3nmだけ調整され、これは利得ピークの幅と比較して小さいので、信頼できるロッキングに必要なグレーティング強度にほとんど影響を与えない。制限された出力パワーの範囲内で動作するかオフされる、独立して電流制御される複数のダイオードバンクを使用することにより、温度変化による波長シフトが低減されたレーザシステムからの広範囲の総出力パワーを提供することができ、これにより、制限された出力パワーの範囲外でレーザダイオードを動作させて、同じ総出力パワーを発生させるのと比較して、より狭い発光バンドを生成することができる。
この程度の波長制御は、波長ロックによって可能になるほど厳しくはないが、とはいえ、例えば、Yb:ガラスの励起のような特定の励起の用途、及びダイレクトダイオードレーザにおける粗波長分割多重のためには、有用な改良である。それぞれが制限された出力パワーの範囲内で動作するかオフされる独立して電流制御される複数のダイオードバンクを使用することにより、各ダイオードバンクが同じ(より広い)範囲の全システム出力パワーに渡って同じ出力パワーを生成するように動作する同様のレーザシステムから提供するよりも、より広い範囲の全システム出力パワーに渡ってレーザシステムからより一貫した熱レンズ現象の強さを提供することができる。
しかしながら、低パワーでは、熱レンズ現象の強さはほぼゼロに低下し、異なるモード品質が観察される。ダイオードが高パワーで望ましいモード品質のために最適化されている場合、例えば、ファイバ結合レーザダイオードシステムにおける光ファイバへの結合効率が悪くなり、低パワーでより悪くまたは許容できないモード品質となる。従って、このようなレーザダイオードにおいて、動作パワー範囲を全範囲のサブセットに制限すること、例えば、パワー範囲を最大パワーの70%〜100%、公称パワーの70%〜100%、または任意の他の望ましい範囲に制限することは都合がよい。
この例において、X=70%、N=5である。1つのバンクがオンにされた状態でのシステム出力パワーは、図5のバー190として示される、70%/5または14%と、100%/5または20%との間になる。2つのバンクの場合、システムのパワー範囲はバー192として示されている28〜40%である。3つのバンクでは、システムのパワー範囲はバー194として示されている42〜80%である。4つのバンクの場合、システムのパワー範囲はバー196として示されている58〜80%である。5つのバンクでは、システムのパワー範囲はバー198として示されている70〜100%である。バー194と196、及び196と198との間の場合のように、パワーの範囲が重なるとき、3つ、4つ、及び5つのバンクを動作させて、例えば、42%から100%まで、出力パワーを連続的な範囲で調節することができる。
一般的に、遷移パワーレベルは、最初の数のバンクを選択することにより決定される。要求されたパワーが最初の数のバンクのパワー範囲外になるまで、最初の数のバンクが維持され、その時点で異なる数のバンクが動作する。
方法は202で開始し、+1はNより小さいか等しいとして、M個のバンクとM+1個のバンクとの間の遷移パワーレベルを決定する。ダイオードバンクの最大パワーが知られていれば、決定はレーザシステムの構成中に実行されてもよい。決定は、特定の用途で使用するためのレーザシステムの構成中に実行されてもよく、要求されたパワーを指定された量だけ超えることは決して要求されない。遷移パワーレベルは、構成テーブルまたはファイル、または制御ユニットの指定されたメモリ位置に格納することができる。
204において、方法は、要求された出力パワーを決定することによって継続する。要求出力パワーは、信号導体155に関連して図4を参照して説明したように、所望の出力パワーの量を示す信号を受信することによって決定される。
代わりに、システムが特定のレーザ加工動作の間に、システムパワーの58%でオンにされ、次に連続的に78%まで調整され、58%まで戻されるとすると、レーザシステムは最初に4つのバンクで開始し(この例では58%を生成することができる最大の数、他の選択肢は3つのバンクである)、この動作の期間中、4つのバンクを動作し続ける。
代わりに、システムを58%で開始して44%に調整してから58%に戻すとすると、このアルゴリズムを使用するシステムは、4つのバンクから開始し、56%のパワーを通過するときに3つのバンクに移行し、その後44%に低下して58%に戻るまで3つのバンクにとどまり、よってバンクの数の変更は1回のみとなる。
Claims (40)
- 第1のダイオードバンクと他のダイオードバンクとを含み、ダイオードバンクの各々がレーザダイオードを含み、レーザビームを出力するように構成されているダイオードバンク;
前記ダイオードバンクの各々に対応する電流制御信号を受信し、前記電流制御信号に基づいて前記ダイオードバンクに電流を流すことができるように構成されている電流コントローラ;及び
前記電流制御信号は、前記第1のダイオードバンクが第1のパワーを出力するように制御する第1の電流制御信号と、前記他のダイオードバンクが他のパワーを出力するように制御する他の電流制御信号とを含み、前記第1のパワーは前記他のパワーのうちの少なくとも1つと異なり、要求されたパワーの指示を受信し、前記指示に基づいて前記電流制御信号を生成するように構成されている制御ユニット
を備えることを特徴とするレーザシステム。 - 前記要求されたパワーが前記第1のダイオードバンクの最大パワーと等しいとき、前記第1のパワーは前記第1のダイオードバンクの前記最大パワーと等しく、前記他のパワーはゼロに等しいことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記ダイオードバンクの各々は最大パワーを有し、前記レーザシステムは、前記ダイオードバンクの前記最大パワーの合計と等しいシステム最大パワーを有し、前記第1の電流制御信号は、前記第1のダイオードバンクをその最大パワーの50%よりも広い範囲で調整するように構成され、前記他の電流制御信号は、前記他のダイオードバンクをそれぞれの最大パワーの50%よりも狭い制限された範囲で調整するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記広い範囲は、前記第1のダイオードバンクの前記最大パワーの40%から100%を含むことを特徴とする請求項3に記載のレーザシステム。
- 前記制限された範囲は、前記それぞれの最大パワーの70%から100%を含むことを特徴とする請求項4に記載のレーザシステム。
- 前記広い範囲は、前記第1のダイオードバンクの前記最大パワーの10%から100%を含むことを特徴とする請求項4に記載のレーザシステム。
- 前記ダイオードバンクのうちの1つの前記最大パワーは、前記ダイオードバンクのうちの他の1つの前記最大パワーと異なることを特徴とする請求項3に記載のレーザシステム。
- 前記第1のダイオードバンクの前記最大パワーは、前記他のダイオードバンクそれぞれの前記最大パワーより大きいことを特徴とする請求項3に記載のレーザシステム。
- 前記レーザシステムはダイレクトダイオードレーザを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記レーザダイオードはシングルエミッタレーザダイオードを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記レーザダイオードはマルチエミッタレーザダイオードを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記マルチエミッタレーザダイオードは、レーザダイオードバーと垂直共振器型面発光レーザ(VCSEL)アレイとのうちの1つを含むことを特徴とする請求項11に記載のレーザシステム。
- 前記レーザダイオードはレーザダイオードモジュール内にあり、各モジュールは、少なくとも1つが空間結合され、かつ、偏光結合された出力を有する少なくとも2つのレーザダイオードを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- レーザ利得媒体に連結されたダイオード励起レーザシステムを含み、前記ダイオード励起レーザシステムの出力パワーは前記レーザ利得媒体を励起するように構成され、前記レーザ利得媒体は、ファイバレーザ、ディスクレーザ、スラブレーザ、ロッドレーザ、ダイオード励起の固体レーザ、ラマンレーザ、ブリルアンレーザ、光パラメトリックレーザ、アルカリ蒸気レーザのうちの1つを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記ダイオードバンクは、前記第1のダイオードバンク、前記他のダイオードバンク、及び、少なくとも1つの付加的なダイオードバンクを含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 変調周波数の機能として、レーザダイオードの温度を制御する温度制御特性を含むことを特徴とする請求項1に記載のレーザシステム。
- 前記第1のダイオードバンクは、前記レーザダイオードが搭載された支持構造を含み、前記温度制御特性は、前記支持構造に連結され、前記支持構造を加熱するように構成された電気抵抗素子を含むことを特徴とする請求項16に記載のレーザシステム。
- ダイオードバンクに配置されたレーザダイオードを含むレーザシステムのためのパワー制御方法であり、各ダイオードバンクは、前記レーザダイオードの少なくとも1つを含み、最大パワーを有し、前記方法は:
前記ダイオードバンクの第1のダイオードバンクを第1のパワーを出力するように動作させること;及び
他のパワーのうちの少なくとも1つは前記第1のパワーと異なり、同時に、前記ダイオードバンクの他のダイオードバンクを前記他のパワーを出力するように動作させること
を含むことを特徴とするパワー制御方法。 - 前記第1のパワーは前記レーザシステムで出力される要求されたパワーを含み、前記他のパワーはゼロに等しいことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- ダイオードバンクを出力ゼロに動作させることは、前記ダイオードバンクに含まれている前記少なくとも1つのレーザダイオードの閾値電流よりも小さい電流を前記ダイオードバンクに流すことを特徴とする請求項19に記載のパワー制御方法。
- 前記ダイオードバンクの第1のダイオードバンクが前記第1のパワーを出力するよう動作させることは、前記第1のダイオードバンクをその最大パワーの50%よりも広い範囲で調整することを含み、前記他のダイオードバンクの各々が他のパワーを出力するよう同時に動作させることは、前記ダイオードバンクの前記他のダイオードバンクそれぞれの最大パワーの50%未満を含み、前記レーザダイオードの公称パワーを含む範囲で前記他のダイオードバンクを調整することを含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記第1のダイオードバンクの範囲は、前記最大パワーの0%から100%を含み、前記他のダイオードバンクの各々が他のパワーを出力するよう同時に動作させることは、前記ダイオードバンクの前記他のダイオードバンクをそれぞれの最大パワーの70%を超えるパワーのみに調整することを含むこと特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記第1のダイオードバンクの前記最大パワーは、前記他のダイオードバンク各々の前記最大パワーより大きいことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記第1のダイオードバンクの前記最大パワーは、前記他のダイオードバンク各々の前記最大パワーより小さいことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記ダイオードバンクの1つのパルス変調動作の期間に、前記レーザダイオードの少なくともいくつかがオフであるとき、それらを加熱することをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記ダイオードバンクのうちの1つのダイオードバンクのレーザダイオードを制限されたパワーの範囲のみで動作させることをさらに含み、前記制限されたパワーの範囲は前記レーザダイオードのうちの1つのレーザダイオードの公称パワーを含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記他のダイオードバンクのレーザダイオードを波長制御モードで動作させることをさらに含み、前記他のダイオードバンクの各レーザダイオードは前記レーザダイオードの公称パワーを含む前記レーザダイオードの制限されたパワーの範囲で動作され、前記制限されたパワーの範囲の外側で前記レーザダイオードを動作させるのと比較して、より狭い発光バンドを生成し、前記より狭い発光バンドは前記制限されたパワーの範囲に対応することを特徴とする請求項26に記載のパワー制御方法。
- 前記他のダイオードバンクのレーザダイオードを高輝度モードで動作させることをさらに含み、前記他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は確実に前記レーザダイオードの公称パワーを含む前記レーザダイオードの制限されたパワーの範囲のみで高輝度出力を生成し、高輝度モードで動作させることは前記制限されたパワーの範囲内のみで動作させることを含むことを特徴とする請求項26に記載のパワー制御方法。
- 前記他のダイオードバンクのレーザダイオードを短パルスモードで動作させることをさらに含み、前記他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は確実に前記レーザダイオードの公称パワーを含む前記レーザダイオードの制限されたパワーの範囲のみで特定のパルスパラメータの範囲内でパルスを発生し、短パルスモードで動作させることは前記制限されたパワーの範囲内のみで動作させることを含むことを特徴とする請求項26に記載のパワー制御方法。
- 前記他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々は前記レーザダイオードの公称パワーを含む前記レーザダイオードの制限されたパワーの範囲のみで高電気光効率で動作し、前記他のダイオードバンクのレーザダイオードの各々を前記制限されたパワーの範囲内のみで動作させることを含むことを特徴とする請求項26に記載のパワー制御方法。
- 前記レーザシステムは、ダイレクトレーザシステムを含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記レーザシステムは、レーザ利得媒体に連結されたダイオード励起レーザシステムを含み、前記方法は前記ダイオード励起レーザシステムで前記レーザ利得媒体を励起することをさらに含み、前記レーザ利得媒体は、ファイバレーザ、ディスクレーザ、スラブレーザ、ロッドレーザ、ダイオード励起の固体レーザ、ラマンレーザ、ブリルアンレーザ、光パラメトリックレーザ、アルカリ蒸気レーザのうちの1つを含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記レーザシステムは、利用可能なパワーと利用不可のパワーとを有し、要求されたパワーの指示を受信することをさらに含み、もし要求されたパワーが前記利用不可のパワーの1つを含めば、(a)前記レーザシステムを前記要求されたパワーと最も近い利用可能なパワーを出力するように動作させる、(b)前記レーザシステムを前記要求されたパワーよりも高い最も小さな利用可能なパワーである利用可能なパワーを出力するように動作させる、(c)前記レーザシステムを前記要求されたパワーよりも低い最も大きな利用可能なパワーである利用可能なパワーを出力するように動作させる、(d)前記レーザシステムをゼロパワーを出力するように動作させる、の1つを実行させることを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 警告メッセージとエラー状態の1つを出力することをさらに含むことを特徴とする請求項33に記載のパワー制御方法。
- 要求されたパワーを出力するために前記ダイオードバンクのパワーを調整すること、及び、前記要求されたパワーが前記ダイオードバンクの調整パワー限界と前記ダイオードバンクの調整パワー範囲外のパワーを含む範囲を超えて変調されていれば、前記パワー調整の期間に、前記ダイオードバンクのオンとオフの事例を低減するために、ヒステリシスを利用することをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 要求されたパワーを出力するために前記ダイオードバンクのパワーを調整することをさらに含み、パワー調整は、前記ダイオードバンクのオン時間のアンバランスを低減するために、前記ダイオードバンクがオン及びオフされる順番を周期的に変更することを含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 要求されたパワーを出力するために前記ダイオードバンクのパワーを調整することをさらに含み、パワー調整は、前記ダイオードバンクの均一な経年劣化を促進するために、前記他のパワーと前記第1のパワーを等しくすることを含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- 前記レーザシステムは、ルックアップテーブルと閉ループフィードバックとのうちの1つを含み、前記ダイオードバンクのパワーを調整するために前記ルックアップテーブルと前記閉ループフィードバックとのうちの1つを利用することをさらに含むことを特徴とする請求項18に記載のパワー制御方法。
- パワーの精度を向上させるために、前記ルックアップテーブルと前記閉ループフィードバックのパラメータとのうちの1つを周期的に更新することをさらに含むことを特徴とする請求項38に記載のパワー制御方法。
- 前記レーザシステムによる出力パワーにおける不連続の事例を低減するために、前記ルックアップテーブルと前記閉ループフィードバックのパラメータとのうちの1つを周期的に更新することをさらに含むことを特徴とする請求項38に記載のパワー制御方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014210491 | 2014-10-15 | ||
PCT/US2015/054713 WO2016060933A1 (en) | 2014-10-15 | 2015-10-08 | Laser system and method of tuning the output power of the laser system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018503966A true JP2018503966A (ja) | 2018-02-08 |
JP2018503966A5 JP2018503966A5 (ja) | 2018-09-13 |
JP6652555B2 JP6652555B2 (ja) | 2020-02-26 |
Family
ID=55746649
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017513110A Active JP6652555B2 (ja) | 2014-10-15 | 2015-10-08 | レーザシステム、及び、レーザシステムの出力パワーを調整する方法 |
JP2016554076A Active JP6374017B2 (ja) | 2014-10-15 | 2015-10-13 | 半導体レーザ発振器 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016554076A Active JP6374017B2 (ja) | 2014-10-15 | 2015-10-13 | 半導体レーザ発振器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10305252B2 (ja) |
EP (2) | EP3207602A4 (ja) |
JP (2) | JP6652555B2 (ja) |
CN (2) | CN107005020B (ja) |
WO (2) | WO2016060933A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018181950A (ja) * | 2017-04-06 | 2018-11-15 | ファナック株式会社 | 複数のレーザモジュールを備えたレーザ装置 |
JP2019145650A (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | ファナック株式会社 | ファイバレーザ発振器用の電源回路 |
JP2021527943A (ja) * | 2018-05-11 | 2021-10-14 | エクセリタス テクノロジーズ コーポレイション | 幾何学的分離を採用する光ポンピングチューナブルvcsel |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10305252B2 (en) | 2014-10-15 | 2019-05-28 | Lumentum Operations Llc | Laser system and method of tuning the output power of the laser system |
KR20170104818A (ko) * | 2016-03-08 | 2017-09-18 | 주식회사 이오테크닉스 | 벨로우즈 용접이 가능한 레이저 용접 장치 |
JP6625914B2 (ja) * | 2016-03-17 | 2019-12-25 | ファナック株式会社 | 機械学習装置、レーザ加工システムおよび機械学習方法 |
CN109475976A (zh) * | 2016-07-14 | 2019-03-15 | 三菱电机株式会社 | 激光加工装置 |
US11027366B2 (en) | 2016-08-26 | 2021-06-08 | Nlight, Inc. | Laser power distribution module |
GB2556197B (en) | 2016-09-30 | 2021-11-24 | Nichia Corp | Light source device |
JP7089148B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2022-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
DE112016007261T5 (de) * | 2016-10-25 | 2019-06-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Laserstrahlmaschine und Berechnungsvorrichtung für eine Laserstrahlmaschine |
CN108075351A (zh) * | 2016-11-11 | 2018-05-25 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 半导体激光器控制*** |
CN106532431A (zh) * | 2016-12-28 | 2017-03-22 | 尚华 | 一种应用于人体内的激光发生光导入装置 |
JP6502993B2 (ja) * | 2017-04-06 | 2019-04-17 | ファナック株式会社 | 複数のレーザモジュールを備えたレーザ装置 |
JP6642546B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2020-02-05 | 日亜化学工業株式会社 | 波長ビーム結合装置 |
DE102017129790A1 (de) * | 2017-12-13 | 2019-06-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer Laservorrichtung und Laservorrichtung |
US10425156B1 (en) | 2018-03-30 | 2019-09-24 | Facebook, Inc. | Dynamically determining optical transceiver expected life |
US10461851B1 (en) * | 2018-03-30 | 2019-10-29 | Facebook, Inc. | Predicting optical transceiver failure |
GB2573303A (en) * | 2018-05-01 | 2019-11-06 | Datalase Ltd | System and method for laser marking |
JP6513306B1 (ja) * | 2018-05-07 | 2019-05-15 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置、レーザ加工機およびレーザ装置の出力制御方法 |
CN112204830A (zh) * | 2018-05-24 | 2021-01-08 | 松下知识产权经营株式会社 | 带角度调节的可替换激光谐振器模块 |
CN110994352A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-04-10 | 无锡锐科光纤激光技术有限责任公司 | 可拓展的分布式激光器 |
CN110854654B (zh) * | 2019-11-18 | 2021-06-15 | 无锡锐科光纤激光技术有限责任公司 | 一种半闭环控制激光器 |
CN111162454B (zh) * | 2020-01-02 | 2021-03-12 | 中国科学院半导体研究所 | 一种宽波段调谐***及调谐方法 |
JP2021118271A (ja) * | 2020-01-27 | 2021-08-10 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レーザ発振器及びレーザ加工方法 |
US11769981B1 (en) * | 2020-03-27 | 2023-09-26 | Government Of The United States As Represented By The Secretary Of The Air Force | Circuit and method for regulating currents to multiple loads |
CN111682399B (zh) * | 2020-06-20 | 2021-07-20 | 深圳市灵明光子科技有限公司 | 激光发射器驱动电路、***及高速光通信装置 |
WO2023191788A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | Intel Corporation | Laser transmitter component, light detection and ranging system, and computer readable medium |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5748654A (en) * | 1996-06-17 | 1998-05-05 | Trw Inc. | Diode array providing either a pulsed or a CW mode of operation of a diode pumped solid state laser |
JP2012227353A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Murata Mach Ltd | レーザ発振器制御装置 |
JP2013197371A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Fujikura Ltd | 駆動回路、光源装置、光増幅器、および、駆動方法 |
WO2014133013A1 (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | コマツ産機株式会社 | ファイバレーザ加工機の出力制御方法及びファイバレーザ加工機 |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4439861A (en) | 1981-08-07 | 1984-03-27 | Mrj, Inc. | Solid state laser with controlled optical pumping |
US5337325A (en) * | 1992-05-04 | 1994-08-09 | Photon Imaging Corp | Semiconductor, light-emitting devices |
DE4301689A1 (de) | 1993-01-22 | 1994-07-28 | Deutsche Forsch Luft Raumfahrt | Leistungsgesteuertes fraktales Lasersystem |
US5729568A (en) | 1993-01-22 | 1998-03-17 | Deutsche Forschungsanstalt Fuer Luft-Und Raumfahrt E.V. | Power-controlled, fractal laser system |
DE19623883A1 (de) * | 1996-06-05 | 1997-12-11 | Siemens Ag | Optische Sendeeinrichtung |
US5715270A (en) * | 1996-09-27 | 1998-02-03 | Mcdonnell Douglas Corporation | High efficiency, high power direct diode laser systems and methods therefor |
US6094447A (en) * | 1998-06-12 | 2000-07-25 | Lockheed Martin Corporation | System and method for reducing wavefront distortion in high-gain diode-pumped laser media |
SE518827C2 (sv) * | 1999-02-17 | 2002-11-26 | Altitun Ab | Metod för karakterisering av en avstämbar laser |
US6799242B1 (en) * | 1999-03-05 | 2004-09-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Optical disc player with sleep mode |
EP1139527A3 (en) | 2000-03-27 | 2003-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High power semiconductor laser array apparatus |
JP2001284732A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多波長レーザ発光装置、当該装置に用いられる半導体レーザアレイ素子及び当該半導体レーザアレイ素子の製造方法 |
EP1146617A3 (en) | 2000-03-31 | 2003-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High-powered semiconductor laser array apparatus |
EP1143584A3 (en) | 2000-03-31 | 2003-04-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser array |
US6518563B1 (en) * | 2000-06-22 | 2003-02-11 | Agere Systems Inc. | Detecting aging of optical components |
ATE533212T1 (de) * | 2000-08-09 | 2011-11-15 | Santur Corp | Verstimmbarer laserdiode mit verteilter rückkopplung |
JP4150907B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2008-09-17 | トヨタ自動車株式会社 | レーザ加工装置およびその加工方法 |
JP2002335042A (ja) | 2001-05-11 | 2002-11-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 外部共振器付きレーザダイオードモジュールの波長ロックの光出力範囲を広くする方法、および該方法を実施するためのレーザダイオードモジュール |
DE60224234T2 (de) * | 2001-10-09 | 2008-05-08 | Infinera Corp., Sunnyvale | Digitale optische Netzwerkarchitektur |
DE10345220B4 (de) * | 2003-09-29 | 2012-02-16 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Übertragung von Daten |
CN100541946C (zh) * | 2004-02-21 | 2009-09-16 | 菲尼萨公司 | 用于粗波分复用***的温度控制 |
US7369587B2 (en) | 2004-02-21 | 2008-05-06 | Finisar Corp | Temperature control for coarse wavelength division multiplexing systems |
US7508853B2 (en) * | 2004-12-07 | 2009-03-24 | Imra, America, Inc. | Yb: and Nd: mode-locked oscillators and fiber systems incorporated in solid-state short pulse laser systems |
US7233442B1 (en) * | 2005-01-26 | 2007-06-19 | Aculight Corporation | Method and apparatus for spectral-beam combining of high-power fiber lasers |
US20070022939A1 (en) | 2005-07-27 | 2007-02-01 | Robert Stokes | Wet floor warning device |
JP2007288139A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-11-01 | Sumitomo Chemical Co Ltd | モノシリック発光デバイス及びその駆動方法 |
US7515346B2 (en) | 2006-07-18 | 2009-04-07 | Coherent, Inc. | High power and high brightness diode-laser array for material processing applications |
US20100103088A1 (en) | 2007-01-29 | 2010-04-29 | Toshifumi Yokoyama | Solid-state laser apparatus, display apparatus and wavelength converting element |
WO2009001283A2 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Optical sensor module and its manufacture |
GB0713265D0 (en) * | 2007-07-09 | 2007-08-15 | Spi Lasers Uk Ltd | Apparatus and method for laser processing a material |
CN201113219Y (zh) * | 2007-10-25 | 2008-09-10 | 常州凯森光电有限公司 | 激光模组结构 |
WO2010079635A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | シャープ株式会社 | 発光ダイオード駆動回路およびそれを備えた面状照明装置 |
JP5187441B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2013-04-24 | 株式会社村田製作所 | Mems素子およびその製造方法 |
JP5349129B2 (ja) | 2009-05-07 | 2013-11-20 | 住友重機械工業株式会社 | レーザ照射装置 |
US20110305256A1 (en) * | 2010-03-05 | 2011-12-15 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining based laser pumps |
US8488245B1 (en) | 2011-03-07 | 2013-07-16 | TeraDiode, Inc. | Kilowatt-class diode laser system |
WO2011109760A2 (en) * | 2010-03-05 | 2011-09-09 | TeraDiode, Inc. | Wavelength beam combining system and method |
US8437086B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-05-07 | Jds Uniphase Corporation | Beam combining light source |
US8427749B2 (en) | 2010-06-30 | 2013-04-23 | Jds Uniphase Corporation | Beam combining light source |
US20120026320A1 (en) * | 2010-07-28 | 2012-02-02 | Bryceland Samuel S | Aircraft traffic logging and acquisition system |
EP3490343B1 (en) * | 2010-10-08 | 2021-03-10 | Lantiq Beteiligungs-GmbH & Co.KG | Laser diode control device |
US20120165800A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | Scott Keeney | Single-emitter diode based light homogenizing apparatus and a hair removal device employing the same |
JP5068863B2 (ja) | 2011-02-17 | 2012-11-07 | ファナック株式会社 | 精確にレーザ出力を補正できる高出力レーザ装置 |
US9072533B2 (en) | 2011-03-30 | 2015-07-07 | Tria Beauty, Inc. | Dermatological treatment device with one or more multi-emitter laser diode |
US9229156B2 (en) * | 2011-07-07 | 2016-01-05 | Reald Inc. | Laser systems and methods |
JP2013222799A (ja) * | 2012-04-16 | 2013-10-28 | Sumitomo Electric Device Innovations Inc | 半導体レーザの制御方法及び光トランシーバの製造方法 |
JP2013233556A (ja) | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Product Support:Kk | レーザー加工装置 |
US9679077B2 (en) * | 2012-06-29 | 2017-06-13 | Mmodal Ip Llc | Automated clinical evidence sheet workflow |
US10405893B2 (en) | 2012-07-12 | 2019-09-10 | DePuy Synthes Products, Inc. | Device, kit and method for correction of spinal deformity |
US8710470B2 (en) * | 2012-07-12 | 2014-04-29 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Wavelength and power scalable waveguiding-based infrared laser system |
TWM443878U (en) * | 2012-07-23 | 2012-12-21 | Richtek Technology Corp | Multi-phase switching regulator and droop circuit therefor |
JP5513571B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2014-06-04 | ファナック株式会社 | 放電開始を判定する機能を有するガスレーザ発振器 |
JP6211259B2 (ja) * | 2012-11-02 | 2017-10-11 | 株式会社アマダミヤチ | レーザ電源装置 |
JP2014104479A (ja) | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Amada Co Ltd | ファイバーレーザ加工機及び断線検出方法 |
US9478931B2 (en) * | 2013-02-04 | 2016-10-25 | Nlight Photonics Corporation | Method for actively controlling the optical output of a seed laser |
JP2014164577A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 駆動回路 |
US9550347B2 (en) * | 2013-07-31 | 2017-01-24 | Bell Helicopter Textron Inc. | Method of configuring composite core in a core stiffened structure and a structure incorporating the same |
US10305252B2 (en) | 2014-10-15 | 2019-05-28 | Lumentum Operations Llc | Laser system and method of tuning the output power of the laser system |
-
2015
- 2015-10-08 US US15/510,870 patent/US10305252B2/en active Active
- 2015-10-08 EP EP15851214.5A patent/EP3207602A4/en active Pending
- 2015-10-08 CN CN201580049006.0A patent/CN107005020B/zh active Active
- 2015-10-08 JP JP2017513110A patent/JP6652555B2/ja active Active
- 2015-10-08 WO PCT/US2015/054713 patent/WO2016060933A1/en active Application Filing
- 2015-10-13 CN CN201580046559.0A patent/CN107078461B/zh active Active
- 2015-10-13 US US15/504,820 patent/US9917416B2/en active Active
- 2015-10-13 WO PCT/JP2015/078877 patent/WO2016060103A1/ja active Application Filing
- 2015-10-13 JP JP2016554076A patent/JP6374017B2/ja active Active
- 2015-10-13 EP EP15851517.1A patent/EP3208898A4/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5748654A (en) * | 1996-06-17 | 1998-05-05 | Trw Inc. | Diode array providing either a pulsed or a CW mode of operation of a diode pumped solid state laser |
JP2012227353A (ja) * | 2011-04-20 | 2012-11-15 | Murata Mach Ltd | レーザ発振器制御装置 |
JP2013197371A (ja) * | 2012-03-21 | 2013-09-30 | Fujikura Ltd | 駆動回路、光源装置、光増幅器、および、駆動方法 |
WO2014133013A1 (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | コマツ産機株式会社 | ファイバレーザ加工機の出力制御方法及びファイバレーザ加工機 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018181950A (ja) * | 2017-04-06 | 2018-11-15 | ファナック株式会社 | 複数のレーザモジュールを備えたレーザ装置 |
JP2019145650A (ja) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | ファナック株式会社 | ファイバレーザ発振器用の電源回路 |
US10992220B2 (en) | 2018-02-20 | 2021-04-27 | Fanuc Corporation | Power supply circuit for fiber laser oscillator use |
JP2021527943A (ja) * | 2018-05-11 | 2021-10-14 | エクセリタス テクノロジーズ コーポレイション | 幾何学的分離を採用する光ポンピングチューナブルvcsel |
US11749962B2 (en) | 2018-05-11 | 2023-09-05 | Excelitas Technologies Corp. | Optically pumped tunable VCSEL employing geometric isolation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107078461A (zh) | 2017-08-18 |
CN107005020B (zh) | 2021-07-20 |
CN107078461B (zh) | 2019-06-14 |
JP6374017B2 (ja) | 2018-08-15 |
EP3207602A4 (en) | 2018-06-20 |
EP3208898A4 (en) | 2018-06-20 |
US9917416B2 (en) | 2018-03-13 |
EP3208898A1 (en) | 2017-08-23 |
US10305252B2 (en) | 2019-05-28 |
WO2016060933A1 (en) | 2016-04-21 |
EP3207602A1 (en) | 2017-08-23 |
JP6652555B2 (ja) | 2020-02-26 |
US20170279246A1 (en) | 2017-09-28 |
US20170279245A1 (en) | 2017-09-28 |
WO2016060103A1 (ja) | 2016-04-21 |
JPWO2016060103A1 (ja) | 2017-07-20 |
CN107005020A (zh) | 2017-08-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6652555B2 (ja) | レーザシステム、及び、レーザシステムの出力パワーを調整する方法 | |
JP6734844B2 (ja) | ダイオードレーザー | |
US5982789A (en) | Pulsed laser with passive stabilization | |
JP4943255B2 (ja) | 半導体レーザの制御方法 | |
US7606273B2 (en) | Wavelength and intensity stabilized laser diode and application of same to pumping solid-state lasers | |
EP2332222B1 (en) | Laser system having swithchable power modes | |
Heinemann et al. | Compact high brightness diode laser emitting 500W from a 100μm fiber | |
US8964800B2 (en) | Microcrystal laser for generating laser pulses | |
WO2001028050A1 (en) | A method of stabilizing thermal-lensing in a continuously-pumped pulsed solid-state laser | |
JPWO2018105733A1 (ja) | パルスレーザ装置、加工装置及びパルスレーザ装置の制御方法 | |
US9444221B2 (en) | Laser apparatus and method to re-tune emission wavelength tunable LD | |
JP4439487B2 (ja) | パルスレーザ装置及びパルスレーザビーム生成方法 | |
US20220200227A1 (en) | A simple laser with an improved pump system for generating laser pulses on demand | |
JP2008085103A (ja) | 波長制御方法及び波長可変レーザ | |
EP0904615B1 (en) | Pulsed laser with passive stabilization | |
JP7462220B2 (ja) | レーザ発振器 | |
JP7422355B2 (ja) | レーザ発振器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180731 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180731 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190604 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190725 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200123 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6652555 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |