JP2018503259A5 - - Google Patents

Claims (14)

1. 流動性化学気相蒸着膜を形成する方法であって、
   処理チャンバ内で、１００°Ｃ以下の温度と、０．５Ｔｏｒｒと１０Ｔｏｒｒの間の圧力で、ケイ素含有前駆体と、窒素含有前駆体と、酸素含有前駆体とを反応させることによって基板上に誘電体膜を形成すること、
   イオン注入処理において、前記誘電体膜を酸素イオンに曝露することによって前記基板からＮＨ _ｘ 物質をガス放出すること、
   前記誘電体膜を硬化するため、前記誘電体膜を酸素ラジカルに曝露すること、及び
   ５００°Ｃ未満の温度で前記誘電体膜を水蒸気に曝露することによって、前記誘電体膜をアニールすること
   を逐次的に含む、方法。
2. 前記イオン注入処理は、前記処理チャンバ内でインシトゥで実施される、請求項１に記載の方法。
3. 前記イオン注入処理は５００°Ｃ未満の温度で実施される、請求項２に記載の方法。
4. 前記酸素ラジカルは、オゾン前駆体を励起させることによって形成される、請求項１に記載の方法。
5. 流動性化学気相蒸着膜を形成する方法であって、
   処理チャンバ内で、１００°Ｃ以下の温度と、０．５Ｔｏｒｒと１０Ｔｏｒｒの間の圧力で、ケイ素含有前駆体と、窒素含有前駆体と、酸素含有前駆体とを反応させることによって基板上に誘電体膜を形成すること、
   前記誘電体膜を硬化するため、前記誘電体膜を酸素ラジカルに曝露すること、
   イオン注入処理において、前記誘電体膜を１つ以上の酸素イオンに曝露することによって前記基板からＮＨ _ｘ 物質をガス放出すること、及び
   ５００°Ｃ未満の温度で前記誘電体膜を水蒸気に曝露することによって、前記誘電体膜をアニールすること
   を逐次的に含む、方法。
6. 前記イオン注入処理は、前記処理チャンバ内でインシトゥで実施される、請求項５に記載の方法。
7. 前記イオン注入処理は５００°Ｃ未満の温度で実施される、請求項６に記載の方法。
8. 前記イオン注入処理は、前記処理チャンバから分離されたイオン注入チャンバ内でエクスシトゥで実施される、請求項５に記載の方法。
9. 前記基板は、前記処理チャンバから前記イオン注入チャンバまで、真空を途切れさせることなく移送される、請求項８に記載の方法。
10. 前記イオン注入処理は５００°Ｃ未満の温度で実施される、請求項９に記載の方法。
11. 流動性化学気相蒸着膜を形成する方法であって、
    処理チャンバ内で、１００°Ｃ以下の温度と、０．５Ｔｏｒｒと１０Ｔｏｒｒの間の圧力で、ケイ素含有前駆体と、窒素含有前駆体と、酸素含有前駆体とを反応させることによって基板上に誘電体膜を形成すること、
    前記誘電体膜を硬化するため、前記誘電体膜を酸素ラジカルに曝露すること、
    ５００°Ｃ未満の温度で前記誘電体膜を水蒸気に曝露することによって、前記誘電体膜をアニールすること、及び
    イオン注入処理において、前記誘電体膜を酸素イオンに曝露することによって前記基板からＮＨ _ｘ 物質をガス放出すること
    を逐次的に含む、方法。
12. 前記イオン注入処理は、前記処理チャンバから分離されたイオン注入チャンバ内でエクスシトゥで実施される、請求項１１に記載の方法。
13. 前記基板は、前記処理チャンバから前記イオン注入チャンバまで、真空を途切れさせることなく移送される、請求項１２に記載の方法。
14. 前記イオン注入処理は５００°Ｃ未満の温度で実施される、請求項１３に記載の方法。