JP2018501642A5 - - Google Patents
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Claims (20)
- ナノワイヤ成長システムであって、
第1の固体壁を有する反応チャンバと、
前記反応チャンバ内に第1の流れを配送するように構成された第1の入力部と、
前記反応チャンバ内に第2の流れを配送するように構成された第2の入力部と、
を含み、
前記第1の入力部は前記第2の入力部と同心に配置され、前記第1の入力部及び前記第2の入力部は、前記第2の入力部から配送された前記第2の流れは前記第1の入力部から配送された前記第1の流れと前記反応チャンバの前記第1の固体壁の全体との間にシースを提供するように構成され、前記第2の流れは前記反応チャンバの全体に沿って前記第1の流れと接触し、
前記ナノワイヤ成長システムは、ナノ粒子エアロゾル生成器を更に含み、前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、
前記第1の入力部及び前記第2の入力部の少なくとも一方の上流に配置された、第2の固体壁を有する蒸発チャンバと、
前記蒸発チャンバ内に配置された原料を収容する坩堝容器と、
熱加熱、電気アーク加熱又は誘導加熱により前記原料を加熱し蒸発させるように構成された、熱、電気アーク又は誘導の加熱装置と、
前記蒸発チャンバ内の前記原料に向けてキャリアガスを吹き付けて、前記原料のナノ粒子が懸濁したナノ粒子エアロゾルを生成するように構成されたキャリアガス源と、
前記蒸発チャンバ内に希釈ガスを供給して、実質的に前記蒸発チャンバ内の前記第2の固体壁に沿って流し、前記ナノ粒子エアロゾルを希釈するように構成された希釈ガス源と、
を含むことを特徴とするナノワイヤ成長システム。 - 前記第2の入力部は、多孔質フリットを更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記第1の入力部及び前記第2の入力部に対して前記反応チャンバの反対側の壁に配置された第1の出力部及び第2の出力部を更に含み、
前記第1の出力部は前記第2の出力部と同心に配置される
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記第1の入力部及び前記第2の入力部を加熱するように構成された1以上のヒータを更に含む
ことを特徴とする請求項3に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記反応チャンバを加熱するように構成された1以上のヒータを更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記第1の入力部及び前記第2の入力部と第1の出力部及び第2の出力部は、それぞれの入力部及び出力部に接続されたそれぞれの入力導管及び出力導管を含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記第2の固体壁の外側に配置され、前記蒸発チャンバ内の冷却ゾーン内の温度を低下させるように構成された冷却装置を更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記蒸発チャンバの出力部に隣接して配置され、前記ナノ粒子のサイズ選択を実行するように構成された微分型移動度分析装置を更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記微分型移動度分析装置の下流に配置され、前記ナノ粒子の密度を測定するように構成された粒子計数装置を更に含む
ことを特徴とする請求項8に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記希釈ガス源を制御することによって、前記原料の上部表面の上の前記坩堝容器に隣接する前記蒸発チャンバ内に前記希釈ガス源を導入し、前記ナノ粒子が形成後すぐに希釈され、希釈されたナノ粒子エアロゾル中に懸濁した前記ナノ粒子の凝固速度の低下による凝固および粒子サイズ分布を減少させるように前記ナノ粒子エアロゾルが希釈されるように、前記ナノ粒子の凝固を制御するように構成されたコントローラを更に含む
ことを特徴とする請求項9に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記コントローラは、実質的に前記蒸発チャンバ内の前記第2の固体壁に沿って前記希釈ガスを流し、前記キャリアガスの流れと前記ナノ粒子とによって形成された前記ナノ粒子エアロゾルから前記第2の固体壁を分離する希釈ガス流シールドを形成し、それにより前記第2の固体壁に前記ナノ粒子が堆積するのを防止するように更に構成される
ことを特徴とする請求項10に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記微分型移動度分析装置及び前記粒子計数装置の少なくとも1つから受信した情報に基づいて、前記加熱装置と前記キャリアガス源と前記希釈ガス源の少なくとも1つを制御するように構成されたコントローラを更に含む
ことを特徴とする請求項9に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記蒸発チャンバ内の温度勾配を測定するように構成された熱電対を更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記蒸発チャンバ内の温度と前記キャリアガス源と前記希釈ガス源との少なくとも1つを制御することによって、前記ナノ粒子エアロゾルの密度を制御するように構成されたコントローラを更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記第2の固体壁の外側に配置された希釈ガス入力導管を更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、前記第2の固体壁と前記坩堝容器との間の空間に配置された希釈ガス入力導管を更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記ナノ粒子エアロゾル生成器は、少なくとも部分的に前記坩堝容器内に配置された希釈ガス入力導管を更に含む
ことを特徴とする請求項1に記載のナノワイヤ成長システム。 - ナノワイヤ成長システムであって、
蒸発チャンバ内に配置され、該蒸発チャンバ内に配置された原料に向けて吹き付けられるキャリアガスを用いてナノ粒子エアロゾルを生成する手段であって、前記ナノ粒子エアロゾルは前記原料のナノ粒子を含む、前記生成する手段と、
希釈ガスを用いてナノ粒子エアロゾルを希釈する手段であって、前記希釈ガスは前記原料の上部表面に隣接しかつ上の前記蒸発チャンバ内に提供され、前記ナノ粒子が形成後すぐに希釈され、希釈されたナノ粒子エアロゾル中に懸濁した前記ナノ粒子の凝固速度の低下による凝固および粒子サイズ分布を減少させるように前記ナノ粒子エアロゾルが希釈され、前記希釈ガスは実質的に前記蒸発チャンバの第1の固体壁の内面に沿って流れる、前記希釈する手段と、
第1のガス流を反応チャンバに提供する手段であって、前記第1のガス流は前記ナノ粒子とナノワイヤを製造するための第1の前駆体とを含む、前記提供する手段と、
第2のガス流を前記反応チャンバに提供する手段であって、前記第2のガス流は前記第1のガス流を前記反応チャンバの第2の固体壁の全体から分離するシースを形成し、前記第2のガス流は前記反応チャンバの全体に沿って前記第1のガス流と接触する、前記提供する手段と、
前記反応チャンバ内で、気相中で前記ナノワイヤを成長させる手段と、
とを含むことを特徴とするナノワイヤ成長システム。 - ナノワイヤ成長触媒粒子を前記反応チャンバに提供するための手段を更に含む
ことを特徴とする請求項18に記載のナノワイヤ成長システム。 - 前記反応チャンバを加熱するための手段を更に含み、実質的に前記蒸発チャンバの前記第1の固体壁の内面に沿って流れる前記希釈ガスは、前記キャリアガスの流れと前記ナノ粒子とによって形成された前記ナノ粒子エアロゾルから前記第1の固体壁を分離する希釈ガス流シールドを形成し、それにより前記第1の固体壁に前記ナノ粒子が堆積するのを防止する
ことを特徴とする請求項18に記載のナノワイヤ成長システム。
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WO2022040389A1 (en) * | 2020-08-19 | 2022-02-24 | The Regents Of The University Of California | Chemical reaction and conversion in thermally heterogeneous and non-steady-state chemical reactors |
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US3562009A (en) * | 1967-02-14 | 1971-02-09 | Western Electric Co | Method of providing electrically conductive substrate through-holes |
US4022928A (en) * | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
US4548798A (en) * | 1984-04-16 | 1985-10-22 | Exxon Research And Engineering Co. | Laser synthesis of refractory oxide powders |
US5395180A (en) * | 1993-12-14 | 1995-03-07 | Advanced Ceramics Corporation | Boron nitride vaporization vessel |
US5472749A (en) | 1994-10-27 | 1995-12-05 | Northwestern University | Graphite encapsulated nanophase particles produced by a tungsten arc method |
US5776254A (en) * | 1994-12-28 | 1998-07-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Apparatus for forming thin film by chemical vapor deposition |
JPH09184080A (ja) * | 1995-12-27 | 1997-07-15 | Vacuum Metallurgical Co Ltd | 超微粒子による薄膜形成方法、およびその薄膜形成装置 |
US5958348A (en) * | 1997-02-28 | 1999-09-28 | Nanogram Corporation | Efficient production of particles by chemical reaction |
US6054041A (en) | 1998-05-06 | 2000-04-25 | Exxon Research And Engineering Co. | Three stage cocurrent liquid and vapor hydroprocessing |
KR100649852B1 (ko) * | 1999-09-09 | 2006-11-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 기화기 및 이것을 이용한 반도체 제조 시스템 |
FR2800754B1 (fr) * | 1999-11-08 | 2003-05-09 | Joint Industrial Processors For Electronics | Dispositif evaporateur d'une installation de depot chimique en phase vapeur |
JP4310880B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2009-08-12 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法及び製造装置 |
US7301199B2 (en) | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
DE10048759A1 (de) | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Aixtron Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD |
US7335908B2 (en) | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
US7534488B2 (en) | 2003-09-10 | 2009-05-19 | The Regents Of The University Of California | Graded core/shell semiconductor nanorods and nanorod barcodes |
CA2509516A1 (en) * | 2002-12-17 | 2004-07-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method of producing nanoparticles using a evaporation-condensation process with a reaction chamber plasma reactor system |
US7115230B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-10-03 | Intel Corporation | Hydrodynamic focusing devices |
US20100244262A1 (en) * | 2003-06-30 | 2010-09-30 | Fujitsu Limited | Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same |
JP3810394B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2006-08-16 | 日機装株式会社 | 内部加熱体装備反応管装置 |
US7052546B1 (en) * | 2003-08-28 | 2006-05-30 | Cape Simulations, Inc. | High-purity crystal growth |
US7611579B2 (en) | 2004-01-15 | 2009-11-03 | Nanocomp Technologies, Inc. | Systems and methods for synthesis of extended length nanostructures |
FI121334B (fi) | 2004-03-09 | 2010-10-15 | Canatu Oy | Menetelmä ja laitteisto hiilinanoputkien valmistamiseksi |
WO2006033367A1 (ja) * | 2004-09-24 | 2006-03-30 | Japan Science And Technology Agency | カーボンナノ構造物の製造方法及び製造装置 |
US7638002B2 (en) * | 2004-11-29 | 2009-12-29 | Tokyo Electron Limited | Multi-tray film precursor evaporation system and thin film deposition system incorporating same |
US20060233968A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Tihiro Ohkawa | System and method for vaporizing a metal |
US7901654B2 (en) * | 2005-05-05 | 2011-03-08 | Honda Motor Co., Ltd. | Synthesis of small diameter single-walled carbon nanotubes |
JP4682202B2 (ja) | 2005-07-15 | 2011-05-11 | パナソニック株式会社 | 高圧放電ランプの点灯方法、点灯装置、光源装置及び投射型画像表示装置 |
JP4689404B2 (ja) | 2005-08-15 | 2011-05-25 | キヤノン株式会社 | 基板処理装置及びこれを用いた基板の処理方法、電子源基板の処理装置及びこれを用いた電子源基板の処理方法 |
JP5273495B2 (ja) * | 2005-12-13 | 2013-08-28 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | クラスター成膜装置及び成膜方法、並びにクラスター生成装置及び生成方法 |
KR20080102268A (ko) | 2006-03-03 | 2008-11-24 | 바텔리 메모리얼 인스티튜트 | 고농도 나노입자를 생성하기 위한 방법 및 장치 |
US20070218200A1 (en) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Kenji Suzuki | Method and apparatus for reducing particle formation in a vapor distribution system |
GB2436398B (en) * | 2006-03-23 | 2011-08-24 | Univ Bath | Growth method using nanostructure compliant layers and HVPE for producing high quality compound semiconductor materials |
US8268281B2 (en) | 2006-05-12 | 2012-09-18 | Honda Motor Co., Ltd. | Dry powder injector for industrial production of carbon single walled nanotubes (SWNTs) |
US7967891B2 (en) | 2006-06-01 | 2011-06-28 | Inco Limited | Method producing metal nanopowders by decompositon of metal carbonyl using an induction plasma torch |
US20080000497A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Applied Materials, Inc. | Removal of organic-containing layers from large surface areas |
US8231369B2 (en) * | 2006-10-24 | 2012-07-31 | Beneq Oy | Device and method for producing nanoparticles |
KR100856873B1 (ko) | 2007-01-05 | 2008-09-04 | 연세대학교 산학협력단 | 무전해도금용 촉매활성 방법 |
KR100860590B1 (ko) | 2007-01-15 | 2008-09-26 | 연세대학교 산학협력단 | 금속 에어로졸 나노입자를 생성하여 고정하는 방법 |
US8246933B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-08-21 | Stc.Unm | Aerosol method for nano silver-silica composite anti-microbial agent |
GB0808385D0 (en) * | 2008-05-08 | 2008-06-18 | Naneum Ltd | A condensation apparatus |
TWI376269B (en) | 2009-06-30 | 2012-11-11 | Yao Chuan Lee | Nano-aerosol generator with controllable size |
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EP2569466A4 (en) * | 2010-05-11 | 2013-12-18 | Qunano Ab | GAS PHASE SYNTHESIS OF WIRES |
EP2809837A4 (en) * | 2012-02-03 | 2015-11-11 | Qunano Ab | GAS CONTINUOUS AND HIGH SPEED PHASE SYNTHESIS OF NANOWILES WITH ADJUSTABLE PROPERTIES |
CN104380469B (zh) | 2012-04-12 | 2018-06-22 | 索尔伏打电流公司 | 纳米线官能化、分散和附着方法 |
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CN104379247A (zh) * | 2012-06-05 | 2015-02-25 | 道康宁公司 | 纳米粒子的流体捕集 |
US8940562B1 (en) * | 2014-06-02 | 2015-01-27 | Atom Nanoelectronics, Inc | Fully-printed carbon nanotube thin film transistor backplanes for active matrix organic light emitting devices and liquid crystal displays |
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