JP2018206161A - 記憶装置および記憶装置のデータ管理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】不揮発的に記憶されたデータの消去を複数ページからなるブロックを単位として行ない、データの書き込みと読み出しとをページを単位として実行可能なフラッシュメモリを備えた記憶装置において、変換テーブルの再構築を行なう。その際、フラッシュメモリの各ブロックから、最新の新旧情報NBmxを読み出し、各ブロックの最新の新旧情報の古い順に従って、ブロックに含まれる各ページに記録された論理アドレスを読み出し、論理アドレスに対応する物理アドレスを、論理アドレスに従って配列することで、変換テーブルを再構築する。
【選択図】図6
Description
コンピュータなどのホストデバイス20に接続され、ホストデバイス20から見て外部記憶装置の1つとして扱われる記憶装置30の概略構成を、図1に示した。この記憶装置30は、いわゆるソリッドステートデバイス(以下、SSD)であり、ホストデバイス20からは、ハードディスクなどと同様に、ファイルシステムを用いて、データを保存することができる。
[1]ガベージコレクションの対象となるブロック(これを、イレーズブロックと呼ぶ)から有効なデータだけをスペアブロックにコピーする。
[2]イレーズブロックを、ブロック単位で消去する。
[3]元のスペアブロックの物理アドレスを、イレーズブロックに記録されていたデータの物理アドレスとして変換テーブルCTに登録する。
[4]元のイレーズブロックを新たなスペアブロックとする。
という一連の手続により行なわれる。上記の[1]ないし[4]処理を、使用不可として登録されているページが存在するすべてのブロックについて繰り返し、使用不可のページを解放する。なお、使用できないページはブロックに存在する512のページの種々の位置に生じるので、スペアブロックにコピーする際には、先頭のページから順に詰めていく。この結果、データが記録されているページ番号は変更されるので、ガベージコレクションの際には、変換テーブルCT内のページ番号も書き直している。
次に第2実施形態について説明する。第2実施形態の記憶装置30は、第1実施形態の記憶装置30と同一のハードウェア構成を備え、変換テーブルの形式と、変換テーブルを構築する処理が異なる。第2実施形態の記憶装置30では、図3に例示したファイル書き込み処理ルーチンの末尾のステップS87の処理が異なり、かつその後にステップS99の処理を行なう。この部分の処理を図8に示した。
(A)着目ブロック内の着目ページから読み出した論理アドレスLDAが、変換テーブルCTに格納されていなければ、読み出した論理アドレスとその物理アドレスとを対応付けて、変換テーブルCTに格納する。
(B)変換テーブルCTに格納されていた新旧情報NTmが着目ブロック内の着目ページから読み出した新旧情報NBmより小さければ、変換テーブルCT内の新旧情報は古く、フラッシュメモリ60の着目ブロックの着目ページに記録されている新旧情報の方が正しいとして、変換テーブルCTの物理アドレス(ブロック番号およびページ番号)を、その新旧情報NBmが記録されていたフラッシュメモリ60の実際の物理アドレス(ブロック番号およびページ番号)によって書き直し、かつ新旧情報NBmによって新旧情報NTmを置き換える。
上記第1,第2実施形態では、いずれも変換テーブルCTの再構築を行なうとき、図6のステップs310−e310の繰り返しや、図13のステップs710−e710の繰り返しのように、各ブロック内の各ページの内容を読み取っている。そこで、各ブロックの最終ページの1つの前のページまで書き込みが行なわれたとき、そこまでの全ページ(ここでは、Page1-Page511)の冗長部分に記載されたデータを、最終ページ(ここでは、Page512 )にまとめて書き込むものとしても良い。この様子を図14に示した。こうしておけば、全ページのデータを読み出して処理する上記繰り返しを、着目するブロックの情報を最終ページから一括して読み出す、という処理で置き換えることができる。なお、最終ページに記録する情報は、冗長部分に記録された論理アドレスと新旧情報のすべてでも良いし、これを圧縮したダイジェストデータであってもよい。ダイジェストデータとしては、例えば論理アドレスや新旧情報が連番であれば、初期値と差分値の形で記録したものであっても良い。
30…記憶装置
31…管理部
32…データ書込部
33…新旧情報書込部
35…再構築部
40…コントローラ
41…CPU
43…SI/O
45…RAMI/F
46…フラッシュI/F
50…RAM
60…フラッシュメモリ
Claims (11)
- ホストデバイスから論理アドレスを用いてアクセスされる記憶装置であって、
不揮発的に記憶されたデータの消去を複数ページからなるブロックを単位として行ない、データの書き込みと読み出しとを前記ページを単位として実行可能なフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに前記ページを単位として書き込まれるデータの論理アドレスと、前記ブロックと前記ページとにより管理される物理アドレスであって、前記データが書き込まれる物理アドレスとを、変換テーブルによってアドレス変換可能に管理する管理部と、
前記データを前記フラッシュメモリの所定の物理アドレスに書き込む際に、当該物理アドレスに対応する論理アドレスとして前記変換テーブルに記憶される論理アドレスおよび当該書き込みの新旧を表わす新旧情報を、前記ページを単位として、前記データと共に前記物理アドレスに書き込むデータ書込部と、
前記データの書込用として前記ブロックに用意された複数の前記ページへの書き込みを完了する際、前記ブロックの所定のページに、少なくとも前記ブロックに書き込まれた前記新旧情報のうちの最新の新旧情報を書き込む新旧情報書込部と、
前記変換テーブルの再構築を行なうものとして予め定めた再構築タイミングにおいて、前記フラッシュメモリの前記各ブロックから、前記最新の新旧情報を読み出し、前記各ブロックの前記最新の新旧情報の古い順に従って、前記ブロックに含まれる前記各ページに記録された前記論理アドレスを読み出し、当該論理アドレスに対応する前記物理アドレスを、前記論理アドレスに従って配列することで、前記変換テーブルを再構築する再構築部と
を備える記憶装置。 - 前記再構築部は、前記新旧情報書込部による書込がなされていない前記ブロックについては、当該ブロックに含まれる前記ページに書き込まれた前記新旧情報を読み出し、前記読み出した新旧情報のうちの最新の新旧情報を、当該ブロックについての最新の新旧情報として扱う請求項1記載の記憶装置。
- 請求項1または請求項2記載の記憶装置であって、
前記管理部は、当該記憶装置の使用を終了するタイミングを含むタイミングで、前記変換テーブルを前記フラッシュメモリの所定の領域に記録する変換テーブル記録部を備え、
前記再構築部は、前記フラッシュメモリの前記所定の領域に記録された前記変換テーブルが正常であると判断できないとき、前記再構築タイミングであると判断して、前記変換テーブルの再構築を行なう
記憶装置。 - ホストデバイスから論理アドレスを用いてアクセスされる記憶装置であって、
不揮発的に記憶されたデータの消去を複数ページからなるブロックを単位として行ない、データの書き込みと読み出しとを前記ページを単位として実行可能なフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに前記ページを単位として書き込まれるデータの論理アドレスと、前記ブロックと前記ページとにより管理される物理アドレスであって、前記データが書き込まれる物理アドレスと、当該データの書き込みの新旧を表わす新旧情報とを、変換テーブルによって管理する管理部と、
前記データを前記フラッシュメモリの所定の物理アドレスに書き込む際に、当該物理アドレスに対応する論理アドレスとして前記変換テーブルに記憶される論理アドレスおよび前記変換テーブルに記憶される前記新旧情報を、前記データと共に前記物理アドレスに書き込むデータ書込部と、
当該記憶装置の使用を終了する際に、前記変換テーブルを前記フラッシュメモリの所定の領域に記録する変換テーブル記録部と、
前記フラッシュメモリの前記所定の領域に記録された前記変換テーブルが正常であると判断できないとき、前記フラッシュメモリの前記ページ単位または前記ブロック単位で記録された前記論理アドレス毎の前記新旧情報と前記フラッシュメモリに記録された前記変換テーブルの前記論理アドレス毎の前記新旧情報とを比較して、前記変換テーブルを再構築する再構築部と
を備える記憶装置。 - 少なくとも当該記憶装置の使用開始時に、前記フラッシュメモリに記録された前記変換テーブルの前記新旧情報のうちの最も新しい新旧情報と、前記フラッシュメモリの各ページまたは各ブロックに記録された前記新旧情報のうち最も新しい新旧情報とを比較し、両新旧情報が不一致の場合には、前記変換テーブルが正常であると判断できないと判断する
請求項4に記載された記憶装置。 - 前記変換テーブル記録部は、前記変換テーブルの前記フラッシュメモリの所定の領域への記録を、前記記憶装置の使用の終了の際に加えて、前記記憶装置の使用中の所定のタイミングで行なう請求項3から請求項5のいずれか一項に記載の記憶装置。
- 請求項3から請求項6のいずれか一項に記載の記憶装置であって、
前記変換テーブル記録部は、前記変換テーブルを前記フラッシュメモリの所定の領域に記録する際、前記変換テーブルに記憶されたすべての新旧情報のうち、最も新しい新旧情報を代表新旧情報として、所定の領域に記録し、
前記再構築部は、前記新旧情報の比較の際に、前記フラッシュメモリに記録された前記変換テーブルの前記新旧情報のうちの最も新しい新旧情報として、前記所定の領域に記録された前記代表新旧情報を読み出して用いる
記憶装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の記憶装置であって、
前記フラッシュメモリの前記ブロックを単位とした前記データの書き込みが完了する際、前記ページを単位としたデータの書き込みの際に書き込まれた前記論理アドレスと前記新旧情報とを、前記ブロックの所定のページに一括して書き込む一括書込部を備え、
前記再構築部は、前記再構築の際に、前記一括して書き込まれた論理アドレスおよび新旧情報を読み出して、前記フラッシュメモリの前記ページ単位または前記ブロック単位で記録された論理アドレスおよび新旧情報として扱う
記憶装置。 - 請求項1から請求項8のいずれか一項に記載の記憶装置が組み込まれ、
前記記憶装置に対して、論理アドレスによりデータをアクセスするコンピュータ装置。 - 不揮発的に記憶されたデータの消去を複数ページからなるブロックを単位として行ない、データの書き込みと読み出しとを前記ページを単位として実行可能なフラッシュメモリを備えた記憶装置に対して、ホストデバイスから論理アドレスを用いてアクセスされる際のデータ管理方法であって、
前記フラッシュメモリに前記ページを単位として書き込まれるデータの論理アドレスと、前記ブロックと前記ページとにより管理される物理アドレスであって、前記データが書き込まれる物理アドレスとを、変換テーブルによってアドレス変換可能に管理し、
前記データを前記フラッシュメモリの所定の物理アドレスに書き込む際に、当該物理アドレスに対応する論理アドレスとして前記変換テーブルに記憶される論理アドレスおよび当該書き込みの新旧を表わす新旧情報を、前記ページを単位として、前記データと共に前記物理アドレスに書き込み、
前記データの書込用として前記ブロックに用意された複数の前記ページへの書き込みを完了する際、前記ブロックの所定のページに、少なくとも前記ブロックに書き込まれた前記新旧情報のうちの最新の新旧情報を書き込み、
前記変換テーブルの再構築を行なうものとして予め定めた再構築タイミングにおいて、前記フラッシュメモリの前記各ブロックから、前記最新の新旧情報を読み出し、前記各ブロックの前記最新の新旧情報の古い順に従って、前記ブロックに含まれる前記各ページに記録された前記論理アドレスを読み出し、当該論理アドレスに対応する前記物理アドレスを、前記論理アドレスに従って配列することで、前記変換テーブルを再構築する
記憶装置のデータ管理方法。 - 不揮発的に記憶されたデータの消去を複数ページからなるブロックを単位として行ない、データの書き込みと読み出しとを前記ページを単位として実行可能なフラッシュメモリを備えた記憶装置に対して、ホストデバイスから論理アドレスを用いてアクセスされる際のデータ管理方法であって、
前記フラッシュメモリに前記ページを単位として書き込まれるデータの論理アドレスと、前記ブロックと前記ページとにより管理される物理アドレスであって、前記データが書き込まれる物理アドレスと、当該データの書き込みの新旧を表わす新旧情報とを、変換テーブルによって管理し、
前記データを前記フラッシュメモリの所定の物理アドレスに書き込む際に、当該物理アドレスに対応する論理アドレスとして前記変換テーブルに記憶される論理アドレスおよび前記変換テーブルに記憶される前記新旧情報を、前記データと共に前記物理アドレスに書き込み、
当該記憶装置の使用を終了する際に、前記変換テーブルを前記フラッシュメモリの所定の領域に記録し、
少なくとも当該記憶装置の使用開始時に、前記フラッシュメモリに記録された前記変換テーブルの前記新旧情報のうちの最も新しい新旧情報と、前記フラッシュメモリの各ページまたは各ブロックに記録された前記新旧情報のうち最も新しい新旧情報とを比較し、両新旧情報が不一致の場合には、前記フラッシュメモリの前記ページ単位または前記ブロック単位で記録された前記論理アドレス毎の前記新旧情報と前記フラッシュメモリに記録された前記変換テーブルの前記論理アドレス毎の前記新旧情報とを比較して、前記変換テーブルを再構築する
記憶装置のデータ管理方法。
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