JP2018190801A - Stage apparatus, lithography apparatus, imprint apparatus, and article manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ステージ装置、リソグラフィ装置、インプリント装置、及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to a stage apparatus, a lithographic apparatus, an imprint apparatus, and an article manufacturing method.
半導体デバイス等の製造のために基板上に微細なパターンを形成するためのリソグラフィ装置として、基板を露光して該基板にレチクルのパターンを転写する露光装置や型を用いてインプリント材のパターンを形成するインプリント装置等が知られている。 As a lithography apparatus for forming a fine pattern on a substrate for manufacturing a semiconductor device or the like, an imprint material pattern is formed using an exposure apparatus or a mold that exposes the substrate and transfers the reticle pattern onto the substrate. An imprint apparatus to be formed is known.
これらのリソグラフィ装置では、基板を保持して移動可能な基板ステージ(可動体)を静圧軸受により案内部材上に非接触に支持するステージ装置を使用する。このステージ装置には、案内部材との接触を避けながら基板ステージを高速移動できる特性と、基板ステージが停止に近い状態になったら基板ステージの微振動を低減できる特性との両方が要求されている。 In these lithographic apparatuses, a stage apparatus that supports a movable substrate stage (movable body) by holding a substrate on a guide member by a hydrostatic bearing is used. This stage apparatus is required to have both the characteristic that the substrate stage can be moved at high speed while avoiding contact with the guide member, and the characteristic that the fine vibration of the substrate stage can be reduced when the substrate stage is almost stopped. .
特許文献1は、露光装置におけるステージ装置において、基板ステージの加速度に応じて静圧軸受への供給圧力を変えることにより、基板ステージの移動時と整定時とで剛性を変えることが記載されている。
しかしながら、特許文献1のように、静圧軸受に対する供給圧力を変えることによって静圧軸受の特性を変える場合、圧力を変更してから、変更後の圧力で基板ステージが安定するまでに一定の遅れを伴う。当該応答遅れに起因して、基板ステージの移動状態の変更に対して供給圧力の変更が間に合わない場合が生じうる。
However, when the characteristics of the hydrostatic bearing are changed by changing the supply pressure to the hydrostatic bearing as in
そこで、本発明は、基板ステージの高速移動時の基板ステージの高剛性支持と基板ステージの微小移動時の基板ステージの微振動の低減とを両立できるステージ装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention provides a stage apparatus, a lithography apparatus, and an article manufacturing method capable of achieving both high-rigidity support of the substrate stage during high-speed movement of the substrate stage and reduction of minute vibrations of the substrate stage during minute movement of the substrate stage. The purpose is to provide.
本発明に係るステージ装置は、案内面に沿って移動可能な可動体と、前記案内面と対向する開口部から前記案内面に向けて気体を流出させることにより前記可動体を前記案内面に対して非接触で支持する静圧軸受と、前記可動体の移動状態に応じて前記開口部の開口面積を変える変更手段と、を有することを特徴とする。 The stage device according to the present invention includes a movable body movable along the guide surface, and a gas flowing out from the opening facing the guide surface toward the guide surface, thereby moving the movable body relative to the guide surface. And a hydrostatic bearing that is supported in a non-contact manner, and a changing unit that changes an opening area of the opening in accordance with a moving state of the movable body.
本発明によれば、基板ステージの高速移動時の基板ステージの高剛性支持と基板ステージの微小移動時の基板ステージの微振動の低減とを両立できる。 According to the present invention, it is possible to achieve both high-rigidity support of the substrate stage during high-speed movement of the substrate stage and reduction of fine vibration of the substrate stage during minute movement of the substrate stage.
[第1実施形態]
(インプリント装置の構成)
図1は、第1実施形態に係るインプリント装置の構成を示す図である。鉛直方向の軸をZ軸、当該Z軸に垂直な平面内(水平面内)で互いに直交する2軸をX軸及びY軸としている。
[First Embodiment]
(Configuration of imprint device)
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an imprint apparatus according to the first embodiment. A vertical axis is a Z axis, and two axes orthogonal to each other in a plane (horizontal plane) perpendicular to the Z axis are an X axis and a Y axis.
インプリント装置100はモールド10を用いて基板1の上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行う。インプリント処理とは、基板1の上にインプリント材を供給し、インプリント材とモールド10とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールド10を引き離す処理を含む。インプリント処理によって、モールド10に形成された3次元状のパターンが基板1の上に転写される。
The
図2はステージ装置200の下面図(−Z方向側から見た図)であり、図3はステージ装置200のY静圧軸受24まわりの拡大図である。図3は図2のA−A断面図を含む。図1〜図3を用いてステージ装置200の構成を説明する。
2 is a bottom view of the stage apparatus 200 (viewed from the −Z direction side), and FIG. 3 is an enlarged view around the Y hydrostatic bearing 24 of the
ステージ装置200は、チャック2を介して基板1を保持して移動可能な基板ステージ(可動体)4と、基板ステージ4のX軸方向へ移動の案内する案内部材5と、案内部材5に連結されY軸方向に移動するY移動部3と、リニアモータ41、42を含む。チャック2は、真空吸着力又は静電力等を用いて基板1を保持する。基板ステージ4はリニアモータ41、42により定盤6に沿って移動する。基板ステージ4のY軸方向へ移動は案内部材31により案内される。
The
リニアモータ41の駆動により、基板ステージ4は、基板ステージ4を貫通するように配置された案内部材5に沿ってX軸方向に移動する。リニアモータ41は、基板ステージ4に設けられた可動子29と、可動子29と対向するように案内部材5に設けられた固定子28とを含む。リニアモータ41は、例えば、可動子29としての磁石と、固定子28としての、X軸方向に沿って設けられた複数のコイルと、を含む。
By driving the
基板ステージ4には、案内部材5の両側面にY静圧軸受24がそれぞれ設けられている。Y静圧軸受24は、気体供給部106から供給された圧縮気体を開口部から案内面5aに向けて流出させることにより、基板ステージ4をY軸方向に非接触で支持する(浮上させる)。これにより、Y静圧軸受24は、基板ステージ4が案内部材5に沿って移動する際のY軸方向への位置ずれを規制する。Y静圧軸受24には、案内部材5との間に吸引力を働かせる磁石(不図示)が配置される。
The
レギュレータ106aは、気体供給部106からY静圧軸受24に供給される気体の圧力を所定圧力に調整する。なお、気体供給部106からY静圧軸受24までの経路に配置された切り替え部(変更手段)105、切り替え部105を制御する制御部19、及び圧縮気体を流出させる開口部については後述する。
The
リニアモータ42の駆動により、Y移動部3は案内部材31に沿ってY軸方向に移動する。リニアモータ42は基板ステージ4から見て案内部材31よりも外側に設けられ、Y移動部3に連結された可動子32と、可動子33の両側面を挟むように定盤6に対して固定された固定子33とを含む。リニアモータ42は、例えば、可動子32としての磁石と、固定子33としての、Y軸方向に沿って設けられた複数のコイルがと、を含む。
By driving the
案内部材31は、Y移動部3の移動を案内することで間接的に基板ステージ4のY軸方向への移動を案内する。Y移動部3の案内部材31に対向する面にX静圧軸受23が設けられている。X静圧軸受23は、供給部(不図示)から供給された圧縮気体を開口部から案内部材31に向けて流出させることにより、Y移動部3をX軸方向に非接触で支持する(浮上させる)。これにより、X静圧軸受23は、Y移動部3及び基板ステージ4がY軸方向に沿って移動する際のX軸方向への位置ずれを規制する。X静圧軸受23には、案内部材31との間に吸引力を働かせる磁石(不図示)が配置される。
The
なお、案内部材31、リニアモータ42、X静圧軸受23は、基板ステージ4に対して−X方向側及び+X方向側にそれぞれ配置されている。
The
定盤6に対するY移動部3のY軸方向の位置を計測するためのエンコーダ45は、案内部材31の上面に配置されたエンコーダスケール(不図示)に照明された光の回折光を受光する。案内部材5に対する基板ステージ4の位置を計測するためのエンコーダ46は、案内部材5の上面に配置されたエンコーダスケール(不図示)に照明された光の回折光を受光する。
An
基板ステージ4の定盤6と対向する側の面にはZ静圧軸受21が配置され、Y移動部3の定盤6と対向する側の面には、Z静圧軸受22が配置されている。Z静圧軸受21、22は、定盤6に対して圧縮気体を噴出して基板ステージ4をZ軸方向に浮上させる。基板ステージ4およびY移動部3の定盤6と対向する側の面に配置され、定盤6との間に吸引力を働かせる磁石(不図示)をZ静圧軸受21、22と共に、用いることにより、基板ステージ4のZ軸方向の浮上を規制する。
A Z
次に、インプリント装置100の、ステージ装置200以外の構成について説明する。モールドチャック11はモールドステージ12に搭載され、モールド10を保持する。アクチュエータ15の駆動により、モールドステージ12は主にZ軸方向に移動する。
Next, the configuration of the
インプリント装置100は、モールドステージ12を−Z方向に移動することでモールド10と基板1の上のインプリント材とを接触させる押印動作を行う。インプリント装置100は、モールドステージ12を+Z方向に移動することでモールド10と硬化させたインプリント材とを引き離す離型動作を行う。アクチュエータ15はモールドステージ12を移動する際に、モールド10の傾きを調整してもよい。基板ステージ4のみが、又はモールドステージ12及び基板ステージが、Z軸方向に移動することで、押印動作及び離型動作を行ってもよい。
The
照射部13はインプリント材を硬化させるための紫外光14を射出し、紫外光14はモールドチャック11及びモールドステージ12の中央部にある開口を通過しモールド10を透過してインプリント材に照射される。
The
供給部17は、ステージ装置200により供給部17の下方で走査移動している基板1に対してインプリント材を供給する。本実施形態では、インプリント材として紫外光14を受光して硬化する光硬化性組成物を用いる。
The
アライメント検出系16はモールドステージ12に設けられている。アライメント検出系16は、モールド10に形成されたマーク38と、基板ステージ4に設けられた基準マーク40、基板1に形成されたマーク39からの光を検出するための光学系及び撮像系を有する。アライメント検出系16の検出結果に基づいて、後述の制御部19がモールド10との基板1とのX軸方向及びY軸方向の位置ずれ情報を求める。マーク38、マーク39は、例えば、クロム等の材料で形成された回折格子、又は、Box in Box状等の重ね合わせ検査に適したマークである。
The
アライメント検出系18は、定盤20に吊り下げ支持されている。アライメント検出系18は、基準マーク40からの光及びマーク39からの光をモールド10を介さずに検出するための光学系及び撮像系を有する。アライメント検出系18の検出結果に基づいて、後述の制御部19が水平方向であるXY平面内(基板の面内方向)における、基準マーク40に対するマーク39の位置情報を求める。
The
「マーク38からの光を検出する」「マーク39からの光を検出する」「基準マーク40からの光を検出する」などの用語は、検出対象のマークからの光を用いて光学系により形成された像を撮像系で撮像することを意味する。これは、マーク38からの回折光とマーク39からの回折光とを干渉させて形成される干渉縞(モアレ縞)を撮像する場合も含む。
Terms such as “detect the light from the
制御部19はCPUやメモリを有し、インプリント装置100の各構成要素と通信回線で接続されており、これらを統括的に制御する。制御部19のメモリには、後述の図5のフローチャートに示すプログラムが記憶されており、制御部19のCPUがこれを読み出すことでインプリント処理を実行する。
The
制御部19は、アライメント検出系16を用いてモールド10と基板1の位置とのXY平面方向の位置関係を求める。制御部19は、アライメント検出系18の検出結果に基づいて基板ステージ4とマーク38のXY平面方向の位置関係を求める。求めたこれらの情報を用いて、モールド10と基板1の位置のずれが低減されるようにステージ装置200を制御する。
The
制御部19は、エンコーダ45、46の受光結果に基づいて、基板ステージ4の位置を求める。得られた基板ステージ4の位置に基づいて、ステージ装置200を制御する。なお、エンコーダ45の代わりに干渉計(不図示)を用いて基板ステージ4の位置を計測してもよい。
The
(静圧軸受の構成)
次に、Y静圧軸受24の構成について図4を用いて説明する。図4(a)はY静圧軸受24を案内部材5の側面である案内面5a(図3に図示)から見た図である。図4(b)は図4(a)のB−B断面図及びY静圧軸受24への圧縮気体を供給する供給系111の構成を示す図である。
(Configuration of hydrostatic bearing)
Next, the configuration of the Y
Y静圧軸受24は供給系111から供給された圧縮気体を案内面5aに向けて流出させるための開口部として、複数の開口(開口)101、102を有する。図4(a)に示す開口101、102は配置の一例である。Y静圧軸受24は、案内部材5と対向する対向面の中央部に開口102と、開口102の周囲に設けられた4つの開口101とを有する。
The Y
さらに、開口101、102を連結するように、田の字状に溝103が形成されている。溝103があることで、開口101、102から噴出された圧縮気体が溝103に沿って流れやすくなり、基板ステージ4が案内面5aに対してバランス良く浮上する。
Further, a
供給系111は、圧縮気体を供給する気体供給部106、気体供給部106に接続された配管107、大気開放された配管108、開口102に接続された配管109、開口101に接続された配管110、及び切り替え部105を有する。
The
切り替え部105は、配管107、108の接続先を切り替えるものであり、例えば電磁弁で構成される。切り替え部105が配管107と配管109とを接続し、かつ配管108と配管110とを接続すると、圧縮気体は開口102のみから流出する。切り替え部105が配管107と配管110とを接続し、かつ配管108と配管109とを接続すると、圧縮気体は開口101のみから流出する。1つの開口102の開口面積A1と4つの開口101の面積を合わせた開口面積A2との関係は、A1<A2となるように構成されている。
The
このような構成により、配管107、108、109、110の接続を変更して開口の数を変えることによって、切り替え部105はY静圧軸受24から圧縮気体を流出させるための開口部の開口面積を変更できる。このとき、気体供給部106からY静圧軸受24に供給される気体の圧力は変化させない。
With such a configuration, by changing the connection of the
このような、開口101、102の切り替え可能な構成は、X静圧軸受23にも適用され、かつステージ装置200の他の静圧軸受(Z静圧軸受21、22)にも適用されうる。本実施形態に係るステージ装置200のように、同じ方向を規制する静圧軸受が複数ある場合には、同一方向を規制する静圧軸受の全てに適用されることが好ましい。
Such a switchable configuration of the
(開口面積の切り替えタイミング)
次に、切り替え部105による開口101と開口102とを切り替えて開口部の開口面積を変えるタイミングについて説明する。図5はインプリント処理を示すフローチャートである。フローチャートの開始時において、モールド10及び未処理の基板1がインプリント装置100内に搬入されている状態とする。また、Y静圧軸受24は、開口102から圧縮気体を流出させている状態である。
(Opening area switching timing)
Next, the timing for changing the opening area of the opening by switching the
S101では供給部17の下方で走査移動している基板1に対して供給部17がインプリント材を供給する。S102では、リニアモータ41の駆動によって、基板ステージ4がX軸方向に沿って移動する。これにより、基板ステージ4は、基板1のインプリント処理対象のショット領域の位置を検出するためのマーク38が、アライメント検出系16の検出範囲に入る位置に位置決めされる。
In S <b> 101, the
S103では、アクチュエータ15がモールドステージ12を−Z方向に移動させることで、押印動作を開始する。それと同時に、切り替え部105が、圧縮気体を流出させる開口を開口102から開口101に切り替える。以下の説明において、S103の時刻tをt1とする。
In S103, the actuator 15 starts the stamping operation by moving the
S104では、S103で開始した押印動作が進み、モールド10とインプリント材とが接触する接液状態となる。以下の説明において、S104の時刻tをt2とする。
In S104, the stamping operation started in S103 proceeds, and a liquid contact state is made in which the
S105では、モールド10と基板1との位置合わせ(アライメント)を行う。すなわち、アライメント検出系16がマーク38およびマーク39からの光を検出し、検出結果に基づいて得られたモールド10と基板1との相対位置ずれ量を算出する。算出結果に基づいて、ステージ装置200がモールド10と基板1との相対位置ずれが低減するように基板ステージ4を位置決めする。S106では、照射部13が紫外光14でインプリント材を露光して、インプリント材を硬化させる。
In S105, alignment (alignment) between the
S107では、アクチュエータ15がモールドステージ12を+Z方向に移動させることで、押印動作を開始する。それと同時に、切り替え部105が、圧縮気体を流出させる開口を開口101から開口102に切り替える。以下の説明において、S107の時刻tをt3とする。
In S107, the actuator 15 starts the stamping operation by moving the
S108では、離型動作が完了した状態であり、S109では制御部19が次にインプリント処理すべきショット領域があるかどうかを判断する。以下の説明において、S108の時刻tをt4とする。
In S108, the release operation is completed, and in S109, the
S109で制御部19が次のショット領域が有ると判断した場合(Yes)は、S110に進み、ステージ装置200が基板ステージ4を供給部17の下方位置へ移動させる。その後、インプリント材の供給位置へS101〜S109のフローを繰り返す。以下の説明において、S110の時刻を時刻t5とする。S109で制御部19が次のショット領域が無いと判断した場合(No)は、インプリント処理を終了する。
When the
S105では基板ステージ4は整定に近い状態となる。したがって、S105のときの基板ステージ4の加速度、速度は、S101、S102、及びS110等で基板ステージ4を移動させる時の加速度、速度よりもその絶対値は十分に小さい。
In S105, the
つまり、基板ステージ4の移動状態に応じて、切り替え部105はY静圧軸受24の開口の数を切り替えることで、開口部の開口面積を変える。
That is, the
基板ステージ4の移動状態が基板ステージ4の速度である場合、切り替え部105に対する開口の数の切り替え指示は、計測手段(不図示)により計測された基板ステージ4の加速度及び速度の少なくとも一方である速度情報に基づいて行ってもよい。例えば、基板ステージ4の速度が第1速度の時は開口101から圧縮気体を流出させ、基板ステージ4の速度が所定閾値よりも小さな第2速度の時は4つの開口から圧縮気体を流出させてもよい。
When the movement state of the
又は、制御部19は、インプリント処理の所定の動作(押印動作、又は離型動作)と共に、又は、当該所定の動作から所定時間経過後に、切り替え部105に開口の数の切り替えを指示してもよい。
Alternatively, the
このインプリント処理のシーケンスにおける、開口部の開口面積の切り替え効果について、図6を用いて説明する。図6(a)は時刻tに対する開口の切り替えを示す図、図6(b)は時刻tに対する基板ステージ4のY軸方向の振動を示す図、図6(c)は時刻tに対する基板ステージ4の剛性を示す図、である。時刻t0は時刻t1以前の任意のタイミングであり、各時刻t1、t2、t3、t4、t5は前述のタイミングである。
The effect of switching the opening area of the opening in this imprint processing sequence will be described with reference to FIG. 6A is a diagram showing switching of the opening with respect to time t, FIG. 6B is a diagram showing vibration in the Y-axis direction of the
時刻t0〜t1の間は、基板ステージ4が定盤6に沿って移動する。Y静圧軸受24の浮上量は、例えば、数μm〜10数μmに保たれる。このとき、開口102のみから圧縮気体を流量U1で流出させて開口102まわりのレイノルズ数を高く保つ。これにより、基板ステージ4の剛性をKUに保ち、基板ステージ4を高速で移動させた場合であっても、ローリングやピッチング、ヨーイング等に起因してY静圧軸受24の浮上量が下がり基板ステージ4と案内面5aとが干渉することを防ぐことができる。これにより、基板ステージ4等が破損したりパーティクルが発生したりすることを抑制している。
The
時刻t1で切り替え部105が気体供給部106に接続される開口を1つの開口102から4つの開口101に切り替えると、圧縮気体を流出させる開口部の開口面積が増大する。1つの開口101から流出する気体の流量U2が、前述の流量U1よりも小さくなる。1つの開口から流出する気体の流量が小さくなることにより、開口101まわりのレイノルズ数が低下し、開口101から流出した気体は、層流、又は層流に近い状態となって流れる。時刻t1で切り替える前に比べ、流出した気体の乱れに起因する基板ステージ4の振動が低下する。これにより、振動の平均振幅をAaからAbに低下することができる。
When the
基板ステージ4の振動が低減されることにより、基板ステージ4の位置計測結果の誤差を低減し、制御部19により算出されるモールド10と基板1との相対位置ずれ量の算出誤差を低減させることができる。
By reducing the vibration of the
圧縮気体の圧力にもよるが、通常、開口102のみを用いたときのY静圧軸受24には10〜数100Hz、振幅が数nm〜30nm程度の微振動が生じる。S105において数nm〜10数nmのモールド10と基板1との位置合わせ精度が達成目標の場合に、開口面積の切り替え無しにはY静圧軸受24の微振動に起因して達成することができない。
Although depending on the pressure of the compressed gas, the Y static pressure bearing 24 when only the
一方、本実施形態では、1つの開口102から4つの開口101に開口の数を切り替えて1つの開口101あたりから流出する気体の流量を1つの開口102から流出する気体の流量よりも小さくする。これにより、Y静圧軸受24を介して基板ステージ4の微振動の振幅を低減することができる。
On the other hand, in this embodiment, the number of openings is switched from one
基板ステージ4に伝わる振動を低減してモールド10と基板1との相対位置の検出精度を高めることができる。さらにそのままの振動状態でモールド10と基板1との位置合わせ及びインプリント材の硬化をすることができる。よって、基板1に既に形成されている下地パターンと、新たに基板1の上に形成される硬化したインプリント材のパターンとを高精度に重ね合わせることができる。
The vibration transmitted to the
ステージ装置200を、アライメントやインプリント材の硬化時において供給圧力を低減する場合に比べて素早くステージ装置200の微振動を低減することができる。
The fine vibration of the
なお、時刻t1の直後の時刻t2はモールド10が基板1上のインプリント材に接液してインプリント材の粘弾性力がはたらく。よって、モールド10がインプリント材と接液していない場合に比べて剛性がKLに低下することよる案内面5aとの干渉リスクは小さくなる。
At time t2 immediately after time t1, the
Y静圧軸受24において使用する開口の数の切り替え動作は、前述の押印動作又は離型動作と同時の場合に限られない。例えば、基板ステージ4がアライメント検出系16の検出範囲にマーク38が入る所定位置に移動した後、時刻t2におけるモールド10と基板1との位置合わせ動作が完了するまでの間で切り替え部105が開口部の開口面積を大きくすればよい。切り替え部105が開口部の開口面積を小さくするタイミングは、S106の工程が終了してから時刻t5の前までであればよい。
The switching operation of the number of openings used in the Y
なお、切り替え部105は、開口101のみから圧縮気体を流出させる場合と開口102のみから圧縮気体を流出させる場合と、を切り替える場合の実施形態を説明したが、切り替え部105はその他の態様で開口面積を変更してもよい。例えば、切り替え部105は、開口101のみから圧縮気体を流出させる場合と、開口101及び開口102から圧縮気体を流出させる場合とを切り替える機構であってもよい。開口102が複数ある場合であっても、当該複数の開口102を合わせた開口面積A3と、前述の開口面積A2との間に、A3<A2が成り立つのであれば、開口102は複数あってもよい。特に2×A3<A2が成り立つことが好ましい。
In addition, although the
(実施例)
第1実施形態の実施例について、図7を用いて説明する。ただし、当該実施例は、中央部に開口102のみが形成された静圧軸受から圧縮気体を流出させる場合と、4つの開口101が形成された静圧軸受から圧縮気体を流出させる場合とを、同一条件の条件下で個別に実施したときの実施例である。圧縮気体の供給条件は、開口102のみから気体を流出させたときの案内面に対する浮上量が8μmとなる条件とした。
(Example)
An example of the first embodiment will be described with reference to FIG. However, in this embodiment, the case where the compressed gas is caused to flow out from the hydrostatic bearing in which only the
図7(a)、図7(b)は、いずれも、横軸が時間、縦軸がY静圧軸受24の案内面5a側の位置を示している。図7(a)は中央部に開口102のみが形成された静圧軸受から圧縮気体を流出させたときの振動状態を示しており、図7(b)は、1つあたりの面積が開口102と同一の開口101が4つ形成された静圧軸受から圧縮気体を流出させる場合とを示している。図7(a)の場合は、振幅が11.1nm、図7(b)の場合は振幅が1.6となり、静圧軸受けに伝わる振動を約1/5に低減できた。
In each of FIGS. 7A and 7B, the horizontal axis indicates time, and the vertical axis indicates the position of the Y
(第1実施形態の変形例)
開口101、102及び溝103のように、圧縮気体を流出させる開口や流出させた気体を整流する溝の配置や数は、図4に示す配置に限られない。Y静圧軸受24の、案内部材5と対向する面内で対称的に開口を配置することが可能であれば、別の配置でも構わない。特に、基板ステージ4を案内面5aに対してバランス良く浮上させるためにも、圧縮気体を流出させる開口はY静圧軸受24の移動方向であるX軸方向に関し線対称に配置されていることが好ましい。
(Modification of the first embodiment)
Like the
図8(a)、図8(b)は、Y静圧軸受24の変形例に係る静圧軸受を、案内部材5の側から見た図である。図8(a)に示す静圧軸受は、中央部の開口202と、当該開口202の上下左右及び斜め方向に離れて配置された開口201とを含む。溝203は、開口202及び開口201同士を結ぶように、X軸方向、Z軸方向に形成されている。例えば、切り替え部105は、時刻t1において圧縮気体を流出させる開口を開口202から開口201に変えることで開口面積を変える。
FIGS. 8A and 8B are views of a hydrostatic bearing according to a modification of the Y
図8(b)に示す静圧軸受は同心円状の2つの溝303、304及び内円の溝303を結ぶ2つの直線状の溝305を含み、溝303と溝305との交点に開口301、溝305同士の交点に開口302を含む。例えば、切り替え部105は、時刻t1において圧縮気体を流出させる開口を開口302から開口301に変えることで開口面積を変える。これにより、前述と同様の効果を得ることができる。
The hydrostatic bearing shown in FIG. 8B includes two
また、開口101、102の形状は、流出させる気体の流れを乱さない範囲であれば円形以外の形状であってもよい。
Further, the shape of the
[第2実施形態]
開口101、102の配置や溝103の配置次第では、切り替え部105が圧縮気体を流出させる開口の数を切り替えたときに、案内面5aに対するY静圧軸受24の浮上量がサブミクロン〜1.2μm程度変化する場合がある。そこで、第2実施形態に係るY静圧軸受24は、開口の数の切り替えに伴うY静圧軸受24の浮上量の変化を低減するための機構を有する。
[Second Embodiment]
Depending on the arrangement of the
第2実施形態に係るY静圧軸受24の構成について、図10を用いて説明する。図10(a)はY静圧軸受24を案内面5aから見た図である。図10(b)は図10(a)のD−D断面図である。既出の図面と同一の部材には同一の番号を付し、重複する詳細な説明は省略する。
The configuration of the Y
Y静圧軸受24に設けられた吸引口120に配管121を介して接続された排気部123を有する。排気部123は例えば排気力が変更可能な真空ポンプであって、案内面5aとY静圧軸受24との間の気体を配管121及び吸引口120を介して吸引することにより、案内部材5を吸引する力(吸引力)を発生させる発生手段として機能する。
An
したがって、排気部123は、制御部19の指示を受けて排気部123は案内部材5に対する吸引力を変えることによって案内面5aとY静圧軸受24との距離を微調整できる。例えば、切り替え部105による開口数の切り替えによって、案内面5aに対するY静圧軸受24の浮上量が減少するのであれば、制御部19の指示に基づいて当該浮上量の減少が低減するように吸引力を小さくする。また、切り替え部105による開口数の切り替えによって、案内面5aに対するY静圧軸受24の浮上量が増大するのであれば制御部19の指示に基づいて当該浮上量の増加が低減するように吸引力を大きくする。
Therefore, the
本実施形態でも切り替え部105が基板ステージ4の移動に応じて圧縮気体を流出させる開口部の開口面積を変える。よって、第1実施形態に係るステージ装置200と同様、基板ステージ4の高速移動時の基板ステージ4の高剛性支持と基板ステージ4の微小移動時の基板ステージ4の微振動の低減とを両立できる。さらに、案内部材5とY静圧軸受24との一方が他方を吸引する力を変えることで開口面積の変更とともに生じるY静圧軸受24の浮上量の変化を低減させることができる。
Also in this embodiment, the
なお、排気部123を搭載している場合は、予圧用の磁石は搭載されていなくてもよい。基板ステージ4の移動の案内機能に影響が少なければ、排気部123と接続される開口がY静圧軸受24の側ではなく、案内部材5の側に設けられていてもよい。また、排気部123の代わりに、案内部材5とY静圧軸受24との一方に設けられた電磁石を、磁性材料で構成された他方を吸引する吸引力を生じさせる発生手段として用いてもよい。
In addition, when the
[第3実施形態]
Y静圧軸受24に設けられた1つ又は複数の開口のうち、1つあたりの開口の面積を変えることによっても、圧縮気体を流出させる開口部の面積を変えることができる。これにより開口から流出する圧縮気体のレイノルズ数は低減する。そこで、第3実施形態に係るY静圧軸受24は、開口部の面積を変える変更手段として、1つの開口の開口面積を変更可能な機構を有する。
[Third Embodiment]
The area of the opening through which the compressed gas flows out can also be changed by changing the area of one or more openings provided in the Y
第3実施形態に係る変更手段の一例を図10(a)及び図10(a)のD−D断面図である図10(b)に示す。ステージ装置200は、当該変更手段として、気体供給部106と接続された開口401の中心位置は変えずにその半径を変えるための羽部(駆動機構)403と、羽部403を駆動する駆動部404と、を有する絞り402を有する。制御部19からの指示に基づいて絞り402は羽部403を駆動し、基板ステージ4の移動状態に応じて開口301の面積を変える。
An example of the changing means according to the third embodiment is shown in FIG. 10 (a) and FIG. 10 (b) which is a DD sectional view of FIG. 10 (a). The
第3実施形態に係る変更手段の別の例を図11(a)及び図11(a)のE−E断面図である図11(b)に示す。ステージ装置200は、当該変更手段として、Y静圧軸受24に設けられた開口503よりも小さな開口面積の開口501を備え、開口503の一部を遮蔽するようにスライド可能なスライド部材(駆動機構)502を有する。
Another example of the changing means according to the third embodiment is shown in FIG. 11 (a) and FIG. 11 (b) which is an EE cross-sectional view of FIG. 11 (a). The
制御部19の指示に基づいて不図示の駆動部はスライド部材502を駆動し、基板ステージ4の移動状態に応じて開口503の面積を変える。例えば、基板ステージ4が前述のインプリント処理のS103では、スライド部材502を開口503の一部を遮蔽するように図11(b)の位置に配置して開口部の面積を小さくする。インプリント処理のS107では、破線で示した位置にスライド部材502を配置して開口部の面積を大きくする。
A drive unit (not shown) drives the
このように、羽部403やスライド部材502等の駆動機構を用いて同一の開口の開口面積を変えることによっても、レイノルズ数の大きさを変えることができる。このような開口面積の変更を基板ステージ4の移動状態に応じて行うことで、基板ステージ4の高速移動時の基板ステージ4の高剛性支持と基板ステージ4の微小移動時の基板ステージ4の微振動の低減とを両立できる。
As described above, the Reynolds number can be changed by changing the opening area of the same opening using a driving mechanism such as the
第3実施形態に係るステージ装置200は、第1実施形態又は第2実施形態と組み合わせて実施することで、開口面積の変更幅を大きくしてもよい。また、複数の開口のうち少なくとも1つの開口の面積を変えることによって
本実施形態を含め、各実施形態において、静圧軸受に供給される圧力を変えないまま当該静圧軸受けの開口部の開口面積を変える場合を説明したが、開口面積の切り替えと併せて圧力を変更してもよい。例えば、制御部19の指示に基づいてレギュレータ(圧力変更手段)106aが、基板ステージ4の移動状態に応じて気体供給部106から静圧軸受けに供給される気体の圧力を変更してもよい。例えば、前述のインプリント処理におけるS103で圧力を低減させ、S107で低減させた圧力を元に戻してもよい。多少の応答遅れは生じるが、基板ステージ4の振動をさらに低減させることができる。
The
[その他の実施形態]
本発明のその他の実施形態について説明する。
[Other Embodiments]
Other embodiments of the present invention will be described.
Y静圧軸受24の開口面積を変える場合を中心に説明したが、開口面積の変更対象の静圧軸受はこれに限られない。各実施形態に係る発明は、Z静圧軸受21、22、X静圧軸受23、及びY静圧軸受24及びの少なくとも一つに適用可能である。アライメント検出系16によるマーク検出の際には、基板ステージ4のXY方向の微振動を低減させることが重要となる。そのため、特に。基板1に一番近いY静圧軸受24、X静圧軸受23の優先順位で適用されることが好ましい。
Although the case where the opening area of the Y
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線等の光である。 As the imprint material, a curable composition (also referred to as an uncured resin) that cures when given energy for curing is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like is used. The electromagnetic wave is, for example, light such as infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays, the wavelength of which is selected from a range of 10 nm to 1 mm.
硬化性組成物は、光の照射により、又は、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分等の群から選択される少なくとも一種である。 A curable composition is a composition which hardens | cures by irradiation of light or by heating. Among these, the photocurable composition cured by light contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターにより基板1の上に膜状に付与される。或いは液体噴射ヘッドにより、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板1の上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。
The imprint material is applied in the form of a film on the
基板1は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板1は、具体的に、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラス等である。
The
ステージ装置200は、インプリント装置100に限られず、案内面に沿って可動な基板ステージに載置された基板の上に原版を用いてパターンを形成するその他のリソグラフィ装置(パターン形成装置)にも搭載されうる。
The
リソグラフィ装置は、例えば、原版(レチクル)に形成された回路パターン等のパターンを基板1に転写することにより、基板1の上にレジストの潜像パターンを形成する露光装置でもよい。露光装置においてレジストを露光するための露光光は、例えば、g線(波長436nm)、i線(波長365nm)、ArFレーザ光(波長193nm)、EUV光(波長13nm)等の各種光線から選択可能である。リソグラフィ装置は、荷電粒子線やレーザビームを照射することによって基板1の上に潜像パターンを形成する描画装置等でもよい。
The lithography apparatus may be, for example, an exposure apparatus that forms a latent image pattern of a resist on the
いずれのリソグラフィ装置においても、一般的に、原版や基板に設けられたマークからの光を検出するアライメント検出系を有する。よって変更手段はアライメント検出系の検出範囲に基板に設けられたマークが入る所定位置に基板ステージが移動してから、当該マークからの光(マークの像)の検出が完了するまでの間に、静圧軸受の開口部の開口面積を変更前よりも大きくする。また、変更手段は、第1領域(第1ショット領域)にパターンを形成した後に次にパターンが形成すべき第2領域(第2ショット領域)へのパターン形成のために基板ステージ4をステップ移動させる間に、静圧軸受の開口部の開口面積を変更前よりも小さくする。これにより、基板ステージが大ストロークで移動するときには剛性を高くし、マークからの光の検出など整定を要する時は振動を低減することができる。
Any lithography apparatus generally has an alignment detection system for detecting light from a mark provided on an original or a substrate. Therefore, the changing means is from the time when the substrate stage is moved to a predetermined position where the mark provided on the substrate enters the detection range of the alignment detection system until the detection of the light from the mark (mark image) is completed. The opening area of the opening of the hydrostatic bearing is made larger than before the change. Further, after the pattern is formed in the first area (first shot area), the changing means steps the
リソグラフィ装置が基板ステージ4を整定させた状態で基板を露光するステップアンドリピート方式で露光する露光装置(ステッパ)の場合、基板の露光タイミングに合わせて静圧軸受の開口部の開口面積が大きくしてもよい。基板ステージが大ストロークで移動するときには剛性を高くし、露光時など整定を要する時は振動を低減することができる。
In the case of an exposure apparatus (stepper) that exposes a substrate in a step-and-repeat mode in which the substrate is exposed with the
[物品の製造方法]
インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターン又はその他のリソグラフィ装置を用いて形成された潜像パターンを現像した後に残る硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、又は各種物品を製造する際に一時的に用いられる。
[Production Method]
The pattern of the cured product formed using the imprint apparatus or the pattern of the cured product remaining after developing the latent image pattern formed using the other lithographic apparatus may be permanently or variously used on at least a part of various articles. Temporarily used when manufacturing articles.
物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、モールド10等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。モールド10としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, a
硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板1の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。
The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the processing step of the
次に、物品の具体的な製造方法について図12を用いて説明する。図12(a)に示すように、絶縁体等の被加工材2zが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板1を用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材2zの表面にインプリント材3zを付与する(前述のS101)。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材3zが基板上に付与された様子を示している。
Next, a specific method for manufacturing an article will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 12A, a
図12(b)に示すように、インプリント用のモールド10を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材3zに向け、対向させる。図12(c)に示すように、インプリント材3zが付与された基板1とモールド10とを接触させ、圧力を加える(前述のS104)。インプリント材3zはモールド10と被加工材2zとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールド10を透して照射すると、インプリント材3zは硬化する(前述のS106)。
As shown in FIG. 12 (b), the
図12(d)に示すように、インプリント材3zを硬化させた後、モールド10と基板1を引き離すと、基板1上にインプリント材3zの硬化物のパターンが形成される(前述のS108)。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材3zにモールド10の凹凸パターンが転写されたことになる。
As shown in FIG. 12D, when the
図12(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材2zの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝5zとなる。図12(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材2zの表面に溝5zが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。
As shown in FIG. 12 (e), when etching is performed using the pattern of the cured product as an anti-etching mask, a portion of the surface of the
基板1の加工工程はさらに、他の周知の加工工程(現像、酸化、成膜、蒸着、平坦化、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含んでもよい。
The processing steps of the
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.
1 基板
4 可動体
5a 案内面
24 静圧軸受
101、102、201、202、301、302、401、501、503 開口(開口部)
106 気体供給部
105、402 切り替え部(変更手段)
200 ステージ装置
DESCRIPTION OF
106
200 stage device
Claims (16)
前記案内面と対向する開口部から前記案内面に向けて気体を流出させることにより前記可動体を前記案内面に対して非接触で支持する静圧軸受と、
前記可動体の移動状態に応じて前記開口部の開口面積を変える変更手段と、を有することを特徴とするステージ装置。 A movable body movable along the guide surface;
A hydrostatic bearing that supports the movable body in a non-contact manner with respect to the guide surface by allowing gas to flow out from the opening facing the guide surface toward the guide surface;
And a changing unit that changes an opening area of the opening according to a moving state of the movable body.
前記変更手段は、前記可動体の速度が第1速度の時は前記開口面積が第1面積であり、前記可動体の速度が前記第1速度よりも小さな第2速度の時は、前記開口面積が前記第1面積よりも大きな第2面積となるように、前記開口面積を変えることを特徴とする請求項1に記載のステージ装置。 The moving state includes the speed of the movable body,
The changing means is configured such that the opening area is the first area when the speed of the movable body is the first speed, and the opening area when the speed of the movable body is the second speed smaller than the first speed. The stage apparatus according to claim 1, wherein the opening area is changed so that the second area is larger than the first area.
前記変更手段は、前記気体の流出に用いる前記開口の数を変えることで前記開口面積を変えることを特徴とする請求項1又は2に記載のステージ装置。 The opening has a plurality of openings;
The stage device according to claim 1, wherein the changing unit changes the opening area by changing the number of the openings used for the outflow of the gas.
前記変更手段は、前記1つの開口の開口面積または前記複数の開口それぞれの面積を変えるための駆動機構を含み、当該駆動機構の駆動により前記開口面積を変えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のステージ装置。 The opening has one or more openings;
4. The change means includes a drive mechanism for changing an opening area of the one opening or an area of each of the plurality of openings, and the opening area is changed by driving the driving mechanism. The stage apparatus according to any one of the above.
前記発生手段は、前記開口面積の変更とともに生じる前記静圧軸受の浮上量の変化を、前記吸引力を変えることで低減させることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のステージ装置。 Of the member having the guide surface and the hydrostatic bearing, one has a generating means for generating a suction force for sucking the other,
The said generation | occurrence | production means reduces the change of the floating amount of the said hydrostatic bearing which arises with the change of the said opening area by changing the said attraction | suction force. Stage device.
前記可動体の移動状態に応じて前記気体供給部から前記静圧軸受に供給される気体の圧力を変える圧力変更手段を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のステージ装置。 A gas supply unit for supplying the gas to the hydrostatic bearing;
6. The pressure change unit according to claim 1, further comprising a pressure changing unit that changes a pressure of gas supplied from the gas supply unit to the hydrostatic bearing in accordance with a moving state of the movable body. Stage device.
前記可動体に載置された基板上に原版を用いてパターンを形成することを特徴とするリソグラフィ装置。 A stage apparatus according to any one of claims 1 to 7,
A lithographic apparatus, wherein a pattern is formed on a substrate placed on the movable body using an original.
前記可動体が前記検出系の検出範囲に前記マークが入る所定位置に移動したあと、前記検出系による前記マークからの光の検出が完了するまでの間に、前記変更手段は前記開口面積を第1面積から該第1面積よりも大きな第2面積に変えることを特徴とする請求項8に記載のリソグラフィ装置。 A detection system for detecting light from a mark provided on the substrate;
After the movable body moves to a predetermined position where the mark enters the detection range of the detection system and before the detection of the light from the mark by the detection system is completed, the changing means changes the opening area. 9. A lithographic apparatus according to claim 8, wherein the lithographic apparatus changes from one area to a second area larger than the first area.
前記検出系の検出結果に基づいて前記基板の前記水平方向の位置情報を求めることを特徴とする請求項9に記載のリソグラフィ装置。 The hydrostatic bearing is means for supporting the movable body in a horizontal direction without contact,
The lithographic apparatus according to claim 9, wherein position information of the horizontal direction of the substrate is obtained based on a detection result of the detection system.
前記所定位置は前記可動体が前記型と対向する位置であることを特徴とする請求項9又は10に記載のリソグラフィ装置。 The lithographic apparatus is an imprint apparatus that forms a pattern of an imprint material on the substrate using a mold,
The lithographic apparatus according to claim 9, wherein the predetermined position is a position where the movable body faces the mold.
前記基板を保持して、案内面に沿って移動可能な可動体と、
前記案内面と対向する開口部から前記案内面に向けて気体を流出させることにより前記可動体を前記案内面に対して非接触で支持する静圧軸受と、
前記可動体の移動状態に応じて前記開口部の開口面積を変える変更手段と、
前記基板に設けられたマークからの光を検出する検出系と、を有し、
前記可動体が前記検出系の検出範囲に前記マークが入る所定位置に移動したあと、前記検出系による前記マークからの光の検出が完了するまでの間に、前記変更手段は前記開口面積を第1面積から該第1面積よりも大きな第2面積に変え、
前記基板上の第1領域に前記パターンを形成した後、かつ前記第1領域とは異なる第2領域へのパターン形成のために前記可動体が再び移動し始める前までに、前記開口面積を前記第2面積から前記第2面積よりも小さな面積に変えることを特徴とするリソグラフィ装置。 A lithographic apparatus for forming a pattern on a substrate using an original plate,
A movable body holding the substrate and movable along the guide surface;
A hydrostatic bearing that supports the movable body in a non-contact manner with respect to the guide surface by allowing gas to flow out from the opening facing the guide surface toward the guide surface;
Changing means for changing the opening area of the opening according to the moving state of the movable body,
A detection system for detecting light from a mark provided on the substrate,
After the movable body moves to a predetermined position where the mark enters the detection range of the detection system and before the detection of the light from the mark by the detection system is completed, the changing means changes the opening area. Changing from one area to a second area larger than the first area,
After the pattern is formed in the first region on the substrate and before the movable body starts moving again for pattern formation in a second region different from the first region, the opening area is A lithographic apparatus, wherein the second area is changed to an area smaller than the second area.
前記基板を保持して、案内面に沿って移動可能な可動体と、
前記案内面と対向する開口部から前記案内面に向けて気体を流出させることにより前記可動体を前記案内面に対して非接触で支持する静圧軸受と、
前記可動体の移動状態に応じて前記開口部の開口面積を変える変更手段と、
前記基板に設けられたマークからの光を検出する検出系と、を有し、
前記可動体が前記検出系の検出範囲に前記マークが入る所定位置に移動したあと、前記基板の面内方向における前記型と前記基板との位置合わせが完了するまでの間に、前記変更手段は前記開口面積を第1面積から該第1面積よりも大きな第2面積に変え、
前記基板上の第1領域に前記パターンを形成した後、かつ前記第1領域とは異なる第2領域へのパターン形成のために前記可動体が再び移動し始める前までに、前記開口面積を前記第2面積から前記第2面積よりも小さな面積に変えることを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus that forms a pattern of an imprint material on a substrate using a mold,
A movable body holding the substrate and movable along the guide surface;
A hydrostatic bearing that supports the movable body in a non-contact manner with respect to the guide surface by allowing gas to flow out from the opening facing the guide surface toward the guide surface;
Changing means for changing the opening area of the opening according to the moving state of the movable body,
A detection system for detecting light from a mark provided on the substrate,
After the movable body has moved to a predetermined position where the mark enters the detection range of the detection system, the changing means is until the alignment between the mold and the substrate in the in-plane direction of the substrate is completed. Changing the opening area from the first area to a second area larger than the first area;
After the pattern is formed in the first region on the substrate and before the movable body starts moving again for pattern formation in a second region different from the first region, the opening area is An imprint apparatus that changes from a second area to an area smaller than the second area.
前記工程でパターンの形成された前記基板を処理する処理工程と、を有し、
前記処理した基板の少なくとも一部を含む物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 Forming a pattern on the substrate using the lithographic apparatus according to any one of claims 8 to 13,
Processing the substrate on which the pattern is formed in the step, and
A method for producing an article, comprising producing an article including at least a part of the treated substrate.
前記工程でパターンの形成された前記基板を処理する処理工程と、を有し、
前記処理した基板の少なくとも一部を含む物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 Forming a pattern on the substrate using the imprint apparatus according to claim 14;
Processing the substrate on which the pattern is formed in the step, and
A method for producing an article, comprising producing an article including at least a part of the treated substrate.
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