JP2018186110A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018186110A JP2018186110A JP2017084987A JP2017084987A JP2018186110A JP 2018186110 A JP2018186110 A JP 2018186110A JP 2017084987 A JP2017084987 A JP 2017084987A JP 2017084987 A JP2017084987 A JP 2017084987A JP 2018186110 A JP2018186110 A JP 2018186110A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- light emitting
- emitting device
- phosphor layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
ただし、無機物を母材とする蛍光体板は比較的高価であり、しかも、蛍光体板とLEDチップの接合のために接着材を塗布し、蛍光体板をLEDチップに対して搭載し、接着材を硬化させるといった工程を必要とする。そのため、発光装置の製造コストが高くなる一因となっていた。
すなわち、本発明の第1の局面に係る発光装置は、基板に実装される発光素子と、発光素子の光取出面を覆う蛍光体層と、発光素子の光取出面以外の面を覆う反射材と、を有する発光装置であって、蛍光体層は樹脂を母材として蛍光体と無機フィラーを含有する、発光装置である。
(第1実施形態)
図1に本発明の第1実施形態に係る発光装置1の断面図を示す。図1に示す発光装置1は、窒化アルミニウム(AlN)等の基板10と、基板10上に接合、実装されるLEDチップ(発光素子)20と、基板10とは反対側のLEDチップ20の上面(光取出面)を覆う蛍光体層30と、LEDチップ20の外面であって光取出面以外の面(側面と下面)を覆う反射材40とを有する。LEDチップ20は接合部50を介して基板10の表面の電極(図示せず)と電気的に接続される態様で基板10に実装される。発光装置1は更に、蛍光体層30や反射材40の外周を囲むダム等の部材を有していてもよい。
LEDチップ20はフリップチップタイプのものが好ましく、窒化ガリウム(GaN)系の半導体層(エピタキシャル層)が、サファイア基板上に形成されているものを採用できる。ただし、本発明の実施態様はこれに限らず、LEDチップ20の半導体層として上記の他、酸化亜鉛(ZnO)系、セレン化亜鉛(ZnSe)系、炭化珪素(SiC)系等を用いることができ、基板としてそれぞれに適したものを用いることができる。LEDチップ20の発光色としては、蛍光体を励起して蛍光との合成により白色を取り出すことができる青色、紫色または紫外光が好ましいが、これらに限定されない。本実施形態の以下の記載においては青色光を発するLEDチップ20を例に取り説明する。
蛍光体層30は、光取出側に露出する光出射面を有し、LEDチップ20の光取出面全体を覆うように構成されている。蛍光体層30は主として、高耐熱性のシリコーン樹脂等の樹脂からなる母材31と、母材31中に分散される粒子状の蛍光体32および無機フィラー33からなる。
蛍光体層30に含まれる蛍光体32としては任意の蛍光体を用いることができるが、青色光を発するLEDチップ20に対しては、LEDチップ20からの放射光(青色光)を受けて励起されることにより、波長変換光(黄色光)を放射するYAG、BOS等の黄色系蛍光体を用いることにより、発光装置1を、LEDチップ20の青色光と蛍光体32による波長変換光の混色により白色光を発する白色LEDパッケージとして構成できる。蛍光体32は母材31を構成する樹脂よりも熱伝導率が高い。
蛍光体層30に含まれる無機フィラー33としては、母材31よりも熱伝導率が高いアルミナ、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。また、他の無機フィラー33として、ユーロピウムやセリウムなどの付活剤を含有しない蛍光体の母体結晶を用いることができる。母体結晶としては、YAG、α−サイアロン、β−サイアロン、CaAISiN3、Ca2Si5N8などを使用できる。
反射材40を形成する反射材料は樹脂に光反射粒子を含有させたものとすることができ、光反射粒子は、LEDチップ20の発光層の発光によってLEDチップ20の側面および下面から出射される漏洩光を受けてLEDチップ20内に反射する機能を有する。樹脂としてはシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。光反射粒子としてはチタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ニオブ(Nb)、アルミニウム(Al)、珪素(Si)等の酸化物や、窒化アルミニウム、フッ化マグネシウム(MgF)等の粒子を用いることができる。特に、LEDチップ20で生じた熱に対する耐熱性、光の反射性の観点から、シリコーン樹脂と酸化チタン(TiO2)の組み合わせが好ましい。
電源からLEDチップ20に電圧が印加されると、発光層において発光し、この放射光がLEDチップ20の光取出面から蛍光体層30を介して第1放射光として光取出側に、またLEDチップ20から第2放射光(漏洩光)として反射材40中にそれぞれ出射される。これら放射光のうちLEDチップ20から反射材40中に出射される第2放射光はLEDチップ20近傍の光反射粒子で反射され、これら反射光のうち大部分の反射光がLEDチップ20内に戻り、第1放射光と共に光取出面から蛍光体層30を介して出射される。この場合、蛍光体層30においては、LEDチップ20から放射される第1放射光及び第2放射光(共に青色光)を受けて蛍光体32が励起されることにより黄色の波長変換光を放射する。このため、LEDチップ20から放射される青色の放射光と蛍光体層30から放射される黄色の波長変換光とが混合して白色光となる。
以下に、本実施形態の発光装置1の製造方法の一例について説明する。
まず、基板10の表面の電極と、LEDチップ20の電極とを、金(Au)と錫(Sn)の合金により接合(Au−Sn接合)して接合部50を形成し、フリップチップ実装する。例えば、基板10の表面のAu電極と、LEDチップ20のAuSn電極とを熱圧着により合金化し、もって接合する方法を採用することができる。
基板10の表面の電極とLEDチップ20の電極とを接合する方法としては、従来公知の接合方法から適宜かつ任意の方法を選択し得る。
反射材40の硬化後、LEDチップ20の光取出面を覆うように蛍光体層30を形成する。蛍光体層30は、蛍光体32および無機フィラー33を分散させた母材31をLEDチップ20および反射材40上にポッティング等により塗布することで形成される。
次に、ダイシング等により製品サイズに分割する。
以上のような構成の発光装置1において、蛍光体層30に蛍光体32を含有させることに加えて無機フィラー33も含有させることで、蛍光体層30の熱伝導率が高くなり、蛍光体32からの発熱をLEDチップ20、基板10に伝えやすくなり、放熱に有利な発光装置1とすることができる。そのような効果を奏するための蛍光体32および無機フィラー33の含有量の例については、後に実施例を参照して説明する。なお、無機フィラー33として蛍光体32と同じ母体結晶のものを採用すれば、両者の比重が実質同一となるため、両者を母材31中に均一に分散させやすくなる。また、蛍光体層30の母材31を樹脂としたことで、蛍光体層30をLEDチップ20に接着するための接着材を省略でき、発光装置1の製造コストの低減に貢献し得る。
図2に本発明の第2実施形態に係る発光装置1Aの断面図を示す。第2実施形態に係る発光装置1Aは第1実施形態に係る発光装置1との比較においては、LEDチップ20の側面を覆う反射材40に蛍光体41の粒子が均一に分散されている点で異なる。これにより、LEDチップ20の側面から発光される青色光の一部を反射材40に含有される蛍光体41により長波長光に変換でき、これにより、LEDチップ20での光の再吸収を抑制できる。また、窒化アルミニウムからなる基板10での光の吸収も抑制できる。結果として、高光束な発光装置1Aを提供できる。
図3に本発明の第3実施形態に係る発光装置1Bの断面図を示す。第3実施形態に係る発光装置1Bは第1実施形態に係る発光装置1との比較においては、LEDチップ20の側面並びに下面を覆う反射材40中に蛍光体42が均一に分散されている点で異なる。LEDチップ20の下(すなわち、LEDチップ20と基板10の間)に蛍光体42を入れるために、蛍光体42の粒径は接合部50の厚さよりも小さいことが望ましい。これにより、LEDチップ20の下方に進む光の一部を蛍光体42により長波長光に変換することができ、LEDチップ20への再吸収や基板10による光吸収を抑制でき、高光束な発光装置1Bを提供できる。また、接合部50の厚さは薄いほうがLEDチップ20からの熱を基板10側に伝えやすく、放熱に有利な発光装置1Bとなる。なお、蛍光体は粒径が大きいほど波長変換効率および伝熱効率が高い傾向があるため、蛍光体層30に含まれる蛍光体32の粒径は反射材40に含まれる蛍光体42の粒径より大きく設定することが有利である。一例として、接合部50の厚さが約5μmのとき、反射材40に含まれる蛍光体42のメジアン径(d50)を3μm程度とし、蛍光体層30に含まれる蛍光体32のメジアン径を10μm程度とすることができる。例えば、蛍光体層30に含まれる蛍光体32のメジアン径を約6μm〜約20μm、反射材40に含まれる蛍光体42のメジアン径を約3μm〜約5μmの範囲内とすることが、発光装置1Bの高光束化の点で好ましい。
次に、本発明の第1実施形態に係る発光装置1の実施例について説明する。以下に本実施例の諸条件を示す。
狙いの混合色(発光装置1の発光色):アンバー色
母材31の材料:高耐熱シリコーン樹脂、熱伝導率0.2W/m・K
蛍光体32の材料:α−サイアロン蛍光体、発光中心波長597〜603nm、熱伝導率10W/m・K
無機フィラー33の材料:二酸化珪素(SiO2)
無機フィラー33の含有量:蛍光体層30全体の1wt%
蛍光体層30の厚さ:60μm〜160μm
反射材40の材料:シリコーン樹脂+酸化チタン
上記式(1)における各記号の定義は次の通りである。
Φ:蛍光体32と無機フィラー33の体積充填率(体積率)
λc:蛍光体層30の熱伝導率
λf:蛍光体32と無機フィラー33の平均の熱伝導率
λm:母材31の熱伝導率
第2実施形態、第3実施形態において、反射材40に含まれる蛍光体41、42の一部または全部を、第1実施形態の無機フィラー33の材料として説明したものからなる無機フィラーにより置き換えてもよい。
本発明は上記発明の各局面や実施形態やその変形例の説明に何ら限定されるものではない。特許請求の範囲を逸脱せず、当業者が容易に想到できる範囲で種々の変形態様もこの発明に含まれる。
10 基板
20 LED素子
30 蛍光体層
31 母材
32 蛍光体
33 無機フィラー
40 反射材
41 蛍光体
42 蛍光体
50 接合部
Claims (4)
- 基板に実装される発光素子と、
前記発光素子の光取出面を覆う蛍光体層と、
前記発光素子の前記光取出面以外の面を覆う反射材と、を有する発光装置であって、
前記蛍光体層は樹脂を母材として蛍光体と無機フィラーを含有する、発光装置。 - 前記反射材は蛍光体を含有する、請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子は接合部を介して前記基板に実装され、
前記反射材に含有される前記蛍光体のメジアン径は、前記接合部の厚さより小さい、請求項2に記載の発光装置。 - 前記蛍光体層に含有される前記蛍光体のメジアン径は前記反射材に含有される前記蛍光体のメジアン径より大きい、請求項2または請求項3に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017084987A JP2018186110A (ja) | 2017-04-24 | 2017-04-24 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017084987A JP2018186110A (ja) | 2017-04-24 | 2017-04-24 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018186110A true JP2018186110A (ja) | 2018-11-22 |
Family
ID=64357120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017084987A Pending JP2018186110A (ja) | 2017-04-24 | 2017-04-24 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018186110A (ja) |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123560A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法 |
JP2006086191A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2012083695A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-04-26 | Seiko Epson Corp | 光源装置およびプロジェクター |
WO2014068907A1 (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-08 | パナソニック株式会社 | 蛍光体、波長変換部材及び発光装置 |
US20140239328A1 (en) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package |
JP2015023162A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2017
- 2017-04-24 JP JP2017084987A patent/JP2018186110A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005123560A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-05-12 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置およびその形成方法 |
JP2006086191A (ja) * | 2004-09-14 | 2006-03-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2012083695A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-04-26 | Seiko Epson Corp | 光源装置およびプロジェクター |
WO2014068907A1 (ja) * | 2012-10-30 | 2014-05-08 | パナソニック株式会社 | 蛍光体、波長変換部材及び発光装置 |
US20140239328A1 (en) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package |
JP2015023162A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI481077B (zh) | Semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device | |
JP6790416B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6331389B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6384508B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5290670B2 (ja) | ランプ | |
JP5558665B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6065811B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
WO2015020205A1 (ja) | 発光装置 | |
JP5895598B2 (ja) | 発光装置 | |
JPWO2007018039A1 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2017188592A (ja) | 発光装置 | |
JP5895597B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2017117858A (ja) | 発光装置 | |
JP2014207349A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
TW201218428A (en) | Light emitting diode package structure | |
JP2018129424A (ja) | 発光装置 | |
US20120043569A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
JP2019145690A (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2018082027A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
US20150280080A1 (en) | Light emitting device | |
JP2011253846A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP2018129434A (ja) | 発光装置 | |
JP6928244B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5786278B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5644967B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200707 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210804 |