JP2018182041A - 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018182041A JP2018182041A JP2017078827A JP2017078827A JP2018182041A JP 2018182041 A JP2018182041 A JP 2018182041A JP 2017078827 A JP2017078827 A JP 2017078827A JP 2017078827 A JP2017078827 A JP 2017078827A JP 2018182041 A JP2018182041 A JP 2018182041A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- conductive layer
- display device
- display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 4
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 81
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002482 Cu–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】有機ＥＬ表示装置において、製造効率に優れながら、電磁ノイズによる悪影響を抑制する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、有機材料層を含む画素を含む表示領域が形成された基板と、前記表示領域を覆う導電層とを有する表示パネルを備え、前記導電層がバインダー樹脂および導電性材料を含む。
【選択図】図３
【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、有機材料層を含む画素を含む表示領域が形成された基板と、前記表示領域を覆う導電層とを有する表示パネルを備え、前記導電層がバインダー樹脂および導電性材料を含む。
【選択図】図３
Description
本発明は、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置は、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などが形成された表示パネルを有する。このような表示パネルは電磁ノイズを発生し、例えば、付加されたタッチパネルの誤作動を引き起こす場合がある。このような問題に対し、例えば、下記特許文献１では、タッチパネル部の基板や表示パネル部の基板にＩＴＯ膜を形成することが提案されている。
しかし、有機ＥＬ表示装置の製造工程において、上記ＩＴＯ膜の製膜工程が増えてしまうという問題がある。
本発明は、上記に鑑み、製造効率に優れながら、電磁ノイズによる悪影響を抑制する有機ＥＬ表示装置の提供を目的とする。
本発明の有機ＥＬ表示装置は、有機材料層を含む画素を含む表示領域が形成された基板と、前記表示領域を覆う導電層とを有する表示パネルを備え、前記導電層がバインダー樹脂および導電性材料を含む。
１つの実施形態においては、上記表示パネルの上記導電層側にタッチパネルが配置される。
１つの実施形態においては、上記導電性材料はナノワイヤおよび／またはナノチューブである。
１つの実施形態においては、上記導電層のシート抵抗が５００Ω／□以下である。
１つの実施形態においては、上記導電層の可視光透過率が９０％以上である。
１つの実施形態においては、上記表示パネルは、上記基板と上記導電層との間に上記表示領域を覆う封止層を有し、上記導電層の端部と前記封止層の端部とが一致する。
１つの実施形態においては、上記封止層は絶縁材料膜を含む。
本発明の別の局面によれば、有機ＥＬ表示装置の製造方法が提供される。この有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機材料層を含む画素を含む表示領域が形成された基板上に、前記表示領域を覆うように封止層を形成すること、前記封止層上に、前記表示領域を覆うように導電層を形成すること、および、前記導電層をエッチングマスクとして用い、前記封止層の一部をエッチングにより除去すること、を含み、前記導電層がバインダー樹脂および導電性材料を含む。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面については、同一又は同等の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略することがある。
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略の構成を示す模式図である。有機ＥＬ表示装置２は、画像を表示する画素アレイ部４と、画素アレイ部４を駆動する駆動部とを備える。有機ＥＬ表示装置２は、基板上にＴＦＴやＯＬＥＤなどの積層構造が形成された表示パネルを有する。なお、図１に示した概略図は一例であって、本実施形態はこれに限定されるものではない。
画素アレイ部４には、画素に対応してＯＬＥＤ６および画素回路８がマトリクス状に配置される。画素回路８は複数のＴＦＴ１０，１２やキャパシタ１４で構成される。
上記駆動部は、走査線駆動回路２０、映像線駆動回路２２、駆動電源回路２４および制御装置２６を含み、画素回路８を駆動しＯＬＥＤ６の発光を制御する。
走査線駆動回路２０は、画素の水平方向の並び（画素行）ごとに設けられた走査信号線２８に接続されている。走査線駆動回路２０は、制御装置２６から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線２８を順番に選択し、選択した走査信号線２８に、点灯ＴＦＴ１０をオンする電圧を印加する。
映像線駆動回路２２は、画素の垂直方向の並び（画素列）ごとに設けられた映像信号線３０に接続されている。映像線駆動回路２２は、制御装置２６から映像信号を入力され、走査線駆動回路２０による走査信号線２８の選択に合わせて、選択された画素行の映像信号に応じた電圧を各映像信号線３０に出力する。当該電圧は、選択された画素行にて点灯ＴＦＴ１０を介してキャパシタ１４に書き込まれる。駆動ＴＦＴ１２は、書き込まれた電圧に応じた電流をＯＬＥＤ６に供給し、これにより、選択された走査信号線２８に対応する画素のＯＬＥＤ６が発光する。
駆動電源回路２４は、画素列ごとに設けられた駆動電源線３２に接続され、駆動電源線３２および選択された画素行の駆動ＴＦＴ１２を介してＯＬＥＤ６に電流を供給する。
ここで、ＯＬＥＤ６の下部電極は、駆動ＴＦＴ１２に接続される。一方、各ＯＬＥＤ６の上部電極は、全画素のＯＬＥＤ６に共通の電極で構成される。下部電極を陽極（アノード）として構成する場合は、高電位が入力され、上部電極は陰極（カソード）となって低電位が入力される。下部電極を陰極（カソード）として構成する場合は、低電位が入力され、上部電極は陽極（アノード）となって高電位が入力される。
図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の表示パネルの一例を示す模式的な平面図である。表示パネル４０の表示領域４２に、図１に示した画素アレイ部４が設けられ、上述したように画素アレイ部４にはＯＬＥＤが配列される。上述したようにＯＬＥＤ６を構成する上部電極４４は、各画素に共通に形成され、表示領域４２全体を覆う。
矩形である表示パネル４０の一辺には、部品実装領域４６が設けられ、表示領域４２につながる配線が配置される。部品実装領域４６には、駆動部を構成するドライバ集積回路（ＩＣ）４８が搭載されたり、ＦＰＣ５０が接続されたりする。フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５０は、制御装置２６やその他の回路２０，２２，２４等に接続されたり、その上にＩＣを搭載されたりする。
図３は、図２のIII−III断面の一例を示す図である。表示パネル４０は、基板７０の上にＴＦＴ７２などからなる回路層、ＯＬＥＤ６、ＯＬＥＤ６を封止する封止層１０６および導電層１１８などが積層された構造を有する。基板７０は、例えば、ガラス板、ポリイミド樹脂等の樹脂フィルムで構成される。本実施形態においては、画素アレイ部４はトップエミッション型であり、ＯＬＥＤ６で生じた光は、基板７０側とは反対側（図３において上向き）に出射される。なお、有機ＥＬ表示装置２におけるカラー化方式をカラーフィルタ方式とする場合には、例えば、封止層１０６よりも上側に配置される。このカラーフィルタに、ＯＬＥＤ６にて生成した白色光を通すことで、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の光を作る。
表示領域４２の回路層には、上述した画素回路８、走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２などが形成される。駆動部の少なくとも一部分は、基板７０上に回路層として表示領域４２に隣接する領域に形成することができる。上述したように、駆動部を構成するドライバＩＣ４８やＦＰＣ５０を、部品実装領域４６にて、回路層の配線１１６に接続することができる。
図３に示すように、基板７０上には、無機絶縁材料で形成された下地層８０が配置される。無機絶縁材料としては、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮｙ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびこれらの複合体が用いられる。
表示領域４２においては、下地層８０を介して、基板７０上には、トップゲート型のＴＦＴ７２のチャネル部およびソース・ドレイン部となる半導体領域８２が形成される。半導体領域８２は、例えば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成される。半導体領域８２は、例えば、基板７０上に半導体層（ｐ−Ｓｉ膜）を設け、この半導体層をパターニングし、回路層で用いる箇所を選択的に残すことにより形成される。ＴＦＴ７２のチャネル部の上には、ゲート絶縁膜８４を介してゲート電極８６が配置される。ゲート絶縁膜８４は、代表的には、ＴＥＯＳで形成される。ゲート電極８６は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングして形成される。ゲート電極８６上には、ゲート電極８６を覆うように層間絶縁層８８が配置される。層間絶縁層８８は、例えば、上記無機絶縁材料で形成される。ＴＦＴ７２のソース・ドレイン部となる半導体領域８２（ｐ−Ｓｉ）には、イオン注入により不純物が導入され、さらにそれらに電気的に接続されたソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂが形成され、ＴＦＴ７２が構成される。
ＴＦＴ７２上には、層間絶縁膜９２が配置される。層間絶縁膜９２の表面には、配線９４が配置される。配線９４は、例えば、スパッタリング等で形成した金属膜をパターニングすることにより形成される。配線９４を形成する金属膜と、ゲート電極８６、ソース電極９０ａおよびドレイン電極９０ｂの形成に用いた金属膜とで、例えば、配線１１６および図１に示した走査信号線２８、映像信号線３０、駆動電源線３２を多層配線構造で形成することができる。この上に、例えば、アクリル系樹脂等の樹脂材料により平坦化膜９６が形成され、表示領域４２において、平坦化膜９６上にＯＬＥＤ６が形成される。
ＯＬＥＤ６は、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を含む。有機材料層１０２は、具体的には、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を含む。ＯＬＥＤ６は、代表的には、下部電極１００、有機材料層１０２および上部電極１０４を基板７０側からこの順に積層して形成される。本実施形態では、下部電極１００がＯＬＥＤの陽極（アノード）であり、上部電極１０４が陰極（カソード）である。
図３に示すＴＦＴ７２が、ｎチャネルを有した駆動ＴＦＴ１２であるとすると、下部電極１００は、ＴＦＴ７２のソース電極９０ａに接続される。具体的には、上述した平坦化膜９６の形成後、下部電極１００をＴＦＴ７２に接続するためのコンタクトホール１１０が形成され、例えば、平坦化膜９６表面およびコンタクトホール１１０内に形成した導電体部をパターニングすることにより、ＴＦＴ７２に接続された下部電極１００が画素ごとに形成される。
上記構造上には、画素を分離するバンク１１２が配置される。例えば、下部電極１００の形成後、画素境界にバンク１１２を形成し、バンク１１２で囲まれた画素の有効領域（下部電極１００の露出する領域）に、有機材料層１０２および上部電極１０４が積層される。上部電極１０４は、代表的には、透明電極材料で形成される。
上部電極１０４上には、封止層１０６が配置される。封止層１０６は、例えば、ＯＬＥＤ６を水分等から保護する保護層として機能し得るため、表示領域４２の全体を覆うように形成される。また、封止層１０６上には、導電層１１８が配置される。導電層１１８は、例えば、表示パネル４０の表面の機械的な強度を確保するための保護層としても機能し得る。一方、部品実装領域４６には、例えば、ＩＣやＦＰＣを接続し易くするため導電層１１８を設けない。ＦＰＣ５０の配線やドライバＩＣ４８の端子は、例えば、配線１１６に電気的に接続される。
表示装置においてタッチパネルを搭載する際には、タッチパネルを表示パネルに外付けする構成（アウトセル方式）と、表示パネルの外部（例えば、表示パネルと表示パネルの外側に配置される偏光板との間）に設けて一体化する構成（オンセル方式）と、表示パネルの内部に設ける構成（インセル方式）とが知られている。本実施形態では、アウトセル方式もしくはオンセル方式が採用される。具体的には、図４に示すように、表示パネル４０の導電層１１８上にタッチパネル６０が配置され、この状態で、有機ＥＬ表示装置２の筐体に格納される。なお、図４において、図３に示す表示パネル４０の積層構造のうち、基板７０上の封止層１０６および導電層１１８を除く積層構造を上部構造層１１４として簡略化して示している。
封止層１０６は、基板７０側から、第１の封止層１０６ａ、平坦化層１０８および第２の封止層１０６ｂをこの順で含む。第１の封止層１０６ａおよび第２の封止層１０６ｂは、それぞれ、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ）法によりＳｉＮｙ等の無機絶縁材料膜を、例えば、厚み数μｍ程度に成膜することにより形成される。平坦化層１０８は、例えば、アクリル系樹脂等の樹脂材料により形成される。平坦化層１０８の厚みは、例えば、１０μｍ〜５０μｍである。
導電層１１８は、バインダー樹脂および導電性材料を含む。バインダー樹脂としては、代表的には、アクリル系樹脂が用いられる。導電性材料としては、例えば、銀、金、銅、ニッケル等の金属およびこれらの合金（例えば、Ｃｕ−Ｎｉ）、カーボン、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の金属酸化物等が用いられる。バインダー樹脂と組み合わせる導電性材料としては、任意の適切な形態が採用され得るが、ナノワイヤ（代表的には、金属ナノワイヤ）および／またはナノチューブ（代表的には、カーボンナノチューブ）が好ましく用いられる。中でも、金属ナノワイヤが特に好ましく用いられる。例えば、後述の導電性および透明性を良好に満足し得るからである。ここで、ナノワイヤとは、中実構造の繊維状で、径がナノメートルサイズの導電性物質をいい、ナノチューブとは、中空構造の繊維状で、径がナノメートルサイズの導電性物質いう。これらの太さは、例えば５ｎｍ〜５００ｎｍであり、好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍである。これらの長さは、例えば１μｍ〜１０００μｍであり、好ましくは１０μｍ〜１０００μｍである。
導電層１１８は、例えば、表示部（封止層１０６より下の構造層１１４）で発生する電磁ノイズのシールド効果を十分に得る観点から、そのシート抵抗が５００Ω／□以下となるように形成されるのが好ましい。また、導電層１１８は、透明性を確保するように（例えば、可視光透過率が９０％以上となるように）形成されることが好ましい。
導電層１１８は、例えば、バインダー樹脂と導電性材料を含む塗布物を封止層１０６上に塗布し（例えば、インクジェット方式により）、バインダー樹脂の種類に応じた後処理（例えば、熱硬化処理や光硬化処理）を適宜施すことにより形成される。導電層１１８の厚みは、例えば、３μｍ〜５０μｍである。
１つの実施形態においては、導電層１１８を、製造工程において、エッチングマスクとして用いる。具体的には、端子領域に存在する封止層１０６（絶縁材料膜）を、エッチング（例えば、ドライエッチング）により除去する際のエッチングマスクとして導電層１１８を用いる。この場合、図示するように、導電層１１８の端部と封止層１０６の端部とが実質的に一致する。このように、導電性材料を樹脂材料層に含有させることで、製造効率を保持させながら、電磁ノイズのシールド効果を付与させることができる。
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態で示した構成と実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。具体的には、平坦化層１０８に上記導電性材料を含有させてもよい。
２ 有機ＥＬ表示装置、４ 画素アレイ部、６ ＯＬＥＤ、８ 画素回路、１０ 点灯ＴＦＴ、１２ 駆動ＴＦＴ、１４ キャパシタ、２０ 走査線駆動回路、２２ 映像線駆動回路、２４ 駆動電源回路、２６ 制御装置、２８ 走査信号線、３０ 映像信号線、３２ 駆動電源線、４０ 表示パネル、４２ 表示領域、４４ 上部電極、４６ 部品実装領域、４８ ドライバＩＣ、５０ ＦＰＣ、６０ タッチパネル、７０ 基板、７２ ＴＦＴ、８０ 下地層、８２ 半導体領域、８４ ゲート絶縁膜、８６ ゲート電極、８８ 層間絶縁層、９０ａ ソース電極、９０ｂ ドレイン電極、９２ 層間絶縁膜、９４ 配線、９６ 平坦化膜、１００ 下部電極、１０２ 有機材料層、１０４ 上部電極、１０６ 封止層、１０８ 平坦化層、１１０ コンタクトホール、１１２ バンク、１１４ 上部構造層、１１６ 配線、１１８ 導電層。
Claims (8)
- 有機材料層を含む画素を含む表示領域が形成された基板と、前記表示領域を覆う導電層とを有する表示パネルを備え、
前記導電層がバインダー樹脂および導電性材料を含む、
有機ＥＬ表示装置。 - 前記表示パネルの前記導電層側にタッチパネルが配置される、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記導電性材料がナノワイヤおよび／またはナノチューブである、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記導電層のシート抵抗が５００Ω／□以下である、請求項１から３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記導電層の可視光透過率が９０％以上である、請求項１から４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
- 前記表示パネルが、前記基板と前記導電層との間に前記表示領域を覆う封止層を有し、
前記導電層の端部と前記封止層の端部とが一致する、請求項１から５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。 - 前記封止層が絶縁材料膜を含む、請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
- 有機材料層を含む画素を含む表示領域が形成された基板上に、前記表示領域を覆うように封止層を形成すること、
前記封止層上に、前記表示領域を覆うように導電層を形成すること、および、
前記導電層をエッチングマスクとして用い、前記封止層の一部をエッチングにより除去すること、を含み、
前記導電層がバインダー樹脂および導電性材料を含む、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017078827A JP2018182041A (ja) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| US15/943,767 US10861907B2 (en) | 2017-04-12 | 2018-04-03 | Display device and method of manufacturing a display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017078827A JP2018182041A (ja) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018182041A true JP2018182041A (ja) | 2018-11-15 |
Family
ID=63790302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017078827A Pending JP2018182041A (ja) | 2017-04-12 | 2017-04-12 | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10861907B2 (ja) |
| JP (1) | JP2018182041A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6930571B2 (ja) * | 2019-11-18 | 2021-09-01 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| CN112951891A (zh) * | 2021-02-26 | 2021-06-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003099193A (ja) | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Tohoku Pioneer Corp | 画面表示入力装置 |
| JP4932758B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2012-05-16 | 富士フイルム株式会社 | 発光デバイス及びその製造方法 |
| US10452201B1 (en) * | 2018-03-30 | 2019-10-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Touch sensor for display with shield |
-
2017
- 2017-04-12 JP JP2017078827A patent/JP2018182041A/ja active Pending
-
2018
- 2018-04-03 US US15/943,767 patent/US10861907B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20180301517A1 (en) | 2018-10-18 |
| US10861907B2 (en) | 2020-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10515587B2 (en) | Light-emitting element and display device | |
| US9710084B2 (en) | Organic light-emitting diode (OLED) display | |
| KR102090703B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101182233B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US10937838B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| CN107079561B (zh) | 显示装置、制造显示装置的方法以及电子装置 | |
| US10134828B2 (en) | Display device and method of manufacturing a display device | |
| US11335758B2 (en) | Display device and array substrate | |
| WO2019012769A1 (ja) | 表示装置、および表示装置の製造方法 | |
| US10908734B2 (en) | Display device | |
| KR102640114B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| JP7320407B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2016045979A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| KR102247825B1 (ko) | 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2018182041A (ja) | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| WO2018220683A1 (ja) | 表示装置及び表示装置の製造方法 | |
| JP2019179696A (ja) | 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| JP2018054963A (ja) | 半導体装置、表示装置、および半導体装置の製造方法 | |
| JP2010277781A (ja) | 有機ｅｌ装置 | |
| JP2018205583A (ja) | 表示装置 | |
| WO2019138721A1 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法 | |
| JP6817862B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2008310099A (ja) | 有機ｅｌ装置および電子機器 | |
| WO2019150438A1 (ja) | 表示デバイス | |
| JP2021060612A (ja) | 素子基板 |