JP2018152592A

JP2018152592A - Efem

Info

Publication number: JP2018152592A
Application number: JP2018099345A
Authority: JP
Inventors: 俊宏河合; Toshihiro Kawai; 邦彦佐藤; Kunihiko Sato; 育志谷山; Yasushi Taniyama
Original assignee: Sinfonia Technology Co Ltd
Current assignee: Sinfonia Technology Co Ltd
Priority date: 2018-05-24
Filing date: 2018-05-24
Publication date: 2018-09-27
Anticipated expiration: 2034-01-31
Also published as: JP6583482B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an EFEM capable of transporting a wafer without exposing to atmosphere causing change of surface quality or adhesion of particles.SOLUTION: An EFEM includes an enclosure where multiple load ports 4 are connected with an opening 31a provided in the wall surface, i.e., a front wall 31, and constituting a wafer transport chamber 9 internally, a gas delivery port 11 provided at an upper part of the wafer transport chamber 9, and delivering gas into the wafer transport chamber 9, a gas suction port 12 provided at a lower part of the wafer transport chamber 9, and sucking gas in the wafer transport chamber 9, a gas feedback channel for feeding back the gas sucked from the gas suction port 12 to the gas delivery port 11, and a FFU13 provided at the gas delivery port 11, and including a filter for removing particles contained in the gas to be delivered. Nitrogen in the wafer transport chamber 9 is circulated by generating a downward current in the wafer transport chamber 9, and feeding back gas via the gas feedback channel.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、搬送中のウェーハを外気に晒すことのないよう、ウェーハ搬送室内のガスを循環させることのできるＥＦＥＭ（Equipment Front End Module）に関するものである。 The present invention relates to an EFEM (Equipment Front End Module) capable of circulating a gas in a wafer transfer chamber so that the wafer being transferred is not exposed to the outside air.

従来より、基板としてのウェーハに対し種々の処理工程が施されることにより半導体の製造がなされてきている。近年では素子の高集積化や回路の微細化がますます進められており、ウェーハ表面へのパーティクルや水分の付着が生じないように、ウェーハ周辺を高いクリーン度に維持することが求められている。さらに、ウェーハ表面が酸化するなど表面の性状が変化することがないよう、ウェーハ周辺を不活性ガスである窒素雰囲気としたり、真空状態としたりすることも行われている。 Conventionally, semiconductors have been manufactured by performing various processing steps on a wafer as a substrate. In recent years, higher integration of devices and circuit miniaturization have been promoted, and it is required to maintain the wafer periphery with a high degree of cleanliness so that particles and moisture do not adhere to the wafer surface. . Furthermore, in order not to change the surface properties such as oxidation of the wafer surface, the periphery of the wafer is made an inert gas nitrogen atmosphere or a vacuum state.

こうしたウェーハ周辺の雰囲気を適切に維持するために、ウェーハは、ＦＯＵＰ（Front-Opening Unified Pod）と呼ばれる密閉式の格納ポッドの内部に入れて管理され、この内部には窒素が充填される。さらに、ウェーハに処理を行う処理装置と、ＦＯＵＰとの間でウェーハの受け渡しを行うために、下記特許文献１に開示されるようなＥＦＥＭが利用されている。ＥＦＥＭは、筐体の内部で略閉止されたウェーハ搬送室を構成するとともに、その対向壁面の一方にＦＯＵＰとの間でのインターフェース部として機能するロードポート（Load Port）を備えるとともに、他方に処理装置の一部であるロードロック室が接続される。ウェーハ搬送室内には、ウェーハを搬送するためのウェーハ搬送装置が設けられており、このウェーハ搬送装置を用いて、ロードポートに接続されるＦＯＵＰとロードロック室との間でウェーハの出し入れが行われる。 In order to properly maintain the atmosphere around the wafer, the wafer is managed in a sealed storage pod called FOUP (Front-Opening Unified Pod), which is filled with nitrogen. Further, EFEM as disclosed in Patent Document 1 below is used to transfer a wafer between a processing apparatus for processing a wafer and the FOUP. The EFEM constitutes a wafer transfer chamber that is substantially closed inside the housing, and has a load port that functions as an interface unit with the FOUP on one of its opposing wall surfaces, and a process on the other side. A load lock chamber which is part of the apparatus is connected. A wafer transfer device for transferring wafers is provided in the wafer transfer chamber, and wafers are taken in and out between the FOUP connected to the load port and the load lock chamber using this wafer transfer device. .

すなわち、ウェーハは一方の受け渡し位置となるＦＯＵＰ（ロードポート）より、ウェーハ搬送装置を用いて取り出され、もう一方の受け渡し位置となるロードロック室に搬送される。そして、処理装置では、ロードロック室を通じて搬送されるウェーハに対してプロセスチャンバーと称される処理ユニット内で処理を施し、処理の完了後に、再びロードロック室を介してウェーハが取り出されてＦＯＵＰ内に戻される。 That is, a wafer is taken out from a FOUP (load port) serving as one delivery position using a wafer conveyance device, and conveyed to a load lock chamber serving as the other delivery position. In the processing apparatus, the wafer transferred through the load lock chamber is processed in a processing unit called a process chamber, and after the processing is completed, the wafer is taken out again through the load lock chamber and stored in the FOUP. Returned to

処理装置内は、ウェーハに対する処理を速やかに行うことができるように、処理に応じた真空等の特殊な雰囲気とされる。また、ＥＦＥＭにおけるウェーハ搬送室の内部は、化学フィルタ等を通じて清浄化されたエアを導入することで、高いクリーン度のクリーンエア雰囲気とされており、搬送中のウェーハの表面にパーティクル等の付着による汚染が無いようにされている。 The inside of the processing apparatus has a special atmosphere such as a vacuum corresponding to the processing so that the wafer can be processed quickly. In addition, the inside of the wafer transfer chamber in the EFEM has a clean air atmosphere with high cleanliness by introducing air that has been cleaned through a chemical filter or the like, and is caused by adhesion of particles or the like to the surface of the wafer being transferred. There is no contamination.

特開２０１２−４９３８２号公報JP 2012-49382 A

しかしながら、近年、ますますのクリーン化が進められる中で、ＥＦＥＭのウェーハ搬送室内はクリーン度が比較的高いものの、ＦＯＵＰ内や処理装置内とは異なる空気雰囲気であることによる影響が懸念されるようになってきている。 In recent years, however, the EFEM wafer transfer chamber has a relatively high degree of cleanliness, and there is a concern that the air atmosphere is different from that in the FOUP and the processing equipment. It is becoming.

すなわち、空気雰囲気に晒されることにより基板表面に水分や酸素が付着しやすく、腐食や酸化が生じる可能性がある。また、処理装置において用いられた腐食性ガス等がウェーハの表面に残留している場合には、ウェーハ表面の配線材料を腐食して歩留りの悪化が生じる可能性もある。さらに、腐食元素は水分の存在により腐食反応を加速させるため、腐食性ガスと水分の双方が存在することで、より速く腐食が進行する可能性もある。 That is, exposure to an air atmosphere tends to cause moisture and oxygen to adhere to the substrate surface, which may cause corrosion and oxidation. Further, when the corrosive gas or the like used in the processing apparatus remains on the wafer surface, the wiring material on the wafer surface may be corroded and the yield may be deteriorated. Furthermore, since the corrosion element accelerates the corrosion reaction due to the presence of moisture, there is a possibility that the corrosion proceeds more quickly when both the corrosive gas and the moisture exist.

また、ウェーハの受け渡しを行う際に、ロードポートに設けられたパージ部よりＦＯＵＰに不活性ガスである窒素等を注入することでＦＯＵＰ内を加圧し、ＦＯＵＰ内にウェーハ搬送室内の空気雰囲気が侵入することを防止するよう構成した場合には、ウェーハの受け渡しが完了するまでの間ＦＯＵＰ内に窒素を注入し続けなくてはならず、注入した窒素はウェーハ搬送室へと流出してしまうため、窒素の使用量が膨大なものとなり、コストが増大するという問題が生じる。 In addition, when delivering a wafer, the inside of the FOUP is pressurized by injecting inert gas such as nitrogen into the FOUP from the purge section provided in the load port, and the air atmosphere in the wafer transfer chamber enters the FOUP. If it is configured to prevent this, nitrogen must be continuously injected into the FOUP until the delivery of the wafer is completed, and the injected nitrogen will flow out into the wafer transfer chamber. There is a problem that the amount of nitrogen used becomes enormous and the cost increases.

これを避けるためには、ウェーハ搬送室の内部をＦＯＵＰと同様窒素雰囲気にすることが考えられるが、単にウェーハ搬送の開始時に窒素雰囲気にするだけでは、時間の経過とともにウェーハ搬送室内のクリーン度が低下し、この内部での搬送中にウェーハ表面にパーティクルが付着する可能性が生じるとともに、処理装置において用いられた腐食性ガス等の影響も増加する。また、ウェーハ搬送室内に常に窒素を供給し続けた場合は、さらに窒素の使用量が膨大なものとなり、コスト増大に対する解決策とはならない。 In order to avoid this, it is conceivable to make the inside of the wafer transfer chamber a nitrogen atmosphere like FOUP. However, if the nitrogen atmosphere is simply set at the start of wafer transfer, the cleanliness of the wafer transfer chamber over time will increase. This lowers the possibility of particles adhering to the wafer surface during the transfer inside, and also increases the influence of the corrosive gas used in the processing apparatus. In addition, if nitrogen is continuously supplied into the wafer transfer chamber, the amount of nitrogen used becomes enormous, which is not a solution to the increase in cost.

加えて、ウェーハ搬送室内における上記の問題は、処理や保管場所とは異なる雰囲気のもとで搬送を行う限り、ウェーハ以外の基板を搬送する場合においても同様に生じるものといえる。 In addition, it can be said that the above-described problem in the wafer transfer chamber similarly occurs when a substrate other than the wafer is transferred as long as the transfer is performed in an atmosphere different from the processing or storage location.

本発明は、このような課題を有効に解決することを目的としており、具体的には、コストの増大を避けながら、搬送中のウェーハを、表面性状の変化やパーティクルの付着を生じさせる雰囲気に晒すことなく、ウェーハへのパーティクルの付着の抑制や、ウェーハ表面の性状の管理を適切に行うことのできるＥＦＥＭを提供することを目的としている。 An object of the present invention is to effectively solve such problems. Specifically, while avoiding an increase in cost, the wafer being transferred is brought into an atmosphere that causes changes in surface properties and adhesion of particles. It is an object of the present invention to provide an EFEM that can appropriately suppress the adhesion of particles to a wafer and manage the properties of the wafer surface without exposing the wafer.

本発明は、かかる目的を達成するために、次のような手段を講じたものである。 In order to achieve this object, the present invention takes the following measures.

すなわち、本発明のＥＦＥＭは、壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、前記ウェーハ搬送室内に配設され、前記ロードポートに載置されたＦＯＵＰと前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置と、前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内にガスを送出するガス送出口と、前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内のガスを吸引するガス吸引口と、前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路と、前記ガス送出口に設けられ、送出するガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタとを具備し、前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介してガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内のガスを循環させるように構成したことを特徴とする。 That is, the EFEM of the present invention is disposed in the wafer transfer chamber and a housing that internally includes a wafer transfer chamber that is substantially closed by connecting a load port and a processing apparatus to an opening provided on a wall surface. A wafer transfer device for transferring a wafer between the FOUP placed on the load port and the processing apparatus, and a gas outlet provided at the upper part of the wafer transfer chamber for sending gas into the wafer transfer chamber A gas suction port that is provided in a lower portion of the wafer transfer chamber and sucks the gas in the wafer transfer chamber, a gas return path that returns the gas sucked from the gas suction port to the gas delivery port, and the gas A filter that is provided at the delivery port and removes particles contained in the delivered gas, and generates a downdraft in the wafer transfer chamber and the gas By feeding back the gas through the Kaero, characterized by being configured to circulate the wafer transfer chamber of a gas.

このように構成すると、ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともにガス帰還路を通じてガスを循環させることで、ウェーハ搬送室が略閉止された空間となっていることと相まって、ウェーハ搬送室内を適切なガス雰囲気下に維持することが可能となる。そのため、ウェーハの搬送を外気にさらすことなく行うことができ、パーティクルの付着を抑制することが可能となる。また、ガス送出口にフィルタが設けられていることで、ガスを循環させる間にパーティクルを除去することが可能となる。さらに、ウェーハ搬送室に下降気流が生じていることで、ウェーハ上部に付着したパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室内にパーティクルが浮遊することを防止することが可能となる。また、ガスを循環させることによって当該ガスの消費を抑制し、コストを削減することが可能となる。 With this configuration, a downward air flow is generated in the wafer transfer chamber and gas is circulated through the gas return path, so that the wafer transfer chamber is appropriately closed in combination with the substantially closed space of the wafer transfer chamber. It can be maintained in a gas atmosphere. Therefore, the wafer can be transported without being exposed to the outside air, and particle adhesion can be suppressed. In addition, since a filter is provided at the gas outlet, particles can be removed while the gas is circulated. Furthermore, since the downward airflow is generated in the wafer transfer chamber, it is possible to remove particles adhering to the upper portion of the wafer and to prevent the particles from floating in the wafer transfer chamber. Further, by circulating the gas, consumption of the gas can be suppressed and the cost can be reduced.

外観を変更することなく大きな流路面積を確保し、ロードロック室などＥＦＥＭ外部の装置と干渉することを防止するとともに、部品点数の増加を抑えて製造コストの上昇を抑えるためには、前記筐体の壁面と当該壁面の内側に設けた仕切り部材との間の空間を前記ガス帰還路の一部とするとともに、前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが前記仕切り部材によって分離されるように構成することが好ましい。 In order to secure a large flow path area without changing the appearance, prevent interference with devices outside the EFEM, such as a load lock chamber, and to suppress an increase in the number of parts and an increase in manufacturing cost, A space between a wall surface of the body and a partition member provided inside the wall surface is used as a part of the gas return path, and the wafer transfer chamber and the gas return path are separated by the partition member. It is preferable to configure.

また、ウェーハ搬送装置の駆動領域外のデッドスペースを有効に利用し、ウェーハの搬送を妨げることを防止しつつガスの流量を確保するためには、前記ロードポートを接続する開口と前記処理装置を接続する開口とが前記筐体の対向する位置に設けられており、前記ガス帰還路が前記ガス吸引口から前記処理装置を接続する開口の両側を経由して前記ガス送出口に連続するように構成することが好適である。 Further, in order to effectively use the dead space outside the driving area of the wafer transfer device and prevent the wafer transfer from being hindered, in order to ensure the gas flow rate, the opening connecting the load port and the processing device are provided. An opening to be connected is provided at a position facing the casing, and the gas return path is continuous from the gas suction port to the gas delivery port via both sides of the opening connecting the processing apparatus. It is preferable to configure.

さらに、ウェーハ搬送室とガス帰還路とを流れるガスの循環を円滑に行うためには、前記ガス送出口に第１の送風手段が接続されるとともに、前記ガス吸引口に第２の送風手段が接続されており、前記第１の送風手段により前記ガス送出口から前記ウェーハ搬送室内にガスを送出させ、前記第２の送風手段により前記ガス吸引口から前記ウェーハ搬送室内のガスを吸引するように構成することが望ましい。 Further, in order to smoothly circulate the gas flowing through the wafer transfer chamber and the gas return path, a first blowing unit is connected to the gas delivery port, and a second blowing unit is connected to the gas suction port. The gas is sent from the gas delivery port into the wafer transfer chamber by the first blowing unit, and the gas in the wafer transfer chamber is sucked from the gas suction port by the second blowing unit. It is desirable to configure.

加えて、ウェーハ搬送室内を適切なガス雰囲気に置換し、酸素ガスや水分等がウェーハ表面に付着してウェーハの処理を阻害し、歩留りが低下することを防止するとともに、ウェーハ搬送室内の窒素の一部が外部に流出した場合には、流出分のガスを供給することで、ウェーハ搬送室内の状態を一定に保つためには、前記ウェーハ搬送室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ウェーハ搬送室内よりガスを排出するためのガス排出手段とをさらに備えるように構成することが有効である。 In addition, the inside of the wafer transfer chamber is replaced with an appropriate gas atmosphere, and oxygen gas or moisture adheres to the wafer surface to obstruct the wafer processing and prevent the yield from decreasing. In order to keep the state in the wafer transfer chamber constant by supplying gas for the outflow when a part flows out to the outside, a gas supply means for supplying gas into the wafer transfer chamber, and the wafer It is effective to further comprise a gas discharge means for discharging gas from the transfer chamber.

また、処理装置における処理等で生じウェーハ搬送室内に流入した分子状汚染物質を除去するためには、前記ガス吸引口にケミカルフィルタが設けられ、前記ウェーハ搬送室内のガスは前記ケミカルフィルタを介してガス帰還路に流入することが望ましい。 In addition, in order to remove molecular contaminants generated by processing in the processing apparatus and flowing into the wafer transfer chamber, a chemical filter is provided in the gas suction port, and the gas in the wafer transfer chamber passes through the chemical filter. It is desirable to flow into the gas return path.

加えて、ウェーハ搬送装置とガス吸引口とを互いに干渉することなく配置するとともに、ウェーハ搬送室内の下降気流を妨げず、気流の乱れによってパーティクルが浮遊することを防止するためには、前記ウェーハ搬送装置が前記筐体の壁面に支持されるように構成することが好ましい。 In addition, in order to arrange the wafer transfer device and the gas suction port without interfering with each other and to prevent the particles from floating due to the turbulence of the air flow without disturbing the downward air flow in the wafer transfer chamber, the wafer transfer It is preferable that the apparatus is configured to be supported on the wall surface of the casing.

そして、酸素や湿気等によるウェーハ表面の性状の変化を抑制し、歩留りが低下することを防止するためには、前記ガスとして不活性ガスを用いるように構成することが好ましい。 In order to suppress the change in the properties of the wafer surface due to oxygen, moisture, etc., and to prevent the yield from decreasing, it is preferable to use an inert gas as the gas.

以上説明した本発明によれば、コストの増大を避けながら、搬送中のウェーハを、表面性状の変化やパーティクルの付着を生じさせる雰囲気に晒すことなく、ウェーハへのパーティクルの付着の抑制や、ウェーハの表面の性状の管理を適切に行うことのできるＥＦＥＭを提供することが可能となる。 According to the present invention described above, it is possible to suppress adhesion of particles to the wafer without exposing the wafer being transferred to an atmosphere that causes change in surface properties or adhesion of particles, while avoiding an increase in cost. It is possible to provide an EFEM that can appropriately manage the surface properties of the surface.

本発明の実施形態に係るＥＦＥＭと処理装置との関係を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the relationship between EFEM and the processing apparatus which concern on embodiment of this invention. 同ＥＦＥＭの側面壁を取り外した状態を示す側面図。The side view which shows the state which removed the side wall of the same EFEM. 同ＥＦＥＭの一部を破断して示す斜視図。The perspective view which fractures | ruptures and shows a part of the EFEM. 同ＥＦＥＭの循環路におけるガスの流れを示す模式図。The schematic diagram which shows the flow of the gas in the circulation path of the same EFEM. 同ＥＦＥＭを処理装置側より見た状態を示す背面図。The rear view which shows the state which looked at the same EFEM from the processing apparatus side. 同ＥＦＥＭのガス帰還路の構成部材を示す要部拡大斜視図。The principal part expansion perspective view which shows the structural member of the gas return path of the same EFEM. 図６のＡ−Ａ位置及びＢ−Ｂ位置におけるガス帰還路の断面を示す斜視図。The perspective view which shows the cross section of the gas return path in the AA position and BB position of FIG.

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の実施形態に係るＥＦＥＭ１と、これと接続する処理装置６の天板等を取り除くことで内部が見えるようにし、これらＥＦＥＭ１と処理装置６との関係を模式的に示した平面図である。また、図２は、ＥＦＥＭ１の側面の壁を取り除くことで内部が見えるようにした側面図である。これら図１及び２に示すように、ＥＦＥＭ１は、所定の受け渡し位置間でウェーハＷの搬送を行うウェーハ搬送装置２と、このウェーハ搬送装置２を囲むように設けられた箱型の筐体３と、筐体３の前面側の壁（前面壁３１）の外側に接続される複数（図中では３つ）のロードポート４〜４と、制御手段５とから構成されている。 FIG. 1 schematically shows the relationship between the EFEM 1 and the processing apparatus 6 by removing the top plate of the EFEM 1 according to the embodiment of the present invention and the processing apparatus 6 connected thereto, and the like. It is a top view. FIG. 2 is a side view in which the inside of the EFEM 1 is made visible by removing the side wall. As shown in FIGS. 1 and 2, the EFEM 1 includes a wafer transfer device 2 that transfers a wafer W between predetermined delivery positions, and a box-shaped housing 3 that is provided so as to surround the wafer transfer device 2. A plurality of (three in the figure) load ports 4 to 4 connected to the outside of the front wall (front wall 31) of the housing 3 and the control means 5 are configured.

ここで、本願においては筐体３より見てロードポート４〜４が接続される側の向きを前方、前面壁３１と対向する背面壁３２側の向きを後方と定義し、さらに、前後方向及び垂直方向に直交する方向を側方と定義する。すなわち、３つのロードポート４〜４は側方に並んで配置されている。 Here, in the present application, the direction on the side to which the load ports 4 to 4 are connected as viewed from the housing 3 is defined as the front, the direction on the back wall 32 facing the front wall 31 is defined as the rear, The direction orthogonal to the vertical direction is defined as the side. That is, the three load ports 4 to 4 are arranged side by side.

また、ＥＦＥＭ１は、図１に示すように、背面壁３２の外側に隣接して、処理装置６の一部を構成するロードロック室６１が接続できるようになっており、ＥＦＥＭ１とロードロック室６１との間に設けられた扉１ａを開放することで、ＥＦＥＭ１内とロードロック室６１とを連通した状態とすることが可能となっている。処理装置６としては種々様々なものを使用できるが、一般には、ロードロック室６１と隣接して搬送室６２が設けられ、さらに搬送室６２と隣接して、ウェーハＷに処理を行う複数（図中では３つ）の処理ユニット６３〜６３が設けられる構成となっている。搬送室６２と、ロードロック室６１や処理ユニット６３〜６３との間には、それぞれ扉６２ａ，６３ａ〜６３ａが設けられており、これを開放することで各々の間を連通させることができ、搬送室６２内に設けられた搬送ロボット６４を用いてロードロック室６１及び処理ユニット６３〜６３の間でウェーハＷを移動させることが可能となっている。 Further, as shown in FIG. 1, the EFEM 1 can be connected to a load lock chamber 61 constituting a part of the processing apparatus 6 adjacent to the outside of the back wall 32, and the EFEM 1 and the load lock chamber 61. It is possible to make the inside of EFEM1 and the load lock chamber 61 communicate with each other by opening the door 1a provided between the two. Various processing apparatuses 6 can be used. Generally, a transfer chamber 62 is provided adjacent to the load lock chamber 61, and a plurality of wafers W are processed adjacent to the transfer chamber 62 (see FIG. Among them, three processing units 63 to 63 are provided. Doors 62a and 63a to 63a are provided between the transfer chamber 62 and the load lock chamber 61 and the processing units 63 to 63, respectively, and can be communicated with each other by opening them. The wafer W can be moved between the load lock chamber 61 and the processing units 63 to 63 by using a transfer robot 64 provided in the transfer chamber 62.

ウェーハ搬送装置２は、図１及び図２に示すように、ウェーハＷを載置して搬送するピックを備えたアーム部２ａとこのアーム部２ａを下方より支持し、アーム部を動作させるための駆動機構及び昇降機構を有するベース部２ｂとから構成されており、ベース部２ｂは、筐体３の前面壁３１に支持部２１及びガイドレール２２を介して支持されている。そして、ウェーハ搬送装置２は筐体３内の幅方向に延在するガイドレール２２に沿って移動できるようになっており、制御手段５がウェーハ搬送装置２の動作を制御することによって側方に並んだ各ロードポート４〜４に載置されたＦＯＵＰ７に収容されているウェーハＷをロードロック室６１へ搬送すること及び、各処理ユニット６３〜６３にて処理が行われた後のウェーハＷをＦＯＵＰ７内へ再び搬送することが可能となっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer transfer device 2 supports an arm 2a having a pick for mounting and transferring the wafer W, and supports the arm 2a from below, and operates the arm. The base portion 2 b includes a drive mechanism and an elevating mechanism. The base portion 2 b is supported on the front wall 31 of the housing 3 via a support portion 21 and a guide rail 22. The wafer transfer device 2 can move along a guide rail 22 extending in the width direction in the housing 3, and the control means 5 controls the operation of the wafer transfer device 2 to the side. The wafer W accommodated in the FOUP 7 placed in each of the load ports 4 to 4 is transferred to the load lock chamber 61, and the wafer W after being processed in each of the processing units 63 to 63 is transferred. It can be conveyed again into the FOUP 7.

筐体３は、ウェーハ搬送装置２の四方を囲む前面壁３１、背面壁３２、側面壁３３，３４と、天井壁３５、底壁３６、さらに上記の筐体壁３１〜３５を支える支柱３７ａ〜３７ｄとを含んで構成され、前面壁３１に設けられた開口３１ａにロードポート４〜４が、背面壁３２に設けられた矩形状の開口３２ａにロードロック室６１が接続されることで、内部で略閉止空間ＣＳが形成されている。なお、上述した各部材は、部材間に内部のガスが流出する隙間を生じないよう精密に取り付けられているが、部材間にシール部材を設け、さらに筐体３内の気密性を高めるように構成してもよい。また、背面壁３２に設けられた開口３２ａは、駆動機構１ｂを有し、上下に駆動する一般にゲートバルブと称される扉１ａ（図３参照）によって閉止することが可能となっている。なお、図示及び説明を省略するが、側面壁３３，３４にも開口が設けられており、一方はウェーハＷの位置調整に利用されるアライナが接続されるものとなっており、他方は通常時は閉じられたメンテナンス用の開口となっている。 The casing 3 includes a front wall 31, a rear wall 32, side walls 33 and 34 that surround the four sides of the wafer transfer apparatus 2, a ceiling wall 35, a bottom wall 36, and support columns 37 a to 37 that support the casing walls 31 to 35. 37d, and the load port 4-4 is connected to the opening 31a provided in the front wall 31, and the load lock chamber 61 is connected to the rectangular opening 32a provided in the back wall 32, so that the inside A substantially closed space CS is formed. The above-described members are precisely attached so as not to generate a gap through which the internal gas flows out between the members, but a sealing member is provided between the members to further improve the airtightness in the housing 3. It may be configured. The opening 32a provided in the back wall 32 has a drive mechanism 1b and can be closed by a door 1a (refer to FIG. 3) generally called a gate valve that is driven up and down. Although illustration and explanation are omitted, the side walls 33 and 34 are also provided with openings, one of which is connected to an aligner used for position adjustment of the wafer W, and the other is in a normal state. Is a closed maintenance opening.

ロードポート４は扉４ａを備えており、この扉４ａがＦＯＵＰ７に設けられた蓋部７ａと連結してともに移動することで、ＦＯＵＰ７が略閉止空間ＣＳに対して開放されるようになっている。ＦＯＵＰ７内には載置部が上下方向に多数設けられており、これによって多数のウェーハＷを格納することができる。また、ＦＯＵＰ７内には通常窒素が充填されるとともに、制御手段５の制御によってロードポート４を介してＦＯＵＰ７内の雰囲気を窒素置換することも可能となっている。 The load port 4 is provided with a door 4a. The door 4a is connected to a lid portion 7a provided on the FOUP 7 and moved together, so that the FOUP 7 is opened to the substantially closed space CS. . A large number of mounting portions are provided in the FOUP 7 in the vertical direction, whereby a large number of wafers W can be stored. The FOUP 7 is normally filled with nitrogen, and the atmosphere in the FOUP 7 can be replaced with nitrogen through the load port 4 under the control of the control means 5.

制御手段５は、筐体３の天井壁３５より上方の、天板３８との間に位置する上部空間ＵＳに設けられたコントローラユニットとして構成され、ウェーハ搬送装置２の駆動制御、ロードポート４〜４によるＦＯＵＰ７の窒素置換制御、扉１ａ，４ａ〜４ａの開閉制御及び、筐体３内における窒素循環制御等を行っている。制御手段５は、ＣＰＵ、メモリ及びインターフェースを備えた通常のマイクロプロセッサ等により構成されるもので、メモリには予め処理に必要なプログラムが格納してあり、ＣＰＵは逐次必要なプログラムを取り出して実行し、周辺ハードリソースと協働して所期の機能を実現するものとなっている。なお、窒素循環制御については後述する。 The control means 5 is configured as a controller unit provided in the upper space US located between the top wall 38 above the ceiling wall 35 of the housing 3, and controls the driving of the wafer transfer device 2 and the load ports 4 to 4. 4 performs nitrogen replacement control of the FOUP 7, door opening / closing control of the doors 1 a and 4 a to 4 a, nitrogen circulation control in the housing 3, and the like. The control means 5 is constituted by a normal microprocessor or the like having a CPU, a memory, and an interface. The memory stores a program necessary for processing in advance, and the CPU sequentially extracts and executes the necessary program. In addition, the desired functions are realized in cooperation with peripheral hardware resources. The nitrogen circulation control will be described later.

略閉止空間ＣＳは、図４に示すように仕切り部材８によってウェーハ搬送装置２が駆動する空間であるウェーハ搬送室９と、ガス帰還路１０とに仕切られている。そして、ウェーハ搬送室９とガス帰還路１０とは、ウェーハ搬送室９の上部に幅方向に延在して設けられたガス送出口１１とウェーハ搬送室９の下部に幅方向に延在して設けられたガス吸引口１２とにおいてのみ連通しており、ガス送出口１１とガス吸引口１２とがウェーハ搬送室９内に下降気流を生じさせ、ガス帰還路１０内に上昇気流を生じさせることで、略閉止空間ＣＳ内に図４に矢印で示す循環路Ｃｉを形成し、ガスが循環するようになっている。この時、ウェーハ搬送室９は、前面壁３１、背面壁３２（扉１ａを含む、図３参照）、ロードポート４（扉４ａを含む）、側面壁３３，３４、底壁３６及び仕切り部材８によって閉止された空間となる。なお、本実施形態においては、この略閉止空間ＣＳに不活性ガスである窒素を循環させることとするが、循環させるガスはこれに限られるものではなく、他のガスを用いることもできる。 As shown in FIG. 4, the substantially closed space CS is partitioned by a partition member 8 into a wafer transfer chamber 9 that is a space driven by the wafer transfer apparatus 2 and a gas return path 10. The wafer transfer chamber 9 and the gas return path 10 extend in the width direction at the gas delivery port 11 provided at the upper part of the wafer transfer chamber 9 in the width direction and at the lower part of the wafer transfer chamber 9. It communicates only with the provided gas suction port 12, and the gas delivery port 11 and the gas suction port 12 generate a downward air flow in the wafer transfer chamber 9 and an upward air flow in the gas return path 10. Thus, a circulation path Ci indicated by an arrow in FIG. 4 is formed in the substantially closed space CS so that the gas circulates. At this time, the wafer transfer chamber 9 includes a front wall 31, a rear wall 32 (including the door 1a, see FIG. 3), a load port 4 (including the door 4a), the side walls 33 and 34, the bottom wall 36, and the partition member 8. It becomes a space closed by. In the present embodiment, nitrogen, which is an inert gas, is circulated in the substantially closed space CS. However, the circulated gas is not limited to this, and other gases can be used.

次に、ガス帰還路１０の構成を詳細に説明する。図４に示すように、ガス帰還路１０は底壁３６、背面壁３２、天井壁３５及び仕切り部材８によって閉止された空間であり、ウェーハ搬送室９の下部においてガス吸引口１２から吸引されたガスを、ウェーハ搬送室９上部のガス送出口１１へ帰還させるために設けられる。 Next, the configuration of the gas return path 10 will be described in detail. As shown in FIG. 4, the gas return path 10 is a space closed by the bottom wall 36, the back wall 32, the ceiling wall 35, and the partition member 8, and is sucked from the gas suction port 12 in the lower part of the wafer transfer chamber 9. It is provided for returning the gas to the gas delivery port 11 at the top of the wafer transfer chamber 9.

帰還路１０の背面側上部には略閉止空間ＣＳ内に窒素を導入するガス供給手段１６が接続されており、制御手段５（図２参照）からの命令に基づいて窒素の供給と供給の停止を制御することが可能となっている。そのため、窒素の一部が略閉止空間ＣＳの外部に流出した場合には、ガス供給手段１６が流出分の窒素を供給することによって、略閉止空間ＣＳ中の窒素雰囲気を一定に保つことができる。また、背面側下部には略閉止空間ＣＳ中のガスを排出するガス排出手段１７が接続されており、制御手段５からの命令に基づいて動作して、図示しないシャッタを開放することによって略閉止空間ＣＳの内部と外部に設けられたガス排出先とを連通させることが可能となっている。そして、上述したガス供給手段１６による窒素の供給と併用することにより、略閉止空間ＣＳを窒素雰囲気に置換することが可能となっている。なお、本実施形態においては、循環路Ｃｉを循環させるガスを窒素とするため、ガス供給手段１６は窒素を供給するが、他のガスを循環させる場合は、ガス供給手段１６はその循環させるガスを供給する。 A gas supply means 16 for introducing nitrogen into the substantially closed space CS is connected to the upper part on the back side of the return path 10, and supply and supply of nitrogen are stopped based on a command from the control means 5 (see FIG. 2). Can be controlled. Therefore, when a part of nitrogen flows out of the substantially closed space CS, the gas supply means 16 supplies nitrogen for the outflow, so that the nitrogen atmosphere in the substantially closed space CS can be kept constant. . A gas discharge means 17 for discharging the gas in the substantially closed space CS is connected to the lower part on the back side. The gas discharge means 17 operates in accordance with a command from the control means 5 and opens a shutter (not shown). It is possible to communicate the gas discharge destination provided inside and outside the space CS. And by using together with the nitrogen supply by the gas supply means 16 mentioned above, it is possible to replace the substantially closed space CS with a nitrogen atmosphere. In this embodiment, since the gas circulating in the circulation path Ci is nitrogen, the gas supply means 16 supplies nitrogen. However, when other gases are circulated, the gas supply means 16 circulates the gas. Supply.

また、ガス送出口１１には第１の送風手段としてのファン１３ａとフィルタ１３ｂとから構成されるファンフィルタユニット１３（ＦＦＵ１３）が設けられており、略閉止空間ＣＳ内を循環するガス内に含まれるパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室９内へ下方に向けて送風することによってウェーハ搬送室９内に下降気流を生じさせている。なお、ＦＦＵ１３は、仕切り部材８に連結され水平方向に延びる支持部材１８によって支持されている。 Further, the gas outlet 11 is provided with a fan filter unit 13 (FFU 13) composed of a fan 13a and a filter 13b as first air blowing means, and is included in the gas circulating in the substantially closed space CS. Particles are removed and air is blown downward into the wafer transfer chamber 9 to generate a downward air flow in the wafer transfer chamber 9. The FFU 13 is supported by a support member 18 that is connected to the partition member 8 and extends in the horizontal direction.

一方、ガス吸引口１２にはケミカルフィルタ１４が接続されており、ウェーハ搬送室９内のガスはケミカルフィルタ１４を介してガス帰還路１０に流入するようになっている。上述したように、ウェーハ搬送装置２（図２参照）を筐体３の前面壁３１に支持部２１及びガイドレール２２を介して支持されるようにしているため、ガス吸引口１２は、ウェーハ搬送装置２と干渉することなく、大きく上方に向かって開口したものすることが可能となっている。また、上述したように、ガス吸引口１２は幅方向に延在して設けられているため、同様に幅方向に延在して設けられたガイドレール２２よりウェーハ搬送装置２の駆動時にパーティクルが生じたとしても、このパーティクルを効果的に吸引させることが可能となっている。そして、ガス吸引口１２にケミカルフィルタ１４を設けることによって、処理装置６（図１参照）における処理等で生じウェーハ搬送室９内に流入した分子状汚染物質を除去することを可能としている。さらに、ガス帰還路１０内のケミカルフィルタ１４よりも背面側には、第２の送風手段としてのファン１５が幅方向に亘って設けられており（図５参照）、当該ファン１５がガス帰還路１０の下流側、すなわち図４の上方へ向けて送風を行うことによって、ガス吸引口１２におけるガスの吸引力を生じさせるとともに、ケミカルフィルタ１４を通過したガスを上方へ送出し、ガス帰還路１０内に上昇気流を生じさせている。 On the other hand, a chemical filter 14 is connected to the gas suction port 12, and the gas in the wafer transfer chamber 9 flows into the gas return path 10 through the chemical filter 14. As described above, since the wafer transfer device 2 (see FIG. 2) is supported by the front wall 31 of the housing 3 via the support portion 21 and the guide rail 22, the gas suction port 12 is provided for the wafer transfer. Without interfering with the device 2, it can be greatly opened upward. Further, as described above, since the gas suction port 12 is provided extending in the width direction, particles are generated when the wafer transfer device 2 is driven from the guide rail 22 provided similarly extending in the width direction. Even if it occurs, it is possible to effectively attract the particles. Further, by providing the chemical filter 14 at the gas suction port 12, it is possible to remove molecular contaminants generated in the processing in the processing apparatus 6 (see FIG. 1) and flowing into the wafer transfer chamber 9. Further, a fan 15 as a second air blowing means is provided across the width direction on the back side of the chemical filter 14 in the gas return path 10 (see FIG. 5), and the fan 15 is connected to the gas return path. By blowing air toward the downstream side of 10, that is, upward in FIG. 4, a gas suction force at the gas suction port 12 is generated, and the gas that has passed through the chemical filter 14 is sent upward. Ascending airflow is generated inside.

そして、上述したＦＦＵ１３のファン１３ａ及びファン１５とによって、略閉止空間ＣＳ内のガスはウェーハ搬送室９内を下降し、ガス帰還路１０内を上昇することで循環するようになっている。ガス送出口１１は下方に向かって開口されていることから、ＦＦＵ１３によってガスが下方に向かって送り出されるとともに、ガス吸引口１２は上方に向かって開口されていることから、ＦＦＵ１３によって生じさせた下降気流を乱すことなくそのまま下方に向かってガスを吸引させることができ、これらによって円滑なガスの流れを作り出すことができる。なお、ウェーハ搬送室９内に下降気流が生じていることで、ウェーハＷ上部に付着したパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室９内にパーティクルが浮遊することを防止している。 The gas in the substantially closed space CS is circulated by descending the wafer transfer chamber 9 and ascending the gas return path 10 by the fan 13a and the fan 15 of the FFU 13 described above. Since the gas delivery port 11 is opened downward, the gas is sent downward by the FFU 13 and the gas suction port 12 is opened upward, so that the lowering caused by the FFU 13 is performed. The gas can be sucked downward as it is without disturbing the air flow, and thereby a smooth gas flow can be created. Note that the downward airflow is generated in the wafer transfer chamber 9, thereby removing particles adhering to the upper portion of the wafer W and preventing the particles from floating in the wafer transfer chamber 9.

ここで、ガス帰還路１０のガスの流路を、図６及び図７を用いて詳細に説明する。図６は、ガス帰還路１０を拡大した斜視図であり、図７は図６に示すＡ−Ａ位置及びＢ−Ｂ位置における断面を示す斜視図である。 Here, the gas flow path of the gas return path 10 will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7. FIG. 6 is an enlarged perspective view of the gas return path 10, and FIG. 7 is a perspective view showing a cross section at the AA position and the BB position shown in FIG.

図６に示すように、仕切り部材８は上側仕切り部材８１、下側仕切り部材８２、中間部材８３の３つの部材から構成されている。具体的には、上側仕切り部材８１は背面壁３２に沿うようにその内側に取り付けられる、中央に背面壁３２の開口３２ａより大きな矩形の開口８１ａを有する平板状の部材であり、その側方端は支柱３７ｃ及び３７ｄに接しており、上端は上述した支持部材１８と連結している（図４参照）。 As shown in FIG. 6, the partition member 8 includes three members, an upper partition member 81, a lower partition member 82, and an intermediate member 83. Specifically, the upper partition member 81 is a flat plate-like member having a rectangular opening 81a larger than the opening 32a of the back wall 32 at the center, and is attached to the inside thereof along the back wall 32. Is in contact with the support columns 37c and 37d, and the upper end is connected to the support member 18 described above (see FIG. 4).

下側仕切り部材８２は、後方へ向かって下段８２ａ、中段８２ｂ、上段８２ｃの３段を有する階段状の部材であり、底壁３６上で支柱３７ｃ及び３７ｄに前方より当接するよう幅方向に亘って形成されるとともに、幅方向両端に側板８２ｄを備えることによって内部に閉止空間を形成している。そして、下段８２ａの上方にはケミカルフィルタ１４が接続されるとともにガス吸引口１２が形成され、上段８２ｃは上側仕切り部材８１の下端と接している（図４参照）。 The lower partition member 82 is a step-like member having three steps of a lower step 82a, a middle step 82b, and an upper step 82c in the rearward direction, and extends across the width direction so as to abut on the columns 37c and 37d from the front on the bottom wall 36. A closed space is formed inside by providing side plates 82d at both ends in the width direction. The chemical filter 14 is connected to the upper part of the lower stage 82a and the gas suction port 12 is formed. The upper stage 82c is in contact with the lower end of the upper partition member 81 (see FIG. 4).

中間部材８３は、支柱３７ｃ及び３７ｄと前後方向に同じ厚みを持つ形状とされており、背面壁３２の開口３２ａの下方に配され正面視において上方へ向かうほど幅が増加する区間を有する分流部８３ａと、背面壁３２の開口３２ａを避けるよう開口３２ａの左右と上方に配されることでＨ字型に構成されたＨ字部８３ｂとが接続されることで、上側仕切り部材８１の開口８１ａとほぼ同じ大きさの開口８３ｃを形成している。分流部８３ａの内部は空洞となっており、この内部には、扉１ａ（図３参照）を上面に設けられた開口８３ａ１を通じて上下させることで開口３２ａを開閉する駆動機構１ｂが設けられている。また、分流部８３ａの上面と下側仕切り部材８２の上段８２ｃとは同じ高さとなっており、Ｈ字部８３ｂの上端は天井壁３５と当接している。 The intermediate member 83 is shaped to have the same thickness in the front-rear direction as the support columns 37c and 37d, and is provided under the opening 32a of the back wall 32 and has a section having a width that increases in the front view. The opening 81a of the upper partition member 81 is connected by connecting the 83a and the H-shaped portion 83b configured in an H-shape by being arranged on the left and right of the opening 32a so as to avoid the opening 32a of the back wall 32. An opening 83c having the same size as that of the opening 83c is formed. The inside of the diversion part 83a is hollow, and a drive mechanism 1b that opens and closes the opening 32a by moving the door 1a (see FIG. 3) up and down through the opening 83a1 provided on the upper surface is provided. . Further, the upper surface of the flow dividing portion 83 a and the upper stage 82 c of the lower partition member 82 are at the same height, and the upper end of the H-shaped portion 83 b is in contact with the ceiling wall 35.

このように構成された仕切り部材８によって、下側仕切り部材８２の内部に設けられたファン１５（図４参照）によって上方へ向かうガスは、下側仕切り部材８２の上段８２ｃより下側では、図７の断面Ｓ１が示すように、下側仕切り部材８２、背面壁３２、中間部材８３の分流部８３ａ及び支柱３７ｃ，３７ｄとによって囲まれた流路を流れる。そして、下側仕切り部材８２の上段８２ｃ（図６参照）より上側では、図７の断面Ｓ２が示すように、上側仕切り部材８１、背面壁３２、中間部材８３のＨ字部８３ｂ及び支柱３７ｃによって囲まれる流路（図７の左側の流路）と、上側仕切り部材８１、背面壁３２、中間部材８３のＨ字部８３ｂ及び支柱３７ｃによって囲まれる流路（図７の右側の流路）に分岐して流れるように構成されている。すなわち、図５に示すように、区間Ｈ１において、ガスは幅方向に亘って流れることが可能となっている一方、区間Ｈ２においては、ガスは中間部材８３の両側のみで流れることが可能になっている。 Due to the partition member 8 configured in this manner, the gas directed upward by the fan 15 (see FIG. 4) provided inside the lower partition member 82 is lower than the upper stage 82c of the lower partition member 82. As shown by the cross section S1 of FIG. 7, it flows through a flow path surrounded by the lower partition member 82, the back wall 32, the flow dividing portion 83a of the intermediate member 83, and the columns 37c and 37d. Then, on the upper side of the upper stage 82c (see FIG. 6) of the lower partition member 82, as shown by the cross section S2 in FIG. 7, the upper partition member 81, the rear wall 32, the H-shaped portion 83b of the intermediate member 83, and the column 37c. The enclosed flow path (the left flow path in FIG. 7) and the flow path (the right flow path in FIG. 7) surrounded by the upper partition member 81, the back wall 32, the H-shaped portion 83b of the intermediate member 83, and the column 37c. It is configured to flow in a branched manner. That is, as shown in FIG. 5, in the section H1, the gas can flow across the width direction, while in the section H2, the gas can flow only on both sides of the intermediate member 83. ing.

このような構成をしていることによって、ガス帰還路１０を大きな流路面積を確保しつつ筐体３の内側のウェーハ搬送装置２の駆動領域外のデッドスペースに設けることが可能となるため、外観を変更する必要がなく、ガス帰還路１０を構成する各部材がロードポート４やロードロック室６１などＥＦＥＭ１外部の装置と干渉することを防止することが可能となる。具体的には、図２に示すように、下側仕切り部材８２の上段８２ａより下方、すなわち図４及び図５の区間Ｈ１はウェーハ搬送装置２のアーム部２ａの移動する領域よりも下側に位置しているため、ウェーハ搬送装置２が筐体３の前面壁３１に支持部２１及びガイドレール２２を介して支持されていることと相まって、下側仕切り部材８２がベース部２ｂの形状に沿って階段状に前方に張り出すことを許容し、ガス吸引口１２を大きく上方に向かって開口したものするとともに、ガス帰還路１０の流路面積を確保することが可能となっている。一方、図４及び図５の区間Ｈ２は、ウェーハ搬送装置２のアーム部２ａが移動する高さ領域を含んではいるものの、アーム部２ａがウェーハＷの搬送に要する開口３２ａ周辺の空間を避けて、具体的には開口３２ａの左右の空間を利用してガス帰還路１０の流路が設定されていることで、アーム部２ａの移動空間を確保するとともに、ウェーハＷの搬送経路に干渉しないようになっている。さらに、この開口３２ａの左右に設けた流路は、開口３２ａを閉止するための扉１ａ（図３参照）及びこの扉１ａを開閉する駆動機構１ｂをも避けつつ、支柱３７ｃ，３７ｄを利用してこの支柱３７ｃ，３７ｄの前後方向の厚みの範囲に設けるように構成している（図７参照）。そして、筐体３の一部である背面壁３２及び支柱３７ｃ，３７ｄを用いてガス帰還路１０を形成していることから、ガス帰還路１０を構成する構造体に強度を持たせるとともに、部品点数を多くすることなく、製造コストの上昇を抑えることが可能となっている。 By having such a configuration, the gas return path 10 can be provided in a dead space outside the driving area of the wafer transfer device 2 inside the housing 3 while ensuring a large flow path area. It is not necessary to change the external appearance, and it is possible to prevent each member constituting the gas return path 10 from interfering with devices outside the EFEM 1 such as the load port 4 and the load lock chamber 61. Specifically, as shown in FIG. 2, the lower partition member 82 is below the upper stage 82a, that is, the section H1 in FIGS. 4 and 5 is below the region in which the arm 2a of the wafer transfer device 2 moves. Therefore, the lower partition member 82 follows the shape of the base portion 2b in combination with the wafer transfer device 2 being supported by the front wall 31 of the housing 3 via the support portion 21 and the guide rail 22. Thus, the gas suction port 12 is allowed to project forward in a staircase shape, and the gas suction port 12 is greatly opened upward, and the flow area of the gas return path 10 can be secured. On the other hand, the section H2 of FIGS. 4 and 5 includes a height region in which the arm portion 2a of the wafer transfer device 2 moves, but avoids the space around the opening 32a required for the arm portion 2a to transfer the wafer W. Specifically, since the flow path of the gas return path 10 is set using the left and right spaces of the opening 32a, the movement space of the arm portion 2a is secured and the wafer W is not interfered with the transfer path. It has become. Further, the flow paths provided on the left and right sides of the opening 32a use the columns 37c and 37d while avoiding the door 1a (see FIG. 3) for closing the opening 32a and the drive mechanism 1b for opening and closing the door 1a. The levers 37c and 37d are configured to be provided in a thickness range in the front-rear direction (see FIG. 7). Since the gas return path 10 is formed by using the back wall 32 and the columns 37c and 37d which are a part of the housing 3, the structure constituting the gas return path 10 is given strength and the parts It is possible to suppress an increase in manufacturing cost without increasing the score.

次に、上記のように構成したＥＦＥＭ１内において、窒素を循環させる窒素循環制御の動作を、図４を用いて説明する。 Next, the operation of nitrogen circulation control for circulating nitrogen in the EFEM 1 configured as described above will be described with reference to FIG.

まず、初期段階として、制御手段５がガス排出手段１７にガスを排出させつつ、ガス供給手段１６に略閉止空間ＣＳ内に窒素を供給させることによって、大気雰囲気にあるＥＦＥＭ１の略閉止空間ＣＳを窒素雰囲気にパージする。この段階以降、制御手段５は循環路Ｃｉ内の窒素が外部へ漏れた場合、その漏れ量に応じてガス供給手段１６に窒素の供給を行わせる。 First, as an initial stage, the control means 5 causes the gas discharge means 17 to discharge the gas, while the gas supply means 16 supplies nitrogen into the substantially closed space CS, so that the substantially closed space CS of the EFEM 1 in the air atmosphere is reduced. Purge to nitrogen atmosphere. After this stage, when the nitrogen in the circulation path Ci leaks to the outside, the control means 5 causes the gas supply means 16 to supply nitrogen according to the leakage amount.

そして、このようにして窒素雰囲気になった略閉止空間ＣＳにおいて、制御手段５がＦＦＵ１３のファン１３ａ及びファン１５を駆動させることによって、循環路Ｃｉ内にガスの循環を生じさせる。この時、ＦＦＵ１３のフィルタ１３ｂ及びケミカルフィルタ１４が循環するガス中のパーティクル及び分子状汚染物質を除去するため、ウェーハ搬送室９内は常に清浄な窒素の下降気流が生じている状態となる。 The control means 5 drives the fan 13a and the fan 15 of the FFU 13 in the substantially closed space CS having the nitrogen atmosphere in this way, thereby causing gas circulation in the circulation path Ci. At this time, in order to remove particles and molecular contaminants in the gas circulating through the filter 13b and the chemical filter 14 of the FFU 13, a clean nitrogen downflow is always generated in the wafer transfer chamber 9.

このような状態となったＥＦＥＭ１においては、ロードポート４に載置され窒素雰囲気にパージされたＦＯＵＰ７とウェーハ搬送室９とを連通させ、ウェーハＷの出し入れを行う際には、ウェーハ搬送室９とＦＯＵＰ７はともに同じ窒素雰囲気であり、ウェーハ搬送室９内の窒素も清浄に維持されているため、ＦＯＵＰ７内にパーティクルや分子状汚染物質が入らないようＦＯＵＰ７内をウェーハ搬送室９内に対して陽圧にする必要がなく、ＦＯＵＰ７内にパージする窒素の消費量を抑えることができる。 In the EFEM 1 in such a state, the FOUP 7 placed on the load port 4 and purged with the nitrogen atmosphere is communicated with the wafer transfer chamber 9, and when the wafer W is taken in and out, Since both FOUPs 7 have the same nitrogen atmosphere and the nitrogen in the wafer transfer chamber 9 is also kept clean, the inside of the FOUP 7 is positive with respect to the wafer transfer chamber 9 so that particles and molecular contaminants do not enter the FOUP 7. It is not necessary to use a pressure, and the consumption of nitrogen purged into the FOUP 7 can be suppressed.

また、ウェーハ搬送室９とロードロック室６１（図１参照）との間に設けられた扉１ａを開放することでこれらウェーハ搬送室９とロードロック室６１とを連通させ、ロードロック室６１との間でウェーハＷの出し入れを行う際には、処理装置６における処理によってウェーハＷに付着した、あるいはロードロック室６１内に存在するパーティクル及び分子状汚染物質がウェーハ搬送室９内に流入する可能性があるものの、これらのパーティクル及び分子状汚染物質はウェーハ搬送室９内の下降気流によって下方へ流れ、ケミカルフィルタ１４及びＦＦＵ１３のフィルタ１３ｂによってガス帰還路１０を通過する間に浄化されて、再びウェーハ搬送室９内にパーティクル及び分子状汚染物質が流れることがないため、搬送中のウェーハＷへの悪影響を有効に軽減することが可能となっている。 Further, by opening the door 1a provided between the wafer transfer chamber 9 and the load lock chamber 61 (see FIG. 1), the wafer transfer chamber 9 and the load lock chamber 61 are communicated with each other. When the wafer W is taken in and out between the particles, particles and molecular contaminants attached to the wafer W by the processing in the processing apparatus 6 or existing in the load lock chamber 61 can flow into the wafer transfer chamber 9. However, these particles and molecular contaminants flow downward by the downdraft in the wafer transfer chamber 9 and are purified while passing through the gas return path 10 by the chemical filter 14 and the filter 13b of the FFU 13, and again. Since particles and molecular contaminants do not flow into the wafer transfer chamber 9, Influence it is possible to effectively reduce the.

以上のように、本実施形態におけるＥＦＥＭ１は、壁面である前面壁３１に設けられた開口３１ａにロードポート４〜４が接続されるとともに、壁面である背面壁３２に設けられた開口３２ａに処理装置６が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室９を内部に構成する筐体３と、ウェーハ搬送室９内に配設され、ロードポート４〜４に載置されたＦＯＵＰ７〜７と処理装置６との間でウェーハＷの搬送を行うウェーハ搬送装置２と、ウェーハ搬送室９の上部に設けられ、ウェーハ搬送室９内にガスを送出するガス送出口１１と、ウェーハ搬送室９の下部に設けられ、ウェーハ搬送室９内のガスを吸引するガス吸引口１２と、ガス吸引口１２から吸引されたガスをガス送出口１１へ帰還させるガス帰還路１０と、ガス送出口１１に設けられ、送出するガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタ１３ｂを備えたＦＦＵ１３とを具備し、ウェーハ搬送室９に下降気流を生じさせるとともにガス帰還路１０を介してガスを帰還させることによって、ウェーハ搬送室９内の窒素を循環させるように構成したものである。 As described above, the EFEM 1 in the present embodiment has the load ports 4 to 4 connected to the opening 31a provided on the front wall 31 that is the wall surface, and the opening 32a provided on the back wall 32 that is the wall surface. The housing 3 that internally includes the wafer transfer chamber 9 that is substantially closed by the connection of the apparatus 6, and the FOUPs 7 to 7 that are disposed in the wafer transfer chamber 9 and placed on the load ports 4 to 4, A wafer transfer device 2 that transfers the wafer W to and from the processing device 6, a gas delivery port 11 that is provided in the upper part of the wafer transfer chamber 9, and sends a gas into the wafer transfer chamber 9, and the wafer transfer chamber 9 A gas suction port 12 provided at the lower portion for sucking the gas in the wafer transfer chamber 9, a gas return path 10 for returning the gas sucked from the gas suction port 12 to the gas delivery port 11, and a gas delivery port 11. Et And a FFU 13 having a filter 13b for removing particles contained in the gas to be sent out, and generating a downward air flow in the wafer transfer chamber 9 and returning the gas via the gas return path 10 to thereby return the wafer transfer chamber. 9 is configured to circulate the nitrogen inside.

このように構成しているため、ウェーハ搬送室９に下降気流を生じさせるとともにガス帰還路１０を通じてガスを循環させることで、ウェーハ搬送室９が略閉止された空間となっていることと相まって、ウェーハ搬送室９内を窒素雰囲気下に維持することができる。そのため、ウェーハＷの搬送を外気にさらすことなく行うことができ、パーティクルの付着を抑制することが可能となっている。また、ガス送出口１１にフィルタ１３ｂを備えたＦＦＵ１３が設けられていることで、窒素を循環させる間にパーティクルを除去することが可能となる。さらに、ウェーハ搬送室９に下降気流が生じていることで、ウェーハＷ上部に付着したパーティクルを除去するとともに、ウェーハ搬送室９内にパーティクルが浮遊することを防止することが可能である。また、窒素を循環させることによって窒素の消費を抑制し、コストを削減することが可能となっている。 Since it is configured in this manner, a downward air flow is generated in the wafer transfer chamber 9 and the gas is circulated through the gas return path 10, so that the wafer transfer chamber 9 becomes a substantially closed space, The inside of the wafer transfer chamber 9 can be maintained in a nitrogen atmosphere. Therefore, the wafer W can be transported without being exposed to the outside air, and the adhesion of particles can be suppressed. In addition, since the FFU 13 including the filter 13b is provided at the gas delivery port 11, particles can be removed while nitrogen is circulated. Furthermore, since the downward airflow is generated in the wafer transfer chamber 9, it is possible to remove particles adhering to the upper portion of the wafer W and to prevent the particles from floating in the wafer transfer chamber 9. Further, it is possible to suppress the consumption of nitrogen by circulating nitrogen and to reduce the cost.

また、筐体３の背面壁３２と背面壁３２の内側に設けた仕切り部材８との間の空間をガス帰還路９の一部とするとともに、ウェーハ搬送室９とガス帰還路１０とが仕切り部材８によって分離されるように構成しているため、外観を変更することなく大きな流路面積を確保し、ロードロック室６１などＥＦＥＭ１外部の装置と干渉することを防止するとともに、部品点数の増加を抑えて製造コストの上昇を抑えることが可能となっている。 The space between the back wall 32 of the housing 3 and the partition member 8 provided inside the back wall 32 is a part of the gas return path 9, and the wafer transfer chamber 9 and the gas return path 10 are partitioned. Since it is configured to be separated by the member 8, a large flow path area is secured without changing the appearance, and it is possible to prevent interference with devices outside the EFEM 1 such as the load lock chamber 61 and increase the number of parts. It is possible to suppress the rise in manufacturing cost by suppressing the above.

さらに、ロードポート４〜４を接続する開口３１ａと処理装置６を接続する開口３２ａとが筐体３の対向する位置に設けられており、ガス帰還路１０がガス吸引口１２から処理装置６を接続する開口３２ａの両側を経由してガス送出口１１に連続するように構成されているため、ウェーハ搬送装置２の駆動領域外のデッドスペースを有効に利用し、ウェーハＷの搬送を妨げることを防止しつつガスの流量を確保することが可能となっている。 Further, an opening 31 a for connecting the load ports 4 to 4 and an opening 32 a for connecting the processing device 6 are provided at positions facing the casing 3, and the gas return path 10 connects the processing device 6 from the gas suction port 12. Since it is configured to continue to the gas delivery port 11 via both sides of the opening 32a to be connected, the dead space outside the driving area of the wafer transfer device 2 is effectively used to prevent the transfer of the wafer W. It is possible to ensure the flow rate of the gas while preventing it.

また、ガス送出口１１に第１の送風手段であるファン１３ｂを備えたＦＦＵ１３が接続されるとともに、ガス吸引口１２に第２の送風手段であるファン１５が接続されており、ＦＦＵ１３によりガス送出口１１からウェーハ搬送室９内にガスを送出させ、ファン１５よりガス吸引口１２からウェーハ搬送室９内のガスを吸引するよう構成しているため、ウェーハ搬送室９とガス帰還路とを流れるガスの循環を円滑に行うことが可能である。 In addition, an FFU 13 having a fan 13b as a first blowing means is connected to the gas outlet 11, and a fan 15 as a second blowing means is connected to the gas suction port 12. Since the gas is sent from the outlet 11 into the wafer transfer chamber 9 and the gas in the wafer transfer chamber 9 is sucked from the gas suction port 12 from the fan 15, the gas flows through the wafer transfer chamber 9 and the gas return path. Gas circulation can be performed smoothly.

加えて、ウェーハ搬送室９内に窒素を供給するガス供給手段１６と、ウェーハ搬送室９内よりガスを排出するためのガス排出手段１７とをさらに備えるよう構成していることから、ウェーハ搬送室９内を適切なガス雰囲気に置換でき、酸素ガスや水分等がウェーハＷ表面に付着してウェーハＷの処理を阻害し、歩留りが低下することを防止するとともに、ウェーハ搬送室９内の窒素の一部が外部に流出した場合には、流出分の窒素を供給することで、ウェーハ搬送室９内の状態を一定に保つことができる。 In addition, since the apparatus further comprises a gas supply means 16 for supplying nitrogen into the wafer transfer chamber 9 and a gas discharge means 17 for discharging gas from the wafer transfer chamber 9, the wafer transfer chamber 9 can be replaced with an appropriate gas atmosphere, and oxygen gas, moisture and the like adhere to the surface of the wafer W to hinder the processing of the wafer W and prevent the yield from being lowered. When a part flows out to the outside, the state in the wafer transfer chamber 9 can be kept constant by supplying nitrogen for the outflow.

また、ガス吸引口１２にケミカルフィルタ１４が設けられ、ウェーハ搬送室９内のガスはケミカルフィルタ１４を介してガス帰還路１０に流入するよう構成しているため、処理装置６における処理等で生じウェーハ搬送室９内に流入した分子状汚染物質を除去することが可能となっている。 In addition, a chemical filter 14 is provided at the gas suction port 12, and the gas in the wafer transfer chamber 9 is configured to flow into the gas return path 10 via the chemical filter 14, and thus is generated by processing in the processing apparatus 6. It is possible to remove molecular contaminants that have flowed into the wafer transfer chamber 9.

加えて、ウェーハ搬送装置２が筐体３の前面壁３１に支持されるよう構成されているため、ウェーハ搬送装置２とケミカルフィルタ１４が設けられたガス吸引口１２とを互いに干渉することなく配置するとともに、ウェーハ搬送室９内の下降気流を妨げず、気流の乱れによってパーティクルが浮遊することを防止することが可能となっている。 In addition, since the wafer transfer device 2 is configured to be supported by the front wall 31 of the housing 3, the wafer transfer device 2 and the gas suction port 12 provided with the chemical filter 14 are arranged without interfering with each other. In addition, it is possible to prevent the particles from floating due to the turbulence of the air flow without disturbing the downward air flow in the wafer transfer chamber 9.

そして、ウェーハ搬送室９内を循環するガスが不活性ガスである窒素であるため、酸素や湿気等によるウェーハＷ表面の性状の変化を抑制し、歩留まりの低下を防止することが可能となっている。 Since the gas circulating in the wafer transfer chamber 9 is an inert gas, nitrogen, it is possible to suppress changes in the surface properties of the wafer W due to oxygen, moisture, etc., and to prevent a decrease in yield. Yes.

なお、各部の具体的な構成は、上述した実施形態のみに限定されるものではない。 The specific configuration of each unit is not limited to the above-described embodiment.

例えば、上述の実施形態では、ロードポート４〜４上に設けたＦＯＵＰ７〜７とロードロック室６１との間で、ウェーハＷの搬送を行うものとしていたが、ＦＯＵＰ７〜７間での受け渡しを行わせる場合などにも用いることができる。 For example, in the above-described embodiment, the wafer W is transferred between the FOUPs 7 to 7 provided on the load ports 4 to 4 and the load lock chamber 61. However, the transfer between the FOUPs 7 to 7 is performed. It can also be used in the case of

また、ウェーハ搬送装置２の搬送対象としてはウェーハＷを用いるものを前提としていたが、本発明はガラス基板等様々な精密加工品を対象とするＥＦＥＭ１に用いることができる。 Although the wafer transfer device 2 is assumed to be transferred using the wafer W, the present invention can be used in the EFEM 1 for various precision processed products such as glass substrates.

また、上述の実施形態では、所定の軌道を構成するガイドレール２２は筐体３の前面壁３１に支持されていたが、ガス吸引口１２と干渉しないのであれば、筐体３のいずれに支持されていてもよく、例えば、ガイドレール２２を底壁３６に設け、ウェーハ搬送装置２が底壁３６に支持されるよう構成することも可能である。また、ウェーハ搬送装置２の移動方向の規制が可能であれば、ガイドレール２２に限らず、ガイドローラやワイヤ等の他の手段によって軌道を構成することもできる。 In the above-described embodiment, the guide rail 22 constituting the predetermined track is supported by the front wall 31 of the housing 3. However, if the guide rail 22 does not interfere with the gas suction port 12, it is supported by any of the housings 3. For example, the guide rail 22 may be provided on the bottom wall 36 and the wafer transfer apparatus 2 may be supported by the bottom wall 36. If the movement direction of the wafer transfer device 2 can be regulated, the track can be configured not only by the guide rail 22 but also by other means such as a guide roller or a wire.

さらに、ウェーハ搬送装置２としては、リンク式アームロボットや、ＳＣＡＲＡ型多関節ロボットに限ることなく多様なものを使用することもできる。 Furthermore, the wafer transfer device 2 is not limited to a link-type arm robot or a SCARA type multi-joint robot, and various devices can be used.

また、上述の実施形態においては、ガス供給手段１６がガス帰還路１０の背面側上部に設けられ、ガス排出手段１７がガス帰還路１０の背面側下部に設けられていたが、これらガス供給手段１６とガス排出手段１７の設置位置は限定されるものではなく、循環路Ｃｉ中の任意の場所に設置することができる。 Further, in the above-described embodiment, the gas supply means 16 is provided in the upper part on the back side of the gas return path 10, and the gas discharge means 17 is provided in the lower part on the back side of the gas return path 10. The installation position of 16 and the gas discharge means 17 is not limited, and can be installed at any place in the circulation path Ci.

さらには、上述の実施形態ではガス排出手段１７によるガスの排出とガス供給手段１６による窒素の供給を同時に行ったが、まず吸引機構を備えたガス排出手段１７がガスを排出させることで略閉止空間ＣＳ内を負圧とし、その後ガス供給手段１６に略閉止空間ＣＳ内に窒素を供給させることによって、大気雰囲気にある略閉止空間ＣＳを窒素雰囲気とするようにしてもよい。こうすることによって、より効率よく窒素のパージを行うことができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, the gas is discharged by the gas discharging means 17 and the nitrogen is supplied by the gas supplying means 16 at the same time. The space CS may be set to a negative pressure, and then the gas supply means 16 may be supplied with nitrogen into the substantially closed space CS, so that the substantially closed space CS in the atmosphere is made into a nitrogen atmosphere. By doing so, nitrogen can be purged more efficiently.

また、上述の実施形態ではＥＦＥＭ１は１つのロードロック室６１と接続されていたが、２つ以上のロードロック室６１と接続するような構成も考えられる。この場合、背面壁３２には接続するロードロック室６１の数に応じて開口３２ａを２つ以上設けることとなるため、ガス帰還路１０はそれらの開口３２ａを避けるように３つ以上に分岐して形成すればよい。 In the above-described embodiment, the EFEM 1 is connected to one load lock chamber 61. However, a configuration in which two or more load lock chambers 61 are connected is also conceivable. In this case, since two or more openings 32a are provided in the back wall 32 according to the number of load lock chambers 61 to be connected, the gas return path 10 branches into three or more so as to avoid the openings 32a. May be formed.

さらに、上述の実施形態においては、ガス帰還路１０はＥＦＥＭ１の筐体３の内部に設けられていたが、筐体３の外部にダクトを設けることによってガス帰還路１０を構成してもよい。この場合においても、ダクトがロードロック室６１と干渉することを防ぎつつ広い流路を確保するため、ダクトはロードロック室６１と接続する開口３２ａの左右に分岐して設けるのが好ましい。なお、ガス帰還路１０の形状については、これ以外にも周囲の装置形状に応じて様々な形状をとることができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, the gas return path 10 is provided inside the casing 3 of the EFEM 1, but the gas return path 10 may be configured by providing a duct outside the casing 3. Even in this case, in order to ensure a wide flow path while preventing the duct from interfering with the load lock chamber 61, it is preferable that the duct be branched to the left and right of the opening 32 a connected to the load lock chamber 61. In addition, about the shape of the gas return path 10, besides this, various shapes can be taken according to the surrounding apparatus shape.

また、上述した実施形態では、ウェーハＷ周辺の雰囲気を置換するためのガスとして窒素を使用していたが、処理に応じて乾燥空気やアルゴン等種々様々なガスを用いることができる。 In the above-described embodiment, nitrogen is used as a gas for replacing the atmosphere around the wafer W, but various gases such as dry air and argon can be used depending on the processing.

なお、上述した実施形態におけるＥＦＥＭ１に、略閉止空間ＣＳ内の湿度を低下させるドライヤ、温度を低下させるクーラ、ウェーハＷの除電を行うイオナイザなどを設け、ウェーハ搬送室９内の環境をさらに向上させることも可能である。 In addition, the EFEM 1 in the above-described embodiment is provided with a dryer that lowers the humidity in the substantially closed space CS, a cooler that lowers the temperature, an ionizer that performs static elimination of the wafer W, and the like to further improve the environment in the wafer transfer chamber 9. It is also possible.

その他の構成も、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形が可能である。 Other configurations can be variously modified without departing from the spirit of the present invention.

１…ＥＦＥＭ
２…ウェーハ搬送装置
３…筐体
４〜４…ロードポート
６…処理装置
７…ＦＯＵＰ
８…仕切り部材
９…ウェーハ搬送室
１０…ガス帰還路
１１…ガス送出口
１２…ガス吸引口
１３…ＦＦＵ
１３ａ…ファン（第１の送風手段）
１３ｂ…フィルタ
１４…ケミカルフィルタ
１５…ファン（第２の送風手段）
１６…ガス供給手段
１７…ガス排出手段
３１…前面壁
３２…背面壁
３１ａ，３２ａ…開口
Ｗ…ウェーハ

1 ... EFEM
2 ... Wafer transfer device 3 ... Housing 4-4 ... Load port 6 ... Processing device 7 ... FOUP
DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 ... Partition member 9 ... Wafer transfer chamber 10 ... Gas return path 11 ... Gas delivery port 12 ... Gas suction port 13 ... FFU
13a ... Fan (first blowing means)
13b ... Filter 14 ... Chemical filter 15 ... Fan (second air blowing means)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 16 ... Gas supply means 17 ... Gas discharge means 31 ... Front wall 32 ... Back wall 31a, 32a ... Opening W ... Wafer

Claims

壁面に設けられた開口にロードポート及び処理装置が接続されることで略閉止されたウェーハ搬送室を内部に構成する筐体と、
前記ウェーハ搬送室内に配設され、前記ロードポートに載置されたＦＯＵＰと前記処理装置との間でウェーハの搬送を行うウェーハ搬送装置と、
前記ウェーハ搬送室の上部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内にガスを送出するガス送出口と、
前記ウェーハ搬送室の下部に設けられ、当該ウェーハ搬送室内のガスを吸引するガス吸引口と、
前記ガス吸引口から吸引されたガスを前記ガス送出口へ帰還させるガス帰還路と、
前記ガス送出口に設けられ、送出するガスに含まれるパーティクルを除去するフィルタとを具備し、
前記ウェーハ搬送室に下降気流を生じさせるとともに前記ガス帰還路を介してガスを帰還させることによって、前記ウェーハ搬送室内のガスを循環させるように構成したことを特徴とするＥＦＥＭ。 A housing that internally configures a wafer transfer chamber that is substantially closed by connecting a load port and a processing apparatus to an opening provided on a wall surface;
A wafer transfer device disposed in the wafer transfer chamber and configured to transfer a wafer between a FOUP placed on the load port and the processing apparatus;
A gas outlet provided in an upper part of the wafer transfer chamber, and for sending gas into the wafer transfer chamber;
A gas suction port that is provided at a lower portion of the wafer transfer chamber and sucks a gas in the wafer transfer chamber;
A gas return path for returning the gas sucked from the gas suction port to the gas delivery port;
A filter provided at the gas delivery port for removing particles contained in the gas to be delivered;
The EFEM is configured to circulate the gas in the wafer transfer chamber by generating a downward air flow in the wafer transfer chamber and returning the gas through the gas return path.

前記筐体の壁面と当該壁面の内側に設けた仕切り部材との間の空間を前記ガス帰還路の一部とするとともに、前記ウェーハ搬送室と前記ガス帰還路とが前記仕切り部材によって分離されていることを特徴とする請求項１記載のＥＦＥＭ。 A space between the wall surface of the housing and a partition member provided inside the wall surface is used as a part of the gas return path, and the wafer transfer chamber and the gas return path are separated by the partition member. The EFEM according to claim 1, wherein:

前記ロードポートを接続する開口と前記処理装置を接続する開口とが前記筐体の対向する位置に設けられており、
前記ガス帰還路が前記ガス吸引口から前記処理装置を接続する開口の両側を経由して前記ガス送出口に連続するように構成されていることを特徴とする請求項２記載のＥＦＥＭ。 An opening for connecting the load port and an opening for connecting the processing apparatus are provided at positions facing the casing,
The EFEM according to claim 2, wherein the gas return path is configured to continue from the gas suction port to the gas delivery port via both sides of an opening connecting the processing apparatus.

前記ガス送出口に第１の送風手段が接続されるとともに、前記ガス吸引口に第２の送風手段が接続されており、前記第１の送風手段により前記ガス送出口から前記ウェーハ搬送室内にガスを送出させ、前記第２の送風手段により前記ガス吸引口から前記ウェーハ搬送室内のガスを吸引することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のＥＦＥＭ。 A first blower is connected to the gas delivery port, and a second blower is connected to the gas suction port, and gas is introduced from the gas delivery port into the wafer transfer chamber by the first blower. The EFEM according to claim 1, wherein the gas in the wafer transfer chamber is sucked from the gas suction port by the second blowing means.

前記ウェーハ搬送室内にガスを供給するガス供給手段と、前記ウェーハ搬送室内よりガスを排出するためのガス排出手段とをさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のＥＦＥＭ。 5. The EFEM according to claim 1, further comprising a gas supply unit that supplies a gas into the wafer transfer chamber and a gas discharge unit that discharges the gas from the wafer transfer chamber. .

前記ガス吸引口にケミカルフィルタが設けられ、前記ウェーハ搬送室内のガスは前記ケミカルフィルタを介してガス帰還路に流入することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のＥＦＥＭ。 The EFEM according to claim 1, wherein a chemical filter is provided at the gas suction port, and the gas in the wafer transfer chamber flows into the gas return path through the chemical filter.

前記ウェーハ搬送装置が前記筐体の壁面に支持されていることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のＥＦＥＭ。 The EFEM according to claim 1, wherein the wafer transfer device is supported on a wall surface of the housing.

前記ガスが不活性ガスであることを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載のＥＦＥＭ。

The EFEM according to claim 1, wherein the gas is an inert gas.