JP2018151324A - イオンセンサチップ - Google Patents

Abstract

【課題】誤接続を防止するイオンセンサチップを提供する。
【解決手段】イオンセンサチップ２は、複数の接触端子を有する接続部を備える検査装置に接続されるイオンセンサチップであって、イオン感応膜の組成に応じた種類のイオンの活量を測定するイオンセンサと、イオンセンサの検査対象イオンに応じた識別情報を検査装置に供給する識別情報供給部と、を具備する。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、イオンセンサチップに関する。

水性液体中の特定イオンの濃度を測定するためのイオン感応型電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ：Ion Sensitive Field Effect Transistor）が搭載されたセンサチップ（以下イオンセンサチップと称する）がある。イオン感応型電界効果トランジスタ（以下イオンセンサと称する）は、水道水、河川水、下水、産業排水、血液、尿、唾液、または髄液などの液体の中に含まれている特定のイオンの濃度に応じた電極電位を発生させるセンサである。

イオンセンサは、ゲート表面上がイオン感応膜によって覆われたＦＥＴである。イオンセンサは、ドレイン−ソース間の電流が一定である場合、ゲート電圧が溶液−イオン感応膜間の表面(界面)電位になる。溶液−イオン感応膜間の表面電位の値は、液中のイオン感応膜の組成に応じたイオン（検査対象イオンと称する）の活量によって定まる。すなわち、ドレイン−ソース間の電流が一定である場合、イオンセンサのゲート電圧値は、液体中の検査対象イオンの濃度に比例する。

イオンセンサは、イオン感応膜の種類を変えることによって、水素イオン（Ｈ+）またはアンモニウムイオン（ＮＨ4-）などの有機イオンの濃度を測定することができる。また、イオンセンサは、イオン感応膜の種類を変えることによって、リチウムイオン（Ｌｉ+）、ナトリウムイオン（Ｎａ+）、カリウムイオン（Ｋ+）、マグネシウムイオン（Ｍｇ2+）、カルシウムイオン（Ｃａ2+）、塩素イオン（Ｃｌ-）、炭酸水素イオン（ＨＣＯ3-）、または炭酸イオン（ＣＯ32-）などの無機イオンの濃度を測定することができる。

上記のようなイオンセンサチップは、イオンセンサチップが接続可能に構成された接続部を有する検査装置に接続されて使用される。イオンセンサチップの検査対象イオンは、イオンセンサチップに搭載されたイオンセンサのイオン感応膜の組成によって異なる。この為、検査装置において設定されたイオンとは異なるイオンを検査対象イオンとするイオンセンサチップが検査装置の接続部に接続された場合、正常に検査を行うことができないという課題がある。

特開２００８−２６１７２６号公報

本発明が解決しようとする課題は、誤接続を防止するイオンセンサチップを提供することである。

一実施形態に係るイオンセンサチップは、複数の接触端子を有する接続部を備える検査装置に接続されるイオンセンサチップであって、イオン感応膜の組成に応じた種類のイオンの活量を測定するイオンセンサと、前記イオンセンサの検査対象イオンに応じた識別情報を前記検査装置に供給する識別情報供給部と、を具備する。

図１は、第１の一実施形態に係る検査装置の構成例について説明する為の図である。 図２は、第１の一実施形態に係るイオンセンサチップの構成例について説明する為の図である。 図３は、第１の一実施形態に係る識別回路の構成例について説明する為の図である。 図４は、第２の一実施形態に係る識別回路の構成例について説明する為の図である。 図５は、第２の一実施形態に係る識別回路の構成例について説明する為の図である。 図６は、第３の一実施形態に係るイオンセンサチップの構成例について説明する為の図である。 図７は、第４の一実施形態に係るイオンセンサチップの構成例について説明する為の図である。 図８は、第５の一実施形態に係るイオンセンサチップの構成例について説明する為の図である。 図９は、第５の一実施形態に係る履歴記録回路の構成例について説明する為の図である。 図１０は、第５の一実施形態に係る履歴記録回路の構成例について説明する為の図である。

以下、一実施形態に係るイオンセンサチップ及びイオンセンサチップが接続される検査装置について図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る検査装置１の構成例を示す説明図である。

検査装置１は、水性液体中の特定イオンの濃度を測定する装置である。検査装置１は、イオンセンサチップ２が接続されている状態で、イオンセンサチップ２の端子の電圧に応じて、検査対象イオンの濃度を測定する。

イオンセンサチップ２は、少なくとも１つ以上のイオンセンサが搭載されたチップである。イオンセンサチップ２は、イオンセンサを構成するイオン感応膜の組成に応じた種類のイオン（検査対象イオン）の液体（検査試料）中の濃度（より具体的には活量）に応じた電圧を生成する。なお、イオンセンサチップ２は、イオン感応膜の汚染（イオン感応膜に残留する検査試料）によって測定の精度が低下することを防ぐ為に、使い捨てとして運用される。なお、本実施形態では、イオンセンサチップ２は、組成が異なるイオン感応膜をそれぞれ有する複数のイオンセンサが搭載されたチップであると仮定して説明する。イオン感応膜は、グラビア印刷法やインクジェット法やディスペンサ等による非接触法によって、イオン感応膜の組成を含む液体を塗布することによって形成される。なお、イオン感応膜の形成方法は、この方法に限定されず如何なる方法であってもよい。

（検査装置１の構成について）
検査装置１は、表示部１１、操作部１２、通信部１３、接続部１４、及び主制御部１５を備える。

表示部１１は、主制御部１５または図示されないグラフィックコントローラなどの表示制御部から入力される映像信号に応じて画面を表示するディスプレイを備える。例えば、表示部１１のディスプレイには、検査装置１の種々の設定の為の画面、検査対象イオンの濃度の測定結果、及びアラートなどが表示される。

操作部１２は、図示されない操作部材を有する。操作部１２は、操作部材の操作に応じた操作信号を生成し、操作信号を主制御部１５に供給する。操作部材は、例えば、タッチセンサ、テンキー、電源キー、種々のファンクションキー、またはキーボードなどである。タッチセンサは、例えば、抵抗膜式タッチセンサ、または静電容量式タッチセンサ等である。タッチセンサは、ある領域内において指定された位置を示す情報を取得する。タッチセンサは、表示部１１と一体にタッチパネルとして構成されることにより、表示部１１に表示された画面上のタッチされた位置を示す操作信号を主制御部１５に入力する。

通信部１３は、他の機器と通信する為のインターフェースである。通信部１３は、例えば、検査装置１において測定された測定結果をアップロードする上位装置との通信に用いられる。通信部１３は、例えば、ＬＡＮコネクタなどとして構成される。また、通信部１３は、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）またはＷｉ−ｆｉ（登録商標）などの規格に従って他の機器と無線通信を行うものであってもよい。

接続部１４は、イオンセンサチップ２が接続されるインターフェースである。接続部１４は、イオンセンサチップ２が備える複数の信号線と電気的に接続される複数の端子と、イオンセンサチップ２が挿入されるスロットと、イオンセンサチップ２に入力する信号またはイオンセンサチップ２から出力された信号を処理する信号処理回路とを備える。スロットにイオンセンサチップ２が挿入された場合、イオンセンサチップ２が備える複数の信号線と接続部１４の複数の端子とがそれぞれ電気的に接続される。

接続部１４は、主制御部１５の制御に基づいて、信号処理回路によってイオンセンサチップ２に信号を入力する。また、接続部１４は、主制御部１５の制御に基づいて、イオンセンサチップ２から出力された信号に対して信号処理回路によって信号処理を施し、信号処理を施した信号を主制御部１５に供給する。

主制御部１５は、検査装置１の制御を行う。主制御部１５は、例えば、ＣＰＵ２１、ＲＯＭ２２、ＲＡＭ２３、及び不揮発性メモリ２４を備える。

ＣＰＵ２１は、演算処理を実行する演算素子（たとえば、プロセッサ）である。ＣＰＵ２１は、ＲＯＭ２２に記憶されているプログラムなどのデータに基づいて種々の処理を行う。ＣＰＵ２１は、ＲＯＭ２２に格納されているプログラムを実行することにより、種々の動作を実行可能な制御部として機能する。

ＲＯＭ２２は、読み出し専用の不揮発性メモリである。ＲＯＭ２２は、プログラム及びプログラムで用いられるデータなどを記憶する。

ＲＡＭ２３は、ワーキングメモリとして機能する揮発性のメモリである。ＲＡＭ２３は、ＣＰＵ２１の処理中のデータなどを一時的に格納する。また、ＲＡＭ２３は、ＣＰＵ２１が実行するプログラムを一時的に格納する。

不揮発性メモリ２４は、種々の情報を記憶可能な記憶媒体である。不揮発性メモリ２４は、プログラム及びプログラムで用いられるデータなどを記憶する。不揮発性メモリ２４は、例えば、ソリッドステイトドライブ（ＳＳＤ）、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、または他の記憶装置である。なお、不揮発性メモリ２４の代わりに、メモリカードなどの記憶媒体を挿入可能なカードスロットなどのメモリインターフェースが設けられていてもよい。

（イオンセンサチップ２の構成について）
図２は、第１の実施形態に係るイオンセンサチップ２の構成例を示す説明図である。イオンセンサチップ２は、基板３１、センサ部３２、及び識別回路３３を備える。

基板３１は、センサ部３２及び識別回路３３が搭載される基板である。

センサ部３２は、少なくとも１つ以上のイオン測定部を備える。なお、本実施形態では、センサ部３２は、複数のイオン測定部を備えるものとして説明する。例えば、図２の例では、センサ部３２は、第１のイオン測定部４１、第２のイオン測定部４２、第３のイオン測定部４３、及び第４のイオン測定部４４を備える。

第１のイオン測定部４１は、第１の参照電極５１及び第１のイオンセンサ５２を備える。第１の参照電極５１には、信号線６１が接続されている。第１のイオンセンサ５２は、ゲート表面上がイオン感応膜によって覆われたＦＥＴである。第１のイオンセンサ５２のイオン感応膜は、第１の種類のイオンを検査対象イオンとするように構成される。第１のイオンセンサ５２は、ソース端子、ゲート端子、及びドレイン端子を備える。第１のイオンセンサ５２のソース端子には、信号線６２が接続されている。第１のイオンセンサ５２のゲート端子には、信号線６３が接続されている。第１のイオンセンサ５２のドレイン端子には、信号線６４が接続されている。信号線６１乃至信号線６４は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、接続部１４の端子に接続される信号線である。

上記のように構成された第１のイオン測定部４１の第１のイオンセンサ５２のドレイン端子−ソース端子間に一定の電流が流れている場合、第１のイオンセンサ５２のゲート端子の電位は、イオン感応膜に接している検査試料中の検査対象イオン（第１の種類のイオン）の活量に応じた値になる。

検査装置１の主制御部１５は、接続部１４を制御することにより、第１のイオン測定部４１との間で信号を入出力させる。これにより、主制御部１５は、上記のように構成された第１のイオン測定部４１によって、第１のイオンセンサ５２のイオン感応膜の組成に応じた検査対象イオンの活量を測定する。即ち、検査装置１の主制御部１５は、信号線６２−信号線６４間の電流が一定になるように制御した際の、信号線６１と信号線６３との電位差に応じて、第１のイオンセンサ５２のイオン感応膜に接している検査試料中の検査対象イオンの活量を測定する。

また、第２のイオン測定部４２は、第２の参照電極５３及び第２のイオンセンサ５４を備える。第２の参照電極５３には、信号線６５が接続されている。第２のイオンセンサ５４は、ゲート表面上がイオン感応膜によって覆われたＦＥＴである。第２のイオンセンサ５４のイオン感応膜は、第２の種類のイオンを検査対象イオンとするように構成される。第２のイオンセンサ５４は、ソース端子、ゲート端子、及びドレイン端子を備える。第２のイオンセンサ５４のソース端子には、信号線６６が接続されている。第２のイオンセンサ５４のゲート端子には、信号線６７が接続されている。第２のイオンセンサ５４のドレイン端子には、信号線６８が接続されている。信号線６５乃至信号線６８は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、接続部１４の端子に接続される信号線である。

上記のように構成された第２のイオン測定部４２の第２のイオンセンサ５４のドレイン端子−ソース端子間に一定の電流が流れている場合、第２のイオンセンサ５４のゲート端子の電位は、イオン感応膜に接している検査試料中の検査対象イオン（第２の種類のイオン）の活量に応じた値になる。

検査装置１の主制御部１５は、接続部１４を制御することにより、第２のイオン測定部４２との間で信号を入出力させる。これにより、主制御部１５は、上記のように構成された第２のイオン測定部４２によって、第２のイオンセンサ５４のイオン感応膜の組成に応じた検査対象イオンの活量を測定する。即ち、検査装置１の主制御部１５は、信号線６６−信号線６８間の電流が一定になるように制御した際の、信号線６５と信号線６７との電位差に応じて、第２のイオンセンサ５４のイオン感応膜に接している検査試料中の検査対象イオンの活量を測定する。

また、第３のイオン測定部４３は、第３の参照電極５５及び第３のイオンセンサ５６を備える。第３の参照電極５５には、信号線６９が接続されている。第３のイオンセンサ５６は、ゲート表面上がイオン感応膜によって覆われたＦＥＴである。第３のイオンセンサ５６のイオン感応膜は、第３の種類のイオンを検査対象イオンとするように構成される。第３のイオンセンサ５６は、ソース端子、ゲート端子、及びドレイン端子を備える。第３のイオンセンサ５６のソース端子には、信号線７０が接続されている。第３のイオンセンサ５６のゲート端子には、信号線７１が接続されている。第３のイオンセンサ５６のドレイン端子には、信号線７２が接続されている。信号線６９乃至信号線７２は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、接続部１４の端子に接続される信号線である。

上記のように構成された第３のイオン測定部４３の第３のイオンセンサ５６のドレイン端子−ソース端子間に一定の電流が流れている場合、第３のイオンセンサ５６のゲート端子の電位は、イオン感応膜に接している検査試料中の検査対象イオン（第３の種類のイオン）の活量に応じた値になる。

検査装置１の主制御部１５は、接続部１４を制御することにより、第３のイオン測定部４３との間で信号を入出力させる。これにより、主制御部１５は、上記のように構成された第３のイオン測定部４３によって、第３のイオンセンサ５６のイオン感応膜の組成に応じた検査対象イオンの活量を測定する。即ち、検査装置１の主制御部１５は、信号線７０−信号線７２間の電流が一定になるように制御した際の、信号線６９と信号線７１との電位差に応じて、第３のイオンセンサ５６のイオン感応膜に接している検査試料中の検査対象イオンの活量を測定する。

また、第４のイオン測定部４４は、第４の参照電極５７及び第４のイオンセンサ５８を備える。第４の参照電極５７には、信号線７３が接続されている。第４のイオンセンサ５８は、ゲート表面上がイオン感応膜によって覆われたＦＥＴである。第４のイオンセンサ５８のイオン感応膜は、第４の種類のイオンを検査対象イオンとするように構成される。第４のイオンセンサ５８は、ソース端子、ゲート端子、及びドレイン端子を備える。第４のイオンセンサ５８のソース端子には、信号線７４が接続されている。第４のイオンセンサ５８のゲート端子には、信号線７５が接続されている。第４のイオンセンサ５８のドレイン端子には、信号線７６が接続されている。信号線７３乃至信号線７６は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、接続部１４の端子に接続される信号線である。

上記のように構成された第４のイオン測定部４４の第４のイオンセンサ５８のドレイン端子−ソース端子間に一定の電流が流れている場合、第４のイオンセンサ５８のゲート端子の電位は、イオン感応膜に接している検査試料中の検査対象イオン（第４の種類のイオン）の活量に応じた値になる。

検査装置１の主制御部１５は、接続部１４を制御することにより、第４のイオン測定部４４との間で信号を入出力させる。これにより、主制御部１５は、上記のように構成された第４のイオン測定部４４によって、第４のイオンセンサ５８のイオン感応膜の組成に応じた検査対象イオンの活量を測定する。即ち、検査装置１の主制御部１５は、信号線７４−信号線７６間の電流が一定になるように制御した際の、信号線７３と信号線７５との電位差に応じて、第４のイオンセンサ５８のイオン感応膜に接している検査試料中の検査対象イオンの活量を測定する。

識別回路３３は、イオンセンサチップ２を識別する為の識別情報を検査装置１に供給する為の回路である。より具体的には、識別回路３３は、センサ部３２により測定が可能なイオンの種類、即ち検査対象イオンの組み合わせに応じた識別情報を検査装置１に供給する為の回路である。即ち、識別回路３３は、イオンセンサの検出するイオンの種類（検査対象イオン）に応じた識別情報を検査装置１に供給する識別情報供給部として機能する。

例えば、図２の例では、識別回路３３には、識別用信号線７７、識別用信号線７８、識別用信号線７９、識別用信号線８０、Ｌレベル信号線８１、及びＨレベル信号線８２が接続されている。識別用信号線７７、識別用信号線７８、識別用信号線７９、識別用信号線８０、Ｌレベル信号線８１、及びＨレベル信号線８２は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、接続部１４の端子に接続される信号線である。

識別用信号線７７乃至識別用信号線８０は、イオンセンサチップ２における検査対象イオンの組み合わせを示す識別情報を検査装置１に供給する為の信号線である。

Ｌレベル信号線８１は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、検査装置１によって電位がローレベル（Ｌレベル）に引き下げられる信号線である。Ｌレベルは、例えばＧＮＤである。

Ｈレベル信号線８２は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、検査装置１によって電位がハイレベル（Ｈレベル）に引き上げられる信号線である。

上記の信号線６１乃至信号線７６、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０、Ｌレベル信号線８１、及びＨレベル信号線８２は、それぞれ導電性を有する金属などにより基板３１の表面に接触端子として形成される。これらの信号線は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、接続部１４の複数の端子と接触する位置に設けられている。これらの信号線は、検査装置１の接続部１４の複数の端子とそれぞれ接触することにより、検査装置１の接続部１４と電気的に接続される。なお、これらの信号線は、例えば図２に示されるように、基板３１のある辺に伸びるように構成されている。基板３１の複数の信号線が伸びた辺は、検査装置１の接続部１４のスロットに挿入される挿入部９１として構成される。

図３は、識別回路３３の構成例を示す説明図である。識別回路３３内で、識別用信号線７７、識別用信号線７８、識別用信号線７９、及び識別用信号線８０は、Ｌレベル信号線８１またはＨレベル信号線８２とそれぞれ接続される。複数の識別用信号線と、Ｌレベル信号線８１及びＨレベル信号線８２とは、イオンセンサチップ２における検査対象イオンの組み合わせに応じた組み合わせで接続される。即ち、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０と、Ｌレベル信号線８１及びＨレベル信号線８２との識別回路３３内における接続関係は、イオンセンサチップ２における検査対象イオンの組み合わせに応じて定まる。

検査装置１の主制御部１５は、接続部１４を制御することにより、識別回路３３との間で信号を入出力させる。例えば、主制御部１５は、上記のように構成されたイオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合、Ｌレベル信号線８１をＬレベルに引き下げ、Ｈレベル信号線８２をＨレベルに引き上げる。この場合、識別回路３３に接続された識別用信号線７７乃至識別用信号線８０の電圧は、それぞれがＬレベル信号線８１に接続されているか、Ｈレベル信号線８２に接続されているかによって定まる。即ち、主制御部１５は、識別回路３３に接続された識別用信号線７７乃至識別用信号線８０の電圧を検出することにより、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０と、Ｌレベル信号線８１及びＨレベル信号線８２との識別回路３３内における接続関係を認識することができる。主制御部１５は、認識した接続関係に応じて、イオンセンサチップ２の検査対象イオンの組み合わせを識別する。即ち、主制御部１５は、Ｌレベル信号線８１をＬレベルに引き下げ、Ｈレベル信号線８２をＨレベルに引き上げた時の識別用信号線７７乃至識別用信号線８０の電圧に基づいて、接続されたイオンセンサチップ２により測定が可能なイオンの種類を認識する。

主制御部１５は、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０の電圧を例えば２値などの論理値として検出する。また、主制御部１５は、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０の論理値の組み合わせ毎に、検査対象イオンの組み合わせを示す識別用テーブルを不揮発性メモリ２４に予め保存する。主制御部１５は、識別用テーブルを参照することにより、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０の論理値に対応する検査対象イオンの組み合わせを認識する。これにより、主制御部１５は、接続されたイオンセンサチップ２により測定が可能な検査対象イオンの組み合わせを認識する。

例えば、図２に示されるように、イオンセンサチップ２に、第１の種類のイオンを測定可能な第１のイオンセンサ５２、第２の種類のイオンを測定可能な第２のイオンセンサ５４、第３の種類のイオンを測定可能な第３のイオンセンサ５６、及び第４の種類のイオンを測定可能な第４のイオンセンサ５８が搭載されているとする。また、図３に示されるように、識別回路３３内で、識別用信号線７７及び識別用信号線７８がＨレベル信号線８２に接続され、識別用信号線７９及び識別用信号線８０がＬレベル信号線８１に接続されているとする。

検査装置１の主制御部１５は、Ｌレベル信号線８１をＬレベルに引き下げ、Ｈレベル信号線８２をＨレベルに引き上げる。この場合、Ｈレベル信号線８２に接続された識別用信号線７７及び識別用信号線７８は、Ｈレベル（論理値「１」）になり、Ｌレベル信号線８１に接続された識別用信号線７９及び識別用信号線８０は、Ｌレベル（論理値「０」）になる。検査装置１の主制御部１５は、識別用信号線７７が論理値「１」であり、識別用信号線７８が論理値「１」であり、識別用信号線７９が論理値「０」であり、識別用信号線８０が論理値「０」である場合、イオンセンサチップ２の検査対象イオンが第１の種類、第２の種類、第３の種類、及び第４の種類であることを認識する。

また、検査装置１の主制御部１５は、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２から取得した識別情報と、予め不揮発性メモリ２４に保存された（設定された）識別情報とを比較する。主制御部１５は、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２から取得した識別情報と、予め不揮発性メモリ２４に保存された識別情報とが一致する場合、正しいイオンセンサチップ２が接続部１４に接続されたと判断する。また、主制御部１５は、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２から取得した識別情報と、予め不揮発性メモリ２４に保存された識別情報とが一致しない場合、誤ったイオンセンサチップ２が接続部１４に接続されたと判断する。主制御部１５は、誤ったイオンセンサチップ２が接続部１４に接続されたと判断した場合、表示部１１によりアラートを出力してもよい。これにより、検査装置１は、検査に用いるものとして予め設定されたイオンセンサチップ２とは異なるイオンセンサチップ、即ち、誤ったイオンセンサチップが接続部１４に接続された場合、接続部１４に接続されたイオンセンサチップが誤ったものであることを検査装置１のユーザに報知することができる。

上記したように、イオンセンサチップ２は、複数の接触端子を有する接続部１４を備える検査装置１に接続されるものであって、イオン感応膜の組成に応じた種類のイオンの活量を測定するイオンセンサと、イオンセンサの検出するイオンの種類（検査対象イオン）に応じた識別情報を検査装置１に供給する識別情報供給部と、を備える。イオンセンサチップ２は、識別情報供給部により、イオンセンサの検出するイオンの種類を示す識別情報を検査装置１に供給する。これにより、検査装置１は、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２から供給された識別情報が、予め設定された識別情報と一致するか否か判断することによって、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２が正しいものであるか否かを判定することができる。さらに、検査装置１は、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２が誤ったものである場合、接続部１４に接続されたイオンセンサチップが誤ったものであることを検査装置１のユーザに報知することができる。この結果、イオンセンサチップ２は、検査装置１への誤接続を防止することが可能になる。

なお、検査装置１の主制御部１５は、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２から取得した識別情報に応じて識別用テーブルを参照し、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２の検査対象イオンを認識し、認識した検査対象イオンを示す情報を表示部１１に表示してもよい。これにより、接続部１４に接続されたイオンセンサチップ２の検査対象イオンを、検査装置１のユーザに報知することができる。

また、検査装置１の主制御部１５は、予め設定された識別情報と異なる識別情報をイオンセンサチップ２から取得した場合にアラートを出力するのではなく、続けて挿入されたイオンセンサチップ２の識別情報が異なる場合にアラートを出力する構成であってもよい。

また、検査装置１の主制御部１５は、表示部１１によりアラートを出力するのではなく、図示されないスピーカにより音声としてアラートを出力する構成であってもよいし、図示されないインジケータにより光としてアラートを出力する構成であってもよい。

また、上記の実施形態では、識別回路３３は、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０の４本の識別用信号線が接続される構成であると説明したが、この構成に限定されない。識別回路３３は、さらに多数、または少数の識別用信号線が接続される構成であってもよい。

また、上記の実施形態では、イオンセンサチップ２は、各イオン測定部毎に参照電極が設けられている構成であると説明したが、この構成に限定されない。イオンセンサチップ２は、複数のイオン測定部に共通する１つの参照電極を備える構成であってもよい。

（第２の実施形態）
第２の実施形態は、第１の実施形態と識別回路３３の構成が異なる。なお、第２の実施形態における識別回路を識別回路３３Ａと称し、以下説明する。

イオンセンサチップ２の識別回路３３Ａは、イオンセンサチップ２を識別する為の識別情報を検査装置１に供給する為の回路である。図４の例では、識別回路３３Ａには、識別用信号線７７、識別用信号線７８、識別用信号線７９、識別用信号線８０、Ｌレベル信号線８１、及びＨレベル信号線８２が接続されている。

図４に示すように、識別回路３３Ａは、第１の抵抗１０１、第２の抵抗１０２、第３の抵抗１０３、第４の抵抗１０４、第１のヒューズ１０５、第２のヒューズ１０６、第３のヒューズ１０７、及び第４のヒューズ１０８を備える。ヒューズは、例えば、基板３１の表面に実装が可能な電流溶断型のチップヒューズである。

第１の抵抗１０１は、識別用信号線７７とＬレベル信号線８１との間に接続される。

第２の抵抗１０２は、識別用信号線７８とＬレベル信号線８１との間に接続される。

第３の抵抗１０３は、識別用信号線７９とＬレベル信号線８１との間に接続される。

第４の抵抗１０４は、識別用信号線８０とＬレベル信号線８１との間に接続される。

第１のヒューズ１０５は、識別用信号線７７とＬレベル信号線８１との接続点と、Ｈレベル信号線８２との間に接続される。

第２のヒューズ１０６は、識別用信号線７８とＬレベル信号線８１との接続点と、Ｈレベル信号線８２との間に接続される。

第３のヒューズ１０７は、識別用信号線７９とＬレベル信号線８１との接続点と、Ｈレベル信号線８２との間に接続される。

第４のヒューズ１０８は、識別用信号線８０とＬレベル信号線８１との接続点と、Ｈレベル信号線８２との間に接続される。

識別回路３３Ａの第１のヒューズ１０５乃至第４のヒューズ１０８は、製造時にイオンセンサチップ２における検査対象イオンの組み合わせに応じて溶断される。例えば、図５に示されるように、第３のヒューズ１０７及び第４のヒューズ１０８が溶断されている状態で、Ｌレベル信号線８１がＬレベルに引き下げられ、且つＨレベル信号線８２がＨレベルに引き上げられたとする。この場合、識別用信号線７７及び識別用信号線７８は、第１のヒューズ１０５及び第２のヒューズ１０６を介してＨレベル信号線８２に接続されている為、論理値「１」になる。また、識別用信号線７９及び識別用信号線８０は、第３のヒューズ１０７及び第４のヒューズ１０８が溶断され、且つ第３の抵抗１０３及び第４の抵抗１０４を介してＬレベル信号線８１に接続されている為、論理値「０」になる。

このような構成によると、製造時にイオンセンサチップ２における検査対象イオンの組み合わせに応じて、識別回路３３Ａの第１のヒューズ１０５乃至第４のヒューズ１０８を溶断することにより、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０と、Ｌレベル信号線８１及びＨレベル信号線８２との接続関係を変更することができる。このような構成によっても、イオンセンサチップ２は、イオンセンサの検出するイオンの種類を示す識別情報を検査装置１に供給することができる。この結果、イオンセンサチップ２は、検査装置１への誤接続を防止することが可能になる。

（第３の実施形態）
第３の実施形態は、第１の実施形態とイオンセンサチップ２の基板３１上における信号線の接続が異なる。なお、第３の実施形態におけるイオンセンサチップをイオンセンサチップ２Ｂと称し、以下説明する。

イオンセンサチップ２Ｂは、基板３１、センサ部３２Ｂ、及び識別回路３３を備える。

センサ部３２Ｂは、複数のイオン測定部を備える。なお、本実施形態では、センサ部３２Ｂは、複数のイオン測定部を備えるものとして説明する。例えば、図６の例では、センサ部３２Ｂは、第１のイオン測定部４１、第２のイオン測定部４２、第３のイオン測定部４３、及び第４のイオン測定部４４を備える。

第１のイオン測定部４１の第１のイオンセンサ５２のソース端子には信号線６２が接続され、ゲート端子には信号線６３が接続され、ドレイン端子には信号線６４Ｂが接続されている。

第２のイオン測定部４２の第２のイオンセンサ５４のソース端子には信号線６４Ｂが接続され、ゲート端子には信号線６７が接続され、ドレイン端子には信号線６８Ｂが接続されている。

第３のイオン測定部４３の第３のイオンセンサ５６のソース端子には信号線６８Ｂが接続され、ゲート端子には信号線７１が接続され、ドレイン端子には信号線７２Ｂが接続されている。

第４のイオン測定部４４の第４のイオンセンサ５８のソース端子には信号線７２Ｂが接続され、ゲート端子には信号線７５が接続され、ドレイン端子には信号線７６Ｂが接続されている。

信号線６１、信号線６２、信号線６３、信号線６４Ｂ、信号線６５、信号線６７、信号線６８Ｂ、信号線６９、信号線７１、信号線７２Ｂ、信号線７３、信号線７５、信号線７６、識別用信号線７７乃至識別用信号線８０、Ｌレベル信号線８１、及びＨレベル信号線８２は、それぞれ導電性を有する金属などにより基板３１の表面に接触端子として形成される。これらの信号線は、イオンセンサチップ２が検査装置１の接続部１４に接続された場合に、接続部１４の複数の端子と接触する位置に設けられている。これらの信号線は、検査装置１の接続部１４の複数の端子とそれぞれ接触することにより、検査装置１の接続部１４と電気的に接続される。なお、これらの信号線は、例えば図６に示されるように、基板３１のある辺に伸びるように構成されている。基板３１の複数の信号線が伸びた辺は、検査装置１の接続部１４のスロットに挿入される挿入部９１として構成される。

上記の構成によると、検査装置１の接続部１４は、信号線６２−信号線７６間で一定の電流が流れるように制御することにより、第１のイオンセンサ５２のソース端子−ドレイン端子間、第２のイオンセンサ５４のソース端子−ドレイン端子間、第３のイオンセンサ５６のソース端子−ドレイン端子間、及び第４のイオンセンサ５８のソース端子−ドレイン端子間にそれぞれ一定の電流が流すことができる。このような構成によっても、イオンセンサチップ２は、検査装置１に検査対象イオンの活量に応じた電圧を供給することができる。

（第４の実施形態）
第４の実施形態は、識別情報をＲＦＩＤを用いて検査装置１に供給する点が第１の実施形態と異なる。なお、第４の実施形態におけるイオンセンサチップをイオンセンサチップ２Ｃと称し、検査装置１の接続部を接続部１４Ｃと称し、以下説明する。

図７は、第４の実施形態に係るイオンセンサチップ２Ｃ及び接続部１４Ｃの構成例を示す図である。

イオンセンサチップ２Ｃは、基板３１、センサ部３２、及びＩＣタグ３４Ｃを備える。

ＩＣタグ３４Ｃは、ＩＣチップと、通信用の回路とを備える。ＩＣチップは、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、及び不揮発性メモリなどを備える。ＩＣチップの不揮発性メモリは、イオンセンサチップ２Ｃの検査対象イオンの組み合わせに応じた識別情報を保存している。通信用の回路は、例えばアンテナとして構成される。

なお、ＩＣタグ３４Ｃは、例えば、ＵＨＦのパッシブタグとして構成される。EPC Class1 Generation2規格では、ＵＨＦのパッシブタグは、「EPCバンク」、「TIDバンク」、「Userバンク」、及び「Reservedバンク」などの４つのバンクをメモリ内に備える。例えば、ＩＣタグ３４Ｃは、「Userバンク」にイオンセンサチップ２Ｃの検査対象イオンの組み合わせに応じた識別情報を保存する。より具体的には、ＩＣタグ３４Ｃは、32bitで構成される「Userバンク」のうちの4bitを用いて、イオンセンサチップ２Ｃの検査対象イオンの組み合わせを示す識別情報を保存する。ＩＣタグ３４Ｃは、「Userバンク」にさらにイオンセンサチップ２Ｃの製造ロット等の情報を保存する構成であってもよい。ＩＣタグ３４Ｃは、イオンセンサチップ２Ｃの製造時に作成される。ＩＣタグ３４Ｃは、例えば基板３１上にインクジェット法等で直接印刷する、またはＩＣタグが搭載されたラベル（ＩＣタグラベル）が基板３１に貼られることによりイオンセンサチップ２Ｃに搭載される。

接続部１４Ｃは、イオンセンサチップ２Ｃが接続されるインターフェースである。接続部１４Ｃは、イオンセンサチップ２Ｃが備える複数の信号線と電気的に接続される複数の端子１６Ｃと、イオンセンサチップ２Ｃが挿入されるスロット１７Ｃと、イオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃと通信するＩＣタグリーダライタ１８Ｃと、イオンセンサチップ２Ｃに入力する信号またはイオンセンサチップ２Ｃから出力された信号を処理する図示されない信号処理回路とを備える。

スロット１７Ｃにイオンセンサチップ２Ｃが挿入された場合、イオンセンサチップ２Ｃが備える複数の信号線と接続部１４Ｃの複数の端子１６Ｃとがそれぞれ電気的に接続される。

接続部１４Ｃは、主制御部１５の制御に基づいて、信号処理回路によってイオンセンサチップ２Ｃに信号を入力する。また、接続部１４Ｃは、主制御部１５の制御に基づいて、イオンセンサチップ２Ｃから出力された信号に対して信号処理回路によって信号処理を施し、信号処理を施した信号を主制御部１５に供給する。これにより、検査装置１は、イオンセンサチップ２Ｃから、検査対象イオンの活量に応じた電圧を検出する。

また、ＩＣタグリーダライタ１８Ｃは、スロット１７Ｃに挿入されたイオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃと通信が可能な位置に設けられている。即ち、スロット１７Ｃにイオンセンサチップ２Ｃが挿入された場合、イオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４ＣとＩＣタグリーダライタ１８Ｃとの間で通信が可能になる。

検査装置１の主制御部１５は、ＩＣタグリーダライタ１８Ｃを制御することによって、イオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃにコマンドを送信する。また、主制御部１５は、ＩＣタグリーダライタ１８Ｃを制御することによって、イオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃから送信されたレスポンスを受信する。主制御部１５は、ＩＣタグリーダライタ１８Ｃを介してイオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃとの間でコマンド及びレスポンスを送受信することにより、ＩＣタグ３４Ｃから情報を取得する。例えば、主制御部１５は、ＩＣタグ３４Ｃに特定のコマンドを送信することによって、イオンセンサチップ２Ｃの検査対象イオンの組み合わせに応じた識別情報をＩＣタグ３４Ｃから取得する。

上記のような構成によっても、イオンセンサチップ２Ｃは、イオンセンサの検出するイオンの種類を示す識別情報を検査装置１に供給することができる。

またさらに、主制御部１５は、ＩＣタグリーダライタ１８Ｃを介してイオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃとの間でコマンド及びレスポンスを送受信することにより、ＩＣタグ３４Ｃに情報を書き込む構成であってもよい。例えば、主制御部１５は、イオンセンサチップ２Ｃを用いて検査試料中の検査対象イオンの活量の測定が完了した場合、ＩＣタグ３４Ｃに特定のコマンドを送信することによって、イオンセンサチップ２Ｃが使用済みであるか否かを示す情報（履歴情報）を書き込む構成であってもよい。また、主制御部１５は、ＩＣタグ３４Ｃに特定のコマンドを送信することによって、イオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃの履歴情報を読み出す。即ち、イオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃは、イオンセンサチップ２Ｃが使用済みであるか否かを示す履歴情報を検査装置１に供給する履歴情報供給部として機能する。

このような構成によると、イオンセンサチップ２Ｃは、使用済みであるか否かを示す履歴情報を検査装置１に供給することができる。また、検査装置１の主制御部１５は、履歴情報をイオンセンサチップ２Ｃから取得することにより、接続部１４Ｃに接続されたイオンセンサチップ２Ｃが使用済みであるか否かを認識することができる。この結果、使用済みのイオンセンサチップ２Ｃが再度検査装置１に接続されて使用されることを防ぐことができる。

また、ＩＣタグ３４Ｃは、イオンセンサチップ２Ｃに搭載されたイオンセンサのオフセット値をさらに保存する構成であってもよい。オフセット値は、イオンセンサの製造バラつきなどによって生じるイオンセンサの特性に応じて生成される値である。オフセット値は、イオンセンサの製造後の検査の際の測定値に応じて生成され、ＩＣタグ３４Ｃに保存される。ＩＣタグ３４Ｃは、イオンセンサチップ２Ｃが接続部１４Ｃに接続された場合に、オフセット値を検査装置１に供給する。即ち、ＩＣタグ３４Ｃは、イオンセンサチップ２Ｃのイオンセンサの特性に応じたオフセット値を検査装置１に供給するオフセット値供給部として機能する。

検査装置１の主制御部１５は、イオンセンサチップ２ＣのＩＣタグ３４Ｃから供給されたオフセット値に基づいて、イオンセンサチップ２Ｃを用いた検査対象イオンの検査試料中の活量の測定結果を補正する。

このような構成によると、イオンセンサチップ２Ｃは、測定結果の補正に用いられるオフセット値を検査装置１に供給することができる。この結果、検査装置１における測定結果の精度を向上させることができる。

（第５の実施形態）
第５の実施形態は、識別情報をバーコードまたは二次元コードなどの画像情報を用いて検査装置１に供給する点が第１の実施形態と異なる。なお、第５の実施形態におけるイオンセンサチップをイオンセンサチップ２Ｄと称し、検査装置１の接続部を接続部１４Ｄと称し、以下説明する。

図８は、第５の実施形態に係るイオンセンサチップ２Ｄ及び接続部１４Ｄの構成例を示す図である。

イオンセンサチップ２Ｄは、基板３１、センサ部３２、二次元コード３５Ｄ、及び履歴記録回路３６Ｄを備える。

二次元コード３５Ｄは、イオンセンサチップ２Ｄの検査対象イオンの組み合わせを示す識別情報に基づいて生成された画像情報である。即ち、二次元コード３５Ｄは、イオンセンサチップ２Ｃの検査対象イオンの組み合わせを示す識別情報を含んでいる。さらに、二次元コード３５Ｄは、イオンセンサチップ２Ｄの製造ロット等を示す情報を含んでいてもよい。またさらに、二次元コード３５Ｄは、イオンセンサチップ２Ｃに搭載されたイオンセンサのオフセット値をさらに含んでいてもよい。

二次元コード３５Ｄは、スクリーン印刷やインクジェット法などによって基板３１に直接印刷されて形成されていてもよいし、二次元コード３５Ｄが印刷されたラベルが基板３１に張り付けられて形成されたものであってもよい。

また、接続部１４Ｄは、イオンセンサチップ２Ｄが接続されるインターフェースである。接続部１４Ｄは、イオンセンサチップ２Ｄが備える複数の信号線と電気的に接続される複数の端子１６Ｄと、イオンセンサチップ２Ｄが挿入されるスロット１７Ｄと、イオンセンサチップ２Ｄの二次元コード３５Ｄを読み取るカメラ１９Ｄと、イオンセンサチップ２Ｄに入力する信号またはイオンセンサチップ２Ｄから出力された信号を処理する図示されない信号処理回路とを備える。

スロット１７Ｄにイオンセンサチップ２Ｄが挿入された場合、イオンセンサチップ２Ｄが備える複数の信号線と接続部１４Ｄの複数の端子１６Ｄとがそれぞれ電気的に接続される。

接続部１４Ｄは、主制御部１５の制御に基づいて、信号処理回路によってイオンセンサチップ２Ｄに信号を入力する。また、接続部１４Ｄは、主制御部１５の制御に基づいて、イオンセンサチップ２Ｄから出力された信号に対して信号処理回路によって信号処理を施し、信号処理を施した信号を主制御部１５に供給する。これにより、検査装置１は、イオンセンサチップ２Ｄから、検査対象イオンの活量に応じた電圧を検出する。

カメラ１９Ｄは、スロット１７Ｄに挿入されたイオンセンサチップ２Ｄの二次元コード３５Ｄを読み取る。カメラ１９Ｄは、イメージセンサ、および光学素子などを備える。

イメージセンサは、光を電気信号（画像信号）に変換する画素がライン状に配列された撮像素子である。イメージセンサは、例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳ、または他の撮像素子により構成される。

光学素子は、所定の読取範囲からの光をイメージセンサの画素に結像させるものである。光学素子の読取範囲は、スロット１７Ｄにイオンセンサチップ２Ｄが挿入された場合に、イオンセンサチップ２Ｄの二次元コード３５Ｄを読み取り可能な範囲である。

即ち、スロット１７Ｄにイオンセンサチップ２Ｄが挿入された場合、カメラ１９Ｄは、イオンセンサチップ２Ｄの二次元コード３５Ｄを読み取り可能になる。

検査装置１の主制御部１５は、スロット１７Ｄに挿入されたイオンセンサチップ２Ｄからカメラ１９Ｄにより二次元コード３５Ｄを含む画像を取得する。主制御部１５は、取得した画像を解析することによって、二次元コード３５Ｄが含む種々の情報を取得する。例えば、主制御部１５は、二次元コード３５Ｄの画像を解析することによって、イオンセンサチップ２Ｄの識別情報を取得することにより、イオンセンサチップ２Ｄの検査対象イオンを認識する。

上記のような構成によっても、イオンセンサチップ２Ｄは、イオンセンサの検出するイオンの種類を示す識別情報を検査装置１に供給することができる。この結果、イオンセンサチップ２Ｄは、検査装置１への誤接続を防止することが可能になる。

また、履歴記録回路３６Ｄは、イオンセンサチップ２Ｄが使用済みであるか否かを示す情報（履歴情報）を検査装置１に供給する為の回路である。履歴記録回路３６Ｄには、Ｌレベル信号線８１、Ｈレベル信号線８２、及び履歴判別用信号線８３Ｄが接続されている。

履歴判別用信号線８３Ｄは、導電性を有する金属などにより基板３１の表面に接触端子として形成される。履歴判別用信号線８３Ｄは、イオンセンサチップ２Ｄが検査装置１の接続部１４に接続された場合に、接続部１４Ｄの複数の端子１６Ｄと接触する位置に設けられている。履歴判別用信号線８３Ｄは、接続部１４Ｄの複数の端子１６Ｄと接触することにより、検査装置１の接続部１４Ｄと電気的に接続される。なお、履歴判別用信号線８３Ｄは、図８に示されるように、基板３１の挿入部９１が構成された辺に伸びるように形成されている。

図９に示すように、履歴記録回路３６Ｄは、抵抗１０９Ｄ、及びヒューズ１１０Ｄを備える。ヒューズは、例えば、基板３１の表面に実装が可能な電流溶断型のチップヒューズである。

抵抗１０９Ｄは、履歴判別用信号線８３ＤとＬレベル信号線８１との間に接続される。

ヒューズ１１０Ｄは、履歴判別用信号線８３ＤとＨレベル信号線８２との間に接続される。

例えば、図９に示されるように、ヒューズ１１０Ｄが溶断されていない状態で、Ｌレベル信号線８１がＬレベルに引き下げられ、且つＨレベル信号線８２がＨレベルに引き上げられたとする。この場合、履歴記録回路３６Ｄの履歴判別用信号線８３Ｄがヒューズ１１０Ｄを介してＨレベル信号線８２に接続されている為、履歴判別用信号線８３Ｄの論理値は「１」になる。

また、例えば、図１０に示されるように、ヒューズ１１０Ｄが溶断されている状態で、Ｌレベル信号線８１がＬレベルに引き下げられ、且つＨレベル信号線８２がＨレベルに引き上げられたとする。この場合、履歴記録回路３６Ｄの履歴判別用信号線８３Ｄが抵抗１０９Ｄを介してＬレベル信号線８１に接続されている為、履歴判別用信号線８３Ｄの論理値は「０」になる。

このような構成によると、ヒューズ１１０Ｄを溶断することによって、履歴判別用信号線８３Ｄの論理値を「０」と「１」とで切り替えることができる。

例えば、検査装置１の主制御部１５は、イオンセンサチップ２Ｄを用いて検査試料中の検査対象イオンの活量の測定が完了した場合、履歴判別用信号線８３Ｄに電流を流すことによってヒューズ１１０Ｄを溶断する。これにより、主制御部１５は、履歴判別用信号線８３Ｄの論理値を、イオンセンサチップ２Ｄが未使用であることを示す「０」から、イオンセンサチップ２Ｄが使用済みであることを示す「１」に変えることができる。また、主制御部１５は、イオンセンサチップ２Ｄが接続部１４Ｄに接続された場合に、履歴判別用信号線８３Ｄの論理値に応じてイオンセンサチップ２Ｄが未使用であるか使用済みであるかを判別する。即ち、履歴記録回路３６Ｄは、イオンセンサチップ２Ｄが使用済みであるか否かを示す履歴情報を検査装置１に供給する履歴情報供給部として機能する。

このような構成によると、イオンセンサチップ２Ｄは、使用済みであるか否かを示す情報を検査装置１に供給することができる。また、検査装置１の主制御部１５は、履歴記録回路３６Ｄの履歴判別用信号線８３Ｄの論理値に応じてイオンセンサチップ２Ｄが使用済みであるか否かを認識することができる。この結果、使用済みのイオンセンサチップ２Ｄが再度検査装置１に接続されて使用されることを防ぐことができる。

なお、上述の各実施の形態で説明した機能は、ハードウエアを用いて構成するに留まらず、ソフトウエアを用いて各機能を記載したプログラムをコンピュータに読み込ませて実現することもできる。また、各機能は、適宜ソフトウエア、ハードウエアのいずれかを選択して構成するものであっても良い。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…検査装置、２…イオンセンサチップ、１１…表示部、１２…操作部、１３…通信部、１４…接続部、１５…主制御部、２１…ＣＰＵ、２２…ＲＯＭ、２３…ＲＡＭ、２４…不揮発性メモリ、３１…基板、３２…センサ部、３３…識別回路、３４Ｃ…ＩＣタグ、３５Ｄ…二次元コード、３６Ｄ…履歴記録回路、４１…第１のイオン測定部、４２…第２のイオン測定部、４３…第３のイオン測定部、４４…第４のイオン測定部、５１…第１の参照電極、５２…第１のイオンセンサ、５３…第２の参照電極、５４…第２のイオンセンサ、５５…第３の参照電極、５６…第３のイオンセンサ、５７…第４の参照電極、５８…第４のイオンセンサ、７７…識別用信号線、７８…識別用信号線、７９…識別用信号線、８０…識別用信号線、８１…Ｌレベル信号線、８２…Ｈレベル信号線、８３Ｄ…履歴判別用信号線、９１…挿入部。

Claims (5)

1. 複数の接触端子を有する接続部を備える検査装置に接続されるイオンセンサチップであって、
   イオン感応膜の組成に応じた種類のイオンの活量を測定するイオンセンサと、
   前記イオンセンサの検査対象イオンに応じた識別情報を前記検査装置に供給する識別情報供給部と、
   を具備するイオンセンサチップ。
2. それぞれ検査対象イオンが異なる複数の前記イオンセンサを備え、
   前記識別情報は、複数の前記イオンセンサの検査対象イオンの組み合わせを示す請求項１に記載のイオンセンサチップ。
3. 前記イオンセンサチップが使用済みであるか否かを示す履歴情報を前記検査装置に供給する履歴情報供給部をさらに具備する請求項１に記載のイオンセンサチップ。
4. 前記イオンセンサの特性に応じたオフセット値を前記検査装置に供給するオフセット値供給部をさらに具備する請求項１に記載のイオンセンサチップ。
5. 前記履歴情報供給部は、前記検査装置の制御に応じて前記履歴情報の記録及び読み出しが可能なＩＣタグを具備する請求項３に記載のイオンセンサチップ。