JP2018148014A - 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ - Google Patents
発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018148014A JP2018148014A JP2017041313A JP2017041313A JP2018148014A JP 2018148014 A JP2018148014 A JP 2018148014A JP 2017041313 A JP2017041313 A JP 2017041313A JP 2017041313 A JP2017041313 A JP 2017041313A JP 2018148014 A JP2018148014 A JP 2018148014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent substrate
- transparent
- emitting diode
- wafer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 124
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002173 cutting fluid Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【課題】十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップを提供する。【解決手段】結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路19が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、全面に渡り複数の貫通孔が形成された第1の透明基板又は全面に渡り複数の貫通孔が形成された第2の透明基板の少なくともどちらか一方の表面又は裏面にLED回路に対応して複数の溝を形成する透明基板加工工程と、第1の透明基板の表面をウエーハの裏面に貼着すると共に第2の透明基板の表面を第1の透明基板の裏面に貼着して一体化ウエーハを形成する透明基板貼着工程と、ウエーハを分割予定ラインに沿って切断して個々の発光ダイオードチップ31に分割する分割工程と、を備える。【選択図】図9
Description
本発明は、発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップに関する。
サファイア基板、GaN基板、SiC基板等の結晶成長用基板の表面にn型半導体層、発光層、p型半導体層が複数積層された積層体層が形成され、この積層体層に交差する複数の分割予定ラインによって区画された領域に複数のLED(Light Emitting Diode)等の発光デバイスが形成されたウエーハは、分割予定ラインに沿って切断されて個々の発光デバイスチップに分割され、分割された発光デバイスチップは携帯電話、パソコン、照明機器等の各種電気機器に広く利用されている。
発光デバイスチップの発光層から出射される光は等方性を有しているため、結晶成長用基板の内部にも照射されて基板の裏面及び側面からも光が出射する。然し、基板の内部に照射された光のうち空気層との界面での入射角が臨界角以上の光は界面で全反射されて基板内部に閉じ込められ、基板から外部に出射されることがないから発光デバイスチップの輝度の低下を招くという問題がある。
この問題を解決するために、発光層から出射された光が基板の内部に閉じ込められるのを抑制するために、基板の裏面に透明部材を貼着して輝度の向上を図るようにした発光ダイオード(LED)が特開2014−175354号公報に記載されている。
然し、特許文献1に開示された発光ダイオードでは、基板の裏面に透明部材を貼着することにより輝度が僅かに向上したものの十分な輝度が得られないという問題がある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、十分な輝度が得られる発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップを提供することである。
請求項1記載の発明によると、発光ダイオードチップの製造方法であって、結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、全面に渡り複数の貫通孔が形成された第1の透明基板又は全面に渡り複数の貫通孔が形成された第2の透明基板の少なくともどちらか一方の表面又は裏面にLED回路に対応して複数の溝を形成する透明基板加工工程と、該透明基板加工工程を実施した後、該第1の透明基板の表面をウエーハの裏面に貼着すると共に該第2の透明基板の表面を該第1の透明基板の裏面に貼着して一体化ウエーハを形成する透明基板貼着工程と、該透明基板貼着工程を実施した後、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該第1及び第2の透明基板と共に切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法が提供される。
好ましくは、透明基板加工工程において形成される溝の断面形状は、三角形状、四角形状、又は半円形状の何れかである。好ましくは、透明基板加工工程において形成される溝は、切削ブレード、エッチング、サンドブラスト、レーザーの何れかで形成される。
該第1及び第2の透明基板は、透明セラミックス、光学ガラス、サファイア、透明樹脂の何れかで形成され、該透明基板貼着工程において、該第1の透明基板は透明接着剤でウエーハに接着され、該第2の透明基板は透明接着剤で該第1の透明基板に接着される。
請求項5記載の発明によると、発光ダイオードチップであって、表面にLED回路が形成された発光ダイオードと、該発光ダイオードの裏面に貼着された複数の貫通孔を有する第1の透明部材と、該第1の透明部材の裏面に貼着された複数の貫通孔を有する第2の透明部材と、を備え、該第1の透明部材又は該第2の透明部材の少なくともどちらか一方の表面又は裏面に溝が形成されている発光ダイオードチップが提供される。
本発明の発光ダイオードチップは、少なくとも2層の透明部材に形成された複数の貫通孔と溝とによって光が複雑に屈折して第1及び第2の透明部材内に閉じ込められる光が減少し、第1及び第2の透明部材から出射される光の量が増大して発光ダイオードチップの輝度が向上する。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、光デバイスウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11の表面側斜視図が示されている。
光デバイスウエーハ11は、サファイア基板13上に窒化ガリウム(GaN)等のエピタキシャル層(積層体層)15が積層されて構成されている。光デバイスウエーハ11は、エピタキシャル層15が積層された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。
ここで、本実施形態の光デバイスウエーハ11では、結晶成長用基板としてサファイア基板13を採用しているが、サファイア基板13に替えGaN基板又はSiC基板等を採用するようにしてもよい。
積層体層(エピタキシャル層)15は、電子が多数キャリアとなるn型半導体層(例えば、n型GaN層)、発光層となる半導体層(例えば、InGaN層)、正孔が多数キャリアとなるp型半導体層(例えば、p型GaN層)を順にエピタキシャル成長させることにより形成される。
サファイア基板13は例えば100μmの厚みを有しており、積層体層15は例えば5μmの厚みを有している。積層体層15に複数のLED回路19が格子状に形成された複数の分割予定ライン17によって区画されて形成されている。ウエーハ11は、LED回路19が形成された表面11aと、サファイア基板13が露出した裏面11bとを有している。
本発明実施形態の発光ダイオードチップの製造方法によると、まず図1に示すような光デバイスウエーハ11を準備するウエーハ準備工程を実施する。また、図2(A)及び図5に示すような全面に渡り複数の貫通孔が形成された第1の透明基板21と全面に渡り複数の貫通孔が形成された第2の透明基板21Aとを準備する透明基板準備工程を実施する。
ウエーハ及び透明基板準備工程を実施した後、ウエーハ11の裏面11bに貼着する第1の透明基板21の表面又は裏面、或いは第1の透明基板21の裏面に貼着する第2の透明基板21Aの表面又は裏面にLED回路19に対応して複数の溝を形成する透明基板加工工程を実施する。この透明基板加工工程は、例えば、よく知られた切削装置を用いて実施する。
図2(A)に示すように、切削装置の切削ユニット10は、スピンドルハウジング12と、スピンドルハウジング12中に回転可能に挿入された図示しないスピンドルと、スピンドルの先端に装着された切削ブレード14とを含んでいる。
切削ブレード14の切り刃は、例えば、ダイヤモンド砥粒をニッケルメッキで固定した電鋳砥石で形成されており、その先端形状は三角形状、四角形状、又は半円形状をしている。
切削ブレード14の概略上半分はブレードカバー(ホイールカバー)16で覆われており、ブレードカバー16には切削ブレード14の奥側及び手前側に水平に伸長する一対の(1本のみ図示)クーラーノズル18が配設されている。
第1の透明基板21の表面21aに複数の溝23を形成する透明基板加工工程では、第1の透明基板21を図示しない切削装置のチャックテーブルで吸引保持する。そして、切削ブレード14を矢印R方向に高速回転させながら第1の透明基板21の表面21aに所定深さ切り込み、図示しないチャックテーブルに保持された第1の透明基板21を矢印X1方向に加工送りすることにより、第1の方向に伸長する溝23を切削により形成する。
第1の透明基板21を矢印X1方向に直交する方向にウエーハ11の分割予定ライン17のピッチずつ割り出し送りしながら、第1の透明基板21の表面21aを切削して、図3に示すように、第1の方向に伸長する複数の溝23を次々と形成する。
図3(A)に示すように、第1の透明基板21の表面21aに形成する複数の溝23は一方向にのみ伸長する形態であってもよいし、或いは、図4に示すように、第1の方向及び該第1の方向に直交する第2の方向に伸長する複数の溝23を第1の透明基板21の表面21aに形成するようにしてもよい。
第1の透明基板21の表面21aに形成する溝は、図2(B)に示すような断面三角形状の溝23、又は図2(C)に示すような断面四角形状の溝23A、又は図2(D)に示すような断面半円形状の溝23Bの何れであってもよい。
第1の透明基板21及び第2の透明基板21Aは、透明樹脂、光学ガラス、サファイア、透明セラミックスの何れかから形成される。本実施形態では、光学ガラスに比べて耐久性のあるポリカーボネイト、アクリル等の透明樹脂から第1の透明基板21及び第2の透明基板21Aを形成した。尚、溝を形成する方法として、サンドブラスト、エッチング、レーザーを用いてもよい。
上述した実施形態では、第1の透明基板21の表面21aに複数の溝23,23A,23Bを形成しているが、この実施形態に替えて、第1の透明基板21の裏面21bに複数の溝23,23A,23Bを形成するようにしてもよい。
或いは、第1の透明基板21の表面及び裏面には何ら加工を施すことなく、第2の透明基板21Aの表面21a又は裏面21bにウエーハ11の各LED回路19に対応して複数の溝23,23A,23Bを形成するようにしてもよい。
透明基板加工工程を実施した後、ウエーハ11の裏面11bに第1の透明基板21の表面21aを貼着すると共に第1の透明基板21の裏面21bに第2の透明基板21Aの表面21aを貼着する透明基板貼着工程を実施する。
この透明基板貼着工程では、図3(A)に示すように、表面21aに第1の方向に伸長する複数の溝23が形成された第1の透明基板21の表面に、ウエーハ11の裏面11bを透明接着剤により接着して、図3(B)に示すように、ウエーハ11と第1の透明基板21とを一体化して第1一体化ウエーハ25を形成する。
代替実施形態として、図4に示すように、第1の透明基板21の表面21aに第1の方向及びこの第1の方向に直交する第2の方向に伸長する複数の溝23を有する第1の透明基板21の表面21aに、ウエーハ11の裏面11bを透明接着剤により接着して、ウエーハ11と第1の透明基板21とを一体化するようにしてもよい。ここで、第1の透明基板21の表面21aに形成した溝23のピッチはウエーハ11の分割予定ライン17のピッチに対応する。
次いで、図5(A)に示すように、第1一体化ウエーハ25の第1の透明基板21の裏面21bに第2の透明基板21Aの表面21aを貼着して、図5(B)に示すような第2一体化ウエーハ25Aを形成する。
この透明基板貼着工程は、上述した順序に限定されるものではなく、第1の透明基板21の裏面21bに第2の透明基板21Aの表面21aを貼着した後、第1の透明基板21の表面21aをウエーハ11の裏面11bに貼着して第2一体化ウエーハ25Aを形成するようにしてもよい。
透明基板貼着工程を実施した後、図6に示すように、第2一体化ウエーハ25Aの第2の透明基板21Aを外周部が環状フレームFに貼着されたダイシングテープTに貼着してフレームユニットを形成し、第2一体化ウエーハ25AをダイシングテープTを介して環状フレームFで支持する支持工程を実施する。
支持工程を実施した後、フレームユニットを切削装置に投入し、切削装置で一体化ウエーハ25を切削して個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程を実施する。この分割工程について、図7を参照して説明する。
分割工程では、第2一体化ウエーハ25AをフレームユニットのダイシングテープTを介して切削装置のチャックテーブル20で吸引保持し、環状フレームFは図示しないクランプでクランプして固定する。
そして、切削ブレード14を矢印R方向に高速回転させながら切削ブレード14の先端がダイシングテープTに届くまでウエーハ11の分割予定ライン17に切り込み、クーラーノズル18から切削ブレード14及びウエーハ11の加工点に向かって切削液を供給しつつ、第2一体化ウエーハ25Aを矢印X1方向に加工送りすることにより、ウエーハ11の分割予定ライン17に沿ってウエーハ11及び第1、第2の透明基板21,21Aを切断する切断溝27を形成する。
切削ユニット10をY軸方向に割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する分割予定ライン17に沿って同様な切断溝27を次々と形成する。次いで、チャックテーブル20を90°回転してから、第1の方向に直交する第2の方向に伸長する全ての分割予定ライン17に沿って同様な切断溝27を形成して、図8に示す状態にすることで、第2一体化ウエーハ25Aを図9に示すような発光ダイオードチップ31に分割する。
上述した実施形態では、第2一体化ウエーハ25Aを個々の発光ダイオードチップ31に分割するのに切削装置を使用しているが、ウエーハ11及び透明基板21,21Aに対して透過性を有する波長のレーザービームを分割予定ライン13に沿ってウエーハ11に照射して、ウエーハ11及び透明基板21,21Aの内部に厚み方向に複数層の改質層を形成し、次いで、第2一体化ウエーハ25Aに外力を付与して、改質層を分割起点に第2一体化ウエーハ25Aを個々の発光ダイオードチップ31に分割するようにしてもよい。
図9(A)に示された発光ダイオードチップ31は、表面にLED回路19を有するLED13Aの裏面に複数の貫通孔29が形成された第1の透明部材21´が貼着されている。また、第1の透明部材21´の表面に溝23Bが形成されている。更に、第1の透明部材21´の裏面に複数の貫通孔が形成された第2の透明部材21A´が貼着されている。
図9(B)に示す発光ダイオードチップ31Aは、表面にLED回路19を有するLED13Aの裏面に複数の貫通孔が形成された第1の透明部材21´が貼着されている。また、第1の透明部材21´の裏面に溝23Bが形成されている。更に、第1の透明部材21´の裏面に第2の透明部材21A´の表面が貼着されている。
図9(C)に示す発光ダイオードチップ31Bは、表面にLED回路19を有するLED13Aの裏面に複数の貫通孔が形成された第1の透明部材21´が貼着されている。更に、第1の透明部材21´の裏面に第2の透明部材21A´が貼着されている。また、第2の透明部材21A´の表面に溝23Bが形成されている。
図9(D)に示す発光ダイオードチップ31Cは、表面にLED回路19を有するLED13Aの裏面に複数の貫通孔が形成された第1の透明部材21´が貼着されている。更に、第1の透明部材21´の裏面に第2の透明部材21A´の表面が貼着されている。また、第2の透明部材21A´の裏面に溝23Bが形成されている。
従って、図9(A)に示す発光ダイオードチップ31では、第1の透明部材21´の表面に溝23Bが形成されているため、第1の透明部材21´の表面積が増大する。更に、発光ダイオードチップ31のLED回路19から出射され第1の透明部材21´に入射する光の一部は溝23B部分で屈折されてから第1の透明部材21´内に進入する。
よって、第1の透明部材21´及び第2の透明部材21A´から外部に屈折して光が出射する際、第1及び第2の透明部材21´,21A´と空気層との界面での入射角が臨界角以上となる光の割合が減少し、第1、第2の透明部材21´,21A´から出射される光の量が増大し、発光ダイオードチップ31の輝度が向上する。
図9(B)〜図9(D)に示す発光ダイオードチップ31A,31B,31Cについても、図9(A)に示す発光ダイオードチップ31と同様な作用効果を奏する。
10 切削ユニット
11 光デバイスウエーハ(ウエーハ)
13 サファイア基板
14 切削ブレード
15 積層体層
17 分割予定ライン
19 LED回路
21 第1の透明基板
21´ 第1の透明部材
21A 第2の透明基板
21A´ 第2の透明部材
23,23A,23B 溝
25 第1一体化ウエーハ
25A 第2一体化ウエーハ
27 切断溝
29 貫通孔
31,31A,31B,31C 発光ダイオードチップ
11 光デバイスウエーハ(ウエーハ)
13 サファイア基板
14 切削ブレード
15 積層体層
17 分割予定ライン
19 LED回路
21 第1の透明基板
21´ 第1の透明部材
21A 第2の透明基板
21A´ 第2の透明部材
23,23A,23B 溝
25 第1一体化ウエーハ
25A 第2一体化ウエーハ
27 切断溝
29 貫通孔
31,31A,31B,31C 発光ダイオードチップ
Claims (5)
- 発光ダイオードチップの製造方法であって、
結晶成長用の透明基板上に発光層を含む複数の半導体層が形成された積層体層を有し、該積層体層の表面に互いに交差する複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれLED回路が形成されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、
全面に渡り複数の貫通孔が形成された第1の透明基板又は全面に渡り複数の貫通孔が形成された第2の透明基板の少なくともどちらか一方の表面又は裏面にLED回路に対応して複数の溝を形成する透明基板加工工程と、
該透明基板加工工程を実施した後、該第1の透明基板の表面をウエーハの裏面に貼着すると共に該第2の透明基板の表面を該第1の透明基板の裏面に貼着して一体化ウエーハを形成する透明基板貼着工程と、
該透明基板貼着工程を実施した後、該ウエーハを該分割予定ラインに沿って該第1及び第2の透明基板と共に切断して該一体化ウエーハを個々の発光ダイオードチップに分割する分割工程と、
を備えたことを特徴とする発光ダイオードチップの製造方法。 - 該透明基板加工工程で形成される前記溝の断面形状は三角形状、四角形状、半円形状の何れかである請求項1記載の発光ダイオードチップの製造方法。
- 該透明基板加工工程において、前記溝は切削ブレード、エッチング、サンドブラスト、レーザーの何れかで形成される請求項1記載の発光ダイオードチップの製造方法。
- 該第1及び第2の透明基板は、透明セラミックス、光学ガラス、サファイア、透明樹脂の何れかで形成され、該透明基板貼着工程において該第1の透明基板は透明接着剤を使用してウエーハに接着され、該第2の透明基板は透明接着剤を使用して該第1の透明基板に貼着される請求項1記載の発光ダイオードチップの製造方法。
- 発光ダイオードチップであって、
表面にLED回路が形成された発光ダイオードと、
該発光ダイオードの裏面に貼着された複数の貫通孔を有する第1の透明部材と、
該第1の透明部材の裏面に貼着された複数の貫通孔を有する第2の透明部材と、
を備え、
該第1の透明部材又は該第2の透明部材の少なくともどちらか一方の表面又は裏面に溝が形成されている発光ダイオードチップ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017041313A JP2018148014A (ja) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
TW107104136A TW201836173A (zh) | 2017-03-06 | 2018-02-06 | 發光二極體晶片的製造方法及發光二極體晶片 |
KR1020180023647A KR20180102008A (ko) | 2017-03-06 | 2018-02-27 | 발광 다이오드 칩의 제조 방법 및 발광 다이오드 칩 |
CN201810171285.3A CN108538994A (zh) | 2017-03-06 | 2018-03-01 | 发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017041313A JP2018148014A (ja) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018148014A true JP2018148014A (ja) | 2018-09-20 |
Family
ID=63485888
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017041313A Pending JP2018148014A (ja) | 2017-03-06 | 2017-03-06 | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2018148014A (ja) |
KR (1) | KR20180102008A (ja) |
CN (1) | CN108538994A (ja) |
TW (1) | TW201836173A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114695606A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-07-01 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 发光芯片制作方法及发光芯片 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003046124A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2007073734A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Kyocera Corp | 発光素子 |
US20080217639A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Photonic crystal light emitting device using photon-recycling |
US20110220946A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Min Gyu Na | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system |
JP2012099788A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Samsung Led Co Ltd | 半導体発光素子 |
WO2013114480A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法及び光源装置 |
JP2014239123A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2015018953A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 株式会社ディスコ | 発光チップ |
JP2015119123A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | 発光チップ |
JP2015192100A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
JP2016521463A (ja) * | 2013-05-15 | 2016-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 基板内に散乱機構を有するled |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5941306B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-06-29 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP2014175354A (ja) | 2013-03-06 | 2014-09-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | 発光ダイオード |
-
2017
- 2017-03-06 JP JP2017041313A patent/JP2018148014A/ja active Pending
-
2018
- 2018-02-06 TW TW107104136A patent/TW201836173A/zh unknown
- 2018-02-27 KR KR1020180023647A patent/KR20180102008A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-03-01 CN CN201810171285.3A patent/CN108538994A/zh active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003046124A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
JP2007073734A (ja) * | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Kyocera Corp | 発光素子 |
US20080217639A1 (en) * | 2007-03-05 | 2008-09-11 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Photonic crystal light emitting device using photon-recycling |
US20110220946A1 (en) * | 2010-03-09 | 2011-09-15 | Min Gyu Na | Light emitting device, light emitting device package, and lighting system |
JP2012099788A (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-24 | Samsung Led Co Ltd | 半導体発光素子 |
WO2013114480A1 (ja) * | 2012-02-01 | 2013-08-08 | パナソニック株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法及び光源装置 |
JP2016521463A (ja) * | 2013-05-15 | 2016-07-21 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 基板内に散乱機構を有するled |
JP2014239123A (ja) * | 2013-06-06 | 2014-12-18 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
JP2015018953A (ja) * | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 株式会社ディスコ | 発光チップ |
JP2015119123A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | 株式会社ディスコ | 発光チップ |
JP2015192100A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 豊田合成株式会社 | 発光素子および発光素子の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114695606A (zh) * | 2022-04-18 | 2022-07-01 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 发光芯片制作方法及发光芯片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108538994A (zh) | 2018-09-14 |
TW201836173A (zh) | 2018-10-01 |
KR20180102008A (ko) | 2018-09-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2018148014A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018129343A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018026383A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018026386A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2017220479A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2017220478A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018060867A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2018116968A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP6821260B2 (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018148016A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018129370A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018129345A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018129347A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018113387A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018113386A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018113385A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018129341A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018026387A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法 | |
JP2018113388A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018181874A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018148093A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018113384A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018026384A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018148095A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ | |
JP2018186165A (ja) | 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210202 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210803 |