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Abstract
【課題】可撓性の表示装置を歩留まり良く製造可能な方法、およびその方法で製造される表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、複数の画素を含む表示領域と、端子を含む端子領域と、前記端子から前記表示領域へ延びる配線を含み、前記表示領域と前記端子領域の間に位置する配線領域と、を有する基板と、前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記表示領域下に位置する第1のベースフィルムと、前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記端子領域下に位置し、前記第1のベースフィルムと離間した第2のベースフィルムを有し、前記第1のベースフィルムの前記第2のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する。
【選択図】図1
【解決手段】表示装置は、複数の画素を含む表示領域と、端子を含む端子領域と、前記端子から前記表示領域へ延びる配線を含み、前記表示領域と前記端子領域の間に位置する配線領域と、を有する基板と、前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記表示領域下に位置する第1のベースフィルムと、前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記端子領域下に位置し、前記第1のベースフィルムと離間した第2のベースフィルムを有し、前記第1のベースフィルムの前記第2のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態の一つは、可撓性の表示装置、およびその製造方法に関する。例えば高い信頼性を有する可撓性の表示装置、および可撓性の表示装置を高い歩留りで製造するための方法に関する。
表示装置の代表例として、液晶表示装置や有機EL表示装置が挙げられる。これらの表示装置は、基板上に複数の画素を備え、各画素には液晶素子や有機EL(Electroluminescence)素子(以下、発光素子と記す)などの表示素子が設けられる。液晶素子や発光素子は、一対の電極間に液晶性を示す化合物を含む層、あるいは発光性を示す有機化合物を含む層(以下、EL層と記す)をそれぞれ有しており、一対の電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。
表示装置の基板に可撓性を付与することで、折り曲げたり湾曲させることが可能な、いわゆるフレキシブルディスプレイ(シートディスプレイ)を提供することができる。例えば特許文献1や2では、可撓性の基板を利用して作製された有機EL表示装置が開示されている。この表示装置は、表示領域と、外部から映像信号を入力するための端子を含む端子領域を有しており、表示領域と端子領域の間で折りたたむことが可能である。
本発明に係る実施形態は、可撓性の表示装置、およびその製造方法を提供することを目的の一つとする。例えば、可撓性の表示装置を歩留まり良く製造可能な方法、およびその方法で製造される表示装置を提供することを目的の一つとする。
本発明に係る実施形態の一つは、表示装置は、複数の画素を含む表示領域と、端子を含む端子領域と、前記端子から前記表示領域へ延びる配線を含み、前記表示領域と前記端子領域の間に位置する配線領域と、を有する基板と;前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記表示領域下に位置する第1のベースフィルムと;前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記端子領域下に位置し、前記第1のベースフィルムと離間した第2のベースフィルムを有し、前記第1のベースフィルムの前記第2のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する。
本発明に係る実施形態の一つは、複数の画素を含む第1の領域と前記第1の領域と離間する第2の領域とを有し、前記第1の領域が前記第2の領域に重なる形状を有する可撓性基板と;前記可撓性基板の前記第1の領域、かつ前記複数の画素とは反対の側に位置する第1のベースフィルムと;前記可撓性基板の前記第2の領域、かつ前記複数の画素とは反対の側に位置する第2のベースフィルムとを有し、前記第1のベースフィルムと前記第2のベースフィルムは、前記第1の領域と前記第2の領域に挟持され、前記第1のベースフィルムの側面はテーパー部を有する。
本発明に係る実施形態の一つは、表示装置の製造方法である。この製造方法は、表示領域、配線領域、および端子領域を含む支持基板上に基材フィルムを形成すること、表示領域、配線領域、および端子領域に、画素、配線、および端子をそれぞれ形成すること、表示領域上にキャップフィルムを形成すること、開口部を有するベースフィルムを、開口部が配線領域と重なるように基材フィルム下に形成すること、および、基材フィルムに対してトリミングを行い、ベースフィルムを表示領域と重なる第1のベースフィルムと端子領域と重なる第2のベースフィルムに分割することを含む。配線は画素と端子を電気的に接続するよう構成される。開口部の側壁は、ベースフィルムの上面から傾く。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
(第1実施形態)
[1.全体構成]
図1、図2に本実施形態の表示装置100の模式的な斜視図と上面図をそれぞれ示す。図1に示すように、表示装置100は可撓性基板102を有しており、湾曲させたり、折り曲げることが可能である。可撓性基板102は基材、あるいは基材フィルムとも呼ばれる。可撓性基板102上には素子層110が設けられる。後述するように、素子層110には種々の絶縁膜や導電膜、半導体膜が積層され、これらによって画素や駆動回路などを構成するトランジスタや容量、表示素子などが形成される。素子層110上には、素子層110を保護し、表示装置100に対し、十分な可撓性を維持しつつ、かつ取り扱いを容易にするために必要な物理的強度を付与するためのキャップフィルム112が設けられる。キャップフィルム112は可撓性を有する。図示しないが、表示装置100は任意の構成として、キャップフィルム112上に偏光板やタッチセンサなどを有することができる。あるいは偏光板やタッチセンサがキャップフィルム112を兼ねてもよい。
[1.全体構成]
図1、図2に本実施形態の表示装置100の模式的な斜視図と上面図をそれぞれ示す。図1に示すように、表示装置100は可撓性基板102を有しており、湾曲させたり、折り曲げることが可能である。可撓性基板102は基材、あるいは基材フィルムとも呼ばれる。可撓性基板102上には素子層110が設けられる。後述するように、素子層110には種々の絶縁膜や導電膜、半導体膜が積層され、これらによって画素や駆動回路などを構成するトランジスタや容量、表示素子などが形成される。素子層110上には、素子層110を保護し、表示装置100に対し、十分な可撓性を維持しつつ、かつ取り扱いを容易にするために必要な物理的強度を付与するためのキャップフィルム112が設けられる。キャップフィルム112は可撓性を有する。図示しないが、表示装置100は任意の構成として、キャップフィルム112上に偏光板やタッチセンサなどを有することができる。あるいは偏光板やタッチセンサがキャップフィルム112を兼ねてもよい。
可撓性基板102の下には、すなわち、可撓性基板102の素子層110とは反対の側には、可撓性基板102を保護するとともに物理的強度を付与するための第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118が設けられる。前者はキャップフィルム112とともに素子層110と可撓性基板102を挟持する。
図2は、図1に示す折りたたまれた状態の表示装置100を展開した図であり、表示装置100の上面が図示されている。図2では見やすさを考慮し、キャップフィルム112や後述する樹脂膜114は省かれている。可撓性基板102は三つの領域(活性領域(アクティブエリアとも呼ばれる)104、配線領域106、端子領域108)に分けることができる。換言すると、可撓性基板102は活性領域104、配線領域106、端子領域108を含む。配線領域106は活性領域104と端子領域108の間に位置する。
活性領域104には素子層110が含まれ、素子層110は、表示領域122と駆動回路130などを構成する。表示領域122内には複数の画素128がマトリクス状に配置され、画素128は駆動回路130によって制御される。複数の画素128にはそれぞれ表示素子が設けられる。図2に示す表示装置100は二つの駆動回路130を有しているが、駆動回路130の数に制限は無い。また、駆動回路130を活性領域104に設けず、配線領域106やコネクタ124上に設けてもよい。
配線領域106には複数の配線134が設けられる。配線134は表示領域122や駆動回路130から延伸してICチップ126へ接続される。ICチップからはさらに配線134が端子領域108へ延伸し、端部で露出されて端子132を形成する。端子132はFPC(フレキシブル印刷回路)基板などのコネクタ124と接続される。図示しない外部回路からコネクタ124を介して映像信号がICチップ126や駆動回路130に入力される。映像信号に基づいてICチップ126や駆動回路130から画素128を制御するための信号が与えられ、これにより表示領域122上に映像を表示することができる。なお、ICチップ126は任意の構成であり、例えばICチップ126の代わりに、活性領域104に駆動回路を形成してもよい。また、ICチップ126をコネクタ124上に搭載してもよい。
展開された状態の表示装置100の底面図を図3に示す。活性領域104、および活性領域104内の表示領域122や駆動回路130と重なるように、第1のベースフィルム116が設けられる。一方、第2のベースフィルム118は第1のベースフィルムから離間し、端子132とそれを含む端子領域108と重なるように設けられる。第2のベースフィルム118は、配線134やICチップ126と重なるように、配線領域106の一部と重なってもよい。第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の間では、可撓性基板102の底面が露出される。
可撓性基板102の底面が露出する配線領域106は、キャップフィルム112や第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118が設けられる活性領域104や端子領域108と比較し、可撓性が高い。したがって、この配線領域106を選択的に変形することで、図1に示す折りたたまれた形状へ容易に変形することができる。この形状では、可撓性基板102の一部が別の一部と重なる。例えば、表示領域122や駆動回路130を含む活性領域104は、端子領域108や配線領域106の一部と重なる。キャップフィルム112は、活性領域104の上に位置し、表示領域122や駆動回路130を覆う。第2のベースフィルム118は第1のベースフィルム116の上に位置し、これらは可撓性基板102の活性領域104と端子領域108に挟まれる。第1のベースフィルム116の下面と第2のベースフィルム118の下面は互いに直接、あるいは図示しない接着層を介して接することが可能である。なお図示しないが、可撓性基板102を湾曲させる、あるいは折りたたむ領域は第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の間に限られず、例えば活性領域104で表示装置100を湾曲させる、あるいは折りたたんでもよい。
表示装置100は、任意の構成として、可撓性基板102の湾曲軸に沿ってスペーサ120を有していてもよい。スペーサ120は例えば円柱形状を持つことができ、図1に示すように、可撓性基板102、第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118によって囲まれる空間内に収容することができる。図示しないが、スペーサ120は平板形状を併せ持ってもよく、この場合、平板形状部分が第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118で挟持されるように表示装置100を折り曲げてもよい。スペーサ120を用いることで、表示装置100の立体形状を制御、安定化することができる。
[2.ベースフィルム]
図1に示すように、第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の端部は、先端が細くなった形状(テーパー形状)を有することができる。図4に詳細な構造を示す。図4(A)、図4(B)はそれぞれ、表示装置100が展開された状態と折り曲げられた状態における側面図である。上述したように、素子層110と可撓性基板102がキャップフィルム112と第1のベースフィルム116に挟持される。ここでは図示しない配線134は樹脂膜114によって覆われる。図4(A)、図4(B)では、樹脂膜114はICチップ126の上面を覆うように描かれているが、樹脂膜114はICチップ126を覆わなくてもよい。また、樹脂膜114はコネクタ124の一部を覆ってもよい。
図1に示すように、第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の端部は、先端が細くなった形状(テーパー形状)を有することができる。図4に詳細な構造を示す。図4(A)、図4(B)はそれぞれ、表示装置100が展開された状態と折り曲げられた状態における側面図である。上述したように、素子層110と可撓性基板102がキャップフィルム112と第1のベースフィルム116に挟持される。ここでは図示しない配線134は樹脂膜114によって覆われる。図4(A)、図4(B)では、樹脂膜114はICチップ126の上面を覆うように描かれているが、樹脂膜114はICチップ126を覆わなくてもよい。また、樹脂膜114はコネクタ124の一部を覆ってもよい。
図4(A)に示すように、第1のベースフィルム116の第2のベースフィルム118、あるいは配線領域106に面する側面116sは、第1のベースフィルム116の端部がテーパー形状を有するよう、第1のベースフィルム116の上面から傾く。このように端部がテーパー形状を有する部分をテーパー部と呼ぶ。テーパー部は、活性領域104から端子領域108の方向に従って、側面116sと可撓性基板102の距離が大きくなるように構成される。すなわち、第1のベースフィルム116の底面が上面よりも大きくなるよう、テーパー部が形成される。
同様に、第2のベースフィルム118の第1のベースフィルム116、あるいは配線領域106に面する側面118sもテーパー部を有することができ、このテーパー部の側面118sは、第2のベースフィルム118の上面から傾く。テーパー部の側面118sは、端子領域108から活性領域104の方向に従って、側面118sと可撓性基板102の距離が大きくなるように構成される。すなわち、第2のベースフィルム118の底面が上面よりも大きくなるよう、テーパー部が形成される。ここで、第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の上面とは、可撓性基板102と接する面を指す。第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の底面とは、第1のベースフィルム116及び第2のベースフィルム118の可撓性基板102とは反対側の面を指す。
側面116sと第1のベースフィルム116の底面間の角度θ1、および側面118sと第2のベースフィルム118の底面間の角度θ2は個別に決定することができる。角度θ1、角度θ2はそれぞれ、0°よりも大きく90°未満(すなわち鋭角)、15°以上60°以下、あるいは30°以上45°以下の範囲で選択することができる。
表示装置100を折りたたむ場合、図4(B)に示すように、第1のベースフィルム116のテーパー部の先端Eb1と第2のベースフィルム118のテーパー部の先端Eb2が互いに接するよう(図中、点線の丸で囲った領域参照)、可撓性基板102を変形することができる。ただし、表示装置100の三次元形状は任意に決定することができ、例えば図5(A)に示すように、第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118のテーパー部の先端は一致せず、後者が第1のベースフィルム116の底面と接してもよい。図示しないが、前者が第2のベースフィルム118の底面と接するよう、表示装置100を変形してもよい。
第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118のうち少なくとも一方がテーパー部を含む端部を有していればよい。たとえば図5(B)に示すように、側面116sが第1のベースフィルム116の上面から傾き、側面118sが第2のベースフィルム118の上面と垂直になるよう、表示装置100を構成してもよい。すなわち、第2のベースフィルム118の端部はテーパー部を持たず、側面118sが第2のベースフィルム118の上面と垂直な垂直部で構成されてもよい。あるいは逆に、図5(C)に示すように、側面118sが第2のベースフィルム118の上面から傾き、側面116sが第1のベースフィルム116の上面と垂直になるよう、表示装置100を構成してもよい。すなわち、第1のベースフィルム116の端部はテーパー部を持たず、側面116sが第1のベースフィルム116の上面と垂直な垂直部で構成されてもよい。
図6(A)から図6(C)に、側面116sとキャップフィルム112の位置関係を示す。図6(A)に示すように、キャップフィルム112の配線領域106に面する側面112sは、側面116sと重なるよう、第1のベースフィルム116を配置することができる。この場合、側面116sの先端Eb1はキャップフィルム112と重ならない。また、表示装置100の側面図、あるいは活性領域104から配線領域106へ延びる直線に沿った断面図において、側面116sと可撓性基板102の底面との交点Eb1’はキャップフィルム112と重なる。
あるいは図6(B)に示すように、側面112sが側面116sと重ならず、第1のベースフィルム116の上面と重なるよう、第1のベースフィルム116を配置することができる。この場合、先端Eb1はキャップフィルム112と重ならない。同様に、表示装置100の側面図、あるいは活性領域104から配線領域106へ延びる直線に沿った断面図において、交点Eb1’はキャップフィルム112と重ならない。
あるいは図6(C)に示すように、側面116sがキャップフィルム112の上面や底面と重なるよう、第1のベースフィルム116を配置することができる。この場合、先端Eb1はキャップフィルム112と重なる。同様に、表示装置100の側面図、あるいは活性領域104から配線領域106へ延びる直線に沿った断面図において、交点Eb1’もキャップフィルム112と重なる。
図7(A)、図7(B)に、第1のベースフィルム116の斜視図を示す。これらの図では見やすさを考慮し、第1のベースフィルム116と可撓性基板102を分離して示している。図7(A)に示すように、テーパー部は、側面116sの全体に設けられてもよい。あるいは図7(B)に示すように、側面116sは、テーパー部と垂直部(または非テーパー部)の両方を有してもよい。この場合、二つのテーパー部が垂直部(または非テーパー部)を挟むように、第1のベースフィルム116を構成することができる。図示していないが、第2のベースフィルム118の端部に関しても同様である。上述したように、テーパー部とは、端部のうちテーパー形状を有する部分を指し、垂直部とは、端部のうち側面が上面と垂直な部分である。なお、垂直部の替わりに非テーパー部を設けてもよい。非テーパー部の側面116sと第1のベースフィルム116の底面とがなす角は、テーパー部の側面116sと第1のベースフィルム116の底面とがなす角よりも大きい。
第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118のテーパー部の形状は、上述した形状に限られない。図4(A)に示すように、テーパー部の傾いた側面116s、118sは一つの平面で構成されていてもよく、あるいは図8(A)の断面図に示すように、段階的に細くなるようにテーパー部を構成してもよい。この場合、図8(B)の断面図に示すように、テーパー部は複数のステップを有してもよい。
あるいは断面においてテーパー部の側面116s、118sが曲線で表されるよう、第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118を構成してもよい。この場合、図8(C)に示すように、テーパー部は丸まった形状でもよく、あるいは図8(D)に示すように、断面においてテーパー部の側面116s、118sを表す曲線が変曲点を有していてもよい。
表示装置100の製造方法は第2実施形態で詳細に述べるが、上述した形状を有する第1のベースフィルム116や第2のベースフィルム118を用いることで、表示装置100の製造歩留まりが向上し、かつ、信頼性を増大させることができる。これは以下の理由に基づく。
通常表示装置100は、図9に示すように、大型の基板(マザーガラス)146上に複数形成される。例えば図9では、一枚のマザーガラス146上に18個の表示装置100を形成する場合の模式図が示されている。製造プロセスにおいて、マザーガラス146は分割線148に沿って分断され、個々の表示装置100へ分割される。マザーガラス146を分断した後、表示装置100にはICチップ126やコネクタ124が接続される。図10は展開された状態の表示装置100にICチップ126、コネクタ124、キャップフィルム112、および図示しない第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118が設けられた状態を示している。この後、表示装置100にトリミングが行われ、最終的なサイズへ成型される。トリミングはカッターなどを用い、トリミング線147に沿って行われる。
トリミングにおける可撓性基板102の形状変化を、図10の鎖線A−A’に沿った断面図(図11(A)から図11(D))を用いて説明する。図11(A)に示すように、第1のベースフィルム116がテーパー部を持たない場合、カッター144を上から押しあててトリミングを行うと、カッター144からの圧力を受けるため、可撓性基板102は少なくとも二か所でほぼ直角に折れ曲がる(図11(B)の点線の楕円で囲った領域を参照)。このため、可撓性基板102に大きなひずみが生じ、可撓性基板102にクラックが生じる。クラックは可撓性基板102の外周で発生しやすく、その後内部へ進行する。可撓性基板102に発生したクラックは、クラックの近傍に位置する種々の絶縁膜や配線(例えば配線134)のクラックを誘発する。その結果、封止構造が破壊される、あるいは配線の断線などが生じ、表示装置としての機能が失われる。なお、図示していないが、上述した現象は第2のベースフィルム118がテーパー部を持たない場合も同様に生じる。
これに対し、第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の両者、あるいは少なくとも一方の端部にテーパー部を設ける場合、図11(C)、図11(D)に示すように、カッター144からの圧力を受けて可撓性基板102が折れ曲がっても、折れ曲がりの角度を大幅に小さくすることができる。このため、可撓性基板102のひずみを低減することができ、その結果、クラックの発生を防止、抑制することができる。したがって、表示装置100の製造歩留りが向上するととともに、信頼性を増大させることが可能となる。
(第2実施形態)
本実施形態では、表示装置100の製造方法を説明する。第1実施形態で述べた内容は割愛することがある。
本実施形態では、表示装置100の製造方法を説明する。第1実施形態で述べた内容は割愛することがある。
表示装置100の製造工程は、前工程と後工程に分割される。前工程では、マザーガラス146上に素子層110や配線134、端子132などが形成され、表示装置としての基本的な構造が構成される。後工程には、マザーガラス146の分断やICチップ126とコネクタ124の接続、キャップフィルム112、第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118の形成、およびトリミングが含まれる。本実施形態では、表示素子として発光素子を含む例を用いて説明を行う。
[1.前工程]
まず、マザーガラス146上に可撓性基板102が形成される。マザーガラス146はガラスを含むことができ、その大きさや厚さは任意に選択することができる。例えば68cm×88cm、110cm×130cm、150cm×185cm、あるいは220cm×250cmの大きさを有するガラス板をマザーガラス146として用いることができる。マザーガラス146の厚さは0.1mmから10mmの範囲で任意に選択することができ、典型的には0.5mmから0.7mmである。
まず、マザーガラス146上に可撓性基板102が形成される。マザーガラス146はガラスを含むことができ、その大きさや厚さは任意に選択することができる。例えば68cm×88cm、110cm×130cm、150cm×185cm、あるいは220cm×250cmの大きさを有するガラス板をマザーガラス146として用いることができる。マザーガラス146の厚さは0.1mmから10mmの範囲で任意に選択することができ、典型的には0.5mmから0.7mmである。
可撓性基板102は絶縁膜であり、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートに例示される高分子材料から選択される材料を含むことができる。可撓性基板102は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して形成することができる。マザーガラス146は十分な可撓性を持たないため、可撓性基板102がマザーガラス146上に位置しているときには、可撓性基板102はマザーガラス146上に固定された高分子フィルムと認識することができる。一方、マザーガラス146は可撓性基板102を支持する支持基板としても機能する。
図13に、マザーガラス146上に18枚の表示装置100を作成する場合のレイアウトを示す。ここでは3行6列に配列した合計18個の表示装置100が1つのマザーガラス146上に形成される態様が図示されている。一つのマザーガラス146上に形成する表示装置100の数に制約はなく、マザーガラス146と表示装置100の大きさや形状などを考慮して決定される。
前工程で形成される表示領域122中の画素128、および端子132の断面構造の一例を図14に示す。以下、この例を用い、図15(A)から図20(B)を参酌し、前工程の説明を続ける。図15(A)から図20(B)は、画素128の一部と端子132の断面模式図である。
可撓性基板102上にはアンダーコート150が形成される(図15(A))。アンダーコート150はケイ素含有無機化合物(酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素など)を含むことができ、化学気相成長法(CVD法)やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。アンダーコート150は画素128、端子132が形成される領域の両方に設けることができる。
次に半導体膜152を形成する(図15(B))。半導体膜152はケイ素やゲルマニウム、あるいは半導体特性を示す酸化物(酸化物半導体)などを含むことができる。半導体膜152がケイ素を含む場合、半導体膜152は、シランガスなどを原料として用い、CVD法によって形成すればよい。得られる半導体膜に対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜152が酸化物半導体を含む場合、酸化物半導体を含むターゲットを用い、スパッタリング法を利用して半導体膜152を形成することができる。
次に、チャネル領域を形成する部分を覆うようにレジストマスク154を半導体膜152上に形成し、その後、半導体膜152に対して不純物のドーピングを行う(第1ドーピング)。不純物としては、N型の導電性を付与するリンや窒素、あるいはP型の導電性を付与するホウ素やアルミニウムを用いることができる。これにより、不純物領域156が形成される(図15(C))。なお本実施形態では、端子132が形成される領域においても半導体膜152が形成され、不純物のドーピングが行われるが、この領域には半導体膜152を形成しなくてもよい。
レジストマスク154を除去した後、半導体膜152を覆うようにゲート絶縁膜158を形成する(図16(A))。ゲート絶縁膜158はケイ素含有無機化合物を含むことができ、CVD法やスパッタリング法を適用し、単層構造、あるいは積層構造で形成することができる。ゲート絶縁膜158も端子132が形成される領域に設けることができる。
引き続き、ゲート絶縁膜158上に容量電極162とゲート160を形成する(図16(A))。容量電極162とゲート160はチタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばチタンやタングステン、モリブデンなどの比較的高い融点を有する金属でアルミニウムや銅などの導電性の高い金属を挟持する構造を採用することができる。容量電極162とゲート160は同時に形成することができ、したがって、これらは同一の層内に存在することができる。
次に容量電極162とゲート160上に層間膜166を形成する(図16(B))。層間膜166もアンダーコート150やゲート絶縁膜158と同様、ケイ素含有無機化合物を含むことができ、CVD法やスパッタリング法を適用して形成することができる。層間膜166も端子132が形成される領域に設けることができる。
この状態でゲート160をマスクとして用い、半導体膜152に対して再度ドーピングを行う。この時の不純物のドーズ量は、第1ドーピングのそれよりも低い。これにより、ゲート160と重なるチャネル領域、およびチャネル領域と不純物領域156間に低濃度不純物領域164が形成される。このドーピングは層間膜166の形成前に行ってもよい。
引き続き層間膜166とゲート絶縁膜158に対してエッチングを行い、半導体膜152に達する開口170、172を形成する(図16(C))。開口は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。この時、端子132が形成される領域でも層間膜166とゲート絶縁膜158の一部が除去され、開口174が形成される。
次に開口170、172、174を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って成形することで、ソース180、ドレイン182、および第1の端子電極184を形成する(図17(A))。これにより、トランジスタが画素128内に形成される。なお、ソース180の一部は容量電極162と重なっており、容量電極162と重なるソース180の一部、層間膜166、容量電極162、ゲート絶縁膜158、不純物領域156によって容量が形成される。
次に平坦化膜186をマザーガラス146の上全体に形成する(図17(A))。平坦化膜186も絶縁膜であり、有機化合物で形成することができる。有機化合物としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられる。平坦化膜186は、スピンコーティング法、インクジェット法、印刷法、ディップコーティング法などを適用して形成することができる。その後、平坦化膜186に対してエッチングを行い、ソース180に達する開口部188を形成する(図17(B))。この時、端子132が形成される領域では平坦化膜186が除去される。
引き続き、ソース180を露出する開口部188、および第1の端子電極184を覆うように接続電極190と第2の端子電極192をそれぞれ形成する(図18(A))。これらの電極は、例えばインジウム―スズ酸化物(ITO)、インジウム―亜鉛酸化物(IZO)などの導電性酸化物をスパッタリングすることで形成することができる。これにより、接続電極190はソース180と、第2の端子電極192は第1の端子電極184と電気的に接続される。接続電極190や第2の端子電極192を設けることで、その後のプロセスにおいてソース180や第1の端子電極184が酸化、劣化することを防ぐことができ、その結果、これらの表面におけるコンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。
引き続き、付加容量電極194を平坦化膜186上に形成する(図18(B))。付加容量電極194は、ゲート160やソース180、ドレイン182で使用可能な金属や合金を含むことができ、スパッタリング法やCVD法を適用して形成することができる。付加容量電極194は、単層構造、積層構造、いずれの構造を有してもよい。
その後、接続電極190や付加容量電極194を覆うように絶縁膜196を形成する(図19(A))。絶縁膜196は、第2の端子電極192を覆うように形成してもよい。絶縁膜196もケイ素含有無機化合物を含むことができ、CVD法やスパッタリング法を適用して形成することができる。なお絶縁膜196は、接続電極190の底面の一部を露出する開口を有する。この開口において、発光素子の第1の電極200と接続電極190が電気的に接続される。絶縁膜196には、平坦化膜186を露出する開口198をさらに設けてもよい。この開口198は、平坦化膜186から水などの不純物を解放するための開口として機能する。
次に、接続電極190と接するように、かつ、付加容量電極194を覆うように、第1の電極200を形成する。発光素子からの発光を第1の電極200の反対側から取り出す場合、第1の電極200は可視光を反射するように構成される。この場合、第1の電極200は、銀やアルミニウムなどの反射率の高い金属やその合金を用いる。これらの金属や合金を含む膜上に、ITOやIZOなどの透光性を有する導電性酸化物の膜を形成してもよい。表示素子からの発光を第1の電極200から取り出す場合には、透光性を有する導電性酸化物を用いて第1の電極200を形成すればよい。付加容量電極194、絶縁膜196、および第1の電極200によって付加容量が形成され、付加容量はゲート160の電位の維持に寄与する。
次に、第1の電極200の端部や開口198を覆うように、隔壁202を形成する(図19(B))。隔壁202により、第1の電極200などに起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素128の第1の電極200同士を互いに電気的に絶縁することができる。隔壁202はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子材料を用い、湿式成膜法で形成することができる。隔壁202を形成する際の加熱工程において、平坦化膜186中に混入した不純物は開口198、隔壁202を介して放出される。
次に発光素子のEL層204、および第2の電極206を、第1の電極200と隔壁202を覆うように形成する(図20(A))。EL層204は有機化合物を含み、湿式成膜法、あるいは蒸着などの乾式成膜法を適用して形成することができる。図示しないが、EL層204の構成は任意であり、異なる機能を有する複数の層で構成することができる。例えばEL層204は、キャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリアブロッキング層などを適宜組み合わせて形成すればよい。またEL層204は、隣接する画素128間で異なる構造を有してもよい。
発光素子からの発光を第1の電極200から取り出す場合には、第2の電極206として、アルミニウムやマグネシウム、銀などの金属やこれらの合金を用いればよい。逆に表示素子からの発光を第2の電極206から取り出す場合には、第2の電極206として、ITOなどの透光性を有する導電性酸化物などを用いればよい。あるいは、上述した金属を可視光が透過する程度の厚さで形成してもよい。この場合、透光性を有する導電性酸化物をさらに積層してもよい。以上の工程により、発光素子が形成される。
発光素子上に、任意の構成として、発光素子を保護するためのパッシベーション膜210を設けてもよい。例えば図20(B)に示すように、ケイ素含有無機化合物を含む第1の層212、有機化合物を含む第2の層214、ケイ素含有無機化合物を含む第3の層216が積層されたパッシベーション膜210を第2の電極206上に形成することができる。
第1の層212はCVD法やスパッタリング法を適用して形成することができる。第2の層214は、有機化合物としてアクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどの高分子材料を含むことができ、湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第1の層212に吹き付け、その後オリゴマーを重合することによって第2の層214を形成してもよい。また、図20(B)に示すように、隔壁202に起因する凹凸を吸収するよう、また、平坦な面を与えるような厚さで第2の層214を形成してもよい。第3の層216は、第1の層212で使用可能な材料を含むことができ、第1の層212の形成に適用可能な方法で形成することができる。
このようなパッシベーション膜210を設ける場合、端子132を覆うように第1の層212や第3の層216を設けてもよい(図20(B))。以上のプロセスにより、前工程が完了し、画素128を含む表示領域122や駆動回路130を構成する素子層110が形成される。本明細書や請求項では、素子層110とはアンダーコート150からパッシベーション膜210までの積層構造を指す。
[2.後工程]
後工程では、まず、活性領域104、すなわち表示領域122や駆動回路130を覆うように、キャップフィルム112を形成する(図21)。キャップフィルム112はポリ(エチレンテレフタレート)、ポリ(エチレンナフタレート)などのポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリカーボナート、ポリアクリル酸エステルなどの高分子材料を含むことができる。キャップフィルムはラミネート法、あるいは湿式成膜法によって形成することができる。キャップフィルム112の表面に、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリテトラフルオロエチレンなどの含フッ素高分子フィルム、あるいはポリ塩化ビニリデンなどのガス透過性の低い高分子フィルムを設けてもよい。図21ではキャップフィルム112は表示装置100ごとに独立して設けられるが、複数の表示装置100にわたってキャップフィルム112を形成してもよい。
後工程では、まず、活性領域104、すなわち表示領域122や駆動回路130を覆うように、キャップフィルム112を形成する(図21)。キャップフィルム112はポリ(エチレンテレフタレート)、ポリ(エチレンナフタレート)などのポリエステル、ポリエチレンやポリプロピレンなどのポリオレフィン、ポリカーボナート、ポリアクリル酸エステルなどの高分子材料を含むことができる。キャップフィルムはラミネート法、あるいは湿式成膜法によって形成することができる。キャップフィルム112の表面に、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリテトラフルオロエチレンなどの含フッ素高分子フィルム、あるいはポリ塩化ビニリデンなどのガス透過性の低い高分子フィルムを設けてもよい。図21ではキャップフィルム112は表示装置100ごとに独立して設けられるが、複数の表示装置100にわたってキャップフィルム112を形成してもよい。
その後、マザーガラス146を分割線148に沿って分断し、個々の表示装置100に分割する。分断はスクライバーなどを用いて行うことができる。分断後の表示装置100の上面図と断面図をそれぞれ図22、23に示す。図22に示すように、キャップフィルム112は配線134の一部を覆ってもよい。キャップフィルム112を表示装置100ごとに独立して設ける場合、キャップフィルム112のすべてが可撓性基板102と重なる。図23では、キャップフィルム112はパッシベーション膜210と接するように描かれているが、接着層を介してキャップフィルム112がパッシベーション膜210上に固定されていてもよい。
引き続き、ICチップ126、およびコネクタ124を配線134と端子132にそれぞれ接続する(図24(A)、24(B))。具体的には、端子132上の絶縁膜、すなわち、絶縁膜196や第1の層212、第3の層216をドライエッチング、あるいはアッシングによって除去して第2の端子電極192を露出する。図示していないが、ICチップ126と接続される端子でも同様に絶縁膜が除去される。その後、異方性導電膜を用い、ICチップ126およびコネクタ124が接続される。
この後、図24(A)、図24(B)に示すように、樹脂膜114を形成する。樹脂膜114はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの高分子材料を用いて形成することができる。上述したように、樹脂膜114はコネクタ124の一部を覆ってもよい。
引き続き、第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118を形成する。具体的には、マザーガラス146側からレーザー光源やフラッシュランプなどの光源を用いて光照射を行い、マザーガラス146と可撓性基板102間の接着力を低下させる。その後、図23の矢印で示す界面、すなわち、、マザーガラス146と可撓性基板102の界面に沿って物理的にマザーガラス146を剥離する。これにより、可撓性基板102の底面が露出する。
その後、図25(A)、図25(B)に示すように、開口部222を有するベースフィルム220を可撓性基板102の底面に固定する。ベースフィルム220はラミネート法を用いて固定することができる。この時、接着層を用いてもよい。ベースフィルム220はキャップフィルム112で使用可能な材料を含むことができる。ベースフィルム220の開口部222において、可撓性基板102の底面が露出する。ベースフィルム220は、開口部222が少なくとも配線134の一部と重なるように設けられる。図25(A)、図25(B)で示すベースフィルム220は、開口部222がICチップ126やコネクタ124と重ならないように設けられるが、開口部222はICチップ126やコネクタ124の一部と重なってもよい。
ここで、開口部222の側壁222wの形状が第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の端部の形状に反映される。したがって、開口部222の側壁222wは、ベースフィルム220の開口端がテーパー形状を有するように構成される。
本発明の実施形態の一つであるベースフィルム220の上面図を図26(A)に、図26Aの鎖線B−B’、C−C’に沿った断面図を図26(B)、図26(C)にそれぞれ示す。図26(A)から図26(C)に示すように、開口部222は長方形などの多角形の形状を有することができ、側壁222wがベースフィルム220の上面に対して傾くよう、ベースフィルム220を構成することができる。したがって、開口部222の面積は、ベースフィルム220の上面と下面で異なり、上面(すなわち、可撓性基板102の底面と接する面)における面積が他方における面積よりも大きい。側壁222wの傾きは任意に調整することができ、第1のベースフィルム116の側面116sや第2のベースフィルム118の側面118sの傾きを考慮して決定される。
図26(A)から図26(C)に示す例では、開口部222の側壁222wのすべてがベースフィルムの上面に対して傾いている。しかしながら開口部222が有する側壁222wのすべてがベースフィルム220の上面に対して傾く必要は無く、側壁222wの少なくとも一つが傾いていればよい。例えば図27(A)から図27(C)に示すように、互いに面する一対の側壁222wが傾き、他の対の側壁222wがベースフィルム220の上面に対して垂直でもよい。この場合、一対の傾いた側壁222wは、表示装置100の短辺に平行でも垂直でも良いが、後述するトリミング線147と交差する側壁222wが傾くよう、開口部222が形成される。
あるいは図28(A)から図28(D)に示すように、1つの側壁222wの一部が傾き、他の部分がベースフィルム220の上面に対して垂直でもよい。換言すると、ベースフィルム220の上面に対して垂直な側壁222wが二つの傾いた側壁222wによって挟まれるよう、開口部222を形成してもよい。この場合、トリミング線147と交差するように二つの傾いた側壁222wが設けられる。開口部222の活性領域104に近い側壁222wでは、ベースフィルム220の上面に対して垂直な側壁222wは、傾いた側壁222wの先端部よりも活性領域104に近い。一方、開口部222の端子領域108に近い側壁222wでは、ベースフィルム220の上面に対して垂直な側壁222wは、傾いた側壁222wの先端部よりも端子領域108に近い。また、開口部222のベースフィルム220の底面における形状は、5つ以上の頂点を有する多角形(図28(A)に示す形状の場合、12個の頂点)となる。
ベースフィルム220の上面に対して垂直な側壁222wが二つの傾いた側壁222wによって挟まれる場合、図29(A)から図29(D)に示すように、傾いた側壁222wの先端部が作る直線は、ベースフィルム220の上面に対して垂直な側壁222wが作る面上に位置するよう、開口部222を形成してもよい。この場合、開口部222のベースフィルム220の底面における形状を四角形にすることができる。
このような形状の側壁222wは、以下のようにベースフィルム220を加工することで形成することができる。例えば図30(A)に示すように、まず、すべての側壁222wがベースフィルム220の上面に垂直になるよう、開口部222を形成する。このような開口部222は、刃先が四角形の形状を与えるカッターなどを用い、ベースフィルム220をくり抜くことで形成することができる。その後、図30(A)の鎖線E−E’に沿った断面図(図30(B))に示すように、ベースフィルム220の上面に対して斜めの方向に、開口部付近からカッター224を入れてベースフィルム220の一部を除去するることで、図27(A)から(C)に示すベースフィルム220を形成することができる。
あるいは図31に示すように、開口部222が形成されていないベースフィルム220の上面に対して斜めの方向にカッター224使用して形成してもよい。なお、図8(D)に示すように、第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118の側面116s、118sの断面形状に変曲点を付与する場合には、図31(B)に示すように、最初に側壁222wがベースフィルム220の上面に垂直になるよう開口部222を形成し、その後側壁222wの上部をレーザー光照射などによって加熱してベースフィルム220の一部を溶融させればよい。
ベースフィルム220を可撓性基板102の底面に貼り付けたのち、トリミング線147に沿ってトリミングを行う(図25)。トリミングは、例えば刃先がコの字型形状を与えるカッター144(図11(D)参照)などを用いて行えばよい。この時、トリミング線147が開口部222を少なくとも二か所で交差するよう、トリミングを行う。これにより、可撓性基板102の周辺部がトリミングされ、同時にベースフィルム220は互いに離間した第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118へ分割される。本実施形態で示した例では、第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118は、互いに面する側面116s、118sにテーパー部を有し、テーパー部は第1のベースフィルム116と第2のベースフィルム118の上面からそれぞれ傾いている。
以上のプロセスにより、表示装置100を製造することができる。
第1実施形態で述べたように、表示装置100の第1のベースフィルム116、第2のベースフィルム118の少なくとも一方の端部がテーパー部を有する。このような特徴を有する表示装置100は、傾いた側壁222wを有する開口部222が備えられたベースフィルムを用いることで製造することができる。したがって、トリミングの工程において、可撓性基板102やその他の絶縁膜、配線にクラックが生じる確率が大幅に低下する。その結果、信頼性の高い表示装置を高い歩留りで製造することが可能となる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
本明細書においては、開示例として主にEL表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
100:表示装置、102:可撓性基板、104:活性領域、106:配線領域、108:端子領域、110:素子層、112:キャップフィルム、112s:側面、114:樹脂膜、116:第1のベースフィルム、116s:側面、118:第2のベースフィルム、118s:側面、120:スペーサ、122:表示領域、124:コネクタ、126:ICチップ、128:画素、130:駆動回路、132:端子、134:配線、144:カッター、146:マザーガラス、147:トリミング線、148:分割線、150:アンダーコート、152:半導体膜、154:レジストマスク、156:不純物領域、158:ゲート絶縁膜、160:ゲート、162:容量電極、164:低濃度不純物領域、166:層間膜、170:開口、172:開口、174:開口、180:ソース、182:ドレイン、184:第1の端子電極、186:平坦化膜、190:接続電極、192:第2の端子電極、194:付加容量電極、196:絶縁膜、198:開口、200:第1の電極、202:隔壁、204:EL層、206:第2の電極、210:パッシベーション膜、212:第1の層、214:第2の層、216:第3の層、220:ベースフィルム、222:開口部、222w:側壁、224:カッター
Claims (20)
- 複数の画素を含む表示領域と、端子を含む端子領域と、前記端子から前記表示領域へ延びる配線を含み、前記表示領域と前記端子領域の間に位置する配線領域と、を有する基板と、
前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記表示領域下に位置する第1のベースフィルムと、
前記基板の前記複数の画素とは反対の側に、かつ前記端子領域下に位置し、前記第1のベースフィルムと離間した第2のベースフィルムと、を有し、
前記第1のベースフィルムの前記第2のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する表示装置。 - 前記テーパー部を有する前記側面は、前記第1のベースフィルムの前記基板とは反対側の面に対して鋭角で傾いている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記テーパー部を有する前記側面は平面である、請求項2に記載の表示装置。
- 前記表示領域から前記端子領域へ延びる線に沿った前記第1のベースフィルムの断面において、前記テーパー部を有する前記側面は曲線で表される、請求項2に記載の表示装置。
- 前記曲線は変曲点を有する、請求項4に記載の表示装置。
- 前記基板の前記第1のベースフィルムとは反対の側に、かつ前記表示領域上に位置するキャップフィルムをさらに有し、
前記テーパー部を有する前記側面は、前記キャップフィルムの側面と重なる、請求項1に記載の表示装置。 - 前記側面はさらに、
第2のテーパー部、および
前記テーパー部と前記第2のテーパー部の間の非テーパー部を有し、
前記非テーパー部を有する前記側面と前記第1のベースフィルムの前記基板とは反対側の前記面とがなす角は、前記テーパー部を有する前記側面と前記第1のベースフィルムの前記基板とは反対側の前記面とがなす角よりも大きい、請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2のテーパー部を有する前記側面は、前記第1のベースフィルムの前記基板とは反対側の前記面に対して鋭角で傾いている、請求項7に記載の表示装置。
- 前記非テーパー部を有する前記側面と前記第1のベースフィルムの前記基板とは反対側の前記面とがなす角は、直角である、請求項7に記載の表示装置。
- 前記第2のベースフィルムの前記第1のベースフィルムに面する側面は、テーパー部を有する、請求項1に記載の表示装置。
- 複数の画素を含む第1の領域と前記第1の領域と離間する第2の領域とを有し、前記第1の領域が前記第2の領域に重なる形状を有する可撓性基板と、
前記可撓性基板の前記第1の領域、かつ前記複数の画素とは反対の側に位置する第1のベースフィルムと、
前記可撓性基板の前記第2の領域、かつ前記複数の画素とは反対の側に位置する第2のベースフィルムと、を有し、
前記第1のベースフィルムと前記第2のベースフィルムは、前記第1の領域と前記第2の領域に挟持され、
前記第1のベースフィルムの前記第2の領域に重なる部分に位置する側面はテーパー部を有する表示装置。 - 前記可撓性基板は、前記第1の領域と前記第2の領域を連結する第3の領域をさらに有し、
前記第3の領域は湾曲し、
前記側面は前記第3の領域に面する、請求項11に記載の表示装置。 - 前記テーパー部を有する前記側面は、前記第1のベースフィルムの前記可撓性基板とは反対側の面に対して鋭角で傾いている、請求項11に記載の表示装置。
- 前記テーパー部を有する前記側面は平面である、請求項13に記載の表示装置。
- 前記第3の領域を経て前記第1の領域から前記第2の領域への方向に沿った前記第1のベースフィルムの断面において、前記テーパー部を有する前記側面は曲線で表される、請求項12に記載の表示装置。
- 前記曲線は変曲点を有する、請求項15に記載の表示装置。
- 前記可撓性基板の前記第1のベースフィルムとは反対の側に、かつ前記第1の領域上に位置するキャップフィルムをさらに有し、
前記テーパー部を有する前記側面は、前記キャップフィルムの側面と重なる、請求項11に記載の表示装置。 - 前記側面はさらに、
第2のテーパー部、および
前記テーパー部と前記第2のテーパー部の間の垂直部を有し、
前記垂直部を有する前記側面は、前記第1のベースフィルムの前記可撓性基板と接する面に対して垂直である、請求項11に記載の表示装置。 - 前記第2のテーパー部を有する前記側面は、前記第1のベースフィルムの前記可撓性基板とは反対側の前記面に対して鋭角で傾いている、請求項18に記載の表示装置。
- 前記第2のベースフィルムの、前記第1のベースフィルムの前記側面に重なる部分に位置する側面はテーパー部を有する、請求項11に記載の表示装置。
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