JP2018120220A - 表示装置、電子機器、及び表示モジュール - Google Patents
表示装置、電子機器、及び表示モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018120220A JP2018120220A JP2018008533A JP2018008533A JP2018120220A JP 2018120220 A JP2018120220 A JP 2018120220A JP 2018008533 A JP2018008533 A JP 2018008533A JP 2018008533 A JP2018008533 A JP 2018008533A JP 2018120220 A JP2018120220 A JP 2018120220A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- display
- hash value
- function
- transistor
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 142
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 141
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 67
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 43
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 7
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 402
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 81
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 description 65
- 239000000463 material Substances 0.000 description 39
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 33
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 description 18
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 18
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 12
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 9
- 230000014616 translation Effects 0.000 description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 8
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000003464 asthenopia Diseases 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- -1 copper-magnesium-aluminum Chemical compound 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 230000004438 eyesight Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2092—Details of a display terminals using a flat panel, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3674—Details of drivers for scan electrodes
- G09G3/3677—Details of drivers for scan electrodes suitable for active matrices only
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
- G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/046—Pixel structures with an emissive area and a light-modulating area combined in one pixel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/10—Special adaptations of display systems for operation with variable images
- G09G2320/103—Detection of image changes, e.g. determination of an index representative of the image change
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2370/00—Aspects of data communication
- G09G2370/08—Details of image data interface between the display device controller and the data line driver circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
- Digital Computer Display Output (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
本実施の形態では、表示データから生成したハッシュ値によって、表示の更新間隔が制御される表示装置について、図1乃至図6を用いて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について説明する。
図7に、本発明の一態様の表示装置1100のブロック図を示している。表示装置1100は、画素領域(表示領域)と、ソースドライバ(Source Driver)と、ゲートドライバ(Gate Driver)と、を備える。
以下では、表示装置1100の画素領域に配置される画素の構成例について説明する。
以下では、表示装置の断面構成の一例について説明する。
図10に、図9(B)中の切断線A1−A2に対応する断面の一例を示す。ここでは、表示素子として透過型の液晶素子20を適用した場合の例を示している。図10において、基板12側が表示面側となる。
上記では、液晶素子として、液晶を挟む一対の電極が上下に配置された、縦電界方式の液晶素子の例を示しているが、液晶素子の構成はこれに限られず、様々な方式の液晶素子を適用することができる。
以下では、上記とは異なるトランジスタの構成の例について説明する。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。
トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステンなどの金属、又はこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、又は積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫又は酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
液晶素子としては、例えば垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料又は染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
本実施の形態では、トランジスタの半導体層に用いることのできる多結晶シリコンの結晶化方法及びレーザ結晶化装置の一例について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様のハイブリッドディスプレイについて説明する。
図15は、本発明の一態様の表示装置が有する表示領域70を説明する図である。表示領域70は、マトリクス状に配置された複数の画素ユニット75を有する。画素ユニット75は、画素76と、画素77を有する。
続いて、図16(A)、(B)、(C)を用いて画素ユニット75について説明する。図16(A)、(B)、(C)は、画素ユニット75の構成例を示す模式図である。
図16(A)は、外光を反射する表示素子77R、表示素子77G、表示素子77Bを駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図16(A)に示すように、画素ユニット75は、例えば外光の照度が十分に高い場合などでは、画素76を駆動させずに、画素77からの光(光RL1、光GL1、および光BL1)のみを混色させることにより、所定の色の光79を表示面側に射出することもできる。これにより、極めて低消費電力な駆動を行うことができる。
図16(B)は、表示素子76R、表示素子76G、表示素子76Bを駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図16(B)に示すように、画素ユニット75は、例えば外光の照度が極めて小さい場合などでは、画素77を駆動させずに、画素76からの光(光RL2、光GL2、および光BL2)のみを混色させることにより、所定の色の光79を表示面側に射出することもできる。これにより鮮やかな表示を行うことができる。また外光の照度が小さい場合に輝度を低くすることで、使用者が感じる眩しさを抑えると共に消費電力を低減できる。
図16(C)は、外光を反射する表示素子77R、表示素子77G、表示素子77Bと、光を発する表示素子76R、表示素子76G、表示素子76Bの両方を駆動して画像を表示する動作モードの例を示している。図16(C)に示すように、画素ユニット75は、光RL1、光GL1、光BL1、光RL2、光GL2、及び光BL2の6つの光を混色させることにより、所定の色の光79を表示面側に射出することができる。
以下では、実施の形態4で説明したハイブリッドディスプレイの構成の具体例について説明する。以下で例示する表示パネルは、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示パネルである。
図17(A)は、表示装置400の構成の一例を示すブロック図である。表示装置400は、表示部362にマトリクス状に配列した複数の画素410を有する。また表示装置400は、回路GDと、回路SDを有する。また、方向Rに配列した複数の画素410、回路GDと電気的に接続する複数の配線GD1、複数の配線GD2、複数の配線ANO、及び複数の配線CSCOMを有する。また、方向Cに配列した複数の画素410、回路SDと電気的に接続する複数の配線S1、及び複数の配線S2を有する。
図18は、画素410の構成例を示す回路図である。図18では、隣接する2つの画素410を示している。
図20は、本発明の一態様の表示パネル300の斜視概略図である。表示パネル300は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図20では、基板361を破線で明示している。
図21に、図20で例示した表示パネルの、FPC372を含む領域の一部、回路364を含む領域の一部及び表示部362を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
図22に示す表示パネルは、図21に示す構成において各トランジスタにトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例である。このように、トップゲート型のトランジスタを適用することにより、寄生容量が低減できるため、表示のフレーム周波数を高めることができる。
本明細書等において、金属酸化物(metal oxide)とは、広い表現での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体(透明酸化物導電体を含む)、酸化物半導体(Oxide Semiconductor又は単にOSともいう)などに分類される。例えば、トランジスタの半導体層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、及びスイッチング作用の少なくとも1つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体(metal oxide semiconductor)、略してOSと呼ぶことができる。また、OS FETと記載する場合においては、金属酸化物又は酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC−OSの構成について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について、図面を参照して説明する。
BL2 光
C1 容量素子
C2 容量素子
D1 距離
D2 距離
G1 配線
G2 配線
G3 配線
GD1 配線
GD2 配線
GD3 配線
GD4 配線
GL1 光
GL2 光
RL1 光
RL2 光
S1 配線
S2 配線
S3 配線
SW1 スイッチ
SW2 スイッチ
VCOM1 配線
VCOM2 配線
11 基板
12 基板
20 液晶素子
21 導電層
22 液晶
23 導電層
24a 配向膜
24b 配向膜
26 絶縁層
30 トランジスタ
31 導電層
31a 導電層
32 半導体層
32p 半導体層
33a 導電層
33b 導電層
33c 導電層
33d 導電層
34 絶縁層
35 不純物半導体層
37 半導体層
38 接続部
39a 偏光板
39b 偏光板
41 着色層
42 遮光層
60 容量素子
70 表示領域
75 画素ユニット
76 画素
76B 表示素子
76G 表示素子
76R 表示素子
77 画素
77B 表示素子
77G 表示素子
77R 表示素子
79 光
81 絶縁層
82 絶縁層
83 絶縁層
84 絶縁層
90 バックライトユニット
117 絶縁層
125 絶縁層
129 光拡散板
133a 配向膜
133b 配向膜
134 着色層
135 着色層
136 遮光層
140 偏光板
142 接着層
143 接着層
191 導電層
192 EL層
193a 導電層
193b 導電層
201 トランジスタ
204 接続部
205 トランジスタ
206 トランジスタ
207 接続部
211 絶縁層
212 絶縁層
213 絶縁層
214 絶縁層
215 絶縁層
216 絶縁層
217 絶縁層
220 絶縁層
221 導電層
222 導電層
223 導電層
224 導電層
231 半導体層
242 接続層
243 接続体
251 開口
252 接続部
300 表示パネル
311 電極
311b 導電層
312 液晶
313 導電層
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
360b 発光素子
360g 発光素子
360r 発光素子
360w 発光素子
361 基板
362 表示部
364 回路
365 配線
366 入力装置
370 導電層
372 FPC
373 IC
400 表示装置
410 画素
451 開口
812 移動機構
813 移動機構
815 ステージ
816 ボールネジ機構
820 レーザ発振器
821 光学系ユニット
822 ミラー
823 マイクロレンズアレイ
824 マスク
825 レーザ光
826 レーザ光
827 レーザビーム
830 基板
840 非晶質シリコン層
841 多結晶シリコン層
1000 電子機器
1011 プロセッサ
1012 記憶装置
1013 入力装置
1014 クロック生成回路
1015 スピーカ
1016 マイク
1100 表示装置
1101 ディスプレイコントローラ
1102 表示パネル
1111 デコーダ回路
1112 ハッシュ生成回路
1113 フレームメモリ
1114 画像処理回路
1115 ハッシュ制御回路
1115a EOF検出回路
1115b メモリ
1116 比較回路
1116a 比較制御回路
1116b メモリ
1117 タイミング制御回路
1121 データサーバ
1122 外部記憶装置
1130 ラッチ回路
1131 演算回路
1132 加算回路
1133 メモリ
7000 表示部
7001 表示領域
7100 テレビジョン装置
7101 筐体
7103 スタンド
7111 リモコン操作機
7200 ノート型パーソナルコンピュータ
7211 筐体
7212 キーボード
7213 ポインティングデバイス
7214 外部接続ポート
7300 デジタルサイネージ
7301 筐体
7303 スピーカ
7311 情報端末機
7400 デジタルサイネージ
7401 柱
7411 情報端末機
7500 携帯情報端末
7502 操作キー
7503 情報
7601 筐体
7602 筐体
7604 光センサ
7605 光センサ
7606 スイッチ
7607 ヒンジ
Claims (13)
- データを送信する機能を備えた電子機器であって、
前記電子機器には、第1のデータと、第2のデータとが与えられ、
前記電子機器が、
前記第1のデータから第1のハッシュ値を生成し、前記第1のデータを送信する機能と、
前記第2のデータから第2のハッシュ値を生成する機能と、
前記第1のハッシュ値と、前記第2のハッシュ値と、を比較する機能と、
前記第1のハッシュ値と、前記第2のハッシュ値とが異なるとき、前記第2のデータを送信する機能と、
前記第1のハッシュ値と、前記第2のハッシュ値とが同じとき、前記第2のデータを送信しない機能と、を有する
電子機器。 - ディスプレイコントローラと、表示パネルと、を有する表示装置であって、
前記ディスプレイコントローラは、ハッシュ生成回路、ハッシュ制御回路、フレームメモリ、比較回路、タイミング制御回路、及び画像処理回路を有し、
前記ハッシュ生成回路には、第1の表示データが与えられ、
前記ハッシュ生成回路が、
第1のハッシュ値を生成する機能と、
前記第1の表示データを前記フレームメモリに与える機能と、
前記ハッシュ制御回路が、前記第1のハッシュ値を確定する機能と、
前記比較回路が、前記第1のハッシュ値を保存し、さらに、前記タイミング制御回路を起動する機能と、
前記タイミング制御回路が、
前記画像処理回路を起動し、前記フレームメモリに保存された前記第1の表示データを画像処理させる機能と、
前記画像処理された前記第1の表示データを前記画像処理回路から前記表示パネルに送信し表示を更新する機能と、を有する、
表示装置。 - 請求項2において
前記ハッシュ生成回路には、第2の表示データが与えられ、
前記ハッシュ生成回路が、
第2のハッシュ値を生成する機能と、
前記第2の表示データを前記フレームメモリに与える機能と、
前記ハッシュ制御回路は、前記第2のハッシュ値を確定する機能と、
前記比較回路が、
保存された前記第1のハッシュ値と、前記第2のハッシュ値と、を比較する機能と、
前記第2のハッシュ値と前記第1のハッシュ値とが異なるとき、前記第2のハッシュ値を保存し、さらに、前記タイミング制御回路を起動する機能と、
前記タイミング制御回路が、
前記画像処理回路を起動し、前記フレームメモリに保存された前記第2の表示データを画像処理させる機能と、
前記画像処理された前記第2の表示データを前記画像処理回路から前記表示パネルに送信し表示を更新する機能と、
前記比較回路が、前記第2のハッシュ値と前記第1のハッシュ値とが同じとき、前記タイミング制御回路を停止させる機能と、を有する、
表示装置。 - 請求項2又は請求項3において、
前記表示パネルは、複数の画素を有し、
前記画素は、さらに、前記表示パネルの表示位置を示す第1の座標情報を有し、
前記ハッシュ生成回路が、
前記第1の表示データに含まれる前記第1の座標情報から規則的にサンプリングする機能と、
前記サンプリングされた前記第1の表示データから前記第1のハッシュ値を生成する機能と、
前記第2の表示データに含まれる前記第1の座標情報から規則的にサンプリングする機能と、
前記サンプリングされた前記第2の表示データから前記第2のハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。 - 請求項2乃至請求項4のいずれかにおいて、
前記ハッシュ生成回路が、
前記第1の表示データに重み係数をかけて前記第1のハッシュ値を生成する機能と、
前記第2の表示データに重み係数をかけて前記第2のハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。 - 請求項2乃至請求項5のいずれかにおいて、
前記画素は、さらに、複数のサブ画素を有し、
前記サブ画素は、さらに、前記表示パネルの表示位置を示す第2の座標情報を有し、
前記第1の表示データは、複数の第1のサブ表示データを有し、
前記ハッシュ生成回路が、前記第1のサブ表示データに含まれる前記第2の座標情報から第1のサブハッシュ値を生成する機能と、
前記第2の表示データは、複数の第2のサブ表示データを有し、
前記ハッシュ生成回路が、前記第2のサブ表示データに含まれる前記第2の座標情報から第2のサブハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。 - 請求項6において、
前記ハッシュ生成回路が、前記第1のサブ表示データに含まれる前記第2の座標情報から規則的にサンプリングして第1のサブハッシュ値を生成する機能と、
前記ハッシュ生成回路が、前記第2のサブ表示データに含まれる前記第2の座標情報から規則的にサンプリングして第2のサブハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。 - 請求項6又は請求項7において、
前記ハッシュ生成回路が、
前記第1のサブ表示データに重み係数をかけて前記第1のサブハッシュ値を生成する機能と、
前記第2のサブ表示データに重み係数をかけて前記第2のサブハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。 - 請求項2乃至8のいずれか一の表示装置は、トランジスタを有し、前記トランジスタは、半導体層にアモルファスシリコンを有する表示装置。
- 請求項2乃至8のいずれか一の表示装置は、トランジスタを有し、前記トランジスタは、半導体層に多結晶シリコンを有する表示装置。
- 請求項2乃至8のいずれか一の表示装置は、トランジスタを有し、前記トランジスタは、半導体層に金属酸化物を有する表示装置。
- 請求項2乃至8のいずれか一の表示装置と、
タッチセンサと、
を有する表示モジュール。 - 請求項2乃至8のいずれか一の表示装置、又は請求項9に記載の表示モジュールと、
操作キーと、を有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022116399A JP7463445B2 (ja) | 2017-01-24 | 2022-07-21 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017010511 | 2017-01-24 | ||
JP2017010511 | 2017-01-24 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022116399A Division JP7463445B2 (ja) | 2017-01-24 | 2022-07-21 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018120220A true JP2018120220A (ja) | 2018-08-02 |
JP2018120220A5 JP2018120220A5 (ja) | 2021-03-04 |
Family
ID=62979270
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018008533A Withdrawn JP2018120220A (ja) | 2017-01-24 | 2018-01-23 | 表示装置、電子機器、及び表示モジュール |
JP2022116399A Active JP7463445B2 (ja) | 2017-01-24 | 2022-07-21 | 表示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022116399A Active JP7463445B2 (ja) | 2017-01-24 | 2022-07-21 | 表示装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11200859B2 (ja) |
JP (2) | JP2018120220A (ja) |
KR (1) | KR20190104394A (ja) |
CN (1) | CN110192239A (ja) |
DE (1) | DE112018000492T5 (ja) |
TW (1) | TW201834256A (ja) |
WO (1) | WO2018138590A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6661162B1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-03-11 | 株式会社エアロネクスト | プロペラ、モータ部品及びこれを備えた飛行体 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101876607B1 (ko) * | 2014-10-30 | 2018-07-16 | 한국과학기술원 | 펌웨어 기반의 휴대 및 확장이 가능한 광분광학 시스템 및 그 제어 방법 |
KR20200119601A (ko) * | 2019-04-10 | 2020-10-20 | 현대모비스 주식회사 | 차량의 바이너리 데이터 처리 장치 및 방법 |
US11366879B2 (en) * | 2019-07-08 | 2022-06-21 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Server-side audio rendering licensing |
CN113450726A (zh) | 2020-03-26 | 2021-09-28 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器及其驱动装置与驱动方法 |
TWI769616B (zh) * | 2020-03-26 | 2022-07-01 | 聚積科技股份有限公司 | 掃描式顯示器的驅動方法及其驅動裝置 |
CN113450719A (zh) | 2020-03-26 | 2021-09-28 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器的驱动方法及其驱动装置 |
CN113450721B (zh) | 2020-03-26 | 2024-05-28 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器及其驱动装置与驱动方法 |
US11355057B2 (en) | 2020-03-26 | 2022-06-07 | Macroblock, Inc. | Scan-type display apparatus and driving device thereof |
CN113450725A (zh) | 2020-03-26 | 2021-09-28 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器及其驱动装置与驱动方法 |
CN113450723B (zh) | 2020-03-26 | 2024-05-28 | 聚积科技股份有限公司 | 扫描式显示器及其驱动装置与驱动方法 |
CN113872996A (zh) * | 2020-06-30 | 2021-12-31 | 华为技术有限公司 | 数据对账方法及装置 |
CN113517305A (zh) * | 2021-05-25 | 2021-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
CN113554967A (zh) * | 2021-07-06 | 2021-10-26 | 北京奕斯伟计算技术有限公司 | 像素数据的处理方法、装置、电子设备及存储介质 |
DE102022109518B4 (de) | 2022-04-20 | 2024-03-07 | Lisa Dräxlmaier GmbH | Beleuchtungsvorrichtung zur fahrzeuginnenraumbeleuchtung |
CN115220251B (zh) * | 2022-06-30 | 2023-11-17 | 清华大学深圳国际研究生院 | 液晶像素单元、显示电路、透射式和反射式液晶显示器件 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07110672A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 表示装置及びコンピュータ・システム |
JPH07193998A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-28 | Canon Inc | 表示装置 |
JP2013516653A (ja) * | 2010-01-06 | 2013-05-13 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 表示データの変化の検出方法 |
US20130265294A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Apple Inc. | Decreasing power consumption in display devices |
US8644620B1 (en) * | 2011-06-21 | 2014-02-04 | Google Inc. | Processing of matching regions in a stream of screen images |
JP2015158557A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示装置、及び、画像表示装置の制御方法 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07209672A (ja) | 1993-12-03 | 1995-08-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 非発光型ディスプレーを有する電子装置 |
US7081938B1 (en) * | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
TW475079B (en) * | 1994-05-24 | 2002-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device |
JP3593212B2 (ja) | 1996-04-27 | 2004-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP4035383B2 (ja) | 2001-10-22 | 2008-01-23 | 株式会社リコー | 電子透かしの符号生成装置と符号生成方法、および電子透かしの復号装置と復号方法、並びに電子透かしの符号生成復号プログラムと、これを記録した記録媒体 |
EP1998373A3 (en) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
TW200949822A (en) * | 2007-11-26 | 2009-12-01 | Tpo Displays Corp | Display system and method for reducing power consumption of same |
JP2010281695A (ja) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JP5158982B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2013-03-06 | 株式会社ナナオ | 画像表示装置 |
US9406155B2 (en) | 2009-09-25 | 2016-08-02 | Arm Limited | Graphics processing systems |
KR102143040B1 (ko) | 2009-10-16 | 2020-08-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 이를 구비한 전자 장치 |
KR101717460B1 (ko) | 2009-10-16 | 2017-03-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 액정 표시 장치를 포함한 전자 기기 |
KR101835155B1 (ko) | 2009-10-30 | 2018-03-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치, 액정 표시 장치의 구동 방법 및 액정 표시 장치를 포함하는 전자 기기 |
KR101987790B1 (ko) | 2009-11-13 | 2019-06-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기 |
TW201732525A (zh) * | 2010-03-08 | 2017-09-16 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 電子裝置及電子系統 |
US8588580B2 (en) | 2010-06-10 | 2013-11-19 | Panasonic Corporation | Playback device, recording medium, playback method and program |
CN101887457B (zh) * | 2010-07-02 | 2012-10-03 | 杭州电子科技大学 | 基于内容的复制图像检测方法 |
DE112011102837B4 (de) | 2010-08-27 | 2021-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Speichereinrichtung und Halbleitereinrichtung mit Doppelgate und Oxidhalbleiter |
US8732496B2 (en) | 2011-03-24 | 2014-05-20 | Nvidia Corporation | Method and apparatus to support a self-refreshing display device coupled to a graphics controller |
CN102426824B (zh) * | 2011-09-28 | 2014-09-17 | 福建华映显示科技有限公司 | 显示器、时序控制器及其操作方法 |
US9076505B2 (en) | 2011-12-09 | 2015-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory device |
US20150228239A1 (en) * | 2012-02-07 | 2015-08-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method of driving the same |
KR101954947B1 (ko) | 2012-07-18 | 2019-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
CN103247249B (zh) * | 2013-04-27 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示控制电路、显示控制方法及显示装置 |
WO2015052991A1 (ja) * | 2013-10-09 | 2015-04-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9940686B2 (en) * | 2014-05-14 | 2018-04-10 | Intel Corporation | Exploiting frame to frame coherency in a sort-middle architecture |
WO2016006544A1 (ja) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | シャープ株式会社 | 画像表示装置 |
CN105159162B (zh) * | 2015-08-14 | 2017-11-07 | 北京拓盛电子科技有限公司 | 计量***中的非计量数据的处理方法 |
CN105844669B (zh) * | 2016-03-28 | 2018-11-13 | 华中科技大学 | 一种基于局部哈希特征的视频目标实时跟踪方法 |
-
2018
- 2018-01-10 DE DE112018000492.9T patent/DE112018000492T5/de not_active Withdrawn
- 2018-01-10 US US16/477,733 patent/US11200859B2/en active Active
- 2018-01-10 WO PCT/IB2018/050139 patent/WO2018138590A1/en active Application Filing
- 2018-01-10 KR KR1020197023552A patent/KR20190104394A/ko active Search and Examination
- 2018-01-10 CN CN201880007334.8A patent/CN110192239A/zh active Pending
- 2018-01-17 TW TW107101621A patent/TW201834256A/zh unknown
- 2018-01-23 JP JP2018008533A patent/JP2018120220A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-07-21 JP JP2022116399A patent/JP7463445B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07110672A (ja) * | 1993-09-24 | 1995-04-25 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 表示装置及びコンピュータ・システム |
JPH07193998A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-07-28 | Canon Inc | 表示装置 |
JP2013516653A (ja) * | 2010-01-06 | 2013-05-13 | クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド | 表示データの変化の検出方法 |
US8644620B1 (en) * | 2011-06-21 | 2014-02-04 | Google Inc. | Processing of matching regions in a stream of screen images |
US20130265294A1 (en) * | 2012-04-05 | 2013-10-10 | Apple Inc. | Decreasing power consumption in display devices |
JP2015158557A (ja) * | 2014-02-24 | 2015-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 画像表示装置、及び、画像表示装置の制御方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6661162B1 (ja) * | 2018-07-25 | 2020-03-11 | 株式会社エアロネクスト | プロペラ、モータ部品及びこれを備えた飛行体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11200859B2 (en) | 2021-12-14 |
JP7463445B2 (ja) | 2024-04-08 |
WO2018138590A1 (en) | 2018-08-02 |
JP2022142796A (ja) | 2022-09-30 |
TW201834256A (zh) | 2018-09-16 |
US20190362683A1 (en) | 2019-11-28 |
DE112018000492T5 (de) | 2019-10-31 |
KR20190104394A (ko) | 2019-09-09 |
CN110192239A (zh) | 2019-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7463445B2 (ja) | 表示装置 | |
US11205387B2 (en) | Display device and electronic device | |
US20220059045A1 (en) | Display device | |
TWI758417B (zh) | 顯示裝置 | |
TWI777984B (zh) | 觸控感測器、顯示裝置、顯示模組以及電子裝置 | |
CN110178170B (zh) | 显示装置 | |
TWI766928B (zh) | 顯示裝置 | |
US20180182355A1 (en) | Display device and display method | |
US11762250B2 (en) | Display device and electronic device | |
US20190317374A1 (en) | Display device, display module, and electronic device | |
JP7178990B2 (ja) | 光モジュール、又は電子機器 | |
JP7051806B2 (ja) | 認証システム及び通信システム | |
JP7083655B2 (ja) | 表示装置の駆動方法 | |
JP2018060179A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
JP2018146730A (ja) | 表示装置、および表示装置の動作方法 | |
JP2018049267A (ja) | 表示システム、電子機器および表示方法 | |
JP2018054901A (ja) | 表示システムおよび電子機器 | |
JP2018063373A (ja) | 端末システム | |
JP2018073306A (ja) | 画像表示システム、画像表示方法および情報処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210121 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210121 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220208 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220310 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220510 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20220722 |