JP2018115975A - Light-emitting element and detection device - Google Patents

Light-emitting element and detection device Download PDF

Info

Publication number
JP2018115975A
JP2018115975A JP2017007361A JP2017007361A JP2018115975A JP 2018115975 A JP2018115975 A JP 2018115975A JP 2017007361 A JP2017007361 A JP 2017007361A JP 2017007361 A JP2017007361 A JP 2017007361A JP 2018115975 A JP2018115975 A JP 2018115975A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting element
flat plate
light
light emitting
plate portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017007361A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
賢志 唐澤
Kenji Karasawa
賢志 唐澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Instruments Inc filed Critical Seiko Instruments Inc
Priority to JP2017007361A priority Critical patent/JP2018115975A/en
Publication of JP2018115975A publication Critical patent/JP2018115975A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce breakage.SOLUTION: A light-emitting element 1 comprises: a flat plate part 10 having a heat element 12 and being constituted of quartz; a beam part 11 being integrally constituted of the quartz with the flat plate part 10 and supporting the flat plate part 10; and a bump 15 being electrically connected to the heat element 12 via the beam part 11 and supporting the beam part 11 such that a radiation surface side radiating an infrared-ray to an outside and an opposite surface side to the radiation surface out of surfaces of the flat plate part 10 are held so as to be brought into contact with air.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光素子、及び検出装置に関する。   The present invention relates to a light emitting element and a detection device.

非分散型赤外線分析式(NDIR式)ガス検知器では、赤外線を放射する光源を用いて測定対象ガスに含まれる特定ガスを検知する。このような検出装置では、多くのガスそれぞれが固有の赤外線波長を吸収する性質を利用して、試料ガスに赤外線を放射した時、どの波長がどれくらい吸収されたかを調べて、試料ガス中の成分と濃度とを検出する。また、このような検出装置では、機械式光チョッピングによりチョッピング周波数に応じた光を同期検波することでSN(信号対ノイズ)比を上げ、外部環境ノイズの影響を低減している。   In a non-dispersive infrared analysis type (NDIR type) gas detector, a specific gas contained in a measurement target gas is detected using a light source that emits infrared rays. In such a detection device, by utilizing the property that each of many gases absorbs a specific infrared wavelength, when the infrared ray is radiated to the sample gas, it is examined which wavelength is absorbed and how much the component in the sample gas. And concentration. Moreover, in such a detection apparatus, the signal (noise to signal) ratio is increased by synchronously detecting light corresponding to the chopping frequency by mechanical optical chopping, and the influence of external environmental noise is reduced.

また、近年、上述のような検出装置では、機械式光チョッピングの代わりに、例えば、赤外線を放射する発光素子への注入電流のオン状態とオフ状態とを切り替えて検出する技術が知られている(例えば、特許文献1及び特許文献2を参照)。このような機械式光チョッピングを用いない発光素子として、薄いダイヤフラム上へ発熱抵抗部を形成し、この発熱抵抗部を加熱して得られる輻射熱により赤外線を放射する素子が開発されている。   Further, in recent years, in the detection apparatus as described above, for example, a technique is known in which an on-state and an off-state of an injection current to a light emitting element that emits infrared light are switched and detected instead of mechanical light chopping. (For example, see Patent Document 1 and Patent Document 2). As a light-emitting element that does not use such mechanical light chopping, an element that emits infrared rays by radiant heat obtained by forming a heating resistor portion on a thin diaphragm and heating the heating resistor portion has been developed.

特開2010−164550号公報JP 2010-164550 A 特開2016−45080号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-45080

しかしながら、上述した発光素子では、例えば、製造時に薄いダイヤフラムが破損したり、発熱時にダイヤフラム面内の急激な熱分布の片寄りにより熱応力によって破損したりすることがあった。   However, in the above-described light emitting device, for example, a thin diaphragm may be damaged at the time of manufacture, or may be damaged due to a thermal stress due to an abrupt deviation of heat distribution in the diaphragm surface during heat generation.

本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、その目的は、破損を低減することができる発光素子、及び検出装置を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting element and a detection device capable of reducing breakage.

上記問題を解決するために、本発明の一態様は、発熱抵抗部を有し、水晶により構成された平板部と、前記平板部と一体に水晶により構成され、前記平板部を支持するビーム部と、前記ビーム部を介して前記発熱抵抗部と電気的に接続するとともに、前記平板部の面のうち、外部に赤外線を放射する放射面側と、当該放射面と反対の面側とが空気に接して保持されるように、前記ビーム部を支持する接続部材とを備えることを特徴とする発光素子である。   In order to solve the above-described problem, an aspect of the present invention includes a flat plate portion that includes a heating resistor portion and is formed of crystal, and a beam portion that is formed of crystal integrally with the flat plate portion and supports the flat plate portion. And the surface of the flat plate portion that is electrically connected to the heating resistor portion through the beam portion, and the surface side opposite to the radiation surface is air. And a connecting member that supports the beam portion so as to be held in contact with the light emitting element.

また、本発明の一態様は、上記の発光素子において、前記発熱抵抗部は、前記放射面に配置されていることを特徴とする。   One embodiment of the present invention is characterized in that, in the above light-emitting element, the heating resistor portion is disposed on the radiation surface.

また、本発明の一態様は、上記の発光素子において、前記発熱抵抗部は、前記放射面と反対の面側に配置されていることを特徴とする。   One embodiment of the present invention is characterized in that, in the light-emitting element, the heating resistor portion is disposed on a surface opposite to the radiation surface.

また、本発明の一態様は、上記の発光素子において、前記平板部は、温度を検出する温度検出部を備えることを特徴とする。   One embodiment of the present invention is characterized in that in the light-emitting element, the flat plate portion includes a temperature detection portion that detects temperature.

また、本発明の一態様は、上記の発光素子において、前記温度検出部は、前記平板部の面のうち、前記発熱抵抗部と同一の面側に配置されていることを特徴とする。   One embodiment of the present invention is characterized in that, in the light-emitting element, the temperature detection unit is disposed on the same side of the flat plate portion as the heating resistor portion.

また、本発明の一態様は、上記の発光素子において、前記温度検出部は、前記平板部の面のうち、前記発熱抵抗部を有する面と反対の面側に配置されていることを特徴とする。   One embodiment of the present invention is characterized in that, in the light-emitting element, the temperature detection unit is disposed on a surface of the flat plate portion opposite to a surface having the heating resistor portion. To do.

また、本発明の一態様は、上記の発光素子において、前記接続部材は、前記ビーム部の端部を支持することを特徴とする。   Another embodiment of the present invention is the above light-emitting element, wherein the connection member supports an end portion of the beam portion.

また、本発明の一態様は、上記に記載の発光素子と、赤外線の光量を所定の周波数で変調して前記発光素子から放射させる変調部と、前記変調部によって前記発光素子から放射された赤外線であって、変調された赤外線が、流体を通過した通過光を受光して、受光した前記通過光に応じた受光信号を出力する受光部と、前記受光部が出力する前記受光信号に基づいて、検出対象の流体を検出する検出部とを備えることを特徴とする検出装置である。   One embodiment of the present invention includes the light-emitting element described above, a modulation unit that modulates the amount of infrared light at a predetermined frequency and emits the light from the light-emitting element, and the infrared light emitted from the light-emitting element by the modulation unit. The modulated infrared light receives the passing light that has passed through the fluid, and outputs a light receiving signal corresponding to the received passing light, and the light receiving signal output by the light receiving unit. And a detection unit that detects a fluid to be detected.

本発明によれば、破損を低減することができる。   According to the present invention, breakage can be reduced.

第1の実施形態による発光素子の一例を示す外観図である。It is an external view which shows an example of the light emitting element by 1st Embodiment. 第1の実施形態による発光素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting element by 1st Embodiment. 第1の実施形態による検出装置の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of the detection apparatus by 1st Embodiment. 第1の実施形態による発光素子の発熱特性の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the heat_generation | fever characteristic of the light emitting element by 1st Embodiment. 第1の実施形態による第1の変形例の発光素子を示す外観図である。It is an external view which shows the light emitting element of the 1st modification by 1st Embodiment. 第1の実施形態による第2の変形例の発光素子を外観図である。It is an external view of the light emitting element of the 2nd modification by 1st Embodiment. 第1の実施形態による第3の変形例の発光素子を示す外観図である。It is an external view which shows the light emitting element of the 3rd modification by 1st Embodiment. 第3の変形例の平板部の裏面を示す図である。It is a figure which shows the back surface of the flat plate part of a 3rd modification. 第3の変形例による発光素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting element by a 3rd modification. 第2の実施形態による発光素子の一例を示す外観図である。It is an external view which shows an example of the light emitting element by 2nd Embodiment. 第2の実施形態による発光素子の平板部の裏面を示す図である。It is a figure which shows the back surface of the flat plate part of the light emitting element by 2nd Embodiment. 第2の実施形態による発光素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the light emitting element by 2nd Embodiment. 第2の実施形態による検出装置の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of the detection apparatus by 2nd Embodiment. 第2の実施形態による変形例の発光素子を示す外観図である。It is an external view which shows the light emitting element of the modification by 2nd Embodiment.

以下、本発明の一実施形態による発光素子及び検出装置について、図面を参照して説明する。   Hereinafter, a light emitting device and a detection device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

[第1の実施形態]
図1は、第1の実施形態による発光素子1の一例を示す外観図である。また、図2は、第1の実施形態による発光素子1の一例を示す断面図である。
なお、図1は、赤外線を放射する放射面F1(表面)から観察した平板部10及びビーム部11を示している。また、図2は、図1に示すAB線における発光素子1の断面図を示している。
[First Embodiment]
FIG. 1 is an external view showing an example of a light emitting device 1 according to the first embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the light emitting device 1 according to the first embodiment.
1 shows the flat plate portion 10 and the beam portion 11 observed from the radiation surface F1 (surface) that emits infrared rays. FIG. 2 is a cross-sectional view of the light-emitting element 1 taken along line AB shown in FIG.

また、本実施形態では、図1及び図2に示す平板部10及びビーム部11を構成する基板SB1の長手方向をX軸方向、当該基板SB1の短手方向をY軸方向、当該基板SB1の厚み方向をZ軸方向として説明する。
図1及び図2に示すように、発光素子1は、平板部10と、ビーム部(11−1、11−2)と、バンプ(15−1、15−2)と、素子本体部16とを備える。
In the present embodiment, the longitudinal direction of the substrate SB1 constituting the flat plate portion 10 and the beam portion 11 shown in FIGS. 1 and 2 is the X-axis direction, the short side direction of the substrate SB1 is the Y-axis direction, and the substrate SB1 The description will be made assuming that the thickness direction is the Z-axis direction.
As shown in FIGS. 1 and 2, the light-emitting element 1 includes a flat plate portion 10, beam portions (11-1, 11-2), bumps (15-1, 15-2), an element body portion 16, and the like. Is provided.

なお、ビーム部11−1と、ビーム部11−2とは、発光素子1が備える任意のビーム部を示す場合、又は特に区別しない場合には、ビーム部11として説明する。
また、バンプ15−1と、バンプ15−2とは、発光素子1が備える任意のバンプを示す場合、又は特に区別しない場合には、バンプ15として説明する。
Note that the beam unit 11-1 and the beam unit 11-2 will be described as the beam unit 11 when an arbitrary beam unit included in the light emitting element 1 is indicated or when not particularly distinguished.
In addition, the bump 15-1 and the bump 15-2 are described as the bump 15 when an arbitrary bump included in the light emitting element 1 is shown or when not specifically distinguished.

平板部10は、水晶により構成された平板状の基材であり、発熱抵抗体12を有している。ここで、平板部10の面のうち、赤外線を放射する面を放射面F1とし、放射面F1の反対の面を反対面F2として説明する。平板部10は、後述するバンプ15及び素子本体部16によって、放射面F1側、及び反対面F2側が、空気に接するように配置されている。   The flat plate portion 10 is a flat base material made of quartz and has a heating resistor 12. Here, among the surfaces of the flat plate part 10, a surface that emits infrared rays will be described as a radiation surface F1, and a surface opposite to the radiation surface F1 will be described as an opposite surface F2. The flat plate portion 10 is arranged so that the radiation surface F1 side and the opposite surface F2 side are in contact with air by a bump 15 and an element body portion 16 which will be described later.

発熱抵抗体12(発熱抵抗部の一例)は、電流を流すことにより発熱して、平板部10の放射面F1側から外部に、例えば、赤外線を放射させる。発熱抵抗体12は、放射面F1側に配置されている。   The heat generating resistor 12 (an example of a heat generating resistor portion) generates heat by flowing current, and radiates, for example, infrared rays from the radiation surface F1 side of the flat plate portion 10 to the outside. The heating resistor 12 is disposed on the radiation surface F1 side.

発熱抵抗体12は、例えば、TaN(窒化タンタル)、TaSiO(一酸化ケイ素タンタル)、TaSiNO(酸化窒化ケイ素タンタル)、TaSiC(炭化ケイ素タンタル)、TiSiCO、NbSiO(酸化ケイ素ニオブ)、ポリシリコン、TaSiO(二酸化ケイ素タンタル)、TiON(窒化酸化チタン)、酸化ルテニウム、W(タングステン)、Mo(モリブデン)、NiCr(ニッケルクロム)、Pt(白金)、アモルファスシリコンの少なくとも1つの材料によって形成されている。発熱抵抗体12は、例えば、スパッタリングにより形成される。 The heating resistor 12 is, for example, TaN (tantalum nitride), TaSiO (silicon tantalum oxide), TaSiNO (silicon tantalum oxynitride), TaSiC (silicon tantalum carbide), TiSiCO, NbSiO (silicon niobium oxide), polysilicon, TaSiO 2 (silicon tantalum dioxide), TiON (titanium nitride oxide), ruthenium oxide, W (tungsten), Mo (molybdenum), NiCr (nickel chrome), Pt (platinum), formed of at least one material of amorphous silicon . The heating resistor 12 is formed by sputtering, for example.

ビーム部11は、平板部10と一体に水晶により構成され、平板部10を支持する支持部である。ビーム部11は、図1に示すように、平板部10の対角の2つの端部に接続されて、平板部10を支持している。ここで、ビーム部11−1は、平板部10の紙面左上端部から平板部10を支持し、ビーム部11−2は、平板部10の紙面右下端部から平板部10を支持している。   The beam portion 11 is a support portion that is made of quartz integrally with the flat plate portion 10 and supports the flat plate portion 10. As shown in FIG. 1, the beam portion 11 is connected to two diagonal ends of the flat plate portion 10 to support the flat plate portion 10. Here, the beam portion 11-1 supports the flat plate portion 10 from the upper left corner of the flat plate portion 10, and the beam portion 11-2 supports the flat plate portion 10 from the lower right corner of the flat plate portion 10. .

また、平板部10と、ビーム部11とは、水晶の基板SB1に一体に形成されている。基板SB1の厚さD(Z軸方向の長さ)は、例えば、40μm(マイクロメートル)〜100μmである。ここで、基板SB1の結晶の向きは、平板部10の主面(放射面F1及び反対面F2)が、例えば、Zカット面になるように構成されている。また、平板部10及びビーム部11には、例えば、水晶振動子などの従来の加工技術が利用できる。   The flat plate portion 10 and the beam portion 11 are integrally formed on a quartz substrate SB1. A thickness D (length in the Z-axis direction) of the substrate SB1 is, for example, 40 μm (micrometer) to 100 μm. Here, the crystal orientation of the substrate SB1 is configured such that the main surface (radiation surface F1 and opposite surface F2) of the flat plate portion 10 is, for example, a Z-cut surface. For the flat plate portion 10 and the beam portion 11, for example, a conventional processing technique such as a crystal resonator can be used.

基板SB1には、配線13及び配線14が形成されている。配線13及び配線14は、発熱抵抗体12とバンプ15とを電気的に接続する金属層である。配線13及び配線14は、例えば、Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Cr(クロム)、Al−Si(シリコン含有アルミ合金)、Ni(ニッケル)、Ptなどの金属材料によって形成されている。配線13及び配線14は、例えばスパッタリング、スクリーン印刷によって形成される。   A wiring 13 and a wiring 14 are formed on the substrate SB1. The wiring 13 and the wiring 14 are metal layers that electrically connect the heating resistor 12 and the bump 15. The wiring 13 and the wiring 14 are made of, for example, a metal material such as Au (gold), Ag (silver), Cu (copper), Cr (chromium), Al—Si (silicon-containing aluminum alloy), Ni (nickel), or Pt. Is formed. The wiring 13 and the wiring 14 are formed by, for example, sputtering or screen printing.

配線13は、発熱抵抗体12の第1端とバンプ15−1とを電気的に接続する。また、配線13は、発熱抵抗体12に接して、放射面F1側に形成されており、さらに、バンプ15−1と接続するために、ビーム部11−1において、反対面F2側に引き回されて形成されている。   The wiring 13 electrically connects the first end of the heating resistor 12 and the bump 15-1. Further, the wiring 13 is in contact with the heating resistor 12 and is formed on the radiation surface F1 side, and is further routed to the opposite surface F2 side in the beam portion 11-1 to be connected to the bump 15-1. Has been formed.

配線14は、発熱抵抗体12の第2端とバンプ15−2とを電気的に接続する。また、配線14は、発熱抵抗体12に接して、放射面F1側に形成されており、さらに、バンプ15−2と接続するために、ビーム部11−2において、反対面F2側に引き回されて形成されている。   The wiring 14 electrically connects the second end of the heating resistor 12 and the bump 15-2. The wiring 14 is in contact with the heating resistor 12 and is formed on the radiation surface F1 side. Further, in order to connect to the bump 15-2, the wiring 14 is routed to the opposite surface F2 side. Has been formed.

バンプ15(接続部材の一例)は、ビーム部11を介して発熱抵抗体12と電気的に接続するとともに、平板部10の面のうち、放射面F1側と、当該放射面F1と反対の面(反対面F2)側とが空気に接して保持されるように、ビーム部11を支持する。バンプ15は、例えば、Au(金)、半田などで素子本体部16に形成されており、素子本体部16と、平板部10及びビーム部11を含む基板SB1とを接続する。   The bump 15 (an example of a connection member) is electrically connected to the heating resistor 12 via the beam portion 11, and on the surface of the flat plate portion 10, the radiation surface F1 side and the surface opposite to the radiation surface F1. The beam portion 11 is supported so that the (opposite surface F2) side is held in contact with air. The bump 15 is formed on the element main body 16 with, for example, Au (gold), solder, or the like, and connects the element main body 16 to the substrate SB1 including the flat plate portion 10 and the beam portion 11.

バンプ15−1は、ビーム部11−1の端部を支持するように、配線13と接続されている。また、バンプ15−2は、ビーム部11−2の端部を支持するように、配線14と接続されている。   The bump 15-1 is connected to the wiring 13 so as to support the end of the beam portion 11-1. The bump 15-2 is connected to the wiring 14 so as to support the end of the beam portion 11-2.

素子本体部16は、例えば、セラミックで形成されており、中央に凹部を有している。素子本体部16は、この凹部により、図2に示すように、バンプ15を介して、平板部10を空気に接して保持する形状になっている。また、素子本体部16は、不図示の外部電極(外部端子)を有しており、外部電極は、バンプ15を介して配線(13、14)を接続されている。   The element body 16 is made of, for example, ceramic and has a recess at the center. As shown in FIG. 2, the element main body portion 16 has a shape that holds the flat plate portion 10 in contact with the air via the bumps 15, as shown in FIG. 2. The element body 16 has an external electrode (external terminal) (not shown), and the external electrode is connected to the wirings (13, 14) via the bumps 15.

次に、図3を参照して、本実施形態による発光素子1を備えた検出装置100の構成について説明する。
図3は、本実施形態による検出装置100の一例を示すブロック図である。
図3に示すように、検出装置100は、操作部110と、周波数生成部120と、温度制御部130と、電源部140と、発光素子1と、受光素子150と、ロックインアンプ160とを備える。
Next, the configuration of the detection apparatus 100 including the light emitting element 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 3 is a block diagram illustrating an example of the detection apparatus 100 according to the present embodiment.
As illustrated in FIG. 3, the detection apparatus 100 includes an operation unit 110, a frequency generation unit 120, a temperature control unit 130, a power supply unit 140, the light emitting element 1, the light receiving element 150, and a lock-in amplifier 160. Prepare.

検出装置100は、赤外線により、気体(ガス)や液体などの試料の流体(例えば、ガスや液体の成分、濃度など)を検出する。検出装置100は、例えば、非分散型赤外線分析式(NDIR式)ガス検知器であり、ピーク波長が3μm以上の赤外線やピーク波長が10μm以上の遠赤外線を放射し、気化しているガスの成分を分光により検出する。   The detection apparatus 100 detects a sample fluid such as gas (gas) or liquid (for example, a component or concentration of gas or liquid) using infrared rays. The detection device 100 is, for example, a non-dispersive infrared analysis (NDIR) gas detector, and emits infrared rays having a peak wavelength of 3 μm or more and far infrared rays having a peak wavelength of 10 μm or more, and vaporized gas components. Is detected by spectroscopy.

操作部110は、例えば、機械式スイッチ、タッチパネルセンサー等である。操作部110は、利用者が操作した操作結果を検出し、検出した操作結果を温度制御部130に供給する。
周波数生成部120は、赤外線の変調用の所定の周波数のクロック信号を生成し、生成したクロック信号を温度制御部130とロックインアンプ160に供給する。
The operation unit 110 is, for example, a mechanical switch, a touch panel sensor, or the like. The operation unit 110 detects an operation result operated by the user and supplies the detected operation result to the temperature control unit 130.
The frequency generation unit 120 generates a clock signal having a predetermined frequency for infrared modulation, and supplies the generated clock signal to the temperature control unit 130 and the lock-in amplifier 160.

温度制御部130(変調部の一例)は、赤外線の光量を所定の周波数で変調して発光素子1から放射させる制御を行う。温度制御部130は、操作部110から供給される操作結果に基づいて、電源部140を介して、発光素子1をオン状態とオフ状態とを切り替えて変調させる。温度制御部130は、例えば、電源部140から発光素子1に供給する電流又は電圧を制御するとともに、周波数生成部120から供給されるクロック信号に同期させて、発光素子1をオン状態とオフ状態とを切り替える制御を行う。   The temperature control unit 130 (an example of a modulation unit) performs control to modulate the amount of infrared light at a predetermined frequency and emit the light from the light emitting element 1. Based on the operation result supplied from the operation unit 110, the temperature control unit 130 modulates the light emitting element 1 by switching between the on state and the off state via the power supply unit 140. For example, the temperature control unit 130 controls the current or voltage supplied from the power supply unit 140 to the light emitting element 1 and synchronizes with the clock signal supplied from the frequency generation unit 120 to turn the light emitting element 1 on and off. Control to switch between.

なお、発光素子1から放射される赤外線の波長は、発光素子1の平板部10の温度に依存する。温度制御部130は、電源部140から発光素子1に供給する電流又は電圧を制御することで、発光素子1の平板部10の温度を制御する。温度制御部130は、電源部140から発光素子1に供給する電流又は電圧の設定指示、及び電源部140から発光素子1に電流又は電圧を供給するか否かの指示を、電源部140に供給する。
また、温度制御部130は、例えば、検出対象の気体(ガス)に応じて、赤外線の波長を変更して、発光素子1から放射させる。
Note that the wavelength of infrared rays emitted from the light emitting element 1 depends on the temperature of the flat plate portion 10 of the light emitting element 1. The temperature control unit 130 controls the temperature of the flat plate part 10 of the light emitting element 1 by controlling the current or voltage supplied from the power supply unit 140 to the light emitting element 1. The temperature control unit 130 supplies the power supply unit 140 with an instruction to set the current or voltage supplied from the power supply unit 140 to the light emitting element 1 and whether to supply current or voltage from the power supply unit 140 to the light emitting element 1. To do.
Moreover, the temperature control unit 130 changes the wavelength of infrared rays according to the gas (gas) to be detected, for example, and emits the light from the light emitting element 1.

電源部140は、温度制御部130から供給される各種指示に基づいて、発光素子1に電流又は電圧を供給する。   The power supply unit 140 supplies current or voltage to the light emitting element 1 based on various instructions supplied from the temperature control unit 130.

受光素子150(受光部の一例)は、発光素子1が放射する帯域の波長を受光することができる素子である。受光素子150は、受光した光を電気信号に変換して、変換した電気信号をロックインアンプ160に出力する。すなわち、受光素子150は、温度制御部130によって発光素子1から放射された赤外線であって、変調された赤外線が、試料のガス(流体)を通過した通過光を受光して、受光した通過光に応じた受光信号を出力する。   The light receiving element 150 (an example of a light receiving unit) is an element that can receive a wavelength in a band emitted from the light emitting element 1. The light receiving element 150 converts the received light into an electric signal and outputs the converted electric signal to the lock-in amplifier 160. That is, the light receiving element 150 receives infrared light emitted from the light emitting element 1 by the temperature controller 130, and the modulated infrared light passes through the sample gas (fluid) and receives the received light. The light reception signal corresponding to the is output.

ロックインアンプ160(検出部の一例)は、受光素子150が出力する受光信号に基づいて、検出対象の気体(ガス)を検出する。ロックインアンプ160は、例えば、同期検波の技術を利用して、参照信号と周波数が等しい電気信号を検出する。ここで、参照信号は、周波数生成部120から供給されたクロック信号である。ロックインアンプ160は、受光信号に含まれる各種の信号のうち、参照信号の周波数と等しい成分のみを直流成分を出力する。また、ロックインアンプ160の出力先は、例えば、画像表示装置、印刷装置等である。   The lock-in amplifier 160 (an example of a detection unit) detects a detection target gas (gas) based on a light reception signal output from the light receiving element 150. The lock-in amplifier 160 detects an electrical signal having the same frequency as that of the reference signal by using, for example, a synchronous detection technique. Here, the reference signal is a clock signal supplied from the frequency generation unit 120. The lock-in amplifier 160 outputs only a component equal to the frequency of the reference signal among various signals included in the light reception signal. The output destination of the lock-in amplifier 160 is, for example, an image display device or a printing device.

以上説明したように、本実施形態による発光素子1は、平板部10と、ビーム部11と、バンプ15(接続部材)とを備える。平板部10は、発熱抵抗体12(発熱抵抗部)を有し、水晶により構成されている。ビーム部11は、平板部10と一体に水晶により構成され、平板部10を支持する。バンプ15は、ビーム部11を介して発熱抵抗体12と電気的に接続するとともに、平板部10の面のうち、外部に赤外線を放射する放射面F1側と、当該放射面F1と反対の面(反対面F2)側とが空気に接して保持されるように、ビーム部11を支持する。   As described above, the light emitting device 1 according to the present embodiment includes the flat plate portion 10, the beam portion 11, and the bumps 15 (connection members). The flat plate part 10 has a heating resistor 12 (heating resistor part) and is made of quartz. The beam portion 11 is made of quartz integrally with the flat plate portion 10 and supports the flat plate portion 10. The bump 15 is electrically connected to the heating resistor 12 through the beam portion 11, and on the surface of the flat plate portion 10, the radiation surface F1 side that emits infrared rays to the outside, and the surface opposite to the radiation surface F1. The beam portion 11 is supported so that the (opposite surface F2) side is held in contact with air.

これにより、本実施形態による発光素子1は、水晶により平板部10及びビーム部11を構成することで、従来のように薄いダイヤフラムが不要になる。また、本実施形態による発光素子1は、水晶により平板部10を構成することで、例えば、シリコン(Si)上にMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術などで発熱抵抗体を形成する場合に比べて、発熱抵抗体12を有する平板部10を厚く(例えば、40μm〜100μm)することができる。よって、本実施形態による発光素子1は、発熱抵抗体12を有する平板部10及びビーム部11を、製造時の破損、及び、急激な熱分布の片寄りによって発生する熱応力による破損を低減することができる。   As a result, the light emitting device 1 according to the present embodiment includes the flat plate portion 10 and the beam portion 11 made of crystal, so that a thin diaphragm is not required as in the related art. Moreover, the light emitting element 1 according to the present embodiment includes the flat plate portion 10 made of quartz, for example, compared to a case where a heating resistor is formed on silicon (Si) by a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technique or the like. The flat plate portion 10 having the heating resistor 12 can be thickened (for example, 40 μm to 100 μm). Therefore, the light emitting element 1 according to the present embodiment reduces the flat plate portion 10 and the beam portion 11 having the heating resistor 12 from damage during manufacture and damage due to thermal stress generated due to sudden deviation of heat distribution. be able to.

また、本実施形態による発光素子1は、例えば、シリコン(Si)より熱伝導率が低い水晶を平板部10及びビーム部11に用いるとともに、平板部10の放射面F1側と、反対面F2側とが空気に接して平板部10が保持される。そのため、本実施形態による発光素子1は、発熱抵抗体12により発生した熱が熱伝導により損失することを低減することができるとともに、発熱抵抗体12を発熱させるための消費電力を低減することができる。   In addition, the light emitting element 1 according to the present embodiment uses, for example, quartz having a lower thermal conductivity than silicon (Si) for the flat plate portion 10 and the beam portion 11, and the radiation surface F1 side and the opposite surface F2 side of the flat plate portion 10. And the flat plate portion 10 is held in contact with air. Therefore, the light emitting element 1 according to the present embodiment can reduce the loss of heat generated by the heating resistor 12 due to heat conduction, and can reduce the power consumption for causing the heating resistor 12 to generate heat. it can.

また、図4は、本実施形態による発光素子1の発熱特性の一例を示す図である。
この図に示すグラフは、縦軸が温度[℃]であり、横軸が時間[秒]である。また、波形W1は、発光素子1に100mW(ミリワット)の電力を供給した場合の発熱特性のシミュレーション結果を示す温度波形である。
FIG. 4 is a diagram illustrating an example of heat generation characteristics of the light emitting device 1 according to the present embodiment.
In the graph shown in this figure, the vertical axis represents temperature [° C.], and the horizontal axis represents time [seconds]. A waveform W1 is a temperature waveform showing a simulation result of heat generation characteristics when power of 100 mW (milliwatt) is supplied to the light emitting element 1.

本実施形態の発光素子1の平板部10は、熱伝導率が低い水晶を平板部10及びビーム部11に用いることにより、平板部10が熱し易く、冷めやすい温度特性を得ることができる。すなわち、図4の波形W1に示すように、発光素子1の平板部10は、0.02秒程度で温度の立ち上がり及び温度の立ち下がりが可能である。これにより、本実施形態による発光素子1は、例えば、10Hz(ヘルツ)程度の高い周波数により、変調及び同期検波を行うことができる。   The flat plate portion 10 of the light-emitting element 1 of the present embodiment can obtain temperature characteristics in which the flat plate portion 10 is easily heated and cooled by using a crystal having low thermal conductivity for the flat plate portion 10 and the beam portion 11. That is, as shown by the waveform W1 in FIG. 4, the flat plate portion 10 of the light emitting element 1 can rise and fall in temperature in about 0.02 seconds. Thereby, the light emitting element 1 according to the present embodiment can perform modulation and synchronous detection with a high frequency of about 10 Hz (Hertz), for example.

また、本実施形態では、発熱抵抗体12は、放射面F1側に配置されている。
これにより、本実施形態による発光素子1は、発熱抵抗体12により放射面F1の温度を正確に制御することができる。
In the present embodiment, the heating resistor 12 is disposed on the radiation surface F1 side.
Thereby, the light emitting element 1 according to the present embodiment can accurately control the temperature of the radiation surface F <b> 1 by the heating resistor 12.

また、本実施形態では、バンプ15は、ビーム部11の端部を支持する。
これにより、本実施形態による発光素子1は、ビーム部11の端部を介して、熱が素子本体部16に伝達されるため、平板部10の放射面F1の温度の低下をさらに抑制することができる。
In the present embodiment, the bump 15 supports the end portion of the beam portion 11.
Thereby, the light emitting element 1 according to the present embodiment further suppresses a decrease in the temperature of the radiation surface F1 of the flat plate portion 10 because heat is transmitted to the element main body portion 16 through the end portion of the beam portion 11. Can do.

また、本実施形態による検出装置100は、上述した発光素子1と、温度制御部130(変調部)と、受光素子150(受光部)と、ロックインアンプ160(検出部)とを備える。温度制御部130は、赤外線の光量を所定の周波数で変調して発光素子1から放射させる。出力する受光素子150は、温度制御部130によって発光素子1から放射された赤外線であって、変調された赤外線が、流体(例えば、気体(ガス)や液体)を通過した通過光を受光して、受光した通過光に応じた受光信号を出力する。ロックインアンプ160は、受光素子150が出力する受光信号に基づいて、検出対象の流体を検出する。
これにより、本実施形態による検出装置100は、上述した発光素子1と同様に、平板部10における製造時の破損、及び熱応力による破損を低減することができる。また、本実施形態による検出装置100は、例えば、10Hz(ヘルツ)程度の高い周波数により変調できるため、検出時間を低減することができる。
The detection apparatus 100 according to the present embodiment includes the light-emitting element 1 described above, a temperature control unit 130 (modulation unit), a light-receiving element 150 (light-receiving unit), and a lock-in amplifier 160 (detection unit). The temperature control unit 130 modulates the amount of infrared light with a predetermined frequency and emits the light from the light emitting element 1. The light receiving element 150 that outputs the infrared light emitted from the light emitting element 1 by the temperature control unit 130, and the modulated infrared light receives the passing light that has passed through the fluid (for example, gas (gas) or liquid). A light reception signal corresponding to the received passing light is output. The lock-in amplifier 160 detects the fluid to be detected based on the light reception signal output from the light receiving element 150.
Thereby, the detection apparatus 100 by this embodiment can reduce the damage at the time of manufacture in the flat plate part 10, and the damage by a thermal stress similarly to the light emitting element 1 mentioned above. Moreover, since the detection apparatus 100 according to the present embodiment can modulate with a high frequency of about 10 Hz (Hertz), for example, the detection time can be reduced.

次に、本実施形態による発光素子1の変形例について説明する。
<第1の変形例>
まず、図5を参照して、第1の変形例の発光素子1aについて説明する。
図5は、本実施形態による第1の変形例の発光素子1aを示す外観図である。
なお、図5は、赤外線を放射する放射面F1(表面)から観察した平板部10及びビーム部11を示している。
Next, a modification of the light emitting device 1 according to the present embodiment will be described.
<First Modification>
First, a light emitting element 1a of a first modification will be described with reference to FIG.
FIG. 5 is an external view showing a light emitting device 1a of a first modification according to the present embodiment.
5 shows the flat plate portion 10 and the beam portion 11 observed from the radiation surface F1 (surface) that emits infrared rays.

図5に示すように、発光素子1aは、発熱抵抗体12aを有する平板部10と、ビーム部(11−1、11−2)と、バンプ(15−1、15−2)と、素子本体部16とを備える。なお、この図において、図1と同一の構成には、同一の符号を付与し、その説明を省略する。
本変形例では、発熱抵抗体12aの形状が、図1に示す発熱抵抗体12と異なる。
As shown in FIG. 5, the light emitting element 1a includes a flat plate portion 10 having a heating resistor 12a, beam portions (11-1, 11-2), bumps (15-1, 15-2), and an element body. Part 16. In this figure, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
In this modification, the shape of the heating resistor 12a is different from that of the heating resistor 12 shown in FIG.

発熱抵抗体12a(発熱抵抗部の一例)は、上述した発熱抵抗体12と同様に、放射面F1側に配置されており、電流を流すことにより発熱して、平板部10の放射面F1側から外部に、例えば、赤外線を放射させる。なお、発熱抵抗体12aの材質は、上述した発熱抵抗体12と同様である。発熱抵抗体12aは、平板部10上に、抵抗値を高めるように、引き回して形成されている。発熱抵抗体12aは、図5に示すように、矩形波状(メアンダ状)の形状に形成されている。   The heating resistor 12a (an example of the heating resistor portion) is arranged on the radiation surface F1 side, similarly to the above-described heating resistor 12, and generates heat when a current is passed to the radiation surface F1 side of the flat plate portion 10. For example, infrared rays are emitted from the outside. The material of the heating resistor 12a is the same as that of the heating resistor 12 described above. The heating resistor 12a is formed on the flat plate portion 10 so as to increase the resistance value. As shown in FIG. 5, the heating resistor 12a is formed in a rectangular wave shape (meander shape).

このように、第1の変形例では、発熱抵抗体12aが、矩形波状(メアンダ状)の形状に形成されていることにより、発熱抵抗体12aの抵抗値を高めることができる。発熱抵抗体12aは、ジュール熱により発熱するため、抵抗値が高い程、発熱量を大きくすることができる。よって、第1の変形例の発光素子1aは、発熱効率を高めることができる。   Thus, in the first modification, the heating resistor 12a is formed in a rectangular wave shape (meander shape), whereby the resistance value of the heating resistor 12a can be increased. Since the heating resistor 12a generates heat due to Joule heat, the heat generation amount can be increased as the resistance value increases. Therefore, the light emitting element 1a of the first modified example can increase the heat generation efficiency.

<第2の変形例>
次に、図6を参照して、第2の変形例の発光素子1bについて説明する。
図6は、本実施形態による第2の変形例の発光素子1bを示す外観図である。
なお、図6は、赤外線を放射する放射面F1(表面)から観察した平板部10及びビーム部11を示している。
<Second Modification>
Next, a light emitting element 1b according to a second modification will be described with reference to FIG.
FIG. 6 is an external view showing a light emitting device 1b of a second modification according to the present embodiment.
FIG. 6 shows the flat plate portion 10 and the beam portion 11 observed from the radiation surface F1 (surface) that emits infrared rays.

図6に示すように、発光素子1bは、発熱抵抗体12bを有する平板部10と、ビーム部(11−1、11−2)と、バンプ(15−1、15−2)と、素子本体部16とを備える。なお、この図において、図1と同一の構成には、同一の符号を付与し、その説明を省略する。
本変形例では、発熱抵抗体12bの形状が、図1に示す発熱抵抗体12と異なる。
As shown in FIG. 6, the light emitting element 1b includes a flat plate portion 10 having a heating resistor 12b, beam portions (11-1, 11-2), bumps (15-1, 15-2), and an element body. Part 16. In this figure, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
In this modification, the shape of the heating resistor 12b is different from that of the heating resistor 12 shown in FIG.

発熱抵抗体12b(発熱抵抗部の一例)は、上述した発熱抵抗体12と同様に、放射面F1側に配置されており、電流を流すことにより発熱して、平板部10の放射面F1側から外部に、例えば、赤外線を放射させる。なお、発熱抵抗体12bの材質は、上述した発熱抵抗体12と同様である。発熱抵抗体12bは、図6に示すように、上述した発熱抵抗体12aよりもさらに抵抗値を高めるように、さらに長く引き回されて形成されている。
これにより、第2の変形例の発光素子1bは、発熱効率をさらに高めることができる。
The heating resistor 12b (an example of the heating resistor portion) is disposed on the radiation surface F1 side, similarly to the above-described heating resistor 12, and generates heat when a current is passed to the radiation surface F1 side of the flat plate portion 10. For example, infrared rays are emitted from the outside. The material of the heating resistor 12b is the same as that of the heating resistor 12 described above. As shown in FIG. 6, the heating resistor 12 b is formed by being drawn longer so as to further increase the resistance value as compared with the heating resistor 12 a described above.
Thereby, the light emitting element 1b of the second modified example can further increase the heat generation efficiency.

<第3の変形例>
次に、図7〜図9を参照して、第3の変形例の発光素子1cについて説明する。
第3の変形例の発光素子1cは、発熱抵抗体12cが、放射面F1と反対の面(反対面F2)に配置されている点が、上述した発光素子1と異なる。
<Third Modification>
Next, with reference to FIGS. 7-9, the light emitting element 1c of the 3rd modification is demonstrated.
The light emitting element 1c of the third modification is different from the light emitting element 1 described above in that the heating resistor 12c is disposed on the surface opposite to the radiation surface F1 (opposite surface F2).

図7は、本実施形態による第3の変形例の発光素子1cを示す外観図である。また、図8は、第3の変形例の平板部10の裏面を示す図である。また、図9は、本変形例による発光素子1cの一例を示す断面図である。
なお、図7は、赤外線を放射する放射面F1(表面)から観察した発光素子1c(平板部10及びビーム部11)を示している。また、図8は、反対面F2(裏面)から観察した平板部10及びビーム部11を示している。また、図9は、図7に示すAB線における発光素子1cの断面図を示している。
FIG. 7 is an external view showing a light emitting device 1c of a third modification according to the present embodiment. Moreover, FIG. 8 is a figure which shows the back surface of the flat plate part 10 of the 3rd modification. Moreover, FIG. 9 is sectional drawing which shows an example of the light emitting element 1c by this modification.
FIG. 7 shows the light emitting element 1c (the flat plate portion 10 and the beam portion 11) observed from the radiation surface F1 (surface) that emits infrared rays. FIG. 8 shows the flat plate portion 10 and the beam portion 11 observed from the opposite surface F2 (back surface). FIG. 9 is a cross-sectional view of the light emitting element 1c taken along the line AB shown in FIG.

図7〜図9に示すように、発光素子1cは、発熱抵抗体12cを有する平板部10と、ビーム部(11−1、11−2)と、バンプ(15−1、15−2)と、素子本体部16とを備える。
なお、図7〜図9において、図1及び図2と同一の構成には、同一の符号を付与し、その説明を省略する。
本変形例では、図7及び図8に示すように、平板部10の放射面F1側には、発熱抵抗体12cが配置されずに、反対面F2側に、発熱抵抗体12cが配置される。
As shown in FIGS. 7 to 9, the light emitting element 1c includes a flat plate portion 10 having a heating resistor 12c, beam portions (11-1, 11-2), and bumps (15-1, 15-2). The element main body 16 is provided.
7-9, the same code | symbol is provided to the structure same as FIG.1 and FIG.2, and the description is abbreviate | omitted.
In the present modification, as shown in FIGS. 7 and 8, the heating resistor 12c is not disposed on the radiation surface F1 side of the flat plate portion 10, but the heating resistor 12c is disposed on the opposite surface F2 side. .

発熱抵抗体12c(発熱抵抗部の一例)は、放射面F1と反対の面側(反対面F2側)に配置されており、電流を流すことにより発熱して、平板部10の放射面F1側から外部に、例えば、赤外線を放射させる。なお、発熱抵抗体12cの材質は、上述した発熱抵抗体12と同様である。   The heating resistor 12c (an example of the heating resistor portion) is disposed on the surface side opposite to the radiation surface F1 (opposite surface F2 side), and generates heat when a current is passed to the radiation surface F1 side of the flat plate portion 10. For example, infrared rays are emitted from the outside. The material of the heating resistor 12c is the same as that of the heating resistor 12 described above.

配線13a及び配線14aは、発熱抵抗体12cとバンプ15とを電気的に接続する金属層である。配線13a及び配線14aは、上述した発熱抵抗体12と同様の金属材料によって形成されている。
配線13aは、発熱抵抗体12cの第1端とバンプ15−1とを電気的に接続する。また、配線13aは、発熱抵抗体12cに接して、反対面F2側に形成されている。
配線14aは、発熱抵抗体12cの第2端とバンプ15−2とを電気的に接続する。また、配線14aは、発熱抵抗体12cに接して、反対面F2側に形成されている。
The wiring 13 a and the wiring 14 a are metal layers that electrically connect the heating resistor 12 c and the bump 15. The wiring 13a and the wiring 14a are formed of the same metal material as that of the heating resistor 12 described above.
The wiring 13a electrically connects the first end of the heating resistor 12c and the bump 15-1. The wiring 13a is formed on the opposite surface F2 side in contact with the heating resistor 12c.
The wiring 14a electrically connects the second end of the heating resistor 12c and the bump 15-2. The wiring 14a is formed on the opposite surface F2 side in contact with the heating resistor 12c.

このように、本変形例の発光素子1cでは、発熱抵抗体12cは、放射面F1と反対の面側に配置されている。
これにより、本変形例の発光素子1cは、配線13a及び配線14aを、発熱抵抗体12cの配置されている面の反対側に、引き回す必要がない。そのため、本変形例の発光素子1cは、製造工程を簡略化することができる。
Thus, in the light emitting element 1c of the present modification, the heating resistor 12c is disposed on the surface side opposite to the radiation surface F1.
Thereby, the light emitting element 1c according to the present modification does not require the wiring 13a and the wiring 14a to be routed to the opposite side of the surface on which the heating resistor 12c is disposed. Therefore, the manufacturing process of the light emitting element 1c according to the present modification can be simplified.

[第2の実施形態]
次に、図面を参照して、第2の実施形態による発光素子1d及び検出装置100aについて説明する。本実施形態では、発光素子1dの温度制御をより正確に行うために、温度検出部17を備える場合の一例について説明する。
[Second Embodiment]
Next, the light emitting element 1d and the detection device 100a according to the second embodiment will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, an example in which the temperature detection unit 17 is provided in order to more accurately control the temperature of the light emitting element 1d will be described.

図10は、本実施形態による発光素子1dの一例を示す外観図である。また、図11は、本実施形態による発光素子1dの平板部10aの裏面(反対面F2)を示す図である。また、図12は、本実施形態による発光素子1dの一例を示す断面図である。
なお、図10は、赤外線を放射する放射面F1(表面)から観察した発光素子1d(平板部10a及びビーム部11a)を示している。また、図11は、反対面F2(裏面)から観察した平板部10a及びビーム部11aを示している。また、図12は、図11に示すAB線における発光素子1dの断面図を示している。
FIG. 10 is an external view showing an example of the light emitting device 1d according to the present embodiment. FIG. 11 is a view showing the back surface (opposite surface F2) of the flat plate portion 10a of the light emitting device 1d according to the present embodiment. FIG. 12 is a sectional view showing an example of the light emitting device 1d according to the present embodiment.
FIG. 10 shows the light emitting element 1d (the flat plate portion 10a and the beam portion 11a) observed from the radiation surface F1 (surface) that emits infrared rays. FIG. 11 shows the flat plate portion 10a and the beam portion 11a observed from the opposite surface F2 (back surface). 12 shows a cross-sectional view of the light emitting element 1d taken along the line AB shown in FIG.

図10〜図12に示すように、発光素子1dは、発熱抵抗体12及び温度検出部17を有する平板部10aと、ビーム部(11a−1、11a−2)と、バンプ(15−1、15−2、15−3、15−4)と、素子本体部16aとを備える。
なお、図10〜図12において、図1及び図2と同一の構成には、同一の符号を付与し、その説明を省略する。
As shown in FIGS. 10 to 12, the light emitting element 1 d includes a flat plate portion 10 a having a heating resistor 12 and a temperature detection portion 17, beam portions (11 a-1, 11 a-2), bumps (15-1, 15-2, 15-3, 15-4) and an element body 16a.
10-12, the same code | symbol is provided to the structure same as FIG.1 and FIG.2, and the description is abbreviate | omitted.

本実施形態において、ビーム部11a−1と、ビーム部11a−2とは、発光素子1dが備える任意のビーム部を示す場合、又は特に区別しない場合には、ビーム部11aとして説明する。
また、バンプ15−1と、バンプ15−2と、バンプ15−3と、バンプ15−4とは、発光素子1dが備える任意のバンプを示す場合、又は特に区別しない場合には、バンプ15として説明する。
In the present embodiment, the beam unit 11a-1 and the beam unit 11a-2 will be described as the beam unit 11a when referring to an arbitrary beam unit included in the light emitting element 1d or when not particularly distinguished.
In addition, the bump 15-1, the bump 15-2, the bump 15-3, and the bump 15-4 are arbitrary bumps included in the light emitting element 1d, or are not particularly distinguished as bumps 15. explain.

平板部10aは、水晶により構成された平板状の基材であり、発熱抵抗体12及び温度検出部17を備えている。ここで、平板部10aの面のうち、赤外線を放射する面を放射面F1とし、放射面F1の反対の面を反対面F2として説明する。平板部10aは、後述するバンプ15及び素子本体部16aによって、放射面F1側、及び反対面F2側が、空気に接するように配置されている。   The flat plate portion 10 a is a flat base material made of quartz, and includes a heating resistor 12 and a temperature detection unit 17. Here, among the surfaces of the flat plate portion 10a, a surface that emits infrared rays will be described as a radiation surface F1, and a surface opposite to the radiation surface F1 will be described as an opposite surface F2. The flat plate portion 10a is arranged so that the radiation surface F1 side and the opposite surface F2 side are in contact with air by a bump 15 and an element body portion 16a described later.

温度検出部17は、例えば、薄膜サーミスタであり、平板部10aの温度を検出する。温度検出部17は、検出した温度情報を出力する。温度検出部17は、平板部10aの面のうち、発熱抵抗体12を有する面と反対の面側(例えば、反対面F2側)に配置されている。   The temperature detection part 17 is a thin film thermistor, for example, and detects the temperature of the flat plate part 10a. The temperature detector 17 outputs the detected temperature information. The temperature detection part 17 is arrange | positioned among the surfaces of the flat plate part 10a on the surface side (for example, opposite surface F2 side) opposite to the surface which has the heating resistor 12. FIG.

ビーム部11aは、平板部10aと一体に水晶により構成され、平板部10aを支持する支持部である。ビーム部11aは、図10に示すように、平板部10aのY軸方向の中央(基板SB2の短手方向の中央)の2つの端部に接続されて、平板部10aを支持している。ここで、ビーム部11a−1は、平板部10aの紙面左側中央端部から平板部10aを支持し、ビーム部11a−2は、平板部10aの紙面右側中央端部から平板部10aを支持している。   The beam portion 11a is a support portion that is made of quartz integrally with the flat plate portion 10a and supports the flat plate portion 10a. As shown in FIG. 10, the beam portion 11a is connected to two ends of the center in the Y-axis direction of the flat plate portion 10a (the center in the short direction of the substrate SB2) to support the flat plate portion 10a. Here, the beam portion 11a-1 supports the flat plate portion 10a from the central left end portion of the flat plate portion 10a, and the beam portion 11a-2 supports the flat plate portion 10a from the central right end portion of the flat plate portion 10a. ing.

また、平板部10aと、ビーム部11aとは、水晶の基板SB2に一体に形成されている。基板SB2の厚さD(Z軸方向の長さ)は、例えば、40μm(マイクロメートル)〜100μmである。ここで、基板SB2の結晶の向きは、平板部10aの主面(放射面F1及び反対面F2)が、例えば、Zカット面になるように構成されている。また、平板部10a及びビーム部11aには、例えば、水晶振動子などの従来の加工技術が利用できる。   The flat plate portion 10a and the beam portion 11a are integrally formed on a quartz substrate SB2. The thickness D (the length in the Z-axis direction) of the substrate SB2 is, for example, 40 μm (micrometer) to 100 μm. Here, the crystal orientation of the substrate SB2 is configured such that the main surface (radiation surface F1 and opposite surface F2) of the flat plate portion 10a is, for example, a Z-cut surface. For the flat plate portion 10a and the beam portion 11a, for example, a conventional processing technique such as a crystal resonator can be used.

基板SB2には、配線13a及び配線14aと、配線18及び配線19とが形成されている。
配線13a及び配線14aは、発熱抵抗体12とバンプ15とを電気的に接続する金属層である。配線13a及び配線14aの材質は、上述した第1の実施形態の配線13及び配線14と同様である。また、配線18及び配線19は、温度検出部17とバンプ15とを電気的に接続する金属層である。配線18及び配線19の材質は、上述した配線13a及び配線14aと同様である。
On the substrate SB2, wiring 13a and wiring 14a, wiring 18 and wiring 19 are formed.
The wiring 13 a and the wiring 14 a are metal layers that electrically connect the heating resistor 12 and the bump 15. The material of the wiring 13a and the wiring 14a is the same as that of the wiring 13 and the wiring 14 of the first embodiment described above. Further, the wiring 18 and the wiring 19 are metal layers that electrically connect the temperature detection unit 17 and the bump 15. The material of the wiring 18 and the wiring 19 is the same as that of the wiring 13a and the wiring 14a described above.

配線13aは、発熱抵抗体12の第1端とバンプ15−1とを電気的に接続する。また、配線13aは、発熱抵抗体12に接して、放射面F1側に形成されており、さらに、バンプ15−1と接続するために、ビーム部11a−1において、反対面F2側に引き回されて形成されている。   The wiring 13a electrically connects the first end of the heating resistor 12 and the bump 15-1. Further, the wiring 13a is formed on the radiation surface F1 side in contact with the heating resistor 12, and is further routed to the opposite surface F2 side in the beam portion 11a-1 for connection to the bump 15-1. Has been formed.

配線14aは、発熱抵抗体12の第2端とバンプ15−2とを電気的に接続する。また、配線14aは、発熱抵抗体12に接して、放射面F1側に形成されており、さらに、バンプ15−2と接続するために、ビーム部11a−2において、反対面F2側に引き回されて形成されている。   The wiring 14a electrically connects the second end of the heating resistor 12 and the bump 15-2. The wiring 14a is formed on the radiation surface F1 side in contact with the heating resistor 12, and is further routed to the opposite surface F2 side in the beam portion 11a-2 in order to connect to the bump 15-2. Has been formed.

配線18は、温度検出部17の第1端とバンプ15−3とを電気的に接続する。また、配線18は、温度検出部17に接して、反対面F2側に形成されている。
配線19は、温度検出部17の第2端とバンプ15−4とを電気的に接続する。また、配線19は、温度検出部17に接して、反対面F2側に形成されている。
The wiring 18 electrically connects the first end of the temperature detection unit 17 and the bump 15-3. The wiring 18 is in contact with the temperature detection unit 17 and is formed on the opposite surface F2 side.
The wiring 19 electrically connects the second end of the temperature detection unit 17 and the bump 15-4. Further, the wiring 19 is formed on the opposite surface F2 side in contact with the temperature detection unit 17.

バンプ15(接続部材の一例)は、ビーム部11aを介して発熱抵抗体12と電気的に接続するとともに、ビーム部11aを介して温度検出部17と電気的に接続する。また、バンプ15は、平板部10aの面のうち、放射面F1側と、当該放射面F1と反対の面(反対面F2)側とが空気に接して保持されるように、ビーム部11aを支持する。バンプ15は、例えば、Au(金)、半田などで素子本体部16aに形成されており、素子本体部16aと、平板部10a及びビーム部11aを含む基板SB2とを接続する。   The bump 15 (an example of a connection member) is electrically connected to the heating resistor 12 via the beam part 11a and is also electrically connected to the temperature detection part 17 via the beam part 11a. Further, the bump 15 has the beam portion 11a so that the radiation surface F1 side and the surface opposite to the radiation surface F1 (opposite surface F2) side of the surface of the flat plate portion 10a are held in contact with air. To support. The bump 15 is formed on the element main body 16a with, for example, Au (gold), solder, or the like, and connects the element main body 16a to the substrate SB2 including the flat plate portion 10a and the beam portion 11a.

バンプ15−1は、ビーム部11a−1の端部を支持するように、配線13aと接続されている。また、バンプ15−2は、ビーム部11a−2の端部を支持するように、配線14aと接続されている。また、バンプ15−3は、ビーム部11a−1の端部を支持するように、配線18と接続されている。また、バンプ15−4は、ビーム部11a−2の端部を支持するように、配線19と接続されている。
本実施形態では、4つのバンプ15(バンプ15−1、バンプ15−2、バンプ15−3、及びバンプ15−4)が、ビーム部11a−1及びビーム部11a−2を介して、平板部10aを支持している。
The bump 15-1 is connected to the wiring 13a so as to support the end of the beam portion 11a-1. The bump 15-2 is connected to the wiring 14a so as to support the end of the beam portion 11a-2. The bump 15-3 is connected to the wiring 18 so as to support the end of the beam portion 11a-1. The bump 15-4 is connected to the wiring 19 so as to support the end of the beam portion 11a-2.
In the present embodiment, four bumps 15 (bump 15-1, bump 15-2, bump 15-3, and bump 15-4) are formed into a flat plate portion via the beam portion 11a-1 and the beam portion 11a-2. 10a is supported.

素子本体部16aは、例えば、セラミックで形成されており、中央に凹部を有している。素子本体部16aは、この凹部により、図12に示すように、バンプ15を介して、平板部10aを空気に接して保持する形状になっている。また、素子本体部16aは、不図示の外部電極(外部端子)を有しており、外部電極は、バンプ15を介して配線(13a、14a、18、19)を接続されている。   The element body 16a is made of, for example, ceramic and has a recess at the center. As shown in FIG. 12, the element main body portion 16a is shaped to hold the flat plate portion 10a in contact with the air via the bumps 15, as shown in FIG. The element body 16 a has an external electrode (external terminal) (not shown), and the external electrode is connected to wiring (13 a, 14 a, 18, 19) via the bump 15.

次に、図13を参照して、本実施形態による発光素子1dを備えた検出装置100aの構成について説明する。
図13は、本実施形態による検出装置100aの一例を示すブロック図である。
図13に示すように、検出装置100aは、操作部110と、周波数生成部120と、温度制御部130aと、電源部140と、発光素子1dと、受光素子150と、ロックインアンプ160とを備える。
なお、この図において、図3と同一の構成には、同一の符号を付与し、その説明を省略する。
Next, the configuration of the detection apparatus 100a including the light emitting element 1d according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 13 is a block diagram illustrating an example of the detection apparatus 100a according to the present embodiment.
As illustrated in FIG. 13, the detection device 100a includes an operation unit 110, a frequency generation unit 120, a temperature control unit 130a, a power supply unit 140, a light emitting element 1d, a light receiving element 150, and a lock-in amplifier 160. Prepare.
In this figure, the same components as those in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

温度制御部130a(変調部の一例)は、赤外線の光量を所定の周波数で変調して発光素子1から放射させる制御を行う。温度制御部130aは、操作部110から供給される操作結果に基づいて、電源部140を介して、発光素子1をオン状態とオフ状態とを切り替えて変調させる。
また、温度制御部130aは、発光素子1dの温度検出部17によって検出された温度情報に基づいて、目的の波長の赤外線が放射される温度になるように、電源部140から発光素子1に供給する電流又は電圧を制御する。
The temperature control unit 130 a (an example of a modulation unit) performs control to modulate the amount of infrared light at a predetermined frequency and emit the light from the light emitting element 1. Based on the operation result supplied from the operation unit 110, the temperature control unit 130 a modulates the light emitting element 1 by switching between the on state and the off state via the power supply unit 140.
In addition, the temperature control unit 130a supplies the light emitting element 1 from the power supply unit 140 so that the infrared light having a target wavelength is emitted based on the temperature information detected by the temperature detecting unit 17 of the light emitting element 1d. Control current or voltage.

以上説明したように、本実施形態による発光素子1dは、平板部10aと、ビーム部11aと、バンプ15(接続部材)とを備える。平板部10aは、発熱抵抗体12(発熱抵抗部)を有し、水晶により構成されている。ビーム部11aは、平板部10aと一体に水晶により構成され、平板部10aを支持する。
これにより、本実施形態による発光素子1dは、第1の実施形態と同様の効果を奏し、発熱抵抗体12を有する平板部10a及びビーム部11aを、製造時の破損、及び、急激な熱分布の片寄りによって発生する熱応力による破損を低減することができる。
As described above, the light emitting device 1d according to the present embodiment includes the flat plate portion 10a, the beam portion 11a, and the bumps 15 (connection members). The flat plate portion 10a has a heating resistor 12 (heating resistor portion) and is made of quartz. The beam portion 11a is made of quartz integrally with the flat plate portion 10a, and supports the flat plate portion 10a.
Thereby, the light emitting element 1d according to the present embodiment has the same effect as that of the first embodiment, and the flat plate portion 10a and the beam portion 11a having the heating resistor 12 are damaged during manufacture, and the heat distribution is abrupt. It is possible to reduce the damage caused by the thermal stress generated by the deviation of.

また、本実施形態では、平板部10aは、温度を検出する温度検出部17を備える。
これにより、本実施形態による発光素子1dは、例えば、発光素子1dを使用した検出装置100aにおいて、発光素子1dの温度を正確に制御することが可能になる。すなわち、本実施形態による発光素子1dは、検出装置100aにおいて、発光素子1dの温度を正確に制御することができるため、放射する赤外線の波長(のピーク値)を正確に制御することができる。よって、本実施形態による発光素子1dは、検出装置100aにおいて、流体(例えば、気体(ガス)や液体)の検出精度を向上させることができる。
Moreover, in this embodiment, the flat plate part 10a is provided with the temperature detection part 17 which detects temperature.
Thereby, the light emitting element 1d according to the present embodiment can accurately control the temperature of the light emitting element 1d in the detection apparatus 100a using the light emitting element 1d, for example. That is, since the light emitting element 1d according to the present embodiment can accurately control the temperature of the light emitting element 1d in the detection apparatus 100a, the wavelength (peak value) of the emitted infrared light can be accurately controlled. Therefore, the light emitting element 1d according to the present embodiment can improve the detection accuracy of fluid (for example, gas (gas) or liquid) in the detection apparatus 100a.

また、温度検出部17は、平板部10aの面のうち、発熱抵抗体12を有する面と反対の面側(例えば、反対面F2側)に配置されている。
これにより、本実施形態による発光素子1dは、発熱抵抗体12と温度検出部17とを同一の面に配置しないので、平板部10aにおいて、放射面F1の面積(発熱抵抗体12の面積)を広く取ることができる。そのため、本実施形態による発光素子1dは、発熱効率を高めることができる。
Moreover, the temperature detection part 17 is arrange | positioned among the surfaces of the flat plate part 10a on the surface side (for example, opposite surface F2 side) opposite to the surface which has the heating resistor 12. FIG.
As a result, the light emitting element 1d according to the present embodiment does not arrange the heating resistor 12 and the temperature detection unit 17 on the same surface, so that the area of the radiation surface F1 (area of the heating resistor 12) is reduced in the flat plate portion 10a. Can be taken widely. Therefore, the light emitting element 1d according to the present embodiment can increase the heat generation efficiency.

また、本実施形態による検出装置100aは、温度を検出する温度検出部17を備える発光素子1dと、温度検出部17によって検出された温度に基づいて、発光素子1dの温度を制御する温度制御部130aとを備える。
これにより、温度制御部130aは、発光素子1dの温度を正確に制御することにより、発光素子1dが放射する赤外線の波長を正確に制御することができる。よって、本実施形態による検出装置100aは、検出精度を向上させることができる。
In addition, the detection apparatus 100a according to the present embodiment includes a light emitting element 1d that includes a temperature detection unit 17 that detects a temperature, and a temperature control unit that controls the temperature of the light emitting element 1d based on the temperature detected by the temperature detection unit 17. 130a.
Accordingly, the temperature control unit 130a can accurately control the wavelength of infrared rays emitted from the light emitting element 1d by accurately controlling the temperature of the light emitting element 1d. Therefore, the detection apparatus 100a according to the present embodiment can improve the detection accuracy.

次に、本実施形態による発光素子1dの変形例について説明する。
<第4の変形例>
図14は、本実施形態による変形例の発光素子1eを示す外観図である。
なお、図14は、赤外線を放射する放射面F1(表面)から観察した平板部10a及びビーム部11aを示している。
Next, a modification of the light emitting element 1d according to the present embodiment will be described.
<Fourth Modification>
FIG. 14 is an external view showing a light emitting element 1e of a modification according to the present embodiment.
FIG. 14 shows the flat plate portion 10a and the beam portion 11a observed from the radiation surface F1 (surface) that emits infrared rays.

図14に示すように、発光素子1eは、発熱抵抗体12及び温度検出部17を有する平板部10aと、ビーム部(11a−1、11a−2)と、バンプ(15−1、15−2)と、素子本体部16aとを備える。なお、この図において、図10及び図11と同一の構成には、同一の符号を付与し、その説明を省略する。
本変形例では、温度検出部17が、平板部10aの面のうち、発熱抵抗体12と同一の面側に配置されている点が、図10に示す発光素子1dと異なる。
As shown in FIG. 14, the light emitting element 1e includes a flat plate portion 10a having a heating resistor 12 and a temperature detecting portion 17, beam portions (11a-1, 11a-2), and bumps (15-1, 15-2). ) And the element main body 16a. In this figure, the same components as those in FIGS. 10 and 11 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
In the present modification, the temperature detector 17 is different from the light emitting element 1d shown in FIG. 10 in that the surface of the flat plate portion 10a is disposed on the same surface side as the heating resistor 12.

本変形例において、温度検出部17は、図14に示すように、放射面F1側に配置されており、発熱抵抗体12と同一の面側に配置されている。
また、配線13b及び配線14bは、発熱抵抗体12とバンプ15とを電気的に接続する金属層である。配線13b及び配線14bの材質は、上述した配線13a及び配線14aと同様である。なお、配線13b及び配線14bは、基板SB2の同一面に配線18a及び配線19aを配置するために、配線13a及び配線14aと形状が異なる。
In this modification, as shown in FIG. 14, the temperature detector 17 is disposed on the radiation surface F <b> 1 side, and is disposed on the same surface side as the heating resistor 12.
The wiring 13b and the wiring 14b are metal layers that electrically connect the heating resistor 12 and the bump 15. The material of the wiring 13b and the wiring 14b is the same as that of the wiring 13a and the wiring 14a described above. The wiring 13b and the wiring 14b are different in shape from the wiring 13a and the wiring 14a in order to arrange the wiring 18a and the wiring 19a on the same surface of the substrate SB2.

配線13bは、発熱抵抗体12の第1端とバンプ15−1とを電気的に接続する。また、配線13bは、発熱抵抗体12に接して、放射面F1側に形成されており、さらに、バンプ15−1と接続するために、ビーム部11a−1において、反対面F2側に引き回されて形成されている。   The wiring 13b electrically connects the first end of the heating resistor 12 and the bump 15-1. Further, the wiring 13b is in contact with the heating resistor 12 and is formed on the radiation surface F1 side, and is further routed to the opposite surface F2 side in the beam portion 11a-1 for connection to the bump 15-1. Has been formed.

配線14bは、発熱抵抗体12の第2端とバンプ15−2とを電気的に接続する。また、配線14bは、発熱抵抗体12に接して、放射面F1側に形成されており、さらに、バンプ15−2と接続するために、ビーム部11a−2において、反対面F2側に引き回されて形成されている。   The wiring 14b electrically connects the second end of the heating resistor 12 and the bump 15-2. The wiring 14b is in contact with the heating resistor 12 and is formed on the radiation surface F1 side. Further, in order to connect to the bump 15-2, the wiring portion 14b is routed to the opposite surface F2 side. Has been formed.

また、配線18a及び配線19aは、温度検出部17とバンプ15とを電気的に接続する金属層である。配線18a及び配線19aの材質は、上述した配線13b及び配線14bと同様である。なお、配線18a及び配線19aは、上述した配線18及び配線19とは異なり、配線13b及び配線14bと同一面に形成されている。   Further, the wiring 18 a and the wiring 19 a are metal layers that electrically connect the temperature detection unit 17 and the bump 15. The material of the wiring 18a and the wiring 19a is the same as that of the wiring 13b and the wiring 14b described above. Note that the wiring 18a and the wiring 19a are formed on the same surface as the wiring 13b and the wiring 14b, unlike the wiring 18 and the wiring 19 described above.

配線18aは、温度検出部17の第1端とバンプ15−3とを電気的に接続する。また、配線18aは、温度検出部17に接して、放射面F1側に形成されており、さらに、バンプ15−3と接続するために、ビーム部11a−1において、反対面F2側に引き回されて形成されている。   The wiring 18a electrically connects the first end of the temperature detection unit 17 and the bump 15-3. Further, the wiring 18a is formed on the radiation surface F1 side in contact with the temperature detection unit 17, and is further routed to the opposite surface F2 side in the beam unit 11a-1 for connection with the bump 15-3. Has been formed.

また、配線19aは、温度検出部17の第2端とバンプ15−4とを電気的に接続する。また、配線19aは、温度検出部17に接して、反対面F2側に形成されており、さらに、バンプ15−4と接続するために、ビーム部11a−2において、反対面F2側に引き回されて形成されている。   Further, the wiring 19a electrically connects the second end of the temperature detection unit 17 and the bump 15-4. Further, the wiring 19a is formed on the opposite surface F2 side in contact with the temperature detection unit 17, and is further routed to the opposite surface F2 side in the beam portion 11a-2 in order to connect to the bump 15-4. Has been formed.

以上説明したように、図14に示す変形例では、温度検出部17は、平板部10aの面のうち、発熱抵抗体12と同一の面側に配置されている。
これにより、本変形例の発光素子1eは、発熱抵抗体12と同一の面側の温度を温度検出部17により正確に検出できるため、発光素子1eの温度をさらに正確に制御することが可能になる。
As described above, in the modification shown in FIG. 14, the temperature detection unit 17 is disposed on the same surface side as the heating resistor 12 in the surface of the flat plate portion 10 a.
As a result, the light-emitting element 1e of the present modification can accurately detect the temperature on the same surface side as the heating resistor 12 by the temperature detection unit 17, so that the temperature of the light-emitting element 1e can be more accurately controlled. Become.

なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、上記の第2の実施形態において、上記の第1〜第3の変形例を適用するようにしてもよい。例えば、上記の第2の実施形態において、上記の第3の変形例を適用して、発熱抵抗体12を放射面F1と反対の面側に配置するようにしてもよい。なお、発熱抵抗体12を有する面と反対の面側に温度検出部17を配置して、上記の第3の変形例を適用した場合には、放射面F1側に温度検出部17が配置される。この場合、温度検出部17は、放射面F1側の温度を検出するため、放射される赤外線の波長をさらに正確に制御することが可能になる。
The present invention is not limited to the above embodiments, and can be modified without departing from the spirit of the present invention.
For example, in the second embodiment, the first to third modifications may be applied. For example, in the second embodiment described above, the heating resistor 12 may be arranged on the surface side opposite to the radiation surface F1 by applying the third modification. When the temperature detector 17 is disposed on the surface opposite to the surface having the heating resistor 12 and the third modification is applied, the temperature detector 17 is disposed on the radiation surface F1 side. The In this case, since the temperature detection unit 17 detects the temperature on the radiation surface F1 side, the wavelength of the emitted infrared light can be controlled more accurately.

また、上記の第1及び第2の変形例において、発熱抵抗体12の引き回しの形状を変更して、抵抗値を高める例(発熱抵抗体12a及び発熱抵抗体12b)を説明したが、発熱抵抗体12の膜厚を薄くすることで、抵抗値を高めてもよい。また、発熱抵抗体12の電流の流れる経路の一部に、発熱抵抗体12が形成させないようにして、抵抗値を高めてもよい。   Further, in the first and second modified examples, the example in which the shape of the heating resistor 12 is changed and the resistance value is increased (the heating resistor 12a and the heating resistor 12b) has been described. The resistance value may be increased by reducing the thickness of the body 12. Further, the resistance value may be increased by preventing the heating resistor 12 from being formed in a part of the path through which the current flows in the heating resistor 12.

また、上記の各実施形態において、検出装置100(100a)は、1個の発光素子1(1a〜1e)に複数の波長の赤外線を放射させる例を説明したが、これに限定されるものではない。検出装置100(100a)は、複数の発光素子1(1a〜1e)を備えて、各発光素子1(1a〜1e)に異なる波長の赤外線を放射させるようにしてもよい。   Further, in each of the above-described embodiments, the detection apparatus 100 (100a) has been described as an example in which one light-emitting element 1 (1a to 1e) emits infrared rays having a plurality of wavelengths. However, the present invention is not limited to this. Absent. The detection device 100 (100a) may include a plurality of light emitting elements 1 (1a to 1e) and cause each light emitting element 1 (1a to 1e) to emit infrared rays having different wavelengths.

なお、上述した検出装置100(100a)が備える各構成は、内部に、コンピュータシステムを有している。そして、上述した検出装置100(100a)が備える各構成の機能を実現するためのプログラムをコンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録して、この記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行することにより上述した検出装置100(100a)が備える各構成における処理を行ってもよい。ここで、「記録媒体に記録されたプログラムをコンピュータシステムに読み込ませ、実行する」とは、コンピュータシステムにプログラムをインストールすることを含む。ここでいう「コンピュータシステム」とは、OSや周辺機器等のハードウェアを含むものとする。
また、「コンピュータシステム」は、インターネットやWAN、LAN、専用回線等の通信回線を含むネットワークを介して接続された複数のコンピュータ装置を含んでもよい。また、「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、フレキシブルディスク、光磁気ディスク、ROM、CD−ROM等の可搬媒体、コンピュータシステムに内蔵されるハードディスク等の記憶装置のことをいう。このように、プログラムを記憶した記録媒体は、CD−ROM等の非一過性の記録媒体であってもよい。
In addition, each structure with which the detection apparatus 100 (100a) mentioned above is provided has a computer system inside. And the program for implement | achieving the function of each structure with which the detection apparatus 100 (100a) mentioned above is provided is recorded on a computer-readable recording medium, and the program recorded on this recording medium is read into a computer system, and is executed. By doing so, you may perform the process in each structure with which the detection apparatus 100 (100a) mentioned above is equipped. Here, “loading and executing a program recorded on a recording medium into a computer system” includes installing the program in the computer system. The “computer system” here includes an OS and hardware such as peripheral devices.
Further, the “computer system” may include a plurality of computer devices connected via a network including a communication line such as the Internet, WAN, LAN, and dedicated line. The “computer-readable recording medium” refers to a storage device such as a flexible medium, a magneto-optical disk, a portable medium such as a ROM and a CD-ROM, and a hard disk incorporated in a computer system. As described above, the recording medium storing the program may be a non-transitory recording medium such as a CD-ROM.

また、記録媒体には、当該プログラムを配信するために配信サーバからアクセス可能な内部又は外部に設けられた記録媒体も含まれる。なお、プログラムを複数に分割し、それぞれ異なるタイミングでダウンロードした後に検出装置100(100a)が備える各構成で合体される構成や、分割されたプログラムのそれぞれを配信する配信サーバが異なっていてもよい。さらに「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」とは、ネットワークを介してプログラムが送信された場合のサーバやクライアントとなるコンピュータシステム内部の揮発性メモリ(RAM)のように、一定時間プログラムを保持しているものも含むものとする。また、上記プログラムは、上述した機能の一部を実現するためのものであってもよい。さらに、上述した機能をコンピュータシステムに既に記録されているプログラムとの組み合わせで実現できるもの、いわゆる差分ファイル(差分プログラム)であってもよい。   The recording medium also includes a recording medium provided inside or outside that is accessible from the distribution server in order to distribute the program. It should be noted that the program may be divided into a plurality of parts and downloaded at different timings, and the configuration combined with each configuration included in the detection apparatus 100 (100a) or the distribution server that distributes each of the divided programs may be different. . Furthermore, a “computer-readable recording medium” holds a program for a certain period of time, such as a volatile memory (RAM) inside a computer system that becomes a server or client when the program is transmitted via a network. Including things. The program may be for realizing a part of the functions described above. Furthermore, what can implement | achieve the function mentioned above in combination with the program already recorded on the computer system, and what is called a difference file (difference program) may be sufficient.

また、上述した機能の一部又は全部を、LSI(Large Scale Integration)等の集積回路として実現してもよい。上述した各機能は個別にプロセッサ化してもよいし、一部、又は全部を集積してプロセッサ化してもよい。また、集積回路化の手法はLSIに限らず専用回路、又は汎用プロセッサで実現してもよい。また、半導体技術の進歩によりLSIに代替する集積回路化の技術が出現した場合、当該技術による集積回路を用いてもよい。   In addition, some or all of the functions described above may be realized as an integrated circuit such as an LSI (Large Scale Integration). Each function described above may be individually made into a processor, or a part or all of them may be integrated into a processor. Further, the method of circuit integration is not limited to LSI, and may be realized by a dedicated circuit or a general-purpose processor. In addition, when an integrated circuit technology that replaces LSI appears due to the advancement of semiconductor technology, an integrated circuit based on the technology may be used.

1、1a、1b、1c、1d、1e 発光素子
10、10a 平板部
11、11a、11−1、11a−1、11−2、11a−2 ビーム部
12、12a、12b、12c 発熱抵抗体
13、13a、13b、13c、14、14a、14b、14c、18、18a、19、19a 配線
15、15−1、15−2、15−3、15−4 バンプ
16、16a 素子本体部
17 温度検出部
100、100a 検出装置
110 操作部
120 周波数生成部
130、130a 温度制御部
140 電源部
150 受光素子
160 ロックインアンプ
F1 放射面
F2 反対面
SB1、SB2 基板
1, 1a, 1b, 1c, 1d, 1e Light emitting element 10, 10a Flat plate portion 11, 11a, 11-1, 11a-1, 11-2, 11a-2 Beam portion 12, 12a, 12b, 12c Heating resistor 13 , 13a, 13b, 13c, 14, 14a, 14b, 14c, 18, 18a, 19, 19a Wiring 15, 15-1, 15-2, 15-3, 15-4 Bump 16, 16a Element body 17 Temperature detection Unit 100, 100a detection device 110 operation unit 120 frequency generation unit 130, 130a temperature control unit 140 power supply unit 150 light receiving element 160 lock-in amplifier F1 radiation surface F2 opposite surface SB1, SB2 substrate

Claims (8)

発熱抵抗部を有し、水晶により構成された平板部と、
前記平板部と一体に水晶により構成され、前記平板部を支持するビーム部と、
前記ビーム部を介して前記発熱抵抗部と電気的に接続するとともに、前記平板部の面のうち、外部に赤外線を放射する放射面側と、当該放射面と反対の面側とが空気に接して保持されるように、前記ビーム部を支持する接続部材と
を備えることを特徴とする発光素子。
A flat plate portion having a heating resistance portion and made of crystal;
A beam unit configured of quartz integrally with the flat plate portion and supporting the flat plate portion;
While being electrically connected to the heating resistor portion through the beam portion, a radiation surface side for emitting infrared rays to the outside and a surface side opposite to the radiation surface are in contact with air among the surfaces of the flat plate portion. And a connecting member that supports the beam portion so as to be held.
前記発熱抵抗部は、前記放射面に配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
The light-emitting element according to claim 1, wherein the heat generating resistance portion is disposed on the radiation surface.
前記発熱抵抗部は、前記放射面と反対の面側に配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
The light-emitting element according to claim 1, wherein the heat generating resistance portion is disposed on a surface side opposite to the radiation surface.
前記平板部は、温度を検出する温度検出部を備える
ことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発光素子。
The light emitting element according to any one of claims 1 to 3, wherein the flat plate portion includes a temperature detection unit that detects a temperature.
前記温度検出部は、前記平板部の面のうち、前記発熱抵抗部と同一の面側に配置されている
ことを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
The light emitting device according to claim 4, wherein the temperature detection unit is disposed on the same side of the flat plate portion as the heating resistor portion.
前記温度検出部は、前記平板部の面のうち、前記発熱抵抗部を有する面と反対の面側に配置されている
ことを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
The light emitting element according to claim 4, wherein the temperature detection unit is disposed on a surface side of the flat plate portion opposite to a surface having the heating resistor portion.
前記接続部材は、前記ビーム部の端部を支持する
ことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の発光素子。
The light emitting element according to any one of claims 1 to 6, wherein the connection member supports an end portion of the beam portion.
請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の発光素子と、
赤外線の光量を所定の周波数で変調して前記発光素子から放射させる変調部と、
前記変調部によって前記発光素子から放射された赤外線であって、変調された赤外線が、流体を通過した通過光を受光して、受光した前記通過光に応じた受光信号を出力する受光部と、
前記受光部が出力する前記受光信号に基づいて、検出対象の流体を検出する検出部と
を備えることを特徴とする検出装置。
The light emitting device according to any one of claims 1 to 7,
A modulator that modulates the amount of infrared light at a predetermined frequency and emits the light from the light emitting element;
A light-receiving unit that receives infrared light emitted from the light-emitting element by the modulation unit, the modulated infrared light passing through the fluid, and outputs a light-receiving signal according to the received light;
A detection device comprising: a detection unit that detects a fluid to be detected based on the light reception signal output by the light reception unit.
JP2017007361A 2017-01-19 2017-01-19 Light-emitting element and detection device Pending JP2018115975A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017007361A JP2018115975A (en) 2017-01-19 2017-01-19 Light-emitting element and detection device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017007361A JP2018115975A (en) 2017-01-19 2017-01-19 Light-emitting element and detection device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2018115975A true JP2018115975A (en) 2018-07-26

Family

ID=62983991

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017007361A Pending JP2018115975A (en) 2017-01-19 2017-01-19 Light-emitting element and detection device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2018115975A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10069504B2 (en) Quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and moving object
US6297511B1 (en) High frequency infrared emitter
US11156571B2 (en) Substance detection system and substance detection method
JP6416921B2 (en) Equipment for atomic clocks
JP2010048726A (en) Heat-conduction-type atmospheric pressure sensor using heat excitation
JP6123977B2 (en) Atomic oscillator
JP2010212475A (en) Light stabilizing device, light stabilizing method, and printing device
US6301278B2 (en) Semiconductor laser devices
JP2006269431A (en) Stabilized emitter and method of stabilizing emitter
JP2018041839A (en) Light-emitting element module, atomic oscillator, electronic apparatus, and mobile body
JP2006278361A (en) Semiconductor light-emitting device module
JP2006286786A (en) Semiconductor device
JP2015023154A (en) Package of electric element
JP2018115975A (en) Light-emitting element and detection device
JP2006324524A (en) Light emitting module
US20170288687A1 (en) Quantum interference device, atomic oscillator, electronic apparatus, and vehicle
JP6693353B2 (en) Atomic oscillator and electronic equipment
JP2008153467A (en) Light emitting module
JP6365851B2 (en) Light emitting device module and atomic oscillator
JP2009289842A (en) Optical device
JP2004125794A (en) Bolometer detector having antenna equipped with switch and imaging system equipped with the same
US20180219554A1 (en) Atomic oscillator and electronic apparatus
JP2008078353A (en) Optical transmitting device
JP2001091548A (en) Electro-optical probe
JP6817801B2 (en) Light emitting element control device and light emitting element control method

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20181026