JP2018113362A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
ウェットエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018113362A JP2018113362A JP2017003348A JP2017003348A JP2018113362A JP 2018113362 A JP2018113362 A JP 2018113362A JP 2017003348 A JP2017003348 A JP 2017003348A JP 2017003348 A JP2017003348 A JP 2017003348A JP 2018113362 A JP2018113362 A JP 2018113362A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- tank
- wet etching
- etching apparatus
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 148
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 131
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 107
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 51
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 51
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 51
- 101100165177 Caenorhabditis elegans bath-15 gene Proteins 0.000 abstract 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 58
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 21
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M potassium iodide Substances [K+].[I-] NLKNQRATVPKPDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
さらに、洗浄液またはエッチング液をエッチング槽の外部に排出する排出管(72、84)と、洗浄液の蒸気を発生させることが可能な蒸気発生部(60)とを備える。
洗浄液を洗浄液タンクに導入し、蒸気発生部により洗浄液を蒸気化する。蒸気化した洗浄液はエッチング槽の間隙に入り込み、そこで液化する。これによって、間隙に残留している高濃度の残留エッチング液を中和して除去する。
(第一実施形態)
図1に本発明の第一実施形態に係るウェットエッチング装置1を示す。ウェットエッチング装置1は「被処理物」としてのシリコンウェハ14のウェットエッチングに適用される。以下、重力方向を下方向、その反対方向を上方向と定義する。
エッチング槽15は、収容空間30の上壁と側壁とを形成し、シリコンウェハ14は、被エッチング材であると同時に、収容空間30の底壁を形成する。
撹拌棒94は、エッチング槽15に開いた開口部98を通りエッチング槽15を貫通して、モーター90と連結している。Oリング92は、エッチング液が漏れることを防ぐため、撹拌棒94とエッチング槽15との間に嵌まっている。そのためエッチング槽15と撹拌棒94とは密着せず、上部ユニット10と撹拌棒94との間に微小な空間Sが存在する。
ステップS1の上部ユニット上昇工程について説明する。
図示しない駆動部により上部ユニット10は、下部ユニット20と分離し上昇する。
被処理物であるシリコンウェハ14をOリング16の上に載置する。シリコンウェハを載置する作業は作業者により行われてもよいし、ロボット等の機械装置によって行われてもよい。
図示しない駆動部によって上部ユニット10は下降する。エッチング槽15と下部ユニット構造体25との間にOリング12が嵌まり、エッチング槽15と下部ユニット構造体25とが一体化する。
さらに、エッチング槽15とシリコンウェハ14との間にOリング18が嵌まる。そのため、シリコンウェハ14は上下からOリング16とOリング18とに挟み込まれ固定される。これによりシリコンウェハ14が収容空間30の底壁を形成する。
エッチング液の組成はTMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)の20%水溶液であり、強アルカリ性を有している。
第二バルブ58を開状態にすると、エッチング液がエッチング液タンク50から第二パイプ56を通って収容空間30に投入される。エッチング液が一定の液量になると、第二バルブ58が閉状態になり、エッチング液の投入が止まる。エッチング液は一旦、第二受け部54にあたって落下の勢いが減衰してから収容空間30へと落下する。
エッチング液の投入が止まると、ヒータ60の電源がオンになる。ヒータ60に通電されると電熱線62が発熱し、エッチング液を加熱する。エッチング液の目標温度は90℃である。エッチング液の温度を測定する図示しない液温計と連動した、図示しない制御装置により、ヒータ60に通電される電流量がコントロールされる。
撹拌棒94と撹拌翼96とを回転し、エッチング液に対流を生じさせて、エッチング液に温度分布が生じないようにする。
Si十2OH-十2H2O→Si(OH2)O2 2-十2H2・・・(1)
Si+2OH-+2e-→SiO2+H2・・・(2)
エッチング液は酸化膜SiO2を溶解しない。
シリコンウェハ14の被エッチング部を目標の厚みにエッチングし終えたら、ヒータ60への通電、及び電極66とシリコンウェハの被エッチング面の裏側とへの電圧印加を停止する。また撹拌棒94と撹拌翼96との回転を停止する。
第四バルブ86を開状態にする。図示しない真空ポンプにより排出タンク80は真空にされている。そのため、収容空間30に保持されているエッチング液は第四パイプ84を通って、排出タンク80に排出する。そして、収容空間30に残るエッチング液を排出し終えたら、第四バルブ86を閉状態にする。
本実施形態で使用する洗浄液は超純水である。洗浄液は、シリコンウェハ14とエッチング槽15とを洗浄する役割を有する。
第一バルブ48を開状態にすると、洗浄液が洗浄液タンク40から第一パイプ46を通って収容空間30に投入される。洗浄液が一定の液量になると、第一バルブ48を閉状態として、洗浄液の投入を停止する。洗浄液は一旦、第一受け部44にあたって落下の勢いが減衰してから収容空間30へと落下する。この後、収容空間30の底部に残留するエッチング液と洗浄液とが十分に混合されるまで5min程度放置する。
洗浄液排出口70の下限L2よりも下にある洗浄液は洗浄液排出口70から外部に流出しない。そこで、第四バルブ86を開状態にして、排出タンク80に洗浄液を排出する。
収容空間30に残る洗浄液を排出し終えたら、第四バルブ86を閉状態にする。
なお必要に応じて、ステップS7の洗浄動作を複数回繰り返しても良い。
ステップS1と同様に、図示しない駆動部により上部ユニット10は、下部ユニット20と分離し上昇する。
突き上げ棒22が図示しないシリンダーによって上方向に駆動される。これによりシリコンウェハ14が突き上げ棒22に支持された状態になる。その後、シリコンウェハ14を外部に搬出する。シリコンウェハを搬出する作業は作業者により行われてもよいし、ロボット等の機械装置によって行われてもよい。
シリコンウェハ14を搬出した後、突き上げ棒22を元の位置に戻す。
他のシリコンウェハをエッチングしない場合は、エッチング動作が終了する。
ウェットエッチング装置1は、枚葉式でありシリコンウェハ14を交換する毎に上部ユニット10と下部ユニット20とが分離する。そのため、底壁を形成するシリコンウェハ14を押さえるOリング16及びOリング18と、エッチング槽15と下部ユニット構造体25との間にあるOリング12とに負荷がかかるので、複数回のエッチング処理を行うとOリングが劣化する。劣化したOリングは、水密性を確保できず液漏れを起こす。
他にも機構部品等が劣化した場合や、シリコンウェハがエッチング中に破損した場合などには、ウェットエッチング装置1を分解しメンテナンス作業を行う必要がある。
Oリングの交換作業や、装置を分解してのメンテナンス作業は、作業者が行う。
このような蒸気が、第一受け部44の上面45、第二受け部54の上面55などの洗浄液が届かない場所や、空間Sなどの細い間隙に入り込むと、そこで再度液化する。複数回のエッチングを行う毎に、この残留するエッチング液は濃縮され高濃度になっていく。
このように洗浄液が届かない場所や、細い間隙に入り込んだエッチング液はステップS7で示したようなエッチング時の洗浄作業では、取り除くことはできず、間隙に残留し続ける。
そこで、メンテナンス作業の前に、ウェットエッチング装置1の洗浄を行い間隙に残留し続けるエッチング液を除去する必要がある。
図3にウェットエッチング装置1のメンテナンス前洗浄動作のフローチャートを示す。
ステップS11の洗浄液導入工程について説明する。
洗浄液は超純水を使用する。
第一バルブ48を開状態にすると、洗浄液が洗浄液タンク40から第一パイプ46を通って収容空間30に投入される。洗浄液が一定の液量(本実施形態では、液面が洗浄液排出口70の上限L1を超える程度)になると、第一バルブ48を閉状態として、洗浄液の投入を停止する。
ヒータ60に通電して洗浄液を加熱する。洗浄液の目標温度は100℃である。洗浄液の温度を測定する図示しない液温計と連動した、図示しない制御装置により、ヒータ60に通電される電流量がコントロールされる。
撹拌棒94と撹拌翼96とを回転し、洗浄液に対流を生じさせて、洗浄液に温度分布が生じないようにする。
ヒータ60によって加熱された洗浄液は沸騰して、洗浄液の蒸気を発生する。発生した洗浄液の蒸気は収容空間30内に充満し、第一受け部44の上面45、第二受け部54の上面55、空間Sなどの細い間隙に入り込み、そこで再度液化する。液化した洗浄液は残留していたエッチング液と混合し、エッチング液の濃度が薄まり中和される。洗浄液の温度が100℃に到達してから15分経過後、ヒータ60への通電と、撹拌棒94と撹拌翼96との回転を停止させる。
第三バルブ74を開状態にし、第三パイプ72を通って洗浄液排出口70から洗浄液を外部に排出する。洗浄液排出口70の下限L2よりも下にある洗浄液は外部に流出しないため、第四バルブ86を開状態にして、排出タンク80に洗浄液を排出する。
収容空間30に残る洗浄液を排出し終えたら、第四バルブ86を閉状態にする。
このようにしてメンテナンス前洗浄動作が完了する。
間隙に残留したエッチング液のPHを、メンテナンス前洗浄と通常の洗浄作業とで比較した特性図を図4に示す。
残留したエッチング液のPHは、間隙に残留した液体をスポイト等で吸引し採取し、PHメータを用いて測定した。
図4(b)に示すように、第二受け部54の上面55に残留した液体のPHは、ステップS7のPH13の強アルカリ性であるが、メンテナンス前洗浄でのステップS13の蒸気中和工程を経た後、PH8の弱アルカリ性になっている。
このように洗浄液の加熱によって発生した洗浄液の蒸気により、間隙に残留するエッチング液は十分中和されていることがわかる。
これにより、作業者がウェットエッチング装置1を分解してのメンテナンス作業中に、残留したエッチング液が漏れ出したとしても、強アルカリではないため、衣服に付着しても衣服を損傷することはなく、外部の設備に付着しても設備を損傷させることはない。
本発明の第二実施形態に係るウェットエッチング装置100について説明する。図5に示すように、ウェットエッチング装置100は、圧電セラミクス製の超音波振動子105をさらに備えている。
ウェットエッチング装置100のエッチング時の動作は第一実施形態と同様である。
図6にウェットエッチング装置100のメンテナンス前洗浄動作のフローチャートを示す。
ステップS21の洗浄液導入工程について説明する。ステップS21は、第一実施形態に係るステップS11と同一である。
超音波振動子105に対して高周波の交流電圧を印加する。発生した超音波の振動エネルギーが水面に伝わり水面の一部が***し、微細な洗浄液の蒸気が発生する。発生した洗浄液の蒸気は第一受け部44の上面45、第二受け部54の上面55、空間Sなどの細い間隙に入り込み、そこで再度液化する。そして残留していたエッチング液と混合し、エッチング液の濃度が薄まり中和される。15分経過後、超音波振動子への高周波の交流電圧の印加を停止する。
第三バルブ74を開状態にし、第三パイプ72を通って洗浄液排出口70から洗浄液を外部に排出する。洗浄液排出口70の下限L2より下にある洗浄液は洗浄液排出口70から外部に流出しないため、第四バルブ86を開状態にして、排出タンク80に洗浄液を排出する。収容空間30に残る洗浄液を排出し終えたら、第四バルブ86を閉状態にする。これで、メンテナンス前洗浄が終了する。
そのため、本実施形態では、第一実施形態の効果に加えて、蒸気中和に必要な電力を削減できる。
本発明の第三実施形態に係るウェットエッチング装置200について説明する。図7に示すように、ウェットエッチング装置200は、蒸気導入管205をさらに備えている。蒸気導入管205は、一方が外部のボイラー207と他方が収容空間30とにつながる。ボイラー207は多量の水蒸気を発生できる。
第5バルブ206が開状態のとき、収容空間30とボイラー207とは連通し、第5バルブ206が閉状態のとき、収容空間30とボイラー207とは遮断される。
ウェットエッチング装置200のエッチング時の動作は第一実施形態と同様である。
図8にウェットエッチング装置200のメンテナンス前洗浄動作のフローチャートを示す。ステップS31の蒸気中和工程について説明する。
蒸気導入管205の第5バルブ206を開状態にして、ボイラー207にて生成された水蒸気をウェットエッチング装置200に導入する。
第四バルブ86を開状態にして、排出タンク80に液化した蒸気を排出する。
収容空間30に残る液体を排出し終えたら、第四バルブ86を閉状態にする。
これで、メンテナンス前洗浄が終了する。
したがって、本実施形態のウェットエッチング装置200は第一、第二実施形態よりも蒸気中和に必要な電力と時間とを削減できる。
本発明の第四実施形態に係るウェットエッチング装置300について説明する。図9に示すように、ウェットエッチング装置300は、「減圧部」として真空減圧管305をさらに備えている。真空減圧管305は、一方が真空ポンプ307と、他方が収容空間30とにつながる。
第6バルブ306が開状態のとき、収容空間30と外部の真空ポンプ307とは連通し、第6バルブ306が閉状態のとき、収容空間30と外部の真空ポンプ307とは遮断される。
ウェットエッチング装置300のエッチング時の動作は第一実施形態と同様である。
図10にウェットエッチング装置300のメンテナンス前洗浄動作のフローチャートを示す。
ステップS41の洗浄液導入工程について説明する。ステップS41は、第一実施形態に係るステップS11と同一である。
第6バルブ306を開状態にし、収容空間30と真空ポンプ307とを連通して、収容空間30を大気圧よりも減圧する。ある程度減圧したところで、第6バルブ306を閉状態にして、収容空間30と真空ポンプ307とを遮断する。収容空間30は大気圧よりも減圧したまま維持されている。
ステップS44の蒸気中和工程について説明する。ステップS43は第一実施形態に係るステップS13と同一である。
ステップS45の洗浄液排出工程について説明する。ステップS45は第一実施形態に係るステップS14と同一である。
したがって、本実施形態では第一実施形態の効果に加えて、蒸気中和にかかる電力を削減できる。
本発明の第五実施形態に係るウェットエッチング装置400について説明する。図11に示すように、ウェットエッチング装置400は、洗浄液タンク40に加熱部として洗浄液加熱ヒータ405をさらに備えている。
ウェットエッチング装置400のエッチング時の動作は第一実施形態と同様である。
図12にウェットエッチング装置400のメンテナンス前洗浄動作のフローチャートを示す。
ステップS51の洗浄液予備加熱工程について説明する。洗浄液タンク40が備える洗浄液加熱ヒータ405にて洗浄液を加熱する。沸点を超える温度にまで加熱すると、タンクが圧力により破損するので加熱温度は90℃である。
ステップS53の洗浄液加熱工程について説明する。ステップS53は第一実施形態に係るステップS12と同一である。
ステップS54の蒸気中和工程について説明する。ステップS54は第一実施形態に係るステップS13と同一である。
ステップS55の洗浄液排出工程について説明する。ステップS55は第一実施形態に係るステップS14と同一である。
したがって、本実施形態では第一実施形態の効果に加えて、より短い時間と電力とで蒸気中和を行うことができる。
本発明の第六実施形態に係るウェットエッチング装置について説明する。本実施形態に係るウェットエッチング装置は、TMAHを使用してシリコンウェハのエッチングを行う装置に代えて、HF(フッ化水素酸)を使用してガラスウェハにエッチングを行う装置である。
ウェットエッチング装置のエッチング時の動作及びメンテナンス時の動作は上記実施形態と同一である。
(a)シリコンウェハやガラスウェハのウェットエッチングに使用されるエッチング液にはたとえば、KOH(水酸化カリウム)、NH4(アンモニア)、HNO3(硝酸)、H2SO4(硫酸)、HCl(塩酸)、KI(ヨウ化カリウム)をはじめとして様々な種類がある。本発明のウェットエッチング装置は、上記のエッチング液とそれらの混合液すべてに対して適用できる。
(b)本発明は、シリコンウェハやガラスウェハをバッチ式に処理するウェットエッチング装置にも適用可能である。
(c)本発明は、酸やアルカリ性の液体に代えて、アルコール等の有機溶剤を使用して、被加工物を加工処理するウェット処理装置にも適用可能である。
本発明は、上記実施形態単独で実施しても、あるいは組み合わせて実施してもよい。また、上記実施形態にのみ限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において様々な形態で実施可能である。
14 シリコンウェハ(被処理物)
15 エッチング槽
30 収容空間
40 洗浄液タンク
50 エッチング液タンク
72 第三パイプ(排出管)、 84 第四パイプ(排出管)
60 ヒータ、 105 超音波振動子、 205 蒸気導入管
305 真空減圧管、 405 洗浄液加熱ヒータ
Claims (8)
- 被処理物(14)を収容可能な収容空間(30)を有し、前記収容空間に収容された前記被処理物をウェットエッチング可能なエッチング槽(15)と、
エッチング液を貯留し、前記収容空間に前記エッチング液を流入させることが可能なエッチング液タンク(50)と、
前記エッチング槽を洗浄する洗浄液を貯留し、前記収容空間に前記洗浄液を流入させることが可能な洗浄液タンク(40)と、
前記洗浄液または前記エッチング液を前記収容空間の外部に排出する排出管(72、84)と、
前記洗浄液の蒸気を発生させることが可能な蒸気発生部(60、105、205)と、
を備えるウェットエッチング装置(1、100、200、300、400)。 - 前記蒸気発生部は、前記エッチング槽に設けられたヒータ(60)である請求項1に記載のウェットエッチング装置。
- 前記蒸気発生部は、前記エッチング槽に設けられた超音波振動子(105)である請求項1に記載のウェットエッチング装置。
- 前記蒸気発生部は、前記ウェットエッチング装置の外部から送出された蒸気が前記収容空間に流入する蒸気導入管(205)である請求項1に記載のウェットエッチング装置。
- 前記収容空間の圧力を大気圧よりも低下させることが可能な減圧部(305)を備える請求項1から3のいずれか一項に記載のウェットエッチング装置。
- 前記洗浄液タンクに前記洗浄液を加熱することが可能な加熱部(405)を備える請求項1から3のいずれか一項に記載のウェットエッチング装置。
- 前記排出管は、内部の圧力を大気圧よりも低下させることが可能な排出タンク(80)と連通する請求項1から6のいずれか一項に記載のウェットエッチング装置。
- 前記収容空間の底壁は、前記被処理物から形成される請求項1から7のいずれか一項に記載のウェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017003348A JP6696441B2 (ja) | 2017-01-12 | 2017-01-12 | ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017003348A JP6696441B2 (ja) | 2017-01-12 | 2017-01-12 | ウェットエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018113362A true JP2018113362A (ja) | 2018-07-19 |
JP6696441B2 JP6696441B2 (ja) | 2020-05-20 |
Family
ID=62912455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017003348A Active JP6696441B2 (ja) | 2017-01-12 | 2017-01-12 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6696441B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109119368A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-01-01 | 江苏英锐半导体有限公司 | 一种用于晶圆生产刻蚀的均匀性的控制装置 |
CN109979804A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-05 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种提高单晶硅片洁净度的清洗工艺 |
JP2020072210A (ja) * | 2018-11-01 | 2020-05-07 | 東邦化成株式会社 | エッチング装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814100A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | 三菱重工業株式会社 | アルカリ金属付着構造物の洗浄方法 |
JPH07115079A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 湿式処理装置 |
JPH08148465A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH1197406A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JPH11154664A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Denso Corp | 半導体ウエハのエッチング加工方法及びその装置 |
JP2000138199A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004146291A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Canon Inc | 有機発光素子の製造方法 |
JP2005064501A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法 |
-
2017
- 2017-01-12 JP JP2017003348A patent/JP6696441B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5814100A (ja) * | 1981-07-20 | 1983-01-26 | 三菱重工業株式会社 | アルカリ金属付着構造物の洗浄方法 |
JPH07115079A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-02 | Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk | 湿式処理装置 |
JPH08148465A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JPH1197406A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Hitachi Ltd | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JPH11154664A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-06-08 | Denso Corp | 半導体ウエハのエッチング加工方法及びその装置 |
JP2000138199A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004146291A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Canon Inc | 有機発光素子の製造方法 |
JP2005064501A (ja) * | 2003-08-19 | 2005-03-10 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体基板の洗浄装置及び洗浄方法 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109119368A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-01-01 | 江苏英锐半导体有限公司 | 一种用于晶圆生产刻蚀的均匀性的控制装置 |
CN109119368B (zh) * | 2018-10-08 | 2023-09-29 | 广西中科蓝谷半导体科技有限公司 | 一种用于晶圆生产刻蚀的均匀性的控制装置 |
JP2020072210A (ja) * | 2018-11-01 | 2020-05-07 | 東邦化成株式会社 | エッチング装置 |
JP7171371B2 (ja) | 2018-11-01 | 2022-11-15 | 東邦化成株式会社 | エッチング装置 |
CN109979804A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-05 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种提高单晶硅片洁净度的清洗工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6696441B2 (ja) | 2020-05-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6696441B2 (ja) | ウェットエッチング装置 | |
JP4603542B2 (ja) | 腐食液を使用する超音波補助式エッチング | |
US6457478B1 (en) | Method for treating an object using ultra-violet light | |
KR100970804B1 (ko) | 기판세정방법 및 기판세정장치 | |
US6272768B1 (en) | Apparatus for treating an object using ultra-violet light | |
US6532974B2 (en) | Process tank with pressurized mist generation | |
JP7056852B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理装置の洗浄方法 | |
CN107256823B (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
JP5778156B2 (ja) | シャワーヘッド洗浄方法及び装置 | |
US6200387B1 (en) | Method and system for processing substrates using nebulized chemicals created by heated chemical gases | |
JP2015177139A (ja) | 基板処理装置および基板処理装置を用いた基板処理方法 | |
US20040000327A1 (en) | Apparatus and method for washing quartz parts, particularly for process equipment used in semiconductor industries | |
WO2017193453A1 (zh) | 湿法刻蚀装置及其防爆方法 | |
US11037805B2 (en) | Wafer cleaning apparatus and method of cleaning wafer | |
KR101008340B1 (ko) | 기판 세정 장치 및 방법 | |
JP2013021198A (ja) | 薬液温調装置および薬液温調方法 | |
US11282696B2 (en) | Method and device for wet processing integrated circuit substrates using a mixture of chemical steam vapors and chemical gases | |
TWI525688B (zh) | A cleaning liquid generation device, a cleaning liquid generation method, a substrate cleaning device, and a substrate cleaning method | |
JP6501448B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
JP4421967B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2007059841A (ja) | 洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP4412540B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20040032200A (ko) | 반도체 웨이퍼 세정 및 건조장치와 이를 이용한 세정 및건조방법 | |
JPS63107120A (ja) | 処理装置 | |
KR20050069310A (ko) | 세정장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200324 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200406 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6696441 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |