JP2018113290A - 抵抗素子およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】特定の高周波領域では、抵抗成分が大きな値を示し、信号域では、抵抗成分およびリアクタンス成分が小さい値を示す周波数依存型抵抗素子を提供する。
【解決手段】焼結磁性材料から構成される素体７とこれに埋設されたコイル導体９を含む素子であって、素体が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３換算で４６．７９〜４７．６９モル％、Ｚｎの含有量がＺｎＯ換算で１２．６０〜２４．８４モル％、Ｎｉの含有量がＮｉＯ換算で１９．２１〜３２．３６モル％、ＮｉとＺｎの前記含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）が、１−Ｘ：Ｘで、Ｘは０．２８〜０．５６であり、Ｃｏの含有量が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した１００質量部に対して、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算して、１．０質量部以上１０．０質量部以下である。
【選択図】図３

Description

本発明は、抵抗素子、特に周波数依存型抵抗素子およびその製造方法に関する。

近年、電子機器においては、ＥＭＩ（Electro-Magnetic Interference）対策が求められている。その手法として信号系にインピーダンス素子を直列に挿入しノイズを遮断することが一般的に行われている。また、パワーアンプ等の電源ライン系に対しても、インピーダンス素子を直列に挿入してアクティブ素子から信号系のノイズが電源ラインに漏洩することを抑制することも一般的に行われている。

しかしながら、インピーダンス素子によるＥＭＩ対策には、リアクタンス成分が信号波形に歪みを与える、位相の遅れを生じさせる、といった不利益があることも知られている。インピーダンス素子のインピーダンスＺａは、実数部の抵抗成分Ｒａと虚数部のリアクタンス成分Ｘａの合成であり、Ｒａ＋ｊＸａの式で表される。ノイズ成分を効率的に吸収し、かつ、信号波形に歪みや位相遅れを生じさせない理想的なインピーダンス素子は、ノイズ成分を有する特定の高周波領域で、実数部の抵抗成分Ｒａが大きな値を示し、ノイズ成分を効率的に吸収し、一方、信号域の周波領域では、実数部の抵抗成分Ｒａと虚数部のリアクタンス成分Ｘａの両方が小さい値を示し、信号波の減衰、波形の歪み、位相遅れを生じさせない。

上記のような理想的な周波数特性を有する素子を得るために、特許文献１には、インダクタと抵抗が並列に接続された回路を有する素子が提案されている。具体的には、特許文献１の素子では、インダクタとしてのコイル導体を有する素子の表面に抵抗としての酸化皮膜を設け、コイルと酸化皮膜を並列に接続することにより、インダクタと抵抗が並列に接続された回路を有する素子を得ている。

特開平１０−５０５２３号公報

しかしながら、引用文献１のように、インダクタの表面に、抵抗素子としての酸化皮膜を別途設けることは、製造が煩雑になり、また、特に表面成膜作業において、工数が増加するという点で好ましくない。また、小型化の観点からも好ましくない。

本発明の目的は、従来のインダクタと同様の構造を有しつつ、ノイズ成分を有する特定の高周波領域では、実数部の抵抗成分が大きな値を示し、信号域の周波領域では、実数部の抵抗成分および虚数部のリアクタンス成分が小さい値を示す周波数特性を有する素子を提供することにある。

本発明者は、上記問題を解消すべく鋭意検討した結果、インピーダンスの実数部の抵抗成分が、通過させたい信号の周波数領域では特定の値以下であり、その周波数以上の領域では十分な値である素子、換言すれば、特定の周波数において、急峻に上記抵抗成分が大きくなる素子を得ることができれば、理想的な周波数特性を有する抵抗素子を提供できると考えた。そして、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料から構成された素体中にコイルが埋蔵されたコイル部品において、素体中のＦｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕの含有量を特定の範囲とし、ＮｉとＺｎのモル比を特定の範囲とし、さらに、特定量のＣｏを含有させることにより、上記のような周波数特性を有する素子を得ることができることを見出し、本発明に至った。

本発明の第１の要旨によれば、焼結磁性材料から構成される素体と前記素体に埋設されたコイル導体を含む周波数依存型抵抗素子であって、
前記焼結磁性材料が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、
前記主成分中、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下であり、Ｎｉの含有量がＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下であり、
ＮｉとＺｎの前記含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）が、１−Ｘ：Ｘであり、ここに、Ｘは０．２８以上０．５６以下であり、
前記副成分としてのＣｏの含有量が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した前記主成分１００質量部に対して、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算して、１．０質量部以上１０．０質量部以下である、
ことを特徴とする、周波数依存型抵抗素子が提供される。

本発明の第２の要旨によれば、焼結磁性材料から構成される素体と前記素体に埋設されたコイル導体を含む周波数依存型抵抗素子であって、
前記焼結磁性材料が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、
前記主成分中、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下であり、Ｎｉの含有量がＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下である周波数依存型抵抗素子において、
１−Ｘ：Ｘで表されるＮｉとＺｎの含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）を、Ｘを０．２８以上０．５６以下の範囲で調整し、副成分としてのＣｏの添加量を調整することによって、当該周波数依存型抵抗素子におけるインピーダンスの実数部の抵抗成分Ｒまたは複素透磁率の虚数部μ”の立ち上がり周波数を制御することを特徴とする、周波数依存型抵抗素子の周波数特性の制御方法が提供される。

本発明によれば、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料の素体中にコイルが埋設されたコイル部品において、素体中のＦｅの含有量を、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下とし、Ｚｎの含有量をＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下とし、Ｎｉの含有量をＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下とし；素体中に含まれるＮｉとＺｎのモル比を、１−Ｘ：Ｘ（ここに、Ｘは０．２８以上０．５６以下）とし；前記素体中にＣｏを、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した前記主成分１００質量部に対して、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算して、１．０質量部以上１０．０質量部以下で含ませることにより、特定の周波数以上の周波数領域において、抵抗成分が急激に増大する、周波数依存型抵抗素子を提供することができる。

図１は、本発明の一の実施形態における周波数依存型抵抗素子を模式的に示す斜視図である。 図２は、図１の実施形態における周波数依存型抵抗素子を模式的に示す分解斜視図であって、外部電極を省略した図である。 図３は、図１の実施形態における周波数依存型抵抗素子の断面を模式的に示す断面図である。 図４は、実施例１で得られた試料のＲの周波数特性を示すグラフである。 図５は、実施例１で得られた試料のＲのピーク値を示すグラフである。 図６は、実施例１で得られた試料のμ”の周波数特性を示すグラフである。 図７は、実施例２で得られた試料のＲの周波数特性を示すグラフである。 図８は、実施例２で得られた試料のμ”の周波数特性を示すグラフである。 図９は、実施例３の試料のＲの周波数特性を示すグラフである。 図１０は、実施例３の試料のμ”の周波数特性を示すグラフである。 図１１は、実施例４で得られた試料（ポア面積率＝３％）のμ”の周波数特性を示すグラフである。 図１２は、実施例４で得られた試料（ポア面積率＝１３％）のμ”の周波数特性を示すグラフである。 図１３は、実施例４で得られた試料（ポア面積率＝２０％）のμ”の周波数特性を示すグラフである。 図１４は、実施例４で得られた試料のＣｏ_３Ｏ_４添加量とｆ１の関係を示すグラフである。 図１５は、実施例４で得られた試料のＣｏ_３Ｏ_４添加量とｆ２の関係を示すグラフである。 図１６は、図１４の近似式のｘの係数とポア面積率（％）の関係を示すグラフである。 図１７は、図１４の近似式の切片とポア面積率（％）の関係を示すグラフである。 図１８は、図１５の近似式のｘ^２の係数とポア面積率（％）の関係を示すグラフである。 図１９は、図１５の近似式のｘの係数とポア面積率（％）の関係を示すグラフである。 図２０は、図１５の近似式の切片とポア面積率（％）の関係を示すグラフである。

本発明の周波数依存型抵抗素子およびその製造方法について、以下、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本発明の周波数依存型抵抗素子の構成、形状、コイルの巻回数および各要素の配置等は、図示する例に限定されないことに留意されたい。

図１〜図３に示すように、本実施形態の周波数依存型抵抗素子１は、概略的には、それぞれ、磁性体層２（および、外層である磁性体層３）と、導体層５とを所定の順番で積層することにより形成され、磁性体層２および３から成る素体７およびこの内部に埋設された導体層５から成るコイル導体９を有する。素体７の外周両端面を覆うように外部電極２１および２２が設けられ、外部電極２１および２２は、それぞれ、コイル導体９の両端に位置する引出し部６ｂおよび６ａに接続される。

より詳細には、本実施形態においては、磁性体層２は、それらを貫通するビアホール１０を有し、積層されて磁性体層３と共に素体７を形成する。また、各磁性体層２の間に、それぞれ導体層５が配置され、これらの導体層５は上記ビアホール１０を通ってコイル状に相互接続され、コイル導体９を形成する。

素体７は、少なくとも、主成分としてＦｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む焼結磁性材料から構成され得る。コイル導体９は、導電性金属を主成分として含む導体から構成される。外部電極２１および２２は、導電性金属を含む導体から構成される。

上記した本実施形態の周波数依存型抵抗素子１は、以下のようにして製造される。

まず、磁性体シートを準備する。磁性体シートは、主成分としてＦｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含み、副成分としてＣｏを含む磁性材料から作製される。通常、磁性材料は、素原料として、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯ、ならびにＣｏ_３Ｏ_４の粉末を所望の割合で混合および仮焼して調製され得る。ただし、素原料は、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｎｉ、ＣｕおよびＣｏを含む磁性材料を得ることができる材料であれば、特に限定されるものではない。

上記磁性材料の主成分は、実質的にＦｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕの酸化物（理想的には、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯ）から成る。

磁性材料において、Ｆｅ含有量は、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して、４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは４７．２９モル％以上４７．６９モル％以下、例えば、４７．３９モル％以上４７．６０モル％以下であり得る。

磁性材料において、Ｚｎ含有量は、ＺｎＯに換算して、１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは１９．３６モル％以上２４．８４モル％以下、例えば、２０．７３モル％以上２２．１０モル％以下であり得る。

磁性材料において、Ｎｉ含有量は、ＮｉＯに換算して、１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは１９．２１モル％以上２５．１０モル％以下、例えば、２２．１７モル％以上２３．６４モル％以下である。

磁性材料において、Ｃｕ含有量は、上記Ｆｅ、ＺｎおよびＮｉ含有量を除いた残部である。具体的には、Ｃｕ含有量は、ＣｕＯに換算して、０．１０モル％以上２１．４０モル％以下（主成分合計基準、以下も同様）であり、好ましくは１．００モル％以上１０．００モル％以下、例えば、５．００モル％以上９．００モル％以下である。

磁性材料において、ＮｉとＺｎの含有量のモル比（即ち、Ｎｉ：Ｚｎ）は、１−Ｘ：Ｘ（ここに、Ｘは０．２８以上０．５６以下であり、好ましくは０．４４以上０．５６以下、例えば０．４７以上０．５０以下である。）である。

磁性材料の組成を上記の範囲とすることにより、本発明の周波数依存型抵抗素子のインピーダンスの実数部の抵抗成分（以下、「Ｒ」とも称する）の最大値をより大きくすることができ、周波数増加に伴うＲの立ち上がりをより急峻にすることができる。また、磁性材料の組成を上記の範囲とすることにより、周波数依存型抵抗素子の複素透磁率の虚数部（以下、「μ”」とも称する）を最大化することができる。Ｘを小さくすることで、Ｒの最大値をより大きく維持しつつ、Ｒおよびμ”の立ち上がり周波数を高周波側にシフトすることができる。

上記磁性材料の副成分は、実質的にＣｏの酸化物（理想的にはＣｏ_３Ｏ_４）から成る。

磁性材料中のＣｏの含有量は、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算して、上記主成分１００質量部（Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した量）に対して、１．０質量部以上１０．０質量部以下、好ましくは４．０質量部以上１０．０質量部以下、より好ましくは５．０質量部以上１０．０質量部以下である。磁性材料にＣｏを含ませることにより、本発明の周波数依存型抵抗素子の立ち上がり周波数を高周波側にシフトすることができ、周波数増加に伴うＲの立ち上がりをより急激にすることができる。また、磁性材料にＣｏを含ませることにより、周波数依存型抵抗素子の複素透磁率の虚数部（以下、「μ”」とも称する）の立ち上がり周波数を高周波側にシフトすることができる。

尚、上記磁性材料における主成分は、実質的にＦｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕから成り得、副成分は、実質的にＣｏから成り得るが、その他の金属原子（Ｍｎ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｂｉ）等を含み得る。

上記のように調製した磁性材料を用いて磁性体シートを準備する。例えば、磁性材料を、バインダ樹脂および有機溶剤を含む有機ビヒクルと混合／混練し、シート状に成形することにより磁性体シートを得てよいが、これに限定されるものではない。

別途、導体ペーストを準備する。市販で入手可能な、金属粉末を含む一般的な金属ペーストを使用できる。金属材料としては、特に限定されないが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ等が挙げられる。好ましくは、金属材料はＡｇである。金属材料は、１種のみであっても、２種以上であってもよい。

そして、図２に示されるように、上記磁性体シート（磁性体層２に対応する）を、導体ペースト層（導体層５に対応する）を介して積層し、導体ペースト層が磁性体シートに貫通して設けられたビアホール（ビアホール１０に対応する）を通ってコイル状に相互接続され、これらが磁性体シート（磁性体層３に対応する）により挟持されている積層体（素体７に対応するが、未焼成積層体である）を得る。

上記積層体（未焼成積層体）の形成方法は、特に限定されず、シート積層法および印刷積層法などを利用して積層体を形成してよい。シート積層法による場合、磁性体シートに、適宜ビアホールを設けて、導体ペーストを所定のパターンで（ビアホールが設けられている場合には、ビアホールに充填しつつ）印刷して導体ペースト層を形成し、導体ペースト層が適宜形成された磁性体シートを積層および圧着し、所定の寸法に切断して、積層体を得ることができる。印刷積層法による場合、磁性材料からなる磁性体ペーストを印刷して磁性体層を形成する工程、導体ペーストを所定のパターンで印刷して導体層を形成する工程を適宜繰り返すことで積層体を作製する。磁性体層を形成する時は所定の箇所にビアホールを設け、上下の導体層が導通するようにし、最後に磁性体ペーストを印刷して磁性体層３（外層に対応する）を形成し、これを所定の寸法に切断して、積層体を得ることができる。この積層体は、複数個をマトリクス状に一度に作製した後に、ダイシング等により個々に切断して（素子分離して）個片化したものであってよいが、予め個々に作製したものであってもよい。

次に、上記で得られた積層体（未焼成積層体）を熱処理することにより、磁性体層および導体層を焼成して、それぞれ素体７およびコイル導体９とする。

上記焼成条件は、特に限定されず、用いる磁性材料の組成およびコイル導体の金属材料に応じて適宜選択できる。

焼成温度は、特に限定されないが、好ましくは８００℃以上１２００℃以下、より好ましくは８００℃以上１０００℃以下、例えば９００℃以上１０００℃以下であり得る。

焼成の際の酸素分圧は、特に限定されず大気圧条件であってもよいが、好ましくは、コイル導体の金属材料Ｍの酸化物Ｍ_ｍＯ_ｎ（ｍおよびｎは、それぞれ、任意の整数である）の平衡酸素分圧以下であり、より好ましくはＦｅ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３平衡酸素分圧以上Ｍ−Ｍ_ｍＯ_ｎ平衡酸素分圧以下である。

焼成時間は、特に限定されないが、好ましくは３０分以上１０時間以下、より好ましくは１時間以上５時間以下であり得る。

上記焼成条件を調整することにより、焼成後の素体のポア面積率を調整することができる。

ここに、上記「ポア面積率」とは、素体の断面においてポア（空隙）が占める面積の割合を意味し、下記のように測定することができる。

ポア面積率の測定
素体の幅方向と厚み方向で規定される断面（以下、「Ｗ−Ｔ面」という）を鏡面研磨し、収束イオンビーム加工（ＦＩＢ加工）した面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察し、焼結後の素体中のポア面積率を測定する。

具体的には、下記の装置を用いて、以下のように測定することができる。
ＦＩＢ装置 ：ＦＥＩ製ＦＩＢ２００ＴＥＭ
ＦＥ−ＳＥＭ（走査電子顕微鏡） ：日本電子製ＪＳＭ−７５００ＦＡ
ＷｉｎＲＯＯＦ（画像処理ソフト） ：三谷商事株式会社製、Ｖｅｒ．５．６

＜収束イオンビーム加工（ＦＩＢ加工）＞
鏡面研磨した試料の研磨面に対し、入射角５°でＦＩＢ加工を行う。

＜走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察＞
ＳＥＭ観察は、以下の条件で行う。
加速電圧 ：１５ｋＶ
試料傾斜 ：０゜
信号 ：二次電子
コーティング ：Ｐｔ
倍率 ：５０００倍

＜ポア面積率の算出＞
ポア面積率は、以下の方法で求めることができる。
ａ)計測範囲を決める。小さすぎると測定箇所による誤差が生じる。例えば、測定範囲は、２２．８５μｍ×９．４４μｍとする。
ｂ)磁性体セラミックとポアが識別しにくい場合、明るさ、コントラストを調節する。 ｃ)２値化処理を行い、ポアのみを抽出する。画像処理ソフトＷｉｎＲＯＯＦの「色抽出」では完全でない場合には手動で補う。
ｄ)ポア以外を抽出した場合はポア以外を削除する。
ｅ)画像処理ソフトの「総面積・個数計測」で総面積、個数、ポアの面積率、計測範囲の面積を測定する。

本発明の周波数依存型抵抗素子の素体のポア面積率は、好ましくは３％以上、より好ましくは１０％以上、さらに好ましくは１３％以上、例えば１５％以上であり得る。また、ポア面積率は、好ましくは２０％以下、例えば１５％以下であり得る。ポア面積率は、好ましくは３％以上２０％以下、より好ましくは１３％以上２０％以下であり得る。ポア面積率をより大きくすることにより、Ｒおよびμ”の立ち上がり周波数を、高周波側にシフトすることができる。一方、ポア面積率をより小さくすることにより、素体の強度をより高くすることができる。

次に、上記で得られた素体７の両端面を覆うように、外部電極２１および２２を形成する。外部電極２１および２２は、それぞれ、コイル導体９の両端に位置する引出し部６ｂおよび６ａに接続されている。

外部電極２１および２２は、導電性材料、好ましくはＡｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ、ＣｕおよびＳｎから選択される１種またはそれ以上の金属材料から構成される。

外部電極の形成は、例えば、金属の粉末をガラスなどと一緒にペースト状にしたものを素体の所定の領域に塗布し、得られた素体を、熱処理して金属を焼き付け、次いでめっきを行うことによって実施し得る。または、導体層の露出部に直接金属材料をめっきすることで実施し得る。

以上のようにして、本実施形態の周波数依存型抵抗素子１が製造される。

尚、焼成後の素体におけるＦｅ含有量（Ｆｅ_２Ｏ_３換算）、Ｚｎ含有量（ＺｎＯ換算）、Ｎｉ含有量（ＮｉＯ換算）、Ｃｕ含有量（ＣｕＯ換算）、およびＣｏ含有量（Ｃｏ_３Ｏ_４換算）は、それぞれ、焼成前の磁性材料におけるＦｅ含有量（Ｆｅ_２Ｏ_３換算）、Ｚｎ含有量（ＺｎＯ換算）、Ｎｉ含有量（ＮｉＯ換算）、Ｃｕ含有量（ＣｕＯ換算）、およびＣｏ含有量（Ｃｏ_３Ｏ_４換算）と実質的に相違ないと考えて差し支えない。

即ち、上記のようにして得られる周波数依存型抵抗素子は、焼結磁性材料から構成される素体と前記素体に埋設されたコイル導体を含み、
前記焼結磁性材料が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、
前記主成分中、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下であり、Ｎｉの含有量がＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下であり、
ＮｉとＺｎの前記含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）が、１−Ｘ：Ｘであり、ここに、Ｘは０．２８以上０．５６以下であり、
前記副成分としてのＣｏの含有量が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した前記主成分１００質量部に対して、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算して、１．０質量部以上１０．０質量部以下である。

尚、焼結磁性材料における各主成分の含有量は、次のようにして求めることができる。まず、複数（例えば、１０個以上）の周波数依存型抵抗素子を、端面が立つように樹脂固めし、試料の長さ方向に沿って研磨し、長さ方向の約１／２の時点における研磨面を得、研磨面を洗浄する。次に、導体コイルの内側でコイル中心軸付近の領域を、波長分散型Ｘ線分析法（ＷＤＸ法）を用いて各成分について定量分析し、複数の試料の測定結果の平均を算出することにより求められる。測定面積は、使用する分析機器によって異なり得、例えば、測定ビーム径で１０ｎｍ以上１μｍ以下であり得るが、これに限定されない。

以上、本発明の１つの実施形態について説明したが、本実施形態は種々の改変が可能である。

例えば、本発明の周波数依存型抵抗素子のサイズは、特に限定されない。本発明の周波数依存型抵抗素子のサイズは、好ましくは２．０ｍｍ以下×１．２ｍｍ以下、より好ましくは１．６ｍｍ以下×０．８ｍｍ以下、好ましくは１．０ｍｍ以下×０．５ｍｍ以下、例えば０．６ｍｍ以下×０．３ｍｍ以下、または０．４ｍｍ以下×０．２ｍｍ以下（長さ×幅）であり得る。本発明の周波数依存型抵抗素子の高さは、好ましくは１．２ｍｍ以下、より好ましくは１．０ｍｍ以下、例えば０．６ｍｍ以下または０．２ｍｍ以下であり得る。

本発明の周波数依存型抵抗素子におけるコイルの巻数は、図面では５．５であるがこれに限定されない。コイルの巻数は、例えば、２以上、好ましくは５以上、例えば１０以上、３０以上、５０以上、または１００以上であり得る。また、コイルの巻数は、例えば、２００以下、好ましくは１００以下、例えば６０以下、４０以下、３０以下、または１０以下であり得る。

上記実施形態の周波数依存型抵抗素子における素体は、焼結磁性材料の層から形成された積層体であるが、これに限定されず、例えば、１つのブロックから成る素体、または２つのブロックを重ねた素体であってもよい。

本発明の周波数依存型抵抗素子は、下記の式１を満足し得る。
ｆ１＝Ａ×Ｙ＋Ｂ （式１）

上記式中、ｆ１は、Ｒ_２を与える周波数（ＭＨｚ）であり、
ここに、Ｒ_２は、周波数依存型抵抗素子のインピーダンスの実数部の抵抗成分（Ω）であって、Ｒ_２＝Ｒ_１＋１７を満たし、
Ｒ_１は、１ＭＨｚにおける、周波数依存型抵抗素子のインピーダンスの実数部の抵抗成分（Ω）である。
即ち、ｆ１は、１ＭＨｚにおけるＲよりも１７Ω大きなＲを与える周波数を意味する。本明細書において、ｆ１を「Ｒの立ち上がり周波数」とも称する。

上記式中、Ｙは、前記焼結磁性材料中の、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した主成分１００質量部に対する、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算したＣｏの含有量（質量部）である。

上記式中、Ａは、３６．８以上３８．０以下、好ましくは３７．０以上３７．８以下である。

上記式中、Ｂは、１４．０以上５６．０以下、好ましくは１４．３以上５５．６以下である。

好ましい態様において、Ａは３７．０以上３７．８以下であり、Ｂは１４．３以上５５．６以下である。

上記式１から明らかなように、本発明の周波数依存型抵抗素子は、Ｃｏの含有量を調整することにより、Ｒの立ち上がり周波数（ｆ１）を調整することができる。

従って、本発明は、焼結磁性材料から構成される素体と前記素体に埋設されたコイル導体を含む周波数依存型抵抗素子であって、
前記焼結磁性材料が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、
前記主成分中、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下であり、Ｎｉの含有量がＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下であり、
ＮｉとＺｎの含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）が、１−Ｘ：Ｘであり、ここに、Ｘは０．２８以上０．５６以下である、
周波数依存型抵抗素子において、副成分としてのＣｏの添加量によって、当該周波数依存型抵抗素子におけるインピーダンスの実数部の抵抗成分Ｒの立ち上がり周波数を調整することを特徴とする、周波数依存型抵抗素子の周波数特性の調整方法をも提供する。

好ましい態様において、本発明の周波数依存型抵抗素子は、下記式３および式４を満足する。
Ａ＝０．０４６×Ｚ＋３６．８２８ （式３）
Ｂ＝２．３２×Ｚ＋６．６３ （式４）
［式中：
ＡおよびＢは、上記と同意義であり、
Ｚは、ポア面積率（％）である。］

好ましい態様において、ｆ１は、５０（ＭＨｚ）以上、好ましくは１００ＭＨｚ以上、より好ましくは２００ＭＨｚ以上である。

本発明の周波数依存型抵抗素子は、下記の式２を満足し得る。
ｆ２＝Ｃ×Ｙ^２＋Ｄ×Ｙ＋Ｅ （式２）

上記式中、ｆ２は、μ”が２となる周波数（ＭＨｚ）であり、
ここに、μ”は、周波数依存型抵抗素子の素体の複素透磁率の虚数部である。
尚、ｆ２を「μ”の立ち上がり周波数」とも称する。

ここに、μ”は、下記式により求めることができる。

［式中：
Ａ_ｅは、実効断面積（ｍ^２）であり、
ｌ_ｅは、実効磁路長（ｍ）であり、
μ_０は、真空の透磁率であり、即ち４π×１０^−７（Ｈ／ｍ）であり、
Ｎは、コイルの巻数であり、
ｆは、周波数（Ｈｚ）であり、
Ｒ_ｍは、測定抵抗（Ω）である。］

上記式中、Ｙは、上記焼結磁性材料中の、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した主成分１００質量部に対する、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算したＣｏの含有量（質量部）である。

Ｃは、１．７８以上２．６０以下、好ましくは１．７９以上２．５９以下である。

Ｄは、３０．００以上４０．００以下、好ましくは３０．０７以上３９．７０以下である。

Ｅは、１０．００以上３５．００以下、好ましくは１０．４５以上３４．２４以下である。

好ましい態様において、Ｃは１．７９以上２．５９以下であり、Ｄは３０．０７以上３９．７０以下であり、Ｅは１０．４５以上３４．２４以下である。

上記式２から明らかなように、本発明の周波数依存型抵抗素子は、Ｃｏの含有量を調整することにより、μ”の立ち上がり周波数（ｆ２）を調整することができる。

従って、本発明は、焼結磁性材料から構成される素体と前記素体に埋設されたコイル導体を含む周波数依存型抵抗素子であって、
前記焼結磁性材料が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、
前記主成分中、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下であり、Ｎｉの含有量がＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下であり、
ＮｉとＺｎの含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）が、１−Ｘ：Ｘであり、ここに、Ｘは０．２８以上０．５６以下である、
周波数依存型抵抗素子において、副成分としてのＣｏの添加量によって、当該周波数依存型抵抗素子における複素透磁率の虚数部μ”の立ち上がり周波を調整することを特徴とする、周波数依存型抵抗素子の周波数特性の調整方法をも提供する。

好ましい態様において、本発明の周波数依存型抵抗素子は、下記式５、式６および式７を満足する。
Ｃ＝０．０４６×Ｚ＋１．６１ （式５）
Ｄ＝０．５６７×Ｚ＋２８．３７ （式６）
Ｅ＝１．３８５×Ｚ＋５．７４ （式７）
［式中：
Ｃ、ＤおよびＥは、上記と同意義であり、
Ｚは、ポア面積率（％）である。］

好ましい態様において、ｆ２は、３０（ＭＨｚ）以上、好ましくは１００ＭＨｚ以上、より好ましくは２００ＭＨｚ以上である。

上記したように、本発明の周波数依存型抵抗素子においては、Ｘの値およびＣｏの添加量を調整することにより、Ｒおよびμ”の立ち上がり周波数等を調整することができる。従って、本発明は、焼結磁性材料から構成される素体と前記素体に埋設されたコイル導体を含む周波数依存型抵抗素子であって、
前記焼結磁性材料が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、
前記主成分中、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下であり、Ｎｉの含有量がＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下である周波数依存型抵抗素子において、
１−Ｘ：Ｘで表されるＮｉとＺｎの含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）を、Ｘを０．２８以上０．５６以下の範囲で調整し、副成分としてのＣｏの添加量を調整することによって、当該周波数依存型抵抗素子におけるインピーダンスの実数部の抵抗成分Ｒまたは複素透磁率の虚数部μ”の立ち上がり周波数を制御することを特徴とする、周波数依存型抵抗素子の周波数特性の制御方法をも提供する。

（実施例１）
・磁性体シートの作製
Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯを、下記表１に示す割合となるように秤量し、これら秤量物を純水およびＰＳＺ（Partial Stabilized Zirconia；部分安定化ジルコニア）ボールと共に塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で４８時間混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７５０℃の温度で２時間仮焼して、磁性材料を得た。

得られた磁性材料を水系のバインダと混合し、磁性材料のスラリーを得た。得られたスラリーをシート状に成形し、磁性体シートを作製した。

・積層コイル部品の作製
上記で得られた磁性体シートの所定位置にビアホールを形成した後、Ａｇ粉末、ワニス、および有機溶剤を含有したＡｇペーストを、磁性体シートの表面にスクリーン印刷し、かつ前記Ａｇペーストをビアホールに充填し、コイルパターンを形成した。

次いで、コイルパターンの形成された磁性体シートを積層した後、これらをコイルパターンの形成されていない磁性体シートで挟持し（図２参照）、６０℃の温度で１００ＭＰａの圧力で１分間圧着し、圧着ブロックを作製した。そして、この圧着ブロックを所定のサイズに切断し、未焼成の積層体を作製した。

得られた未焼成の積層体を、４００℃に加熱して十分に脱脂した。次いで、大気雰囲気の焼成炉に未焼成の積層体を投入し、９５０℃に昇温し、５時間保持して焼成した。本実施例の素体のポア面積率は１３％であった。

次に、Ａｇ粉、ガラスフリット、ワニス、および有機溶剤を含有した外部電極用導電ペーストを用意し、この外部電極用導電ペーストに、上記積層体の両端を浸漬して、導電ペーストを塗布した。これを乾燥させた後、大気雰囲気で９００℃で焼き付けた。さらに、積層体の内部の応力を緩和する処理を行い、次いで、電解めっきでＮｉ、Ｓｎめっきを順に行い、外部電極を形成して、試料番号１〜９について積層コイル部品（図１参照）を作製した。尚、各試料は、幅０．２ｍｍ、長さ０．４ｍｍ、厚み０．２ｍｍで、コイル巻数は１０回とした。

・評価
（周波数特性）
上記で得られた各積層コイル部品について、インピーダンスアナライザーＥ４９９１Ｂ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用いて、Ｒの周波数特性を測定した。得られた結果を、図４（周波数−Ｒ）および図５（Ｘ−Ｒピーク値）に示す。また、Ｒのピーク値を下記の基準で評価し、表１に併せて示す。
３５０Ω未満：×
３５０Ω以上：○
３６０Ω以上：◎

＊Ｘは、上記ＮｉとＺｎの含有量のモル比を表す１−Ｘ：ＸにおけるＸである。

・リング状試料の作製
上記で作製した磁性体シートを、厚みが約１．０ｍｍになるように所定枚数積層し、これを６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して、圧着した。これを外径が２０ｍｍ、内径が１０ｍｍのリング状に金型で打ち抜いた。得られたリング状の積層体を、上記積層コイル部品と同様に焼成し、試料番号１〜９についてリング状試料を作製した。

・評価
（周波数特性）
上記で得られた各リング状試料について、インピーダンスアナライザーＥ４９９１Ｂ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用いて、μ”の周波数特性を測定した。得られた結果を、図６（周波数−μ”）に示す。

上記の表１および図４〜図６の結果から明らかなように、Ｘが小さくなるほど、Ｒおよびμ”の立ち上がり周波数が高周波側にシフトすることが確認された。また、Ｘが小さくなるほど、Ｒの立ち上がりがより急峻であることが確認された。さらに、Ｘの値が０．２８以上０．５６以下である場合には、Ｒのピーク値が大きくなり、特に０．４４以上０．５６以下である場合には、Ｒのピーク値がより大きくなることが確認された。

（実施例２）
実施例１の試料番号３に、さらにＣｏ_３Ｏ_４を下記表２に示す割合（試料番号３の主成分合計１００質量部に対する量）で加えた以外は、実施例１と同様にして、試料番号１１〜１５について積層コイル部品およびリング状試料を作製した。本実施例の素体のポア面積率も１３％であった。

・評価
（周波数特性）
上記で得られた各試料について、インピーダンスアナライザーＥ４９９１Ｂ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用いて、Ｒの周波数特性を測定した。得られた結果を、図７（周波数−Ｒ）に示す。

上記で得られた各リング状試料について、インピーダンスアナライザーＥ４９９１Ｂ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用いて、μ”の周波数特性を測定した。得られた結果を、図８（周波数−μ”）に示す。

図７から明らかなように、磁性材料にＣｏ_３Ｏ_４を加えることにより、Ｒの立ち上がり周波数が高周波側にシフトし、急峻に立ち上がることが確認された。また、Ｒのピーク値が大きくなることが確認された。さらに、図８から明らかなように、磁性材料にＣｏ_３Ｏ_４を加えることにより、μ”の立ち上がり周波数が高周波側にシフトすることが確認された。

（実施例３）
上記実施例１および実施例２で示されたように、Ｒおよびμ”の立ち上がり周波数は、Ｘの値およびＣｏ_３Ｏ_４の添加量に応じて変化する。そこで、Ｘの値を調整した試料と、Ｃｏ_３Ｏ_４の添加量を調整した試料とで、Ｒおよびμ”の立ち上がりの程度を比較するために、下記の試験を行った。

Ｘの値またはＣｏ_３Ｏ_４の添加量を調整して、約１００ＭＨｚでＲおよびμ”が立ち上がる試料を準備し、両者の周波数特性を比較した。尚、試料番号３を基準とした。Ｘの値を調整した試料は、試料番号９についての試料であった。また、Ｃｏ_３Ｏ_４の添加量を調整した試料は、Ｃｏ_３Ｏ_４の添加量が２．６質量部である試料であった。結果を、図９および図１０に示す。実線がＸを調整した試料であり、破線がＣｏ_３Ｏ_４の添加量を調整した試料である。

図９および図１０に示されるように、Ｒおよびμ”のいずれにおいても、Ｃｏ_３Ｏ_４の添加量を調整した試料の方が、立ち上がりが急峻であった。

上記実施例１〜３に示されるように、Ｒの立ち上がり周波数は、Ｘの値およびＣｏ_３Ｏ_４の添加量の両方に応じて変化し、その変化の程度も異なることから、Ｘの値および／またはＣｏ_３Ｏ_４の添加量を調整することにより、Ｒの立ち上がり周波数を制御することができることが確認された。同様に、μ”の立ち上がり周波数は、Ｘの値およびＣｏ_３Ｏ_４の添加量の両方に応じて変化し、その変化の程度も異なることから、Ｘの値および／またはＣｏ_３Ｏ_４の添加量を調整することにより、μ”の立ち上がり周波数を制御することができることが確認された。さらに、その立ち上がりの程度も、Ｘの値を変化させた場合とＣｏ_３Ｏ_４の添加量を変化させた場合とで異なることから、Ｘの値および／またはＣｏ_３Ｏ_４の添加量を調整することにより、Ｒおよびμ”の立ち上がりの程度を制御することができることが確認された。即ち、Ｘの値および／またはＣｏ_３Ｏ_４の添加量を調整することにより、素子の周波数特性を制御できることが確認された。

（実施例４）
実施例２の試料番号１１〜１５と同様の組成の磁性材料を用いて、コイル巻数を１０回とし、さらに焼成条件を制御して、下記表３に示すポア面積率となるように焼成した
以外は、実施例と同様にして、試料番号２１〜３５について積層コイル部品を作製した。

・評価
（周波数特性）
上記で得られた各試料について、インピーダンスアナライザーＥ４９９１Ｂ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製）を用いて、μ”の周波数特性を測定した。得られた結果を、図１１〜１３（周波数−μ”）に示す。

また、上記の結果を、Ｃｏ_３Ｏ_４添加量−ｆ１（Ｒの立ち上がり周波数）図（図１４）およびＣｏ_３Ｏ_４添加量−ｆ２（μ”の立ち上がり周波数）図（図１５）にプロットし、それぞれ、ポア面積率（Ｚ％）毎に近似直線および近似曲線を求めた。得られた近似式を下記表４に示す。

図１１〜１３から明らかなように、磁性材料にＣｏ_３Ｏ_４を加えることにより、μ”の立ち上がり周波数が高周波側にシフトすることが確認された。また、ポア面積率が大きくなると、μ”の立ち上がり周波数が高周波側にシフトすることが確認された。即ち、Ｒを決める要因となるμ”の立ち上がり周波数を制御することができることから、Ｒの立ち上がり周波数についても制御することができる。

また、上記表４に示されるように、Ｒの立ち上がり周波数（ｆ１）およびμ”の立ち上がり周波数（ｆ２）は、それぞれ、素体のポア面積率毎に、表４に示される数式で計算できることが確認された。

さらに、ｆ１の近似式について、ｘの係数（Ａ）および切片（Ｂ）とポア面積率（％）の関係を、それぞれ、図１６および図１７にプロットし、近似直線を求めた。同様に、ｆ２の近似式について、ｘ^２の係数（Ｃ）、ｘの係数（Ｄ）および切片（Ｅ）とポア面積率（％）の関係を、それぞれ、図１８、図１９および図２０にプロットし、近似直線を求めた。得られた近似式を下記表５に示す。

上記表５に示されるように、ｆ１およびｆ２を算出するための係数および切片は、それぞれ、ポア面積率に比例し、表５に示される数式で計算できることが確認された。

本発明の周波数依存型抵抗素子は、特にＥＭＩ対策素子として、好適に使用され得る。

１…周波数依存型抵抗素子
２…磁性体層
３…磁性体層（外層）
５…導体層
６ａ，６ｂ…引出し部
７…素体
９…コイル導体
１０…ビアホール
２１…外部電極
２２…外部電極

Claims (10)

1. 焼結磁性材料から構成される素体と前記素体に埋設されたコイル導体を含む周波数依存型抵抗素子であって、
   前記焼結磁性材料が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、
   前記主成分中、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下であり、Ｎｉの含有量がＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下であり、
   ＮｉとＺｎの前記含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）が、１−Ｘ：Ｘであり、ここに、Ｘは０．２８以上０．５６以下であり、
   前記副成分としてのＣｏの含有量が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した前記主成分１００質量部に対して、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算して、１．０質量部以上１０．０質量部以下である、
   ことを特徴とする、周波数依存型抵抗素子。
2. 前記Ｘが、０．４４以上０．５６以下である、請求項１に記載の周波数依存型抵抗素子。
3. 前記素体のポア面積率が、３％以上２０％以下である、請求項１または２に記載の周波数依存型抵抗素子。
4. 下記式１：
   ｆ１＝Ａ×Ｙ＋Ｂ （式１）
   ［式中：
   ｆ１は、Ｒ_２を与える周波数（ＭＨｚ）であり、
   ここに、Ｒ_２は、周波数依存型抵抗素子のインピーダンスの実数部の抵抗成分（Ω）であって、Ｒ_２＝Ｒ_１＋１７を満たし、
   Ｒ_１は、１ＭＨｚにおける、周波数依存型抵抗素子のインピーダンスの実数部の抵抗成分（Ω）であり、
   Ｙは、前記焼結磁性材料中の、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した主成分１００質量部に対する、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算したＣｏの含有量（質量部）であり、
   Ａは、３６．８以上３８．０以下であり、
   Ｂは、１４．０以上５６．０以下である。］
   を満足する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の周波数依存型抵抗素子。
5. 下記式２：
   ｆ２＝Ｃ×Ｙ^２＋Ｄ×Ｙ＋Ｅ （式２）
   ［式中：
   ｆ２は、μ”が２となる周波数（ＭＨｚ）であり、
   ここに、μ”は、周波数依存型抵抗素子の複素透磁率の虚数部であり、
   Ｙは、前記焼結磁性材料中の、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを、それぞれ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＮｉＯおよびＣｕＯに換算した主成分１００質量部に対する、Ｃｏ_３Ｏ_４に換算したＣｏの含有量（質量部）であり、
   Ｃは、１．７８以上２．６０以下であり、
   Ｄは、３０．００以上４０．００以下であり、
   Ｅは、１０．００以上３５．００以下である。］
   を満足する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の周波数依存型抵抗素子。
6. 下記式３および式４：
   Ａ＝０．０４６×Ｚ＋３６．８２８ （式３）
   Ｂ＝２．３２×Ｚ＋６．６３ （式４）
   ［式中：
   ＡおよびＢは、請求項４の記載と同意義であり、
   Ｚは、ポア面積率（％）である。］
   を満足する、請求項４に記載の周波数依存型抵抗素子。
7. 下記式５、式６および式７：
   Ｃ＝０．０４６×Ｚ＋１．６１ （式５）
   Ｄ＝０．５６７×Ｚ＋２８．３７ （式６）
   Ｅ＝１．３８５×Ｚ＋５．７４ （式７）
   ［式中：
   Ｃ、ＤおよびＥは、請求項５の記載と同意義であり、
   Ｚは、ポア面積率（％）である。］
   を満足する、請求項５に記載の周波数依存型抵抗素子。
8. ｆ１が５０（ＭＨｚ）以上である、請求項４〜７のいずれか１項に記載の周波数依存型抵抗素子。
9. 前記素体が、複数の焼結磁性材料の層から形成された積層体である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の周波数依存型抵抗素子。
10. 焼結磁性材料から構成される素体と前記素体に埋設されたコイル導体を含む周波数依存型抵抗素子であって、
    前記焼結磁性材料が、Ｆｅ、Ｚｎ、ＮｉおよびＣｕを含む主成分と、Ｃｏを含む副成分とから成り、
    前記主成分中、Ｆｅの含有量が、Ｆｅ_２Ｏ_３に換算して４６．７９モル％以上４７．６９モル％以下であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１２．６０モル％以上２４．８４モル％以下であり、Ｎｉの含有量がＮｉＯに換算して１９．２１モル％以上３２．３６モル％以下である周波数依存型抵抗素子において、
    １−Ｘ：Ｘで表されるＮｉとＺｎの含有量のモル比（Ｎｉ：Ｚｎ）を、Ｘを０．２８以上０．５６以下の範囲で調整し、副成分としてのＣｏの添加量を調整することによって、当該周波数依存型抵抗素子におけるインピーダンスの実数部の抵抗成分Ｒまたは複素透磁率の虚数部μ”の立ち上がり周波数を制御することを特徴とする、周波数依存型抵抗素子の周波数特性の制御方法。

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