JP2018093098A - Charged particle beam drawing apparatus and charged particle beam drawing method - Google Patents

Abstract

PURPOSE: To provide a drawing apparatus capable of shortening the drawing time, including the time required for stage acceleration and deceleration.CONSTITUTION: A drawing apparatus 100 includes a variable upper limit speed operation unit 54 for variably operating the maximum stage speed of a stage when the stage moves in a second direction according to the stripe region length in the second direction orthogonal to a first direction of multiple stripe regions, where the chip region of a chip is virtually divided into stripes with a prescribed width toward the first direction, a stage control unit 120 for controlling movement of the stage in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed, and a drawing unit 150 for drawing a graphic pattern defined in chip data by using a charged particle beam, while the stage is moving in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed that is set variably according to the stripe region length.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法に係り、例えば、描画時間を短縮するステージ速度に関する。   The present invention relates to a charged particle beam writing apparatus and a charged particle beam writing method, and for example, relates to a stage speed for shortening a writing time.

近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路線幅はさらに微細化されてきている。これらの半導体デバイスへ回路パターンを形成するための露光用マスク（レチクルともいう。）を形成する方法として、優れた解像性を有する電子ビーム（ＥＢ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）描画技術が用いられる。   In recent years, with the high integration of LSI, the circuit line width of semiconductor devices has been further miniaturized. As a method for forming an exposure mask (also referred to as a reticle) for forming a circuit pattern on these semiconductor devices, an electron beam (EB) drawing technique having excellent resolution is used.

図１３は、可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。可変成形型電子線描画装置は、以下のように動作する。第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成形するための矩形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口４２１が形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１の一部を通過して、所定の一方向（例えば、Ｘ方向とする）に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過できる矩形形状が、Ｘ方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料３４０の描画領域に描画される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形開口４２１との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形方式（ＶＳＢ方式）という。   FIG. 13 is a conceptual diagram for explaining the operation of the variable shaped electron beam drawing apparatus. The variable shaping type electron beam drawing apparatus operates as follows. In the first aperture 410, a rectangular opening 411 for forming the electron beam 330 is formed. Further, the second aperture 420 is formed with a variable shaping opening 421 for shaping the electron beam 330 having passed through the opening 411 of the first aperture 410 into a desired rectangular shape. The electron beam 330 irradiated from the charged particle source 430 and passed through the opening 411 of the first aperture 410 is deflected by the deflector, passes through a part of the variable shaping opening 421 of the second aperture 420, and passes through a predetermined range. The sample 340 mounted on a stage that continuously moves in one direction (for example, the X direction) is irradiated. That is, the drawing area of the sample 340 mounted on the stage in which the rectangular shape that can pass through both the opening 411 of the first aperture 410 and the variable shaping opening 421 of the second aperture 420 is continuously moved in the X direction. Drawn on. A method of creating an arbitrary shape by passing both the opening 411 of the first aperture 410 and the variable shaping opening 421 of the second aperture 420 is referred to as a variable shaping method (VSB method).

描画装置では、ステージを可変速で連続移動させながら描画する場合がある。かかる場合のステージの移動速度は、描画装置側で駆動可能な駆動上限速度を基に設定されていた。そのため、装置の駆動上限速度を超えない範囲でパターン密度に応じて速度分布が設計されていた（例えば、特許文献１参照）。よって、パターン密度が小さい領域では、かかる駆動上限速度でステージを駆動することになる。   In a drawing apparatus, drawing may be performed while the stage is continuously moved at a variable speed. In this case, the moving speed of the stage is set based on a driving upper limit speed that can be driven on the drawing apparatus side. Therefore, the speed distribution is designed according to the pattern density within a range not exceeding the upper drive speed of the apparatus (see, for example, Patent Document 1). Therefore, in an area where the pattern density is small, the stage is driven at such a drive upper limit speed.

特開２００８−１２４４７７号公報JP 2008-124477 A

かかる駆動上限速度でステージを移動させるためには、かかる駆動上限速度まで加速する加速時間と描画終了時に停止するまでの減速時間が必要となる。ここで、試料にパターンを描画する際、パターンを形成するチップのサイズが小さければ、その分、描画領域の長さも短い。かかる短い領域を駆動上限速度でステージを移動させると、実際の描画にかかる時間に対して、加速時間と減速時間の割合が大きくなる。特に、チップのパターン密度が小さい場合には、ステージ加減速に必要な時間の方が実際の描画にかかる時間よりも多くかかる場合もあり得る。よって、ステージ加減速に必要な時間も含めて描画時間の短縮を図る必要がある。   In order to move the stage at such a drive upper limit speed, an acceleration time for accelerating to the drive upper limit speed and a deceleration time for stopping at the end of drawing are required. Here, when the pattern is drawn on the sample, if the size of the chip on which the pattern is formed is small, the length of the drawing region is correspondingly shortened. When the stage is moved in such a short region at the drive upper limit speed, the ratio between the acceleration time and the deceleration time increases with respect to the actual drawing time. In particular, when the chip pattern density is small, the time required for stage acceleration / deceleration may take more time than the actual drawing time. Therefore, it is necessary to shorten the drawing time including the time required for stage acceleration / deceleration.

そこで、本発明の一態様は、ステージ加減速に必要な時間も含めて描画時間を短縮することが可能な描画装置および方法を提供することを目的とする。   In view of the above, an object of one embodiment of the present invention is to provide a drawing apparatus and method capable of reducing the drawing time including the time required for stage acceleration / deceleration.

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画装置は、
試料を載置する、移動可能なステージと、
図形パターンが配置されるチップのチップデータを記憶する記憶装置と、
チップのチップ領域が第１の方向に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域の第１の方向と直交する第２の方向のストライプ領域長さに応じて第２の方向にステージが移動する場合のステージの最大ステージ速度を可変に演算する最大ステージ速度演算部と、
最大ステージ速度を超えないように、第２の方向へのステージの移動を制御するステージ制御部と、
ストライプ領域長さに応じて可変に設定された最大ステージ速度を超えないようにステージが第２の方向に移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、チップデータに定義される図形パターンを試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。 A charged particle beam drawing apparatus according to one embodiment of the present invention includes:
A movable stage on which a sample is placed;
A storage device for storing chip data of the chip on which the graphic pattern is arranged;
The chip region of the chip has a second width corresponding to the stripe region length in the second direction orthogonal to the first direction of the plurality of stripe regions virtually divided into strips with a predetermined width in the first direction. A maximum stage speed calculator that variably calculates the maximum stage speed of the stage when the stage moves in the direction;
A stage controller for controlling the movement of the stage in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed;
With the stage moving in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed variably set according to the stripe area length, the figure pattern defined in the chip data is obtained using the charged particle beam. A drawing unit for drawing on the sample;
It is provided with.

また、記憶装置は、複数のチップのチップデータが記憶され、
複数のチップをマージ処理するマージ処理部をさらに備え、
ストライプ領域長さは、マージ処理されたチップの第２の方向の幅サイズに対応するように構成すると好適である。 The storage device stores chip data of a plurality of chips,
It further includes a merge processing unit that performs a merge process on a plurality of chips,
The stripe region length is preferably configured to correspond to the width size in the second direction of the merged chip.

或いは、ストライプ領域長さは、描画する際のステージの移動方向における、複数のストライプ領域のうちの当該ストライプ領域内の描き始めのビームのショットと描き終わりのビームのショットとの間の第２の方向の距離で定義されると好適である。   Alternatively, the length of the stripe region is a second length between a shot of the first beam and a last beam shot in the stripe region of the plurality of stripe regions in the moving direction of the stage at the time of drawing. Preferably, it is defined by the distance in the direction.

また、複数のストライプ領域の各ストライプ領域は、第２の方向に所定の間隔で複数の小領域に分割され、
ストライプ領域長さに応じて可変に設定された最大ステージ速度を用いて、複数の小領域を描画する場合のステージの速度分布を演算する速度分布演算部をさらに備えると好適である。 Each stripe region of the plurality of stripe regions is divided into a plurality of small regions at predetermined intervals in the second direction,
It is preferable to further include a speed distribution calculation unit that calculates the speed distribution of the stage when drawing a plurality of small areas using the maximum stage speed variably set according to the stripe area length.

本発明の一態様の荷電粒子ビーム描画方法は、
図形パターンが配置されるチップのチップ領域が第１の方向に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域の前記第１の方向と直交する第２の方向のストライプ領域長さに応じて第２の方向に試料を載置するステージが移動する場合のステージの最大ステージ速度を可変に演算する工程と、
最大ステージ速度を超えないように、第２の方向へステージを移動させる工程と、
ストライプ領域長さに応じて可変に設定された最大ステージ速度を超えないようにステージが第２の方向に移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、チップデータに定義される図形パターンを試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。 The charged particle beam drawing method of one embodiment of the present invention includes:
The stripe region length in the second direction orthogonal to the first direction of the plurality of stripe regions in which the chip region of the chip on which the graphic pattern is arranged is virtually divided into strips with a predetermined width in the first direction And a step of variably calculating the maximum stage speed of the stage when the stage on which the sample is placed moves in the second direction according to the length of the stage,
Moving the stage in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed;
With the stage moving in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed variably set according to the stripe area length, the figure pattern defined in the chip data is obtained using the charged particle beam. Drawing on the sample;
It is provided with.

本発明の一態様によれば、最大ステージ速度が小さくなっても描画時間を短縮できる。   According to one embodiment of the present invention, the drawing time can be shortened even when the maximum stage speed is reduced.

実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。FIG. 3 is a conceptual diagram for explaining each region in the first embodiment. 実施の形態１におけるストライプ領域長さに応じたステージ速度と描画時間の関係の一例を示す図である。6 is a diagram illustrating an example of a relationship between a stage speed and a writing time according to the stripe region length in the first embodiment. FIG. 実施の形態１におけるストライプ領域長さと描画時間が最小となる最適なステージ速度との関係の一例を示す図である。6 is a diagram illustrating an example of a relationship between a stripe region length and an optimum stage speed at which a writing time is minimized in Embodiment 1. FIG. 実施の形態１におけるステージ速度分布の一例を示す図である。6 is a diagram showing an example of a stage speed distribution in the first embodiment. FIG. 実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。FIG. 4 is a flowchart showing main steps of the drawing method according to Embodiment 1. 実施の形態１におけるチップマージ処理の一例を示す図である。6 is a diagram illustrating an example of chip merge processing according to Embodiment 1. FIG. 実施の形態１におけるステージ速度分布の一例を示す図である。6 is a diagram showing an example of a stage speed distribution in the first embodiment. FIG. 実施の形態１における効果を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining an effect in the first embodiment. 実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。FIG. 10 is a flowchart showing main steps of a drawing method according to Embodiment 2. 実施の形態２におけるストライプ領域長さの一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of the stripe region length in the second embodiment. 実施の形態２におけるストライプ領域長さの他の一例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing another example of the stripe region length in the second embodiment. 可変成形型電子線描画装置の動作を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating operation | movement of a variable shaping type | mold electron beam drawing apparatus.

以下、実施の形態では、荷電粒子ビームの一例として、電子ビームを用いた構成について説明する。但し、荷電粒子ビームは、電子ビームに限るものではなく、イオンビーム等の荷電粒子を用いたビームでも構わない。また、荷電粒子ビーム装置の一例として、可変成形型の描画装置について説明する。   Hereinafter, in the embodiment, a configuration using an electron beam will be described as an example of a charged particle beam. However, the charged particle beam is not limited to an electron beam, and a beam using charged particles such as an ion beam may be used. Further, a variable shaping type drawing apparatus will be described as an example of the charged particle beam apparatus.

実施の形態１．
図１は、実施の形態１における描画装置の構成を示す概念図である。図１において、描画装置１００は、描画部１５０と制御部１６０を備えている。描画装置１００は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である。特に、可変成形型（ＶＳＢ方式）の描画装置の一例である。描画部１５０は、電子鏡筒１０２と描画室１０３を備えている。電子鏡筒１０２内には、電子銃２０１、照明レンズ２０２、第１のアパーチャ２０３、投影レンズ２０４、偏向器２０５、第２のアパーチャ２０６、対物レンズ２０７、主偏向器２０８及び副偏向器２０９が配置されている。描画室１０３内には、ＸＹステージ１０５が配置される。ＸＹステージ１０５上には、描画時には描画対象となるマスク等の試料１０１が配置される。試料１０１には、半導体装置を製造する際の露光用マスクが含まれる。また、試料１０１には、レジストが塗布された、まだ何も描画されていないマスクブランクスが含まれる。 Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a conceptual diagram illustrating a configuration of a drawing apparatus according to the first embodiment. In FIG. 1, the drawing apparatus 100 includes a drawing unit 150 and a control unit 160. The drawing apparatus 100 is an example of a charged particle beam drawing apparatus. In particular, it is an example of a variable forming type (VSB type) drawing apparatus. The drawing unit 150 includes an electron column 102 and a drawing chamber 103. In the electron column 102, there are an electron gun 201, an illumination lens 202, a first aperture 203, a projection lens 204, a deflector 205, a second aperture 206, an objective lens 207, a main deflector 208, and a sub deflector 209. Has been placed. An XY stage 105 is disposed in the drawing chamber 103. On the XY stage 105, a sample 101 such as a mask to be drawn at the time of drawing is arranged. The sample 101 includes an exposure mask for manufacturing a semiconductor device. Further, the sample 101 includes mask blanks to which a resist is applied and nothing is drawn yet.

制御部１６０は、制御計算機１１０、メモリ１１２、ステージ制御回路１２０、ステージ駆動機構１２２、制御回路１３０、及び磁気ディスク装置等の記憶装置１４０，１４２，１４４を有している。制御計算機１１０、メモリ１１２、ステージ制御回路１２０、ステージ駆動機構１２２、制御回路１３０、及び記憶装置１４０，１４２，１４４は、図示しないバスを介して互いに接続されている。   The control unit 160 includes a control computer 110, a memory 112, a stage control circuit 120, a stage drive mechanism 122, a control circuit 130, and storage devices 140, 142, and 144 such as a magnetic disk device. The control computer 110, the memory 112, the stage control circuit 120, the stage drive mechanism 122, the control circuit 130, and the storage devices 140, 142, and 144 are connected to each other via a bus (not shown).

制御計算機１１０内には、取得部５０、長さ演算部５２、可変上限速度演算部５４、選択部５６、チップマージ処理部５８、領域分割部５９、ショット分割部６０、ショット数演算部６２、ショットデータ生成部６４、ステージ速度分布演算部６６、及び描画制御部６８が配置される。取得部５０、長さ演算部５２、可変上限速度演算部５４、選択部５６、チップマージ処理部５８、領域分割部５９、ショット分割部６０、ショット数演算部６２、ショットデータ生成部６４、ステージ速度分布演算部６６、及び描画制御部６８といった各「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路は、例えば、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置を含む。各「〜部」は、共通する処理回路（同じ処理回路）を用いても良いし、或いは異なる処理回路（別々の処理回路）を用いても良い。取得部５０、長さ演算部５２、可変上限速度演算部５４、選択部５６、チップマージ処理部５８、領域分割部５９、ショット分割部６０、ショット数演算部６２、ショットデータ生成部６４、ステージ速度分布演算部６６、及び描画制御部６８に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１１２にその都度格納される。   In the control computer 110, an acquisition unit 50, a length calculation unit 52, a variable upper limit speed calculation unit 54, a selection unit 56, a chip merge processing unit 58, an area division unit 59, a shot division unit 60, a shot number calculation unit 62, A shot data generation unit 64, a stage speed distribution calculation unit 66, and a drawing control unit 68 are arranged. Acquisition unit 50, length calculation unit 52, variable upper limit speed calculation unit 54, selection unit 56, chip merge processing unit 58, region division unit 59, shot division unit 60, shot number calculation unit 62, shot data generation unit 64, stage Each “˜ unit” such as the speed distribution calculation unit 66 and the drawing control unit 68 has a processing circuit. Such processing circuits include, for example, an electric circuit, a computer, a processor, a circuit board, a quantum circuit, or a semiconductor device. Each “˜unit” may use a common processing circuit (the same processing circuit), or may use different processing circuits (separate processing circuits). Acquisition unit 50, length calculation unit 52, variable upper limit speed calculation unit 54, selection unit 56, chip merge processing unit 58, region division unit 59, shot division unit 60, shot number calculation unit 62, shot data generation unit 64, stage Information input / output to / from the velocity distribution calculation unit 66 and the drawing control unit 68 and information being calculated are stored in the memory 112 each time.

ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器２０８と副偏向器２０９の主副２段の多段偏向器を用いているが、３段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。   Here, FIG. 1 shows a configuration necessary for explaining the first embodiment. The drawing apparatus 100 may normally have other necessary configurations. For example, a multi-stage deflector having two main stages of the main deflector 208 and the sub-deflector 209 is used for position deflection. However, the position deflection may be performed by a multi-stage deflector having three or more stages. .

少なくとも１つの図形パターンから構成される複数のセルを有するチップのデータが定義された描画データが描画装置１００の外部より入力され、記憶装置１４０（第１の記憶部）に格納されている。チップデータには、各図形パターンの形状、配置座標、およびサイズを示す各図形パターンのパターンデータが定義される。   Drawing data in which data of a chip having a plurality of cells composed of at least one graphic pattern is defined is input from the outside of the drawing apparatus 100 and stored in the storage device 140 (first storage unit). In the chip data, pattern data of each graphic pattern indicating the shape, arrangement coordinates, and size of each graphic pattern is defined.

図２は、実施の形態１における各領域を説明するための概念図である。図２において、試料１０１の描画領域１０内には、描画対象となるチップ１２に定義されるパターンが描画される。複数のチップを同時期に描画する場合には、後述するように複数のチップをマージ処理した上で、マージ処理されたチップに定義されるパターンが描画される。かかるチップ１２の領域は、主偏向器２０８の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割される。また、各ストライプ領域２０は、副偏向器２０９の偏向可能サイズで、メッシュ状に複数のサブフィールド（ＳＦ）３０（小領域）に仮想分割される。ここで、描画装置１００で図形パターンを描画するためには、１回のビームのショットで照射できるサイズのショット図形にチップデータに定義された各図形パターンを分割する必要がある。そして、各ＳＦ３０内の各ショット位置にかかるショット図形３２が描画される。   FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining each region in the first embodiment. In FIG. 2, a pattern defined on the chip 12 to be drawn is drawn in the drawing area 10 of the sample 101. When drawing a plurality of chips at the same time, after a plurality of chips are merged as described later, a pattern defined for the merged chips is drawn. The region of the chip 12 is virtually divided into a plurality of stripe regions 20 in a strip shape in the y direction, for example, with a deflectable width of the main deflector 208. In addition, each stripe region 20 is virtually divided into a plurality of subfields (SF) 30 (small regions) in a mesh shape with a deflectable size of the sub deflector 209. Here, in order to draw a graphic pattern with the drawing apparatus 100, it is necessary to divide each graphic pattern defined in the chip data into shot figures of a size that can be irradiated with one beam shot. And the shot figure 32 concerning each shot position in each SF30 is drawn.

描画装置１００では、かかる複数段の偏向器を用いて、ストライプ領域２０毎に描画処理を進めていく。ここでは、一例として、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９といった２段偏向器が用いられる。ＸＹステージ１０５が例えば−ｘ方向に向かって連続移動しながら、１番目のストライプ領域２０についてｘ方向に向かって描画を進めていく。そして、１番目のストライプ領域２０の描画終了後、同様に、或いは逆方向に向かって２番目のストライプ領域２０の描画を進めていく。以降、同様に、３番目以降のストライプ領域２０の描画を進めていく。そして、主偏向器２０８が、ＸＹステージ１０５の移動に追従するように、ＳＦ３０の基準位置Ａに電子ビーム２００を順に偏向する。基準位置Ａは、例えば、ＳＦ３０の中心位置が用いられる。或いは、ＳＦ３０の左下角の位置であっても好適である。また、副偏向器２０９（第２の偏向器）が、各ＳＦ３０の基準位置Ａから、当該ＳＦ３０内に照射される、ショット図形３２に成形されたショットビーム（電子ビーム２００）を所望の位置に偏向する。このように、主偏向器２０８、及び副偏向器２０９は、サイズの異なる偏向領域をもつ。   In the drawing apparatus 100, drawing processing is performed for each stripe region 20 using such a plurality of stages of deflectors. Here, as an example, a two-stage deflector such as a main deflector 208 and a sub deflector 209 is used. While the XY stage 105 continuously moves in the −x direction, for example, the drawing is advanced in the x direction with respect to the first stripe region 20. Then, after the drawing of the first stripe region 20 is finished, the drawing of the second stripe region 20 proceeds in the same manner or in the reverse direction. Thereafter, similarly, drawing of the third and subsequent stripe regions 20 proceeds. Then, the main deflector 208 sequentially deflects the electron beam 200 to the reference position A of the SF 30 so as to follow the movement of the XY stage 105. As the reference position A, for example, the center position of the SF 30 is used. Alternatively, the position of the lower left corner of the SF 30 is also suitable. Further, the sub deflector 209 (second deflector) applies the shot beam (electron beam 200) formed in the shot figure 32, which is irradiated into the SF 30 from the reference position A of each SF 30, to a desired position. To deflect. As described above, the main deflector 208 and the sub deflector 209 have deflection areas having different sizes.

図３は、実施の形態１におけるストライプ領域長さに応じたステージ速度と描画時間の関係の一例を示す図である。図３では、縦軸に描画時間を示し、横軸にステージ速度を示している。ストライプ領域中を一定のステージ速度Ｖで例えば−ｘ方向にＸＹステージを移動させる場合、描画時間Ｔ（ステージ移動時間）は、ステージ加速度Ｇ、ステージ速度Ｖ、及びストライプ領域長さＬ（ｘ方向の長さ）を用いて、次の式（１）で定義できる。
（１） Ｔ＝２Ｖ／Ｇ＋Ｌ／Ｖ FIG. 3 is a diagram showing an example of the relationship between the stage speed and the drawing time according to the stripe region length in the first embodiment. In FIG. 3, the vertical axis indicates the drawing time, and the horizontal axis indicates the stage speed. When the XY stage is moved in the stripe area at a constant stage speed V, for example, in the −x direction, the drawing time T (stage movement time) is the stage acceleration G, the stage speed V, and the stripe area length L (in the x direction). (Length) can be defined by the following equation (1).
(1) T = 2V / G + L / V

式（１）の右辺第１項は、描画位置がストライプ領域左端に入るまでにゼロからステージ速度ＶまでＸＹステージを加速する時間と、描画位置がストライプ領域右端まで到達し、ステージ速度ＶからゼロまでＸＹステージを減速する時間との合計となる。式（１）の右辺第２項は、描画位置がストライプ領域中を通過する時間を示す。   The first term on the right side of Equation (1) is the time to accelerate the XY stage from zero to the stage speed V until the drawing position enters the left end of the stripe area, and the drawing position reaches the right end of the stripe area and zero from the stage speed V. Until the XY stage is decelerated. The second term on the right side of Equation (1) indicates the time for the drawing position to pass through the stripe region.

かかる式（１）を用いて、図３の例では、ストライプ領域長さＬが０．１ｍｍ、１ｍｍ、及び１０ｍｍの各場合について、ステージ速度Ｖと描画時間Ｔとの関係を示す。例えば、ストライプ領域長さＬが大きい、Ｌ＝１０ｍｍ（Ａ”）では、ステージ速度を早くすれば、その分、描画時間Ｔが短縮されることがわかる。これに対して、例えば、ストライプ領域長さＬが小さい、Ｌ＝１ｍｍ（Ｂ”）では、ある速度まではステージ速度を早くすれば、その分、描画時間Ｔが短縮されるが、かかる速度を超えると逆に描画時間Ｔが長くなる変曲点が存在することがわかる。さらに、ストライプ領域長さＬを小さくした、Ｌ＝０．１ｍｍ（Ｃ”）では、さらに遅い速度で描画時間Ｔが短縮から増加に転じる変曲点が存在することがわかる。このように、ストライプ領域長さＬに応じて、描画時間Ｔが最小値となるステージ速度に違いがあることがわかる。   Using the formula (1), the example of FIG. 3 shows the relationship between the stage speed V and the drawing time T in each case where the stripe region length L is 0.1 mm, 1 mm, and 10 mm. For example, when the stripe region length L is large and L = 10 mm (A ″), it can be seen that if the stage speed is increased, the drawing time T is shortened accordingly. When the length L is small and L = 1 mm (B ″), if the stage speed is increased to a certain speed, the drawing time T is shortened accordingly. However, if the speed is exceeded, the drawing time T is increased. It turns out that an inflection point exists. Further, it can be seen that when the stripe region length L is reduced and L = 0.1 mm (C ″), there exists an inflection point at which the drawing time T starts to decrease and increases at a slower speed. It can be seen that there is a difference in the stage speed at which the drawing time T becomes the minimum value according to the region length L.

図４は、実施の形態１におけるストライプ領域長さと描画時間が最小となる最適なステージ速度との関係の一例を示す図である。図４では、縦軸に最適なステージ速度を示し、横軸にストライプ領域長さを示す。図４に示すように、ストライプ領域長さが小さくなるに伴い、最適なステージ速度も小さくなることがわかる。図４では、さらに、描画装置１００の駆動上限速度Ａ１を示している。なお、駆動上限速度Ａ１は、ＸＹステージ１０５の機械構造上の最大値である必要はなく、運用上限値であればよい。例えば、機械構造上の最大値に安全係数を乗じた値等が好適である。   FIG. 4 is a diagram showing an example of the relationship between the stripe region length and the optimum stage speed at which the drawing time is minimized in the first embodiment. In FIG. 4, the vertical axis represents the optimum stage speed, and the horizontal axis represents the stripe region length. As shown in FIG. 4, it can be seen that the optimum stage speed decreases as the stripe region length decreases. In FIG. 4, the driving upper limit speed A1 of the drawing apparatus 100 is further shown. The drive upper limit speed A1 does not need to be the maximum value on the mechanical structure of the XY stage 105, and may be an operation upper limit value. For example, a value obtained by multiplying the maximum value on the machine structure by a safety factor is suitable.

図５は、実施の形態１におけるステージ速度分布の一例を示す図である。図５（ａ）の例では、ストライプ領域長さＬ１が長い（大きい）ストライプ領域ａを描画する場合のステージ速度分布を示している。図５（ｂ）の例では、ストライプ領域長さＬ２が短い（小さい）ストライプ領域ｂを描画する場合のステージ速度分布を示している。ストライプ領域内に描画するパターンのパターン密度が粗であれば、従来、いずれも最大ステージ速度が駆動上限速度Ａ１で駆動していた。そのため、ストライプ領域ａとストライプ領域ｂでは、共に、同じだけの加減速にかかる時間が必要となる。しかしながら、図３及び図５において説明したように、最適なステージ速度が駆動上限速度Ａ１よりも小さくなるストライプ領域長さを描画する場合、最大ステージ速度を駆動上限速度Ａ１で駆動すると逆に描画時間が長くなってしまう場合がある。図５（ｃ）の例では、図５（ｂ）と同様のストライプ領域長さＬ２が短い（小さい）ストライプ領域ｂを描画する場合のステージ速度分布の一例を示している。図５（ｃ）の例では、最大ステージ速度をＡ１からＢ１に落としている。かかるケースでは、ストライプ領域ｂを描画する時間は図５（ｂ）の例よりも長くなるが、加減速にかかる時間を短縮できるので、結果的に描画時間を短縮できる。そこで、実施の形態１では、一律に、最大ステージ速度を例えば駆動上限速度Ａ１に設定するのではなく、ストライプ領域長さに応じて可変に設定する。   FIG. 5 is a diagram showing an example of the stage speed distribution in the first embodiment. In the example of FIG. 5A, a stage speed distribution in the case of drawing a stripe region a having a long (large) stripe region length L1 is shown. In the example of FIG. 5B, the stage speed distribution in the case of drawing the stripe region b having a short (small) stripe region length L2 is shown. Conventionally, if the pattern density of the pattern drawn in the stripe region is coarse, the maximum stage speed is conventionally driven at the drive upper limit speed A1. Therefore, both the stripe region a and the stripe region b require the same time for acceleration / deceleration. However, as described with reference to FIGS. 3 and 5, when drawing the stripe region length in which the optimum stage speed is smaller than the drive upper limit speed A1, the drawing time is reversed when the maximum stage speed is driven at the drive upper limit speed A1. May become longer. In the example of FIG. 5C, an example of the stage velocity distribution in the case of drawing a stripe region b having a short (small) stripe region length L2 similar to that in FIG. 5B is shown. In the example of FIG. 5C, the maximum stage speed is reduced from A1 to B1. In such a case, the time for drawing the stripe region b is longer than that in the example of FIG. 5B, but the time required for acceleration / deceleration can be shortened, and as a result, the drawing time can be shortened. Therefore, in the first embodiment, the maximum stage speed is not uniformly set, for example, at the drive upper limit speed A1, but is variably set according to the stripe region length.

実施の形態１では、まず、実験或いはシミュレーション等により、予め図４に示したストライプ領域長さＬと描画時間が最小となる最適なステージ速度Ｖとの相関関係データ（Ｌ−Ｖデータ）を作成して、描画装置１００の外部から入力し、記憶装置１４２に格納しておく。また、駆動上限速度Ａ１についても予め決めておき、描画装置１００の外部から入力し、記憶装置１４２に格納しておく。   In the first embodiment, first, correlation data (LV data) between the stripe region length L and the optimum stage speed V that minimizes the drawing time shown in FIG. Then, the data is input from outside the drawing apparatus 100 and stored in the storage device 142. Further, the drive upper limit speed A1 is also determined in advance, input from the outside of the drawing apparatus 100, and stored in the storage device 142.

図６は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図６において、実施の形態１における描画方法は、駆動上限速度Ａ１取得工程（Ｓ１０２）と、チップマージ工程（Ｓ１０４）と、ストライプ領域長さ取得工程（Ｓ１０６）と、可変上限速度Ｂ１演算工程（Ｓ１０８）と、上限速度Ｃ１選択工程（Ｓ１１０）と、ショット分割工程（Ｓ１２０）と、コンパートメントショット数演算工程（Ｓ１２２）と、ステージ速度分布Ｅ１演算工程（Ｓ１３０）と、ショットデータ生成工程（Ｓ１３２）と、描画（ステージ駆動）工程（Ｓ１５０）と、いう一連の工程を実施する。   FIG. 6 is a flowchart showing main steps of the drawing method according to the first embodiment. 6, the drawing method according to the first embodiment includes a drive upper limit speed A1 acquisition step (S102), a chip merge step (S104), a stripe region length acquisition step (S106), and a variable upper limit speed B1 calculation step ( S108), upper limit speed C1 selection step (S110), shot division step (S120), compartment shot number calculation step (S122), stage speed distribution E1 calculation step (S130), and shot data generation step (S132). Then, a series of steps called drawing (stage driving) step (S150) is performed.

駆動上限速度Ａ１取得工程（Ｓ１０２）として、取得部５０は、記憶装置１４２から駆動上限速度Ａ１を読み出し、取得する。   As the drive upper limit speed A1 acquisition step (S102), the acquisition unit 50 reads and acquires the drive upper limit speed A1 from the storage device 142.

チップマージ工程（Ｓ１０４）として、チップマージ処理部５８は、記憶装置１４０からチップデータを読み出し、複数のチップが存在し、かかる複数のチップを同じジョブの描画処理で描画する場合には、複数のチップのマージ処理を行う。   In the chip merge process (S104), the chip merge processing unit 58 reads the chip data from the storage device 140, and when there are a plurality of chips and the plurality of chips are drawn by the drawing process of the same job, Perform chip merge processing.

図７は、実施の形態１におけるチップマージ処理の一例を示す図である。図７の例では、例えば、チップ１１ａ（Ａ）とチップ１１ｂ（Ｂ）との２つのチップを同じジョブの描画処理で描画する場合を想定する。同じジョブでは、通常、基準照射量、或いは近接効果補正係数等のパラメータ等といった描画条件を同一にする。描画条件が同じチップについては、同じ描画処理で実施する方が効率的である。よって、チップマージ処理部５８は、チップ１１ａ（Ａ）とチップ１１ｂ（Ｂ）との２つのチップをマージ処理する。マージ処理後のチップ１２は、図７に示すように、例えば、複数のチップ１１ａ，１１ｂの外接矩形に設定すればよい。同じジョブの描画処理で描画するチップが１つであれば、マージ処理は不要となる。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example of chip merge processing according to the first embodiment. In the example of FIG. 7, for example, it is assumed that two chips of the chip 11 a (A) and the chip 11 b (B) are drawn by the same job drawing process. In the same job, drawing conditions such as parameters such as a reference irradiation amount or a proximity effect correction coefficient are usually made the same. For chips with the same drawing conditions, it is more efficient to perform the same drawing process. Therefore, the chip merge processing unit 58 performs a merge process on the two chips of the chip 11a (A) and the chip 11b (B). The chip 12 after the merge processing may be set to a circumscribed rectangle of the plurality of chips 11a and 11b, for example, as shown in FIG. If there is one chip to be drawn in the same job drawing process, the merge process is unnecessary.

ストライプ領域長さ取得工程（Ｓ１０６）として、長さ演算部５２は、ストライプ領域長さを演算する。複数のチップがマージ処理された場合には、ストライプ領域長さは、マージ処理されたチップのｘ方向或いは−ｘ方向（第２の方向）の幅サイズに対応する。言い換えれば、長さ演算部５２は、複数のチップがマージ処理された場合には、マージ処理されたチップのｘ方向（第２の方向）の幅サイズをストライプ領域長さＬとして演算する。長さ演算部５２は、同じジョブの描画処理で描画するチップが１つの場合には、対応するチップのｘ方向（第２の方向）の幅サイズをストライプ領域長さＬとして演算する。   As the stripe area length acquisition step (S106), the length calculator 52 calculates the stripe area length. When a plurality of chips are merged, the stripe region length corresponds to the width size in the x direction or −x direction (second direction) of the merged chips. In other words, when a plurality of chips are merged, the length calculator 52 calculates the width size in the x direction (second direction) of the merged chips as the stripe region length L. When there is one chip to be drawn in the drawing process of the same job, the length calculation unit 52 calculates the width size of the corresponding chip in the x direction (second direction) as the stripe area length L.

可変上限速度Ｂ１演算工程（Ｓ１０８）として、可変上限速度演算部５４（最大ステージ速度演算部）は、チップ１２のチップ領域がｙ方向（第１の方向）に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域２０のｙ方向と直交する−ｘ方向（第２の方向）のストライプ領域長さＬに応じて−ｘ方向（第２の方向）にＸＹステージ１０５が移動する場合のＸＹステージ１０５の最大ステージ速度Ｂ１を可変に演算する。具体的には、可変上限速度演算部５４は、記憶装置１４２からＬ−Ｖデータを読み出し、Ｌ−Ｖデータを用いて取得されたストライプ領域長さＬに対応する最適ステージ速度Ｖを最大ステージ速度Ｂ１として演算する。   In the variable upper limit speed B1 calculation step (S108), the variable upper limit speed calculation unit 54 (maximum stage speed calculation unit) is formed in a strip shape with a predetermined width in the chip area of the chip 12 in the y direction (first direction). When the XY stage 105 moves in the −x direction (second direction) according to the stripe region length L in the −x direction (second direction) orthogonal to the y direction of the virtually divided stripe regions 20 The maximum stage speed B1 of the XY stage 105 is variably calculated. Specifically, the variable upper limit speed calculation unit 54 reads the LV data from the storage device 142 and sets the optimum stage speed V corresponding to the stripe area length L obtained using the LV data to the maximum stage speed. Calculate as B1.

上限速度Ｃ１選択工程（Ｓ１１０）として、選択部５６は、駆動上限速度Ａ１と最大ステージ速度Ｂ１とのうち、小さい方を上限速度Ｃ１として選択する。描画装置１００の運用上、もともと駆動上限速度Ａ１よりも高速にＸＹステージ１０５を移動させることはしないので、最大ステージ速度Ｂ１が駆動上限速度Ａ１よりも小さければ、最大ステージ速度Ｂ１を上限速度Ｃ１として選択し、それ以外であれば駆動上限速度Ａ１を上限速度Ｃ１として選択する。   In the upper limit speed C1 selection step (S110), the selection unit 56 selects the smaller one of the drive upper limit speed A1 and the maximum stage speed B1 as the upper limit speed C1. In operation of the drawing apparatus 100, the XY stage 105 is not originally moved at a speed higher than the drive upper limit speed A1, so if the maximum stage speed B1 is smaller than the drive upper limit speed A1, the maximum stage speed B1 is set as the upper limit speed C1. Otherwise, the drive upper limit speed A1 is selected as the upper limit speed C1.

ショット分割工程（Ｓ１２０）として、まず、領域分割部５９は、チップ１２（マージ処理されている場合はマージ後のチップ）の領域を、主偏向器２０８の偏向可能幅で、例えばｙ方向に向かって短冊状に複数のストライプ領域２０に仮想分割する。また、領域分割部５９は、各ストライプ領域２０を副偏向器２０９の偏向可能幅で、メッシュ状に複数のＳＦ３０に仮想分割する。   As the shot dividing step (S120), first, the area dividing unit 59 moves the area of the chip 12 (the chip after merging when merge processing is performed) toward the y direction, for example, with the deflectable width of the main deflector 208. Thus, it is virtually divided into a plurality of stripe regions 20 in a strip shape. The area dividing unit 59 virtually divides each stripe area 20 into a plurality of SFs 30 in a mesh shape with the deflectable width of the sub deflector 209.

次に、ショット分割部６０は、記憶装置１４０から例えばストライプ領域２０毎にチップデータを読み出し、かかるチップ１２内に定義される図形パターンを複数のショット図形に分割し、ショット図形を対応するＳＦ３０に割り当てる。描画装置１００では、図形パターンを１回のビームのショットで形成することは困難なので、図形パターンを１回のショットで照射可能なサイズのショット図形に分割する。   Next, the shot division unit 60 reads chip data from the storage device 140 for each stripe region 20, for example, divides the graphic pattern defined in the chip 12 into a plurality of shot graphics, and divides the shot graphic into the corresponding SF 30. assign. In the drawing apparatus 100, since it is difficult to form a graphic pattern with a single shot of a beam, the graphic pattern is divided into shot figures of a size that can be irradiated with a single shot.

コンパートメントショット数演算工程（Ｓ１２２）として、ショット数演算部６２は、ストライプ領域２０毎に、当該ストライプ領域２０をｘ方向に所定のサイズで分割した複数のコンパートメント（ＣＰＭ）領域２２（小領域）について、ＣＰＭ領域２２毎に、ＣＰＭ領域２２内にショットされるショット数を演算する。このように、複数のストライプ領域２０の各ストライプ領域２０は、ｘ方向（或いは−ｘ方向）（第２の方向）に所定の間隔で複数のＣＰＭ領域２２に分割される。ＣＰＭ領域２２のサイズは、任意で構わないが、例えば、ストライプ領域２０のｙ方向幅と同サイズで分割すると好適である。図２の例のように、ストライプ領域２０にＳＦ３０がｙ方向に例えば４個配置される場合、ＣＰＭ領域２２が４×４の１６個のＳＦ３０によって構成される。各ＣＰＭ領域２２のショット数は、当該ＣＰＭ領域２２を構成する各ＳＦ３０に割り当てられたショット図形の数を合計すればよい。   As the compartment shot number calculation step (S122), the shot number calculation unit 62 performs, for each stripe region 20, a plurality of compartment (CPM) regions 22 (small regions) obtained by dividing the stripe region 20 into a predetermined size in the x direction. The number of shots shot in the CPM area 22 is calculated for each CPM area 22. Thus, each stripe region 20 of the plurality of stripe regions 20 is divided into a plurality of CPM regions 22 at a predetermined interval in the x direction (or -x direction) (second direction). The size of the CPM region 22 may be arbitrary, but for example, it is preferable that the CPM region 22 is divided into the same size as the width of the stripe region 20 in the y direction. As in the example of FIG. 2, for example, when four SFs 30 are arranged in the y direction in the stripe region 20, the CPM region 22 is configured by 16 4 × 4 SFs 30. The number of shots in each CPM region 22 may be the sum of the number of shot graphics assigned to each SF 30 constituting the CPM region 22.

ステージ速度分布Ｅ１演算工程（Ｓ１３０）として、ステージ速度分布演算部６６は、駆動上限速度Ａ１と最大ステージ速度Ｂ１とから選択された上限速度Ｃ１を用いて、複数のＣＰＭ領域２２を描画する場合のＸＹステージ１０５の速度分布Ｅ１を演算する。ストライプ領域長さＬが小さい場合には、最大ステージ速度Ｂ１が上限速度Ｃ１として用いられることになる。その場合、ステージ速度分布演算部６６は、ストライプ領域長さＬに応じて可変に設定された最大ステージ速度Ｂ１を用いて、前記複数のＣＰＭ領域２２を描画する場合のＸＹステージ１０５の速度分布Ｅ１を演算する。   In the stage speed distribution E1 calculation step (S130), the stage speed distribution calculation unit 66 draws a plurality of CPM regions 22 using the upper limit speed C1 selected from the drive upper limit speed A1 and the maximum stage speed B1. The speed distribution E1 of the XY stage 105 is calculated. When the stripe region length L is small, the maximum stage speed B1 is used as the upper limit speed C1. In this case, the stage speed distribution calculation unit 66 uses the maximum stage speed B1 variably set according to the stripe area length L, and the speed distribution E1 of the XY stage 105 when drawing the plurality of CPM areas 22 is performed. Is calculated.

図８は、実施の形態１におけるステージ速度分布の一例を示す図である。ＸＹステージ１０５の速度は、ＣＰＭ領域２２毎に設定される。その際、上限速度Ｃ１が最大速度となる。電子ビーム描画におけるショットサイクルにかかる時間ｔｃは、次の式（２）に示すように、副偏向器２０９へ偏向電圧を印加する図示しないデジタル・アナログ変換（ＤＡＣ）アンプの整定時間と成形用の偏向器２０５へ偏向電圧を印加する図示しないＤＡＣアンプの整定時間との長い方の整定時間ｔｓｔと、ビームを照射する照射時間ｔと、の和で求められる。
（２） ｔｃ＝ｔ＋ｔｓｔ FIG. 8 is a diagram showing an example of the stage speed distribution in the first embodiment. The speed of the XY stage 105 is set for each CPM region 22. At that time, the upper limit speed C1 becomes the maximum speed. The time tc required for the shot cycle in the electron beam writing is set as shown in the following equation (2) and the setting time of a digital-analog conversion (DAC) amplifier (not shown) for applying a deflection voltage to the sub deflector 209 and the shaping time. It is obtained as the sum of the longer settling time tst of the DAC amplifier (not shown) for applying the deflection voltage to the deflector 205 and the irradiation time t for irradiating the beam.
(2) tc = t + tst

よって、ＣＰＭ領域２２を描画するためにかかる時間ｔｃｐｍは、次の式（３）に示すように、ショットサイクルにかかる時間ｔｃにショット数Ｍを乗じた値で定義できる。
（３） ｔｃｐｍ＝ｔｃ×Ｍ Therefore, the time tcpm required to draw the CPM region 22 can be defined as a value obtained by multiplying the time tc required for the shot cycle by the number of shots M as shown in the following equation (3).
(3) tcpm = tc × M

よって、ＣＰＭ領域２２を描画する際のステージ速度Ｖｃｐｍは、次の式（４）に示すように、ステージ移動方向である−ｘ方向におけるＣＰＭ領域２２の幅（ｘ方向幅）Ｌｃｐｍを、ＣＰＭ領域２２を描画するためにかかる時間ｔｃｐｍで割った値で定義できる。
（４） Ｖｃｐｍ＝Ｌｃｐｍ／ｔｃｐｍ Therefore, the stage speed Vcpm when drawing the CPM region 22 is obtained by setting the width (x direction width) Lcpm of the CPM region 22 in the −x direction, which is the stage moving direction, as shown in the following equation (4). 22 can be defined by a value divided by the time tcpm required for rendering.
(4) Vcpm = Lcpm / tcpm

よって、ステージ速度分布演算部６６は、ＣＰＭ領域２２毎に、それぞれＣＰＭ領域２２を描画する際のステージ速度Ｖｃｐｍを演算する。   Therefore, the stage speed distribution calculation unit 66 calculates the stage speed Vcpm for drawing the CPM area 22 for each CPM area 22.

次に、ＣＰＭ領域２２毎にステージ速度Ｖｃｐｍが変化するので、隣接するＣＰＭ領域２２同士間では、ステージの加減速を行う必要がある。各ＣＰＭ領域２２では、演算されたステージ速度Ｖｃｐｍを超える速度でＸＹステージ１０５を移動させると描画処理が間に合わなくなる。よって、隣接するＣＰＭ領域２２同士間では、ステージ速度Ｖｃｐｍが遅いＣＰＭ領域２２を優先し、早いＣＰＭ領域２２側で加減速を行えばよい。なお、ステージ速度Ｖｃｐｍが上限速度Ｃ１を超える場合には、かかるＣＰＭ領域２２のステージ速度Ｖｃｐｍは上限速度Ｃ１となる点は言うまでもない。よって、図８の例では、描画位置が１番目のＣＰＭ領域２２の左端になるまでに加速度Ｇで上限速度Ｃ１まで加速させておく。そして、２番目のＣＰＭ領域２２の方が１番目のＣＰＭ領域２２よりもステージ速度Ｖｃｐｍが遅いので、２番目のＣＰＭ領域２２の左端で２番目のＣＰＭ領域２２のステージ速度Ｖｃｐｍになるように、１番目のＣＰＭ領域２２の途中から加速度Ｇで減速する。そして、２番目のＣＰＭ領域２２の方が３番目のＣＰＭ領域２２よりもステージ速度Ｖｃｐｍが遅いので、描画位置が２番目のＣＰＭ領域２２の左端から右端になるまでは２番目のＣＰＭ領域２２のステージ速度Ｖｃｐｍに維持する。続いて、描画位置が３番目のＣＰＭ領域２２の左端から加速度Ｇで３番目のＣＰＭ領域２２のステージ速度Ｖｃｐｍになるまで加速する。４番目のＣＰＭ領域２２の方が３番目のＣＰＭ領域２２よりもステージ速度Ｖｃｐｍが遅いので、４番目のＣＰＭ領域２２の左端で４番目のＣＰＭ領域２２のステージ速度Ｖｃｐｍになるように、３番目のＣＰＭ領域２２の途中から加速度Ｇで減速する。同様に、加減速を行いながら、対象となるストライプ領域２０の最終端まで進み、ストライプ領域２０の最終端（右端）での速度からゼロになるまで加速度Ｇで減速する。ステージ速度分布演算部６６は、かかるステージ速度分布Ｅ１を作成（演算）する。ストライプ毎に作成されたステージ速度分布は、例えば記憶装置１４４に格納される。   Next, since the stage speed Vcpm changes for each CPM region 22, it is necessary to perform acceleration / deceleration of the stage between the adjacent CPM regions 22. In each CPM region 22, if the XY stage 105 is moved at a speed exceeding the calculated stage speed Vcpm, the drawing process will not be in time. Therefore, between adjacent CPM regions 22, the CPM region 22 having a low stage speed Vcpm may be given priority, and acceleration / deceleration may be performed on the fast CPM region 22 side. Needless to say, when the stage speed Vcpm exceeds the upper limit speed C1, the stage speed Vcpm in the CPM region 22 becomes the upper limit speed C1. Therefore, in the example of FIG. 8, the acceleration is accelerated to the upper limit speed C <b> 1 with the acceleration G until the drawing position reaches the left end of the first CPM region 22. Since the stage speed Vcpm of the second CPM region 22 is slower than that of the first CPM region 22, the stage speed Vcpm of the second CPM region 22 is set at the left end of the second CPM region 22. The vehicle decelerates at an acceleration G from the middle of the first CPM region 22. Since the stage speed Vcpm is slower in the second CPM region 22 than in the third CPM region 22, the second CPM region 22 has the second CPM region 22 until the drawing position becomes the right end from the left end of the second CPM region 22. The stage speed is maintained at Vcpm. Subsequently, the drawing position is accelerated at the acceleration G from the left end of the third CPM region 22 until the drawing speed reaches the stage speed Vcpm of the third CPM region 22. Since the stage speed Vcpm is slower in the fourth CPM region 22 than in the third CPM region 22, the third CPM region 22 is set to have the stage speed Vcpm in the fourth CPM region 22 at the left end of the fourth CPM region 22. The vehicle decelerates at an acceleration G from the middle of the CPM region 22. Similarly, while accelerating / decelerating, the process proceeds to the final end of the target stripe region 20 and decelerates at an acceleration G until the speed at the final end (right end) of the stripe region 20 becomes zero. The stage speed distribution calculation unit 66 creates (calculates) such a stage speed distribution E1. The stage speed distribution created for each stripe is stored in the storage device 144, for example.

ショットデータ生成工程（Ｓ１３２）として、ショットデータ生成部６４は、ショット順に、ショット図形が照射される位置（座標）、ショット図形の図形種（図形コード）、ショット図形のサイズ、及びショット図形の照射時間を定義するショットデータを生成する。例えば、照射時間については、別のファイルで作成しても好適である。生成されたショットデータは、例えば記憶装置１４４に格納される。照射時間の演算方法は従来と同様で構わない。例えば、近接効果補正等を行った照射量に相当する時間に設定すると好適である。   As the shot data generation step (S132), the shot data generation unit 64, in the shot order, the position (coordinates) where the shot graphic is irradiated, the graphic type of the shot graphic (graphic code), the size of the shot graphic, and the irradiation of the shot graphic. Generate shot data defining time. For example, the irradiation time is preferably created in a separate file. The generated shot data is stored in the storage device 144, for example. The calculation method of irradiation time may be the same as the conventional method. For example, it is preferable to set the time corresponding to the irradiation amount for which proximity effect correction or the like has been performed.

描画（ステージ駆動）工程（Ｓ１５０）として、描画制御部６８による制御のもと、ステージ制御回路１２０（ステージ制御部）は、最大ステージ速度（ここでは、上限速度Ｃ１）を超えないように、−ｘ方向へのＸＹステージ１０５の移動を制御する。そして、描画制御部６８による制御のもと、制御回路１３０は、記憶装置１４４からショットデータを読み出し、ショットデータに沿って描画部１５０を制御する。描画部１５０は、ストライプ領域長さＬに応じて可変に設定された最大ステージ速度（ここでは、上限速度Ｃ１）を超えないようにＸＹステージ１０５が−ｘ方向に移動している状態で、電子ビーム２００を用いて、チップ１２のチップデータに定義される図形パターンを試料１０１に描画する。描画部１５０は、具体的には以下のように動作する。   As a drawing (stage driving) step (S150), under the control of the drawing control unit 68, the stage control circuit 120 (stage control unit) is controlled so as not to exceed the maximum stage speed (here, the upper limit speed C1). Controls the movement of the XY stage 105 in the x direction. Then, under the control of the drawing control unit 68, the control circuit 130 reads the shot data from the storage device 144 and controls the drawing unit 150 along the shot data. The drawing unit 150 moves the XY stage 105 in the −x direction so as not to exceed the maximum stage speed (here, the upper limit speed C1) variably set according to the stripe region length L. Using the beam 200, a graphic pattern defined in the chip data of the chip 12 is drawn on the sample 101. Specifically, the drawing unit 150 operates as follows.

電子銃２０１（放出源）から放出された電子ビーム２００は、照明レンズ２０２により矩形の穴を持つ第１のアパーチャ２０３全体を照明する。ここで、電子ビーム２００をまず矩形に成形する。そして、第１のアパーチャ２０３を通過した第１のアパーチャ像の電子ビーム２００は、投影レンズ２０４により第２のアパーチャ２０６上に投影される。偏向器２０５によって、かかる第２のアパーチャ２０６上での第１のアパーチャ像は偏向制御され、ビーム形状と寸法を変化させる（可変成形させる）ことができる。そして、第２のアパーチャ２０６を通過した第２のアパーチャ像の電子ビーム２００は、対物レンズ２０７により焦点を合わせ、主偏向器２０８及び副偏向器２０９によって偏向され、連続的に移動するＸＹステージ１０５に配置された試料１０１の所望する位置に照射される。図１では、位置偏向に、主副２段の多段偏向を用いた場合を示している。かかる場合には、主偏向器２０８でＳＦ３０の基準位置Ａにステージ移動に追従しながら該当ショットの電子ビーム２００を偏向し、副偏向器２０９でＳＦ３０内の各照射位置にかかる該当ショットのビームを偏向すればよい。   The electron beam 200 emitted from the electron gun 201 (emission source) illuminates the entire first aperture 203 having a rectangular hole by the illumination lens 202. Here, the electron beam 200 is first shaped into a rectangle. Then, the electron beam 200 of the first aperture image that has passed through the first aperture 203 is projected onto the second aperture 206 by the projection lens 204. The deflector 205 controls the deflection of the first aperture image on the second aperture 206, and can change (variably shape) the beam shape and dimensions. The electron beam 200 of the second aperture image that has passed through the second aperture 206 is focused by the objective lens 207, deflected by the main deflector 208 and the sub deflector 209, and continuously moved. The desired position of the sample 101 arranged in the above is irradiated. FIG. 1 shows a case in which multi-stage deflection of main and sub two stages is used for position deflection. In such a case, the main deflector 208 deflects the electron beam 200 of the corresponding shot while following the stage movement to the reference position A of the SF 30, and the sub deflector 209 deflects the beam of the corresponding shot applied to each irradiation position in the SF 30. Just deflect it.

図９は、実施の形態１における効果を説明するための図である。図９では、ストライプ領域長さＬが小さいチップ１２の一例を描画する場合の最大ステージ速度Ｖ’を示す図である。図４で説明したように、ストライプ領域長さＬが小さいほど、最大ステージ速度Ｖ’を小さくした方が結果的に描画時間を短縮できる。言い換えれば、実施の形態１の効果は、最適ステージ速度が駆動上限速度Ａ１よりも小さくなるストライプ領域長さＬのチップ１２を描画する場合に、特に、効果的と言える。さらに、パターン密度が粗の領域では、特に効果的である。   FIG. 9 is a diagram for explaining the effect in the first embodiment. FIG. 9 is a diagram showing the maximum stage speed V ′ when an example of the chip 12 having a small stripe region length L is drawn. As described in FIG. 4, as the stripe region length L is smaller, the drawing time can be shortened as a result of decreasing the maximum stage speed V ′. In other words, the effect of the first embodiment can be said to be particularly effective when the chip 12 having the stripe region length L in which the optimum stage speed is smaller than the drive upper limit speed A1 is drawn. Further, it is particularly effective in a region where the pattern density is coarse.

以上のように、実施の形態１によれば、ストライプ領域長さによっては、最大ステージ速度が駆動上限速度Ａ１よりも小さくなる場合があるが、最大ステージ速度をあえて小さくしても描画時間を短縮できる。   As described above, according to the first embodiment, the maximum stage speed may be lower than the drive upper limit speed A1 depending on the stripe region length, but the drawing time is shortened even if the maximum stage speed is intentionally reduced. it can.

実施の形態２．
実施の形態１では、ストライプ領域長さＬをチップ１２のステージ移動方向（−ｘ方向）サイズとしたが、これに限るものではない。実施の形態２では、さらに詳細にストライプ領域長さＬを設定することで、さらに、最適なステージ速度を可変に求める。描画装置１００の構成は図１と同様で構わない。また、以下、特に説明する点以外の内容は、実施の形態１と同様である。 Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment, the stripe area length L is set to the stage moving direction (−x direction) size of the chip 12, but the present invention is not limited to this. In the second embodiment, the optimum stage speed is further variably obtained by setting the stripe region length L in more detail. The configuration of the drawing apparatus 100 may be the same as in FIG. Further, the contents other than those specifically described below are the same as those in the first embodiment.

図１０は、実施の形態２における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図１０において、実施の形態２における描画方法は、駆動上限速度Ａ１取得工程（Ｓ１０２）と、チップマージ工程（Ｓ１０４）と、ショット分割工程（Ｓ１２０）と、コンパートメントショット数演算工程（Ｓ１２２）と、ストライプ領域長さ演算工程（Ｓ１２６）と、可変上限速度Ｂ２演算工程（Ｓ１２８）と、上限速度Ｃ２選択工程（Ｓ１２９）と、ショットデータ生成工程（Ｓ１３２）と、ステージ速度分布Ｅ２演算工程（Ｓ１４０）と、描画（ステージ駆動）工程（Ｓ１５０）と、いう一連の工程を実施する。   FIG. 10 is a flowchart showing main steps of the drawing method according to the second embodiment. In FIG. 10, the drawing method in the second embodiment includes a drive upper limit speed A1 acquisition step (S102), a chip merge step (S104), a shot division step (S120), a compartment shot number calculation step (S122), Stripe area length calculation step (S126), variable upper limit speed B2 calculation step (S128), upper limit speed C2 selection step (S129), shot data generation step (S132), stage speed distribution E2 calculation step (S140) Then, a series of steps called drawing (stage driving) step (S150) is performed.

駆動上限速度Ａ１取得工程（Ｓ１０２）と、チップマージ工程（Ｓ１０４）と、ショット分割工程（Ｓ１２０）と、コンパートメントショット数演算工程（Ｓ１２２）と、の各工程の内容は、実施の形態１と同様である。   The contents of each of the drive upper limit speed A1 acquisition step (S102), the chip merge step (S104), the shot division step (S120), and the compartment shot number calculation step (S122) are the same as in the first embodiment. It is.

ストライプ領域長さ演算工程（Ｓ１２６）として、長さ演算部５２は、ストライプ領域長さＬとして、チップ１２を仮想分割したストライプ領域２０のｘ方向サイズよりも小さいサイズを演算する。   In the stripe area length calculation step (S126), the length calculation unit 52 calculates a size smaller than the size in the x direction of the stripe area 20 obtained by virtually dividing the chip 12 as the stripe area length L.

図１１は、実施の形態２におけるストライプ領域長さの一例を示す図である。図１１に示すように、ストライプ領域２０には、複数のショット図形３２が照射される。しかし、最初のショット図形が描画される位置が、対象のストライプ領域２０の左端とは限らない。ショット図形は、通常、ストライプ領域２０の内部に描画されるのであって、左端及び右端には描画されない。そこで、実施の形態２では、ストライプ領域長さＬをチップ１２のｘ方向幅で定義するのではなく、描画する際のＸＹステージ１０５の移動方向における、複数のストライプ領域２０のうちの当該ストライプ領域２０内の描き始めのビームのショット（ショット図形３２ａ）と描き終わりのビームのショット（ショット図形３２ｂ）との間のｘ方向（−ｘ方向）（第２の方向）の距離で定義する。既にショット分割工程（Ｓ１２０）において各ショット図形が対応するＳＦ３０に割り当てられているので、描き始めのビームのショット（ショット図形３２ａ）と描き終わりのビームのショット（ショット図形３２ｂ）の位置がわかる。よって、長さ演算部５２は、ストライプ領域長さＬ’として、当該ストライプ領域２０内の描き始めのビームのショット（ショット図形３２ａ）と描き終わりのビームのショット（ショット図形３２ｂ）との間のｘ方向（−ｘ方向）（第２の方向）の距離を演算する。   FIG. 11 is a diagram showing an example of the stripe region length in the second embodiment. As shown in FIG. 11, a plurality of shot figures 32 are irradiated on the stripe region 20. However, the position where the first shot graphic is drawn is not necessarily the left end of the target stripe region 20. The shot figure is usually drawn inside the stripe region 20 and is not drawn at the left end and the right end. Therefore, in the second embodiment, the stripe region length L is not defined by the width of the chip 12 in the x direction, but the stripe region of the plurality of stripe regions 20 in the moving direction of the XY stage 105 at the time of drawing. 20 is defined by the distance in the x direction (−x direction) (second direction) between the shot of the first beam (shot figure 32a) and the last shot of the beam (shot figure 32b). Since each shot figure has already been assigned to the corresponding SF 30 in the shot division step (S120), the position of the shot of the first beam (shot figure 32a) and the last shot of the beam (shot figure 32b) can be known. Therefore, the length calculation unit 52 sets the stripe region length L ′ between the first shot of the beam (shot figure 32a) and the last shot of the beam (shot figure 32b) in the stripe region 20. The distance in the x direction (−x direction) (second direction) is calculated.

図１２は、実施の形態２におけるストライプ領域長さの他の一例を示す図である。上述したように、既にショット分割工程（Ｓ１２０）において各ショット図形が対応するＳＦ３０に割り当てられている。よって、長さ演算部５２は、ストライプ領域長さＬ’として、当該ストライプ領域２０内の描き始めのビームのショット（ショット図形３２）が配置されるＳＦ３０ａと描き終わりのビームのショット（ショット図形３２）が配置されるＳＦ３０ｂとの間のｘ方向（−ｘ方向）（第２の方向）の距離を演算しても好適である。ＳＦ３０間の距離は、例えば、ＳＦ３０の中心位置間の距離としても好適である。ＳＦ３０自体が非常に小さいので、ストライプ領域長さＬ’として、ＳＦ３０間の距離を用いても、チップ１２のｘ方向幅で定義する場合よりも十分高精度な値を得ることができる。   FIG. 12 shows another example of the stripe region length in the second embodiment. As described above, each shot figure has already been assigned to the corresponding SF 30 in the shot division step (S120). Therefore, the length calculation unit 52 sets the SF 30a in which the shot of the first beam to be drawn (shot figure 32) in the stripe area 20 is arranged and the shot of the last beam (shot figure 32) as the stripe area length L ′. It is also preferable to calculate the distance in the x direction (−x direction) (second direction) from the SF 30b in which is disposed. The distance between SF30 is suitable also as a distance between the center positions of SF30, for example. Since the SF 30 itself is very small, even if the distance between the SFs 30 is used as the stripe region length L ′, a value with sufficiently high accuracy can be obtained as compared with the case where the width in the x direction of the chip 12 is defined.

可変上限速度Ｂ２演算工程（Ｓ１２８）として、可変上限速度演算部５４（最大ステージ速度演算部）は、演算されたストライプ領域長さＬ’に応じて−ｘ方向（第２の方向）にＸＹステージ１０５が移動する場合のＸＹステージ１０５の最大ステージ速度Ｂ２を可変に演算する。具体的には、可変上限速度演算部５４は、記憶装置１４２からＬ−Ｖデータを読み出し、Ｌ−Ｖデータを用いて取得されたストライプ領域長さＬ’に対応する最適ステージ速度Ｖを最大ステージ速度Ｂ２として演算する。   In the variable upper limit speed B2 calculation step (S128), the variable upper limit speed calculation unit 54 (maximum stage speed calculation unit) performs an XY stage in the −x direction (second direction) according to the calculated stripe region length L ′. The maximum stage speed B2 of the XY stage 105 when the 105 moves is variably calculated. Specifically, the variable upper limit speed calculation unit 54 reads the LV data from the storage device 142 and sets the optimum stage speed V corresponding to the stripe area length L ′ obtained using the LV data to the maximum stage. Calculated as speed B2.

上限速度Ｃ２選択工程（Ｓ１２９）として、選択部５６は、駆動上限速度Ａ１と最大ステージ速度Ｂ２とのうち、小さい方を上限速度Ｃ２として選択する。   In the upper limit speed C2 selection step (S129), the selection unit 56 selects the smaller one of the drive upper limit speed A1 and the maximum stage speed B2 as the upper limit speed C2.

ショットデータ生成工程（Ｓ１３２）の内容は、実施の形態１と同様である。   The contents of the shot data generation step (S132) are the same as those in the first embodiment.

ステージ速度分布Ｅ２演算工程（Ｓ１４０）として、ステージ速度分布演算部６６は、駆動上限速度Ａ１と最大ステージ速度Ｂ２とから選択された上限速度Ｃ２を用いて、複数のＣＰＭ領域２２を描画する場合のＸＹステージ１０５の速度分布Ｅ２を演算する。その他の内容は、実施の形態１と同様である。   As the stage speed distribution E2 calculation step (S140), the stage speed distribution calculation unit 66 draws a plurality of CPM regions 22 using the upper limit speed C2 selected from the drive upper limit speed A1 and the maximum stage speed B2. The speed distribution E2 of the XY stage 105 is calculated. Other contents are the same as those in the first embodiment.

描画（ステージ駆動）工程（Ｓ１５０）の内容は、実施の形態１と同様である。   The contents of the drawing (stage driving) step (S150) are the same as those in the first embodiment.

以上のように、実施の形態２によれば、ストライプ領域長さＬ’を実施の形態１よりも現実に即してより高精度な値にできる。その結果、さらに、高精度なステージ速度を得ることができ、描画時間の短縮につなげることができる。   As described above, according to the second embodiment, the stripe region length L ′ can be set to a more accurate value in accordance with the reality than in the first embodiment. As a result, a highly accurate stage speed can be obtained, and the drawing time can be shortened.

以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。   The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.

また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、描画装置１００を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。   In addition, although descriptions are omitted for parts and the like that are not directly required for the description of the present invention, such as a device configuration and a control method, a required device configuration and a control method can be appropriately selected and used. For example, although the description of the control unit configuration for controlling the drawing apparatus 100 is omitted, it goes without saying that the required control unit configuration is appropriately selected and used.

その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての荷電粒子ビーム描画装置及び方法は、本発明の範囲に包含される。   In addition, all charged particle beam writing apparatuses and methods that include elements of the present invention and that can be appropriately modified by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.

１０ 描画領域
１２ チップ
２０ ストライプ領域
２２ ＣＰＭ領域
３０ ＳＦ（サブフィールド）
３２ ショット図形
５０ 取得部
５２ 長さ演算部
５４ 可変上限速度演算部
５６ 選択部
５８ チップマージ処理部
５９ 領域分割部
６０ ショット分割部
６２ ショット数演算部
６４ ショットデータ生成部
６６ ステージ速度分布演算部
６８ 描画制御部
１００ 描画装置
１０１，３４０ 試料
１０２ 電子鏡筒
１０３ 描画室
１０５ ＸＹステージ
１１０ 制御計算機
１１２ メモリ
１２０ ステージ制御回路
１２２ ステージ駆動機構
１３０ 制御回路
１４０，１４２，１４４ 記憶装置
１５０ 描画部
１６０ 制御部
２００ 電子ビーム
２０１ 電子銃
２０２ 照明レンズ
２０３，４１０ 第１のアパーチャ
２０４ 投影レンズ
２０５ 偏向器
２０６，４２０ 第２のアパーチャ
２０７ 対物レンズ
２０８ 主偏向器
２０９ 副偏向器
３３０ 電子線
４１１ 開口
４２１ 可変成形開口
４３０ 荷電粒子ソース 10 Drawing area 12 Chip 20 Stripe area 22 CPM area 30 SF (subfield)
32 shot figure 50 acquisition unit 52 length calculation unit 54 variable upper limit speed calculation unit 56 selection unit 58 chip merge processing unit 59 area division unit 60 shot division unit 62 shot number calculation unit 64 shot data generation unit 66 stage velocity distribution calculation unit 68 Drawing control unit 100 Drawing device 101, 340 Sample 102 Electron barrel 103 Drawing chamber 105 XY stage 110 Control computer 112 Memory 120 Stage control circuit 122 Stage drive mechanism 130 Control circuit 140, 142, 144 Storage device 150 Drawing unit 160 Control unit 200 Electron beam 201 Electron gun 202 Illumination lenses 203 and 410 First aperture 204 Projection lens 205 Deflector 206 and 420 Second aperture 207 Objective lens 208 Main deflector 209 Sub deflector 330 Electron beam 411 Opening 421 Variable shaped opening 430 charged particle source

Claims (5)

試料を載置する、移動可能なステージと、
図形パターンが配置されるチップのチップデータを記憶する記憶装置と、
前記チップのチップ領域が第１の方向に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域の前記第１の方向と直交する第２の方向のストライプ領域長さに応じて前記第２の方向に前記ステージが移動する場合の前記ステージの最大ステージ速度を可変に演算する最大ステージ速度演算部と、
前記最大ステージ速度を超えないように、前記第２の方向への前記ステージの移動を制御するステージ制御部と、
前記ストライプ領域長さに応じて可変に設定された前記最大ステージ速度を超えないように前記ステージが前記第２の方向に移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、前記チップデータに定義される前記図形パターンを前記試料に描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。 A movable stage on which a sample is placed;
A storage device for storing chip data of the chip on which the graphic pattern is arranged;
The chip area of the chip according to the stripe area length in the second direction orthogonal to the first direction of the plurality of stripe areas virtually divided into strips with a predetermined width in the first direction. A maximum stage speed calculator for variably calculating the maximum stage speed of the stage when the stage moves in a second direction;
A stage controller for controlling movement of the stage in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed;
Defined in the chip data using a charged particle beam while the stage is moving in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed set variably according to the stripe region length A drawing unit for drawing the figure pattern to be drawn on the sample;
A charged particle beam drawing apparatus comprising: 前記記憶装置は、複数のチップのチップデータが記憶され、
前記複数のチップをマージ処理するマージ処理部をさらに備え、
前記ストライプ領域長さは、マージ処理されたチップの前記第２の方向の幅サイズに対応することを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。 The storage device stores chip data of a plurality of chips,
A merge processing unit for performing a merge process on the plurality of chips;
The charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the stripe region length corresponds to a width size of the merge-processed chip in the second direction. 前記ストライプ領域長さは、描画する際の前記ステージの移動方向における、前記複数のストライプ領域のうちの当該ストライプ領域内の描き始めのビームのショットと描き終わりのビームのショットとの間の前記第２の方向の距離で定義されることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。   The stripe region length is the first beam shot between the first beam shot and the last beam shot in the stripe region of the plurality of stripe regions in the moving direction of the stage when drawing. The charged particle beam drawing apparatus according to claim 1, wherein the charged particle beam drawing apparatus is defined by a distance in a direction of two. 前記複数のストライプ領域の各ストライプ領域は、前記第２の方向に所定の間隔で複数の小領域に分割され、
前記ストライプ領域長さに応じて可変に設定された前記最大ステージ速度を用いて、前記複数の小領域を描画する場合の前記ステージの速度分布を演算する速度分布演算部をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の荷電粒子ビーム描画装置。 Each stripe region of the plurality of stripe regions is divided into a plurality of small regions at a predetermined interval in the second direction,
The apparatus further comprises a speed distribution calculating unit that calculates the speed distribution of the stage when the plurality of small areas are drawn using the maximum stage speed variably set according to the stripe area length. The charged particle beam drawing apparatus according to claim 1. 図形パターンが配置されるチップのチップ領域が第１の方向に向かって所定の幅で短冊状に仮想分割された複数のストライプ領域の前記第１の方向と直交する第２の方向のストライプ領域長さに応じて前記第２の方向に試料を載置するステージが移動する場合の前記ステージの最大ステージ速度を可変に演算する工程と、
前記最大ステージ速度を超えないように、前記第２の方向へ前記ステージを移動させる工程と、
前記ストライプ領域長さに応じて可変に設定された前記最大ステージ速度を超えないように前記ステージが前記第２の方向に移動している状態で、荷電粒子ビームを用いて、前記チップデータに定義される前記図形パターンを前記試料に描画する工程と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。 The stripe region length in the second direction orthogonal to the first direction of the plurality of stripe regions in which the chip region of the chip on which the graphic pattern is arranged is virtually divided into strips with a predetermined width in the first direction A step of variably calculating the maximum stage speed of the stage when the stage on which the sample is placed is moved in the second direction according to
Moving the stage in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed;
Defined in the chip data using a charged particle beam while the stage is moving in the second direction so as not to exceed the maximum stage speed set variably according to the stripe region length Drawing the graphic pattern on the sample;
A charged particle beam drawing method comprising:

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