JP2018085392A - Substrate processing device - Google Patents
Substrate processing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018085392A JP2018085392A JP2016226354A JP2016226354A JP2018085392A JP 2018085392 A JP2018085392 A JP 2018085392A JP 2016226354 A JP2016226354 A JP 2016226354A JP 2016226354 A JP2016226354 A JP 2016226354A JP 2018085392 A JP2018085392 A JP 2018085392A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- nozzle
- gas supply
- substrate processing
- supply unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 236
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45574—Nozzles for more than one gas
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus.
複数枚の基板に成膜処理を行うバッチ式の基板処理装置では、複数枚の基板を収容する反応容器と、反応容器内にガスを供給するガス供給手段と、ガス供給手段に対向して反応容器内を排気する排気手段とが設けられている。 In a batch-type substrate processing apparatus that forms a film on a plurality of substrates, a reaction vessel that accommodates a plurality of substrates, a gas supply unit that supplies gas into the reaction vessel, and a reaction that faces the gas supply unit Exhaust means for exhausting the inside of the container is provided.
ガス供給手段を１つのラインで構成した場合、ガスの供給圧力が高い反応容器内の下部ほどガスの流量が多くなり、反応容器内でガスの供給にばらつきが生じる傾向がある。そのため、従来の基板処理装置では、ガス供給手段をガスの供給位置が異なる複数のガス供給ラインで構成することにより、反応容器内の上下で供給されるガスの流量が制御できるようになっている。 When the gas supply means is constituted by one line, the gas flow rate increases in the lower part in the reaction vessel where the gas supply pressure is higher, and the gas supply tends to vary in the reaction vessel. Therefore, in the conventional substrate processing apparatus, the flow rate of the gas supplied at the top and bottom in the reaction vessel can be controlled by configuring the gas supply means with a plurality of gas supply lines having different gas supply positions. .
例えば、特開２０１１−１８７８８４号公報（特許文献１）には、複数枚の基板を収容して処理する反応管と、反応管内にガスを供給する複数本のガスノズルと、反応管内のガスを排気するガス排気口とを備える基板処理装置が開示されている。また、特開２０１２−１５５３６号公報（特許文献２）には、複数枚の基板を収容して処理する処理室と、処理室内にガスを供給する複数のガス供給ラインと、処理室内に供給されたガスを排気する排気ラインとを備える基板処理装置が開示されている。 For example, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-187848 (Patent Document 1), a reaction tube that accommodates and processes a plurality of substrates, a plurality of gas nozzles that supply gas into the reaction tube, and a gas in the reaction tube are exhausted. A substrate processing apparatus including a gas exhaust port is disclosed. Japanese Patent Laid-Open No. 2012-15536 (Patent Document 2) discloses a processing chamber that accommodates and processes a plurality of substrates, a plurality of gas supply lines that supply gas into the processing chamber, and a processing chamber. A substrate processing apparatus including an exhaust line for exhausting the gas is disclosed.
しかしながら、特許文献１、２に記載された基板処理装置では、複数のガス供給ラインが設けられたガス供給領域と、該ガス供給領域に対向する排気口が設けられた排気領域との位置関係が反応容器内の上下で異なっている。そのため、基板間で各基板に供給されるガス濃度の分布に偏りが生じ、基板の面内および面間で成膜される膜厚が不均一になることが問題となっている。 However, in the substrate processing apparatuses described in Patent Documents 1 and 2, there is a positional relationship between a gas supply region provided with a plurality of gas supply lines and an exhaust region provided with an exhaust port facing the gas supply region. It is different between the upper and lower sides in the reaction vessel. For this reason, there is a problem in that the distribution of the gas concentration supplied to each substrate among the substrates is uneven, and the film thickness formed in the plane of the substrate and between the surfaces becomes non-uniform.
そこで、本発明の目的は、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる基板処理装置を提供することにある。 SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus that can suppress the deviation of the concentration distribution of the supply gas within and between the surfaces of the substrate.
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板処理装置は、複数の基板を収容可能に設けられ、該複数の基板を処理する処理容器と、前記処理容器内に設けられ、前記処理容器の周方向に並びかつ前記処理容器の長手方向に延び、前記処理容器内にガスを供給する複数のガスノズルと、前記処理容器内の前記複数のガスノズルと対向する位置に設けられ、前記処理容器内のガスを排気する排気部とを有し、前記ガスノズルは、前記処理容器の周方向に並ぶノズル基部と、前記ノズル基部に接続して前記処理容器内にガスを供給するガス供給部とを有し、前記複数のガスノズルは、前記処理容器内で最も下方に位置する第１のガス供給部を有する第１のガスノズルと、前記第１のガス供給部よりも上方に位置する第２のガス供給部を有する第２のガスノズルとを有し、前記第１のガス供給部と前記第２のガス供給部とが、前記処理容器の長手方向に一直線上に配置されるように、前記第２のガスノズルが形成されている。 In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention is provided so as to accommodate a plurality of substrates, a processing container for processing the plurality of substrates, a processing container provided in the processing container, and the processing A plurality of gas nozzles arranged in a circumferential direction of the container and extending in a longitudinal direction of the processing container and supplying gas into the processing container; and provided at positions facing the plurality of gas nozzles in the processing container; The gas nozzle includes a nozzle base arranged in a circumferential direction of the processing container, and a gas supply unit connected to the nozzle base and configured to supply gas into the processing container. And the plurality of gas nozzles include a first gas nozzle having a first gas supply part located at the lowest position in the processing container, and a second gas located above the first gas supply part. Has a supply section And the second gas nozzle is formed so that the first gas supply unit and the second gas supply unit are arranged in a straight line in the longitudinal direction of the processing container. Has been.
本発明の一態様によれば、面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる。 According to one embodiment of the present invention, it is possible to suppress a deviation in the concentration distribution of the supply gas in the plane and between the planes.
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において、共通する構成については、同一符号を付して説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In each figure, common components may be given the same reference numerals and description thereof may be omitted.
図１は、実施形態に係る基板処理装置の概略図である。図２は、図１の基板処理装置のガスノズルの一例を示す図である。図３は、図２のＡ−Ａ線断面図であり、図４は、図２のＢ−Ｂ線断面図であり、図５は、図２のＣ−Ｃ線断面図である。 FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to an embodiment. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a gas nozzle of the substrate processing apparatus of FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 2, FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 2, and FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line CC in FIG.
図１に示されるように、基板処理装置１は、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハＷ」という）を収容する処理容器３４と、処理容器３４の下端の開口部側を気密に塞ぐ蓋部３６と、複数枚のウエハＷを所定の間隔で保持して処理容器３４内に収容される基板保持具３８と、処理容器３４内へ所定のガスを導入するガス供給手段４０と、処理容器３４内のガスを排気する排気手段４１と、ウエハＷを加熱する加熱手段４２とを有している。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a processing container 34 that accommodates a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer W”) that is a substrate, and a lid that hermetically closes the opening side of the lower end of the processing container 34. 36, a substrate holder 38 that holds a plurality of wafers W at predetermined intervals and is accommodated in the processing container 34, a gas supply means 40 that introduces a predetermined gas into the processing container 34, and the processing container 34 It has an exhaust means 41 for exhausting the gas inside, and a heating means 42 for heating the wafer W.
半導体ウエハには、シリコン基板やＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮ等の化合物半導体基板が含まれる。また、これらの半導体基板に限定されず、液晶表示装置に用いられるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。 The semiconductor wafer includes a silicon substrate and a compound semiconductor substrate such as GaAs, SiC, or GaN. Further, the present invention is not limited to these semiconductor substrates, and the present invention can also be applied to glass substrates, ceramic substrates, and the like used in liquid crystal display devices.
処理容器３４は、下端部が開放された有天井の円筒形状の内管４４と、下端部が開放されて内管４４の外側を覆う有天井の円筒形状の外管４６とを有する。内管４４及び外管４６は、石英等の耐熱性材料により形成されており、同軸状に配置されて二重管構造となっている。 The processing container 34 includes a cylindrical inner tube 44 with a ceiling having a lower end opened and a cylindrical outer tube 46 with a ceiling having a lower end opened and covering the outer side of the inner tube 44. The inner tube 44 and the outer tube 46 are made of a heat-resistant material such as quartz, and are arranged coaxially to form a double tube structure.
内管４４の天井部は、例えば平坦になっている。内管４４の一側には、その長手方向（上下方向）に沿ってガスノズルを収容するノズル収容部４８が形成されている。この実施形態では、図３〜図５に示されるように、内管４４の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部５０を形成し、凸部５０内をノズル収容部４８として形成している。 The ceiling portion of the inner tube 44 is flat, for example. On one side of the inner tube 44, a nozzle accommodating portion 48 for accommodating a gas nozzle is formed along the longitudinal direction (vertical direction). In this embodiment, as shown in FIGS. 3 to 5, a part of the side wall of the inner tube 44 protrudes outward to form the convex part 50, and the inside of the convex part 50 is formed as the nozzle accommodating part 48. doing.
また、ノズル収容部４８に対向させて内管４４の反対側の側壁には、図３〜図５に示されるように、その長手方向（上下方向）に沿って矩形状の開口部５２が形成されている。 Further, as shown in FIGS. 3 to 5, a rectangular opening 52 is formed in the side wall opposite to the inner tube 44 so as to face the nozzle accommodating portion 48 along the longitudinal direction (vertical direction). Has been.
開口部５２は、内管４４内のガスを排気できるように形成されたガス排気口であり、本発明における排気部の一例である。開口部５２の長さは、基板保持具３８の長さと同じであるか、または、基板保持具３８の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成されている。即ち、開口部５２の上端は、基板保持具３８の上端に対応する位置以上の高さに延びて配置され、開口部５２の下端は、基板保持具３８の下端に対応する位置以下の高さに延びて配置されている。 The opening 52 is a gas exhaust port formed so that the gas in the inner pipe 44 can be exhausted, and is an example of the exhaust part in the present invention. The length of the opening 52 is the same as the length of the substrate holder 38 or is formed so as to extend in the vertical direction longer than the length of the substrate holder 38. In other words, the upper end of the opening 52 is arranged to extend to a height equal to or higher than the position corresponding to the upper end of the substrate holder 38, and the lower end of the opening 52 is lower than the position corresponding to the lower end of the substrate holder 38. It extends and is arranged.
なお、この例では、本発明における排気部は、処理容器３４の内管４４の、後述するガスノズルと対向する位置に設けられた開口部５２（ガス排気口）として構成されているが、この構成に限定されるものではない。例えば、処理容器３４の内管４４の内側の、後述するガスノズルと対向する位置に図示しない遠心ファンを設け、さらに内管４４の天井部に図示しない開口部を設けることにより、各ガス孔７６Ａ〜８１Ａから遠心ファンに向かって水平方向にガスを放出し、遠心ファンから内管４４の天井部に設けられた開口部に向かって排気されるガスを流す構成にしてもよい。 In this example, the exhaust part in the present invention is configured as an opening 52 (gas exhaust port) provided at a position facing an after-mentioned gas nozzle of the inner tube 44 of the processing vessel 34. It is not limited to. For example, by providing a centrifugal fan (not shown) inside the inner tube 44 of the processing container 34 at a position facing a gas nozzle (described later) and further providing an opening (not shown) on the ceiling of the inner tube 44, each gas hole 76A- The gas may be discharged horizontally from 81A toward the centrifugal fan, and the gas exhausted from the centrifugal fan toward the opening provided in the ceiling portion of the inner tube 44 may be flowed.
処理容器３４の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円筒形状のマニホールド５４によって支持されている。マニホールド５４の上端部にはフランジ部５６が形成されており、フランジ部５６上に外管４６の下端部を設置して支持するようになっている。フランジ部５６と外管４６との下端部との間にはＯリング等の図示しないシール部材を介在させて外管４６内を気密状態にしている。 The lower end of the processing vessel 34 is supported by a cylindrical manifold 54 formed of, for example, stainless steel. A flange portion 56 is formed at the upper end portion of the manifold 54, and the lower end portion of the outer tube 46 is installed and supported on the flange portion 56. A seal member (not shown) such as an O-ring is interposed between the flange portion 56 and the lower end portion of the outer tube 46 so that the outer tube 46 is hermetically sealed.
マニホールド５４の上部の内壁には、リング状の支持部６０が設けられており、図示しない支持部上に内管４４の下端部を設置してこれを支持するようになっている。マニホールド５４の下端の開口部には、蓋部３６がＯリング等の図示しないシール部材を介して気密に取り付けられており、処理容器３４の下端の開口部側、即ち、マニホールド５４の開口部を気密に塞ぐようになっている。蓋部３６は、例えばステンレス鋼により形成される。 A ring-shaped support portion 60 is provided on the inner wall of the upper portion of the manifold 54, and a lower end portion of the inner tube 44 is installed on a support portion (not shown) to support it. A lid 36 is airtightly attached to an opening at the lower end of the manifold 54 via a seal member (not shown) such as an O-ring. It is designed to be airtight. The lid part 36 is made of, for example, stainless steel.
蓋部３６の中央部には、磁性流体シール部６４を介して回転軸６６が貫通させて設けられている。回転軸６６の下部は、ボートエレベータよりなる昇降手段６８のアーム６８Ａに回転自在に支持されており、図示しないモータ６９によって回転されるようになっている。 A rotating shaft 66 is provided through the central portion of the lid portion 36 via a magnetic fluid seal portion 64. A lower portion of the rotation shaft 66 is rotatably supported by an arm 68A of a lifting / lowering means 68 made of a boat elevator, and is rotated by a motor 69 (not shown).
回転軸６６の上端には回転プレート７０が設けられており、回転プレート７０上に石英製の保温台７２を介してウエハＷを保持する基板保持具３８が載置されるようになっている。従って、昇降手段６８を昇降させることによって蓋部３６と基板保持具３８とは一体的に上下動し、基板保持具３８を処理容器３４内に対して挿脱できるようになっている。 A rotating plate 70 is provided at the upper end of the rotating shaft 66, and a substrate holder 38 for holding the wafer W is placed on the rotating plate 70 via a quartz heat insulating table 72. Therefore, the lid 36 and the substrate holder 38 are moved up and down integrally by moving the elevating means 68 up and down, so that the substrate holder 38 can be inserted into and removed from the processing container 34.
ガス供給手段４０は、マニホールド５４に設けられており、内管４４内へ処理ガス、パージガス等のガスを導入する。ガス供給手段４０は、複数本（例えば６本）の石英製のガスノズル７６〜８１を有している。各ガスノズル７６〜８１は、内管４４内にその長手方向に沿って設けられると共に、その基端部がＬ字状に屈曲されてマニホールド５４を貫通するようにして支持されている。 The gas supply means 40 is provided in the manifold 54 and introduces a gas such as a processing gas or a purge gas into the inner pipe 44. The gas supply means 40 includes a plurality of (for example, six) quartz gas nozzles 76 to 81. Each of the gas nozzles 76 to 81 is provided in the inner tube 44 along the longitudinal direction thereof, and is supported so that a base end portion thereof is bent in an L shape and penetrates the manifold 54.
ガスノズル７６〜８１は、図３〜図５に示されるように、内管４４のノズル収容部４８内に周方向に沿って一列になるように設置されている。各ガスノズル７６〜８１には、その長手方向に沿って所定の間隔で複数のガス孔７６Ａ〜８１Ａが形成されており、各ガス孔７６Ａ〜８１Ａより水平方向に向けて各ガスを放出できるようになっている。所定の間隔は、例えば基板保持具３８に支持されるウエハＷの間隔と同じになるように設定される。 As shown in FIGS. 3 to 5, the gas nozzles 76 to 81 are installed in a row along the circumferential direction in the nozzle accommodating portion 48 of the inner tube 44. Each gas nozzle 76-81 is formed with a plurality of gas holes 76A-81A at predetermined intervals along the longitudinal direction so that each gas can be discharged in the horizontal direction from each gas hole 76A-81A. It has become. For example, the predetermined interval is set to be the same as the interval of the wafers W supported by the substrate holder 38.
また、高さ方向の位置は、各ガス孔７６Ａ〜８１Ａが上下方向に隣り合うウエハＷ間の中間に位置するように設定されており、各ガスをウエハＷ間の空間部に効率的に供給できるようになっている。 The position in the height direction is set so that the gas holes 76A to 81A are located in the middle between the wafers W adjacent in the vertical direction, and each gas is efficiently supplied to the space between the wafers W. It can be done.
ガスの種類としては、原料ガス、酸化ガス及びパージガスが用いられ、各ガスを流量制御しながら必要に応じて各ガスノズル７６〜８１を介して供給できるようになっている。原料ガスとしてシリコン含有ガスを用い、酸化ガスとしてオゾン（Ｏ３）ガスを用い、パージガスとして窒素（Ｎ２）ガスを用い、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法によりシリコン酸化膜を形成できるようになっている。なお、用いるガスの種類は成膜する膜の種類に応じて適宜選択することができる。ＡＬＤ法を用いる場合を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではなく、例えばＣＶＤ法を用いる場合にも本発明を適用することができる。 As the types of gas, raw material gas, oxidizing gas, and purge gas are used, and each gas can be supplied through the gas nozzles 76 to 81 as needed while controlling the flow rate. A silicon oxide film can be formed by an atomic layer deposition (ALD) method using a silicon-containing gas as a source gas, ozone (O 3 ) gas as an oxidizing gas, and nitrogen (N 2 ) gas as a purge gas. It is like that. Note that the type of gas to be used can be appropriately selected according to the type of film to be formed. Although the case where the ALD method is used has been described as an example, the present invention is not limited to this. For example, the present invention can also be applied to the case where the CVD method is used.
また、本実施形態では、プラズマを用いない成膜処理が行われるが、これに限定されるものではなく、プラズマを用いた成膜処理を行う場合にも本発明を適用することができる。この場合には、例えばノズル収容部４８を区画する凸部５０の区画壁の外側に、その長手方向に沿ってプラズマ発生用の高周波電力を印加する電力板を設けてプラズマを発生させるようにする。 In this embodiment, the film forming process without using plasma is performed. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to the case where the film forming process using plasma is performed. In this case, for example, a plasma is generated by providing a power plate that applies high-frequency power for plasma generation along the longitudinal direction outside the partition wall of the convex portion 50 that partitions the nozzle accommodating portion 48. .
支持部６０の上方には、マニホールド５４の上部の側壁に形成されたガス出口８２が設けられている。ガス出口８２は、内管４４と外管４６との間の空間部８４を介して開口部５２より排出される内管４４内のガスを排気できるように構成されている。ガス出口８２には、排気手段４１が設けられる。排気手段４１は、ガス出口８２に接続された排気通路８６を有しており、排気通路８６には、圧力調整弁８８及び真空ポンプ９０が順次介設されて、処理容器３４内を真空引きできるようになっている。 A gas outlet 82 formed in the upper side wall of the manifold 54 is provided above the support portion 60. The gas outlet 82 is configured to be able to exhaust the gas in the inner tube 44 that is discharged from the opening 52 via the space 84 between the inner tube 44 and the outer tube 46. An exhaust means 41 is provided at the gas outlet 82. The exhaust means 41 has an exhaust passage 86 connected to the gas outlet 82, and a pressure regulating valve 88 and a vacuum pump 90 are sequentially provided in the exhaust passage 86 so that the inside of the processing vessel 34 can be evacuated. It is like that.
外管４６の外周側には、外管４６を覆うように円筒形状の加熱手段４２が設けられており、ウエハＷを加熱するようになっている。 A cylindrical heating means 42 is provided on the outer peripheral side of the outer tube 46 so as to cover the outer tube 46 so as to heat the wafer W.
なお、基板処理装置１の全体の動作は、例えばコンピュータ等よりなる制御手段１１０により制御されるようになっており、この動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体１１２に記憶されている。記憶媒体１１２は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等よりなる。 Note that the overall operation of the substrate processing apparatus 1 is controlled by a control unit 110 made of, for example, a computer, and a computer program for performing this operation is stored in the storage medium 112. The storage medium 112 includes, for example, a flexible disk, a compact disk, a hard disk, a flash memory, a DVD, and the like.
本実施形態では、図２示すように、ガスノズル７６〜８１は、ノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂとガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃとを有する。ノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂは、処理容器３４の周方向に並んで配置されている。ノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂの内部は、処理容器３４内に供給されるガスが通過する。 In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the gas nozzles 76 to 81 include nozzle base portions 76 </ b> B to 81 </ b> B and gas supply portions 76 </ b> C to 81 </ b> C. The nozzle bases 76 </ b> B to 81 </ b> B are arranged side by side in the circumferential direction of the processing container 34. The gas supplied into the processing container 34 passes through the nozzle bases 76B to 81B.
ガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃは、ノズル基部７６Ｂ〜８１Ｂに一体に接続され、処理容器内にガスを供給する。ガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃには、処理容器３４内にガスを供給するガス孔７６Ａ〜８１Ａが設けられている。ガス孔７６Ａ〜８１Ａは、ガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃに複数（例えば図２では５個）の孔で形成されている。このような複数のガス孔を設けることにより、処理容器３４内にガスを均一に供給することができる。なお、本実施形態では、１つのガスノズルに複数のガス孔が設けられているが、ガス孔を構成する孔の数は、複数に限定されるものではなく、処理容器３４内にガスを供給できる限り、１つのガスノズルに１つの孔で形成されていてもよい。 The gas supply units 76C to 81C are integrally connected to the nozzle bases 76B to 81B and supply gas into the processing container. Gas holes 76 </ b> A to 81 </ b> A for supplying gas into the processing container 34 are provided in the gas supply units 76 </ b> C to 81 </ b> C. The gas holes 76A to 81A are formed by a plurality of (for example, five in FIG. 2) holes in the gas supply units 76C to 81C. By providing such a plurality of gas holes, the gas can be uniformly supplied into the processing vessel 34. In the present embodiment, a plurality of gas holes are provided in one gas nozzle, but the number of holes constituting the gas holes is not limited to a plurality, and gas can be supplied into the processing vessel 34. As long as one hole is formed in one gas nozzle.
ガスノズル７６〜８１のうち、ガスノズル７６、７７は、ガス供給部７６Ｃ、７７Ｃが処理容器３４内で最も下方に配置されている。また、ガスノズル７８、７９は、ガス供給部７８Ｃ、７９Ｃがガスノズル７６、７７のガス供給部７６Ｃ、７７Ｃの上方に配置されている。さらに、ガスノズル８０、８１は、ガス供給部８０Ｃ、８１Ｃがガスノズル７８、７９のガス供給部７８Ｃ、７９Ｃの上方に配置されている。 Among the gas nozzles 76 to 81, the gas nozzles 76 and 77 have the gas supply portions 76 </ b> C and 77 </ b> C arranged at the lowest position in the processing container 34. In the gas nozzles 78 and 79, the gas supply parts 78C and 79C are arranged above the gas supply parts 76C and 77C of the gas nozzles 76 and 77, respectively. Further, in the gas nozzles 80 and 81, the gas supply parts 80C and 81C are arranged above the gas supply parts 78C and 79C of the gas nozzles 78 and 79, respectively.
そして、ガス供給部７６Ｃ、７８Ｃ、８０Ｃは、図２〜図５に示されるように、処理容器３４の長手方向（鉛直方向）に一直線上に並んで配置されている。また、ガス供給部７７Ｃ、７９Ｃ、８１Ｃは、処理容器３４の長手方向（鉛直方向）に一直線上に配置されている。 And gas supply part 76C, 78C, 80C is arrange | positioned along with the longitudinal direction (vertical direction) of the process container 34 along with the straight line, as FIG. 2-5 shows. Further, the gas supply units 77C, 79C, 81C are arranged in a straight line in the longitudinal direction (vertical direction) of the processing container 34.
このような構成では、ガスノズル７６、７８、８０のガス供給部７６Ｃ、７８Ｃ、８０Ｃは、処理容器３４内の下層、中層、上層に亘って一列に並んで配置されるため、同一ラインで構成したものと同じ構成になる。また、ガスノズル７７、７９、８１のガス供給部７７Ｃ、７９Ｃ、８１Ｃも、処理容器３４内の下層、中層、上層に亘って一列に並んで配置され、同一ラインで構成されたものと同じ構成になる。 In such a configuration, the gas supply portions 76C, 78C, and 80C of the gas nozzles 76, 78, and 80 are arranged in a line across the lower layer, the middle layer, and the upper layer in the processing vessel 34, and thus are configured in the same line. It becomes the same composition as a thing. Further, the gas supply portions 77C, 79C, 81C of the gas nozzles 77, 79, 81 are also arranged in a line over the lower layer, middle layer, and upper layer in the processing vessel 34, and have the same configuration as that configured by the same line. Become.
この構成により、ガスを供給するガス供給領域と、該領域に対向して設けられたガスを排気する排気領域とを処理容器３４内の上下で同じ位置関係にすることができる。そのため、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができる。その結果、基板の面内および面間で成膜される膜厚を均一にすることができる。 With this configuration, the gas supply region for supplying the gas and the exhaust region for exhausting the gas provided facing the region can be in the same positional relationship in the upper and lower sides in the processing container 34. Therefore, it is possible to suppress a deviation in the concentration distribution of the supply gas within and between the surfaces of the substrate. As a result, the film thickness formed in the plane of the substrate and between the planes can be made uniform.
本実施形態では、ガスノズル７６〜８１は、ノズル収容部４８に収容されているが、図３〜図５に示すように、ノズル収容部の幅寸法は、ガス排気口を構成する開口部５２の幅寸法よりも広くなっている。そのため、従来のガスノズル（図１０〜１３に示すガスノズル７６〜８１）の場合、ノズル収容部に対応するガス供給領域と、開口部５２が設けられた排気領域との位置関係が処理容器３４内の上下で異なるものとなり、基板間で各基板に供給されるガス濃度の分布に偏りが生じる。 In this embodiment, the gas nozzles 76 to 81 are accommodated in the nozzle accommodating portion 48, but as shown in FIGS. 3 to 5, the width dimension of the nozzle accommodating portion is that of the opening 52 constituting the gas exhaust port. It is wider than the width dimension. Therefore, in the case of the conventional gas nozzles (gas nozzles 76 to 81 shown in FIGS. 10 to 13), the positional relationship between the gas supply region corresponding to the nozzle accommodating portion and the exhaust region provided with the opening 52 is in the processing container 34. It becomes different in the upper and lower sides, and the distribution of the gas concentration supplied to each substrate is biased between the substrates.
これに対して、本実施形態のようにガス供給部が同一ラインで構成されたものと同じ構成を有するガスノズルを用いることにより、ガスを供給するガス供給領域と、該領域に対向して設けられたガスを排気する排気領域とを処理容器３４内の上下で確実に同じ位置関係にすることができる。そのため、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを確実に抑制することができ、基板の面内および面間で成膜される膜厚が不均一になるのを確実に抑制することができる。 On the other hand, by using a gas nozzle having the same configuration as that in which the gas supply unit is configured in the same line as in the present embodiment, a gas supply region for supplying gas and a region opposite to the gas supply region are provided. It is possible to ensure that the exhaust gas exhaust region for exhausting the gas has the same positional relationship in the upper and lower portions in the processing container 34. Therefore, it is possible to reliably suppress the deviation of the concentration distribution of the supply gas in the plane of the substrate and between the planes, and it is possible to reliably prevent the film thickness formed in the plane of the substrate and between the planes from becoming uneven. can do.
また、図２に示すように、ガスノズル７６〜８１のうち、ガスノズル７６、７７のノズル基部７６Ｂ、７７Ｂは、直線状に形成されてガス供給部７６Ｃ、７７Ｃに一体に接続されている。これに対して、ガスノズル７８〜８１のノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂは、ガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃに接続する側の端部がＬ字状に形成されている。言い換えると、ノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂは、端部が折れ曲がった状態でガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの下端に接続されている。 2, among the gas nozzles 76 to 81, the nozzle base portions 76B and 77B of the gas nozzles 76 and 77 are formed in a straight line and are integrally connected to the gas supply portions 76C and 77C. On the other hand, the nozzle bases 78B to 81B of the gas nozzles 78 to 81 have L-shaped ends on the side connected to the gas supply parts 78C to 81C. In other words, the nozzle bases 78B to 81B are connected to the lower ends of the gas supply units 78C to 81C in a state where the ends are bent.
このようにノズル基部７８Ｂ〜８１ＢがＬ字状の端部を介してガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃに接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを防ぐことができる。そのため、各ガスノズルが破損するのを防ぐことができ、またガスノズルの取付け作業が容易になる。 In this way, the nozzle bases 78B to 81B are connected to the gas supply units 78C to 81C via the L-shaped end portions, thereby preventing the upper gas nozzle from interfering with the lower gas nozzle. it can. Therefore, it is possible to prevent each gas nozzle from being damaged, and it is easy to attach the gas nozzle.
また、図６は、本実施形態で用いられるガスノズルの他の一例（変形例１）を示す図である。図６に示すように、ガスノズル７８〜８１のノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂは、端部が折り返された状態でガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの上端に接続されている。このようにノズル基部７８Ｂ〜８１ＢがＬ字状の端部がガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの上端に接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを確実に防ぐことができる。 Moreover, FIG. 6 is a figure which shows another example (modification 1) of the gas nozzle used by this embodiment. As shown in FIG. 6, the nozzle bases 78 </ b> B to 81 </ b> B of the gas nozzles 78 to 81 are connected to the upper ends of the gas supply units 78 </ b> C to 81 </ b> C with their ends folded back. Thus, the L-shaped end of the nozzle bases 78B to 81B is connected to the upper ends of the gas supply units 78C to 81C, thereby reliably preventing the upper gas nozzle from interfering with the lower gas nozzle. be able to.
また、図７は、本実施形態で用いられるガスノズルのさらに他の一例（変形例２）を示す図である。図７に示すように、ガスノズル７８〜８１のノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂは、端部が折れ曲がった状態でガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの中央部に接続されている。ノズル基部７８Ｂ〜８１ＢのＬ字状の端部がガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの中央部に接続されることにより、下方側のガスノズルに対して上方側のガスノズルが干渉するのを防ぎながら、同時に、図６に示すガス供給部７８Ｃ〜８１Ｃの上端に接続する場合に比べて、ノズル基部７８Ｂ〜８１Ｂを短くすることができる。 Moreover, FIG. 7 is a figure which shows another example (modification 2) of the gas nozzle used by this embodiment. As shown in FIG. 7, the nozzle bases 78 </ b> B to 81 </ b> B of the gas nozzles 78 to 81 are connected to the central portions of the gas supply units 78 </ b> C to 81 </ b> C with their ends bent. By connecting the L-shaped end portions of the nozzle base portions 78B to 81B to the central portion of the gas supply portions 78C to 81C, while preventing the upper gas nozzle from interfering with the lower gas nozzle, Compared with the case where it connects to the upper end of gas supply part 78C-81C shown in FIG. 6, nozzle base part 78B-81B can be shortened.
なお、ガスノズル７６、７７、ガス孔７６Ａ、７７Ａ、ノズル基部７６Ｂ、７７Ｂ、及び、ガス供給部７６Ｃ、７７Ｃは、本発明における第１のガスノズル、第１のノズル基部、及び、第１のガス供給部の一例である。また、ガスノズル７８、７９、ガス孔７８Ａ、７９Ａ、ノズル基部７８Ｂ、７９Ｂ、及び、ガス供給部７８Ｃ、７９Ｃは、本発明における第２のガスノズル、第１のノズル基部、及び、第１のガス供給部の一例である。さらに、ガスノズル８０、８１、ガス孔８０Ａ、８１Ａ、ノズル基部８０Ｂ、８１Ｂ、及び、ガス供給部８０Ｃ、８１Ｃは、本発明における第３のガスノズル、第３のノズル基部、及び、第３のガス供給部の一例である。 The gas nozzles 76 and 77, the gas holes 76A and 77A, the nozzle base portions 76B and 77B, and the gas supply portions 76C and 77C are the first gas nozzle, the first nozzle base portion, and the first gas supply in the present invention. It is an example of a part. The gas nozzles 78 and 79, the gas holes 78A and 79A, the nozzle bases 78B and 79B, and the gas supply units 78C and 79C are the second gas nozzle, the first nozzle base, and the first gas supply in the present invention. It is an example of a part. Further, the gas nozzles 80 and 81, the gas holes 80A and 81A, the nozzle bases 80B and 81B, and the gas supply units 80C and 81C are the third gas nozzle, the third nozzle base, and the third gas supply in the present invention. It is an example of a part.
図８は、実施形態に係る基板処理装置のガイドの一例を説明する図である。上述したガスノズルを配置する場合、図８に示すように、ガイド１００を設けてもよい。ガイド１００は、例えば一対の係止片１００Ａを処理容器３４の内壁に形成し、この一対の係止片１００Ａによりガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃを係止するように構成することができる。このようなガイド１００を設けることにより、ガスノズルを安定した状態で配置することができ、また、ガスノズル（ガス供給部）の位置決めが容易になる。 FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a guide for the substrate processing apparatus according to the embodiment. When the gas nozzle described above is disposed, a guide 100 may be provided as shown in FIG. For example, the guide 100 can be configured such that a pair of locking pieces 100A are formed on the inner wall of the processing vessel 34, and the gas supply portions 76C to 81C are locked by the pair of locking pieces 100A. By providing such a guide 100, the gas nozzle can be arranged in a stable state, and the positioning of the gas nozzle (gas supply unit) is facilitated.
図９は、実施形態に係る基板処理装置のガイドの他の一例を説明する図である。この例では、例えば、上下方向に並ぶガス供給部７６Ｃとガス供給部７８Ｃとを連結する構造を、ガスノズル７６とガスノズル７８との間に設けることができる。具体的には、ガスノズル７６のガス供給部７６Ｃの上端部に凹部７６Ｄを形成し、ガスノズル７８のガス供給部７６Ｃの下端部に凸部７８Ｄを形成する。そして、ガス供給部７６Ｃの凹部７６Ｄにガス供給部７８Ｃの凸部７８Ｄを嵌合させることによりガイド２００を構成する。このようなガイド２００を設けることによっても、ガスノズルを安定した状態で配置することができ、また、ガスノズル（ガス供給部）の位置決めが容易になる。 FIG. 9 is a diagram illustrating another example of the guide for the substrate processing apparatus according to the embodiment. In this example, for example, a structure that connects the gas supply unit 76 </ b> C and the gas supply unit 78 </ b> C arranged in the vertical direction can be provided between the gas nozzle 76 and the gas nozzle 78. Specifically, a concave portion 76D is formed at the upper end portion of the gas supply portion 76C of the gas nozzle 76, and a convex portion 78D is formed at the lower end portion of the gas supply portion 76C of the gas nozzle 78. And the guide 200 is comprised by fitting the convex part 78D of the gas supply part 78C to the recessed part 76D of the gas supply part 76C. By providing such a guide 200, the gas nozzle can be arranged in a stable state, and the positioning of the gas nozzle (gas supply unit) is facilitated.
なお、ガイド１００、２００は、本発明におけるガイド機構の一例である。 The guides 100 and 200 are examples of the guide mechanism in the present invention.
図１０は、従来の基板処理装置のガスノズルを示す図である。また、図１１は、図１０のＡ−Ａ線断面図であり、図１２は、図１０のＢ−Ｂ線断面図であり、図１３は、図１０のＣ−Ｃ線断面図である。さらに、図１４（Ａ）は図１１におけるガス濃度分布を示す図であり、図１４（Ｂ）は図１２におけるガス濃度分布であり、図１４（Ｃ）は図１３におけるガス濃度分布を示す図である。 FIG. 10 is a view showing a gas nozzle of a conventional substrate processing apparatus. 11 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 10, FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 10, and FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line CC in FIG. 14A shows the gas concentration distribution in FIG. 11, FIG. 14B shows the gas concentration distribution in FIG. 12, and FIG. 14C shows the gas concentration distribution in FIG. It is.
従来の基板処理装置で用いられていたガスノズル７６〜８１では、図１０〜図１３に示すように、複数のガス供給ラインが設けられたガス供給領域と、該ガス供給領域に対向してガス排気口を構成する開口部５２が設けられた排気領域との位置関係が反応容器内の上下で異なっている。そのため、図１４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、基板の面内のガス濃度分布を上層、中層、下層で比較すると、ガスノズル７６〜８１（ガス供給部７６Ｃ〜８１Ｃ）がガス供給領域の中心から離れるに従って、上層側ほどガス分布に偏りができることが確認されている。 In the gas nozzles 76 to 81 used in the conventional substrate processing apparatus, as shown in FIGS. 10 to 13, a gas supply region provided with a plurality of gas supply lines and a gas exhaust facing the gas supply region. The positional relationship with the exhaust region provided with the opening 52 constituting the mouth is different between the upper and lower sides in the reaction vessel. Therefore, as shown in FIGS. 14A to 14C, when the gas concentration distribution in the surface of the substrate is compared between the upper layer, the middle layer, and the lower layer, the gas nozzles 76 to 81 (gas supply units 76C to 81C) are in the gas supply region. It has been confirmed that the gas distribution can be biased toward the upper layer as the distance from the center increases.
これに対して、本実施形態の基板処理装置１では、図１〜図７に示すガスノズル７６〜８１を採用することにより、ガス供給部７６Ｃ、７８Ｃ、８０Ｃが処理容器３４の長手方向（鉛直方向）に一直線上に並んで配置される。この構成では、基板の面内のガス濃度分布を上層、中層、下層で比較した場合、上層および中層でも下層側とほぼ同じガス濃度の分布となることが確認された（図１４（Ｃ）参照）。したがって、本実施形態の基板処理装置１を用いることにより、基板の面内および面間で供給ガスの濃度分布の偏りを抑制することができ、基板の面内および面間で成膜される膜厚を均一にすることができる。 On the other hand, in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the gas nozzles 76 to 81 shown in FIGS. 1 to 7 are employed so that the gas supply units 76C, 78C, and 80C are in the longitudinal direction (vertical direction) of the processing container 34. ) Are arranged in a straight line. In this configuration, when the gas concentration distribution in the plane of the substrate is compared between the upper layer, middle layer, and lower layer, it is confirmed that the upper layer and middle layer have substantially the same gas concentration distribution as the lower layer side (see FIG. 14C). ). Therefore, by using the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, it is possible to suppress the deviation of the concentration distribution of the supply gas in the plane of the substrate and between the planes, and the film formed in the plane of the substrate and between the planes The thickness can be made uniform.
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能である。 As mentioned above, although the form for implementing this invention was demonstrated, the said content does not limit the content of invention, Various deformation | transformation and improvement are possible within the scope of the present invention.
１ 基板処理装置
３４ 処理容器
４４ 内管
４６ 外管
４８ ノズル収容部
５２ 開口部
７６ ガスノズル
７７ ガスノズル
７８ ガスノズル
７９ ガスノズル
８０ ガスノズル
８１ ガスノズル
７６Ａ ガス孔
７７Ａ ガス孔
７８Ａ ガス孔
７９Ａ ガス孔
８０Ａ ガス孔
８１Ａ ガス孔
７６Ｂ ノズル基部
７７Ｂ ノズル基部
７８Ｂ ノズル基部
７９Ｂ ノズル基部
８０Ｂ ノズル基部
８１Ｂ ノズル基部
７６Ｃ ガス供給部
７７Ｃ ガス供給部
７８Ｃ ガス供給部
７９Ｃ ガス供給部
８０Ｃ ガス供給部
８１Ｃ ガス供給部
１００ ガイド
２００ ガイド
Ｗ ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 34 Processing container 44 Inner pipe 46 Outer pipe 48 Nozzle accommodating part 52 Opening part 76 Gas nozzle 77 Gas nozzle 78 Gas nozzle 79 Gas nozzle 80 Gas nozzle 81 Gas nozzle 76A Gas hole 77A Gas hole 78A Gas hole 79A Gas hole 80A Gas hole 81A Gas hole 76B Nozzle base 77B Nozzle base 78B Nozzle base 79B Nozzle base 80B Nozzle base 81B Nozzle base 76C Gas supply part 77C Gas supply part 78C Gas supply part 79C Gas supply part 80C Gas supply part 81C Gas supply part 100 Guide 200 Guide W Wafer
Claims (12)
前記処理容器内に設けられ、前記処理容器の周方向に並びかつ前記処理容器の長手方向に延び、前記処理容器内にガスを供給する複数のガスノズルと、
前記処理容器内の前記複数のガスノズルと対向する位置に設けられ、前記処理容器内のガスを排気する排気部とを有し、
前記ガスノズルは、前記処理容器の周方向に並ぶノズル基部と、前記ノズル基部に接続して前記処理容器内にガスを供給するガス供給部とを有し、
前記複数のガスノズルは、前記処理容器内で最も下方に位置する第１のガス供給部を有する第１のガスノズルと、前記第１のガス供給部よりも上方に位置する第２のガス供給部を有する第２のガスノズルとを有し、
前記第１のガス供給部と前記第２のガス供給部とが、前記処理容器の長手方向に一直線上に配置されるように、前記第２のガスノズルが形成されている、基板処理装置。 A processing vessel provided to accommodate a plurality of substrates, and processing the plurality of substrates;
A plurality of gas nozzles provided in the processing container, arranged in a circumferential direction of the processing container and extending in a longitudinal direction of the processing container, and supplying gas into the processing container;
An exhaust part provided at a position facing the plurality of gas nozzles in the processing container, and exhausting the gas in the processing container;
The gas nozzle has a nozzle base lined up in the circumferential direction of the processing container, and a gas supply part that is connected to the nozzle base and supplies gas into the processing container.
The plurality of gas nozzles include a first gas nozzle having a first gas supply unit located at the lowest position in the processing container, and a second gas supply unit located above the first gas supply unit. A second gas nozzle having
The substrate processing apparatus, wherein the second gas nozzle is formed such that the first gas supply unit and the second gas supply unit are arranged in a straight line in a longitudinal direction of the processing container.
前記第２のガスノズルの第２のノズル基部は、前記第２のガス供給部に接続する側の端部がＬ字状に形成されている、請求項１に記載の基板処理装置。 The first nozzle base of the first gas nozzle is formed in a straight line,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the second nozzle base of the second gas nozzle has an L-shaped end on the side connected to the second gas supply unit.
前記排気部の幅寸法は、前記ノズル収容部の幅寸法よりも狭い、請求項１に記載の基板処理装置。 Provided in the processing vessel, and having a nozzle accommodating portion for accommodating the plurality of gas nozzles;
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a width dimension of the exhaust part is narrower than a width dimension of the nozzle accommodating part.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016226354A JP6710149B2 (en) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | Substrate processing equipment |
| TW106139402A TWI689010B (en) | 2016-11-21 | 2017-11-15 | Substrate processing device |
| KR1020170152954A KR102205380B1 (en) | 2016-11-21 | 2017-11-16 | Substrate treatment apparatus |
| CN201711162704.9A CN108085658A (en) | 2016-11-21 | 2017-11-21 | Substrate board treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016226354A JP6710149B2 (en) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018085392A true JP2018085392A (en) | 2018-05-31 |
| JP6710149B2 JP6710149B2 (en) | 2020-06-17 |
Family
ID=62172603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016226354A Active JP6710149B2 (en) | 2016-11-21 | 2016-11-21 | Substrate processing equipment |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6710149B2 (en) |
| KR (1) | KR102205380B1 (en) |
| CN (1) | CN108085658A (en) |
| TW (1) | TWI689010B (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4060077A3 (en) * | 2021-03-16 | 2022-12-14 | Kokusai Electric Corp. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3599290A3 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-03 | Lg Electronics Inc. | Chemical vapor deposition equipment for solar cell and deposition method thereof |
| JP7109331B2 (en) * | 2018-10-02 | 2022-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
| JP7365973B2 (en) * | 2020-06-19 | 2023-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | Gas nozzle, substrate processing equipment and substrate processing method |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106424A (en) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Tel Sagami Ltd | Heat treatment furnace |
| JPH01109714A (en) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Nec Corp | Vapor-phase epitaxy appratus |
| JPH07183228A (en) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Canon Inc | Deposited film forming device |
| JP2002324788A (en) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Tokyo Electron Ltd | Vapor growth device and method of forming vapor growth film |
| JP2011205059A (en) * | 2010-03-01 | 2011-10-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus |
| JP2012004246A (en) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | Support structure, processing container structure and processing equipment |
| JP2012175072A (en) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus |
| JP2012175020A (en) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4164092B2 (en) | 2003-08-26 | 2008-10-08 | 株式会社日立国際電気 | Semiconductor device manufacturing method and substrate processing apparatus |
| US8409352B2 (en) * | 2010-03-01 | 2013-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus |
| JP2011187884A (en) | 2010-03-11 | 2011-09-22 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate treatment apparatus |
| JP2012004408A (en) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | Support structure and processing unit |
| JP6199570B2 (en) * | 2013-02-07 | 2017-09-20 | 株式会社日立国際電気 | Semiconductor device manufacturing method, substrate processing method, substrate processing apparatus, and program |
| JP6128969B2 (en) * | 2013-06-03 | 2017-05-17 | 株式会社日立国際電気 | Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and program |
| JP6435967B2 (en) * | 2015-03-31 | 2018-12-12 | 東京エレクトロン株式会社 | Vertical heat treatment equipment |
-
2016
- 2016-11-21 JP JP2016226354A patent/JP6710149B2/en active Active
-
2017
- 2017-11-15 TW TW106139402A patent/TWI689010B/en active
- 2017-11-16 KR KR1020170152954A patent/KR102205380B1/en active IP Right Grant
- 2017-11-21 CN CN201711162704.9A patent/CN108085658A/en active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106424A (en) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Tel Sagami Ltd | Heat treatment furnace |
| JPH01109714A (en) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Nec Corp | Vapor-phase epitaxy appratus |
| JPH07183228A (en) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Canon Inc | Deposited film forming device |
| JP2002324788A (en) * | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Tokyo Electron Ltd | Vapor growth device and method of forming vapor growth film |
| JP2011205059A (en) * | 2010-03-01 | 2011-10-13 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus |
| JP2012004246A (en) * | 2010-06-15 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | Support structure, processing container structure and processing equipment |
| JP2012175072A (en) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus |
| JP2012175020A (en) * | 2011-02-24 | 2012-09-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4060077A3 (en) * | 2021-03-16 | 2022-12-14 | Kokusai Electric Corp. | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and program |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI689010B (en) | 2020-03-21 |
| KR102205380B1 (en) | 2021-01-19 |
| KR20180057537A (en) | 2018-05-30 |
| CN108085658A (en) | 2018-05-29 |
| JP6710149B2 (en) | 2020-06-17 |
| TW201834063A (en) | 2018-09-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10475641B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR101691255B1 (en) | Film deposition apparatus | |
| JP5545055B2 (en) | Support structure and processing apparatus | |
| US10961625B2 (en) | Substrate processing apparatus, reaction tube and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP5589878B2 (en) | Deposition equipment | |
| JP5093078B2 (en) | Deposition equipment | |
| TWI737868B (en) | Film formation device and film formation method | |
| US10358720B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
| KR102205380B1 (en) | Substrate treatment apparatus | |
| JP2012054508A (en) | Film deposition apparatus | |
| JP2010073823A (en) | Film deposition apparatus, film deposition method and computer-readable storage medium | |
| JP2012212819A (en) | Vertical batch-type film deposition apparatus | |
| US11725281B2 (en) | Gas introduction structure, thermal processing apparatus and gas supply method | |
| KR20200112696A (en) | Heat treatment apparatus and film deposition method | |
| JP2020015951A (en) | Film deposition method and film deposition apparatus | |
| JP2014090212A (en) | Processing container structure and processing apparatus | |
| JP7433178B2 (en) | processing equipment | |
| JP2019057535A (en) | Substrate holder and substrate processing apparatus | |
| JP6084070B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method, program, and substrate processing apparatus | |
| JP7446189B2 (en) | Processing equipment and processing method | |
| KR20220036862A (en) | Processing apparatus and processing method | |
| JP2017055034A (en) | Heat treatment apparatus | |
| KR20220037350A (en) | Gas introduction structure and processing apparatus |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190423 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200116 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200212 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200317 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200428 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200526 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6710149 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |