JP2018081488A - 画像処理装置およびその制御方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】処理能力を確保しつつ温度上昇を抑制することが可能な画像処理装置を提供する。【解決手段】画像処理装置は、基板上に配置され、画像データの処理を行う集積回路チップと、基板上に集積回路チップと隣接して配置され、集積回路チップと接続された第1のメモリチップと、集積回路チップに積層され、集積回路チップと接続された第2のメモリチップとを備え、集積回路チップは、第1のメモリチップを動作させかつ第2のメモリチップの動作を制限する第1の動作モードと、第1のメモリチップおよび第2のメモリチップを動作させる第2の動作モードとを含む複数の動作モードのいずれかを、処理の内容に応じて設定することを特徴とする。【選択図】図2

Description

本発明は画像処理装置およびその制御方法に関する。
デジタルカメラなどの画像処理装置は、画像処理用の集積回路チップ(LSIチップ)と、DRAMなどのメモリチップとを有する。画像処理用のLSIチップとメモリチップは、別個の半導体チップとして構成される。一般的に、画像処理用のLSIチップとメモリチップは、同一基板上において近傍に実装され、基板上の配線を通じてデータ転送が行われる。
特許文献1では、LSIチップの上層にメモリチップを積層する半導体装置が提案されている。LSIチップとメモリチップを積層することにより、基板上の配線リソースを確保できるとともに実装密度を向上させることが可能となる。さらにはチップ間でのデータの転送速度を高速にすることも可能となる。
特開2005−217205号公報
しかしながら、特許文献1に記載された半導体装置のように、メモリチップをLSIチップ上に積層する場合、装置内に熱がこもりやすい。温度上昇によってトランジスタのリーク流力が増加し、消費電力の増大につながる。また、高温によって回路の誤動作も起こり得る。画像処理装置においては、近年、処理する画像データのデータ量が増加しており、複数のメモリチップを使用することが多い。複数のメモリチップをLSIチップに積層した場合には、一層、放熱性が悪化し、温度上昇が促進されてしまう。
本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、処理能力を確保しつつ温度上昇を抑制することが可能な画像処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態における画像処理装置は、基板上に配置され、画像データの処理を行う集積回路チップと、前記基板上に前記集積回路チップと隣接して配置され、前記集積回路チップと接続された第1のメモリチップと、前記集積回路チップに積層され、前記集積回路チップと接続された第2のメモリチップとを備え、前記集積回路チップは、前記第1のメモリチップを動作させかつ前記第2のメモリチップの動作を制限する第1の動作モードと、前記第1のメモリチップおよび前記第2のメモリチップを動作させる第2の動作モードとを含む複数の動作モードのいずれかを、前記処理の内容に応じて設定することを特徴とする。
本発明によれば、処理能力を確保しつつ温度上昇を抑制することが可能となる。
第1実施形態における画像処理装置の断面図である。 第1実施形態における画像処理装置のブロック図である。 第1実施形態における画像処理装置のデータパスを説明するための図である。 第1実施形態における画像処理装置のモード切り替え処理を示すフローチャートである。 第2実施形態における画像処理装置のブロック図である。 第2実施形態における画像処理装置の電源遮断処理を示すフローチャートである。
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、添付の図面に基づいて詳細に説明する。
[第1実施形態]
図1は、本実施形態における画像処理装置10の断面図である。画像処理装置10は例えば、デジタルカメラ、ビデオカメラ、カメラヘッド、携帯端末、監視カメラ、車載カメラなどのように、画像データを処理する装置である。画像処理装置10は、LSI(Large Scale Integration)チップ(集積回路チップ)100、第1のメモリチップ101、第2のメモリチップ102、メイン基板103を備える。LSIチップ100は、さらにインターポーザ104、中継基板105、マイクロバンプ106、半田ボール107〜110を備える。
メイン基板103はプリント配線基板であって、絶縁体からなる基板と、基板の表面または内層の形成された金属配線、多層の金属配線同士を接続するスルーホールを備える。メイン基板103は多層基板、フレキシブル基板など、その種類を問わない。メイン基板103は画像処理装置10の筐体内に格納される。
メイン基板103上には、LSIチップ100、第1のメモリチップ101、第2のメモリチップ102が実装されている。LSIチップ100、第1のメモリチップ101、第2のメモリチップ102はそれぞれ、別個の半導体集積回路チップとして構成される。LSIチップ100は、複数の論理回路(機能ブロック)を有し、入力されたデータに対する画像処理、光学系の制御、撮像部の制御、表示データの生成などの処理を行うことが可能である。第1のメモリチップ101、第2のメモリチップ102は、例えば2チャネルのDRAM(Dynamic Random Access Memory)から構成され、LSIチップ100の処理のための記憶領域として使用される。第1のメモリチップ101、第2のメモリチップ102は、他の種類のRAMなどの大容量のメモリを含む構成としてもよく、また2チャネルの構成に限定されるものではない。
LSIチップ100および第1のメモリチップ101は、メイン基板103上において互いに隣接して配置され、第2のメモリチップ102はLSIチップ100上に積層されている。LSIチップ100は、インターポーザ104を介してメイン基板103に実装されている。インターポーザ104とLSIチップ100は、マイクロバンプ106を介して、フリップチップ実装により電気的に接続されている。メイン基板103とインターポーザ104は、半田ボール108を介して電気的に接続され、メイン基板103と第1のメモリチップ101は、半田ボール107を介して電気的に接続されている。LSIチップ100は、マイクロバンプ106、インターポーザ104の配線、半田ボール108、メイン基板103上の配線、半田ボール107を介して、第1のメモリチップ101と電気的に接続されている。
第2のメモリチップ102は、中継基板105を介してLSIチップ100に積層実装されている。インターポーザ104と中継基板105は、半田ボール109を介して電気的に接続されている。中継基板105と第2のメモリチップ102は、半田ボール110を介して電気的に接続されている。LSIチップ100は、マイクロバンプ106、インターポーザ104の配線、半田ボール109、中継基板105の配線、半田ボール110を介して、第2のメモリチップ102と電気的に接続されている。なお、画像処理装置10は、中継基板105を用いず、インターポーザ104上に直接第2のメモリチップ102が実装されるPOP(Package On Package)構造であってもよい。メイン基板103には、図示されていない撮像部、操作部、表示部、記録媒体などが実装され、若しくは配線を介して接続されている。
図2は、本実施形態における画像処理装置10のブロック図である。以下、画像処理装置10を用いたデジタルカメラを例に挙げて説明する。デジタルカメラは、撮像部201、操作部202、表示部203、記録媒体204、画像処理装置10を備える。
撮像部201は、光学系、撮像素子、AD(Analog Digital)変換器などから構成される。光学系は、光学フィルタ、レンズ群、絞りを有し、被写体からの光を撮像素子の撮像面に結像させる。撮像素子は、例えばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサであり、光学系からの入射光に基づく画素信号を出力する。AD変換器は、アナログの画素信号をデジタルのRAWデータに変換する。
操作部202は、電源スイッチ、シャッターボタン、動画記録開始、停止を指示するボタン、デジタルカメラの動作モードを変更するためのメニュースイッチなどのスイッチ類を有する。操作部202は、決定ボタン、カーソルキー、ポインティングデバイス、タッチパネルなども有し得る。ユーザは、例えばメニュースイッチを操作することにより、デジタルカメラのモードとして、ライブビューモード、静止画単写モード、静止画連写モード、動画記録モード、再生モード、メニューモードのいずれかを選択することができる。
表示部203は、液晶ディスプレイ、有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイなどから構成され、表示制御回路1008からの表示信号に応じて、静止画、動画、ライブビュー、メニュー画面などの表示を行う。記録媒体204は、例えば不揮発性のメモリカード、小型のハードディスクなどであり、不図示のカードスロットに着脱可能である。
続いて、LSIチップ100の機能ブロックを詳述する。LSIチップ100は、メモリ制御回路1101、メモリインターフェース回路(IF回路)1102、メモリバス1103、メモリ制御回路1201、メモリインターフェース回路1202、メモリバス1203を備える。LSIチップ100は、さらにCPU(Central Processing Unit)1001、CPUバス1002、撮像処理回路1003、現像回路1004、評価回路1005、認識回路1006、レンズ制御回路1007を備える。LSIチップ100は、さらに表示制御回路1008、静止画符号化回路1009、動画符号化回路1010、記録制御回路1011、クロック生成回路1012を備える。以下の説明において、撮像処理回路1003、現像回路1004、評価回路1005、認識回路1006、レンズ制御回路1007、表示制御回路1008、静止画符号化回路1009、動画符号化回路1010、記録制御回路1011を各種処理回路と称する。
メモリ制御回路1101は、LSIチップ100の各種処理回路からのメモリアクセス要求に基づき、メモリIF回路1102を介して第1のメモリチップ101に対するアクセス制御を行う。メモリIF回路1102は、第1のメモリチップ101との通信プロトコルに基づきデータの送受信を行う。メモリIF回路1102は、物理層のハードマクロから構成され得る。メモリバス1103は、LSIチップ100の各種処理回路とメモリ制御回路1101とを接続し、データ転送を行うための伝送路として機能する。メモリバス1103は調停回路を含み、調停回路は、各種処理回路から第1のメモリチップ101へのアクセスを調停する機能も有する。
メモリ制御回路1201は、撮像処理回路1003、現像回路1004、静止画符号化回路1009、動画符号化回路1010からのメモリアクセス要求に基づき、メモリIF回路1202を介して第2のメモリチップ102に対するアクセス制御を行う。メモリIF回路1202は、第2のメモリチップ102との通信プロトコルに基づきデータの送受信を行う。メモリIF回路1202は、物理層のハードマクロから構成され得る。メモリバス1203は、撮像処理回路1003、現像回路1004、静止画符号化回路1009、動画符号化回路1010と、メモリ制御回路1201とを接続し、データ転送を行うための伝送路として機能する。メモリバス1203は調停回路を含み、調停回路は、撮像処理回路1003、現像回路1004、静止画符号化回路1009、動画符号化回路1010から第2のメモリチップ102へのアクセスを調停する機能も有する。
第1のメモリチップ101に対しては、LSIチップ100の各種処理回路のすべてがアクセス可能である。一方、第2のメモリチップ102に対しては、各種処理回路うちの一部の回路、すなわち撮像処理回路1003、現像回路1004、静止画符号化回路1009、動画符号化回路1010がアクセス可能である。他の回路すなわち評価回路1005、認識回路1006、レンズ制御回路1007、表示制御回路1008、記録制御回路1011は、第2のメモリチップ102にアクセス可能でない。
CPU1001は、LSIチップ100全体を制御するプロセッサコアである。CPU1001は、不図示のROM(Read only memory)に格納されたプログラムに基づいてLSIチップ100の各機能ブロックを動作させる。CPUバス1002は、CPU1001、各種処理回路、クロック生成回路1012を接続し、データ通信を行うための伝送路として機能する。
撮像処理回路1003は、撮像部201からのRAWデータに対して、レンズ収差の補正、撮像素子の欠陥画素の補間、黒レベルの補償などの処理を行う。現像回路1004は、RAWデータに対してデベイヤー処理(デモザイク処理)を施し、RAWデータを輝度成分と色差成分から成る画像データに変換する。現像回路1004は、画像データに対して、ホワイトバランス調整、ガンマ補正、輪郭強調、階調変換、ノイズ除去、光学的な歪の補正などの画像処理を行う。撮像処理回路1003と現像回路1004が行う処理を現像処理と称する。
評価回路1005は、RAWデータに基づいて、フォーカス状態、露出状態などを表す評価値を算出する。認識回路1006は、画像データ内の被写体情報を検出し、被写体情報を生成する。認識回路1006は、例えばテンプレートマッチングなどの手法を用いて画像データから人物の顔を検出し、顔の位置、大きさなどの情報を出力する。認識回路1006は、さらに顔の特徴に基づいて人物の認証を行う機能も有する。
レンズ制御回路1007は、評価値および被写体情報に基づいて、撮像部201のレンズ動作を制御する。レンズ制御回路1007は、例えばフォーカスレンズ、ズームレンズの位置、絞りの開口量などを決定し、撮像部201のアクチュエータに駆動信号を出力する。表示制御回路1008は、画像データに所定の表示処理を行って表示信号を生成し、表示信号を表示部203に出力する。
静止画符号化回路1009は、画像データをJPEG方式などの公知の静止画符号化方式を用いて圧縮符号化し、情報量が圧縮された静止画データを生成する。動画符号化回路1010は、画像データをH.264、H.265などの公知の動画圧縮符号化方式を用いて圧縮符号化し、情報量が圧縮された動画データを生成する。静止画符号化回路1009と動画符号化回路1010が行う処理を符号化処理と称する。
記録制御回路1011は、RAWデータ、画像データ、静止画データ、動画データなどを記録媒体204に記録する。記録制御回路1011は、記録媒体204からデータの読み込みも行う。記録制御回路1011は、記録媒体204に記録する各データをFAT(File Allocation Table)などの所定のファイルシステムに従ってファイルとして管理する。
クロック生成回路1012は、画像処理装置10の動作に必要なクロックを生成する。クロック生成回路1012は、基準クロックを逓倍、分周することで、所望の周波数のクロックを生成し、LSIチップ100の各種処理回路の他、第1のメモリチップ101、第2のメモリチップ102にクロックを供給する。クロック生成回路1012はクロックゲートを含み、クロックゲートはCPU1001からの制御信号に基づき、第2のメモリチップ102へのクロック供給を遮断することができる。
CPU1001は、操作部202によるユーザの指示に従いデジタルカメラのモードを設定する。CPU1001は、デジタルカメラのモードの処理の内容に応じて、第1の動作モードと第2の動作モードとを含む複数の動作モードのいずれかを設定する。第1の動作モードは、メモリチップへの単位時間あたりのデータ転送量が比較的少なく、第1のメモリチップ101のみで所要のデータ転送速度を確保できる場合に設定される。第2の動作モードは、メモリチップへの単位時間あたりのデータ転送量が比較的多く、第1のメモリチップ101のみでは所要のデータ転送速度を確保できず、第2のメモリチップ102へのデータ転送も必要とする場合に設定される。
第1の動作モードにおいて、CPU1001は、第1のメモリチップ101に対してクロック供給を行い、第2のメモリチップ102に対するクロック供給を停止する。これにより、第1のメモリチップ101を動作させ、かつ第2のメモリチップ102の動作を制限する。第2の動作モードにおいて、CPU1001は、第1のメモリチップ101および第2のメモリチップ102に対してクロック供給を行い、第1のメモリチップ101および第2のメモリチップ102を動作させる。
例えば、ユーザによりデジタルカメラのモードが、メニューモード、ライブビューモード、静止画単写モード、再生モードなどに設定された場合、LSIチップ100は、第1の動作モードを設定する。また、ユーザによりデジタルカメラのモードが、静止画連写モード、動画記録モードなどに設定された場合、LSIチップ100は、第2の動作モードを設定する。
ここで、メニューモードとは、表示部203にメニュー画面などを表示し、デジタルカメラの各種設定を行うためのモードである。ライブビューモードとは、撮像部201により得られた動画データを表示部203において略リアルタイムに表示するモードである。ライブビューモードにおいては、動画データの圧縮符号化、記録媒体204への記録は行われない。静止画単写モードとは、1枚の静止画データの生成、圧縮符号化を行い、静止画データを記録媒体204に記録するモードである。再生モードとは、記録媒体204に記録された画像データの再生を行い、表示部203に表示するモードである。動画記録モードとは、動画データの生成、圧縮符号化を行い、動画データを記録媒体204に記録するモードである。静止画連写モードとは、静止画単写モードにおける一連の処理を短時間に繰り返すことで、複数の静止画データを記録媒体204に連続して記録するモードである。
図3は、本実施形態における画像処理装置10のデータパスを説明するための図である。図3(a)は、デジタルカメラのモードが静止画単写モードに設定され、画像処理装置10が第1の動作モードで動作する際のデータパスを示す。静止画単写モードにおいては、シャッターボタンが押下されたときに、1枚の静止画データの記録を行う。図3(b)は、デジタルカメラのモードが動画記録モードに設定され、画像処理装置10が第2の動作モードで動作する際のデータパスを示す。動画記録モードにおいては、動画記録開始ボタンが押下されから動画記録停止ボタンが押下されるまでの間、所定のフレームレートで動画データを記録する。
図3(a)において、撮像処理回路1003は、撮像部201から取り込んだRAWデータに対して各種補正、補間処理を行った後、RAWデータを第1のメモリチップ101に格納する。なお、LSIチップ100の各種処理回路から第1のメモリチップ101へのデータの格納および読み出しは、メモリバス1103、メモリ制御回路1101、メモリIF回路1102を介して行われる。
評価回路1005は、第1のメモリチップ101から、RAWデータを読み出し、RAWデータに基づいて算出したフォーカス状態および露出状態を表す評価値を第1のメモリチップ101へ格納する。現像回路1004は、第1のメモリチップ101からRAWデータを読み出し、静止画データ(画像データ)に変換する。現像回路1004は、静止画データに画像処理を行い、静止画データを第1のメモリチップ101へ格納する。
認識回路1006は、第1のメモリチップ101から静止画データを読み出し、静止画データから抽出された被写体情報を第1のメモリチップ101へ格納する。レンズ制御回路1007は、第1のメモリチップ101から評価値および被写体情報を読み出し、これら情報に基づいて、撮像部201のレンズ動作を制御する。表示制御回路1008は、第1のメモリチップ101から静止画データを読み出し、表示信号を生成して表示部203へ出力する。これにより、表示部203において静止画データが表示される。
静止画符号化回路1009は、第1のメモリチップ101から静止画データを読み出し、静止画符号化処理を行い、圧縮符号化された静止画データを第1のメモリチップ101へ格納する。記録制御回路1011は、第1のメモリチップ101から静止画データを読み出し、記録媒体204へ静止画データを記録する。
静止画単写モードでは、第2のメモリチップ102はデータの読み出し、格納のために使用されない。そのため、静止画単写モードにおいて、CPU1001は、第2のメモリチップ102の動作を制限若しくは禁止する。これにより、第2のメモリチップ102による発熱が低減され、第2のメモリチップ102が積層されているLSIチップ100の温度上昇を抑制することができる。
図3(b)においては、撮像処理回路1003は、撮像部201からのRAWデータに各種補正、補間処理を行った後、第1のメモリチップ101および第2のメモリチップ102のそれぞれにRAWデータを格納する。撮像処理回路1003、現像回路1004、静止画符号化回路1009、動画符号化回路1010から第2のメモリチップ102へのデータの格納および読み出しは、メモリバス1203、メモリ制御回路1201、メモリIF回路1202を介して行われる。
評価回路1005は、第1のメモリチップ101からRAWデータを読み出す。以降のレンズ制御回路1007までのデータパスは図3(a)と同一であるため、説明を省略する。
現像回路1004は、第2のメモリチップ102からRAWデータを読み出し、動画データ(画像データ)に変換する。現像回路1004は、動画データに画像処理を行い、第1のメモリチップ101および第2のメモリチップ102のそれぞれに動画データを格納する。
認識回路1006、表示制御回路1008はそれぞれ、第1のメモリチップ101から動画データを読み出す。以降のレンズ制御回路1007までのデータパスおよび表示部203までのデータパスは図3(a)と同一であるため、説明を省略する。
動画符号化回路1010は、第2のメモリチップ102から動画データを読み出し、動画符号化処理を行い、圧縮符号化された動画データを第1のメモリチップ101へ格納する。記録制御回路1011は、第1のメモリチップ101から動画データを読み出し、記録媒体204へ動画データを記録する。
動画記録モードでは、撮像処理回路1003および現像回路1004での処理後において、図3(a)を用いて説明した静止画単写モードと比較し、メモリチップへの単位時間あたりのデータ転送量が大きくなる。特に1フレームが横3840画素×縦2160画素、横7680画素×縦4320画素などの多画素で、60フレーム/秒、120フレーム/秒などの高フレームレートの動画を記録する場合、単位時間当たりに転送するデータ量が非常に大きくなる。そのために、動画記録モードでは、撮像処理回路1003での処理後、第1のメモリチップ101と第2のメモリチップ102がデータの格納のために使用される。評価回路1005は第1のメモリチップ101からデータを読み出し、現像回路1004は第2のメモリチップ102からデータを読み出す。このように、評価回路1005と現像回路1004は、第1のメモリチップ101および第2のメモリチップ102のそれぞれからデータを独立して読み出すことにより、メモリチップに対するデータの読み出しの通信帯域幅(データ転送速度)を確保している。
現像回路1004での処理後においても、第1のメモリチップ101と第2のメモリチップ102がデータの格納のために使用される。認識回路1006と表示制御回路1008は第1のメモリチップ101からデータを読み出し、動画符号化回路1010は第2のメモリチップ102からデータを読み出す。認識回路1006、表示制御回路1008、動画符号化回路1010は、第1のメモリチップ101および第2のメモリチップ102のそれぞれから、データを独立して読み出すことにより、メモリチップに対するデータ読み出しの通信帯域幅を確保している。
なお、現像回路1004は第2のメモリチップ102からRAWデータを読み出しているが、第1のメモリチップ101および第2のメモリチップ102からデータを分散して読み出してもよい。例えば、現像回路1004は、単位時間当たりにデータの半分を第1のメモリチップ101から読み出し、データの残り半分を第2のメモリチップ102から読み出してもよい。この場合、撮像処理回路1003は、RAWデータの半分を第2のメモリチップ102へ格納すれば足りる。具体的には、撮像処理回路1003が、1フレーム毎に交互に第1のメモリチップ101と第2のメモリチップ102にRAWデータを記憶する。或いは、撮像処理回路1003が、1フレームの上半分を第1のメモリチップ101に記憶し、下半分を第2のメモリチップ102に記憶する。
動画符号化回路1010は第2のメモリチップ102から動画データを読み出しているが、現像回路1004と同様に、第1のメモリチップ101および第2のメモリチップ102からデータを分散して読み出してもよい。例えば、動画符号化回路1010は、データの半分を第1のメモリチップ101から読み出し、データの残り半分を第2のメモリチップ102から読み出してもよい。この場合、現像回路1004は、画像データの半分を第2のメモリチップ102へ格納すれば足りる。なお、データを半分に分割する方法として、例えば、現像回路1004は、1フレームの半分ずつを第1のメモリチップ101と第2のメモリチップ102に記憶する。このとき、奇数ラインと偶数ラインにデータを分割する。或いは、動画データの偶数フレームを第1のメモリチップ101に記憶し、奇数フレームを第2のメモリチップ102に記憶するようにしてもよい。
図4は、本実施形態における画像処理装置10のモード切り替え処理を示すフローチャートである。ユーザが操作部202の電源スイッチを押下し、画像処理装置10の電源が投入(ON)されると、ステップS401において、CPU1001は、第1のメモリチップ101へのクロック供給を開始する。具体的には、CPU1001は、クロック生成回路1012のクロックゲートに制御信号を出力することにより、クロック生成回路1012から第1のメモリチップ101へのクロック供給を行う。
ステップS402において、CPU1001は、デジタルカメラのモードを確認する。CPU1001は、動画記録モードまたは静止画連写モードが設定されている場合(ステップS402でYES)、ステップS403において、第2のメモリチップ102へのクロック供給を開始する。ステップS404において、CPU1001は、操作部202によるユーザの指示に応じた処理を第2の動作モードで行う。
CPU1001は、メニューモード、ライブビューモード、静止画単写モード、再生モードのいずれかが設定されている場合(ステップS402でNO)、ステップS405において、第2のメモリチップ102へのクロック供給を停止する。具体的には、CPU1001は、クロック生成回路1012のクロックゲートに制御信号を出力することにより、クロック生成回路1012から第2のメモリチップ102へのクロック供給を遮断する。ステップS406において、CPU1001は、操作部202によるユーザの指示に応じた処理を第1の動作モードで行う。
ステップS407において、CPU1001は、画像処理装置10の電源を落とす(OFF)操作がユーザにより行われたかどうかを判断する。例えば、CPU1001は、操作部202の電源スイッチが押下されたかどうかを判断する。CPU1001は、電源を落とす操作があったと判断した場合(ステップS407でYES)、画像処理装置10の電源を遮断し、モード切り替え処理を終了する。CPU1001は、電源を落とす操作が無かったと判断した場合(ステップS407でNO)、ステップS402の処理に戻る。
上述の説明では、動画記録モードまたは静止画連写モードにおいて、画像処理装置10が第2の動作モードで動作する例を説明したが、これに限定されない。画像処理装置10は、比較的高解像度、高フレームレートの動画データを記録する場合に限定して、第2の動作モードで動作するように構成されてもよい。すなわち、画像処理装置10は、低解像度、低フレームレートの動画データ、または複数枚の静止画データを連続して記録する場合には、第1の動作モードで処理を行い、第2のメモリチップ102を使用しないように構成されてもよい。
例えば、ユーザは操作部202を用いて、解像度(画素数)、フレームレート、圧縮率などの動画データの撮影条件を設定する。CPU1001は、メモリチップに対して必要となるデータ転送速度を撮影条件から推定し、推定されたデータ転送速度を第1のメモリチップ101のデータ転送速度と比較する。これにより、CPU1001は、第1の動作モードと第2の動作モードのいずれを設定するかを判断することができる。CPU1001は、推定されたデータ転送速度が第1のメモリチップ101のデータ転送速度よりも大きい場合に、第2の動作モードを設定することができる。
また、CPU1001は、設定された撮影条件を所定の閾値と比較することにより、設定する動作モードを判断してもよい。例えば、CPU1001は、動画記録モードまたは静止画連写モードにおいて、解像度が所定の閾値よりも大きい値に設定されている場合に、第2の動作モードを設定し、解像度が所定の閾値以下の値に設定されている場合は、第1の動作モードを設定してもよい。同様に、CPU1001は、フレームレートが所定の閾値よりも大きい値に設定されている場合に、第2の動作モードを設定し、フレームレートが所定の閾値以下の値に設定されている場合には、第1の動作モードを設定してもよい。また、CPU1001は、設定された撮影条件と動作モードの対応関係を示すテーブルに基づいて、動作モードを設定してもよい。
本実施形態によれば、第1のメモリチップ101はLSIチップ100に隣接して配置(平置き)され、第2のメモリチップ102はLSIチップ100に積層される。画素数が少なく、フレームレートが低い動画データを記録する際、或いは、静止画単写モードにおいて1枚の静止画データを記録する際には、第1のメモリチップ101を動作させ、第2のメモリチップ102の動作を制限若しくは禁止する。第2のメモリチップ102はLSIチップ100に積層されているため、平置きされた第1のメモリチップ101と比較して、第2のメモリチップ102の放熱性は低い。2つのメモリチップのうち、放熱性が低い第2のメモリチップ102による発熱を低減することにより、効果的に温度上昇を抑制することができ、画像処理装置10内の温度上昇を抑制することができる。また、画素数が多く、フレームレート、圧縮後のビットレートなどが高い動画データを記録する際には、第1のメモリチップ101に加えて第2のメモリチップ102も動作させることにより、所要の処理能力を確保することができる。
また、本実施形態では、第1の動作モードにおいて、第2のメモリチップ102へのクロックの供給を停止したが、供給するクロックの周波数を低くするようにしてもよい。即ち、クロック生成回路1012が生成するクロックの周波数を変更できるように構成する。そして、CPU1001は、第1の動作モードにおいては、第2の動作モードにおいて第2のメモリチップ102に供給するクロックの周波数よりも低い周波数のクロックを供給するようにクロック生成回路1012を制御する。
また、デジタルカメラなどの撮像装置においては、動画記録モードまたは静止画連写モードでの撮影時間は比較的短いことが多く、画像処理装置10の各動作モードの使用割合は、第1の動作モードが支配的になり、第2の動作モードは限定的になる。画像処理装置10は、第2のメモリチップ102の動作を制限する時間が長いことから、高い発熱抑制効果を得ることができる。
[第2実施形態]
第1実施形態では、画像処理装置10において、第1の動作モード時には第2のメモリチップ102へのクロック供給を停止することで、第2のメモリチップ102からの発熱を低減する構成を説明した。本実施形態では、第1の動作モード時に第2のメモリチップ102に対する電源の供給を停止することにより、第2のメモリチップ102からの発熱をより低減する構成を説明する。
図5は、本実施形態における画像処理装置10のブロック図である。なお、第1実施形態で説明した図2と同一の構成については同一の番号を付し、説明を省略する。以下、第1実施形態と異なる構成を中心に説明する。デジタルカメラは、撮像部201、操作部202、表示部203、記録媒体204、電源部205、画像処理装置10を備える。画像処理装置10は、LSIチップ100、第1のメモリチップ101、第2のメモリチップ102、電源IC(Integrated Circuit)111を備える。
電源部205は、アルカリ乾電池などの1次電池、リチウムイオン充電池、ニッケル水素充電池などの2次電池を備え、所定の直流電力を電源IC111に供給する。電源部205は、商用の交流電源を直流電源に変換するAC(Alternating Current)アダプタなどであってもよい。
電源IC111は、DC(Direct Current)−DCコンバータ、レギュレータ、スイッチ回路などから構成され、電源部205からの電力供給を制御する。DC−DCコンバータは、例えばスイッチング方式の定電圧出力回路であり、電源部205の電圧を画像処理装置10の各回路ブロックに応じた所定の電圧に変換する。レギュレータは、DC−DCコンバータの出力電圧の変動を抑制し、一定の電圧を各回路ブロックに供給する。スイッチ回路は、CPU1001からの指示に基づき、レギュレータからの電力の供給先を切り替える。
第1の動作モードにおいて、CPU1001は、電源遮断領域112の電源を遮断するように電源IC111を制御する。電源遮断領域112は、電源IC111から電力が供給される回路ブロックのうちの1つであり、電源遮断領域112には、第2のメモリチップ102、メモリ制御回路1201、メモリIF回路1202が含まれる。
図6は、本実施形態における画像処理装置10の電源遮断処理を示すフローチャートである。ユーザが操作部202の電源スイッチを押下することにより、画像処理装置10の電源が投入(ON)されると、ステップS601において、CPU1001は、画像処理装置10の各回路ブロックへの電力供給を開始する。具体的には、CPU1001は、電源IC111に制御信号を出力し、各回路ブロックを通電させる。ただし、CPU1001は電源遮断領域112への通電は行わず、ステップS601において、電源遮断領域112の電源は遮断(OFF)されている。
ステップS602において、CPU1001は、デジタルカメラのモードを確認する。CPU1001は、動画記録モードまたは静止画連写モードが設定されている場合(ステップS602でYES)、ステップS603において、電源遮断領域112に対する電源の供給を行う。すなわち、CPU1001は、電源IC111に制御信号を出力し、電源遮断領域112を通電させる。ステップS604において、CPU1001は、操作部202によるユーザの指示に応じた処理を第2の動作モードで行う。
CPU1001は、メニューモード、ライブビューモード、静止画単写モード、再生モードのいずれかが設定されている場合(ステップS602でNO)、ステップS605において、電源遮断領域112の電源を遮断する。すなわち、CPU1001は、電源IC111に制御信号を出力し、電源遮断領域112に対する電源の供給を停止する。ステップS606において、CPU1001は、操作部202によるユーザの指示に応じた処理を第1の動作モード下で行う。
ステップS607において、CPU1001は、画像処理装置10の電源を落とす(OFF)操作がユーザにより行われたかどうかを判断する。CPU1001は、電源を落とす操作があったと判断した場合(ステップS607でYES)、画像処理装置10全体の電源を遮断し、電源遮断処理を終了する。CPU1001は、電源を落とす操作が無かったと判断した場合(ステップS607でNO)、ステップS602の処理に戻る。
本実施形態によれば、画像処理装置10において、第1の動作モード時には使用しない第2のメモリチップ102に対する電源の供給を停止することができる。これにより、第2のメモリチップ102のリーク電力を削減することができ、画像処理装置10の温度上昇をさらに抑制することができる。
[その他の実施形態]
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。例えば、メモリチップの動作の制限とは、メモリチップの動作を停止させることだけでなく、メモリチップにおける消費電流の一部を削減させる状態を含み得る。第1の実施形態において、LSIチップ100は、第2のメモリチップ102へ供給するクロックの周波数を低下させることにより、第2のメモリチップ102の動作を制限し、第2のメモリチップ102における発熱を抑制してもよい。
また、第2実施形態では、第1の動作モードにおいて第2のメモリチップ102に対する電源の供給を遮断(停止)した。これ以外にも、例えば、第1の動作モードにおいては、第2のメモリチップ102が正常に動作可能な電圧よりも低い電圧を供給するようにしてもよい。
上述の第1実施形態と第2実施形態の構成を組み合わせることも可能である。例えば、第2の動作モードにおいて、第2のメモリチップ102へのクロック供給を停止するとともに第2のメモリチップ102の電源を遮断してもよい。また、第2のメモリチップ102へのクロック供給を行いつつ第2のメモリチップ102に供給する電圧を低下させる構成としてもよい。また、クロック供給および電源停止の判断をそれぞれ異なる条件に基づいて行ってもよい。
LSIチップ100は、画像処理装置10の機能を実現する任意の機能ブロックを備えることができる。LSIチップ100において、複数の機能ブロックが組み合わされてもよく、1つの機能ブロックが複数の機能ブロックから構成されてもよい。LSIチップ100は、機能ブロックの処理内容に応じて各メモリチップへのアクセスを決定し、動作モードを実行することができる。
10 画像処理装置
100 LSIチップ(集積回路チップ)
101 第1のメモリチップ
102 第2のメモリチップ
103 メイン基板
1001 CPU

Claims (13)

  1. 基板上に配置され、画像データの処理を行う集積回路チップと、
    前記基板上に前記集積回路チップと隣接して配置され、前記集積回路チップと接続された第1のメモリチップと、
    前記集積回路チップに積層され、前記集積回路チップと接続された第2のメモリチップとを備え、
    前記集積回路チップは、前記第1のメモリチップを動作させかつ前記第2のメモリチップの動作を制限する第1の動作モードと、前記第1のメモリチップおよび前記第2のメモリチップを動作させる第2の動作モードとを含む複数の動作モードのいずれかを、前記処理の内容に応じて設定することを特徴とする画像処理装置。
  2. 前記第2の動作モードにおける前記第1のメモリチップおよび前記第2のメモリチップへの単位時間あたりのデータ転送量は、前記第1の動作モードにおける前記第1のメモリチップへの単位時間あたりのデータ転送量よりも多いことを特徴とする請求項1に記載の画像処理装置。
  3. 前記集積回路チップは、前記処理を行うための複数の回路を有し、前記第1のメモリチップは、前記複数の回路からアクセス可能であり、前記第2のメモリチップは、前記複数の回路のうちの一部の回路からアクセス可能であることを特徴とする請求項1または2に記載の画像処理装置。
  4. 前記一部の回路は、RAWデータから画像データを生成する現像処理を行う回路と画像データを圧縮する符号化処理を行う回路の少なくとも何れかを含むことを特徴とする請求項3に記載の画像処理装置。
  5. 前記集積回路チップは、前記第1の動作モードにおいて、前記第2のメモリチップへのクロック供給を停止することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の画像処理装置。
  6. 前記集積回路チップは、前記第1の動作モードにおいて、前記第2のメモリチップに対する電源の供給を停止することを請求項1から5のいずれか1項に記載の画像処理装置。
  7. 前記集積回路チップは、前記第2のメモリチップとのデータ転送を行うインターフェース回路および前記データ転送を制御するメモリ制御回路を有し、前記第1の動作モードにおいて、前記インターフェース回路および前記メモリ制御回路に対する電源の供給を停止することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の画像処理装置。
  8. 前記画像処理装置は、前記画像処理装置の設定を行うメニューモード、前記画像処理装置により処理された動画データを記録せずに表示するライブビューモード、1枚の静止画データを記録する静止画単写モード、記録した画像データを再生して表示する再生モードを含む複数のモードを有し、前記集積回路チップは、前記メニューモード、前記ライブビューモード、前記静止画単写モード、及び、前記再生モードの何れかが前記画像処理装置のモードとして設定された場合に、前記第1の動作モードを設定することを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の画像処理装置。
  9. 前記画像処理装置は、動画データを記録する動画記録モード、及び、複数枚の静止画データを連続して記録する静止画連写モードを有し、前記集積回路チップは、前記動画記録モードと前記静止画連写モードの何れかが前記画像処理装置のモードとして設定された場合、前記第2の動作モードを設定することを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の画像処理装置。
  10. 前記集積回路チップは、記録する動画データまたは静止画データの解像度が所定の閾値よりも大きい場合に前記第2の動作モードを設定し、前記解像度が所定の閾値以下である場合には、前記第1の動作モードを設定することを特徴とする請求項9に記載の画像処理装置。
  11. 前記集積回路チップは、記録する動画データまたは静止画データのフレームレートが所定の閾値よりも大きい場合に前記第2の動作モードを設定し、前記フレームレートが所定の閾値以下である場合には、前記第1の動作モードを設定することを特徴とする請求項9に記載の画像処理装置。
  12. 前記第2のメモリチップは、中継基板を介して前記集積回路チップに積層されていることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の画像処理装置。
  13. 基板上に配置され、画像データの処理を行う集積回路チップと、
    前記基板上に前記集積回路チップと隣接して配置され、前記集積回路チップと接続された第1のメモリチップと、
    前記集積回路チップに積層され、前記集積回路チップと接続された第2のメモリチップとを備える画像処理装置の制御方法であって、
    前記処理の内容を判断するステップと、
    前記第1のメモリチップを動作させかつ前記第2のメモリチップの動作を制限する第1の動作モードと、前記第1のメモリチップおよび前記第2のメモリチップを動作させる第2の動作モードとを含む複数の動作モードのいずれかを設定するステップとを有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020030520A (ja) * 2018-08-21 2020-02-27 キヤノン株式会社 集積回路装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10541264B2 (en) * 2017-11-29 2020-01-21 China Wafer Level Csp Co., Ltd. Package-on-package structure and package-on-package method
JP2021140837A (ja) * 2020-03-02 2021-09-16 キオクシア株式会社 半導体記憶装置

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217383A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007310430A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Hitachi Ltd メモリモジュール
JP2011228808A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Nikon Corp 電子カメラ
JP2014002826A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Elpida Memory Inc 半導体装置及びこれを備える情報処理システム
JP2014075002A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Canon Inc 情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラム
JP2014194671A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Fujitsu Ltd 情報処理装置、情報処理装置の制御方法及び情報処理装置の制御プログラム
JP2014220627A (ja) * 2013-05-07 2014-11-20 キヤノン株式会社 画像処理装置
US20150091179A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Semiconductor device with via bar
JP2016510930A (ja) * 2013-03-15 2016-04-11 マイクロン テクノロジー, インク. メモリシステムの温度情報に基づくメモリシステム管理のためのシステム及び方法
JP2016126448A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 キヤノン株式会社 半導体回路装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4587676B2 (ja) 2004-01-29 2010-11-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 チップ積層構成の3次元半導体装置
JP5453983B2 (ja) * 2009-07-28 2014-03-26 セイコーエプソン株式会社 集積回路装置及び電子機器
WO2015068485A1 (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 富士フイルム株式会社 カメラシステム、カメラ本体及び通信方法
ES2730404T3 (es) * 2014-04-04 2019-11-11 Red Com Llc Videocámara con modos de captura

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217383A (ja) * 2000-01-31 2001-08-10 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2007310430A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Hitachi Ltd メモリモジュール
JP2011228808A (ja) * 2010-04-15 2011-11-10 Nikon Corp 電子カメラ
JP2014002826A (ja) * 2012-06-20 2014-01-09 Elpida Memory Inc 半導体装置及びこれを備える情報処理システム
JP2014075002A (ja) * 2012-10-03 2014-04-24 Canon Inc 情報処理装置及びその制御方法、並びにプログラム
JP2016510930A (ja) * 2013-03-15 2016-04-11 マイクロン テクノロジー, インク. メモリシステムの温度情報に基づくメモリシステム管理のためのシステム及び方法
JP2014194671A (ja) * 2013-03-28 2014-10-09 Fujitsu Ltd 情報処理装置、情報処理装置の制御方法及び情報処理装置の制御プログラム
JP2014220627A (ja) * 2013-05-07 2014-11-20 キヤノン株式会社 画像処理装置
US20150091179A1 (en) * 2013-09-27 2015-04-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Semiconductor device with via bar
JP2016126448A (ja) * 2014-12-26 2016-07-11 キヤノン株式会社 半導体回路装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020030520A (ja) * 2018-08-21 2020-02-27 キヤノン株式会社 集積回路装置
JP7094828B2 (ja) 2018-08-21 2022-07-04 キヤノン株式会社 集積回路装置

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