JP2018070675A

JP2018070675A - 液晶媒体、光素子および液晶化合物

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Publication number: JP2018070675A
Application number: JP2016208321A
Authority: JP
Inventors: 仁志戸畑; Hitoshi Tohata; 英二岡部; Eiji Okabe
Original assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2016-10-25
Filing date: 2016-10-25
Publication date: 2018-05-10
Anticipated expiration: 2036-10-25
Also published as: US20180112131A1; JP6942457B2; US10633589B2

Abstract

【課題】熱、光等に対する安定性、広い液晶相温度範囲、極めて大きな誘電率異方性を有し、光学的に等方性の液晶相を発現する液晶媒体、前記液晶媒体を用いる広い温度範囲で使用可能で、短い応答時間、大きなコントラスト比、及び低い駆動電圧を有し、高周波数域での実効誘電率の低下を抑制された各種光素子の提供。【解決手段】式（１）で表される第１成分から選択された１つ以上の化合物、及び第２成分から選択された１つ以上の化合物を含有するアキラル成分Ｔとキラル剤とを含有し、光学的に等方性の液晶相を発現する液晶組成物。（Ｒ１はＣ１〜１２アルキル、Ｃ２〜１２アルケニル、Ｃ１〜１１のアルコキシ等；環Ａ１及び環Ｂ１は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン等；Ｌ１１〜Ｌ１４は各々独立にＨ、Ｆ又はＣｌ；Ｙ１はＦ、Ｃｌ、−ＣＦ３、−ＯＣＦ３、Ｃ１〜１２アルキル又はＣ１〜１１のアルコキシ；ｎ１は１又は２）【選択図】なし

Description

本発明は、たとえば光素子用の材料として有用な液晶組成物、当該液晶組成物を用いた光素子等に関する。

液晶組成物を用いた液晶表示素子は、時計、電卓、携帯電話、パーソナルコンピュータ、テレビなどのディスプレイに広く利用されている。これらの液晶表示素子は液晶化合物の屈折率異方性、誘電率異方性などを利用したものである。液晶表示素子における動作モードとしては、主として１枚以上の偏光板を利用して表示するＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＢＴＮ（bistable twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（opticallycompensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などが知られている。さらに近年は光学的に等方性の液晶相において電場を印加し、電気複屈折を発現させるモードも研究されている（特許文献１〜９、非特許文献１〜３）。

素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭ（passive matrix）はスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはそのスイッチング素子の種類によって、ＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。
また結合基を含まない４環化合物を有する組成物が、特許文献３〜７に開示されている。ただし、これらの特許文献に開示されている組成物は、本発明の請求範囲外の組成物であり、さらに高周波数域での実効誘電率に関する記述はない。

国際公開２０１０／０５８６８１号国際公開２０１３／１５６１１３号国際公開２０１４／１９６５２７号特開２０１５−１７０５号公報特開２０１４−５３８０号公報独国登録公報２４３５５８３号特開２００７−２７７５３１号公報特開２００６−８９６２２号国際公開２００９／１３９３３０号

Nature Materials, 1, 64, (2002) Adv. Mater., 17, 96, (2005) Journal of the SID, 14, 551, (2006)

上記状況の下、熱、光などに対する安定性、広い液晶相温度範囲、極めて大きな誘電率異方性を有し、光学的に等方性の液晶相を発現する液晶媒体が求められている。また、広い温度範囲で使用可能であり、短い応答時間、大きなコントラスト比、および低い駆動電圧を有し、高周波数域での実効誘電率の低下を抑制する各種光素子が求められている。

本発明は、たとえば、以下のような液晶媒体（液晶組成物、高分子／液晶複合材料等）、重合モノマーと液晶組成物との混合物、液晶媒体等を含有する光素子、液晶化合物等を提供する。

本発明は、以下のような液晶媒体（液晶組成物または高分子／液晶複合体）および液晶媒体を含有する光素子等を提供する。

［１］アキラル成分Ｔとキラル剤とを含有する液晶組成物であって、アキラル成分Ｔが、第１成分として、式（１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物、および第２成分として、式（２）および式（３）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する液晶組成物。

式（１）において、Ｒ^１は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；環Ｂ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；Ｌ^１１〜Ｌ^１４は独立して、水素、フッ素または塩素であり；Ｙ^１は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；ｎ^１は１または２であり、
式（２）において、Ｒ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシまたは炭素数２から９のアルコキシアルキルであり；Ｚ^２１及びＺ^２２は独立して、単結合または−ＣＦ_２Ｏ−であり；Ｌ^２１〜Ｌ^２３は独立して、水素、フッ素または塩素であり；Ｙ^２は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３または−ＯＣＦ_３であり、
式（３）において、Ｒ^３は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシまたは炭素数２から９のアルコキシアルキルであり；Ｚ^３１及びＺ^３２は独立して、単結合または−ＣＦ_２Ｏ−であり；Ｌ^３１〜Ｌ^３４は独立して、水素、フッ素または塩素であり；Ｙ^３は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３または−ＯＣＦ_３である。

［２］アキラル成分Ｔが、第３成分として、式（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有し、光学的に等方性の液晶相を発現する、［１］に記載の液晶組成物。

式（４）において、Ｒ^４は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；環Ａ^４はおよび環Ｂ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；Ｚ^４は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−および−ＣＦ_２Ｏ−であり；Ｙ^４は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；ｎ^４は１または２である。

［３］式（１）において、ｎ^１＝１である化合物を含有し、光学的に等方性の液晶相を発現する、［１］または［２］に記載の液晶組成物。

［４］第１成分として、式（１−１）から式（１−７）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する、［１］または［２］に記載の液晶組成物。

式（１−１）から式（１−７）において、Ｒ^１は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；Ｙ^１は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数１から１１のアルコキシである。

［５］第２成分として、式（２−１）から式（２−６）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する、［１］から［４］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（２−１）から式（２−６）において、Ｒ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシまたは炭素数２から９のアルコキシアルキルである。

［６］第２成分として、式（３−１）から式（３−３）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する、［１］から［５］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（３−１）から式（３−３）において、Ｒ^３は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシまたは炭素数２から９のアルコキシアルキルである。

［７］第３成分として、式（４−１）から式（４−２３）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する、［１］から［６］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（４−１）から式（４−２２）において、Ｒ^４は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；Ｙ^４は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニルまたは炭素数１から１１のアルコキシである。

［８］アキラル成分Ｔの全重量に対して、第１成分を１重量％〜３０重量％含有し、第２成分を５０重量％〜９５重量％、第３成分を１重量％〜３０重量％含有する、［２］から［７］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

［９］キラル剤が、式（Ｋ１）〜（Ｋ６）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、［１］から［８］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

（上記式中、Ｒ^Ｋはそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓまたは炭素数１〜２０のアルキルであり、当該Ｒ^Ｋ中の少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置き換えられてもよく、当該Ｒ^Ｋ中の少なくとも１つの−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられもよく、当該Ｒ^Ｋ中の少なくとも１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよく；
Ａはそれぞれ独立して、芳香族性の６〜８員環、非芳香族性の３〜８員環、または、炭素数９以上の縮合環であり、これらの環の少なくとも１つの水素はハロゲン、炭素数１〜３のアルキルまたはハロアルキルで置き換えられてもよく、環の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられてもよく、−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられてもよく；
Ｂはそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のハロアルキル、芳香族性の６〜８員環、非芳香族性の３〜８員環、または、炭素数９以上の縮合環であり、これらの環の少なくとも１つの水素がハロゲン、炭素数１〜３のアルキルまたはハロアルキルで置き換えられてもよく、当該アルキル中の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられてもよく、−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられてもよく；
Ｚはそれぞれ独立して、単結合、炭素数１〜８のアルキレンであり、当該Ｚ中の少なくとも１つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＳＯ−、−ＯＣＳ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−または−Ｎ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、当該Ｚ中の少なくとも１つの−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、当該Ｚ中の少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Ｘはそれぞれ独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
ｍＫはそれぞれ独立して、１〜４の整数である。）

［１０］−２０℃〜７０℃の温度範囲でキラルネマチック相を示し、この温度範囲の少なくとも一部において螺旋ピッチが７００ｎｍ以下である、［１］から［９］のいずれか１項に記載の液晶組成物。

［１１］［１］から［１０］のいずれか１項に記載の液晶組成物と、重合性モノマーとを含む混合物。

［１２］［１１］に記載の混合物を重合して得られる、光学的に等方性の液晶相で駆動される素子に用いられる高分子／液晶複合材料。

［１３］一方または両方の基板に電極が配置され、基板間に配置された液晶媒体、および電極を介して液晶媒体に電界を印加する電界印加手段を備えた光素子であって、液晶媒体が、［１］から［１０］のいずれか一項に記載の液晶組成物、または、［１２］に記載の高分子／液晶複合材料である光素子。

［１４］［１］から［１０］のいずれか一項に記載の液晶組成物または［１２］に記載の高分子／液晶複合材料の光素子への使用。

本明細書において、「液晶化合物」とはメソゲンを有する化合物を表し、液晶相を発現する化合物に限定されない。具体的には、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を発現する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。
「液晶媒体」とは、液晶組成物および高分子／液晶複合体の総称である。
「アキラル成分」とはアキラルなメソゲン化合物であって、光学活性化合物および重合性官能基を有する化合物を含まない成分である。したがって、「アキラル成分」には、キラル剤、モノマー、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、硬化剤、安定剤等は含まれない。
「キラル剤」は、光学活性化合物であり、液晶組成物に所望のねじれた分子配列を与える為に添加されるために用いられる成分である。
「液晶表示素子」は、液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。
また、「光素子」とは、電気光学効果を利用して、光変調や光スイッチングなどの機能を奏する各種の素子を指し、たとえば、表示素子（液晶表示素子）、光通信システム、光情報処理や種々のセンサーシステムに用いられる光変調素子が挙げられる。光学的に等方性の液晶媒体への電圧印加による屈折率の変化を利用した光変調については、カー効果が知られている。カー効果とは電気複屈折値Δｎ（Ｅ）が電場Ｅの二乗に比例する現象であり、カー効果を示す材料ではΔｎ（Ｅ）＝ＫλＥ^２が成立する（Ｋ：カー係数（カー定数）、λ：波長））。ここで、電気複屈折値とは、等方性媒体に電界を印加した時に誘起される屈折率異方性値である。

「液晶化合物」、「液晶組成物」、「液晶表示素子」をそれぞれ「化合物」、「組成物」、「素子」と略すことがある。
また、たとえば液晶相の上限温度は液晶相−等方相の相転移温度であり、そして単に透明点または上限温度と略すことがある。液晶相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（１）で表わされる化合物を化合物１と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）または（４）において、六角形で囲んだＡ^１、Ｂ^１、Ａ^４、Ｂ^４などの記号はそれぞれ環Ａ^１、環Ｂ^１、環Ａ^４、環Ｂ^４などに対応する。百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。Ｒ^１、Ｙ^１、Ｒ^２、Ｒ^３，Ｒ^４、Ｙ^４など複数の同じ記号を同一の式または異なった式に記載したが、これらはそれぞれが同一であってもよいし、または異なってもよい。

本明細書中、アルキルとしては、直鎖でも分岐鎖でもよく、アルキルの具体的な例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−Ｃ_８Ｈ_１７、−Ｃ_９Ｈ_１９、−Ｃ_１０Ｈ_２１、−Ｃ_１１Ｈ_２３、および−Ｃ_１２Ｈ_２５である。

本明細書中、アルコキシとしては、直鎖でも分岐鎖でもよく、アルコキシの具体的な例は、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣ_６Ｈ_１３および−ＯＣ_７Ｈ_１５、−ＯＣ_８Ｈ_１７、−ＯＣ_９Ｈ_１９、−ＯＣ_１０Ｈ_２１、および−ＯＣ_１１Ｈ_２３である。

本明細書中、アルコキシアルキルとしては、直鎖でも分枝でもよく、アルコキシアルキルの具体的な例は、−ＣＨ_２ＯＣＨ_３、−ＣＨ_２ＯＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＯＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＯＣ_４Ｈ_９、−ＣＨ_２ＯＣ_５Ｈ_１１、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＯＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_３−ＯＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_４−ＯＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_５−ＯＣＨ_３である。

本明細書中、アルケニルとしては、直鎖でも分枝でもよく、アルケニルの具体的な例は、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−（ＣＨ_２）_３−ＣＨ＝ＣＨ_２である。

本明細書中、−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ＝ＣＨＣ_４Ｈ_９、−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−Ｃ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、および−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。また、アルケニル基の位置はベンゼン環と共役を作らない位置が好ましい。

本明細書中、アルキニルとしては、直鎖でも分岐鎖でもよく、アルキニルの具体的な例は、−Ｃ≡ＣＨ、−Ｃ≡ＣＣＨ_３、−ＣＨ_２Ｃ≡ＣＨ、−Ｃ≡ＣＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２Ｃ≡ＣＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２−Ｃ≡ＣＨ、−Ｃ≡ＣＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２Ｃ≡ＣＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２−Ｃ≡ＣＣＨ_３、および−Ｃ≡Ｃ（ＣＨ_２）_５である。

本明細書中、ハロゲンの具体的な例は、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素である。

本明細書中、Ｒ^１は式（ＣＨＮ−１）〜（ＣＨＮ−４）で表される構造が好ましい。より好ましくは（ＣＨＮ−１）または（ＣＨＮ−２）である。

（上記式中、Ｒ^１ａは水素または炭素数１〜１２のアルキルである。）
本明細書中、Ｒ^２、Ｒ^１１、Ｒ^２１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^５１、Ｒ^５２、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^６１、Ｒ^６２、Ｒ^７１、Ｒ^７２およびＲ^８も、Ｒ^１と同様である。

本発明の液晶組成物および高分子／液晶複合材料等は、熱、光などに対する安定性、光学的に等方性の液晶相の高い上限温度と低い下限温度を示し、大きな誘電率異方性を有する。また、本発明の好ましい態様の高分子／液晶複合材料は、光学的に等方性の液晶相の高い上限温度、低い下限温度を示し、光学的に等方性の液晶相で駆動させる光素子において低い駆動電圧を有し、高周波数域での実効誘電率の低下を抑制する。
また、本発明の好ましい態様の光学的に等方性の液晶相で駆動される光素子は、幅広い温度範囲で使用可能であり、低電圧駆動が可能であり、高速な電気光学応答が可能であり、大きなコントラスト比を有し、高周波数域での実効誘電率の低下を抑制する。

実施例で用いた櫛型電極基板を示す。実施例で用いた光学系を示す。

本発明の光学的に等方性の液晶相を有する液晶組成物は、アキラル成分Ｔとキラル剤を含有し、アキラル成分Ｔは第１成分として、前記式（１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物、および第２成分として前記式（２）で表される化合物及び前記式（３）で表される化合物群から選択される少なくとも１つの化合物を含む。本発明の液晶組成物の第１の態様は、第１成分および第２成分と本明細書中で特に成分名を示していないその他の成分を含有する組成物である。まず、式（１）で表される化合物について説明する。また、本発明の液晶組成物は上記成分の他に、溶媒、モノマー、重合開始剤、硬化剤、安定剤（酸化防止剤、紫外線吸収剤等）等をさらに含有してもよい。

１−１化合物１

式（１）において、Ｒ^１は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり、好ましいＲ１は炭素数１から１２のアルキルであり、より好ましくは炭素数１から５のアルキルである。

式（１）において、環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；環Ｂ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである。

環Ａ^１の好ましい例は、液晶相が広く、他の化合物との相溶性が比較的良い１，４−シクロヘキシレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルが好ましい。誘電率異方性が大きく、屈折率異方性が大きい２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンが好ましい。誘電率異方性が極めて大きく、屈折率異方性が大きいピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルが好ましい。誘電率異方性が極めて大きい１，３−ジオキサン−２，５−ジイルが好ましい。１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルが特に好ましい。

環Ｂ^１の好ましい例は、液晶相が広く、他の化合物との相溶性が比較的良い１，４−シクロヘキシレン、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルが好ましい。融点が低く、他の化合物との相溶性が良好である１，４−フェニレンが好ましい。誘電率異方性が大きく、屈折率異方性が大きい２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンが好ましい。誘電率異方性が極めて大きく、屈折率異方性が大きいピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルが好ましい。誘電率異方性が極めて大きい１，３−ジオキサン−２，５−ジイルが好ましい。１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンが特に好ましい。

式（１）において、Ｌ^１１〜Ｌ^１４はそれぞれ独立して水素、フッ素または塩素であるが、Ｌ^１１〜Ｌ^１４が水素であるものは、透明点が高く、低温での相溶性が良好であり、Ｌ^１１〜Ｌ^１４がフッ素であるものは、融点が低く、誘電率異方性が極めて大きい。また、Ｌ^１１〜Ｌ^１４が塩素であるものは、融点が低く、誘電率異方性が大きく、他の化合物との相溶性が良好である。

式（１）において、Ｙ^１は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキル、または炭素数１から１１のアルコキシである。

Ｙ^１の好ましい例は、フッ素、−ＣＦ_３または炭素数１から１２のアルキルである。
より好ましいＹ^１の例は、フッ素または炭素数１から１２のアルキルである。

化合物１として、好ましくは式（１−１）〜（１−７）で表される化合物である。

（上記式中、Ｒ^１の定義は化合物１と同じである。）

化合物１は、素子が通常使用される条件下で物理的および化学的に極めて安定であり、Ｙ^１がフッ素、塩素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３のものは、透明点が高く、大きな誘電率異方性と比較的大きな屈折率異方性を有するため、この化合物１は光学的に等方性の液晶相で駆動される液晶組成物の駆動電圧を下げるための成分として有用である。Ｙ^１が炭素数１から１２のアルキル、または炭素数１から１１のアルコキシのものは、透明点が高く、他の化合物との相溶性が比較的よい。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。したがって、液晶組成物においての化合物１を用いると、液晶相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度範囲で表示素子として使用することができる。さらに、高周波数域での実効誘電率の低下を抑制する。

１−２化合物２

式（２）において、Ｒ^２は炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシ、または炭素数２から９のアルコキシアルキルである。

式（２）において、Ｚ^２１及びＺ^２２は独立して、単結合または−ＣＦ_２Ｏ−である。

Ｚ^２１およびＺ^２２の好ましい例は、一方が単結合であり、他方が−ＣＦ_２Ｏ−である。

式（２）において、Ｌ^２１またはＬ^２２はそれぞれ独立して水素、フッ素または塩素であるが、Ｌ^２１またはＬ^２２が水素であるものは、透明点が高く、低温での相溶性が良好であり、Ｌ^２１またはＬ^２２がフッ素であるものは、融点が低く、誘電率異方性が極めて大きい。また、Ｌ^２１〜Ｌ^２２が塩素であるものは、融点が低く、誘電率異方性が大きく、他の化合物との相溶性が良好である。

式（２）において、Ｙ^２は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３または−ＯＣＦ_３である。

Ｙ^２の好ましい例は、フッ素または−ＣＦ_３である。より好ましいＹ^２の例は、フッ素である。

化合物２として、好ましくは式（２−１）〜（２−６）で表される化合物である。

（上記式中、Ｒ^２の定義は化合物２と同じである。）

化合物２は、素子が通常使用される条件下で物理的および化学的に極めて安定であり、大きな誘電率異方性と大きな屈折率異方性を有し、比較的透明点が高く、他の化合物との相溶性が比較的よい。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。したがって、液晶組成物において化合物２を用いると、液晶相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度範囲で表示素子として使用することができ、光学的に等方性の液晶相で駆動される液晶組成物の駆動電圧を下げるための成分として有用である

１−３化合物３

式（３）において、Ｒ^３は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシ、または炭素数２から９のアルコキシアルキルである。

式（３）において、Ｚ^３１及びＺ^３２は独立して、単結合または−ＣＦ_２Ｏ−である。

Ｚ^３１およびＺ^３２の好ましい例は、一方が単結合であり、他方が−ＣＦ_２Ｏ−である。

式（３）において、Ｌ^３１〜Ｌ^３４はそれぞれ独立して水素、フッ素または塩素であるが、Ｌ^３１〜Ｌ^３４が水素であるものは、透明点が高く、低温での相溶性が良好であり、Ｌ^３１〜Ｌ^３４がフッ素であるものは、融点が低く、誘電率異方性が極めて大きい。また、Ｌ^３１〜Ｌ^３４が塩素であるものは、融点が低く、誘電率異方性が大きく、他の化合物との相溶性が良好である。

式（３）において、Ｙ^３は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３または−ＯＣＦ_３である

Ｙ^３の好ましい例は、フッ素または−ＣＦ_３である。より好ましいＹ^３の例は、フッ素である。

化合物３として、好ましくは式（３−１）〜（３−３）で表される化合物である。

（上記式中、Ｒ^３の定義は化合物３と同じである。）

化合物３は、素子が通常使用される条件下で物理的および化学的に極めて安定であり、比較的大きな誘電率異方性と比較的大きな屈折率異方性を有し、透明点が高く、他の化合物との相溶性が比較的よい。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。したがって、液晶組成物において化合物３を用いると、液晶相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度範囲で表示素子として使用することができ、光学的に等方性の液晶相で駆動される液晶組成物の駆動電圧を下げるための成分として有用である

１−４化合物４
本発明のアキラル成分Ｔは、化合物１および化合物２または化合物３に加えて、さらに式（４）で表される化合物４を１つ以上含んでもよい。すなわち、本発明は、アキラル成分Ｔにおいて、化合物４として１つの化合物からなる場合も、化合物４として式（４）で表される複数の化合物を含有する場合も含む。

式（４）において、Ｒ^４は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、または炭素数１から１１のアルコキシであり；環Ａ^４はおよび環Ｂ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；Ｚ^４は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−および−ＣＦ_２Ｏ−であり；Ｙ^４は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；ｎ^４は１または２である。

式（４）中のＲ^４は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、または炭素数１から１１のアルコキシが好ましい。

式（４）中の環Ａ^４または環Ｂ^４は独立して、化合物の安定性や広い液晶温度範囲の点から、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルが好ましい。

式（４）中のＺ^４は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−および−ＣＦ_２Ｏ−であることが好ましく、広い液晶温度範囲と低粘性のためには単結合であることが好ましく、大きな誘電率異方性のためには−ＣＦ_２Ｏ−であることが好ましい。

式（４）中のＹ^４は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであることが好ましく、比較的大きな誘電率異方性のためにフッ素、低粘性のために炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであることが特に好ましい。

式（４）中、ｎ^４＝１のものは低い融点および小さい粘性のために好ましく、ｎ^４＝２ものは上限温度が比較的高いために好ましい。

化合物４として、好ましくは式（４−１）〜（４−２３）で表される化合物である。

（式中、Ｒ^４の定義は化合物４と同じである。）

化合物４は、素子が通常使用される条件下で物理的および化学的に極めて安定であり、Ｙ^４がフッ素、塩素、−ＣＦ_３、または−ＯＣＦ_３のものは、透明点が高く、大きな誘電率異方性と比較的大きな屈折率異方性を有するため、この化合物４は光学的に等方性の液晶相で駆動される液晶組成物の駆動電圧を下げるための成分として有用である。Ｙ^４が炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニルまたは炭素数１から１１のアルコキシのものは、透明点が高く、他の化合物との相溶性が比較的よい。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。したがって、液晶組成物においての化合物４を用いると、液晶相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度範囲で表示素子として使用することができる。

２−１液晶組成物
本発明の液晶組成物は、アキラル成分Ｔとキラル剤とを含有する液晶組成物であって、アキラル成分Ｔが、第１成分として、式（１）で表される化合物の群（化合物１）から選択される少なくとも１つの化合物、および第２成分として、式（２）及び式（３）で表される化合物の群（化合物２及び化合物３）から選択される少なくとも１つの化合物を含有し、光学的に等方性の液晶相を発現する組成物である。また、光学的に等方性の液晶組成物は、アキラル成分Ｔとキラル剤の他に、さらに、酸化防止剤、紫外線吸収剤、安定剤等を含んでもよい。

アキラル成分Ｔのうち、第１成分は化合物１として１つの化合物からなる場合も、化合物１として２つ以上の化合物を含有する場合も含む。第２成分も同様に、化合物２および／または化合物３として１つの化合物からなる場合も、化合物２および／または化合物３として２つ以上の化合物を含有する場合も含む。
さらに、アキラル成分Ｔは、必要に応じて化合物４で表される１つ以上の化合物を含む。化合物１〜４は液晶化合物である。
第１成分を合計で１重量％〜３０重量％含有することが好ましく、３重量％〜２５重量％含有することがさらに好ましく、５重量％〜２０重量％含有することが特に好ましい。
第２成分を合計で５０重量％〜９５重量％含有することが好ましく、６０重量％〜９５重量％含有することがさらに好ましく、６５重量％〜９０重量％含有することが特に好ましい。
第３成分を合計で１重量％〜３０重量％含有することが好ましく、３重量％〜２５重量％含有することがさらに好ましく、５重量％〜２０重量％含有することが特に好ましい。

３光学的等方性液晶組成物
本発明の液晶組成物は、アキラル成分Ｔとキラル剤とを含み、光学的に等方性の液晶相を発現する組成物の態様を含む（光学的等方性液晶組成物）。

３−１アキラル成分T
本発明の光学的等方性液晶組成物に含まれるアキラル成分Ｔは、化合物１および化合物２および／または化合物３を含むことが好ましく、化合物１、化合物２および化合物３を全て含むことが特に好ましく、さらに求められる性質に応じて化合物４を含むことができる。

３−２キラル剤
本発明の光学的等方性液晶組成物等が含有するキラル剤は光学活性化合物であり、ラジカル重合性基を有さない化合物から選ばれた化合物からなることが好ましい。
本発明の液晶組成物に用いられるキラル剤としては、ねじり力（Helical Twisting Power）が大きい化合物が好ましい。ねじり力が大きい化合物は所望のピッチを得るために必要な添加量が少なくできるので、駆動電圧の上昇を抑えられ、実用上有利である。具体的には、式（Ｋ１）〜（Ｋ６）で表される化合物が好ましい。なお、式（Ｋ４）〜（Ｋ６）は、ビナフチル基、オクタヒドロナフチル基が光学活性部位であり、かつ、キラル剤の掌性は問わない。

上記式中、Ｒ^Ｋ、Ａ、Ｂ、Ｚ、Ｘ、ｍＫの定義は前述の項［９］の定義と同じである。
これらの化合物の中でも、液晶組成物に添加されるキラル剤としては、式（Ｋ４）に含まれる式（Ｋ４−１）〜式（Ｋ４−６）、式（Ｋ５）に含まれる式（Ｋ５−１）〜式（Ｋ５−３）および式（Ｋ６）に含まれる式（Ｋ６−１）〜式（Ｋ６−６）が好ましく、式（Ｋ４−５）、式（Ｋ５−１）〜式（Ｋ５−３）および式（Ｋ６−５）〜式（Ｋ６−６）がさらに好ましい。

（式中、Ｒ^Ｋ１は独立して、炭素数３〜１０のアルキルまたは炭素数３〜１０のアルコキシであり、アルキル中またはアルコキシ中の少なくとも１以上の−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は、−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよい。）。

液晶組成物に含有されるキラル剤として１つの化合物を用いても、複数の化合物を用いてもよい。

光学的に等方性の液晶相の発現を容易にするために、本発明の液晶組成物の全重量に対して、キラル剤を１〜４０重量％含有することが好ましく、３〜２５重量％含有することがさらに好ましく、３〜１５重量％含有することが特に好ましい。

３−３光学的に等方性の液晶相
本明細書において、液晶組成物が光学的に等方性を有するとは、巨視的には液晶分子配列は等方的であるため光学的に等方性を示すが、微視的には液晶秩序が存在することをいう。「液晶組成物が微視的に有する液晶秩序に基づくピッチ（以下では、単に「ピッチ」と呼ぶことがある）」は７００ｎｍ以下であることが好ましく、５００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、３５０ｎｍ以下であることが最も好ましい。

本明細書において、「非液晶等方相」とは一般的に定義される等方相、すなわち、無秩序相であり、局所的な秩序パラメーターがゼロでない領域が生成したとしても、その原因がゆらぎによるものである等方相である。たとえばネマチック相の高温側に発現する等方相は、本明細書では非液晶等方相に該当する。本明細書におけるキラルな液晶についても、同様の定義があてはまるものとする。
本明細書において「光学的に等方性の液晶相」とは、ゆらぎではなく光学的に等方性の液晶相を発現する相を表し、プレートレット組織を発現する相（狭義のブルー相）はその一例である。
本明細書において、特に言及がなければ、ネマチック相はキラルネマチック相を含まない、狭義のネマチック相を意味する。

本発明の光学的に等方性の液晶組成物において、光学的に等方性の液晶相ではあるが、偏光顕微鏡観察下、ブルー相に典型的なプレートレット組織が観測されないことがある。そこで本明細書において、プレートレット組織を発現する相をブルー相と称し、ブルー相を含む光学的に等方性の液晶相を光学的に等方性の液晶相と称する。すなわちブルー相は光学的に等方性の液晶相に包含される。

一般的に、ブルー相は、ブルー相Ｉ、ブルー相ＩＩ、ブルー相ＩＩＩの３種類に分類され、これら３種類のブルー相はすべて光学活性であり、かつ、等方性である。ブルー相Ｉやブルー相ＩＩのブルー相では異なる格子面からのブラッグ反射に起因する２種以上の回折光が観測される。ブルー相は一般的に非液晶等方相とキラルネマチック相の間で観測される。

光学的に等方性の液晶相が二色以上の回折光を示さない状態とは、ブルー相Ｉ、ブルー相ＩＩに観測されるプレートレット組織が観測されず、概ね一面単色であることを意味する。二色以上の回折光を示さない光学的に等方性の液晶相では、色の明暗が面内で均一であることまでは不要である。

二色以上の回折光を示さない光学的に等方性の液晶相は、ブラッグ反射による反射光強度が抑えられる、あるいは低波長側にシフトするという利点がある。
また、可視光の光を反射する液晶媒体では、表示素子として利用する場合に色味が問題となることがあるが、二色以上の回折光を示さない液晶では、反射波長が低波長シフトするため、狭義のブルー相（プレートレット組織を発現する相）より長いピッチで可視光の反射を消失させることができる。

アキラル成分Ｔとキラル剤とを含む本発明の液晶組成物において、キラル剤は好ましくはピッチが７００ｎｍ以下になるような濃度で添加される。なお、ネマチック相を発現する組成物は、化合物１および化合物２または化合物３、さらに必要に応じてその他の成分を含む。

また、本発明の光学的等方性液晶組成物は、キラルネマチック相を有し、光学的に等方性の液晶相を有さない組成物にキラル剤を添加して得ることもできる。なお、キラルネマチック相を有し光学的に等方性の液晶を有さない組成物は、化合物１および化合物２または化合物３、そして光学活性化合物および必要に応じてその他の成分を含む。この際、光学的に等方性の液晶相を発現させないために、好ましくはピッチが７００ｎｍ以上になるような濃度でキラル剤が添加される。ここで、添加されるのは、前述のねじり力が大きい化合物である式（Ｋ１）〜（Ｋ５）が使用でき、より好ましくは、式（Ｋ２−１）〜（Ｋ２−８）、式（Ｋ４−１）〜（Ｋ４−６）、式（Ｋ５−１）〜（Ｋ５−３）、または式（Ｋ６−１）〜（Ｋ６−６）で表される化合物が用いられる。

本発明の好ましい態様の液晶組成物が光学的に等方性の液晶相を発現する温度範囲は、ネマチック相またはキラルネマチック相と等方相の共存温度範囲が広い液晶組成物に、キラル剤を添加し、光学的に等方性の液晶相を発現させることにより、広くすることができる。たとえば、透明点の高い液晶化合物と透明点の低い液晶化合物とを混合し、広い温度範囲でネマチック相と等方相の共存温度範囲が広い液晶組成物を調製し、これにキラル剤を添加することで、広い温度範囲で光学的に等方性の液晶相を発現する組成物を調製することができる。

ネマチック相またはキラルネマチック相と等方相の共存温度範囲が広い液晶組成物としては、キラルネマチック相と非液晶等方相とが共存する上限温度と下限温度との差が３〜１５０℃である液晶組成物が好ましく、差が５〜１５０℃である液晶組成物が更に好ましい。また、ネマチック相と非液晶等方相とが共存する上限温度と下限温度との差が３〜１５０℃である液晶組成物が好ましい。

光学的に等方性の液晶相において本発明の液晶媒体に電界を印加すると、電気複屈折が生じるが、必ずしもカー効果である必要はない。
光学的に等方性の液晶相における電気複屈折はピッチが長くなるほど大きくなるので、その他の光学特性（透過率、回折波長など）の要求を満たす限り、キラル剤の種類と含有量を調整して、ピッチを長く設定することにより、電気複屈折を大きくすることができる。

３−４その他の成分
本発明の液晶組成物は、その組成物の特性に大きな影響を与えない範囲で、さらに、溶媒、モノマー、高分子物質、重合開始剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、硬化剤、安定剤、二色性色素、フォトクロミック化合物等を含んでもよい。
また、本発明の液晶組成物に用いられる二色性色素の例としては、メロシアニン系、スチリル系、アゾ系、アゾメチン系、アゾキシ系、キノフタロン系、アントラキノン系、テトラジン系などが挙げられる。

４光学的に等方性の高分子／液晶複合材料
４−１高分子／液晶複合材料
本発明の高分子／液晶複合材料は、液晶組成物と高分子とを含む複合材料であり、光学的に等方性を示すものであり、光学的に等方性の液晶相で駆動される光素子に用いることができる。本発明の高分子／液晶複合材料に含まれる液晶組成物は本発明の液晶組成物である。

本明細書中、「高分子／液晶複合材料」とは、液晶組成物と高分子の化合物の両者を含む複合材料であれば特に限定されないが、高分子の一部または全部が液晶組成物や溶媒等に溶解していない状態で高分子が液晶組成物と相分離している状態でもよい。

本発明の好ましい態様に係る光学的に等方性の高分子／液晶複合材料は、光学的に等方性の液晶相を広い温度範囲で発現させることが可能である。また、本発明の好ましい態様に係る高分子／液晶複合材料は、応答速度が極めて速い。また、本発明の好ましい態様に係る高分子／液晶複合材料は、これらの効果に基づいて表示素子等の光素子等に好適に用いることができる。

４−２高分子化合物
本発明の複合材料は、光学的に等方性の液晶組成物と、予め重合されて得られた高分子とを混合しても製造できるが、高分子の材料となる低分子量のモノマー、マクロモノマー、オリゴマー等（以下、まとめて「モノマー等」という）とキラル液晶組成物ＣＬＣとを混合してから、当該混合物において重合反応を行うことによって、製造されることが好ましい。モノマー等と液晶組成物とを含む混合物を本件明細書では、「重合性モノマー／液晶混合物」と呼ぶ。「重合性モノマー／液晶混合物」には必要に応じて、後述する重合開始剤、硬化剤、触媒、安定剤、二色性色素、またはフォトクロミック化合物等を、本発明の効果を損なわない範囲で含んでもよい。たとえば、本件発明の重合性モノマー／液晶混合物には必要に応じて、重合開始剤を重合性モノマー１００重量部に対して０．１〜２０重量部含有してもよい。「重合性モノマー／液晶混合物」は、ブルー相で重合する場合は液晶媒体であることが必須となるが、等方相で重合する場合は、必ずしも液晶媒体である必要はない。

重合温度は、高分子／液晶複合材料が高透明性と等方性を示す温度であることが好ましい。より好ましくはモノマーと液晶材料の混合物が等方相またはブルー相を発現する温度で、かつ、等方相ないしは光学的に等方性の液晶相で重合を終了する。すなわち、重合後は高分子／液晶複合材料が可視光線より長波長側の光を実質的に散乱せずかつ光学的に等方性の状態を発現する温度とするのが好ましい。

本発明の複合材料を構成する高分子の原料としては、たとえば低分子量のモノマー、マクロモノマー、オリゴマーを使用することができ、本明細書において高分子の原料モノマーとは低分子量のモノマー、マクロモノマー、オリゴマー等を包含する意味で用いる。また、得られる高分子が三次元架橋構造を有するものが好ましく、そのために、高分子の原料モノマーとして２つ以上の重合性官能基を有する多官能性モノマーを用いることが好ましい。重合性の官能基は特に限定されないが、アクリル基、メタクリル基、グリシジル基、エポキシ基、オキセタニル基、ビニル基などを上げることができるが、重合速度の観点からアクリル基およびメタクリル基が好ましい。高分子の原料モノマー中、二つ以上の重合性のある官能基を持つモノマーをモノマー中に１０重量％以上含有させると、本発明の複合材料において高度な透明性と等方性を発現しやすくなるので好ましい。
また、好適な複合材料を得るためには、高分子はメソゲン部位を有するものが好ましく、高分子の原料モノマーとしてメソゲン部位を有する原料モノマーをその一部に、あるいは全部に用いることができる。

４−２−１メソゲン部位を有する単官能性・二官能性モノマー・三官能性モノマー
メソゲン部位を有する単官能性、または二官能性モノマーは構造上特に限定されないが、たとえば下記の式（Ｍ１）または式（Ｍ２）で表される化合物を挙げることができる。Ｒ^ａ−Ｙ−（Ａ^Ｍ−Ｚ^Ｍ）_ｍ１−Ａ^Ｍ−Ｙ−Ｒ^ｂ（Ｍ１）
Ｒ^ｂ−Ｙ−（Ａ^Ｍ−Ｚ^Ｍ）_ｍ１−Ａ^Ｍ−Ｙ−Ｒ^ｂ（Ｍ２）

式（Ｍ１）中、Ｒ^ａは、水素、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ、または炭素数１〜２０のアルキルであり、これらのアルキルにおいて少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−、で置き換えられてもよく、このアルキル中の少なくとも１つの−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、これらのアルキル基中、当該アルキル中の少なくとも１つの−ＣＨ_２−が−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−で置き換えられた基中、または当該アルキル中の少なくとも１つの−ＣＨ_２−ＣＨ_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられた基中の少なくとも１つの水素はハロゲンまたは−Ｃ≡Ｎで置き換えられてもよい。Ｒ^ｂは、それぞれ独立して、式（Ｍ３−１）〜式（Ｍ３−７）の重合性基である。

好ましいＲ^ａは、水素、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−ＣＦ_３、−ＣＦ_２Ｈ、−ＣＦＨ_２、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＦ_２Ｈ、炭素数１〜２０のアルキル、炭素数１〜１９のアルコキシ、炭素数２〜２１のアルケニル、および炭素数２〜２１のアルキニルである。特に好ましいＲ^ａは、−Ｃ≡Ｎ、炭素数１〜２０のアルキルおよび炭素数１〜１９のアルコキシである。

式（Ｍ２）中、Ｒ^ｂは、それぞれ独立して、式（Ｍ３−１）〜（Ｍ３−７）の重合性基である。

ここで、式（Ｍ３−１）〜（Ｍ３−７）におけるＲ^ｄは、それぞれ独立して水素、ハロゲンまたは炭素数１〜５のアルキルであり、これらのアルキルにおいて少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよい。好ましいＲ^ｄは、水素、ハロゲンおよびメチルである。特に好ましいＲ^ｄは、水素、フッ素およびメチルである。
また、式（Ｍ３−２）、式（Ｍ３−３）、式（Ｍ３−４）、式（Ｍ３−７）はラジカル重合で重合するのが好適である。式（Ｍ３−１）、式（Ｍ３−５）、式（Ｍ３−６）はカチオン重合で重合するのが好適である。いずれも少量のラジカルあるいはカチオン活性種が反応系内に発生すれば重合は開始する。活性種の発生を加速する目的で重合開始剤を使用できる。活性種の発生にはたとえば光または熱を使用できる。

式（Ｍ１）および（Ｍ２）中、Ａ^Ｍは、それぞれ独立して芳香族性または非芳香族性の５員環、６員環または炭素数９以上の縮合環であるが、環中の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、または−ＮＣＨ_３−で、環中の−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換わってもよく、環上の水素原子はハロゲン、および炭素数１〜５のアルキル、またはハロゲン化アルキルで置き換わってもよい。好ましいＡ^Ｍの具体例は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、ナフタレン−２，６−ジイル、テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、またはビシクロ［２．２．２］オクタン−１，４−ジイルであり、これらの環において少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられてもよく、これらの環において少なくとも１つの水素はハロゲン、炭素数１〜５のアルキルまたは炭素数１〜５のハロゲン化アルキルで置き換えられてもよい。
化合物の安定性を考慮して、酸素と酸素とが隣接した−ＣＨ_２−Ｏ−Ｏ−ＣＨ_２−よりも、酸素と酸素とが隣接しない−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−Ｏ−の方が好ましい。硫黄においても同様である。

これらの中でも、特に好ましいＡ^Ｍは、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−メチル−１，４−フェニレン、２−トリフルオロメチル−１，４−フェニレン、２，３−ビス（トリフルオロメチル）−１，４−フェニレン、ナフタレン−２，６−ジイル、テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、９−メチルフルオレン−２，７−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、およびピリミジン−２，５−ジイルである。なお、前記１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルの立体配置はシスよりもトランスの方が好ましい。
２−フルオロ−１，４−フェニレンは、３−フルオロ−１，４−フェニレンと構造的に同一であるので、後者は例示しなかった。この規則は、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンと３，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンの関係などにも適用される。

式（Ｍ１）および（Ｍ２）中、Ｙは、それぞれ独立して単結合または炭素数１〜２０のアルキレンであり、これらのアルキレンにおいて少なくとも１つの−ＣＨ₂−は−Ｏ−、−Ｓ−で置き換えられてもよく、このアルキル中の少なくとも１つの−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、または−ＯＣＯ−で置き換えられてもよい。好ましいＹは、単結合、−（ＣＨ₂）_ｍ２−、−Ｏ（ＣＨ₂）_ｍ２−、および−（ＣＨ₂）_ｍ２Ｏ−（前記式中、ｍ２は１〜２０の整数である）である。特に好ましいＹは、単結合、−（ＣＨ₂）_ｍ２−、−Ｏ（ＣＨ₂）_ｍ２−、および−（ＣＨ₂）_ｍ２Ｏ−（前記式中、ｍ２は１〜１０の整数である）である。化合物の安定性を考慮して、−Ｙ−Ｒ^ａおよび−Ｙ−Ｒ^ｂは、それらの基中に−Ｏ−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ−、−Ｓ−Ｏ−、または−Ｓ−Ｓ−を有しない方が好ましい。

式（Ｍ１）および（Ｍ２）中、Ｚ^Ｍは、それぞれ独立して単結合、−（ＣＨ₂）_ｍ３−、−Ｏ（ＣＨ₂）_ｍ３−、−（ＣＨ₂）_ｍ３Ｏ−、−Ｏ（ＣＨ₂）_ｍ３Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−（ＣＦ₂）₂−、−（ＣＨ₂）_２−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ₂）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ≡Ｃ−、−ＯＣＦ_２−（ＣＨ₂）_２−、−（ＣＨ₂）_２−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＦ_２Ｏ−（前記式中、ｍ３は１〜２０の整数である）である。

好ましいＺ^Ｍは単結合、−（ＣＨ₂）_ｍ３−、−Ｏ（ＣＨ₂）_ｍ３−、−（ＣＨ₂）_ｍ３Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−（ＣＨ₂）_２−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−（ＣＨ₂）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＦ_２−、および−ＣＦ_２Ｏ−である。

式（Ｍ１）および（Ｍ２）中、ｍ１は１〜６の整数である。好ましいｍ１は、１〜３の整数である。ｍ１が１のときは、６員環などの環を２つ有する二環の化合物である。ｍ１が２と３のときは、それぞれ三環と四環の化合物である。たとえばｍ１が１であるとき、２つのＡ^Ｍは同一であってもよいし、または異なってもよい。また、たとえばｍ１が２であるとき、３つのＡ^Ｍ（または２つのＺ^Ｍ）は同一であってもよいし、または異なってもよい。ｍ１が３〜６であるときについても同様である。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｚ^Ｍ、Ａ^ＭおよびＹについても同様である。

式（Ｍ１）で表される化合物（Ｍ１）および式（Ｍ２）で表される化合物（Ｍ２）は^２Ｈ（重水素）、^１３Ｃなどの同位体を天然存在比の量よりも多く含んでいても同様の特性を有するので好ましく用いることができる。

化合物（Ｍ１）および化合物（Ｍ２）の更に好ましい例は、式（Ｍ１−１）〜（Ｍ１−４１）および式（Ｍ２−１）〜（Ｍ２−２７）で表される化合物（Ｍ１−１）〜（Ｍ１−４１）および化合物（Ｍ２−１）〜（Ｍ２−２７）である。これらの化合物において、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ、Ｒ^ｄ、Ｚ^Ｍ、Ａ^Ｍ、Ｙおよびｐの定義は、本発明の態様に記載した式（Ｍ１）および式（Ｍ２）のそれらと同一である。

化合物（Ｍ１−１）〜（Ｍ１−４１）および（Ｍ２−１）〜（Ｍ２−２７）における下記の部分構造について説明する。部分構造（ａ１）は、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンを表す。部分構造（ａ２）は、少なくとも１つの水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンを表す。部分構造（ａ３）は、少なくとも１つの水素がフッ素またはメチルのいずれかで置き換えられてもよい１，４−フェニレンを表す。部分構造（ａ４）は、９位の水素がメチルで置き換えられてもよいフルオレンを表す。

前述のメソゲン部位を有さないモノマー、およびメソゲン部位を持つモノマー（Ｍ１）、および（Ｍ２）以外の重合性化合物を必要に応じて使用することができる。

本発明の高分子／液晶複合材料の光学的に等方性を最適化する目的で、メソゲン部位を持ち３つ以上の重合性官能基を持つモノマーを使用することもできる。メソゲン部位を持ち３つ以上の重合性官能基を持つモノマーとしては公知の化合物を好適に使用できるが、たとえば、（Ｍ４−１）〜（Ｍ４−３）であり、より具体的な例として、特開２０００−３２７６３２号（JP 2000-327632A）、特開２００４−１８２９４９号(JP 2004-182949A)、特開２００４−５９７７２号(JP 2004-59772A)に記載された化合物をあげることができる。ただし、（Ｍ４−１）〜（Ｍ４−３）において、Ｒ^ｂ、Ｚ^Ｍ、Ｙ、および（Ｆ）は前述と同一の定義を示す。

４−２−２メソゲン部位を有さない重合性官能基を持つモノマー
メソゲン部位を有さない重合性官能基を持つモノマーとして、たとえば、炭素数１〜３０の直鎖あるいは分岐鎖のアクリレート、炭素数１〜３０の直鎖あるいは分岐鎖のジアクリレート、三つ以上の重合性官能基を有するモノマーとしては、グリセロール・プロポキシレート（１ＰＯ／ＯＨ）トリアクリレート、ペンタエリスリトール・プロポキシレート・トリアクリレート、ペンタエリスリトール・トリアクリレート、トリメチロールプロパン・エトキシレート・トリアクリレート、トリメチロールプロパン・プロポキシレート・トリアクリレート、トリメチロールプロパン・トリアクリレート、ジ（トリメチロールプロパン）テトラアクリレート、ペンタエリスリトール・テトラアクリレート、ジ（ペンタエリスリトール）ペンタアクリレート、ジ（ペンタエリスリトール）ヘキサアクリレート、トリメチロールプロパン・トリアクリレートなどを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。

４−２−３重合開始剤
本発明の複合材料を構成する高分子の製造における重合反応は特に限定されず、たとえば、光ラジカル重合、熱ラジカル重合、光カチオン重合等が行われる。

光ラジカル重合において用いることができる光ラジカル重合開始剤の例は、ダロキュア（ＤＡＲＯＣＵＲ）１１７３および４２６５（いずれも商品名、ＢＡＳＦジャパン（株））、イルガキュア（ＩＲＧＡＣＵＲＥ）１８４、３６９、５００、６５１、７８４、８１９、９０７、１３００、１７００、１８００、１８５０、および２９５９（いずれも商品名、ＢＡＳＦジャパン（株））である。

熱ラジカル重合において用いることができる熱によるラジカル重合の好ましい開始剤の例は、過酸化ベンゾイル、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシジイソブチレート、過酸化ラウロイル、２，２’−アゾビスイソ酪酸ジメチル（ＭＡＩＢ）、ジｔ−ブチルパーオキシド（ＤＴＢＰＯ）、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、アゾビスシクロヘキサンカルボニトリル（ＡＣＮ）である。

光カチオン重合において用いることができる光カチオン重合開始剤の例は、ジアリールヨードニウム塩（以下、「ＤＡＳ」という。）およびトリアリールスルホニウム塩（以下、「ＴＡＳ」という。）である。

ＤＡＳの例は、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、および４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナートである。

ＤＡＳには、チオキサントン、フェノチアジン、クロロチオキサントン、キサントン、アントラセン、ジフェニルアントラセン、ルブレンなどの光増感剤を添加することで高感度化することもできる。

ＴＡＳの例は、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムテトラ（ペンタフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、および４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホネートである。

光カチオン重合開始剤の具体的な商品名の例は、サイラキュア（Ｃｙｒａｃｕｒｅ）ＵＶＩ−６９９０、サイラキュアＵＶＩ−６９７４、サイラキュアＵＶＩ−６９９２（それぞれ商品名、ＵＣＣ（株））、アデカオプトマーＳＰ−１５０、ＳＰ−１５２、ＳＰ−１７０、ＳＰ−１７２（それぞれ商品名、(株)ＡＤＥＫＡ）、Rhodorsil Photoinitiator ２０７４（商品名、ローディアジャパン（株））、イルガキュア（ＩＲＧＡＣＵＲＥ）２５０（商品名、ＢＡＳＦジャパン（株））、およびＵＶ−９３８０Ｃ（商品名、ＧＥ東芝シリコーン（株））である。

４−２−４硬化剤等
本発明の複合材料を構成する高分子の製造において、前記モノマー等および重合開始剤の他にさらに１つまたは２つ以上の他の好適な成分、たとえば、硬化剤、安定剤等を加えてもよい。

硬化剤としては、通常、エポキシ樹脂の硬化剤として使用されている従来公知の潜在性硬化剤が使用できる。潜在性エポキシ樹脂用硬化剤の例は、アミン系硬化剤、ノボラック樹脂系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、酸無水物系硬化剤等である。アミン系硬化剤の例は、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、テトラエチレンペンタアミン、ｍ−キシレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン、２−メチルペンタメチレンジアミン、ジエチルアミノプロピルアミン等の脂肪族ポリアミン、イソフォロンジアミン、１，３−ビスアミノメチルシクロヘキサン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ノルボルネンジアミン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、ラロミン等の脂環式ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエタン、メタフェニレンジアミン等の芳香族ポリアミンである。

ノボラック樹脂系硬化剤の例は、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールノボラック樹脂である。イミダゾール系硬化剤の例、２−メチルイミダゾール、２−エチルへキシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウム・トリメリテートである。

酸無水物系硬化剤の例は、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルへキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物である。

また、グリシジル基、エポキシ基、オキセタニル基を有する重合性化合物と硬化剤との硬化反応を促進するための硬化促進剤をさらに用いてもよい。硬化促進剤の例は、ベンジルジメチルアミン、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ジメチルシクロヘキシルアミン等の３級アミン類、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、トリフェニルホスフィン等の有機リン系化合物、テトラフェニルホスホニウムブロマイド等の４級ホスホニウム塩類、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−７等やその有機酸塩等のジアザビシクロアルケン類、テトラエチルアンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムブロマイド等の４級アンモニウム塩類、三フッ化ホウ素、トリフェニルボレート等のホウ素化合物である。これらの硬化促進剤は単独または複数を混合して使用することができる。

また、たとえば貯蔵中の不所望な重合を防止するために、安定剤を添加することが好ましい。安定剤として、当業者に知られているすべての化合物を用いることができる。安定剤の代表例としては、４−エトキシフェノール、ハイドロキノン、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）等が挙げられる。

４−３高分子／液晶複合材料の組成
本発明の高分子／液晶複合材料中における液晶組成物の含有率は、複合材料が光学的に等方性の液晶相を発現できる範囲であれば、可能な限り高含有率であることが好ましい。液晶組成物の含有率が高い方が、本発明の複合材料の電気複屈折値が大きくなるからである。

本発明の高分子／液晶複合材料において、液晶組成物の含有率は複合材料に対して６０〜９９重量％であることが好ましく、６０重量％〜９８重量％がさらに好ましく、８０重量％〜９７重量％が特に好ましい。また、本発明の高分子／液晶複合材料において、高分子の含有率は複合材料に対して１重量％〜４０重量％であることが好ましく、２重量％〜４０重量％がさらに好ましく、３重量％〜２０重量％が特に好ましい。

５光素子
本発明の光素子は、液晶組成物または高分子／液晶複合材料（以下では、本発明の液晶組成物および高分子／液晶複合材料を総称して液晶媒体と呼ぶことがある）を含む光学的に等方性の液晶相で駆動される光素子である。
電界無印加時には液晶媒体は光学的に等方性であるが、電場を印加すると、液晶媒体は光学的異方性を生じ、電界による光変調が可能となる。
液晶表示素子の構造例としては、図１に示すように、櫛型電極基板の電極が、左側から伸びる電極１と右側から伸びる電極２が交互に配置された構造を挙げることができる。電極１と電極２との間に電位差がある場合、図１に示すような櫛型電極基板上では、１本の電極に注目すると、図面上の上方向と下方向の２つの方向の電界が存在する状態を提供できる。
本発明の液晶組成物は光素子に利用できる。本発明の液晶組成物は、低い駆動電圧と短い応答時間を示すため、本発明の好ましい態様の光素子は低電圧で駆動が可能であり、高速応答が可能である。

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に言及のない限り、「％」は「重量％」を意味する。
また、得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムなどにより同定した。分析方法は以下のとおりであった。

１）分析方法
１−１）¹Ｈ−ＮＭＲ分析
測定装置は、ＤＲＸ−５００（商品名、ブルカーバイオスピン（株））を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ₃等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数２４回の条件で行った。なお、得られた核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｍはマルチプレットであることを意味する。また、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。

１−２）ＧＣ分析
測定装置は、島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ２５−０２５（長さ２５ｍ、内径０．２２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は１ｍｌ／分に調整した。試料気化室の温度を３００℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を３００℃に設定した。

試料はトルエンに溶解して、１重量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Chromatopac、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。

なお、試料の希釈溶媒としては、たとえば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty.Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）などを用いてもよい。

ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の重量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の重量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％とほぼ対応している。成分の液晶化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶化合物成分（被検成分）と基準となる液晶化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。

１−３）液晶化合物等の物性値の測定試料
液晶化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２種類がある。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行う。まず、得られた液晶化合物１５重量％と母液晶８５重量％とを混合して試料を作製する。そして、得られた試料の測定値から、下記の計算式に基づく外挿法にしたがって、外挿値を計算する。この外挿値をこの化合物の物性値とする。

〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の重量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈液晶化合物の重量％〉

液晶化合物と母液晶との割合がこの割合（１５重量％：８５重量％）であっても、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶化合物と母液晶との割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出しなくなった組成で試料の物性値を測定し上記式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶化合物の物性値とする。

測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、たとえば、母液晶Ａの組成（重量％）は以下のとおりである。

１−４）液晶化合物等の物性値の測定方法
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

測定値のうち、液晶化合物そのものを試料とした場合は、得られた値を実験データとして記載した。液晶化合物と母液晶との混合物を試料として用いた場合は、外挿法で得られた値を実験データとして記載した。

１−４−１）相構造および相転移温度（℃）：
以下（１）、および（２）の方法で測定を行った。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に化合物を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、液晶相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め（on set）、相転移温度を決定した。

以下、結晶はＫと表し、さらに結晶の区別がつく場合は、それぞれＫ₁またはＫ₂と表した。また、スメクチック相はＳｍ、ネマチック相はＮ、キラルネマチック相はＮ^＊と表した。液体（アイソトロピック）はＩと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳｍＢ、またはＳｍＡと表した。ＢＰはブルー相または光学的に等方性の液晶相を表す。２相の共存状態は（Ｎ^＊＋Ｉ）、（Ｎ^＊＋ＢＰ）という形式で表記することがある。具体的には、（Ｎ^＊＋Ｉ）は、それぞれ非液晶等方相とキラルネマチック相がと共存する相を表し、（Ｎ^＊＋ＢＰ）は、ＢＰ相または光学的に等方性の液晶相とキラルネマチック相が共存した相を表す。Ｕｎは光学的等方性ではない未確認の相を表す。相転移温度の表記として、たとえば、「Ｋ５０．０Ｎ１００．０Ｉ」とは、結晶からネマチック相への相転移温度（ＫＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への相転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。

１−５）ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に、試料（液晶化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。

１−６）低温相溶性
母液晶と液晶化合物とを、液晶化合物が、２０重量％、１５重量％、１０重量％、５重量％、３重量％、および１重量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。

１−７）粘度（バルク粘度；η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
液晶化合物と母液晶との混合物を、Ｅ型粘度計を用いて測定した。

１−８）屈折率異方性（Δｎ）
測定は２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料（液晶化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。屈折率異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。

１−９）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）
２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍ、ツイスト角が８０度の液晶セルに試料（液晶化合物と母液晶との混合物）を入れた。このセルに２０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

１−１０）ピッチ（Ｐ；２５℃で測定；ｎｍ）
ピッチ長は選択反射を用いて測定した（液晶便覧196頁 2000年発行、丸善）。選択反射波長λには、関係式<ｎ>ｐ/λ＝１が成立する。ここで<ｎ>は平均屈折率を表し、次式で与えられる。<ｎ>＝{(ｎ_‖ ²＋ｎ_⊥ ²)/２}^1/2。選択反射波長は顕微分光光度計（日本電子（株）、商品名MSV-350）で測定した。得られた反射波長を平均屈折率で除すことにより、ピッチを求めた。可視光より長波長領域に反射波長を有するコレステリック液晶のピッチは、光学活性化合物濃度が低い領域では光学活性化合物の濃度の逆数に比例することから、可視光領域に選択反射波長を有する液晶のピッチ長を数点測定し、直線外挿法により求めた。「光学活性化合物」は本発明におけるキラル剤に相当する。

本発明において、液晶組成物の特性値の測定は下記の方法にしたがって行うことができる。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

１−１１）ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

１−１２）ネマチック相の下限温度（Ｔ_C；℃）
ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。たとえば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶（またはスメクチック相）に変化したとき、Ｔ_Cを≦−２０℃と記載する。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

１−１３）光学的に等方性の液晶相の転移温度
偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、クロスニコルの状態で、まず試料が非液晶等方相になる温度まで昇温した後、１℃／分の速度で降温し、完全にキラルネマチック相または光学的に等方性の液晶相を出現させた。その降温過程での相転移した温度を測定し、次いで１℃／分の速度で昇熱し、その昇温過程における相転移した温度を測定した。本発明において、特に断りの無い限り、昇温過程での相転移した温度を相転移温度とした。光学的に等方性の液晶相においてクロスニコル下では暗視野で相転移温度の判別が困難な場合は、偏光板をクロスニコルの状態から１〜１０°ずらして相転移温度を測定した。

１−１４）粘度（回転粘度；γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）
（１）誘電率異方性が正である試料：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。ツイスト角が０°であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。ＴＮ素子に１６ボルト〜１９．５ボルトの範囲で０．５ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文の４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度の測定で使用した素子にて、下記の誘電率異方性の測定方法で求めた。

（２）誘電率異方性が負である試料：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３０ボルト〜５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性で測定した値を用いた。

１−１５）屈折率異方性（Δｎ；２５℃で測定）
測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビング（rubbing）したあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。屈折率異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。試料が組成物のときはこの方法によって屈折率異方性を測定した。

１−１６）誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：
（１）誘電率異方性が正である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍ、ツイスト角が８０度の液晶セルに試料を入れた。このセルに２０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

（２）誘電率異方性が負である組成物：ホメオトロピック配向に処理した液晶セルに試料を入れ、０．５ボルトを印加して誘電率（ε‖）を測定した。ホモジニアス配向に処理した液晶セルに試料を入れ、０．５ボルトを印加して誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

１−１７）しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）
１）誘電率異方性が正である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が（０．５／Δｎ）μｍであり、ツイスト角が８０度である、ノーマリーホワイトモード（normally white mode）の液晶表示素子に試料を入れた。Δｎは上記の方法で測定した屈折率異方性の値である。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率が９０％になったときの電圧の値を測定した。

２）誘電率異方性が負である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍであり、ホメオトロピック配向に処理したノーマリーブラックモード（normally black mode）の液晶表示素子に試料を入れた。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率１０％になったときの電圧の値を測定した。

１−１８）電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃で測定；％）
測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

１−１９）螺旋ピッチ（２０℃で測定；μｍ）
螺旋ピッチの測定には、カノのくさび型セル法を用いた。カノのくさび型セルに試料を注入し、セルから観察されるディスクリネーションラインの間隔（ａ；単位はμｍ）を測定した。螺旋ピッチ（Ｐ）は、式Ｐ＝２・ａ・ｔａｎθから算出した。θは、くさび型セルにおける２枚のガラス板の間の角度である。

あるいは、ピッチ長は選択反射を用いて測定した（液晶便覧196頁 2000年発行、丸善）。選択反射波長λには、関係式<ｎ>ｐ/λ＝１が成立する。ここで<ｎ>は平均屈折率を表し、次式で与えられる。<ｎ>＝{(ｎ‖²＋ｎ⊥²)/２}^1/2。選択反射波長は顕微分光光度計（日本電子（株）、商品名MSV-350）で測定した。得られた反射波長を平均屈折率で除すことにより、ピッチを求めた。
可視光より長波長領域に反射波長を有するコレステリック液晶のピッチは、キラル剤濃度が低い領域ではキラル剤の濃度の逆数に比例することから、可視光領域に選択反射波長を有する液晶のピッチ長を数点測定し、直線外挿法により求めた。

成分または液晶化合物の割合（百分率）は、液晶化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。組成物は、液晶化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。

１−２０）飽和電圧（２５°Cで測定；Ｖ）
高分子／液晶複合材料が狭持されたセルを、図２に示した光学系にセットした。具体的には、光源として偏光顕微鏡（ニコン製エクリプスＬＶ１００ＰＯＬ）の白色光源を用い、セルへの入射角度がセル面に対して垂直となるようにし、ＰｏｌａｒｉｚｅｒとＡｎａｌｙｚｅｒの偏光板がクロスニコルになるようにセットした。高分子／液晶複合材料が狭持されたセルの図１に示した櫛型電極の線方向がそれぞれの偏光板に対して４５°となるようにセットし、光測定器（ＹＯＫＯＧＡＷＡ製３２９８Ｆ）を使用し偏光板とセルを通過する透過光強度を測定した。この高分子／液晶複合材料が狭持されたセルに矩形波で電圧を印加し、透過光強度が最大となる印加電圧を飽和電圧とした。

１−２１）コントラスト比（室温で測定）
高分子／液晶複合材料が狭持されたセルを、図２に示した光学系にセットした。具体的には、光源として偏光顕微鏡（ニコン製エクリプスＬＶ１００ＰＯＬ）の白色光源を用い、セルへの入射角度がセル面に対して垂直となるようにし、ＰｏｌａｒｉｚｅｒとＡｎａｌｙｚｅｒの偏光板がクロスニコルになるようにセットした。高分子／液晶複合材料が狭持されたセルの図１に示した櫛型電極の線方向がそれぞれの偏光板に対して４５°となるようにセットし、光測定器（ＹＯＫＯＧＡＷＡ製３２９８Ｆ）を使用し偏光板とセルを通過する透過光強度を測定した。この高分子／液晶複合材料が狭持されたセルに矩形波で電圧を印加し透過光強度が最大となった値を、電圧を除去したときの透過光強度で割った値をコントラスト比とした。

１−２２）応答時間（２５°Cで測定；ｍｓ）
高分子／液晶複合材料が狭持されたセルを、図２に示した光学系にセットした。具体的には、光源として偏光顕微鏡（ニコン製エクリプスＬＶ１００ＰＯＬ）の白色光源を用い、セルへの入射角度がセル面に対して垂直となるようにし、ＰｏｌａｒｉｚｅｒとＡｎａｌｙｚｅｒの偏光板がクロスニコルになるようにセットした。高分子／液晶複合材料が狭持されたセルの図１に示した櫛型電極の線方向がそれぞれの偏光板に対して４５°となるようにセットし、光測定器（ＨＡＭＡＭＡＴＳＵ製Ｈ５７８４）を使用し偏光板とセルを通過する透過光強度を測定した。この高分子／液晶複合材料が狭持されたセルにパルス波で電圧を印加し、透過光強度が最大値に対して１０％から９０％まで変化する時間を「電圧印加時の応答時間」とし、電圧を除去し透過光強度が最大値に対して９０％から１０％まで変化する時間を「電圧除去時の応答時間」とした。

１−２３）誘電損率曲線のピークトップ測定
２枚のガラス基板の間隔（ｄ；ギャップ）が約１０μｍであり、ＩＴＯ電極を備えた電極面積（Ｓ）が約０．１６ｃｍ^２であるセルに高分子安定化ブルー相（ＰＳＢＰ）を作製し液晶表示素子とした。ＬＣＲメータ（Ａｇｉｌｅｎｔ製：Ｅ４９８０Ａ）を使用し、この素子に、電圧を１０Ｖ印加し、周波数２０〜２ＭＨｚまでのキャパシタンス（C）と誘電正接（ｔａｎδ）を測定した。測定したキャパシタンス（C）を式ε‘＝（Ｃ×ｄ）／（ε_０×Ｓ）に代入し誘電率ε’を導出し、誘電損率ε“の導出は式ε”＝ε‘×ｔａｎδから求めた。ここでε₀は真空の誘電率であり、値は８．８５４（ｐＦ／ｍ）である。こうして求められた誘電損率ε“を縦軸に、周波数を横軸にしたグラフにおいて、測定した周波数の範囲に誘電緩和が存在するとき、ピークが確認されることがある。誘電損率ε“の周波数依存性は、誘電率ε’の周波数依存性と相関があり、誘電損率曲線のピークトップを測定することで、実効誘電率の高周波での低下の指標となる。誘電損率曲線のピークトップは、実効誘電率を確保するために、高周波数にあることが好ましく、より好ましくは１０ｋＨｚより高周波数であり、さらに好ましくは２０ｋＨｚより高周波数である。
なお、誘電損率曲線のピークトップの測定温度は、高分子／液晶複合材料がＢＰ相から液体相へ相転移する温度から-５０°Cの温度で測定した。

実施例における化合物は、下記の表３の定義に基づいて記号により表した。表３において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。記号の後にあるかっこ内の番号は化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶組成物の重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめた。

表３記号を用いた化合物の表記法
R-(A1)-Z1-……-Zn-(An）-R'

［実施例１］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ａを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）１０％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）６．３％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）６．３％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）６．３％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．７％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．７％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１１．７％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１０．８％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１０．８％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１６．２％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１６．２％
ＮＬＣ−Ａの相転移温度：Ｎ１１２．８〜１１７．０Ｉｓｏ．

次に、ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ａを、下記に示すキラル剤ＣＤ１と混合して、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ａを調製した。
ＮＬＣ−Ａ９５．０％
ＣＤ１５．０％
ＣＬＣ−Ａの相転移温度：
Ｎ＊１０３．４〜１０４．７ＢＰ − ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．

ＣＤ１の構造式

調製されたキラル液晶組成物ＣＬＣ−Ａと重合性モノマーとの混合物を等方相で加熱混合することで、液晶組成物ＭＬＣ−Ａを調製した。
ＣＬＣ−Ａ８７．９％
ｎ−ヘキサデシルアクリレート６．５％
ＬＣＡ−１２５．２％
ＤＭＰＡ０．４％
ＭＬＣ−Ａの相転移温度：
Ｎ＊６９．６〜６９．９ＢＰ − ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
上記のＬＣＡ−１２、ＤＭＰＡはそれぞれ、１，４−ジ（４−（６−（アクリロイルオキシ）−２−メチルベンゼン、２，２‘−ジメトキシフェニルアセトフェノンを表し、ＤＭＰＡは光重合開始剤である。

ＬＣＡ−１２の構造式

液晶組成物ＭＬＣ−Ａを配向処理の施されていない櫛形電極基板と対向ガラス基板（非電極付与）の間に狭持し、ブルー相まで加熱した（重合温度：６９．８℃）。この状態で、紫外光（紫外光強度２３ｎＷｃｍ^−２（３６５ｎｍ））を１分間照射して重合反応を行い、高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ａが狭持されたセルを作成した（セル厚：７．５７μｍ）。

ＰＳＢＰ−Ａの物性値は以下の通り。
相転移温度：ＢＰ９９．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
飽和電圧：５０．３Ｖ、コントラスト比：４５０．
誘電損率曲線のピークトップは５０ｋＨｚであり、高周波数域のおける実効誘電率が確保できることが分かった。

［比較例１］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｚを調製した。
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）７％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）７％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）７％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）３％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）３％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１３％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１２％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１２％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
ＮＬＣ−Ｚの相転移点：Ｎ８８．６〜８９．０Ｉｓｏ．
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｚを、下記に示すキラル剤ＣＤ１と混合して、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｚを調製した。
ＮＬＣ−Ａ９５．２％
ＣＤ１４．８％
実施例１と同様な方法で、液晶組成物ＭＬＣ−Ｚ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｚを得た。

ＰＳＢＰ−Ｚの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｚの相転移温度：ＢＰ７６．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：５０．７℃、セル厚：７．６０μｍ、飽和電圧：４０．３Ｖ、コントラスト比：７４０、誘電損率曲線のピークトップ：１ｋＨｚ。
ネマチック液晶組成物に式（１）の化合物を含有しないＰＳＢＰ−Ｚの誘電損率曲線のピークトップは、式（１）の化合物を含有するＰＳＢＰ−Ａのそれより低電圧側にあり、高周波数域において実効誘電率は小さい。

［実施例２］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｂを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）１０％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，ＣＬ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−３）８％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，ＣＬ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−３）８％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，ＣＬ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−３）８％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
４−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）７％
５−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
ＮＬＣ−Ｂの相転移温度：Ｎ８８．９〜９７．３Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｂ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｂ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｂを得た。

ＰＳＢＰ−Ｂの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｚの相転移温度：ＢＰ７４．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：４９．２℃、セル厚：７．４２μｍ、飽和電圧：６９．６Ｖ、コントラスト比：７７０、誘電損率曲線のピークトップ：５ｋＨｚ．

［実施例３］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｃを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）８％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
１−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
４−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１３％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２０）１０％
ＮＬＣ−Ｃの相転移温度：Ｎ８８．９〜９２．３Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｃ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｃ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｃを得た。

ＰＳＢＰ−Ｃの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｃの相転移温度：ＢＰ７７．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：５２．３℃、セル厚：７．４５μｍ、飽和電圧：６５．６Ｖ、コントラスト比：７５０、誘電損率曲線のピークトップ：７ｋＨｚ．

［実施例４］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｄを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）９．５％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）３％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）３％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）３％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１９％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１９％
４−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１２．５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２０）１５％
ＮＬＣ−Ｄの相転移温度：Ｎ９１．８〜９５．０Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｄ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｄ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｄを得た。

ＰＳＢＰ−Ｄの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｄの相転移温度：ＢＰ８１．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：５５．２℃、セル厚：７．９０μｍ、飽和電圧：７１．２Ｖ、コントラスト比：４８０、誘電損率曲線のピークトップ：１０ｋＨｚ．

［実施例５］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｅを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）１０％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
１−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
４−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１４％
１−ＢＢ−５（４−３）７％
ＮＬＣ−Ｅの相転移温度：Ｎ８８．６〜９４．３Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｅ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｅ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｅを得た。

ＰＳＢＰ−Ｅの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｅの相転移温度：ＢＰ７７．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：５４．２℃、セル厚：７．３８μｍ、飽和電圧：８２．２Ｖ、コントラスト比：９３０、誘電損率曲線のピークトップ：１０ｋＨｚ．

［実施例６］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｆを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）１０％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
１−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
４−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１４％
５−ＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２１）７％
ＮＬＣ−Ｆの相転移温度：Ｎ８７．８〜９５．７Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｆ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｆ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｆを得た。

ＰＳＢＰ−Ｆの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｆの相転移温度：ＢＰ７６．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：５３．１℃、セル厚：７．５６μｍ、飽和電圧：７４．５Ｖ、コントラスト比：６９０、誘電損率曲線のピークトップ：１０ｋＨｚ．

［実施例７］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｇを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）８％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
１−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）６％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
４−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１２％
２−ＨＨ−３（４−１）５％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２０）５％
ＮＬＣ−Ｇの相転移温度：Ｎ８８．６〜９１．８Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｇ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｇ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｇを得た。

ＰＳＢＰ−Ｇの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｇの相転移温度：ＢＰ７７．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：５４．８℃、セル厚：７．１９μｍ、飽和電圧：７０．２Ｖ、コントラスト比：９３０、誘電損率曲線のピークトップ：１０ｋＨｚ．

［実施例８］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｈを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）１４％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）４％
１−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）５％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
４−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１２％
Ｈ−ＢＯＢ−Ｆ（４−４）５％
ＮＬＣ-Ｈの相転移温度：Ｎ８４．２〜８７．５Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｈ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｈ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｈを得た。

ＰＳＢＰ−Ｈの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｈの相転移温度：ＢＰ７５．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：４９．０℃、セル厚：７．１９μｍ、飽和電圧：８０．０Ｖ、コントラスト比：８１０、誘電損率曲線のピークトップ：１５ｋＨｚ．

［実施例９］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｉを調製した。
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２（１−１）１７％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）２％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．５％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）３％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）３％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）３％
１−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）８％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１８％
２−ＨＨ−３（４−１）５％
Ｈ−ＢＯＢ−Ｆ（４−４）４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（４−２０）５％
ＮＬＣ−Ｉの相転移温度：Ｎ９０．３〜１０２．９Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｉ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｉ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｉを得た。

ＰＳＢＰ−Ｉの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｉの相転移温度：ＢＰ７５．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：５４．２℃、セル厚：７．７４μｍ、飽和電圧：９１．１Ｖ、コントラスト比：６３８、誘電損率曲線のピークトップ：１５ｋＨｚ．

［実施例１０］
ネマチック液晶組成物ＮＬＣ−Ｊを調製した。
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（１−６）１０％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）６．３％
５−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）６．３％
６−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（２−１）６．３％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．７％
４−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３（２−２）２．７％
３−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１１．７％
４−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１０．８％
５−ＧＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−１）１０．８％
２−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１６．２％
３−ＧＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ（３−２）１６．２％
ＮＬＣ−Ｊの相転移温度：Ｎ１０５．４〜１０６．６Ｉｓｏ．
実施例１と同様な方法で、キラル液晶組成物ＣＬＣ−Ｊ、液晶組成物ＭＬＣ−Ｊ、および高分子／液晶複合材料ＰＳＢＰ−Ｊを得た。

ＰＳＢＰ−Ｊの物性値は以下の通り。
ＰＳＢＰ−Ｊの相転移温度：ＢＰ９２．０ＢＰ＋Ｉｓｏ． − Ｉｓｏ．
重合温度：６５．０℃、セル厚：７．８６μｍ、飽和電圧：５２．８Ｖ、コントラスト比：６９０、誘電損率曲線のピークトップ：２０ｋＨｚ．

上記実施例および比較例から明らかなように、本発明の液晶表示素子は、誘電損率曲線のピークトップが高周波数側にシフトしており、高周波数での駆動に適していることから従来技術より優れている。

本発明の活用法として、たとえば、高分子／液晶複合体を用いる表示素子などの光素子が挙げられる。

１電極
２電極
３光源
４偏光子（偏光板）（Polarizer）
５櫛型電極セル
６検光子（偏光板）（Analyzer）
７受光器（Photodetector）

Claims

アキラル成分Ｔとキラル剤とを含有する液晶組成物であって、アキラル成分Ｔが、第１成分として、式（１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物、および第２成分として、式（２）および式（３）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する液晶組成物。

式（１）において、Ｒ^１は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；環Ａ^１は、１，４−シクロヘキシレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；環Ｂ^１は、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；Ｌ^１１〜Ｌ^１４は独立して、水素、フッ素または塩素であり；Ｙ^１は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；ｎ^１は１または２であり、
式（２）において、Ｒ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシまたは炭素数２から９のアルコキシアルキルであり；Ｚ^２１及びＺ^２２は独立して、単結合または−ＣＦ_２Ｏ−であり；Ｌ^２１〜Ｌ^２３は独立して、水素、フッ素または塩素であり；Ｙ^２は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３または−ＯＣＦ_３であり、
式（３）において、Ｒ^３は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシまたは炭素数２から９のアルコキシアルキルであり；Ｚ^３１及びＺ^３２は独立して、単結合または−ＣＦ_２Ｏ−であり；Ｌ^３１〜Ｌ^３４は独立して、水素、フッ素または塩素であり；Ｙ^３は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３または−ＯＣＦ_３である。
アキラル成分Ｔが、第３成分として、式（４）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有し、光学的に等方性の液晶相を発現する、請求項１に記載の液晶組成物。

式（４）において、Ｒ^４は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；環Ａ^４はおよび環Ｂ^４は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたはテトラヒドロピラン−２，５−ジイルであり；Ｚ^４は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２ＣＨ_２−、−ＣＨ_２Ｏ−および−ＣＦ_２Ｏ−であり；Ｙ^４は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；ｎ^４は１または２である。
式（１）において、ｎ^１＝１である化合物を含有し、光学的に等方性の液晶相を発現する、請求項１または請求項２に記載の液晶組成物。
第１成分として、式（１−１）から式（１−７）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する、請求項１または請求項２に記載の液晶組成物。

式（１−１）から式（１−７）において、Ｒ^１は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；Ｙ^１は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキルまたは炭素数１から１１のアルコキシである。
第２成分として、式（２−１）から式（２−６）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（２−１）から式（２−６）において、Ｒ^２は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシまたは炭素数２から９のアルコキシアルキルである。
第２成分として、式（３−１）から式（３−３）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（３−１）から式（３−３）において、Ｒ^３は、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニル、炭素数１から１１のアルコキシまたは炭素数２から９のアルコキシアルキルである。
第３成分として、式（４−１）から式（４−２３）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物を含有する、光学的に等方性の液晶相を発現する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の液晶組成物。

式（４−１）から式（４−２３）において、Ｒ^４は、水素、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニル、炭素数２から１２のアルキニルまたは炭素数１から１１のアルコキシであり；Ｙ^４は、フッ素、塩素、−ＣＦ_３、−ＯＣＦ_３、炭素数１から１２のアルキル、炭素数２から１２のアルケニルまたは炭素数１から１１のアルコキシである。
アキラル成分Ｔの全重量に対して、第１成分を１重量％〜３０重量％含有し、第２成分を５０重量％〜９５重量％、第３成分を１重量％〜３０重量％含有する、請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
キラル剤が、式（Ｋ１）〜（Ｋ６）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物である、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の液晶組成物。

（上記式中、Ｒ^Ｋはそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、−Ｃ≡Ｎ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｏ、−Ｎ＝Ｃ＝Ｓまたは炭素数１〜２０のアルキルであり、当該Ｒ^Ｋにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられもよく、少なくとも１つの水素はフッ素または塩素で置き換えられてもよく；
Ａはそれぞれ独立して、芳香族性の６〜８員環、非芳香族性の３〜８員環、または、炭素数９以上の縮合環であり、これらの環の少なくとも１つの水素はハロゲン、炭素数１〜３のアルキルまたはハロアルキルで置き換えられてもよく、環の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられてもよく、−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられてもよく；
Ｂはそれぞれ独立して、水素、ハロゲン、炭素数１〜３のアルキル、炭素数１〜３のハロアルキル、芳香族性の６〜８員環、非芳香族性の３〜８員環、または、炭素数９以上の縮合環であり、これらの環の少なくとも１つの水素がハロゲン、炭素数１〜３のアルキルまたはハロアルキルで置き換えられてもよく、当該アルキル中の−ＣＨ_２−は−Ｏ−、−Ｓ−または−ＮＨ−で置き換えられてもよく、−ＣＨ＝は−Ｎ＝で置き換えられてもよく；
Ｚはそれぞれ独立して、単結合、炭素数１〜８のアルキレンであり、当該Ｚにおいて、少なくとも１つの−ＣＨ_２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＳＯ−、−ＯＣＳ−、−Ｎ＝Ｎ−、−ＣＨ＝Ｎ−または−Ｎ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの−ＣＨ_２−ＣＨ_２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよく、少なくとも１つの水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Ｘはそれぞれ独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−または−ＣＨ_２ＣＨ_２−であり；
ｍＫはそれぞれ独立して、１〜４の整数である。）
−２０℃〜７０℃の温度範囲でキラルネマチック相を示し、この温度範囲の少なくとも一部において螺旋ピッチが７００ｎｍ以下である、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の液晶組成物と、重合性モノマーとを含む混合物。
請求項１１に記載の混合物を重合して得られる、光学的に等方性の液晶相で駆動される素子に用いられる高分子／液晶複合材料。
一方または両方の基板に電極が配置され、基板間に配置された液晶媒体、および電極を介して液晶媒体に電界を印加する電界印加手段を備えた光素子であって、液晶媒体が、請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の液晶組成物、または、請求項１２に記載の高分子／液晶複合材料である光素子。
請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の液晶組成物または請求項１２に記載の高分子／液晶複合材料の光素子への使用。