JP2018060890A - Semiconductor device manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体デバイスにおいては、設計の高精密化に伴い、その部材となるデバイスあるいはそれを構成するモジュールの特性のばらつきを抑制することが課題となっている。 In semiconductor devices, as design becomes more precise, it has become an issue to suppress variations in the characteristics of the device serving as a member or a module constituting the device.
例えば特許文献１には、ウエハ面内の膜厚分布およびエッチングプロセス変動に応じた任意の方向と位置における寸法のバラツキを制御できるように露光条件を決定する方法について開示されている。特許文献１に記載の方法によると、記憶部は、半導体デバイスの品種、ロットおよびエリアの組合せ毎に、エリアへの露光条件および各種測定値（被エッチング膜厚測定値、レジスト膜厚測定値、レジスト寸法測定値、寸法シフト量測定値）を管理する。演算部は、半導体デバイスの品種、ロットおよびエリアの組合せ毎に、新たなウエハの対象エリアへの露光条件を、当該ウエハの対象エリアにおける測定値（被エッチング膜厚測定値、レジスト膜厚測定値）と、過去の露光条件および測定値を基に決定する。 For example, Patent Document 1 discloses a method for determining exposure conditions so that variation in dimensions in an arbitrary direction and position in accordance with film thickness distribution in the wafer surface and etching process variation can be controlled. According to the method described in Patent Document 1, the storage unit performs exposure conditions on the area and various measured values (measured film thickness to be etched, measured resist film thickness, (Resist dimension measurement value, dimension shift amount measurement value) are managed. For each combination of semiconductor device type, lot, and area, the arithmetic unit determines the exposure condition for the new target area of the wafer, the measured value in the target area of the wafer (measured film thickness measurement value, resist film thickness measurement value). ) And past exposure conditions and measured values.
特許文献１に記載のような従来の方法では、膜厚の測定を、１ロットにつき１枚のウエハについて、数点程度で行っており、１０％程度の精度でばらつきを管理していた。より高い精度でばらつきを抑制するためには、従来の膜厚に加え、膜質等、測定項目を増加させる必要がある。しかし、測定項目を増加させると、工程数の増大やコストの増加を招いてしまう。 In the conventional method as described in Patent Document 1, the film thickness is measured at several points for one wafer per lot, and variation is managed with an accuracy of about 10%. In order to suppress variation with higher accuracy, it is necessary to increase measurement items such as film quality in addition to the conventional film thickness. However, increasing the number of measurement items causes an increase in the number of steps and an increase in cost.
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、半導体デバイスの特性のばらつきを効率的に低減する方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a method for efficiently reducing variation in characteristics of semiconductor devices.
本発明の一側面に係る半導体デバイス製造方法は、デバイスウエハにデバイス膜を形成して複数のデバイスを形成する工程と、モニタウエハに前記デバイス膜と同一のモニタ膜を形成する工程と、モニタウエハにおける複数の代表点において、モニタ膜の特性であるモニタ膜特性を測定する工程と、複数の代表点におけるモニタ膜特性の測定結果に基づいて、モニタウエハにおけるモニタ膜特性の面内分布を示すテンプレートデータを作成する工程と、テンプレートデータを記憶部に保存する工程と、記憶部に保存された複数のテンプレートデータに基づいて、デバイスウエハにおいてデバイス膜の特性であるデバイス膜特性を測定するポイントであるモニタポイントを設定する工程と、設定されたモニタポイントにおいて、デバイス膜特性を測定する工程と、モニタポイントにおけるデバイス膜特性の測定結果であるモニタリング結果と、記憶部に保存されたテンプレートデータとを照合する工程と、モニタリング結果に対応するテンプレートデータが、記憶部に保存されていた場合に、対応するテンプレートデータを用いてモニタリング結果を補間し、デバイス膜特性の面内分布を示す仮想データを作成する工程と、仮想データに基づいて、デバイスウエハ面内における複数のデバイスの特性のばらつきを補正する工程と、を含む。 A semiconductor device manufacturing method according to an aspect of the present invention includes a step of forming a device film on a device wafer to form a plurality of devices, a step of forming a monitor film identical to the device film on a monitor wafer, and a monitor wafer A template showing the in-plane distribution of the monitor film characteristics on the monitor wafer based on the measurement results of the monitor film characteristics at the plurality of representative points and the measurement results of the monitor film characteristics at the plurality of representative points This is a point for measuring device film characteristics which are characteristics of a device film in a device wafer based on a process of creating data, a process of storing template data in a storage unit, and a plurality of template data stored in the storage unit Process of setting monitor points and device film characteristics at the set monitor points The step of measuring, the step of comparing the monitoring result, which is the measurement result of the device film characteristics at the monitor point, with the template data stored in the storage unit, and the template data corresponding to the monitoring result are stored in the storage unit. In this case, the monitoring result is interpolated using the corresponding template data to create virtual data indicating the in-plane distribution of device film characteristics, and the characteristics of a plurality of devices on the device wafer surface based on the virtual data. Correcting the variation.
本発明によれば、導体デバイスの特性のばらつきを効率的に低減することができる。 According to the present invention, it is possible to efficiently reduce variations in characteristics of conductor devices.
［実施形態］
以下、添付の図面を参照して本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体デバイス製造方法を実施する製造システム１の構成図の一例を示す図である。本実施形態に係る製造システム１は、制御装置１０と、処理装置２０とを備えている。処理装置２０は、例えば成膜装置やエッチング装置、露光装置等を含む。本実施形態においては、処理装置２０は、制御装置１０によって処理条件が制御される。処理条件は、例えば処理レシピ（材料、配合、温度、処理時間等）である。なお、制御装置１０と処理装置２０とは同一筐体によって実装される構成でもよい。
[Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a diagram showing an example of a configuration diagram of a manufacturing system 1 that performs a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention. The manufacturing system 1 according to the present embodiment includes a control device 10 and a processing device 20. The processing apparatus 20 includes, for example, a film forming apparatus, an etching apparatus, and an exposure apparatus. In the present embodiment, the processing conditions of the processing device 20 are controlled by the control device 10. The processing condition is, for example, a processing recipe (material, blending, temperature, processing time, etc.). In addition, the structure mounted with the same housing | casing may be sufficient as the control apparatus 10 and the processing apparatus 20. FIG.
図１に示すように、制御装置１０は、機能部として、例えばテンプレートＤＢ１３１と、モニタポイントＤＢ１３２と、モニタ測定部１０１と、特徴点抽出部１０２と、デバイス測定部１０３と、補正部１０４とを備えている。 As illustrated in FIG. 1, the control device 10 includes, for example, a template DB 131, a monitor point DB 132, a monitor measurement unit 101, a feature point extraction unit 102, a device measurement unit 103, and a correction unit 104 as functional units. I have.
テンプレートＤＢ１３１には、ウエハの膜厚や膜質（屈折率や消衰係数等の光学定数を含む）等の膜の特性の面内分布に関するデータが保存されている。具体的には、テンプレートＤＢ１３１には、ウエハ面内のばらつきデータに、膜の種類、処理装置、チャンバの識別子、処理時期、処理条件等のカテゴリが対応付けられて保存されている。処理時期は、処理が行われた日時や、現在から処理が行われた日までの期間をいう。ウエハ面内のばらつきデータは、後述するモニタ測定部１０１によって測定された膜厚や屈折率、消衰係数等の膜の特性の面内分布を表すデータである。詳細については後述するが、ウエハ面内のばらつきデータは、例えばヒートマップや等高線によって可視化されたデータとしてテンプレートＤＢ１３１に保存されていることが好ましい（図２（Ｂ）参照）。以下の説明では、ウエハ面内のばらつきデータをテンプレートデータとも呼ぶ。 The template DB 131 stores data related to the in-plane distribution of film characteristics such as wafer thickness and film quality (including optical constants such as refractive index and extinction coefficient). Specifically, the template DB 131 stores variation data within the wafer surface in association with categories such as film type, processing apparatus, chamber identifier, processing time, and processing conditions. The processing time refers to the date and time when processing is performed and the period from the present to the date when processing is performed. The in-plane variation data is data representing the in-plane distribution of film characteristics such as film thickness, refractive index, and extinction coefficient measured by the monitor measurement unit 101 described later. Although details will be described later, it is preferable that the variation data in the wafer plane is stored in the template DB 131 as data visualized by, for example, a heat map or contour lines (see FIG. 2B). In the following description, the variation data in the wafer surface is also referred to as template data.
モニタポイントＤＢ１３２には、上述のカテゴリ毎に、膜の特性分布の特徴点に関する情報（モニタポイント）が保存されている。特徴点は、詳細については後述するが、あるカテゴリで成膜されたモニタウエハにおけるテンプレートデータにおいて、特徴的なデータを示すポイントである。 The monitor point DB 132 stores information (monitor points) related to the feature points of the film characteristic distribution for each of the above categories. Although the details will be described later, the characteristic points are points indicating characteristic data in the template data on the monitor wafer formed in a certain category.
モニタ測定部１０１は、モニタウエハの特性の測定を行い、テンプレートデータを作成する。モニタウエハは、ベアウエハの表面に、光を透過させる単一の膜（モニタ膜）が形成されたウエハをいう。 The monitor measurement unit 101 measures the characteristics of the monitor wafer and creates template data. A monitor wafer refers to a wafer in which a single film (monitor film) that transmits light is formed on the surface of a bare wafer.
モニタ測定部１０１の処理についてより詳細に説明する。
まず、モニタ測定部１０１は、処理装置２０や、ベアウエハに成膜された膜の種類、処理条件等のカテゴリ毎に複数のモニタウエハの膜の特性（モニタ膜特性）の測定を行う。具体的には、モニタ測定部１０１は、モニタウエハの面内において、複数の代表点（望ましくは４９点以上である。）を、当該代表点が面内に均一に分布するように選択する。選択した複数の代表点について、モニタ測定部１０１は、適切なメトロロジー技術を用いてスペクトルデータを取得する。モニタ測定部１０１は、メトロロジー技術として、近紫外〜紫外光によるエリプソメーターや干渉計、赤外分光計、Ｘ線干渉計等を用いることができる。メトロロジー技術は、デバイスウエハを非破壊で、かつインプロセスで適用することができ、またその検査に必要なタクトタイムが他の解析技術に比べて短いため、多数のサンプリングをより容易に行うことができる。
The process of the monitor measurement unit 101 will be described in detail.
First, the monitor measurement unit 101 measures the film characteristics (monitor film characteristics) of a plurality of monitor wafers for each category such as the processing apparatus 20 and the types of films formed on the bare wafer and the processing conditions. Specifically, the monitor measurement unit 101 selects a plurality of representative points (desirably 49 points or more) in the plane of the monitor wafer so that the representative points are uniformly distributed in the plane. For a plurality of selected representative points, the monitor measurement unit 101 acquires spectrum data using an appropriate metrology technique. As the metrology technology, the monitor measurement unit 101 can use an ellipsometer, an interferometer, an infrared spectrometer, an X-ray interferometer, or the like using near ultraviolet to ultraviolet light. Metrology technology allows non-destructive and in-process application of device wafers, and the tact time required for inspection is shorter than other analysis technologies, making it easier to sample a large number of samples. Can do.
次に、モニタ測定部１０１は、取得したスペクトルデータから内挿、外挿等して補間したデータを用いて膜の特性の面内分布データ（テンプレートデータ）を作成する。さらにモニタ測定部１０１は面内分布データを、ヒートマップや等高線等の可視データとして作成することが好ましい。図２はモニタ測定部１０１がモニタウエハの膜の特性の面内分布を作成する態様を模式的に示す図である。図２（Ａ）に示すようにモニタ測定部１０１は、例えばモニタウエハをメッシュに区切り、当該メッシュ毎に代表点を選択する。次にモニタ測定部１０１は、選択した代表点において膜の特性の測定を行う。さらにモニタ測定部１０１は測定した代表点のデータから内挿、外挿等してデータを補間し、図２に示すようなヒートマップ表示可能なテンプレートデータを作成する。 Next, the monitor measurement unit 101 creates in-plane distribution data (template data) of film characteristics using data interpolated by interpolation, extrapolation, or the like from the acquired spectrum data. Furthermore, it is preferable that the monitor measurement unit 101 creates the in-plane distribution data as visible data such as a heat map and contour lines. FIG. 2 is a diagram schematically showing how the monitor measurement unit 101 creates an in-plane distribution of the film characteristics of the monitor wafer. As shown in FIG. 2A, the monitor measurement unit 101 divides a monitor wafer into meshes, for example, and selects a representative point for each mesh. Next, the monitor measurement unit 101 measures the film characteristics at the selected representative point. Further, the monitor measurement unit 101 interpolates the data from the measured representative point data by interpolation, extrapolation, etc., and creates template data capable of heat map display as shown in FIG.
また、モニタ測定部１０１は、作成したテンプレートデータを処理装置２０、処理チャンバ、処理時期等のカテゴリと紐づけて全てテンプレートＤＢ１３１に登録する。 In addition, the monitor measurement unit 101 registers all the created template data in the template DB 131 in association with categories such as the processing device 20, the processing chamber, and the processing time.
このように、テンプレートデータの作成にモニタウエハを用いることで、パターンの制約を受けることなく、任意の座標において膜の特性を測定することができる。また、モニタウエハにおける測定においては、単一の膜のみを成膜するため、各パラメータを高感度に評価することができる。 In this way, by using the monitor wafer for creating the template data, the film characteristics can be measured at arbitrary coordinates without being restricted by the pattern. Further, in the measurement on the monitor wafer, since only a single film is formed, each parameter can be evaluated with high sensitivity.
特徴点抽出部１０２は、テンプレートＤＢ１３１に登録されたテンプレートデータを処理条件毎に解析して、特徴点を抽出する。特徴点は、ある処理条件で膜が形成されたウエハのテンプレートデータにおいて、特徴的な特性を示すポイントである。例えば、特徴点抽出部１０２は、テンプレートデータのうち、周囲に比べて変極点である点を特徴点として抽出することができる。特徴点抽出部１０２がこのような特徴点を抽出することで、処理装置２０やチャンバに固有の処理特性をパターン化することができる。 The feature point extraction unit 102 analyzes the template data registered in the template DB 131 for each processing condition, and extracts feature points. A feature point is a point indicating a characteristic characteristic in template data of a wafer on which a film is formed under a certain processing condition. For example, the feature point extraction unit 102 can extract, as feature points, points that are inflection points compared to the surroundings in the template data. When the feature point extraction unit 102 extracts such feature points, it is possible to pattern processing characteristics unique to the processing apparatus 20 and the chamber.
特徴点抽出部１０２は、抽出した特徴点からモニタポイントを設定する。モニタポイントは、後述するデバイスウエハにおいて、膜（デバイス膜）の特性（デバイス膜特性）の測定を行うポイントである。デバイスウエハは、実際の半導体製品が製造されるウエハである。このとき特徴点抽出部１０２は、ウエハの回転成分を考慮して、モニタポイントを設定することが好ましい。ここで、デバイス膜とはデバイスウエハ上に形成される、デバイスの機能を代表する膜のことを指す。 The feature point extraction unit 102 sets monitor points from the extracted feature points. The monitor point is a point at which a film (device film) characteristic (device film characteristic) is measured on a device wafer described later. The device wafer is a wafer on which an actual semiconductor product is manufactured. At this time, it is preferable that the feature point extraction unit 102 sets the monitor point in consideration of the rotation component of the wafer. Here, the device film refers to a film representative of the function of the device formed on the device wafer.
図３は、特徴点抽出部１０２が、回転成分を考慮して設定したモニタポイントを模式的に示す図である。図３（Ａ）は、ある処理条件で成膜されたウエハのテンプレートデータを示している。図３（Ａ）に示すテンプレートデータにおいて、特徴点抽出部１０２が、ウエハの周縁の一部の領域（円Ｐで示す領域である）に分布する代表点群を、当該テンプレートデータの特徴点群として抽出したとする。この場合、特徴点抽出部１０２は、回転成分を考慮して、ウエハの周縁の全周にモニタポイントＭＰを設定することが好ましい（図３（Ｂ））。 FIG. 3 is a diagram schematically showing the monitor points set by the feature point extraction unit 102 in consideration of the rotation component. FIG. 3A shows template data of a wafer formed under certain processing conditions. In the template data shown in FIG. 3A, the feature point extraction unit 102 uses the representative point group distributed in a partial region (a region indicated by a circle P) on the periphery of the wafer as the feature point group of the template data. And extracted as In this case, it is preferable that the feature point extraction unit 102 sets the monitor points MP around the entire periphery of the wafer in consideration of the rotation component (FIG. 3B).
特徴点抽出部１０２は、設定したモニタポイントをカテゴリと対応付けてモニタポイントＤＢ１３２に登録する。 The feature point extraction unit 102 registers the set monitor points in the monitor point DB 132 in association with the categories.
特徴点抽出部１０２がテンプレートデータからモニタポイントを設定することで、後述するデバイス測定部１０３の処理において、測定するポイント数を削減することができる。さらに特徴点抽出部１０２が回転成分を考慮してモニタポイントを設定することで、後述するデバイスウエハにおける測定結果と、テンプレートデータとの照合率を向上させることができる。 Since the feature point extraction unit 102 sets monitor points from the template data, it is possible to reduce the number of points to be measured in the process of the device measurement unit 103 described later. Further, the feature point extraction unit 102 sets the monitor point in consideration of the rotation component, so that the collation rate between the measurement result on the device wafer described later and the template data can be improved.
デバイス測定部１０３は、デバイスウエハに対して、膜の特性の測定を行う。デバイス測定部１０３の処理の詳細について説明する。
まずデバイス測定部１０３は、モニタポイントＤＢ１３２を参照して、デバイスウエハのカテゴリに応じたモニタポイントを抽出し、当該モニタポイントにおいて、デバイスウエハの膜の特性の測定を行う。このときデバイス測定部１０３は、モニタ測定部１０１と同様のメトロロジー技術を用いて膜の特性の測定を行うことが好ましい。なお、以下の説明では、デバイスウエハにおけるモニタポイントの測定結果をモニタリング結果とも呼ぶ。
The device measurement unit 103 measures the film characteristics of the device wafer. Details of processing of the device measurement unit 103 will be described.
First, the device measurement unit 103 refers to the monitor point DB 132, extracts monitor points corresponding to the category of the device wafer, and measures the film characteristics of the device wafer at the monitor points. At this time, it is preferable that the device measurement unit 103 measures the film characteristics using the same metrology technique as that of the monitor measurement unit 101. In the following description, the measurement result of the monitor point on the device wafer is also called a monitoring result.
次に、デバイス測定部１０３は、テンプレートＤＢ１３１を参照して、モニタリング結果と、テンプレートデータとの照合を行う。具体的には、デバイス測定部１０３は、モニタリング結果と面内傾向が最も類似するテンプレートデータを探索し、テンプレートＤＢ１３１から抽出する。デバイス測定部１０３は、モニタリング結果とテンプレートデータにおける特徴点とが変極点として抽出される位置が凡そ同じである場合に、モニタリング結果とテンプレートデータとが類似する、と判定することが好ましい。 Next, the device measurement unit 103 refers to the template DB 131 and collates the monitoring result with the template data. Specifically, the device measurement unit 103 searches for template data that has the most similar in-plane tendency to the monitoring result and extracts it from the template DB 131. The device measurement unit 103 preferably determines that the monitoring result and the template data are similar when the positions where the monitoring result and the feature point in the template data are extracted as inflection points are approximately the same.
このとき、デバイス測定部１０３は、デバイスウエハに対して処理を行った処理装置２０やチャンバ等のカテゴリを用いてから照合対象となるテンプレートデータを、テンプレートＤＢ１３１に登録されたテンプレートデータから絞りこむことが可能である。この結果、モニタリング結果とテンプレートデータとの照合処理の高速化を図ることができる。さらにデバイス測定部１０３はモニタリング結果とテンプレートデータとを回転成分を考慮して照合を行うことが好ましい。 At this time, the device measurement unit 103 narrows down the template data to be collated from the template data registered in the template DB 131 after using the category such as the processing apparatus 20 or the chamber that has processed the device wafer. Is possible. As a result, it is possible to speed up the matching process between the monitoring result and the template data. Furthermore, it is preferable that the device measurement unit 103 collates the monitoring result with the template data in consideration of the rotation component.
テンプレートＤＢ１３１に、モニタリング結果に対応するテンプレートデータが保存されている場合には、デバイス測定部１０３は、当該対応するテンプレートデータを用いて、モニタリング結果を補間し、デバイスウエハにおける特性の面内分布の仮想データを作成する。テンプレートデータでデバイスウエハの特性の測定結果を補間することによって、デバイスウエハにおける測定ポイントの数を減らしても、精度の高い面内分布データを得ることができる。 When template data corresponding to the monitoring result is stored in the template DB 131, the device measurement unit 103 uses the corresponding template data to interpolate the monitoring result, and the in-plane distribution of characteristics on the device wafer. Create virtual data. By interpolating the measurement results of the characteristics of the device wafer with the template data, highly accurate in-plane distribution data can be obtained even if the number of measurement points on the device wafer is reduced.
他方で、テンプレートＤＢ１３１に、モニタリング結果に対応するテンプレートデータが保存されていない場合（すなわち、モニタリング結果に面内傾向が類似するテンプレートデータが保存されていない場合、又は、デバイスウエハと類似するカテゴリに対応するテンプレートデータが保存されていない場合）には、デバイス測定部１０３は、測定点を増加させて、再度デバイスウエハにおける特性の面内分布の測定を行う。このときデバイス測定部１０３は、モニタ測定部１０１がモニタウエハを測定する際に設定する代表点と同じポイントについて、再度測定を行うことが好ましい。デバイス測定部１０３は、測定した結果に対して、モニタ測定部１０１と同様に内挿、外挿等の加工を行い、テンプレートデータを作成する。さらに、デバイス測定部１０３は、作成したテンプレートデータを処理装置２０、処理チャンバ、処理時期等のカテゴリと紐づけて全てテンプレートＤＢ１３１に登録する。 On the other hand, when template data corresponding to the monitoring result is not stored in the template DB 131 (that is, when template data having an in-plane tendency similar to the monitoring result is not stored, or in a category similar to the device wafer) When the corresponding template data is not stored), the device measurement unit 103 increases the number of measurement points and measures the in-plane distribution of characteristics on the device wafer again. At this time, it is preferable that the device measurement unit 103 measures again the same point as the representative point set when the monitor measurement unit 101 measures the monitor wafer. The device measurement unit 103 performs processing such as interpolation and extrapolation on the measurement result in the same manner as the monitor measurement unit 101 to create template data. Furthermore, the device measuring unit 103 registers all of the created template data in the template DB 131 in association with categories such as the processing apparatus 20, the processing chamber, and the processing time.
図４は、デバイス測定部１０３が、デバイスウエハにおけるショットマップから、モニタポイントを測定するための実際のモニタ位置を決定する様子を模式的に示す図である。図４（Ａ）（Ｂ）において、十字で示すポイントＭＰは、ウエハ面内におけるモニタポイントを示している。また、図４（Ｂ）において、四角形で示す枠Ｓは、デバイスウエハにおけるショットマップを示している。図には示さないが、図４（Ｂ）における各枠Ｓにおいて、少なくとも２点以上のモニタパターンを設けることで、ウエハ面内に分布するモニタポイントＭＰを漏れなく測定することができる。 FIG. 4 is a diagram schematically illustrating how the device measurement unit 103 determines an actual monitor position for measuring a monitor point from a shot map on a device wafer. 4A and 4B, a point MP indicated by a cross indicates a monitor point in the wafer surface. In FIG. 4B, a frame S indicated by a rectangle indicates a shot map on the device wafer. Although not shown in the drawing, by providing at least two monitor patterns in each frame S in FIG. 4B, the monitor points MP distributed in the wafer surface can be measured without omission.
補正部１０４は、デバイス測定部１０３が作成した仮想データに基づいて、その後のプロセスの条件を補正するように処理装置２０を制御する補正処理を行う。例えば補正部１０４は、その後の工程における適切なフォーカスオフセットや露光量を算出し、フォトリソグラフィ工程での寸法やレジスト形状、測定した膜の上に形成する金属パターンやサイズをエリア毎に補正する。具体的には、補正部１０４は、仮想データの膜厚に基づいて、膜厚の面内分布を調整する補正処理を行うことができる。また、補正部１０４は、仮想データの膜厚及び膜質（光学定数）の分布から誘電率の面内分布を算出し、面内の容量や抵抗の分布を調整する補正処理を行うことができる。さらに補正部１０４は、仮想データの膜厚及び膜質（光学定数）の分布から、露光条件を面内で調整することができる。
補正部１０４による補正処理は、チップ単位だけでなくショット単位で行うことも可能である。
Based on the virtual data created by the device measurement unit 103, the correction unit 104 performs correction processing for controlling the processing device 20 so as to correct the conditions of subsequent processes. For example, the correction unit 104 calculates an appropriate focus offset and exposure amount in subsequent processes, and corrects the dimensions and resist shape in the photolithography process, and the metal pattern and size formed on the measured film for each area. Specifically, the correction unit 104 can perform a correction process for adjusting the in-plane distribution of the film thickness based on the film thickness of the virtual data. Further, the correction unit 104 can perform correction processing for calculating the in-plane distribution of the dielectric constant from the film thickness and film quality (optical constant) distribution of the virtual data and adjusting the in-plane capacitance and resistance distribution. Further, the correction unit 104 can adjust the exposure condition in the plane from the distribution of the film thickness and film quality (optical constant) of the virtual data.
The correction processing by the correction unit 104 can be performed not only on a chip basis but also on a shot basis.
なお、補正処理実行下において、処理装置２０は、フォトリソグラフィ技術を用いて処理を行うことが可能である。ここで、フォトリソグラフィ技術とは、例えば通常のステッパーやスキャナーによる露光を行う場合には、露光条件においてパターンサイズを拡大・縮小等して調整することや、マスクを用いないダイレクト露光技術においてはパターンそのものの形状を調整すること等を含む。補正部１０４が仮想データに基づいて補正処理を行うことで、ウエハ面内における特性の分布をミクロエリア内で精度よく均一にすることが可能になる。 Note that, under the execution of the correction process, the processing apparatus 20 can perform a process using a photolithography technique. Here, the photolithography technique means that, for example, when exposure is performed with a normal stepper or scanner, the pattern size is adjusted by enlarging or reducing the pattern size under the exposure conditions, or in the direct exposure technique that does not use a mask. Including adjusting the shape of itself. When the correction unit 104 performs correction processing based on the virtual data, it is possible to make the distribution of characteristics in the wafer surface uniform with high accuracy in the micro area.
図５乃至図９を用いて、デバイス測定部１０３が膜Ｆの仮想データを作成した例における、その後の工程での補正処理について詳細に説明する。まず図５乃至図７を用いて、膜Ｆの膜厚にばらつきが生じている場合の補正処理について説明する。図５乃至図７の各図において、（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）に示す図は、仮想データの任意の３点における膜Ｆの膜厚を示している。図５乃至図７の例では、（Ａ−２）に示すポイントにおける膜Ｆの膜厚はターゲットと同様の膜厚であり、（Ａ−１）に示すポイントにおける膜Ｆの膜厚はターゲットよりも厚く、（Ａ−３）に示すポイントにおける膜Ｆの膜厚はターゲットよりも薄い。 The correction process in the subsequent process in the example in which the device measurement unit 103 creates the virtual data of the film F will be described in detail with reference to FIGS. First, with reference to FIGS. 5 to 7, correction processing in the case where variation occurs in the film thickness of the film F will be described. In each of FIGS. 5 to 7, the diagrams shown in (A-1), (A-2), and (A-3) show the film thickness of the film F at three arbitrary points in the virtual data. 5 to 7, the film thickness of the film F at the point shown in (A-2) is the same as that of the target, and the film thickness of the film F at the point shown in (A-1) is smaller than that of the target. The film F at the point indicated by (A-3) is thinner than the target.
図５は、膜Ｆの膜厚を補正することでウエハの特性を面内で均一にする場合の例を示す図である。膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚と同様のポイント（Ａ−２）においては、補正部１０４は補正処理を行わない（Ｂ−２）。他方で、膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚より厚いポイント（Ａ−１）においては、補正部１０４はエッチング等によって当該ポイントの膜Ｆに膜厚が薄くなるように補正処理を行う（Ｂ−１）。また、膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚より薄いポイント（Ａ−３）においては、補正部１０４は、当該ポイントにおいて、再度膜Ｆを形成する補正処理を行う（Ｂ−３）。 FIG. 5 is a diagram showing an example in the case where the film characteristics of the film F are corrected to make the characteristics of the wafer uniform in the plane. At the point (A-2) where the film thickness of the film F is the same as the target film thickness, the correction unit 104 does not perform the correction process (B-2). On the other hand, at the point (A-1) where the film thickness of the film F is thicker than the film thickness of the target, the correction unit 104 performs correction processing so that the film F at that point becomes thinner by etching or the like (B -1). At the point (A-3) where the film thickness of the film F is thinner than the target film thickness, the correction unit 104 performs correction processing for forming the film F again at the point (B-3).
図６は、膜Ｆ上に形成する金属層Ｅの面積を補正することでウエハの特性を面内で均一にする場合の例を示す図である。膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚と同様のポイント（Ａ−２）においては、補正部１０４は補正処理を行わない。このポイントでは、処理装置２０はあらかじめ設定された処理条件に応じて金属層Ｅを形成する（Ｂ−２）。他方で、膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚より厚いポイント（Ａ−１）においては、補正部１０４は当該ポイントに形成する金属層Ｅの表面積を大きくする補正処理を行う（Ｂ−１）。また、膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚より薄いポイント（Ａ−３）においては、補正部１０４は、当該ポイントに形成する金属層Ｅの表面積を小さくする補正処理を行う（Ｂ−３）。このように、補正部１０４が、膜Ｆ上に形成する金属層Ｅの面積を調整する補正処理を行うことで、膜厚がばらついた場合であっても、配線間容量を均一にすることが可能になる。 FIG. 6 is a diagram illustrating an example in which the characteristics of the wafer are made uniform in the plane by correcting the area of the metal layer E formed on the film F. At the point (A-2) where the film thickness of the film F is the same as the target film thickness, the correction unit 104 does not perform the correction process. At this point, the processing apparatus 20 forms the metal layer E according to processing conditions set in advance (B-2). On the other hand, at the point (A-1) where the film F is thicker than the target film (A-1), the correction unit 104 performs a correction process to increase the surface area of the metal layer E formed at the point (B-1). . Further, at the point (A-3) where the film F is thinner than the target film, the correction unit 104 performs a correction process to reduce the surface area of the metal layer E formed at the point (B-3). . As described above, the correction unit 104 performs the correction process of adjusting the area of the metal layer E formed on the film F, so that the capacitance between wirings can be made uniform even when the film thickness varies. It becomes possible.
図７は、膜Ｆに形成するビアＶの開口径を調整することでウエハの特性を面内で均一にする場合の例を示す図である。膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚と同様のポイント（Ａ−２）においては、補正部１０４は補正処理を行わない。このポイントでは、処理装置２０はあらかじめ設定された処理条件に応じてビアＶを形成する（Ｂ−２）。他方で、膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚より厚いポイント（Ａ−１）においては、補正部１０４は、当該ポイントに形成するビアＶの開口径を大きくする補正処理を行う（Ｂ−１）。また、膜Ｆの膜厚がターゲットの膜厚より薄いポイント（Ａ−３）においては、補正部１０４は、当該ポイントに形成するビアＶの開口径を小さくする補正処理を行う（Ｂ−３）。このように、補正部１０４が、膜Ｆ上に形成するビアＶの開口径を調整する補正処理を行うことで、膜厚がばらついた場合であっても、膜Ｆに形成されるビアの抵抗を均一にすることが可能になる。 FIG. 7 is a diagram showing an example in which the characteristics of the wafer are made uniform in the plane by adjusting the opening diameter of the via V formed in the film F. FIG. At the point (A-2) where the film thickness of the film F is the same as the target film thickness, the correction unit 104 does not perform the correction process. At this point, the processing device 20 forms the via V according to the processing conditions set in advance (B-2). On the other hand, at the point (A-1) where the film F is thicker than the target film, the correction unit 104 performs a correction process to increase the opening diameter of the via V formed at the point (B-1). ). Further, at the point (A-3) where the film F is thinner than the target film, the correction unit 104 performs a correction process to reduce the opening diameter of the via V formed at the point (B-3). . As described above, the correction unit 104 performs the correction process for adjusting the opening diameter of the via V formed on the film F, so that the resistance of the via formed in the film F can be obtained even when the film thickness varies. Can be made uniform.
図８は、膜Ｆに形成されるダマシン配線におけるトレンチＴの深さを調整する補正処理を行う場合の例を示す図である。図８の例では、膜ＦにトレンチＴが形成され、当該トレンチＴを充填するように膜Ｆ上に金属層Ｅが形成されている。この例において、図８（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）は、仮想データの任意の３点におけるトレンチＴの深さを示している。図８の例では、（Ａ−２）に示すポイントにおけるトレンチＴの深さはターゲットと同様であり、（Ａ−１）に示すポイントにおけるトレンチＴの深さターゲットよりも深く、（Ａ−３）に示すポイントにおけるトレンチＴの深さはターゲットよりも浅い。 FIG. 8 is a diagram illustrating an example in which correction processing for adjusting the depth of the trench T in the damascene wiring formed in the film F is performed. In the example of FIG. 8, a trench T is formed in the film F, and a metal layer E is formed on the film F so as to fill the trench T. In this example, FIGS. 8 (A-1), (A-2), and (A-3) show the depth of the trench T at any three points of the virtual data. In the example of FIG. 8, the depth of the trench T at the point shown in (A-2) is the same as that of the target, and the depth of the trench T at the point shown in (A-1) is deeper than (A-3). The depth of the trench T at the point shown in FIG.
トレンチＴの深さがターゲットと同様であるポイント（Ａ−２）においては、補正部１０４は補正処理を行わない。この場合、処理装置２０はあらかじめ設定された処理条件に応じて、膜Ｆ上に形成された金属層Ｅ、及び膜Ｆに対してＣＭＰ（Chemical Mechanical Planarization）処理を行い、ダマシン配線を形成する（Ｂ−２）。他方で、トレンチＴの深さがターゲットより深いポイント（Ａ−１）においては、補正部１０４はトレンチＴの深さを小さくする補正処理を行う。具体的には、補正部１０４は処理装置２０を制御して、金属層Ｅ及び膜Ｆに対する研磨処理において、膜Ｆが表面露出してからのオーバーポリッシュ量より多くなるように補正する（Ｂ−１）。また、トレンチＴの深さがターゲットより浅いポイント（Ａ−３）においては、補正部１０４はトレンチＴの深さを大きくする補正処理を行う。具体的には、補正部１０４は処理装置２０を制御して、金属層Ｅ及び膜Ｆに対するＣＭＰ処理において、膜Ｆが表面露出してからのオーバーポリッシュ量がより少なくなるように補正する（Ｂ−３）。このように、補正部１０４が、膜Ｆに形成されるトレンチＴの深さを調整する補正処理を行うことで、配線抵抗を均一にすることが可能になる。 At the point (A-2) where the depth of the trench T is the same as that of the target, the correction unit 104 does not perform the correction process. In this case, the processing apparatus 20 performs a CMP (Chemical Mechanical Planarization) process on the metal layer E and the film F formed on the film F in accordance with preset processing conditions, thereby forming damascene wiring ( B-2). On the other hand, at the point (A-1) where the depth of the trench T is deeper than the target, the correction unit 104 performs a correction process for reducing the depth of the trench T. Specifically, the correction unit 104 controls the processing apparatus 20 to correct the amount of overpolishing after the film F is exposed in the polishing process for the metal layer E and the film F (B−). 1). Further, at the point (A-3) where the depth of the trench T is shallower than the target, the correction unit 104 performs a correction process for increasing the depth of the trench T. Specifically, the correction unit 104 controls the processing apparatus 20 to correct the amount of overpolishing after the film F is exposed in the CMP process for the metal layer E and the film F (B -3). As described above, the correction unit 104 performs the correction process of adjusting the depth of the trench T formed in the film F, whereby the wiring resistance can be made uniform.
図９は、膜Ｆに形成されるダマシン配線における配線幅を調整する補正処理を行う場合の例を示す図である。この例において、図９（Ａ−１）、（Ａ−２）、（Ａ−３）は、仮想データの任意の３点における誘電率を示している。図９の例では、（Ａ−２）に示すポイントにおける誘電率の深さはターゲットと同様であり、（Ａ−１）に示すポイントにおける誘電率はターゲットよりも高く、（Ａ−３）に示すポイントにおける誘電率はターゲットよりも小さい。 FIG. 9 is a diagram illustrating an example in which correction processing for adjusting the wiring width in the damascene wiring formed on the film F is performed. In this example, FIG. 9 (A-1), (A-2), (A-3) has shown the dielectric constant in three arbitrary points of virtual data. In the example of FIG. 9, the depth of the dielectric constant at the point shown in (A-2) is the same as that of the target, and the dielectric constant at the point shown in (A-1) is higher than that of the target. The dielectric constant at the points shown is smaller than the target.
誘電率がターゲットと同様であるポイント（Ａ−２）においては、補正部１０４は補正処理を行わない。この場合、処理装置２０はあらかじめ設定された処理条件に応じて、膜Ｆ上にエッチング等によってトレンチＴを形成する。その後、処理装置２０は当該トレンチＴを充填するように膜Ｆ上に金属層Ｅを成膜して、ダマシン配線を形成する（Ｂ−２）。他方で、誘電率がターゲットより高いポイント（Ａ−１）においては、補正部１０４は形成されるダマシン配線の幅を小さくする補正処理を行う。具体的には、補正部１０４は処理装置２０を制御して、膜Ｆに対するエッチング処理において、形成するトレンチＴのトレンチ幅がより狭くなるように補正する（Ｂ−１）。また、誘電率がターゲットより小さいポイント（Ａ−３）においては、補正部１０４は形成されるダマシン配線の幅を大きくする補正処理を行う。具体的には、補正部１０４は処理装置２０を制御して、膜Ｆに対するエッチングにおいて、形成するトレンチＴの幅が大きくなるように補正する（Ｂ−３）。このように、補正部１０４が、膜Ｆに形成されるダマシン配線の幅を調整する補正処理を行うことで、配線間容量を均一にすることが可能になる。 At the point (A-2) where the dielectric constant is the same as that of the target, the correction unit 104 does not perform correction processing. In this case, the processing apparatus 20 forms the trench T on the film F by etching or the like according to processing conditions set in advance. Thereafter, the processing apparatus 20 forms a metal layer E on the film F so as to fill the trench T, thereby forming damascene wiring (B-2). On the other hand, at the point (A-1) where the dielectric constant is higher than that of the target, the correction unit 104 performs correction processing for reducing the width of the formed damascene wiring. Specifically, the correction unit 104 controls the processing apparatus 20 to perform correction so that the trench width of the trench T to be formed becomes narrower in the etching process on the film F (B-1). At the point (A-3) where the dielectric constant is smaller than the target, the correction unit 104 performs a correction process for increasing the width of the damascene wiring to be formed. Specifically, the correction unit 104 controls the processing apparatus 20 to correct the width of the trench T to be formed in the etching for the film F (B-3). As described above, the correction unit 104 performs the correction process of adjusting the width of the damascene wiring formed in the film F, so that the capacitance between the wirings can be made uniform.
次に、図１０及び図１１を参照して本実施形態に係る半導体デバイス製造方法のフローについて説明する。図１０は、本実施形態に係る半導体デバイス製造方法のうち、モニタウエハに対する処理のフローを示すフローチャートである。 Next, the flow of the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 10 is a flowchart showing a process flow for the monitor wafer in the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.
まず、処理装置２０がベアウエハに単一の膜を成膜し、モニタウエハを作成する（Ｓ１１）と、モニタ測定部１０１は、当該モニタウエハについて特性の測定を行う。このときモニタ測定部１０１は、メトロロジー技術を用いて、モニタウエハの面内において多点測定を行う（Ｓ１２）。モニタ測定部１０１は、測定結果から内挿、外挿等したデータを用いて、テンプレートデータを作成する（Ｓ１３）。さらにモニタ測定部１０１は、作成したテンプレートデータに、モニタウエハを成膜した処理装置２０、チャンバ、処理日、処理条件等の情報を紐づけてテンプレートＤＢ１３１に登録する（Ｓ１４）。 First, when the processing apparatus 20 forms a single film on a bare wafer and creates a monitor wafer (S11), the monitor measurement unit 101 measures characteristics of the monitor wafer. At this time, the monitor measurement unit 101 performs multipoint measurement within the plane of the monitor wafer using metrology technology (S12). The monitor measurement unit 101 creates template data using data interpolated and extrapolated from the measurement result (S13). Further, the monitor measurement unit 101 registers the created template data in the template DB 131 by associating information such as the processing apparatus 20, the chamber, the processing date, and the processing conditions on which the monitor wafer is formed (S14).
次に、特徴点抽出部１０２は、テンプレートＤＢ１３１に保存されたテンプレートデータを処理条件毎に解析し、特徴点を抽出する（Ｓ１５）。さらに特徴点抽出部１０２は、抽出した特徴点に回転成分を加味して、処理条件毎にテンプレートデータにモニタポイントを設定する。特徴点抽出部１０２は設定したモニタポイントを処理条件と対応付けてモニタポイントＤＢ１３２に登録する（Ｓ１６）。 Next, the feature point extraction unit 102 analyzes the template data stored in the template DB 131 for each processing condition, and extracts feature points (S15). Further, the feature point extraction unit 102 sets a monitor point in the template data for each processing condition by adding a rotation component to the extracted feature point. The feature point extraction unit 102 registers the set monitor points in the monitor point DB 132 in association with the processing conditions (S16).
このＳ１１〜Ｓ１６の処理を、処理装置２０のチェックを行う度に繰り返し実行する（Ｓ１７：ＹＥＳ）ことによって、テンプレートＤＢ１３１、及びモニタポイントＤＢ１３２が作成される。 The template DB 131 and the monitor point DB 132 are created by repeatedly executing the processing of S11 to S16 each time the processing device 20 is checked (S17: YES).
次に、デバイスウエハに対する処理フローについて説明する。図１１は、本実施形態に係る半導体デバイス製造方法のうち、デバイスウエハに対する処理のフローを示すフローチャートである。 Next, a processing flow for the device wafer will be described. FIG. 11 is a flowchart showing a process flow for a device wafer in the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment.
まず、処理装置２０がデバイスウエハに任意の膜を成膜する（Ｓ２１）と、デバイス測定部１０３は、当該デバイスウエハ上の任意の膜について、デバイスウエハの処理条件に対応するモニタポイントにおいて特性の測定を行う。このときデバイス測定部１０３は、モニタ測定部１０１と同様のメトロロジー技術を用いて特性の測定を行う（Ｓ２２）。 First, when the processing apparatus 20 forms an arbitrary film on the device wafer (S21), the device measurement unit 103 determines the characteristics of the arbitrary film on the device wafer at a monitor point corresponding to the processing condition of the device wafer. Measure. At this time, the device measurement unit 103 measures characteristics using the same metrology technology as the monitor measurement unit 101 (S22).
次に、デバイス測定部１０３は、テンプレートＤＢ１３１を参照して、モニタリング結果に対応するテンプレートデータとの探索を行う。このときデバイス測定部１０３は、デバイスウエハが処理されたロットの処理履歴を参照して、デバイスウエハと同じカテゴリに属するテンプレートデータから優先して探索を行うことができる（Ｓ２３）。 Next, the device measurement unit 103 refers to the template DB 131 and searches for template data corresponding to the monitoring result. At this time, the device measurement unit 103 can search with priority from the template data belonging to the same category as the device wafer by referring to the processing history of the lot in which the device wafer has been processed (S23).
モニタリング結果に対応するテンプレートデータがテンプレートＤＢ１３１に保存されていない場合（Ｓ２４：ＮＯ）には、デバイス測定部１０３は、デバイスウエハに対して測定点を増やして再度、特性の測定を行う。このときデバイス測定部１０３は、測定結果からテンプレートデータを作成し、作成したテンプレートデータをテンプレートＤＢ１３１に登録する（Ｓ２５）。 If the template data corresponding to the monitoring result is not stored in the template DB 131 (S24: NO), the device measurement unit 103 increases the number of measurement points on the device wafer and measures the characteristics again. At this time, the device measurement unit 103 creates template data from the measurement result, and registers the created template data in the template DB 131 (S25).
モニタリング結果に対応するテンプレートデータがテンプレートＤＢ１３１に保存されている場合（Ｓ２４：ＹＥＳ）には、デバイス測定部１０３は、当該テンプレートを抽出し、抽出したテンプレートデータによってモニタリング結果を補間して、仮想データを作成する（Ｓ２６）。 When the template data corresponding to the monitoring result is stored in the template DB 131 (S24: YES), the device measurement unit 103 extracts the template, interpolates the monitoring result with the extracted template data, and performs virtual data. Is created (S26).
さらに補正部１０４は仮想データ又は、デバイス測定部１０３が作成したテンプレートデータに基づいて、その後の工程に対して補正処理を行い、デバイスウエアの特性を面内で均一にする（Ｓ２７）。 Further, the correction unit 104 performs correction processing for subsequent processes based on the virtual data or the template data created by the device measurement unit 103, and uniformizes the characteristics of the device wear in the plane (S27).
このように本実施形態に係る半導体デバイス製造方法によると、テンプレートデータの作成にモニタウエハを用いることで、パターンの制約を受けることなく、任意の座標において特性を測定することができる。また、モニタウエハにおける測定においては、単一の膜のみを成膜するため、各パラメータを高感度に評価することができる。 As described above, according to the semiconductor device manufacturing method according to the present embodiment, by using the monitor wafer for creating the template data, the characteristics can be measured at arbitrary coordinates without being restricted by the pattern. Further, in the measurement on the monitor wafer, since only a single film is formed, each parameter can be evaluated with high sensitivity.
さらに、テンプレートデータでデバイスウエハの特性の測定結果を補間することによって、デバイスウエハにおける測定ポイントの数を減らしても、精度の高い面内分布の仮想データを得ることができる。また、仮想データに基づいて補正処理を行うことで、ウエハ面内における特性の分布を精度よく均一にすることが可能になる。 Furthermore, by interpolating the measurement result of the characteristics of the device wafer with the template data, it is possible to obtain virtual data with a high accuracy in-plane distribution even if the number of measurement points on the device wafer is reduced. Further, by performing the correction process based on the virtual data, it is possible to make the distribution of characteristics in the wafer plane uniform with high accuracy.
以上、本発明の例示的な実施形態について説明した。本発明の一実施形態に係る半導体デバイス製造方法によると、デバイスウエハにデバイス膜を形成して複数のデバイスを形成する工程と、モニタウエハに前記デバイス膜と同一のモニタ膜を形成する工程と、モニタウエハにおける複数の代表点において、モニタ膜の特性であるモニタ膜特性を測定する工程と、複数の代表点におけるモニタ膜特性の測定結果に基づいて、モニタウエハにおけるモニタ膜特性の面内分布を示すテンプレートデータを作成する工程と、テンプレートデータを記憶部に保存する工程と、記憶部に保存された複数のテンプレートデータに基づいて、デバイスウエハにおいてデバイス膜の特性であるデバイス膜特性を測定するポイントであるモニタポイントを設定する工程と、設定されたモニタポイントにおいて、デバイス膜特性を測定する工程と、モニタポイントにおけるデバイス膜特性の測定結果であるモニタリング結果と、記憶部に保存されたテンプレートデータとを照合する工程と、モニタリング結果に対応するテンプレートデータが、記憶部に保存されていた場合に、対応するテンプレートデータを用いてモニタリング結果を補間し、デバイス膜特性の面内分布を示す仮想データを作成する工程と、仮想データに基づいて、デバイスウエハ面内における複数のデバイスの特性のばらつきを補正する工程と、を含む。 The exemplary embodiments of the present invention have been described above. According to a semiconductor device manufacturing method according to an embodiment of the present invention, a step of forming a device film on a device wafer to form a plurality of devices, a step of forming a monitor film identical to the device film on a monitor wafer, The in-plane distribution of the monitor film characteristics on the monitor wafer is determined based on the process of measuring the monitor film characteristics that are the characteristics of the monitor film at a plurality of representative points on the monitor wafer and the measurement results of the monitor film characteristics on the plurality of representative points. Points for measuring device film characteristics, which are characteristics of a device film on a device wafer, based on a step of creating template data to be shown, a step of storing template data in a storage unit, and a plurality of template data stored in the storage unit In the process of setting a monitor point that is The step of measuring the film characteristics, the step of comparing the monitoring result, which is the measurement result of the device film characteristics at the monitor point, with the template data stored in the storage unit, and the template data corresponding to the monitoring result are stored in the storage unit And interpolating the monitoring result using the corresponding template data to create virtual data indicating the in-plane distribution of the device film characteristics, and a plurality of data on the device wafer surface based on the virtual data. Correcting variations in device characteristics.
これによって、テンプレートデータの作成にモニタウエハを用いることで、パターンの制約を受けることなく、任意の座標において特性を測定することができる。また、モニタウエハにおける測定においては、単一の膜のみを成膜するため、各パラメータを高感度に評価することができる。さらに、テンプレートデータでデバイスウエハの特性の測定結果を補間することによって、デバイスウエハにおける測定ポイントの数を減らしても、精度の高い面内分布の仮想データを得ることができる。また、仮想データに基づいて補正処理を行うことで、ウエハ面内における特性の分布を精度よく均一にすることが可能になる。 Thus, by using the monitor wafer for creating the template data, the characteristics can be measured at arbitrary coordinates without being restricted by the pattern. Further, in the measurement on the monitor wafer, since only a single film is formed, each parameter can be evaluated with high sensitivity. Furthermore, by interpolating the measurement result of the characteristics of the device wafer with the template data, it is possible to obtain virtual data with a high accuracy in-plane distribution even if the number of measurement points on the device wafer is reduced. Further, by performing the correction process based on the virtual data, it is possible to make the distribution of characteristics in the wafer plane uniform with high accuracy.
デバイス膜特性及びモニタ膜特性は、デバイス膜又はモニタ膜の膜厚、屈折率、消衰係数、及びその他解析に用いられるモデル式に含まれる各パラメータを含むことが好ましい。この好ましい態様によると、膜質に基づいてもばらつきを管理することが可能になるため、より高い精度でばらつきの抑制が可能になる。 The device film characteristics and the monitor film characteristics preferably include each parameter included in the model formula used for the film thickness, refractive index, extinction coefficient, and other analysis of the device film or the monitor film. According to this preferable aspect, since it becomes possible to manage the variation based on the film quality, the variation can be suppressed with higher accuracy.
また、モニタ膜特性を測定する工程は、モニタ膜特性を、複数の代表点において、メトロロジー技術を用いて測定する工程を含むことが好ましい。メトロロジー技術は、デバイスウエハを非破壊で、かつインプロセスで適用することができ、またその検査に必要なタクトタイムが他の解析技術に比べて短い。そのため、この好ましい態様によると、多数のサンプリングをより容易に行うことができる。 The step of measuring the monitor film characteristic preferably includes a step of measuring the monitor film characteristic using a metrology technique at a plurality of representative points. Metrology technology can be applied in a non-destructive and in-process manner for device wafers, and the tact time required for the inspection is shorter than other analysis technologies. Therefore, according to this preferred embodiment, a large number of samplings can be performed more easily.
また、テンプレートデータは、モニタウエハの面内分布を可視化したデータであり、面内分布は、複数の代表点における測定結果を示す代表データと、当該代表データを補間する補間データを含むことが好ましい。この好ましい態様によると、イメージデータでデータベースを構築することができる。これによって、その特徴抽出を画像検索と同じアルゴリズムを用いて行うことが可能になる。 The template data is data obtained by visualizing the in-plane distribution of the monitor wafer, and the in-plane distribution preferably includes representative data indicating measurement results at a plurality of representative points and interpolation data for interpolating the representative data. . According to this preferred embodiment, a database can be constructed with image data. This makes it possible to perform the feature extraction using the same algorithm as the image search.
また、保存する工程は、テンプレートデータと、モニタウエハに対してモニタ膜を形成した時期又は条件を含むカテゴリとを対応付けて記憶部に保存する工程を含むことが好ましい。この好ましい態様によると、デバイスウエハに対して処理を行った処理装置やチャンバ等のカテゴリを用いてから照合対象となるテンプレートデータを、テンプレートＤＢ１３１に登録されたテンプレートデータから絞りこむことが可能になる。これによって、照合処理の高速化を図ることができる。 Further, the storing step preferably includes a step of storing the template data and the category including the time or condition of forming the monitor film on the monitor wafer in association with each other in the storage unit. According to this preferred embodiment, it becomes possible to narrow down template data to be collated from template data registered in the template DB 131 after using categories such as a processing apparatus or a chamber that has processed the device wafer. . As a result, the speed of the collation process can be increased.
モニタポイントを設定する工程は、カテゴリ毎に複数のテンプレートデータを解析して当該複数のテンプレートデータにおいて特徴的なポイントを抽出し、特徴的なポイントに基づいて、モニタポイントを設定する工程を含むことが好ましい。この好ましい態様によると、カテゴリに固有の特性をパターン化することができる。 The step of setting monitor points includes a step of analyzing a plurality of template data for each category, extracting characteristic points in the plurality of template data, and setting monitor points based on the characteristic points. Is preferred. According to this preferred embodiment, characteristics specific to the category can be patterned.
まら、デバイスウエハに形成されたデバイス膜特性を測定する工程は、モニタ膜特性を測定する工程と同様のメトロロジー技術を用いてデバイス膜特性を測定する工程を含むことが好ましい。この好ましい態様によると、テンプレートデータとモニタリング結果とを直接比較させることが可能になる。 Moreover, it is preferable that the step of measuring the device film characteristic formed on the device wafer includes the step of measuring the device film characteristic using the same metrology technique as the step of measuring the monitor film characteristic. According to this preferable aspect, it is possible to directly compare the template data with the monitoring result.
また、テンプレートデータを記憶部に保存する工程は、モニタ膜の複数の特性のそれぞれについてテンプレートデータを保存し、照合する工程は、デバイスウエハに対してデバイス膜を形成した時期又は条件に基づいて、記憶部に保存されたテンプレートデータから、照合に用いるテンプレートデータを選択する工程を含むことが好ましい。この好ましい態様によると、デバイスウエハに対して処理を行った処理装置やチャンバ等のカテゴリを用いてから照合対象となるテンプレートデータを、テンプレートＤＢ１３１に登録されたテンプレートデータから絞りこむことが可能になる。これによって、照合処理の高速化を図ることができる。 Further, the step of saving the template data in the storage unit stores the template data for each of the plurality of characteristics of the monitor film, and the step of collating is based on the time or condition of forming the device film on the device wafer. It is preferable to include a step of selecting template data to be used for matching from the template data stored in the storage unit. According to this preferred embodiment, it becomes possible to narrow down template data to be collated from template data registered in the template DB 131 after using categories such as a processing apparatus or a chamber that has processed the device wafer. . As a result, the speed of the collation process can be increased.
また、モニタリング結果に対応するテンプレートデータが記憶部に保存されていない場合に、デバイスウエハにおけるモニタポイント以外のポイントにおいてデバイス膜特性を再測定する工程と、再測定する工程において測定された再測定結果に基づいて、デバイスウエハにおけるデバイス膜特性の面内分布を評価を示すテンプレートデータを作成し、当該テンプレートデータを記憶部に追加登録する工程とをさらに含むことが好ましい。この好ましい態様によると、テンプレートデータが登録されていない面内傾向のデバイスウエハから、新たにテンプレートデータを作成し、追加登録することができる。 In addition, when template data corresponding to the monitoring result is not stored in the storage unit, the re-measurement result measured in the step of re-measuring the device film characteristic at a point other than the monitor point on the device wafer and the re-measurement step Preferably, the method further includes a step of creating template data indicating evaluation of the in-plane distribution of device film characteristics on the device wafer and additionally registering the template data in the storage unit. According to this preferable aspect, template data can be newly created and additionally registered from a device wafer having an in-plane tendency for which template data is not registered.
またデバイスを形成する工程は、デバイスウエハにデバイス膜を形成した後に、デバイスウエハを処理する工程を含み、補正する工程は、仮想データに基づいて、デバイスウエハを処理する処理条件を補正して、特性のばらつきを補正することが好ましい。この好ましい態様によると、ばらつきの管理をより高い精度で行うことができる。 The step of forming the device includes a step of processing the device wafer after forming the device film on the device wafer, and the correcting step corrects the processing conditions for processing the device wafer based on the virtual data, It is preferable to correct the variation in characteristics. According to this preferable aspect, the variation can be managed with higher accuracy.
以上説明した各実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。即ち、各実施形態に当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、各実施形態が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることは言うまでもなく、これらも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。 Each embodiment described above is for facilitating understanding of the present invention, and is not intended to limit the present invention. The present invention can be changed / improved without departing from the spirit thereof, and the present invention includes equivalents thereof. In other words, those obtained by appropriately modifying the design of each embodiment by those skilled in the art are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention. For example, each element included in each embodiment and its arrangement, material, condition, shape, size, and the like are not limited to those illustrated, and can be changed as appropriate. Each embodiment is an exemplification, and it is needless to say that a partial replacement or combination of configurations shown in different embodiments is possible, and these are also included in the scope of the present invention as long as they include the features of the present invention. .
１ 製造システム
１０ 制御装置
２０ 処理装置
１３１ テンプレートＤＢ
１３２ モニタポイントＤＢ
１０１ モニタ測定部
１０２ 特徴点抽出部
１０３ デバイス測定部
１０４ 補正部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Manufacturing system 10 Control apparatus 20 Processing apparatus 131 Template DB
132 Monitor point DB
101 Monitor Measurement Unit 102 Feature Point Extraction Unit 103 Device Measurement Unit 104 Correction Unit
Claims (10)
モニタウエハに前記デバイス膜と同一のモニタ膜を形成する工程と、
前記モニタウエハにおける複数の代表点において、前記モニタ膜の特性であるモニタ膜特性を測定する工程と、
前記複数の代表点における前記モニタ膜特性の測定結果に基づいて、前記モニタウエハにおける前記モニタ膜特性の面内分布を示すテンプレートデータを作成する工程と、
前記テンプレートデータを記憶部に保存する工程と、
前記記憶部に保存された複数の前記テンプレートデータに基づいて、前記デバイスウエハにおいて前記デバイス膜の特性であるデバイス膜特性を測定するポイントであるモニタポイントを設定する工程と、
設定された前記モニタポイントにおいて、前記デバイス膜特性を測定する工程と、
前記モニタポイントにおける前記デバイス膜特性の測定結果であるモニタリング結果と、前記記憶部に保存されたテンプレートデータとを照合する工程と、
前記モニタリング結果に対応するテンプレートデータが、前記記憶部に保存されていた場合に、対応する前記テンプレートデータを用いて前記モニタリング結果を補間し、前記デバイス膜特性の面内分布を示す仮想データを作成する工程と、
前記仮想データに基づいて、前記デバイスウエハ面内における前記複数のデバイスの特性のばらつきを補正する工程と、
を含む半導体デバイス製造方法。 Forming a device film on a device wafer to form a plurality of devices;
Forming a monitor film identical to the device film on a monitor wafer;
Measuring a monitor film characteristic which is a characteristic of the monitor film at a plurality of representative points on the monitor wafer;
Creating template data indicating an in-plane distribution of the monitor film characteristics on the monitor wafer based on the measurement results of the monitor film characteristics at the plurality of representative points;
Storing the template data in a storage unit;
Based on a plurality of the template data stored in the storage unit, setting a monitor point that is a point for measuring a device film characteristic that is a characteristic of the device film in the device wafer;
Measuring the device film characteristics at the set monitor points;
A step of collating the monitoring result which is the measurement result of the device film characteristic at the monitor point with the template data stored in the storage unit;
When the template data corresponding to the monitoring result is stored in the storage unit, the monitoring result is interpolated using the corresponding template data, and virtual data indicating the in-plane distribution of the device film characteristic is created. And a process of
Correcting a variation in characteristics of the plurality of devices in the device wafer surface based on the virtual data; and
A semiconductor device manufacturing method comprising:
前記デバイス膜又は前記モニタ膜の膜厚、屈折率、消衰係数、及びメトロロジー技術で用いられるモデルパラメータを含む、請求項１に記載の半導体デバイス製造方法。 The device film characteristics and the monitor film characteristics are:
2. The semiconductor device manufacturing method according to claim 1, comprising a model parameter used in a film thickness, a refractive index, an extinction coefficient, and a metrology technique of the device film or the monitor film.
前記モニタ膜特性を、前記複数の代表点において、メトロロジー技術を用いて測定する工程を含む、
請求項１又は２に記載の半導体デバイス製造方法。 The step of measuring the monitor film characteristics includes:
Measuring the monitor film properties at a plurality of representative points using a metrology technique;
The semiconductor device manufacturing method according to claim 1 or 2.
前記モニタウエハの面内分布を可視化したデータであり、
前記面内分布は、
前記複数の代表点における前記測定結果を示す代表データと、当該代表データを補間する補間データを含む、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体デバイス製造方法。 The template data is
It is data visualizing the in-plane distribution of the monitor wafer,
The in-plane distribution is
Including representative data indicating the measurement results at the plurality of representative points, and interpolation data for interpolating the representative data,
The semiconductor device manufacturing method as described in any one of Claims 1 thru | or 3.
前記テンプレートデータと、前記モニタウエハに対して前記モニタ膜を形成した時期又は条件を含むカテゴリとを対応付けて前記記憶部に保存する工程を含む、
請求項１乃至４の何れか一項に記載の半導体デバイス製造方法。 The storing step includes
Including associating the template data with a category including a time or condition for forming the monitor film on the monitor wafer and storing the template data in the storage unit.
The semiconductor device manufacturing method as described in any one of Claims 1 thru | or 4.
前記カテゴリ毎に複数の前記テンプレートデータを解析して当該複数のテンプレートデータにおいて特徴的なポイントを抽出し、前記特徴的なポイントに基づいて、前記モニタポイントを設定する工程を含む、
請求項５に記載の半導体デバイス製造方法。 The step of setting the monitor point includes
Analyzing a plurality of the template data for each category, extracting characteristic points in the plurality of template data, and setting the monitoring points based on the characteristic points;
The semiconductor device manufacturing method according to claim 5.
前記モニタ膜特性を測定する工程と同様のメトロロジー技術を用いて前記デバイス膜特性を測定する工程を含む、請求項３に記載の半導体デバイス製造方法。 The step of measuring the characteristics of the device film formed on the device wafer includes
The semiconductor device manufacturing method according to claim 3, comprising a step of measuring the device film characteristic using a metrology technique similar to the step of measuring the monitor film characteristic.
前記モニタ膜の複数の特性のそれぞれについて前記テンプレートデータを保存し、
前記照合する工程は、
前記デバイスウエハに対して前記デバイス膜を形成した時期又は条件に基づいて、前記記憶部に保存されたテンプレートデータから、照合に用いるテンプレートデータを選択する工程を含む、
請求項５に記載の半導体デバイス製造方法。 The step of saving the template data in the storage unit includes:
Storing the template data for each of the plurality of characteristics of the monitor film;
The collating step includes
Selecting template data to be used for collation from template data stored in the storage unit based on the time or condition of forming the device film on the device wafer;
The semiconductor device manufacturing method according to claim 5.
前記再測定する工程において測定された再測定結果に基づいて、前記デバイスウエハにおける前記デバイス膜特性の面内分布を評価を示すテンプレートデータを作成し、当該テンプレートデータを前記記憶部に追加登録する工程と、
をさらに含む、請求項１乃至８の何れか一項に記載の半導体デバイス製造方法。 Re-measuring the device film characteristic at a point other than the monitor point on the device wafer when template data corresponding to the monitoring result is not stored in the storage unit;
A step of creating template data indicating evaluation of the in-plane distribution of the device film characteristics on the device wafer based on the remeasurement result measured in the remeasurement step, and additionally registering the template data in the storage unit When,
The semiconductor device manufacturing method according to claim 1, further comprising:
前記補正する工程は、
前記仮想データに基づいて、前記デバイスウエハを処理する処理条件を補正して、前記特性のばらつきを補正する、
請求項１乃至９の何れか一項に記載の半導体デバイス製造方法。 Forming the device includes processing the device wafer after forming the device film on the device wafer;
The correcting step includes
Based on the virtual data, the processing condition for processing the device wafer is corrected, and the variation in the characteristics is corrected.
The semiconductor device manufacturing method as described in any one of Claims 1 thru | or 9.
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