JP2018056533A - Imprint device and article manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an imprint apparatus and an article manufacturing method.
半導体デバイスの微細化の要求が進み、従来のフォトリソグラフィ技術に加えて、基板上に数ナノメートルオーダーの微細なパターン(構造体)を形成することができるインプリント技術が注目されている。インプリント技術は、基板上に未硬化のインプリント材を供給(塗布)し、かかるインプリント材とモールド(型)とを接触させて、モールドに形成された微細な凹凸パターンに対応するインプリント材のパターンを基板上に形成する微細加工技術である。 The demand for miniaturization of semiconductor devices has advanced, and in addition to the conventional photolithography technique, an imprint technique capable of forming a fine pattern (structure) on the order of several nanometers on a substrate has attracted attention. The imprint technology supplies (applies) an uncured imprint material onto a substrate, contacts the imprint material with a mold (mold), and corresponds to a fine uneven pattern formed on the mold. This is a fine processing technique for forming a material pattern on a substrate.
インプリント技術において、インプリント材の硬化法の1つとして光硬化法がある。光硬化法は、基板上のショット領域に供給されたインプリント材とモールドとを接触させた状態で光を照射してインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことでインプリント材のパターンを基板上に形成する方法である。 In the imprint technique, there is a photocuring method as one of the methods for curing an imprint material. In the photo-curing method, the imprint material supplied to the shot area on the substrate is in contact with the mold to irradiate light to cure the imprint material, and the mold is removed from the cured imprint material. This is a method for forming a pattern of a printing material on a substrate.
モールドのパターンと基板に形成されたパターン(下地)とを重ね合わせる際には、モールドに形成されたマークと基板に形成されたマークとの相対位置に基づいて、モールドと基板とを相対的に移動させることでシフト及び回転方向の位置ずれを補正している。更に、モールド(のパターン)を変形させることで、倍率、スキュー、台形、弓なり、糸巻きなどの形状誤差を補正している。 When the pattern of the mold and the pattern (base) formed on the substrate are overlapped, the mold and the substrate are relatively moved based on the relative positions of the mark formed on the mold and the mark formed on the substrate. By shifting, the positional deviation in the shift and rotation directions is corrected. Further, by deforming the mold (pattern), shape errors such as magnification, skew, trapezoid, bow, and thread winding are corrected.
モールドのパターンと下地との重ね合わせの高精度化のためには、数ナノメートル以下の精度でモールドを変形させる装置が必要となる。かかる装置は、モールドに外力を与えてパターンを任意の形状に変化させるためのアクチュエータ及びセンサを含み、モールドの外周を取り囲むように複数箇所に配置されている。例えば、モールドの側面と支持構造体との間にアクチュエータを有し、アクチュエータと支持構造体との間に力センサを有するインプリント装置が提案されている(特許文献1及び2参照)。かかるインプリント装置では、アクチュエータからモールドの側面に加える圧縮力を、力センサで検出してフィードバック制御している。
In order to increase the accuracy of overlaying the mold pattern and the base, an apparatus for deforming the mold with an accuracy of several nanometers or less is required. Such an apparatus includes an actuator and a sensor for applying an external force to the mold to change the pattern into an arbitrary shape, and is disposed at a plurality of locations so as to surround the outer periphery of the mold. For example, an imprint apparatus having an actuator between a side surface of a mold and a support structure and a force sensor between the actuator and the support structure has been proposed (see
しかしながら、インプリント装置では、モールドを基板上のインプリント材に接触させる押印工程や基板上のインプリント材からモールドを引き離す離型工程においてモールドに加わる外力によって、モールドにシフト及び回転方向の位置ずれが生じる場合がある。このような場合、上述したような力センサを用いたフィードバック制御では、原理上、モールドを元の位置に戻すことができない。 However, in the imprint apparatus, the mold is shifted and misaligned in the rotational direction by an external force applied to the mold in a stamping process in which the mold is brought into contact with the imprint material on the substrate and a mold releasing process in which the mold is separated from the imprint material on the substrate. May occur. In such a case, in principle, the feedback control using the force sensor as described above cannot return the mold to the original position.
モールドの位置ずれは、モールドとモールドを保持する保持部(チャック)との摩擦によって、モールドに意図しない変形(歪み)を生じ、重ね合わせ精度を低下させる要因となる。また、押印工程の直後におけるモールドと基板との相対的な位置ずれが大きくなることで、モールドと基板との位置合わせ(アライメント)に要するモールドや基板の移動量が大きくなるため、アライメント時間に影響を与えてしまう。更に、モールドと基板との間には、インプリント材によるバネ特性が作用するため、アライメントで必要となるモールドや基板の移動量に比例した力がモールドにかかり、モールドに変形(歪み)を生じさてしまう。 The misalignment of the mold causes unintended deformation (distortion) in the mold due to friction between the mold and a holding portion (chuck) that holds the mold, and causes a decrease in overlay accuracy. In addition, since the relative displacement between the mold and the substrate immediately after the stamping process increases, the amount of movement of the mold and substrate required for alignment between the mold and the substrate increases, which affects the alignment time. Will be given. Furthermore, since the spring characteristic of the imprint material acts between the mold and the substrate, a force proportional to the amount of mold or substrate movement required for alignment is applied to the mold, causing deformation (distortion) of the mold. That's right.
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドの位置ずれを抑制するのに有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an exemplary object of the present invention is to provide an imprint apparatus that is advantageous in suppressing mold misalignment.
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドを保持する保持部と、前記保持部に保持された前記モールドの側面に力を与えるアクチュエータと、前記アクチュエータから前記モールドの側面に与えられる力を計測する第1計測部と、前記保持部に保持された前記モールドの位置を計測する第2計測部と、前記アクチュエータが前記モールドの側面に与えるべき力に対応する力目標値と、前記第1計測部の出力とに基づいて、前記アクチュエータに入力する操作量を制御する制御部と、前記保持部において前記モールドが位置すべき位置に対応する位置目標値と前記第2計測部の出力との差分を力の操作量に変換して前記制御部に入力する入力部と、を有し、前記制御部は、前記入力部から入力される操作量にも基づいて、前記アクチュエータに入力する操作量を制御することを特徴とする。 In order to achieve the above object, an imprint apparatus according to one aspect of the present invention is an imprint apparatus that performs an imprint process for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold. A holding unit for holding, an actuator for applying force to the side surface of the mold held by the holding unit, a first measuring unit for measuring a force applied from the actuator to the side surface of the mold, and the holding unit. Further, the second measurement unit that measures the position of the mold, the force target value corresponding to the force that the actuator should apply to the side surface of the mold, and the output of the first measurement unit are input to the actuator. A control unit for controlling an operation amount, a position target value corresponding to a position where the mold should be positioned in the holding unit, and an output of the second measurement unit; And an input unit that converts the difference into an operation amount of force and inputs the force to the control unit, and the control unit inputs the actuator based on the operation amount input from the input unit. The operation amount is controlled.
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects and other aspects of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.
本発明によれば、例えば、モールドの位置ずれを抑制するのに有利なインプリント装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the imprint apparatus advantageous for suppressing the position shift of a mold can be provided, for example.
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。 DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, the same reference number is attached | subjected about the same member and the overlapping description is abbreviate | omitted.
図1は、本発明の一側面としてのインプリント装置100の構成を示す概略図である。インプリント装置100は、半導体デバイスの製造工程に使用され、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うリソグラフィ装置である。本実施形態では、インプリント装置100は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドの凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of an
インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。 As the imprint material, a curable composition (also referred to as an uncured resin) that cures when given energy for curing is used. As the energy for curing, electromagnetic waves, heat, or the like is used. As the electromagnetic wave, for example, light such as infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays, whose wavelength is selected from a range of 10 nm to 1 mm is used.
硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。 A curable composition is a composition which hardens | cures by irradiation of light or by heating. The photocurable composition that is cured by light irradiation contains at least a polymerizable compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-polymerizable compound or a solvent as necessary. The non-polymerizable compound is at least one selected from the group consisting of a sensitizer, a hydrogen donor, an internal release agent, a surfactant, an antioxidant, and a polymer component.
インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。 The imprint material may be applied in a film form on the substrate by a spin coater or a slit coater. Further, the imprint material may be applied onto the substrate in the form of droplets by the liquid ejecting head, or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The imprint material has a viscosity (viscosity at 25 ° C.) of, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.
インプリント装置100は、図1に示すように、照射部1と、モールド保持部4と、アクチュエータ5と、第1計測部6と、第2計測部7と、基板ステージ9と、供給部10と、アライメント計測部11と、制御部15とを有する。
As shown in FIG. 1, the
照射部1は、モールド2を介して、基板上のインプリント材に対して紫外線を照射する。照射部1は、例えば、光源と、光源からの紫外線をインプリント処理に適した状態に調整するための複数の光学素子とを含む。
The
モールド2は、矩形の外形を有し、基板8に対向する面に、基板上のインプリント材に転写するパターンが3次元形状に形成された型である。モールド2のパターンの表面は、基板上のインプリント材(基板8)との密着性を維持するために、高平面度に加工されている。モールド2は、石英などの紫外線を透過させる材料で構成されている。
The
モールド保持部4は、吸着力や静電力によってモールド2を引き付けるチャックなどを含み、モールド2を保持する。モールド保持部4は、モールド駆動部によって駆動される。モールド駆動部は、基板上のインプリント材とモールド2とを接触させるために、又は、基板上のインプリント材からモールド2を引き離すために、モールド保持部4をZ軸方向に駆動する。
The
アクチュエータ5(モールド変形機構)は、モールド保持部4に保持されたモールド2の側面に力(圧縮力)を与えて、モールド2のパターンを変形させる。第1計測部6は、ロードセルや歪ゲージなどの力センサを含み、アクチュエータ5からモールド2の側面に与えられる力を計測する。第2計測部7は、変位センサを含み、モールド保持部4に保持されたモールド2の側面の位置(側面の変位)を計測する。
The actuator 5 (mold deformation mechanism) applies a force (compression force) to the side surface of the
供給部10(ディスペンサ)は、基板上にインプリント材を供給(塗布)する。インプリント材は、本実施形態では、紫外線の照射によって硬化する性質(光硬化性)を有する。また、インプリント材は、製造する半導体デバイスの種類に応じて適宜選択される。基板ステージ9は、基板8を真空吸着によって保持し、XY平面内を自由に移動可能なステージである。
The supply unit 10 (dispenser) supplies (applies) an imprint material on the substrate. In this embodiment, the imprint material has a property of being cured by irradiation with ultraviolet rays (photocurability). The imprint material is appropriately selected according to the type of semiconductor device to be manufactured. The
アライメント計測部11は、基板上のインプリント材を硬化させない波長の光を発するHe−Neレーザなどの計測光源12と、CCDイメージセンサなどの検出器13とを含む。アライメント計測部11は、モールド2のパターンと、基板8に形成されたパターン(下地)とを重ね合わせる際に用いられる。アライメント計測部11は、モールド2及び基板8のそれぞれに形成されたアライメントマークに計測光源12からの光を照射し、これらのマークからの光によって形成される干渉パターンを検出器13で検出することで、互いのマークの相対位置を計測する。
The
制御部15は、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の全体(動作)を制御する。制御部15は、インプリント装置100の各部を統括的に制御してインプリント処理を行う。また、制御部15は、モールド2と基板8との位置合わせ(アライメント)に関する処理を制御する。例えば、アライメント計測部11の計測結果(アライメントマークの相対位置)からモールド2と基板8とのX軸方向、Y軸方向及び回転方向のそれぞれに関する位置ずれを求め、基板ステージ9を移動させることでモールド2と基板8との位置ずれを補正する。また、モールド2と基板8との間における倍率、スキュー、台形、弓なり、糸巻きなどの形状誤差は、アクチュエータ5によってモールド2のパターンを変形させて目標形状にすることで補正する。アクチュエータ5によるモールド2の形状の補正に関する制御としては、オープン制御とフィードバック制御とが考えられる。オープン制御は、例えば、インプリント処理によって基板8に形成されたパターンをSEMなどの計測装置で計測した結果から得られる形状補正量に基づいて、モールド2を基板上のインプリント材に接触させる前に変形させる制御である。フィードバック制御は、アライメント計測部11の計測結果に基づいて、モールド2をリアルタイムに変形させる制御である。
The
図2は、モールド2、アクチュエータ5、第1計測部6及び第2計測部7をZ軸方向から示す概略図であって、モールド2に対するアクチュエータ5、第1計測部6及び第2計測部7の配置の一例を示している。モールド2の中央には、基板上のインプリント材に転写するパターン20が形成されている。また、パターン20には、基板8に形成されたアライメントマークとの相対位置を計測するためのアライメントマーク21が含まれている。
FIG. 2 is a schematic view showing the
図2を参照するに、モールド2を取り囲むように、即ち、モールド2の4つの側面2a、2b、2c及び2dのそれぞれに対向するように、複数のアクチュエータ5が配置されている。本実施形態では、モールド2の1つの側面(側面2a乃至2dのそれぞれ)に対して、4つのアクチュエータ5が配置されている。アクチュエータ5のそれぞれは、モールド2を保持するモールド保持部4に支持されている。アクチュエータ5には、一般的に、発熱量が小さく、応答性に優れたピエゾアクチュエータが用いられる。また、アクチュエータ5のそれぞれには、アクチュエータ5からモールド2の側面に与えられる力を計測する第1計測部6が配置されている。
Referring to FIG. 2, a plurality of
モールド2の側面の位置を計測する第2計測部7は、モールド保持部4に支持されている。モールド2の4つの側面2a乃至2dのうちの互いに直交する2つの側面に対して、少なくとも3つ以上の第2計測部7が配置されている。換言すれば、第2計測部7は、モールド2の側面(第1側面)における2つの箇所の位置及びかかる側面に直交する側面(第2側面)における1つの箇所の位置を計測するための少なくとも3つの計測軸を含む。これにより、第2計測部7は、モールド2のX軸方向の位置ずれX、モールド2のY軸方向の位置ずれY、モールド2の回転方向の位置ずれQzを計測することができる。本実施形態では、図2に示すように、モールド2のY軸方向に沿った側面2bに対して2つの第2計測部7a及び7bが配置され、モールド2のX軸方向に沿った側面2aに対して1つの第2計測部7cが配置されているが、これに限定されるものではない。例えば、モールド2の側面2bに対して1つの第2計測部7を配置し、モールド2の側面2aに対して2つの第2計測部7を配置してもよし、モールド2の側面2a及び2aのそれぞれに対して2つの第2計測部7を配置してもよい。
The
図3は、制御部15において、モールド2の形状の補正に関する制御系を示すブロック図である。かかる制御系は、力制御を行うための力制御ループ(マイナーループ)と、位置制御を行うための位置制御ループ(メジャーループ)とで構成されている。
FIG. 3 is a block diagram showing a control system related to the correction of the shape of the
後述するように、力制御ループは、アクチュエータ5がモールド2の側面に与えるべき力に対応する力目標値と、第1計測部6の出力とに基づいて、アクチュエータ5に入力する操作量を制御する(制御部として機能する)。また、位置制御ループは、モールド保持部4においてモールド2が位置すべき位置に対応する位置目標値と第2計測部7の出力との差を力の操作量に変換して力制御ループに入力する(入力部として機能する)。そして、力制御ループは、位置制御ループから入力される操作量にも基づいて、アクチュエータ5に入力する操作量を制御する。
As will be described later, the force control loop controls the operation amount input to the
まず、力制御ループについて説明する。力制御ループは、アクチュエータ5のそれぞれ(本実施形態では、16軸)に対して独立して構成される。モールド2を所望の形状にするための形状目標値は、倍率、スキュー、台形、糸巻きなどの形状成分ごとの補正量(変形量)として力目標値生成部301に入力される。形状目標値は、例えば、インプリント処理によって基板8に形成されたパターンをSEMなどの計測装置で計測した結果から得られた形状誤差を補正するための補正量であってもよい。また、形状目標値は、アライメント計測部11によって計測されたモールド2と基板8との相対誤差を補正するための補正量であってもよい。更に、形状目標値は、形状誤差と相対誤差の双方を合わせた補正量であってもよい。
First, the force control loop will be described. The force control loop is configured independently for each of the actuators 5 (16 axes in the present embodiment). The shape target value for making the
力目標値生成部301は、入力された形状目標値に基づいて、アクチュエータ5のそれぞれがモールド2の側面に与えるべき力に対応する力目標値を生成する。力目標値は、力の単位系であって、以下の式(1)に従って、アクチュエータ5のそれぞれ(本実施形態では、16軸)について生成される。
The force target value generation unit 301 generates a force target value corresponding to the force that each of the
式(1)において、行列[r]は、倍率、スキュー、台形、糸巻きなどに分解されたn個の変形成分の要素からなる行列である。行列[f]は、アクチュエータ5のフィードバック制御系に対する力目標値(圧縮力)の要素であって、アクチュエータ5の数に対応するm個の要素からなる行列である。行列[A]は、変形成分[r]から力目標値[f]を決めるためのm×n個の要素からなる行列であって、モールド2の形状、ヤング率及びポアソン比やモールド保持部4がモールド2を保持することによる摩擦力などによって決まるパラメータである。行列[A]は、シミュレーションによって予め求められている。具体的には、モールド2の側面に力目標値[f]に対応する力を与えたときのモールド2のパターン20の変形量を有限要素法(FEA)などの既知の手法で求め、各変形成分[r]を算出する。この処理を、力目標値[f]を変えながら行い、力目標値[f](行列の要素)と、その変形成分[r](行列の要素)とから、最小二乗法などを用いて行列[A]を決定する。なお、式(1)は、1次の連立方程式に相当するが、モールド2の形状の補正を高精度に行うために、式(1)を発展させて次数を増やしてもよい。
In equation (1), the matrix [r] is a matrix composed of elements of n deformation components decomposed into a magnification, a skew, a trapezoid, and a spool. The matrix [f] is an element of a force target value (compression force) for the feedback control system of the
力目標値生成部301によって生成された力目標値は、第1計測部6の出力(アクチュエータ5からモールド2の側面に与えられる力)との差(偏差)として、補償器302に入力される。補償器302は、一般的なフィードバック制御で用いられるPID制御器やフィルタ(ローパスフィルタ、ノッチフィルタ)などを含む。補償器302から出力された操作量は、電流アンプなどのドライバ303を介して増幅され、アクチュエータ5に入力される。アクチュエータ5は、補償器302からの操作量に応じた力(モールド2を変形させるための力)を、モールド2の側面に与える。アクチュエータ5からモールド2の側面に与えられた力は、第1計測部6によって計測され、上述したように、補償器302に入力する偏差を求めるために用いられる。
The force target value generated by the force target value generation unit 301 is input to the
次に、位置制御ループについて説明する。第2計測部7は、モールド2の側面のX軸方向の位置X1及びX2、及び、モールド2の側面のY軸方向の位置Yを計測して、それらを座標変換部305に出力する。座標変換部305は、第2計測部7の出力(位置X1及びX2、位置Y)を、モールド2のX軸方向の位置ずれX、モールド2のY軸方向の位置ずれY、モールド2の回転方向の位置ずれQzに変換する。例えば、モールド2のX軸方向の位置ずれXは、第2計測部7によって計測された位置X1及びX2の平均値とし、モールド2のY軸方向の位置ずれYは、第2計測部7によって計測された位置Yとする。また、モールド2の回転方向の位置ずれQzは、位置X1と位置X2との差分を、これらを計測した第2計測部7の取り付けピッチ(Y軸方向の距離)で除算することで求める。
Next, the position control loop will be described. The
一方、モールド2のパターン20の形状が目標形状となるように、アクチュエータ5によってモールド2を変形させると、その変形成分の変位が位置誤差として第2計測部7の出力に含まれてしまう。そこで、本実施形態では、アクチュエータ5がモールド2の側面に力目標値に対応する力を与えている状態におけるモールド2の側面の位置を、位置ずれX、Y及びQzの単位系として、メモリなどの記憶部306に記憶させている。例えば、図3に示す制御系において、アクチュエータ5によってモールド2を変形させた状態におけるモールド2の側面の位置(変位)を演算する演算部を設け、演算部で演算されたモールド2の側面の位置を位置目標値として記憶部306に記憶させる。また、アクチュエータ5によってモールド2を変形させた状態において第2計測部7で計測されたモールド2の側面の位置を位置目標値として記憶部306に記憶させてもよい。位置目標値は、モールド保持部4においてモールド2が位置すべき位置に対応している。
On the other hand, when the
座標変換部305から出力された位置ずれX、Y及びQzは、位置目標値との差(位置偏差)として、補償器307に入力される。かかる位置偏差は、モールド保持部4においてモールド2が位置すべき位置に対応する位置目標値と第2計測部7の出力との差分に相当する。補償器307は、補償器302と同様に、PID制御器やフィルタ(ローパスフィルタ、ノッチフィルタ)などを含む。
The positional deviations X, Y, and Qz output from the coordinate
補償器307から出力された位置操作量は、力変換部308に入力される。力変換部308は、力変換部308は、補償器307からの位置操作量を力の操作量に変換し、力の単位系である力補正量として、力制御ループに入力する。力変換部308は、各力制御ループにおける力目標値又は第1計測部6の出力に加算されるように、力補正量を力制御ループに入力(分配)する。
The position operation amount output from the
モールド2の位置の補正は、重ね合わせの原理が成り立つため、以下の式(2)で力補正量の分配を表すことができる。式(2)において、行列[B]は、m×3個の要素からなる行列である。mは、力制御ループの数(アクチュエータ5の数)に対応する。行列[cf]は、力制御ループに入力する力補正量であって、m個の要素からなる。
Since correction of the position of the
本実施形態では、力変換部308からの力補正量を、各力制御ループにおける力目標値又は第1計測部6の出力に加算することによって、位置制御ループをメジャーループとし、力制御ループをマイナーループとしている。但し、位置制御ループの力補正量を、力制御ループにおける補償器302からの操作量に加算するようなループを構成することで、力制御ループをメジャーループとし、位置制御ループをマイナーループとしてもよい。
In the present embodiment, by adding the force correction amount from the
図4を参照して、インプリント装置100の動作について説明する。インプリント装置100においては、力制御ループと位置制御ループとを、常に有効にしてもよいし、位置制御ループを必要に応じて有効にしてもよい。以下では、位置制御ループを必要に応じて有効にする場合について説明する。
The operation of the
S401では、モールド2の変形量の初期化を行う。具体的には、インプリント装置100に搬入されたモールド2をモールド保持部4で保持させ、かかるモールド2の側面に、アクチュエータ5から初期値に対応する力を与える。この際、力制御ループを有効にしてモールド2を変形させ、位置制御ループは無効にしておく。
In S401, the deformation amount of the
S402では、モールド2のパターン20の形状が目標形状となるように、アクチュエータ5からモールド2の側面に力を与えてモールド2を変形させる。
In step S402, the
S403では、位置制御ループを有効にする。具体的には、アクチュエータ5がモールド2の側面に力を与えている状態(S403)において、モールド2の位置を第2計測部7によって計測する。そして、第2計測部7の計測結果からモールド2の位置ずれX、Y及びQzを求めて、位置目標値として記憶部306に記憶する。これにより、外乱などによって発生するモールド2の位置ずれ(変位)は、位置目標値を基準とする位置ずれとして計測され、その位置ずれが補正される。
In S403, the position control loop is validated. Specifically, the position of the
S404では、押印処理を行う。具体的には、モールド2と基板8とを相対的に近づけて、モールド2と基板上に供給されたインプリント材とを接触させる。そして、基板ステージ9を移動させて、モールド2と基板8とのアライメントを行う。S405では、硬化処理を行う。具体的には、モールド2と基板上のインプリント材とが接触した状態において、照射部1から紫外線を照射して基板上のインプリント材を硬化させる。S406では、離型処理を行う。具体的には、モールド2と基板8とを相対的に離して、基板上の硬化したインプリント材からモールド2を引き離す。
In S404, a stamping process is performed. Specifically, the
S404からS406では、モールド2が基板上のインプリト材と接触している状態になるため、押印処理や離型処理で発生する力やアライメントにおいて基板ステージ9を移動させることで発生する力がモールド2に対する外乱となる。但し、本実施形態では、位置制御ループを有効にすることで、このような外乱によるモールド2の位置ずれを抑制することができる。
In S404 to S406, since the
S407では、基板8の全てのショット領域にインプリント処理が行われたかどうかを判定する。基板8の全てのショット領域にインプリント処理が行われている場合には、インプリント装置100の動作を終了する。一方、基板8の全てのショット領域にインプリント処理が行われていない場合には、S408に移行する。S408では、位置制御ループを無効し、次のショット領域にインプリント処理を行うために、S402に移行する。
In S407, it is determined whether imprint processing has been performed on all shot regions of the
図4において、S403で位置制御ループを有効にせず、力制御ループだけでS404、S405及びS406を行ってもよい。但し、S403のタイミングでは、アクチュエータ5がモールド2の側面に力を与えている状態においてモールド2の位置を計測してモールド2の位置ずれX、Y及びQzを求め、位置目標値として記憶部306に記憶する。換言すれば、基板8の1つのショット領域に対するインプリント処理が終了するたびに、アクチュエータ5がモールド2の側面に力を与えている状態において第2計測部7で計測されたモールド2の位置を位置目標値として記憶する。この場合、S404、S405及びS406で発生したモールド2の位置ずれを補正することはできないが、S403で位置目標値を記憶しているため、S407のタイミングで位置制御ループを有効にすることで、モールド2を元の位置に戻すことができる。その後、位置制御ループを無効して、基板8の各ショット領域に対するインプリント処理を繰り返す。
In FIG. 4, S404, S405, and S406 may be performed only in the force control loop without enabling the position control loop in S403. However, at the timing of S403, the position of the
例えば、モールド保持部4に対するモールド2の位置ずれは、インプリント処理を繰り返し行うことで、一方向に生じる傾向があることが確認されている。モールド2の位置ずれが生じる方向が予めわかっていれば、基板ステージ9の初期位置(飛び込み位置)を補正しておくことで、アライメントにおける位置誤差を軽減することができる。但し、モールド2とモールド保持部4との位置誤差は、インプリント処理を繰り返し行うたびに積算され、モールド2とモールド保持部4との間の摩擦力によって、モールド2に意図しない変形(歪み)を生じさせてしまう。このようなモールド2の歪みは、重ね合わせ精度を低下させる要因となる。本実施形態では、1つのショット領域にインプリント処理を行うたびにモールド2の位置ずれを補正することができるため、上述したようなモールド2の意図しない変形を低減することができる。
For example, it has been confirmed that the displacement of the
インプリント装置100を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型などである。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。
The pattern of the cured product formed using the
硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。 The pattern of the cured product is used as it is as a constituent member of at least a part of the above-described article or temporarily used as a resist mask. After etching or ion implantation is performed in the substrate processing step, the resist mask is removed.
次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図5(a)に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板8を用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材が基板上に付与された様子を示している。
Next, a specific method for manufacturing an article will be described. As shown in FIG. 5A, a
図5(b)に示すように、インプリント用のモールド2を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材に向け、対向させる。図5(c)に示すように、インプリント材が付与された基板8とモールド2とを接触させ、圧力を加える。インプリント材は、モールド2と被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光をモールド2を介して照射すると、インプリント材は硬化する。
As shown in FIG. 5B, the
図5(d)に示すように、インプリント材を硬化させた後、モールド2と基板8を引き離すと、基板上にインプリント材の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールド2の凹部が硬化物の凸部に、モールド2の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材にモールドMの凹凸パターンが転写されたことになる。
As shown in FIG. 5D, after the imprint material is cured, when the
図5(e)に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図5(f)に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。 As shown in FIG. 5E, when etching is performed using the pattern of the cured product as an anti-etching mask, the portion of the surface of the workpiece that has no cured product or remains thin is removed to form a groove. . As shown in FIG. 5 (f), when the pattern of the cured product is removed, an article having grooves formed on the surface of the workpiece can be obtained. Here, although the pattern of the cured product is removed, it may be used as, for example, an interlayer insulating film included in a semiconductor element, that is, a constituent member of an article without being removed after processing.
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。 As mentioned above, although preferable embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to these embodiment, A various deformation | transformation and change are possible within the range of the summary.
100:インプリント装置 2:モールド 4:モールド保持部 5:アクチュエータ 6:第1計測部 7:第2計測部 8:基板 15:制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 100: Imprint apparatus 2: Mold 4: Mold holding part 5: Actuator 6: 1st measurement part 7: 2nd measurement part 8: Board | substrate 15: Control part
Claims (8)
前記モールドを保持する保持部と、
前記保持部に保持された前記モールドの側面に力を与えるアクチュエータと、
前記アクチュエータから前記モールドの側面に与えられる力を計測する第1計測部と、
前記保持部に保持された前記モールドの位置を計測する第2計測部と、
前記アクチュエータが前記モールドの側面に与えるべき力に対応する力目標値と、前記第1計測部の出力とに基づいて、前記アクチュエータに入力する操作量を制御する制御部と、
前記保持部において前記モールドが位置すべき位置に対応する位置目標値と前記第2計測部の出力との差分を力の操作量に変換して前記制御部に入力する入力部と、を有し、
前記制御部は、前記入力部から入力される操作量にも基づいて、前記アクチュエータに入力する操作量を制御することを特徴とするインプリント装置。 An imprint apparatus for forming a pattern of an imprint material on a substrate using a mold,
A holding part for holding the mold;
An actuator for applying a force to the side surface of the mold held by the holding unit;
A first measuring unit that measures a force applied from the actuator to the side surface of the mold;
A second measuring unit for measuring the position of the mold held by the holding unit;
A control unit that controls an operation amount input to the actuator based on a force target value corresponding to a force that the actuator should exert on the side surface of the mold and an output of the first measurement unit;
An input unit that converts a difference between a position target value corresponding to a position where the mold is to be positioned in the holding unit and an output of the second measurement unit into an operation amount of force and inputs the force to the control unit; ,
The imprint apparatus, wherein the control unit controls an operation amount input to the actuator based on an operation amount input from the input unit.
前記記憶部は、前記演算部で演算された前記モールドの側面の位置を前記位置目標値として記憶することを特徴とする請求項3に記載のインプリント装置。 The input unit includes a calculation unit that calculates the position of the mold in the state,
The imprint apparatus according to claim 3, wherein the storage unit stores the position of the side surface of the mold calculated by the calculation unit as the position target value.
前記記憶部は、前記基板の1つのショット領域に対して前記インプリント材のパターンを形成するたびに、前記状態において前記第2計測部で計測された前記モールドの位置を前記位置目標値として記憶する請求項5に記載のインプリント装置。 A plurality of shot regions are formed on the substrate,
The storage unit stores the position of the mold measured by the second measurement unit in the state as the position target value each time the imprint material pattern is formed on one shot region of the substrate. The imprint apparatus according to claim 5.
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 Forming a pattern on a substrate using the imprint apparatus according to claim 1;
Processing the substrate on which the pattern has been formed in the step;
A method for producing an article comprising:
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