JP2018046212A - 多段構造体を有するテンプレートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
上記のナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したテンプレート(モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる)を、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された樹脂に密着させ、前記樹脂の表面側の形状を、前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状に成形した後に前記テンプレートを離型し、次いで、ドライエッチング等により余分な樹脂部分(残膜部分)を除去することで、前記被転写基板の上の樹脂に前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状(より詳しくは、凹凸反転形状)を転写する技術である(例えば、特許文献1、2)。
一方、転写パターンとして2段以上の段差構造から構成される多段構造体を形成したテンプレートを用いれば、複雑な3次元形状を、より少ない工程で得ることができる。
それゆえ、半導体用デバイス製造のみならず、例えば、光学素子、配線回路、記録デバイス、ディスプレイパネル、医療検査用チップ、マイクロ流路などの製造分野において、多段構造体を有するテンプレートの提供が望まれている。
なお、従来のナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの製造方法と共通する事項については、従来と同様な技術を用いることができるため、詳細説明は省略する。
図1は、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。また、図2〜図3は、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法の第1の実施形態の一例を示す概略工程図である。
この第1の実施形態は、本発明に係る製造方法において、形成する多段構造体が、階段状のホール形態を有する多段構造体となる、製造方法に関するものである。
なお、上記の「階段状のホール形態」とは、ホール(孔)の断面の輪郭が、ピラミッドを上下反転させたような輪郭であって、その側面が階段状になっている形態を指す。
ホール(孔)の最上面(最外周)の平面形態は、四角形の他に、三角形や五角形等の多角形、さらにはT字型やL字型等の複雑な多角形、丸型や楕円形等のように曲線を含む形態とすることができる。
以下、工程順に各工程について説明する。
本実施形態により、2段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレート(図3(j)に示すテンプレート10)を製造するには、まず、図2(a)に示すように、マスクパターン12が光透過性基板11の主面に形成されているマスクパターン付き光透過性基板を準備する(図1に示す工程S1)。
ここで、図2(a)に示すように、本実施形態において、マスクパターン12は、開口部13と開口部13の周囲を覆うマスク部から構成されるものである。
この光透過性基板11は、従来のナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートを構成する基板であれば用いることができるが、中でも、合成石英から構成されるものであることが好ましい。合成石英は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの材料として実績があり、微細な加工や洗浄等において優れているからである。
マスクパターン12を構成する材料としては、後述する光透過性基板11のエッチング(図1に示す工程S2等、図2(b)等)、及び、ALD膜のエッチバック(図1に示す工程S4、図2(d)等)において、エッチングマスクとして作用を奏するものであれば用いることができる。
なお、「エッチングマスクとして作用を奏する」とは、上記のエッチングやエッチバックの工程で「消失しない」ことも含む概念である。例えば、マスクパターン12は、上記のエッチング等の工程で、その膜厚が薄くなっても、残存していれば良い。
マスクパターン12の形成には、例えばスパッタ法を好適に用いることができる。
次に、図2(b)に示すように、マスクパターン12の開口部13から露出する光透過性基板11の主面をエッチングする(図1に示す工程S2)。
光透過性基板11が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。
このエッチング(第1の光透過性基板エッチング)により、光透過性基板11には、第1のエッチング底面14、及び、第1のエッチング側面15が形成される。
図2(b)において、第1のエッチング底面14の深さ(光透過性基板11の主面からの距離)はH11である。
次に、図2(c)に示すように、光透過性基板11の第1のエッチング底面14の上、該第1のエッチング底面14に接する第1のエッチング側面15の上、並びに、マスクパターン12の上に、第1のALD膜16を形成する(図1に示す工程S3)。
上記のALD膜(第1のALD膜16)は、原子層堆積法(ALD法:Atomic Layer Deposition法)を用いて形成された膜である。
ここで、原子層堆積法(ALD法:Atomic Layer Deposition法)は、金属あるいはシリコンを含む原料ガスと酸素やフッ素等を含む反応ガスの2種類のガスを交互に用いて、基板上に原子層単位で薄膜(原子層堆積膜)を形成する技術であり、金属あるいはシリコンを含むガスの供給、余剰ガスの排除、酸素等を含むガスの供給、余剰ガスの排除、の4工程を1サイクルとして、これを複数回繰り返して所望の厚さの膜を形成する成膜技術である(例えば、特許文献4)。
それゆえ、図2(c)において、光透過性基板11の第1のエッチング底面14の上、該第1のエッチング底面14に接する第1のエッチング側面15の上、並びに、マスクパターン12の上に形成される第1のALD膜16の膜厚は、いずれも同じ厚み(W11)になる。
光透過性基板11が合成石英から構成される場合、第1のALD膜16を構成する材料としては、上記のALD法に用いることができる各種金属やその酸化膜、窒化膜等を挙げることができる。例えば、窒化タンタル(TaN)を好適に挙げることができる。
次に、図2(d)に示すように、第1のALD膜16をエッチバックして、第1のエッチング側面15の上に形成した第1のALD膜16を残しながら、第1のエッチング底面14の上に形成した第1のALD膜16を除去して、第1のエッチング底面14を露出させる(図1に示す工程S4)。
例えば、図2(c)、(d)に示す例においては、このエッチバックは、エッチング深さ方向においてW11に相当する深さをエッチングすればよい。第1のALD膜16を構成する材料として、TaNを用いた場合、このエッチング(エッチバック)には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。
次に、図2(e)に示すように、露出した第1のエッチング底面14を、さらにエッチングする(図1に示す工程S5)。
上記のように、光透過性基板11が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。そして、マスクパターン12や第1のALD膜16が金属系の材料から構成されている場合、マスクパターン12や第1のALD膜16は、エッチングマスクとして十分作用する。
このエッチング(第2の光透過性基板エッチング)により、光透過性基板11には、第2のエッチング底面17、及び、第2のエッチング側面18が形成される。
図2(e)において、第2のエッチング底面17の深さ(第1のエッチング底面14からの距離)はH12である。
次に、図3(f)に示すように、光透過性基板11の第2のエッチング底面17の上、第2のエッチング底面17に接する第2のエッチング側面18の上、第1のエッチング側面15の上に形成した第1のALD膜16の上(膜面の上)、並びに、マスクパターン12の上に第2のALD膜19を形成する(図1に示す工程S3)。
それゆえ、図3(f)において、光透過性基板11の第2のエッチング底面17の上、第2のエッチング底面17に接する第2のエッチング側面18の上、第1のエッチング側面15の上に形成した第1のALD膜16の上(側面の上)、並びに、マスクパターン12の上に形成される第2のALD膜19の膜厚は、いずれも同じ厚み(W12)になる。
第2のALD膜19を構成する材料は、第1のALD膜16と異なるものであっても良いが、同じ材料である方が、共通するエッチングガス、エッチング装置を使用でき、プロセスを複雑にしない点で有益である。
第2のALD膜19を構成する材料は、例えば、窒化タンタル(TaN)を好適に挙げることができる。
次に、図3(g)に示すように、第2のALD膜19をエッチバックして、第2のエッチング側面18の上、及び、第1のALD膜16の上(膜面の上)に形成した第2のALD膜19を残しながら、第2のエッチング底面17の上に形成した第2のALD膜19を除去して、第2のエッチング底面17を露出させる(図1に示す工程S4)。
例えば、図3(f)、(g)に示す例においては、このエッチバックは、エッチング深さ方向においてW12に相当する深さをエッチングすればよい。第2のALD膜19を構成する材料として、TaNを用いた場合、このエッチング(エッチバック)には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。
次に、図3(h)に示すように、露出した第2のエッチング底面17を、さらにエッチングする(図1に示す工程S5)。
上記のように、光透過性基板11が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。そして、マスクパターン12、第1のALD膜16、第2のALD膜19が金属系の材料から構成されている場合、マスクパターン12、第1のALD膜16、第2のALD膜19は、エッチングマスクとして十分作用する。
このエッチング(第3の光透過性基板エッチング)により、光透過性基板11には、第3のエッチング底面20、及び、第3のエッチング側面21が形成される。
次に、図3(i)に示すように、形成したALD膜全てを除去する(図1に示す工程S6)。より具体的には、第1のALD膜16、及び、第2のALD膜19を除去する。
第1のALD膜16、及び、第2のALD膜19を構成する材料として、TaNを用いた場合、この除去工程には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。
この除去工程(ALD膜除去工程)により、多段構造体を構成する第1のエッチング底面14、第1のエッチング側面15、第2のエッチング底面17、第2のエッチング側面18が露出する。
最後に、図3(j)に示すように、マスクパターン12を除去する(図1に示す工程S7)。マスクパターン12を構成する材料として、Crを用いた場合、この除去工程には、例えば、酸素と塩素の混合ガスによるドライエッチングを用いることができる。
例えば、酸性の液体を用いたウェットエッチングにより、第1のALD膜16、第2のALD膜19、及び、マスクパターン12を同じ一の工程で除去しても良い。
なお、上記の「階段状のホール形態」とは、ホール(孔)の断面の輪郭が、ピラミッドを上下(天地)反転させたような輪郭であって、その側面が階段状になっている形態を指す。
それゆえ、図3(j)に示すテンプレート10が有する多段構造体は、その断面が極めて左右対称性の良い多段構造体となり、多段構造体の下段の段差構造の平面中心位置は、上段の段差構造の平面中心位置と一致することになる。
すなわち、本実施形態によれば、2段以上の段差構造の形成に、アライメント機能を備えた描画装置を要することなく、高い位置精度で、2段以上の段差構造から構成される微細な多段構造体を、テンプレートの主面に形成することができる。
上記の図2〜図3に示す例においては、3段の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートであって、前記多段構造体が、光透過性基板11の主面とは反対側の裏面に向かって凸型のホール状の形態を有する多段構造体であるテンプレート(図3(j)に示すテンプレート10)を製造する方法について説明したが、本実施形態においては、図1に示す工程S3〜S5を繰り返すことで、より多段の多段構造体を有するテンプレートを製造することができる。
また、本実施形態においては、第nのALD膜形成工程において形成する第nのALD膜の厚みを、第(n−1)のALD膜形成工程において形成する第(n−1)のALD膜の厚みとは異なる厚みに変化させることもできる。
より具体的には、図2(c)に示す第1のALD膜16の厚みW11と、図3(f)に示す第2のALD膜19の厚みW12を、異なる厚みとすることができる。
これにより、図3(j)に示すテンプレート10において、多段構造体の各段の幅(W11、W12)の大きさを異なるものとすることができる。
より具体的には、図2(c)に示す第1のALD膜16の厚みW11と、図3(f)に示す第2のALD膜19の厚みW12を、同じ厚みとすることができる。
これにより、図3(j)に示すテンプレート10において、多段構造体の各段の幅(W11、W12)の大きさを同じものとすることができる。
また、本実施形態においては、第nの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、第(n−1)の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さとは異なる深さに変化させることもできる。
より具体的には、図2(b)に示す深さH11と、図2(e)に示す深さH12を、異なる厚みとすることができる。
これにより、図3(j)に示すテンプレート10において、多段構造体の各段の深さ(H11、H12)の大きさを異なるものとすることができる。
より具体的には、図2(b)に示す深さH11と、図2(e)に示す深さH12を、同じ深さとすることができる。
これにより、図3(j)に示すテンプレート10において、多段構造体の各段の深さ(H11、H12)の大きさを同じものとすることができる。
次に、本発明に係る多段構造体を有するテンプレートの製造方法の第2の実施形態について説明する。
上記の第1の実施形態においては、形成する多段構造体が、階段状のホール形態を有する多段構造体であった。
一方、この第2の実施形態においては、形成する多段構造体が、階段状のピラー形態を有する多段構造体である。
なお、上記の「階段状のピラー形態」とは、ピラー(柱)の断面の輪郭が、ピラミッドのような輪郭であって、その側面が階段状になっている形態を指す。
ピラー(柱)の最上面の平面形態は、四角形の他に、三角形や五角形等の多角形、さらにはT字型やL字型等の複雑な多角形、丸型や楕円形等のように曲線を含む形態とすることができる。
なお、本実施形態においても、製造工程のフローは図1に沿ったものである。
以下、工程順に各工程について説明する。
本実施形態により、2段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレート(図5(j)に示すテンプレート50)を製造するには、まず、図4(a)に示すように、マスクパターン52が光透過性基板51の主面に形成されているマスクパターン付き光透過性基板を準備する(図1に示す工程S1)。
ここで、図4(a)に示すように、本実施形態において、マスクパターン52は、マスク部と該マスク部を囲む露出部53から構成されている。
この光透過性基板51は、従来のナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートを構成する基板であれば用いることができるが、中でも、合成石英から構成されるものであることが好ましい。合成石英は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるテンプレートの材料として実績があり、微細な加工や洗浄等において優れているからである。
マスクパターン52を構成する材料としては、後述する光透過性基板51のエッチング(図1に示す工程S2等、図4(b)等)、及び、ALD膜のエッチバック(図1に示す工程S4、図4(d)等)において、エッチングマスクとして作用を奏するものであれば用いることができる。
マスクパターン52の形成には、例えばスパッタ法を好適に用いることができる。
次に、図4(b)に示すように、マスクパターン52の露出部53から露出する光透過性基板51の主面をエッチングする(図1に示す工程S2)。
光透過性基板51が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。
このエッチング(第1の光透過性基板エッチング)により、光透過性基板51には、第1のエッチング底面54、及び、第1のエッチング側面55が形成される。
図4(b)において、第1のエッチング底面54の深さ(光透過性基板11の主面からの距離)はH51である。
次に、図4(c)に示すように、光透過性基板51の第1のエッチング底面54の上、該第1のエッチング底面54に接する第1のエッチング側面55の上、並びに、マスクパターン52の上に、第1のALD膜56を形成する(図1に示す工程S3)。
それゆえ、図4(c)において、光透過性基板51の第1のエッチング底面54の上、該第1のエッチング底面54に接する第1のエッチング側面55の上、並びに、マスクパターン52の上に形成される第1のALD膜56の膜厚は、いずれも同じ厚み(W51)になる。
光透過性基板51が合成石英から構成される場合、第1のALD膜56を構成する材料としては、上記のALD法に用いることができる各種金属やその酸化膜、窒化膜等を挙げることができる。例えば、窒化タンタル(TaN)を好適に挙げることができる。
次に、図4(d)に示すように、第1のALD膜56をエッチバックして、第1のエッチング側面55の上に形成した第1のALD膜56を残しながら、第1のエッチング底面54の上に形成した第1のALD膜56を除去して、第1のエッチング底面54を露出させる(図1に示す工程S4)。
例えば、図4(c)、(d)に示す例においては、このエッチバックは、エッチング深さ方向においてW51に相当する深さをエッチングすればよい。第1のALD膜56を構成する材料として、TaNを用いた場合、このエッチング(エッチバック)には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。
次に、図4(e)に示すように、露出した第1のエッチング底面54を、さらにエッチングする(図1に示す工程S5)。
上記のように、光透過性基板51が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。そして、マスクパターン52や第1のALD膜56が金属系の材料から構成されている場合、マスクパターン52や第1のALD膜56は、エッチングマスクとして十分作用する。
このエッチング(第2の光透過性基板エッチング)により、光透過性基板51には、第2のエッチング底面57、及び、第2のエッチング側面58が形成される。
図4(e)において、第2のエッチング底面57の深さ(第1のエッチング底面54からの距離)はH52である。
次に、図5(f)に示すように、光透過性基板51の第2のエッチング底面57の上、第2のエッチング底面57に接する第2のエッチング側面58の上、第1のエッチング側面55の上に形成した第1のALD膜56の上(膜面の上)、並びに、マスクパターン52の上に第2のALD膜59を形成する(図1に示す工程S3)。
それゆえ、図5(f)において、光透過性基板51の第2のエッチング底面57の上、第2のエッチング底面57に接する第2のエッチング側面58の上、第1のエッチング側面55の上に形成した第1のALD膜56の上(膜面の上)、並びに、マスクパターン52の上に形成される第2のALD膜59の膜厚は、いずれも同じ厚み(W52)になる。
第2のALD膜59を構成する材料は、第1のALD膜56と異なるものであっても良いが、同じ材料である方が、共通するエッチングガス、エッチング装置を使用でき、プロセスを複雑にしない点で有益である。
第2のALD膜59を構成する材料は、例えば、窒化タンタル(TaN)を好適に挙げることができる。
次に、図5(g)に示すように、第2のALD膜59をエッチバックして、第2のエッチング側面58の上、及び、第1のALD膜56の上(膜面の上)に形成した第2のALD膜59を残しながら、第2のエッチング底面57の上に形成した第2のALD膜59を除去して、第2のエッチング底面57を露出させる(図1に示す工程S4)。
例えば、図5(f)、(g)に示す例においては、このエッチバックは、エッチング深さ方向においてW52に相当する深さをエッチングすればよい。第2のALD膜59を構成する材料として、TaNを用いた場合、このエッチング(エッチバック)には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。
次に、図5(h)に示すように、露出した第2のエッチング底面57を、さらにエッチングする(図1に示す工程S5)。
上記のように、光透過性基板51が合成石英から構成される場合、このエッチングには、例えば、フッ素系ガスによるドライエッチングを用いることができる。そして、マスクパターン52、第1のALD膜56、第2のALD膜59が金属系の材料から構成されている場合、マスクパターン52、第1のALD膜56、第2のALD膜59は、エッチングマスクとして十分作用する。
このエッチング(第3の光透過性基板エッチング)により、光透過性基板51には、第3のエッチング底面60、及び、第3のエッチング側面61が形成される。
次に、図5(i)に示すように、形成したALD膜全てを除去する(図1に示す工程S6)。より具体的には、第1のALD膜56、及び、第2のALD膜59を除去する。
第1のALD膜56、及び、第2のALD膜59を構成する材料として、TaNを用いた場合、この除去工程には、例えば、塩素ガスによるドライエッチングを用いることができる。
この除去工程(ALD膜除去工程)により、多段構造体を構成する第1のエッチング底面54、第1のエッチング側面55、第2のエッチング底面57、第2のエッチング側面58が露出する。
最後に、図5(j)に示すように、マスクパターン52を除去する(図1に示す工程S7)。マスクパターン52を構成する材料として、Crを用いた場合、この除去工程には、例えば、酸素と塩素の混合ガスによるドライエッチングを用いることができる。
例えば、酸性の液体を用いたウェットエッチングにより、第1のALD膜56、第2のALD膜59、及び、マスクパターン52を同じ一の工程で除去しても良い。
なお、上記の「階段状のピラー形態」とは、ピラー(柱)の輪郭が、ピラミッドのような輪郭であって、その側面が階段状になっている形態を指す。
それゆえ、図5(j)に示すテンプレート50が有する多段構造体は、その断面が極めて左右対称性の良い多段構造体となり、多段構造体の下段の段差構造の平面中心位置は、上段の段差構造の平面中心位置と一致することになる。
すなわち、本実施形態によれば、2段以上の段差構造の形成に、アライメント機能を備えた描画装置を要することなく、高い位置精度で、2段以上の段差構造から構成される微細な多段構造体を、テンプレートの主面に形成することができる。
上記の図4〜図5に示す例においては、3段の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートであって、前記多段構造体が、光透過性基板51の主面側に向かって凸型のピラー状の形態を有する多段構造体であるテンプレート(図5(j)に示すテンプレート50)を製造する方法について説明したが、本実施形態においては、図1に示す工程S3〜S5を繰り返すことで、より多段の多段構造体を有するテンプレートを製造することができる。
また、本実施形態においては、第nのALD膜形成工程において形成する第nのALD膜の厚みを、第(n−1)のALD膜形成工程において形成する第(n−1)のALD膜の厚みとは異なる厚みに変化させることもできる。
より具体的には、図4(c)に示す第1のALD膜56の厚みW51と、図5(f)に示す第2のALD膜59の厚みW52を、異なる厚みとすることができる。
これにより、図5(j)に示すテンプレート50において、多段構造体の各段の幅(W51、W52)の大きさを異なるものとすることができる。
より具体的には、図4(c)に示す第1のALD膜56の厚みW51と、図5(f)に示す第2のALD膜59の厚みW52を、同じ厚みとすることができる。
これにより、図5(j)に示すテンプレート50において、多段構造体の各段の幅(W51、W52)の大きさを同じものとすることができる。
また、本実施形態においては、第nの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、第(n−1)の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さとは異なる深さに変化させることもできる。
より具体的には、図4(b)に示す深さH51と、図4(e)に示す深さH52を、異なる厚みとすることができる。
これにより、図5(j)に示すテンプレート50において、多段構造体の各段の深さ(H51、H52)の大きさを異なるものとすることができる。
より具体的には、図4(b)に示す深さH51と、図4(e)に示す深さH52を、同じ深さとすることができる。
これにより、図5(j)に示すテンプレート50において、多段構造体の各段の深さ(H51、H52)の大きさを同じものとすることができる。
10、50 テンプレート
11、51 光透過性基板
12、52 マスクパターン
13 開口部
14、54 第1のエッチング底面
15、55 第1のエッチング側面
16、56 第1のALD膜
17、57 第2のエッチング底面
18、58 第2のエッチング側面
19、59 第2のALD膜
20、60 第3のエッチング底面
21、61 第3のエッチング側面
53 露出部
Claims (6)
- 2段以上の段差構造から構成される多段構造体を主面に有するテンプレートの製造方法であって、
マスクパターンが光透過性基板の主面に形成されているマスクパターン付き光透過性基板を準備するマスクパターン付き光透過性基板準備工程と、
前記マスクパターンから露出する前記光透過性基板の主面をエッチングする第1の光透過性基板エッチング工程と、
前記第1の光透過性基板エッチング工程により形成された、前記光透過性基板の第1のエッチング底面の上、該第1のエッチング底面に接する第1のエッチング側面の上、並びに前記マスクパターンの上に、第1のALD膜を形成する第1のALD膜形成工程と、
前記第1のALD膜をエッチバックして、前記第1のエッチング側面の上に形成した第1のALD膜を残しながら、前記第1のエッチング底面の上に形成した第1のALD膜を除去して、前記第1のエッチング底面を露出させる第1のALD膜エッチバック工程と、
前記露出した第1のエッチング底面をエッチングする、第2の光透過性基板エッチング工程と、
前記第1のALD膜を除去する、ALD膜除去工程と、
を順に備えることを特徴とする、多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 - 前記第2の光透過性基板エッチング工程の後であって前記ALD膜除去工程の前に、
nを2以上の自然数とした場合に、
第nの光透過性基板エッチング工程により形成された前記光透過性基板の第nのエッチング底面の上及び該第nのエッチング底面に接する第nのエッチング側面の上、前記第(n−1)のエッチング側面の上に形成した第(n−1)のALD膜の上、並びに、前記マスクパターンの上に第nのALD膜を形成する、第nのALD膜形成工程と、
前記第nのALD膜をエッチバックして、前記第nのエッチング側面の上及び前記第(n−1)のALD膜の上に形成した第nのALD膜を残しながら、前記第nのエッチング底面の上に形成した第nのALD膜を除去して、前記第nのエッチング底面を露出させる、第nのALD膜エッチバック工程と、
前記露出した前記光透過性基板の第nのエッチング底面をエッチングする、第(n+1)の光透過性基板エッチング工程と、
を順に備えることを特徴とする、請求項1に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 - 前記第nのALD膜形成工程において形成する第nのALD膜の厚みを、
第(n−1)のALD膜形成工程において形成する第(n−1)のALD膜の厚みとは異なる厚みに変化させることを特徴とする、
請求項2に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 - 前記第nの光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さを、
第(n−1)の光透過性基板エッチング工程においてエッチングする深さとは異なる深さに変化させることを特徴とする、
請求項2または請求項3に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 - 前記マスクパターンが、開口部と該開口部の周囲を覆うマスク部から構成され、
前記多段構造体が、階段状のホール形態を有する多段構造体であることを特徴とする、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。 - 前記マスクパターンが、マスク部と該マスク部を囲む露出部から構成され、
前記多段構造体が、階段状のピラー形態を有する多段構造体であることを特徴とする、
請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の多段構造体を有するテンプレートの製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2018046212A true JP2018046212A (ja) | 2018-03-22 |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6776757B2 (ja) |
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JP6776757B2 (ja) | 2020-10-28 |
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