JP2018046166A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
[第1の実施の形態]
第1の実施の形態の半導体装置について、図1及び図2を用いて説明する。
図2は、第1の実施の形態の半導体モジュールの裏面図である。
なお、図2は、図1の一点鎖線Y1−Y1から見た半導体モジュールの裏面を表している。
半導体モジュール2は、積層基板21と、パワー半導体素子23a,23bと、プリント基板25とを有している。
絶縁板21aは、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素等のセラミックスの絶縁性の材質により構成されている。
回路板21cは、導電性に優れた銅等の金属等により構成されており、複数の回路パターン21c1〜21c4を含んでいる。
接合材4における熱伝導材の含有量は、熱伝導性及び剛性の観点から、50wt%以上、99wt%以下が好ましく、より好ましくは85wt%以上、99wt%以下である。また、その直径は、数μm以上、数十μm以下が好ましく、より好ましくは5μm以上、50μm以下程度である。直径が小さいと均一に分散しづらい。また、大きすぎると粒子間に有機樹脂が入り込みやすくなり、ち密な構造となりづらい。また、その形状は、球状または柱状でもよい。複数の粒径の熱伝導材が混合されていてもよい。
次いで、このような半導体装置1の製造方法について、図3を用いて説明する。
半導体装置1は、以下の工程にしたがって製造することができる。
[ステップS1] 半導体モジュール2を組み立てる。
[ステップS1a] 半導体モジュール2の構成を用意する。構成とは、例えば、積層基板21と、パワー半導体素子23a,23bと、プリント基板25と、封止するための部材等とを用意しておく。
[ステップS1b] 積層基板21の回路パターン21c2,21c3上に、はんだ22a,22bを介してパワー半導体素子23a,23bを設置する。
なお、この場合でも、ステップS1bと同様にして、パワー半導体素子23a,23bとプリント基板25との間に設定されたはんだ24a,24bを溶融して、硬化することで、パワー半導体素子23a,23bとプリント基板25とを接合することができる。
[ステップS2] 半導体モジュール2の裏面全面に接合材4を塗布して、接合材4を介して半導体モジュール2に冷却部3を取り付ける。
ここで、参考例として、半導体装置1とは別の半導体装置について、図4を用いて説明する。
なお、参考例の半導体装置10は、半導体装置1と同様の構成には、同様の符号を付して、それらの詳細な説明については省略する。
半導体モジュール20は、積層基板21と、パワー半導体素子23a,23bと、プリント基板25とを有している。
図5は、参考例の半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
なお、積層基板21と、パワー半導体素子23a,23bと、プリント基板25と、冷却部3とは事前に用意されている。
[ステップS13] ステップS11,S12で構成した積層基板21の金属板21bの全面に接合材40を塗布する。このような積層基板21を接合材40を介して冷却部3に取り付ける。
以上の工程により図4に示した半導体装置10を製造することができる。
半導体装置10において、パワー半導体素子23a,23bが動作して発熱するに伴って、半導体モジュール20も発熱する。すると、接合材40は、線膨張係数の差に基づき、封止部材26との間に隙間が生じ、封止部材26に対する密着性が低下して剥がれてしまうおそれがある。さらに、接合材40は、当該隙間により、ひび割れ等が生じるおそれがある。これは、接合材等が封止部材に囲まれたように接しており、接合材と封止部材の界面に熱応力が集中しやすいからと推測される。つまり、積層基板21と冷却器3とがはんだで接合された構造を有する半導体装置10は、はんだの代わりに、単に接合材40を適用したとしても、信頼性が低下してしまう。
図6は、第1の実施の形態の半導体装置の要部拡大側面図である。
半導体モジュール2では、封止部材26は、積層基板21の絶縁板21aまでを封止しており、金属板21bは露出されている。
第2の実施の形態では、第1の実施の形態において封止部材の形状を異ならせた場合の半導体装置について、図7及び図8を用いて説明する。
図8は、第2の実施の形態の半導体モジュールの裏面図である。
なお、図8は、図7の一点鎖線Y2−Y2から見た半導体モジュールの裏面である。
このような半導体装置1aでは、半導体モジュール2aと、冷却部3とを有しており、半導体モジュール2aと冷却部3とは接合材4により接合されている。
2,2a 半導体モジュール
3 冷却部
4 接合材
4a 最上面
21 積層基板
21a 絶縁板
21b 金属板
21c 回路板
21c1〜21c4 回路パターン
22a,22b,24a,24b はんだ
23a,23b パワー半導体素子
25 プリント基板
26,126 封止部材
126a 凸部
Claims (17)
- 半導体素子と、
絶縁板と、前記絶縁板のおもて面に配置され、前記半導体素子が第1接合材を介して設けられる回路板と、前記絶縁板の裏面に配置された金属板とを有する積層基板と、
前記半導体素子と前記積層基板とを前記金属板の裏面を露出して封止する封止部材と、
を備える半導体モジュールと、
前記半導体モジュールの前記金属板を含む裏面全面に、前記第1接合材の融点より接合温度が低く、熱伝導率が40W/(m・K)以上の第2接合材を介して配置される冷却部と、
を有する半導体装置。 - 前記第2接合材は、熱伝導材を含む有機樹脂により構成されている、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記有機樹脂は、耐熱性を備える耐熱樹脂である、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記耐熱樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂のいずれかである、
請求項3記載の半導体装置。 - 前記第2接合材は、前記熱伝導材を50wt%以上、99wt%以下含有している、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記封止部材は、有機樹脂により構成されている、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記熱伝導材は、金属粒子である、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記金属粒子は、銀、銅、金、ニッケル、クロム、アルミニウム、または、これらによる合金である、
請求項7に記載の半導体装置。 - 前記熱伝導材は、窒化アルミニウム、炭化シリコン、アルミナのいずれかである、
請求項2に記載の半導体装置。 - 前記熱伝導率は、120W/(m・K)以上である、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2接合材の厚さは、25μm以上、150μm以下である、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2接合材の厚さは、30μm以上、100μm以下である、
請求項11に記載の半導体装置。 - 前記第2接合材は、前記封止部材から露出する前記金属板を埋設して、前記第2接合材の前記封止部材と接する最上面と、前記金属板の前記冷却部と対向する主面とに段差が構成されている、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記段差は、20μm以上、200μm以下である、
請求項13に記載の半導体装置。 - 前記半導体モジュールの裏面側の前記封止部材の外側に外周部に沿って凸部が形成されており、前記凸部の最下面と、前記金属板の前記冷却部と対向する主面とが同一平面である、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第2接合材が前記金属板と、前記凸部及び前記金属板の間とを埋設している、
請求項15に記載の半導体装置。 - 半導体素子及び、絶縁板と、前記絶縁板のおもて面に配置され、前記半導体素子が第1接合材を介して設けられる回路板と、前記絶縁板の裏面に配置された金属板とを有する積層基板を封止部材で前記金属板の裏面を露出して封止して半導体モジュールを形成する工程と、
前記半導体モジュールの前記金属板を含む裏面全面に、前記第1接合材よりも融点が低く、熱伝導率が40W/(m・K)以上の第2接合材を介して冷却部を配置する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150742A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-30 | Shibafu Engineering Kk | 伝熱シート、半導体装置及び伝熱シートの製造方法 |
US20060202324A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor power module |
JP2007299973A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Metals Ltd | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール |
JP2009088330A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュール |
WO2013099545A1 (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
JP2014143342A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
WO2015033515A1 (ja) * | 2013-09-04 | 2015-03-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール及びインバータ装置 |
-
2016
- 2016-09-15 JP JP2016180082A patent/JP6794734B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150742A (ja) * | 1998-11-18 | 2000-05-30 | Shibafu Engineering Kk | 伝熱シート、半導体装置及び伝熱シートの製造方法 |
US20060202324A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor power module |
JP2006253183A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Hitachi Ltd | 半導体パワーモジュール |
JP2007299973A (ja) * | 2006-05-01 | 2007-11-15 | Hitachi Metals Ltd | 回路基板およびこれを用いた半導体モジュール |
JP2009088330A (ja) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュール |
WO2013099545A1 (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
US20140293548A1 (en) * | 2011-12-26 | 2014-10-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Electric power semiconductor device and method for producing same |
JP2014143342A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体モジュール及びその製造方法 |
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