JP2018046106A - Copper/titanium/aluminum conjugate, insulation circuit board, insulation circuit board with heat sink, power module, led module, and electro-thermal module - Google Patents
Copper/titanium/aluminum conjugate, insulation circuit board, insulation circuit board with heat sink, power module, led module, and electro-thermal module Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018046106A JP2018046106A JP2016178724A JP2016178724A JP2018046106A JP 2018046106 A JP2018046106 A JP 2018046106A JP 2016178724 A JP2016178724 A JP 2016178724A JP 2016178724 A JP2016178724 A JP 2016178724A JP 2018046106 A JP2018046106 A JP 2018046106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- layer
- circuit board
- titanium
- aluminum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010936 titanium Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 156
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 147
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 147
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 134
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 134
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 120
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 120
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title claims 3
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 58
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 23
- TVTJUIAKQFIXCE-HUKYDQBMSA-N 2-amino-9-[(2R,3S,4S,5R)-4-fluoro-3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)oxolan-2-yl]-7-prop-2-ynyl-1H-purine-6,8-dione Chemical compound NC=1NC(C=2N(C(N(C=2N=1)[C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H]1O)F)CO)=O)CC#C)=O TVTJUIAKQFIXCE-HUKYDQBMSA-N 0.000 abstract 2
- 229940125851 compound 27 Drugs 0.000 abstract 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 17
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 15
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 8
- 229910004339 Ti-Si Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910010978 Ti—Si Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018956 Sn—In Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
この発明は、銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材とが、チタン層を介して接合されてなる銅／チタン／アルミニウム接合体、および、これを備えた絶縁回路基板、ヒートシンク付き絶縁回路基板、パワーモジュール、ＬＥＤモジュール、熱電モジュールに関するものである。 The present invention relates to a copper / titanium / aluminum joined body in which a copper member made of copper or a copper alloy and an aluminum member made of aluminum or an aluminum alloy are joined via a titanium layer, and an insulating circuit including the same The present invention relates to a substrate, an insulated circuit board with a heat sink, a power module, an LED module, and a thermoelectric module.
パワーモジュール、ＬＥＤモジュール及び熱電モジュールにおいては、絶縁層の一方の面に導電材料からなる回路層を形成した絶縁回路基板に、パワー半導体素子、ＬＥＤ素子及び熱電素子が接合された構造とされている。
例えば、風力発電、電気自動車、ハイブリッド自動車等を制御するために用いられる大電力制御用のパワー半導体素子は、動作時に発熱量が多いことから、これを搭載する基板として、耐熱性、絶縁性に優れた窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）からなるセラミックス基板（絶縁層）が広く用いられている。
The power module, the LED module, and the thermoelectric module have a structure in which a power semiconductor element, an LED element, and a thermoelectric element are bonded to an insulating circuit board in which a circuit layer made of a conductive material is formed on one surface of the insulating layer. .
For example, power semiconductor elements for high power control used to control wind power generation, electric vehicles, hybrid vehicles, etc., generate a large amount of heat during operation. Ceramic substrates (insulating layers) made of excellent silicon nitride (Si 3 N 4 ) are widely used.
また、上述の絶縁回路基板においては、セラミックス基板（絶縁層）の一方の面に導電性の優れた金属板を接合して形成した回路層とし、また、他方の面に放熱性に優れた金属層を接合して一体化させた構造のものも提供されている。
ここで、絶縁回路基板（パワーモジュール用基板）の回路層および金属層として、アルミニウム層と銅層とが積層された接合体を用いることが検討されている。例えば、特許文献１には、回路層及び金属層を、アルミニウム層と銅層とがチタン層を介して接合した構成としたものが提案されている。
In the above-mentioned insulated circuit board, a circuit layer is formed by bonding a metal plate having excellent conductivity to one surface of a ceramic substrate (insulating layer), and a metal having excellent heat dissipation on the other surface. A structure in which layers are joined and integrated is also provided.
Here, as a circuit layer and a metal layer of an insulating circuit substrate (power module substrate), use of a joined body in which an aluminum layer and a copper layer are stacked is being studied. For example, Patent Document 1 proposes a circuit layer and a metal layer in which an aluminum layer and a copper layer are joined via a titanium layer.
さらに、上述のパワーモジュール、ＬＥＤモジュール及び熱電モジュールにおいては、回路層に搭載した半導体素子等から発生した熱を効率的に放散させるために、絶縁回路基板の金属層側にヒートシンクを接合したヒートシンク付絶縁回路基板も使用されている。
例えば、特許文献１においては、金属層がアルミニウム又はアルミニウム合金で構成され、ヒートシンクが銅又は銅合金で構成されており、金属層とヒートシンクとをチタン層を介して接合したヒートシンク付き絶縁回路基板が提案されている。
また、
Furthermore, in the above-mentioned power module, LED module, and thermoelectric module, in order to efficiently dissipate the heat generated from the semiconductor elements mounted on the circuit layer, the heat sink is attached to the metal layer side of the insulated circuit board. Insulated circuit boards are also used.
For example, in Patent Document 1, an insulating circuit board with a heat sink in which a metal layer is made of aluminum or an aluminum alloy, a heat sink is made of copper or a copper alloy, and the metal layer and the heat sink are joined via a titanium layer. Proposed.
Also,
そして、上述した絶縁回路基板及びヒートシンク付き絶縁回路基板においては、超音波検査等によって、セラミックス基板とアルミニウム層、アルミニウム層とチタン層、チタン層と銅層の各接合界面の接合状態が評価されている。 In the above-described insulated circuit board and insulated circuit board with a heat sink, the bonding state of each bonding interface between the ceramic substrate and the aluminum layer, the aluminum layer and the titanium layer, and the titanium layer and the copper layer is evaluated by ultrasonic inspection or the like. Yes.
ところで、最近では、絶縁回路基板に搭載されるパワー半導体素子、ＬＥＤ素子及び熱電素子等においては、発熱密度が高くなる傾向にあり、絶縁回路基板には従来にも増して、さらに高い温度までの冷熱サイクルに対する信頼性が求められている。
ここで、上述のように、アルミニウム層と銅層とがチタン層を介して接合した構造を有する絶縁回路基板及びヒートシンク付き絶縁回路基板においては、従来よりも高い温度までの冷熱サイクルを負荷した際に、銅層とチタン層との接合界面において剥離が生じることがあった。
Recently, power semiconductor elements, LED elements, thermoelectric elements, and the like mounted on an insulating circuit board tend to have a higher heat generation density, and the insulating circuit board has a higher temperature than ever before. There is a need for reliability with respect to the thermal cycle.
Here, as described above, when an insulating circuit board having a structure in which an aluminum layer and a copper layer are bonded via a titanium layer and an insulating circuit board with a heat sink are subjected to a cooling cycle up to a higher temperature than before, Moreover, peeling sometimes occurred at the bonding interface between the copper layer and the titanium layer.
この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、従来よりも高い温度までの冷熱サイクルを負荷した場合であっても、銅部材とチタン層との接合界面において剥離が生じることを抑制でき、特に信頼性に優れた銅／チタン／アルミニウム接合体、および、これを備えた絶縁回路基板、ヒートシンク付き絶縁回路基板、パワーモジュール、ＬＥＤモジュール、熱電モジュールを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and even when a cooling cycle up to a higher temperature than before is loaded, peeling occurs at the bonding interface between the copper member and the titanium layer. It is an object of the present invention to provide a copper / titanium / aluminum bonded body that can be suppressed and particularly excellent in reliability, and an insulating circuit board, an insulating circuit board with a heat sink, a power module, an LED module, and a thermoelectric module provided with the same.
上述の課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、銅層とチタン層との接合界面には、銅とチタンの金属間化合物が形成されているが、接合界面の一部にこの金属間化合物が形成されていない領域（金属間化合物未形成部）があり、従来よりも高い温度までの冷熱サイクルを負荷した場合に、この金属間化合物未形成部において剥離が生じているとの知見を得た。なお、この金属間化合物未形成部は、冷熱サイクル負荷前において超音波検査では検出することができないものであった。 As a result of intensive studies by the present inventors in order to solve the above-described problems, an intermetallic compound of copper and titanium is formed at the bonding interface between the copper layer and the titanium layer. There is a region where the intermetallic compound is not formed (intermetallic compound non-formed part), and peeling occurs in the intermetallic compound non-formed part when a cooling cycle up to a higher temperature than before is applied. And gained knowledge. In addition, this intermetallic compound non-formation part was a thing which cannot be detected by ultrasonic inspection before a thermal cycle load.
本発明は、上述の知見に基づいてなされたものであって、本発明の銅／チタン／アルミニウム接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材とが、チタン層を介して接合されてなる銅／チタン／アルミニウム接合体であって、前記銅部材と前記チタン層との接合界面には、ＣｕとＴｉを含有する金属間化合物が形成されており、前記銅部材と前記チタン層との接合界面において、前記金属間化合物が形成されていない金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さＬｉの最大値が２０μｍ以下であり、前記金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、前記接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下であることを特徴としている。 The present invention has been made on the basis of the above knowledge, and the copper / titanium / aluminum bonded body of the present invention includes a copper member made of copper or a copper alloy and an aluminum member made of aluminum or an aluminum alloy. A copper / titanium / aluminum bonded body bonded via a titanium layer, wherein an intermetallic compound containing Cu and Ti is formed at a bonding interface between the copper member and the titanium layer, in the bonding interface between the copper member and the titanium layer, the maximum value of the length L i along the joint interface of the intermetallic compound is an intermetallic compound is not formed not formed part is at 20μm or less, the intermetallic compound The ratio ΣL i / L 0 of the total length ΣL i along the bonding interface of the unformed part and the total length L 0 of the bonding interface is 0.16 or less.
この構成の銅／チタン／アルミニウム接合体によれば、前記銅部材と前記チタン層との接合界面において、前記金属間化合物が形成されていない金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さＬｉの最大値が２０μｍ以下とされているので、銅部材とチタン層との間でＣｕとＴｉとが十分に相互拡散して上述の金属間化合物が形成されており、銅部材とチタン層との接合信頼性に優れている。
また、前記金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、前記接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下とされているので、ＣｕとＴｉを含有する金属間化合物が形成されていない領域の存在比率が小さく、従来よりも高い温度までの冷熱サイクルを負荷した場合においても、金属間化合物未形成部を起点として剥離が生じることを抑制することが可能となる。
According to the copper / titanium / aluminum bonded body having this configuration, the length along the bonding interface of the intermetallic compound-unformed portion where the intermetallic compound is not formed at the bonding interface between the copper member and the titanium layer. since the maximum value of L i is as 20μm or less, Cu and Ti has intermetallic compounds described above sufficiently interdiffusion is formed between the copper member and a titanium layer, a copper member and a titanium layer Excellent joint reliability.
Further, since the ratio ΣL i / L 0 of the total length ΣL i along the bonding interface of the intermetallic compound-unformed portion and the total length L 0 of the bonding interface is 0.16 or less. Even when the ratio of the area where the intermetallic compound containing Cu and Ti is not formed is small and a cooling cycle up to a temperature higher than the conventional one is loaded, peeling occurs starting from the intermetallic compound-unformed part. This can be suppressed.
本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、を備えた絶縁回路基板であって、前記回路層は、前項に記載の銅／チタン／アルミニウム接合体であることを特徴としている。 The insulated circuit board of the present invention is an insulated circuit board comprising a ceramic substrate and a circuit layer formed on one surface of the ceramic substrate, wherein the circuit layer comprises the copper / titanium / It is characterized by being an aluminum joined body.
この構成の絶縁回路基板によれば、回路層が上述の銅／チタン／アルミニウム接合体で構成されているので、回路層上に発熱密度の高い素子を搭載しても、銅部材とチタン層との接合界面において剥離が生じることが抑制されることになり、信頼性に優れている。 According to the insulated circuit board having this configuration, since the circuit layer is composed of the above-described copper / titanium / aluminum bonded body, even if an element having a high heat generation density is mounted on the circuit layer, the copper member and the titanium layer The occurrence of peeling at the bonding interface is suppressed, and the reliability is excellent.
また、本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層と、を備えた絶縁回路基板であって、前記金属層は、前項に記載の銅／チタン／アルミニウム接合体であることを特徴としている。 The insulated circuit board according to the present invention includes a ceramic substrate, a circuit layer formed on one surface of the ceramic substrate, and a metal layer formed on the other surface of the ceramic substrate. And the said metal layer is the copper / titanium / aluminum joined body as described in the preceding clause, It is characterized by the above-mentioned.
この構成の絶縁回路基板によれば、金属層が上述の銅／チタン／アルミニウム接合体で構成されているので、銅部材とチタン層との接合信頼性に優れており、回路層に搭載された素子からの熱を、金属層を介して効率的に放熱することができる。 According to the insulated circuit board having this configuration, since the metal layer is composed of the above-described copper / titanium / aluminum bonded body, the bonding reliability between the copper member and the titanium layer is excellent, and the metal layer is mounted on the circuit layer. Heat from the element can be efficiently radiated through the metal layer.
さらに、本発明の絶縁回路基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層と、を備えた絶縁回路基板であって、前記回路層及び前記金属層は、前項に記載の銅／チタン／アルミニウム接合体であることを特徴としている。 Furthermore, the insulated circuit board of the present invention includes a ceramic substrate, a circuit layer formed on one surface of the ceramic substrate, and a metal layer formed on the other surface of the ceramic substrate. And the said circuit layer and the said metal layer are the copper / titanium / aluminum junction bodies as described in the preceding clause, It is characterized by the above-mentioned.
この構成の絶縁回路基板によれば、回路層及び金属層が上述の銅／チタン／アルミニウム接合体で構成されているので、回路層上に発熱密度の高い素子を搭載しても、銅部材とチタン層との接合界面において剥離が生じることが抑制され、信頼性に優れている。また、回路層に搭載された素子からの熱を、金属層を介して効率的に放熱することができる。 According to the insulated circuit board having this configuration, since the circuit layer and the metal layer are composed of the above-described copper / titanium / aluminum bonded body, even if an element having a high heat generation density is mounted on the circuit layer, the copper member and Peeling is prevented from occurring at the bonding interface with the titanium layer, and the reliability is excellent. Moreover, the heat from the element mounted on the circuit layer can be efficiently radiated through the metal layer.
本発明のヒートシンク付き絶縁回路基板は、セラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に形成された回路層と、前記セラミックス基板の他方の面に形成された金属層と、前記金属層に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付き絶縁回路基板であって、前記金属層及び前記ヒートシンクが、前項に記載の銅／チタン／アルミニウム接合体であることを特徴としている。 An insulating circuit board with a heat sink of the present invention is bonded to a ceramic substrate, a circuit layer formed on one surface of the ceramic substrate, a metal layer formed on the other surface of the ceramic substrate, and the metal layer. And an insulating circuit board with a heat sink, wherein the metal layer and the heat sink are the copper / titanium / aluminum bonded body described in the preceding paragraph.
この構成のヒートシンク付き絶縁回路基板によれば、金属層及びヒートシンクが、上述の銅／チタン／アルミニウム接合体とされているので、高負荷時においても、金属層とヒートシンクとの間に形成された銅部材とチタン層との接合界面において剥離が生じることが抑制され、信頼性に優れている。 According to the insulated circuit board with a heat sink having this configuration, the metal layer and the heat sink are formed of the above-described copper / titanium / aluminum joined body, and thus formed between the metal layer and the heat sink even at a high load. Peeling is suppressed from occurring at the bonding interface between the copper member and the titanium layer, and the reliability is excellent.
本発明のパワーモジュールは、前項に記載の絶縁回路基板と、前記回路層の一方の面側に接合されたパワー半導体素子と、を備えていることを特徴としている。
また、本発明のパワーモジュールは、前項に記載のヒートシンク付き絶縁回路基板と、前記回路層の一方の面側に接合されたパワー半導体素子と、を備えていることを特徴としている。
A power module according to the present invention includes the insulating circuit board according to the preceding paragraph and a power semiconductor element bonded to one surface side of the circuit layer.
In addition, a power module of the present invention includes the insulating circuit board with a heat sink described in the preceding section, and a power semiconductor element bonded to one surface side of the circuit layer.
本発明のＬＥＤモジュールは、前項に記載の絶縁回路基板と、前記回路層の一方の面側に接合されたＬＥＤ素子と、を備えていることを特徴としている。
また、本発明のＬＥＤモジュールは、前項に記載のヒートシンク付き絶縁回路基板と、前記回路層の一方の面側に接合されたＬＥＤ素子と、を備えていることを特徴としている。
The LED module of the present invention is characterized by including the insulating circuit board described in the preceding paragraph and an LED element bonded to one surface side of the circuit layer.
In addition, an LED module of the present invention includes the insulating circuit board with a heat sink described in the preceding section and an LED element bonded to one surface side of the circuit layer.
本発明の熱電モジュールは、前項に記載の絶縁回路基板と、前記回路層の一方の面側に接合された熱電素子と、を備えていることを特徴としている。
また、本発明の熱電モジュールは、前項に記載のヒートシンク付き絶縁回路基板と、前記回路層の一方の面側に接合された熱電素子と、を備えていることを特徴としている。
A thermoelectric module according to the present invention includes the insulating circuit board according to the preceding paragraph and a thermoelectric element bonded to one surface side of the circuit layer.
In addition, a thermoelectric module of the present invention includes the insulating circuit board with a heat sink described in the preceding section and a thermoelectric element bonded to one surface side of the circuit layer.
本発明のパワーモジュール、ＬＥＤモジュール及び熱電モジュールによれば、上述の銅／チタン／アルミニウム接合体を有しており、高負荷時においても銅部材とチタン層との接合界面において剥離が生じることが抑制され、パワーモジュール、ＬＥＤモジュール及び熱電モジュールの信頼性を向上させることを可能にする。 According to the power module, the LED module, and the thermoelectric module of the present invention, the above-described copper / titanium / aluminum bonded body is included, and peeling may occur at the bonded interface between the copper member and the titanium layer even at a high load. The power module, the LED module, and the thermoelectric module can be improved in reliability.
本発明によれば、従来よりも高い温度までの冷熱サイクルを負荷した場合であっても、銅部材とチタン層との接合界面において剥離が生じることを抑制でき、特に信頼性に優れた銅／チタン／アルミニウム接合体、および、これを備えた絶縁回路基板、ヒートシンク付き絶縁回路基板、パワーモジュール、ＬＥＤモジュール、熱電モジュールを提供することができる。 According to the present invention, even when a cooling cycle up to a higher temperature than before is loaded, it is possible to suppress the occurrence of delamination at the bonding interface between the copper member and the titanium layer. It is possible to provide a titanium / aluminum bonded body, and an insulating circuit board including the same, an insulating circuit board with a heat sink, a power module, an LED module, and a thermoelectric module.
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。なお、以下に示す各実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Each embodiment described below is specifically described for better understanding of the gist of the invention, and does not limit the present invention unless otherwise specified. In addition, in the drawings used in the following description, in order to make the features of the present invention easier to understand, there is a case where a main part is shown in an enlarged manner for convenience, and the dimensional ratio of each component is the same as the actual one. Not necessarily.
（第１の実施形態）
図１に、本発明の第１の実施形態である絶縁回路基板１０を用いたパワーモジュール１を示す。なお、本実施形態における接合体は、図１に示す絶縁回路基板１０において、アルミニウム部材としてアルミニウム層２１及び銅部材として銅層２２がチタン層２５を介して接合されてなる回路層２０、アルミニウム部材としてアルミニウム層３１及び銅部材として銅層３２がチタン層３５を介して接合されてなる金属層３０とされている。
(First embodiment)
In FIG. 1, the power module 1 using the insulated circuit board 10 which is the 1st Embodiment of this invention is shown. The joined body in the present embodiment includes an aluminum member 21 and a circuit layer 20 in which an aluminum layer 21 as an aluminum member and a copper layer 22 as a copper member are joined via a titanium layer 25 in the insulated circuit board 10 shown in FIG. The metal layer 30 is formed by bonding an aluminum layer 31 and a copper layer 32 as a copper member via a titanium layer 35.
図１に示すパワーモジュール１は、絶縁回路基板１０と、この絶縁回路基板１０の一方の面（図１において上面）に第１はんだ層２を介して接合されたパワー半導体素子３と、絶縁回路基板１０の下側に第２はんだ層４２を介して接合されたヒートシンク４１と、を備えている。なお、ヒートシンク４１が接合された絶縁回路基板１０が、本実施形態におけるヒートシンク付き絶縁回路基板４０とされている。 A power module 1 shown in FIG. 1 includes an insulating circuit board 10, a power semiconductor element 3 bonded to one surface (upper surface in FIG. 1) of the insulating circuit board 10 via a first solder layer 2, and an insulating circuit. A heat sink 41 joined to the lower side of the substrate 10 via a second solder layer 42. The insulated circuit board 10 to which the heat sink 41 is bonded is the insulated circuit board 40 with a heat sink in the present embodiment.
パワー半導体素子３は、Ｓｉ等の半導体材料で構成されている。絶縁回路基板１０とパワー半導体素子３とを接合する第１はんだ層２は、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、若しくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材（いわゆる鉛フリーはんだ材）とされている。 The power semiconductor element 3 is made of a semiconductor material such as Si. The first solder layer 2 that joins the insulating circuit board 10 and the power semiconductor element 3 is made of, for example, Sn—Ag, Sn—Cu, Sn—In, or Sn—Ag—Cu solder (so-called lead-free). Solder material).
ヒートシンク４１は、絶縁回路基板１０側の熱を放散するためのものである。ヒートシンク４１は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態では無酸素銅で構成されている。絶縁回路基板１０とヒートシンク４１とを接合する第２はんだ層４２は、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、若しくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材（いわゆる鉛フリーはんだ材）とされている。 The heat sink 41 is for dissipating heat on the insulated circuit board 10 side. The heat sink 41 is made of copper or a copper alloy, and is made of oxygen-free copper in this embodiment. The second solder layer 42 that joins the insulating circuit board 10 and the heat sink 41 is, for example, a Sn—Ag, Sn—Cu, Sn—In, or Sn—Ag—Cu solder material (so-called lead-free solder material). ).
そして、本実施形態に係る絶縁回路基板１０は、図１に示すように、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図１において上面）に配設された回路層２０と、セラミックス基板１１の他方の面（図１において下面）に配設された金属層３０と、を備えている。 As shown in FIG. 1, the insulated circuit board 10 according to the present embodiment includes a ceramic substrate 11, a circuit layer 20 disposed on one surface of the ceramic substrate 11 (upper surface in FIG. 1), ceramics, and the like. And a metal layer 30 disposed on the other surface (the lower surface in FIG. 1) of the substrate 11.
セラミックス基板１１は、絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミニウム）、Ｓｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等で構成されている。本実施形態では、強度に優れたＳｉ３Ｎ４（窒化ケイ素）で構成されている。また、セラミックス基板１１の厚さは、０．２〜１．５ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．３２ｍｍに設定されている。 The ceramic substrate 11 is made of highly insulating AlN (aluminum nitride), Si 3 N 4 (silicon nitride), Al 2 O 3 (alumina), or the like. In the present embodiment, it is composed of Si 3 N 4 excellent in strength (silicon nitride). Further, the thickness of the ceramic substrate 11 is set in a range of 0.2 to 1.5 mm, and in this embodiment, is set to 0.32 mm.
回路層２０は、図１に示すように、セラミックス基板１１の一方の面に配設されたアルミニウム層２１と、このアルミニウム層２１の一方の面にチタン層２５を介して積層された銅層２２と、を有している。
ここで、回路層２０におけるアルミニウム層２１の厚さは、０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．４ｍｍに設定されている。
また、回路層２０における銅層２２の厚さは、０．１ｍｍ以上６．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、１．０ｍｍに設定されている。
As shown in FIG. 1, the circuit layer 20 includes an aluminum layer 21 disposed on one surface of the ceramic substrate 11, and a copper layer 22 laminated on one surface of the aluminum layer 21 via a titanium layer 25. And have.
Here, the thickness of the aluminum layer 21 in the circuit layer 20 is set within a range of 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, and is set to 0.4 mm in the present embodiment.
Further, the thickness of the copper layer 22 in the circuit layer 20 is set within a range of 0.1 mm or more and 6.0 mm or less, and is set to 1.0 mm in the present embodiment.
金属層３０は、図１に示すように、セラミックス基板１１の他方の面に配設されたアルミニウム層３１と、このアルミニウム層３１の他方の面にチタン層３５を介して積層された銅層３２と、を有している。
ここで、金属層３０におけるアルミニウム層３１の厚さは、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では０．４ｍｍに設定されている。
また、金属層３０における銅層３２の厚さは、０．１ｍｍ以上６．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、１．０ｍｍに設定されている。
As shown in FIG. 1, the metal layer 30 includes an aluminum layer 31 disposed on the other surface of the ceramic substrate 11, and a copper layer 32 laminated on the other surface of the aluminum layer 31 via a titanium layer 35. And have.
Here, the thickness of the aluminum layer 31 in the metal layer 30 is set within a range of 0.1 mm to 3.0 mm, and is set to 0.4 mm in the present embodiment.
Moreover, the thickness of the copper layer 32 in the metal layer 30 is set within a range of 0.1 mm or more and 6.0 mm or less, and is set to 1.0 mm in the present embodiment.
ここで、アルミニウム層２１、３１は、図４に示すように、セラミックス基板１１の一方の面及び他方の面に、アルミニウム板５１、６１が接合されることにより形成されている。
アルミニウム層２１，３１となるアルミニウム板５１、６１は、純度が９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）で構成されている。すなわち、Ｓｉの含有量が０．０３ｍａｓｓ％以上１．０ｍａｓｓ％以下の範囲内とされている。
Here, as shown in FIG. 4, the aluminum layers 21 and 31 are formed by bonding aluminum plates 51 and 61 to one surface and the other surface of the ceramic substrate 11.
The aluminum plates 51 and 61 to be the aluminum layers 21 and 31 are made of aluminum (2N aluminum) having a purity of 99 mass% or more. That is, the Si content is in the range of 0.03 mass% to 1.0 mass%.
銅層２２、３２は、アルミニウム層２１、３１の一方の面及び他方の面に、チタン層２５、３５を介して銅又は銅合金からなる銅板５２、６２が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、銅層２２、３２を構成する銅板５２、６２は、無酸素銅の圧延板とされている。
なお、アルミニウム層２１、３１とチタン層２５、３５、チタン層２５，３５と銅層２２、３２は、それぞれ固相拡散接合されている。
The copper layers 22 and 32 are formed by bonding copper plates 52 and 62 made of copper or a copper alloy to one surface and the other surface of the aluminum layers 21 and 31 via the titanium layers 25 and 35. . In this embodiment, the copper plates 52 and 62 constituting the copper layers 22 and 32 are oxygen-free copper rolled plates.
The aluminum layers 21 and 31 and the titanium layers 25 and 35, and the titanium layers 25 and 35 and the copper layers 22 and 32 are solid phase diffusion bonded, respectively.
ここで、アルミニウム層２１、３１とチタン層２５、３５との接合界面には、図２に示すように、Ａｌ−Ｔｉ−Ｓｉ層２６、３６が形成されている。
このＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ層２６、３６は、アルミニウム層２１、３１のＡｌ原子と、チタン層２５、３５のＴｉ原子とが相互拡散することによって形成されたＡｌ３Ｔｉに、アルミニウム層２１、３１のＳｉが固溶することにより形成されたものである。
Ａｌ−Ｔｉ−Ｓｉ層２６、３６の厚さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下に設定されており、本実施形態においては３μｍとされている。
Here, as shown in FIG. 2, Al—Ti—Si layers 26 and 36 are formed at the bonding interface between the aluminum layers 21 and 31 and the titanium layers 25 and 35.
The Al—Ti—Si layers 26, 36 are formed of Al 3 Ti formed by mutual diffusion of Al atoms of the aluminum layers 21, 31 and Ti atoms of the titanium layers 25, 35. This is formed by solid solution of Si.
The thickness of the Al—Ti—Si layers 26 and 36 is set to 0.5 μm or more and 10 μm or less, and is 3 μm in the present embodiment.
また、チタン層２５、３５と銅層２２、３２との接合界面には、図２に示すように、ＴｉとＣｕを含有する金属間化合物相２７，３７が形成されている。
この金属間化合物相２７，３７は、銅層２２、３２のＣｕ原子と、チタン層２５、３５のＴｉ原子とが相互拡散することによって形成されるものである。
なお、チタン層２５、３５と銅層２２、３２との接合界面においては、図２に示すように、上述の金属間化合物相２７，３７が形成されていない領域（金属間化合物未形成部２８，３８）が存在することがある。
Further, as shown in FIG. 2, intermetallic compound phases 27 and 37 containing Ti and Cu are formed at the bonding interface between the titanium layers 25 and 35 and the copper layers 22 and 32.
The intermetallic compound phases 27 and 37 are formed by mutual diffusion of Cu atoms in the copper layers 22 and 32 and Ti atoms in the titanium layers 25 and 35.
As shown in FIG. 2, in the bonding interface between the titanium layers 25 and 35 and the copper layers 22 and 32, a region where the above-described intermetallic compound phases 27 and 37 are not formed (intermetallic compound-unformed portion 28. , 38) may exist.
ここで、本実施形態では、この金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さＬｉの最大値が２０μｍ以下とされている。
また、金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下とされている。
本実施形態においては、チタン層２５、３５と銅層２２、３２との接合界面を観察した結果、観察された金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さＬｉの最大値が２０μｍ以下とされており、観察された金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、観察視野における接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下とされている。
In the present embodiment, the maximum value of the length L i along the bonding interface of the intermetallic compound unformed portions 28 and 38 is a 20μm or less.
Further, the ratio ΣL i / L 0 of the total length ΣL i along the bonding interface of the intermetallic compound-unformed portions 28 and 38 and the total length L 0 of the bonding interface is 0.16 or less. .
In the present embodiment, the maximum length L i along the bonding interface between the titanium layer 25 and 35 and the results of the bonding interface was observed between the copper layers 22 and 32, between the observed metal compound not formed part 28 and 38 The value of 20 μm or less, and the ratio ΣL between the total length ΣL i of the observed intermetallic compound-unformed portions 28 and 38 along the bonding interface and the total length L 0 of the bonding interface in the observation field i / L 0 is set to 0.16 or less.
なお、チタン層２５、３５と銅層２２、３２との接合界面を観察する際には、絶縁回路基板１０の断面観察をＥＰＭＡによって行い、チタン層２５、３５と銅層２２、３２との接合界面を含む領域（縦１００μｍ×横２００μｍ）のＣｕ及びＴｉの元素ＭＡＰを取得し、Ｃｕ濃度が５ａｔ％以上かつＴｉ濃度が１６ａｔ％以上７０ａｔ％以下の領域を金属間化合物相２７、３７とし、接合界面におけるこれら金属間化合物相２７、３７の間の領域を金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さＬｉとした。このような測定を１０視野で実施し、金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さＬｉの最大値、及び、観察された金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、観察視野における接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０を算出した。 When observing the bonding interface between the titanium layers 25 and 35 and the copper layers 22 and 32, the cross section of the insulating circuit board 10 is observed by EPMA, and the bonding between the titanium layers 25 and 35 and the copper layers 22 and 32 is performed. An element MAP of Cu and Ti in a region including the interface (vertical 100 μm × width 200 μm) is obtained, and regions having a Cu concentration of 5 at% or more and a Ti concentration of 16 at% or more and 70 at% or less are set as intermetallic compound phases 27 and 37, the region between these intermetallic phases 27, 37 at a joint interface was the length L i along the bonding interface of the intermetallic compound unformed portions 28 and 38. Such measurements were carried out in 10 fields, the maximum value of the length L i along the bonding interface of the intermetallic compound unformed portions 28, 38, and observed intermetallic bonding compound unformed portions 28 and 38 A ratio ΣL i / L 0 between the total length ΣL i of the length along the interface and the entire length L 0 of the bonded interface in the observation field was calculated.
次に、本実施形態である絶縁回路基板１０の製造方法について、図３及び図４を参照して説明する。 Next, the manufacturing method of the insulated circuit board 10 which is this embodiment is demonstrated with reference to FIG.3 and FIG.4.
まず、図４に示すように、セラミックス基板１１の一方の面（図４において上面）に、アルミニウム層２１となるアルミニウム板５１を積層し、さらにその上にチタン材５５を介して銅層２２となる銅板５２を積層する。また、セラミックス基板１１の他方の面（図４において下面）に、アルミニウム層３１となるアルミニウム板６１を積層し、さらにその上にチタン材６５を介して銅層３２となる銅板６２を積層する。ここで、本実施形態においては、アルミニウム板５１、６１とセラミックス基板１１との間には、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材箔５８，６８を介して積層した。（積層工程Ｓ０１） First, as shown in FIG. 4, an aluminum plate 51 to be the aluminum layer 21 is laminated on one surface (the upper surface in FIG. 4) of the ceramic substrate 11, and the copper layer 22 and the titanium material 55 are further formed thereon. A copper plate 52 is laminated. Further, an aluminum plate 61 to be the aluminum layer 31 is laminated on the other surface (the lower surface in FIG. 4) of the ceramic substrate 11, and a copper plate 62 to be the copper layer 32 is further laminated thereon via a titanium material 65. Here, in the present embodiment, the aluminum plates 51 and 61 and the ceramic substrate 11 are laminated via Al—Si based brazing foils 58 and 68. (Lamination process S01)
次いで、真空条件下において、積層方向に８ｋｇｆ／ｃｍ２以上２０ｋｇｆ／ｃｍ２以下の範囲で加圧した状態で加熱して、アルミニウム板５１とセラミックス基板１１とを接合し、さらにアルミニウム板５１とチタン材５５、チタン材５５と銅板５２とを固相拡散することにより、回路層２０を形成する。また、アルミニウム板６１とセラミックス基板１１とを接合し、さらにアルミニウム板６１とチタン材６５、チタン材６５と銅板６２とを固相拡散することにより、金属層３０を形成する。（回路層及び金属層形成工程Ｓ０２） Next, under vacuum conditions, heating is performed while pressing in the range of 8 kgf / cm 2 or more and 20 kgf / cm 2 or less in the stacking direction, the aluminum plate 51 and the ceramic substrate 11 are joined, and the aluminum plate 51 and titanium are further bonded. The circuit layer 20 is formed by solid-phase diffusion of the material 55, the titanium material 55, and the copper plate 52. Further, the aluminum plate 61 and the ceramic substrate 11 are joined, and further, the metal layer 30 is formed by solid-phase diffusion of the aluminum plate 61 and the titanium material 65, and the titanium material 65 and the copper plate 62. (Circuit layer and metal layer forming step S02)
ここで、本実施形態では、真空条件は１０−６Ｐａ以上１０−３Ｐａ以下の範囲内に、加熱温度は６３０℃以上６４３℃以下、保持時間は２１０分以上３６０分以下の範囲内に設定した。
そして、本実施形態では、接合温度において加圧圧力が上述の範囲内となるように、ホットプレス装置を用いて加圧及び加熱を実施した。
なお、アルミニウム板５１、６１、チタン材５５、６５、及び銅板５２、６２の接合されるそれぞれの面は、予め当該面の傷が除去されて平滑にされた後に、固相拡散接合されている。
上記のようにして、本実施形態である絶縁回路基板１０が製造される。
Here, in this embodiment, the vacuum condition is set in the range of 10 −6 Pa to 10 −3 Pa, the heating temperature is set to 630 ° C. to 643 ° C., and the holding time is set in the range of 210 minutes to 360 minutes. did.
And in this embodiment, pressurization and heating were implemented using the hot press apparatus so that pressurization pressure might be in the above-mentioned range in joining temperature.
The surfaces to which the aluminum plates 51 and 61, the titanium materials 55 and 65, and the copper plates 52 and 62 are bonded are solid phase diffusion bonded after the scratches on the surfaces have been removed and smoothed in advance. .
As described above, the insulated circuit board 10 according to the present embodiment is manufactured.
次に、絶縁回路基板１０の金属層３０に、はんだ材を介してヒートシンク４１を積層し、還元炉内においてはんだ接合する（ヒートシンク接合工程Ｓ０３）。
このようにして、本実施形態であるヒートシンク付絶縁回路基板４０が製造される。
次いで、回路層２０の一方の面（銅層２２の表面）に、はんだ材を介してパワー半導体素子３を積層し、還元炉内においてはんだ接合する（パワー半導体素子接合工程Ｓ０４）。
上記のようにして、本実施形態であるパワーモジュール１が製造される。
Next, a heat sink 41 is laminated on the metal layer 30 of the insulating circuit board 10 via a solder material, and soldered in a reduction furnace (heat sink joining step S03).
Thus, the insulated circuit board 40 with a heat sink which is this embodiment is manufactured.
Next, the power semiconductor element 3 is stacked on one surface of the circuit layer 20 (the surface of the copper layer 22) via a solder material, and solder-bonded in a reduction furnace (power semiconductor element bonding step S04).
As described above, the power module 1 according to the present embodiment is manufactured.
以上のような構成とされた本実施形態である絶縁回路基板１０においては、回路層２０がアルミニウム層２１とチタン層２５と銅層２２とがそれぞれ固相拡散された構造とされるとともに、金属層３０がアルミニウム層３１とチタン層３５と銅層３２とがそれぞれ固相拡散接合された構造とされており、銅層２２、３２とチタン層２５、３５との接合界面において、ＣｕとＴｉを含有する金属間化合物相２７，３７が形成されていない金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さＬｉの最大値が２０μｍ以下とされているので、銅層２２、３２とチタン層２５、３５との間でＣｕとＴｉとが十分に相互拡散しており、銅層２２、３２とチタン層２５、３５との接合信頼性に優れている。 In the insulated circuit board 10 according to the present embodiment configured as described above, the circuit layer 20 has a structure in which an aluminum layer 21, a titanium layer 25, and a copper layer 22 are respectively solid-phase diffused, and a metal. The layer 30 has a structure in which an aluminum layer 31, a titanium layer 35, and a copper layer 32 are bonded by solid phase diffusion bonding. Cu and Ti are bonded at the bonding interface between the copper layers 22 and 32 and the titanium layers 25 and 35. the maximum value of the length L i along the bonding interface of the intermetallic compound unformed portions 28, 38 of intermetallic phases 27 and 37 are not formed containing is a 20μm or less, the copper layer 22 and 32 Cu and Ti are sufficiently diffused between the titanium layers 25 and 35, and the bonding reliability between the copper layers 22 and 32 and the titanium layers 25 and 35 is excellent.
また、銅層２２、３２とチタン層２５、３５との接合界面において、金属間化合物未形成部２８、３８の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下とされているので、金属間化合物未形成部２８、３８の存在比率が小さく、高い温度までの冷熱サイクルを負荷した場合であっても、金属間化合物未形成部２８、３８を起点として剥離が生じることを抑制することが可能となる。 In addition, at the bonding interface between the copper layers 22 and 32 and the titanium layers 25 and 35, the total length ΣL i along the bonding interface of the intermetallic compound-unformed portions 28 and 38 and the total length L 0 of the bonding interface. Since the ratio ΣL i / L 0 to 0.16 or less is small, the presence ratio of the intermetallic compound-unformed portions 28 and 38 is small, and even when a cooling cycle up to a high temperature is loaded, the metal It is possible to suppress separation from starting from the intermetallic compound-free portions 28 and 38.
以上のように、回路層２０における銅層２２とチタン層２５との接合信頼性に優れていることから、回路層２０上に発熱密度の高いパワー半導体素子３を搭載しても、銅層２２とチタン層２５との接合界面において剥離が生じることを抑制することができる。
また、金属層３０における銅層３２とチタン層３５との接合信頼性に優れていることから、回路層２０上に搭載されたパワー半導体素子３からの熱を、金属層３０を介してヒートシンク４１側へと効率的に放熱することができる。
As described above, since the bonding reliability between the copper layer 22 and the titanium layer 25 in the circuit layer 20 is excellent, even if the power semiconductor element 3 having a high heat generation density is mounted on the circuit layer 20, the copper layer 22. It can suppress that peeling arises in the joining interface of the titanium layer 25.
In addition, since the bonding reliability between the copper layer 32 and the titanium layer 35 in the metal layer 30 is excellent, heat from the power semiconductor element 3 mounted on the circuit layer 20 is transferred through the metal layer 30 to the heat sink 41. The heat can be efficiently radiated to the side.
また、本実施形態では、セラミックス基板１１の一方の面及び他方の面に比較的変形抵抗の小さいアルミニウム層２１，３１が形成されているので、冷熱サイクルが負荷された際に生じる熱応力をアルミニウム層２１，３１の変形によって吸収でき、セラミックス基板１１に割れが発生することを抑制できる。
さらに、アルミニウム層２１，３１のうちセラミックス基板１１が形成された面と反対側の面には、比較的変形抵抗の大きい銅層２２、３２が形成されているので、冷熱サイクルが負荷された際に回路層２０及び金属層３０の表面の変形が抑制され、回路層２０とパワー半導体素子３を接合する第１はんだ層２、及び、金属層３０とヒートシンク４１を接合する第２はんだ層４２における亀裂の発生を抑制でき、接合信頼性を向上できる。
In the present embodiment, since the aluminum layers 21 and 31 having a relatively small deformation resistance are formed on one surface and the other surface of the ceramic substrate 11, the thermal stress generated when a cooling cycle is applied is aluminum. It can be absorbed by the deformation of the layers 21 and 31, and the occurrence of cracks in the ceramic substrate 11 can be suppressed.
Further, since the copper layers 22 and 32 having relatively high deformation resistance are formed on the surface of the aluminum layers 21 and 31 opposite to the surface on which the ceramic substrate 11 is formed, when the cooling cycle is loaded In the first solder layer 2 that joins the circuit layer 20 and the power semiconductor element 3 and the second solder layer 42 that joins the metal layer 30 and the heat sink 41, deformation of the surface of the circuit layer 20 and the metal layer 30 is suppressed. The generation of cracks can be suppressed and the bonding reliability can be improved.
また、本実施形態においては、セラミックス基板１１と、アルミニウム板５１，６１と、チタン材５５、６５と、銅板５２、６２を一度に接合する構成とされているので、製造工程を簡略化することができ、製造コストを低減可能である。
また、本実施形態においては、アルミニウム板５１、６１と、チタン材５５、６５と、銅板５２、６２との固相拡散接合は、積層方向へ８〜２０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力をかけられた状態で６３０℃以上６４３℃以下に保持することで行われる構成とされているので、Ａｌ原子とＴｉ原子、及びＴｉ原子とＣｕ原子とを相互拡散させ、チタン材２５中にＡｌ原子及びＣｕ原子を固相拡散させて固相拡散接合し、アルミニウム板５１，６１と、チタン材５５、６５と、銅板５２、６２を確実に接合することができる。
In the present embodiment, the ceramic substrate 11, the aluminum plates 51 and 61, the titanium materials 55 and 65, and the copper plates 52 and 62 are joined at a time, so that the manufacturing process is simplified. Manufacturing costs can be reduced.
Moreover, in this embodiment, the solid phase diffusion bonding of the aluminum plates 51 and 61, the titanium materials 55 and 65, and the copper plates 52 and 62 is a state in which a pressure of 8 to 20 kgf / cm 2 is applied in the stacking direction. Therefore, Al atoms and Ti atoms, and Ti atoms and Cu atoms are interdiffused to maintain Al atoms and Cu atoms in the titanium material 25. By solid phase diffusion and solid phase diffusion bonding, the aluminum plates 51 and 61, the titanium materials 55 and 65, and the copper plates 52 and 62 can be reliably bonded.
そして、本実施形態では、加熱温度において積層方向への加圧圧力が上述の範囲内となるようにホットプレス装置を用いているので、チタン層２５、３５と銅層２２、３２との間でＴｉ原子とＣｕ原子との相互拡散を十分に促進することができ、上述の金属間化合物未形成部２８，３８の接合界面に沿った長さＬｉ、及び、接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０を上述の範囲内とすることができる。 And in this embodiment, since the hot press apparatus is used so that the pressurizing pressure in the laminating direction is within the above-mentioned range at the heating temperature, between the titanium layers 25 and 35 and the copper layers 22 and 32. Interdiffusion between Ti atoms and Cu atoms can be sufficiently promoted, and the length L i along the bonding interface of the above-described intermetallic compound-unformed portions 28 and 38 and the total length L 0 of the bonding interface. The ratio ΣL i / L 0 can be within the above range.
（第２の実施形態）
図５に、本発明の第２の実施形態であるヒートシンク付き絶縁回路基板１４０を用いたパワーモジュール１０１を示す。なお、第１の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
また、本実施形態における接合体は、図５に示すヒートシンク付き絶縁回路基板１４０において、アルミニウム部材である金属層１３０と、銅部材であるヒートシンク１４１とが、チタン層１４５を介して接合されたものである。
(Second Embodiment)
FIG. 5 shows a power module 101 using an insulated circuit board 140 with a heat sink according to a second embodiment of the present invention. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the member same as 1st Embodiment, and detailed description is abbreviate | omitted.
Further, the joined body in the present embodiment is obtained by joining a metal layer 130 that is an aluminum member and a heat sink 141 that is a copper member via a titanium layer 145 in the insulated circuit board 140 with a heat sink shown in FIG. It is.
図５に示すパワーモジュール１０１は、ヒートシンク付き絶縁回路基板１４０と、このヒートシンク付き絶縁回路基板１４０の一方の面（図５において上面）に第１はんだ層２を介して接合されたパワー半導体素子３と、を備えている。また、本実施形態であるヒートシンク付き絶縁回路基板１４０は、絶縁回路基板１１０と、この絶縁回路基板１１０の金属層１３０に接合されたヒートシンク１４１とを備えている。 A power module 101 shown in FIG. 5 includes an insulated circuit board 140 with a heat sink, and a power semiconductor element 3 joined to one surface (upper surface in FIG. 5) of the insulated circuit board 140 with a heat sink via a first solder layer 2. And. The insulated circuit board with heat sink 140 according to the present embodiment includes an insulated circuit board 110 and a heat sink 141 bonded to the metal layer 130 of the insulated circuit board 110.
ヒートシンク１４１は、絶縁回路基板１１０側の熱を放散するためのものである。ヒートシンク１４１は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態では無酸素銅で構成されている。 The heat sink 141 is for dissipating heat on the insulated circuit board 110 side. The heat sink 141 is made of copper or a copper alloy, and is made of oxygen-free copper in this embodiment.
絶縁回路基板１１０は、図５に示すように、セラミックス基板１１と、このセラミックス基板１１の一方の面（図５において上面）に配設された回路層１２０と、セラミックス基板１１の他方の面（図５において下面）に配設された金属層１３０と、を備えている。 As shown in FIG. 5, the insulating circuit board 110 includes a ceramic substrate 11, a circuit layer 120 disposed on one surface (the upper surface in FIG. 5) of the ceramic substrate 11, and the other surface ( And a metal layer 130 disposed on the lower surface in FIG.
回路層１２０は、図８に示すように、セラミックス基板１１の一方の面（図８において上面）に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板１５１が接合されることにより形成されている。本実施形態においては、回路層１２０は、純度が９９％以上のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）の圧延板がセラミックス基板１１に接合されることで形成されている。なお、回路層１２０となるアルミニウム板１５１の厚さは０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６ｍｍに設定されている。 As shown in FIG. 8, the circuit layer 120 is formed by joining an aluminum plate 151 made of aluminum or an aluminum alloy to one surface (the upper surface in FIG. 8) of the ceramic substrate 11. In the present embodiment, the circuit layer 120 is formed by joining a rolled plate of aluminum (2N aluminum) having a purity of 99% or more to the ceramic substrate 11. In addition, the thickness of the aluminum plate 151 used as the circuit layer 120 is set in the range of 0.1 mm or more and 1.0 mm or less, and is set to 0.6 mm in this embodiment.
金属層１３０は、図８に示すように、セラミックス基板１１の他方の面（図８において下面）にアルミニウム板１６１が接合されることにより形成されている。本実施形態において、金属層１３０を構成するアルミニウム板１６１は、純度９９．９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（４Ｎアルミニウム）の圧延板とされている。なお、接合されるアルミニウム板１６１の厚さは０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６ｍｍに設定されている。 As shown in FIG. 8, the metal layer 130 is formed by joining an aluminum plate 161 to the other surface (the lower surface in FIG. 8) of the ceramic substrate 11. In the present embodiment, the aluminum plate 161 constituting the metal layer 130 is an aluminum (4N aluminum) rolled plate having a purity of 99.99 mass% or more. In addition, the thickness of the aluminum plate 161 to be joined is set within a range of 0.1 mm to 3.0 mm, and is set to 0.6 mm in the present embodiment.
そして、本実施形態であるヒートシンク付き絶縁回路基板１４０においては、図５に示すように、金属層１３０とヒートシンク１４１とがチタン層１４５を介して接合されている。
なお、金属層１３０とチタン層１４５、チタン層１４５とヒートシンク１４１は、それぞれ固相拡散接合されている。
And in the insulated circuit board 140 with a heat sink which is this embodiment, the metal layer 130 and the heat sink 141 are joined via the titanium layer 145, as shown in FIG.
Note that the metal layer 130 and the titanium layer 145, and the titanium layer 145 and the heat sink 141 are respectively bonded by solid phase diffusion bonding.
ここで、金属層１３０とチタン層１４５との接合界面には、図６に示すように、Ａｌ−Ｔｉ−Ｓｉ層１４６が形成されている。
このＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ層１４６は、金属層１３０のＡｌ原子と、チタン層１４５のＴｉ原子とが相互拡散することによって形成されたＡｌ３Ｔｉに、金属層１３０のＳｉが固溶することにより形成されたものである。
Ａｌ−Ｔｉ−Ｓｉ層１４６の厚さは、０．５μｍ以上１０μｍ以下に設定されており、本実施形態においては３μｍとされている。
Here, as shown in FIG. 6, an Al—Ti—Si layer 146 is formed at the bonding interface between the metal layer 130 and the titanium layer 145.
The Al—Ti—Si layer 146 is formed by dissolving Si of the metal layer 130 in Al 3 Ti formed by mutual diffusion of Al atoms of the metal layer 130 and Ti atoms of the titanium layer 145. It is formed.
The thickness of the Al—Ti—Si layer 146 is set to 0.5 μm or more and 10 μm or less, and is 3 μm in this embodiment.
また、チタン層１４５とヒートシンク１４１との接合界面には、図６に示すように、ＴｉとＣｕを含有する金属間化合物相１４７が形成されている。
この金属間化合物相１４７は、ヒートシンク１４１のＣｕ原子と、チタン層１４５のＴｉ原子とが相互拡散することによって形成されるものである。
なお、チタン層１４５とヒートシンク１４１との接合界面においては、図２に示すように、上述の金属間化合物相１４７が形成されていない領域（金属間化合物未形成部１４８）が存在することがある。
Further, as shown in FIG. 6, an intermetallic compound phase 147 containing Ti and Cu is formed at the bonding interface between the titanium layer 145 and the heat sink 141.
The intermetallic compound phase 147 is formed by mutual diffusion of Cu atoms of the heat sink 141 and Ti atoms of the titanium layer 145.
As shown in FIG. 2, there may be a region where the above-described intermetallic compound phase 147 is not formed (intermetallic compound-unformed portion 148) at the bonding interface between the titanium layer 145 and the heat sink 141. .
ここで、本実施形態では、この金属間化合物未形成部１４８の接合界面に沿った長さＬｉの最大値が２０μｍ以下とされている。
また、金属間化合物未形成部１４８の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、観察視野における接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下とされている。
なお、チタン層１４５とヒートシンク１４１との接合界面の観察は、第１の実施形態と同様の条件で実施した。
In the present embodiment, the maximum value of the length L i along the bonding interface of the intermetallic compound unformed portion 148 is a 20μm or less.
Further, the ratio ΣL i / L 0 of the total length ΣL i along the bonding interface of the intermetallic compound-unformed portion 148 and the total length L 0 of the bonding interface in the observation field of view is 0.16 or less. Yes.
Note that the observation of the bonding interface between the titanium layer 145 and the heat sink 141 was performed under the same conditions as in the first embodiment.
次に、本実施形態であるヒートシンク付き絶縁回路基板１４０の製造方法について、図７及び図８を参照して説明する。 Next, the manufacturing method of the insulated circuit board 140 with a heat sink which is this embodiment is demonstrated with reference to FIG.7 and FIG.8.
まず、図８に示すように、セラミックス基板１１の一方の面（図８において上面）に、回路層１２０となるアルミニウム板１５１を積層し、セラミックス基板１１の他方の面（図８において下面）に、金属層１３０となるアルミニウム板１６１を積層する。また、金属層１３０となるアルミニウム板１６１の他方の面側に、チタン材１６５を介してヒートシンク１４１を積層する（積層工程Ｓ１０１）。
なお、本実施形態においては、アルミニウム板１５１、１６１とセラミックス基板１１との間には、Ａｌ−Ｓｉ系のろう材箔５８，６８を介して積層した。
First, as shown in FIG. 8, an aluminum plate 151 to be the circuit layer 120 is laminated on one surface (the upper surface in FIG. 8) of the ceramic substrate 11, and on the other surface (the lower surface in FIG. 8) of the ceramic substrate 11. Then, an aluminum plate 161 to be the metal layer 130 is laminated. Further, the heat sink 141 is laminated on the other surface side of the aluminum plate 161 to be the metal layer 130 via the titanium material 165 (lamination step S101).
In this embodiment, the aluminum plates 151 and 161 and the ceramic substrate 11 are laminated with Al—Si brazing foils 58 and 68 interposed therebetween.
次いで、真空条件下において、積層方向に８ｋｇｆ／ｃｍ２以上２０ｋｇｆ／ｃｍ２以下の範囲で加圧した状態で加熱して、アルミニウム板１５１とセラミックス基板１１とを接合し、回路層１２０を形成する。また、アルミニウム板１６１とセラミックス基板１１とを接合し、金属層１３０を形成する。（回路層及び金属層形成工程Ｓ１０２）。
同時に、アルミニウム板１６１とチタン材１６５、チタン材１６５とヒートシンク１４１とをそれぞれ固相拡散接合する（ヒートシンク接合工程Ｓ１０３）。
Next, under vacuum conditions, heating is performed while pressing in the range of 8 kgf / cm 2 or more and 20 kgf / cm 2 or less in the stacking direction, the aluminum plate 151 and the ceramic substrate 11 are joined, and the circuit layer 120 is formed. . Further, the aluminum plate 161 and the ceramic substrate 11 are bonded to form the metal layer 130. (Circuit layer and metal layer formation process S102).
At the same time, the aluminum plate 161 and the titanium material 165, and the titanium material 165 and the heat sink 141 are respectively solid-phase diffusion bonded (heat sink bonding step S103).
ここで、本実施形態では、真空条件は１０−６Ｐａ以上１０−３Ｐａ以下の範囲内に、加熱温度は６３０℃以上６４３℃以下、保持時間は２１０分以上３６０分以下の範囲内に設定した。
そして、本実施形態では、接合温度において加圧圧力が上述の範囲内となるように、ホットプレス装置を用いて加圧及び加熱を実施した。
なお、アルミニウム板１６１、チタン材１６５、及びヒートシンク１４１のそれぞれの接合面は、予め当該面の傷が除去されて平滑にされた後に、固相拡散接合されている。
上記のようにして、本実施形態であるヒートシンク付き絶縁回路基板１４０が製造される。
Here, in this embodiment, the vacuum condition is set in the range of 10 −6 Pa to 10 −3 Pa, the heating temperature is set to 630 ° C. to 643 ° C., and the holding time is set in the range of 210 minutes to 360 minutes. did.
And in this embodiment, pressurization and heating were implemented using the hot press apparatus so that pressurization pressure might be in the above-mentioned range in joining temperature.
Note that the bonding surfaces of the aluminum plate 161, the titanium material 165, and the heat sink 141 are solid-phase diffusion bonded after the scratches on the surfaces are previously removed and smoothed.
As described above, the insulated circuit board with heat sink 140 according to the present embodiment is manufactured.
次に、絶縁回路基板１１０の回路層１２０の一方の面に、はんだ材を介してパワー半導体素子３を積層し、還元炉内においてはんだ接合する（パワー半導体素子接合工程Ｓ１０４）。
上記のようにして、本実施形態であるパワーモジュール１０１が製造される。
Next, the power semiconductor element 3 is laminated on one surface of the circuit layer 120 of the insulating circuit board 110 via a solder material, and solder-bonded in a reduction furnace (power semiconductor element bonding step S104).
As described above, the power module 101 according to the present embodiment is manufactured.
以上のような構成とされた本実施形態であるヒートシンク付き絶縁回路基板１４０においては、アルミニウム部材である金属層１３０とチタン層１４５、チタン層１４５と銅部材であるヒートシンク１４１とがそれぞれ固相拡散接合された構造とされており、ヒートシンク１４１とチタン層１４５との接合界面において、ＣｕとＴｉを含有する金属間化合物相１４７が形成されていない金属間化合物未形成部１４８の接合界面に沿った長さＬｉの最大値が２０μｍ以下とされているので、ヒートシンク１４１とチタン層１４５との間でＣｕとＴｉとが十分に相互拡散しており、ヒートシンク１４１とチタン層１４５との接合信頼性に優れている。 In the insulated circuit board with a heat sink 140 according to the present embodiment configured as described above, the metal layer 130 and the titanium layer 145 that are aluminum members, and the titanium layer 145 and the heat sink 141 that is a copper member are respectively solid-phase diffused. It has a bonded structure and is along the bonding interface of the intermetallic compound-unformed portion 148 in which the intermetallic compound phase 147 containing Cu and Ti is not formed at the bonding interface between the heat sink 141 and the titanium layer 145. the maximum value of the length L i is a 20μm or less, Cu and Ti are sufficiently interdiffusion between the heat sink 141 and the titanium layer 145, the bonding reliability between the heat sink 141 and the titanium layer 145 Is excellent.
また、ヒートシンク１４１とチタン層１４５との接合界面において、金属間化合物未形成部１４８の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下とされているので、金属間化合物未形成部１４８の存在比率が小さく、高い温度までの冷熱サイクルを負荷した場合であっても、金属間化合物未形成部１４８を起点として剥離が生じることを抑制することが可能となる。 Further, at the bonding interface between the heat sink 141 and the titanium layer 145, the ratio ΣL i / L between the total length ΣL i along the bonding interface of the intermetallic compound-unformed portion 148 and the total length L 0 of the bonding interface. Since 0 is 0.16 or less, even when the existence ratio of the intermetallic compound non-formed part 148 is small and a cooling cycle up to a high temperature is loaded, the intermetallic compound non-formed part 148 is used as the starting point. It is possible to suppress the occurrence of peeling.
以上のように、アルミニウム部材である金属層１３０と銅部材であるヒートシンク１４１とがチタン層１４５を介して接合されており、ヒートシンク１４１とチタン層１４５との接合信頼性に優れているので、高温までの冷熱サイクルが負荷された場合であっても、ヒートシンク１４１とチタン層１４５との接合界面における剥離の発生を抑制でき、回路層１２０上に搭載されたパワー半導体素子３からの熱を、金属層１３０を介してヒートシンク１４１側へと効率的に放熱することができる。 As described above, the metal layer 130, which is an aluminum member, and the heat sink 141, which is a copper member, are bonded via the titanium layer 145, and the bonding reliability between the heat sink 141 and the titanium layer 145 is excellent. Even when the thermal cycle up to is loaded, it is possible to suppress the occurrence of delamination at the bonding interface between the heat sink 141 and the titanium layer 145, and the heat from the power semiconductor element 3 mounted on the circuit layer 120 is transferred to the metal. Heat can be efficiently radiated to the heat sink 141 side through the layer 130.
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。 As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.
例えば、本実施形態では、絶縁回路基板にパワー半導体素子を搭載してパワーモジュールを構成するものとして説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁回路基板の回路層にＬＥＤ素子を搭載してＬＥＤモジュールを構成してもよいし、絶縁回路基板の回路層に熱電素子を搭載して熱電モジュールを構成してもよい。 For example, in the present embodiment, the power module is configured by mounting the power semiconductor element on the insulating circuit board. However, the present invention is not limited to this. For example, an LED module may be configured by mounting LED elements on a circuit layer of an insulated circuit board, or a thermoelectric module may be configured by mounting thermoelectric elements on a circuit layer of an insulated circuit board.
また、図９に示すパワーモジュール２０１及び絶縁回路基板２１０のように、回路層２２０のみが銅又は銅合金からなる銅部材（銅層２２２）と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材（アルミニウム層２２１）とが、チタン層（２２５）を介して接合されてなる銅／チタン／アルミニウム接合体で構成されていてもよい。
あるいは、図１０に示すパワーモジュール３０１及び絶縁回路基板３１０のように、金属層３３０のみが銅又は銅合金からなる銅部材（銅層３３２）と、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム部材（アルミニウム層３３１）とが、チタン層（３３５）を介して接合されてなる銅／チタン／アルミニウム接合体で構成されていてもよい。
Moreover, like the power module 201 and the insulated circuit board 210 shown in FIG. 9, only the circuit layer 220 is a copper member (copper layer 222) made of copper or a copper alloy, and an aluminum member (aluminum layer 221) made of aluminum or an aluminum alloy. ) May be composed of a copper / titanium / aluminum joined body joined via a titanium layer (225).
Alternatively, as in the power module 301 and the insulated circuit board 310 shown in FIG. 10, only the metal layer 330 is a copper member (copper layer 332) made of copper or a copper alloy, and an aluminum member (aluminum layer 331) made of aluminum or an aluminum alloy. ) May be composed of a copper / titanium / aluminum joined body joined through a titanium layer (335).
さらに、本実施形態では、アルミニウム層とチタン層とが固相拡散接合されたものとして説明したが、これに限定されることはなく、チタン層と銅層とが固相拡散接合され、チタン層と銅層との接合界面にＣｕとＴｉを含有する金属間化合物が形成された構造の銅／チタン／アルミニウム接合体であればよい。 Furthermore, in the present embodiment, the aluminum layer and the titanium layer have been described as being solid phase diffusion bonded, but the present invention is not limited to this, and the titanium layer and the copper layer are solid phase diffusion bonded to form a titanium layer. A copper / titanium / aluminum bonded structure having a structure in which an intermetallic compound containing Cu and Ti is formed at the bonding interface between the copper layer and the copper layer may be used.
以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
ＡｌＮからなるセラミックス基板（４０ｍｍ×４０ｍｍ×０．６３５ｍｍｔ）の一方の面及び他方の面に、Ａｌ−７ｍａｓｓ％Ｓｉ合金からなるろう材箔（厚さ１０μｍ）を介して純度９９ｍａｓｓ％以上のアルミニウム（２Ｎアルミニウム）からなるアルミニウム板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×０．６ｍｍｔ）、チタン材（３７ｍｍ×３７ｍｍ×０．０２０ｍｍｔ）、表１に示すＣｕ板（３７ｍｍ×３７ｍｍ×０．３ｍｍｔ）を順に積層し、積層体を得た。
Below, the result of the confirmation experiment performed in order to confirm the effect of this invention is demonstrated.
Aluminum having a purity of 99 mass% or more is formed on one surface and the other surface of a ceramic substrate made of AlN (40 mm × 40 mm × 0.635 mmt) with a brazing material foil (thickness 10 μm) made of an Al-7 mass% Si alloy. An aluminum plate (37 mm × 37 mm × 0.6 mmt) made of 2N aluminum), a titanium material (37 mm × 37 mm × 0.020 mmt), and a Cu plate (37 mm × 37 mm × 0.3 mmt) shown in Table 1 are laminated in this order. Got the body.
そして、真空条件下（５×１０−４Ｐａ）において、ホットプレス装置を用いて、上述の積層体を積層方向に表１に示す圧力で加圧した状態で加熱した。ここで、接合条件は、表１に示す条件とした。このようにして本発明例１〜１０及び比較例１〜３の絶縁回路基板を得た。 And in vacuum conditions ( 5x10 <-4> Pa), it heated in the state pressurized with the pressure shown in Table 1 in the lamination direction using the hot press apparatus. Here, the bonding conditions were as shown in Table 1. In this way, Insulated circuit boards of Invention Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 3 were obtained.
一方、従来例においては、図１１に示すように、ステンレス製の加圧治具４００を用いて上述の積層体Ｓを加圧し、真空加熱炉に装入した。この加圧治具４００は、ベース板４０１と、ベース板４０１の上面の四隅に垂直に取り付けられたガイドポスト４０２と、これらガイドポスト４０２の上端部に固定された固定板４０３と、これらベース板４０１と固定板４０３との間で上下移動自在にガイドポスト４０２に支持された押圧板４０４と、固定板４０３と押圧板４０４との間に設けられて押圧板４０４を下方に付勢するばね等の付勢手段４０５とを備え、ベース板４０１と押圧板４０４との間に、上述の積層体Ｓが配設される。
この構成の加圧治具を用いた場合、加圧治具４００のガイドポスト４０２等の熱膨張により、加熱温度での加圧圧力は表１に示す条件よりも低くなっている。
以上のようにして、従来例の絶縁回路基板を得た。
On the other hand, in the conventional example, as shown in FIG. 11, the above-described laminate S was pressurized using a stainless steel pressing jig 400 and charged into a vacuum heating furnace. The pressurizing jig 400 includes a base plate 401, guide posts 402 vertically attached to the four corners of the upper surface of the base plate 401, a fixing plate 403 fixed to the upper end portions of the guide posts 402, and the base plates. A pressing plate 404 supported by a guide post 402 so as to be movable up and down between 401 and the fixing plate 403, a spring provided between the fixing plate 403 and the pressing plate 404 and biasing the pressing plate 404 downward The above-mentioned laminated body S is disposed between the base plate 401 and the pressing plate 404.
When the pressurizing jig having this configuration is used, the pressurizing pressure at the heating temperature is lower than the conditions shown in Table 1 due to thermal expansion of the guide post 402 and the like of the pressurizing jig 400.
As described above, a conventional insulated circuit board was obtained.
（金属間化合物未形成部）
上述のようにして得られた絶縁回路基板に対して、銅層とチタン層との接合界面の観察を行い、金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さＬｉ、及び、観察視野における接合界面の全体長さＬ０との比Ｌｉ／Ｌ０を測定した。
本実施例では、絶縁回路基板の断面観察を、ＥＰＭＡ（日本電子株式会社製ＪＸＡ−８５３９Ｆ）を用いて行い、銅層とチタン層との接合界面を含む領域（縦１００μｍ×横２００μｍ）のＣｕ及びＴｉの元素ＭＡＰを取得し、Ｃｕ濃度が５ａｔ％以上かつＴｉ濃度が１６ａｔ％以上７０ａｔ％以下の領域を金属間化合物相とし、接合界面におけるこれら金属間化合物相の間の領域を金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さＬｉとした。このような測定を１０視野で実施し、金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さＬｉの最大値、及び、観察された金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、観察視野における接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０を算出した。評価結果を表２に示す。また、本発明例１におけるＥＰＭＡ像を図１１に示す。
(Intermetallic compound not formed part)
With respect to the insulated circuit board obtained as described above, the bonding interface between the copper layer and the titanium layer is observed, the length Li along the bonding interface of the intermetallic compound-unformed part, and the observation field of view. The ratio L i / L 0 to the overall length L 0 of the bonded interface was measured.
In this example, cross-sectional observation of the insulated circuit board is performed using EPMA (JXA-8539F manufactured by JEOL Ltd.), and Cu in a region (100 μm × 200 μm in width) including the bonding interface between the copper layer and the titanium layer is used. And an element MAP of Ti, a region having a Cu concentration of 5 at% or more and a Ti concentration of 16 at% or more and 70 at% or less is defined as an intermetallic compound phase, and a region between these intermetallic compound phases at a bonding interface is an intermetallic compound. and a length L i along the bonding interface of the unformed portions. Such measurements were carried out in 10 fields, the maximum value, and the length along the joint interface was observed intermetallic compound unformed portion of the length L i along the bonding interface of the intermetallic compound not formed part The ratio ΣL i / L 0 between the total ΣL i and the total length L 0 of the bonding interface in the observation field was calculated. The evaluation results are shown in Table 2. Moreover, the EPMA image in this invention example 1 is shown in FIG.
（冷熱サイクル試験）
冷熱衝撃試験機（エスペック株式会社製ＴＳＡ−７２ＥＳ）を使用し、絶縁回路基板に対して、気相で、−４０℃×５分←→１７５℃×５分の１０００サイクルを実施した。
この後、銅層とチタン層との接合率を以下のようにして評価した。なお、接合率の評価は、冷熱サイクル試験前（初期接合率）と冷熱サイクル試験後（サイクル後接合率）に行った。
(Cooling cycle test)
Using a thermal shock tester (TSA-72ES manufactured by Espec Co., Ltd.), 1000 cycles of −40 ° C. × 5 minutes ← → 175 ° C. × 5 minutes were performed on the insulated circuit board in the gas phase.
Thereafter, the bonding rate between the copper layer and the titanium layer was evaluated as follows. In addition, evaluation of the joining rate was performed before the thermal cycle test (initial joining rate) and after the thermal cycling test (post-cycle joining rate).
接合率の評価は、絶縁回路基板に対し、銅層とチタン層との界面の接合率について超音波探傷装置（株式会社日立パワーソリューションズ製ＦｉｎｅＳＡＴ２００）を用いて評価し、以下の式から接合率を算出した。
ここで、初期接合面積とは、接合前における接合すべき面積、すなわち本実施例では回路層及び金属層の面積（３７ｍｍ×３７ｍｍ）とした。
（接合率）＝｛（初期接合面積）−（剥離面積）｝／（初期接合面積）
超音波探傷像を二値化処理した画像において剥離は接合部内の白色部で示されることから、この白色部の面積を剥離面積とした。
これらの結果を表２に記載した。
For the evaluation of the bonding rate, the bonding rate at the interface between the copper layer and the titanium layer is evaluated using an ultrasonic flaw detector (FineSAT 200 manufactured by Hitachi Power Solutions Co., Ltd.), and the bonding rate is calculated from the following formula. Calculated.
Here, the initial bonding area is the area to be bonded before bonding, that is, the area of the circuit layer and the metal layer (37 mm × 37 mm) in this embodiment.
(Bonding rate) = {(initial bonding area) − (peeling area)} / (initial bonding area)
In the image obtained by binarizing the ultrasonic flaw detection image, the peeling is indicated by the white portion in the joint portion. Therefore, the area of the white portion is defined as the peeling area.
These results are shown in Table 2.
比較例１においては、接合温度が６２０℃と低く設定されており、金属間化合物未形成部長さＬｉが３７μｍと本発明の範囲より大きく、上述の長さ比ΣＬｉ／Ｌ０が０．２５と本発明の範囲よりも大きくなった。これにより、冷熱サイクル試験後の接合率が８６．５％と低くなった。 In Comparative Example 1, the bonding temperature is set as low as 620 ° C., the intermetallic compound non-formed portion length L i is 37 μm, which is larger than the range of the present invention, and the above-mentioned length ratio ΣL i / L 0 is 0.00. 25, which is larger than the scope of the present invention. Thereby, the joining rate after the thermal cycle test was as low as 86.5%.
比較例２においては、接合温度での保持時間が６０ｍｉｎと短く設定されており、上述の長さ比ΣＬｉ／Ｌ０が０．２８と本発明の範囲よりも大きくなった。これにより、冷熱サイクル試験後の接合率が８５．７％と低くなった。 In Comparative Example 2, the holding time at the junction temperature was set as short as 60 min, and the above-mentioned length ratio ΣL i / L 0 was 0.28, which was larger than the range of the present invention. Thereby, the joining rate after the thermal cycle test was as low as 85.7%.
比較例３においては、加圧荷重が５ｋｇｆ／ｃｍ２と低く設定されており、金属間化合物未形成部長さＬｉが３１μｍと本発明の範囲よりも大きくなった。これにより、冷熱サイクル試験後の接合率が８７．４％と低くなった。 In Comparative Example 3, it applied load is set as low as 5 kgf / cm 2, an intermetallic compound unformed portion length L i is larger than the range of 31μm and the present invention. Thereby, the joining rate after the thermal cycle test was as low as 87.4%.
従来例においては、図１１に示す加圧治具を用いて加圧していることから加圧温度において加圧荷重が低くなっており、金属間化合物未形成部長さＬｉが４２μｍと大きく、上述の長さ比ΣＬｉ／Ｌ０が０．２５と本発明の範囲よりも大きくなった。これにより、冷熱サイクル試験後の接合率が８２．０％と低くなった。 In the conventional example, pressure load in pressing temperature since it is pressurized by using a pressurizing jig shown in FIG. 11 has become low, the intermetallic compound unformed portion length L i is as large as 42 .mu.m, above Length ratio ΣL i / L 0 of 0.25, which is larger than the range of the present invention. Thereby, the joining rate after the thermal cycle test was as low as 82.0%.
これに対して、金属間化合物未形成部長さＬｉが２０μｍ以下とされ、上述の長さ比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下とされた本発明例１−１０においては、冷熱サイクル試験後の接合率が全て９０．６％以上とされており、冷熱サイクル試験における接合信頼性に優れていた。また、本発明例１−７，１０と本発明例８及び本発明例９では、銅板の材質を変更したが、いずれも冷熱サイクル後の接合率は高くなった。 On the other hand, in the present invention example 1-10 in which the intermetallic compound non-formed portion length L i is 20 μm or less and the above-mentioned length ratio ΣL i / L 0 is 0.16 or less, the thermal cycle test The subsequent joining rates were all 90.6% or more, and the joining reliability in the thermal cycle test was excellent. In addition, in Inventive Examples 1-7 and 10, Inventive Examples 8 and Inventive Example 9, the material of the copper plate was changed.
以上のことから、本発明例によれば、従来よりも高い温度までの冷熱サイクルを負荷した場合であっても、銅部材とチタン層との接合界面において剥離が生じることを抑制でき、特に信頼性に優れた銅／チタン／アルミニウム接合体を得ることができた。 From the above, according to the example of the present invention, even when a cooling cycle up to a higher temperature than before is loaded, it is possible to suppress the occurrence of peeling at the bonding interface between the copper member and the titanium layer, and particularly reliable. A copper / titanium / aluminum joined body having excellent properties could be obtained.
１ パワーモジュール
３ パワー半導体素子
１０ 絶縁回路基板
１１ セラミックス基板
２０ 回路層
３０ 金属層
２１、３１ アルミニウム層（アルミニウム部材）
２２、３２ 銅層（銅部材）
２５、３５ チタン層
２７、３７ 金属間化合物相
２８、３８ 金属間化合物未形成部
１０１ パワーモジュール
１１０ 絶縁回路基板
１３０ 金属層（アルミニウム部材）
１４１ ヒートシンク（銅部材）
１４０ ヒートシンク付き絶縁回路基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Power module 3 Power semiconductor element 10 Insulated circuit board 11 Ceramic substrate 20 Circuit layer 30 Metal layers 21, 31 Aluminum layer (aluminum member)
22, 32 Copper layer (copper member)
25, 35 Titanium layers 27, 37 Intermetallic compound phases 28, 38 Intermetallic compound-unformed portion 101 Power module 110 Insulated circuit board 130 Metal layer (aluminum member)
141 Heat sink (copper member)
140 Insulated circuit board with heat sink
Claims (11)
前記銅部材と前記チタン層との接合界面には、ＣｕとＴｉを含有する金属間化合物が形成されており、
前記銅部材と前記チタン層との接合界面において、前記金属間化合物が形成されていない金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さＬｉの最大値が２０μｍ以下であり、前記金属間化合物未形成部の接合界面に沿った長さの合計ΣＬｉと、前記接合界面の全体長さＬ０との比ΣＬｉ／Ｌ０が０．１６以下であることを特徴とする銅／チタン／アルミニウム接合体。 A copper member made of copper or a copper alloy and an aluminum member made of aluminum or an aluminum alloy are bonded to each other via a titanium layer.
An intermetallic compound containing Cu and Ti is formed at the bonding interface between the copper member and the titanium layer,
Wherein in the bonding interface between the copper member and the titanium layer, the maximum value of the length L i along the joint interface of the intermetallic compound is not formed intermetallic compound unformed portion is at 20μm or less, between the metal Copper / titanium characterized in that the ratio ΣL i / L 0 of the total length ΣL i along the bonding interface of the non-compounded portion and the total length L 0 of the bonding interface is 0.16 or less / Aluminum joined body.
前記回路層は、請求項１に記載の銅／チタン／アルミニウム接合体であることを特徴とする絶縁回路基板。 An insulating circuit board comprising a ceramic substrate and a circuit layer formed on one surface of the ceramic substrate,
The insulated circuit board according to claim 1, wherein the circuit layer is a copper / titanium / aluminum bonded body according to claim 1.
前記金属層は、請求項１に記載の銅／チタン／アルミニウム接合体であることを特徴とする絶縁回路基板。 An insulated circuit board comprising a ceramic substrate, a circuit layer formed on one surface of the ceramic substrate, and a metal layer formed on the other surface of the ceramic substrate,
The insulated circuit board according to claim 1, wherein the metal layer is a copper / titanium / aluminum bonded body according to claim 1.
前記回路層及び前記金属層は、請求項１に記載の銅／チタン／アルミニウム接合体であることを特徴とする絶縁回路基板。 An insulated circuit board comprising a ceramic substrate, a circuit layer formed on one surface of the ceramic substrate, and a metal layer formed on the other surface of the ceramic substrate,
The insulated circuit board according to claim 1, wherein the circuit layer and the metal layer are the copper / titanium / aluminum bonded body according to claim 1.
前記金属層及び前記ヒートシンクが、請求項１に記載の銅／チタン／アルミニウム接合体であることを特徴とするヒートシンク付き絶縁回路基板。 Insulation with heat sink, comprising: a ceramic substrate; a circuit layer formed on one surface of the ceramic substrate; a metal layer formed on the other surface of the ceramic substrate; and a heat sink bonded to the metal layer. A circuit board,
The insulating circuit board with a heat sink, wherein the metal layer and the heat sink are the copper / titanium / aluminum bonded body according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016178724A JP6729225B2 (en) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | Copper/titanium/aluminum joint, insulated circuit board, insulated circuit board with heat sink, power module, LED module, thermoelectric module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016178724A JP6729225B2 (en) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | Copper/titanium/aluminum joint, insulated circuit board, insulated circuit board with heat sink, power module, LED module, thermoelectric module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018046106A true JP2018046106A (en) | 2018-03-22 |
| JP6729225B2 JP6729225B2 (en) | 2020-07-22 |
Family
ID=61693191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016178724A Active JP6729225B2 (en) | 2016-09-13 | 2016-09-13 | Copper/titanium/aluminum joint, insulated circuit board, insulated circuit board with heat sink, power module, LED module, thermoelectric module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6729225B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019159219A1 (en) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | Copper/titanium/aluminum joint, insulating circuit board, insulating circuit board with heat sink, power module, led module, and thermoelectric module |
| CN111819683A (en) * | 2018-03-28 | 2020-10-23 | 三菱综合材料株式会社 | Insulated circuit board with radiator |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004231513A (en) * | 2000-10-26 | 2004-08-19 | Hitachi Metals Ltd | Circuit board excellent in high strength/high heat conductivity |
| JP2014177031A (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Mitsubishi Materials Corp | Conjugate, substrate for power module, and substrate for power module with heat sink |
| JP2016048782A (en) * | 2014-08-26 | 2016-04-07 | 三菱マテリアル株式会社 | Combination body, power module substrate with heat sink, heat sink, method for manufacturing combination body, method for manufacturing power module substrate with heat sink, and method for manufacturing heat sink |
-
2016
- 2016-09-13 JP JP2016178724A patent/JP6729225B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004231513A (en) * | 2000-10-26 | 2004-08-19 | Hitachi Metals Ltd | Circuit board excellent in high strength/high heat conductivity |
| JP2014177031A (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Mitsubishi Materials Corp | Conjugate, substrate for power module, and substrate for power module with heat sink |
| JP2016048782A (en) * | 2014-08-26 | 2016-04-07 | 三菱マテリアル株式会社 | Combination body, power module substrate with heat sink, heat sink, method for manufacturing combination body, method for manufacturing power module substrate with heat sink, and method for manufacturing heat sink |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019159219A1 (en) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | Copper/titanium/aluminum joint, insulating circuit board, insulating circuit board with heat sink, power module, led module, and thermoelectric module |
| US11887909B2 (en) | 2018-02-13 | 2024-01-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper/titanium/aluminum joint, insulating circuit substrate, insulating circuit substrate with heat sink, power module, LED module, and thermoelectric module |
| CN111819683A (en) * | 2018-03-28 | 2020-10-23 | 三菱综合材料株式会社 | Insulated circuit board with radiator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6729225B2 (en) | 2020-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6079505B2 (en) | Bonded body and power module substrate | |
| KR20150133191A (en) | Method for manufacturing power-module substrate | |
| JP2013229545A (en) | Substrate for power module, substrate for power module having heat sink, power module, and method of manufacturing substrate for power module | |
| JP2015062953A (en) | Joined body, and substrate for power module | |
| JP6256176B2 (en) | Manufacturing method of joined body, manufacturing method of power module substrate | |
| WO2016158046A1 (en) | Method for manufacturing substrate for power module with heat sink | |
| WO2018180159A1 (en) | Method for producing insulated circuit board with heat sink | |
| JP5987418B2 (en) | Manufacturing method of power module substrate with heat sink | |
| JP6750422B2 (en) | Method for manufacturing insulated circuit board, insulated circuit board, power module, LED module, and thermoelectric module | |
| JP5825380B2 (en) | Copper / ceramic bonding body and power module substrate | |
| JP6645368B2 (en) | Joint body, power module substrate, method of manufacturing joined body, and method of manufacturing power module substrate | |
| KR20200083455A (en) | Bonded body and insulating circuit board | |
| JP6729225B2 (en) | Copper/titanium/aluminum joint, insulated circuit board, insulated circuit board with heat sink, power module, LED module, thermoelectric module | |
| JP2013055237A (en) | Manufacturing method of substrate for power module | |
| JP2018129507A (en) | Ceramic/aluminum conjugate, insulated circuit board, led module, ceramic member, method for producing ceramic/aluminum conjugate, and method for producing insulated circuit board | |
| JP2014039062A (en) | Substrate for power module, substrate for power module having heat sink, power module, and method for manufacturing substrate for power module | |
| JP6303420B2 (en) | Power module substrate | |
| JP2017165629A (en) | Method for manufacturing joined body and method for manufacturing substrate for power module | |
| JP6790945B2 (en) | Manufacturing method of insulated circuit board and manufacturing method of insulated circuit board with heat sink | |
| WO2019159219A1 (en) | Copper/titanium/aluminum joint, insulating circuit board, insulating circuit board with heat sink, power module, led module, and thermoelectric module | |
| JP6780561B2 (en) | Manufacturing method of joint, manufacturing method of insulated circuit board, and joint, insulated circuit board | |
| TWI732997B (en) | Copper/titanium/aluminum bonded body, insulating circuit substrate, insulating circuit substrate with heat sink, power module, led module and thermoelectric module | |
| JP6561883B2 (en) | Circuit board manufacturing method | |
| JP2019087608A (en) | Conjugate, insulation circuit board, insulation circuit board with heat sink, heat sink, and manufacturing method of conjugate, manufacturing method of insulation circuit board, manufacturing method of insulation circuit board with heat sink, and manufacturing method of heat sink | |
| JP6237058B2 (en) | Power module substrate with copper plate and method for manufacturing power module substrate with copper plate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20181012 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190315 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200107 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200602 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200615 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6729225 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |