JP2018037481A - 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 - Google Patents

太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】高品質な電極を備えることができる太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】太陽電池モジュールは、基板１と、第１および第２の電極２と、第１の積層半導体３とを備える。第１および第２の電極は、基板の上に位置し、互いに離間している。第１の積層半導体は、第１の電極の上から第２の電極の上までの領域に位置する。第１の積層半導体は、第１導電型の第１半導体３１と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体３２とを備える。第１半導体は第１の電極の上に位置する。第２の半導体は第２の電極の上に位置する。【選択図】図３

Description

本開示は、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法に関する。
特許文献１には、光起電力素子が記載されている。この光起電力素子においては、ｎ型単結晶シリコン基板の一方の表面に、第１のｉ型非晶質シリコン膜および反射防止膜がこの順で形成されている。またこの単結晶シリコン基板の他方の表面には、第２のｉ型非晶質シリコン膜が形成されている。そして、第２のｉ型非晶質シリコン膜の上に、ｐ型非晶質シリコン膜およびｎ型非晶質シリコン膜が互いに離間して形成されている。ｐ型非晶質シリコン膜の上には、裏面電極および集電電極がこの順で形成され、ｎ型非晶質シリコン膜の上には、裏面電極および集電電極がこの順で形成される。このような光起電力素子において、主として、ｎ型単結晶シリコン基板が発電層（光電変換層）となる。
特許第４１５５８９９号公報
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、裏面電極が、発電層（光電変換層）の上に形成されている。よって、裏面電極は、発電層の機能を損ないにくい形成条件で形成される必要があり、裏面電極の高品質化の制限となり得る。
そこで本開示は、高品質な電極を備えることができる太陽電池モジュールを提供することを目的とする。
太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法が開示される。一実施の形態において、太陽電池モジュールは、基板と、第１および第２の電極と、第１の積層半導体とを備える。第１および第２の電極は、基板の上に位置し、互いに離間している。第１の積層半導体は、第１の電極の上から第２の電極の上までの領域に位置する。第１の積層半導体は、第１導電型の第１半導体と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体とを備える。第１半導体は第１の電極の上に位置する。第２半導体は第２の電極の上に位置する。
また、他の一実施の形態において、太陽電池モジュールの製造方法は、上記一実施の形態にかかる太陽電池モジュールを製造する方法であって、第１工程と、第２工程とを備える。第１工程においては、第１および第２の電極を基板の上に形成する。第１工程の後の第２工程において、第１の電極の上から、第２の電極の上までの領域に、第１の積層半導体を形成する。
太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法によれば、高品質な電極を実現できる。
太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す平面図である。 太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す分解斜視図である。 太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す断面図である。 太陽電池モジュールの製造方法の一例を示すフローチャートである。 太陽電池モジュールの製造方法の一例を概略的に示す図である。 太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す断面図である。 太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す断面図である。 太陽電池モジュールの構成の一例を概略的に示す断面図である。
実施の形態．
以下、実施形態の各例ならびに各種変形例を図面に基づいて説明する。なお、図面においては同様な構成及び機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズ及び位置関係などは適宜変更され得る。
＜太陽電池モジュール＞
図１から図３は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す図である。図１は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を示す平面図であり、図２は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す分解斜視図であり、図３は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す断面図である。
太陽電池モジュール１００は複数の光電変換セル１０を備えている。図１から図３においては、３個または４個の光電変換セル１０が示されているものの、実際には、太陽電池モジュール１００は、より多くの光電変換セル１０を備えていてもよい。
光電変換セル１０の各々は、外部から入射された光（例えば太陽光、以下、外光とも呼ぶ）を電力に変換し、当該電力を出力する。これら複数の光電変換セル１０は、後に詳述するように、互いに直列に接続される。この直列接続によって、複数の光電変換セル１０の一組の両端から出力される電圧、つまり、太陽電池モジュール１００の出力電圧は、光電変換セル１０の各々から出力される電圧の総和となる。これによって、太陽電池モジュール１００の出力電圧を向上することができる。
太陽電池モジュール１００は、基板１と、複数の電極２と、複数の積層半導体３とを備えている。複数の電極２および複数の積層半導体３は基板１の上に位置している。後に詳述するように、積層半導体３は実質的に光電変換セル１０の光電変換機能を実現する。また、各電極２は各光電変換セル１０から電力を取りだすとともに、複数の光電変換セル１０を相互に直列に接続する。
なお、図１においては、各構成を見やすくするために、各構成がＹ軸方向にずれて示されている。しかるに、実際には、各構成はずれていなくてもよい。また図２においては、各構成を見やすくするために、各構成の厚みを省略して示している。
＜基板＞
基板１は複数の電極２および複数の積層半導体３を支持するものであり、例えば透光性を有していてもよい。基板１の材料として、例えば、アクリルまたはポリカーボネート等の樹脂、あるいは、ガラスを採用すれば、透光性を有する基板が実現され得る。ここで、ガラスには、例えば、白板ガラス、強化ガラスおよび熱線反射ガラス等といった光透過率の高い材料が採用され得る。また、基板１は例えば平板状の形状を有していてもよく、その厚みは例えば数［ｍｍ］程度に設定され得る。基板１の＋Ｚ側の一主面（表面１ａともいう、図３を参照）は略平坦であってよい。これによれば、基板１の表面１ａの上に形成される各種の構成の厚みを均一に形成しやすい。また、基板１は平面視において例えば略矩形状の形状を有していてもよい（図１を参照）。
なお、各図面において、光電変換セル１０の配列方向をＸ軸方向とするＸＹＺ座標が付されている。Ｙ軸は、Ｘ軸に垂直且つ基板１の表面１ａに平行に配置されており、Ｚ軸は基板１の表面１ａに垂直に配置されている。図１においては、太陽電池モジュール１００をＺ軸方向に沿って見た平面図が示され、図３においては、ＸＺ平面における太陽電池モジュール１００の断面が示されている。
＜電極＞
複数の電極２は基板１の上に位置している。これら複数の電極２は、図１から図３に示すように、Ｘ軸方向において、間隔を空けて並んで配されている。換言すれば、隣り合う電極２の間には、これらを分離する領域としての溝Ｐ１が配されている（図３を参照）。つまり、隣り合う電極２は溝Ｐ１を介して離間している。具体的には、溝Ｐ１は電極２の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。電極２の各々は、平面視において、例えばＹ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形の形状）を有していてもよい。言い換えれば、電極２の各々はＹ軸方向に沿って延在してもよい。この場合、この溝Ｐ１もＹ軸方向に沿って延在する。
電極２は、例えば、透光性を有する電極（例えば透明電極（TCO: Transparent Conductive Oxide））であってよい。具体的な一例として、電極２は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、酸化亜鉛または酸化スズなどの透明導電材料で形成され得る。このような電極２は、例えば、スパッタリング法または真空蒸着法などの成膜方法を用いて形成され得る。
あるいは、電極２は、例えば、塗布液としての金属ペーストがスクリーン印刷等によって塗布された後に乾燥されて該金属ペーストが固化されることで形成されてもよい。金属ペーストは、例えば、透光性を有する樹脂等のバインダーに、光反射率が高く且つ導電性を有する粒子が添加されることで作製され得る。ここで、透光性を有する樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂等が採用され得る。また、金属ペーストに含まれる粒子としては、例えば、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉならびにＺｎとＡｇとの合金等の金属粒子が採用され得る。この場合、電極２には、導電性を有する多数の粒子が含まれており、該多数の粒子が相互に接触し合うことで、電極２における導電性が確保され得る。
＜積層半導体＞
積層半導体３の各々は、光電変換を行う光電変換層として機能することができる。実質的には、光電変換セル１０は積層半導体３によって形成され得る。なお、積層半導体３とともに電極２も含めて、光電変換セル１０と把握することもできる。
複数の積層半導体３の各々は、隣り合う二つの電極２の上に位置している。よって、複数の積層半導体３もＸ軸方向において互いに間隔を空けて並んでいる。言い換えれば、隣り合う積層半導体３の間には、これらを分離する領域としての溝Ｐ２が配されている（図３を参照）。つまり、隣り合う積層半導体３は、溝Ｐ２を介して離間している。具体的には、溝Ｐ２は、積層半導体３の＋Ｚ側の一主面（上面）から−Ｚ側の一主面（下面）までの領域に配されている。この溝Ｐ２は例えばＹ軸方向に沿って延在する。
以下では、代表的に、隣り合う二つの積層半導体３である積層半導体３Ａ，３Ｂと、隣り合う三つの電極２である電極２Ａ〜２Ｃとを用いて、これらの位置関係の一例を説明する。電極２Ａ〜２Ｃは、Ｘ軸方向において、この順で配置されている。
例えば、積層半導体３Ａは電極２Ａ，２Ｂの上に位置している。より具体的に、図３の例においては、積層半導体３Ａは、電極２Ａのうち電極２Ｂ側の端部２１Ａの上から、電極２Ｂのうち電極２Ａ側の端部２１Ｂの上までの領域に、位置している。また積層半導体３Ｂは電極２Ｂ，２Ｃの上に位置している。より具体的に、図３の例においては、積層半導体３Ｂは、電極２Ｂのうち電極２Ｃ側の端部の上から、電極２Ｃのうち電極２Ｂ側の端部の上までの領域に、位置している。
このような構成においては、溝Ｐ２は電極２の上に位置する（図３参照）。例えば積層半導体３Ａ，３Ｂについて説明すると、積層半導体３Ａ，３Ｂを分離する溝Ｐ２は電極２Ｂの上に位置している。言い換えると、積層半導体３Ａ，３Ｂは電極２Ｂの上において互いに離間している。
以上のように、図１から図３の例においては、複数の積層半導体３の各々が、隣り合う二つの電極２の端部の上に位置している。よって、電極２の個数は積層半導体３の個数よりも一つ多い。つまり、Ｎ（Ｎは自然数）個の積層半導体３に対して、（Ｎ＋１）個の電極２が形成されるとよい。
ここで、第１から第Ｎの積層半導体３と、第１から第（Ｎ＋１）の電極２とを導入して、これらの位置関係の一例を説明しておく。第１から第（Ｎ＋１）の電極２がＸ軸方向に沿ってこの順で並んでいると仮定する。この場合、第ｋ（ｋは１，２，・・・，Ｎ）の積層半導体３（例えば積層半導体３Ａ）は、第ｋの電極２（例えば電極２Ａ）のうち、第（ｋ＋１）の電極２（例えば電極２Ｂ）側の端部の上から、第（ｋ＋１）の電極２（例えば電極２Ｂ）のうち、第ｋの電極２（例えば電極２Ａ）側の端部の上までの領域に位置している。
次に、積層半導体３の各々の具体的な構成の一例について説明する。以下では、一つの積層半導体３（例えば積層半導体３Ａ）と接触する二つの電極２（例えば電極２Ａ，２Ｂ）を一対の電極２とも呼ぶことがある。また一対の電極２の一方を一方の電極２と呼び、一対の電極２の他方を他方の電極２と呼ぶことがある。
図１から図３の例においては、複数の積層半導体３の各々は、互いに導電型の異なる半導体３１〜３３を備えている。半導体３１は、第１導電型（例えばｐ型）の半導体であって、一方の電極２の上に位置している。図１から図３の例では、半導体３１は、一方の電極２のうち他方の電極２側の端部の上に位置している。積層半導体３Ａについて説明すると、半導体３１は電極２Ａのうち電極２Ｂ側の端部２１Ａの上に位置している。半導体３１は、平面視において、例えば、Ｙ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形の形状）を有していてもよい。
半導体３２は、第１導電型とは逆の第２導電型の半導体であって、他方の電極２の上に位置している。ここで、第１導電型の半導体および第２導電型の半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。例えば半導体３１がｐ型の半導体である場合には、半導体３２はｎ型の半導体である。ｐ型の半導体において、キャリアは正孔であり、ｎ型の半導体において、キャリアは電子である。
図１から図３の例においては、半導体３２は、他方の電極２のうち一方の電極２側の端部の上に位置している。積層半導体３Ａについて説明すると、半導体３２は電極２Ｂのうち電極２Ａ側の端部２１Ｂの上に位置している。半導体３２は、平面視において、例えばＹ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形の形状）を有していてもよい。
半導体３３は第３導電型の半導体である。第３導電型はｉ型の半導体であり、真性半導体とも呼ばれる。半導体３３は半導体３１，３２の上に位置している。より具体的には、半導体３３は半導体３１の上から半導体３２の上までの領域に位置している。半導体３３は、平面視において、例えばＹ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形の形状）を有していてもよい。
このような積層半導体３は、いわゆるｐｉｎ構造を有しており、光電変換層として機能することができる。具体的には、半導体３３は、入射された外光を吸収して、正孔および電子を生成する。つまり、半導体３３は光吸収層として機能する。生成された正孔は例えばｐ型の半導体３１を介して一方の電極２へと移動し、生成された電子は例えばｎ型の半導体３２を介して他方の電極２へと移動する。これにより、積層半導体３は光を吸収して発電することができる。つまり、積層半導体３は光電変換を行う。これにより、一対の電極２の間に電流が流れる。なお、この積層半導体３において、一対の電極２を繋ぐ電流経路上に、半導体３１〜３３が介在することになる。
図１から図３の例においては、電極２の各々が、隣り合う二つの光電変換セル１０によって共用される。よって、電極２の各々は、隣り合う二つの光電変換セル１０を相互に直列に接続する。このような構造において、−Ｘ側の端に位置する電極２、および、＋Ｘ側の端に位置する電極２は、太陽電池モジュール１００の出力端として機能する。太陽電池モジュール１００の出力電圧は光電変換セル１０の出力電圧の総和となる。
次に、積層半導体３の具体的な材料の一例について述べる。半導体３１〜３３は例えばアモルファスシリコンなどの非晶質系の半導体であってもよい。例えば半導体３１には、第１導電型に対応する第１不純物（例えばホウ素など）を含むアモルファスシリコンを採用でき、半導体３２には、第２導電型に対応する第２不純物（例えばリンなど）を含むアモルファスシリコンを採用でき、半導体３３には、第１不純物および第２不純物をほとんど含まないアモルファスシリコンを採用できる。このような半導体３１〜３３は例えば化学気相成長（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法によって形成され得る。
積層半導体３の幅（Ｘ軸方向に沿う幅）は、例えば、１［μｍ］〜１０００［μｍ］程度に設定され得る。電極２の幅（Ｘ軸方向に沿う幅）も、例えば、１［μｍ］〜１０００［μｍ］程度に設定され得る。また、隣り合う積層半導体３の間の間隔（つまり溝Ｐ２のＸ軸方向に沿う幅）、および、隣り合う電極２の間隔（つまり溝Ｐ１のＸ軸方向に沿う幅）は、いずれも、例えば１［μ］〜１００［μｍ］程度に設定され得る。また、半導体３１〜３３がアモルファスシリコンである場合、積層半導体３の厚みは、例えば、１０［ｎｍ］〜５０［ｎｍ］程度に設定され得る。
＜製造方法＞
図４および図５は、太陽電池モジュール１００の製造方法の一例を示す図である。図４においては、各製造工程がステップＳ１〜Ｓ４で示されており、図５では、各ステップＳ１〜Ｓ４における基板１の上面図が示されている。まずステップＳ１にて、基板１が準備される。この基板１には、例えば所定の前処理（例えば洗浄処理などの処理）が施されていてもよい。次にステップＳ２にて、この基板１の上に、電極２が形成される。電極２の形成方法は特に制限されないものの、その一例について概説する。例えば、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、電極層を基板１の上に形成する。そして、所定の位置において、この電極層に溝Ｐ１を形成して電極２を形成する。溝Ｐ１は例えば、フォトリソグラフィー法などによって形成され得る。
次に、積層半導体３の各々を、一方の電極２の上から他方の電極２の上までの領域に形成する。具体的には、まずステップＳ３にて、基板１および電極２の一組の上にそれぞれ所望の形状で半導体３１，３２を形成する。半導体３１，３２の形成方法も特に制限されないが、積層半導体３としてアモルファスシリコンを採用する場合、例えば、プラズマＣＶＤ法などによって、基板１および電極２の一組の上に、それぞれ半導体３１，３２を形成することができる。
具体的な一例として、半導体３１が形成される領域以外の領域を覆う第１メタルマスクを基板１および電極２の上に配置する。次に、例えば、シラン（ＳｉＨ４）ガス、水素（Ｈ２）ガスおよびジボラン（Ｂ２Ｈ６）ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法により、半導体３１を形成する。そして、第１メタルマスクを取り外す。同様に、半導体３２が形成される領域以外の領域を覆う第２メタルマスクを配置し、例えば、シラン（ＳｉＨ４）ガス、水素（Ｈ２）ガスおよびホスフィン（ＰＨ３）ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法により、半導体３２を形成する。そして、第２メタルマスクを取り外す。これにより、半導体３１，３２を形成することができる。なお、半導体３１，３２の形成順序は逆であってもよい。
次にステップＳ４にて、基板１、電極２および半導体３１，３２の一組の上に所望の形状で半導体３３を形成する。半導体３３の形成方法も特に制限されないが、積層半導体３としてアモルファスシリコンを採用する場合には、例えば、プラズマＣＶＤ法によって、半導体３３を、基板１、電極２および半導体３１，３２の一組の上に形成することができる。具体的な一例として、半導体３３が形成される領域以外の領域を覆う第３メタルマスクを基板１、電極２および半導体３１，３２の上に配置する。次に、例えば、シラン（ＳｉＨ４）ガスおよびアンモニア（ＮＨ３）ガスを導入して、プラズマＣＶＤ法により、半導体３３を形成する。
以上のようにして、太陽電池モジュール１００を作製することができる。またこの太陽電池モジュール１００によれば、上述のように、電極２は基板１を下地として形成される（ステップＳ２）。つまり、電極２は積層半導体３の上に形成される必要がない。
ここで、比較のために、光電変換セルが、積層半導体を表面電極と裏面電極とで挟む構造を有している場合について説明する。この構造においては、積層半導体は、例えば、ｐ型の半導体と、ｉ型の半導体と、ｎ型の半導体とを備えており、ｉ型の半導体がｐ型の半導体とｎ型の半導体とによって挟まれる。要するに、裏面電極、ｐ型の半導体、ｉ型の半導体、ｎ型の半導体および表面電極がこの順で配置される。
したがって、表面電極および裏面電極の少なくともいずれか一方は、積層半導体を下地として形成される。例えば表面電極を積層半導体の上に形成する場合、その下地となる積層半導体の光電変換機能を損ないにくい形成条件を用いる必要がある。
また、積層半導体の内部にピンホールなどの欠陥が存在している場合には、表面電極の形成中に、その電極の材料が積層半導体の欠陥内に入り込み得る。これにより、表面電極と裏面電極とが短絡し得る。
一方で、本実施の形態では、上述のように、電極２は積層半導体３の上に形成される必要がない。よって、上記形成条件を用いる必要がない。したがって、より高品質な電極２を形成することができる。また、積層半導体３の上に電極２を形成しなければ、積層半導体３の内部に欠陥が存在していたとしても、その欠陥内に電極の材料が入り込むことがない。よって、これに起因した電極２同士の短絡を回避することができる。
また比較例においては、複数の光電変換セルを接続する場合、例えば第１の光電変換セルの表面電極と、第２の光電変換セルの裏面電極とを接続する配線（タブ配線）が配置され得る。このタブ配線は、第１の光電変換セルの表面電極から、第１の光電変換セルと第２の光電変換セルとの間を延在して、第２の光電変換セルの裏面電極へと至る。このようにタブ配線は第１の光電変換セルと第２の光電変換セルとの間を延在するので、第１の光電変換セルと第２の光電変換セルとの間の間隔は比較的広く設定され得る。よって、この構造においては、太陽電池モジュールのサイズが大きくなる。
一方で、本実施の形態では、基板１の上に形成された複数の電極２が複数の光電変換セル１０を直列に接続するので、タブ配線は不要である。よって、光電変換セル１０の間隔（積層半導体３の間隔）を狭く設定することができる。したがって、太陽電池モジュール１００のサイズを低減することができる。
また、本実施の形態において、複数の電極２を同じ材質で形成することにより、製造工程を簡略化することができる。これにより、製造コストを低減できる。
＜半導体３１，３２＞
図３に例示するように、第１導電型（例えばｐ型）の半導体３１は一方の電極２の上に位置するとともに、その側面も覆っていてもよい。ここでいう側面とは、一方の電極２の側面のうち、他方の電極２と向かい合う側面である。言い換えれば、当該側面は溝Ｐ１の輪郭の一部を形成する側面である。図３の積層半導体３Ａを用いて説明すると、半導体３１は、電極２Ａの端部２１Ａの＋Ｚ側の表面（上面）のみならず、端部２１Ａの側面２１ａを覆っていてもよい。この側面２１ａは、電極２Ｂの端部２１Ｂと向かい合う側面である。図３に例示するように、半導体３１は、電極２Ａの端部２１Ａの上面および側面２１ａに沿う略Ｌ字状の形状を有していてもよい。また半導体３１は溝Ｐ１において基板１に接触してもよい。
同様に、第２導電型（例えばｎ型）の半導体３２は他方の電極２の上に位置するとともに、その側面を覆っていてもよい。ここでいう側面は、他方の電極２の側面のうち、一方の電極２と向かい合う側面である。言い換えれば、当該側面は溝Ｐ１の輪郭の一部を形成する側面である。図３の積層半導体３Ａを用いて説明すると、半導体３２は、電極２Ｂの端部２１Ｂの＋Ｚ側の表面（上面）のみならず、端部２１Ｂの側面２１ｂを覆っていてもよい。この側面２１ｂは、電極２Ａの端部２１Ａと向かい合う側面である。図３に例示するように、半導体３２は、電極２Ｂの端部２１Ｂの上面および側面２１ｂに沿う略Ｌ字状の形状を有していてもよい。また半導体３２は溝Ｐ１において基板１に接触していてもよい。
図３に例示するように、各積層半導体３において、半導体３１，３２はＸ軸方向において離間していてもよい。また、その半導体３１，３２によって挟まれる領域に、半導体３３の一部が存在していても良い。図３の例においては、半導体３３は、半導体３１，３２の上に位置する矩形状の本体部分と、半導体３１，３２の間の領域において、当該本体部分から基板１側へと突起する矩形状の突起部分とを有している。また半導体３３（より具体的には突起部分）は溝Ｐ１において基板１に接触していてもよい。
このように、半導体３３の一部（突起部分）が当該領域に存在していれば、当該領域においても半導体３３が光を吸収して電子および正孔を生成する。よって、太陽電池モジュール１００の発電効率を向上することができる。
また上述のように、半導体３１は一方の電極２の端部の上面および側面を覆い、かつ、半導体３２は他方の電極２の端部の上面および側面を覆っている。よって、半導体３３は半導体３１，３２を介してそれぞれ一方の電極２および他方の電極２と対面する。これにより、半導体３３は直接に電極２と接しにくい。よって、電極２の表面で生じるキャリア（電子または正孔）の再結合を抑制することができる。
＜太陽電池モジュールの設置方向＞
＜基板が受光面側となるように太陽電池モジュールを設置＞
図６は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す図である。太陽電池モジュール１００の構成自体は図１と同様であるものの、図６においては、基板１は電極２に対して外光Ｌ１の入射側（紙面上側）に位置している。つまり、基板１を外光Ｌ１の入射側に向けて、太陽電池モジュール１００を配置している。図６において、外光Ｌ１の進行方向がブロック矢印で示されている。この構造においては、例えば、基板１の表面１ｂが、太陽電池モジュール１００の受光面としての役割を果たすことができる。表面１ｂは基板１の表面１ａとは反対側の表面である。
この太陽電池モジュール１００において、基板１および電極２は透光性を有している。なお、ここでいう「透光性」とは、積層半導体３によって吸収される波長帯域（以下、吸収波長帯域と呼ぶ）の光についての透光性である。例えば、積層半導体３が可視光を吸収して正孔と電子とを生成する場合、基板１および電極２は透明である。
この構造においては、外光Ｌ１の一部は基板１および電極２をこの順で通過して、積層半導体３へと入射し、外光Ｌ１の他の一部は電極２の相互間を通過して、つまり基板１を通過した後、電極２を経由せずに、積層半導体３へと入射する。積層半導体３は、入射された外光Ｌ１を吸収して、発電する。
さて、比較例にかかる構造においては、平面視における表面電極の広さは、積層半導体の広さと同程度に設定される。よって、ほとんどの外光は表面電極を経由して積層半導体へ入射される。外光の一部は表面電極で吸収され、発電には寄与しない。一方で、太陽電池モジュール１００によれば、上述のように、外光Ｌ１の他の一部は電極２による吸収を受けずに積層半導体３へと入射することができる。したがって、電極２による吸収損失を低減できる。言い換えれば、太陽電池モジュール１００の発電効率を向上することができる。
また、基板１が太陽電池モジュール１００（より具体的には光電変換セル１０）を保護する機能を発揮できるので、更なる保護部材を設ける必要はない。この場合には、製造コストを低減できる。もちろん、保護の向上などを目的として、基板１に新たな保護部材（例えば強化ガラスなど）を設けても構わない。
また、複数の太陽電池モジュール１００をＺ軸方向に重ねてもよい。かかる構造はタンデム構造とも呼ばれる。各太陽電池モジュール１００の吸収波長帯域は、相互に異なっているとよい。これにより、第１の太陽電池モジュール１００で吸収されない波長を有する光が、その次の第２の太陽電池モジュール１００で吸収されて、発電に寄与する。これによれば、太陽電池モジュール１００の全体としての発電効率を向上することができる。
＜基板が設置面側となるように太陽電池モジュールを設置＞
その一方で、基板１を上記構造とは反対側に向けた姿勢で、太陽電池モジュール１００を設置してもよい。つまり、基板１が電極２に対して外光Ｌ１の入射側とは反対側に位置するように、太陽電池モジュール１００を設置してもよい。この姿勢では、基板１は、太陽電池モジュール１００が設置される設置面（例えば地面または屋根など）側に位置することになる。図７は、太陽電池モジュール１００の構成の一例を概略的に示す断面図である。図７の例示では、封止層４およびカバー板５が設けられている。なお、封止層４およびカバー板５は、上述した構造に設けられていても構わない。
封止層４は電極２の一部および積層半導体３の上に位置している。より具体的には、封止層４は、積層半導体３の上の領域、および、溝Ｐ２における電極２の上の領域に、位置している。この封止層４は絶縁性を有しており、電極２および積層半導体３を封止する。また、基板１が電極２に対して設置面側に位置する場合、封止層４は透光性を有しているとよい。なぜなら、外光Ｌ１が封止層４を通過して積層半導体３へ入射するからである。このような封止層４としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂、または、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）を主成分とする樹脂などを採用できる。
カバー板５は板状の部材であって、封止層４の上に位置している。より具体的な一例として、カバー板５は封止層４の上の全面に位置していればよい。カバー板５は平面視において、例えば基板１と同程度の広さを有している。このカバー板５は、例えば、太陽電池モジュール１００を保護するために設けられ得る。基板１が電極２に対して設置面側に位置する場合、カバー板５は透光性を有しているとよい。なぜなら、外光Ｌ１がカバー板５を通過して積層半導体３へ入射するからである。例えば、カバー板５の材料として、ガラス（例えば強化ガラス）を採用し得る。
このような太陽電池モジュール１００は、例えば、図４のステップＳ１〜Ｓ４を実行した後に、封止層４およびカバー板５を形成することで、実現され得る。封止層４およびカバー板５の形成方法は任意の方法を採用すればよいものの、その一例について概説する。まず、電極２および積層半導体３が形成された基板１の上に、シート状の熱硬化性の封止材（例えばＥＶＡシート）およびカバー板５を配置する。そして、この状態で周囲の圧力を低下させる。換言すれば、真空処理を施す。その状態で、熱を加えることで封止材を硬化させて、封止層４およびカバー板５を形成する。このような形成方法はラミネートとも呼ばれる。
基板１が電極２に対して設置面側に位置する場合には、外光Ｌ１は、カバー板５および封止層４を通過して、積層半導体３へと入射される。つまり外光Ｌ１は基板１および電極２を経由せずに、積層半導体３に入射される。そして、電極２は導電性を有することから、電極２の透光性は、例えば封止層４などに比して高めにくい。よって、基板１を電極２に対して外光Ｌ１の入射側とは反対側に向けて太陽電池モジュール１００を設置すれば、太陽電池モジュール１００の発電効率の向上できる。
またこの構造においては、外光Ｌ１は基板１および電極２を通過する必要がないので、基板１および電極２は透光性を有していなくてもよい。よって、基板１および電極２の材料選択性を向上することができる。
また、この構造においては、基板１は、光反射性を有する反射基板であってもよい。なお、ここでいう「光反射性」とは、吸収波長帯域の光についての反射性をいう。例えば、基板１が、吸収波長帯域についての光反射率の高い材料で形成されることで、反射基板を実現できる。例えば光反射率は数十％以上である。当該材料が例えば金属のように導電性を有する場合には、基板１は、表面１ａ側において、絶縁層を備えるとよい。電極２および積層半導体３はこの絶縁層の上に形成される。
基板１が光反射性を有していれば、外光Ｌ１のうち積層半導体３を通過した第１光が基板１において反射されて、再び積層半導体３へと入射される。また、外光Ｌ１のうち積層半導体３の相互間を通過する第２光も基板１において反射されて、積層半導体３へと入射される。
もし基板１および電極２が透光性を有するときには、この第２光は積層半導体３に入射されないので、光電変換に寄与しない。一方で、基板１が反射基板であれば、上述のように、この第２光も積層半導体３に入射される。よって、第２光も光電変換に寄与する。したがって、太陽電池モジュール１００の発電効率を効果的に向上することができる。同様に、電極２は、反射性を有する反射電極であってもよい。例えば電極２として、高い光反射率を有する導電膜（例えば金属膜）を採用してもよい。
なお、タンデム構造を採用する場合、複数の太陽電池モジュール１００がＺ軸方向に積層される。よってこの場合、最下層の太陽電池モジュール１００以外の太陽電池モジュール１００の各々において、基板１および電極２は、より下層の太陽電池モジュールの吸収波長帯域についての透光性を有していているとよい。これによれば、外光は上層側の太陽電池モジュール１００を通過して、下層の太陽電池モジュール１００へと入射することができる。また、最下層の太陽電池モジュール１００においては、基板１は反射基板であってもよく、および／または、電極２は反射電極であってもよい。反射の対象となる光の波長帯域は、複数の太陽電池モジュール１００の吸収波長帯域に含まれる任意の帯域であってもよい。
＜カバー板＞
図７の太陽電池モジュール１００によれば、カバー板５が太陽電池モジュール１００を保護する機能を果たすことができる。例えばカバー板５として、強度の高い強化ガラスを採用し得る。よって図７の太陽電池モジュール１００においては、基板１に保護機能を具備させる必要がない。したがって、基板１の材料選択性を向上することができる。
また、基板１の表面１ａの表面粗さはカバー板５の表面粗さ（例えば封止層４側の表面の表面粗さ）よりも小さく設定されてもよい。基板１の表面１ａの表面粗さを小さく設定することで、表面１ａの上に形成される電極２および積層半導体３の膜厚の製造ばらつきを低減することができる。これによって、高品質な太陽電池モジュール１００を製造することができる。
また、大きな表面粗さを有するカバー板５は、小さい表面粗さを有するカバー板に比べて安価である。したがって、太陽電池モジュール１００の製造コストを低減することができる。
変形例．
上述の例では、積層半導体３がアモルファスシリコンで形成される場合の太陽電池モジュール１００を述べたものの、積層半導体３はこれに限らない。以下では、積層半導体３の他の構成の例について説明する。
＜ペロブスカイト太陽電池＞
例えば積層半導体３として、ペロブスカイト太陽電池で用いる光電変換層を採用してもよい。以下、その具体例について説明する。
半導体３１は、例えば、酸化ニッケル(II)（ＮｉＯ）、チオシアン酸銅(I)（ＣｕＳＣＮ）または酸化銅(I)（Ｃｕ２Ｏ）または有機半導体であってよい。有機半導体としては、例えば、[2,2',7,7'-テトラキス(N,N-ジ-p-メトキシフェニルアミノ)-9,9'-スピロビフルオレン]（Ｓｐｉｒｏ-ＯＭｅＴＡＤ）、ポリ[ビス(4-フェニル)(2,4,6-トリフェニルメチル)アミン]（ＰＴＡＡ）、ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2,5-ジイル)(Ｐ３ＨＴ)、ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（4-スチレンスルホン酸塩）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を採用することができる。このような半導体３１は例えば塗布法または蒸着法等によって形成され得る。この半導体３１はいわゆる正孔輸送層としても機能する。
半導体３３は、いわゆるペロブスカイト層であり、ペロブスカイト構造を有する化合物半導体を含んでいる。ここでいうペロブスカイト構造とは、ペロブスカイト（灰チタン石：ＣａＴｉＯ３）の結晶構造である。以下、半導体３３の一例について述べる。
半導体層３３は、例えば、Ａ２ＭＸ４（Ｉ）、ＡＭＸ３（ＩＩ）、ＡＮＸ４（ＩＩＩ）またはＢＭＸ４（ＩＶ）の式で示されるペロブスカイト構造、あるいはこれらの式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、または（ＩＶ）の２種以上のペロブスカイト構造を含む混合物であればよい。なお式中、Ａは、有機または無機の一価のカチオン（例えば、ＣＨ（ＮＨ２）、ＣＨ３ＮＨ３またはＣｓ等）である。また、Ｂは、有機または無機の二価のカチオン（例えば、ＮＨ３（ＣＨ３）２ＮＨ３またはＮＨ３（ＣＨ３）３ＮＨ３等）である。また、Ｍは、Ｃｕ２＋、Ｎｉ２＋、Ｃｏ２＋、Ｆｅ２＋、Ｍｎ２＋、Ｃｒ２＋、Ｐｄ２＋、Ｃｄ２＋、Ｇｅ２＋、Ｓｎ２＋、Ｐｂ２＋、Ｅｕ２＋、またはＹｂ２＋からなる群から選択される二価の金属カチオンである。また、Ｎは、Ｂｉ３＋およびＳｂ３＋の群から選択される元素である。また、Ｘは、Ｃｌ−、Ｂｒ−、Ｉ−、ＮＣＳ−、ＣＮ−、およびＮＣＯ−から選択される元素である。
半導体３３は例えば塗布法または蒸着法等によって形成され得る。この半導体３３は光吸収層として機能する。
半導体３２は、例えば、[6,6]-フェニル-Ｃ６１-酪酸メチル(ＰＣＢＭ)、Ｃ６０または酸化物半導体であってよい。酸化物半導体としては、例えば、酸化チタン(IV)（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム(III)（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ(IV)（ＳｎＯ２）、または、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を採用し得る。このような半導体３２は例えば塗布法またはスパッタリング法等によって形成され得る。この半導体３２は、いわゆるブロッキング層あるいは電子輸送層としても機能する。
半導体３２，３３の境界には、金属酸化物（例えば酸化チタン）の多孔膜が介在していてもよい。かかる多孔膜は、例えば、塗布法等によって形成し得る。
このような太陽電池モジュール１００の製造工程においても、電極２を形成した後に、積層半導体３が形成される。よって、電極２を積層半導体３の上に形成する必要がない。したがって、電極２の形成条件についての制約が少なく、高品質に電極２を形成できる。ペロブスカイト層たる半導体３３は熱および水分に対して脆弱であるので、半導体３３の上に電極２を形成する必要がない本太陽電池モジュール１００は特に好適である。また、積層半導体３の上に電極２を形成しなければ、積層半導体３の内部に欠陥が存在していたとしても、その欠陥に電極材料が入り込むことがなく、これに起因した電極２同士の短絡を回避できる。
＜ＰＮ接合＞
図８は、太陽電池モジュール１００Ａの構成の一例を概略的に示す断面図である。太陽電池モジュール１００Ａは、積層半導体３の構成という点で太陽電池モジュール１００と相違する。太陽電池モジュール１００Ａにおいては、積層半導体３は半導体３５，３６を備えている。半導体３５，３６の導電型は互いに逆である。例えば半導体３５としてｐ型の半導体が採用され、半導体３６としてｎ型の半導体が採用され得る。半導体３５，３６の具体的な材料については後に詳述する。
積層半導体３は、太陽電池モジュール１００と同様に、隣り合う一対の電極２の上に形成されている。積層半導体３Ａについて説明すると、積層半導体３Ａは電極２Ａ，２Ｂの上に形成されている。
半導体３５は一方の電極２と接しており、半導体３６は他方の電極２と接している。図８の例においては、半導体３６は他方の電極２のうち一方の電極２側の端部の上に位置している。積層半導体３Ａについて説明すると、半導体３６は、電極２Ｂのうち電極２Ａ側の端部２１Ｂの上に位置している。半導体３６は、例えば、平面視において、Ｙ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形の形状）を有していてもよい。
半導体３６は、図８に例示するように、他方の電極２の側面を覆っていてもよい。ここでいう側面は、一方の電極２と向かい合う側面である。積層半導体３Ａについて説明すると、半導体３６は、電極２Ｂの端部２１Ｂの側面２１ｂを覆っていてもよい。この側面２１ｂは、電極２Ａの端部２１Ａと向かい合う側面である。半導体３６は、図８に例示するように、電極２Ｂの上面および側面２１ｂに沿う略Ｌ字状の形状を有していてもよい。なお半導体３６は、電極２Ａとは離間している。また半導体３６は溝Ｐ１において基板１に接触してもよい。
半導体３５は一方の電極２および半導体３６の上に位置している。より具体的には、半導体３５は、一方の電極２のうち他方の電極２側の端部の上から、半導体３６の上までの領域に位置している。積層半導体３Ａについて説明すると、半導体３５は、電極２Ａのうち電極２Ｂ側の端部２１Ａの上から半導体３６の上までの領域に位置している。半導体３５は、例えば、平面視において、Ｙ軸方向に長い長尺状の形状（例えば長方形の形状）を有していてもよい。この半導体３５は光吸収層として機能できる。
半導体３５は、図８に例示するように、一方の電極２の側面を覆っていてもよい。ここでいう側面は、他方の電極２と向かい合う側面である。積層半導体３Ａについて説明すると、半導体３５は、電極２Ａの端部２１Ａの側面２１ａを覆っていてもよい。この側面２１ａは、電極２Ｂの端部２１Ｂと向かい合う側面である。この場合、図８に例示するように、半導体３６の一部が、一方の電極２（例えば電極２Ａ）と半導体３６との間に入り込む。つまり、半導体３５は一対の電極２の間の溝Ｐ１において半導体３６の側面を覆っている。また半導体３５は溝Ｐ１において基板１に接触してもよい。
この構造においては、半導体３６の＋Ｚ側の表面（上面）、および、これに接する半導体３５の表面によるＰＮ接合部のみならず、半導体３６の側面、および、これに接する半導体３５の表面によるＰＮ接合部が形成される。前者のＰＮ接合部は、主としてＸＹ平面において広がり、後者のＰＮ接合部は、主としてＹＺ平面において広がる。
これらのＰＮ接合部に外光が入射すると、これらのＰＮ接合部において光が吸収されて、電子および正孔が生成される。電子はｎ型の半導体３６を経由して電極２へと流れ、正孔はｐ型の半導体３５を介して電極２へと流れる。つまり、積層半導体３は光を吸収して発電する。これにより、一対の電極２の間に電流が流れる。なお、積層半導体３において、一対の電極２を繋ぐ電流経路上に、半導体３５，３６が介在することになる。
このような太陽電池モジュール１００Ａは、基板１に複数の電極２を形成した後で、積層半導体３を形成することによって、製造される。つまり、太陽電池モジュール１００Ａにおいても、電極２は積層半導体３の上に形成される必要がない。よって、電極２の形成条件についての制約が少なく、高品質に電極２を形成できる。また、電極２を積層半導体３の上に形成しなければ、たとえ積層半導体３の内部に欠陥が存在していたとしても、その欠陥に電極材料が入り込むことがなく、これに起因した電極２同士の短絡を回避することができる。
また図８の例においては、一対の電極２の間の溝Ｐ１において、半導体３６の側面によるＰＮ接合部が形成されている。よって、この一対の電極２の間の領域においても、積層半導体３は光電変換を行うことができる。したがって、太陽電池モジュール１００の発電効率を向上することができる。
以下、半導体３５，３６の具体例について述べる。例えば半導体３５，３６は化合物半導体であってもよい。
＜I-III-VI族化合物＞
半導体３５としては、例えば、カルコパイライト系の化合物半導体であるＩ−III−VI族化合物半導体等が採用され得る。I−III−VI族化合物半導体とは、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体である。なお、Ｉ−III−VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がＩ−III−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含むことを言う。Ｉ−III−VI族化合物は、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素とも言う）とIII−Ｂ族元素（１３族元素とも言う）とVI−Ｂ族元素（１６族元素とも言う）とを主に含む化合物である。
I−III−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2（ＣＩＧＳＳとも言う）およびＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳとも言う）等が採用され得る。なお、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2は、ＣｕとＩｎとＧａとＳｅとを主に含む化合物である。また、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）2は、ＣｕとＩｎとＧａとＳｅとＳとを主に含む化合物である。
半導体３５は、スパッタリング法または蒸着法等といった真空プロセスによって形成され得る。また、半導体３５は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成され得る。
半導体３６は例えば化合物半導体であってよい。具体的には、半導体３６は、例えば、硫化インジウム(III)（Ｉｎ２Ｓ３）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）または酸化物半導体であってもよい。酸化物半導体としては、酸化チタン(IV)（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム(III)（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化スズ(IV)（ＳｎＯ２）、または、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を採用できる。この半導体３６は、化学浴槽堆積（ＣＢＤ）法またはスパッタリング法などによって形成され得る。
積層半導体３の厚みは、例えば、１０［ｎｍ］〜３００［ｎｍ］に設定され得る。
＜II-VI族化合物＞
半導体３５としては、例えば、II-VI族化合物半導体等が採用され得る。II−VI族化合物半導体とは、II−VI族化合物を主に含む半導体である。なお、II−VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がII−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含むことを言う。II-VI族化合物は、ＩＩ族元素（２族元素または１２族元素とも言う）とVI−Ｂ族元素（１６族元素とも言う）とを主に含む化合物である。II-VI族化合物としては、例えばテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）等が採用され得る。この半導体３５は例えば蒸着法などによって形成され得る。
半導体３６は、例えば化合物半導体であってよい。具体的に、半導体３６としては、例えば硫化カドミウム（ＣｄＳ）等が採用され得る。この半導体３６は例えば化学浴槽堆積（ＣＢＤ）法またはスパッタリング法などによって形成され得る。
積層半導体３の厚みは、例えば、１０［ｎｍ］〜３００［ｎｍ］に設定され得る。
なお、化合物半導体としては、上記の他に、III-V族化合物半導体またはII-IV-V族化合物半導体を採用しても構わない。
また、積層半導体３は上述の構成に限らない。要するに、光を吸収して発電できる任意の構成を積層半導体３に採用すればよい。どのような積層半導体３を採用したとしても、本太陽電池モジュール１００によれば、電極２を積層半導体３の上に形成する必要がないので、電極２を高品質に形成できるからである。
以上のように、太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない多数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
１ 基板
２ 電極
２１Ａ，２１Ｂ 端部
２１ａ，２１ｂ 側面
３ 積層半導体
３１，３２，３３，３５，３６ 半導体
４ 封止層
５ カバー板
Ｓ１〜Ｓ４ ステップ

Claims (10)

  1. 基板と、
    前記基板の上に位置し、互いに離間する第１および第２の電極と、
    前記第１の電極の上から前記第２の電極の上までの領域に位置する第１の積層半導体と
    を備え、
    前記第１の積層半導体は、
    前記第１の電極の上に位置する第１導電型の第１半導体と、
    前記第２の電極の上に位置する、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体と
    を有する、太陽電池モジュール。
  2. 前記第１半導体は、前記第１の電極の側面のうち前記第２の電極と向かい合う側面を覆っており、
    前記第２半導体は、前記第２の電極の側面のうち前記第１の電極と向かい合う側面を覆っている、請求項１に記載の太陽電池モジュール。
  3. 前記第１の積層半導体は、ｉ型の第３半導体を更に備え、
    前記第１半導体と前記第２半導体とは互いに離間しており、
    前記第３半導体は、前記第１半導体の上から前記第２半導体の上までの領域、および、前記第１半導体と前記第２半導体との間の領域に位置する、請求項２に記載の太陽電池モジュール。
  4. 前記基板の上において、前記第１および前記第２の電極と共に、相互に間隔を空けて並ぶ第３から第（Ｎ＋１）（Ｎは２以上の整数）の電極と、
    前記第１の積層半導体と共に、相互に間隔を空けて並ぶ第２から第Ｎの積層半導体と
    を備え、
    第ｋ（ｋは１，・・・，Ｎ）の積層半導体は、第ｋの電極のうち第（ｋ＋１）の電極側の第１端部の上から、第（ｋ＋１）の電極のうち第ｋの電極側の第２端部の上までの領域に位置しており、
    前記第１半導体は前記第１の電極の前記第１端部の上に位置し、
    前記第２半導体は前記第２の電極の前記第２端部の上に位置し、
    第ｋ（ｋは２，・・・，Ｎ）の積層半導体は、
    前記第ｋの電極の前記第１端部の上に位置する第１導電型の半導体と、
    前記第（ｋ＋１）の電極の前記第２端部の上に位置する、第１導電型とは異なる第２導電型の半導体と
    を有する、請求項１から請求項３のいずれか一つに記載の太陽電池モジュール。
  5. 前記第１の積層半導体の上に位置する封止層と、
    前記封止層の上に位置するカバー板と
    を備え、
    前記基板の前記第１および前記第２の電極側の表面の表面粗さは、前記カバー板の表面粗さよりも小さい、請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の太陽電池モジュール。
  6. 前記基板、前記第１および前記２の電極は透光性を有しており、
    前記基板は、前記第１および前記２の電極に対して、外光の入射側に位置している、請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の太陽電池モジュール。
  7. 前記基板は、前記第１および前記第２の電極に対して、外光の入射側とは反対側に位置している、請求項１から請求項５のいずれか一つに記載の太陽電池モジュール。
  8. 前記基板は反射基板である、請求項７に記載の太陽電池モジュール。
  9. 前記第１および前記第２の電極の各々は反射電極である、請求項７または請求項８に記載の太陽電池モジュール。
  10. 請求項１から請求項９のいずれか一つに記載の太陽電池モジュールを製造する方法であって、
    前記第１および前記第２の電極を前記基板の上に形成する第１工程と、
    前記第１工程の後に、前記第１の電極の上から、前記第２の電極の上までの領域に、前記第１の積層半導体を形成する第２工程と
    を備える、太陽電池モジュールの製造方法。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100101633A1 (en) * 2008-10-23 2010-04-29 Min Park Photovoltaic device and method for manufacturing the same
US20100154876A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Stmicroelectronics S.R.L. Modular interdigitated back contact photovoltaic cell structure on opaque substrate and fabrication process
JP2014067921A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Toshiba Corp 太陽電池モジュール
US20160005899A1 (en) * 2013-03-12 2016-01-07 Korea Institute Of Energy Research Solar cell having rear buffer layer and method of manufacturing the same

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100101633A1 (en) * 2008-10-23 2010-04-29 Min Park Photovoltaic device and method for manufacturing the same
US20100154876A1 (en) * 2008-12-19 2010-06-24 Stmicroelectronics S.R.L. Modular interdigitated back contact photovoltaic cell structure on opaque substrate and fabrication process
JP2014067921A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Toshiba Corp 太陽電池モジュール
US20160005899A1 (en) * 2013-03-12 2016-01-07 Korea Institute Of Energy Research Solar cell having rear buffer layer and method of manufacturing the same

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