JP2018028600A - Data correction apparatus, drawing apparatus, data correction method, drawing method and program - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent pattern elements from combined to each other caused by etching correction.SOLUTION: An input reception section 213 of a data correction apparatus 21 receives an input of etching characteristics showing a relationship between a gap width between pattern elements shown by design data and a gap correction amount being an amount narrowing the gap width as etching correction. An etching characteristic correction section 212 corrects the gap correction amount of the etching characteristics so that the respective gap widths in the etching characteristics become larger than the corresponding gap correction amount, and acquires the corrected etching characteristics. A data correction section 217 corrects the design data based on the corrected etching characteristics. Thereby, on an object, the pattern elements to be formed so as to be separated from each other can be prevented from combined to each other caused by the etching correction.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正する技術、および、対象物上にパターンを描画する技術に関する。   The present invention relates to a technique for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and a technique for drawing a pattern on the object.

従来、プリント基板の製造工程では、樹脂等の絶縁性材料にて形成された基板に対して様々な処理が施される。例えば、基板の表面上に銅等の膜を形成し、当該膜上にレジストのパターンを形成し、さらにエッチングを施すことにより、基板上に配線パターンが形成される。エッチングでは、パターン配置の粗密等により、基板上に形成されたパターンの形状が設計データと異なる場合がある。   Conventionally, in a printed circuit board manufacturing process, various treatments are performed on a substrate formed of an insulating material such as a resin. For example, a wiring pattern is formed on the substrate by forming a film of copper or the like on the surface of the substrate, forming a resist pattern on the film, and further performing etching. In etching, the shape of the pattern formed on the substrate may differ from the design data due to the density of the pattern arrangement.

特許文献１では、電子線直描装置にて基板上にレジストパターンを形成し、プラズマエッチング装置にてエッチングを行うことによりパターンを形成する技術が開示されている。また、パターンの設計データから電子線直描用データを生成する処理に、マイクロローディング効果によるエッチング後のパターンサイズの変化を補正する処理を含めることが提案されている。   Patent Document 1 discloses a technique for forming a pattern by forming a resist pattern on a substrate with an electron beam direct drawing apparatus and performing etching with a plasma etching apparatus. In addition, it has been proposed to include processing for correcting a change in pattern size after etching due to a microloading effect in processing for generating electron beam direct drawing data from pattern design data.

特許文献２では、エッチング後の基板の画像データと設計データとを用いて、所望のエッチング後基板を得るために設計データをいかに補正する必要があるかを示すリサイジングルールを生成することが提案されている。   In Patent Document 2, it is proposed to generate resizing rules indicating how design data needs to be corrected in order to obtain a desired post-etched substrate using image data and design data of the substrate after etching. Has been.

特許文献３では、フォトマスクを作製する際に、パターン間のスペース（距離）ごとに、オーバーエッチングを補正するための補正値を指定する方法が開示されている。また、直線パターンと円弧パターンとが対向する場合、当該対向する部位に更なる補正を加えることが提案されている。   Patent Document 3 discloses a method of designating a correction value for correcting over-etching for each space (distance) between patterns when manufacturing a photomask. Moreover, when a linear pattern and a circular arc pattern oppose, it is proposed to add the further correction | amendment to the said opposing part.

特許文献４では、導体パターンの設計データからサイドエッチングを考慮しつつアウトライン形状（導体パターンの外形形状）を作成する際に、隣接するアウトライン形状間の距離に基づいて補正値を設定する技術が開示されている。   Patent Document 4 discloses a technique for setting a correction value based on a distance between adjacent outline shapes when creating an outline shape (outer shape of a conductor pattern) from the design data of the conductor pattern in consideration of side etching. Has been.

特許文献５では、基板の複数の基準位置にそれぞれ対応する複数のエッチング特性を準備し、基板上の各分割領域と複数の基準位置との位置関係に基づいて各分割領域の領域エッチング特性を求めることにより、各分割領域に対応する分割データのエッチング補正を精度良く行う手法が開示されている。   In Patent Document 5, a plurality of etching characteristics respectively corresponding to a plurality of reference positions on a substrate are prepared, and area etching characteristics of each divided area are obtained based on a positional relationship between each divided area on the substrate and a plurality of reference positions. Thus, a technique for accurately performing etching correction of divided data corresponding to each divided region is disclosed.

特許第３０７４６７５号公報Japanese Patent No. 3074675 特許第４２７４７８４号公報Japanese Patent No. 4274784 特開２００８−１３４５１２号公報JP 2008-134512 A 特開２０１３−１２５６２号公報JP 2013-12562 A 特開２０１６−２５２９５号公報JP 2016-25295 A

特許文献５のように、パターン要素間のギャップ幅と補正量との関係を示すエッチング特性を用いて設計データの補正（エッチング補正）を行う場合、当該エッチング特性を予め取得する必要がある。エッチング特性の取得の一例では、まず、マスクパターンであるレジストパターンを形成した基板が準備される。レジストパターンは、互いに異なる複数のギャップ幅のパターン要素群を含む。そして、当該基板にエッチングを施し、形成されたパターンにおけるパターン要素間の幅等が測定される。これにより、エッチング特性が取得される。   When the design data is corrected (etching correction) using the etching characteristic indicating the relationship between the gap width between the pattern elements and the correction amount as in Patent Document 5, it is necessary to obtain the etching characteristic in advance. In an example of obtaining etching characteristics, first, a substrate on which a resist pattern that is a mask pattern is formed is prepared. The resist pattern includes a plurality of pattern element groups having different gap widths. And the said board | substrate is etched and the width | variety etc. between the pattern elements in the formed pattern are measured. Thereby, an etching characteristic is acquired.

ところが、基板上において小さいギャップ幅に対応する部分では、パターン要素間の幅を正確に測定することができない場合がある。この場合、エッチング特性において、小さいギャップ幅に対応する補正量が存在しなくなるため、他の補正量に基づいて外挿することが考えられる。しかしながら、外挿される補正量によっては、エッチング補正により、基板上において離間して形成されるべきパターン要素同士が結合（癒着と捉えることもできる。）してしまう。   However, there is a case where the width between the pattern elements cannot be accurately measured in a portion corresponding to a small gap width on the substrate. In this case, in the etching characteristics, there is no correction amount corresponding to a small gap width, so it is conceivable to extrapolate based on another correction amount. However, depending on the extrapolated correction amount, the pattern elements that should be formed apart from each other on the substrate are combined (can be regarded as adhesion) due to the etching correction.

本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、離間して形成されるべきパターン要素同士が、エッチング補正に起因して結合することを防止することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to prevent pattern elements to be formed apart from each other due to etching correction.

請求項１に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正装置であって、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、前記設計データが示すパターン要素間のギャップ幅と、エッチング補正として前記ギャップ幅を狭める量であるギャップ補正量との関係を示すエッチング特性の入力を受け付ける入力受付部と、前記エッチング特性における各ギャップ幅が、対応するギャップ補正量よりも大きくなるように前記エッチング特性のギャップ補正量を修正して、修正済みエッチング特性を取得するエッチング特性修正部と、前記修正済みエッチング特性に基づいて、前記設計データを補正するデータ補正部とを備える。   The invention according to claim 1 is a data correction apparatus for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and stores design data of a pattern formed by etching on the object. A storage unit; an input receiving unit that receives an input of an etching characteristic indicating a relationship between a gap width between pattern elements indicated by the design data; and a gap correction amount that is an amount for narrowing the gap width as an etching correction; and the etching characteristic An etching characteristic correcting unit that acquires the corrected etching characteristic by correcting the gap correction amount of the etching characteristic so that each gap width is larger than the corresponding gap correction amount, and based on the corrected etching characteristic And a data correction unit for correcting the design data.

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のデータ補正装置であって、前記対象物上にエッチングによりパターンを形成するパターン形成システムにおいて、前記対象物上に形成可能なレジストパターンの最小のギャップ幅が最小設定幅として予め定められており、前記修正済みエッチング特性における各ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が、前記最小設定幅以上である。   The invention according to claim 2 is the data correction apparatus according to claim 1, wherein in the pattern forming system for forming a pattern on the object by etching, the minimum resist pattern that can be formed on the object The gap width is determined in advance as a minimum set width, and the difference between each gap width in the corrected etching characteristics and the corresponding gap correction amount is equal to or greater than the minimum set width.

請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載のデータ補正装置であって、前記エッチング特性において前記エッチング特性修正部によりギャップ補正量が修正されるギャップ幅の範囲を修正範囲として、前記修正済みエッチング特性の前記修正範囲が、各ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が一定である範囲、または、ギャップ幅の減少に従って前記差が漸次減少する範囲を含む。   A third aspect of the present invention is the data correction apparatus according to the first or second aspect, wherein a gap width range in which the gap correction amount is corrected by the etching characteristic correction unit in the etching characteristic is set as a correction range. The correction range of the corrected etching characteristics includes a range in which a difference between each gap width and a corresponding gap correction amount is constant, or a range in which the difference gradually decreases as the gap width decreases.

請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載のデータ補正装置であって、前記修正済みエッチング特性が、ギャップ補正量が０となるギャップ幅未満の範囲において、エッチング補正として前記設計データにおけるギャップ幅を広げるギャップ補正量を示す。   A fourth aspect of the present invention is the data correction apparatus according to any one of the first to third aspects, wherein the corrected etching characteristic is within a range less than a gap width where the gap correction amount is zero. Is a gap correction amount for widening the gap width in the design data.

請求項５に記載の発明は、対象物上にパターンを描画する描画装置であって、請求項１ないし４のいずれかに記載のデータ補正装置と、光源と、前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて前記光源からの光を変調する光変調部と、前記光変調部により変調された光を対象物上にて走査する走査機構とを備える。   The invention according to claim 5 is a drawing device for drawing a pattern on an object, and is corrected by the data correction device according to any one of claims 1 to 4, the light source, and the data correction device. An optical modulation unit that modulates light from the light source based on design data, and a scanning mechanism that scans light modulated by the optical modulation unit on an object.

請求項６に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正方法であって、ａ）対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、ｂ）前記設計データが示すパターン要素間のギャップ幅と、エッチング補正として前記ギャップ幅を狭める量であるギャップ補正量との関係を示すエッチング特性を準備する工程と、ｃ）前記エッチング特性における各ギャップ幅が、対応するギャップ補正量よりも大きくなるように前記エッチング特性のギャップ補正量を修正して、修正済みエッチング特性を取得する工程と、ｄ）前記修正済みエッチング特性に基づいて、前記設計データを補正する工程とを備える。   The invention according to claim 6 is a data correction method for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and a) preparing design data of a pattern formed by etching on the object. And b) preparing an etching characteristic indicating a relationship between a gap width between pattern elements indicated by the design data and a gap correction amount which is an amount for narrowing the gap width as an etching correction, and c) the etching characteristic. Correcting the etching characteristic gap correction amount so that each gap width is larger than the corresponding gap correction amount to obtain a corrected etching characteristic; and d) based on the corrected etching characteristic, Correcting the design data.

請求項７に記載の発明は、請求項６に記載のデータ補正方法であって、前記対象物上にエッチングによりパターンを形成するパターン形成システムにおいて、前記対象物上に形成可能なレジストパターンの最小のギャップ幅が最小設定幅として予め定められており、前記修正済みエッチング特性における各ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が、前記最小設定幅以上である。   A seventh aspect of the present invention is the data correction method according to the sixth aspect, wherein in the pattern forming system for forming a pattern on the object by etching, the minimum resist pattern that can be formed on the object. The gap width is determined in advance as a minimum set width, and the difference between each gap width in the corrected etching characteristics and the corresponding gap correction amount is equal to or greater than the minimum set width.

請求項８に記載の発明は、請求項６または７に記載のデータ補正方法であって、前記エッチング特性において前記ｃ）工程にてギャップ補正量が修正されるギャップ幅の範囲を修正範囲として、前記修正済みエッチング特性の前記修正範囲が、各ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が一定である範囲、または、ギャップ幅の減少に従って前記差が漸次減少する範囲を含む。   The invention according to claim 8 is the data correction method according to claim 6 or 7, wherein in the etching characteristics, a gap width range in which the gap correction amount is corrected in the step c) is set as a correction range. The correction range of the corrected etching characteristics includes a range in which a difference between each gap width and a corresponding gap correction amount is constant, or a range in which the difference gradually decreases as the gap width decreases.

請求項９に記載の発明は、請求項６ないし８のいずれかに記載のデータ補正方法であって、前記修正済みエッチング特性が、ギャップ補正量が０となるギャップ幅未満の範囲において、エッチング補正として前記設計データにおけるギャップ幅を広げるギャップ補正量を示す。   A ninth aspect of the present invention is the data correction method according to any one of the sixth to eighth aspects, wherein the corrected etching characteristic is within a range less than a gap width where the gap correction amount is zero. Is a gap correction amount for widening the gap width in the design data.

請求項１０に記載の発明は、対象物上にパターンを描画する描画方法であって、請求項６ないし９のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、補正された前記設計データに基づいて変調された光を対象物上にて走査する工程とを備える。   The invention described in claim 10 is a drawing method for drawing a pattern on an object, the step of correcting design data by the data correction method according to any one of claims 6 to 9, and the corrected Scanning light modulated on the basis of the design data on the object.

請求項１１に記載の発明は、対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、ａ）対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、ｂ）前記設計データが示すパターン要素間のギャップ幅と、エッチング補正として前記ギャップ幅を狭める量であるギャップ補正量との関係を示すエッチング特性を準備する工程と、ｃ）前記エッチング特性における各ギャップ幅が、対応するギャップ補正量よりも大きくなるように前記エッチング特性のギャップ補正量を修正して、修正済みエッチング特性を取得する工程と、ｄ）前記修正済みエッチング特性に基づいて、前記設計データを補正する工程とを実行させる。   The invention described in claim 11 is a program for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and the execution of the program by the computer is performed on the computer by a) etching on the object. A step of preparing design data of a pattern to be formed; and b) an etching characteristic indicating a relationship between a gap width between pattern elements indicated by the design data and a gap correction amount which is an amount for narrowing the gap width as an etching correction. And c) correcting the gap correction amount of the etching characteristic so that each gap width in the etching characteristic is larger than the corresponding gap correction amount to obtain a corrected etching characteristic; d And a step of correcting the design data based on the corrected etching characteristics. To row.

本発明によれば、対象物上において、離間して形成されるべきパターン要素同士が、エッチング補正に起因して結合することを防止することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can prevent that the pattern elements which should be formed spaced apart on a target object couple | bond together due to etching correction | amendment.

パターン形成システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of a pattern formation system. 描画装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a drawing apparatus. データ処理装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of a data processor. データ処理装置の機能を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the function of a data processor. 描画装置による描画の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of drawing by a drawing apparatus. テストパターンが描画されたテスト基板を示す図である。It is a figure which shows the test board | substrate with which the test pattern was drawn. 特性取得用パターンの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of pattern for characteristic acquisition. 測定パターンの一部を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows a part of measurement pattern. エッチング特性を示す図である。It is a figure which shows an etching characteristic. エッチング特性を示す図である。It is a figure which shows an etching characteristic. エッチング特性を示す図である。It is a figure which shows an etching characteristic. エッチング特性の修正を説明するための図である。It is a figure for demonstrating correction of an etching characteristic. 修正済みエッチング特性を示す図である。It is a figure which shows the corrected etching characteristic. 修正済みエッチング特性を示す図である。It is a figure which shows the corrected etching characteristic. 設計データが示す設計パターンを示す図である。It is a figure which shows the design pattern which design data shows. 補正済み設計データが示すパターンの一部を示す図である。It is a figure which shows a part of pattern which the corrected design data shows. 比較例の処理により取得される補正済み設計データが示すパターンの一部を示す図である。It is a figure which shows a part of pattern which the correction | amendment design data acquired by the process of a comparative example shows. 修正済みエッチング特性を示す図である。It is a figure which shows the corrected etching characteristic.

図１は、本発明の一の実施の形態に係るパターン形成システム１０の構成を示すブロック図である。パターン形成システム１０は、基板上に配線パターン等のパターンをエッチングにより形成するシステムである。パターン形成システム１０は、描画装置１１と、現像装置１２と、エッチング装置１３と、レジスト剥離装置１４とを備える。図１中に破線の矩形にて示す検査装置１５については、後述する。   FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a pattern forming system 10 according to an embodiment of the present invention. The pattern forming system 10 is a system that forms a pattern such as a wiring pattern on a substrate by etching. The pattern forming system 10 includes a drawing device 11, a developing device 12, an etching device 13, and a resist stripping device 14. The inspection device 15 indicated by a broken-line rectangle in FIG. 1 will be described later.

パターン形成システム１０には、例えば樹脂等の絶縁性材料にて形成される基板が搬入される。基板の表面には銅等の導電性材料の膜（以下、「導電膜」という。）が設けられ、導電膜上には感光材料であるレジスト膜が設けられる。描画装置１１は、いわゆる直描装置であり、基板上のレジスト膜に光を照射することにより、レジスト膜に回路パターン等の画像を直接的に描画する。描画装置１１の詳細については後述する。   For example, a substrate formed of an insulating material such as resin is carried into the pattern forming system 10. A film of a conductive material such as copper (hereinafter referred to as “conductive film”) is provided on the surface of the substrate, and a resist film that is a photosensitive material is provided on the conductive film. The drawing device 11 is a so-called direct drawing device and directly draws an image such as a circuit pattern on the resist film by irradiating the resist film on the substrate with light. Details of the drawing apparatus 11 will be described later.

描画装置１１によりパターンが描画された基板は、現像装置１２においてレジスト膜が現像され、基板上にレジストパターンが形成される。続いて、エッチング装置１３において、基板上の導電膜に対してエッチングが施される。基板に対するエッチングは、例えば、基板に対してエッチング液を付与することにより行われるウェットエッチングである。エッチング装置１３では、プラズマ等を利用したドライエッチング等が行われてもよい。レジスト剥離装置１４では、基板上に残存するレジストが除去される。これにより、基板上に導電性材料のパターンが形成される。パターンが形成された基板は、例えばプリント基板の製造に用いられる。なお、現像、エッチングおよびレジスト剥離は、１つの基板処理装置により行われてもよい。   On the substrate on which the pattern is drawn by the drawing device 11, the resist film is developed by the developing device 12, and a resist pattern is formed on the substrate. Subsequently, in the etching apparatus 13, the conductive film on the substrate is etched. Etching of the substrate is, for example, wet etching performed by applying an etching solution to the substrate. In the etching apparatus 13, dry etching using plasma or the like may be performed. In the resist stripping device 14, the resist remaining on the substrate is removed. Thereby, a pattern of a conductive material is formed on the substrate. The board | substrate with which the pattern was formed is used for manufacture of a printed circuit board, for example. Note that development, etching, and resist stripping may be performed by a single substrate processing apparatus.

図２は、描画装置１１の構成を示す図である。描画装置１１は、データ処理装置２と、露光装置３とを備える。データ処理装置２は、基板９上に描画されるパターンの設計データを補正し、描画データを生成する。露光装置３は、データ処理装置２から送られた描画データに基づいて基板９に対する描画（すなわち、露光）を行う。データ処理装置２と露光装置３とは、両装置間のデータの授受が可能であれば、物理的に離間していてもよく、もちろん、一体的に設けられてもよい。   FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of the drawing apparatus 11. The drawing device 11 includes a data processing device 2 and an exposure device 3. The data processing device 2 corrects the design data of the pattern drawn on the substrate 9 and generates drawing data. The exposure apparatus 3 performs drawing (that is, exposure) on the substrate 9 based on the drawing data sent from the data processing apparatus 2. The data processing device 2 and the exposure device 3 may be physically separated as long as data can be exchanged between the two devices, or may be provided integrally.

図３は、データ処理装置２の構成を示す図である。データ処理装置２は、各種演算処理を行うＣＰＵ２０１と、基本プログラムを記憶するＲＯＭ２０２と、各種情報を記憶するＲＡＭ２０３とを含む一般的なコンピュータシステムの構成となっている。データ処理装置２は、情報記憶を行う固定ディスク２０４と、画像等の各種情報の表示を行うディスプレイ２０５と、操作者からの入力を受け付けるキーボード２０６ａおよびマウス２０６ｂと、光ディスク、磁気ディスク、光磁気ディスク等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体８から情報の読み取りおよび書き込みを行う読取／書込装置２０７と、描画装置１１の他の構成等との間で信号を送受信する通信部２０８とをさらに含む。   FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the data processing device 2. The data processing device 2 has a general computer system configuration including a CPU 201 that performs various arithmetic processes, a ROM 202 that stores basic programs, and a RAM 203 that stores various information. The data processing apparatus 2 includes a fixed disk 204 that stores information, a display 205 that displays various information such as images, a keyboard 206a and a mouse 206b that receive input from an operator, an optical disk, a magnetic disk, and a magneto-optical disk. A reading / writing device 207 that reads and writes information from the computer-readable recording medium 8 and the like, and a communication unit 208 that transmits and receives signals to and from other components of the drawing device 11.

データ処理装置２では、事前に読取／書込装置２０７を介して記録媒体８からプログラム８０が読み出されて固定ディスク２０４に記憶されている。ＣＰＵ２０１は、プログラム８０に従ってＲＡＭ２０３や固定ディスク２０４を利用しつつ演算処理を実行することにより（すなわち、コンピュータがプログラムを実行することにより）、後述の機能を実現する。   In the data processing device 2, the program 80 is read in advance from the recording medium 8 via the reading / writing device 207 and stored in the fixed disk 204. The CPU 201 implements the functions described later by executing arithmetic processing while using the RAM 203 and the fixed disk 204 according to the program 80 (that is, when the computer executes the program).

図４は、データ処理装置２の機能を示すブロック図である。図４では、データ処理装置２に接続される露光装置３の構成の一部（描画コントローラ３１）を併せて示す。データ処理装置２は、データ補正装置２１と、データ変換部２２とを備える。データ補正装置２１は、基板９上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正する。データ補正装置２１は、設計データ記憶部２１１と、エッチング特性修正部２１２と、入力受付部２１３と、データ補正部２１７とを備える。データ変換部２２には、データ補正装置２１により補正された設計データ（以下、「補正済み設計データ」という。）が入力される。補正済み設計データは、通常、ポリゴン等のベクトルデータである。データ変換部２２は、ベクトルデータである補正済み設計データをラスタデータである描画データに変換する。データ処理装置２の機能は専用の電気的回路により実現されてもよく、部分的に専用の電気的回路が用いられてもよい。   FIG. 4 is a block diagram illustrating functions of the data processing device 2. FIG. 4 also shows a part of the configuration of the exposure apparatus 3 connected to the data processing apparatus 2 (the drawing controller 31). The data processing device 2 includes a data correction device 21 and a data conversion unit 22. The data correction device 21 corrects design data of a pattern formed on the substrate 9 by etching. The data correction device 21 includes a design data storage unit 211, an etching characteristic correction unit 212, an input reception unit 213, and a data correction unit 217. The data conversion unit 22 receives design data corrected by the data correction device 21 (hereinafter referred to as “corrected design data”). The corrected design data is usually vector data such as polygons. The data converter 22 converts the corrected design data that is vector data into drawing data that is raster data. The function of the data processing device 2 may be realized by a dedicated electrical circuit, or a dedicated electrical circuit may be partially used.

図２に示すように、露光装置３は、描画コントローラ３１と、ステージ３２と、光出射部３３と、走査機構３５とを備える。描画コントローラ３１は、光出射部３３および走査機構３５を制御する。ステージ３２は、光出射部３３の下方にて基板９を保持する。光出射部３３は、光源３３１と、光変調部３３２とを備える。光源３３１は、光変調部３３２に向けてレーザ光を出射する。光変調部３３２は、光源３３１からの光を変調する。光変調部３３２により変調された光は、ステージ３２上の基板９に照射される。光変調部３３２としては、例えば、複数の光変調素子が二次元に配列されたＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）等が利用される。光変調部３３２は、複数の光変調素子が一次元に配列された変調器等であってもよい。   As shown in FIG. 2, the exposure apparatus 3 includes a drawing controller 31, a stage 32, a light emitting unit 33, and a scanning mechanism 35. The drawing controller 31 controls the light emitting unit 33 and the scanning mechanism 35. The stage 32 holds the substrate 9 below the light emitting unit 33. The light emitting unit 33 includes a light source 331 and a light modulating unit 332. The light source 331 emits laser light toward the light modulation unit 332. The light modulator 332 modulates light from the light source 331. The light modulated by the light modulation unit 332 is irradiated onto the substrate 9 on the stage 32. For example, a DMD (digital mirror device) in which a plurality of light modulation elements are two-dimensionally arranged is used as the light modulation unit 332. The light modulation unit 332 may be a modulator or the like in which a plurality of light modulation elements are arranged one-dimensionally.

走査機構３５は、ステージ３２を水平方向に移動する。具体的には、走査機構３５により、ステージ３２が主走査方向、および、主走査方向に垂直な副走査方向に移動される。これにより、光変調部３３２により変調された光が、基板９上にて主走査方向および副走査方向に走査される。露光装置３では、ステージ３２を水平に回転する回転機構が設けられてもよい。また、光出射部３３を上下方向に移動する昇降機構が設けられてもよい。走査機構３５は、光出射部３３からの光を基板９上にて走査することができるのであれば、必ずしもステージ３２を移動する機構である必要はない。例えば、走査機構３５により、光出射部３３がステージ３２の上方にて主走査方向および副走査方向に移動されてもよい。   The scanning mechanism 35 moves the stage 32 in the horizontal direction. Specifically, the stage 32 is moved by the scanning mechanism 35 in the main scanning direction and the sub-scanning direction perpendicular to the main scanning direction. As a result, the light modulated by the light modulator 332 is scanned on the substrate 9 in the main scanning direction and the sub-scanning direction. In the exposure apparatus 3, a rotation mechanism that rotates the stage 32 horizontally may be provided. In addition, an elevating mechanism that moves the light emitting unit 33 in the vertical direction may be provided. The scanning mechanism 35 is not necessarily a mechanism that moves the stage 32 as long as the light from the light emitting unit 33 can be scanned on the substrate 9. For example, the light emitting unit 33 may be moved above the stage 32 by the scanning mechanism 35 in the main scanning direction and the sub scanning direction.

次に、図５を参照しつつ、描画装置１１による描画の流れについて説明する。まず、一の主面上にレジスト膜が形成されたテスト用の基板（後述のステップＳ１６における描画が行われる基板９と同じ形状および大きさであり、以下、「テスト基板」という。）に対して、露光装置３により所定のテストパターンが描画される。   Next, the flow of drawing by the drawing apparatus 11 will be described with reference to FIG. First, for a test substrate (having the same shape and size as a substrate 9 on which drawing is performed in step S16 described later, hereinafter referred to as a “test substrate”) having a resist film formed on one main surface. Thus, a predetermined test pattern is drawn by the exposure device 3.

図６は、露光装置３によりテストパターン９３が描画されたテスト基板９ａを示す図である。実際には、テスト基板９ａ上のテストパターン９３は、現像を行うことによりレジストパターンとして視認可能となる。ここでは、図６のテストパターン９３の各パターン要素の位置、形状、大きさが、テストパターン用の設計データ（以下、「テストパターンデータ」という。）が示すパターンと厳密に一致するものとする。すなわち、図６のテストパターン９３は、テストパターンデータが示すパターンそのものでもある。図６のテスト基板９ａは矩形であり、図６では、テスト基板９ａにおいて互いに直交する２つの辺に沿う方向をα方向およびβ方向として示す。   FIG. 6 is a view showing the test substrate 9 a on which the test pattern 93 is drawn by the exposure apparatus 3. Actually, the test pattern 93 on the test substrate 9a becomes visible as a resist pattern by performing development. Here, it is assumed that the position, shape, and size of each pattern element of the test pattern 93 in FIG. 6 exactly match the pattern indicated by the test pattern design data (hereinafter referred to as “test pattern data”). . That is, the test pattern 93 in FIG. 6 is also the pattern itself indicated by the test pattern data. The test board 9a in FIG. 6 is rectangular, and in FIG. 6, directions along two sides orthogonal to each other in the test board 9a are shown as an α direction and a β direction.

テストパターン９３は、複数の特性取得用パターン９５を含む。図６では、特性取得用パターン９５を矩形にて示す。各特性取得用パターン９５は、現像、エッチング、レジスト剥離等の処理により、後述の測定パターンを形成するための描画パターンである。図６の例では、複数の特性取得用パターン９５はα方向およびβ方向に一定のピッチにて配列される。各特性取得用パターン９５が配置される位置（例えば、当該パターンの中央）Ｐを「対象位置」と呼ぶと、テスト基板９ａ上には複数の対象位置Ｐが設定される。テスト基板９ａ上の対象位置Ｐの個数は、例えば、４個以上であり、好ましくは、９個以上である。各特性取得用パターン９５は、複数のパターン要素を含む。図６にて特性取得用パターン９５を示す矩形は、当該複数のパターン要素の全体を含むおよそ最小の矩形である。   The test pattern 93 includes a plurality of characteristic acquisition patterns 95. In FIG. 6, the characteristic acquisition pattern 95 is indicated by a rectangle. Each characteristic acquisition pattern 95 is a drawing pattern for forming a measurement pattern, which will be described later, by processing such as development, etching, and resist removal. In the example of FIG. 6, the plurality of characteristic acquisition patterns 95 are arranged at a constant pitch in the α direction and the β direction. When the position (for example, the center of the pattern) P where each characteristic acquisition pattern 95 is arranged is called a “target position”, a plurality of target positions P are set on the test substrate 9a. The number of target positions P on the test substrate 9a is, for example, 4 or more, and preferably 9 or more. Each characteristic acquisition pattern 95 includes a plurality of pattern elements. In FIG. 6, the rectangle indicating the characteristic acquisition pattern 95 is approximately the smallest rectangle including the entirety of the plurality of pattern elements.

図７は、特性取得用パターン９５の一部を拡大して示す図である。図７に示す例では、特性取得用パターン９５は、複数の設計パターン要素群９５１を含む。各設計パターン要素群９５１は、互いに平行におよそβ方向に延びる２本の略直線状の設計パターン要素９５２を含む。各設計パターン要素群９５１における２本の設計パターン要素９５２間のギャップ幅Ｇ（すなわち、２本の設計パターン要素９５２の長手方向に垂直なα方向における隙間の幅）は、他の設計パターン要素群９５１における２本の設計パターン要素９５２間のギャップ幅Ｇと異なる。以下の説明では、設計パターン要素群９５１におけるギャップ幅Ｇを「テストギャップ幅Ｇ」という。   FIG. 7 is an enlarged view showing a part of the characteristic acquisition pattern 95. In the example shown in FIG. 7, the characteristic acquisition pattern 95 includes a plurality of design pattern element groups 951. Each design pattern element group 951 includes two substantially linear design pattern elements 952 extending in parallel in the β direction. The gap width G between the two design pattern elements 952 in each design pattern element group 951 (that is, the width of the gap in the α direction perpendicular to the longitudinal direction of the two design pattern elements 952) is the other design pattern element group. It is different from the gap width G between the two design pattern elements 952 in 951. In the following description, the gap width G in the design pattern element group 951 is referred to as “test gap width G”.

現像装置１２によるテスト基板９ａに対する現像により、テストパターン９３を示すレジストパターンがテスト基板９ａ上に形成される。続いて、テスト基板９ａの導電膜に対して、当該レジストパターンをマスクとしてエッチング装置１３によりエッチングが行われる。その後、レジスト剥離装置１４によりレジスト剥離が行われることにより、複数の特性取得用パターン９５を示す複数の測定パターンがテスト基板９ａの主面に形成される。   By developing the test substrate 9a with the developing device 12, a resist pattern indicating the test pattern 93 is formed on the test substrate 9a. Subsequently, the conductive film of the test substrate 9a is etched by the etching apparatus 13 using the resist pattern as a mask. Thereafter, resist stripping is performed by the resist stripping device 14, whereby a plurality of measurement patterns indicating a plurality of characteristic acquisition patterns 95 are formed on the main surface of the test substrate 9a.

図８は、特性取得用パターン９５に対応する測定パターン９６の一部を拡大して示す図である。測定パターン９６は、複数の設計パターン要素群９５１をそれぞれ示す複数の実パターン要素群９５３を含む。図８では、１つの実パターン要素群９５３を拡大して示す。各実パターン要素群９５３は、２本の設計パターン要素９５２に対応する略直線状の２本の実パターン要素９５４を含む。実パターン要素９５４は、レジストパターンにおける設計パターン要素９５２の部位を利用してエッチングにより形成されるものである。図８では、設計パターン要素９５２の輪郭線を二点鎖線にて併せて示す。   FIG. 8 is an enlarged view showing a part of the measurement pattern 96 corresponding to the characteristic acquisition pattern 95. The measurement pattern 96 includes a plurality of actual pattern element groups 953 each indicating a plurality of design pattern element groups 951. In FIG. 8, one real pattern element group 953 is shown enlarged. Each actual pattern element group 953 includes two substantially linear actual pattern elements 954 corresponding to the two design pattern elements 952. The actual pattern element 954 is formed by etching using a portion of the design pattern element 952 in the resist pattern. In FIG. 8, the outline of the design pattern element 952 is also shown by a two-dot chain line.

ここで、各実パターン要素群９５３における２本の実パターン要素９５４間の隙間を形成する各実パターン要素９５４の辺（輪郭線の部位）と、当該辺に対応する設計パターン要素９５２の辺との間の距離（当該隙間を形成する輪郭線の部位に垂直な方向の距離）を、エッチング量Ｅと呼ぶ。エッチング量Ｅは、当該２本の実パターン要素９５４間の隙間における各設計パターン要素９５２の辺に対する実パターン要素９５４の辺の移動量（輪郭線の片側の細り量）を示す。エッチング量Ｅは、当該２本の実パターン要素９５４に対応する２本の設計パターン要素９５２間のテストギャップ幅Ｇに依存して変化する。   Here, the side of each real pattern element 954 (the part of the outline) that forms a gap between the two real pattern elements 954 in each real pattern element group 953, and the side of the design pattern element 952 corresponding to the side (The distance in the direction perpendicular to the contour line forming the gap) is called the etching amount E. The etching amount E indicates the amount of movement of the side of the actual pattern element 954 with respect to the side of each design pattern element 952 in the gap between the two actual pattern elements 954 (the thinning amount on one side of the contour line). The etching amount E changes depending on the test gap width G between the two design pattern elements 952 corresponding to the two actual pattern elements 954.

本処理例では、テストギャップ幅Ｇとエッチング量Ｅとの関係が、図１の検査装置１５により取得される。具体的には、検査装置１５においてテスト基板９ａを撮像して測定パターン９６の撮像画像が取得される。検査装置１５には、テストパターンデータが入力されており、撮像画像と、テストパターンデータとを比較することにより、各テストギャップ幅Ｇに対するエッチング量Ｅが取得される。   In the present processing example, the relationship between the test gap width G and the etching amount E is acquired by the inspection apparatus 15 in FIG. Specifically, the inspection device 15 captures an image of the test substrate 9 a and acquires a captured image of the measurement pattern 96. Test pattern data is input to the inspection device 15, and the etching amount E for each test gap width G is acquired by comparing the captured image with the test pattern data.

図９は、テストギャップ幅Ｇとエッチング量Ｅとの関係を示すエッチング特性を示す図である。図９では、複数のテストギャップ幅Ｇにおけるエッチング量Ｅを破線で結ぶことによりエッチング特性Ｌ０を示している。エッチング特性Ｌ０では、全体的な傾向としてテストギャップ幅Ｇが小さくなるに従ってエッチング量Ｅも漸次小さくなる。また、テストギャップ幅Ｇがある程度大きい範囲では、エッチング量Ｅはテストギャップ幅Ｇにおよそ正比例するが、テストギャップ幅Ｇが小さくなると、テストギャップ幅Ｇの減少に対してエッチング量Ｅが急激に減少する。換言すれば、テストギャップ幅Ｇが小さくなると、エッチング特性Ｌ０の傾きが大きくなる。エッチング特性Ｌ０は、エッチングカーブとも呼ばれる。なお、好ましい特性取得用パターン９５では、各テストギャップ幅Ｇの設計パターン要素群９５１が、３以上の設計パターン要素９５２を含み、エッチング特性を取得する際に、当該テストギャップ幅Ｇに対して多数のエッチング量Ｅの平均値等が算出される。   FIG. 9 is a diagram showing etching characteristics showing the relationship between the test gap width G and the etching amount E. In FIG. In FIG. 9, the etching characteristic L0 is shown by connecting the etching amounts E in a plurality of test gap widths G with broken lines. In the etching characteristic L0, the etching amount E gradually decreases as the test gap width G decreases as a general tendency. In the range where the test gap width G is large to some extent, the etching amount E is approximately proportional to the test gap width G. However, as the test gap width G decreases, the etching amount E decreases sharply with respect to the decrease in the test gap width G. To do. In other words, as the test gap width G decreases, the slope of the etching characteristic L0 increases. The etching characteristic L0 is also called an etching curve. In the preferred characteristic acquisition pattern 95, the design pattern element group 951 of each test gap width G includes three or more design pattern elements 952, and when acquiring etching characteristics, a large number of the test gap width G is obtained for the test gap width G. An average value of the etching amount E is calculated.

後述するように、エッチング特性は、基板９上に形成すべきパターンを示す設計データの補正（すなわち、エッチング補正）に利用される。また、テスト基板９ａのエッチングでは、既述のように、テストギャップ幅Ｇの設計パターン要素群９５１に対応するレジストパターンの部位をマスクとして用いることにより、当該テストギャップ幅Ｇにエッチング量Ｅの２倍（ギャップ幅の広がり量）を加えたギャップ幅の実パターン要素群９５３が形成される。したがって、本処理例では、実パターン要素群９５３のギャップ幅を目標ギャップ幅と捉えて、目標ギャップ幅と、目標ギャップ幅に対応する補正量との関係を示すエッチング特性Ｌ１（図９中にて実線にて示す。）が取得される。エッチング補正では、目標ギャップ幅は、設計データが示す設計パターン要素間のギャップ幅である。   As will be described later, the etching characteristics are used for correction of design data indicating a pattern to be formed on the substrate 9 (that is, etching correction). Further, in the etching of the test substrate 9a, as described above, the resist pattern portion corresponding to the design pattern element group 951 having the test gap width G is used as a mask, so that the etching amount E of 2 is added to the test gap width G. An actual pattern element group 953 having a gap width that is doubled (a gap width expansion amount) is formed. Therefore, in this processing example, the gap width of the actual pattern element group 953 is regarded as the target gap width, and the etching characteristics L1 (in FIG. 9) showing the relationship between the target gap width and the correction amount corresponding to the target gap width. (Shown by a solid line) is acquired. In the etching correction, the target gap width is a gap width between design pattern elements indicated by design data.

エッチング特性Ｌ１は、エッチング特性Ｌ０を変換することにより取得される。具体的には、エッチング特性Ｌ０における各エッチング量Ｅに対して、当該エッチング量Ｅのテストギャップ幅Ｇに、当該エッチング量Ｅの２倍を加えた値が目標ギャップ幅として対応付けられ、横軸に目標ギャップ幅を示すエッチング特性Ｌ１が取得される。エッチング特性Ｌ１におけるエッチング量（縦軸の値）は、基板９上に形成される実パターン要素間におけるギャップ幅を目標ギャップ幅とするための補正量であり、当該補正量は、設計パターン要素の片側の太らせ量、すなわち、目標ギャップ幅からの片側の細らせ量を示す。上記補正量の２倍をギャップ補正量と呼ぶと、エッチング特性Ｌ０，Ｌ１は、目標ギャップ幅と、エッチング補正として当該目標ギャップ幅を狭める量であるギャップ補正量との関係を実質的に示すといえる。エッチング特性は、目標ギャップ幅とギャップ補正量との関係を示すテーブル等であってもよい。   The etching characteristic L1 is obtained by converting the etching characteristic L0. Specifically, for each etching amount E in the etching characteristics L0, a value obtained by adding twice the etching amount E to the test gap width G of the etching amount E is associated as the target gap width, and the horizontal axis The etching characteristic L1 indicating the target gap width is acquired. The etching amount (value on the vertical axis) in the etching characteristics L1 is a correction amount for setting the gap width between the actual pattern elements formed on the substrate 9 as the target gap width. The amount of thinning on one side, that is, the amount of thinning on one side from the target gap width is shown. When twice the correction amount is called a gap correction amount, the etching characteristics L0 and L1 substantially indicate the relationship between the target gap width and the gap correction amount that is an amount for narrowing the target gap width as etching correction. I can say that. The etching characteristics may be a table indicating the relationship between the target gap width and the gap correction amount.

複数の特性取得用パターン９５では、テスト基板９ａ上における位置（すなわち、対象位置Ｐ）が異なるため、エッチング特性Ｌ１の形状や各目標ギャップ幅における補正量の大きさが互いに異なる。本処理例では、複数の特性取得用パターン９５から複数のエッチング特性がそれぞれ取得される。換言すると、複数の対象位置Ｐに対して個別にエッチング特性が取得される。複数の特性取得用パターン９５において、エッチング量Ｅが測定されるテストギャップ幅Ｇの大きさや個数が相違してもよい。   Since the plurality of characteristic acquisition patterns 95 have different positions on the test substrate 9a (that is, the target position P), the shape of the etching characteristic L1 and the correction amount in each target gap width are different from each other. In this processing example, a plurality of etching characteristics are acquired from the plurality of characteristic acquisition patterns 95, respectively. In other words, etching characteristics are individually acquired for a plurality of target positions P. In the plurality of characteristic acquisition patterns 95, the size and number of test gap widths G in which the etching amount E is measured may be different.

好ましい特性取得用パターン９５は、例えば、α方向に平行に延びる設計パターン要素群も含み、上記と同様にしてエッチング特性が取得される。特性取得用パターン９５は、矩形以外の様々な形状のパターン要素および様々な組み合わせのパターン要素群を含んでいてもよい。例えば、複数の円形パターン要素が特性取得用パターン９５に含まれ、円形パターン要素間の目標ギャップ幅と補正量との関係を示すエッチング特性が取得されてもよい。このようなエッチング特性が、円形パターン要素の複数の直径のそれぞれに対して取得されてもよい。   The preferable characteristic acquisition pattern 95 includes, for example, a design pattern element group extending in parallel with the α direction, and the etching characteristic is acquired in the same manner as described above. The characteristic acquisition pattern 95 may include pattern elements having various shapes other than a rectangle and various combinations of pattern element groups. For example, a plurality of circular pattern elements may be included in the characteristic acquisition pattern 95, and an etching characteristic indicating the relationship between the target gap width between the circular pattern elements and the correction amount may be acquired. Such etching characteristics may be obtained for each of the plurality of diameters of the circular pattern element.

各対象位置Ｐに対する１つまたは複数のエッチング特性は、検査装置１５から通信部２０８等を介してデータ補正装置２１に入力され、入力受付部２１３により当該入力が受け付けられる。複数の対象位置Ｐに対する複数のエッチング特性は、入力受付部２１３に記憶され、後述の処理に向けて準備される（ステップＳ１１）。なお、検査装置１５におけるテスト基板９ａの測定結果のみがデータ補正装置２１に入力されてもよい。この場合、テストパターンデータもデータ補正装置２１に入力することにより、エッチング量の算出、および、目標ギャップ幅と補正量との対応付けがデータ補正装置２１により行われてエッチング特性が生成され、当該エッチング特性の入力が入力受付部２１３にて受け付けられる。エッチング特性またはテスト基板９ａの測定結果の入力は、キーボード２０６ａ等を介して操作者により行われてもよい。   One or more etching characteristics for each target position P are input from the inspection device 15 to the data correction device 21 via the communication unit 208 or the like, and the input receiving unit 213 receives the input. The plurality of etching characteristics for the plurality of target positions P are stored in the input receiving unit 213 and prepared for processing to be described later (step S11). Note that only the measurement result of the test board 9 a in the inspection device 15 may be input to the data correction device 21. In this case, the test pattern data is also input to the data correction device 21 to calculate the etching amount and associate the target gap width with the correction amount by the data correction device 21 to generate etching characteristics. An input of etching characteristics is received by the input receiving unit 213. The input of the etching characteristics or the measurement result of the test substrate 9a may be performed by the operator via the keyboard 206a or the like.

ここで、図１０および図１１に示すエッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂでは、目標ギャップ幅がＸ０（図１０および図１１では、約４０μｍであり、以下、「最小測定ギャップ幅」という。）よりも小さい範囲では、補正量が取得されていない。したがって、例えば、目標ギャップ幅が２０μｍである場合の補正量が不明である。上記範囲で補正量が取得されない理由としては、当該範囲に対応するテストギャップ幅の範囲では、実パターン要素群９５３が適切に形成されない、または、当該実パターン要素群９５３のギャップ幅が、検査装置１５における撮像画像の解像度よりも小さい等が挙げられる。以下、目標ギャップ幅が最小測定ギャップ幅Ｘ０よりも小さい範囲を「測定不能範囲」という。複数のエッチング特性では、測定不能範囲が互いに異なっていてもよい。   Here, in the etching characteristics L1a and L1b shown in FIGS. 10 and 11, the target gap width is a range smaller than X0 (in FIG. 10 and FIG. 11, it is about 40 μm and is hereinafter referred to as “minimum measurement gap width”). Then, the correction amount is not acquired. Therefore, for example, the correction amount when the target gap width is 20 μm is unknown. The reason why the correction amount is not acquired in the above range is that the actual pattern element group 953 is not properly formed in the range of the test gap width corresponding to the range, or the gap width of the actual pattern element group 953 is determined by the inspection apparatus. 15 is smaller than the resolution of the captured image. Hereinafter, a range in which the target gap width is smaller than the minimum measurement gap width X0 is referred to as “unmeasurable range”. In a plurality of etching characteristics, the non-measurable ranges may be different from each other.

エッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂでは、測定不能範囲におけるエッチング補正に支障が生じる。そこで、エッチング特性修正部２１２では、エッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂが修正される。エッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂの修正では、例えば、エッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂにおいて、最小測定ギャップ幅Ｘ０近傍における傾きと同じ傾きの延長線Ａ０ａ，Ａ０ｂが、最小測定ギャップ幅Ｘ０における点を始点として測定不能範囲にて延ばされ、測定不能範囲における部分が外挿される。図１０および図１１では、延長線Ａ０ａ，Ａ０ｂを太い破線にて示している。   In the etching characteristics L1a and L1b, the etching correction in the unmeasurable range is hindered. Therefore, the etching characteristics correction unit 212 corrects the etching characteristics L1a and L1b. In the modification of the etching characteristics L1a and L1b, for example, in the etching characteristics L1a and L1b, the extension lines A0a and A0b having the same inclination as the inclination in the vicinity of the minimum measurement gap width X0 start from the point at the minimum measurement gap width X0. And the part in the unmeasurable range is extrapolated. 10 and 11, the extension lines A0a and A0b are indicated by thick broken lines.

図１１のエッチング特性Ｌ１ｂでは、延長線Ａ０ｂの傾きが、図１０の延長線Ａ０ａに比べて小さくなっている。この原因としては、検査装置１５における撮像時の照明条件、または、基板９上に残存するゴミや汚れ等の影響により、エッチング量が安定して測定できないこと等が考えられる。後述するように、延長線Ａ０ａ，Ａ０ｂの傾きが小さいほど、エッチング特性修正部２１２による以下の処理が重要となる。したがって、以下の説明では、図１１のエッチング特性Ｌ１ｂに着目する。   In the etching characteristic L1b of FIG. 11, the inclination of the extension line A0b is smaller than the extension line A0a of FIG. This may be due to the fact that the etching amount cannot be measured stably due to the illumination conditions at the time of imaging in the inspection apparatus 15 or the influence of dust or dirt remaining on the substrate 9. As will be described later, the smaller the inclinations of the extension lines A0a and A0b, the more important the following processing by the etching characteristic correcting unit 212 is. Therefore, in the following description, attention is paid to the etching characteristic L1b in FIG.

延長線Ａ０ｂが外挿されると、エッチング特性修正部２１２では、図１２中に一点鎖線にて示す境界線Ａ１が設定される。ここで、補正量をｙとし、目標ギャップ幅をｘとし、所定の正の設定値をｃとして、境界線Ａ１は（ｘ＝２ｙ＋ｃ）により表される。境界線Ａ１の意味については後述する。続いて、境界線Ａ１よりも上側の領域Ｆ１（平行斜線を付す領域Ｆ１）が、除外領域として設定される。   When the extension line A0b is extrapolated, the etching characteristic correction unit 212 sets a boundary line A1 indicated by a one-dot chain line in FIG. Here, assuming that the correction amount is y, the target gap width is x, and a predetermined positive set value is c, the boundary line A1 is represented by (x = 2y + c). The meaning of the boundary line A1 will be described later. Subsequently, a region F1 above the boundary line A1 (region F1 with parallel diagonal lines) is set as an excluded region.

延長線Ａ０ｂを含むエッチング特性Ｌ１ｂにおいて、除外領域Ｆ１に含まれる部分（以下、「除外部分」という。）が除外され、除外部分が境界線Ａ１に置き換えられる。また、置き換えられた部分において、補正量が負の値となる部分も除外され、当該部分が（ｙ＝０）を示す線に置き換えられる。これにより、図１３に示すように、エッチング特性Ｌ１ｂの測定不能範囲に、太い実線にて示す補助線Ａ２ｂが追加され、エッチング特性Ｌ２ｂ（以下、「修正済みエッチング特性Ｌ２ｂ」という。）が取得される（ステップＳ１２）。図１３の例では、補助線Ａ２ｂは、延長線Ａ０ｂの一部、境界線Ａ１の一部、および、（ｙ＝０）を示す線の一部を含む。図１０のエッチング特性Ｌ１ａも、上記と同様の処理により修正され、図１４に示す修正済みエッチング特性Ｌ２ａが取得される。本処理例では、各対象位置Ｐに対して１つまたは複数の修正済みエッチング特性が取得される。   In the etching characteristic L1b including the extension line A0b, a portion included in the excluded region F1 (hereinafter referred to as “excluded portion”) is excluded, and the excluded portion is replaced with the boundary line A1. Further, in the replaced portion, a portion having a negative correction amount is also excluded, and the portion is replaced with a line indicating (y = 0). As a result, as shown in FIG. 13, an auxiliary line A2b indicated by a thick solid line is added to the range in which the etching characteristic L1b cannot be measured, and the etching characteristic L2b (hereinafter referred to as “corrected etching characteristic L2b”) is acquired. (Step S12). In the example of FIG. 13, the auxiliary line A2b includes a part of the extension line A0b, a part of the boundary line A1, and a part of the line indicating (y = 0). The etching characteristic L1a in FIG. 10 is also corrected by the same process as described above, and the corrected etching characteristic L2a shown in FIG. 14 is acquired. In the present processing example, one or more corrected etching characteristics are acquired for each target position P.

既述のように、エッチング特性修正部２１２による上記処理では、延長線Ａ０ａ，Ａ０ｂを含むエッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂにおいて、境界線Ａ１よりも上側の除外領域Ｆ１に含まれる除外部分が、除外領域Ｆ１の下側の境界線Ａ１に置き換えられる。上記境界線Ａ１は（ｘ＝２ｙ＋ｃ）で表され、（２ｙ）は、エッチング補正として目標ギャップ幅（ｘ）を狭める量であるギャップ補正量に相当する。したがって、上記処理では、エッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂの除外部分における各目標ギャップ幅（ｘ）が、対応するギャップ補正量（２ｙ）よりも（２ｃ）だけ大きくなるようにエッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂのギャップ補正量を修正して、修正済みエッチング特性Ｌ２ａ，Ｌ２ｂが取得されているといえる。なお、複数の対象位置Ｐに対する複数の修正済みエッチング特性では、対象位置Ｐ毎に設定値ｃが変更されてもよい。   As described above, in the above processing by the etching characteristic correcting unit 212, in the etching characteristics L1a and L1b including the extension lines A0a and A0b, the excluded part included in the excluded area F1 above the boundary line A1 is excluded from the excluded area F1. Is replaced by the lower boundary line A1. The boundary line A1 is represented by (x = 2y + c), and (2y) corresponds to a gap correction amount that is an amount for narrowing the target gap width (x) as etching correction. Therefore, in the above processing, the gap correction of the etching characteristics L1a and L1b is performed so that each target gap width (x) in the excluded portion of the etching characteristics L1a and L1b is larger by (2c) than the corresponding gap correction amount (2y). It can be said that the corrected etching characteristics L2a and L2b are acquired by correcting the amount. In the plurality of corrected etching characteristics for the plurality of target positions P, the set value c may be changed for each target position P.

続いて、描画装置１１では、基板９上にエッチングにより形成される予定のパターンの設計データが、データ補正装置２１に入力され、設計データ記憶部２１１に記憶されることにより準備される（ステップＳ１３）。   Subsequently, the drawing device 11 is prepared by inputting design data of a pattern to be formed on the substrate 9 by etching into the data correction device 21 and storing it in the design data storage unit 211 (step S13). ).

図１５は、設計データが示す設計パターン８３を示す図である。図１５では、設計パターン８３が描画される予定の略矩形の基板９の外形を太い二点鎖線にて示している。設計パターン８３は、マトリクス状に配置された（すなわち、多面付けされた）複数のピースパターン８４を備える。各ピースパターン８４は、複数のパターン要素の集合である。図１５では、ピースパターン８４を矩形にて示す。   FIG. 15 is a diagram showing a design pattern 83 indicated by the design data. In FIG. 15, the outline of the substantially rectangular substrate 9 on which the design pattern 83 is to be drawn is indicated by a thick two-dot chain line. The design pattern 83 includes a plurality of piece patterns 84 arranged in a matrix (that is, multifaceted). Each piece pattern 84 is a set of a plurality of pattern elements. In FIG. 15, the piece pattern 84 is indicated by a rectangle.

図１５にて各ピースパターン８４を示す矩形は、当該ピースパターン８４に含まれる複数のパターン要素全体を囲むおよそ最小の矩形である。図１５の例では、二点鎖線にて示す基板９の直交する２つの辺に対応する２方向（図１５では、図６等と同様にα方向およびβ方向として示している。）に沿って、多数のピースパターン８４が二次元に配列される。これらのピースパターン８４は、互いに同一なパターンである。   In FIG. 15, the rectangle indicating each piece pattern 84 is an approximately minimum rectangle that surrounds the entire plurality of pattern elements included in the piece pattern 84. In the example of FIG. 15, along two directions corresponding to two orthogonal sides of the substrate 9 indicated by a two-dot chain line (in FIG. 15, the α direction and the β direction are shown as in FIG. 6 and the like). A large number of piece patterns 84 are two-dimensionally arranged. These piece patterns 84 are the same pattern.

設計パターン８３は基板９上に描画される予定のパターンであるため、設計パターン８３においても複数の対象位置Ｐが設定されていると捉えることができる。同様に、基板９上には、各ピースパターン８４が描画される予定の位置（以下、単に「ピースパターン８４の位置」という。）が設定されていると捉えることができる。   Since the design pattern 83 is a pattern scheduled to be drawn on the substrate 9, it can be understood that a plurality of target positions P are also set in the design pattern 83. Similarly, it can be understood that a position where each piece pattern 84 is to be drawn (hereinafter simply referred to as “position of the piece pattern 84”) is set on the substrate 9.

データ補正部２１７では、設計パターン８３の設計データから、複数のピースパターン８４をそれぞれ示す複数の分割データ（データブロック）が抽出される。換言すれば、設計パターン８３の設計データが、複数のピースパターン８４をそれぞれ示す複数の分割データに分割される。また、各分割データが示すピースパターン８４の位置（例えば、ピースパターン８４の中央）に対して最寄りの対象位置Ｐが特定される。そして、当該対象位置Ｐの修正済みエッチング特性に基づいて、当該分割データが補正されることにより、各ピースパターン８４を示す補正済み分割データが求められる（ステップＳ１４）。なお、図１５では、各対象位置Ｐを最寄りの対象位置Ｐとする領域を細い二点鎖線の矩形Ｂ１にて示している。矩形Ｂ１は当該対象位置Ｐを中心としている。   The data correction unit 217 extracts a plurality of divided data (data blocks) respectively indicating the plurality of piece patterns 84 from the design data of the design pattern 83. In other words, the design data of the design pattern 83 is divided into a plurality of pieces of divided data indicating the plurality of piece patterns 84, respectively. Further, the nearest target position P is specified with respect to the position of the piece pattern 84 indicated by each divided data (for example, the center of the piece pattern 84). Then, the corrected divided data indicating each piece pattern 84 is obtained by correcting the divided data based on the corrected etching characteristic of the target position P (step S14). In FIG. 15, a region having each target position P as the nearest target position P is indicated by a thin two-dot chain line rectangle B1. The rectangle B1 is centered on the target position P.

分割データの補正では、基板９上の各ピースパターン８４の位置において、修正済みエッチング特性が示す補正量に従った過剰な（すなわち、所望量を超える）エッチングが行われることが考慮される。すなわち、各ピースパターン８４の位置の最寄りの対象位置Ｐの修正済みエッチング特性を参照して、エッチング後の基板９上のパターンにおける各パターン要素が所望の線幅や大きさにて形成されるように、各分割データのパターン要素の線幅を太らせたり、パターン要素を大きくする補正が行われる。   In the correction of the divided data, it is considered that excessive etching (that is, exceeding the desired amount) is performed at the position of each piece pattern 84 on the substrate 9 according to the correction amount indicated by the corrected etching characteristics. That is, referring to the corrected etching characteristic of the target position P nearest to the position of each piece pattern 84, each pattern element in the pattern on the substrate 9 after etching is formed with a desired line width and size. Further, correction is performed to increase the line width of the pattern element of each divided data or to increase the pattern element.

ここで、各ピースパターン８４が描画される基板９上の領域（ピース）を分割領域と呼ぶと、ステップＳ１４では、データ補正部２１７により、まず、設計パターン８３の設計データが、基板９上に設定された複数の分割領域にそれぞれ対応する複数の分割データに分割される。そして、各分割データが、当該分割データに対応する分割領域の最寄りの対象位置Ｐの修正済みエッチング特性に基づいて補正される。このようにして、各分割データに対するエッチング補正が行われることにより、補正済み分割データが取得される。   Here, when an area (piece) on the substrate 9 on which each piece pattern 84 is drawn is called a divided area, in step S14, the data correction unit 217 first causes the design data of the design pattern 83 to be placed on the substrate 9. The data is divided into a plurality of divided data respectively corresponding to the set divided areas. Then, each divided data is corrected based on the corrected etching characteristic of the target position P nearest to the divided area corresponding to the divided data. In this way, the corrected divided data is obtained by performing the etching correction on each divided data.

上述のように、図１５に示す例では、設計データの複数の分割データがそれぞれ示す分割パターン、すなわち、ピースパターン８４は同一である。したがって、各対象位置Ｐの修正済みエッチング特性を用いて取得される補正済み分割データを、当該対象位置Ｐを最寄りの対象位置とする他の分割領域の補正済み分割データとして、そのまま利用することが可能である。これにより、分割データに対するエッチング補正の実行回数が少なくなり、複数の分割領域にそれぞれ対応する複数の補正済み分割データの取得（エッチング補正）が短時間にて完了する。   As described above, in the example illustrated in FIG. 15, the division patterns indicated by the plurality of division data of the design data, that is, the piece patterns 84 are the same. Therefore, the corrected divided data acquired by using the corrected etching characteristic of each target position P can be used as it is as corrected divided data of another divided area having the target position P as the nearest target position. Is possible. As a result, the number of executions of etching correction for the divided data is reduced, and acquisition of a plurality of corrected divided data (etching correction) respectively corresponding to a plurality of divided regions is completed in a short time.

データ補正部２１７では、上述の複数の補正済み分割データをまとめることにより、上記補正済み設計データが生成される。当該補正済み設計データは、データ補正装置２１からデータ変換部２２へと送られる。データ変換部２２では、ベクトルデータである補正済み設計データがラスタデータである描画データに変換される（ステップＳ１５）。   The data correction unit 217 generates the corrected design data by collecting the plurality of corrected divided data. The corrected design data is sent from the data correction device 21 to the data conversion unit 22. In the data converter 22, the corrected design data that is vector data is converted into drawing data that is raster data (step S15).

当該描画データは、データ変換部２２から露光装置３の描画コントローラ３１へと送られる。露光装置３では、データ処理装置２からの描画データに基づいて、描画コントローラ３１により光出射部３３の光変調部３３２および走査機構３５が制御されることにより、基板９に対する描画が行われる（ステップＳ１６）。その後、パターンが描画された基板９に対して、テスト基板９ａと同じ条件で、現像装置１２による現像、エッチング装置１３によるエッチング、レジスト剥離装置１４によるレジスト除去が順に行われ、基板９上に導電性材料のパターンが形成される。当該パターンは、それぞれがピースパターン８４を示す複数の独立した配線パターンを含む。   The drawing data is sent from the data converter 22 to the drawing controller 31 of the exposure apparatus 3. In the exposure apparatus 3, drawing on the substrate 9 is performed by controlling the light modulation unit 332 and the scanning mechanism 35 of the light emitting unit 33 by the drawing controller 31 based on the drawing data from the data processing device 2 (step S <b> 3). S16). Thereafter, the substrate 9 on which the pattern is drawn is subjected to development by the developing device 12, etching by the etching device 13, and resist removal by the resist stripping device 14 in order under the same conditions as the test substrate 9a. A pattern of conductive material is formed. The pattern includes a plurality of independent wiring patterns each representing a piece pattern 84.

パターン形成システム１０では、レジスト膜の材料、描画装置１１の解像度、現像液の種類等に依存して、基板９上に形成可能なレジストパターンの最小のギャップ幅（パターン要素間のギャップ幅）が最小設定幅として定められている。最小設定幅は、例えば２０μｍ以下（１μｍ以上）である。   In the pattern forming system 10, the minimum gap width of the resist pattern that can be formed on the substrate 9 (gap width between pattern elements) depends on the resist film material, the resolution of the drawing device 11, the type of developer, and the like. It is defined as the minimum setting width. The minimum setting width is, for example, 20 μm or less (1 μm or more).

実際には、同じ設計パターン８３を描画対象とする複数の基板９に対して、同じ補正済み設計データを利用して描画が順次行われる。また、設計パターンが変更される、すなわち、新たな設計パターンを描画対象とする際には、複数の対象位置Ｐの修正済みエッチング特性をそのまま利用しつつ、当該新たな設計パターンを用いてステップＳ１４が行われ、補正済み設計データが生成される。そして、当該補正済み設計データに基づいて、基板９に対する描画が行われる（ステップＳ１５，Ｓ１６）。   Actually, drawing is sequentially performed on a plurality of substrates 9 to which the same design pattern 83 is drawn, using the same corrected design data. Further, when the design pattern is changed, that is, when a new design pattern is to be drawn, step S14 is performed using the new design pattern while using the corrected etching characteristics of the plurality of target positions P as they are. The corrected design data is generated. Then, drawing on the substrate 9 is performed based on the corrected design data (steps S15 and S16).

図１６は、修正済みエッチング特性を用いて補正された設計データ（補正済み設計データ）が示すパターンの一部を示す図である。図１６では、補正前の設計データが示すパターン要素９１１を破線にて示し、補正済み設計データが示すパターン要素９１２を実線にて示している（後述の図１７において同様）。   FIG. 16 is a diagram illustrating a part of a pattern indicated by design data (corrected design data) corrected using the corrected etching characteristics. In FIG. 16, the pattern element 911 indicated by the design data before correction is indicated by a broken line, and the pattern element 912 indicated by the corrected design data is indicated by a solid line (the same applies to FIG. 17 described later).

図１６では、補正前の設計データにおいて、目標ギャップ幅Ｘ１の隙間を空けて隣接する２つのパターン要素９１１が、補正済み設計データでは、幅Ｃ１の隙間を空けて隣接する２つのパターン要素９１２として示される。ここでは、修正済みエッチング特性において、（ｘ＝２ｙ＋ｃ）により表される境界線Ａ１にて置き換えられた範囲内に目標ギャップ幅Ｘ１が含まれるため、上記幅Ｃ１は設定値ｃとなる。既述のように、エッチング特性の修正では、境界線Ａ１よりも上側が除外領域Ｆ１となるため（図１２および図１４参照）、設定値ｃは、補正済み設計データにおいて、隣接する２つのパターン要素９１２間の最小のギャップ幅を定めるものとなる。設定値ｃは、パターン形成システム１０におけるレジストパターンの最小設定幅以上であることが好ましい。設定値ｃは例えば、最小設定幅の２倍以下である。なお、図１６の例において、目標ギャップ幅Ｘ１に対応する補正量はＹ１である。   In FIG. 16, two pattern elements 911 that are adjacent to each other with a gap of the target gap width X1 in the design data before correction are shown as two pattern elements 912 that are adjacent to each other with a gap of the width C1 in the corrected design data. Indicated. Here, in the corrected etching characteristics, since the target gap width X1 is included in the range replaced by the boundary line A1 represented by (x = 2y + c), the width C1 becomes the set value c. As described above, in the correction of the etching characteristics, the upper side of the boundary line A1 becomes the exclusion region F1 (see FIGS. 12 and 14), so the set value c is the two adjacent patterns in the corrected design data. This defines the minimum gap width between elements 912. The set value c is preferably equal to or greater than the minimum set width of the resist pattern in the pattern forming system 10. The set value c is, for example, not more than twice the minimum set width. In the example of FIG. 16, the correction amount corresponding to the target gap width X1 is Y1.

ここで、延長線Ａ０ｂの外挿のみを行った図１１のエッチング特性Ｌ１ｂを用いて設計データを補正する比較例の処理について述べる。図１７は、比較例の処理により取得される補正済み設計データが示すパターンの一部を示す図である。図１１のエッチング特性Ｌ１ｂでは、延長線Ａ０ｂの傾きが小さく、例えば、補正前の設計データにおける２つのパターン要素９１１間の目標ギャップ幅Ｘ１が２０μｍである場合、補正量が１２μｍとなる。したがって、ギャップ補正量は２４μｍとなり、目標ギャップ幅Ｘ１よりも大きくなる。その結果、当該２つのパターン要素９１１が、補正済み設計データでは、互いに結合（癒着）した１つのパターン要素９１２として示される。すなわち、基板９上において、離間して形成されるべきパターン要素同士が、エッチング補正に起因して結合してしまう。   Here, a process of a comparative example in which the design data is corrected using the etching characteristic L1b of FIG. 11 in which only the extension line A0b is extrapolated will be described. FIG. 17 is a diagram illustrating a part of the pattern indicated by the corrected design data acquired by the process of the comparative example. In the etching characteristic L1b of FIG. 11, when the slope of the extension line A0b is small, for example, when the target gap width X1 between the two pattern elements 911 in the design data before correction is 20 μm, the correction amount is 12 μm. Therefore, the gap correction amount is 24 μm, which is larger than the target gap width X1. As a result, the two pattern elements 911 are shown as one pattern element 912 that is coupled (adhered) to each other in the corrected design data. That is, the pattern elements that should be formed apart on the substrate 9 are combined due to the etching correction.

なお、データ補正部２１７における補正処理によっては、補正済み設計データが示す補正済みのパターンにおいて、パターン要素間のギャップ幅が所定値未満である場合に、当該パターン要素間のギャップ幅を当該所定値に広げるギャップ幅修正処理が追加的に行われる。しかしながら、ギャップ幅修正処理では、補正済みのパターンにおいてパターン要素同士が結合していないことが前提となり、補正済みのパターンにおいて結合したパターン要素同士を分離することはできない。また、ギャップ幅修正処理では、演算量が多くなり、ギャップ幅修正処理の結果が反映された最終的な補正済み設計データの取得に長時間を要してしまう。   Depending on the correction processing in the data correction unit 217, when the gap width between pattern elements is less than a predetermined value in the corrected pattern indicated by the corrected design data, the gap width between the pattern elements is set to the predetermined value. The gap width correction process is expanded additionally. However, the gap width correction process is based on the premise that the pattern elements are not combined in the corrected pattern, and the combined pattern elements cannot be separated in the corrected pattern. Further, in the gap width correction process, the amount of calculation increases, and it takes a long time to obtain the final corrected design data reflecting the result of the gap width correction process.

上記比較例の処理に対し、描画装置１１のデータ補正装置２１では、エッチング特性における各目標ギャップ幅が、対応するギャップ補正量よりも大きくなるように当該エッチング特性のギャップ補正量を修正して、修正済みエッチング特性が取得される。これにより、基板９上において、離間して形成されるべきパターン要素同士が、エッチング補正に起因して結合することを容易に防止することができる。また、データ補正部２１７におけるギャップ幅修正処理を省略することも可能となり、この場合、補正済み設計データの取得に要する時間を短縮することができる。   In contrast to the processing of the comparative example, the data correction device 21 of the drawing device 11 corrects the gap correction amount of the etching characteristic so that each target gap width in the etching characteristic is larger than the corresponding gap correction amount, A corrected etching characteristic is obtained. Thereby, it is possible to easily prevent the pattern elements to be formed apart from each other on the substrate 9 from being combined due to the etching correction. In addition, it is possible to omit the gap width correction process in the data correction unit 217, and in this case, it is possible to shorten the time required to acquire the corrected design data.

また、修正済みエッチング特性における各目標ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が、パターン形成システム１０において予め設定されるレジストパターンの最小設定幅以上である。これにより、基板９上に形成されるレジストパターンにおいて、パターン要素同士が結合することを防止して、基板９上の実パターン要素同士の結合をより確実に防止することができる。なお、図１３および図１４に示す修正済みエッチング特性Ｌ２ａ，Ｌ２ｂにおいて、補正量が０となる目標ギャップ幅の範囲では、エッチング補正が行われないため、実質的には、当該範囲はエッチング特性に含まれない。   Further, the difference between each target gap width in the corrected etching characteristics and the corresponding gap correction amount is equal to or larger than the minimum set width of the resist pattern set in advance in the pattern forming system 10. Thereby, in the resist pattern formed on the board | substrate 9, it can prevent that pattern elements couple | bond together and can prevent the coupling | bonding of the actual pattern elements on the board | substrate 9 more reliably. Note that, in the corrected etching characteristics L2a and L2b shown in FIGS. 13 and 14, etching correction is not performed in the range of the target gap width where the correction amount is 0, so that the range substantially corresponds to the etching characteristics. Not included.

さらに、エッチング特性においてエッチング特性修正部２１２によりギャップ補正量が修正される目標ギャップ幅の範囲を修正範囲と呼ぶと、修正済みエッチング特性における修正範囲が、（ｘ＝２ｙ＋ｃ）により表される境界線Ａ１の部分を含む。すなわち、修正済みエッチング特性における修正範囲が、各目標ギャップ幅（ｘ）と、対応するギャップ補正量（２ｙ）との差が一定である範囲を含む。これにより、修正済みエッチング特性を容易に取得することができる。   Furthermore, when the range of the target gap width in which the gap correction amount is corrected by the etching characteristic correction unit 212 in the etching characteristics is referred to as a correction range, the correction range in the corrected etching characteristics is a boundary line represented by (x = 2y + c). Including part A1. That is, the correction range in the corrected etching characteristics includes a range in which the difference between each target gap width (x) and the corresponding gap correction amount (2y) is constant. Thereby, the corrected etching characteristic can be easily acquired.

修正済みエッチング特性では、０未満の補正量が用いられてもよい。例えば、図１３の修正済みエッチング特性Ｌ２ｂに対応する図１８の修正済みエッチング特性Ｌ３ｂでは、目標ギャップ幅がＸ２である際に補正量が０となり、目標ギャップ幅がＸ２未満となる範囲では、補正量が負の値となる。負の値の補正量は、パターン要素の片側の細らせ量、すなわち、目標ギャップ幅の片側の太らせ量を示す。このように、ギャップ補正量が０となる目標ギャップ幅Ｘ２未満の範囲において、修正済みエッチング特性Ｌ３ｂが、エッチング補正として設計データにおける目標ギャップ幅を広げる負のギャップ補正量を示す。これにより、目標ギャップ幅が極めて狭い範囲においても、各目標ギャップ幅を、対応するギャップ補正量よりも設定値ｃだけ大きくして、パターン要素同士の結合を防止することができる。   For corrected etching characteristics, a correction amount of less than 0 may be used. For example, in the corrected etching characteristic L3b in FIG. 18 corresponding to the corrected etching characteristic L2b in FIG. 13, the correction amount is 0 when the target gap width is X2, and the correction is performed in a range where the target gap width is less than X2. The quantity is negative. The negative correction amount indicates the thinning amount on one side of the pattern element, that is, the thickening amount on one side of the target gap width. Thus, in the range of less than the target gap width X2 where the gap correction amount is 0, the corrected etching characteristic L3b shows a negative gap correction amount that widens the target gap width in the design data as etching correction. As a result, even in a range where the target gap width is extremely narrow, each target gap width can be made larger than the corresponding gap correction amount by the set value c to prevent the pattern elements from being combined.

上記描画装置１１およびデータ補正装置２１では様々な変形が可能である。   The drawing apparatus 11 and the data correction apparatus 21 can be variously modified.

修正済みエッチング特性では、上記修正範囲が、各目標ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が、目標ギャップ幅の減少に従って漸次減少する範囲を含んでもよい。この場合、上記境界線Ａ１を示す（ｘ＝２ｙ＋ｃ）において、正の設定値ｃがｘの増加関数となる。このような修正済みエッチング特性では、補正済み設計データにおけるパターン要素間のギャップ幅が、補正前のギャップ幅の大小関係を維持することが可能となる。   In the corrected etching characteristics, the correction range may include a range in which the difference between each target gap width and the corresponding gap correction amount gradually decreases as the target gap width decreases. In this case, at the boundary line A1 (x = 2y + c), the positive set value c is an increasing function of x. With such corrected etching characteristics, the gap width between pattern elements in the corrected design data can maintain the magnitude relationship of the gap width before correction.

上記実施の形態では、エッチング特性において、除外領域Ｆ１に含まれる除外部分が境界線Ａ１に置き換えられるが、エッチング補正に起因するパターン要素同士の結合を防止するという観点では、上記除外部分のギャップ補正量は、（ｘ≧２ｙ＋ｃ）を満たすように修正されればよい。この場合も、補正済み設計データが示すパターンでは、互いに隣接する２つのパターン要素における最小のギャップ幅が、原則として設定値ｃ以上となる。設定値ｃは０よりも大きいことが重要であるため、上記関係は、（ｘ＞２ｙ）と表すこともできる。   In the above embodiment, in the etching characteristics, the excluded portion included in the excluded region F1 is replaced with the boundary line A1, but from the viewpoint of preventing the coupling of the pattern elements due to the etching correction, the gap correction of the excluded portion is performed. The amount may be corrected so as to satisfy (x ≧ 2y + c). Also in this case, in the pattern indicated by the corrected design data, in principle, the minimum gap width in two adjacent pattern elements is equal to or larger than the set value c. Since it is important that the set value c is greater than 0, the above relationship can also be expressed as (x> 2y).

図１０および図１１のエッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂでは、例えば、最小測定ギャップ幅Ｘ０における点と、原点（０，０）とを結ぶことにより、測定不能範囲において延長線が外挿されてもよい。このように、エッチング特性Ｌ１ａ，Ｌ１ｂにおいて、補正量（またはギャップ補正量）が得られていない目標ギャップ幅の範囲が、最小測定ギャップ幅Ｘ０近傍の補正量に基づいて外挿されるのであるならば、様々な手法が利用可能である。また、テスト基板９ａを用いることなく、所定の演算により求められたエッチング特性が、エッチング特性修正部２１２により修正されてもよい。   In the etching characteristics L1a and L1b in FIG. 10 and FIG. 11, for example, an extension line may be extrapolated in the unmeasurable range by connecting a point in the minimum measurement gap width X0 and the origin (0, 0). In this way, in the etching characteristics L1a and L1b, if the range of the target gap width for which the correction amount (or gap correction amount) is not obtained is extrapolated based on the correction amount in the vicinity of the minimum measurement gap width X0. Various methods are available. In addition, the etching characteristics obtained by a predetermined calculation may be corrected by the etching characteristics correcting unit 212 without using the test substrate 9a.

エッチング特性および修正済みエッチング特性は、実質的に目標ギャップ幅とギャップ補正量との関係を示すものであればよく、例えば、修正済みエッチング特性が、テストギャップ幅とエッチング量との関係を示す状態のままであってもよい。   The etching characteristics and the corrected etching characteristics only need to substantially indicate the relationship between the target gap width and the gap correction amount. For example, the corrected etching characteristics indicate the relationship between the test gap width and the etching amount. It may be left as it is.

図５における処理の順序は適宜変更されてもよい。例えば、ステップＳ１３と、ステップＳ１１，Ｓ１２とが並行して行われてもよく、ステップＳ１３がステップＳ１１，Ｓ１２よりも先に行われてもよい。   The processing order in FIG. 5 may be changed as appropriate. For example, step S13 and steps S11 and S12 may be performed in parallel, and step S13 may be performed before steps S11 and S12.

基板９は、プリント基板の製造用の基板以外に、半導体基板やガラス基板等であってもよい。描画装置１１は、基板９以外の様々な対象物上へのパターンの描画に利用されてもよい。データ補正装置２１は、描画装置１１から独立した装置として利用されてもよい。また、データ補正装置は、基板９以外の様々な対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データの補正に利用されてもよい。   The substrate 9 may be a semiconductor substrate, a glass substrate, or the like in addition to a printed circuit board manufacturing substrate. The drawing device 11 may be used for drawing a pattern on various objects other than the substrate 9. The data correction device 21 may be used as a device independent of the drawing device 11. Further, the data correction apparatus may be used for correcting design data of patterns formed by etching on various objects other than the substrate 9.

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてもよい。   The configurations in the above-described embodiments and modifications may be combined as appropriate as long as they do not contradict each other.

９ 基板
１０ パターン形成システム
１１ 描画装置
２１ データ補正装置
３５ 走査機構
８０ プログラム
８３ 設計パターン
２１１ 設計データ記憶部
２１２ エッチング特性修正部
２１３ 入力受付部
２１７ データ補正部
３３１ 光源
３３２ 光変調部
９１１，９１２，９５２，９５４ パターン要素
Ｇ テストギャップ幅
Ｌ０，Ｌ１，Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ エッチング特性
Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ３ｂ 修正済みエッチング特性
Ｓ１１〜Ｓ１６ ステップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 Substrate 10 Pattern formation system 11 Drawing apparatus 21 Data correction apparatus 35 Scan mechanism 80 Program 83 Design pattern 211 Design data storage part 212 Etching characteristic correction part 213 Input reception part 217 Data correction part 331 Light source 332 Light modulation part 911, 912, 952 954 Pattern element G Test gap width L0, L1, L1a, L1b Etching characteristics L2a, L2b, L3b Modified etching characteristics S11-S16 steps

Claims (11)

対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正装置であって、
対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを記憶する設計データ記憶部と、
前記設計データが示すパターン要素間のギャップ幅と、エッチング補正として前記ギャップ幅を狭める量であるギャップ補正量との関係を示すエッチング特性の入力を受け付ける入力受付部と、
前記エッチング特性における各ギャップ幅が、対応するギャップ補正量よりも大きくなるように前記エッチング特性のギャップ補正量を修正して、修正済みエッチング特性を取得するエッチング特性修正部と、
前記修正済みエッチング特性に基づいて、前記設計データを補正するデータ補正部と、
を備えることを特徴とするデータ補正装置。 A data correction apparatus for correcting design data of a pattern formed by etching on an object,
A design data storage unit for storing design data of a pattern formed by etching on an object;
An input receiving unit that receives an input of an etching characteristic indicating a relationship between a gap width between pattern elements indicated by the design data and a gap correction amount that is an amount to narrow the gap width as an etching correction;
An etching characteristic correction unit that corrects the gap correction amount of the etching characteristic so that each gap width in the etching characteristic is larger than a corresponding gap correction amount, and acquires a corrected etching characteristic;
A data correction unit for correcting the design data based on the corrected etching characteristics;
A data correction apparatus comprising: 請求項１に記載のデータ補正装置であって、
前記対象物上にエッチングによりパターンを形成するパターン形成システムにおいて、前記対象物上に形成可能なレジストパターンの最小のギャップ幅が最小設定幅として予め定められており、
前記修正済みエッチング特性における各ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が、前記最小設定幅以上であることを特徴とするデータ補正装置。 The data correction apparatus according to claim 1,
In the pattern forming system for forming a pattern by etching on the object, a minimum gap width of a resist pattern that can be formed on the object is predetermined as a minimum setting width,
A data correction apparatus, wherein a difference between each gap width in the corrected etching characteristic and a corresponding gap correction amount is equal to or greater than the minimum set width. 請求項１または２に記載のデータ補正装置であって、
前記エッチング特性において前記エッチング特性修正部によりギャップ補正量が修正されるギャップ幅の範囲を修正範囲として、前記修正済みエッチング特性の前記修正範囲が、各ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が一定である範囲、または、ギャップ幅の減少に従って前記差が漸次減少する範囲を含むことを特徴とするデータ補正装置。 The data correction apparatus according to claim 1 or 2,
In the etching characteristics, a gap width range in which the gap correction amount is corrected by the etching characteristic correction unit is set as a correction range, and the correction range of the corrected etching characteristics is a difference between each gap width and a corresponding gap correction amount. Including a range in which the difference is constant or a range in which the difference gradually decreases as the gap width decreases. 請求項１ないし３のいずれかに記載のデータ補正装置であって、
前記修正済みエッチング特性が、ギャップ補正量が０となるギャップ幅未満の範囲において、エッチング補正として前記設計データにおけるギャップ幅を広げるギャップ補正量を示すことを特徴とするデータ補正装置。 The data correction device according to any one of claims 1 to 3,
The data correction apparatus according to claim 1, wherein the corrected etching characteristic indicates a gap correction amount that widens the gap width in the design data as an etching correction in a range less than the gap width where the gap correction amount is zero. 対象物上にパターンを描画する描画装置であって、
請求項１ないし４のいずれかに記載のデータ補正装置と、
光源と、
前記データ補正装置により補正された設計データに基づいて前記光源からの光を変調する光変調部と、
前記光変調部により変調された光を対象物上にて走査する走査機構と、
を備えることを特徴とする描画装置。 A drawing device for drawing a pattern on an object,
A data correction apparatus according to any one of claims 1 to 4,
A light source;
A light modulation unit that modulates light from the light source based on design data corrected by the data correction device;
A scanning mechanism that scans on the object the light modulated by the light modulator;
A drawing apparatus comprising: 対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するデータ補正方法であって、
ａ）対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、
ｂ）前記設計データが示すパターン要素間のギャップ幅と、エッチング補正として前記ギャップ幅を狭める量であるギャップ補正量との関係を示すエッチング特性を準備する工程と、
ｃ）前記エッチング特性における各ギャップ幅が、対応するギャップ補正量よりも大きくなるように前記エッチング特性のギャップ補正量を修正して、修正済みエッチング特性を取得する工程と、
ｄ）前記修正済みエッチング特性に基づいて、前記設計データを補正する工程と、
を備えることを特徴とするデータ補正方法。 A data correction method for correcting design data of a pattern formed by etching on an object,
a) preparing design data of a pattern formed by etching on an object;
b) preparing an etching characteristic indicating a relationship between a gap width between pattern elements indicated by the design data and a gap correction amount that is an amount of narrowing the gap width as an etching correction;
c) correcting the gap correction amount of the etching characteristic so that each gap width in the etching characteristic is larger than the corresponding gap correction amount to obtain a corrected etching characteristic;
d) correcting the design data based on the modified etching characteristics;
A data correction method comprising: 請求項６に記載のデータ補正方法であって、
前記対象物上にエッチングによりパターンを形成するパターン形成システムにおいて、前記対象物上に形成可能なレジストパターンの最小のギャップ幅が最小設定幅として予め定められており、
前記修正済みエッチング特性における各ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が、前記最小設定幅以上であることを特徴とするデータ補正方法。 The data correction method according to claim 6, comprising:
In the pattern forming system for forming a pattern by etching on the object, a minimum gap width of a resist pattern that can be formed on the object is predetermined as a minimum setting width,
A data correction method, wherein a difference between each gap width in the corrected etching characteristic and a corresponding gap correction amount is equal to or larger than the minimum set width. 請求項６または７に記載のデータ補正方法であって、
前記エッチング特性において前記ｃ）工程にてギャップ補正量が修正されるギャップ幅の範囲を修正範囲として、前記修正済みエッチング特性の前記修正範囲が、各ギャップ幅と、対応するギャップ補正量との差が一定である範囲、または、ギャップ幅の減少に従って前記差が漸次減少する範囲を含むことを特徴とするデータ補正方法。 The data correction method according to claim 6 or 7, wherein
In the etching characteristics, the range of the gap width in which the gap correction amount is corrected in the step c) is set as a correction range, and the correction range of the corrected etching characteristics is the difference between each gap width and the corresponding gap correction amount. Including a range in which the difference is constant or a range in which the difference gradually decreases as the gap width decreases. 請求項６ないし８のいずれかに記載のデータ補正方法であって、
前記修正済みエッチング特性が、ギャップ補正量が０となるギャップ幅未満の範囲において、エッチング補正として前記設計データにおけるギャップ幅を広げるギャップ補正量を示すことを特徴とするデータ補正方法。 A data correction method according to any one of claims 6 to 8,
A data correction method, wherein the corrected etching characteristic indicates a gap correction amount that widens a gap width in the design data as an etching correction in a range less than a gap width where the gap correction amount is zero. 対象物上にパターンを描画する描画方法であって、
請求項６ないし９のいずれかに記載のデータ補正方法により設計データを補正する工程と、
補正された前記設計データに基づいて変調された光を対象物上にて走査する工程と、
を備えることを特徴とする描画方法。 A drawing method for drawing a pattern on an object,
A step of correcting design data by the data correction method according to claim 6;
Scanning the object with light modulated based on the corrected design data;
A drawing method comprising: 対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを補正するプログラムであって、前記プログラムのコンピュータによる実行は、前記コンピュータに、
ａ）対象物上にエッチングにより形成されるパターンの設計データを準備する工程と、
ｂ）前記設計データが示すパターン要素間のギャップ幅と、エッチング補正として前記ギャップ幅を狭める量であるギャップ補正量との関係を示すエッチング特性を準備する工程と、
ｃ）前記エッチング特性における各ギャップ幅が、対応するギャップ補正量よりも大きくなるように前記エッチング特性のギャップ補正量を修正して、修正済みエッチング特性を取得する工程と、
ｄ）前記修正済みエッチング特性に基づいて、前記設計データを補正する工程と、
を実行させることを特徴とするプログラム。 A program for correcting design data of a pattern formed by etching on an object, and execution of the program by a computer is performed on the computer,
a) preparing design data of a pattern formed by etching on an object;
b) preparing an etching characteristic indicating a relationship between a gap width between pattern elements indicated by the design data and a gap correction amount that is an amount of narrowing the gap width as an etching correction;
c) correcting the gap correction amount of the etching characteristic so that each gap width in the etching characteristic is larger than the corresponding gap correction amount to obtain a corrected etching characteristic;
d) correcting the design data based on the modified etching characteristics;
A program characterized by having executed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270535A (en) * 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp Moving stage device and circuit-device manufacture using the same
JP2008033277A (en) * 2006-06-29 2008-02-14 Sharp Corp Correction method and correction system for design data or mask data, validation method and validation system for design data or mask data, yield estimation method for semiconductor integrated circuit, method for improving design rule, method for producing mask, and method for manufacturing semiconductor integrated circuit
JP5254270B2 (en) * 2010-04-09 2013-08-07 株式会社ニューフレアテクノロジー Inspection method and inspection apparatus
JP2015184315A (en) * 2014-03-20 2015-10-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Data correction device, drawing device, data correction method, and drawing method
JP6342738B2 (en) * 2014-07-24 2018-06-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Data correction apparatus, drawing apparatus, inspection apparatus, data correction method, drawing method, inspection method, and program
JP2016072335A (en) * 2014-09-29 2016-05-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス Process monitoring device and process monitoring method

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