JP2018026537A - 処理液生成装置及びそれを用いた基板処理装置 - Google Patents
処理液生成装置及びそれを用いた基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018026537A JP2018026537A JP2017124215A JP2017124215A JP2018026537A JP 2018026537 A JP2018026537 A JP 2018026537A JP 2017124215 A JP2017124215 A JP 2017124215A JP 2017124215 A JP2017124215 A JP 2017124215A JP 2018026537 A JP2018026537 A JP 2018026537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- concentration
- liquid
- path
- densitometer
- processing liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
11a 第1供給タンク
11b 第2供給タンク
12a 上流側第1バルブ群
12b 上流側第2バルブ群
13a 下流側第1バルブ群
13b 下流側第2バルブ群
14a、14b、15a、15b 積算流量計
16a、16b、17a、17b 調整バルブ
18a 第1ポンプ
18b 第2ポンプ
19a、19b 開閉バルブ
20a 第1濃度計側部
20b 第2濃度計側部
21、22、23、24 三方バルブ
30 制御ユニット
31a、31b、32a、32b、33a、33b、34a、34b、35a、35b 駆動回路
100 スピン装置
120a、130a 第1バルブ機構
120b、130b 第2バルブ機構
122a、132a 第3バルブ機構
122b、132b 第4バルブ機構
201a 第1濃度計
201b 第2濃度計
P1 第1処理液路(第1循環液路)
P2 第2処理液路(第2循環液路)
Pc1 第1校正液路
Pc2 第2校正液路
Claims (12)
- 濃度計での測定濃度に基づいて濃度の調整がなされた処理液を生成する処理液生成装置であって、
前記処理液の濃度を調整する処理液調整部と、
処理液を、前記処理液調整部に流す第1処理液路と、
処理液を、前記処理液調整部に流す第2処理液路と、
前記第1処理経路を流れる前記処理液の濃度であって、前記処理液調整部での濃度調整に係る成分の濃度を測定する第1濃度計と、
前記第2処理液路を流れる前記処理液の濃度であって、前記第1濃度計により濃度測定されるべき、前記処理液調整部での濃度調整に係る成分の濃度を測定する第2濃度計と、
前記第1処理液路の開閉を行う第1バルブ機構と、
前記第2処理液路の開閉を行う第2バルブ機構と、を有する処理液生成装置。 - 前記第1処理液路は、前記処理液を、前記処理液調整部から前記第1濃度計を通って当該処理液調整部に戻す第1循環液路を含み、
前記第2処理液路は、前記処理液を、前記処理液調整部から前記第2濃度計を通って当該処理液調整部に戻す第2循環液路を含む請求項1記載の処理液生成装置。 - 前記第1濃度計と前記第2濃度計とは、異なる測定原理によって前記処理液の濃度を測定する請求項1または2記載の処理液生成装置。
- 前記第1濃度計に濃度が既知である校正液を流す第1校正液路と、
前記第2濃度計に濃度が既知である校正液を流す第2校正液路と、
前記第1校正液路を開閉する第3バルブ機構と、
前記第2校正液路を開閉する第4バルブ機構とを有する請求項1乃至3のいずれかに記載の処理液生成装置。 - 前記第1濃度計から得られた第1測定濃度と前記第2濃度計から得られた第2測定濃度とに基づいて前記第1バルブ機構及び前記第2バルブ機構の動作を制御する処理液用バルブ制御部を有する請求項1乃至4のいずれかに記載の処理液生成装置。
- 前記処理液用バルブ制御部は、前記第1測定濃度及び前記第2測定濃度のうちの少なくとも第1測定濃度に基づいて、前記第1濃度計が正常であるか否かを判定する第1判定部と、
該第1判定部により前記第1濃度計が正常でないと判定されたときに、前記第1バルブ機構を前記第1処理液路が閉状態となるように制御する第1バルブ制御部とを有する請求項5記載の処理液生成装置。 - 前記処理液用バルブ制御部は、前記第1測定濃度及び前記第2測定濃度のうちの少なくとも第2測定濃度に基づいて、前記第2濃度計が正常であるか否かを判定する第2判定部と、
該第2判定部により前記第2濃度計が正常でないと判定されたときに、第2バルブ機構を前記第2処理液路が閉状態となるように制御する第2バルブ制御部とを有する請求項5または6記載の処理液生成装置。 - 前記第1判定部により前記第1濃度計が正常でないと判定されたときに、前記第3バルブ機構を、前記第1校正液路が開状態になるように制御する第1校正液用バルブ制御部と、
前記第1校正液路を流れる校正液が前記第1濃度計を通る際に当該第1濃度計の出力値に基づいて当該第1濃度計の校正を行う第1校正処理部と、を有する請求項6記載の処理液生成装置。 - 前記第2判定部により前記第2濃度計が正常でないと判定されたときに、前記第4バルブ機構を、前記第2校正液路が開状態にあるように制御する第2校正液用バルブ制御部と、
前記第2校正液路を流れる校正液が前記第2濃度計を通る際に当該第2濃度計の出力値に基づいて前記当該第2濃度計の校正を行う第2校正処理部と、を有する請求項7記載の処理液生成装置。 - 前記第1校正処理部による前記第1濃度計の校正が終了した後に、前記第1処理液路を開状態に復帰させる第1バルブ復帰制御手段を有する請求項8記載の処理液生成装置。
- 前記第2校正処理部による前記第2濃度計の校正が終了した後に、前記第2処理液路を開状態に復帰させる第2バルブ復帰制御手段を有する請求項9記載の処理液生成装置。
- 濃度計での測定濃度に基づいて濃度の調整がなされた処理液を生成する処理液生成装置と、
基板を保持するテーブルと、
前記テーブルを回転させる駆動機構と、
前記テーブルとともに回転する前記基板の表面に前記処理液生成装置により生成される処理液を供給する処理液供給機構とを有し、
前記処理液生成装置は、
前記処理液の濃度を調整する処理液調整部と、
処理液を、前記処理液調整部に流す第1処理液路と、
処理液を、前記処理液調整部に流す第2処理液路と、
前記第1処理液路を流れる前記処理液の濃度であって、前記処理液調整部での濃度調整に係る成分の濃度を測定する第1濃度計と、
前記第2処理液路を流れる前記処理液の濃度であって、前記第1濃度計により濃度測定されるべき、前記処理液調整部での濃度調整に係る成分の濃度を測定する第2濃度計と、
前記第1処理液路の開閉を行う第1バルブ機構と、
前記第2処理液路の開閉を行う第2バルブ機構とを有する、基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106122352A TWI653661B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-04 | Processing liquid generating device and substrate processing device using the same |
US15/661,480 US11670522B2 (en) | 2016-07-29 | 2017-07-27 | Processing liquid generator and substrate processing apparatus using the same |
CN201710624077.XA CN107665839B (zh) | 2016-07-29 | 2017-07-27 | 处理液生成装置和使用该处理液生成装置的基板处理装置 |
KR1020170096397A KR101967055B1 (ko) | 2016-07-29 | 2017-07-28 | 처리액 생성 장치 및 그것을 이용한 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016150832 | 2016-07-29 | ||
JP2016150832 | 2016-07-29 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018026537A true JP2018026537A (ja) | 2018-02-15 |
JP2018026537A5 JP2018026537A5 (ja) | 2018-07-12 |
JP6918600B2 JP6918600B2 (ja) | 2021-08-11 |
Family
ID=61193988
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017124215A Active JP6918600B2 (ja) | 2016-07-29 | 2017-06-26 | 処理液生成装置及びそれを用いた基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6918600B2 (ja) |
KR (1) | KR101967055B1 (ja) |
TW (1) | TWI653661B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111326445A (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法和基片处理装置 |
KR20210001410A (ko) * | 2019-06-28 | 2021-01-06 | 홍석진 | 다중 농도 측정 장치를 구비한 현상액 농도 관리 장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7264729B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2023-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5924794A (en) * | 1995-02-21 | 1999-07-20 | Fsi International, Inc. | Chemical blending system with titrator control |
JP2003170034A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-06-17 | Fujitsu Ltd | 薬液供給装置及びスラリーの調合方法 |
JP2005533639A (ja) * | 2002-07-19 | 2005-11-10 | キネティック システムズ,インコーポレーテッド | プロセス材料を配合するための方法および装置 |
JP2005347384A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Seiko Epson Corp | 有機物の剥離装置及び有機物の剥離方法 |
JP2007005472A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板の表面処理方法およびiii−v族化合物半導体の製造方法 |
KR20080011910A (ko) * | 2006-08-01 | 2008-02-11 | 세메스 주식회사 | 약액 혼합 장치 및 방법 |
JP2014527298A (ja) * | 2011-08-01 | 2014-10-09 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | pH値が3.0〜5.5であるCMP組成物の存在下で元素状ゲルマニウム及び/又はSi1−xGex製の材料を化学機械研磨することを含む半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008103678A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-05-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP5878051B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2016-03-08 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
-
2017
- 2017-06-26 JP JP2017124215A patent/JP6918600B2/ja active Active
- 2017-07-04 TW TW106122352A patent/TWI653661B/zh active
- 2017-07-28 KR KR1020170096397A patent/KR101967055B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5924794A (en) * | 1995-02-21 | 1999-07-20 | Fsi International, Inc. | Chemical blending system with titrator control |
JP2003170034A (ja) * | 2001-12-05 | 2003-06-17 | Fujitsu Ltd | 薬液供給装置及びスラリーの調合方法 |
JP2005533639A (ja) * | 2002-07-19 | 2005-11-10 | キネティック システムズ,インコーポレーテッド | プロセス材料を配合するための方法および装置 |
JP2005347384A (ja) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Seiko Epson Corp | 有機物の剥離装置及び有機物の剥離方法 |
JP2007005472A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板の表面処理方法およびiii−v族化合物半導体の製造方法 |
KR20080011910A (ko) * | 2006-08-01 | 2008-02-11 | 세메스 주식회사 | 약액 혼합 장치 및 방법 |
JP2014527298A (ja) * | 2011-08-01 | 2014-10-09 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | pH値が3.0〜5.5であるCMP組成物の存在下で元素状ゲルマニウム及び/又はSi1−xGex製の材料を化学機械研磨することを含む半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111326445A (zh) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理方法和基片处理装置 |
KR20210001410A (ko) * | 2019-06-28 | 2021-01-06 | 홍석진 | 다중 농도 측정 장치를 구비한 현상액 농도 관리 장치 |
KR102374423B1 (ko) * | 2019-06-28 | 2022-03-15 | 홍석진 | 다중 농도 측정 장치를 구비한 현상액 농도 관리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201816835A (zh) | 2018-05-01 |
TWI653661B (zh) | 2019-03-11 |
KR101967055B1 (ko) | 2019-04-08 |
KR20180013807A (ko) | 2018-02-07 |
JP6918600B2 (ja) | 2021-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10591935B2 (en) | Substrate liquid processing apparatus and substrate liquid processing method | |
KR101751626B1 (ko) | 유량 조정 기구, 희석 약액 공급 기구, 액처리 장치 및 그 운용 방법 | |
JP5292923B2 (ja) | 微生物検出方法、微生物検出装置、およびこれを用いたスラリー供給装置 | |
US11158525B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
CN107665839B (zh) | 处理液生成装置和使用该处理液生成装置的基板处理装置 | |
JP2018026537A (ja) | 処理液生成装置及びそれを用いた基板処理装置 | |
JP2018026537A5 (ja) | ||
WO2019181339A1 (ja) | 処理液供給装置、基板処理装置および処理液供給方法 | |
JP6164121B2 (ja) | 水処理装置 | |
JP5780810B2 (ja) | 液体管理システム | |
JP6167939B2 (ja) | 水処理装置 | |
KR20000062334A (ko) | 패턴 가공용 약액 집중 관리 장치 | |
JP2000021838A (ja) | 基板処理装置 | |
TWI810008B (zh) | 基板處理裝置 | |
KR20090040782A (ko) | 습식세정장치 및 그 운용방법 | |
JP5791939B2 (ja) | 液体管理システム | |
CN107665837B (zh) | 液处理装置和液处理方法 | |
JP6545841B2 (ja) | 流量調整機構、希釈薬液供給機構、液処理装置及びその運用方法 | |
JP7504636B2 (ja) | 処理液製造装置、基板処理装置、処理液製造方法及び基板処理方法 | |
KR101005883B1 (ko) | 약액 공급 장치 및 그 방법 | |
JPH09106972A (ja) | 薬液処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180531 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210430 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210524 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210629 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210721 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6918600 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |