JP2018022742A - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2018022742A JP2018022742A JP2016151910A JP2016151910A JP2018022742A JP 2018022742 A JP2018022742 A JP 2018022742A JP 2016151910 A JP2016151910 A JP 2016151910A JP 2016151910 A JP2016151910 A JP 2016151910A JP 2018022742 A JP2018022742 A JP 2018022742A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- extending
- element mounting
- emitting device
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000011295 pitch Substances 0.000 abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 46
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】複数の発光素子のピッチ間距離が異なることを抑制する発光装置を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、ワイヤ接続部と接続される連結部と、連結部と接続される素子実装部と、素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第１方向に複数備える導電層群と、導電層群の素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、素子実装部と発光素子とを接合する接合部材と、を備え、連結部と延伸部が同一直線上に延びる発光装置。
【選択図】図２
【解決手段】基板と、基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、ワイヤ接続部と接続される連結部と、連結部と接続される素子実装部と、素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第１方向に複数備える導電層群と、導電層群の素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、素子実装部と発光素子とを接合する接合部材と、を備え、連結部と延伸部が同一直線上に延びる発光装置。
【選択図】図２
Description
本開示は、発光装置に関する。
一般に、発光ダイオード等の発光素子を用いた発光装置は、高い発光効率、低い消費電力および長寿命であるという観点から、照明用装置をはじめ、光通信装置などの様々な光源として利用されている。特にスキャナ、インクや樹脂硬化、パネルの貼り合わせ等多くの分野で、基板上に複数の発光素子を一列に実装した発光装置が用いられている。
基板上に複数の発光素子を一列に実装した発光装置として、例えば、発光素子が実装される素子実装領域と、ワイヤ接続領域とを有する導電層が一列に複数配列し、複数の導電層の素子実装領域のそれぞれに発光素子が実装される発光装置が提案されている（特許文献１参照）。また、このような発光装置では、均一な照射強度を保つために、複数の発光素子は、そのピッチ間距離が所定の間隔になるよう配置される。
しかし、従来の発光装置において、素子実装領域とワイヤ接続領域とが連結部により接続される場合に、発光素子を接合する接合部材が連結部の方向に流れ込み、発光素子の実装位置が異なってしまうという可能性があった。その結果、複数の発光素子のピッチ間距離が所定の間隔にならない可能性があった。
本開示の実施形態は、複数の発光素子のピッチ間距離が異なることを抑制する発光装置を提供する。
本開示の発光装置は、基板と、基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、ワイヤ接続部と接続される連結部と、連結部と接続される素子実装部と、素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第１方向に複数備える導電層群と、導電層群の素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、素子実装部と発光素子とを接合する接合部材と、を備え、連結部と延伸部が同一直線上に延びる。
本開示の実施形態によれば、複数の発光素子のピッチ間距離が異なることを抑制する発光装置が提供される。
以下、本実施形態について図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示の技術思想を具体化するためのものであり、本開示の技術的範囲を限定することを意図したものではないことに留意されたい。１つの実施形態において説明する構成は、特段の断りがない限り、他の実施形態にも適用可能である。以下の説明では、必要に応じて特定の方向や位置を示す用語（例えば、「上」、「下」、「右」、「左」及びそれらの用語を含む別の用語）を用いるが、それらの用語の使用は図面を参照した発明の理解を容易にするためであって、それらの用語の意味によって本開示の技術的範囲が制限されるものではない。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある点も留意されたい。また、複数の図面に表れる同一符号の部分は同一の部分又は部材を示す。また、本開示において「平行」および「垂直」とは、特に他の言及がない限り、２つの直線、辺あるいは面等がそれぞれ０°から±５°程度および９０°から±５°程度の範囲にある場合を含む。
（実施形態１）
図１Ａは発光装置１００の模式的斜視図であり、図１Ｂは発光装置１００の模式的上面図である。また、図２は発光装置１００からカバー部１３を除去した状態の発光装置１００を示す模式的上面図である。図３Ａは図２の破線で囲まれた領域の拡大図であり、図３Ｂは図２の破線で囲まれた領域の発光素子が実装されていない状態の導電層を示した拡大図であり、図３Ｃは素子実装部の近傍を拡大した拡大図である。図１〜図３Ｃで示すように、発光装置１００は、基板１と、基板１の上面に位置する導電層群２と、導電層群２の素子実装部３２のそれぞれに配置される発光素子１０と、発光素子１０とワイヤ接続部３１とを接続するワイヤ９を備える。また、導電層３の素子実装部３２と発光素子１０とは接合部材（図示せず）を介して接合される。以下、各構成要素を詳細に説明する。
図１Ａは発光装置１００の模式的斜視図であり、図１Ｂは発光装置１００の模式的上面図である。また、図２は発光装置１００からカバー部１３を除去した状態の発光装置１００を示す模式的上面図である。図３Ａは図２の破線で囲まれた領域の拡大図であり、図３Ｂは図２の破線で囲まれた領域の発光素子が実装されていない状態の導電層を示した拡大図であり、図３Ｃは素子実装部の近傍を拡大した拡大図である。図１〜図３Ｃで示すように、発光装置１００は、基板１と、基板１の上面に位置する導電層群２と、導電層群２の素子実装部３２のそれぞれに配置される発光素子１０と、発光素子１０とワイヤ接続部３１とを接続するワイヤ９を備える。また、導電層３の素子実装部３２と発光素子１０とは接合部材（図示せず）を介して接合される。以下、各構成要素を詳細に説明する。
（基板１）
基板１は、複数の発光素子１０を実装するものであり、上面に導電層群２を有する。基板１は、発光装置１００の使用条件に応じて、材質、厚み、幅、長さ等が決められている。基板１は、金属（例えば、銅、アルミニウム）、窒化アルミニウムをはじめとするセラミックス、カーボン等の熱伝導性が高い材料から構成されていることが好ましい。これにより、基板１は、発光素子１０からの熱を効率的に放熱することができる。基板１は、単層構造であってもよいし、２以上の層が積層される積層構造であってもよい。基板１の上面の導電層群２は、電解メッキ法などの方法により、例えば銅などの導電体を材料として設けられる。本開示の実施形態においては、基板１には放熱性が高い窒化アルミニウムを母材とする板状の基板を、導電層群２には銅のベースの表面に金の薄膜を設けたものを用いる。
基板１は、複数の発光素子１０を実装するものであり、上面に導電層群２を有する。基板１は、発光装置１００の使用条件に応じて、材質、厚み、幅、長さ等が決められている。基板１は、金属（例えば、銅、アルミニウム）、窒化アルミニウムをはじめとするセラミックス、カーボン等の熱伝導性が高い材料から構成されていることが好ましい。これにより、基板１は、発光素子１０からの熱を効率的に放熱することができる。基板１は、単層構造であってもよいし、２以上の層が積層される積層構造であってもよい。基板１の上面の導電層群２は、電解メッキ法などの方法により、例えば銅などの導電体を材料として設けられる。本開示の実施形態においては、基板１には放熱性が高い窒化アルミニウムを母材とする板状の基板を、導電層群２には銅のベースの表面に金の薄膜を設けたものを用いる。
基板１は、図１Ａおよび図１Ｂで示すように、外部電源を供給するためのコネクタ等の電子部品を有する。その他の電子部品として、コンデンサ、ツェナーダイオード、各種トランジスタ等の電子部品を有していてよい。これらの電子部品を備えることにより、通電および駆動における信頼性を向上させた発光装置を提供することができる。
また、基板１は固定用の固定穴１４を備えていてもよい。固定穴１４は、ネジ部材等を挿入し発光装置１００を実装基板に固定するための穴である。
また、基板１は固定用の固定穴１４を備えていてもよい。固定穴１４は、ネジ部材等を挿入し発光装置１００を実装基板に固定するための穴である。
（導電層群２）
導電層群２は、基板１の上面に位置し、第１方向Ｐに配列された複数の導電層３からなる。第１方向Ｐは、複数の発光素子１０が配列される方向である。導電層群２のうち１つの導電層３は、図３Ｂで示すように、ワイヤ接続部３１と、素子実装部３２と、連結部３３と、延伸部３４とを順に有する。ワイヤ接続部３１は、発光素子１０から延びるワイヤ９が接続される領域であり、素子実装部３２は、発光素子１０が接合部材を介して実装される領域である。また、連結部３３は、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２を接続させるもので、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２を電気的に導通させる。延伸部３４は、素子実装部３２を介して連結部３３の反対側で素子実装部３２と接続される。発光装置１００では、素子実装部３２は、発光素子１０の矩形形状に合わせて外周が４つの辺を有する矩形状である。なお、発光素子の形状は特に限定されず、三角形、六角形等の形状でもよい。本実施形態では、発光素子の形状は矩形形状として例示して説明する。
導電層群２は、基板１の上面に位置し、第１方向Ｐに配列された複数の導電層３からなる。第１方向Ｐは、複数の発光素子１０が配列される方向である。導電層群２のうち１つの導電層３は、図３Ｂで示すように、ワイヤ接続部３１と、素子実装部３２と、連結部３３と、延伸部３４とを順に有する。ワイヤ接続部３１は、発光素子１０から延びるワイヤ９が接続される領域であり、素子実装部３２は、発光素子１０が接合部材を介して実装される領域である。また、連結部３３は、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２を接続させるもので、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２を電気的に導通させる。延伸部３４は、素子実装部３２を介して連結部３３の反対側で素子実装部３２と接続される。発光装置１００では、素子実装部３２は、発光素子１０の矩形形状に合わせて外周が４つの辺を有する矩形状である。なお、発光素子の形状は特に限定されず、三角形、六角形等の形状でもよい。本実施形態では、発光素子の形状は矩形形状として例示して説明する。
図３Ｂで示すように、連結部３３と延伸部３４は同一直線上に延びる。なお、ここでの連結部３３と延伸部３４が同一直線上に延びるとは、連結部３３の少なくとも一部と延伸部３４の少なくとも一部のそれぞれが、同一方向の一の直線と交差することをいう。
延伸部３４を有さない発光装置の場合、接合部材を介して発光素子１０を実装する際に、接合部材が連結部３３の方向に流れ込み、発光素子１０が連結部３３の方向に引っ張られる。その結果、発光素子１０が所定の位置からずれてしまい、発光素子間の望ましいピッチ間距離が実現できない可能性がある。一方で、本実施形態の発光装置１００では、連結部３３と延伸部３４とが同一直線上に延びることで、発光素子１０に対して連結部３３の方向に引っ張られる応力と反対方向の延伸部３４の方向に引っ張る応力を加えることができる。その結果、発光素子が所定の位置からずれることを抑制することができ位置精度のよい発光装置とすることができる。なお、素子実装部３２の第２方向Ｑは接合部材の濡れ性の悪い絶縁性部材Ｘが位置するので、絶縁性部材Ｘの上には接合部材が付着しにくい。そのため、発光素子１０の第２方向Ｑに対する位置精度は、第１方向Ｐの位置精度よりも高い。
延伸部３４を有さない発光装置の場合、接合部材を介して発光素子１０を実装する際に、接合部材が連結部３３の方向に流れ込み、発光素子１０が連結部３３の方向に引っ張られる。その結果、発光素子１０が所定の位置からずれてしまい、発光素子間の望ましいピッチ間距離が実現できない可能性がある。一方で、本実施形態の発光装置１００では、連結部３３と延伸部３４とが同一直線上に延びることで、発光素子１０に対して連結部３３の方向に引っ張られる応力と反対方向の延伸部３４の方向に引っ張る応力を加えることができる。その結果、発光素子が所定の位置からずれることを抑制することができ位置精度のよい発光装置とすることができる。なお、素子実装部３２の第２方向Ｑは接合部材の濡れ性の悪い絶縁性部材Ｘが位置するので、絶縁性部材Ｘの上には接合部材が付着しにくい。そのため、発光素子１０の第２方向Ｑに対する位置精度は、第１方向Ｐの位置精度よりも高い。
連結部３３と延伸部３４は同一方向（例えば、第１方向Ｐ）に延びていることが好ましい。これにより、第１方向Ｐにおける発光素子１０の位置精度を向上することができ、その結果、第１方向Ｐにおける複数の発光素子のピッチ間距離がずれることを抑制することができる。
また、上面視において、連結部３３の素子実装部３２と接続する部位の第２方向Ｑの幅と、延伸部３４の素子実装部３２と接続する部位の第２方向Ｑの幅とが同じであることが好ましい。図３Ｃで示すように、発光装置１００は、連結部３３及び延伸部３４がそれぞれ２つある。このような場合は、連結部３３の各部位の第２方向Ｑの幅の合計（ｈｃ1＋ｈｃ2）と延伸部３４の各部位の第２方向Ｑの幅の合計（ｈｅ1＋ｈｅ2）とが同じであることが好ましい。これにより、連結部３３および延伸部３４に流れ込む接合部材の量が略同量となり、発光素子１０にかかる連結部３３側から引っ張られる応力に対して、延伸部３４側から引っ張る方向の応力を略同一とすることができる。その結果、発光素子１０の位置精度がより向上する。
延伸部３４は、第１延伸部３４１と第２延伸部３４２を有する。図３Ｃに示す発光装置１００では、第１延伸部３４１と第２延伸部３４２は、第１方向Ｐに沿って延伸し、第１凹部４を介してそれぞれが第２方向Ｑに並んで位置している。第１凹部４は、素子実装部３２の外側から内側（素子実装部３２の中心）に向かって凹んでいる。また、上面視において、基板１の絶縁性部材が第１凹部４において露出している。また、第１凹部４は、素子実装部３２の第１方向Ｐに位置する辺から内側まで達している。第１凹部４は、素子実装部３２の上に塗布される接合部材内のボイドを排出する役割を有する。なお、延伸部３４は、第１延伸部３４１および第２延伸部３４２の２つを備える形態だけでなく、３つ以上の延伸する部位を備えてもよい。
第１延伸部３４１および第２延伸部３４２の第１方向Ｐの長さは、第１延伸部３４１および第２延伸部３４２の第２方向Ｑの長さよりも長いことが好ましい。第１延伸部３４１および第２延伸部３４２の第１方向Ｐに延びる長さが短すぎると、延伸部３４側に発光素子１０を引っ張る方向の応力が弱くなる。一方で、本実施形態の発光装置１００では、第１延伸部３４１および第２延伸部３４２を上記の構成にすることで、延伸部３４側に発光素子１０を引っ張る方向の応力を十分に確保することができる。第１延伸部３４１および第２延伸部３４２の第１方向Ｐの長さと、第１延伸部３４１および第２延伸部３４２の第２方向Ｑの長さとの比は、例えば、１．１〜２：１である。
また、発光装置１００では、第１延伸部３４１および前記第２延伸部３４２は上面視において矩形形状である。そして、第１延伸部３４１の第２延伸部３４２と対向する第１辺７０と、第２延伸部３４２の第１延伸部３４１と対向する第１辺７１とは第１方向Ｐに対して平行となっている。第１辺７０、７１は、第１延伸部３４１および第２延伸部３４２を規定する辺のうち発光素子１０の中心を通り第１方向Ｐに延びる直線に対して近い側の辺である。第１辺７０、７１が第１方向Ｐに対して平行であることで、発光素子１０が回転する可能性を抑制しつつ、第１方向Ｐに引っ張る方向の応力をかけることができる。また、第１延伸部３４１の第１辺７０と反対側の第２辺８０と、第２延伸部３４２の第１辺７１と反対側の第２辺８１も、第１方向Ｐに対して平行になっている。
素子実装部３２は、発光素子の矩形形状に合わせて、４つの角部を有する矩形状である。素子実装部３２は、さらに第１直線部１１を含む領域および第２直線部１２を含む領域に第２凹部５を有していてもよい。発光装置１００において、第１直線部１１および第２直線部１２は素子実装部３２の４つの辺のうち第１方向Ｐに対して平行な２つの辺であり、第２凹部５は第１直線部１１および第２直線部１２の中央付近に位置している。第２凹部５は、第１凹部４と同様に、素子実装部３２の上に塗布される接合部材内のボイドを排出する役割を有する。
また、素子実装部３２は、第２凹部５と連続して形成され、かつ、第１方向Ｐに沿った形状を有する溝部６を備えていることが好ましい。第１方向Ｐに対して接合部材のセルフアライメント力がかかりやすい発光装置１００において、溝部６が第１方向Ｐに沿って形成されることで、接合部材に発生するボイドをより効果的に排出することができる。
また、素子実装部３２は、第２凹部５と連続して形成され、かつ、第１方向Ｐに沿った形状を有する溝部６を備えていることが好ましい。第１方向Ｐに対して接合部材のセルフアライメント力がかかりやすい発光装置１００において、溝部６が第１方向Ｐに沿って形成されることで、接合部材に発生するボイドをより効果的に排出することができる。
（発光素子１０）
発光素子１０は、素子実装部３２に接合部材を介して実装される。発光装置１００では、複数の発光素子１０が基板１の第１方向Ｐに沿って配置されている。好ましくは、複数の発光素子１０の中心が、第１方向Ｐに延びる同一直線上に位置する。より好ましくは、さらに上面視において矩形の発光素子１０の一辺と、隣接する矩形の発光素子１０の一辺が平行になるように配置される。
発光素子１０は、素子実装部３２に接合部材を介して実装される。発光装置１００では、複数の発光素子１０が基板１の第１方向Ｐに沿って配置されている。好ましくは、複数の発光素子１０の中心が、第１方向Ｐに延びる同一直線上に位置する。より好ましくは、さらに上面視において矩形の発光素子１０の一辺と、隣接する矩形の発光素子１０の一辺が平行になるように配置される。
発光素子１０は、発光ダイオード素子などの半導体発光素子を用いることができる。発光素子１０は、特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）の発光素子であることが好ましい。複数の発光素子１０は、それぞれが同じ波長の光を出射してもよいし、それぞれが異なる波長の光を出射してもよいし、一部が同じ又は異なる波長の光を出射してもよい。発光装置１００において、発光素子１０は、発光ピーク波長が例えば４００ｎｍ以下の紫外領域の発光素子を好ましく用いることができる。このような紫外領域の発光素子１０を線状に並べた発光装置１００は、印刷用のインクや樹脂の硬化用途等に用いられる。
発光素子１０は、例えば有機金属化学気相成長（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）法によって、サファイアなどの成長用基板上にｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層を順次積層し、さらにｐ型半導体層側に支持基板を貼り付けた後、サファイア基板を除去し、また活性層からみてｎ型半導体層側にｎ電極およびｐ型半導体層側にｐ電極を形成するなどして得ることができる。なお、サファイア等の成長用基板を除去せずに支持基板として用いた、同一面にｎ電極とｐ電極とを有する発光素子を用いてもよい。
図３Ａで示す発光素子１０において、ｎ電極のパッド部は、発光素子１０の上面（光取り出し面）の対角線上に４か所設けられている。発光素子１０の上面の４つのｎ電極のパッド部は、４本のワイヤ９によって隣接する導電層３のワイヤ接続部３１と電気的に接続される。具体的には、導電層３に実装される発光素子１０の上面の４つのｎ電極のパッド部の内、第１直線部１１側の２つのｎ電極のパッド部は、２本のワイヤ９によって隣接する導電層３のワイヤ接続部３１と電気的に接続される。一方で、導電層３に実装される発光素子１０の上面の４つのｎ電極のパッド部の内、第２直線部１２側の２つのｎ電極のパッド部は、２本のワイヤ９によって隣接する導電層３のワイヤ接続部３１と電気的に接続される。
発光素子１０のｐ電極は発光素子の裏面（接合面）に設けられている。発光素子１０のｐ電極は、半田等の導電性ペーストを介して素子実装部３２に接合される。発光素子１０のｎ電極およびｐ電極は、Ａｕなどの電気抵抗が小さく耐食性に優れた金属材料を例えば蒸着により形成される。
発光素子１０のｐ電極は発光素子の裏面（接合面）に設けられている。発光素子１０のｐ電極は、半田等の導電性ペーストを介して素子実装部３２に接合される。発光素子１０のｎ電極およびｐ電極は、Ａｕなどの電気抵抗が小さく耐食性に優れた金属材料を例えば蒸着により形成される。
また、図４で示すように、ｎ電極は、ワイヤボンディングが行われるパッド部１０１と、パッド部１０１と連続しパッド部１０１より幅の狭い補助電極部１０２を有することが好ましい。これにより、発光素子１０に供給される電流が、パッド部１０１から遠い領域であっても補助電極部１０２を介してより広範囲に伝播される。その結果、発光素子１０の発光面からほぼ均一な強度の発光を得ることができる。
また、ワイヤ９は、補助電極部１０２の上方を通って架設されることが好ましい。図４で示す発光素子１０では、補助電極部１０２は、発光素子１０のパッド部１０１から第１方向Ｐに対して４５度の角度で延びており、ワイヤ９は、補助電極部１０２の上を補助電極が延びる方向（第１方向Ｐに対して４５度の角度の方向）に架設される。このようにワイヤ９を架設することにより、発光素子１０から出射される光がワイヤ９で吸収される割合を抑制することができる。その結果、光取出しが良好な発光装置とすることができる。また、ワイヤ９は、上記の構成に限らず、発光素子１０が配列される方向に対して９０度の角度でワイヤ接続部３１に架設されてもよい。これにより、ワイヤ９の長さを短くすることができ、ワイヤ９の断線等の可能性を低減することができる。なお、ワイヤ９の架設方法は、上記の方法に限られず、ワイヤが架設される方向、ワイヤの長さは任意に設定することができる。例えば、図３Ａで示すように、ワイヤが架設される方向は、発光素子１０が配列される方向に対して０度〜９０度の方向に架設してもよい。
また、ワイヤ９は、補助電極部１０２の上方を通って架設されることが好ましい。図４で示す発光素子１０では、補助電極部１０２は、発光素子１０のパッド部１０１から第１方向Ｐに対して４５度の角度で延びており、ワイヤ９は、補助電極部１０２の上を補助電極が延びる方向（第１方向Ｐに対して４５度の角度の方向）に架設される。このようにワイヤ９を架設することにより、発光素子１０から出射される光がワイヤ９で吸収される割合を抑制することができる。その結果、光取出しが良好な発光装置とすることができる。また、ワイヤ９は、上記の構成に限らず、発光素子１０が配列される方向に対して９０度の角度でワイヤ接続部３１に架設されてもよい。これにより、ワイヤ９の長さを短くすることができ、ワイヤ９の断線等の可能性を低減することができる。なお、ワイヤ９の架設方法は、上記の方法に限られず、ワイヤが架設される方向、ワイヤの長さは任意に設定することができる。例えば、図３Ａで示すように、ワイヤが架設される方向は、発光素子１０が配列される方向に対して０度〜９０度の方向に架設してもよい。
（接合部材）
接合部材としては、例えば、絶縁性接合部材又は導電性接合部材を用いることができる。絶縁性接合部材としては、樹脂が挙げられ、透明樹脂、もしくは白色樹脂などが挙げられる。導電性接合部材としては、共晶材料又は半田等の導電性ペーストが挙げられる。好ましい共晶材料としては、ＡｕとＳｎを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金などが挙げられる。半田等の導電性ペーストとしては、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金などが挙げられる。
接合部材としては、例えば、絶縁性接合部材又は導電性接合部材を用いることができる。絶縁性接合部材としては、樹脂が挙げられ、透明樹脂、もしくは白色樹脂などが挙げられる。導電性接合部材としては、共晶材料又は半田等の導電性ペーストが挙げられる。好ましい共晶材料としては、ＡｕとＳｎを主成分とする合金、ＡｕとＳｉとを主成分とする合金、ＡｕとＧｅとを主成分とする合金などが挙げられる。半田等の導電性ペーストとしては、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金などが挙げられる。
（カバー部）
発光装置１００は、図１Ａおよび図２Ｂで示すように、基板上にカバー部１３を有することが好ましい。カバー部１３を設けることで、発光素子１０と導電層３を埃や水等から保護することができるとともに、ワイヤの断線等も抑制することができる。カバー部１３は、例えば、単層のガラスであり、接合部材を介して基板の上に設けられる。
発光装置１００は、図１Ａおよび図２Ｂで示すように、基板上にカバー部１３を有することが好ましい。カバー部１３を設けることで、発光素子１０と導電層３を埃や水等から保護することができるとともに、ワイヤの断線等も抑制することができる。カバー部１３は、例えば、単層のガラスであり、接合部材を介して基板の上に設けられる。
（実施形態２）
図５Ａは、発光装置２００の導電層３を拡大した拡大図である。図５Ｂは、図５Ａから発光素子１０を除去した状態の導電層３を示す図である。図５Ａおよび図５Ｂで示すように、発光装置２００の導電層３は、ワイヤ接続部３１と、ワイヤ接続部３１と接続される連結部３３と、連結部３３と接続される素子実装部３２と、素子実装部３２と接続される延伸部３４とを順に備える。発光素子１０は、導電層３の素子実装部３２に接合部材（図示せず）を介して実装される。
発光装置２００は、連結部３３および延伸部３４が第２方向Ｑに延伸して、それぞれが隣接している点で発光装置１００と異なる。連結部３３は、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２と連結され、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２の間で第２方向Ｑに延伸している。延伸部３４は、素子実装部３２と連結され、素子実装部３２から第２方向Ｑに延伸している。
図５Ａは、発光装置２００の導電層３を拡大した拡大図である。図５Ｂは、図５Ａから発光素子１０を除去した状態の導電層３を示す図である。図５Ａおよび図５Ｂで示すように、発光装置２００の導電層３は、ワイヤ接続部３１と、ワイヤ接続部３１と接続される連結部３３と、連結部３３と接続される素子実装部３２と、素子実装部３２と接続される延伸部３４とを順に備える。発光素子１０は、導電層３の素子実装部３２に接合部材（図示せず）を介して実装される。
発光装置２００は、連結部３３および延伸部３４が第２方向Ｑに延伸して、それぞれが隣接している点で発光装置１００と異なる。連結部３３は、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２と連結され、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２の間で第２方向Ｑに延伸している。延伸部３４は、素子実装部３２と連結され、素子実装部３２から第２方向Ｑに延伸している。
発光装置２００では、素子実装部３２の第１方向Ｐは接合部材の濡れ性の悪い絶縁性部材Ｘが位置する。そのため、絶縁性部材Ｘの上には接合部材が付着しにくく、発光素子１０の第１方向Ｐに対する位置精度が向上する。これにより、第１方向Ｐにおける発光素子１０の位置精度を向上することができ、その結果、第１方向Ｐにおける複数の発光素子のピッチ間距離がずれることを抑制することができる。
発光装置２００は、２つの連結部３３と２つの延伸部３４を備える。２つの連結部３３のそれぞれは第２方向Ｑの同一直線上に延伸している。これにより、発光素子１０の第２方向Ｐの位置精度が向上する。また、発光装置２００では、さらに２つの延伸部３４のそれぞれが第２方向Ｑの同一直線上に延伸している。これにより、延伸部３４を備えておらず２つの連結部３３のみを備える発光装置と比較して、複数の箇所でセルフアライメントを働かせることができ、発光素子１０の位置ずれや回転等の可能性を低減することができる。なお、発光装置２００では、連結部３３および延伸部３４は第２方向Ｑに延伸してそれぞれ２つあるが、これに限らず連結部３３および延伸部３４はそれぞれ２つ以上あってもよい。
また、ワイヤ接続部３１、連結部３３、素子実装部３２及び延伸部３４を順に備えるとは、ワイヤ接続部３１と素子実装部３２が連結部３３によって連続的に接続され、延伸部３４が素子実装部３２から延伸している状態であれば良い。ワイヤ接続部３１、連結部３３、素子実装部３２及び延伸部３４を順に備える例として、図６Ａ〜６Ｃを例示する。
図６Ａの導電層３は、１つのワイヤ接続部３１が２つの連結部３３と接続され、２つの連結部３３が素子実装部３２と連結している。そして、連結部３３と延伸部３４が、第２方向Ｑに延伸して同一直線上に延びている。
図６Ｂの導電層３は、２つのワイヤ接続部３１のそれぞれが１つの連結部３３を介して素子実装部３２と連結されている。そして、２つの連結部３３のそれぞれは第２方向Ｑの同一直線上に延伸し、２つの延伸部３４のそれぞれは第２方向Ｑの同一直線上に延伸している。
図６Ｃの導電層３は、２つのワイヤ接続部３１のそれぞれが１つの連結部３３を介して素子実装部３２と連結されている。２つの連結部３３と、２つの延伸部３４のそれぞれは、素子実装部３２の中心を基点として斜めの方向に位置する。そして、連結部３３と延伸部３４が、第２方向Ｑに延伸して同一直線上に延びている。
図６Ａの導電層３は、１つのワイヤ接続部３１が２つの連結部３３と接続され、２つの連結部３３が素子実装部３２と連結している。そして、連結部３３と延伸部３４が、第２方向Ｑに延伸して同一直線上に延びている。
図６Ｂの導電層３は、２つのワイヤ接続部３１のそれぞれが１つの連結部３３を介して素子実装部３２と連結されている。そして、２つの連結部３３のそれぞれは第２方向Ｑの同一直線上に延伸し、２つの延伸部３４のそれぞれは第２方向Ｑの同一直線上に延伸している。
図６Ｃの導電層３は、２つのワイヤ接続部３１のそれぞれが１つの連結部３３を介して素子実装部３２と連結されている。２つの連結部３３と、２つの延伸部３４のそれぞれは、素子実装部３２の中心を基点として斜めの方向に位置する。そして、連結部３３と延伸部３４が、第２方向Ｑに延伸して同一直線上に延びている。
＜応用例＞
次に、発光装置１００の応用例について、図７を参照して説明する。
本応用例は、複数の発光装置１００を用いた光源装置１０００である。
光源装置１０００は、第１方向Ｐに長い長尺形状の取付台１５と、当該取付台１５上に、一列に配列された複数（６個）の発光装置１００と、を備えて構成されている。
次に、発光装置１００の応用例について、図７を参照して説明する。
本応用例は、複数の発光装置１００を用いた光源装置１０００である。
光源装置１０００は、第１方向Ｐに長い長尺形状の取付台１５と、当該取付台１５上に、一列に配列された複数（６個）の発光装置１００と、を備えて構成されている。
取付台１５は、発光装置１００を取り付けるために、基板１に設けられた固定穴に挿通されるネジ１６をネジ止めするネジ穴が設けられている。また、各発光装置１００のコネクタ１７には外部電力を供給するケーブルが接続される。
発光装置１００は、基板１のＸ軸方向の端部近傍まで発光素子１０が配置されている。このため、複数の発光装置１００をＸ軸方向に連結した光源装置１０００は、発光装置１００間の境界において光量のムラを少なくすることができ、均一性の高いライン照明光を生成することができる。また、１つの発光装置１００に実装される２つの発光素子１０Ａおよび１０Ｂのピッチ間距離ａ（発光素子１０Ａの中心から発光素子１０Ｂの中心までの距離）と、１つの発光装置１００の端部に実装される発光素子１０Ｂと隣接する発光装置１００の発光素子１０Ｂ側の端部に実装される発光素子１０Ｃのピッチ間距離ｂは同じであることが好ましい。これにより、複数の発光装置１００間の境界における光量のムラをより少なくすることができる。
発光装置１００は、正負の給電端子を有するコネクタ１７が、平面視で発光装置１００の配列方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）の一端に設けられている。これによって、各発光装置１００のコネクタ１７が取付台１５の一端側に一列に並ぶため、光源装置１０００において、各コネクタ１７からの配線が繁雑にならないように構成することができる。
光源装置１０００は、発光装置１００に紫外光を発する発光素子１０を搭載することで、例えば、樹脂の硬化用途やインクを用いた印刷機のインク乾燥機として好適に用いることができる。
以上、本発明に係る発光装置について、発明を実施するための形態により具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変などしたものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
１０００ 光源装置
１００、２００ 発光装置
１０ 発光素子
１０１ パッド部
１０２ 補助電極部
１ 基板
２ 導電層群
３ 導電層
３１ ワイヤ接続部
３２ 素子実装部
３３ 連結部
３４ 延伸部
３４１ 第１延伸部
３４２ 第２延伸部
４ 第１凹部
５ 第２凹部
６ 溝部
７０、７１ 第１辺
８０、８１ 第２辺
９ ワイヤ
１１ 第１直線部
１２ 第２直線部
１３ カバー部
１４ 固定穴
１５ 取付台
１６ ネジ
１７ コネクタ
Ｌ 直線
Ｐ 第１方向
Ｑ 第２方向
Ｘ 絶縁性部材
１００、２００ 発光装置
１０ 発光素子
１０１ パッド部
１０２ 補助電極部
１ 基板
２ 導電層群
３ 導電層
３１ ワイヤ接続部
３２ 素子実装部
３３ 連結部
３４ 延伸部
３４１ 第１延伸部
３４２ 第２延伸部
４ 第１凹部
５ 第２凹部
６ 溝部
７０、７１ 第１辺
８０、８１ 第２辺
９ ワイヤ
１１ 第１直線部
１２ 第２直線部
１３ カバー部
１４ 固定穴
１５ 取付台
１６ ネジ
１７ コネクタ
Ｌ 直線
Ｐ 第１方向
Ｑ 第２方向
Ｘ 絶縁性部材
Claims (8)
- 基板と、
前記基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、前記ワイヤ接続部と接続される連結部と、前記連結部と接続される素子実装部と、前記素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第１方向に複数備える導電層群と、
前記導電層群の前記素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、
前記素子実装部と前記発光素子とを接合する接合部材と、を備え、
前記連結部と前記延伸部が同一直線上に延びる、発光装置。 - 前記連結部と前記延伸部が前記第１方向に延びる、請求項１に記載の発光装置。
- 上面視において、前記連結部の前記素子実装部と接続する部位の前記第１方向と垂直な方向に延びる第２方向の幅と、前記延伸部の前記素子実装部と接続する部位の前記第２方向の幅が同じである、請求項１又は請求項２に記載の発光装置。
- 前記延伸部は、第１延伸部と第２延伸部を有する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の発光装置。
- 前記第１延伸部および前記第２延伸部の前記第１方向の長さは、前記第１延伸部および前記第２延伸部の前記第１方向と垂直な方向に延びる第２方向の長さよりも長い、請求項４に記載の発光装置。
- 前記第１延伸部の前記第２延伸部と対向する第１辺と、前記第２延伸部の前記第１延伸部と対向する第１辺とは前記第１方向に対して平行である、請求項４または５に記載の発光装置。
- 前記素子実装部は、前記第１方向に対して平行な第１直線部および第２直線部を有し、
前記素子実装部は、前記第１直線部を含む領域及び／又は前記第２直線部を含む領域に位置する第２凹部と、前記第２凹部と連続して形成され、前記第１方向に沿った溝部とを有する、請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。 - 基板と、
前記基板の上面に位置し、ワイヤ接続部と、前記ワイヤ接続部と接続される２つの連結部と、前記連結部と接続される素子実装部と、前記素子実装部と接続される延伸部とを順に有する導電層を第１方向に複数備える導電層群と、
前記導電層群の前記素子実装部のそれぞれに配置される発光素子と、
前記素子実装部と前記発光素子とを接合する接合部材と、を備え、
前記２つの連結部のそれぞれは、前記第１方向と垂直な方向に延びる第２方向の同一直線上に延伸する発光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016151910A JP6519549B2 (ja) | 2016-08-02 | 2016-08-02 | 発光装置 |
| CN201710638886.6A CN107845626B (zh) | 2016-08-02 | 2017-07-31 | 发光装置 |
| US15/666,573 US10243125B2 (en) | 2016-08-02 | 2017-08-02 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016151910A JP6519549B2 (ja) | 2016-08-02 | 2016-08-02 | 発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018022742A true JP2018022742A (ja) | 2018-02-08 |
| JP6519549B2 JP6519549B2 (ja) | 2019-05-29 |
Family
ID=61070113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016151910A Active JP6519549B2 (ja) | 2016-08-02 | 2016-08-02 | 発光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10243125B2 (ja) |
| JP (1) | JP6519549B2 (ja) |
| CN (1) | CN107845626B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019102715A (ja) * | 2017-12-06 | 2019-06-24 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6413754U (ja) * | 1987-07-17 | 1989-01-24 | ||
| JPH09107173A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Tokai Rika Co Ltd | パッド構造及び配線基板装置 |
| JPH1050734A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Shichizun Denshi:Kk | チップ型半導体 |
| US6069323A (en) * | 1997-01-21 | 2000-05-30 | Dell Usa, L.P. | Pad with indentations surface mount |
| JP2003264267A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Rohm Co Ltd | 半導体チップを使用した半導体装置 |
| JP2008135694A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Hitachi Cable Ltd | Ｌｅｄモジュール |
| JP2008251936A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009032746A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置及び発光ユニット |
| JP2009252898A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光源装置 |
| JP2010056399A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | 位置合わせ性に優れたはんだペーストを用いた基板と被搭載物の接合方法 |
| JP2010526425A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、並びに、これを用いた光源装置及び照明システム |
| JP2012094842A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光モジュール |
| JP2014022576A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子実装部材及び半導体装置 |
| JP2014078686A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-05-01 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2014107369A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2015032869A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | ライン光源装置 |
| JP2016096322A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2003211644A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-09-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device using semiconductor chip |
| US20110067911A1 (en) | 2008-06-12 | 2011-03-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of bonding parts to substrate using solder paste |
| JP5407993B2 (ja) | 2010-03-31 | 2014-02-05 | 豊田合成株式会社 | 車両用ヘッドランプ |
| US8482015B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-07-09 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | LED light emitting apparatus and vehicle headlamp using the same |
| JP6191308B2 (ja) | 2012-07-27 | 2017-09-06 | 日亜化学工業株式会社 | ライン光源用発光装置 |
| JP6398222B2 (ja) * | 2013-02-28 | 2018-10-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| JP6487626B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2019-03-20 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置 |
| US9589940B2 (en) | 2014-11-07 | 2017-03-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
2016
- 2016-08-02 JP JP2016151910A patent/JP6519549B2/ja active Active
-
2017
- 2017-07-31 CN CN201710638886.6A patent/CN107845626B/zh active Active
- 2017-08-02 US US15/666,573 patent/US10243125B2/en active Active
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6413754U (ja) * | 1987-07-17 | 1989-01-24 | ||
| JPH09107173A (ja) * | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Tokai Rika Co Ltd | パッド構造及び配線基板装置 |
| JPH1050734A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Shichizun Denshi:Kk | チップ型半導体 |
| US6069323A (en) * | 1997-01-21 | 2000-05-30 | Dell Usa, L.P. | Pad with indentations surface mount |
| JP2003264267A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Rohm Co Ltd | 半導体チップを使用した半導体装置 |
| JP2008135694A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-06-12 | Hitachi Cable Ltd | Ｌｅｄモジュール |
| JP2008251936A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2009032746A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置及び発光ユニット |
| JP2009252898A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光源装置 |
| JP2010526425A (ja) * | 2008-05-20 | 2010-07-29 | パナソニック株式会社 | 半導体発光装置、並びに、これを用いた光源装置及び照明システム |
| JP2010056399A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Mitsubishi Materials Corp | 位置合わせ性に優れたはんだペーストを用いた基板と被搭載物の接合方法 |
| JP2012094842A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Lg Innotek Co Ltd | 発光モジュール |
| JP2014022576A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-03 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体素子実装部材及び半導体装置 |
| JP2014078686A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-05-01 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2014107369A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Citizen Holdings Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2015032869A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | ライン光源装置 |
| JP2016096322A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107845626A (zh) | 2018-03-27 |
| JP6519549B2 (ja) | 2019-05-29 |
| US10243125B2 (en) | 2019-03-26 |
| CN107845626B (zh) | 2021-04-09 |
| US20180040790A1 (en) | 2018-02-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4241658B2 (ja) | 発光ダイオード光源ユニット及びそれを用いて形成した発光ダイオード光源 | |
| US7192163B2 (en) | Light-emitting unit with enhanced thermal dissipation and method for fabricating the same | |
| KR20150105255A (ko) | 발광 소자 | |
| US9366393B2 (en) | Light emitting device | |
| US20140054628A1 (en) | Substrate, light-emitting device, and lighting apparatus | |
| US9370093B2 (en) | Wiring board and light emitting device using same | |
| JP4821343B2 (ja) | サブマウント基板及びこれを備える発光装置 | |
| US20120049204A1 (en) | Led module | |
| US20180358520A1 (en) | Light emitting device package and lighting system comprising same | |
| EP2478750B1 (en) | Light-source module and light-emitting device | |
| JP6186999B2 (ja) | ライン光源装置 | |
| JP2007027695A (ja) | 発光素子実装用基板、発光モジュール及び照明装置 | |
| US9589940B2 (en) | Light emitting device | |
| JP6519549B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2006019347A (ja) | 発光装置 | |
| US20130215627A1 (en) | Electronic unit base and electronic module and electronic device using the same | |
| JP2007095855A (ja) | Ｌｅｄ光源モジュール | |
| US20110127560A1 (en) | Light-emitting diode chip and method of manufactruring the same | |
| JP2020150097A (ja) | 発光装置、発光モジュール及びその製造方法 | |
| JP5232027B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP2016096322A (ja) | 発光装置 | |
| US10008651B2 (en) | Light emitting device and wiring board thereof | |
| JP4862808B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP4954664B2 (ja) | 発光素子実装用基板、発光素子実装パッケージおよび面光源装置 | |
| US9356005B2 (en) | Package of light emitting diode with heat sink |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180529 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180530 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180730 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181218 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190326 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190408 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6519549 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |