JP2018016836A - Indirect heating vapor deposition source - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an indirect heating vapor deposition source capable of shortening the time period for cooling a crucible (liner) to a temperature capable of opening to the atmosphere to improve the throughput of a manufacturing process.SOLUTION: An indirect heating vapor deposition source 1 heats a container (a liner 2) filled with a vapor deposition material 4 by thermal electrons discharged from an electron source 8, thereby to heat and evaporate the vapor deposition material 4, and is equipped with the liner 2, the electron source 8, a container holding part (a holder 3), a moving mechanism (or a revolution drive shaft 14), and a cooling table 15. The electron source 8 discharges the thermal electrons to the bottom of the liner 2. The holder 3 holds the bottom of the liner 2 while exposing the same to the outside. The revolution drive shaft 14 drives the holder 3 thereby to move the container horizontally. The cooling table 15 has a an upper face, which is contacted by the bottom of the liner 2 moved by the revolution drive shaft 14 in the horizontal direction from above the electron source 8, and cools the liner 2.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、蒸着材料を充填した容器を電子ビーム衝撃（ボンバード）により加熱し、蒸着材料を加熱、蒸発させる間接加熱蒸着源に関する。   The present invention relates to an indirect heating evaporation source that heats and evaporates a deposition material by heating a container filled with the deposition material by electron beam impact (bombarding).

従来から、真空チャンバー内に基板を配置して、この基板に向けて蒸着源を設置した蒸着装置が知られており、間接蒸着源としては、蒸着材料を充填した容器に電子ビーム（熱電子）を放出する電子線衝撃型蒸着源がある（例えば、特許文献１参照）。   Conventionally, a deposition apparatus is known in which a substrate is placed in a vacuum chamber and a deposition source is installed toward the substrate. As an indirect deposition source, an electron beam (thermoelectron) is used in a container filled with a deposition material. There is an electron beam impact deposition source that emits (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に記載された電子線衝撃型蒸着源では、フィラメント５と坩堝１との間に可変電圧電源２２が接続されている。可変電圧電源２２は、坩堝１側が正になるような加速電圧をフィラメント５に印加する。これにより、フィラメント５から放出された熱電子ｅ−が加速され、坩堝１の底面に衝突して、坩堝１が加熱される。その結果、坩堝１中の蒸発材料２が加熱、溶融、蒸発され、蒸発材料２の蒸気が基板１７の表面に凝着して薄膜が形成される。   In the electron beam impact evaporation source described in Patent Document 1, a variable voltage power source 22 is connected between the filament 5 and the crucible 1. The variable voltage power source 22 applies an acceleration voltage to the filament 5 such that the crucible 1 side becomes positive. Thereby, the thermoelectrons e− emitted from the filament 5 are accelerated, collide with the bottom surface of the crucible 1, and the crucible 1 is heated. As a result, the evaporation material 2 in the crucible 1 is heated, melted and evaporated, and the vapor of the evaporation material 2 adheres to the surface of the substrate 17 to form a thin film.

特開２００２−３７１３５３号公報JP 2002-371353 A

しかしながら、特許文献１に記載されたような従来の電子線衝撃型蒸着源では、加熱蒸着が終了して真空チャンバーを大気開放する場合に、電子衝撃加熱により高温となった坩堝１が、自然に冷却されて大気開放可能な温度になるまで待機する必要があった。   However, in the conventional electron beam impact deposition source as described in Patent Document 1, when the heat deposition is completed and the vacuum chamber is opened to the atmosphere, the crucible 1 heated to high temperature by electron impact heating is naturally It was necessary to wait until the temperature was cooled and the atmosphere could be released.

一般的に、坩堝１と坩堝支持板３との間に熱抵抗を大きく持たせるため、坩堝支持板３との熱伝導による坩堝１の冷却は効率的でない。また、坩堝１から周囲構造物への放熱量は、坩堝１における表面の絶対温度の４乗に比例する。したがって、高温時である場合は、坩堝１が急激に冷却され、温度が下がるにつれて温度減少率が低下して、坩堝１の冷却に時間を要してしまう。特に、坩堝１は、高融点材料によって形成されているため、加熱温度によっては高温になり易くなり、例えば、１時間以上の待機時間が必要であった。   Generally, since a large thermal resistance is provided between the crucible 1 and the crucible support plate 3, the cooling of the crucible 1 by heat conduction with the crucible support plate 3 is not efficient. The amount of heat released from the crucible 1 to the surrounding structure is proportional to the fourth power of the absolute temperature of the surface of the crucible 1. Therefore, when the temperature is high, the crucible 1 is rapidly cooled, and the temperature reduction rate is lowered as the temperature is lowered, so that it takes time to cool the crucible 1. In particular, since the crucible 1 is made of a high melting point material, the temperature tends to become high depending on the heating temperature, and for example, a waiting time of 1 hour or longer is required.

本発明は、上記状況に鑑みてなされたものであり、坩堝（ライナー）を大気開放可能な温度へ冷却するまでの時間を短縮し、生産工程のスループット向上を可能とする間接蒸着源を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an indirect vapor deposition source that shortens the time until the crucible (liner) is cooled to a temperature at which the crucible (liner) can be opened to the atmosphere, and that can improve the throughput of the production process. For the purpose.

本発明の間接蒸着源の一態様は、蒸着材料を充填した容器を電子源から放出された熱電子により加熱し、蒸着材料を加熱蒸発させるものであり、容器と、電子源と、容器保持部と、移動機構と、冷却台とを備える。電子源は、容器の底部に熱電子を放出する。容器保持部は、容器の底部を露出させて保持する。移動機構は、容器保持部を駆動させて、容器を水平方向に移動させる。冷却台は、移動機構により電子源の上方から水平方向に移動した容器の底部が接触する上面を有し、容器を冷却する。   One aspect of the indirect vapor deposition source of the present invention is to heat a vapor-deposited material by heating a container filled with a vapor-deposited material with thermoelectrons emitted from an electron source, and a container, an electron source, and a container holding unit And a moving mechanism and a cooling stand. The electron source emits thermal electrons at the bottom of the container. A container holding part exposes and holds the bottom of the container. The moving mechanism drives the container holding unit to move the container in the horizontal direction. The cooling table has an upper surface that contacts the bottom of the container moved in the horizontal direction from above the electron source by the moving mechanism, and cools the container.

上述のように、本発明の一態様は、間接加熱蒸着終了後に、移動機構によって容器が水平方向に移動されて、冷却台の上面に載置される。これにより、容器は、冷却台との間で作用する熱伝導により冷却されるため、容器が大気開放可能な温度に低下するまでの時間を短縮することができる。その結果、生産工程のスループット向上が可能となる。   As described above, in one embodiment of the present invention, after completion of indirect heating vapor deposition, the container is moved in the horizontal direction by the moving mechanism and placed on the upper surface of the cooling table. Thereby, since a container is cooled by the heat conduction which acts between a cooling stand, time until it falls to the temperature which a container can open | release to air | atmosphere can be shortened. As a result, the throughput of the production process can be improved.

本発明の第１の実施形態に係る間接蒸着源の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the indirect vapor deposition source which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る間接蒸着源における電子源の構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the structure of the electron source in the indirect vapor deposition source which concerns on the 1st Embodiment of this invention. 本発明の第１の実施形態に係る間接蒸着源の容器を水平方向に移動する状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which moves the container of the indirect vapor deposition source which concerns on the 1st Embodiment of this invention to a horizontal direction. 本発明の第１の実施形態に係る間接蒸着源の容器が冷却台に載置された状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state in which the container of the indirect vapor deposition source which concerns on the 1st Embodiment of this invention was mounted in the cooling stand. 本発明の第２の実施形態に係る間接蒸着源の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the indirect vapor deposition source which concerns on the 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第２の実施形態に係る間接蒸着源の容器を水平方向に移動する状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which moves the container of the indirect vapor deposition source which concerns on the 2nd Embodiment of this invention to a horizontal direction. 本発明の第２の実施形態に係る間接蒸着源の容器が冷却台に載置された状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state in which the container of the indirect vapor deposition source which concerns on the 2nd Embodiment of this invention was mounted in the cooling stand. 本発明の第３の実施形態に係る間接蒸着源の容器を水平方向に移動する状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which moves the container of the indirect vapor deposition source which concerns on the 3rd Embodiment of this invention to a horizontal direction. 本発明の第３の実施形態に係る間接蒸着源の容器が冷却台に載置された状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state in which the container of the indirect vapor deposition source which concerns on the 3rd Embodiment of this invention was mounted in the cooling stand.

以下、本発明を実施するための形態の例について、添付図面を参照しながら説明する。なお、各図において実質的に同一の機能又は構成を有する構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。   Hereinafter, an example of an embodiment for carrying out the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In addition, in each figure, about the component which has the substantially same function or structure, the same code | symbol is attached | subjected and the overlapping description is abbreviate | omitted.

＜第１の実施形態＞
［間接蒸着源の構成］
まず、第１の実施形態に係る間接蒸着源の構成について、図１を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る間接蒸着源の概略構成図である。 <First Embodiment>
[Configuration of indirect evaporation source]
First, the configuration of the indirect vapor deposition source according to the first embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an indirect vapor deposition source according to the first embodiment of the present invention.

図１に示す間接蒸着源１は、真空チャンバー内に設置され、容器に充填された蒸着材料を加熱、蒸発させて基板に蒸着させる。
この間接蒸着源１は、容器の第１の具体例を示すライナー２と、容器保持部の一具体例を示すホルダー３と、電子源８と、冷却台１５とを備えている。 An indirect vapor deposition source 1 shown in FIG. 1 is installed in a vacuum chamber, and vapor deposition material filled in a container is heated and evaporated to deposit on a substrate.
The indirect vapor deposition source 1 includes a liner 2 that shows a first specific example of a container, a holder 3 that shows a specific example of a container holding portion, an electron source 8, and a cooling table 15.

ライナー２は、有底の筒状に形成されており、底部２ａと、底部２ａの周縁に連続する周壁部２ｂと、周壁部２ｂの上端に連続するフランジ部２ｃとを有している。ライナー２の材料としては、例えば、タングステンやカーボン等のセラミックスの高融点材料を挙げることができる。また、ライナー２には、蒸着材料４が充填される。   The liner 2 is formed in a bottomed cylindrical shape, and includes a bottom portion 2a, a peripheral wall portion 2b continuous to the periphery of the bottom portion 2a, and a flange portion 2c continuous to the upper end of the peripheral wall portion 2b. Examples of the material of the liner 2 include high melting point materials of ceramics such as tungsten and carbon. The liner 2 is filled with a vapor deposition material 4.

ホルダー３は、円形の板状に形成されており、ライナー２の周壁部２ｂを貫通させる保持用孔３ａを有している。ライナー２は、ホルダー３の上面にフランジ部２ｃが係合することで、ホルダー３に保持される。これにより、ライナー２とホルダー３との接触面積を小さくすることができ、ライナー２からホルダー３への熱伝導による熱損失を少なくすることができる。   The holder 3 is formed in a circular plate shape, and has a holding hole 3 a through which the peripheral wall portion 2 b of the liner 2 passes. The liner 2 is held by the holder 3 by engaging the flange portion 2 c with the upper surface of the holder 3. As a result, the contact area between the liner 2 and the holder 3 can be reduced, and heat loss due to heat conduction from the liner 2 to the holder 3 can be reduced.

ホルダー３の材料は、熱抵抗の大きいものであればよい。したがって、ホルダー３には、ライナー２の熱が伝達され難くなっている。なお、図１では、ホルダー３が１つの保持用孔３ａを有しているが、本発明に係るホルダー（容器保持部）としては、複数の保持用孔を有し、複数のライナー（容器）を保持するものであってもよい。   The holder 3 may be made of any material having a large thermal resistance. Therefore, it is difficult for the heat of the liner 2 to be transmitted to the holder 3. In FIG. 1, the holder 3 has one holding hole 3a. However, the holder (container holding portion) according to the present invention has a plurality of holding holes and a plurality of liners (containers). May be held.

ホルダー３の中心部には、駆動機構の一具体例を示す回転駆動軸１４が接続されている。回転駆動軸１４は、ホルダー３を回転駆動させて、ホルダー３に保持されたライナー２を水平方向に移動させる。この回転駆動軸１４は、回転機能を損なわないよう冷却されている。   A rotation drive shaft 14 showing a specific example of the drive mechanism is connected to the center of the holder 3. The rotation drive shaft 14 rotates the holder 3 to move the liner 2 held by the holder 3 in the horizontal direction. The rotational drive shaft 14 is cooled so as not to impair the rotational function.

電子源８及び冷却台１５は、ホルダー３の下方において、ライナー２の回転軌道上の任意の位置に配置されている。これにより、ホルダー３に保持されたライナー２が第１の位置である蒸着位置に配置されると、ライナー２は、電子源８の上方に位置する。また、ホルダー３に保持されたライナー２が第２の位置である冷却位置に配置されると、ライナー２は、冷却台１５の上面に載置される。   The electron source 8 and the cooling table 15 are disposed below the holder 3 at arbitrary positions on the rotation path of the liner 2. Thus, when the liner 2 held by the holder 3 is disposed at the vapor deposition position which is the first position, the liner 2 is positioned above the electron source 8. Further, when the liner 2 held by the holder 3 is disposed at the cooling position which is the second position, the liner 2 is placed on the upper surface of the cooling table 15.

電子源８の構成及び回路については、後で図２を参照して説明する。冷却台１５は、直接水冷あるいは間接冷却により常時冷却されている。 冷却台１５の上部周縁には、曲面加工１５ａが施されている。ホルダー３に保持されたライナー２の底面は、冷却台１５の上面よりも上下方向において低い位置にある。   The configuration and circuit of the electron source 8 will be described later with reference to FIG. The cooling table 15 is always cooled by direct water cooling or indirect cooling. A curved surface processing 15 a is applied to the upper peripheral edge of the cooling table 15. The bottom surface of the liner 2 held by the holder 3 is lower than the top surface of the cooling table 15 in the vertical direction.

ホルダー３の上方には、基板保持部２１が配置されている。この基板保持部２１は、円形の板状に形成されており、下面において基板２２を保持する。また、基板保持部２１における上面の中心部には、回転駆動軸２３が接続されている。回転駆動軸２３は、基板保持部２１を回転駆動させて、基板保持部２１に保持された基板２２を水平方向に移動させる。また、回転駆動軸２３は、回転機能を損なわないよう冷却されている。   A substrate holder 21 is disposed above the holder 3. The substrate holding unit 21 is formed in a circular plate shape, and holds the substrate 22 on the lower surface. A rotation drive shaft 23 is connected to the center of the upper surface of the substrate holding unit 21. The rotation drive shaft 23 rotates the substrate holding unit 21 to move the substrate 22 held by the substrate holding unit 21 in the horizontal direction. The rotation drive shaft 23 is cooled so as not to impair the rotation function.

基板２２に蒸着膜を付着させる場合は、回転駆動軸２３によって基板保持部２１を回転駆動させて、基板２２をライナー２の上方に移動させる。これにより、ライナー２内の蒸着材料４が溶融して蒸発すると、その蒸発粒子が基板２２に堆積する。なお、図１では、基板保持部２１が１つの基板２２を保持しているが、本発明に係る基板保持部としては、複数の基板を保持するものであってもよい。   When depositing the vapor deposition film on the substrate 22, the substrate holding unit 21 is driven to rotate by the rotation drive shaft 23, and the substrate 22 is moved above the liner 2. Thereby, when the vapor deposition material 4 in the liner 2 is melted and evaporated, the evaporated particles are deposited on the substrate 22. In FIG. 1, the substrate holder 21 holds one substrate 22, but the substrate holder according to the present invention may hold a plurality of substrates.

図２は、間接蒸着源１における電子源８の構成を示す説明図である。
図２に示すように、電子源８は、フィラメント９と、フィラメント９を収容するウェネルト１０とを有している。ウェネルト１０には、フィラメント９を露出させる開口部が形成されている。 FIG. 2 is an explanatory diagram showing the configuration of the electron source 8 in the indirect vapor deposition source 1.
As shown in FIG. 2, the electron source 8 includes a filament 9 and a Wehnelt 10 that accommodates the filament 9. An opening for exposing the filament 9 is formed in the Wehnelt 10.

フィラメント９は、タングステン材からなる線材によって形成されている。このフィラメント９には、フィラメント電源１１を介して加速電源１２が接続されている。加速電源１２は、接地されており、アース電位に対して負の高電圧、例えば３００Ｖ〜６ｋＶの電圧が印加される。ホルダー３は、アース電位となっており、ホルダー３に保持されたライナー２は、アース電位となる。フィラメント９に所定の値の電流が供給されると、フィラメント９は、ジュール加熱により熱電子供給が可能な温度、例えば２３００℃前後に加熱される。   The filament 9 is formed of a wire made of a tungsten material. An acceleration power source 12 is connected to the filament 9 via a filament power source 11. The acceleration power source 12 is grounded, and a negative high voltage, for example, a voltage of 300 V to 6 kV is applied to the ground potential. The holder 3 is at ground potential, and the liner 2 held by the holder 3 is at ground potential. When a current of a predetermined value is supplied to the filament 9, the filament 9 is heated to a temperature at which thermoelectrons can be supplied by Joule heating, for example, around 2300 ° C.

加速電源１２によりアース電位に対して負の高電圧を印加すると、フィラメント９が熱電子放出可能な温度まで加熱される。そして、フィラメント９から放出された熱電子がアース電位のライナー２に向けて加速し、ライナー２は電子衝撃加熱される。   When a high negative voltage is applied to the ground potential by the acceleration power source 12, the filament 9 is heated to a temperature at which thermionic electrons can be emitted. Then, the thermoelectrons emitted from the filament 9 are accelerated toward the liner 2 having the ground potential, and the liner 2 is heated by electron impact.

電子衝撃加熱の最大出力電流は、フィラメント９とライナー２の距離の２乗に反比例し、加速電圧の３／２乗に比例する。したがって、フィラメント９とライナー２の距離を１０ｍｍ前後に設定し、加速電圧を３ｋＶ前後に設定するとよい。例えば、ライナー２をタングステン製とし、１２ｃｃの蒸着材料４を充填した場合に、出力電流０．２Ａ程度でライナー２の温度は、１２００℃以上に達する。また、ライナー２の温度は、フィラメント９の温度を上下させて熱電子放出量を調整することで制御することが可能となる。   The maximum output current of the electron impact heating is inversely proportional to the square of the distance between the filament 9 and the liner 2 and proportional to the acceleration voltage 3/2. Therefore, the distance between the filament 9 and the liner 2 may be set to about 10 mm, and the acceleration voltage may be set to about 3 kV. For example, when the liner 2 is made of tungsten and 12 cc of the vapor deposition material 4 is filled, the temperature of the liner 2 reaches 1200 ° C. or more at an output current of about 0.2 A. Further, the temperature of the liner 2 can be controlled by adjusting the amount of thermionic emission by raising and lowering the temperature of the filament 9.

例えば、ライナー２に蒸着材料４としてアルミ材を充填すると、アルミ材は溶融し蒸発を開始する。そして、発生した蒸発粒子１３は、真空中を移動して、基板保持部２１に保持された基板２２のライナー２と対向した面に堆積する。その結果、所望の厚さの蒸着膜が基板２２に付着する。なお、基板２２の蒸着膜の付着速度は、ライナー２の温度を調整して蒸発粒子１３の量を制御することにより、所望の値に設定することができる。   For example, when the liner 2 is filled with an aluminum material as the vapor deposition material 4, the aluminum material melts and starts to evaporate. Then, the generated evaporated particles 13 move in a vacuum and are deposited on the surface of the substrate 22 held by the substrate holding unit 21 that faces the liner 2. As a result, a deposited film having a desired thickness adheres to the substrate 22. The deposition rate of the deposited film on the substrate 22 can be set to a desired value by adjusting the temperature of the liner 2 and controlling the amount of the evaporated particles 13.

［間接蒸着源の冷却動作］
次に、間接蒸着源１におけるライナー２の冷却動作について、図３及び図４を参照して説明する。
図３は、間接蒸着源１のライナー２を水平方向に移動する状態を示す説明図である。図４は、間接蒸着源１のライナー２が冷却台１５に載置された状態を示す説明図である。 [Cooling operation of indirect evaporation source]
Next, the cooling operation of the liner 2 in the indirect vapor deposition source 1 will be described with reference to FIGS.
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a state in which the liner 2 of the indirect vapor deposition source 1 is moved in the horizontal direction. FIG. 4 is an explanatory view showing a state in which the liner 2 of the indirect vapor deposition source 1 is placed on the cooling table 15.

所望の厚さの蒸着膜が基板２２に付着すると、フィラメント９による電子衝撃加熱を停止して、蒸着を終了する。その後、図３に示すように、回転駆動軸１４によりホルダー３を回転させ、ライナー２を冷却台１５の上方へ回転移動させる。   When the vapor deposition film having a desired thickness adheres to the substrate 22, the electron impact heating by the filament 9 is stopped and the vapor deposition is finished. Thereafter, as shown in FIG. 3, the holder 3 is rotated by the rotation drive shaft 14, and the liner 2 is rotated and moved above the cooling table 15.

上述したように、ライナー２の底面は、冷却台１５の上面よりも上下方向において低い位置にある。したがって、ホルダー３に保持されたライナー２が水平方向に移動すると、ライナー２の底部２ａが冷却台１５の上面に必ず接触する。このとき、ライナー２の底部２ａが、冷却台１５の曲面加工１５ａに接触するため、ライナー２が冷却台１５の上面に円滑に持ち上げられる。   As described above, the bottom surface of the liner 2 is at a lower position in the vertical direction than the top surface of the cooling table 15. Therefore, when the liner 2 held by the holder 3 moves in the horizontal direction, the bottom 2 a of the liner 2 always comes into contact with the upper surface of the cooling table 15. At this time, since the bottom portion 2 a of the liner 2 comes into contact with the curved surface processing 15 a of the cooling table 15, the liner 2 is smoothly lifted to the upper surface of the cooling table 15.

その結果、図４に示すように、ライナー２が冷却台１５の上面に乗り上げて、冷却位置に配置される。そして、ライナー２は、冷却台１５との熱伝導により冷却される。ライナー２の中に蒸着材料４が残っている場合は、熱伝導により蒸着材料４の冷却が進行する。また、ライナー２が冷却台１５の上面に乗り上げると、ライナー２の底部２ａが冷却台１５に押圧され、フランジ部２ｃがホルダー３の上面から離れる。その結果、ライナー２は、ホルダー３の保持から解放される。   As a result, as shown in FIG. 4, the liner 2 rides on the upper surface of the cooling table 15 and is disposed at the cooling position. The liner 2 is cooled by heat conduction with the cooling table 15. When the vapor deposition material 4 remains in the liner 2, the vapor deposition material 4 is cooled by heat conduction. Further, when the liner 2 rides on the upper surface of the cooling table 15, the bottom 2 a of the liner 2 is pressed against the cooling table 15, and the flange portion 2 c is separated from the upper surface of the holder 3. As a result, the liner 2 is released from the holding of the holder 3.

このように、ライナー２を冷却台１５に載せて冷却する場合は、冷却台１５を使用せずにライナー２の温度低下を待つ場合よりも、ライナー２が大気開放可能な温度へ低下するまでの時間を短縮することができる。なお、冷却台１５を使用せずにライナー２の温度低下を待つ場合は、ライナー２からの放射熱、あるいはホルダー３との熱伝導によってライナー２が冷却される。   As described above, when the liner 2 is cooled by being placed on the cooling table 15, the temperature until the temperature of the liner 2 decreases to a temperature at which the liner 2 can be released to the atmosphere is higher than when the temperature of the liner 2 is waited without using the cooling table 15. Time can be shortened. When the temperature of the liner 2 is lowered without using the cooling table 15, the liner 2 is cooled by radiant heat from the liner 2 or heat conduction with the holder 3.

その後、図１に示す蒸着前の状態へ戻す場合は、回転駆動軸１４によりホルダー３を回転させる。これにより、ホルダー３がライナー２を水平方向へ押圧し、ライナー２が冷却台１５から外れる。このとき、ライナー２のフランジ部２ｃがホルダー３の上面に係合し、ライナー２は、ホルダー３に保持される。そして、ホルダー３に保持されたライナー２は、水平方向に移動して、蒸着位置に配置される。   Thereafter, when returning to the state before vapor deposition shown in FIG. 1, the holder 3 is rotated by the rotary drive shaft 14. Thereby, the holder 3 presses the liner 2 in the horizontal direction, and the liner 2 is detached from the cooling table 15. At this time, the flange portion 2 c of the liner 2 is engaged with the upper surface of the holder 3, and the liner 2 is held by the holder 3. And the liner 2 hold | maintained at the holder 3 moves to a horizontal direction, and is arrange | positioned in a vapor deposition position.

＜第２の実施形態＞
［間接蒸着源の構成］
次に、第２の実施形態に係る間接蒸着源の構成について、図５を参照して説明する。
図５は、本発明の第２の実施形態に係る間接蒸着源の概略構成図である。 <Second Embodiment>
[Configuration of indirect evaporation source]
Next, the configuration of the indirect vapor deposition source according to the second embodiment will be described with reference to FIG.
FIG. 5 is a schematic configuration diagram of an indirect vapor deposition source according to the second embodiment of the present invention.

第２の実施形態に係る間接蒸着源３１は、第１の実施形態に係る間接蒸着源１（図１参照）と同様の構成を備えており、異なる点は、ライナー及び冷却台の構造である。そこで、ここでは、間接蒸着源３１のライナー３２及び冷却台１６について説明し、間接蒸着源１（図１参照）と同じ構成の説明を省略する。   The indirect vapor deposition source 31 according to the second embodiment has the same configuration as the indirect vapor deposition source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment, and the difference is the structure of the liner and the cooling stand. . Therefore, here, the liner 32 and the cooling table 16 of the indirect vapor deposition source 31 will be described, and the description of the same configuration as the indirect vapor deposition source 1 (see FIG. 1) will be omitted.

図５に示すように、間接蒸着源３１は、容器の第２の具体例を示すライナー３２と、ホルダー３と、電子源８と、冷却台１５とを備えている。   As shown in FIG. 5, the indirect vapor deposition source 31 includes a liner 32 showing a second specific example of the container, a holder 3, an electron source 8, and a cooling table 15.

ライナー３２は、アウターライナー４１と、ヒータープレート４２と、インナーライナー４３とを有している。アウターライナー４１は、有底の筒状に形成されており、底部４１ａと、底部４１ａの周縁に連続する周壁部４１ｂと、周壁部４１ｂの上端に連続するフランジ部４１ｃとを有している。アウターライナー４１の材料としては、例えば、モリブデンやセラミックスなどの高融点材料を挙げることができる。   The liner 32 includes an outer liner 41, a heater plate 42, and an inner liner 43. The outer liner 41 is formed in a cylindrical shape with a bottom, and includes a bottom portion 41a, a peripheral wall portion 41b continuous to the periphery of the bottom portion 41a, and a flange portion 41c continuous to the upper end of the peripheral wall portion 41b. Examples of the material of the outer liner 41 include high melting point materials such as molybdenum and ceramics.

アウターライナー４１の底部４１ａには、円形のプレート用貫通孔４５が形成されている。このプレート用貫通孔４５は、ヒータープレート４２の後述する貫通部５１を貫通させる。また、アウターライナー４１の底部４１ａには、ヒータープレート４２の後述するフランジ部５２が係合するフランジ受け部４６が設けられている。さらに、アウターライナー４１の底部４１ａには、インナーライナー４３の後述する底部４３ａが嵌合する嵌合凹部４７が形成されている。   A circular plate through hole 45 is formed in the bottom 41 a of the outer liner 41. The plate through-hole 45 penetrates a later-described through-hole 51 of the heater plate 42. Further, a flange receiving portion 46 with which a flange portion 52 described later of the heater plate 42 is engaged is provided on the bottom 41 a of the outer liner 41. Furthermore, a fitting recess 47 into which a later-described bottom 43a of the inner liner 43 is fitted is formed in the bottom 41a of the outer liner 41.

アウターライナー４１の周壁部４１ｂは、ホルダー３の保持用孔３ａを貫通する。また、アウターライナー４１のフランジ部２ｃは、ホルダー３の上面に係合する。これにより、ライナー３２がホルダー３に保持される。これにより、ライナー３２とホルダー３との接触面積を小さくすることができ、ライナー３２からホルダー３への熱伝導による熱損失を少なくすることができる。   The peripheral wall portion 41 b of the outer liner 41 passes through the holding hole 3 a of the holder 3. Further, the flange portion 2 c of the outer liner 41 engages with the upper surface of the holder 3. Thereby, the liner 32 is held by the holder 3. As a result, the contact area between the liner 32 and the holder 3 can be reduced, and heat loss due to heat conduction from the liner 32 to the holder 3 can be reduced.

ヒータープレート４２は、上下方向に延びる円柱状の貫通部５１と、貫通部５１の上端に連続するフランジ部５２とを有している。貫通部５１は、アウターライナー４１のプレート用貫通孔４５を貫通し、フランジ部５２は、アウターライナー４１のフランジ受け部４６に係合する。これにより、ヒータープレート４２は、アウターライナー４１に保持される。このヒータープレート４２は、上下方向に移動可能であり、下方向への移動は、アウターライナー４１のフランジ受け部４６によって制限されている。   The heater plate 42 includes a columnar penetrating portion 51 that extends in the vertical direction and a flange portion 52 that is continuous with the upper end of the penetrating portion 51. The through portion 51 passes through the plate through hole 45 of the outer liner 41, and the flange portion 52 engages with the flange receiving portion 46 of the outer liner 41. Thereby, the heater plate 42 is held by the outer liner 41. The heater plate 42 is movable in the vertical direction, and the downward movement is restricted by the flange receiving portion 46 of the outer liner 41.

ヒータープレート４２のフランジ部５２がアウターライナー４１のフランジ受け部４６に係合した状態において、ヒータープレート４２の貫通部５１における下端は、アウターライナー４１の底面よりも下方に突出している。また、ヒータープレート４２の上下方向の長さは、アウターライナー４１のプレート用貫通孔４５の上下方向の長さよりも短い。したがって、貫通部５１の下端がアウターライナー４１の底面と同じ高さになるように、ヒータープレート４２が持ち上げられても、ヒータープレート４２の上端は、アウターライナー４１の底部４１ａにおける内面よりも上方に突出しない。   In a state where the flange portion 52 of the heater plate 42 is engaged with the flange receiving portion 46 of the outer liner 41, the lower end of the through portion 51 of the heater plate 42 projects downward from the bottom surface of the outer liner 41. The vertical length of the heater plate 42 is shorter than the vertical length of the plate through hole 45 of the outer liner 41. Therefore, even if the heater plate 42 is lifted so that the lower end of the penetrating portion 51 is at the same height as the bottom surface of the outer liner 41, the upper end of the heater plate 42 is higher than the inner surface of the bottom 41 a of the outer liner 41. Does not protrude.

なお、ヒータープレート４２の材料としては、例えば、タングステンあるいはカーボン等の高融点材料を挙げることができる。また、ヒータープレート４２は、アウターライナー４１に対して脱着可能であるため、ヒータープレート４２が消耗した場合は、ヒータープレート４２のみを交換すればよい。その結果、アウターライナー４１は繰り返し使用可能となる。   Examples of the material of the heater plate 42 include a high melting point material such as tungsten or carbon. Further, since the heater plate 42 can be attached to and detached from the outer liner 41, when the heater plate 42 is consumed, only the heater plate 42 needs to be replaced. As a result, the outer liner 41 can be used repeatedly.

インナーライナー４３は、有底の筒状に形成されており、底部４３ａと、底部４３ａの周縁に連続する周壁部４３ｂとを有している。インナーライナー４３における底部４３ａの径は、アウターライナー４１における底部４１ａの径よりも小さく設定されており、インナーライナー４３は、アウターライナー４１の内側に収容されている。   The inner liner 43 is formed in a bottomed cylindrical shape, and includes a bottom portion 43a and a peripheral wall portion 43b continuous to the periphery of the bottom portion 43a. The diameter of the bottom 43 a in the inner liner 43 is set smaller than the diameter of the bottom 41 a in the outer liner 41, and the inner liner 43 is accommodated inside the outer liner 41.

インナーライナー４３には、蒸着材料４が充填される。インナーライナー４３の材料としては、蒸着材料４との反応性が低い材料が好ましい。例えば、蒸着材料４としてアルミ材を適用する場合は、インナーライナー４３の材料として、比較的アルミ材との反応性が低いセラミックスであるカーボンを適用することができる。   The inner liner 43 is filled with the vapor deposition material 4. As the material of the inner liner 43, a material having low reactivity with the vapor deposition material 4 is preferable. For example, when an aluminum material is applied as the vapor deposition material 4, carbon, which is a ceramic having a relatively low reactivity with the aluminum material, can be applied as the material of the inner liner 43.

インナーライナー４３の底部４３ａは、アウターライナー４１の嵌合凹部４７に嵌合している。インナーライナー４３の周壁部４３ｂとアウターライナー４１の周壁部４１ｂとの間には、適当な距離（例えば、１〜３ｍｍ）の間隙が形成されている。したがって、インナーライナー４３は、底部４３ａのみでアウターライナー４１に接触している。   The bottom 43 a of the inner liner 43 is fitted in the fitting recess 47 of the outer liner 41. A gap of an appropriate distance (for example, 1 to 3 mm) is formed between the peripheral wall portion 43b of the inner liner 43 and the peripheral wall portion 41b of the outer liner 41. Therefore, the inner liner 43 is in contact with the outer liner 41 only at the bottom 43a.

インナーライナー４３がアウターライナー４１の内側に収容された状態において、インナーライナー４３の上端（周壁部４３ｂの上端）は、アウターライナー４１の上端（フランジ部４１ｃ）よりも上方に突出している。これにより、蒸着材料４の蒸気アウターライナー４１に到達しにくくなり、アウターライナー４１の蒸気汚染を低減することができる。   In a state where the inner liner 43 is housed inside the outer liner 41, the upper end of the inner liner 43 (the upper end of the peripheral wall portion 43 b) protrudes above the upper end (the flange portion 41 c) of the outer liner 41. Thereby, it becomes difficult to reach the vapor outer liner 41 of the vapor deposition material 4, and vapor contamination of the outer liner 41 can be reduced.

冷却台１６は、ホルダー３の下方において、ライナー３２の回転軌道上の任意の位置に配置されている。ホルダー３に保持されたライナー３２が第１の位置である蒸着位置に配置されると、ライナー３２は、電子源８の上方に位置する。また、ホルダー３に保持されたライナー３２が第２の位置である冷却位置に配置されると、ライナー３２は、冷却台１６の上面に載置される。   The cooling table 16 is disposed at an arbitrary position on the rotation path of the liner 32 below the holder 3. When the liner 32 held by the holder 3 is disposed at the vapor deposition position, which is the first position, the liner 32 is positioned above the electron source 8. Further, when the liner 32 held by the holder 3 is disposed at the cooling position which is the second position, the liner 32 is placed on the upper surface of the cooling table 16.

冷却台１６は、直接水冷あるいは間接冷却により常時冷却されている。冷却台１５の上部周縁には、テーパー加工１６ａが施されている。ホルダー３に保持されたライナー３２におけるアウターライナー４１の底面は、冷却台１６の上面よりも上下方向において低い位置にある。なお、蒸着位置において、ヒータープレート４２の下端は、アウターライナー４１の底面よりも上下方向において低い位置にある。   The cooling table 16 is always cooled by direct water cooling or indirect cooling. A taper process 16 a is applied to the upper peripheral edge of the cooling table 15. The bottom surface of the outer liner 41 in the liner 32 held by the holder 3 is lower than the top surface of the cooling table 16 in the vertical direction. In addition, in the vapor deposition position, the lower end of the heater plate 42 is lower than the bottom surface of the outer liner 41 in the vertical direction.

加速電源１２（図２参照）によりアース電位に対して負の高電圧を印加すると、フィラメント９（図２参照）が熱電子放出可能な温度まで加熱される。そして、フィラメント９から放出された熱電子がアース電位のライナー３２におけるヒータープレート４２に向けて加速し、ヒータープレート４２は電子衝撃加熱される。   When a high negative voltage with respect to the ground potential is applied by the acceleration power source 12 (see FIG. 2), the filament 9 (see FIG. 2) is heated to a temperature at which thermionic emission is possible. Then, the thermoelectrons emitted from the filament 9 are accelerated toward the heater plate 42 in the liner 32 at the ground potential, and the heater plate 42 is heated by electron impact.

アウターライナー４１は、主にヒータープレート４２との熱伝導により加熱される。インナーライナー４３は、アウターライナー４１の嵌合凹部４７との熱伝導及びヒータープレート４２とアウターライナー４１からの輻射熱により加熱される。蒸着材料４は、主にインナーライナー４３との熱伝導により加熱され、蒸発可能な温度以上に昇温されると、蒸着が開始される。この際、インナーライナー４３の温度は、例えば１２００℃以上に、ヒータープレート４２は、それ以上の温度に達する。   The outer liner 41 is heated mainly by heat conduction with the heater plate 42. The inner liner 43 is heated by heat conduction with the fitting recess 47 of the outer liner 41 and radiant heat from the heater plate 42 and the outer liner 41. The vapor deposition material 4 is heated mainly by heat conduction with the inner liner 43, and vapor deposition is started when the vapor deposition material 4 is heated to a temperature higher than the vaporizable temperature. At this time, the temperature of the inner liner 43 reaches, for example, 1200 ° C. or higher, and the heater plate 42 reaches a temperature higher than that.

例えば、インナーライナー４３に蒸着材料４としてアルミ材を充填すると、アルミ材は溶融し蒸発を開始する。そして、発生した蒸発粒子が真空中を移動して、基板保持部２１に保持された基板２２のインナーライナー４３と対向した面に堆積する。その結果、所望の厚さの蒸着膜が基板２２に付着する。なお、基板２２の蒸着膜の付着速度は、インナーライナー４３の温度を調整して蒸発粒子の量を制御することにより、所望の値に設定することができる。   For example, when the inner liner 43 is filled with an aluminum material as the vapor deposition material 4, the aluminum material melts and starts to evaporate. Then, the generated evaporated particles move in a vacuum and are deposited on the surface of the substrate 22 held by the substrate holding unit 21 that faces the inner liner 43. As a result, a deposited film having a desired thickness adheres to the substrate 22. The deposition rate of the deposited film on the substrate 22 can be set to a desired value by adjusting the temperature of the inner liner 43 to control the amount of evaporated particles.

［間接蒸着源の冷却動作］
次に、間接蒸着源３１におけるライナー３２の冷却動作について、図６及び図７を参照して説明する。
図６は、間接蒸着源３１のライナー３２を水平方向に移動する状態を示す説明図である。図７は、間接蒸着源３１のライナー３２が冷却台１６に載置された状態を示す説明図である。 [Cooling operation of indirect evaporation source]
Next, the cooling operation of the liner 32 in the indirect vapor deposition source 31 will be described with reference to FIGS.
FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state in which the liner 32 of the indirect vapor deposition source 31 is moved in the horizontal direction. FIG. 7 is an explanatory view showing a state in which the liner 32 of the indirect vapor deposition source 31 is placed on the cooling table 16.

所望の厚さの蒸着膜が基板２２に付着すると、フィラメント９（図２参照）による電子衝撃加熱を停止して、蒸着を終了する。その後、図６に示すように、回転駆動軸１４によりホルダー３を回転させ、ライナー３２を冷却台１６の上方へ回転移動させる。   When the deposition film having a desired thickness adheres to the substrate 22, the electron impact heating by the filament 9 (see FIG. 2) is stopped, and the deposition is finished. Thereafter, as shown in FIG. 6, the holder 3 is rotated by the rotation drive shaft 14, and the liner 32 is rotated and moved above the cooling table 16.

上述したように、アウターライナー４１の底面は、冷却台１６の上面よりも上下方向において低い位置にある。したがって、ホルダー３に保持されたライナー３２が水平方向に移動すると、アウターライナー４１の底部４１ａが冷却台１６の上面に必ず接触する。このとき、アウターライナー４１の底部４１ａが、冷却台１６のテーパー加工１６ａに接触するため、アウターライナー４１の底部４１ａが冷却台１６の上面に円滑に持ち上げられる。   As described above, the bottom surface of the outer liner 41 is at a lower position in the vertical direction than the top surface of the cooling table 16. Therefore, when the liner 32 held by the holder 3 moves in the horizontal direction, the bottom 41 a of the outer liner 41 always comes into contact with the upper surface of the cooling table 16. At this time, the bottom 41 a of the outer liner 41 contacts the taper process 16 a of the cooling table 16, so that the bottom 41 a of the outer liner 41 is smoothly lifted to the upper surface of the cooling table 16.

さらに、ホルダー３が回転すると、ヒータープレート４２の下端が冷却台１６のテーパー加工１６ａに接触し、ヒータープレート４２が冷却台１６の上面に円滑に持ち上げられる。ヒータープレート４２が冷却台１６の上面に持ち上げられるとき、ヒータープレート４２は、アウターライナー４１のプレート用貫通孔４５内を上方に向かって移動する。   Further, when the holder 3 rotates, the lower end of the heater plate 42 comes into contact with the taper process 16 a of the cooling table 16, and the heater plate 42 is smoothly lifted to the upper surface of the cooling table 16. When the heater plate 42 is lifted to the upper surface of the cooling table 16, the heater plate 42 moves upward in the plate through hole 45 of the outer liner 41.

その結果、図７に示すように、ライナー３２（アウターライナー４１とヒータープレート４２）が冷却台１６の上面に乗り上げて、冷却位置に配置される。そして、アウターライナー４１及びヒータープレート４２は、冷却台１６との熱伝導により冷却される。また、アウターライナー４１が冷却台１６の上面に乗り上げると、アウターライナー４１の底部４１ａが冷却台１６に押圧され、フランジ部４１ｃがホルダー３の上面から離れる。その結果、アウターライナー４１は、ホルダー３の保持から解放される。   As a result, as shown in FIG. 7, the liner 32 (the outer liner 41 and the heater plate 42) rides on the upper surface of the cooling table 16 and is disposed at the cooling position. The outer liner 41 and the heater plate 42 are cooled by heat conduction with the cooling table 16. Further, when the outer liner 41 rides on the upper surface of the cooling table 16, the bottom 41 a of the outer liner 41 is pressed against the cooling table 16 and the flange portion 41 c is separated from the upper surface of the holder 3. As a result, the outer liner 41 is released from the holding of the holder 3.

このように、ライナー３２を冷却台１６に載せて冷却する場合は、冷却台１６を使用せずにライナー３２の温度低下を待つ場合よりも、ライナー３２が大気開放可能な温度へ低下するまでの時間を短縮することができる。なお、冷却台１６を使用せずにライナー３２の温度低下を待つ場合は、ライナー３２からの放射熱、あるいはホルダー３との熱伝導によってライナー３２が冷却される。   As described above, when the liner 32 is placed on the cooling table 16 to be cooled, the temperature until the temperature of the liner 32 decreases to a temperature at which the liner 32 can be released to the atmosphere is higher than when the temperature of the liner 32 is waited without using the cooling table 16. Time can be shortened. Note that when the temperature of the liner 32 is lowered without using the cooling table 16, the liner 32 is cooled by radiant heat from the liner 32 or heat conduction with the holder 3.

また、ヒータープレート４２が冷却台１６の上面に乗り上げた状態において、ヒータープレート４２の上端とインナーライナー４３の底面との間に間隙が生じている。これにより、最も温度が高くなるヒータープレート４２を冷却台１６によって効率良く冷却することができる。   Further, a gap is generated between the upper end of the heater plate 42 and the bottom surface of the inner liner 43 when the heater plate 42 rides on the upper surface of the cooling table 16. Thereby, the heater plate 42 having the highest temperature can be efficiently cooled by the cooling table 16.

なお、本発明に係るヒータープレートとしては、冷却台の上面に乗り上げた状態において、インナーライナーの底面に接触するものであってもよい。この場合は、冷却台を用いて、ヒータープレート、インナーライナー及びアウターライナーを冷却することができる。   The heater plate according to the present invention may be in contact with the bottom surface of the inner liner when riding on the top surface of the cooling table. In this case, the heater plate, the inner liner, and the outer liner can be cooled using the cooling table.

その後、図５に示す蒸着前の状態へ戻す場合は、回転駆動軸１４によりホルダー３を回転させる。これにより、ホルダー３がライナー３２を水平方向へ押圧し、ライナー３２が冷却台１６から外れる。このとき、アウターライナー４１のフランジ部４１ｃがホルダー３の上面に係合し、アウターライナー４１がホルダー３に保持される。また、ヒータープレート４２のフランジ部５２がアウターライナー４１のフランジ受け部４６に係合し、ヒータープレート４２がアウターライナー４１に保持される。そして、ホルダー３に保持されたライナー３２は、水平方向に移動して、蒸着位置に配置される。   Thereafter, when returning to the state before vapor deposition shown in FIG. 5, the holder 3 is rotated by the rotary drive shaft 14. Thereby, the holder 3 presses the liner 32 in the horizontal direction, and the liner 32 is detached from the cooling table 16. At this time, the flange portion 41 c of the outer liner 41 is engaged with the upper surface of the holder 3, and the outer liner 41 is held by the holder 3. Further, the flange portion 52 of the heater plate 42 is engaged with the flange receiving portion 46 of the outer liner 41, and the heater plate 42 is held by the outer liner 41. And the liner 32 hold | maintained at the holder 3 moves to a horizontal direction, and is arrange | positioned in a vapor deposition position.

＜第３の実施形態＞
［間接蒸着源の構成］
次に、第３の実施形態に係る間接蒸着源の構成について、図８及び図９を参照して説明する。
図８は、第３の実施形態に係る間接蒸着源の容器（ライナー）を水平方向に移動する状態を示す説明図である。図９は、本発明の第３の実施形態に係る間接蒸着源の容器（ライナー）が冷却台に載置された状態を示す説明図である。 <Third Embodiment>
[Configuration of indirect evaporation source]
Next, the configuration of the indirect vapor deposition source according to the third embodiment will be described with reference to FIGS.
FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a state in which the container (liner) of the indirect vapor deposition source according to the third embodiment is moved in the horizontal direction. FIG. 9 is an explanatory view showing a state where a container (liner) of an indirect vapor deposition source according to the third embodiment of the present invention is placed on a cooling table.

第３の実施形態に係る間接蒸着源は、第１の実施形態に係る間接蒸着源１（図１参照）と同様の構成を備えており、異なる点は、ライナー及び冷却台の構造である。そこで、ここでは、第３の実施形態に係る間接蒸着源のライナー３２及び冷却台１７について説明し、間接蒸着源１（図１参照）と同じ構成の説明を省略する。   The indirect vapor deposition source according to the third embodiment has the same configuration as the indirect vapor deposition source 1 (see FIG. 1) according to the first embodiment, and the difference is the structure of the liner and the cooling table. Therefore, here, the liner 32 and the cooling table 17 of the indirect vapor deposition source according to the third embodiment will be described, and the description of the same configuration as the indirect vapor deposition source 1 (see FIG. 1) will be omitted.

第３の実施形態に係る間接蒸着源は、容器の第３の具体例を示すライナー６２と、冷却台１７と、ホルダー３と、電子源８（図１参照）とを備えている。   The indirect vapor deposition source according to the third embodiment includes a liner 62 showing a third specific example of the container, a cooling table 17, a holder 3, and an electron source 8 (see FIG. 1).

ライナー３２は、有底の筒状に形成されており、底部６２ａと、底部６２ａの周縁に連続する周壁部６２ｂと、周壁部６２ｂの上端に連続するフランジ部６２ｃとを有している。ライナー６２の材料としては、例えば、タングステンやカーボン等のセラミックスの高融点材料を挙げることができる。また、ライナー６２には、蒸着材料４が充填される。底部６２ａの周縁には、曲面加工６３が施されている。   The liner 32 is formed in a bottomed cylindrical shape, and includes a bottom portion 62a, a peripheral wall portion 62b continuous to the periphery of the bottom portion 62a, and a flange portion 62c continuous to the upper end of the peripheral wall portion 62b. Examples of the material of the liner 62 include high melting point materials of ceramics such as tungsten and carbon. The liner 62 is filled with the vapor deposition material 4. A curved surface process 63 is applied to the periphery of the bottom 62a.

冷却台１７は、ホルダー３の下方において、ライナー６２の回転軌道上の任意の位置に配置されている。ホルダー３に保持されたライナー６２が第１の位置である蒸着位置に配置されると、ライナー６２は、電子源８（図１参照）の上方に位置する。また、ホルダー３に保持されたライナー６２が第２の位置である冷却位置に配置されると、ライナー６２は、冷却台１７の上面に載置される。   The cooling table 17 is disposed at an arbitrary position on the rotation path of the liner 62 below the holder 3. When the liner 62 held by the holder 3 is disposed at the vapor deposition position which is the first position, the liner 62 is positioned above the electron source 8 (see FIG. 1). When the liner 62 held by the holder 3 is disposed at the cooling position, which is the second position, the liner 62 is placed on the upper surface of the cooling table 17.

冷却台１７は、直接水冷あるいは間接冷却により常時冷却されている。ホルダー３に保持されたライナー６２の底面は、冷却台１７の上面よりも上下方向において低い位置にある。   The cooling table 17 is always cooled by direct water cooling or indirect cooling. The bottom surface of the liner 62 held by the holder 3 is lower than the top surface of the cooling table 17 in the vertical direction.

次に、間接蒸着源１におけるライナー２の冷却動作について説明する。なお、第３の実施形態に係る間接蒸着源の蒸着動作については、第１の実施形態と同じであるため、説明を省略する。   Next, the cooling operation of the liner 2 in the indirect vapor deposition source 1 will be described. In addition, about the vapor deposition operation | movement of the indirect vapor deposition source which concerns on 3rd Embodiment, since it is the same as 1st Embodiment, description is abbreviate | omitted.

所望の厚さの蒸着膜が基板２２に付着して、蒸着を終了した後、図８に示すように、回転駆動軸１４によりホルダー３を回転させ、ライナー６２を冷却台１７の上方へ回転移動させる。   After the vapor deposition film having a desired thickness adheres to the substrate 22 and the vapor deposition is completed, the holder 3 is rotated by the rotary drive shaft 14 and the liner 62 is rotated and moved above the cooling table 17 as shown in FIG. Let

上述したように、ライナー６２の底面は、冷却台１７の上面よりも上下方向において低い位置にある。したがって、ホルダー３に保持されたライナー６２が水平方向に移動すると、ライナー６２の底部６２ａが冷却台１７の上面に必ず接触する。このとき、ライナー６２の底部６２ａに施した曲面加工６３が、冷却台１７の上面における周縁部に接触するため、ライナー６２が冷却台１７の上面に円滑に持ち上げられる。   As described above, the bottom surface of the liner 62 is lower than the top surface of the cooling table 17 in the vertical direction. Therefore, when the liner 62 held by the holder 3 moves in the horizontal direction, the bottom 62a of the liner 62 always comes into contact with the upper surface of the cooling table 17. At this time, the curved surface processing 63 applied to the bottom 62 a of the liner 62 comes into contact with the peripheral edge of the upper surface of the cooling table 17, so that the liner 62 is smoothly lifted to the upper surface of the cooling table 17.

その結果、図９に示すように、ライナー６２が冷却台１７の上面に乗り上げて、冷却位置に配置される。そして、ライナー６２は、冷却台１７との熱伝導により冷却される。ライナー６２の中に蒸着材料４が残っている場合は、熱伝導により蒸着材料４の冷却が進行する。また、ライナー６２が冷却台１７の上面に乗り上げると、ライナー６２の底部６２ａが冷却台１５に押圧され、フランジ部６２ｃがホルダー３の上面から離れる。その結果、ライナー６２は、ホルダー３の保持から解放される。   As a result, as shown in FIG. 9, the liner 62 rides on the upper surface of the cooling table 17 and is disposed at the cooling position. The liner 62 is cooled by heat conduction with the cooling table 17. When the vapor deposition material 4 remains in the liner 62, the vapor deposition material 4 is cooled by heat conduction. Further, when the liner 62 rides on the upper surface of the cooling table 17, the bottom 62 a of the liner 62 is pressed against the cooling table 15, and the flange portion 62 c is separated from the upper surface of the holder 3. As a result, the liner 62 is released from the holding of the holder 3.

このように、ライナー６２を冷却台１７に載せて冷却する場合は、冷却台１７を使用せずにライナー６２の温度低下を待つ場合よりも、ライナー６２が大気開放可能な温度へ低下するまでの時間を短縮することができる。なお、冷却台１７を使用せずにライナー６２の温度低下を待つ場合は、ライナー６２からの放射熱、あるいはホルダー３との熱伝導によってライナー６２が冷却される。   As described above, when the liner 62 is placed on the cooling table 17 to be cooled, the temperature until the temperature of the liner 62 decreases to a temperature at which the liner 62 can be released to the atmosphere is lower than when the temperature of the liner 62 is waited without using the cooling table 17. Time can be shortened. When the temperature of the liner 62 is lowered without using the cooling table 17, the liner 62 is cooled by radiant heat from the liner 62 or heat conduction with the holder 3.

その後、図１に示す蒸着前の状態へ戻す場合は、回転駆動軸１４によりホルダー３を回転させる。これにより、ホルダー３がライナー６２を水平方向へ押圧し、ライナー６２が冷却台１７から外れる。このとき、ライナー６２のフランジ部６２ｃがホルダー３の上面に係合し、ライナー６２は、ホルダー３に保持される。そして、ホルダー３に保持されたライナー６２は、水平方向に移動して、蒸着位置に配置される。   Thereafter, when returning to the state before vapor deposition shown in FIG. 1, the holder 3 is rotated by the rotary drive shaft 14. Thereby, the holder 3 presses the liner 62 in the horizontal direction, and the liner 62 is detached from the cooling table 17. At this time, the flange portion 62 c of the liner 62 engages with the upper surface of the holder 3, and the liner 62 is held by the holder 3. And the liner 62 hold | maintained at the holder 3 moves to a horizontal direction, and is arrange | positioned in a vapor deposition position.

＜３．変形例＞
以上、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形実施が可能である。 <3. Modification>
The embodiment of the present invention has been described above. However, the present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the spirit of the invention described in the claims.

例えば、上述した第３の実施形態では、ライナー６２の底部６２ａに曲面加工６３を施した。しかし、本発明に係るライナーとしては、底部にテーパー加工を施してもよい。この場合においても、ライナーの底部に施したテーパー加工が、冷却台の上面における周縁部に接触するため、ライナーが冷却台の上面に円滑に持ち上げられる。   For example, in the third embodiment described above, the curved surface processing 63 is performed on the bottom 62 a of the liner 62. However, the liner according to the present invention may be tapered at the bottom. Even in this case, the taper processing applied to the bottom of the liner comes into contact with the peripheral edge of the upper surface of the cooling table, so that the liner is smoothly raised to the upper surface of the cooling table.

また、上述した第１〜第３の実施形態では、ライナー又は冷却台のいずれか一方に曲面加工又はテーパー加工を施す構成にした。しかし、本発明に係る間接蒸着源としては、ライナーと冷却台の両方に曲面加工又はテーパー加工を施す構成にしてもよい。   Moreover, in the 1st-3rd embodiment mentioned above, it was set as the structure which gives a curved surface process or a taper process to any one of a liner or a cooling stand. However, the indirect vapor deposition source according to the present invention may be configured such that both the liner and the cooling table are subjected to curved surface processing or taper processing.

また、上述した第１〜第３の実施形態では、移動機構として回転駆動軸１４を適用した。しかし、本発明に係る移動機構としては、ホルダー（容器保持部）を回転させるものに限定されるものではなく、ホルダー（容器保持部）及びライナー（容器）を水平方向に移動させるものであればよい。本発明に係る移動機構としては、例えば、ホルダー（容器保持部）及びライナー（容器）を直線移動させる直線移動機構を採用してもよい。この場合は、冷却台及び電子源は、ホルダー（容器保持部）の下方において、ライナー（容器）の軌道上の任意の位置に配置されている。   In the first to third embodiments described above, the rotary drive shaft 14 is applied as the moving mechanism. However, the moving mechanism according to the present invention is not limited to the one that rotates the holder (container holding part), but can move the holder (container holding part) and the liner (container) in the horizontal direction. Good. As the moving mechanism according to the present invention, for example, a linear moving mechanism that linearly moves the holder (container holding portion) and the liner (container) may be employed. In this case, the cooling stand and the electron source are arranged at arbitrary positions on the track of the liner (container) below the holder (container holding unit).

１，３１…間接蒸着源、 ２，３２，６２…ライナー（容器）、 ２ａ，６２ａ…底部、 ２ｂ，６２ｂ…周壁部、 ２ｃ，６２ｃ…フランジ部、 ３…ホルダー（容器保持部）、 ３ａ…保持用孔、 ４…蒸着材料、 ８…電子源、 ９…フィラメント、 １０…ウェネルト、 １１…フィラメント電源、 １２…加速電源、 １３…蒸発粒子、 １４…回転駆動軸（移動機構）、 １５，１６，１７…冷却台、 １５ａ…曲面加工、 １６ａ…テーパー加工、 ２１…基板保持部、 ２２…基板、 ４１…アウターライナー、 ４１ａ…底部、 ４１ｂ…周壁部、 ４１ｃ…フランジ部、 ４２…ヒータープレート、 ４３…インナーライナー、 ４３ａ…底部、 ４３ｂ…周壁部、 ４５…プレート用貫通孔、 ４６…フランジ受け部、 ４７…嵌合凹部、 ５１…貫通部、 ５２…フランジ部、 ６３…曲面加工   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1,31 ... Indirect vapor deposition source 2, 32, 62 ... Liner (container), 2a, 62a ... Bottom part, 2b, 62b ... Peripheral wall part, 2c, 62c ... Flange part, 3 ... Holder (container holding part), 3a ... Holes for holding, 4 ... evaporation material, 8 ... electron source, 9 ... filament, 10 ... Wehnelt, 11 ... filament power source, 12 ... acceleration power source, 13 ... evaporative particles, 14 ... rotary drive shaft (moving mechanism), 15, 16 , 17 ... Cooling table, 15a ... Curved surface processing, 16a ... Taper processing, 21 ... Substrate holding part, 22 ... Substrate, 41 ... Outer liner, 41a ... Bottom part, 41b ... Peripheral wall part, 41c ... Flange part, 42 ... Heater plate, 43 ... Inner liner, 43a ... Bottom part, 43b ... Peripheral wall part, 45 ... Plate through-hole, 46 ... Flange receiving part, 47 ... Fitting recess, 51 ... Penetration part, 52 ... Flange part, 63 ... Curved surface processing

Claims (3)

蒸着材料を充填した容器を電子源から放出された熱電子により加熱し、蒸着材料を加熱蒸発させる間接蒸着源において、
前記容器と、
前記容器の底部に熱電子を放出する前記電子源と、
前記容器の底部を露出させて保持する容器保持部と、
前記容器保持部を駆動させて、前記容器を水平方向に移動させる移動機構と、
前記移動機構により前記電子源の上方から水平方向に移動した前記容器の底部が接触する上面を有し、前記容器を冷却する冷却台と、を備える
ことを特徴とする間接加熱蒸着源。 In an indirect vapor deposition source in which a container filled with a vapor deposition material is heated by thermoelectrons emitted from an electron source and the vapor deposition material is heated and evaporated
The container;
The electron source emitting thermal electrons to the bottom of the container;
A container holding part for exposing and holding the bottom of the container;
A moving mechanism for driving the container holding portion to move the container in a horizontal direction;
An indirect heating evaporation source, comprising: a cooling table that has an upper surface that contacts a bottom portion of the container moved in the horizontal direction from above the electron source by the moving mechanism and cools the container. 前記冷却台の上部周縁又は前記容器の底部周縁の少なくとも一方は、曲面加工又はテーパー加工が施されている
ことを特徴とする請求項１に記載の間接加熱蒸着源。 The indirect heating vapor deposition source according to claim 1, wherein at least one of an upper peripheral edge of the cooling table or a bottom peripheral edge of the container is subjected to curved surface processing or taper processing. 前記容器保持部に保持された前記容器の底面は、前記冷却台の上面よりも上下方向において低い位置にあり、前記冷却台の上面に載った前記容器は、前記容器保持部による保持から解放される
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の間接加熱蒸着源。 The bottom surface of the container held by the container holding unit is at a lower position in the vertical direction than the top surface of the cooling table, and the container placed on the top surface of the cooling table is released from being held by the container holding unit. The indirect heating vapor deposition source according to claim 1 or 2, wherein:
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