JP2018014705A - Thermostatic chamber type crystal oscillator - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thermostatic chamber type crystal oscillator of low power consumption that efficiently transmits heat by disposing elements such as a power transistor and a surface mount type crystal oscillator directly superimposed.SOLUTION: The thermostatic chamber type crystal oscillator includes: a base substrate having a mounting terminal for surface mounting on a bottom surface thereof; a power transistor mounted on the base substrate; and a surface mount type crystal oscillator mounted on the power transistor. A crystal oscillator and a temperature sensitive element are directly placed on a heat source comprising a power transistor. With such a configuration, unnecessary heat release can be prevented, and heat can be efficiently transmitted.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、水晶振動子と熱源であるヒータ抵抗及びパワートランジスタと温度センサを有する恒温槽型水晶発振器に関する。   The present invention relates to a thermostat crystal oscillator having a crystal oscillator, a heater resistor as a heat source, a power transistor, and a temperature sensor.

恒温槽型水晶発振器は通常、水晶振動子の温度に対する周波数変化が極小となる温度を保つように制御することで、周波数安定度を高めた水晶発振器であり、例えば、ppbレベルの周波数偏差が求められる基地局用の通信機器にて、広く用いられているものである。 The thermostatic chamber crystal oscillator is a crystal oscillator that has improved frequency stability by controlling the temperature so that the frequency change with respect to the temperature of the crystal unit is minimized. For example, a frequency deviation of ppb level is obtained. It is widely used in base station communication equipment.

図５は従来例を説明する図で、恒温槽型水晶発振器２００の断面図である。恒温槽型水晶発振器２００は、水晶振動子１３と、発振回路及び温度制御回路を構成する回路素子１４と、第１回路基板１５及び第２回路基板１６と、発振器用容器１７とからなる。水晶振動子１３は積層セラミックからなるパッケージに例えばＡＴカットやＳＣカットの水晶振動片を収容してなる。   FIG. 5 is a diagram for explaining a conventional example, and is a cross-sectional view of a thermostatic chamber crystal oscillator 200. The thermostat crystal oscillator 200 includes a crystal resonator 13, a circuit element 14 constituting an oscillation circuit and a temperature control circuit, a first circuit board 15 and a second circuit board 16, and an oscillator container 17. The crystal resonator 13 is formed by accommodating, for example, an AT-cut or SC-cut crystal resonator element in a package made of laminated ceramic.

発振器用容器１７を構成する、外部端子を有する金属ベース２２と金属カバー２３は例えば抵抗溶接にて接合される。この金属ベース２２及び金属カバー２３が形成する気密空間内に、水晶振動子１３、回路素子１４、第１回路基板１５及び第２回路基板１６が収容される。   The metal base 22 having an external terminal and the metal cover 23 constituting the oscillator container 17 are joined by, for example, resistance welding. In the airtight space formed by the metal base 22 and the metal cover 23, the crystal resonator 13, the circuit element 14, the first circuit board 15 and the second circuit board 16 are accommodated.

水晶振動子１３に用いられるＡＴカットの水晶振動片は３次曲線の周波数温度特性を有する。恒温槽型水晶発振器２００においては、通常、周波数温度特性の３次曲線の頂点、すなわち温度変化が一番小さい領域に恒温槽の温度を設定し、恒温槽型水晶発振器２００の周囲の温度が変化したとしても、恒温槽型水晶発振器２００の内部の温度がその近傍に留まるように制御している。その温度制御には回路素子１４として感温素子（サーミスタ、熱電対、ダイオード）と熱源（パワートランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、ヒータ抵抗）が用いられている。 The AT-cut crystal resonator element used for the crystal resonator 13 has a frequency- temperature characteristic of a cubic curve. In the thermostat crystal oscillator 200, the temperature of the thermostat is usually set at the top of the cubic curve of the frequency temperature characteristic, that is, the region where the temperature change is the smallest, and the temperature around the thermostat crystal oscillator 200 changes. Even so, the temperature inside the thermostat crystal oscillator 200 is controlled so as to remain in the vicinity thereof. For the temperature control, a temperature sensitive element (thermistor, thermocouple, diode) and a heat source (power transistor, power MOSFET, heater resistor) are used as the circuit element 14.

第１回路基板１５及び第２回路基板１６はガラスエポキシ基板、もしくはセラミック基板からなり、いずれもその表面もしくは裏面に配線パターンが形成される。第１回路基板１５の一主面には水晶振動子１３が搭載され、他主面には例えば温度制御回路のヒータ抵抗１９及び感温素子が搭載される。そして、ヒータ抵抗１９及び感温素子上には液状の熱伝導性樹脂２０が例えば第２回路基板１６の表面に接続されるように塗布され、硬化させる。 The first circuit board 15 and the second circuit board 16 are made of a glass epoxy substrate or a ceramic substrate, and both have a wiring pattern formed on the front surface or the back surface. On one main surface of the first circuit board 15 is mounted crystal oscillator 13, a heater resistor 19 and temperature sensing elements of the other major surface such as temperature control circuit are mounted. Then, a liquid thermal conductive resin 20 is applied on the heater resistor 19 and the temperature sensitive element so as to be connected to the surface of the second circuit board 16, for example, and cured.

第２回路基板１６にはこれら以外の発振回路及び温度制御回路の回路素子１４が両主面に搭載される。また、第１回路基板１５と第２回路基板１６は金属ピン１８によって電気的及び機械的に接続することで、板面が対向する２段構造となる。第１回路基板１５と第２回路基板１６の間の熱伝導性樹脂２０により、ヒータ抵抗、感温素子と発振回路、温度制御回路の回路素子１４間の熱結合が強いものとなっている。 On the second circuit board 16, other circuit elements 14 of the oscillation circuit and the temperature control circuit are mounted on both main surfaces. Further, the first circuit board 15 and the second circuit board 16 are electrically and mechanically connected by metal pins 18 to form a two-stage structure in which the plate surfaces face each other. The heat conductive resin 20 between the first circuit board 15 and the second circuit board 16 provides strong thermal coupling between the heater resistance, the temperature sensitive element and the oscillation circuit, and the circuit element 14 of the temperature control circuit.

発振器用容器１７は少なくとも四隅にガラスによって気密化したリード線すなわちハーメチック端子が貫通した金属ベースと、金属ベースに抵抗溶接等により封止される金属カバーとからなる。金属ベースのハーメチック端子には、第２回路基板１６が電気的、機械的に接続され、第１回路基板１５とともに発振器用容器１７内に密閉封入される。   The oscillator container 17 includes a metal base through which lead wires hermetically sealed through glass at least at four corners, that is, hermetic terminals, and a metal cover sealed to the metal base by resistance welding or the like. The second circuit board 16 is electrically and mechanically connected to the metal-based hermetic terminal and hermetically sealed in the oscillator container 17 together with the first circuit board 15.

特開２０１０−１５４４００号公報JP 2010-154400 A 特開２００９−２３２２３９号公報JP 2009-232239 A

上記構成の金属ピン１８にて第１回路基板１５及び第２回路基板１６を立体的に接続する従来の恒温槽型水晶発振器２００では、第１回路基板１５と第２回路基板１６が対向する２段構造からなり、構造的にある程度の高さが必要となり、小型化、低背化に向いていない構造であった。また、発振回路、温度制御回路の回路素子１４や、水晶振動子１３が複数の回路基板に分散して配置され、回路素子１４や水晶振動子１３の間に空間的な隔たりが生じるため、より安定した温度制御を行うためには、熱結合を考慮した素子配置の検討、最適化が必要となり、そのために多くの時間を費やすことになっていた。   In the conventional thermostat crystal oscillator 200 in which the first circuit board 15 and the second circuit board 16 are three-dimensionally connected by the metal pins 18 having the above-described configuration, the first circuit board 15 and the second circuit board 16 are opposed to each other. It has a stepped structure and requires a certain height in structure, and is not suitable for miniaturization and low profile. In addition, since the circuit element 14 of the oscillation circuit and the temperature control circuit and the crystal resonator 13 are distributed and arranged on a plurality of circuit boards, a spatial separation occurs between the circuit element 14 and the crystal resonator 13. In order to perform stable temperature control, it is necessary to examine and optimize the element arrangement in consideration of thermal coupling, and much time is required for that purpose.

前記課題を解決するため、本発明の恒温槽型水晶発振器は、表面実装用の実装端子を底面に有するベース基板と、前記ベース基板に搭載されたパワートランジスタと、前記パワートランジスタに搭載された表面実装型水晶振動子と、からなることを特徴とする。 In order to solve the above problems, a thermostatic chamber type crystal oscillator according to the present invention includes a base substrate having a mounting terminal for surface mounting on the bottom surface, a power transistor mounted on the base substrate, and a surface mounted on the power transistor. And a mounting type crystal resonator.

本発明の恒温槽型水晶発振器は、前記パワートランジスタの前記表面実装型水晶振動子に対向する側の表面積が、前記表面実装型水晶振動子の前記パワートランジスタに対向する側の表面積よりも大きいことを特徴とする。また、本発明の恒温槽型水晶発振器は、前記パワートランジスタへ前記表面実装型水晶振動子に加えて感温素子を搭載したことを特徴とする。 In the thermostatic crystal oscillator according to the present invention, the surface area of the power transistor facing the surface-mounted crystal resonator is larger than the surface area of the surface-mounted crystal resonator facing the power transistor. It is characterized by. Furthermore, oven controlled crystal oscillator of the present invention is characterized by mounting the temperature sensing element in addition to the surface-mount crystal oscillator to said power transistor.

本発明の恒温槽型水晶発振器は、前記パワートランジスタにさらに発振回路を構成する回路素子を搭載したことを特徴とする。また、本発明の恒温槽型水晶発振器は、前記ベース基板と前記表面実装型水晶振動子間の電気的接続をワイヤーボンディングにて行なったことを特徴とする。 The thermostat crystal oscillator of the present invention is characterized in that a circuit element constituting an oscillation circuit is further mounted on the power transistor. Further, the thermostatic chamber type crystal oscillator of the present invention is characterized in that electrical connection between the base substrate and the surface-mount type crystal resonator is performed by wire bonding.

本発明の恒温槽型水晶発振器は、前記パワートランジスタと前記表面実装型水晶振動子の間を樹脂接着剤にて接合したことを特徴とする。また、前記ベース基板上の前記パワートランジスタと前記表面実装型水晶振動子を覆うようにモールド樹脂を配置したことを特徴とする。 The thermostat crystal oscillator according to the present invention is characterized in that the power transistor and the surface-mounted crystal resonator are joined with a resin adhesive. In addition, a mold resin is disposed so as to cover the power transistor and the surface-mounted crystal resonator on the base substrate.

パワートランジスタからなる熱源に対し直に表面実装型水晶振動子や感温素子を配置する。そのような構成により、無駄な熱の放出を防ぎ、効率良く熱を伝達する事が可能となる。そのため、低消費電力の恒温槽型水晶発振器が実現できる。さらに、近接配置した表面実装型水晶振動子やパワートランジスタ、感温素子の周囲を樹脂で埋めることにより、温度変動の激しい外界の影響を抑えるとともに樹脂の追加により恒温槽型水晶発振器全体の熱容量を増加させ、恒温槽型水晶発振器の内部を熱的に安定させることができる。 A surface-mounted crystal resonator and a temperature sensitive element are arranged directly on the heat source composed of a power transistor. With such a configuration, it is possible to prevent wasteful heat release and efficiently transfer heat. As a result, a constant temperature chamber crystal oscillator with low power consumption can be realized. In addition, the surface mounting crystal oscillator, power transistor, and temperature sensing element that are placed close together are filled with resin to reduce the influence of the external environment where the temperature fluctuates rapidly, and the heat capacity of the thermostat crystal oscillator can be reduced by adding resin. By increasing the temperature, the inside of the thermostat crystal oscillator can be thermally stabilized.

（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る恒温槽型水晶発振器の斜視図である。（ｂ）は本発明の第１の実施の形態に係る恒温槽型水晶発振器の断面図である。(A) is a perspective view of the thermostat crystal oscillator concerning the 1st embodiment of the present invention. (B) is sectional drawing of the thermostat crystal oscillator concerning the 1st Embodiment of this invention. （ａ）は感温素子をパワートランジスタに搭載した第１の変形例の恒温槽型水晶発振器の断面図である。（ｂ）は感温素子を表面実装型水晶振動子に搭載した第２の変形例の恒温槽型水晶発振器の断面図である。(A) is sectional drawing of the thermostat crystal oscillator of the 1st modification which mounted the temperature sensing element in the power transistor. (B) is a cross-sectional view of a thermostat crystal oscillator of a second modified example in which a temperature-sensitive element is mounted on a surface-mounted crystal resonator. （ａ）はモールド樹脂にて覆われた恒温槽型水晶発振器の斜視図である。（ｂ）はモールド樹脂にて覆われた恒温槽型水晶発振器の側面図である。(A) is a perspective view of the thermostat crystal oscillator covered with mold resin. (B) is a side view of a thermostat crystal oscillator covered with a mold resin. （ａ）は本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームを用いた恒温槽型水晶発振器の断面図である。（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るリードフレームを樹脂封止した恒温槽型水晶発振器の側面図である。(A) is sectional drawing of the thermostat crystal oscillator using the lead frame concerning the 2nd Embodiment of this invention. (B) is a side view of a thermostatic oven crystal oscillator in which a lead frame according to a second embodiment of the present invention is resin-sealed. 従来の恒温槽型水晶発振器の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the conventional thermostat crystal oscillator.

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施の形態に係る恒温槽型水晶発振器１について、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る恒温槽型水晶発振器１の斜視図である。図１（ｂ）は本発明の第１の実施の形態に係る恒温槽型水晶発振器１の断面図である。図１においては封止に用いるモールド樹脂は図示していない。
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示されるように本発明の恒温槽型水晶発振器１はベース基板２、パワートランジスタ４、表面実装型水晶振動子６にて構成される。 (First embodiment)
A thermostatic crystal oscillator 1 according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1A is a perspective view of a thermostatic crystal oscillator 1 according to the first embodiment of the present invention. FIG.1 (b) is sectional drawing of the thermostat crystal oscillator 1 which concerns on the 1st Embodiment of this invention. In FIG. 1, the mold resin used for sealing is not shown.
As shown in FIGS. 1A and 1B, the thermostatic chamber type crystal oscillator 1 of the present invention includes a base substrate 2, a power transistor 4, and a surface mount type crystal resonator 6.

裏面に複数の実装端子３を形成したベース基板２上にエミッタ、コレクタ、ベースに対応する端子を有するパワートランジスタ４を搭載する。ベース基板としてはたとえばガラスエポキシの基板が用いられる。パワートランジスタ４の各端子は不図示のベース基板２に形成される配線パターンに対して、半田にて電気的、機械的に接続される。そして、パワートランジスタ４のエミッタ、コレクタ、ベースに対応する端子は温度制御回路に接続される。   A power transistor 4 having terminals corresponding to an emitter, a collector, and a base is mounted on a base substrate 2 on which a plurality of mounting terminals 3 are formed on the back surface. As the base substrate, for example, a glass epoxy substrate is used. Each terminal of the power transistor 4 is electrically and mechanically connected by solder to a wiring pattern formed on the base substrate 2 (not shown). The terminals corresponding to the emitter, collector and base of the power transistor 4 are connected to the temperature control circuit.

本発明においては、恒温槽型水晶発振器１を構成する水晶振動子として表面実装型水晶振動子６がその低背化、小型化に適している。表面実装型水晶振動子６は積層セラミックからなるベースと金属からなるリッドにて水晶振動片を収容する収容空間を形成している。 In the present invention, a surface mount type crystal unit 6 as a crystal oscillator which constitutes the oven controlled crystal oscillator 1 is suitable that low height, the size reduction. The surface-mount type crystal unit 6 forms an accommodation space for accommodating a quartz crystal resonator element with a base made of laminated ceramic and a lid made of metal.

水晶振動片としてはＡＴカットもしくはＳＣカットの水晶振動片が用いられる。外部端子７が形成されたベース側を上に向け、底面となるリッド側がパワートランジスタ４の上部表面に接合される。パワートランジスタ４と表面実装型水晶振動子６の間の接合には樹脂接着剤が用いられる。樹脂接着剤は熱伝導率の高いもの、例えばシリコン樹脂が用いられる。   As the crystal vibrating piece, an AT-cut or SC-cut crystal vibrating piece is used. The base side on which the external terminals 7 are formed faces upward, and the lid side which is the bottom surface is joined to the upper surface of the power transistor 4. A resin adhesive is used for bonding between the power transistor 4 and the surface-mounted crystal resonator 6. As the resin adhesive, one having a high thermal conductivity, for example, a silicon resin is used.

熱源であるパワートランジスタ４上に直接、表面実装型水晶振動子６が接合されるため、外部への熱の流出が抑えられ、パワートランジスタ４と表面実装型水晶振動子６間の熱の伝達効率が良好なものとなる。 Since the surface-mounted crystal resonator 6 is directly joined to the power transistor 4 as a heat source, the outflow of heat to the outside is suppressed, and the heat transfer efficiency between the power transistor 4 and the surface-mounted crystal resonator 6 is suppressed. Will be good .

表面実装型水晶振動子６の外部端子７はベース基板２に電気的に接続される。ベース基板２上に形成された不図示の配線パターンにボンディングワイヤ８等の導電部材を用いて接続される。ボンディングワイヤ８としては、例えば金（Ａｕ）の細線が用いられる。   The external terminal 7 of the surface mount type crystal unit 6 is electrically connected to the base substrate 2. A conductive pattern such as a bonding wire 8 is connected to a wiring pattern (not shown) formed on the base substrate 2. As the bonding wire 8, for example, a fine wire of gold (Au) is used.

さらに、恒温槽型水晶発振器１の温度を検出し、温度制御回路に温度情報を送る感温素子５がベース基板２に搭載される。感温素子５はサーミスターや温度に対して変化の大きな抵抗が用いられる。感温素子５はベース基板２上の不図示の配線パターンに例えば半田にて電気的に接続されている。感温素子５はパワートランジスタ４と同じくベース基板２上に搭載されているため、パワートランジスタ４が発生する熱はベース基板２を介した状態で、短い距離を経て受けることになり、正確な温度測定が可能となる。   Further, a temperature sensing element 5 that detects the temperature of the thermostat crystal oscillator 1 and sends temperature information to the temperature control circuit is mounted on the base substrate 2. The temperature sensitive element 5 is a thermistor or a resistor having a large change with respect to temperature. The temperature sensing element 5 is electrically connected to a wiring pattern (not shown) on the base substrate 2 by, for example, solder. Since the temperature sensing element 5 is mounted on the base substrate 2 like the power transistor 4, the heat generated by the power transistor 4 is received through a short distance through the base substrate 2, so that an accurate temperature is obtained. Measurement is possible.

この実施形態においては、ベース基板２の表面にパワートランジスタ４及び感温素子５が例えば半田を介して直に接合されており、また、パワートランジスタ４の表面に表面実装型水晶振動子６が直に接続されることにより、ベース基板２からの高さが各素子を重ね合わせたものとなる。また、本発明の恒温槽型水晶発振器１が占める面積に関しても、パワートランジスタ４、表面実装型水晶振動子６、感温素子５及び発振回路、温度制御回路の回路素子と必要最低限の構成からなるため、小さい面積で済むことになる。不図示の発振回路、温度制御回路の回路素子は例えばベース基板２の表面、パワートランジスタ４の近傍に搭載される。 In this embodiment, the power transistor 4 and the temperature sensitive element 5 are directly joined to the surface of the base substrate 2 via, for example, solder, and the surface mounted crystal resonator 6 is directly attached to the surface of the power transistor 4. As a result, the height from the base substrate 2 is obtained by superimposing the elements. In addition, regarding the area occupied by the thermostat crystal oscillator 1 of the present invention, the power transistor 4, the surface-mounted crystal resonator 6, the temperature sensing element 5, the oscillation circuit, the circuit elements of the temperature control circuit, and the minimum necessary configuration. Therefore, a small area is sufficient. Circuit elements of an oscillation circuit and a temperature control circuit (not shown) are mounted, for example, on the surface of the base substrate 2 and in the vicinity of the power transistor 4.

従って、従来の複数の回路基板と金属ピンを用いた恒温槽型水晶発振器に比べて、ずっと狭い領域に配置することが可能となる。そのため、各回路素子間の温度のずれが小さく、温度制御回路を用いた温度制御も安定させることが容易となり、かつ消費電力が小さくて済むという利点がある。   Therefore, it can be arranged in a much narrower area than a conventional thermostatic crystal oscillator using a plurality of circuit boards and metal pins. Therefore, there is an advantage that the temperature deviation between the circuit elements is small, temperature control using the temperature control circuit can be easily stabilized, and power consumption can be reduced.

パワートランジスタ４と表面実装型水晶振動子６の接合する側の表面積は、パワートランジスタ４側の表面積が広いことが望ましい。このような構成であれば、表面実装型水晶振動子６の表面全面がパワートランジスタ４の表面に接することになり、熱源であるパワートランジスタ４からの熱を表面実装型水晶振動子６の表面全面にて均等に受けることとなり、温度制御が安定することになる。 The surface area on the side where the power transistor 4 and the surface-mounted crystal resonator 6 are joined is preferably large on the power transistor 4 side. With such a configuration, the entire surface of the surface-mount crystal resonator 6 is in contact with the surface of the power transistor 4, the entire surface of the surface-mount crystal resonator 6 heat from the power transistor 4 as a heat source The temperature control will be stabilized evenly.

また、パワートランジスタ４に発振回路、温度制御回路を構成する回路素子を搭載してもよい。その際に、例えば発振回路、温度制御回路の回路素子がＩＣチップとして一体となり、表面実装型水晶振動子６と同様の直方体形状である場合、「発振回路、温度制御回路のＩＣチップの短辺の長さ+表面実装型水晶振動子６の短辺の長さ＜パワートランジスタ４の短辺の長さ、かつ、発振回路、温度制御回路のＩＣチップの長辺の長さ及び表面実装型水晶振動子６の長辺の長さがともに表面実装型水晶振動子６の長辺の長さ以下」の関係を満たすようにすれば、発振回路、温度制御回路のＩＣチップ及び表面実装型水晶振動子６が共にパワートランジスタ４の表面内に配置される。この配置により、パワートランジスタ４、表面実装型水晶振動子６、発振回路、温度制御回路のＩＣチップの温度がおよそ一致し、安定した温度制御により周波数変動が抑えられた水晶発振器が得られる。発振回路を構成する回路素子には温度により特性の変化するものも含まれるが、パワートランジスタ４に搭載することで、表面実装型水晶振動子６を含めて、温度が一様となり、より安定した温度制御が可能となる。また、発振回路、温度制御回路を構成する回路素子は表面実装型水晶振動子６の外部端子が形成されていない領域に搭載してもよい。 Further, the power transistor 4 may be equipped with circuit elements constituting an oscillation circuit and a temperature control circuit . At that time, for example, when the circuit elements of the oscillation circuit and the temperature control circuit are integrated as an IC chip and have a rectangular parallelepiped shape similar to that of the surface-mounted crystal resonator 6, the short side of the IC chip of the oscillation circuit and the temperature control circuit The length of the short side of the surface mounted crystal resonator 6 <the length of the short side of the power transistor 4 and the length of the long side of the IC chip of the oscillation circuit and the temperature control circuit and the surface mounted crystal As long as the lengths of the long sides of the vibrator 6 satisfy the relationship “longer than the length of the long sides of the surface-mount type crystal vibrator 6”, the oscillation circuit, the IC chip of the temperature control circuit, and the surface-mount type crystal vibration Both the children 6 are arranged in the surface of the power transistor 4. With this arrangement, the temperature of the IC chip of the power transistor 4, the surface-mounted crystal resonator 6, the oscillation circuit, and the temperature control circuit is approximately the same, and a crystal oscillator in which frequency fluctuation is suppressed by stable temperature control is obtained. The circuit elements constituting the oscillation circuit include those whose characteristics change depending on the temperature. However, by mounting on the power transistor 4 , the temperature including the surface-mounted crystal resonator 6 becomes uniform and more stable. Temperature control is possible. Further, the circuit elements constituting the oscillation circuit and the temperature control circuit may be mounted in a region where the external terminal of the surface mount type crystal resonator 6 is not formed.

図２（ａ）は感温素子５をパワートランジスタ４に搭載した第１の変形例の恒温槽型水晶発振器１の断面図である。感温素子５をパワートランジスタ４に搭載することで、同じくパワートランジスタ４に搭載された表面実装型水晶振動子６の温度を精度良く測定することができる。そのため、温度制御の安定した恒温槽型水晶発振器１が得られる。図２（ａ）においては封止に用いるモールド樹脂は図示していない。 FIG. 2A is a cross-sectional view of a thermostat crystal oscillator 1 of a first modified example in which the temperature sensitive element 5 is mounted on the power transistor 4. By mounting the temperature sensitive element 5 on the power transistor 4, the temperature of the surface-mounted crystal resonator 6 mounted on the power transistor 4 can be measured with high accuracy. Therefore, the thermostat crystal oscillator 1 with stable temperature control is obtained. In FIG. 2A, the mold resin used for sealing is not shown.

図２（ｂ）は感温素子５を表面実装型水晶振動子６に搭載した第２の変形例の恒温槽型水晶発振器１の断面図である。感温素子５を発振周波数に対する影響の大きい表面実装型水晶振動子６に直に搭載することで、表面実装型水晶振動子６の温度を精度良く測定することが可能となり、温度制御の安定した恒温槽型水晶発振器１が得られる。図２（ｂ）においては封止に用いるモールド樹脂は図示していない。 FIG. 2B is a cross-sectional view of a thermostat crystal oscillator 1 of a second modified example in which the temperature sensitive element 5 is mounted on the surface-mounted crystal resonator 6. By directly mounting the temperature-sensitive element 5 on the surface-mounted crystal resonator 6 that has a great influence on the oscillation frequency, the temperature of the surface-mounted crystal resonator 6 can be accurately measured, and the temperature control is stable. A thermostat crystal oscillator 1 is obtained. In FIG. 2B, the mold resin used for sealing is not shown.

図３（ａ）はモールド樹脂９にて覆われた恒温槽型水晶発振器１の斜視図である。また図３（ｂ）はモールド樹脂９にて覆われた恒温槽型水晶発振器１の側面図である。モールド樹脂９はベース基板２にパワートランジスタ４等の回路素子が搭載されたのちに、ベース基板２に対して行われる樹脂モールドにより形成される。樹脂モールドには、コンプレッション成形、トランスファー成形、インジェクション成形等を用いられる。 FIG. 3A is a perspective view of the thermostatic crystal oscillator 1 covered with the mold resin 9. FIG. 3B is a side view of the thermostatic crystal oscillator 1 covered with the mold resin 9. The mold resin 9 is formed by resin molding performed on the base substrate 2 after circuit elements such as the power transistors 4 are mounted on the base substrate 2. For the resin mold, compression molding, transfer molding, injection molding, or the like is used.

モールド樹脂９はベース基板２上のパワートランジスタ４、表面実装型水晶振動子６、感温素子５、ボンディングワイヤ８等を覆うように形成される。モールド樹脂９を設けることで、パワートランジスタ４等の各回路素子及びボンディングワイヤ８を湿気、衝撃等から保護することができる。そのため、恒温槽型水晶発振器１の周囲の温度変動の影響を受けにくく、より安定した温度制御が可能な恒温槽型水晶発振器１が得られる。 The mold resin 9 is formed so as to cover the power transistor 4 on the base substrate 2, the surface-mounted crystal resonator 6, the temperature sensitive element 5, the bonding wire 8, and the like. By providing the mold resin 9, each circuit element such as the power transistor 4 and the bonding wire 8 can be protected from moisture, impact and the like. Therefore, the thermostat crystal oscillator 1 that is less affected by temperature fluctuations around the thermostat crystal oscillator 1 and that can perform more stable temperature control is obtained.

なお、モールド樹脂９は各回路素子及びボンディングワイヤ８の全てを覆うことに限定されず、各回路素子やボンディングワイヤ８の一部が露出したようにすることでもよい。   Note that the mold resin 9 is not limited to covering all the circuit elements and the bonding wires 8, and each circuit element and the bonding wires 8 may be partially exposed.

（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施の形態に係る恒温槽型水晶発振器１００について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明では、第１の実施の形態と同じ部分に関しては同じ符号を付すとともに、その説明を簡略化又は省略する。 (Second Embodiment)
Next, a thermostatic chamber type crystal oscillator 100 according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図４（ａ）は本発明の第２の実施の形態に係るリードフレーム１０を用いた恒温槽型水晶発振器１００の断面図である。図４（ａ）においては封止に用いるモールド樹脂９は図示していない。図４（ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係るリードフレーム１０を樹脂モールドした恒温槽型水晶発振器１００の側面図である。
第１の実施の形態ではパワートランジスタ４等の各回路素子がベース基板２上に搭載されていたが、第２の実施の形態においては、各回路素子が、リードフレーム１０上に搭載される点が異なる。 FIG. 4A is a cross-sectional view of a thermostatic crystal oscillator 100 using the lead frame 10 according to the second embodiment of the present invention. In FIG. 4A, the mold resin 9 used for sealing is not shown. FIG. 4B is a side view of the thermostatic chamber crystal oscillator 100 in which the lead frame 10 according to the second embodiment of the present invention is resin- molded .
In the first embodiment, each circuit element such as the power transistor 4 is mounted on the base substrate 2. However, in the second embodiment, each circuit element is mounted on the lead frame 10. Is different.

リードフレーム１０は、鉄、銅合金、具体的には、４２アロイ等のＦｅ合金、あるいはＣｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｆｅ等のＣｕ合金、あるいはこれらに第三の元素を添加した三元合金等により形成されたものが使用され、アイランド部１１と複数のリード端子１２からなる。   The lead frame 10 is made of iron, copper alloy, specifically, an Fe alloy such as 42 alloy, a Cu alloy such as Cu—Sn or Cu—Fe, or a ternary alloy obtained by adding a third element to these. The formed one is used and includes an island portion 11 and a plurality of lead terminals 12.

パワートランジスタ４は絶縁性接着剤を用いて、リードフレーム１０のアイランド部１１に接合する。リードフレーム１０の外周部には複数のリード端子１２が配置され、パワートランジスタ４のエミッタ、コレクタ、ベース等の各端子とリード端子１２の間がボンディングワイヤ８にて接続される。   The power transistor 4 is bonded to the island portion 11 of the lead frame 10 using an insulating adhesive. A plurality of lead terminals 12 are arranged on the outer periphery of the lead frame 10, and the terminals such as the emitter, collector, and base of the power transistor 4 and the lead terminals 12 are connected by bonding wires 8.

表面実装型水晶振動子６は第１の実施形態と同様に外部端子７が形成されたベース側を上に向け、底面となるリッド側がパワートランジスタ４の上部表面に接合される。パワートランジスタ４の各端子と同様に、表面実装型水晶振動子６の外部端子７とリード端子１２の間はボンディングワイヤ８にて接続される。感温素子５は個別のリード端子１２に搭載され、他のリード端子１２の間にボンディングワイヤ８にて接続される。   As in the first embodiment, the surface-mount type crystal resonator 6 has the base side on which the external terminals 7 are formed facing upward, and the lid side which is the bottom surface is bonded to the upper surface of the power transistor 4. As with the terminals of the power transistor 4, the external terminals 7 and the lead terminals 12 of the surface mount type crystal resonator 6 are connected by bonding wires 8. The temperature sensing element 5 is mounted on individual lead terminals 12 and connected between the other lead terminals 12 by bonding wires 8.

リードフレーム１０にパワートランジスタ４、表面実装型水晶振動子６、感温素子５等の各回路素子が搭載され、夫々のリード端子１２と各回路素子の端子がボンディングワイヤ８にて接続された後に、モールド樹脂９により封止される。この際に、複数のリードフレーム１０が面上に連続した状態で、個々のアイランド部１１にパワートランジスタ４等の各回路素子が接合され、各回路素子の端子とリード端子１２の間がボンディングワイヤ８にて電気的に接続後、樹脂モールドを行った後、ダイシングにより個片化してもよい。 Each circuit element such as the power transistor 4, the surface-mounted crystal resonator 6, and the temperature sensing element 5 is mounted on the lead frame 10, and after each lead terminal 12 and the terminal of each circuit element are connected by the bonding wire 8. And sealed with a mold resin 9. At this time, in a state in which a plurality of lead frames 10 are continuous on the surface, each circuit element such as a power transistor 4 in each of the island portion 11 is joined between the terminal and the lead terminal 12 of each circuit element is a bonding wire after electrically connecting at 8, after the resin molding was Tsu line may be singulated by dicing.

本発明の第２の実施形態に係る恒温槽型水晶発振器１００においては、リードフレーム１０、モールド樹脂９、汎用品の表面実装型水晶振動子６等を用いることで、品質の均一な製品を大量かつ安価に製造することが可能となる。   In the thermostatic chamber type crystal oscillator 100 according to the second embodiment of the present invention, a large number of products with uniform quality can be obtained by using the lead frame 10, the mold resin 9, the general-purpose surface-mounted crystal resonator 6, and the like. And it becomes possible to manufacture at low cost.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。そのような変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

１，１００,２００ 恒温槽型水晶発振器、２ ベース基板、３ 実装端子、４ パワートランジスタ、５ 感温素子、６ 表面実装型水晶振動子、７ 外部端子、８ ボンディングワイヤ、９ モールド樹脂、１０ リードフレーム、１１ アイランド部、１２ リード端子、１３ 水晶振動子、１４ 回路素子、１５ 第１回路基板、１６ 第２回路基板、１７ 発振器用容器、１８ 金属ピン、１９ ヒータ抵抗、２０ 熱伝導性樹脂、２１ ハーメチック端子、２２ 金属ベース、２３ 金属カバー。 1,100,200 Thermostatic oven crystal oscillator, 2 Base substrate, 3 Mounting terminal, 4 Power transistor, 5 Temperature sensitive element, 6 Surface mount crystal resonator, 7 External terminal, 8 Bonding wire, 9 Mold resin, 10 Lead Frame, 11 Island part, 12 Lead terminal, 13 Crystal resonator, 14 Circuit element, 15 First circuit board, 16 Second circuit board, 17 Oscillator container, 18 Metal pin, 19 Heater resistance, 20 Thermal conductive resin, 21 Hermetic terminal, 22 metal base, 23 metal cover.

Claims (8)

表面実装用の実装端子を底面に有するベース基板と、前記ベース基板に搭載されたパワートランジスタと、前記パワートランジスタに搭載された表面実装型水晶振動子と、からなる恒温槽型水晶発振器。 A thermostat crystal oscillator comprising a base substrate having a mounting terminal for surface mounting on a bottom surface, a power transistor mounted on the base substrate, and a surface-mounted crystal resonator mounted on the power transistor. 請求項１の恒温槽型水晶発振器にて、 前記パワートランジスタの前記表面実装型水晶振動子に対向する側の表面積が、前記表面実装型水晶振動子の前記パワートランジスタに対向する側の表面積よりも大きいことを特徴とする恒温槽型水晶発振器。   The thermostat crystal oscillator according to claim 1, wherein a surface area of the power transistor facing the surface-mounted crystal resonator is larger than a surface area of the surface-mount crystal resonator facing the power transistor. A thermostat crystal oscillator characterized by its large size. 請求項１又は請求項２に記載の恒温槽型水晶発振器にて、前記パワートランジスタへ前記表面実装型水晶振動子に加えて感温素子を搭載したことを特徴とする恒温槽型水晶発振器。 At oven controlled crystal oscillator according to claim 1 or claim 2, oven controlled crystal oscillator, characterized in that mounting the temperature sensing element in addition to the surface-mount crystal oscillator to said power transistor. 請求項１又は請求項２に記載の恒温槽型水晶発振器にて、前記表面実装型水晶振動子に感温素子を搭載したことを特徴とする恒温槽型水晶発振器。   The thermostat crystal oscillator according to claim 1 or 2, wherein a thermosensitive element is mounted on the surface-mount crystal oscillator. 請求項１〜４に記載の恒温槽型水晶発振器にて、前記パワートランジスタにさらに発振回路を構成する回路素子を搭載したことを特徴とする恒温槽型水晶発振器。   5. The thermostat crystal oscillator according to claim 1, wherein a circuit element constituting an oscillation circuit is further mounted on the power transistor. 請求項１〜５に記載の恒温槽型水晶発振器にて、前記ベース基板と前記表面実装型水晶振動子間の電気的接続をワイヤーボンディングにて行なったことを特徴とする恒温槽型水晶発振器。 The thermostatic oven crystal oscillator according to any one of claims 1 to 5, wherein electrical connection between the base substrate and the surface-mount crystal resonator is performed by wire bonding. 請求項１〜６に記載の恒温槽型水晶発振器にて、前記パワートランジスタと前記表面実装型水晶振動子の間を樹脂接着剤にて接合したことを特徴とする恒温槽型水晶発振器。 7. A thermostat crystal oscillator according to claim 1, wherein the power transistor and the surface mount crystal oscillator are joined with a resin adhesive. 請求項１〜７に記載の恒温槽型水晶発振器にて、前記ベース基板上の前記パワートランジスタと前記表面実装型水晶振動子を覆うモールド樹脂を配置したことを特徴とする恒温槽型水晶発振器。 8. The thermostat crystal oscillator according to claim 1, further comprising: a mold resin that covers the power transistor and the surface-mounted crystal resonator on the base substrate.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022025227A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03
WO2022149541A1 (en) * 2021-01-08 2022-07-14 株式会社大真空 Piezoelectric oscillation device
WO2023053836A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 株式会社大真空 Piezoelectric oscillation device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002223122A (en) * 2001-01-26 2002-08-09 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator
JP2006094197A (en) * 2004-09-24 2006-04-06 Epson Toyocom Corp Structure of piezoelectric-oscillator
JP2009302701A (en) * 2008-06-11 2009-12-24 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Constant temperature type crystal device
JP2010166346A (en) * 2009-01-16 2010-07-29 Epson Toyocom Corp Temperature-controlled piezoelectric oscillator
JP2010177732A (en) * 2009-01-27 2010-08-12 Epson Toyocom Corp Constant-temperature type piezoelectric oscillator
JP2011198209A (en) * 2010-03-23 2011-10-06 Seiko Epson Corp Temperature control circuit, and constant-temperature piezoelectric oscillator
JP2013098628A (en) * 2011-10-28 2013-05-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Surface mounting crystal oscillator
JP2014033431A (en) * 2012-07-09 2014-02-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator with thermostatic chamber
JP2016111380A (en) * 2014-12-02 2016-06-20 株式会社大真空 Piezoelectric oscillator

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999037018A1 (en) * 1998-01-20 1999-07-22 Toyo Communication Equipment Co., Ltd. Piezo-oscillator
JP2005039435A (en) * 2003-07-17 2005-02-10 Toyo Commun Equip Co Ltd Surface-mounted piezoelectric oscillator
CN101145766A (en) * 2006-09-11 2008-03-19 爱普生拓优科梦株式会社 SC cut crystal unit and highly stable crystal oscillator
JP4629760B2 (en) * 2008-09-02 2011-02-09 日本電波工業株式会社 Constant temperature crystal oscillator
JP4885207B2 (en) * 2008-12-25 2012-02-29 日本電波工業株式会社 Multi-stage constant temperature crystal oscillator
JP5188484B2 (en) * 2009-10-01 2013-04-24 日本電波工業株式会社 Constant temperature crystal oscillator
JP6286884B2 (en) * 2013-06-13 2018-03-07 セイコーエプソン株式会社 Electronic devices, electronic devices, and moving objects
JP2015095790A (en) * 2013-11-13 2015-05-18 日本電波工業株式会社 Piezoelectric oscillator

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002223122A (en) * 2001-01-26 2002-08-09 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator
JP2006094197A (en) * 2004-09-24 2006-04-06 Epson Toyocom Corp Structure of piezoelectric-oscillator
JP2009302701A (en) * 2008-06-11 2009-12-24 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Constant temperature type crystal device
JP2010166346A (en) * 2009-01-16 2010-07-29 Epson Toyocom Corp Temperature-controlled piezoelectric oscillator
JP2010177732A (en) * 2009-01-27 2010-08-12 Epson Toyocom Corp Constant-temperature type piezoelectric oscillator
JP2011198209A (en) * 2010-03-23 2011-10-06 Seiko Epson Corp Temperature control circuit, and constant-temperature piezoelectric oscillator
JP2013098628A (en) * 2011-10-28 2013-05-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Surface mounting crystal oscillator
JP2014033431A (en) * 2012-07-09 2014-02-20 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd Crystal oscillator with thermostatic chamber
JP2016111380A (en) * 2014-12-02 2016-06-20 株式会社大真空 Piezoelectric oscillator

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022025227A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03
WO2022025227A1 (en) * 2020-07-31 2022-02-03 株式会社大真空 Thermostatic bath-type piezoelectric oscillator
JP7396496B2 (en) 2020-07-31 2023-12-12 株式会社大真空 Constant temperature oven type piezoelectric oscillator
WO2022149541A1 (en) * 2021-01-08 2022-07-14 株式会社大真空 Piezoelectric oscillation device
WO2023053836A1 (en) * 2021-09-30 2023-04-06 株式会社大真空 Piezoelectric oscillation device

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