JP2018011009A - Deposition method and deposition apparatus of nitride film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、窒化膜の成膜方法および成膜装置に関する。 The present invention relates to a method for forming a nitride film and a film forming apparatus.
半導体デバイスの製造シーケンスにおいては、シリコンウエハに代表される半導体ウエハ(基板)に対して絶縁膜としてシリコン窒化膜(SiN膜)等の窒化膜を成膜する成膜処理が存在する。このようなSiN膜の成膜処理には、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition;ALD法)が用いられている。特許文献1には、複数の半導体ウエハに対して一括処理するバッチ式の縦型の成膜装置において、Si原料ガスとしてのジクロロシラン(DCS)ガスと、窒化ガスであるNH3ガスとをパージを挟んで交互に繰り返すことによりSiN膜を形成することが記載されている。
In a semiconductor device manufacturing sequence, there is a film forming process for forming a nitride film such as a silicon nitride film (SiN film) as an insulating film on a semiconductor wafer (substrate) typified by a silicon wafer. An atomic layer deposition (ALD) method is used for such a SiN film forming process. In
ALD法によりSiN膜を成膜する場合には、所定の成膜条件の下で、例えば、原料ガスであるジクロロシラン(DCS)ガスと、窒化ガスであるNH3ガスとを用い、最初に基板である半導体ウエハに対してDCSガスを供給し、単原子層のSiを化学吸着させ、次いでNH3ガスのプラズマを供給して吸着したSiを窒化し、1分子層厚のSiN単位膜を形成する。そして、このプロセスを所定回数繰り返すことにより、所望の膜厚で、良好な膜質のSiN膜を得ることができる。 When a SiN film is formed by the ALD method, for example, dichlorosilane (DCS) gas as a source gas and NH 3 gas as a nitriding gas are used under a predetermined film formation condition, and a substrate is first formed. DCS gas is supplied to the semiconductor wafer, and monoatomic Si is chemically adsorbed, and then NH 3 gas plasma is supplied to nitride the adsorbed Si to form a single molecular layer SiN unit film. To do. By repeating this process a predetermined number of times, it is possible to obtain a SiN film having a desired film thickness and a good film quality.
しかしながら、近時、半導体素子が益々微細化しており、それにともなって膜厚管理値が益々厳しくなっている。そのため、バッチ式の成膜装置においては、ローディング効果による膜厚の変動が無視し得なくなってきている。 However, in recent years, semiconductor elements have been increasingly miniaturized, and accordingly, the film thickness control value has become increasingly severe. For this reason, in a batch-type film forming apparatus, a change in film thickness due to a loading effect cannot be ignored.
すなわち、バッチ式の成膜装置においては、表面積が異なるウエハを処理する場合には、ローディング効果による成膜量の差を加味してプロセスの条件出しを行う必要がある。また、実際の製品ウエハはそれ自体の表面積が大きいため、成膜装置へのウエハの投入枚数が変わると、ローディング効果による膜厚の変動が生じるため、さらに多くのプロセス条件が必要となってしまう。 That is, in a batch type film forming apparatus, when processing wafers having different surface areas, it is necessary to determine the process conditions in consideration of the difference in film forming amount due to the loading effect. In addition, since actual product wafers themselves have a large surface area, if the number of wafers loaded into the film forming apparatus changes, the film thickness varies due to the loading effect, which requires more process conditions. .
したがって、本発明は、複数の被処理体に対して一括してALD法により窒化膜を成膜処理する際に、ローディング効果による膜厚変動を抑制することができる窒化膜の成膜方法および成膜装置を提供することを課題とする。 Therefore, the present invention provides a method and a film forming method for forming a nitride film that can suppress film thickness variation due to a loading effect when a plurality of objects to be processed are collectively formed by the ALD method. It is an object to provide a membrane device.
上記課題を解決するため、本発明の第1の観点は、処理容器内に複数の被処理基板を配置し、これら複数の被処理基板に対して、前記処理容器内を不活性ガスによりパージするステップと、前記処理容器内に成膜しようとする窒化膜を構成する元素と塩素とを含有する成膜原料ガスを供給して被処理基板に吸着させるステップと、処理容器内を不活性ガスでパージするステップと、前記処理容器内に窒化ガスを供給して前記窒化膜を構成する元素を窒化させるステップとを含むサイクルを、複数回繰り返して、複数の被処理基板に対して一括して所定膜厚の窒化膜を成膜する窒化膜の成膜方法であって、各サイクルにおいて、前記吸着させるステップと、前記窒化させるステップとの間に、前記処理容器内で水素ラジカルを生成して水素ラジカルパージを行うステップを実施し、前記吸着させるステップにおいて、前記窒化物を構成する元素の飽和吸着分よりも過剰に物理吸着した部分を、前記水素ラジカルパージにおいて、前記水素ラジカルにより除去することを特徴とする窒化膜の成膜方法を提供する。 In order to solve the above problems, a first aspect of the present invention is that a plurality of substrates to be processed are arranged in a processing container, and the inside of the processing container is purged with an inert gas with respect to the plurality of substrates to be processed. A step of supplying a deposition source gas containing an element constituting a nitride film to be deposited in the processing vessel and chlorine and adsorbing it on the substrate to be processed; and an inert gas in the processing vessel A cycle including a step of purging and a step of supplying a nitriding gas into the processing container to nitride the elements constituting the nitride film is repeated a plurality of times, and a plurality of substrates to be processed are collectively determined. A nitride film forming method for forming a nitride film having a film thickness, wherein in each cycle, hydrogen radicals are generated in the processing vessel between the adsorbing step and the nitriding step to generate hydrogen. Raj In the hydrogen radical purge, the portion that is physically adsorbed in excess of the saturated adsorption of the elements constituting the nitride is removed by the hydrogen radical in the hydrogen radical purge. A method for forming a nitride film is provided.
上記第1の観点において、前記窒化させるステップは、プラズマにより前記窒化ガスの活性種を生成し、その活性種により窒化を行うことが好ましい。 In the first aspect, it is preferable that the nitriding step generates active species of the nitriding gas by plasma and performs nitriding by the active species.
前記水素ラジカルは、水素ガスをプラズマ化することにより生成することができる。前記水素ラジカルパージを行うステップは、前記吸着させるステップと、その後の前記処理容器内を不活性ガスでパージするステップとの間に実施することができる。 The hydrogen radical can be generated by converting hydrogen gas into plasma. The step of performing the hydrogen radical purge can be performed between the adsorbing step and the subsequent purging of the inside of the processing container with an inert gas.
本発明は、前記成膜原料として塩素含有シリコン化合物を用い、前記窒化膜としてシリコン窒化膜を形成する場合に好適である。この場合に、前記塩素含有シリコン化合物は、ジクロロシラン、モノクロロシラン、トリクロロシラン、シリコンテトラクロライド、およびヘキサクロロジシランからなる群から選択された少なくとも一種を用いることができる。 The present invention is suitable when a chlorine-containing silicon compound is used as the film forming material and a silicon nitride film is formed as the nitride film. In this case, the chlorine-containing silicon compound may be at least one selected from the group consisting of dichlorosilane, monochlorosilane, trichlorosilane, silicon tetrachloride, and hexachlorodisilane.
また、いずれの場合にも、前記窒化ガスとしては、NH3ガスおよびN2ガスからなる群から選択された少なくとも一種を用いることができる。 In any case, as the nitriding gas, at least one selected from the group consisting of NH 3 gas and N 2 gas can be used.
本発明の第2の観点は、複数の被処理基板に対して一括して所定の膜厚の窒化膜を成膜する窒化膜の成膜装置であって、前記窒化膜が成膜される複数の被処理基板を収容する処理容器と;前記処理容器内に、不活性ガス、成膜原料ガス、窒化ガス、水素ガスを供給するガス供給機構と;前記処理容器内に収容された複数の被処理基板を加熱する加熱装置と;プラズマを生成するプラズマ生成機構と;前記処理容器内を排気する排気装置と;前記処理容器内を不活性ガスによりパージするステップと、前記処理容器内に成膜しようとする窒化膜を構成する元素と塩素とを含有する成膜原料ガスを供給して被処理基板に吸着させるステップと、処理容器内を不活性ガスでパージするステップと、前記処理容器内に窒化ガスを供給して前記窒化膜を構成する元素を窒化させるステップとを含むサイクルを、複数回繰り返して、複数の被処理基板に対して一括して所定膜厚の窒化膜を成膜するとともに、各サイクルにおいて、前記吸着させるステップと、前記窒化させるステップとの間に、前記処理容器内で前記プラズマ生成機構により水素ラジカルを生成して水素ラジカルパージを行うステップを実施し、前記吸着させるステップにおいて、前記窒化物を構成する元素の飽和吸着分よりも過剰に物理吸着した部分を、前記水素ラジカルパージにおいて、前記水素ラジカルにより除去するように制御する制御部と;を有することを特徴とする窒化膜の成膜装置を提供する。 According to a second aspect of the present invention, there is provided a nitride film forming apparatus for collectively forming a predetermined thickness of a nitride film on a plurality of substrates to be processed. A processing container for storing a substrate to be processed; a gas supply mechanism for supplying an inert gas, a film forming source gas, a nitriding gas, and a hydrogen gas into the processing container; and a plurality of substrates to be stored in the processing container A heating device that heats the processing substrate; a plasma generation mechanism that generates plasma; an exhaust device that exhausts the inside of the processing vessel; a step of purging the inside of the processing vessel with an inert gas; and a film formation in the processing vessel Supplying a deposition source gas containing an element constituting the nitride film to be formed and chlorine and adsorbing it to the substrate to be processed; purging the inside of the processing container with an inert gas; and in the processing container Nitriding gas is supplied to the nitride film A step including nitriding an element to be formed is repeated a plurality of times to collectively form a nitride film having a predetermined thickness on a plurality of substrates to be processed, and in each cycle, the step of adsorbing , Performing a step of generating a hydrogen radical by the plasma generation mechanism and performing a hydrogen radical purge in the processing vessel between the step of nitriding, and in the step of adsorbing, an element of the nitride There is provided a nitride film forming apparatus, comprising: a control unit configured to control a part that is physically adsorbed more than a saturated adsorbed part by the hydrogen radical in the hydrogen radical purge.
上記第2の観点において、前記プラズマ生成機構は、プラズマにより前記窒化ガスの活性種を生成し、前記制御部は、前記窒化ステップにおいて、その活性種により窒化を行うように制御するようにすることができる。 In the second aspect, the plasma generation mechanism generates active species of the nitriding gas by plasma, and the control unit controls to perform nitridation by the active species in the nitriding step. Can do.
本発明の第3の観点は、コンピュータ上で動作し、窒化膜の成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第1の観点の窒化膜の成膜方法が行われるように、コンピュータに前記窒化膜の成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。 According to a third aspect of the present invention, there is provided a storage medium that operates on a computer and stores a program for controlling the nitride film forming apparatus. Provided is a storage medium characterized by causing a computer to control the nitride film forming apparatus so that a nitride film forming method is performed.
本発明によれば、複数の被処理体に対して一括してALD法により窒化膜を成膜処理する際に、各サイクルにおいて、成膜原料を吸着させるステップと、窒化させるステップとの間に、処理容器内で水素ラジカルを生成して水素ラジカルパージを行うステップを実施し、成膜原料を吸着させるステップにおいて、窒化物を構成する元素の飽和吸着分よりも過剰に物理吸着した部分を、水素ラジカルパージにおいて、水素ラジカルにより除去する。このため、ローディング効果による膜厚変動を抑制することができる。 According to the present invention, when forming a nitride film on a plurality of objects to be processed at a time by the ALD method, in each cycle, between the step of adsorbing the film forming material and the step of nitriding In the step of generating hydrogen radicals in the processing vessel and performing hydrogen radical purging, and adsorbing the film forming raw material, the portion physically adsorbed in excess of the saturated adsorption of the elements constituting the nitride is In the hydrogen radical purge, the hydrogen radical is removed. For this reason, the film thickness fluctuation | variation by a loading effect can be suppressed.
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
本実施形態においては、窒化膜としてシリコン窒化膜(SiN膜)を成膜する場合を例にとって説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
In the present embodiment, a case where a silicon nitride film (SiN film) is formed as a nitride film will be described as an example.
<成膜装置の一例>
図1は本発明の一実施形態に係る窒化膜の成膜方法の実施に用いることができる成膜装置の一例を示す縦断面図、図2は図1に示す成膜装置の水平断面図である。
<Example of film forming apparatus>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of a film forming apparatus that can be used for carrying out a method for forming a nitride film according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a horizontal sectional view of the film forming apparatus shown in FIG. is there.
本例の成膜装置100は、下端が開口された有天井の円筒体状の処理容器1を有している。この処理容器1の全体は、例えば石英により形成されており、この処理容器1内の上端部近傍には、石英製の天井板2が設けられてその下側の領域が封止されている。また、この処理容器1の下端開口部には、円筒体状に成形された金属製のマニホールド3がOリング等のシール部材4を介して連結されている。
The
マニホールド3は処理容器1の下端を支持しており、このマニホールド3の下方から被処理基板として複数枚、例えば50〜100枚の半導体ウエハ(シリコンウエハ)Wを多段に載置した石英製のウエハボート5が処理容器1内に挿入されるようになっている。このウエハボート5は3本のロッド6を有し(図2参照)、ロッド6に形成された溝(図示せず)により複数枚のウエハWが支持される。
The
このウエハボート5は、石英製の保温筒7を介してテーブル8上に載置されており、このテーブル8は、マニホールド3の下端開口部を開閉する金属(ステンレス)製の蓋部9を貫通する回転軸10上に支持される。
The
そして、この回転軸10の貫通部には、磁性流体シール11が設けられており、回転軸10を気密にシールしつつ回転可能に支持している。また、蓋部9の周辺部とマニホールド3の下端部との間には、処理容器1内のシール性を保持するためのシール部材12が介設されている。
A magnetic fluid seal 11 is provided in the penetrating portion of the rotating
回転軸10は、例えばボートエレベータ等の昇降機構(図示せず)に支持されたアーム13の先端に取り付けられており、ウエハボート5および蓋部9等を一体的に昇降して処理容器1内に対して挿脱される。なお、テーブル8を蓋部9側へ固定して設け、ウエハボート5を回転させることなくウエハWの処理を行うようにしてもよい。
The rotating
また、成膜装置100は、処理容器1内へCl含有Si化合物ガス、例えばDCSガスを供給するCl含有Si化合物ガス供給機構14と、処理容器1内へ窒化ガス、例えばNH3ガスを供給する窒化ガス供給機構15と、処理容器1内へ水素ガス(H2ガス)を供給するH2ガス供給機構16と、処理容器1内へパージガス等として不活性ガス、例えばN2ガスやArガスを供給する不活性ガス供給機構17とを有している。
The
Cl含有Si化合物ガス供給機構14は、Cl含有Si化合物ガス供給源18と、Cl含有Si化合物ガス供給源18からCl含有Si化合物ガスを導くガス配管19と、このガス配管19に接続されて処理容器1内にCl含有Si化合物ガスを導くガス分散ノズル20とを有している。Cl含有Si化合物ガスとしては、DCSガスの他、モノクロロシラン(MCS;SiH3Cl)、トリクロロシラン(TCS;SiHCl3)、シリコンテトラクロライド(STC;SiCl4)、ヘキサクロロジシラン(HCD;Si2Cl6)等を挙げることができる。
The Cl-containing Si compound
窒化ガス供給機構15は、窒化ガス供給源21と、窒化ガス供給源121から窒化ガスを導くガス配管22と、処理容器1内に窒化ガスを導くガス分散ノズル23とを有している。窒化ガスとしては、NH3ガスの他、N2ガス等を挙げることができる。
The nitriding
H2ガス供給機構16は、H2ガス供給源24と、H2ガス供給源24からH2ガスを導くガス配管25と、処理容器1内にH2ガスを導くガス分散ノズル26とを有している。
The H 2
ガス分散ノズル20、23、および26は、石英からなり、マニホールド3の側壁を内側へ貫通して上方向へ屈曲されて垂直に延びる。これらガス分散ノズル20、23、および26の垂直部分には、ウエハボート5のウエハ支持範囲に対応する上下方向の長さに亘って、それぞれ複数のガス吐出孔20a、23a、および26a(26aについては図2にのみ図示)が所定の間隔で形成されている。各ガス吐出孔20a,23a、および26aから水平方向に処理容器1に向けて略均一にガスを吐出することができる。ガス分散ノズル20は2本、ガス分散ノズル23および26はそれぞれ1本設けられている。
The
不活性ガス供給機構17は、不活性ガス供給源27と、不活性ガス供給源27から不活性ガスを導くガス配管28と、このガス配管28に接続され、マニホールド3の側壁を貫通して設けられた短い石英管からなるガスノズル29とを有している。
The inert
ガス配管19、22、25、28には、それぞれ開閉弁19a、22a、25a、28a、および流量制御器19b、22b、25b、28bが設けられている。
The
処理容器1の側壁の一部には、プラズマ生成機構30が形成されている。プラズマ生成機構30は、NH3ガス等の窒化ガスをプラズマ化して窒化のための活性種を生成し、さらにH2ガスもプラズマ化して水素ラジカルを生成するためのものである。
A
プラズマ生成機構30は、処理容器1の外壁に気密に溶接されたプラズマ区画壁32を備えている。プラズマ区画壁32は、例えば、石英により形成される。プラズマ区画壁32は断面凹状をなし、処理容器1の側壁に形成された開口31を覆う。開口31は、ウエハボート5に支持されている全ての半導体ウエハWを上下方向にカバーできるように、上下方向に細長く形成される。プラズマ区画壁32により規定される内側空間、すなわち、プラズマ生成空間の内部には、上述した、NH3ガス等の窒化ガスを吐出するための分散ノズル23、およびH2ガスを吐出するための分散ノズル26が配置されている。なお、DCSガス等のCl含有Si化合物ガスを吐出するための2本のガス分散ノズル20は、処理容器1の内側壁の開口31を挟む位置に設けられている。
The
また、プラズマ生成機構30は、プラズマ区画壁32の両側壁の外面に、上下方向に沿って互いに対向するようにして配置された細長い一対のプラズマ電極33と、一対のプラズマ電極33のそれぞれに給電ライン34を介して接続され、一対のプラズマ電極33に高周波電力を供給する高周波電源35とをさらに有している。高周波電源35は、一対のプラズマ電極33に対し、例えば、13.56MHzの高周波電圧を印加する。これにより、プラズマ区画壁32により規定されたプラズマ生成空間内に、高周波電界が印加される。分散ノズル23から吐出された窒化ガス、および分散ノズル26から吐出されたH2ガスは、高周波電界が印加されたプラズマ生成空間内においてプラズマ化され、これにより生成された窒化のための活性種および水素ラジカルが開口31を介して処理容器1の内部へと供給される。
The
プラズマ区画壁32の外側には、これを覆うようにして絶縁保護カバー36が取り付けられている。絶縁保護カバー36の内側部分には、冷媒通路(図示せず)が設けられており、そこに冷却された窒素ガス等の冷媒を流すことによりプラズマ電極33が冷却される。
An insulating
開口31に対向する処理容器1の側壁部分には、処理容器1内を真空排気するための排気口37が設けられている。この排気口37はウエハボート5に対応して上下に細長く形成されている。処理容器1の排気口37に対応する部分には、排気口37を覆うように断面U字状に成形された排気口カバー部材38が取り付けられている。この排気口カバー部材38は、処理容器1の側壁に沿って上方に延びている。排気口カバー部材38の下部には、排気口37を介して処理容器1を排気するための排気管39が接続されている。排気管39には、処理容器1内の圧力を制御する圧力制御バルブ40および真空ポンプ等を含む排気装置41が接続されており、排気装置41により排気管39を介して処理容器1内が排気される。また、この処理容器1の外周を囲むようにしてこの処理容器1およびその内部のウエハWを加熱する筒体状の加熱機構42が設けられている。
An
成膜装置100は制御部50を有している。制御部50は、成膜装置100の各構成部の制御、例えばバルブ19a、22a、25a、28aの開閉による各ガスの供給・停止、流量制御器19b、22b、25b、28bによるガス流量の制御、排気装置41による排気制御、高周波電源35による高周波電力のオン・オフ制御、および加熱機構42によるウエハWの温度の制御等を行う。制御部50は、CPU(コンピュータ)を有し、上記制御を行う主制御部と、入力装置、出力装置、表示装置、および記憶装置を有している。記憶装置には、成膜装置100で実行される処理を制御するためのプログラム、すなわち処理レシピが格納された記憶媒体がセットされ、主制御部は、記憶媒体に記憶されている所定の処理レシピを呼び出し、その処理レシピに基づいて成膜装置100により所定の処理が行われるように制御する。
The
<成膜方法>
次に、このような成膜装置100により実施される本発明の一実施形態による成膜方法について説明する。
<Film formation method>
Next, a film forming method according to an embodiment of the present invention performed by the
ここでは、Cl含有Si化合物ガスとしてDCSガス、窒化ガスとしてNH3ガス、パージガスとしてN2ガスを用いた例について示す。 Here, an example is shown in which DCS gas is used as the Cl-containing Si compound gas, NH 3 gas is used as the nitriding gas, and N 2 gas is used as the purge gas.
まず、処理容器1内の温度を400〜600℃にし、50〜100枚のウエハWが搭載されたウエハボート5を処理容器1内に搬入し、排気装置41により処理容器1内を排気しつつ、処理容器1内を13〜665Paに調圧する。
First, the temperature in the
この状態で、図3のシーケンス図に示すように、N2ガスによるパージ工程(ステップS1)、DCSガス供給(Si吸着)工程(ステップS2)、水素ラジカルパージ工程(ステップS3)、N2ガスによるパージ工程(ステップS4)、NH3ガス供給(窒化)工程(ステップS5)を所定回数繰り返し、所定膜厚のSiN膜を成膜する。 In this state, as shown in the sequence diagram of FIG. 3, a purge process using N 2 gas (step S1), a DCS gas supply (Si adsorption) process (step S2), a hydrogen radical purge process (step S3), and an N 2 gas The SiN film having a predetermined film thickness is formed by repeating the purge process (step S4) and the NH 3 gas supply (nitriding) process (step S5) by a predetermined number of times.
ステップS1およびステップS4のパージ工程では、排気装置41により処理容器1内を排気しつつ、不活性ガス供給源27から処理容器1内に不活性ガスとしてN2ガスを供給することにより行われる。これにより、処理容器1内の雰囲気をN2ガスに置換する。このときの条件は、N2ガス流量:500〜5000sccm、時間:3〜10secが好ましい。
The purge process of step S1 and step S4 is performed by supplying N 2 gas as an inert gas from the inert
ステップS2のDCSガス供給工程では、Cl含有Si化合物ガス供給源18から処理容器1内にCl含有Si化合物ガスとしてDCSガスを供給して、ウエハWの表面にSiを吸着させる。このときの条件は、DCSガス流量:500〜3000sccm、時間:1〜10secが好ましい。
In the DCS gas supply process of step S <b> 2, DCS gas is supplied as a Cl-containing Si compound gas from the Cl-containing Si compound
ステップS3の水素ラジカルパージ工程では、処理容器1内を排気しつつ、H2ガス供給源24から処理容器1内にH2ガスを供給し、プラズマ生成機構30によりH2ガスをプラズマ化して水素ラジカルを生成し、ステップS2により吸着されたSiに水素ラジカルを作用させる。このときの条件は、高周波パワー:50〜300W、H2ガス流量:500〜5000sccm、時間:3〜60secが好ましい。
The hydrogen radical purging process of the step S3, while exhausting the inside of the
ステップS5のNH3ガス供給工程では、窒化ガス供給源21から処理容器1内に窒化ガスとしてNH3ガスを供給するとともに、プラズマ生成機構30によりNH3ガスをプラズマ化して窒化のための活性種を生成し、ステップS2により吸着されたSiを窒化する。このときの条件は、NH3ガス流量:500〜5000sccm、時間:5〜120secが好ましい。
The NH 3 gas supply step of Step S5, supplies NH 3 gas as a nitriding gas into the
なお、ステップS3の水素ラジカルパージ工程と、ステップ4のパージ工程の順序は入れ替えてもよい。 Note that the order of the hydrogen radical purge process in step S3 and the purge process in step 4 may be interchanged.
本実施形態に至った経緯は以下のとおりである。
従来のALD法によるSiN膜の成膜においては、図4のように、水素ラジカル処理(ステップS3)は行わず、N2ガスによるパージ工程(ステップS1)、DCSガス供給工程(ステップS2)、N2ガスによるパージ工程(ステップS4)、NH3ガス供給(窒化)工程(ステップS5)を繰り返すのみである。
The background to the present embodiment is as follows.
In the formation of the SiN film by the conventional ALD method, as shown in FIG. 4, the hydrogen radical treatment (step S3) is not performed, the purge process with N 2 gas (step S1), the DCS gas supply process (step S2), Only the purge process with N 2 gas (step S4) and the NH 3 gas supply (nitriding) process (step S5) are repeated.
ALD法でSiN膜を成膜する場合、ステップS2のDCSの供給の際には、原理的には、下地の化学吸着サイトにDCSガスが吸着するが、飽和吸着量に達するとそれ以上はDCSガスが吸着せず、このため、単原子層のSiが化学吸着するのである。 When a SiN film is formed by the ALD method, when supplying DCS in step S2, in principle, DCS gas is adsorbed on the underlying chemical adsorption site, but when the saturated adsorption amount is reached, DCS is further increased. The gas does not adsorb, and therefore the monoatomic Si is chemically adsorbed.
しかし、従来のALDでは、実際には、DCSガス中のCl等の不純物が物理的に吸着して凝集し、不純物を介してSiも物理的に凝集してSiクラスターとなり、Siの過剰吸着が生じる。 However, in the conventional ALD, in reality, impurities such as Cl in the DCS gas are physically adsorbed and aggregated, and Si is also physically aggregated through the impurities to form Si clusters. Arise.
この場合、ウエハ表面が平坦で表面積が小さい状態の場合は、不純物が吸着しやすいため、Siの過剰吸着量が多くなるのに対し、ウエハ表面に凹凸が多く表面積が大きい状態の場合は、不純物が凹部の底に到達し難いため、Siの過剰吸着量が少なくなる。そして、このことが、ウエハの表面状態の違いにより成膜量が変動するローディング効果が生じる原因となる。また、このようなSiの過剰吸着により、ウエハWの投入枚数の変動によるシリコン窒化膜の膜厚変動も生じやすくなる。 In this case, when the wafer surface is flat and the surface area is small, impurities are easily adsorbed, so the amount of excessive adsorption of Si increases. On the other hand, when the wafer surface has many irregularities and the surface area is large, impurities Since it is difficult to reach the bottom of the recess, the excessive adsorption amount of Si is reduced. This causes a loading effect in which the film formation amount fluctuates due to a difference in the surface state of the wafer. Further, due to such excessive adsorption of Si, the film thickness variation of the silicon nitride film due to the variation of the number of inserted wafers W tends to occur.
このようなローディング効果を抑制するためには、飽和吸着したSiの上に物理的に吸着するCl等の不純物および過剰なSiを除去できればよい。 In order to suppress such a loading effect, it suffices if impurities such as Cl physically adsorbed on the saturated adsorbed Si and excess Si can be removed.
そこで、本実施形態では、ALDプロセスによりシリコン窒化膜を成膜するにあたり、DCSガス供給工程(ステップS2)の後、ステップS3として水素ラジカルパージを行って、ステップ2の際に物理吸着した不純物および過剰なSiを除去する。
Therefore, in this embodiment, in forming the silicon nitride film by the ALD process, after the DCS gas supply process (step S2), hydrogen radical purge is performed as step S3, and the impurities physically adsorbed in
具体的には、図5(a)に示すように、Cl含有Si化合物ガスとしてDCSガスを用いた場合、化学吸着した単原子層のSiの上に、Cl等の不純物および過剰なSiがクラスター状に物理吸着するが、図5(b)に示すように、水素ラジカルを作用させることにより、物理吸着したCl等の不純物およびSiを除去することができる。そして、理想的には図5(c)に示すように、化学吸着した単原子層のSiのみを残すようにする。 Specifically, as shown in FIG. 5A, when DCS gas is used as the Cl-containing Si compound gas, impurities such as Cl and excess Si are clustered on the chemically adsorbed monoatomic Si. However, as shown in FIG. 5B, impurities such as physically adsorbed Cl and Si can be removed by the action of hydrogen radicals. Ideally, only the chemically adsorbed monoatomic layer Si is left as shown in FIG.
これにより、ウエハWの表面状態にかかわらず、Si層を単原子層状態に近づけることができ、最終的に形成されるSiN膜のウエハWの表面状態による膜厚の変動、すなわちローディング効果を抑制することができる。 As a result, the Si layer can be brought close to the monoatomic layer state regardless of the surface state of the wafer W, and the film thickness variation due to the surface state of the wafer W of the finally formed SiN film, that is, the loading effect is suppressed. can do.
<実験例>
次に、本発明の実験例について説明する。
ここでは、フラットウエハとパターンウエハを用い、図1に示す装置により、水素ラジカルパージの時間を変えてSiN膜の成膜を行った。いずれのウエハの成膜処理においても、一度に処理するウエハの枚数は100枚とした。
<Experimental example>
Next, experimental examples of the present invention will be described.
Here, a flat wafer and a patterned wafer were used, and the SiN film was formed by changing the hydrogen radical purge time using the apparatus shown in FIG. In any wafer deposition process, the number of wafers processed at one time was 100.
結果を図6に示す。図6は、各処理について、ウエハ径方向の膜厚分布と膜厚減少率を示している。図6において、「水素ラジカルパージなし」は、図4に示す、水素ラジカルパージを行わない従来のシーケンスの場合であり、「水素ラジカルパージ5sec」、「水素ラジカルパージ10sec」は、図3に示す本発明のシーケンスの場合である。膜厚減少率は、フラットウエハにおけるSiN膜の平均膜厚に対するパターンウエハにおけるSiN膜の平均膜厚の減少率である。例えば、フラットウエハの平均膜厚に対してパターンウエハの平均膜厚が1%薄い場合には、膜厚減少率は−1%である。
The results are shown in FIG. FIG. 6 shows the film thickness distribution and the film thickness reduction rate in the wafer radial direction for each process. In FIG. 6, “no hydrogen radical purge” is the case of the conventional sequence shown in FIG. 4 where no hydrogen radical purge is performed, and “hydrogen
図6に示すように、水素ラジカルパージを行わない従来のシーケンスでは、膜厚減少率がTOPで−2.3%、BTMで−2.4%と、いずれも大きい値であり、ローディング効果が大きかった。 As shown in FIG. 6, in the conventional sequence in which hydrogen radical purging is not performed, the film thickness reduction rate is -2.3% for TOP and -2.4% for BTM, both of which are large values, and the loading effect is high. It was big.
これに対し、5secの水素ラジカルパージを行った場合は、膜厚減少率がTOPおよびBTMとも−1.5%であり、10secの水素ラジカルパージを行った場合は、膜厚減少率がTOPで−1.1%、BTMで−1.2%となり、DCSガス供給後に水素ラジカルパージを行うことにより、ローディング効果が抑制されることが確認された。 On the other hand, when the hydrogen radical purge is performed for 5 seconds, the film thickness reduction rate is -1.5% for both TOP and BTM, and when the hydrogen radical purge is performed for 10 seconds, the film thickness reduction rate is TOP. It was confirmed that the loading effect was suppressed by performing hydrogen radical purging after supplying DCS gas.
<他の適用>
以上、本発明の実施形態について説明したが、この発明は、上記の実施形態に限定されることはなく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。
<Other applications>
As mentioned above, although embodiment of this invention was described, this invention is not limited to said embodiment, A various deformation | transformation is possible in the range which does not deviate from the meaning.
例えば、上記実施形態では、本発明の成膜方法を縦型のバッチ式装置により実施した例を示したが、これに限らず、横型のバッチ式装置により実施することもできる。 For example, in the above-described embodiment, an example in which the film forming method of the present invention is implemented by a vertical batch type apparatus has been described. However, the present invention is not limited thereto, and can be implemented by a horizontal batch type apparatus.
また、上記実施形態では、一対のプラズマ電極に高周波電力を印加することによりプラズマを生成し、そのプラズマにより水素ラジカルを生成する例を示したが、水素ラジカルを生成する方法は、これに限らず、他の誘導結合プラズマやマイクロ波プラズマ等の他のプラズマを用いてもよく、また、加熱フィラメントに水素ガスを接触させる処理等の方法を用いることもできる。 Moreover, in the said embodiment, although the example which produces | generates a plasma by applying a high frequency electric power to a pair of plasma electrode and produces | generates a hydrogen radical by the plasma was shown, the method of producing | generating a hydrogen radical is not restricted to this. Other plasmas such as other inductively coupled plasmas and microwave plasmas may be used, and a method such as a treatment in which hydrogen gas is brought into contact with the heating filament can also be used.
さらに、上記実施形態では、Cl含有Si化合物ガスと、窒化ガスとを用いてシリコン窒化膜を形成する場合を例にとって説明したが、Cl含有化合物ガスと窒化ガスとの組み合わせで窒化膜を形成する場合であれば適用することができる。例えば、TiCl4ガスと窒化ガスを用いてTiN膜を形成する場合や、BCl3ガスと窒化ガスとを用いてBN膜を成膜する場合や、WCl6ガスと窒化ガスとを用いてWN膜を成膜する場合等に適用することができる。 Furthermore, in the above embodiment, the case where the silicon nitride film is formed using the Cl-containing Si compound gas and the nitriding gas has been described as an example. However, the nitride film is formed by a combination of the Cl-containing compound gas and the nitriding gas. If applicable, it can be applied. For example, when a TiN film is formed using a TiCl 4 gas and a nitriding gas, a BN film is formed using a BCl 3 gas and a nitriding gas, or a WN film using a WCl 6 gas and a nitriding gas. This can be applied to the case of forming a film.
1;処理容器
5;ウエハボート
14;Cl含有Si化合物ガス供給機構
15;窒化ガス供給機構
16;H2ガス供給機構
30;プラズマ生成機構
33;プラズマ電極
35;高周波電源
41;排気装置
42;加熱機構
100;成膜装置
W;半導体ウエハ(被処理基板)
1; processing
Claims (11)
前記処理容器内を不活性ガスによりパージするステップと、前記処理容器内に成膜しようとする窒化膜を構成する元素と塩素とを含有する成膜原料ガスを供給して被処理基板に吸着させるステップと、処理容器内を不活性ガスでパージするステップと、前記処理容器内に窒化ガスを供給して前記窒化膜を構成する元素を窒化させるステップとを含むサイクルを、複数回繰り返して、複数の被処理基板に対して一括して所定膜厚の窒化膜を成膜する窒化膜の成膜方法であって、
各サイクルにおいて、前記吸着させるステップと、前記窒化させるステップとの間に、前記処理容器内で水素ラジカルを生成して水素ラジカルパージを行うステップを実施し、
前記吸着させるステップにおいて、前記窒化物を構成する元素の飽和吸着分よりも過剰に物理吸着した部分を、前記水素ラジカルパージにおいて、前記水素ラジカルにより除去することを特徴とする窒化膜の成膜方法。 A plurality of substrates to be processed are disposed in the processing container, and the plurality of substrates to be processed are
Purging the inside of the processing container with an inert gas, and supplying a film forming raw material gas containing an element constituting the nitride film and chlorine to be formed in the processing container to be adsorbed on the substrate to be processed A plurality of cycles including a step, a step of purging the inside of the processing container with an inert gas, and a step of supplying a nitriding gas into the processing container to nitride the elements constituting the nitride film, a plurality of times A nitride film forming method for forming a predetermined thickness of nitride film on a substrate to be processed at once,
In each cycle, between the adsorbing step and the nitriding step, performing a step of generating hydrogen radicals in the processing vessel and performing hydrogen radical purging,
In the adsorbing step, a portion that is physically adsorbed more than the saturated adsorbed amount of the elements constituting the nitride is removed by the hydrogen radical in the hydrogen radical purge, and the nitride film forming method is characterized in that .
前記窒化膜が成膜される複数の被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内に、不活性ガス、成膜原料ガス、窒化ガス、水素ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理容器内に収容された複数の被処理基板を加熱する加熱装置と、
プラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記処理容器内を排気する排気装置と、
前記処理容器内を不活性ガスによりパージするステップと、前記処理容器内に成膜しようとする窒化膜を構成する元素と塩素とを含有する成膜原料ガスを供給して被処理基板に吸着させるステップと、処理容器内を不活性ガスでパージするステップと、前記処理容器内に窒化ガスを供給して前記窒化膜を構成する元素を窒化させるステップとを含むサイクルを、複数回繰り返して、複数の被処理基板に対して一括して所定膜厚の窒化膜を成膜するとともに、各サイクルにおいて、前記吸着させるステップと、前記窒化させるステップとの間に、前記処理容器内で前記プラズマ生成機構により水素ラジカルを生成して水素ラジカルパージを行うステップを実施し、前記吸着させるステップにおいて、前記窒化物を構成する元素の飽和吸着分よりも過剰に物理吸着した部分を、前記水素ラジカルパージにおいて、前記水素ラジカルにより除去するように制御する制御部と
を有することを特徴とする窒化膜の成膜装置。 A nitride film forming apparatus that collectively forms a nitride film having a predetermined thickness on a plurality of substrates to be processed,
A processing container containing a plurality of substrates to be processed on which the nitride film is formed;
A gas supply mechanism for supplying an inert gas, a film forming source gas, a nitriding gas, and a hydrogen gas into the processing vessel;
A heating device for heating a plurality of substrates to be processed accommodated in the processing container;
A plasma generation mechanism for generating plasma;
An exhaust device for exhausting the inside of the processing container;
Purging the inside of the processing container with an inert gas, and supplying a film forming raw material gas containing an element constituting the nitride film and chlorine to be formed in the processing container to be adsorbed on the substrate to be processed A plurality of cycles including a step, a step of purging the inside of the processing container with an inert gas, and a step of supplying a nitriding gas into the processing container to nitride the elements constituting the nitride film, a plurality of times The plasma generation mechanism is formed in the processing chamber between the adsorbing step and the nitriding step in each cycle. A step of generating a hydrogen radical by hydrogen radical purging and adsorbing, in the step of adsorbing, from the saturated adsorption of the elements constituting the nitride The excess physisorbed portion, in the hydrogen radical purging, the film forming apparatus of the nitride film, characterized by a control unit for controlling to remove by the hydrogen radical.
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