JP2017528940A - 圧電超音波トランスデューサおよびプロセス - Google Patents
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-
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Abstract
Description
本開示は、参照により本明細書に組み込まれている、2014年7月8日に出願した、「PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER AND PROCESS」と題する米国仮出願第62/022140号(代理人整理番号第QUALP264PUS/145636P1号)と、「PIEZOELECTRIC ULTRASONIC TRANSDUCER AND PROCESS」と題する、米国特許出願第14/569256号と、2013年12月12日に出願した、「MICROMECHANICAL ULTRASONIC TRANSDUCERS AND DISPLAY」と題する米国仮出願第61/915361号の優先権を主張するものである。
110 圧電層スタック
112 下部電極
114 上部電極
115 圧電層
120 空洞
130 機械層
160 半導体基板
200A PMUT
200B PMUT
200C PMUT
200D PMUT
210 圧電層スタック
212 下部電極
214 上部電極
215 圧電層
220 空洞
230 機械層
232 凹部
250 中立軸
260 基板
300 PMUT
310 圧電層スタック
312 下部電極
314 上部電極
315 圧電層
320i 空洞
320o 放出穴
330 機械層
350 中立軸
360 基板
370 アンカー構造
410 圧電層スタック
411 バリア層
412 下部電極
414 上部電極
414a 上部電極
414b 上部電極
415 圧電層
416 絶縁層
416a 電気ビア
416b 電気ビア
418 相互接続層
418a 電気トレースおよび電気接点
418b 電気接点
420 空洞
420i 空洞
420o 放出穴
422a 凹部
422b 凹部
425 犠牲層
425i 内側犠牲領域
425o 外側犠牲領域
430 機械層
430a 放出穴
432 パッシベーション層
432a 上部凹部、凹部
434a コンタクトパッド開口部またはビア
434b コンタクトパッド開口部またはビア
435a 上部電極層の部分
435b 下部電極層412の部分
470 アンカー構造
472 第1の層部分、酸化物バッファ層
474 アンカー部分
474i 小さい部分
476 薄いバリア層
476i 薄いバリア層476の部分
500A PMUT
500B PMUT
500C PMUT
510 圧電層スタック
512 下部電極層
514 上部電極層
515 圧電層
520 空洞
522 中央放出穴
530 機械層
530a 下部機械層
530b 上部機械層
550 中立軸
560 基板
570 アンカー構造
580 音響ポート
600 PMUT
600A PMUTアレイ
600B PMUTアレイ
600C PMUTアレイ
600D PMUTアレイ
600E PMUTアレイ
630 結合機械層
632 接着剤層
634 接着剤層
636 マイクロピラー
660 共通基板
690 プラテン
692 音響インピーダンス整合層
700 PMUT
710 圧電層スタック
720 空洞
722 中央放出穴
730 機械層
750 機械的中立軸
760 基板
770 アンカー構造
800 PMUT、円形PMUT、正方形PMUT、矩形PMUT
830 円形機械層
870 中央アンカー構造、周辺アンカー構造
870a 側面アンカー構造
870b 側面アンカー構造
1100A 超音波センサアレイ
1100B ディスプレイアレイ
1100C 超音波センサおよびディスプレイアレイ
1102 物体
1160 PMUTセンサアレイ基板
1160a センサアレイ基板
1160b ディスプレイアレイ基板
1162 PMUTセンサ要素
1164 超音波
1165 音響結合媒体
1165a 音響結合媒体
1165b 光学結合および音響結合媒体
1166 ディスプレイピクセル
1190a プラテン
1190b プラテン、カバーガラス
1190c カバーガラス
1275 ニッケル層
1276 犠牲層425の部分、シリサイド層
1300 プロセスフロー
1400 プロセスフロー
1500 プロセスフロー
1600 プロセスフロー
1700 プロセスフロー
Claims (29)
- 基板上に配置された多層スタックを備える圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサであって、前記多層スタックが、
前記基板上に配置されたアンカー構造と、
前記アンカー構造上に配置された圧電層スタックと、
前記圧電層スタックに近接して配置された機械層と
を含み、
前記圧電層スタックが、空洞上に配置されていて、
前記機械層が、前記空洞を封止していて、前記圧電層スタックと一緒に、前記アンカー構造によって支持されていて、前記空洞上に膜を形成していて、前記膜が、前記圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサが超音波信号を受信または送信するとき、撓み運動と振動の一方または両方を受けるように構成された、圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。 - 前記機械層は、面外曲げモードを可能にするために、前記多層スタックの中立軸が前記圧電層スタックの中立軸に対して前記機械層に向かって変位するような厚さを有する、請求項1に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記機械層が、前記圧電層スタックよりも実質的に厚い、請求項2に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記中立軸が、前記機械層を通過する、請求項2に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記空洞が、少なくとも1つの放出穴を通して犠牲材料を除去することによって形成されていて、
前記機械層が、前記犠牲材料を除去した後に形成されていて、
前記機械層を形成することが、前記少なくとも1つの放出穴を封止することによって前記空洞を封止する、請求項1に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。 - 前記圧電層スタックが、圧電層と、前記圧電層の下に配置された下部電極と、前記圧電層の上に配置された上部電極とを含む、請求項1に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記機械層が、前記機械層が局所的に薄くされた凹部を含む、請求項1に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記機械層が、前記基板と反対側の前記圧電スタックの側の上に配置された、請求項1に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記機械層が、前記基板に面する前記圧電スタックの側の下に配置された、請求項1に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記圧電層スタックの上に配置された音響結合媒体をさらに備え、前記圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサが、前記結合媒体を介して超音波信号を受信または送信するように構成された、請求項1に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 基板上に配置された多層スタックを備える圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサであって、前記多層スタックが、
前記基板上に配置されたアンカー構造と、
前記アンカー構造上に配置された圧電層スタックと、
前記圧電層スタックに近接して配置された機械層と
を含み、前記機械層が、前記機械層が局所的に薄くされた凹部を含み、
前記圧電層スタックが、空洞の上に配置されていて、
前記機械層が、前記圧電層スタックと一緒に前記アンカー構造によって支持されていて、前記空洞上に膜を形成していて、前記膜が、前記圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサが超音波信号を受信または送信するとき、撓み運動と振動の一方または両方を受けるように構成された、圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。 - 前記空洞が、少なくとも1つの放出穴を通して犠牲材料を除去することによって形成されていて、
前記機械層が、前記犠牲材料を除去した後に形成されていて、
前記機械層を形成することが、前記少なくとも1つの放出穴を封止することによって前記空洞を封止する、請求項11に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。 - 前記機械層が、前記基板と反対側の前記圧電スタックの側の上に配置された、請求項11に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記機械層が、前記基板に面する前記圧電スタックの側の下に配置された、請求項11に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 前記圧電層スタックの上に配置された音響結合媒体をさらに備え、前記圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサが、前記結合媒体を介して超音波信号を受信または送信するように構成された、請求項11に記載の圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサ。
- 圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサを製作する方法であって、
基板上にアンカー構造を形成するステップであって、前記アンカー構造が犠牲材料の領域に近接して配置される、ステップと、
前記アンカー構造上に圧電層スタックを形成するステップと、
前記圧電層スタックの下に空洞を形成するように前記犠牲材料を除去するステップと、
前記圧電層スタックに近接して機械層を配置するステップと
を備え、前記圧電層スタックおよび前記機械層が、多層スタックの一部を形成し、前記機械層、前記空洞を封止し、前記圧電層スタックと一緒に前記アンカー構造によって支持され、前記空洞の上に膜を形成し、前記膜が、前記圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサが超音波信号を受信または送信するとき、撓み運動と振動の一方または両方を受けるように構成される、方法。 - 前記犠牲材料を除去するステップが、少なくとも1つの放出穴を通して犠牲材料を除去するステップを含み、前記犠牲材料が、前記少なくとも1つの放出穴を封止する、請求項16に記載の方法。
- 前記アンカー構造が、下部層内に配置され、前記下部層が、前記圧電層スタックと平行であり、前記犠牲材料の領域を含む、請求項16に記載の方法。
- 前記機械層が、面外曲げモードを可能にするために、前記多層スタックの中立軸が前記圧電層スタックの中立軸に対して、前記機械層に向かって変位するような厚さを有する、請求項16に記載の方法。
- 前記機械層が、前記圧電層スタックよりも実質的に厚い、請求項19に記載の方法。
- 前記中立軸が、前記機械層を通過する、請求項19の記載の方法。
- 圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサセンサのアレイと、
音響結合媒体と
を備える装置であって、
少なくとも1つの圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサが、基板上に配置された多層スタックを含み、
前記多層スタックが、前記基板上に配置されたアンカー構造と、前記アンカー構造および空洞の上に配置された圧電層スタックと、前記圧電層スタックに近接して配置された機械層とを含み、前記機械層が、前記空洞を封止していて、
前記音響結合媒体が、前記圧電層スタックの上に配置されていて、
前記圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサが、前記結合媒体を介して超音波信号を受信または送信するように構成された、装置。 - 前記機械層が、前記圧電層スタックと一緒に前記空洞上に膜を形成していて、前記膜が、前記圧電マイクロメカニカル超音波トランスデューサが超音波信号を受信または送信するとき、撓み運動と振動の一方または両方を受けるように構成された、請求項22に記載の装置。
- 前記機械層は、面外曲げモードを可能にするために、前記多層スタックの中立軸が前記圧電層スタックの中立軸に対して前記機械層に向かって変位するような厚さを有する、請求項22に記載の装置。
- 前記機械層が、前記圧電層スタックよりも実質的に厚い、請求項24に記載の装置。
- 前記中立軸が、前記機械層を通過する、請求項24に記載の装置。
- 前記空洞が、少なくとも1つの放出穴を通して犠牲材料を除去することによって形成され、
前記機械層が、前記犠牲材料を除去した後に形成され、
前記機械層が、前記少なくとも1つの放出穴を封止することによって前記空洞を封止する、請求項22に記載の装置。 - 前記機械層が、前記機械層が局所的に薄くされた凹部を含む、請求項22に記載の装置。
- 前記機械層が、前記基板と反対側の前記圧電スタックの側の上、または、前記基板に面する前記圧電スタックの側の下に配置された、請求項22に記載の装置。
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