JP2017528903A - 第一の基板を剥離するための、試料ホルダ、装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、第二の基板(4)と結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)により結合された第一の基板(2)を、結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)の脆化によって、第二の基板(4)から剥離するための方法に関する。本発明はさらに、対応する装置に関する。本発明はその上、第一の基板(2)を、第二の基板(4)と、特に冷却により脆化可能な結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)によって接合するための方法に関する。本発明はさらに、第一の基板(2)、第二の基板(4)、及びその間に配置された結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)から形成された基板積層体(1、1′、1′′、1′′′、1IV、1V)を形成するために、第一の基板(2)と、第二の基板(4)との間に、結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)を製造するための、脆化可能な材料の使用に関する。加えて本発明は、第一の基板(2)、第二の基板(4)、及びその間に配置された結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)から形成された基板積層体であって、結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)が、脆化可能な材料から形成されている基板積層体に関する。本発明はまた、温度低下により活性化可能な固定手段によって第一の基板(2)を第二の基板(4)から剥離する際、第一の基板(2)を保持するための、試料ホルダに関する。
Description
本発明は、請求項1に記載の方法、請求項9に記載の装置、請求項10に記載の方法、請求項11に記載の使用、請求項12に記載の基板積層体、及び請求項13に記載の基板保持部に関する。
半導体技術において基板は、生じる部材の寸法を削減するために、規則的に裏面薄化される。裏面薄化が適用される理由の1つはしばしば、基板による導電性結合部の製造である。これらの導体は、特にシリコン基板でしばしば使用されるため、シリコン貫通電極(TSV)と呼ばれる。工業的に作製された基板、特にウェハは、500μm超の厚さを有するが、TSVは長さが約100μmしかないため、基板の残りの部分を除去する必要がある。裏面薄化プロセスの終わりに、できるだけ厚さが薄い機能ウェハを生じさせるのが望ましい。その厚さは、技術的特性、及び電気的な特性次第である。
製品基板を担体基板に固定することによってこれらは、裏面薄化工程の間、特にその後に機械的に安定化されている。主に半導体基板、又はガラス基板を、担体基板として使用する。製品基板は、担体基板との接合後に、様々なプロセスに供する。製品基板上には特に、機能素子、例えばMEMS、マイクロチップ、記憶素子などが形成される。
裏面薄化、及びさらなるプロセスの後、製品基板を担体基板から剥離し、さらに加工することができる。
固定の過程は、接合と呼ばれる。固定が時間的に制限される場合、一時的な接合、又は仮接合と言う。一時的な接合には、両方の基板の固定を様々なプロセス段階の間に可能にする一方で、一定の化学的及び/又は物理的な作用のもとでは基板の分離を可能にする様々な材料が使用される。接着結合は例えば、製品基板と担体基板との間で、化学的に剥離することができる。別の手法は、熱作用、及び剪断力及び/又は法線応力による基板の分離である。別の手法は、電磁線、特に紫外光による接着剤の破壊である。このためには、両方の基板のうち少なくとも1つが、紫外光に対して透明でなければならない。
これまで公知の全ての手法には、結合層、及び/又は基板、又は基板上に配置された部材の特性を少なくとも部分的に損ないかねないという著しい欠点がある。
担体基板を製品基板から脱接合/剥離する際に、多くの重要な要因を考慮する必要があり、最も重要なのは、壊れやすく、事前加工が原因で非常に高価な製品ウェハをできるかぎりストレスにさらさないことであり、また製品ウェハを損なわないことである。第一の基板の剥離は、反対側でコスト的に有利に、できる限り僅かなエネルギー消費によって迅速に行うのが望ましい。公知の多くの剥離プロセスでは特に、ウェハの間にある接着層の接着特性を解消するため、担体ウェハ、及び構造ウェハ/製品ウェハから構成される「スタック(積層体)」を、接着剤固有の温度に加熱することが必要となる。
本発明の課題は、第一の基板を剥離するための相応の装置及び方法を、穏やかで迅速な剥離が可能になるように、発展させることである。同時に、エネルギー消費は低減されることが望ましい。
この課題は、請求項1、9、10、11、12及び13の特徴によって解決される。本発明のさらなる有利な構成は、従属請求項に記載されている。本発明の範囲には、明細書、請求項、及び/又は図面に記載の特徴のうち少なくとも2つからの組み合わせ全ても含まれる。さらなる範囲では、記載した限度内にある値もまた、境界値として開示されたものとして通用し、任意の組み合わせで特許請求できる。
本発明の基本思想は、結合層の冷却及び/又は脆化、及び/又は基板の冷却、及び/又は結合層及び基板から形成される基板積層体の冷却により、基板の剥離を可能にするか、又は基板の剥離をもたらすということである。
本発明は特に、冷却剤を用いた冷却によって、2つの基板(特にウェハ)の剥離/脱接合のための方法、及び設備/装置を記載する。ここで本発明は特に、2つの基板を接合するために、低温、特に室温未満で脆化する結合層(特に接着剤)を使用するという思想に基づく。
この際、特に、結合層の機械的安定性、及び/又は接着作用が低下する。
粘性、機械的安定性、及び/又は接着特性を低下させるための加熱に代えて、本発明による方法では特に、基板積層体全体を冷却して、結合層を脆化する。この脆化は、比較的僅かな機械的力により2つの基板が分離できるように行う。機械的な力は、本発明による各実施態様に応じて、剪断力として、又は法線応力として適用することができる。
法線応力とは特に、点応力、線応力、又は面応力であり得る。2つの表面を分離するために、単位面積あたりのエネルギー(以下、エネルギー密度と呼ぶ)を記載するが、これは、2つの物体を分離するために少なくとも必要となるエネルギーである。2つの基板の間のエネルギー密度は、本発明によれば特に、2.5J/m2未満、好適には2.0J/m2未満、さらに好ましくは1.5J/m2未満、非常に好ましくは1.0J/m2未満、最も好ましくは0.5J/m2未満である。
この分離は特に、脆化により、及び/又は冷却により生じる内部応力により、既に冷却プロセスで自動的に起こる。つまり好適には、冷却によってのみ条件付けられる。この接着剤は、特に粘性がより高くなることはなく、冷却作用によって硬化した、脆性状態に移行する。
換言すれば、本発明の中核を成すのは特に、結合層の機械的安定性及び/又は接着特性を低下させるための、結合層の材料、特に接着剤、さらに好ましくは接合接着剤の脆化である。よって本発明は、本発明による脆化を実行するための手法、及び設備を記載する。
本発明により、高温における脱接合について長年存在してきた問題が解決される。媒体中における成分の拡散係数、特に金属若しくは半金属マトリックスにおける金属原子の拡散係数は、明らかに温度の関数である。高温とは、媒体中における化学種の拡散特性が上昇していることを意味する。従ってこの拡散は一般的に、温度が高ければ高いほど速く進行するか、又は温度が低ければ低いほどゆっくりと進行する。製品基板は非常にしばしば、事前にドープされた半導体成分、特にマイクロチップ又はメモリチップを有する。脱接合過程の間に高められた温度負荷によって、ドープ元素の不所望の拡散につながることがある。後述する本発明による実施態様及び手法によって、基板積層体は特に加熱されずに、冷却される。これによって、ドープ元素が不所望にも拡散してしまったとしても、その拡散は明らかに遅くなる。
本発明のさらなる利点は、脱接合速度が上昇することにある。本発明による工程によって、2つの、特に全面的に接合された基板が、数秒以内に相互に分離できる。脱接合時間の低下により、処理量の向上、ひいては経済性の上昇につながる。
本発明の有利な実施態様によれば、冷却ユニットは、冷却のための冷却剤として、収容のための基板保持部/試料保持部として、また1つ若しくは複数の基板の保持部として形成されている。これらは特に、相応する固定要素、特に真空ラインを有する。好ましくは、1つ若しくは複数の冷却ユニット、及び固定要素は、場所的に相互に分離されており、かつ/又は自立して可動できる。特に、冷却剤のための流入部及び流出部が、事後的に適用可能に形成されており、好適にはホース又は可撓性の管状構造物として形成されている。
本発明による実施態様は、基板積層体を冷却するため、またこれによって穏やかな剥離を可能にするための、装置/設備、及び方法を記載する。基板積層体を冷却することによって(好ましくは間接的に、つまり結合層と直接接触させずに)、結合層、特に接着剤、好適には接合接着剤が冷却される。
本発明による思想は特に、室温で、又はやや高温で基板を接合するために適しており、低温で少なくとも部分的に、特に完全に脆化し、これによって基板表面に対するその接着特性が失われるか、又はその体積に沿って少なくとも分離可能な結合層用材料を使用することにあり、これにより基板積層体の2つの基板を相互に分離できる。
基板積層体
基板積層体は、結合層、特に接着剤によって相互に接合される/された少なくとも2つの基板から成る。2つより多い基板を有する基板積層体も考えられ、ここでは常に2つの基板が、接着剤によって相互に接合されている。以下では単純にするために、2つの基板を有する基板積層体を取り扱う。基板積層体は、シート(英語:tape)に固定することができ、このシートは特にフレーム(英語:frame)に積層されたものである。この実施態様は特に、既に裏面薄化された基板(製品基板)を固定するために用いる。
基板積層体は、結合層、特に接着剤によって相互に接合される/された少なくとも2つの基板から成る。2つより多い基板を有する基板積層体も考えられ、ここでは常に2つの基板が、接着剤によって相互に接合されている。以下では単純にするために、2つの基板を有する基板積層体を取り扱う。基板積層体は、シート(英語:tape)に固定することができ、このシートは特にフレーム(英語:frame)に積層されたものである。この実施態様は特に、既に裏面薄化された基板(製品基板)を固定するために用いる。
結合層(系)、特に接着系
本発明によれば、2つの基板の接合に適した、臨界温度未満で脆化するあらゆる結合層を使用することができる。
本発明によれば、2つの基板の接合に適した、臨界温度未満で脆化するあらゆる結合層を使用することができる。
本発明による好ましい接着剤は、一層接着剤、多層接着剤、又は構造化された層を有する接着剤であり得る。各層の材料は、一成分系、又は多成分系であり得る。
結合層の各層の層厚は、本発明によれば特に1mm未満、好適には500μm未満、さらに好適には100μm未満、最も好ましくは1μm未満、さらに好適には10nm未満である。
各層の層厚の合計として得られる結合層の厚さは、本発明によれば特に1mm未満、好適には500μm未満、さらに好適には100μm未満、最も好ましくは1μm未満、さらに好ましくは10nm未満である。表面に三次元形状を有する基材の場合、層厚の合計は、少なくとも最大三次元形状と同じであり、それよりも特に少なくとも1nm、より好ましくは少なくとも10nm、最も好ましくは少なくとも100nm、さらに好ましくは少なくとも1μm、極めて好ましくは少なくとも10μm、大きい。
本発明による第一の実施態様において結合層は、一成分系である。特に、以下の成分をベースとする材料を使用する:
・シリコーン、及び/又は
・プラスチック、特に
○熱可塑性プラスチック、
○熱硬化性プラスチック、
○エラストマー、
・ワックス。
・シリコーン、及び/又は
・プラスチック、特に
○熱可塑性プラスチック、
○熱硬化性プラスチック、
○エラストマー、
・ワックス。
接着剤は例えば、以下の区分に分類することができる:
・物理的に硬化する接着剤、特に
○感圧型及び触圧型接着剤、
○溶融接着剤、
○最終状態で存在するポリマーの溶剤型、及び/又は分散液型接着剤、
○分散液型接着剤、
○水及び/又は溶剤で活性化可能な接着剤、
○プラスチゾル、
・化学硬化性接着剤、特に、
○重合接着剤、特に、
・アクリレート接着剤、特に、
・メチルメタクリレート接着剤、
・シアノアクリレート接着剤、
・不飽和ポリエステル、
○重縮合接着剤、特に、
・フェノール/ホルムアルデヒド樹脂接着剤、
・シリコーン、
・シラン結合性ポリマー接着剤、
・ポリイミド接着剤、
・ポリスルフィド接着剤、
○重付加接着剤、特に
・エポキシ樹脂接着剤、
・ポリウレタン接着剤、
・シリコーン、
・反応性溶融接着剤、特に
○ポリアミド、
○ポリエチレン、
○非晶質ポリアルファオレフィン、
○エチレン/ビニルアセテートのコポリマー、
○ポリエステルエラストマー、
○ポリウレタンエラストマー、
○コポリアミドエラストマー、
○ビニルピロリドン/ビニルアセテートのコポリマー、
○接着剤は好ましくは、シクロオレフィンコポリマー(COC)であり得る。
・物理的に硬化する接着剤、特に
○感圧型及び触圧型接着剤、
○溶融接着剤、
○最終状態で存在するポリマーの溶剤型、及び/又は分散液型接着剤、
○分散液型接着剤、
○水及び/又は溶剤で活性化可能な接着剤、
○プラスチゾル、
・化学硬化性接着剤、特に、
○重合接着剤、特に、
・アクリレート接着剤、特に、
・メチルメタクリレート接着剤、
・シアノアクリレート接着剤、
・不飽和ポリエステル、
○重縮合接着剤、特に、
・フェノール/ホルムアルデヒド樹脂接着剤、
・シリコーン、
・シラン結合性ポリマー接着剤、
・ポリイミド接着剤、
・ポリスルフィド接着剤、
○重付加接着剤、特に
・エポキシ樹脂接着剤、
・ポリウレタン接着剤、
・シリコーン、
・反応性溶融接着剤、特に
○ポリアミド、
○ポリエチレン、
○非晶質ポリアルファオレフィン、
○エチレン/ビニルアセテートのコポリマー、
○ポリエステルエラストマー、
○ポリウレタンエラストマー、
○コポリアミドエラストマー、
○ビニルピロリドン/ビニルアセテートのコポリマー、
○接着剤は好ましくは、シクロオレフィンコポリマー(COC)であり得る。
本発明による第二の実施態様において結合層は、多成分結合である。特に、脆性破壊特性に著しく影響を与える成分を使用する。このような成分は、以下のものであり得る:
・有機成分、特に有機分子、さらに好ましくは非粘着性層(英語:anti sticking layer、ASL)のための分子、及び/又は
・無機成分、特に無機分子、及び/又は
・金属、特に金属イオン、及び/又は
・金属合金、及び/又は
・セラミック。
・有機成分、特に有機分子、さらに好ましくは非粘着性層(英語:anti sticking layer、ASL)のための分子、及び/又は
・無機成分、特に無機分子、及び/又は
・金属、特に金属イオン、及び/又は
・金属合金、及び/又は
・セラミック。
本発明による多成分系では、量的、及び/又は質量的により多く存在する成分をマトリックスと呼ぶ。量的、及び/又は質量的に比較的少ない割合で存在する成分は、添加剤とも呼ぶ。添加剤は好適には、接着剤の結合面全体に沿って添加される。本発明によればまた、添加剤を限られた場所に添加すること、特に(好適には全周囲で)結合層の周囲輪郭に沿って、添加剤を添加することも考えられる。
本発明による実施態様のさらなる改善形では、結合層を多層系として形成し、ここで各層は一成分系であるか、又は多成分系である。よって各層は全て、特にそれぞれ隣接した層については、異なる化学的及び/又は物理的な特性を有することができる。あらゆる層が、接着特性を有する必要はない。
好ましい実施態様において、層のうち少なくとも1つは、接着作用無しで、又は接着作用が低く形成されており、これは特にもっぱら、層系、ひいては両方の基板の相互の脆化及び/又は分離に役立つ。
本発明による実施態様のさらなる改善形によれば、層のうち少なくとも1つ(特に多層系において)は、構造化されて形成されている。この構造化は特に、フォトリソグラフィー、及び/又はインプリントリソグラフィーのプロセスによって行う。この構造化により、異なる材料から成る複合材層の製造が可能になる。この複合材層は特に、巨視的には均一、及び/又は等方性の特性を有し、かつ/又は微視的には不均一、及び/又は異方性である。
特にフォトリソグラフィー、及び/又はインプリントリソグラフィーによって製造された構造体の寸法は、特に100μm未満、好適には50μm未満、さらに好適には1μm未満、最も好ましくは100nm未満、さらに好適には10nm未満である。
冷却剤、特に冷却流体
結合層を冷却するための冷却剤としては特に、冷却流体を使用し、この冷却流体は好適には、液体混合物、液体、気体混合物、気体、及び/又は気液混合物である。これは好適には、液体、又は気体である。
結合層を冷却するための冷却剤としては特に、冷却流体を使用し、この冷却流体は好適には、液体混合物、液体、気体混合物、気体、及び/又は気液混合物である。これは好適には、液体、又は気体である。
冷却剤、特に冷却流体は、結合層の熱、特に基板積層体の熱、場合によっては基板積層体に近い周囲の熱を吸収、及び移送するために役立つ。これによって、本発明による結合層の冷却につながる。
理論的には、物体は約0K(−273.15℃)の温度に冷却することができる。ただしこのような低温は、そのために特別に設備が整えられた実験室で、また高コストの装置によってしか達成できない。本発明によって達成可能な工業的な低温は特に、液体ヘリウム及び/又は好ましくは液体窒素の沸点付近にある。ヘリウムの沸点は約4.15K(−269.00℃)であり、窒素の沸点は約77K(−196.15℃)である。
本発明による第一の発展形において、冷却流体は、液体である。使用する冷却流体の沸点は、特に0℃未満、好適には−50℃未満、さらに好ましくは−100℃未満、最も好ましくは−150℃未満、極めて好ましくは−200℃未満である。冷却流体として使用するのが好ましい液化された気体のヘリウム及び/又は窒素は加えて、不活性であり、難燃性若しくは不燃性であり、反応性が低い。特に閉鎖されたクラスター系では、窒息死を防止するための保護装置を設置可能なことが好ましい。さらに、有利な実施態様によれば、酸素センサーの導入によって、相応する気体による酸素の排除を測定することができる。
本発明による第二の好ましい発展形では、冷却流体が気体である。この気体は、事前に冷却された、特に全く加圧されていない状態、又は僅かに加圧された状態で、冷却のために使用する。ここで気体の圧力は特に、5bar未満、好適には3bar未満、さらに好適には1bar以下である。
特に好ましい代替的な実施態様では、周囲からの純粋な空気を、コンプレッサにより20bar超、特に50bar超、さらに好適には100bar超、最も好ましくは150bar超、さらに好適には200bar超に圧縮する。空気を100bar未満、特に50bar未満、さらに好適には25bar未満、最も好ましくは10bar未満、さらに好ましくは5bar未満という圧力に等エンタルピー膨張させることにより、数℃の温度低下がもたらされ、これを本発明による結合層の冷却に利用する。特に、このような等エンタルピー膨張によって、5℃超、特に10℃超、さらに好ましくは25℃超、最も好ましくは35℃超、さらに好ましくは45℃超の温度低下が達成される。この温度低下によって特に、少なくとも部分的に、好適には主に、さらに好適には完全に、相応して選択された結合層(この結合層は、材料によって少なくとも1つの層において、相応する温度範囲で設計されている)の脆化という本発明による効果がもたらされる。
別の特に好ましい実施態様では、冷却流体を循環式の、よって複数回の冷却のために使用する。ここで本発明による結合層は、1回より多く、好ましくは5回より多く、さらに好ましくは10回より多く、最も好ましくは15回より多く、さらに好ましくは20回よりも多く冷却、加熱する。ここで結合層の温度は、臨界温度を上回る温度の値と、これを下回る温度の値との間で交換される。ここで結合層の加熱は、熱い流体、特に燃料ガス、及び/又は燃料液体によって行うことができる。
本発明による実施態様の発展形では、冷却流体、及び加熱流体を、2つの別個のチャンバで利用し、非常に迅速な温度交換をもたらすために、これらのチャンバの間で、基板積層体(ひいては結合層)を移動させることができる。
本発明によれば、熱の形でのエネルギー貯蔵を有利にするために、特に、比熱容量ができるだけ大きな冷却流体を選択する。比熱容量は好適には、0.0kJ/(kg・K)〜20kJ/(kg・K)、好適には0.5kJ/(kg・K)〜20kJ/(kg・K)、さらに好ましくは1.0kJ/(kg・K)〜20kJ/(kg・K)、最も好ましくは10kJ/(kg・K)〜20kJ/(kg・K)、さらに好ましくは15kJ/(kg・K)〜20kJ/(kg・K)である。
本発明によれば特に、冷却流体経路に沿った熱の迅速な輸送を保証するために、熱伝導率ができるだけ大きな冷却流体を選択する。熱伝導率は好適には、0.01W/(m・K)〜10W/(m・K)、好適には0.05W/(m・K)〜10W/(m・K)、さらに好ましくは0.1W/(m・K)〜10W/(m・K)、最も好ましくは0.5W/(m・K)〜10W/(m・K)である。
脆化メカニズム
本発明による思想は、外的な影響によって、特に臨界温度(脆化温度)未満に温度を低下させることによって脆化可能な結合層(特に接着剤)を使用することにある。本発明によれば脆化とは、本発明による結合層に、結合層によって接合された基板を、僅かな力を掛けることによって、又はそれどころか力を掛けずに、相互に分離可能にするという影響を与える、あらゆる化学的及び/又は物理的な過程であると理解されるべきである。よって「脆化」という用語はさらに、そのまま当業者が理解するように、把握される。基板積層体の基板を分離するために必要な力は、特に100kN未満、好適には10kN未満、さらに好適には1kN未満、最も好ましくは100N未満、さらに好適には10N未満である。
本発明による思想は、外的な影響によって、特に臨界温度(脆化温度)未満に温度を低下させることによって脆化可能な結合層(特に接着剤)を使用することにある。本発明によれば脆化とは、本発明による結合層に、結合層によって接合された基板を、僅かな力を掛けることによって、又はそれどころか力を掛けずに、相互に分離可能にするという影響を与える、あらゆる化学的及び/又は物理的な過程であると理解されるべきである。よって「脆化」という用語はさらに、そのまま当業者が理解するように、把握される。基板積層体の基板を分離するために必要な力は、特に100kN未満、好適には10kN未満、さらに好適には1kN未満、最も好ましくは100N未満、さらに好適には10N未満である。
本発明によれば脆化は特に、材料学的な、及び/又は物理的な意味での延性低下によって特徴付けられる。延性の低下、及び脆性の増加は、特にポリマー素材にとっては、一義的に、又は主に、架橋作用である。本発明によれば架橋とは特に、化学的な、特に共有結合による結合の(好適には三次元的な)形成であると理解される。この架橋は好ましくは、存在するポリマー鎖の間で起こり、架橋プロセスの終了時には、三次元的な網目構造、特にマクロ分子につながる。架橋度が高ければ高いほど、個別化されたポリマー鎖(これは結合層の材料の弾性変形及び/又は可塑性変形に関与し得る)が少なくなる。完全に架橋されたポリマー、特に熱硬化性樹脂の場合、弾性特性は、相互に架橋されたポリマー鎖間の結合力に基づく純粋な静電現象である。外的な引張応力におけるポリマー鎖のエントロピー弾性及び/又は伸張といった効果は、熱硬化性樹脂では、実質的に起こり得ない。よってこのような材料は、外的な機械的負荷、特に引張応力に対して非常に脆い反応、理想的な場合には理想的な脆い反応を示す。
代替的に、又は追加的に、脆化は、本発明によれば特に、結合層のポリマー鎖の不動態化によって特徴付けられ、特に低温での熱運動が僅かであることによって引き起こされる。非常に低い温度により、ポリマー鎖の伸びは、特に外的な引張応力による引張負荷によっては、もはや効果的に起こらない。それと言うのも、ポリマー鎖の熱運動、ひいては展開しようとする傾向も、より少なくなっているからである。ポリマー鎖の伸びの大部分は、外的な引張応力に起因すると考えてよく、このため温度低下による脆性への影響は、むしろ低いとみなされる。それどころか高温では、ポリマー鎖が熱の供給により発達するという逆の効果が生じる。この(エントロピー弾性という名称で知られた)効果は、高温で自身のエントロピーを最大化しようとするというポリマー鎖の傾向に基づく。この種の脆性は特に、エラストマー、及び熱可塑性プラスチックに見られる。
本発明によれば脆化は代替的に、又は追加的に、特に、ポリマーの結晶化による延性低下によって特徴付けられる。たいていのポリマーは、非晶質固体である。非晶質状態は、比較的長いポリマー鎖の結果であり、このポリマー鎖は、側鎖基により分岐可能な一方、自身の結合軸の結合ラインに対して様々な立体構造も受け入れ可能である。このおびただしい組み合わせ可能性によって、非常に複雑に成形され、相互に鎖状となったポリマー鎖が生じ、このポリマー鎖は、相互に並行になることは非常に困難であり、ひいては規則的に配向されることが困難である。ポリマー鎖が部分結晶性領域の一部になる可能性は、この複雑性により、すなわち、その分岐の数及び/又は長さによって、あり得る立体構造の数によって、及び立体構造が交換される可能性によって、明らかに低下する。分子は例えば、二重結合又は三重結合の周囲では回転できない。それと言うのも、重なっているπ軌道が回転を不可能にするからである。それでも、このようなポリマーは、少なくとも部分結晶化できる。結晶化は好適には、シードの添加によって起こる。シードとは、結晶媒体中、特に液体中、若しくは固体中で結晶化を開始させる物体、特に固体の物体であると理解される。本発明によればポリマーには、ポリマーの部分結晶化を引き起こすシードを添加することができる。重合は好適には、臨界温度未満で行い、これによって接着剤がまず、臨界温度未満で結晶化し、相応する脆性を有する。ただしまた、臨界温度超での結晶化も考えられる。
代替的に、又は追加的に、本発明によれば脆化は特に、熱応力の生成、及び臨界応力を上回った場合、これによって引き起こされる熱衝撃による熱亀裂によって特徴付けられる。熱衝撃とは、迅速に冷却された物体に対して、不均一な温度負荷がかかる物理作用であると理解される。物体における不均一な温度負荷は、物体の有限な熱伝導率によって生じ、熱流が物体から有限で迅速に無くなる(冷却時)こと、及び/又は物体中に侵入する(加熱時)ことをもたらす。熱伝導率の有限の値によって、迅速に冷却された物体の表面が、自身を取り囲む媒体の温度に、内部体積層よりも迅速に適合することになる。これに相応して、非常に強い温度勾配につながる。この温度勾配により、熱による伸張の著しい勾配につながる。勾配に沿った伸張の差違により、非常に大きな熱応力が生じる。熱応力が臨界応力、特に冷却された素材の破断応力を超えると、亀裂の形成につながる。
前述の種類の脆化は特に、亀裂形成による結合層の破壊に対して、作用を有する。外的な機械的負荷、特に引張応力及び/又は曲げ応力を掛けることにより、結合層中に亀裂が形成され、この亀裂は材料/素材の脆性が原因で、結合層中に、特に結合層と基板表面との間で、臨界を超えて拡大し、これによって、特に自動的に/自然に、脆化によって行われる2つの基板相互の分離につながる。亀裂が結合層を通過する場合、結合層の残部は、2つの基板の基板表面に残る。超臨界亀裂成長は特別な場合、結合層と2つの基板表面のうち1つとの間で、極めて特に例外的な場合、2つの基板表面で、特に亀裂面の交替によって行われ、接着剤残分は主に、2つの基板表面の一方で検出可能である。
本発明によれば脆化は特に、外的な影響により、特に温度低下により引き起こされる、結合層と、少なくとも1つの基板との間での剥離現象として特徴付けられる。
脆化は代替的に、又は追加的に、結合層の材料(又は結合層の1つの層の材料)の熱膨張係数と、基板の熱膨張係数が異なることに基づき、結合層と少なくとも1つの基板との間の剥離現象として、特徴付けられる。結合層の熱膨張係数が、2つの基板のうち少なくとも1つの熱膨張係数と異なる場合、結合層、及び基板はそれ自体で見て(これらが相互に分離される限り)、冷却時に異なる熱による伸びを獲得する。結合層と基板は、これらの表面で相互に結合されているため、熱膨張係数がより大きい層は、冷却時に伸びが妨げられる。伸びが妨げられることにより、内部引張応力の構築につながる。内部引張応力により、臨界値を超えた場合、結合層、特に結合層のうち1つの層が、基板から剥がれることにつながり得る。
本発明により、熱可塑性プラスチックを結合層のための材料として使用する限り、熱可塑性プラスチックの粘性は、生じる内部応力の低下が、内部応力の臨界差を超えた場合に破断によってのみ、特に結合層と基板表面との間の界面に沿って減少するほど大きい。こうして、本発明による分離(剥離)が起こる。
脆化は代替的に、又は追加的に、結合層と少なくとも1つの基板との剥離現象として特徴付けられ、この剥離現象は、結合層の体積変化によってもたらされるものである。特に体積変化によって、結合層の表面粗さの変化(好ましくは向上)が生じる。結合層は好適には液状で、2つの基板のうち少なくとも1つに施与する。相応する僅かな粘性によって接着剤は、特に非常に僅かな表面粗さを有し得る基板表面で最適に適合することができる。この粗さは、算術平均粗さ、二乗平方根高さ、又は十点平均粗さとして記載される。算術平均粗さ、二乗平方根高さ、及び十点平均粗さについて測定された値は、特に、同一の測定範囲及び/又は測定面に対して異なるものの、同じ尺度の範囲にある。従って、以下の粗さに関する数値範囲は、算術平均粗さ、二乗平方根高さ、又は十点平均粗さに対する値として理解されるべきである。本発明によれば粗さは特に、100μm未満、好適には10μm未満、さらに好ましくは1μm未満、最も好ましくは100nm未満、極めて好ましくは10nm未満である。
本発明によれば意外なことに、マクロ平面における体積減少が、多かれ少なかれ均一、かつ等方性で進行する一方で、ミクロ平面については、特に結合層の表面において、不均一性、及び/又は異方性が確認できることが判明した。この不均一性及び/又は異方性は本発明により、結合層がその体積を、様々な位置で様々に大きく変化させることに利用される。これによって、基板表面の表面粗さ、ひいては結合層による基板表面の濡れ性低下が生じる。濡れ性の低下に伴い、表面間の接合強度が低下し、これにより機械的な引き剥がしが有利になり、かつ/又は理想的には、基板積層体の自発的な分離につながる。この表面粗さは、算術平均粗さ、二乗平方根高さ、又は十点平均粗さとして記載される。算術平均粗さ、二乗平方根高さ、及び十点平均粗さについて測定された値は一般的に、同一の測定範囲及び/又は測定面に対して異なるものの、同じ尺度の範囲にある。従って、粗さに関する以下の数値範囲は、算術平均粗さ、二乗平方根高さ、又は十点平均粗さの値として理解されるべきである。本発明による実施態様によって生じる粗さは特に、1nm超、好適には10nm超、さらに好ましくは1μm超、さらに好ましくは10μm超、最も好ましくは100μm超である。
結合層は特に、温度低下によって脆化するのが望ましい。結合層の脆化は、本発明によれば代替的に、又は追加的に、以下の過程によってもたらされる:
・冷却
・添加剤除去、特に
○可塑剤の除去、好適には
□加熱及び/又は
□化学物質(溶剤)、及び/又は
□電流、及び/又は
□照射
による除去、
○溶剤の除去、好適には
□加熱、及び/又は
□照射、
による除去、
・硬化、特に照射、好適には紫外線照射による硬化。
・冷却
・添加剤除去、特に
○可塑剤の除去、好適には
□加熱及び/又は
□化学物質(溶剤)、及び/又は
□電流、及び/又は
□照射
による除去、
○溶剤の除去、好適には
□加熱、及び/又は
□照射、
による除去、
・硬化、特に照射、好適には紫外線照射による硬化。
脆化は、本発明によれば特に、結合層の可塑変形性低下によって特徴付けられる。理想的に脆性で破壊される素材(又は材料)は、素材と呼ばれ、この素材は適用した機械的負荷で破壊され、事前に可塑的に変形することはない。本発明により結合層のために使用される材料(特にプラスチック)の脆性破壊特性には、本発明によれば特に、添加剤により影響を与えることができる。
本発明による実施態様は特に、基板積層体の結合層の温度を効果的に、脆化に適した温度範囲に低下可能な装置に関する。脆化が温度低下によって起こる、結合層のための本発明による材料が好ましい。結合層は特に、臨界温度範囲(特に臨界温度)に達するか、又はこれを下回ると脆化する。臨界温度範囲と臨界温度との違いは、脆性破断がたいていは突然ではなく、一定のインターバルの中で起こることに基づく。しかしながら特にまた、突然の移行、及び/又は脆性・延性移行も起こることがあり、この場合には臨界温度で記載されている。
臨界温度範囲は本発明によれば、特に0℃〜−50℃、好適には−25℃〜−75℃、さらに好ましくは−50℃〜−100℃、最も好ましくは−75℃〜−125℃である。臨界温度は特に、0℃未満、好適には−50℃未満、さらに好適には−100℃未満、最も好ましくは−150℃未満である。臨界温度の値はまた、臨界温度範囲について開示された値としても通用するべきである。これらの用語は特に、それぞれ別の用語を包含するのが望ましい。
本発明により選択される材料の脆化は、可逆的、又は(本発明によれば好ましくは)不可逆的であり得る。脆化を繰り返しの冷却、及び積極的若しくは受動的な加熱によって生成可能、かつ/又は解消可能な場合、この脆化は、可逆的である。この場合、延性特性と脆性特性の間で可逆的に交換可能な結合層用材料を選択する。脆化をもはや解消することができない場合、脆化は不可逆的である。
本発明によれば、可逆的な脆化を行う場合、本発明による剥離(脱接合過程)は、臨界温度未満で行う。
本発明によれば不可逆的な脆化を行う場合、剥離(脱接合過程)は特に室温で、及び/又は空間的に分離された領域で、好適にはデボンダーで行う。
脆化機(本発明による装置の実施態様)
脆化機は、本発明による設備/装置の一実施態様であり、この脆化機は少なくとも、冷却要素、特に(好適には唯一の)冷却面を有する冷却プレート、及び少なくとも1つの供給部から成り、この供給部を介して冷却流体が冷却要素に、特に冷却面に運ばれる。冷却要素は、冷却流体とぶつかり、特に冷却流体によって貫流され、これによって冷却出力が、基板積層体へと、ひいては結合層へと伝播し、このことが結合層の冷却につながる。
脆化機は、本発明による設備/装置の一実施態様であり、この脆化機は少なくとも、冷却要素、特に(好適には唯一の)冷却面を有する冷却プレート、及び少なくとも1つの供給部から成り、この供給部を介して冷却流体が冷却要素に、特に冷却面に運ばれる。冷却要素は、冷却流体とぶつかり、特に冷却流体によって貫流され、これによって冷却出力が、基板積層体へと、ひいては結合層へと伝播し、このことが結合層の冷却につながる。
本発明によれば、熱の形でのエネルギー貯蔵を最小にするために、特に、比熱容量ができるだけ小さい冷却要素を選択する。冷却要素の比熱容量、特にその冷却面における比熱容量は、0.0kJ/(kg・K)〜20kJ/(kg・K)、好適には0.0kJ/(kg・K)〜15kJ/(kg・K)、さらに好ましくは0.0kJ/(kg・K)〜10kJ/(kg・K)、最も好ましくは0.0kJ/(kg・K)〜5kJ/(kg・K)、極めて好ましくは0.0kJ/(kg・K)〜1kJ/(kg・K)である。
本発明によれば特に、熱の迅速な輸送を保証するため、熱伝導率ができるたけ大きな冷却要素を選択する。熱伝導率は好適には、0.1W/(m・K)〜5000W/(m・K)、好適には1W/(m・K)〜2500W/(m・K)、さらに好ましくは10W/(m・K)〜1000W/(m・K)、最も好ましくは100W/(m・K)〜450W/(m・K)である。
冷却流体は、本発明の有利な実施態様によれば、少なくとも1つの供給部を介して、脆化機の冷却要素の中へと、又は脆化機の冷却要素のところに導入する。この実施態様は、熱輸送性を最適化するために、冷却流体を少なくとも1つの(特に供給部の数に相当する)循環内で冷却要素に通すことによって、さらに発展させることができる。冷却流体は好適には、供給部とは異なる第二の排出部を介して、再度脆化機から出る。特に、様々な冷却流体の混合物との組み合わせで、複数の供給部及び/又は排出部を用いることも考えられる。このような流体の分離は、本発明による実施態様における混合後には不可能であるため、好適には複数の供給部、また一つの排出部のみを、冷却要素に接続させる。
本発明によるさらなる実施態様では、冷却流体を冷却要素にのみ通すのではなく、特に基板積層体に接触する、冷却要素の下側にある開口部を通じて出し、こうして冷却流体が直接、基板積層体の2つの基板のうち1つの表面に導かれる。これによって、冷却流体が基板積層体の基板と直接接触し、このことが基板のより良好な冷却、ひいては接着剤の冷却につながる。この本発明による実施態様は特に、液化ガス、例えばヘリウム若しくは窒素に適しており、これらの液化ガスは、基板と直接接触する際に基板から非常に迅速に熱を奪い、この際に好適には気相に移行する。生成した気体はその後、冷却すべき基板積層体から遠くに拡散させることができる。
本発明によるさらなる実施態様では、冷却流体を循環で冷却要素に通さず、出口開口部を通じてのみ、冷却要素から出す。加熱された冷却流体は特に、冷却要素と基板との間の隙間に抜けていく。出口開口部は特に弁として、圧縮ガスを使うのが好ましい場合にはスロットル弁として作用する。
本発明のさらなる実施態様では、冷却要素は少なくとも部分的に、好適には少なくとも基板に面した冷却面において、多孔質である。冷却流体を収容及び/又は分配するための冷却要素のチャンバ及び/又は流路は、独立した容器及び/又は導管系の一部であり、これらは特に、非多孔質の稠密材料から作製されている。この容器は特に、少なくとも部分的に、好適には出口開口部で、多孔質物体によって取り囲まれる。型に入れた粉末によって容器を埋め込み、これを焼結プロセスで焼結させることも考えられる。これによって、特に完全な、多孔質材料による容器の取り囲みが、特に容易になる。好適には、容器及び多孔質物体の素材特性(特に比熱容量及び/又は熱伝導率)が、ほぼ同じである。上記素材特性の差違は、好ましくは20%未満、好適には10%未満、さらに好ましくは5%未満、最も好ましくは1%未満、さらに好適には0.1%未満である。容器及び/又は多孔質物体の比熱容量は、熱の形でのエネルギー貯蔵を防止するため、又は困難にするために、できるだけ僅かにする。比熱容量は好適には、0.1kJ/(kg・K)〜20kJ/(kg・K)、好適には0.1kJ/(kg・K)〜15kJ/(kg・K)、さらに好ましくは0.1kJ/(kg・K)〜10kJ/(kg・K)、最も好ましくは0.1kJ/(kg・K)〜5kJ/(kg・K)、極めて好ましくは0.1kJ/(kg・K)〜1kJ/(kg・K)である。容器及び/又は多孔質物体の熱伝導率は、熱の迅速な輸送を保証するために、できるだけ大きくする。熱伝導率は好適には、0.1W/(m・K)〜5000W/(m・K)、好適には1W/(m・K)〜2500W/(m・K)、さらに好ましくは10W/(m・K)〜1000W/(m・K)、最も好ましくは100W/(m・K)〜450W/(m・K)である。
冷却要素からの出口孔は、本発明の有利な実施態様によれば、好ましくは規則的に配置されている。これらの出口孔はまた、少なくとも部分的に不規則に分布していてもよい。
さらなる、特に独自の、本発明による態様によれば、試料ホルダが意図されており、この試料ホルダは、温度低下によって活性化可能な固定手段を有する基板積層体を収容、及び固定するために、備えられているものである。特に、試料ホルダの保持面に吹き付けるため、凍結可能な液体、好適には水を使用する。前述の、又は別個の冷却過程の間に液体、特に水が凍結し、基板積層体が試料ホルダに固定される。これによって、クランプ、真空パス、静電的要素、及び/又は磁性的要素が無くとも、基板積層体が試料ホルダへと簡単に固定される。本発明による固定によって、特に、試料ホルダと基板積層体との間の保持力を高めることができる。よってこの本発明による実施態様はまた、別の上記固定装置と組み合わせて使用することもでき、好ましくは全面的及び/又は部分的な脆化に適している。
有利な実施態様によれば、液体、特に水を簡単に基板積層体にもたらすため、基板積層体を特に有孔シートに固定する。水はシート上で凍結し、また穿孔が存在する基板の各箇所で凍結する。
全面用脆化機
本発明による第一の実施態様では、脆化を同時に全面的に行う。同時の全面的な脆化は、冷却すべき基板積層体の面積と、ひいては冷却すべき接着剤の面積と少なくとも同じ大きさの冷却面積を有する装置によって、少なくとも片面で基板積層体を冷却することにより行う。
本発明による第一の実施態様では、脆化を同時に全面的に行う。同時の全面的な脆化は、冷却すべき基板積層体の面積と、ひいては冷却すべき接着剤の面積と少なくとも同じ大きさの冷却面積を有する装置によって、少なくとも片面で基板積層体を冷却することにより行う。
極めて特別な実施態様では、脆化を同時に全面的に両側で行う。これによって、基板積層体の両側が冷却される。ここで基板積層体は、特に対称的に冷却する。
冷却面積は好適には、冷却要素の面積にほぼ相当する。効果的な冷却面積は好ましくは、特に供給部及び冷却チャンバが冷却要素の内部を通っている場合、僅かに小さい。全面的な脆化機は特に、並流原理で、又は向流原理で稼働させることができ、ここでは、効果的な冷却が可能になるため、向流原理が好ましい。
部分用脆化機
本発明による第二の実施態様では脆化を、少なくとも1つの冷却要素(この冷却要素の面積は、冷却すべき基板積層体の面積よりも小さい)によって行う。冷却要素の面積は特に、基板積層体の面積の0.9倍未満、好適には0.8倍未満、さらに好適には0.6倍未満、最も好ましくは0.4倍未満、さらに好適には0.2倍未満である。冷却要素は、結合層全体の冷却と脆化を保証するため、基板積層体に対して相対的に動かす。冷却要素が、静止している基板積層体に対して相対的に動くか、基板積層体が、静止している冷却要素に対して相対的に動くか、又は基板積層体と冷却要素が動くことによって、相対的な移動が行われる。
本発明による第二の実施態様では脆化を、少なくとも1つの冷却要素(この冷却要素の面積は、冷却すべき基板積層体の面積よりも小さい)によって行う。冷却要素の面積は特に、基板積層体の面積の0.9倍未満、好適には0.8倍未満、さらに好適には0.6倍未満、最も好ましくは0.4倍未満、さらに好適には0.2倍未満である。冷却要素は、結合層全体の冷却と脆化を保証するため、基板積層体に対して相対的に動かす。冷却要素が、静止している基板積層体に対して相対的に動くか、基板積層体が、静止している冷却要素に対して相対的に動くか、又は基板積層体と冷却要素が動くことによって、相対的な移動が行われる。
本発明による好ましい実施態様では、冷却要素が静止している一方、基板積層体が動く。本発明によるこの実施態様により、複数の問題が解決できる。第一に、冷却流体供給のための導管を事後的に適用可能に構築及び実施することが、必要ではない。これによって、導管をよりコンパクトに構築することができる。と言うのも、事後的に適用可能な導管は特に、伸縮性のあるように、及び/又は曲げるように設置されているからである(本発明の別の実施態様)。供給した冷却流体の低温に基づき、導管材料は本発明によれば、できるだけ僅かな脆性破壊傾向を有し、これによって相応して耐性があるように選択する。
周辺部用脆化機
本発明による第三の実施態様では、脆化を特に、基板積層体の全周囲的な周辺領域(つまり側方の、環状外部輪郭に沿って)で行う。
本発明による第三の実施態様では、脆化を特に、基板積層体の全周囲的な周辺領域(つまり側方の、環状外部輪郭に沿って)で行う。
好適には国際公開第2012/139627号(WO2012/139627A1)の文献に記載のクランプリングを、クランプリングの冷却が可能になるようにさらに発展させる。これによってクランプが冷却要素になり、ここで冷却は、本発明によれば基板積層体の周辺部に限定される。国際公開第2012/139627号(WO2012/139627A1)の発明による思想は特に、できるだけ可撓性で、曲げられるクランプリングを構築することであった。この特性を失わないために、冷却流体がクランプリングを通じて流れずに、クランプリングが外部から冷却されるように、本発明によるクランプリングを構築することができる。これによってクランプリングは、構造技術的に新たに設ける必要はなく、特にその可撓性と曲げ性を保つ。その欠点としては、クランプリングの効率的な冷却が、冷却流体を貫流されるクランプリング(好ましい実施態様)に比して、少なくなることだろう。
本発明によればまたクランプリングは、既に脆化した基板積層体を分離するために、冷却無しで使用することができる。ここで特に、既に脆化した基板積層体に、周辺で、特に点状に力、特に引張力をかけるため、クランプリングの機械的特性、特に柔軟な曲げ性を利用する。特に点状の負荷によって、特に局所的に集中した力、ひいては高い引張応力が生じ、これは特に、脆性破壊する材料の場合、臨界を超える亀裂形成によって欠陥につながる。
脱接合試料ホルダとしての脆化機
本発明による上記全ての実施態様は好適には、冷却ユニット、特に冷却要素がまた、試料ホルダ、特に脱接合試料ホルダ、又はクランプリングとして形成されているように、構成されていてよい。
本発明による上記全ての実施態様は好適には、冷却ユニット、特に冷却要素がまた、試料ホルダ、特に脱接合試料ホルダ、又はクランプリングとして形成されているように、構成されていてよい。
基板の固定、特に基板積層体の一部としての基板の固定は、固定要素によって行う。この固定要素は、
・機械的なクランプ、及び/又は真空パス、及び/又は
・静電的な固定、及び/又は
・接着性の、特に切り替え可能な表面、及び/又は
・磁性的な固定、及び/又は
・電気的な固定、及び/又は
・特別に成形された、好適には静止している構造要素、例えば特に国際公開第2012/139627号(WO2012/139627A1)の文献に記載されたクランプリングの周囲ショルダー及び内部エッジ
である。
・機械的なクランプ、及び/又は真空パス、及び/又は
・静電的な固定、及び/又は
・接着性の、特に切り替え可能な表面、及び/又は
・磁性的な固定、及び/又は
・電気的な固定、及び/又は
・特別に成形された、好適には静止している構造要素、例えば特に国際公開第2012/139627号(WO2012/139627A1)の文献に記載されたクランプリングの周囲ショルダー及び内部エッジ
である。
強い耐熱性のため、好適には機械的なクランプ、及び/又は真空パスを使用する。
本発明の有利な実施態様によれば、冷却要素は出口開口部を備え、同時に基板積層体を固定するための手段と、出口開口部を通じて出る冷却流体の吸引するための手段とを有する。
真空により全面的に固定するためには、全面用多孔質脆化機の本発明による実施態様が特に好ましく適している。それと言うのも、冷却流体の吸引は、多孔質冷却要素を介して直接行うことができるからである。こうして、蒸発プロセスにより発生する気体が直ちに吸引される一方で、負圧、特に真空が発生する。本発明により生じる負圧は、特に全面的な基板の固定にとって、非常に充分である。
特別な実施態様では、脆化の間、及び/又は脆化後に結合層に超音波を当てることにより、脱接合過程の改善を達成することができる。本発明により脆化した結合層、特に接着剤は、交番応力に対して特に敏感に反応する。超音波の周波数は特に、1Hzよりも大きく、好適には100Hzよりも大きく、さらに好適には1kHzよりも大きく、最も好適には1MHzよりも大きく、極めて好ましくは1GHzよりも大きい。超音波は、基板積層体の面積よりも小さいか、それと同じか、又はそれよりも大きい面積に対して作用することができる。特に超音波は、好適には超音波発生器を冷却流体内に配置することによって、冷却流体浴に接続することができる。
極めて特に好ましい実施態様では、脆化した接着剤に対する超音波の作用は既に、2つの基板の分離作用をもたらすために、充分である。
脆化浴
本発明によるさらなる実施態様では、基板積層体の脆化、ひいては接着剤の脆化は、脆化浴内で行う。脆化浴とは、少なくとも収容容器、特に槽、及びその中に存在する冷却流体から成る本発明による実施態様と理解される。冷却流体とは好適には液体窒素、又は液体ヘリウムである。冷却流体が、熱の迅速な吸収により事前に蒸発してしまうことを防止するため、収容容器は好適には、デュワー瓶である。
本発明によるさらなる実施態様では、基板積層体の脆化、ひいては接着剤の脆化は、脆化浴内で行う。脆化浴とは、少なくとも収容容器、特に槽、及びその中に存在する冷却流体から成る本発明による実施態様と理解される。冷却流体とは好適には液体窒素、又は液体ヘリウムである。冷却流体が、熱の迅速な吸収により事前に蒸発してしまうことを防止するため、収容容器は好適には、デュワー瓶である。
本発明によるさらなる実施態様では、試料ホルダ、特に台座が、基板積層体を収容するために、収容容器内部に存在する。試料ホルダの載置面が、好適には収容容器の壁面の最高点のすぐ下に存在する。特別な実施態様では負荷装置が、負荷過程、及び/又は脱負荷過程を行うために、試料ホルダの内部に存在する。また、試料ホルダ自体が、特に可動式の負荷装置であることも考えられる。試料ホルダはその後、基板積層体を負荷過程の間に受け取るため、及び/又は本発明によるプロセス後に再度、脱負荷するための準備をするために、収容容器から動かすことができる。
極めて特に好ましい実施態様において保持装置は、収容容器の外部に備えられており、この収容容器は基板積層体及び/又はフレームを、シート及び基板積層体によって固定するものである。ここで本発明によれば、基板積層体の低下は、冷却水準まで行う。コントロールされた制御により、基板積層体の完全な浸漬を省略することができる。
本発明による装置、及び本発明による方法、並びに本発明による使用には、記載した特徴が、同じように通用する。
本発明のさらなる利点、特徴、及び詳細については、好ましい実施例の説明から、また図面から明らかになる。
図面中、同じ部材、又は同じ機能を有する部材には、同じ符号を付してある。
図1a、1b、1c、1d及び1eは、基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVを示し、これらはそれぞれ、製品基板として形成された第一の基板2、2′、接着剤として形成された結合層3、3′、3′′、3′′′、及び担体基板として形成された第二の基板4から成る。結合層3、3′、3′′、3′′′は、第一の基板2、2′を、第二の基板4と結合させる。基板2、2′、4は、直径Dを有する。
結合層3は、図1aに記載の第一の実施態様の場合、一成分系、又は多成分系として形成された唯一の層から成る。
図1bに記載の第二の実施態様の場合、基板積層体1′は、特に裏面薄化された製品基板2′を有し、これは裏面薄化されていない側の表面2o′を介して、結合層3により、担体基板4に固定されたものである。裏面薄化された側2r′は、シート5に、特に分離シート(英語:dicing tape)に固定されている。シート5は、担持フレーム6(英語:frame)に張ってある。
図1cに記載の基板積層体1′′は、製品基板2を有し、これは特に、複数の層14から成る結合層3′によって、担持基板4と固定されている。層14はそれぞれ、唯一の成分、又は複数の成分から成っていてよい。特に、層14の全てが、接着層である必要はない。
図1dに記載の実施態様の場合、基板積層体1′′′が、ZoneBOND(登録商標)系として形成された結合層3′′を備えている。結合層3′′は、接着層14′′を有し、これは接触面全体にわたって、2つの基板2、4の間に広がるものである。接着性が低減された層14′′は、結合層3′′の表面を覆い、これによって結合力が少なくとも大部分で、好適には実質的に接着性が低減された層14′′を取り囲む外側の環状部分でのみ、作用する。
図1eに記載の実施態様の場合、基板積層体1IVが、製品基板2を有し、これは結合層3′′′を介して、担体基板4と固定されている。結合層3′′′は、構造化された1つの層14′′′から形成されている。本発明による実施態様では、層14′′′を構造化することが意図されている。構造化によってキャビティ20が形成され、この中に充填材料22を収容することができる。この構造化は公知のプロセスによって、特にインプリントリソグラフィー、又はフォトリソグラフィーにより行う。本発明による実施態様によって、パターン化された接着表面3o′′′が得られ、これは本発明による脆化過程のいずれかにより、接着表面3o′′′と、担体基板表面4oと、の間の接着力低下をもたらすものである。特に、キャビティ20内に堆積された充填材料22は、温度低下によってその体積が、接着剤3、3′、3′′、3′′′と担体基板4との間で効果的な接着面が小さくなるように減少する。構造化された層14′′′は、代替的な実施態様によれば、多層系の一部であってもよく、このため別に挙げた層14で覆うことができる。
図1fに記載の実施態様の場合、基板積層体1Vは、三次元形状(特にハンダボール、英語:bumps)を有する製品基板2を有する。製品基板は、結合層3IVを介して、担体基板4と固定されている。結合層3IVは、接着層14、及び分離層14IVから成る。接着層14は特に、製品基板2の三次元形状23を埋め込むために役立つ。
図2aは、向流原理で稼働させる冷却ユニット7の簡略化した第一の実施態様の概略的な、縮尺通りではない断面図を示す。ここで本発明による冷却ユニット7は、冷却面9kを有する少なくとも1つの、好適にはちょうど2つの冷却要素9から成る。冷却要素9は、流路10及び/又はチャンバ11を有し、これらには特に事後的に適用可能な、供給部及び排出部として形成された導管8、8′によって、冷却流体18、特に冷却液体、さらに好適には冷却気体が供給される。冷却面9kで吸収される熱の効率的な輸送を保証するため、本発明による実施態様は好ましくは、向流で稼働させる。ここで冷却要素9の流路10及び/又はチャンバ11を通って流れる冷却流体は、逆平行の、及び/又は鏡映対称の流れベクトルを有する。
基板2及び/又は4は、固定要素21、特に真空パスによって、好適には試料ホルダとして形成された冷却ユニット7、7′、7′′に固定できる。この固定は、脆化の前、及び/又は脆化の間、及び/又は脆化の後に、基板2、4を脱接合するために行われる。
図2bに記載の実施態様の場合、冷却ユニット7は、並流原理で稼働する。ここで冷却要素9の流路10及び/又はチャンバ11を流れる2つの冷却流体18は、平行、及び/又は同じ方向の流れベクトルを有する。
図3は、冷却ユニット7′を示し、これは冷却要素9′、供給部及び排出部として形成された2つの導管8、8′(流入部及び/又は流出部として用いられる)、並びに冷却面9K′に沿って分配された複数の出口開口部12(これにより、基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVと向かい合う冷却要素表面9o′を介して冷却流体18を出すことが可能になる)から成る。
冷却要素9′は、流路10及び/又はチャンバ11へと流れる、特に循環式の冷却流体18によって冷却される。同時に冷却流体18の一部は、開口部12から出て、基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVのさらなるより激しい冷却につながる。こうして出てくる、特に基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVによって加熱され、気相に移行した冷却流体18は、冷却要素表面9o′に沿って排出される。
冷却過程を監視するため、本発明のさらなる発展形によれば、冷却要素、及び冷却流体18によって吸収される熱量の測定を、温度比較測定によって行う。
図4は、冷却ユニット7′′を示し、これは冷却要素9′′、供給部として形成された導管8、並びに複数の排出開口部12(これにより、冷却要素表面9o′′を介して冷却流体18を出すことが可能になる)から成る。
冷却要素9′′は、流路10及び/又はチャンバ11へと流れる冷却流体18によって冷却される。同時に冷却流体18の一部は、排出開口部12から出て、基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVのさらなるより激しい冷却につながる。こうして出てくる、特に基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVによって加熱され、気相に移行した冷却流体18は、冷却要素表面9o′′に沿って排出される。
(記載したプロセス、及び部材、及び稼働手段の制御に相応しい、図示されていない制御装置を用いた)冷却流体圧力の制御によって、特に、排出開口部12における冷却流体18の排出速度と排出圧力を、制御することができる。
冷却要素9′′は好ましくは、複数の排出開口部12から成るスロットル弁として形成されている。本発明によれば、事前に適切に圧縮した冷却流体18によって、(冷却流体18が正しい温度範囲に存在し、正のジュール・トムソン係数を有する限り)冷却流体18の好ましい等エンタルピー膨張、ひいては気体のさらなる冷却を行うことができる。ここで排出開口部12はスロットル弁として、冷却要素9′′は絶縁部として役立つ。
極めて特に好ましい実施態様では、冷却流体18として周囲からの純粋な空気を、コンプレッサにより20bar超、特に50bar超、さらに好適には100bar超、最も好ましくは150bar超、さらに好ましくは200bar超に圧縮する。空気の等エンタルピー膨張を100bar未満、特に50bar未満、さらに好適には25bar未満、最も好ましくは10bar未満、さらに好ましくは5bar未満という圧力にすることにより、数セルシウス度の温度低下が既に可能になる。特に、このような等エンタルピー膨張によって、5℃超、特に10℃超、さらに好ましくは25℃超、最も好ましくは35℃超、さらに好ましくは45℃超の温度低下が達成される。この温度低下は、結合層の材料が、相応する温度範囲に設定されている限り、既に本発明による脆化効果をもたらすことができる。
図5は、多孔質物体として形成された固定要素21′から成る冷却ユニット7′′′を示し、この固定要素21′は基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IV、1Vを負圧により固定するため、また排出開口部から出る冷却流体18を吸引するために役立つ。さらに冷却ユニット7′′′は、特に固定要素21′内に埋め込まれた、特に非多孔質の、及び/又は別種の材料から成る容器13(供給部8を備えるもの)、並びに複数の排出開口部12′を有する。
排出開口部12′は、容器13の出口である。本発明による態様は、供給部8を介して冷却流体18を容器13に供給すること、及び冷却流体18を排出開口部から出すことにある。引き続き、(特に気体状の凝集状態に移行した)冷却流体18の吸引を、多孔質冷却要素9′′′を介して行う。冷却は、この好ましい実施態様では主に、排出開口部12′から直接基板積層体に導かれた冷却流体18によって行われる。
よって本発明によるこの実施態様は特に、冷却試料ホルダとして適しており、これは真空の適用により冷却要素9′′′の多孔性と同時に、脱接合のための固定可能性を利用するものである。
多孔質物体21′は、本発明のさらなる構成によれば、構造技術的な手法により横方向に、真空気密に形成する。特に多孔質物体21′は、多孔質物体を取り囲む部材(図示せず)に使用され、これによって冷却要素9′′′の側方で、真空漏れは生じない。
図6は、冷却要素9IVから成る冷却ユニット7IVを示し、この冷却ユニット7IVの直径D′、又はこの冷却ユニット7IVの冷却面9k′′の直径d′は、基板2、2′、4のうち少なくとも1つの直径Dよりも小さい。本発明によるこの手法によって、冷却要素9IVがもたらされ、これによって基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVに対する相対的な運動により、結合層3、3′、3′′、3′′′の連続的な脆化を行うことができる。このような実施態様は、基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVにとって有利であり、これらの結合層3、3′、3′′、3′′′、は、基板2、4の間での接触面の一部、特に外部周辺でのみ接合されている一方で、その他の区画は接合されていないか、又は僅かな接着力でのみ接合されている。
このような冷却ユニット7IVは有利には、図1dに記載のZoneBOND(登録商標)基板積層体を脆化させるために使用することができ、基板積層体1′′′の中央領域に過剰な熱的負荷がかかることはない。
図7は、環状の冷却要素9Vを有する冷却ユニット7Vを示す。環状の冷却要素9Vは、国際公開第2012/139627号(WO2012/139627A1)の文献における発明の実施態様の改善形である。冷却要素9Vの環状実施態様によって特に、全周囲的な、また基板積層体1′′′の外部周辺に限定された冷却、並びに好適には担体基板4の同時引き剥がし(剥離)が、本発明による脆化後に可能になる。
冷却要素9Vは、供給部として形成された少なくとも1つの導管8、及び特に向かい合って配置され、排出部として形成された少なくとも1つの導管8′を有する。環状の流路10′によって、冷却流体18が、供給部から少なくとも1つのチャンバ11′に入り、冷却面9k′′′に導かれる。
図8は、収容容器15を有する冷却ユニット7VIを示し、この収容容器15の中で冷却流体18が貯蔵される。収容容器15内部には、試料ホルダ16が存在し、冷却流体18中に完全に浸漬するため、試料ホルダ16に基板積層体1を置くことができる。試料ホルダ16は好適には、このために負荷ユニット17を有し、これによって基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVに負荷をかける、及び負荷を無くすことができる。
負荷ユニット17は、試料ホルダ16に対して、封止部(図示せず)により密閉されている。
試料ホルダ16自体は代替的に、可動式の負荷ユニットとして形成されていてよい。
この本発明による実施態様によって、基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVに負荷をかける、及び負荷を無くすことが、ロボットにより自動的にできる。この制御は、制御装置によって行う。
図9は、冷却ユニット7VIIを示し、これは収容容器15と試料ホルダ16の他に、特に収容容器15の外部に配置されたフレームホルダ19を有する。シート5に固定された基板積層体1′を冷却流体18中に浸漬し、その一方でフレーム6は、特に別個に可動で制御可能なフレームホルダ19によって固定される。
フレームホルダ19は、収容容器15の内部、又は外部に存在していてよい。フレームホルダ19を収容ホルダ15に収容することにより、基板積層体1′を冷却流体18内へと完全に収容することが可能になるだろう。
図10は、本発明による第一の脱接合プロセスを示し(剥離方法)、ここでは冷却ユニット7、7′、7′′、7′′′、7IVが、向流原理で基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVを冷却するため使用され、同時にデボンダー試料ホルダとして役立つ。2つの基板2及び4は、それぞれの冷却要素9(これは同時にデボンダー試料ホルダでもある)により、剪断応力τによって相互に分離される。
結合層3、3′、3′′、3′′′の脆化は、脱接合の直前(好ましい)、及び/又は脱接合の間に行う。基板2及び4は、少なくとも剥離/脱接合の際、固定要素21、特に真空パスによって固定される。
図11は、本発明による第二の脱接合プロセスを示し、ここでは冷却ユニット7が、向流原理で基板積層体1、1′、1′′、1′′′、1IVを冷却するために用いられ、同時にデボンダー試料ホルダとして役立つ。2つの基板2及び4は、それぞれの冷却要素9(これは同時にデボンダー試料ホルダでもある)により、引張応力Fによって相互に分離される。接着剤3、3′、3′′、3′′′の脆化は、脱接合の直前(好ましい)、及び/又は脱接合の間に行う。基板2及び4は、固定要素21、特に真空パスによって固定される。
本発明による実施態様によってまず、基板積層体1(その基板2及び4は、接着剤3、3′、3′′、3′′′によって面全体が相互に接合されている)を、法線応力によって基板2、4の接触面全体で同時に、特に基板2、4を変形させることなく、相互に分離することが可能になるだろう。
図12は、本発明による第三の脱接合プロセスを示し、ここでは冷却ユニット7Vが、基板積層体1′′′の周辺部を冷却するために用いられ、同時に担体基板のためのクランプとして役立つ。2つの基板2及び4は、周辺部に、特に全周囲的に適用された引張応力Fによって相互に分離され、これにより担体基板4の曲げにつながる。接着剤3、3′、3′′、3′′′の脆化は、脱接合の直前、及び/又は脱接合の間に行う。製品基板は、シート5によって下部の試料ホルダ16に固定され、これは好適には、固定要素21に用いられる。
1、1′、1′′、1′′′、1IV、1V 基板積層体、 2、2′ 製品基板、 2o′ 製品基板表面、 2r′ 裏面薄化された製品基板表面、 3、3′、3′′、3′′′、3IV 結合層、特に接着剤、 3o′′′ 接着剤表面、 4担体基板、 4o 担体基板表面、 5 シート、 6 フレーム、 7、7′、7′′、7′′′、7IV、7V、7VI 冷却ユニット、 8、8′ 導管、 9、9′、9′′、9′′′、9IV、9V 冷却要素、特に冷却プレート、 9o′ 9o′′、冷却要素表面、 9、9k′、9k′′、9k′′′ 冷却面、 10 流路、 11 チャンバ、 12、12′ 開口部、 13 容器、 14、14′、14′′、14′′′、14IV 層、 15 収容容器、 16 試料ホルダ、 17 負荷ユニット、 18 冷却流体、 19 フレームホルダ、 20 キャビティ、 21、21′ 固定要素、特に真空パス、 22 充填材料、 23 三次元形状、 D、D′ 直径、 d、d′ 効果的な冷却面の直径、 F 法線応力、 τ 剪断力。
Claims (13)
- 結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)により第二の基板(4)に結合された第一の基板(2)を、結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)の脆化によって、前記第二の基板(4)から剥離するための方法。
- 室温未満の温度への冷却、特に10℃未満、好適には1℃未満、さらに好ましくは0℃未満、さらに好ましくは−100℃未満、さらに好ましくは−150℃未満の温度への冷却によって脆化を行う、
請求項1に記載の方法。 - 結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)が、以下の材料のいずれか、
・シリコーン、
・プラスチック、特に
○熱可塑性プラスチック、
○熱硬化性プラスチック、
○エラストマー、又は
・ワックス
から選択される、
請求項1又は2に記載の方法。 - 結合層(3、3′、3′′、3′′′)が、以下の材料のうち1つ又は複数、
・有機成分、特に有機分子、及び/又は
・無機成分、特に無機分子、及び/又は
・金属、特に金属イオン、及び/又は
・金属合金、及び/又は
・セラミック
から選択される、
請求項1又は2に記載の方法。 - 脆化のために、結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)を冷却する冷却流体(18)を使用する、
請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。 - 脆化のため、特に冷却のために、特に冷却流体(18)を貫流させる、冷却面(9k、9k′、9k′′、9k′′′)を有する冷却要素(9、9′、9′′、9′′′、9IV、9V)を使用し、ここで冷却面は特に、0.1W/(m・K)〜5000W/(m・K)、好適には1W/(m・K)〜2500W/(m・K)、さらに好ましくは10W/(m・K)〜1000W/(m・K)、最も好ましくは100W/(m・K)〜450W/(m・K)の熱伝導率を有する、
請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。 - 剥離に際して、特に冷却要素(9、9′、9′′、9′′′、9IV、9V)を有する第一の試料ホルダを、第一の基板を保持するために、及び/又は特に冷却要素(9、9′、9′′、9′′′、9IV、9V)を有する第二の試料ホルダを、第二の基板を保持するために使用する、
請求項1から6までのいずれか1項に記載の方法。 - 結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)に、冷却及び/又は脆化の間、及び/又は冷却及び/又は脆化の後、超音波をかける、
請求項1から7までのいずれか1項に記載の方法。 - 結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)によって第二の基板(4)に結合された第一の基板(2)を、前記第二の基板(4)から分離するための装置であって、以下の特徴、
・第一の基板(2)を保持するための第一の試料ホルダ、
・第二の基板(4)を保持するための第二の試料ホルダ、
・第一の基板(2)を、第二の基板(4)から剥離するための剥離手段
を有する装置において、
前記装置が、結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)を脆化させるための手段を有する、
装置。 - 第一の基板(2)を、特に冷却により脆化可能な結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)によって第二の基板(4)に接合するための方法。
- 第一の基板(2)、第二の基板(4)、及びその間に配置された結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)から形成された基板積層体(1、1′、1′′、1′′′、1IV、1V)を形成するために、第一の基板(2)と第二の基板(4)との間に、結合層(3、3′、3′′、3′′′)を製造するための、脆化可能な材料の使用。
- 第一の基板(2)、第二の基板(4)、及びその間に配置された結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)から形成された基板積層体であって、結合層(3、3′、3′′、3′′′、3IV)が、脆化可能な材料から形成されている、
基板積層体。 - 温度低下により活性化可能な固定手段によって第一の基板(2)を第二の基板(4)から剥離する際、第一の基板(2)を保持するための、試料ホルダ。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2014/063687 WO2015197132A1 (de) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | Probenhalter, vorrichtung und verfahren zum lösen eines ersten substrats |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017528903A true JP2017528903A (ja) | 2017-09-28 |
Family
ID=51178882
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016573611A Pending JP2017528903A (ja) | 2014-06-27 | 2014-06-27 | 第一の基板を剥離するための、試料ホルダ、装置及び方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10276409B2 (ja) |
EP (1) | EP3161862B1 (ja) |
JP (1) | JP2017528903A (ja) |
KR (1) | KR102112905B1 (ja) |
CN (1) | CN106716615B (ja) |
SG (1) | SG11201610457YA (ja) |
TW (1) | TWI656569B (ja) |
WO (1) | WO2015197132A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10395954B2 (en) | 2014-11-05 | 2019-08-27 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for coating a product substrate |
KR102570345B1 (ko) * | 2017-07-17 | 2023-08-28 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 패널 합착용 인덱스 유닛 및 이를 포함하는 패널 합착 장치 |
US10090177B1 (en) * | 2017-08-25 | 2018-10-02 | Micron Technology, Inc. | Cold fluid semiconductor device release during pick and place operations, and associated systems and methods |
US10497667B2 (en) * | 2017-09-26 | 2019-12-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for bond wave propagation control |
FR3092267B1 (fr) * | 2019-02-04 | 2021-04-09 | Safran Aircraft Engines | Procédé de désolidarisation d'une première pièce mécanique d'une deuxième pièce mécanique |
KR20210141155A (ko) * | 2020-05-15 | 2021-11-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 디본딩 장치 |
CN113291042B (zh) * | 2021-07-06 | 2023-02-03 | 业成科技(成都)有限公司 | 一种分离设备 |
CN115302938B (zh) * | 2022-08-25 | 2023-12-08 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种分离胶合组件的方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085715A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Canon Inc | 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法 |
WO2013063603A2 (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | Suss Microtec Inc. | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US682990A (en) * | 1900-09-14 | 1901-09-17 | Alexander F Humphrey | Toy gun. |
US2878142A (en) * | 1955-06-23 | 1959-03-17 | Mystik Adhesive Products Inc | Pressure-sensitive tapes and method for manufacturing same |
GB2136207B (en) * | 1983-03-07 | 1987-06-17 | Harold Wilson Meredith Pook | Manufacture of electrets |
US4600635A (en) * | 1985-04-17 | 1986-07-15 | W. R. Grace & Co. | Bitumen adhesive and waterproofing membranes containing same |
DE3612586A1 (de) * | 1986-04-15 | 1987-10-29 | Messer Griesheim Gmbh | Verfahren zum entfernen von auf der oberflaeche von werkstuecken haftenden materialresten |
US5448817A (en) * | 1994-06-27 | 1995-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Cryogenic removal of silicon substrates from metallic heat sinks using thermal mass to cool surface mounted printed wire boards |
JP2001284622A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 半導体部材の製造方法及び太陽電池の製造方法 |
JP4130167B2 (ja) | 2003-10-06 | 2008-08-06 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの剥離方法 |
KR101230310B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2013-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 접착 부재 및 이를 사용하는 표시 장치의 제조 방법 |
KR100891384B1 (ko) * | 2007-06-14 | 2009-04-02 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 기판 접합 및 탈착장치 |
US8764026B2 (en) * | 2009-04-16 | 2014-07-01 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Device for centering wafers |
US20110014354A1 (en) * | 2009-07-20 | 2011-01-20 | David Christopher Graham | Adhesive compositions and methods for use in failure analysis |
CN102844802B (zh) * | 2010-06-28 | 2014-10-15 | 夏普株式会社 | 显示装置的制造方法 |
KR20150108428A (ko) | 2011-04-11 | 2015-09-25 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 가요성의 캐리어 마운트 및 캐리어 기판을 분리하기 위한 장치 및 방법 |
US8883565B2 (en) * | 2011-10-04 | 2014-11-11 | Infineon Technologies Ag | Separation of semiconductor devices from a wafer carrier |
CN104760400B (zh) * | 2015-04-03 | 2017-01-18 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 拆解装置 |
-
2014
- 2014-06-27 US US15/318,790 patent/US10276409B2/en active Active
- 2014-06-27 CN CN201480079964.8A patent/CN106716615B/zh active Active
- 2014-06-27 WO PCT/EP2014/063687 patent/WO2015197132A1/de active Application Filing
- 2014-06-27 JP JP2016573611A patent/JP2017528903A/ja active Pending
- 2014-06-27 KR KR1020167035296A patent/KR102112905B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-27 EP EP14739077.7A patent/EP3161862B1/de active Active
- 2014-06-27 SG SG11201610457YA patent/SG11201610457YA/en unknown
-
2015
- 2015-04-23 TW TW104113104A patent/TWI656569B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085715A (ja) * | 1999-09-09 | 2001-03-30 | Canon Inc | 半導体層の分離方法および太陽電池の製造方法 |
WO2013063603A2 (en) * | 2011-10-27 | 2013-05-02 | Suss Microtec Inc. | Debonding temporarily bonded semiconductor wafers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102112905B1 (ko) | 2020-05-19 |
TW201608623A (zh) | 2016-03-01 |
CN106716615A (zh) | 2017-05-24 |
CN106716615B (zh) | 2020-07-10 |
US10276409B2 (en) | 2019-04-30 |
WO2015197132A1 (de) | 2015-12-30 |
SG11201610457YA (en) | 2017-01-27 |
EP3161862B1 (de) | 2018-01-31 |
US20170133243A1 (en) | 2017-05-11 |
EP3161862A1 (de) | 2017-05-03 |
KR20170020356A (ko) | 2017-02-22 |
TWI656569B (zh) | 2019-04-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180327 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A02 | Decision of refusal |
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