JP2017227794A - 表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器 - Google Patents
表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017227794A JP2017227794A JP2016124580A JP2016124580A JP2017227794A JP 2017227794 A JP2017227794 A JP 2017227794A JP 2016124580 A JP2016124580 A JP 2016124580A JP 2016124580 A JP2016124580 A JP 2016124580A JP 2017227794 A JP2017227794 A JP 2017227794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- display
- light
- pixel
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 145
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 8
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 958
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 356
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 356
- 239000010408 film Substances 0.000 description 242
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 181
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 148
- 239000000463 material Substances 0.000 description 133
- 230000006870 function Effects 0.000 description 103
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 101
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 70
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 57
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 52
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 47
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 37
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 35
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 35
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 24
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 14
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 For example Substances 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 3
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Ag] Chemical compound [Cu].[Ag] NEIHULKJZQTQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920006231 aramid fiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について、図面を参照しながら説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置、およびその作製方法について説明する。
図8に、表示装置10の断面概略図を示す。表示装置10は、表示パネル100と表示パネル200とが接着層50によって貼り合わされた構成を有する。また、表示装置10は、裏側(視認側とは反対側)に基板611と、表側(視認側)に基板612と、を有する。
樹脂層101には、トランジスタ110、発光素子120、絶縁層131、絶縁層132、絶縁層133、絶縁層134、絶縁層135等が設けられている。また、樹脂層102には、遮光層153、および着色層152等が設けられている。樹脂層101と樹脂層102とは、接着層151により接着されている。
樹脂層201には、トランジスタ210、導電層221、配向膜224a、絶縁層231、絶縁層232、絶縁層233、絶縁層234等が設けられている。また、樹脂層202には、絶縁層204、導電層223、配向膜224b等が設けられている。また配向膜224aと配向膜224bとの間に液晶222が挟持されている。樹脂層201と樹脂層202とは、図示しない領域で接着層により接着されている。
表示装置10は、上面から見たときに、発光素子120が、反射型の液晶素子220と重ならない部分を有する。これにより、図8に示すように、発光素子120からは、着色層152によって着色された発光621が、視認側に射出される。また、液晶素子220では、導電層221により外光が反射された反射光622が液晶222を介して射出される。
以下では、図8で例示した表示装置10の作製方法の例について、図面を参照して説明する。
まず、支持基板61を準備する。支持基板61としては、搬送が容易となる程度に剛性を有する材料であり、かつ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する材料を用いることができる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂、半導体、金属または合金などの材料を用いることができる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等を用いることができる。
続いて、樹脂層101上に絶縁層131を形成する(図9(B))。
続いて、図9(C)に示すように、絶縁層131以上にトランジスタ110を形成する。ここではトランジスタ110の一例として、ボトムゲート構造のトランジスタを作製する場合の例を示している。
続いて、トランジスタ110を覆う絶縁層133を形成する。絶縁層133は、絶縁層132と同様の方法により形成することができる。
続いて、絶縁層133上に絶縁層134を形成する。絶縁層134は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する層であることが好ましい。絶縁層134は、絶縁層131に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。
続いて、絶縁層134および絶縁層133に、導電層113b等に達する開口を形成する。
支持基板62を準備する。支持基板62は、支持基板61の記載を援用することができる。
続いて、光吸収層103a上に、開口部を有する樹脂層102を形成する(図10(B))。樹脂層102の形成方法および材料については、開口部を形成する部分以外は樹脂層101と同様の方法を用いることができる。
続いて、樹脂層102、および樹脂層102の開口部を覆って絶縁層141を形成する(図10(C))。絶縁層141の一部は、光吸収層103aと接して設けられる。絶縁層141は、樹脂層102に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや発光素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。
続いて、絶縁層141上に遮光層153および着色層152を形成する(図10(D))。
続いて、図10(E)に示すように、支持基板61と支持基板62とを、接着層151を用いて貼り合せる。貼り合せは、樹脂層102の開口部と、発光素子120とが重なるように行う。そして、接着層151を硬化させる。これにより、発光素子120を接着層151で封止することができる。
支持基板63を準備し、支持基板63上に光吸収層103bを形成する。支持基板63は、支持基板61の記載を援用できる。
続いて、光吸収層103b上に、開口部を有する樹脂層201を形成する。樹脂層201の形成方法および材料については、樹脂層102と同様の方法を用いることができる。
続いて、樹脂層201、および樹脂層201の開口部を覆って絶縁層231を形成する(図11(A))。絶縁層231の形成方法および材料については、絶縁層131の記載を援用できる。
続いて、図11(B)に示すように、絶縁層231上に、トランジスタ210を形成する。
続いて、絶縁層234および絶縁層233に、導電層213bに達する開口を形成する。
支持基板64を準備し、支持基板64上に光吸収層103cを形成する。支持基板64は、支持基板61の記載を援用することができる。
続いて、光吸収層103b上に、開口部を有する樹脂層202を形成する。樹脂層202の形成方法および材料については、樹脂層101と同様の方法を用いることができる。
続いて、樹脂層202、および樹脂層202の開口部を覆って絶縁層204を形成する(図11(D))。絶縁層204の形成方法および材料については、絶縁層131の記載を援用できる。
続いて、絶縁層204上に導電層223を形成する。導電層223は、導電膜を成膜することにより形成することができる。なお、導電層223は、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いたスパッタリング法等の方法により、樹脂層202の外周部に導電層223が設けられないように形成してもよい。または、導電膜を成膜した後にフォトリソグラフィ法等により不要な部分をエッチングにより除去してもよい。
続いて、図11(F)に示すように、支持基板63と支持基板64とを、液晶222を挟んで貼り合せる。このとき、樹脂層201の開口部と、樹脂層202の開口部とが重なるように、貼り合せを行う。またこのとき、樹脂層201と樹脂層202とを、外周部において図示しない接着層により接着する。
続いて、図12(A)に示すように、表示パネル100の支持基板62側から、支持基板62を介して光吸収層103aに光70を照射する。
続いて、図13(A)に示すように、表示パネル200の支持基板63側から、支持基板62を介して光吸収層103bに光70を照射する。
続いて、図14(A)に示すように、表示パネル100の樹脂層102と、表示パネル200の樹脂層201とを、接着層50によって貼り合せる。接着層50としては、上記接着層151の記載を援用できる。
続いて、支持基板61側から、支持基板61を介して樹脂層101に光70(図示しない)を照射する。光70(図示しない)の照射方法については、上記の記載を援用できる。光70の照射により、樹脂層102の支持基板61側の表面近傍、または樹脂層102の内部の一部が改質され、支持基板61と樹脂層102との密着性が低下する。
続いて、図15(A)に示すように、接着層51を用いて樹脂層101と基板611とを貼り合せる。
続いて、支持基板64側から、支持基板64を介して光吸収層103cに光70(図示しない)を照射する。その後、図15(B)に示すように支持基板64と樹脂層202とを分離する。図15(B)では、光吸収層103cと樹脂層202の界面、および光吸収層103cと絶縁層204の界面において剥離が生じている例を示している。
続いて、接着層52を用いて樹脂層202と基板612とを貼り合せる。
以下では、光吸収層を用いずに、開口部を有する樹脂層を形成する方法について説明する。
まず、図16(A)に示すように凹部を有する樹脂層102を形成する。
まず、図17(A)に示すように、支持基板62に樹脂層102bと、開口を有する樹脂層102cとを、積層して形成する。
以下では、図8で示した構成例と比較して、一部の構成の異なる構成例について説明する。
図8で例示した表示装置10は、トランジスタ110とトランジスタ210の両方に、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合の例である。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な例について説明する。以下で例示する表示装置は、反射型の液晶素子と、発光素子の両方を有し、透過モードと反射モードの両方の表示を行うことのできる、表示装置である。
図22は、画素12の構成例を示す回路図である。図22では、隣接する2つの画素12を示している。
図24は、本発明の一態様の表示装置300の斜視概略図である。表示装置300は、基板351と基板361とが貼り合わされた構成を有する。図24では、基板361を破線で明示している。
図25に、図24で例示した表示装置の、FPC372を含む領域の一部、回路部364を含む領域の一部、表示部362を含む領域の一部、回路部366を含む領域の一部、およびFPC374を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。
表示パネル200は、縦電界方式が適用された反射型液晶表示装置である。
以下では、上記に示す各構成要素について説明する。
表示パネルが有する基板には、平坦面を有する材料を用いることができる。表示素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料を用いることができる。
トランジスタは、ゲート電極として機能する導電層と、半導体層と、ソース電極として機能する導電層と、ドレイン電極として機能する導電層と、ゲート絶縁層として機能する絶縁層と、を有する。上記では、ボトムゲート構造のトランジスタを適用した場合を示している。
トランジスタのゲート、ソースおよびドレインのほか、表示装置を構成する各種配線および電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金などが挙げられる。またこれらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、その上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛等の酸化物を用いてもよい。また、マンガンを含む銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。
各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、アクリル、エポキシ、シリコーン樹脂等の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
表示面側に位置する第1の画素が有する表示素子には、外光を反射して表示する素子を用いることができる。このような素子は、光源を持たないため、表示の際の消費電力を極めて小さくすることが可能となる。第1の画素が有する表示素子には、代表的には反射型の液晶素子を用いることができる。または、第1の画素が有する表示素子として、シャッター方式のMEMS(Micro Electro Mechanical System)素子、光干渉方式のMEMS素子の他、マイクロカプセル方式、電気泳動方式、エレクトロウェッティング方式、電子粉流体(登録商標)方式等を適用した素子などを用いることができる。
液晶素子としては、例えば垂直配向(VA:Vertical Alignment)モードが適用された液晶素子を用いることができる。垂直配向モードとしては、MVA(Multi−Domain Vertical Alignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alignment)モード、ASV(Advanced Super View)モードなどを用いることができる。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流または電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、LED、QLED、有機EL素子、無機EL素子等を用いることができる。
接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
接続層としては、異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いることができる。
着色層に用いることのできる材料としては、金属材料、樹脂材料、顔料または染料が含まれた樹脂材料などが挙げられる。
遮光層として用いることのできる材料としては、カーボンブラック、チタンブラック、金属、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等が挙げられる。遮光層は、樹脂材料を含む膜であってもよいし、金属などの無機材料の薄膜であってもよい。また、遮光層に、着色層の材料を含む膜の積層膜を用いることもできる。例えば、ある色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜と、他の色の光を透過する着色層に用いる材料を含む膜との積層構造を用いることができる。着色層と遮光層の材料を共通化することで、装置を共通化できるほか工程を簡略化できるため好ましい。
以下では、上記断面構成例で例示した表示装置とは一部の構成の異なる例を説明する。なお、上記と重複する部分については説明を省略し、相違点のみ説明する。
図26は、図25と比較してトランジスタの構成および樹脂層202の構成が異なる点、ならびに着色層565、遮光層566、および絶縁層567を有する点で相違している。
図27は、各トランジスタにトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例である。このように、トップゲート型のトランジスタを適用することにより、寄生容量が低減できるため、表示のフレーム周波数を高めることができる。また、例えば8インチ以上の大型の表示パネルに好適に用いることができる。
図28は、各トランジスタに第2のゲート電極を有するトップゲート型のトランジスタを適用した場合の例を示している。
[CAC−OSの構成]
以下では、本発明の一態様で開示されるトランジスタに用いることができるCAC(Cloud Aligned Complementary)−OSの構成について説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュールについて説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置を適用可能な電子機器について説明する。
11 表示部
12 画素
13 センサ
13a センサ
13b センサ
13c センサ
13d センサ
20 物体
21 目
21a 目
21b 目
22 仮想視点
23 像
24 領域
25 点
31 演算回路
32 ソースドライバ
33 ゲートドライバ
34 メモリ
50 接着層
51 接着層
52 接着層
61 支持基板
62 支持基板
63 支持基板
64 支持基板
70 光
81 領域
82 領域
100 表示パネル
101 樹脂層
101a 樹脂層
102 樹脂層
102a 樹脂層
102b 樹脂層
102c 樹脂層
103a 光吸収層
103aa 光吸収層
103b 光吸収層
103c 光吸収層
110 トランジスタ
110a トランジスタ
110b トランジスタ
110c トランジスタ
111 導電層
112 半導体層
113a 導電層
113b 導電層
114 導電層
115 導電層
120 発光素子
121 導電層
122 EL層
123 導電層
131 絶縁層
132 絶縁層
133 絶縁層
134 絶縁層
135 絶縁層
136 絶縁層
137 絶縁層
141 絶縁層
151 接着層
152 着色層
153 遮光層
200 表示パネル
201 樹脂層
202 樹脂層
204 絶縁層
210 トランジスタ
211 導電層
212 半導体層
213a 導電層
213b 導電層
220 液晶素子
221 導電層
222 液晶
223 導電層
224a 配向膜
224b 配向膜
231 絶縁層
232 絶縁層
233 絶縁層
234 絶縁層
300 表示装置
311 電極
311b 電極
340 液晶素子
351 基板
360 発光素子
360b 発光素子
360g 発光素子
360r 発光素子
360w 発光素子
361 基板
362 表示部
364 回路部
365 配線
366 回路部
367 配線
372 FPC
373 IC
374 FPC
375 IC
401 トランジスタ
402 トランジスタ
403 トランジスタ
404 発光素子
405 容量素子
406 接続部
407 配線
411 絶縁層
412 絶縁層
413 絶縁層
414 絶縁層
415 絶縁層
416 スペーサ
417 接着層
419 接続層
421 電極
422 EL層
423 電極
424 光学調整層
425 着色層
426 遮光層
451 開口
471 基板
472 基板
476 絶縁層
478 絶縁層
501 トランジスタ
503 トランジスタ
505 容量素子
506 接続部
511 絶縁層
512 絶縁層
513 絶縁層
514 絶縁層
517 接着層
519 接続層
529 液晶素子
543 接続体
562 電極
563 液晶
564a 配向膜
564b 配向膜
565 着色層
566 遮光層
567 絶縁層
572 基板
576 絶縁層
578 絶縁層
591 導電層
592 導電層
599 偏光板
611 基板
612 基板
621 発光
622 反射光
800 携帯情報端末
801 筐体
802 筐体
803 表示部
804 表示部
805 ヒンジ部
810 携帯情報端末
811 筐体
812 表示部
813 操作ボタン
814 外部接続ポート
815 スピーカ
816 マイク
817 カメラ
820 カメラ
821 筐体
822 表示部
823 操作ボタン
824 シャッターボタン
826 レンズ
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチパネル
8005 FPC
8006 表示パネル
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリ
Claims (7)
- 第1の回路と、第2の回路と、表示部と、を有し、
前記第1の回路は、2以上のセンサを有し、
前記第1の回路は、周囲の物体の色を検出する機能を有し、
前記第1の回路は、前記物体を撮像し、撮像データを取得する機能を有し、
前記第2の回路は、前記撮像データをもとに、前記物体の位置を検出する機能を有し、
前記第2の回路は、前記撮像データをもとに、使用者の目の位置を検出する機能を有し、
前記第2の回路は、第1の表示データを生成する機能を有し、
前記第2の回路は、前記物体の位置と、前記使用者の目の位置と、をもとに、前記使用者の目で見える、前記表示部に映り込む像を計算する機能を有し、
前記第2の回路は、前記第1の表示データと、前記像と、を比較し、前記表示部への映り込みを相殺するように補正した前記第2の表示データを生成する機能を有し、
前記表示部は、前記第2の表示データに対応した画像を表示する機能を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記第2の回路は、前記表示部を対称面として、前記使用者の目と面対称な位置に仮想視点を設定する機能を有し、
前記第2の回路は、前記仮想視点と、前記物体を構成する各点と、を直線で結び、当該直線が前記表示面と交差する点の集合を、前記像に含まれる物体とみなす機能を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1または2において、
前記表示部は、マトリクス状に配列された複数の画素を有し、
前記画素は、階調を表現する機能を有し、
前記第1の表示データは、前記階調に関する情報を有し、
前記第2の回路は、前記像を、前記表示部が有する画素と同じ行数および同じ列数の領域に分割する機能を有し、
前記第2の回路は、前記画素により表現される階調の値が、当該画素と同じ座標の前記領域の階調値より高い場合は、前記画素により表現される階調の値を増加させることにより、前記第2の表示データを生成する機能を有し、
前記第2の回路は、前記画素により表現される階調の値が、当該画素と同じ座標の前記領域の階調値より低い場合は、前記画素により表現される階調の値を減少させることにより、前記第2の表示データを生成する機能を有することを特徴とする表示装置。 - 表示部を有する表示装置において、
第1の表示データを生成する工程と、
周囲の物体の色を検出する工程と、
前記物体の位置を検出する工程と、
使用者の目の位置を検出する工程と、
前記物体の位置と、前記使用者の目の位置と、をもとに、前記使用者の目で見える、前記表示部に映り込む像を計算する工程と、
前記第1のデータと、前記像と、を比較し、前記表示部への映り込みを相殺するように補正した前記第2の表示データを生成する工程と、
前記第2の表示データに対応した画像を前記表示部により表示する工程と、を有することを特徴とする表示装置の動作方法。 - 請求項4において、
前記表示部を対称面として、前記使用者の目と面対称な位置に仮想視点を設定する工程と、
前記仮想視点と、前記物体を構成する各点と、を直線で結び、当該直線が前記表示面と交差する点の集合を、前記像に含まれる物体とみなすことにより、前記像を計算する工程と、を有することを特徴とする表示装置の動作方法。 - 請求項4または5において、
前記表示部は、マトリクス状に配列された複数の画素を有し、
前記画素は、階調を表現する機能を有し、
前記第1の表示データは、前記階調に関する情報を有し、
前記像を、前記表示部が有する画素と同じ行数および同じ列数の領域に分割する工程を有し、
前記画素により表現される階調の値が、当該画素と同じ座標の前記領域の階調値より高い場合は、前記画素により表現される階調の値を増加させることにより、前記第2の表示データを生成する工程を有し、
前記画素により表現される階調の値が、当該画素と同じ座標の前記領域の階調値より低い場合は、前記画素により表現される階調の値を減少させることにより、前記第2の表示データを生成する工程を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の表示装置と、
操作キーと、を有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016124580A JP2017227794A (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | 表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016124580A JP2017227794A (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | 表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017227794A true JP2017227794A (ja) | 2017-12-28 |
Family
ID=60891712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016124580A Withdrawn JP2017227794A (ja) | 2016-06-23 | 2016-06-23 | 表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2017227794A (ja) |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07182995A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Canon Inc | 画像表示装置及びその制御方法 |
JPH09197999A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Canon Inc | 画像表示システムおよびその表示方法 |
JP2005346012A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置、表示方法、及びプログラム |
JP2009031337A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Funai Electric Co Ltd | 映像表示装置 |
US20120229487A1 (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-13 | Nokia Corporation | Method and Apparatus for Reflection Compensation |
WO2014027569A1 (ja) * | 2012-08-15 | 2014-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置 |
WO2015151387A1 (ja) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | ソニー株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
JP2015222316A (ja) * | 2014-05-22 | 2015-12-10 | 凸版印刷株式会社 | 情報表示装置、情報表示方法、および情報表示プログラム |
-
2016
- 2016-06-23 JP JP2016124580A patent/JP2017227794A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07182995A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Canon Inc | 画像表示装置及びその制御方法 |
JPH09197999A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Canon Inc | 画像表示システムおよびその表示方法 |
JP2005346012A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表示装置、表示方法、及びプログラム |
JP2009031337A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Funai Electric Co Ltd | 映像表示装置 |
US20120229487A1 (en) * | 2011-03-11 | 2012-09-13 | Nokia Corporation | Method and Apparatus for Reflection Compensation |
WO2014027569A1 (ja) * | 2012-08-15 | 2014-02-20 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置 |
WO2015151387A1 (ja) * | 2014-04-04 | 2015-10-08 | ソニー株式会社 | 画像処理装置、画像処理方法及びプログラム |
JP2015222316A (ja) * | 2014-05-22 | 2015-12-10 | 凸版印刷株式会社 | 情報表示装置、情報表示方法、および情報表示プログラム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6863803B2 (ja) | 表示装置 | |
US10345670B2 (en) | Display device including light-emitting element and light-condensing means | |
JP6877250B2 (ja) | 表示装置 | |
US10515609B2 (en) | Display device and operation method thereof, and electronic device | |
JP7049784B2 (ja) | 表示装置 | |
US20180033362A1 (en) | Display method, display device, electronic device, non-temporary memory medium, and program | |
JP6907051B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6871253B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP2018018068A (ja) | 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び表示装置の作製方法 | |
JP2022095653A (ja) | 表示装置 | |
JP2018025775A (ja) | 電子機器及びその駆動方法 | |
JP6702781B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6930864B2 (ja) | 表示装置 | |
JP6999315B2 (ja) | 表示装置の作製方法 | |
JP2018004952A (ja) | 表示装置およびその作製方法 | |
JP2017207701A (ja) | 表示装置 | |
JP2018013622A (ja) | 表示装置、および電子機器 | |
JP2017227794A (ja) | 表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器 | |
WO2017195067A1 (ja) | 表示装置 | |
JP2018010126A (ja) | 表示装置 | |
JP2020144391A (ja) | 表示装置 | |
WO2018015840A1 (ja) | 表示方法、表示装置、電子機器、非一時的記憶媒体およびプログラム | |
JP2018036584A (ja) | 表示装置 | |
JP2018036583A (ja) | 表示装置 | |
JP2018010290A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A80 | Written request to apply exceptions to lack of novelty of invention |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A80 Effective date: 20160630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200804 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20200827 |