JP2017201723A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 Embodiments described herein relate generally to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
基板処理装置は、半導体や液晶パネルなどの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の表面に処理液（例えば、エッチング液やリンス液など）を供給して基板表面を処理する装置である。この基板処理装置の中には、基板を水平状態で回転させ、ノズルから基板表面の略中央に処理液を供給し、その処理液を回転の遠心力によって基板表面に広げるスピン処理を行う装置が開発されている。 The substrate processing apparatus is an apparatus for processing a substrate surface by supplying a processing liquid (for example, an etching liquid or a rinsing liquid) to the surface of the substrate such as a wafer or a liquid crystal substrate in a manufacturing process of a semiconductor or a liquid crystal panel. Among these substrate processing apparatuses, there is an apparatus that rotates a substrate in a horizontal state, supplies a processing liquid from a nozzle to the approximate center of the substrate surface, and performs a spin process that spreads the processing liquid on the substrate surface by a centrifugal force of rotation. Has been developed.
しかしながら、前述の基板処理装置において、基板表面からの処理液の排出が不完全であり、処理液が基板表面に残留すると、基板表面の処理均一性（例えば、エッチング処理やリンス処理などの処理均一性）が悪化し、あるいは、汚れやシミなどのステインが発生するため、処理不良が生じてしまう。また、処理液が過剰に供給されることがあり、処理液の消費量が増加してしまう。このようなことから、処理不良の抑止及び処理液消費量の削減が求められている。 However, in the above-described substrate processing apparatus, if the processing liquid is not completely discharged from the substrate surface, and the processing liquid remains on the substrate surface, the processing uniformity of the substrate surface (for example, processing uniformity such as etching processing or rinsing processing) Processability, or stains such as dirt and stains occur, resulting in poor processing. Moreover, the processing liquid may be supplied excessively, and the consumption of the processing liquid increases. For these reasons, there is a demand for suppression of processing failures and reduction of processing liquid consumption.
本発明が解決しようとする課題は、処理不良の抑止及び処理液消費量の削減を実現することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing processing defects and reducing processing liquid consumption.
実施形態に係る基板処理装置は、基板の表面に処理液を供給する液供給部と、液供給部により処理液が供給されている基板の表面温度を検出する温度検出部と、温度検出部により検出された表面温度が所定温度に達したか否かを判断する温度監視部と、温度監視部により表面温度が所定温度に達したと判断された場合、液供給部に処理液の供給を停止させる制御部とを備える。 The substrate processing apparatus according to the embodiment includes a liquid supply unit that supplies a processing liquid to the surface of the substrate, a temperature detection unit that detects the surface temperature of the substrate to which the processing liquid is supplied by the liquid supply unit, and a temperature detection unit. A temperature monitoring unit that determines whether or not the detected surface temperature has reached a predetermined temperature, and when the temperature monitoring unit determines that the surface temperature has reached a predetermined temperature, supply of the processing liquid to the liquid supply unit is stopped And a control unit.
実施形態に係る基板処理方法は、基板の表面に処理液を供給する工程と、処理液が供給されている基板の表面温度を検出する工程と、検出した表面温度が所定温度に達したか否かを判断する工程と、表面温度が所定温度に達したと判断した場合、処理液の供給を停止する工程とを有する。 The substrate processing method according to the embodiment includes a step of supplying a processing liquid to the surface of the substrate, a step of detecting a surface temperature of the substrate to which the processing liquid is supplied, and whether the detected surface temperature has reached a predetermined temperature. And a step of stopping the supply of the processing liquid when it is determined that the surface temperature has reached a predetermined temperature.
本発明によれば、処理不良の抑止及び処理液消費量の削減を実現することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress processing defects and reduce processing liquid consumption.
実施の一形態について図面を参照して説明する。 An embodiment will be described with reference to the drawings.
図１に示すように、実施の一形態に係る基板処理装置１は、処理室となる処理ボックス２と、その処理ボックス２内に設けられたカップ３と、そのカップ３内で基板Ｗを水平状態で支持する支持部４と、その支持部４を水平面内で回転させる回転機構５と、支持部４上の基板Ｗの表面に処理液を供給する液供給部６と、処理液供給時の基板Ｗの表面温度を検出する温度検出部７と、その温度検出部７を支持する支持機構８と、処理液供給時の基板Ｗの温度を監視する温度監視部９と、処理不良を報知する報知部１０と、各部を制御する制御部１１とを備えている。
As shown in FIG. 1, a
カップ３は、円筒形状に形成されており、支持部４を周囲から囲んで内部に収容する。カップ３の周壁の上部は径方向の内側に向かって傾斜しており、支持部４上の基板Ｗが露出するように開口している。このカップ３は、回転する基板Ｗ上から流れ落ちた処理液や飛散した処理液を受け取る。なお、カップ３の底部には、受け取った処理液を排出する排出管（図示せず）が接続されている。
The
支持部４は、カップ３内の略中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。この支持部４は、ピンなどの支持部材４ａを複数有しており、これらの支持部材４ａによってウェーハや液晶基板などの基板Ｗを着脱可能に保持する。
The
回転機構５は、支持部４に連結された回転軸やその回転軸を回転させるモータ（いずれも図示せず）などを有している。この回転機構５は、モータの駆動により回転軸を介して支持部４を回転させる。回転機構５は制御部１１に電気的に接続されており、その駆動が制御部１１により制御される。
The
液供給部６は、支持部４上の基板Ｗの表面に処理液をそれぞれ供給する複数のノズル６ａ及び６ｂと、それらのノズル６ａ及び６ｂを支持部４上の基板Ｗの表面に沿って移動させる移動機構６ｃと、各ノズル６ａ及び６ｂに処理液を提供する液提供部６ｄとを備えている。
The liquid supply unit 6 moves a plurality of
各ノズル６ａ及び６ｂは、支持部４上の基板Ｗの表面上方であってその表面の中心付近に位置するように設けられている。第１のノズル６ａは、液提供部６ｄから提供されたエッチング液を回転中の支持部４上の基板Ｗの表面上方からその表面に向けて吐出する。また、第２のノズル６ｂは、液提供部６ｄから提供されたリンス液を回転中の支持部４上の基板Ｗの表面上方からその表面に向けて吐出する。
Each of the
なお、図１では、ノズル本数は二本となっているが、この本数は例示であり、特に限定されるものではない。また、ノズルは処理液の種類ごとに一本設けられているが、これに限るものではなく、一種類に二本など複数本設けられても良く、この本数は特に限定されるものではない。 In FIG. 1, the number of nozzles is two, but this number is merely an example and is not particularly limited. In addition, one nozzle is provided for each type of processing liquid, but the number is not limited to this, and a plurality of nozzles such as two nozzles may be provided, and the number of nozzles is not particularly limited.
移動機構６ｃは、各ノズル６ａ及び６ｂを保持するアーム２１と、そのアーム２１を水平面内で回転可能にその一端部を支持する支柱２２とにより構成されている。アーム２１は支柱２２を中心として支持部４上の基板Ｗの表面に沿って回転するため、そのアーム２１が支持するノズル６ａ及び６ｂも基板Ｗの表面に沿って移動することになる。例えば、移動機構６ｃは、支持部４上の基板Ｗの表面略中央に対向する処理位置と、その処理位置から退避して支持部４上の基板Ｗの搬入や搬出を可能とする待機位置とに各ノズル６ａ及び６ｂを移動させる。この移動機構６ｃは制御部１１に電気的に接続されており、その駆動が制御部１１により制御される。
The moving
液提供部６ｄは、液量を調整する調整弁となるバルブ３１及び３２、さらに、処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ（いずれも図示せず）などを備えている。この液提供部６ｄは、各バルブ３１及び３２を開状態とし、ポンプの駆動により各ノズル６ａ及び６ｂに処理液（エッチング液やリンス液）を与える。液提供部６ｄは制御部１１に電気的に接続されており、その駆動が制御部１１により制御される。このため、各バルブ３１及び３２の個々の開口量が制御部１１により制御されることになる。
The
なお、エッチング処理液としては、例えば、フッ酸や硝酸などを含む各種の薬液を用いることが可能であり、リンス液としては、例えば、純水や超純水などの各種の液体を用いることが可能である。 For example, various chemical solutions including hydrofluoric acid and nitric acid can be used as the etching treatment liquid, and various liquids such as pure water and ultrapure water can be used as the rinsing liquid. Is possible.
温度検出部７は、基板Ｗの表面温度を検出する検出部（例えば、熱感知機器）であり、支持部４上の基板Ｗの表面上方にその表面温度を検出することが可能になる位置に設けられている。この温度検出部７は温度監視部９に電気的に接続されており、検出した基板Ｗの表面温度を温度監視部９に伝える。温度検出部７としては、基板Ｗの表面温度分布を検出するサーモグラフィを用いることが可能であり、さらに、サーモグラフィに替えて複数の非接触式温度計（例えば、非接触放射温度計）や接触式温度計などを用いることも可能である。なお、基板Ｗの表面温度分布を検出する必要が無い場合もあり、温度検出部７として非接触式温度計又は接触式温度計を一つだけ用いることも可能である（詳しくは、後述する）。
The temperature detection unit 7 is a detection unit (for example, a heat sensing device) that detects the surface temperature of the substrate W, and is located above the surface of the substrate W on the
この温度検出部７は、例えば、図２に示すような基板Ｗの表面温度分布を検出する。この温度分布は、常温（例えば、２０℃）のリンス液が基板Ｗの表面上に供給された直後の温度分布である。その後、リンス液の供給が継続されると、基板Ｗの表面温度分布は徐々にリンス液の温度（常温）で均一になっていく。このとき、リンス液がノズル６ｂから供給される基板Ｗの表面上の供給位置（供給点）Ａ１は、基板Ｗの略中央（中央付近）である。基板Ｗの供給位置Ａ１の周辺の表面温度は２０℃程度となり、基板Ｗの最外周部（最外縁部）の一部の温度は１０５℃となっている。この１０５℃の温度を有する箇所は、前工程のエッチング処理により残留したエッチング液の反応熱によって温度が高くなっている箇所、すなわちリンス液によるリンス処理、例えばリンス液の供給が不十分で、エッチング処理が進行している個所である。
For example, the temperature detector 7 detects the surface temperature distribution of the substrate W as shown in FIG. This temperature distribution is a temperature distribution immediately after a normal temperature (for example, 20 ° C.) rinse liquid is supplied onto the surface of the substrate W. Thereafter, when the supply of the rinse liquid is continued, the surface temperature distribution of the substrate W gradually becomes uniform at the temperature of the rinse liquid (normal temperature). At this time, the supply position (supply point) A1 on the surface of the substrate W to which the rinse liquid is supplied from the
図１に戻り、支持機構８は、温度検出部７を保持するアーム８ａと、そのアーム８ａを支持する支柱８ｂとにより構成されている。アーム８ａ及び支柱８ｂは、各ノズル６ａ及び６ｂからの処理液の供給を妨げない位置に設けられ、温度検出部７を支持部４上の基板Ｗの表面温度を検出することが可能となるように保持している。なお、基板Ｗの搬入や搬出にアーム８ａが邪魔となる場合には、アーム８ａを旋回させる旋回機構を設け、基板Ｗの搬入や搬出時に旋回機構によりアーム８ａを邪魔にならない位置に移動させるようにしても良い。
Returning to FIG. 1, the
温度監視部９は、エッチング処理やリンス処理などの基板処理時に温度検出部７により検出された基板Ｗの表面温度を監視し、必要に応じて制御部１１に監視結果を伝える。例えば、エッチング処理又はリンス処理時には、基板Ｗの表面温度が所定のエッチング設定温度又はリンス設定温度に達したか否かを判断し、その判断結果を制御部１１に伝える。エッチング処理時の判断には、基板Ｗの表面温度として、表面温度分布のうち一番低い温度を用い、その一番低い温度が所定のエッチング設定温度（例えば、１００℃）に達したか否かを判断する。一方、リンス処理時の判断には、基板Ｗの表面温度として、表面温度分布のうち一番高い温度を用い、その一番高い温度が所定のリンス設定温度（例えば、２０℃）に達したか否かを判断する。
The
なお、前述の判断に用いる温度としては、基板Ｗの表面温度分布のうち一番低い温度や一番高い温度を用いること以外にも、基板Ｗの表面温度分布の平均値を取り、その平均値を用いても良い。また、基板Ｗの表面において、エッチング処理やリンス処理などの基板処理が不十分となる箇所（例えば、基板Ｗの最外周部の一部）が実験や経験などから判明している場合には、その箇所の表面温度を検出するように温度検出部７として非接触式温度計又は接触式温度計を設け、検出した表面温度を前述の判断に用いるようにしても良い。また、基板処理が不十分となる箇所が複数存在する場合には、それらの箇所の表面温度を検出するように非接触式温度計又は接触式温度計を複数設け、検出した複数の表面温度のうち一番高い温度や一番低い温度を用いたり、あるいは、それら表面温度の平均値を用いたりしても良い。 As the temperature used for the above-mentioned determination, in addition to using the lowest temperature or the highest temperature among the surface temperature distribution of the substrate W, an average value of the surface temperature distribution of the substrate W is taken, and the average value is obtained. May be used. In addition, in the surface of the substrate W, when the location where the substrate processing such as the etching processing or the rinsing processing is insufficient (for example, a part of the outermost peripheral portion of the substrate W) is known from experiments or experience, A non-contact thermometer or a contact thermometer may be provided as the temperature detector 7 so as to detect the surface temperature at that location, and the detected surface temperature may be used for the aforementioned determination. In addition, when there are multiple locations where substrate processing is insufficient, multiple non-contact thermometers or contact thermometers are provided to detect the surface temperatures of those locations, and the detected multiple surface temperatures are detected. Of these, the highest temperature or the lowest temperature may be used, or the average value of the surface temperatures may be used.
報知部１０は、エッチング処理やリンス処理が不良である場合、その処理不良の発生をユーザに報知する。この報知部１０としては、例えば、ランプやブザーなどの警報器、文字を表示する表示部及び音声を出力する音声出力部などを用いることが可能である。
When the etching process or the rinsing process is defective, the
制御部１１は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）とを備えている。この制御部１１は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて回転機構５や液供給部６などを制御し、回転中の支持部４上の基板Ｗの表面に対し、液提供部６ｄから提供される処理液（エッチング液又はリンス液）を各ノズル６ａ及び６ｂのどちらか一方から供給する制御を行う。
The
次に、前述の基板処理装置１が行う基板処理の流れについて図３を参照して説明する。
Next, a substrate processing flow performed by the
図３に示すように、エッチング処理において、ノズル６ａから回転中の支持部４上の基板Ｗの表面へのエッチング液の供給が開始され（ステップＳ１）、基板Ｗの表面の温度監視が温度監視部９によって開始される（ステップＳ２）。なお、基板Ｗの表面温度は温度検出部７により常時検出されているが、ステップＳ２の温度監視の開始から検出温度が監視されることになる。
As shown in FIG. 3, in the etching process, supply of the etching liquid from the
ステップＳ１において、エッチング液の供給が開始されると、ノズル６ａから基板中心付近に供給されたエッチング液は遠心力によって基板周縁部へと流れていく。これにより、エッチング処理中、基板Ｗの表面はエッチング液によって覆われることになる。このときの基板Ｗの表面温度が温度検出部７により検出され、温度監視部９に入力される。
In step S1, when the supply of the etching solution is started, the etching solution supplied from the
ステップＳ２の後、エッチング液供給開始からの経過時間が所定のエッチング設定時間（例えば、数分）内であるか否かが制御部１１により判断され（ステップＳ３）、経過時間が所定のエッチング設定時間内であると判断されると（ステップＳ３のＹＥＳ）、検出温度が所定のエッチング設定温度（例えば、１００℃）以上であるか否かが温度監視部９により判断される（ステップＳ４）。なお、エッチング設定時間がエッチング処理時の処理設定時間であり、予めユーザによって設定されている。
After step S2, the
ステップＳ４において、検出温度が所定のエッチング設定温度以上でないと判断されると（ステップＳ４のＮＯ）、エッチング処理が継続され、処理フローがステップＳ３に戻される。このステップＳ３において、経過時間が所定のエッチング設定時間内でない、つまり、エッチング処理が終了したと判断された場合には（ステップＳ３のＮＯ）、振り切り乾燥などの基板乾燥後に基板Ｗの回転が制御部１１により停止され、所定のエッチング設定時間内に検出温度が所定のエッチング設定温度以上とならなかったため（すなわち、エッチング液が基板Ｗの表面全体に十分に行き渡らなかったため）、エッチング処理不良が発生した旨の警告が報知部１０により報知される（ステップＳ５）。 If it is determined in step S4 that the detected temperature is not equal to or higher than the predetermined etching set temperature (NO in step S4), the etching process is continued and the process flow returns to step S3. In this step S3, when it is determined that the elapsed time is not within the predetermined etching set time, that is, the etching process is completed (NO in step S3), the rotation of the substrate W is controlled after the substrate is dried, such as swing-off drying. Since the detected temperature did not become higher than the predetermined etching set temperature within a predetermined etching set time (that is, the etching solution did not sufficiently spread over the entire surface of the substrate W), the etching process failure occurred. A warning to the effect is notified by the notification unit 10 (step S5).
ここで、ステップＳ４では、温度監視部９により監視されている検出温度として、表面温度分布のうち一番低い温度が用いられ、その一番低い温度が所定のエッチング設定温度以上であるか否かが判断される。この判断により、エッチング処理の完了タイミングを把握することが可能になる。すなわち、一番低い温度が所定のエッチング設定温度以上になるということは、基板Ｗの表面全体にエッチング液が十分に行き渡り、その基板Ｗの表面全体で十分な反応（反応熱）が生じて表面全体が均一に処理され、基板Ｗの表面全体でエッチング処理が完了したことを示す。
Here, in step S4, the lowest temperature of the surface temperature distribution is used as the detected temperature monitored by the
ステップＳ４において、検出温度が所定のエッチング設定温度以上であると判断された場合には（ステップＳ４のＹＥＳ）、エッチング処理からリンス処理への切り替えが行われ、すなわち、エッチング液の供給が制御部１１により停止されてリンス液の供給が開始される（ステップＳ６）。 If it is determined in step S4 that the detected temperature is equal to or higher than the predetermined etching set temperature (YES in step S4), the etching process is switched to the rinse process, that is, the supply of the etchant is controlled by the control unit. 11 and the supply of the rinse liquid is started (step S6).
ステップＳ６において、リンス液の供給が開始されると、ノズル６ｂから基板中心付近に供給されたリンス液は遠心力によって基板周縁部へと流れていく。これにより、リンス処理中、基板Ｗの表面はリンス液によって覆われることになる。このときの基板Ｗの表面温度が温度検出部７により検出され、温度監視部９に入力される。
In step S6, when the supply of the rinsing liquid is started, the rinsing liquid supplied from the
ステップＳ６の後、リンス液供給開始からの経過時間が所定のリンス設定時間（例えば、３０秒）内であるか否かが制御部１１により判断され（ステップＳ７）、経過時間が所定のリンス設定時間内であると判断されると（ステップＳ７のＹＥＳ）、検出温度が所定のリンス設定温度（例えば、２０℃）以下であるか否かが温度監視部９により判断される（ステップＳ８）。なお、リンス設定時間がリンス処理時の処理設定時間であり、予めユーザによって設定されている。
After step S6, the
ステップＳ８において、検出温度が所定のリンス設定温度以下でないと判断されると（ステップＳ８のＮＯ）、リンス処理が継続され、処理フローがステップＳ７に戻される。このステップＳ７において、経過時間が所定のリンス設定時間内でない、つまり、リンス処理が終了したと判断された場合には（ステップＳ７のＮＯ）、振り切り乾燥などの基板乾燥後に基板Ｗの回転が制御部１１により停止され、所定のリンス設定時間内に検出温度が所定のリンス設定温度以下とならなかったため（すなわち、リンス液が基板Ｗの表面全体に十分に行き渡らなかったため）、リンス処理不良が発生した旨の警告が報知部１０により報知される（ステップＳ５）。
If it is determined in step S8 that the detected temperature is not lower than the predetermined rinse set temperature (NO in step S8), the rinse process is continued, and the process flow returns to step S7. In step S7, when it is determined that the elapsed time is not within the predetermined rinse setting time, that is, the rinse process is completed (NO in step S7), the rotation of the substrate W is controlled after the substrate is dried, such as swing-off drying. Stopped by the
ここで、ステップＳ８では、温度監視部９により監視されている検出温度として、表面温度分布のうち一番高い温度が用いられ、その一番高い温度が所定のリンス設定温度以下であるか否かが判断される。この判断により、リンス処理の完了タイミングを把握することが可能になる。すなわち、一番高い温度が所定のリンス設定温度以下になるということは、基板Ｗの表面全体にリンス液が十分に行き渡って表面全体が均一に処理され、その基板Ｗの表面全体でリンス処理が完了したことを示す。
Here, in step S8, the highest temperature of the surface temperature distribution is used as the detected temperature monitored by the
ステップＳ８において、検出温度が所定のリンス設定温度以下であると判断された場合には（ステップＳ８のＹＥＳ）、リンス処理の終了、すなわち、リンス液の供給が制御部１１により停止され（ステップＳ９）、さらに、温度監視部９による温度監視が停止され（ステップＳ１０）、振り切り乾燥などの基板乾燥後に基板Ｗの回転が制御部１１により停止される（ステップＳ１１）。
When it is determined in step S8 that the detected temperature is equal to or lower than the predetermined rinse setting temperature (YES in step S8), the rinsing process is completed, that is, the supply of the rinse liquid is stopped by the control unit 11 (step S9). Further, temperature monitoring by the
このような基板処理によれば、エッチング処理時、基板Ｗの表面に対するエッチング液の供給が基板Ｗの表面温度に応じて停止される。また、リンス処理時にも、基板Ｗの表面に対するリンス液の供給が基板Ｗの表面温度に応じて停止される。このため、エッチング処理及びリンス処理の処理完了タイミングが最適となり、処理に必要となる適量の処理液が基板Ｗの表面上に供給されることになる。 According to such a substrate process, the supply of the etchant to the surface of the substrate W is stopped according to the surface temperature of the substrate W during the etching process. Further, also during the rinsing process, the supply of the rinsing liquid to the surface of the substrate W is stopped according to the surface temperature of the substrate W. For this reason, the processing completion timing of the etching process and the rinsing process is optimized, and an appropriate amount of processing liquid necessary for the processing is supplied onto the surface of the substrate W.
詳述すると、エッチング処理では、適量のエッチング液が基板Ｗの表面全体に行き渡り、基板Ｗの表面全体で十分な反応（反応熱）が生じ、その基板Ｗの表面全体が均一に処理されることになる。このため、エッチング液の不足や残留などによる基板Ｗのエッチング処理均一性の悪化、さらに、汚れやシミなどのステインの発生を抑止することができる。加えて、適量のエッチング液が供給されるため、エッチング液の消費量を削減することができる。 More specifically, in the etching process, an appropriate amount of the etching solution spreads over the entire surface of the substrate W, and sufficient reaction (reaction heat) occurs on the entire surface of the substrate W, so that the entire surface of the substrate W is uniformly processed. become. For this reason, it is possible to suppress the deterioration of the etching process uniformity of the substrate W due to the shortage or residue of the etching solution, and the occurrence of stains such as dirt and stains. In addition, since an appropriate amount of etching solution is supplied, consumption of the etching solution can be reduced.
また、リンス処理では、適量のリンス液が基板Ｗの表面全体に行き渡り、基板Ｗの表面全体が均一に処理されることになる。このため、リンス液の不足や前工程のエッチング液の残留による基板Ｗのリンス処理均一性の悪化、さらに、汚れやシミなどのステインの発生を抑止することができる。加えて、適量のリンス液が供給されるため、リンス液の消費量を削減することができる。 In the rinsing process, an appropriate amount of rinsing liquid is spread over the entire surface of the substrate W, and the entire surface of the substrate W is processed uniformly. For this reason, it is possible to suppress the deterioration of the rinsing process uniformity of the substrate W due to the lack of the rinsing liquid, the remaining etching liquid in the previous process, and the occurrence of stains such as dirt and stains. In addition, since an appropriate amount of rinsing liquid is supplied, consumption of the rinsing liquid can be reduced.
また、前述のようなエッチング処理やリンス処理において、処理不良が発生すると、その処理不良の発生がユーザに報知されるため、ユーザは処理不良の発生を把握することが可能になる。これにより、ユーザは処理不良を判定するために製品を検査する必要が無くなるので、ユーザの利便性を向上させることができ、さらに、検査時間の削減や検査精度の向上を達成することができる。 In addition, when a processing failure occurs in the etching process or the rinsing process as described above, since the user is notified of the occurrence of the processing defect, the user can grasp the occurrence of the processing defect. This eliminates the need for the user to inspect the product in order to determine the processing failure, thereby improving the convenience for the user and further reducing the inspection time and improving the inspection accuracy.
以上説明したように、実施の一形態によれば、ノズル６ａ又は６ｂにより処理液（例えば、エッチング液又はリンス液）が供給されている基板Ｗの表面温度を検出し、その検出した表面温度が所定温度に達した場合、ノズル６ａ又は６ｂの処理液供給を停止することによって、処理完了タイミングが適切となり、処理に必要となる適量の処理液が基板Ｗの表面上に供給されることになる。このため、処理液の不足や残留などにより基板Ｗの表面の処理均一性が悪化すること、あるいは、汚れやシミなどのステインが発生することを抑止することが可能となる。また、過剰な処理液の供給が行われないため、処理液の消費量の増加を抑止することが可能となる。このようにして、処理不良の抑止及び処理液消費量の削減を実現することができる。
As described above, according to the embodiment, the surface temperature of the substrate W to which the processing liquid (for example, the etching liquid or the rinsing liquid) is supplied by the
（他の実施形態）
前述の実施形態においては、基板Ｗを枚葉処理によって処理しているが、これに限るものではなく、バッチ処理によって処理するようにしても良い。このバッチ処理を行う場合、各種の温度検出部７を用いることが可能であるが、基板Ｗが重なるように近い距離で並ぶ場合には、温度検出部７として接触式温度計を用い、その接触式温度計を基板Ｗごとにその表面に直接設けるようにすることが望ましい。なお、バッチ処理時には、基板Ｗが漬けられる処理液を貯留する貯留槽（貯留部）が、基板Ｗの表面に処理液を供給する液供給部として機能する。なお、基板Ｗの表面への処理液供給を停止する場合には、基板取出機構を制御して貯留槽から基板Ｗを取り出したり、あるいは、排出弁を制御して貯留槽内の処理液を排出したりする。
(Other embodiments)
In the above-described embodiment, the substrate W is processed by the single wafer processing, but the present invention is not limited to this, and the substrate W may be processed by batch processing. When performing this batch processing, various temperature detection units 7 can be used. However, when the substrates W are arranged at a short distance so as to overlap, a contact-type thermometer is used as the temperature detection unit 7 and the contact is made. It is desirable to provide a thermometer directly on the surface of each substrate W. Note that, during batch processing, a storage tank (storage unit) that stores the processing liquid in which the substrate W is immersed functions as a liquid supply unit that supplies the processing liquid to the surface of the substrate W. When stopping the supply of the processing liquid to the surface of the substrate W, the substrate removing mechanism is controlled to take out the substrate W from the storage tank, or the discharge valve is controlled to discharge the processing liquid in the storage tank. To do.
また、前述の実施形態においては、処理中に各ノズル６ａ及び６ｂを移動機構６ｃにより移動させていないが、これに限るものではなく、例えば、処理中に基板Ｗの表面温度に応じて各ノズル６ａ及び６ｂを移動機構６ｃにより移動させるようにしても良い。一例として、エッチング処理時には、基板Ｗの表面温度が他の箇所に比べて最も低い箇所に対向するようにノズル６ａを移動させたり、また、リンス処理時には、基板Ｗの表面温度が他の箇所に比べて最も高い箇所に対向するようにノズル６ｂを移動させたりする。このような場合には、エッチング処理やリンス処理の処理時間を短縮することが可能となるため、処理不良の抑止を実現しつつ、処理液の消費量をさらに削減することができる。
In the above-described embodiment, the
また、前述の実施形態においては、検出温度が所定の設定時間内に所定の設定温度に達しない場合に、エッチング処理又はリンス処理を停止して警告の報知を行っているが、これに限るものではなく、例えば、警告の報知を行わず、検出温度が設定温度に達するまで処理を継続するようにしても良い。 In the above-described embodiment, when the detected temperature does not reach the predetermined set temperature within the predetermined set time, the etching process or the rinsing process is stopped and the warning is notified. Instead, for example, the process may be continued until the detected temperature reaches the set temperature without notifying the warning.
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 As mentioned above, although some embodiment of this invention was described, these embodiment is shown as an example and is not intending limiting the range of invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the scope of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.
１ 基板処理装置
６ 液供給部
６ａ ノズル
６ｂ ノズル
６ｄ 液提供部
６ｃ 移動機構
７ 温度検出部
９ 温度監視部
１０ 報知部
１１ 制御部
Ｗ 基板
DESCRIPTION OF
実施形態に係る基板処理装置は、
基板の表面に処理液としてのエッチング液を供給する液供給部と、
前記液供給部により前記エッチング液が供給されている前記基板の表面温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部により検出された前記表面温度が所定温度に達したか否かを判断する温度監視部と、
前記温度監視部により前記表面温度が前記所定温度に達したと判断された場合、前記液供給部に前記エッチング液の供給を停止させる制御部と、
を備える。
The substrate processing apparatus according to the embodiment
A liquid supply unit for supplying an etching liquid as a processing liquid to the surface of the substrate;
A temperature detection unit for detecting a surface temperature of the substrate to which the etching solution is supplied by the liquid supply unit;
A temperature monitoring unit for determining whether or not the surface temperature detected by the temperature detection unit has reached a predetermined temperature;
When the temperature monitoring unit determines that the surface temperature has reached the predetermined temperature, a control unit that causes the liquid supply unit to stop supplying the etching liquid ;
Is provided.
実施形態に係る基板処理方法は、
基板の表面に処理液としてのエッチング液を供給する工程と、
前記エッチング液が供給されている前記基板の表面温度を検出する工程と、
検出した前記表面温度が所定温度に達したか否かを判断する工程と、
前記表面温度が前記所定温度に達したと判断した場合、前記エッチング液の供給を停止する工程と、を有する。
The substrate processing method according to the embodiment includes:
Supplying an etching solution as a processing solution to the surface of the substrate;
Detecting a surface temperature of the substrate to which the etching solution is supplied;
Determining whether the detected surface temperature has reached a predetermined temperature; and
And a step of stopping the supply of the etching solution when it is determined that the surface temperature has reached the predetermined temperature.
Claims (8)
前記液供給部により前記処理液が供給されている前記基板の表面温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部により検出された前記表面温度が所定温度に達したか否かを判断する温度監視部と、
前記温度監視部により前記表面温度が前記所定温度に達したと判断された場合、前記液供給部に前記処理液の供給を停止させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 A liquid supply unit for supplying a processing liquid to the surface of the substrate;
A temperature detection unit for detecting a surface temperature of the substrate to which the processing liquid is supplied by the liquid supply unit;
A temperature monitoring unit for determining whether or not the surface temperature detected by the temperature detection unit has reached a predetermined temperature;
When the temperature monitoring unit determines that the surface temperature has reached the predetermined temperature, a control unit that causes the liquid supply unit to stop supplying the processing liquid;
A substrate processing apparatus comprising:
前記温度検出部は、前記液供給部により前記エッチング液が供給されている前記基板の表面温度を検出し、
前記制御部は、前記温度監視部により前記表面温度が前記所定温度に達したと判断された場合、前記液供給部に前記エッチング液の供給を停止させ、次に前記リンス液の供給を開始させることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 The liquid supply unit supplies an etching liquid and a rinse liquid as the processing liquid,
The temperature detection unit detects a surface temperature of the substrate to which the etching solution is supplied by the liquid supply unit;
When the temperature monitoring unit determines that the surface temperature has reached the predetermined temperature, the control unit causes the liquid supply unit to stop supplying the etching liquid and then start supplying the rinse liquid. The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記温度検出部は、前記基板の表面温度分布を検出し、
前記温度検出部により検出された前記表面温度分布に応じて、前記基板に対する前記処理液の供給位置を変えるように前記ノズルを移動させる移動機構と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。 The liquid supply unit has a nozzle for supplying the processing liquid to the surface of the substrate,
The temperature detection unit detects a surface temperature distribution of the substrate,
A moving mechanism for moving the nozzle so as to change the supply position of the processing liquid with respect to the substrate according to the surface temperature distribution detected by the temperature detection unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising:
前記処理液が供給されている前記基板の表面温度を検出する工程と、
検出した前記表面温度が所定温度に達したか否かを判断する工程と、
前記表面温度が前記所定温度に達したと判断した場合、前記処理液の供給を停止する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。 Supplying a treatment liquid to the surface of the substrate;
Detecting a surface temperature of the substrate to which the processing liquid is supplied;
Determining whether the detected surface temperature has reached a predetermined temperature; and
When it is determined that the surface temperature has reached the predetermined temperature, the process of stopping the supply of the treatment liquid;
A substrate processing method comprising:
前記エッチング液の供給を停止した場合、前記基板の表面にリンス液を供給する工程と、
前記リンス液が供給されている前記基板の表面温度を検出する工程と、
検出した、前記リンス液が供給されている前記基板の表面温度が所定温度に達したか否かを判断する工程と、
前記表面温度が前記所定温度に達したと判断した場合、前記リンス液の供給を停止する工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。 In the step of supplying the processing liquid, an etching liquid is supplied as the processing liquid,
When the supply of the etching solution is stopped, supplying a rinsing solution to the surface of the substrate;
Detecting a surface temperature of the substrate to which the rinsing liquid is supplied;
Determining whether the detected surface temperature of the substrate to which the rinsing liquid is supplied has reached a predetermined temperature;
When it is determined that the surface temperature has reached the predetermined temperature, the step of stopping the supply of the rinse liquid;
The substrate processing method according to claim 5, further comprising:
検出した前記基板の表面温度分布に応じて、前記基板に対する前記処理液の供給位置を変える工程を有することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の基板処理方法。 In the step of detecting the surface temperature of the substrate, the surface temperature distribution of the substrate is detected,
The substrate processing method according to claim 5, further comprising a step of changing a supply position of the processing liquid with respect to the substrate in accordance with the detected surface temperature distribution of the substrate.
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