JP2017183453A - SiGeフォトダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】SiGeフォトダイオード100は、p型領域104、i型領域105、及びn型領域106が基板101面と平行に配置されてなるpin構造を有する第1半導体層102と、第1半導体層102のpin構造上に形成されたi型のSiGe層よりなる第2半導体層103と、を備え、i型領域105の幅wが第2半導体層103の厚さtよりも小さい。
【選択図】図1
Description
101 基板
102 第1半導体層
103 第2半導体層
104 p型領域
105 i型領域
106 n型領域
200 SiGeフォトダイオード
201 シリコン基板
202 第1半導体層
203 第2半導体層
204 p型第1領域
205 i型領域
206 n型第1領域
207 埋め込み酸化膜
208 p型第2領域
209 n型第2領域
210 SOI層
211 保護層
212 電極
213 絶縁膜
Claims (5)
- p型領域、i型領域、及びn型領域が基板面と平行に配置されてなるpin構造を有する第1半導体層と、
前記第1半導体層の前記pin構造上に形成されたi型のSiGe層よりなる第2半導体層と、を備え、
前記i型領域の幅が前記第2半導体層の厚さよりも小さい、
SiGeフォトダイオード。 - 前記第1半導体層は、p型領域、i型領域、及びn型領域が基板面と平行に周期的に配置されてなるpin構造を有する、請求項1に記載のSiGeフォトダイオード。
- 前記p型領域、前記i型領域、及び前記n型領域は、同心円形状に構成される、請求項1又は2に記載のSiGeフォトダイオード。
- 前記p型領域、前記i型領域、及び前記n型領域は、同心多角形形状に構成される、請求項1又は2に記載のSiGeフォトダイオード。
- 前記同心円若しくは前記同心多角形の中心から遠い部分に配置された前記p型領域又は前記n型領域の幅は、前記同心円若しくは前記同心多角形の中心に近い部分に配置された前記p型領域又は前記n型領域の幅よりも広い、請求項3又は4に記載のSiGeフォトダイオード。
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