JP2017170627A - モールド製品の製造方法およびモールド製品 - Google Patents

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plate
sealing
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祐樹 稲葉
Yuki Inaba
祐樹 稲葉
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Fuji Electric Co Ltd
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Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

【課題】簡易な構成によって確実にボイドの発生を防止する技術が望まれている。【解決手段】モールド製品の製造方法であって、モールド製品において封止部分の内部から延伸して外部に露出するべき部分露出部材を、モールド製品における封止部分の内部に封止されるべき封止対象部材に取り付ける取付段階と、部分露出部材が取り付けられた封止対象部材を型に入れて封止材を注入する注入段階と、封止材の注入中における第１期間において、部分露出部材をモールド製品における最終の位置とは異なる位置に保持して部分露出部材に取り付けられた調整部材により封止材の流れを調整する調整段階と、第１期間の後に、封止材を固化させる段階と、を備える製造方法を提供する。【選択図】図３Ｂ

Description

本発明は、モールド製品の製造方法およびモールド製品に関する。
半導体素子を導電パターン又は導電パターン付きの絶縁基板に搭載して樹脂封止した半導体装置のモールド製品が知られている（特許文献１〜２参照）。また、モールド製品内にボイドが生じてしまうのを防ぐべく、樹脂の流動性を決める部材を、封止される部材に固定する技術（特許文献３〜６参照）、または金型を変形させて樹脂の流動性を変える技術が知られている（特許文献４〜１３参照）。
［特許文献１］国際公開第２０１１−８３７３７号
［特許文献２］特開２０１４−５７００５号公報
［特許文献３］特開２００８−３１１５５８号公報
［特許文献４］特許第３００６２８５号明細書
［特許文献５］特許第５２１７０３９号明細書
［特許文献６］特許第５６１３１００号公報
［特許文献７］特開２０００−３９２３号公報
［特許文献８］特開２００５−３１０８３１号公報
［特許文献９］特開２０１０−１４９４２３号公報
［特許文献１０］特開２０１２−１３９８２１号公報
［特許文献１１］特開２０１４−１７５３３６号公報
［特許文献１２］特開２０１４−２１８０３８号公報
［特許文献１３］特許第３７８４６８４号明細書
しかし、簡易な構成によって確実にボイドの発生を防止する技術が望まれている。
本発明の第１の態様においては、モールド製品の製造方法であって、モールド製品において封止部分の内部から延伸して外部に露出するべき部分露出部材を、モールド製品における封止部分の内部に封止されるべき封止対象部材に取り付ける取付段階と、部分露出部材が取り付けられた封止対象部材を型に入れて封止材を注入する注入段階と、封止材の注入中における第１期間において、部分露出部材をモールド製品における最終の位置とは異なる位置に保持して部分露出部材に取り付けられた調整部材により封止材の流れを調整する調整段階と、第１期間の後に、封止材を固化させる段階と、を備える製造方法を提供する。
本発明の第２の態様においては、封止材と、封止材の内部に封止される封止対象部材と、封止材の内部において封止対象部材に取り付けられ、封止材の内部から延伸して外部に露出する部分露出部材と、を備え、封止対象部材は、部分露出部材に取り付けられた、固化前の封止材の流れを調整するための調整部材を有するモールド製品を提供する。
なお、上記の発明の概要は、本発明の特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本実施形態に係るモールド製品を示す斜視図である。 図１Ａの基準線ＡＡに関するモールド製品の断面構成を示す図である。 本実施形態に係るモールド製品の製造方法を示すフローチャートである。 ピンの位置と未硬化樹脂の流速との関係を示す図である。 ピンの位置と未硬化樹脂の流速との関係を示す図である。 ピンの位置と未硬化樹脂の流速との関係を示す図である。 図１Ａの基準線ＢＢに関するモールド製品の断面構成を示す図である。 調整部材を示す斜視図である。 変形例における調整部材の断面形状を示す図である。 変形例における調整部材の断面形状を示す図である。 変形例における調整部材の断面形状を示す図である。 変形例における調整部材の断面形状を示す図である。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
［１．第１実施形態］
［１−１．半導体モジュールの概要］
図１Ａは、本実施形態に係る半導体モジュール１を示す斜視図である。図１Ｂは、図１Ａの基準線ＡＡに関する半導体モジュール１の断面構成を示す図である。なお、本明細書において、Ｘ方向とＹ方向とは互いに垂直な方向であり、Ｚ方向はＸ‐Ｙ平面に垂直な方向である。本実施形態の半導体モジュール１は、＋Ｚ方向に上面を有し、−Ｚ方向に下面を有する。つまり、「上」および「上方」とは、＋Ｚ方向を意味する。これに対して、「下」および「下方」とは、−Ｚ方向を意味する。
本実施形態においては、モールド製品の一例としての半導体モジュールにおける封止部分の内部から延伸して外部に露出する部分露出部材を、成形中の少なくとも一部の期間に最終位置とは異なる位置に保持することによって封止材の流れを調整し、ボイドの発生を防止する。
半導体モジュール１は、モールド製品の一例であり、封止材１０、封止材１０の内部に封止される１または複数の封止対象部材１１、および、外部と電気的に接続するための１または複数のピン１２を備える。例えば、本実施形態に係る半導体モジュール１は、制御端子に対する制御入力に応じて主端子間の導通／非導通を切り替えるスイッチング装置である。
ここで、スイッチング装置は、固有の閾値電圧を有し、閾値電圧以上のスイッチング電圧を受けて２つのピン１２間を通電し、閾値電圧未満のスイッチング電圧を受けて通電を止める。逆に、スイッチング装置は、閾値電圧未満のスイッチング電圧を受けて２つのピン１２間を通電し、閾値電圧以上のスイッチング電圧を受けて通電を止めてもよい。スイッチング装置は複数個が並列に接続されて使用されてよい。
［１−１−１．封止材］
封止材１０は、固化した樹脂であってよく、後述の封止対象部材１１を封止する。封止材１０は、半導体モジュール１の本体部分をなしてよい。例えば、封止材１０は、エポキシ樹脂またはマレイミド樹脂等のような絶縁性の熱硬化性樹脂を用いてモールド成形、好ましくはトランスファー成形することで、Ｙ方向を長手とする略直方体状に成形される。封止材１０としては、ポリイミド樹脂、イソシアネート樹脂、アミノ樹脂、フェノール樹脂、シリコン系樹脂、又はその他の熱硬化性樹脂を用いてもよい。封止材１０は、無機フィラー等の添加物を更に含有してもよい。
封止材１０のＹ方向の両端には、上面視において略半円形状の段部１０１と、段部１０１をＺ方向に貫通する孔部１０２とが形成されている。孔部１０２に上方からボルト等の固定具を差し入れることで、半導体モジュール１を外部装置等に固定することができる。
封止材１０の上面の中央には、Ｙ方向に延びる凹部１０３が形成されてよく、凹部１０３を挟んでＸ方向の一側及び他側のそれぞれには、柱状の凸部１０５がＹ方向に並設されてよい。凸部１０５の上面からは、後述のピン１２がそれぞれ上方に突出してよい。なお、封止材１０の上面に凸部１０５が設けられずに、当該上面からピン１２が上方に突出してもよいし、封止材１０の上面に凹部が設けられて、当該凹部からピン１２が上方に突出してもよい。
［１―１―２．封止対象部材］
本実施形態における１または複数の封止対象部材１１は、一例として、１または複数の絶縁基板１１０と、１または複数の半導体素子１１５と、１または複数の導通ポスト１１３と、１または複数のプリント基板１１４とを有する。
［１−１−２（１）．絶縁基板］
各絶縁基板１１０は、例えば封止対象部材１１の底部に配置されている。一例として、各絶縁基板１１０はＺ方向に対して垂直に配置される。また、本実施形態においては、一例として、複数の絶縁基板１１０がＹ方向に並んで設けられている。
絶縁基板１１０は、例えばＤＣＢ(Direct Copper Bonding)基板、ＡＭＢ(Active Metal Blazing)基板等である。絶縁基板１１０には、後述の１または複数のピン１２が立設されてよい。各絶縁基板１１０は、絶縁板１１０２と、絶縁板１１０２の上面に形成された１または複数の導電層１１０４とを有する。各絶縁基板１１０は、絶縁板１１０２の下面に形成された伝熱層１１０８をさらに有してもよい。
絶縁板１１０２は、絶縁性の板状部材であり、例えば窒化アルミニウム、窒化珪素、酸化アルミニウム等の絶縁性セラミックスから構成される板状部材である。絶縁板１１０２は、樹脂絶縁材料またはガラス材料等から構成される板状部材でもよい。絶縁板１１０２は、導電層１１０４および伝熱層１１０８の間を電気的に絶縁している。
導電層１１０４及び伝熱層１１０８は、例えば銅、アルミニウム等の導電性金属を用いてそれぞれ形成されている。このうち導電層１１０４は、半導体素子１１５に接続する配線パターンを含む。伝熱層１１０８は、上面の絶縁板１１０２側からの熱を下面側に逃がす。伝熱層１１０８の下面は封止材１０の底面から露出してよい。
［１−１−２（２）．半導体素子］
各半導体素子１１５は、導電層１１０４上に搭載されている。各半導体素子１１５は、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）またはＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）であってもよいし、ＦＷＤ（フリーホイールダイオード）であってもよい。また、半導体素子１１５は、これらが１つのチップ内で縦方向に形成されて表面及び裏面のそれぞれに電極を有するＲＢ−ＩＧＢＴ（逆阻止ＩＧＢＴ）またはＲＣ−ＩＧＢＴ（逆導通ＩＧＢＴ）であってもよい。
一例として、各半導体素子１１５は、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ等の半導体からなる縦型のスイッチング素子であってよく、表裏面にそれぞれ電極を有してよい。半導体素子１１５が裏面側に電極を有する場合には、裏面側の電極を半田等の接合材により導電層１１０４に接続することで半導体素子１１５が絶縁基板１１０上に固着されてよい。半導体素子１１５が表面側に電極を有する場合には、当該表面側の電極には、後述の導通ポスト１１３が電気的に接続されてよい。
なお、本実施形態に係る半導体モジュール１は３つの半導体素子１１５を備えているが、１つまたは２つの半導体素子１１５が備えられてもよいし、４つ以上の半導体素子１１５が備えられてもよい。複数の半導体素子１１５は、互いに直列に接続されてもよいし、並列に接続されてもよい。同種の複数の半導体素子１１５を並列に接続することで、半導体モジュール１において処理可能な定格出力を増やすことができる。また、複数の半導体素子１１５は、それぞれ別種の素子であってもよい。一例として、複数の１１５は、互いに並列接続されたＩＧＢＴの半導体素子１１５と、ＦＷＤの半導体素子１１５とを有してもよい。
［１−１−２（３）．導通ポスト］
各導通ポスト１１３は、それぞれ、半導体素子１１５と後述のプリント基板１１４との間に設けられている。導通ポスト１１３は、半導体素子１１５およびプリント基板１１４を熱的および電気的に接続するための部材であり、一例として銅、アルミニウム等、電気抵抗が低く熱伝導率が高い金属を用いて円柱状に成形されている。なお、導通ポスト１１３は、その下端を半田等の接合材により半導体素子１１５に接続することで半導体素子１１５の上に立設され、上端を半田、ロウ付け、又はカシメによりプリント基板１１４に電気的に接続される。なお、円柱状の導通ポスト１１３に代えて／加えて、板状のリードフレームやブロック状の導電端子等、他の形状の任意の内部接続部を用いてもよい。
［１−１−２（４）．プリント基板］
各プリント基板１１４は、絶縁基板１１０の上方に絶縁基板１１０と対向して設けられ、半導体素子１１５に電気的に接続される。例えば、プリント基板１１４は、Ｚ方向に対して垂直でよい。また、封止材１０による封止部分の上面と、プリント基板１１４の上面との間の距離は、プリント基板１１４の下面と絶縁基板１１０の上面との間の距離よりも大きくてよい。一例として、プリント基板１１４は、封止材１０の上面と、絶縁基板１１０の上面との間において、絶縁基板１１０により近い側に配置されてよい。このプリント基板１１４は、半導体素子１１５の電極を後述の１または複数のピン１２に接続する。
各プリント基板１１４は、絶縁板１１４２と、絶縁板１１４２の表裏面に形成された導電層１１４４とを有する。絶縁板１１４２は、例えばガラスエポキシ材等から構成されるリジッド基板又はポリイミド材等から構成されるフレキシブル基板を採用することができる。本実施形態における絶縁板１１４２は、可撓性を有するフレキシブル基板であってよい。
絶縁板１１４２には、後述のピン１２を圧入して通すための孔部１１４０が設けられている。導電層１１４４は、銅、アルミニウム等の導電性金属を用いて形成された配線パターンを含む。この配線パターンは、半導体素子１１５の表面の電極に接続する各導通ポスト１１３を、対応するピン１２に電気的に接続する。
なお、プリント基板１１４は、固化前の封止材１０の流れを調整するための調整部材として機能する可撓性の板状部材の一例である。例えば、プリント基板１１４は、プリント基板１１４の絶縁基板１１０とは反対側（例えば上面側）における封止材１０の流れを調整するように機能してよい。このような機能については、詳細を後述する。
［１−１−３．ピン］
各ピン１２は、半導体素子１１５および／またはプリント基板１１４と外部との間を電気的に接続するための端子であり、封止材１０の内部において封止対象部材１１に取り付けられ、封止材１０の内部から延伸して外部に露出する。一例として、各ピン１２はＺ方向と平行に配置されて、Ｘ方向における両側部に並列に設けられている。各ピン１２は、例えば銅、アルミニウム等の導電性金属を用いて円柱状又は四角柱状に成形されてよい。各ピン１２は、板状、ブロック状など、他の形状に形成されてもよい。
本実施の形態においては、一例として、複数のピン１２は、絶縁基板１１０の導電層１１０４に立設された１または複数のピン１２ａと、プリント基板１１４に立設された１または複数のピン１２ｂとを有する。
各ピン１２ａは、絶縁基板１１０の導電層１１０４上に立設されて上方に延び、プリント基板１１４の孔部１１４０に圧入されて、封止材１０の上面の凸部１０５から突出する。ピン１２の下端部は、半田によって導電層１１０４と熱的および電気的に接続されてよい。一例として、ピン１２の下端部は、導電層１１０４に形成された凹部（図示せず）に圧入されていてもよい。
各ピン１２ａは、導電層１１０４を介して半導体素子１１５の電極（例えば裏面側の電極）に接続され、および／または、プリント基板１１４の導電層１１４４及び導通ポスト１１３を介して半導体素子１１５の表面側の電極に接続されてよい。
各ピン１２ｂは、プリント基板１１４に立設されて上方に延び、封止材１０の上面の凸部１０５から突出する。ピン１２の下面は、半田によって導電層１１４４と熱的および電気的に接続されてよい。一例として、ピン１２ｂの下端部は、プリント基板１１４の孔部１１４０に圧入されてもよいし、導電層１１４４に形成された凹部（図示せず）に圧入されてもよい。各ピン１２ｂは、プリント基板１１４の導電層１１４４及び導通ポスト１１３を介して半導体素子１１５の表面側の電極に接続されてよい。
ピン１２ｂの下端部と、孔部１１４０との接触部分は、例えばエポキシ樹脂などで接着されてもよい。これにより、半導体モジュール１から封止材１０が取り除かれた状態でピン１２ｂに対して力が加えられる場合に、絶縁板１１４２からピン１２ｂが抜けてしまうのを防止することができる。ピン１２ａの下端部と、孔部１１４０との接触部分も同様に接着されてよい。
これらのピン１２ａ、１２ｂを含む複数のピン１２は、スイッチング装置としての半導体モジュール１の出力端子、ソース（エミッタ）端子、ドレイン（コレクタ）端子およびゲート（ベース）端子の何れかとして機能してよい。複数のピン１２のうちの１または複数には、図示しないインターフェース部材が電気的に接続されてよい。
インターフェース部材は、外部出力端子と、信号配線用のプリント基板と、電力供給配線用のプリント基板とを有してよい。外部出力端子は、出力端子として機能する１または複数のピン１２に接続されてよく、半導体モジュール１におけるＸ方向の側面部に設けられてよい。信号配線用のプリント基板は、ゲート（ベース）端子として機能する１または複数のピン１２に電気的に接続されてよい。
電力供給配線用のプリント基板は、ドレイン（コレクタ）端子として機能する１または複数のピン１２と電源の正電極とを電気的に接続するＰ側導電板、および、ソース（エミッタ）端子として機能する１または複数のピン１２と電源の負電極とを電気的に接続するＮ側導電板が互いに絶縁されて対向するように積層されたプリント基板を備えてよい。Ｐ側導電板およびＮ側導電板はそれぞれＹ方向に延伸して半導体モジュール１における全てのピン１２を覆ってよく、自身と接続しない１または複数のピン１２との対向位置に、当該ピン１２を通すための切り欠きを有してよい。
ここで、プリント基板１１４の導電層１１４４上に立設されてプリント基板１１４と外部機器とを電気的に接続する１または複数のピン１２ｂは、部分露出部材の一例である。このピン１２ｂは、半導体モジュール１から封止材１０が取り除かれた状態で力を加えることにより、プリント基板１１４を面方向に曲げることができる位置においてプリント基板１１４に取り付けられている。
例えば、ピン１２ｂは、成形時にプリント基板１１４における各位置のうち、封止材１０が流れる方向の下流側および／または上流側により近い位置に取り付けられてよい。一例として、ピン１２ｂは、プリント基板１１４の各位置のうち、成形型内で最も下流側の半導体素子１１５に対向する位置よりも１ｃｍ程度下流側の位置に取り付けられてよい。または、プリント基板１１４の各位置のうち、導電層１１４４の配線パターン内で、ピン１２ｂに対する接続部を除き最も下流側の位置よりも１ｃｍ程度下流側の位置に取り付けられてよい。
好ましくは、ピン１２ｂは、プリント基板１１４の端部１１４１に取り付けられている。これにより、半導体モジュール１から封止材１０が取り除かれた状態、例えば成形前の状態では、ピン１２ｂに対してＺ方向に力を加えることでプリント基板１１４がその法線方向（例えばＺ方向）に曲がり、端部１１４１がＺ方向に移動可能となっている。これにより、プリント基板１１４は固化前の封止材１０の流れを調整するための調整部材として機能する。
以上の半導体モジュール１によれば、封止対象部材１１に含まれるプリント基板１１４がピン１２ｂに取り付けられ、未硬化の封止材１０の流れを調整する。従って、半導体モジュール１を成形する場合に、封止材１０の未硬化樹脂の注入中における第１期間で、ピン１２ｂを最終位置とは異なる位置に保持し、プリント基板１１４により未硬化樹脂の流れを調整することができる。よって、型内の各位置での未硬化樹脂の流速および流入状態を調整することができる。そして、このプリント基板１１４は、封止後の実動作においては、ピン１２ｂとの間で電気信号を伝送する電気回路として機能する。このようにして、簡易な構成によって確実にボイドの発生を防止することができる。なお、ピン１２ｂの最終位置とは半導体モジュール１内でのピン１２ｂの位置である。ピン１２ｂを最終位置とは異なる位置に保持するとは、例えば、ピン１２ｂを当該位置に固定することであってもよいし、当該位置で揺動させることであってもよい。
［１−２．半導体モジュールの製造方法］
図２は、本実施形態に係る半導体モジュール１の製造方法を示すフローチャートである。なお、本実施形態においては、一例として、樹脂の注入方向は図１ＢのＸ方向であり、注入側に近い側（−Ｘ側）が上流側、遠い側（＋Ｘ側）が下流側である。また、一例として、半導体モジュール１におけるプリント基板１１４の上部側の断面積よりも、下部側の断面積の方が小さい。但し、上部側の断面積が下部側の断面積よりも小さくてもよい。
半導体モジュール１を製造するには、まず、封止対象部材１１に１または複数のピン１２を取り付ける（Ｓ１０２）。例えば、プリント基板１１４に立設される１または複数のピン１２ｂを、プリント基板１１４において下流側により近い位置に取り付けてよい。一例として、ピン１２ｂをプリント基板１１４の孔部１１４０に圧入して端部１１４１に取り付けてよい。これにより封止材１０が取り除かれた状態の半導体モジュール１が形成されてよい。なお、ピン１２ｂはプリント基板１１４の上流側の端部、または、上流側および下流側の両方の端部に取り付けてもよい。
次に、１または複数のピン１２が取り付けられた封止対象部材１１を型に入れて封止材１０の未硬化樹脂の注入を開始する（Ｓ１０４）。例えば、封止材１０が取り除かれた状態の半導体モジュール１を成形型に入れてよい。成形型としては、トランスファー成形用の型を用いてよい。
封止対象部材１１を型内に入れるときには、プリント基板１１４の上面と型との間の距離がプリント基板１１４の下面と絶縁基板１１０の上面との間の距離よりも大きくなるように封止対象部材１１を配置してよい。例えば、プリント基板１１４の上部空間での未硬化樹脂の流路の断面積がプリント基板１１４の下部空間、つまりプリント基板１１４と絶縁基板１１０との間の空間での流路の断面積よりも大きくなるように封止対象部材１１を配置してよい。
また、成形型内の各位置のうち、封止材１０が流れる方向の下流側により近い位置に、１または複数のピン１２ｂと、プリント基板１１４の端部１１４１とを配置してよい。また、成形型から１または複数のピン１２ｂが外部に延伸するように封止対象部材１１を配置してよい。また、封止対象部材１１が全体として型内で固定されるように、封止対象部材１１を配置してよい。
封止材１０を型内に注入するときには、成形型の各位置のうち、１または複数のピン１２ｂと、プリント基板１１４とに対してより遠い位置から、封止材１０の未硬化樹脂を注入してよい。例えば、注入された未硬化の封止材１０が型内を下流側に流れつつ１分程度で固化するように、未硬化樹脂および成形型の温度を設定してよい。一例として、エポキシ樹脂を用いる場合には、成形プロセス中でエポキシ樹脂の硬化反応が進まない約１００から１８０℃の金型に対し、粘度約２０Pa・ｓ以下で温度約３０から５０℃の未硬化樹脂を型内に注入してよい。好ましくは、１８０℃の金型に、粘度約２０Pa・ｓの未硬化樹脂を型内に注入する。
次に、封止材１０の注入中における第１期間において、１または複数のピン１２ｂを半導体モジュール１における最終位置とは異なる１または複数の位置に保持することで、当該ピン１２ｂに取り付けられたプリント基板１１４によって封止材１０の流れを調整する（Ｓ１０６）。
ここで、第１期間とは、上述のＳ１０４の処理から後述のＳ１０８の処理までの間で予め設定されてよい。また、ピン１２ｂの最終位置とは、半導体モジュール１内でのピン１２ｂの位置であり、例えば、プリント基板１１４が面方向に曲がっていない状態でのピン１２ｂの位置である。なお、半導体モジュール１の特性が許容範囲内である限りにおいて、プリント基板１１４が曲がった状態でのピン１２ｂの位置を最終位置としてもよい。
このＳ１０６では、例えば、ピン１２ｂに力を加えてプリント基板１１４を面方向に曲げることによりプリント基板１１４を、未硬化樹脂の流れの調整部材として機能させてよい。また、複数のピン１２ｂに力を加えてプリント基板１１４をひねることによりプリント基板１１４を調整部材として機能させてもよい。一例として、ピン１２ｂには、当該ピン１２ｂを押し引きするように正負のＺ方向に力を加えてよい。また、ピン１２ｂを倒すように他の方向に力を加えてもよい。
また、例えば、プリント基板１１４の上面側における封止材１０の流速を調整してよい。一例として、プリント基板１１４の上部空間での未硬化樹脂の流路の断面積が大きくなる、または、小さくなるようにしてよい。好ましくは、プリント基板１１４の上面側における未硬化樹脂の流速を制限してよい。例えば、プリント基板１１４の上流側の端部にピン１２ｂが取り付けられている場合には、ピン１２ｂを上方向に動かすことで、プリント基板１１４の上面側における未硬化樹脂の流速を制限し、プリント基板１１４の下部空間に流入する未硬化樹脂の量を増やすことができる。プリント基板１１４の下流側の端部にピン１２ｂが取り付けられている場合においても、ピン１２ｂを上方向に動かすことで、同様の効果が得られる。
ピン１２ｂの保持位置および第１期間の長さとしては、注入開始後の各タイミングで各ピン１２ｂの位置を様々に設定して複数の半導体モジュール１を試作し、ボイドが無い半導体モジュール１が製造された場合での位置および長さを用いてよい。
また、例えば、型内における少なくとも１箇所での未硬化樹脂の流速および流入状態の少なくとも一方をモニタリングし、その結果に応じて、１または複数のピン１２ｂの位置を、最終位置とは異なる別の位置にさらに変更してもよい。また、モニタリングの結果に応じて、第１期間を終了してもよい。
モニタリングの手法としては、型の１または複数の箇所に１または複数の温度センサ（図示せず）を設けておき、各温度センサが出力する出力信号をモニタリングする手法が挙げられる。温度センサは型の内面から露出して型内の樹脂の温度を直接的に検出してもよいし、型の内部に設けられて型の温度から型内の樹脂の温度を間接的に検出してもよい。この温度センサの出力信号によれば、型内の複数の位置のうち、温度が低下した位置を検出することで、注入された樹脂の到達位置をモニタリングすることができる。また、温度が低下した位置の移動速度を検出することで、未硬化樹脂の流速をモニタリングすることができる。
モニタリングの結果に応じて１または複数のピン１２ｂの位置を変更する手法としては、未硬化樹脂の注入口からの距離が同じ温度センサ間で温度差がある場合には、温度が低い方の温度センサの位置で未硬化樹脂の流速を下げるように１または複数のピン１２ｂの位置を変更する手法が挙げられる。また、複数の温度センサの位置に対し、注入開始後の各タイミングにおける温度の目標値を予め設定しておき、目標値より高温の位置では流速を上げ、目標値より低温の位置では流速を下げるように１または複数のピン１２ｂの位置を変更する手法が挙げられる。複数の温度センサの位置での温度の目標値としては、注入開始後の各タイミングで各ピン１２ｂの位置を様々に設定して複数の半導体モジュール１を試作し、ボイドが無い半導体モジュール１が製造された場合での温度プロファイルを用いてよい。
モニタリングの結果に応じて第１期間を終了する手法としては、未硬化樹脂の注入口からの距離が同じ下流側の温度センサ間で温度の変化タイミングに差がない場合、つまり未硬化樹脂の到達タイミングが同じであると推定される場合に第１期間を終了する手法が挙げられる。
次に、１または複数のピン１２ｂを半導体モジュール１における最終位置に配置する（Ｓ１０８）。例えば、プリント基板１１４を曲がっていない状態に戻す。ピン１２ｂに力を加えてピン１２ｂを最終位置に配置してもよい。このＳ１０８の処理は、未硬化樹脂の注入完了の直前に行ってもよい。なお、Ｓ１０８の処理を行わずに、Ｓ１０６でのピン１２ｂに対する保持を解除して、樹脂の圧力によってピン１２ｂおよびプリント基板１１４を最終位置に配置させてもよい。
そして、注入を完了して型内の未硬化樹脂を固化させる（Ｓ１１０）。これにより、半導体モジュール１が製造される。
以上の製造方法によれば、封止材１０の未硬化樹脂の注入中における第１期間で、ピン１２ｂを最終位置とは異なる位置に保持してプリント基板１１４により未硬化樹脂の流れを調整した後に、ピン１２ｂを最終位置に配置するので、型内の各位置での未硬化樹脂の流速および流入状態を調整することができる。従って、金型への可動機構の追加等なく、簡易な構成によって確実にボイドの発生を防止することができる。
［１−３．ピンの位置と未硬化樹脂の流速との関係］
図３Ａ〜図３Ｃは、封止材１０の未硬化樹脂が型１０００に注入されているときの、ピン１２ｂの位置と未硬化樹脂の流速との関係を示す図である。より具体的には、図３Ａは、第１期間においてピン１２ｂを最終位置に保持したとき（例えばピン１２ｂに力を加えないとき）の未硬化樹脂の流速を示す図である。図３Ｂは、第１期間においてピン１２ｂを最終位置よりも上の位置に保持したときの未硬化樹脂の流速を示す図である。図３Ｃは、第１期間においてピン１２ｂを最終位置よりも上の位置に保持したときの未硬化樹脂の流速を示す図である。なお、図３Ａ〜図３Ｃでは、段部１０１、孔部１０２、凹部１０３および凸部１０５を成形するための型部分の図示を省略している。
図３Ａに示すように、第１期間においてピン１２ｂを最終位置に保持したときには、プリント基板１１４の上部空間での未硬化樹脂の流速の方が、プリント基板１１４の下部空間での未硬化樹脂の流速よりも大きくなる（網掛けの矢印参照）。そのため、下部空間を流れる未硬化樹脂と、上部空間を流れて型１０００の下流側の端部から下部空間に回り込む未硬化樹脂とが、下部空間に位置する下流側の半導体素子１１５の近傍で合流してウェルドラインを形成する。ウェルドラインには、ボイドなどの欠点が含まれやすい。
このようにして製造された半導体モジュールは本実施形態に係る半導体モジュール１の比較例である。この半導体モジュールでは、エックス線透過観察法によって観察を行うと、半導体素子１１５の周囲にボイドが約５０％発生していた。
また、図３Ｂに示すように、第１期間においてピン１２ｂを最終位置よりも上の位置に保持したときには、プリント基板１１４の上部空間での未硬化樹脂の流速と、プリント基板１１４の下部空間での未硬化樹脂の流速とが同程度となる（網掛けの矢印参照）。そのため、下部空間を流れる未硬化樹脂と、上部空間を流れる未硬化樹脂とが、封止対象部材１１よりも型１０００の下流側で合流してウェルドラインを形成する。
このようにして製造された半導体モジュールは、本実施形態に係る半導体モジュール１の実施例である。この半導体モジュール１では、エックス線透過観察法によって観察を行うと、半導体モジュール１内にボイドが０％発生していた。
また、図３Ｃに示すように、第１期間においてピン１２ｂを最終位置よりも下の位置に保持したときには、プリント基板１１４の上部空間での未硬化樹脂の流速の方が、プリント基板１１４の下部空間での未硬化樹脂の流速よりも著しく大きくなる（網掛けの矢印参照）。そのため、下部空間を流れる未硬化樹脂と、上部空間を流れて型１０００の下流側の端部から下部空間に回り込む未硬化樹脂とが、下部空間に位置する半導体素子１１５等の近傍で合流してウェルドラインを形成する。
このようにして製造された半導体モジュールは、本実施形態に係る半導体モジュール１の比較例としてもよい。この半導体モジュールでは、エックス線透過観察法によって観察を行うと、プリント基板１１４の下部および半導体素子１１５の周囲にボイドが１００％発生していた。
［２．第２実施形態］
［２−１．半導体モジュールの概要］
図４は、図１Ａの基準線ＢＢに関する半導体モジュール１Ａの断面構成を示す図である。この図に示すように、本実施形態に係る半導体モジュール１Ａは、ピン１２の少なくとも一部として１または複数のピン１２ｃを、封止対象部材１１の代わりに１または複数の封止対象部材１１Ａを備えている。半導体モジュール１Ａは、第１実施形態における１または複数のピン１２ｂと、１または複数のピン１２ｃとを備えてもよい。
１または複数のピン１２ｃは、棒状部材の一例である。このピン１２ｃは、円柱状となっており、封止材１０が取り除かれた状態で、板状部材の一例としての絶縁基板１１０および／またはプリント基板１１４に対し、電気的に接続され、かつ回転可能に取り付けられる。
例えば、ピン１２ｃの下端部は、絶縁基板１１０の導電層１１０４に形成された凹部（図示せず）またはプリント基板１１４の孔部１１４０に圧入されている。また、ピン１２ｃの側周面のうち、少なくとも絶縁板１１４２との当接領域と、孔部１１４０の内周面とのうち少なくとも一方には、絶縁板１１４２よりも靱性に優れた材料によってコーディングが行われてよい。これにより、半導体モジュール１から封止材１０が取り除かれた状態でピン１２ｃが絶縁板１１４２に対して回転する場合に、絶縁板１１４２が破損してしまうのを防止することができる。
例えば、ピン１２ｃの側周面にコーティングが行われる場合には、導電性で、かつ、熱伝導率が高い材料でコーティングされてよい。一例として、ピン１２ｃの側周面には、ピン１２ｃと同種の金属によりメッキが施されてよいし、ピン１２ｃとは異なる金属（例えば半田）によるメッキが施されてもよい。
また、孔部１１４０の内周面にコーティングが行われる場合には、絶縁性で、かつ、熱伝導率が高い材料でコーティングされてよい。一例として、孔部１１４０の内周面には、樹脂によってコーティングが施されてよい。
１または複数の封止対象部材１１Ａは、１または複数のピン１２ｃに取り付けられた、固化前の封止材１０の流れを調整するための１または複数の調整部材１１２を有する。調整部材１１２は、半導体モジュール１から封止材１０が取り除かれた状態において、ピン１２ｃの軸回転に応じて回転可能であってよい。調整部材１１２は、プリント基板１１４の絶縁基板１１０とは反対側（例えば上面側）における封止材１０の流れを調整するように機能してよい。一例として、調整部材１１２は、プリント基板１１４よりも上方に位置してよく、プリント基板１１４の近くに位置することが好ましい。
なお、各ピン１２ｃに対して１つの調整部材１１２が取り付けられてもよいし、複数の調整部材１１２が取り付けられてもよい。また、複数のピン１２ｃのうち、何れかのピン１２ｃのみに調整部材１１２が取り付けられてもよい。
図５は、調整部材１１２を示す斜視図である。調整部材１１２は、ピン１２ｃの回転に伴って向きが変わる板状であってよい。例えば、調整部材１１２は、Ｚ方向と垂直な断面形状が、回転中心を通る直線の方向によって長さが異なる形状であってよく、一例として、端部に回転中心が設けられた楕円形状となっている。なお、封止材１０の未硬化樹脂が固化した後の応力集中を避ける観点からは、調整部材１１２は、角部が面取りされていることが好ましい。
また、調整部材１１２は、成形時に封止材１０の未硬化樹脂を一部通すための少なくとも１つの開孔１１２０を側周面に有してよい。例えば、開孔１１２０は、調整部材１１２が未硬化樹脂の流れ方向に対して直交または略直交するときに未硬化樹脂を通してよい。この場合には、調整部材１１２に対して下流側に隣接する領域に樹脂を流すことができるため、ボイドの発生を防止することができる。
また、調整部材１１２は、ピン１２ｃと一体に形成されてよい。例えば、調整部材１１２は、ピン１２ｃの金属材料によってピン１２ｃと一体成形されてよい。
また、調整部材１１２は、封止材１０と同一材料により形成されてもよい。例えば、調整部材１１２は、ピン１２ｃを型内に配置して封止材１０と同一材料で調整部材１１２を成形するインサート成形法を用いて形成されてもよい。
［２−２．半導体モジュールの製造方法］
半導体モジュール１Ａは、図２に関連して示した上述の半導体モジュール１と同様の製造方法によって製造される。
但し、半導体モジュール１Ａを製造するには、Ｓ１０２の処理において、封止対象部材１１Ａにおける絶縁基板１１０および／またはプリント基板１１４に対して１または複数のピン１２ｃを回転可能に取り付ける。ピン１２ｃは未硬化樹脂の流れに対する下流側に設けられてもよいし、上流側に設けられてもよいし、上流側および下流側にそれぞれ設けられてもよい。絶縁基板１１０および／またはプリント基板１１４に対して、回転不能な１または複数のピン１２をさらに取り付けてもよい。
また、封止部分において調整部材１１２が位置する深さが複数のピン１２ｃの間で互いに異なるように、各調整部材１１２を配置してよい。例えば、封止材１０の未硬化樹脂が流れる方向の上流側ほど調整部材１１２の位置を高くし、下流側ほど調整部材１１２の位置を低くしてプリント基板１１４の近くに配置してよい。逆に、上流側ほど調整部材１１２の位置を低くしてプリント基板１１４の近くに配置し、下流側ほど調整部材１１２の位置を高くしてもよい。
所望の深さに配置される調整部材１１２が設けられたピン１２ｃを用意するには、例えば、予め同形状の複数のピン１２ｃの異なる位置にそれぞれ調整部材１１２を設けておき、所望の位置に調整部材１１２が設けられたピン１２ｃを選択してもよい。また、長尺なピン１２ｃの中途部に調整部材１１２を設けておき、ピン１２ｃの両端をカットすることで、所望の位置に調整部材１１２が設けられたピン１２ｃを形成してもよい。また、ピン１２ｃに対して調整部材１１２を摺動可能に設けておき、調整部材１１２を所望の位置に移動させてもよい。
また、Ｓ１０６の処理では、封止材１０の注入中における第１期間において、各ピン１２ｃを回転方向における最終回転位置とは異なる回転位置で保持してよい。これにより、調整部材１１２が最終回転位置とは異なる回転位置で保持される結果、封止材１０の流れが調整される。
ここで、ピン１２ｃの最終の回転位置とは、例えば半導体モジュール１内でのピン１２ｃの回転位置であり、一例として、調整部材１１２が未硬化樹脂の流れ方向に沿った状態でのピン１２ｃの回転位置である。ピン１２ｃを最終の回転位置とは異なる回転位置に保持するとは、例えば、ピン１２ｃを当該回転位置に固定することであってもよいし、当該回転位置で揺動させることであってもよい。
このＳ１０６では、例えば、プリント基板１１４の上面側における封止材１０の流速を調整してよい。一例として、プリント基板１１４の上部空間での未硬化樹脂の流路の断面積が大きくなる、または、小さくなるようにしてよい。好ましくは、プリント基板１１４の上面側における未硬化樹脂の流速を制限してよい。
ピン１２ｃの保持される回転位置および第１期間の長さとしては、注入開始後の各タイミングで各ピン１２ｃの回転位置を様々に設定して複数の半導体モジュール１を試作し、ボイドが無い半導体モジュール１が製造された場合での回転位置および長さを用いてよい。
また、例えば、型内における少なくとも１箇所での未硬化樹脂の流速および流入状態の少なくとも一方を第１実施形態と同様にモニタリングし、その結果に応じて、１または複数のピン１２ｃの回転位置を、最終回転位置とは異なる別の位置にさらに変更してもよい。また、モニタリングの結果に応じて、第１期間を終了してもよい。
モニタリングの結果に応じて１または複数のピン１２ｃの回転位置を変更する手法としては、未硬化樹脂の注入口からの距離が同じ温度センサ間で温度差がある場合に、温度が低い方の温度センサの位置で未硬化樹脂の流速を下げるように１または複数のピン１２ｃの回転位置を変更する手法が挙げられる。また、複数の温度センサの位置に対し、注入開始後の各タイミングにおける温度の目標値を予め設定しておき、目標値より高温の位置では流速を上げ、目標値より低温の位置では流速を下げるように１または複数のピン１２ｃの回転位置を変更する手法が挙げられる。複数の温度センサの位置での温度の目標値としては、注入開始後の各タイミングで各ピン１２ｃの回転位置を様々に設定して複数の半導体モジュール１を試作し、ボイドが無い半導体モジュール１が製造された場合での温度プロファイルを用いてよい。
また、Ｓ１０８の処理では、ピン１２ｃを最終の回転位置に回転させてよい。ピン１２ｃに力を加えてピン１２ｃを最終の回転位置に配置してもよいし、Ｓ１０６でのピン１２ｃに対する保持を解除することでピン１２ｃを最終の回転位置に配置してもよい。
以上の製造方法によっても、型内の各位置での未硬化樹脂の流速および流入状態を調整することができるため、簡易な構成によって確実にボイドの発生を防止することができる。
［２−３．調整部材の変形例］
図６Ａ〜図６Ｄは、変形例における調整部材１１２の断面形状を示す図である。この図に示すように、調整部材１１２のＺ方向と垂直な断面形状は、回転中心を通る直線の方向によって長さが異なる限りにおいて、多様な形状とすることができる。
例えば、調整部材１１２のＺ方向と垂直な断面形状は、図６Ａに示すように、部分円状であってもよいし、図６Ｂ、図６Ｃに示すように、３角形などの多角形状であってもよい。ここで、調整部材１１２の回転中心は、図６Ａ、図６Ｂに示すように、中心から外れた位置にあってもよいし、図６Ｃに示すように、断面形状の中心位置にあってもよい。回転中心が断面形状の中心から外れた位置にある場合には、未硬化樹脂の流れの調整度合いが大きくなる。
また、調整部材１１２の断面形状は、図６Ａ、図６Ｂに示すように、回転中心から離れるに従って幅が広くなってよい。この場合には、調整部材１１２の側面のうち、長尺な側面を未硬化樹脂の流れに対向させて流れを制限するときに、当該側面よりも下流側の空間が調整部材１１２自体で充填された状態となる。例えば、回転中心からの距離によらず幅が一定の板状の調整部材１１２では、その長尺な側面を流れに対向させると、調整部材１１２よりも下流側に、樹脂が流れ込みにくい領域が生じる。これに対し、例えば図６Ｂに示す調整部材１１２では、このように樹脂が流れ込みにくい領域が、調整部材１１２自体によって満たされる。そのため、調整部材１１２の下流側にボイドが生じるのが防止される。
また、調整部材１１２のＺ方向と垂直な断面形状は、図６Ｄに示すように、部分円状および多角形とは異なる任意の形状としてもよい。また、調整部材１１２の断面形状は、回転中心を通る如何なる直線に対しても非対称であってよい。
［３．第１、第２実施形態の変形例］
上記第１、第２の実施形態では、モールド製品を半導体モジュール１として説明したが、例えば半導体素子を含まないモールド製品、電気回路を含まないモールド製品、端子等がインサート成形された製品（樹脂ケース等）、プラモデル製品など、任意のモールド製品としてよい。
また、封止対象部材１１に取り付けられ外部に露出する部分露出部材を、半導体素子１１５および／またはプリント基板１１４と外部機器とを電気的に接続するピン１２ｂとして説明したが、他の機能を有する部材としてもよい。
また、上記第１の実施形態では、調整部材をプリント基板１１４として説明したが、これに加えて／代えて、封止材１０が取り除かれた状態でピン１２に力を加えることで上下に曲がる可撓性の板状部材を調整部材としてもよい。このような板状部材は、絶縁基板１１０であってもよいし、プリント基板１１４に貼り付けられてピン１２が立設された他の板状部材としてもよい。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
１ 半導体モジュール、１Ａ 半導体モジュール、１０ 封止材、１１ 封止対象部材、１１Ａ 封止対象部材、１２ ピン、１２ａ ピン、１２ｂ ピン、１２ｃ ピン、１０１ 段部、１０２ 孔部、１０３ 凹部、１０５ 凸部、１１０ 絶縁基板、１１２ 調整部材、１１３ 導通ポスト、１１４ プリント基板、１１５ 半導体素子、１０００ 型、１１０２ 絶縁板、１１０４ 導電層、１１０８ 伝熱層、１１２０ 開孔、１１４０ 孔部、１１４１ 端部、１１４２ 絶縁板、１１４４ 導電層

Claims (28)

  1. モールド製品の製造方法であって、
    前記モールド製品において封止部分の内部から延伸して外部に露出するべき部分露出部材を、前記モールド製品における封止部分の内部に封止されるべき封止対象部材に取り付ける取付段階と、
    前記部分露出部材が取り付けられた前記封止対象部材を型に入れて封止材を注入する注入段階と、
    前記封止材の注入中における第１期間において、前記部分露出部材を前記モールド製品における最終の位置とは異なる位置に保持して前記部分露出部材に取り付けられた調整部材により前記封止材の流れを調整する調整段階と、
    前記第１期間の後に、前記封止材を固化させる段階と、
    を備える製造方法。
  2. 前記封止対象部材は、可撓性を有する板状部材を有し、
    前記取付段階は、前記板状部材に前記部分露出部材を取り付け、
    前記調整段階は、前記部分露出部材に力を加えて前記板状部材を面方向に曲げることにより前記板状部材を前記調整部材として機能させる、
    請求項１に記載の製造方法。
  3. 前記取付段階は、前記板状部材に複数の前記部分露出部材を取り付け、
    前記調整段階は、複数の前記部分露出部材に力を加えて前記板状部材をひねることにより前記板状部材を前記調整部材として機能させる
    請求項２に記載の製造方法。
  4. 前記部分露出部材は、前記板状部材における前記封止材が流れる方向の下流側により近い位置に取り付けられる請求項２または３に記載の製造方法。
  5. 前記板状部材は、プリント基板であり、
    前記部分露出部材は、前記プリント基板と前記モールド製品の外部機器とを電気的に接続するためのピンである
    請求項２から４のいずれか一項に記載の製造方法。
  6. 前記部分露出部材は、棒状部材を有し
    前記封止対象部材は、前記棒状部材に取り付けられて前記棒状部材の軸回転に応じて回転する前記調整部材を有し、
    前記調整段階は、前記棒状部材を回転方向における最終の回転位置とは異なる回転位置で保持する、
    請求項１に記載の製造方法。
  7. 前記調整部材は、前記棒状部材の回転に伴って向きが変わる板状である請求項６に記載の製造方法。
  8. 前記調整部材は、前記棒状部材の長さ方向と垂直の断面形状が、回転中心を通る直線の方向によって長さが異なる形状である請求項６に記載の製造方法。
  9. 前記調整部材は、前記封止材を一部通すための少なくとも１つの開孔を有する請求項６から８のいずれか一項に記載の製造方法。
  10. 前記調整部材は、前記棒状部材と一体に形成される請求項６から９のいずれか一項に記載の製造方法。
  11. 前記調整部材は、前記封止材と同一材料により形成される請求項６から１０のいずれか一項に記載の製造方法。
  12. 前記取付段階は、前記封止対象部材に複数の前記棒状部材を取り付け、
    前記複数の棒状部材は、前記封止部分において前記調整部材が位置する深さが互いに異なる請求項６から１１のいずれか一項に記載の製造方法。
  13. 前記封止対象部材は、板状部材を有し、
    前記取付段階は、前記板状部材に対して前記棒状部材を回転可能に取り付ける
    請求項６から１２のいずれか一項に記載の製造方法。
  14. 前記板状部材は、プリント基板であり、
    前記棒状部材は、前記プリント基板と外部機器とを電気的に接続するためのピンである
    請求項１３に記載の製造方法。
  15. 前記封止対象部材は、上面に導電層が形成された絶縁板を有する絶縁基板と、前記導電層上に搭載された半導体素子とを更に備え、
    前記プリント基板は、前記絶縁基板の上方に前記絶縁基板と対向して設けられ、前記半導体素子に電気的に接続され、
    前記調整段階は、前記プリント基板の前記絶縁基板とは反対側における前記封止材の流速を調整する
    請求項５または１４に記載の製造方法。
  16. 前記プリント基板の上面と型の間の距離は、前記プリント基板の下面と前記絶縁基板の上面との間の距離よりも大きく、
    前記調整段階は、前記プリント基板の前記上面側における前記封止材の流速を制限する
    請求項１５に記載の製造方法。
  17. 前記調整段階は、
    前記型内における少なくとも１箇所における前記封止材の流速および流入状態の少なくとも一方をモニタリングし、
    前記モニタリングの結果に応じて、前記部分露出部材の位置を変更する
    請求項１から１６のいずれか一項に記載の製造方法。
  18. 前記調整段階は、前記型の少なくとも１箇所に設けた少なくとも１つの温度センサが出力する出力信号をモニタリングする請求項１７に記載の製造方法。
  19. 前記第１期間の後に、前記部分露出部材を前記モールド製品における最終の位置に配置する位置変更段階を備える請求項１から１８のいずれか一項に記載の製造方法。
  20. 封止材と、
    前記封止材の内部に封止される封止対象部材と、
    前記封止材の内部において前記封止対象部材に取り付けられ、前記封止材の内部から延伸して外部に露出する部分露出部材と、
    を備え、
    前記封止対象部材は、前記部分露出部材に取り付けられた、固化前の前記封止材の流れを調整するための調整部材を有する
    モールド製品。
  21. 前記封止対象部材は、前記調整部材として機能する、可撓性を有する板状部材を有し、
    前記部分露出部材は、前記封止材が取り除かれた状態で力を加えることにより、前記板状部材を面方向に曲げることができる位置において前記板状部材に取り付けられる請求項２０に記載のモールド製品。
  22. 前記板状部材は、プリント基板であり、
    前記部分露出部材は、前記プリント基板と外部機器とを電気的に接続するためのピンである
    請求項２１に記載のモールド製品。
  23. 前記部分露出部材は、棒状部材を有し、
    前記封止対象部材は、前記棒状部材に取り付けられて、前記封止材が取り除かれた状態で前記棒状部材の軸回転に応じて回転可能な前記調整部材を有する
    請求項２０に記載のモールド製品。
  24. 前記封止対象部材は、板状部材を更に有し、
    前記部分露出部材は、前記封止材が取り除かれた状態で前記板状部材に対して回転可能に前記板状部材に取り付けられる
    請求項２３に記載のモールド製品。
  25. 前記板状部材は、プリント基板であり、
    前記棒状部材は、前記プリント基板と外部機器とを電気的に接続するためのピンである
    請求項２４に記載のモールド製品。
  26. 前記封止対象部材は、上面に導電層が形成された絶縁板を有する絶縁基板と、前記導電層上に搭載された半導体素子とを更に備え、
    前記プリント基板は、前記絶縁基板の上方に前記絶縁基板と対向して設けられ、前記半導体素子に電気的に接続され、
    前記調整部材は、前記プリント基板の前記絶縁基板とは反対側における前記封止材の流れを調整するためのものである
    請求項２２または２５に記載のモールド製品。
  27. 当該モールド製品における封止材による封止部分の上面と前記プリント基板の上面との間の距離は、前記プリント基板の下面と前記絶縁基板の上面との間の距離よりも大きく、
    前記調整部材は、前記プリント基板の前記上面側における前記封止材の流速を制限するものである
    請求項２６に記載のモールド製品。
  28. 前記封止材は、前記部分露出部材を前記モールド製品における最終の位置とは異なる位置に保持して前記調整部材により前記封止材の流れを調整して注入されて固化される請求項２０から２７のいずれか一項に記載のモールド製品。
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