JP2017168851A - 発光素子ユニット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】配線基板31と、配線基板上に設けられた発光素子チップ33と、配線基板上であって、且つ発光素子チップの周辺に設けられる微小光共振器43と、発光素子チップ及び微小光共振器を覆う蛍光体層35と、を有する発光素子ユニットである。また、着色層を有する表示パネルと、バックライトモジュールに上記発光素子ユニットを有する表示装置である。
【選択図】図1
Description
びに当該バックライトを有する表示装置に関する。
管は、消費電力が大きいため、近年、冷陰極管の代わりに、消費電力が少ない発光ダイオ
ード(LED(Light Emitting Diode))ユニットが使用され始め
ている(特許文献1参照。)。
を励起させて黄色光とし、当該黄色光及び青色光の混色により白色を発光させる発光ダイ
オードが用いられている。
光ダイオード、及び緑色光を発光するダイオードから発光する光を混合し、白色光を発光
させるバックライトがある。
する光の発光スペクトルは、青色を示す波長450nmで高い発光強度を有し、緑色を示
す波長550nmではピークを有するものの、青色を示す波長450nmのピークと比較
すると強度は低い。さらに、赤色を示す波長700nmではピークを有さず、強度も低い
。
白色光がカラーフィルタを透過しても、透過した光は、緑色光及び赤色光の色純度が低い
。このため、表示装置から射出される光の色純度が低下してしまい、色再現性が低下して
しまう問題がある。
イオード、及び緑色光を発光するダイオードを用い、白色光を発光させると、部品数が増
加してしまい、コストが増大してしまう。
能な発光素子ユニット、及びバックライトを提供することを課題とする。また、本発明の
一形態は、色純度が高く、色再現性の高い表示装置を提供することを課題とする。
であって、且つ発光素子チップの周辺に設けられる微小光共振器と、発光素子チップ及び
微小光共振器を覆う蛍光体層と、を有する発光素子ユニットである。なお、発光素子ユニ
ットにおいて、上記蛍光体層を覆う凸状の透光性を有する有機樹脂層を有してもよい。
に設けられる透光性を有する層とを有する。また、反射層及び半透過型反射層は、ある波
長が反射し干渉することで、ピーク強度が高まる間隔で設けられる。このため、発光素子
チップから射出され、蛍光体層で反射した白色光は、微小光共振器で反射し干渉すること
で、ある波長の光となって射出される。このため、本発明の一形態の発光素子ユニットは
、ある波長のピーク強度が高められた白色光を射出することができる。当該白色光は、上
記ピークを有する色の着色層を透過すると、色純度の高い色となる。
発光素子ユニットを有する表示装置である。着色層を有する表示パネルとしては、液晶パ
ネル、第1の基板上に設けられる開口部と、当該開口部上を横に移動するMEMSと、当
該開口部に対応する着色層が設けられた第2の基板とを有する表示パネル等がある。
ピークを有する白色光が発光されるため、表示パネルの着色層を透過する光は、色純度が
高い。このため、表示装置の色再現性を高めることができる。
ィルタを透過する光の色純度を高めることが可能な発光素子ユニット、及びバックライト
を提供することができる。また、本発明の一形態は、色純度が高く、色再現性の高い表示
装置を提供することができる。
説明に限定されるものではない。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形
態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解されるからである。し
たがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容のみに限定して解釈されるものでは
ない。なお、図面を用いて本発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異な
る図面間でも共通して用いる。
本実施の形態では、消費電力を低減することが可能な、LEDユニット及びバックライト
について、図1及び図2を用いて説明する。
プ33という。)と、LEDチップ33上に設けられた蛍光体層35と、配線基板31及
び蛍光体層35を覆う凸状の透光性を有する有機樹脂層37を有する。また、LEDチッ
プ33の電極は、それぞれ配線基板31の側壁に設けられた端子41a、41bとワイヤ
ー39a、39bを介して、電気的に接続されている。
有機樹脂層37を除いた上面図を示す。図1(B)に示すように、LEDチップ33の周
辺に微小光共振器43を有することを特徴とする。微小光共振器43は、白色光を任意の
波長を有する着色光へと変化させることができる素子である。
基板、窒化アルミニウム基板等を用いる。
光ダイオードとしては、III族窒化物系化合物半導体からなるダイオードが代表的であ
り、一例としてはInxAlyGa1−x−yN(xは0以上1以下、yは0以上1以下
、x+yは0以上1以下)の式で表されるGaN系を有するダイオードがある。
体が混合された有機樹脂層がある。黄色の蛍光体の代表例としては、YAG(イットリウ
ムアルミニウムガーネット)系蛍光体、珪酸塩系蛍光体等がある。
、蛍光体層35として、青色の補色である黄色の蛍光体を有する蛍光体層を用いて説明し
たが、この代わりに、LEDチップ33として緑色光の発光が可能なLEDチップを用い
、蛍光体層35として、緑色の補色である色(赤色またはマゼンタ色)の蛍光体を有する
蛍光体層を用いてもよい。
る。また、緑色光は発光スペクトルにおいて、490nm乃至550nmに最大ピークを
有する。また、黄色光は発光スペクトルにおいて、550nm乃至590nmに最大ピー
クを有する。また、赤色光は発光スペクトルにおいて、640nm乃至770nmに最大
ピークを有する。
の種類には特に限定はなく、代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の紫外線硬化
性樹脂、可視光硬化性樹脂などを適宜用いることができる。上記透光性を有する有機樹脂
を所望の形の光が射出されるように、高さ、幅、曲率半径を決めて形成する。液滴吐出法
、塗布法また、インプリント法などを用いて形成してもよい。あらかじめ凸状に型取られ
た有機樹脂を加熱しながら押し固めてもよい。凸状の透光性を有する有機樹脂層37は、
LEDチップ33で発光した光を拡散させる機能を有する。
光共振器43の全てを覆うことで、微小光共振器43において反射電極及び半透過型反射
電極の間で全反射した光が、蛍光体層35及び凸状の透光性を有する有機樹脂層37の界
面で反射または屈折するため、微小光共振器43に入射した光を効率よく利用することが
できる。
属の細線である。
、銀、白金、または金から選ばれた一元素、または該元素を50%以上含む合金材料で形
成される。端子41a、41bと、LEDチップ33の電極とは、熱圧着法または超音波
ボンディング法を用いたワイヤーボンディング法により接続されている。
と、反射層49上に設けられた透光性を有する層51と、透光性を有する層51上に設け
られた半透過型反射層53とを有する。また、反射層49、透光性を有する層51、及び
半透過型反射層53の表面に保護層55を設けてもよい。
層49と、反射層49上に設けられた透光性を有する層51と、反射層49及び透光性を
有する層51上に設けられた半透過型反射層54とを有してもよい。図2(A−2)のよ
うに、透光性を有する層51の側壁に半透過型反射層54を設けることで、透光性を有す
る層51の上下で全反射した光が透光性を有する層51の側面でも全反射されるため、微
小光共振器43に入射した光を効率よく利用することができる。
ましくは80%以上の反射率を有する。反射率の高い金属材料としては、アルミニウム、
銀、モリブデン、タングステン、ニッケル、クロム、及びこれらの合金、並びにAgPd
Cu合金等がある。また、反射層49として、屈折率の異なる2種類の透明な絶縁層を交
互に積層した誘電体多層構造を用いてもよい。このとき2種類の透明な絶縁層の屈折率が
大きいほど、また層数が多いほど反射効率は高くなる。誘電体多層構造の積層構造として
は、二酸化チタン及び酸化シリコンの積層構造、硫化亜鉛及びフッ化マグネシウムの積層
構造、アモルファスシリコン及び窒化シリコンの積層構造などがある。
反射率を有する。半透過型反射層53としては、銀、アルミニウム、アルミニウム合金、
マグネシウム−銀合金等を用いて形成することができる。なお、上記反射率を実現するた
め、半透過型反射層53の厚さは、5nm以上20nm以下、より好ましくは7nm以上
15nm以下とする。
光性を有する絶縁層の代表例としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、アルミナ、窒
化アルミニウム、エポキシ樹脂等がある。また、透光性を有する導電層としては、酸化タ
ングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸
化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫
酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等が
ある。なお、透光性を有する層51は、複数の層が積層されてもよい。
トの構造について、図2(B)を用いて説明する。図2(B)は、図1(A)のLEDチ
ップ33及び微小光共振器43を覆う蛍光体層35の拡大図である。
、ある波長の強度が高まり、鋭いピークを有する発光スペクトルとなる。このような構造
を微小光共振器構造(マイクロキャビティ構造)という。LEDチップ33から射出され
、蛍光体層35の特定の位置、蛍光体層35と凸状の透光性を有する有機樹脂層37との
界面、凸状の透光性を有する有機樹脂層37と空気との界面等で反射された白色光Wが、
微小光共振器43に入射されると、反射層49及び半透過型反射層53の間で反射し干渉
して、ある波長の光Gが微小光共振器43から射出する。このため、LEDユニット30
からは、任意の波長において鋭いピークを有する発光スペクトルの白色光が射出される。
反射層53の間の光路長Lを、波長に合わせて設定すればよい。このときの光路長Lにつ
いて、以下に説明する。
過型反射層53へ戻った光との干渉は、数式1のようになる。
で、微小光共振器43から、波長λの強度を高めた光を射出することができる。
なお、nは、透光性を有する層51の屈折率を示す。
、n2、・・・、nnとし、それぞれの層において、式4で求められる光路長をl1、l
2、・・・、lnとすると、光路長Lは、l1、l2、・・・、lnの和となる。
6は、微小光共振器43を有さないLEDユニットが発光する光の発光スペクトルである
。青色を示す450nm近傍の波長で急峻なピークを有するが、緑色光を示す550nm
近傍及び赤色光のスペクトルを示す700nm近傍のスペクトル強度は低い。このため、
当該白色光が赤色の着色層及び緑色の着色層を透過しても、色純度が低くなってしまう。
ットの、発光スペクトルを曲線56rに示す。また、光路長Lを緑色光の強度が高まる距
離とした微小光共振器43を有するLEDユニットの、発光スペクトルを曲線56gに示
す。また、光路長Lを青色光の強度が高まる距離とした微小光共振器43を有するLED
ユニットの、発光スペクトルを曲線56bに示す。
m近傍においても、急峻なピークを有する。
m近傍においても、急峻なピークを有する。
強度のピークを有する。
る微小光共振器を設けることで、LEDユニット30から射出される光において、従来の
発光色を射出するLEDユニットより、任意の波長の強度を高めることができる。このた
め、当該光が、任意の波長において強度を高めた色を透過する着色層を透過すると、従来
よりも透過光の色純度が高まる。例えば、赤色光の強度が高い白色光が、赤色の着色層を
透過すると、従来よりも赤色の色純度が高まる。
Dユニットから発光する白色光は、十分青色を示すピーク強度が高いため、青色を示す波
長を高める微小光共振器を設けなくともよい。同様に、LEDチップが赤色光または緑色
光を発光する場合はそれぞれ、赤色または緑色を示す波長を高める微小光共振器を設けな
くともよい。
3乃至図5を用いて説明する。
ット30が直列に接続されて、配置されている。また、LEDユニット30の周辺には、
反射シート61が設けられている。なお、図示しないが、LEDユニット30は、コネク
タおよび配線によって、制御回路基板と電気的に接続されている。ここでは、制御回路基
板は、バックライトモジュール40の裏側に配置する。
に示す破線50のLEDユニットを用いて説明する。
するLEDユニット60r、少なくとも緑色波長のピークを有する白色光を発光するLE
Dユニット60g、少なくとも青色波長のピークを有する白色光を発光するLEDユニッ
ト60bを有する。LEDユニット60r、60g、60bはそれぞれ、配線57と導電
性ペースト59で接続されている。基板58及び配線57の露出部上には、反射シート6
1が設けられる。
に限定はない。基板58の代表例としては、ガラス基板、プラスチック基板、ガラスエポ
キシ樹脂基板、ポリイミド基板、セラミック基板、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板
、プリント基板等がある。あらかじめ、印刷法などで配線が形成されたバックライトモジ
ュール40用のプリント基板を用意すれば、後述する配線57を、蒸着法、スパッタリン
グ法、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン印刷、オフセット印刷等)、または塗
布法などで成膜する必要がないので、歩留まりよく作製することができる。ここでは、基
板58として、ガラスエポキシ樹脂基板を用いる。
たは該元素を50%以上含む合金材料で形成される。配線57は、蒸着法、インクジェッ
ト法、印刷法等を用いて形成する。
亜鉛等を複数含む合金で形成される。
ニット60r、60b、60gを実装する。代表的には、基板58上に形成される配線5
7上に導電性ペーストをスクリーン印刷やディスペンスにより塗布し、その上にLEDユ
ニット60r、60b、60gをマウンタにより装着する。その後、250〜350℃に
加熱して、導電性ペーストを加熱溶融し、LEDユニット60r、60b、60gの端子
及び配線57を、電気的及び機械的に接続する。
材を用い、局所的な圧着により基板58にLEDユニット60r、60b、60gを実装
してもよい。
代表例としては、酸化亜鉛、酸化チタン、炭酸カルシウム、酸化シリコン、窒化ホウ素な
ど無機顔料または有機顔料等の白色塗料が表面に印刷または塗装されたプラスチック、上
記無機顔料または有機顔料等の白色塗料が混合されたプラスチック等があり、当該プラス
チックとしては、PET、ポリエステル、ポリオレフィン等がある。また、蛍光材を含む
発泡性PETを用いることができる。または、反射シート61の代わりに、基板58及び
配線57上に白色ソルダーレジストが塗布されてもよい。反射シート61または白色ソル
ダーレジストにより、LEDチップから発光され、基板側に射出した光を、反射させるこ
とができる。
30と同様のLEDユニットを用いることができる。
3bが設けられる。微小光共振器43r、43g、43bは、それぞれLEDチップから
発光した光を干渉させ、赤色光、緑色光、または青色光を発光させる。微小光共振器43
r、43g、43bの光路長は、赤色光、緑色光、または青色光の波長の光の強度を高め
るように決定される。もちろん、これらの波長に限らず、微小光共振器43r、43g、
43bの光路長は、任意の波長の強度を高める光路長に設定しうる。このため、微小光共
振器43r、43g、43bの厚さはそれぞれ異なる。
に透光性を有する有機樹脂層63を設けてもよい。有機樹脂層63は、凸状の透光性を有
する有機樹脂層37で示した有機樹脂を適宜用いることができる。なお、凸状の透光性を
有する有機樹脂層37及び透光性を有する有機樹脂層63の界面に空気が含まれないよう
に形成する。さらに、凸状の透光性を有する有機樹脂層37から射出される光の輝度を、
透光性を有する有機樹脂層63により均一にするような光屈折率を有する材料であり、且
つ凸状の透光性を有する有機樹脂層37の光屈折率に近いものを選択することが好ましい
。透光性を有する有機樹脂層63は、液滴吐出法、塗布法、スピンコート、ディップなど
の方法で形成する。また、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフ
コーター等の器具を用いて形成してもよい。
た光の色純度を高めることができる。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したバックライトモジュールを用いた液晶表示装
置について説明する。
どちらにおいても実施可能である。図6(A)は、アクティブマトリクス表示の液晶表示
装置200の構成を示すブロック図である。
動回路214と、走査線駆動回路211と、画素部210に光を射出するバックライトモ
ジュール40と、バックライトモジュール40に含まれるLEDユニットに送る信号を制
御するLED制御回路212とを有している。さらには、画像処理回路(画像エンジンな
ど)など液晶表示装置を動作させるために必要な回路を有している。これらはすべて実施
の形態1で説明した制御回路基板に設けられている。また、上記駆動回路、処理回路及び
画像処理回路は、論理回路部と、スイッチ部またはバッファ部とに大別されるが、回路の
構成については詳細を省略する。また、上記回路の一部または全部をIC等の半導体装置
で実装してもよい。
駆動回路211は、画素215を駆動するための回路であり、パルス信号である複数の表
示選択信号を出力する機能を有する。また、信号線駆動回路214は、入力された画像信
号を元に表示データ信号を生成し、生成した表示データ信号を出力する機能を有する。さ
らに、出力された表示データ信号は対応する画素に入力される。
イッチング素子としてトランジスタ(主に薄膜トランジスタ:TFT)が配置されている
。ゲートが走査線219に電気的に接続され、第1の電極が信号線217に電気的に接続
された薄膜トランジスタ221と、第1の電極が薄膜トランジスタ221の第2の電極に
電気的に接続され、第2の電極が一定の電位を供給する配線(容量線ともいう。)に電気
的に接続された容量素子223と、一方の電極(画素電極ともいう。)が薄膜トランジス
タ221の第2の電極及び容量素子223の第1の電極に電気的に接続され、他方の電極
(対向電極ともいう。)が対向電位を供給する配線に電気的に接続された液晶素子225
と、を有する。
過を制御することで画像を表示する。なお、液晶の光学的変調作用は、液晶にかかる電界
(横方向の電界、縦方向の電界または斜め方向の電界を含む)によって制御される。
して説明する。図7(A)は、実施の形態1に示すバックライトモジュール40と、バッ
クライトモジュール40に重畳する散乱板301と、バックライトモジュール40及び散
乱板301に重畳する第1の偏光板303と、バックライトモジュール40、散乱板30
1、及び第1の偏光板303と重畳する液晶パネル305と、バックライトモジュール4
0、散乱板301、第1の偏光板303、及び液晶パネル305に重畳する第2の偏光板
307を有している。なお、図示しないが、バックライトモジュール40の外側に、反射
板を設け、バックライトモジュール40から漏れた光を反射し、液晶パネル305に射出
してもよい。
イトモジュール40と接続される。なお、走査線駆動回路211及び信号線駆動回路21
4は、液晶パネル305に設けてもよい。
。実施の形態1に示すバックライトモジュールは、任意の波長の強度を高める光路長を有
する微小光共振器を有するため、LEDユニットから射出される光において、従来の白色
光を射出するLEDユニットより、任意の波長の強度を高めることができる。このため、
当該光が、任意の波長において強度を高めた色を透過する着色層を透過すると、従来より
も透過光の色純度が高まる。このため、本実施の形態に示す表示装置の色再現性を高める
ことができる。
出される光を偏光できれば特に限定はない。市販品でもよく、従来から用いられているも
のを使用することができる。例えば、ポリビニルアルコールなどの高分子で構成されてい
る偏光板を用いることができる。第1の偏光板303は板状のものであってもシート状(
フィルム状)のものであってもよい。さらに、液晶表示装置200を構成する他の部材と
、できる限り光屈折率が同程度のものを使用することが好ましい。
と示す。)と、素子層317上に形成された画素電極319と、遮光層335、着色層3
37、保護層339、及び共通電極323を有する対向基板321と、シール材325と
、入射される光を透過または遮断させる液晶327とで構成されている。また、図7には
図示していないが、画素電極319と共通電極323との間の距離(セルギャップ)を一
定に制御するために、スペーサが設けられていている。スペーサとしては、ビーズスペー
サや、絶縁層を選択的にエッチングすることで得られるスペーサ(ポストスペーサ)を用
いることができる。
酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、液晶表示装置200
及び素子層317の作製工程の処理温度に耐えうる程度の耐熱性を有するプラスチック基
板などを用いることができる。また、基板315及び対向基板321として、第3世代(
550mm×650mm)、第3.5世代(600mm×720mm、または620mm
×750mm)、第4世代(680mm×880mm、または730mm×920mm)
、第5世代(1100mm×1300mm)、第6世代(1500mm×1850mm)
、第7世代(1870mm×2200mm)、第8世代(2200mm×2400mm)
、第9世代(2400mm×2800mm、2450mm×3050mm)、第10世代
(2950mm×3400mm)等のガラス基板を用いることができる。
ンジスタについては後述するが、トランジスタは、さまざまな状況下でも液晶表示装置と
して機能するために必要な特性(例えば、高温下及び低温下で動作する温度特性)を有す
る半導体をチャネルに有することが好ましい。アモルファスシリコンをチャネル領域に用
いることはできるが、より温度特性のよい半導体の代表例としては、複数の結晶領域を持
つ微結晶シリコンや、ポリシリコン等が好ましい。また、酸化物半導体をチャネル領域に
用いることができ、酸化物半導体としては、In−Ga−Zn−O系酸化物等がある。ま
た、これらの半導体を用いたトランジスタは、バックライトモジュール40の発熱や、外
光からの熱によって高温化する場合でも、しきい値電圧の変動が少なく、信頼性が高いた
め、温度変化の大きな環境下においても高性能に動作する。
化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化
チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、または
酸化シリコンを添加したインジウム錫酸化物等の透光性を有する導電性材料を用いて形成
することができる。
の有機樹脂を用いることができ、感光性または非感光性のポリイミドなどの樹脂材料に、
顔料系の黒色樹脂やカーボンブラック、チタンブラック等を混合させて形成すればよい。
また、遮光性の金属層を用いることもでき、例えばクロム、モリブデン、ニッケル、チタ
ン、コバルト、銅、タングステン、またはアルミニウムなどを用いればよい。
脂の代表例としては、感光性、非感光性の有機樹脂がある。感光性の有機樹脂層を用いる
とレジストマスク数を削減することができるため、工程が簡略化し好ましい。
させるため、その着色された有彩色の光のみを透過する材料で形成される。有彩色として
は、赤色、緑色、青色などを用いることができる。また、シアン、マゼンダ、イエロー(
黄)などを用いてもよい。着色された有彩色の光のみを透過するとは、着色層において透
過する光が、その有彩色の光の波長にピークを有するということである。
適宜制御するとよい。
クリル樹脂、エポキシ樹脂等がある。
る層間絶縁層として着色層を作ることもできる。例えば、層間絶縁層に、カラーフィルタ
層として機能する有彩色の透光性樹脂層を用いればよい。
せの誤差問題が生じず、より精密な形成領域の制御ができ、微細なパターンの画素にも対
応することができる。また、層間絶縁層と着色層を同一の絶縁層で兼ねるので、工程簡略
化、低コスト化といった利点もある。
または斜め方向の電界を含む)によって制御される。液晶327の種類及び液晶素子の駆
動モードとしては、ネマチック液晶、コレステリック液晶、スメクチック液晶、ディスコ
チック液晶、サーモトロピック液晶、リオトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強
誘電液晶、反強誘電液晶、主鎖型液晶、側鎖型高分子液晶、プラズマアドレス液晶(PA
LC)、バナナ型液晶、TN(Twisted Nematic)モード、STN(Su
per Twisted Nematic)モード、IPS(In−Plane−Swi
tching)モード、FFS(Fringe Field Switching)モー
ド、MVA(Multi−domain Vertical Alignment)モー
ド、PVA(Patterned Vertical Alignment)、ASV(
Advanced Super View)モード、ASM(Axially Symm
etric aligned Micro−cell)モード、OCB(Optical
Compensated Birefringence)モード、ECB(Elect
rically Controlled Birefringence)モード、FLC
(Ferroelectric Liquid Crystal)モード、AFLC(A
ntiFerroelectric Liquid Crystal)モード、PDLC
(Polymer Dispersed Liquid Crystal)モード、ゲス
トホストモード等を用いることができる。ただし、これに限定されず、液晶素子として様
々なものを用いることができる。また、配向膜を用いてラビング工程を行うことで、液晶
327が配向しやすくなる。
ー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相か
ら等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は、狭い温度範囲でしか発現しな
いため、温度範囲を改善するために、カイラル剤を混合させた液晶組成物を用いて液晶層
に適用する。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答速度が10μ
s〜100μsと短く、光学的に等方性であるため配向処理が不要であり、視野角依存性
が小さい。
る。
が好ましい。代表的なものとして、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを用い
ることができる。また、光(代表的には紫外線)重合開始剤、熱硬化剤、フィラー、カッ
プリング剤を含んでもよい。
5から射出される光を偏光できれば特に限定はない。第1の偏光板303と同じものを用
いることができる。また、液晶表示装置200を構成する他の部材と、できる限り光屈折
率が同程度のものを使用することが好ましい。第1の偏光板303のスリットに対して、
第2の偏光板307のスリットが直交するように設ける。第2の偏光板307は、板状の
ものであってもシート状(フィルム状)のものであってもよい。
、散乱板301で明るさが均一になった光の正面輝度を向上させる光学部材を、散乱板3
01と第1の偏光板303との間に設けた液晶表示装置300について説明する。
上させる光学部材333としては、プリズムシートや、マイクロレンズシートなどの輝度
向上シート(フィルム)があり、液晶パネル305に対してできる限り垂直な光を入射さ
せるための光学部材である。
明したものを適宜用いることができる。輝度向上シート(フィルム)は1つだけ用いても
よいが、複数用いることで、液晶表示装置の画素部の正面輝度を向上させることができる
。その際、輝度向上シート(フィルム)間には、空気が含まれるように配置するだけでよ
い。
置200で説明したものを適宜用いることができる。
置200で説明した液晶パネル305を重畳させることで、液晶表示装置300を作製す
ることができる。
る光の明るさを均一にすることが可能な液晶表示装置について、図8を用いて説明する。
有機樹脂層63を有するバックライトモジュール62を有する。また、バックライトモジ
ュール62、散乱板301、第1の偏光板303、液晶パネル305、及び第2の偏光板
307がそれぞれ透光性を有する接着剤311、313、329、331で接着されてい
る。
光板303、液晶パネル305、及び第2の偏光板307がそれぞれ重畳し、且つすべて
が接着され、封止されている。全ての部材が接着された液晶表示装置400は、液晶表示
装置400内において、散乱板301、第1の偏光板303、液晶パネル305、及び第
2の偏光板307と比較して、屈折率の小さい空気を有する層を有さず、各々の光屈折率
の差が小さくなっており、液晶表示装置400内での光の反射が抑制されるため、バック
ライトモジュール62から射出される光を効率良く利用することができる。このことによ
り、LEDユニットの消費電力、さらには表示装置の表示電力を低減させることができる
。
と散乱板301と、できる限り光屈折率が同程度のものを使用することが好ましい。例え
ば、透光性を有する接着剤311、313、329、331は、エポキシ樹脂を含む接着
剤、ウレタン樹脂を含む接着剤、またはシリコーン樹脂を含む接着剤などを用いることが
できる。選択する材料に応じて、液滴吐出法、塗布法、スピンコート、ディップなどの方
法で形成する。また、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフコー
ター等の器具を用いて形成してもよい。
る。
て、LEDユニット411を常に点灯させておき、液晶パネルの液晶によって光の透過ま
たは非透過を制御することで画像を表示させることは、複雑な発光素子制御回路を必要と
しないため簡便である(図9(A)を参照。)。
大部分を占めると言われる。つまり、LEDユニットを常に点灯させておくことは、消費
電力の観点から好ましくない。
ユニットの駆動方法とて、LEDユニットを複数の領域に分け、表示画像の濃淡に合わせ
て、LEDユニット自体も領域ごとに明暗を付けるローカルディミング(局所的調光)と
いう方法がある。
像の暗い部分に対応する領域のLEDユニット421、422の輝度を下げ、画像の明る
い部分に対応する領域のLEDユニット423の輝度を上げる。この方法でLEDユニッ
トを駆動させることにより、画像のコントラスト比を向上させ、LEDユニット低消費電
力化を可能にすることができる。
晶パネルについて、図10を用いて説明する。
(図中上下方向に延伸)かつ互いに離間した状態で配置されている。複数の走査線401
(ゲート電極401aを含む)は、信号線405に略直交する方向(図中左右方向)に延
伸し、かつ互いに離間するように配置されている。複数の信号線は、信号線駆動回路21
4(図6(A)参照)に繋がっており、複数の走査線、及び容量配線403は走査線駆動
回路211(図6(A)参照)に繋がっている。
、走査線401に平行な方向、つまり、信号線405に略直交する方向(図中左右方向)
に延伸している。容量素子406は、図10(A)の一点破線で囲まれた箇所であり、ゲ
ート絶縁層402を誘電体として、容量配線403とドレイン配線409(ドレイン電極
409aを含む)とで構成されている。画素電極319はドレイン配線409と開口部4
50で電気的に接続されている。
。画素電極319及びトランジスタ430は、マトリクス状に複数配置されている。
素の走査線とゲート絶縁層及び他の絶縁層を介して重ねて、容量素子を形成してもよい。
この場合、容量配線を省略することができ、画素における開口率を高めることができる。
おける分断されている箇所は、図10(A)のA−B間において省略されている箇所であ
る。
型の薄膜トランジスタ(TFT)であり、絶縁表面を有する基板である基板315上に形
成され、ゲート電極401a、ゲート絶縁層402、半導体層408、ソース電極405
a及びドレイン電極409aを含む。これらは、所望の成膜工程、所望のフォトリソグラ
フィ工程及び所望のエッチング工程によって作製することができる。
ト構造及びボトムゲート構造それぞれのスタガ型及びプレーナ型などを用いることができ
る。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、
2つ形成されるダブルゲート構造もしくは3つ形成されるトリプルゲート構造であっても
よい。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極を
有する、デュアルゲート型でもよい。本実施の形態のトランジスタはシングルゲート型で
ある。
間絶縁層413が積層されている。
ために必要な特性(例えば、高温下でも、低温下でも動作する温度特性)を有する半導体
を用いることが好ましい。アモルファスシリコンを用いることはできるが、より温度特性
のよい半導体の代表例としては、複数の結晶領域を持つ微結晶シリコンや、ポリシリコン
等が好ましい。また、酸化物半導体も用いることができ、酸化物半導体としては、In−
Ga−Zn−O系酸化物等がある。また、これらの半導体を用いたトランジスタ素子は、
バックライトモジュールの発熱や、外光からの熱によって高温化する場合でも、しきい値
電圧の変動が少なく、信頼性が高いため、温度変化の大きな環境下においても高性能に動
作する。
09aの間に誘電体としてゲート絶縁層402が積層されている。容量配線403は、ゲ
ート電極401aと同階層であり、同じ条件で形成されるため、ゲート電極401a形成
時に形成される。つまり、トランジスタ430とは別に容量素子406を作り込む必要な
く、所望のフォトリソグラフィによって、トランジスタ430作製する手順で、容量素子
406も作製することができる。
照)で固着する。シール材325及び液晶327は、上記したものを用いることができる
。液晶327を形成する方法として、ディスペンサ法(滴下法)や、基板315と対向基
板321とを貼り合わせてから毛細管現象等を用いて液晶を注入する注入法を用いること
ができる。シール材325に紫外線などの光硬化樹脂を用い、滴下法で液晶層を形成する
場合など、高分子安定化処理の光照射工程によってシール材325の硬化も行ってもよい
。
ためにスペーサ415が設けられていている。ここでは、ビーズスペーサを用いているが
、絶縁層を選択的にエッチングすることで得られるスペーサ(ポストスペーサ)を用いて
もよい。液晶327を用いる液晶表示装置において、セルギャップは1μm以上20μm
以下とすることが好ましい。なお、本明細書においてセルギャップの厚さとは、液晶の厚
さ(膜厚)の最大値とする。
間などに遮光層(ブラックマトリクス)を設ける。また、画素電極に対応する領域に着色
層を設ける。
パネル305に比べて、簡易に作製することができるパッシブマトリクス表示の液晶パネ
ル305について、図11を用いて説明する。パッシブマトリクス表示の液晶パネル30
5には、画素内のスイッチング素子(トランジスタ)を設ける必要がないために、簡易に
作製することができる。
11(B)は、図11(A)におけるC−D間の断面図である。また、図11(A)には
、液晶327、遮光層335、着色層337、保護層339、及び対向基板321は省略
され図示されていないが、それぞれ、図11(B)で示すように設けられている。
、絶縁層1707、及び画素電極1701a、1701b、1701cが設けられている
。画素電極1701a、1701b、1701cは、アクティブマトリクス表示の画素電
極319(図7参照。)に相当し、共通電極1706a、1706b、1706cは、ア
クティブマトリクス表示の共通電極323(図7参照)に相当する。さらに、画素電極1
701a、1701b、1701cは、アクティブマトリクス表示の走査線駆動回路に相
当するコモンドライバで制御され、共通電極1706a、1706b、1706cは、ア
クティブマトリクス表示の信号線駆動回路に相当するセグメントドライバで制御される。
1706cは開口パターンを有する形状であり、液晶素子の画素領域において長方形の開
口(スリット)を有している。
06cとの間に電界を形成することで、液晶327を制御する。液晶には水平方向の電界
が形成されるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。液晶分子を基板と平行な方
向で制御できるため、視野角が広くなる。
、上記スペーサを用いることができ、液晶327を封止するために上記シール材料を用い
ることができる。
本実施の形態では、MEMS(Micro Electro Mechanical S
ystems)を用いて各画素におけるバックライトからの光の透過量を制御する表示装
置について、図12乃至図14を用いて説明する。
であるMEMSを用いて、各画素におけるバックライトからの光の透過量を制御する表示
装置500の断面図である。
する絶縁層505が設けられる。透光性を有する絶縁層505上には、MEMSスイッチ
507r、507g、507bが形成される。なお、図示しないが、透光性を有する絶縁
層505は複数の絶縁層で構成され、当該絶縁層の間にMEMSスイッチ507r、50
7g、507bに接続するトランジスタがそれぞれ形成される。当該トランジスタは、実
施の形態2に示すトランジスタを適宜用いることができる。第1の基板501に対向する
第2の基板511は、反射層503に対向する位置に遮光層513が形成され、反射層5
03で囲われた開口部503r、503g、503bそれぞれに対向する位置に着色層5
14r、514g、514bを有する。なお、着色層514rは、赤色光を透過し、着色
層514gは、緑色光を透過し、着色層514bは、青色光を透過する。
ライト519を有する。または、第1の基板501側から順に、輝度向上シート517、
散乱板515、及びバックライト519を有してもよい。第1の基板501及び散乱板5
15、散乱板515及び輝度向上シート517、輝度向上シート517及びバックライト
519はそれぞれ、透光性を有する接着剤521、523、525で固着されている。
型プラスチックを用いた筐体527を有する。
、503bを、MEMSスイッチ507gのシャッタ508gの非開口部、MEMSスイ
ッチ507bのシャッタ508bの非開口部で覆うことで、バックライト519からの光
をシャッタ508g、508bの非開口部で反射し、バックライト519からの光を透過
しない。また、MEMSスイッチ507rのシャッタ508rは、反射層503に囲まれ
た開口部503rを覆わず、反射層503上に移動する。このため、バックライト519
からの光は開口部503rにおいて透過し、着色層の色(ここでは、赤色。)の光が射出
される。
階調を制御することができる。
と同様の基板を適宜用いることができる。
びこれらの合金、並びにAgPdCu合金等を用いて形成する。反射層503の厚さは、
30nm以上1000nmとする。開口部の形状は、矩形、円形、楕円形、多角形等にす
ることができる。開口部503r、503g、503bは、バックライト519から射出
された光を表示装置の外側へ透過する。なお、反射層503は、バックライト519から
射出された光で、開口部を透過しなかった光を反射し、バックライトモジュールで再度反
射することで、反射光を再利用することができる。
より一部をエッチングすることで形成することができる。または、反射層503は、印刷
法、インクジェット法等を用いて形成することができる。
酸化シリコン等をスパッタリング法、CVD法、蒸着法等で形成する。
MEMSスイッチ507rを代表例に用いて、図12及び図13を用いて説明する。
クチュエータ541に結合されたシャッタ543を有する。シャッタ543には開口部が
設けられる。アクチュエータ541は、2つの柔軟性を有するアクチュエータ545を有
する。シャッタ543の一方の辺は、アクチュエータ545に接続されている。アクチュ
エータ545は、シャッタ543を、絶縁層505表面に平行な横方向に移動させる機能
を有する。
、構造体553に接続する可動電極555とを有する。可動電極555は、可動電極55
1に隣接しており、可動電極555の一端は構造体553に接続し、他端は自由に動くこ
とができる。また、可動電極555の自由に動くことが可能な端部は、可動電極551及
び構造体549の接続部に最も近くなるように、湾曲している。
元力を有する、スプリング547に接続されている。スプリング547は、構造体557
に接続されている。
ング547を、絶縁層505の表面の近傍において、浮遊させる機械的支持体として機能
する。
は、図12の開口部503rに相当する。
る。このため、構造体553に接続される可動電極555に、トランジスタを介して任意
の電圧を印加することができる。また、構造体549、557は、それぞれ図12に示す
反射層503を介して接地電極(GND)と接続する。このため、構造体549に接続す
る可動電極551及び構造体557に接続するスプリング547の電位は、GNDとなっ
ている。なお、構造体549、557は、任意の電圧を印加できる共通電極に電気的に接
続されてもよい。
551及び可動電極555が電気的に引き寄せあう。この結果、可動電極551に接続す
るシャッタ543が、構造体553の方へ引きよせられ、構造体553の方へ横方向に移
動する。可動電極551はスプリングとして働くため、可動電極551及び可動電極55
5との電位間の電圧が除去された場合に、可動電極551は、可動電極551に蓄積され
た応力を解放しながら、シャッタ543をその初期位置に押し戻す。
トリソグラフィ工程により所定の形状を有する犠牲層を形成する。犠牲層としては、ポリ
イミド、アクリル等の有機樹脂、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化
酸化シリコン等の無機絶縁層等で形成することができる。
的にエッチングをしてMEMSスイッチ507を形成する。または、インクジェット法に
よりMEMSスイッチ507を形成する。
成することができる。なお、この後、MEMSスイッチ507rの表面を酸素プラズマ、
熱酸化等で酸化し、酸化膜を形成することが好ましい。または、原子層蒸着法、CVD法
により、MEMSスイッチ507rの表面に、アルミナ、酸化シリコン、窒化シリコン、
酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)等の絶縁
膜を形成することが好ましい。当該絶縁膜をMEMSスイッチ507に設けることで、M
EMSスイッチ507の経年劣化を低減することができる。
ン、タンタル、ネオジム等の金属または合金で形成することができる。MEMSスイッチ
507は、厚さ100nm以上5μm以下で形成する。
示す着色層337と同様に形成することができる。なお、着色層は、適宜他の色を透過す
る着色層を設けることができる。
保持して固定されている。
乱板301及び輝度向上シートを適宜用いることができる。
色純度が高くなる。このため、表示装置の色再現性を高めることができる。また、MEM
Sスイッチを有する表示装置は、バックライト519から射出された光の光利用効率が高
いため、バックライトの輝度を低くしても、十分高いコントラストを得ることができるた
め、表示装置の消費電力を低減することができる。
用いて説明する。
回路601と、信号線駆動回路603と、画素部605とを有する。画素部605には、
走査線駆動回路601に接続する走査線609、及び信号線駆動回路603に接続する信
号線611を有する。また、画素部605には、画素607がマトリクス状に配置されて
いる。走査線駆動回路601は、画素607を駆動するための回路であり、パルス信号で
ある複数の表示選択信号を出力する機能を有する。また、信号線駆動回路603は、入力
された画像信号を元にデータ電圧Vdを生成し、生成したデータ電圧Vdを信号線611
に印加する機能を有する。走査線609にゲートが接続し、信号線611に第1の電極が
接続するトランジスタ613と、トランジスタ613の第2の電極と第1の端子が接続す
るMEMSスイッチ615と、トランジスタ613の第2の電極及びMEMSスイッチ6
15の第1の端子に第1の電極が接続する容量素子617とが、各画素607に設けられ
る。MEMSスイッチ615の第2の端子及び容量素子617の第2の電極は、接地電極
に接続する。
タ613は、実施の形態2に示すトランジスタを用いることができる。また、トランジス
タの代わりに、ダイオードまたはMIM(Metal Insulator Metal
)を用いてもよい。
する。また、2つの可動電極はそれぞれ、異なる静電容量を有する。
動電極555と構造体553を介して接続する。また、MEMSスイッチ507の可動電
極551は面積の大きいシャッタ543に接続されているため、より高い静電容量を有し
、構造体549を介して、共通電極または接地電極に接続される。スプリング547は、
構造体557を介して、共通電極または接地電極に接続される。
また、選択された信号線611にデータ電圧Vdを印加する。オン状態のトランジスタ6
13に接続されるMEMSスイッチ615及び容量素子617には、データ電圧Vdが書
き込まれる。このため、可動電極555とシャッタ543との間では、電位差が生じる。
当該電位差の発生に応じて、シャッタが可動電極555の方へ電気的に引き寄せられ、シ
ャッタが移動し、画素部の開口部とシャッタが重複せず、バックライトからの光が当該開
口部を透過する。
る輝度に対応してデータ電圧Vdが印加される。データ電圧Vdに応じて、MEMSスイ
ッチ615のシャッタの移動量が変化する。シャッタの移動量に応じ、画素部の開口部と
シャッタの開口部との重複面積が異なるため、または画素部の開口部とシャッタが重複し
ないため、当該開口部を透過するバックライトからの光量が異なる。
アクチュエータが作動する電圧(作動しきい値電圧)より低い電圧、または作動しきい値
電圧より高い電圧が印加される。作動しきい値電圧より高いデータ電圧Vdの印加により
、MEMSスイッチ615のシャッタが移動し、画素の開口部においてバックライトから
の光が透過する。
容量素子617に保持される。容量素子617の電圧は、ビデオフレーム全体が書き込ま
れるまで、または新しいデータが信号線611に書き込まれるまで、実質的に蓄積された
ままになる。このため、書込回数を最小限にすることが可能であり、表示装置の消費電力
を低減することができる。
である回路図を示したが、これに限定されるものではなく、適宜トランジスタを設けるこ
とができる。
いため、バックライトの輝度を低くしても、十分高いコントラストを得ることができるた
め、表示装置の消費電力を低減することができる。
本発明の一態様である表示装置は、さまざまな電子機器に適用することができる。電子機
器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)
などが挙げられる。さらには、屋内でのデジタルサイネージ(Digital Sign
age:電子看板)、PID(Public Information Display
)、電車などの乗り物の車内広告等に適用することができる。特に、本発明の一態様であ
る表示装置は、色純度を向上させることができることため、本発明の一態様である表示装
置を、色再現性を求められる上記電子機器として用いることは有用である。そこで、本発
明の一態様である表示装置を用いた電子機器の一例を、図15に示す。
筐体1001に表示部1002が組み込まれている。表示部1002により、映像を表示
することが可能である。また、ここでは、筐体1004により筐体1001を支持した構
成を示している。さらに、テレビジョン装置1000は、スピーカ1003、操作キー1
005(電源スイッチ、または操作スイッチを含む)、接続端子1006、センサ100
7(力、変位、位置、速度、距離、光、温度、音声、時間、電場、電流、電圧、電力、ま
たは赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン1008等が組み込まれている
。
より行うことができる。リモコン操作機1010が備える操作キー1009により、チャ
ンネルや音量の操作を行うことができ、表示部1002に表示される映像を操作すること
ができる。また、リモコン操作機1010に、リモコン操作機1010から出力する情報
を表示する表示部1011を設ける構成としてもよい。
より一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線に
よる通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向
(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
2000は、2つの筐体2002及び筐体2004から構成されている。筐体2002に
は、表示部2006及び2つのスピーカ2008、2010が備わっている。さらに、デ
ジタルサイネージ2000には、ほかにセンサを設けて、人が近くにいないときは画像が
表示されないなど他の構成を設けてもよい。
及びデジタルサイネージ2000における表示部2006に用いることができ、色純度を
向上させることができる特徴を有することから、テレビジョン装置1000及びデジタル
サイネージ2000自体の色再現性を高めることができる。
Claims (3)
- 基板上に、発光素子チップと、微小光共振器と、蛍光体層と、を有し、
前記蛍光体層は、前記発光素子チップ及び前記微小光共振器を覆い、
前記微小光共振器は、前記発光素子チップの周辺に配置され、
前記微小光共振器は、特定の発光スペクトルの波長の強度を高める機能を有することを特徴とする発光素子ユニット。 - 基板上に、発光素子チップと、微小光共振器と、蛍光体層と、を有し、
前記蛍光体層は、前記発光素子チップ及び前記微小光共振器を覆い、
前記微小光共振器は、前記発光素子チップの周辺に配置され、
前記微小光共振器は、反射層と、前記反射層上の透光性を有する層と、前記透光性を有する層上の半透過型反射層と、を有し、
前記微小光共振器は、前記反射層と前記半透過型反射層との間で反射し干渉させた光を射出し、
前記微小光共振器は、特定の発光スペクトルの波長の強度を高める機能を有することを特徴とする発光素子ユニット。 - 請求項1又は請求項2において、
前記基板は、ガラスエポキシ樹脂基板、ポリイミド基板、セラミック基板、アルミナ基板、又は、窒化アルミニウムからなることを特徴とする発光素子ユニット。
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