JP2017168211A - Method for manufacturing transparent conductive substrate and in-plane switching type liquid crystal display panel including touch panel function - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、透明導電性基板の製造方法及びその製造方法により製造した透明導電性基板を備えたタッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶表示パネルに関する。 The present invention relates to a manufacturing method of a transparent conductive substrate and a horizontal electric field type liquid crystal display panel with a built-in touch panel function including the transparent conductive substrate manufactured by the manufacturing method.
液晶表示パネルは軽量・薄型・低消費電力等の特性を生かし、各種情報機器端末やカメラ等の小型表示装置のほか、近年ではテレビ等の大型表示装置に用いられており、その市場を拡大している。液晶表示パネルの種類としては、かつてはＴＮ（ツイスト・ネマチック）形に代表される縦電界方式が大勢を占めていたが、最近では横電界方式と称される液晶表示パネルも主流となってきている。 Liquid crystal display panels have been used for light-weight, thin, low power consumption, and other small display devices such as various information device terminals and cameras, and in recent years, large display devices such as televisions. ing. As a type of liquid crystal display panel, a vertical electric field method represented by a TN (twisted nematic) type used to dominate, but recently, a liquid crystal display panel called a horizontal electric field method has become mainstream. Yes.
縦電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を介して互いに対向して配置される透明基板のうち、片方の透明基板には画素電極が設けられ、もう片方の透明基板には共通電極が設けられ、この画素電極と共通電極との間に発生する電界、即ち透明基板に対して垂直な電界によって液晶の配向を制御することを特徴としている。これに対し、横電界方式の液晶表示パネルの構成は、液晶層を介して互いに対向して配置される透明基板のうち、主に片方の透明基板の液晶層側に表示用電極と基準電極とが設けられ、この表示用電極と基準電極との間に発生する電界（横方向電界、フリンジ電界）、即ち透明基板と平行に発生させる電界によって液晶の配向を制御することによって、上記液晶層を透過する光を変調させるようにしたものである。 In a vertical electric field type liquid crystal display panel, among transparent substrates disposed to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, one transparent substrate is provided with a pixel electrode, and the other transparent substrate is provided with a common electrode. The liquid crystal orientation is controlled by an electric field generated between the pixel electrode and the common electrode, that is, an electric field perpendicular to the transparent substrate. On the other hand, the configuration of the horizontal electric field type liquid crystal display panel includes a display electrode and a reference electrode mainly on the liquid crystal layer side of one transparent substrate among the transparent substrates arranged to face each other through the liquid crystal layer. The liquid crystal layer is controlled by controlling the orientation of the liquid crystal by an electric field (lateral electric field, fringe electric field) generated between the display electrode and the reference electrode, that is, an electric field generated in parallel with the transparent substrate. The transmitted light is modulated.
横電界方式の液晶表示パネルは縦電界方式に比べて視野角が広いという利点があるが、縦電界方式の液晶表示パネルには発生しない課題として、液晶表示パネルの外部又は内部からの静電的な影響や外部の電磁的妨害を受けて、黒表示したとき光抜けが生ずるなど、表示品位が低下するという問題があった。これは、横電界方式の液晶表示パネルは、片方の透明基板に表示用電極と基準電極とが集積した構造になっているため、外部からの静電気等に対するシールド機能を備える導電層を全く有していない構成となっているためである。 The horizontal electric field type liquid crystal display panel has an advantage that the viewing angle is wider than the vertical electric field type, but as a problem that does not occur in the vertical electric field type liquid crystal display panel, electrostatic discharge from the outside or inside of the liquid crystal display panel There is a problem that the display quality is deteriorated, such as light leakage occurs when black is displayed due to various influences or external electromagnetic interference. This is because a horizontal electric field type liquid crystal display panel has a structure in which a display electrode and a reference electrode are integrated on one transparent substrate, and therefore has a conductive layer having a shielding function against external static electricity. This is because it is not configured.
このような問題を解決するため、液晶表示パネルの透明基板のうち、バックライトユニットに対して遠い側の透明基板の液晶層とは反対側の面に透光性を備える導電層を形成し、静電気放電（ＥＳＤ）機能を持たせるという技術が提案されており、具体的には導電層としてＩＴＯ等を含む帯電防止膜を形成する方法が提案されている（特許文献１参照。）。この方法により、横電界方式液晶表示パネルにＥＳＤ機能を付与することができる。 In order to solve such a problem, a conductive layer having translucency is formed on the surface opposite to the liquid crystal layer of the transparent substrate on the side far from the backlight unit among the transparent substrates of the liquid crystal display panel, A technique of providing an electrostatic discharge (ESD) function has been proposed, and specifically, a method of forming an antistatic film containing ITO or the like as a conductive layer has been proposed (see Patent Document 1). By this method, an ESD function can be imparted to the horizontal electric field type liquid crystal display panel.
一方、最近では、スマートホン等に用いられる液晶表示装置に代表されるように、タッチパネル機能を有する液晶表示パネルを用いた液晶表示装置の需要が増大している。現在普及しているタッチパネル機能付液晶表示パネルは、従来の液晶表示パネルの外側にタッチパネルを配置する外付け型であるが、この外付け型ではパネル全体が厚くなり液晶表示装置の薄型化が困難となるとう問題がある。これに対して、液晶表示パネルの内部にタッチパネル機能を内蔵させた内蔵型として、タッチパネル機能内蔵型液晶表示パネルが提案されている。タッチパネル機能内蔵型液晶表示パネルは、液晶表示パネルの２枚のガラス基板の間にタッチ感知機能層を配置したもので、パネル全体を薄くできるという長所がある。このため、前述の横電界方式液晶表示パネルとタッチパネル機能内蔵型液晶表示パネルとを組み合わせた液晶表示パネルが提案されている（特許文献２参照。）。また、特許文献２では、タッチ感知機能層に用いるタッチ感知方式として、例えば、静電容量方式が紹介されている。 On the other hand, recently, as represented by a liquid crystal display device used for a smart phone or the like, there is an increasing demand for a liquid crystal display device using a liquid crystal display panel having a touch panel function. The liquid crystal display panel with a touch panel function currently in widespread use is an external type in which a touch panel is arranged outside the conventional liquid crystal display panel. However, with this external type, the entire panel becomes thick and it is difficult to make the liquid crystal display device thin. There is a problem. On the other hand, a liquid crystal display panel with a built-in touch panel function has been proposed as a built-in type in which a touch panel function is built into the liquid crystal display panel. The liquid crystal display panel with a built-in touch panel function is an arrangement in which a touch-sensitive functional layer is disposed between two glass substrates of the liquid crystal display panel, and has an advantage that the entire panel can be thinned. For this reason, a liquid crystal display panel in which the above-mentioned horizontal electric field type liquid crystal display panel and a liquid crystal display panel with a built-in touch panel function are combined has been proposed (see Patent Document 2). In Patent Document 2, for example, a capacitance method is introduced as a touch detection method used for the touch detection function layer.
また、本発明に関連する先行技術文献として特許文献３〜６がある。 Further, there are Patent Documents 3 to 6 as prior art documents related to the present invention.
しかし、液晶表示パネルの透明基板に、透明導電性コーティング液をスプレーコート等により塗布して透明導電性膜を形成する従来の方法では、透明導電性膜の光学特性及び電気特性を特定の範囲に制御することが困難で、且つ安定的に均一な特性を有する透明導電性膜を形成することが困難であった。 However, in the conventional method of forming a transparent conductive film by applying a transparent conductive coating liquid on a transparent substrate of a liquid crystal display panel by spray coating or the like, the optical characteristics and electrical characteristics of the transparent conductive film are within a specific range. It was difficult to control and it was difficult to form a transparent conductive film having stable and uniform characteristics.
このため、例えば、横電界方式液晶表示パネルと、静電容量方式のタッチ感知機能層を配置したタッチパネル機能内蔵型液晶表示パネルとを組み合わせた液晶表示パネルでは、横電界方式液晶表示パネルに要求されるＥＳＤ機能を付与するために、液晶表示パネルに導電層を設けると、タッチ感度が低下する場合があることが判明している。 For this reason, for example, a liquid crystal display panel that combines a horizontal electric field type liquid crystal display panel and a touch panel function built-in type liquid crystal display panel provided with a capacitive touch sensing function layer is required for the horizontal electric field type liquid crystal display panel. It has been found that if a conductive layer is provided on a liquid crystal display panel to provide an ESD function, touch sensitivity may be reduced.
本発明は、上記問題を解決したもので、光学特性及び電気特性を特定の範囲に制御した透明導電性膜を備えた透明基板を安定的に供給できる透明導電性基板の製造方法を提供するものである。 The present invention solves the above problems and provides a method for producing a transparent conductive substrate capable of stably supplying a transparent substrate having a transparent conductive film in which optical characteristics and electrical characteristics are controlled within a specific range. It is.
本発明の透明導電性基板の製造方法は、透明導電性コーティング組成物を透明基板に塗布する塗布工程と、前記透明基板の上に透明導電性膜を形成する製膜工程とを含み、前記透明導電性コーティング組成物は、鎖状導電性無機粒子と、無機系バインダと、沸点が１５０℃以上の高沸点溶剤と、沸点が１００℃以下の低沸点溶剤とを含み、前記鎖状導電性無機粒子及び前記無機系バインダの合計量が、前記透明導電性コーティング組成物の全質量に対して、０．４質量％以上１質量％以下であり、前記鎖状導電性無機粒子の含有量は、前記鎖状導電性無機粒子及び前記無機系バインダの合計質量に対して、７５質量％以上８５質量％以下であり、前記透明導電性膜の厚さが、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、前記透明導電性膜の表面抵抗率が、１．１×１０9Ω／スクエア以上１．０×１０10Ω／スクエア以下であることを特徴とする。 The method for producing a transparent conductive substrate of the present invention includes a coating step of applying a transparent conductive coating composition to a transparent substrate, and a film forming step of forming a transparent conductive film on the transparent substrate, wherein the transparent conductive substrate is transparent. The conductive coating composition includes chain-like conductive inorganic particles, an inorganic binder, a high-boiling solvent having a boiling point of 150 ° C. or higher, and a low-boiling solvent having a boiling point of 100 ° C. or lower. The total amount of the particles and the inorganic binder is 0.4% by mass or more and 1% by mass or less based on the total mass of the transparent conductive coating composition, and the content of the chain conductive inorganic particles is 75 to 85% by mass with respect to the total mass of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder, the thickness of the transparent conductive film is 10 to 50 nm, and the transparent conductive Surface resistivity of conductive films , Characterized in that it is 1.1 × 10 9 Ω / square or more 1.0 × 10 10 Ω / square or less.
また、本発明のタッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶表示パネルは、上記本発明の透明導電性基板の製造方法で製造された透明導電性基板を含むことを特徴とする。 Moreover, the horizontal electric field type liquid crystal display panel with a built-in touch panel function of the present invention includes a transparent conductive substrate manufactured by the method for manufacturing a transparent conductive substrate of the present invention.
本発明によれば、光学特性及び電気特性を特定の範囲に制御した透明導電性膜を備えた透明導電性基板を安定的に提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the transparent conductive substrate provided with the transparent conductive film which controlled the optical characteristic and the electrical characteristic to the specific range can be provided stably.
（本発明の透明導電性基板の製造方法）
先ず、本発明の透明導電性基板の製造方法について説明する。
(Method for producing transparent conductive substrate of the present invention)
First, the manufacturing method of the transparent conductive substrate of this invention is demonstrated.
本発明の透明導電性基板の製造方法は、透明導電性コーティング組成物を透明基板に塗布する塗布工程と、上記透明基板の上に透明導電性膜を形成する製膜工程とを備えている。また、上記透明導電性コーティング組成物は、鎖状導電性無機粒子と、無機系バインダと、沸点が１５０℃以上の高沸点溶剤と、沸点が１００℃以下の低沸点溶剤とを含み、上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計量が、上記透明導電性コーティング組成物の全質量に対して、０．４質量％以上１質量％以下であり、上記鎖状導電性無機粒子の含有量は、上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計質量に対して、７５質量％以上８５質量％以下であり、上記透明導電性膜の厚さが、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、上記透明導電性膜の表面抵抗率が、１．１×１０9Ω／スクエア以上１．０×１０10Ω／スクエア以下であることを特徴とする。 The manufacturing method of the transparent conductive substrate of this invention is equipped with the coating process which apply | coats a transparent conductive coating composition to a transparent substrate, and the film forming process which forms a transparent conductive film on the said transparent substrate. The transparent conductive coating composition contains chain conductive inorganic particles, an inorganic binder, a high boiling point solvent having a boiling point of 150 ° C. or higher, and a low boiling point solvent having a boiling point of 100 ° C. or lower. The total amount of the conductive inorganic particles and the inorganic binder is 0.4% by mass to 1% by mass with respect to the total mass of the transparent conductive coating composition, and the chain conductive inorganic particles The content is 75% by mass or more and 85% by mass or less with respect to the total mass of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder, and the thickness of the transparent conductive film is 10 nm or more and 50 nm or less. The surface resistivity of the transparent conductive film is 1.1 × 10 9 Ω / square or more and 1.0 × 10 10 Ω / square or less.
上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計量を上記透明導電性コーティング組成物の全質量に対して０．４質量％以上１質量％以下とすることにより、上記透明導電性コーティング組成物の固形分濃度が低下して、上記透明導電性コーティング組成物を透明基板に塗布する塗布工程において、比較的薄い塗膜を形成でき、その後の製膜工程において上記透明基板の上に比較的薄い透明導電性膜を形成することができる。これにより、上記透明導電性膜の光学特性を向上できる。 By setting the total amount of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder to 0.4% by mass or more and 1% by mass or less with respect to the total mass of the transparent conductive coating composition, the transparent conductive coating composition In the coating process in which the solid content concentration of the product is reduced and the transparent conductive coating composition is applied to the transparent substrate, a relatively thin coating film can be formed. A thin transparent conductive film can be formed. Thereby, the optical characteristic of the said transparent conductive film can be improved.
また、上記鎖状導電性無機粒子の含有量を上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計質量に対して７５質量％以上８５質量％以下とすることにより、相対的に上記無機系バインダの含有量が低下するため、即ち光学特性の低下に大きく影響する上記無機系バインダの含有量が低下するため、上記透明導電性膜の光学特性を向上できる。 In addition, by setting the content of the chain conductive inorganic particles to 75% by mass or more and 85% by mass or less with respect to the total mass of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder, the inorganic type is relatively Since the content of the binder is reduced, that is, the content of the inorganic binder that greatly affects the deterioration of the optical properties is reduced, the optical properties of the transparent conductive film can be improved.
更に、上記透明導電性膜の厚さが小さくなっても、上記鎖状導電性無機粒子の含有量を上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計質量に対して７５質量％以上８５質量％以下として、従来より上記鎖状導電性無機粒子の含有量を増加させることにより、形成した透明導電性膜の表面抵抗率の増加を抑制して、上記透明導電性膜の表面抵抗率を特定の範囲に制御できる。 Furthermore, even if the thickness of the transparent conductive film is reduced, the content of the chain conductive inorganic particles is 75% by mass or more and 85% by mass with respect to the total mass of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder. By increasing the content of the chain-like conductive inorganic particles conventionally as mass% or less, the increase in the surface resistivity of the formed transparent conductive film is suppressed, and the surface resistivity of the transparent conductive film is reduced. Can be controlled to a specific range.
以上より、上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計量を上記透明導電性コーティング組成物の全質量に対して、０．４質量％以上１質量％以下とし、上記鎖状導電性無機粒子の含有量を上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計質量に対して、７５質量％以上８５質量％以下とすることにより、光学特性及び電気特性を特定の範囲に制御した透明導電性膜を備えた透明導電性基板を安定的に提供できる。 From the above, the total amount of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder is 0.4% by mass to 1% by mass with respect to the total mass of the transparent conductive coating composition, and the chain conductive By setting the content of the inorganic particles to 75% by mass or more and 85% by mass or less with respect to the total mass of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder, the optical characteristics and electrical characteristics were controlled within a specific range. A transparent conductive substrate provided with a transparent conductive film can be provided stably.
次に、本発明の透明導電性基板の製造方法に用いる透明導電性コーティング組成物の含有成分について説明する。
＜鎖状導電性無機粒子＞
本発明で用いる透明導電性コーティング組成物は、上記鎖状導電性無機粒子の含有量を、上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計質量に対して７５質量％以上８５質量％以下とする。これにより、表面抵抗率が１．１×１０9Ω／スクエア以上１．０×１０10Ω／スクエア以下の範囲の透明導電性膜を形成できる。
Next, the components contained in the transparent conductive coating composition used in the method for producing a transparent conductive substrate of the present invention will be described.
<Chain conductive inorganic particles>
In the transparent conductive coating composition used in the present invention, the content of the chain conductive inorganic particles is 75% by mass to 85% by mass with respect to the total mass of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder. And Thereby, a transparent conductive film having a surface resistivity in the range of 1.1 × 10 9 Ω / square to 1.0 × 10 10 Ω / square can be formed.
上記鎖状導電性無機粒子としては、粒子径が２〜３０ｎｍの一次粒子が２〜５０個連接してなるものを用いることが好ましく、３〜２０個連接してなることがより好ましい。上記粒子径の一次粒子の連接数が５０個を超えると、粒子の散乱によって透明導電性膜のヘイズ値が上昇する傾向にある。また、上記粒子径の一次粒子の連接数が２個を下回ると、粒子が非鎖状となり無機粒子相互間の導電性ネットワークの形成が困難となり、透明導電性膜の導電性が低下する。 As the chain conductive inorganic particles, those in which 2 to 50 primary particles having a particle diameter of 2 to 30 nm are connected are preferably used, and 3 to 20 particles are more preferably connected. When the number of connected primary particles having a particle diameter of more than 50, the haze value of the transparent conductive film tends to increase due to particle scattering. On the other hand, when the number of connected primary particles of the particle size is less than 2, the particles become unchained and it becomes difficult to form a conductive network between the inorganic particles, and the conductivity of the transparent conductive film is lowered.
上記粒子径と連結数は、例えば、透明導電性コーティング組成物を低沸点溶剤で希釈し、各種基材上に２〜１０ｎｍの膜厚で薄く塗布した透明導電性膜を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により、鎖状導電性無機粒子を構成する個々の粒子の粒子径と連結数を観察・測定して求めることができる。 The particle diameter and the number of connections are determined by, for example, diluting the transparent conductive coating composition with a low-boiling solvent and applying a thin transparent conductive film with a film thickness of 2 to 10 nm on various substrates using a transmission electron microscope ( TEM) can be obtained by observing and measuring the particle diameter and the number of connections of the individual particles constituting the chain conductive inorganic particles.
上記鎖状導電性無機粒子としては、透明性と導電性を兼ね備えた鎖状粒子であれば特に限定されず、例えば、金属粒子、カーボン粒子、導電性金属酸化物粒子、導電性窒化物粒子等を用いることができる。中でも、透明性と導電性とを兼ね備えた導電性金属酸化物粒子が好ましい。上記導電性金属酸化物粒子としては、酸化スズ粒子、酸化アンチモン粒子、アンチモン含有酸化スズ（ＡＴＯ）粒子、スズ含有酸化インジウム（ＩＴＯ）粒子、リン含有酸化スズ（ＰＴＯ）粒子、アルミニウム含有酸化亜鉛（ＡＺＯ）粒子、ガリウム含有酸化亜鉛（ＧＺＯ）粒子等の金属酸化物粒子が挙げられる。上記導電性金属酸化物粒子は、単独で用いてもよく、２種以上を組合せて用いてもよい。また、上記鎖状導電性無機粒子は、ＡＴＯ粒子、ＩＴＯ粒子及びＰＴＯ粒子からなる群から選ばれる少なくとも１種を含むことが好ましい。これらの導電性無機粒子は、透明性、導電性及び化学特性に優れており、透明導電性膜にした場合にも高い光透過率と導電性を実現することができるからである。 The chain conductive inorganic particles are not particularly limited as long as they are chain particles having both transparency and conductivity. For example, metal particles, carbon particles, conductive metal oxide particles, conductive nitride particles, etc. Can be used. Among these, conductive metal oxide particles having both transparency and conductivity are preferable. Examples of the conductive metal oxide particles include tin oxide particles, antimony oxide particles, antimony-containing tin oxide (ATO) particles, tin-containing indium oxide (ITO) particles, phosphorus-containing tin oxide (PTO) particles, aluminum-containing zinc oxide ( Metal oxide particles such as AZO) particles and gallium-containing zinc oxide (GZO) particles. The said conductive metal oxide particle may be used independently and may be used in combination of 2 or more type. The chain conductive inorganic particles preferably include at least one selected from the group consisting of ATO particles, ITO particles, and PTO particles. This is because these conductive inorganic particles are excellent in transparency, conductivity, and chemical properties, and can achieve high light transmittance and conductivity even when a transparent conductive film is formed.
上記鎖状導電性無機粒子の製造方法は、特に限定されないが、例えば、前述の特許文献３（特開２０００−１９６２８７号公報）、特許文献４（特開２００５−１３９０２６号公報）、特許文献５（特開２００６−３３９１１３号公報）、特許文献６（特開２０１２−２５７９３号公報）に記載の製造方法を採用することができる。 Although the manufacturing method of the said chain | strand-shaped electroconductive inorganic particle is not specifically limited, For example, the above-mentioned patent document 3 (Unexamined-Japanese-Patent No. 2000-196287), patent document 4 (Unexamined-Japanese-Patent No. 2005-139026), Patent Document 5 The manufacturing methods described in JP-A-2006-339113 and JP-A-2012-25793 can be employed.
＜無機系バインダ＞
本発明で用いる無機系バインダとしては、上記鎖状導電性無機粒子を分散して塗膜を形成できるものであれば特に限定されない。上記無機系バインダの含有量は、上記鎖状導電性無機粒子及び上記無機系バインダの合計質量に対して、１５質量％以上とすることが好ましい。１５質量％を下回ると透明導電性膜の強度が低下する傾向があるからである。
<Inorganic binder>
The inorganic binder used in the present invention is not particularly limited as long as the chain conductive inorganic particles can be dispersed to form a coating film. The content of the inorganic binder is preferably 15% by mass or more with respect to the total mass of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder. This is because the strength of the transparent conductive film tends to decrease when the content is less than 15% by mass.
上記無機系バインダとしては、例えば、アルコキシシランが使用できる。より具体的には、上記アルコキシシランは、３〜４個のアルコキシ基がケイ素に結合した化合物であって、水に溶解させると、重合して−ＯＳｉＯ−で繋がれた高分子量ＳｉＯ2体になるものを使用できる。 As the inorganic binder, for example, alkoxysilane can be used. More specifically, the alkoxysilane is a compound in which 3 to 4 alkoxy groups are bonded to silicon. When dissolved in water, the alkoxysilane is polymerized into a high molecular weight SiO 2 body linked by —OSiO—. Can be used.
上記アルコキシシランとしては、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン及びアルコキシシランオリゴマーからなる群から選ばれる少なくとも１種の多官能アルコキシシランを含むものであることが好ましい。アルコキシシランオリゴマーとは、アルコキシシランのモノマー同士が縮合することで形成される高分子量化されたアルコキシシランであり、シロキサン結合（−ＯＳｉＯ−）を１分子内に２個以上有するオリゴマーのことをいう。その結合数は２〜２０個であることが好ましい。 The alkoxysilane preferably contains at least one polyfunctional alkoxysilane selected from the group consisting of tetraalkoxysilane, trialkoxysilane, dialkoxysilane and alkoxysilane oligomer. An alkoxysilane oligomer is a high molecular weight alkoxysilane formed by condensation of monomers of alkoxysilane, and means an oligomer having two or more siloxane bonds (—OSiO—) in one molecule. . The number of bonds is preferably 2 to 20.
上記テトラアルコキシシランの例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン等の炭素数１〜４のアルコキシ基でテトラ置換されたシランが挙げられる。 Examples of the tetraalkoxysilane include silane tetrasubstituted with an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, tetraiso-propoxysilane, and tetra-t-butoxysilane. It is done.
上記トリアルコキシシランの例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、トリｉｓｏ−プロポキシシラン、トリＬ−ブトキシシラン等の炭素数１〜４のアルコキシ基でトリ置換されたシラン、“ＫＢＭ−１３（メチルトリメトキシシラン）”、“ＫＢＥ−１３（メチルトリエトキシシラン）”等の一部がアルキル基で置換されたシランが挙げられる。 Examples of the trialkoxysilane include trimethoxysilane, triethoxysilane, tripropoxysilane, tributoxysilane, triiso-propoxysilane, tri-L-butoxysilane, etc. And silanes partially substituted with alkyl groups such as “KBM-13 (methyltrimethoxysilane)” and “KBE-13 (methyltriethoxysilane)”.
上記ジアルコキシシランの例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン等の炭素数１〜４のアルコキシ基でジ置換されたシラン、“ＫＢＭ−２２（ジメチルジメトキシシラン）”、“ＫＢＥ−２２（ジメチルジエトキシシラン）”等の一部がアルキル基で置換されたシランが挙げられる。 Examples of the dialkoxysilane include silane disubstituted with an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms such as dimethyldimethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, and diphenyldiethoxysilane, “KBM-22 (dimethyldimethoxy)”. Silane) ”,“ KBE-22 (dimethyldiethoxysilane) ”and the like are partially substituted with alkyl groups.
上記アルコキシシランオリゴマーの例としては、有機基とアルコキシシリル基を併せ持つ比較的低分子のアルコキシシランオリゴマーが挙げられる。具体例としては、信越化学社製の“Ｘ−４０−２３０８”、“Ｘ−４０−９２３８”、“Ｘ−４０−９２４７”、“ＫＲ−４０１Ｎ”、“ＫＲ−５１０”、“ＫＲ−９２１８”、コルコート社製の“エチルシリケート４０”、“エチルシリケート４８”、“メチルシリケート５１”、“メチルシリケート５３Ａ”等が挙げられる。 Examples of the alkoxysilane oligomer include a relatively low-molecular alkoxysilane oligomer having both an organic group and an alkoxysilyl group. Specific examples include “X-40-2308”, “X-40-9238”, “X-40-9247”, “KR-401N”, “KR-510”, “KR-9218” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "Ethyl silicate 40", "Ethyl silicate 48", "Methyl silicate 51", "Methyl silicate 53A" manufactured by Colcoat.
上記アルコキシシランの具体例のうち、より高い硬度の透明導電性膜を形成するためには、テトラアルコキシシラン及びトリアルコキシシランの併用、一部がアルキル基で置換されたトリアルコキシシランやジアルコキシシラン、官能基がアルコキシシリル基であるアルコキシシランオリゴマーが好ましい。これらを用いることにより、バインダ分子間のシロキサン結合を促進させた３次元架橋により透明導電性膜の硬度が強くなり、経時変化によって透明導電性膜に亀裂が発生する危険性をより一層なくし、且つ基板との密着性をより高めることができるからである。 Among the specific examples of the alkoxysilane, in order to form a transparent conductive film with higher hardness, a combination of tetraalkoxysilane and trialkoxysilane, trialkoxysilane or dialkoxysilane partially substituted with an alkyl group An alkoxysilane oligomer whose functional group is an alkoxysilyl group is preferred. By using these, the hardness of the transparent conductive film is increased by three-dimensional crosslinking that promotes the siloxane bond between the binder molecules, and the risk of cracks occurring in the transparent conductive film due to aging is further reduced, and This is because the adhesion to the substrate can be further increased.
＜高沸点溶剤＞
本発明で用いる高沸点溶剤は、沸点が１５０℃以上の溶剤であり、無機系バインダ成分を溶解し、且つ塗布後の乾燥工程によって除去できるものであればよく、例えば、エチレングリコール、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、Ｎ−メチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、１，２−プロパンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、クレゾール、ニトロベンゼン、エチレングリコール等を使用できるが、蒸発速度及び塗布液保存安定性の点で、ジメチルスルホキシドが好ましい。
<High boiling point solvent>
The high boiling point solvent used in the present invention is a solvent having a boiling point of 150 ° C. or higher, and can be any solvent that dissolves the inorganic binder component and can be removed by a drying step after coating, such as ethylene glycol, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, N-methylformamide, methyl isobutyl ketone, 1,2-propanediol, N, N-dimethylaniline, cresol, nitrobenzene, ethylene glycol, etc. can be used. From the viewpoint of storage stability, dimethyl sulfoxide is preferred.
上記高沸点溶剤の含有量は、上記導電性コーティング組成物の全質量に対して、５質量％以上２０質量％以下とすることが好ましい。 The content of the high boiling point solvent is preferably 5% by mass or more and 20% by mass or less with respect to the total mass of the conductive coating composition.
＜低沸点溶剤＞
本発明で用いる低沸点溶剤は、沸点が１００℃以下の溶剤であり、例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、アセトン、ジオキサン、酢酸エチル、クロロホルム、アセトニトリル、ピリジン、酢酸、水等を使用できるが、乾燥性及び塗布液保存安定性の点で、エチルアルコール又はイソプロピルアルコールが好ましい。上記低沸点溶剤を使用することにより、上記鎖状導電性無機粒子の分散性が向上する。
<Low boiling solvent>
The low boiling point solvent used in the present invention is a solvent having a boiling point of 100 ° C. or less, and examples thereof include methyl alcohol, ethyl alcohol, n-propyl alcohol, isopropyl alcohol, n-butyl alcohol, isobutyl alcohol, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl ethyl ketone. , Tetrahydrofuran, acetone, dioxane, ethyl acetate, chloroform, acetonitrile, pyridine, acetic acid, water, and the like can be used, but ethyl alcohol or isopropyl alcohol is preferable in terms of drying properties and storage stability of the coating solution. By using the low boiling point solvent, the dispersibility of the chain conductive inorganic particles is improved.
上記低沸点溶剤の含有量は、上記導電性コーティング組成物の全質量に対して、８０質量％以上９５質量％以下とすることが好ましい。 The content of the low boiling point solvent is preferably 80% by mass or more and 95% by mass or less with respect to the total mass of the conductive coating composition.
＜レベリング剤＞
本発明で用いる透明導電性コーティング組成物には、レベリング剤を更に添加することができる。これにより、透明導電性膜の表面平滑性が確保できる。上記レベリング剤としては、例えば、ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等を使用できる。上記レベリング剤の含有量は、上記導電性コーティング組成物の全質量に対して０．０１〜５．０質量％程度とすればよい。
<Leveling agent>
A leveling agent can be further added to the transparent conductive coating composition used in the present invention. Thereby, the surface smoothness of a transparent conductive film is securable. Examples of the leveling agent include polyether-modified polydimethylsiloxane and dipropylene glycol monomethyl ether. The content of the leveling agent may be about 0.01 to 5.0% by mass with respect to the total mass of the conductive coating composition.
＜調製法＞
本発明で用いる透明導電性コーティング組成物の調製法は、上記各成分を混合して、上記鎖状導電性無機粒子を上記無機系バインダと上記溶剤の中に分散できれば特に限定されず、例えば、上記各成分をボールミル、サンドミル、ピコミル、ペイントコンディショナー等のメディアを介在させた機械的処理、又は超音波分散機、ホモジナイザー、ディスパー、ジェットミル等を使用した分散処理を施して混合・分散することができる。
<Preparation method>
The method for preparing the transparent conductive coating composition used in the present invention is not particularly limited as long as the above components are mixed and the chain conductive inorganic particles can be dispersed in the inorganic binder and the solvent. Each of the above components may be mixed and dispersed by applying mechanical treatment with media such as a ball mill, sand mill, pico mill, paint conditioner, or dispersion treatment using an ultrasonic disperser, homogenizer, disper, jet mill, etc. it can.
次に、本発明の透明導電性基板の製造方法の各工程について説明する。 Next, each process of the manufacturing method of the transparent conductive substrate of this invention is demonstrated.
＜塗布工程＞
本発明の塗布工程では、上記透明導電性コーティング組成物を透明基板に塗布する。
<Application process>
In the application step of the present invention, the transparent conductive coating composition is applied to a transparent substrate.
上記透明導電性コーティング組成物の塗布方法としては、平滑な塗膜を形成しうる塗布方法であれば特に限定されない。例えば、スピンコート、ロールコート、ダイコート、エアナイフコート、ブレードコート、リバースコート、グラビアコート、マイクログラビアコート等の塗工法、又はグラビア印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等の印刷法、スプレーコート、スリットコート、ディップコート等の塗布方法を用いることができるが、本発明で用いる導電性コーティング組成物は、溶剤の含有量が多く粘度が低いため、塗布効率の観点からスピンコート又はスプレーコートが好ましい。 The application method of the transparent conductive coating composition is not particularly limited as long as the application method can form a smooth coating film. For example, coating methods such as spin coating, roll coating, die coating, air knife coating, blade coating, reverse coating, gravure coating, micro gravure coating, or printing methods such as gravure printing, screen printing, offset printing, inkjet printing, spray coating, Although coating methods such as slit coating and dip coating can be used, the conductive coating composition used in the present invention is preferably spin coating or spray coating from the viewpoint of coating efficiency because of the high solvent content and low viscosity. .
上記透明基板としては、ガラス基板、透明樹脂基板等を用いることができるが、液晶表示パネルのガラス基板が好ましい。 As the transparent substrate, a glass substrate, a transparent resin substrate or the like can be used, and a glass substrate of a liquid crystal display panel is preferable.
＜製膜工程＞
本発明の製膜工程では、上記透明基板の上に塗布された上記透明導電性コーティング組成物からなる塗膜を乾燥して溶剤を除去することにより透明導電性膜を形成する。上記乾燥条件は、特に限定されず、上記溶剤が除去できる温度及び時間を適宜設定できる。
<Film forming process>
In the film forming process of the present invention, the transparent conductive film is formed by drying the coating film made of the transparent conductive coating composition applied on the transparent substrate and removing the solvent. The said drying conditions are not specifically limited, The temperature and time which can remove the said solvent can be set suitably.
次に、本発明で製造した透明導電性膜について説明する。 Next, the transparent conductive film produced by the present invention will be described.
本発明で製造した透明導電性膜の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設定される。これにより、上記透明導電性膜のヘイズ値を０．２％以下にでき、上記透明導電性膜の全光線透過率を９９．１％以上９９．９％以下にすることができる。 The thickness of the transparent conductive film produced in the present invention is set to 10 nm or more and 50 nm or less. Thereby, the haze value of the said transparent conductive film can be 0.2% or less, and the total light transmittance of the said transparent conductive film can be 99.1% or more and 99.9% or less.
また、上記透明導電性膜は、上記透明導電性コーティング組成物を用いて形成することにより、表面抵抗率を１．１×１０9Ω／スクエア以上１．０×１０10Ω／スクエア以下に制御することができる。 The transparent conductive film is formed using the transparent conductive coating composition, thereby controlling the surface resistivity from 1.1 × 10 9 Ω / square to 1.0 × 10 10 Ω / square. can do.
また、上記透明導電性膜は、上記透明導電性コーティング組成物を用いて形成することにより、鉛筆硬度を５〜９Ｈとすることができ、製造工程での傷付を防止し、歩止まり低下を防止することができる。 Moreover, the said transparent conductive film can make pencil hardness 5-9H by forming using the said transparent conductive coating composition, preventing the damage | wound in a manufacturing process, and a yield fall. Can be prevented.
次に、本発明の透明導電性基板の製造方法で製造された透明導電性基板について図面に基づき説明する。図１は、本発明で製造した透明導電性基板の一例を示す模式断面図である。図１において、透明導電性基板１０は、液晶表示パネル等のガラス基板１１と、その上に形成された透明導電性膜１２とを備えている。
Next, the transparent conductive substrate manufactured by the manufacturing method of the transparent conductive substrate of this invention is demonstrated based on drawing. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a transparent conductive substrate manufactured according to the present invention. In FIG. 1, a transparent
（タッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶表示パネル）
次に、本発明のタッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶表示パネルについて説明する。
(Horizontal electric field type LCD panel with built-in touch panel function)
Next, the horizontal electric field liquid crystal display panel with a built-in touch panel function of the present invention will be described.
本発明のタッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶表示パネルは、上記本発明の透明導電性基板の製造方法で製造された透明導電性基板を含むことを特徴とする。本発明のタッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶表示パネルが、本発明で製造した透明導電性基板を備えることにより、タッチ感度を低下させずに、ＥＳＤ機能を付与できる。 A horizontal electric field type liquid crystal display panel with a built-in touch panel function according to the present invention includes a transparent conductive substrate manufactured by the method for manufacturing a transparent conductive substrate according to the present invention. When the horizontal electric field type liquid crystal display panel with a built-in touch panel function of the present invention includes the transparent conductive substrate manufactured according to the present invention, an ESD function can be imparted without reducing touch sensitivity.
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、以下で「部」とは、「質量部」を意味する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail based on examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following, “part” means “part by mass”.
（実施例１）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
Example 1
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．４２部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．１０部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：５．００部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９４．３８部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.42 parts (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.10 parts (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 5 0.000 part (4) ethyl alcohol (low boiling point solvent): 94.38 parts (5) a mixture of polyether-modified polydimethylsiloxane 15.0 parts and dipropylene glycol monomethyl ether 85.0 parts (leveling agent: BIC Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は０．５２質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は８０質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 0.52% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 80% by mass. Met.
＜透明導電性基板の作製＞
上記コーティング液を、縦１０ｃｍ、横１０ｃｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上にスプレーコートにより塗布した。スプレーガンはノードソン社製パルススプレイを用い、ニードル開度を０．１５ｍｍとして、吐出液量１０．０ｇ／分になるように液の押し出し圧力を調製した。ガンと基板の距離を１００ｍｍ、塗布速度を毎秒６００ｍｍ、重ねピッチ１５．０ｍｍ、アトマイズエアー及びスワールエアーの圧力は０．０５ＭＰａとした。また、塗布面積は２０ｃｍ四方とし、塗布面積の中心に基板をおいて塗布を行った。得られた塗膜を１２０℃の乾燥機で１時間乾燥させて、ガラス基板の上に透明導電性膜を設けた実施例１の透明導電性基板を作製した。
<Preparation of transparent conductive substrate>
The coating solution was applied by spray coating onto a glass substrate having a length of 10 cm, a width of 10 cm, and a thickness of 0.7 mm. As the spray gun, a pulse spray manufactured by Nordson Co., Ltd. was used. The needle opening was adjusted to 0.15 mm, and the liquid extrusion pressure was adjusted so that the discharge liquid amount was 10.0 g / min. The distance between the gun and the substrate was 100 mm, the coating speed was 600 mm per second, the overlap pitch was 15.0 mm, and the pressure of atomized air and swirl air was 0.05 MPa. The coating area was 20 cm square, and coating was performed with the substrate in the center of the coating area. The obtained coating film was dried with a 120 ° C. dryer for 1 hour to produce a transparent conductive substrate of Example 1 in which a transparent conductive film was provided on a glass substrate.
（実施例２）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Example 2)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．４２部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．１０部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：７．５０部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９１．８８部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.42 parts (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.10 parts (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 7 50 parts (4) Ethyl alcohol (low-boiling solvent): 91.88 parts (5) Mixture of 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: Big Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は０．５２質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は８０質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 0.52% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 80% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、重ねピッチを１７．５ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして実施例２の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used and the overlapping pitch was changed to 17.5 mm.
（実施例３）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Example 3)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．４２部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．１０部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：１５．００部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：８４．３８部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.42 parts (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.10 parts (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 15 0.000 part (4) ethyl alcohol (low boiling point solvent): 84.38 parts (5) 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: BIC Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は０．５２質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は８０質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 0.52% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 80% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、重ねピッチを２０．０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして実施例３の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used and the overlapping pitch was changed to 20.0 mm.
（実施例４）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
Example 4
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．３９部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．１３部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：７．５０部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９１．８８部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.39 parts (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.13 parts (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 7 50 parts (4) Ethyl alcohol (low-boiling solvent): 91.88 parts (5) Mixture of 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: Big Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は０．５２質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は７５質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 0.52% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 75% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、重ねピッチを１７．５ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして実施例４の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Example 4 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used and the overlapping pitch was changed to 17.5 mm.
（実施例５）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Example 5)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．４３部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．０９部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：７．５０部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９１．８８部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.43 parts (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.09 parts (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 7 50 parts (4) Ethyl alcohol (low-boiling solvent): 91.88 parts (5) Mixture of 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: Big Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は０．５２質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は８３質量％であった。 The content of non-volatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 0.52% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 83% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、重ねピッチを１７．５ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして実施例５の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Example 5 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used and the overlapping pitch was changed to 17.5 mm.
（実施例６）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Example 6)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．４２部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．０７部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：７．５０部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９１．９１部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.42 part (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.07 part (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 7 .50 parts (4) Ethyl alcohol (low boiling point solvent): 91.91 parts (5) Mixture of 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: Big Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は０．４９質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は８５質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 0.49% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 85% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、重ねピッチを１７．５ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして実施例６の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Example 6 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used and the overlapping pitch was changed to 17.5 mm.
（比較例１）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Comparative Example 1)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：１．４０部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：１．７１部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：７．５０部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：８９．２９部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 1.40 parts (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 1.71 parts (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 7 50 parts (4) ethyl alcohol (low boiling point solvent): 89.29 parts (5) 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: Big Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は３．１１質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は４５質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 3.11% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 45% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、重ねピッチを５．０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして比較例１の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used and the overlapping pitch was changed to 5.0 mm.
（比較例２）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Comparative Example 2)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：１．４０部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：１．７１部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：３．００部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９３．７９部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 1.40 parts (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 1.71 parts (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 3 0.000 (4) Ethyl alcohol (low boiling point solvent): 93.79 parts (5) Mixture of 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: Big Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は３．１１質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は４５質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 3.11% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 45% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、重ねピッチを１０．０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして比較例２の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Comparative Example 2 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used and the overlapping pitch was changed to 10.0 mm.
（比較例３）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Comparative Example 3)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．７０部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．３８部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：７．５０部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９１．３２部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.70 part (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.38 part (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 7 50 parts (4) Ethyl alcohol (low boiling point solvent): 91.32 parts (5) Mixture of 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: Big Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は１．０８質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は６５質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 1.08% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 65% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用いた以外は、実施例１と同様にして比較例３の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Comparative Example 3 was produced in the same manner as in Example 1 except that the above coating solution was used.
（比較例４）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Comparative Example 4)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．７０部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．３０部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：２５．００部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：７３．９０部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.70 part (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.30 part (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 25 0.000 part (4) ethyl alcohol (low boiling point solvent): 73.90 parts (5) 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: BIC Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は１．００質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は７０質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 1.00% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 70% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、吐出液量を５．０ｇ／分、重ねピッチを１０．０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして比較例４の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Comparative Example 4 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used, the discharge liquid amount was changed to 5.0 g / min, and the overlapping pitch was changed to 10.0 mm.
（比較例５）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Comparative Example 5)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．７０部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．３０部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：７．５０部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９１．４０部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.70 part (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.30 part (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 7 .50 parts (4) ethyl alcohol (low boiling point solvent): 91.40 parts (5) liquid mixture of 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: BIC Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は１．００質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は７０質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 1.00% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 70% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、重ねピッチを１０．０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして比較例５の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Comparative Example 5 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used and the overlapping pitch was changed to 10.0 mm.
（比較例６）
＜コーティング液の調製＞
プラスチック製ビンに、下記成分（１）〜（５）を下記分量で入れ、攪拌してコーティング液を調製した。
(Comparative Example 6)
<Preparation of coating solution>
The following components (1) to (5) were put in the following amounts in a plastic bottle and stirred to prepare a coating solution.
（１）鎖状ＡＴＯ粒子：０．４２部
（２）アルコキシシラン（無機系バインダ：信越化学工業社製“Ｘ４０−２３０８”）：０．０５部
（３）ジメチルスルホキシド（高沸点溶剤）：７．５０部
（４）エチルアルコール（低沸点溶剤）：９１．９３部
（５）ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン１５．０部とジプロピレングリコールモノメチルエーテル８５．０部との混合液（レベリング剤：ビックケミージャパン社製“ＢＹＫ−３３７”）：０．１０部
(1) Chain ATO particles: 0.42 part (2) Alkoxysilane (inorganic binder: “X40-2308” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.): 0.05 part (3) Dimethyl sulfoxide (high boiling point solvent): 7 .50 parts (4) Ethyl alcohol (low boiling point solvent): 91.93 parts (5) Mixture of 15.0 parts of polyether-modified polydimethylsiloxane and 85.0 parts of dipropylene glycol monomethyl ether (leveling agent: Big Chemy Japan "BYK-337"): 0.10 parts
上記コーティング液の不揮発固形成分（鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシラン）の含有量は０．４６質量％であり、鎖状ＡＴＯ粒子及びアルコキシシランの合計量に対する鎖状ＡＴＯ粒子の含有量は９０質量％であった。 The content of nonvolatile solid components (chain ATO particles and alkoxysilane) in the coating liquid is 0.46% by mass, and the content of chain ATO particles with respect to the total amount of chain ATO particles and alkoxysilane is 90% by mass. Met.
次に、上記コーティング液を用い、吐出液量を５．０ｇ／分、重ねピッチを２３．０ｍｍに変更した以外は、実施例１と同様にして比較例６の透明導電性基板を作製した。 Next, a transparent conductive substrate of Comparative Example 6 was produced in the same manner as in Example 1 except that the coating liquid was used, the discharge liquid amount was changed to 5.0 g / min, and the overlapping pitch was changed to 23.0 mm.
次に、上記各透明導電性基板の塗布性状、膜厚、表面抵抗率、ヘイズ値、全光線透過率、鉛筆硬度及び信頼性を下記のとおり測定又は評価した。 Next, the coating properties, film thickness, surface resistivity, haze value, total light transmittance, pencil hardness and reliability of each transparent conductive substrate were measured or evaluated as follows.
＜塗布性状＞
透明導電性膜の塗布ムラの有無を観察し、塗布ムラがない場合を塗布性状が良好と判断し、塗布ムラがある場合を塗布性状が不良と判断した。
<Applying properties>
The presence or absence of coating unevenness of the transparent conductive film was observed, and when there was no coating unevenness, it was determined that the coating property was good, and when there was coating unevenness, the coating property was determined to be poor.
＜膜厚＞
透明導電性基板を切断し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ、日立製作所社製“Ｓ−４５００”）にて断面観察して、透明導電性膜の膜厚を測定した。
<Film thickness>
The transparent conductive substrate was cut, and the cross-section was observed with a scanning electron microscope (SEM, “S-4500” manufactured by Hitachi, Ltd.) to measure the film thickness of the transparent conductive film.
＜表面抵抗率＞
表面抵抗計（三菱化学社製“ハイレスタＭＣＰ−ＨＴ４５０”、印加電圧：１０Ｖ）を用いて、透明導電性膜の初期の表面抵抗率を測定した。
<Surface resistivity>
The initial surface resistivity of the transparent conductive film was measured using a surface resistance meter (“HIRESTA MCP-HT450” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, applied voltage: 10 V).
＜ヘイズ値及び全光線透過率＞
日本電色工業社製の光度計“ヘイズメーターＮＤＨ２０００”を用い、透明導電性膜のみのヘイズ値及び全光線透過率を測定した。
<Haze value and total light transmittance>
Using a photometer “Haze Meter NDH2000” manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd., the haze value and total light transmittance of only the transparent conductive film were measured.
＜鉛筆硬度＞
透明導電性膜の鉛筆硬度を新東科学社製の表面性試験機“ＨＥＩＤＯＮ−１４ＤＲ”を用いて測定した。
<Pencil hardness>
The pencil hardness of the transparent conductive film was measured using a surface property tester “HEIDON-14DR” manufactured by Shinto Kagaku.
＜信頼性＞
透明導電性基板を温度６０℃、相対湿度９０％の環境下で１０００時間保持した後の透明導電性膜の表面抵抗率を上記と同様にして測定して、高温高湿試験後の表面抵抗率とした。次に、下記式から表面抵抗率の変化率を求め、変化率が１００％未満の場合を信頼性が良好と判断し、変化率が１００％以上の場合を信頼性が不良と判断した。
変化率（％）＝（｜初期の表面抵抗率−高温高湿試験後の表面抵抗率｜／初期の表面抵抗率）×１００
<Reliability>
The surface resistivity of the transparent conductive film after holding the transparent conductive substrate in an environment of a temperature of 60 ° C. and a relative humidity of 90% for 1000 hours was measured in the same manner as described above, and the surface resistivity after the high temperature and high humidity test was measured. It was. Next, the rate of change of the surface resistivity was obtained from the following formula, and when the rate of change was less than 100%, the reliability was judged good, and when the rate of change was 100% or more, the reliability was judged as poor.
Rate of change (%) = (| initial surface resistivity−surface resistivity after high temperature and high humidity test | / initial surface resistivity) × 100
以上の測定の結果をコーティング液の固形分濃度及び透明導電性膜中のＡＴＯ粒子の含有量と共に表１に示す。 The results of the above measurement are shown in Table 1 together with the solid content concentration of the coating liquid and the content of ATO particles in the transparent conductive film.
表１から、本発明の実施例１〜６の透明導電性基板は、塗布性状、表面抵抗率、ヘイズ値、全光線透過率、鉛筆硬度及び信頼性の全てで優れた結果を得たことが分かる。 From Table 1, the transparent conductive substrates of Examples 1 to 6 of the present invention obtained excellent results in all of the coating properties, surface resistivity, haze value, total light transmittance, pencil hardness and reliability. I understand.
一方、固形分濃度が１質量％を超え、ＡＴＯ含有量が７５質量％を下回った比較例１及び３では、鉛筆硬度及び信頼性が劣り、固形分濃度が１質量％を超え、ＡＴＯ含有量が７５質量％を下回った比較例２では、塗布性状、全光線透過率、鉛筆硬度及び信頼性が劣り、ＡＴＯ含有量が７５質量％を下回った比較例４では、塗布性状、鉛筆硬度及び信頼性が劣り、ＡＴＯ含有量が７５質量％を下回った比較例５では、鉛筆硬度及び信頼性が劣り、ＡＴＯ含有量が８５質量％を超えた比較例６では、塗布性状、鉛筆硬度及び信頼性が劣った。 On the other hand, in Comparative Examples 1 and 3 in which the solid content concentration exceeded 1% by mass and the ATO content was less than 75% by mass, the pencil hardness and reliability were inferior, the solid content concentration exceeded 1% by mass, and the ATO content In Comparative Example 2 in which the content was less than 75% by mass, the coating properties, total light transmittance, pencil hardness and reliability were inferior. In Comparative Example 4 in which the ATO content was less than 75% by mass, the coating properties, pencil hardness and reliability were low. In Comparative Example 5 in which the ATO content was less than 75% by mass, the pencil hardness and reliability were inferior, and in Comparative Example 6 in which the ATO content exceeded 85% by mass, the coating properties, pencil hardness and reliability were low. Was inferior.
本発明により、光学特性及び電気特性を特定の範囲に制御した透明導電性基板を安定的に供給でき、これにより、例えば、静電容量式タッチ感知機能層を備えたタッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶パネルにおいて、ＥＳＤ機能及びタッチパネル機能を両立できると共に、特定の光学特性と特定の電気特性とを有する透明導電性基板を備えたタッチパネル機能内蔵型横電界方式液晶表示パネルを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to stably supply a transparent conductive substrate whose optical characteristics and electrical characteristics are controlled within a specific range, and thereby, for example, a touch panel function built-in lateral electric field system having a capacitive touch sensing function layer. In the liquid crystal panel, a horizontal electric field type liquid crystal display panel with a built-in touch panel function including a transparent conductive substrate having both an ESD function and a touch panel function and having specific optical characteristics and specific electrical characteristics can be provided.
１０ 透明導電性基板
１１ ガラス基板
１２ 透明導電性膜
10 Transparent
Claims (11)
前記透明基板の上に透明導電性膜を形成する製膜工程とを含み、
前記透明導電性コーティング組成物は、鎖状導電性無機粒子と、無機系バインダと、沸点が１５０℃以上の高沸点溶剤と、沸点が１００℃以下の低沸点溶剤とを含み、
前記鎖状導電性無機粒子及び前記無機系バインダの合計量が、前記透明導電性コーティング組成物の全質量に対して、０．４質量％以上１質量％以下であり、
前記鎖状導電性無機粒子の含有量は、前記鎖状導電性無機粒子及び前記無機系バインダの合計質量に対して、７５質量％以上８５質量％以下であり、
前記透明導電性膜の厚さが、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、
前記透明導電性膜の表面抵抗率が、１．１×１０9Ω／スクエア以上１．０×１０10Ω／スクエア以下であることを特徴とする透明導電性基板の製造方法。 An application step of applying the transparent conductive coating composition to the transparent substrate;
Forming a transparent conductive film on the transparent substrate; and
The transparent conductive coating composition includes chain-like conductive inorganic particles, an inorganic binder, a high boiling point solvent having a boiling point of 150 ° C. or higher, and a low boiling point solvent having a boiling point of 100 ° C. or lower,
The total amount of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder is 0.4% by mass or more and 1% by mass or less based on the total mass of the transparent conductive coating composition,
The content of the chain conductive inorganic particles is 75% by mass to 85% by mass with respect to the total mass of the chain conductive inorganic particles and the inorganic binder,
The thickness of the transparent conductive film is 10 nm or more and 50 nm or less,
A method for producing a transparent conductive substrate, wherein the surface resistivity of the transparent conductive film is 1.1 × 10 9 Ω / square or more and 1.0 × 10 10 Ω / square or less.
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