JP2017157935A - Switch driving device, and failure determination method by switch driving device - Google Patents

Switch driving device, and failure determination method by switch driving device Download PDF

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To determine whether or not it is a failure of an overvoltage suppression switch element, upon occurrence of a failure in a power unit.SOLUTION: A switch driving device for driving an overvoltage suppression switch element includes a gate driver section, a gate-on resistance section, a gate-off resistance section, a control section, and a gate-off resistance changeover section. The gate-on resistance section has a first resistor and a first diode. The gate-off resistance section has a second resistor and a second diode. The gate-off resistance changeover section has a third resistance and a changeover switch element. The control section turns the overvoltage suppression switch element off while turning the changeover switch element on, and turns the changeover switch element off after the voltage of a feedback signal goes below a predetermined voltage value, thereafter determines whether or not the overvoltage suppression switch element is faulty, based on the voltage of the feedback signal.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明の実施形態は、スイッチ駆動装置、および当該スイッチ駆動装置による故障判定方法に関する。   Embodiments described herein relate generally to a switch drive device and a failure determination method using the switch drive device.

電力変換回路等の電気回路を有するパワーユニットが知られている。例えば、パワーユニットの一つとして、誘導電動機を駆動するためのインバータを格納し、電気車の床下に取り付けられた床下装置がある。床下装置には、通常、過電圧によりインバータが破壊されることを防止するために過電圧抑制装置が設けられている。この過電圧抑制装置は、インバータの入力端子に並列接続された過電圧抑制スイッチ素子と、過電圧抑制スイッチ素子を駆動するスイッチ駆動装置とを有する。過電圧抑制スイッチ素子をオンにしてインバータに印加される電圧を逃がすことで、インバータに過電圧が印加されることが抑制ないし防止される。   A power unit having an electric circuit such as a power conversion circuit is known. For example, as one of the power units, there is an underfloor device that houses an inverter for driving an induction motor and is attached under the floor of an electric vehicle. The underfloor device is usually provided with an overvoltage suppression device in order to prevent the inverter from being destroyed by the overvoltage. This overvoltage suppression device has an overvoltage suppression switch element connected in parallel to the input terminal of the inverter, and a switch drive device that drives the overvoltage suppression switch element. By turning on the overvoltage suppression switch element and releasing the voltage applied to the inverter, it is possible to suppress or prevent the overvoltage from being applied to the inverter.

ところで、従来、床下装置内で故障が発生した場合、過電圧抑制スイッチ素子の故障であるか否かを特定することができなかった。床下装置内の過電圧抑制スイッチ素子は作業者がアクセスしづらい部分に配置されることがある。このような場合、過電圧抑制スイッチ素子を直接検査して正常性を確認することは困難であり、床下装置のメンテナンス性が低下するという問題があった。   By the way, conventionally, when a failure has occurred in the underfloor device, it has not been possible to specify whether or not the overvoltage suppression switch element has failed. The overvoltage suppression switch element in the underfloor device may be disposed in a portion that is difficult for an operator to access. In such a case, it is difficult to directly check the overvoltage suppression switch element to confirm the normality, and there is a problem that the maintainability of the underfloor device is lowered.

床下装置のメンテナンス性を向上させるため、床下装置の故障時において過電圧抑制スイッチ素子の故障であるか否かを特定できるようにすることが求められていた。   In order to improve the maintainability of the underfloor device, it has been required to be able to specify whether or not the overvoltage suppression switch element has failed when the underfloor device fails.

特開平3−18770号公報Japanese Patent Laid-Open No. 3-18770

本発明が解決しようとする課題は、パワーユニット内で故障が発生したときに過電圧抑制スイッチ素子の故障か否かを判定することが可能なスイッチ駆動装置、およびスイッチ駆動装置による故障判定方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a switch drive device capable of determining whether or not an overvoltage suppression switch element has failed when a failure occurs in a power unit, and a failure determination method using the switch drive device. That is.

実施形態に係るスイッチ駆動装置は、電気回路に過電圧が印加されることを抑制するための過電圧抑制スイッチ素子を駆動するスイッチ駆動装置である。前記スイッチ駆動装置は、ゲートドライバ部と、ゲートオン抵抗部と、ゲートオフ抵抗部と、制御部と、ゲートオフ抵抗切替部とを備えている。前記ゲートドライバ部は、制御信号を入力し、前記制御信号に基づくゲート信号を出力する。前記ゲートオン抵抗部は、一端が前記ゲートドライバ部の出力端に接続され、他端が前記過電圧抑制スイッチ素子の制御端子に接続されている。このゲートオン抵抗部は、第1の抵抗と、前記第1の抵抗に直列接続され、前記一端側から前記他端側に電流を流す第1のダイオードとを有する。前記ゲートオフ抵抗部は、一端が前記ゲートドライバ部の出力端に接続され、他端が前記制御端子に接続されている。このゲートオフ抵抗部は、第2の抵抗と、前記第2の抵抗に直列接続され、前記他端側から前記一端側に電流を流す第2のダイオードとを有する。前記制御部は、前記ゲートドライバ部に前記制御信号を出力するとともに、前記過電圧抑制スイッチ素子の制御端子に印加される信号をフィードバック信号として入力する。前記ゲートオフ抵抗切替部は、第3の抵抗と切替スイッチ素子とを有する。前記第3の抵抗は、一端が前記ゲートオフ抵抗部の出力端に接続され、前記第2の抵抗よりも抵抗値が小さい。前記切替スイッチ素子は、出力端が前記第3の抵抗の他端に接続されている。前記制御部は、前記切替スイッチ素子をオンにした状態で前記過電圧抑制スイッチ素子をオフにし、前記フィードバック信号の電圧が所定の電圧値を下回った後、前記切替スイッチ素子をオフにし、その後、前記フィードバック信号の電圧に基づいて前記過電圧抑制スイッチ素子が故障しているか否かを判定する。   The switch drive device according to the embodiment is a switch drive device that drives an overvoltage suppression switch element for suppressing application of an overvoltage to an electric circuit. The switch driving device includes a gate driver section, a gate-on resistance section, a gate-off resistance section, a control section, and a gate-off resistance switching section. The gate driver unit receives a control signal and outputs a gate signal based on the control signal. The gate-on resistance unit has one end connected to the output terminal of the gate driver unit and the other end connected to the control terminal of the overvoltage suppression switch element. The gate-on resistance unit includes a first resistor and a first diode that is connected in series to the first resistor and flows current from the one end side to the other end side. The gate-off resistance unit has one end connected to the output terminal of the gate driver unit and the other end connected to the control terminal. The gate-off resistance unit includes a second resistor and a second diode that is connected in series to the second resistor and flows current from the other end side to the one end side. The control unit outputs the control signal to the gate driver unit and inputs a signal applied to a control terminal of the overvoltage suppression switch element as a feedback signal. The gate-off resistance switching unit includes a third resistor and a changeover switch element. One end of the third resistor is connected to the output end of the gate-off resistor unit, and has a resistance value smaller than that of the second resistor. The changeover switch element has an output end connected to the other end of the third resistor. The control unit turns off the overvoltage suppression switch element in a state where the changeover switch element is turned on, and turns off the changeover switch element after the voltage of the feedback signal falls below a predetermined voltage value. It is determined whether or not the overvoltage suppression switch element has failed based on the voltage of the feedback signal.

電気車におけるモータ駆動システムの概略的構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the motor drive system in an electric vehicle. 実施形態に係る過電圧抑制装置100の概略的構成を示す図である。It is a figure which shows schematic structure of the overvoltage suppression apparatus 100 which concerns on embodiment. 実施形態に係るスイッチ駆動装置1による故障判定方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the failure determination method by the switch drive device 1 which concerns on embodiment. フィードバック信号の電圧VFBの時間変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time change of voltage VFB of a feedback signal.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、図1を参照して、電気車を走行させるためのモータ駆動システムについて説明する。このモータ駆動システムは、図1に示すように、交流電力を直流電力に変換するコンバータ40と、コンバータ40の出力端子43,44に並列接続された出力コンデンサ45と、直流電力を交流電力に変換するインバータ50と、電気車の動力源である誘導電動機60と、パンタグラフ70と、トランス80と、インバータ50に過電圧が印加されることを抑制する過電圧抑制装置100とを備えている。コンバータ40、出力コンデンサ45、インバータ50および過電圧抑制装置100は、電気車の床下に取り付けられた箱形の床下装置(図示せず)内に設けられている。   First, a motor drive system for running an electric vehicle will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 1, the motor drive system includes a converter 40 that converts AC power into DC power, an output capacitor 45 that is connected in parallel to output terminals 43 and 44 of the converter 40, and DC power that is converted into AC power. An inverter 50, an induction motor 60 that is a power source of the electric vehicle, a pantograph 70, a transformer 80, and an overvoltage suppressing device 100 that suppresses application of an overvoltage to the inverter 50. Converter 40, output capacitor 45, inverter 50, and overvoltage suppression device 100 are provided in a box-shaped underfloor device (not shown) attached under the floor of the electric vehicle.

コンバータ40は、架線200から供給される交流電力を、パンタグラフ70およびトランス80を介して入力端子41,42から入力する。そして、コンバータ40は、入力した交流電力を所定の直流電力に変換して出力端子43,44から出力する。出力コンデンサ45は、コンバータ40から出力された電圧を平滑化する。   Converter 40 inputs AC power supplied from overhead line 200 from input terminals 41 and 42 via pantograph 70 and transformer 80. Converter 40 then converts the input AC power into predetermined DC power and outputs it from output terminals 43 and 44. Output capacitor 45 smoothes the voltage output from converter 40.

インバータ50は、コンバータ40から、入力端子51,52を介して入力した直流電力を交流電力に変換し、得られた交流電力(三相交流)を出力端子53,54,55から出力する。なお、入力端子52は接地されている。   The inverter 50 converts the DC power input from the converter 40 via the input terminals 51 and 52 into AC power, and outputs the obtained AC power (three-phase AC) from the output terminals 53, 54 and 55. The input terminal 52 is grounded.

誘導電動機60は、三相の誘導電動機であり、インバータ50から供給された交流電力によって駆動され、車輪(図示せず)を回転させることにより電気車を走行させる。   The induction motor 60 is a three-phase induction motor, is driven by AC power supplied from the inverter 50, and runs an electric vehicle by rotating wheels (not shown).

なお、モータ駆動システムは上記構成に限られない。架線200から直流電力が供給される場合には、コンバータ40、出力コンデンサ45およびトランス80に代えて、抵抗とコンデンサから構成されるローパスフィルタがインバータ50とパンタグラフ70の間に設けられる。   The motor drive system is not limited to the above configuration. When DC power is supplied from the overhead line 200, a low pass filter including a resistor and a capacitor is provided between the inverter 50 and the pantograph 70 instead of the converter 40, the output capacitor 45, and the transformer 80.

次に、図2を参照して、過電圧抑制装置100について詳しく説明する。   Next, the overvoltage suppressing device 100 will be described in detail with reference to FIG.

過電圧抑制装置100は、スイッチ駆動装置1と、インバータ50の入力端子51,52に並列接続される過電圧抑制スイッチ素子30とを有する。図2に示すように、過電圧抑制スイッチ素子30には、還流ダイオード31が設けられている。   The overvoltage suppression device 100 includes the switch drive device 1 and an overvoltage suppression switch element 30 connected in parallel to input terminals 51 and 52 of the inverter 50. As shown in FIG. 2, the overvoltage suppression switch element 30 is provided with a free wheel diode 31.

過電圧抑制スイッチ素子30は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)である。コレクタ端子がインバータ50の入力端子51に接続され、エミッタ端子がインバータ50の入力端子52に接続されている。過電圧抑制スイッチ素子30のオフ時における抵抗Rgeの抵抗値は、正常時において∞Ωであるが、故障時には数kΩまで低下する。ここで、抵抗Rgeは、過電圧抑制スイッチ素子30の主端子(エミッタ端子とコレクタ端子)のうち接地される端子(エミッタ端子)と制御端子との間の抵抗である。   The overvoltage suppression switch element 30 is an insulated gate bipolar transistor (IGBT). The collector terminal is connected to the input terminal 51 of the inverter 50, and the emitter terminal is connected to the input terminal 52 of the inverter 50. The resistance value of the resistor Rge when the overvoltage suppression switch element 30 is OFF is ∞Ω in a normal state, but decreases to several kΩ when a failure occurs. Here, the resistance Rge is a resistance between a terminal (emitter terminal) grounded among the main terminals (emitter terminal and collector terminal) of the overvoltage suppression switch element 30 and the control terminal.

なお、過電圧抑制スイッチ素子30は、IGBTに限らず、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ(GTO)またはMOSFETであってもよい。   The overvoltage suppression switch element 30 is not limited to the IGBT, but may be a thyristor, a gate turn-off thyristor (GTO), or a MOSFET.

スイッチ駆動装置1は、所定の場合(例えば出力コンデンサ45の過電圧を検出した場合)に、過電圧抑制スイッチ素子30をオンにする。これにより、インバータ50に過電圧が印加されることを抑制する。また、スイッチ駆動装置1は、後述のように、過電圧抑制スイッチ素子30が故障しているかどうかを判定することも可能である。   The switch drive device 1 turns on the overvoltage suppression switch element 30 in a predetermined case (for example, when an overvoltage of the output capacitor 45 is detected). Thereby, it is suppressed that an overvoltage is applied to the inverter 50. Further, as will be described later, the switch drive device 1 can also determine whether or not the overvoltage suppression switch element 30 has failed.

なお、過電圧抑制スイッチ素子30は、インバータ50に限らず、任意の電気回路に過電圧が印加されることを抑制するものであってもよい。   Note that the overvoltage suppression switch element 30 is not limited to the inverter 50, and may be one that suppresses application of an overvoltage to an arbitrary electric circuit.

スイッチ駆動装置1は、図2に示すように、ゲートドライバ部2と、ゲートオン抵抗部3と、ゲートオフ抵抗部6と、制御部9と、ゲートオフ抵抗切替部10と、過電圧検出部15とを備えている。以下、各構成要素について説明する。   As shown in FIG. 2, the switch driving device 1 includes a gate driver unit 2, a gate-on resistance unit 3, a gate-off resistance unit 6, a control unit 9, a gate-off resistance switching unit 10, and an overvoltage detection unit 15. ing. Hereinafter, each component will be described.

ゲートドライバ部2は、制御信号Sinを入力し、この制御信号Sinに基づくゲート信号を出力する。ゲートドライバ部2は、直列接続されたスイッチ素子2aおよびスイッチ素子2bを有する。スイッチ素子2aは、一端が正側電源電圧(+Vgg)に接続されている。第2のスイッチ素子2bは、一端がスイッチ素子2aの他端に接続され、他端が負側電源電圧(−Vgg)に接続されている。例えば、正側電源電圧は+15Vであり、負側電源電圧は−15Vである。   The gate driver unit 2 receives the control signal Sin and outputs a gate signal based on the control signal Sin. The gate driver unit 2 includes a switch element 2a and a switch element 2b connected in series. One end of the switch element 2a is connected to the positive power supply voltage (+ Vgg). The second switch element 2b has one end connected to the other end of the switch element 2a and the other end connected to the negative power supply voltage (-Vgg). For example, the positive power supply voltage is + 15V and the negative power supply voltage is −15V.

図2に示すように、スイッチ素子2aのコレクタ端子は正側電源電圧(+Vgg)に接続され、スイッチ素子2bのエミッタ端子は負側電源電圧(−Vgg)に接続されている。スイッチ素子2aのエミッタ端子とスイッチ素子2bのコレクタ端子が接続されている。   As shown in FIG. 2, the collector terminal of the switch element 2a is connected to the positive power supply voltage (+ Vgg), and the emitter terminal of the switch element 2b is connected to the negative power supply voltage (-Vgg). The emitter terminal of the switch element 2a and the collector terminal of the switch element 2b are connected.

なお、スイッチ素子2a,2bは、パイポーラトランジスタ、MOSFET、高速リレーにより構成され、例えば、スイッチ素子2aがN型MOSFETであり、スイッチ素子2bがP型MOSFETで構成することができる。   The switch elements 2a and 2b are configured by bipolar transistors, MOSFETs, and high-speed relays. For example, the switch element 2a can be an N-type MOSFET and the switch element 2b can be configured by a P-type MOSFET.

ゲートオン抵抗部3は、一端がゲートドライバ部2の出力端に接続され、他端が過電圧抑制スイッチ素子30の制御端子(ゲート端子)に接続されている。このゲートオン抵抗部3は、第1の抵抗(ゲートオン抵抗)4と、第1の抵抗4に直列接続され、ゲートオン抵抗部3の一端側から他端側に電流を流す第1のダイオード5とを有する。図2に示すように、第1のダイオード5は、アノードが第1の抵抗4に接続され、カソードが過電圧抑制スイッチ素子30の制御端子に接続されている。   One end of the gate-on resistance unit 3 is connected to the output end of the gate driver unit 2, and the other end is connected to the control terminal (gate terminal) of the overvoltage suppression switch element 30. The gate-on resistance section 3 includes a first resistance (gate-on resistance) 4 and a first diode 5 that is connected in series to the first resistance 4 and flows current from one end side to the other end side of the gate-on resistance section 3. Have. As shown in FIG. 2, the first diode 5 has an anode connected to the first resistor 4 and a cathode connected to the control terminal of the overvoltage suppression switch element 30.

第1の抵抗4は、エネルギー効率の観点から抵抗値が出来るだけ小さいことが望ましい。例えば、第1の抵抗4の抵抗値は数Ω〜数十Ω程度である。   The first resistor 4 desirably has a resistance value as small as possible from the viewpoint of energy efficiency. For example, the resistance value of the first resistor 4 is about several Ω to several tens Ω.

なお、第1の抵抗4と第1のダイオード5の配置は逆であってもよい。すなわち、第1のダイオード5のアノードがゲートドライバ部2の出力端に接続され、第1のダイオード5のカソードが第1の抵抗4の一端に接続され、第1の抵抗4の他端が過電圧抑制スイッチ素子30の制御端子に接続されるようにしてもよい。   Note that the arrangement of the first resistor 4 and the first diode 5 may be reversed. That is, the anode of the first diode 5 is connected to the output terminal of the gate driver unit 2, the cathode of the first diode 5 is connected to one end of the first resistor 4, and the other end of the first resistor 4 is overvoltage. You may make it connect with the control terminal of the suppression switch element 30. FIG.

ゲートオフ抵抗部6は、一端がゲートドライバ部2の出力端に接続され、他端が過電圧抑制スイッチ素子30の制御端子に接続されている。このゲートオフ抵抗部6は、第2の抵抗7と、第2の抵抗7に直列接続され、ゲートオフ抵抗部6の他端側から一端側に電流を流す第2のダイオード8とを有する。図2に示すように、第2のダイオード8は、カソードが第2の抵抗7に接続され、アノードが過電圧抑制スイッチ素子30の制御端子に接続されている。   One end of the gate-off resistance unit 6 is connected to the output end of the gate driver unit 2, and the other end is connected to the control terminal of the overvoltage suppression switch element 30. The gate-off resistor unit 6 includes a second resistor 7 and a second diode 8 that is connected in series to the second resistor 7 and flows current from the other end side to the one end side of the gate-off resistor unit 6. As shown in FIG. 2, the second diode 8 has a cathode connected to the second resistor 7 and an anode connected to the control terminal of the overvoltage suppression switch element 30.

第2の抵抗7の抵抗値は、過電圧抑制スイッチ素子30の故障判定を可能にするために、第1の抵抗4よりずっと大きい。より詳しくは、第2の抵抗7の抵抗値は、オフ状態の過電圧抑制スイッチ素子30の故障時における抵抗Rgeの抵抗値とほぼ同じオーダである。   The resistance value of the second resistor 7 is much larger than that of the first resistor 4 in order to enable failure determination of the overvoltage suppression switch element 30. More specifically, the resistance value of the second resistor 7 is approximately in the same order as the resistance value of the resistor Rge when the overvoltage suppression switch element 30 in the off state is faulty.

なお、第2の抵抗7と第2のダイオード8の配置は逆であってもよい。すなわち、第2のダイオード8のカソードがゲートドライバ部2の出力端に接続され、第2のダイオード8のアノードが第2の抵抗7の一端に接続され、第2の抵抗7の他端が過電圧抑制スイッチ素子30の制御端子に接続されるようにしてもよい。   The arrangement of the second resistor 7 and the second diode 8 may be reversed. That is, the cathode of the second diode 8 is connected to the output terminal of the gate driver unit 2, the anode of the second diode 8 is connected to one end of the second resistor 7, and the other end of the second resistor 7 is overvoltage. You may make it connect with the control terminal of the suppression switch element 30. FIG.

制御部9は、過電圧検出部15から過電圧検出信号を受信することにより、出力コンデンサ45の電圧が所定の閾値電圧以上になったことを把握する。なお、制御部9は、他の故障検出部(図示せず)からの通知により、出力コンデンサ45の過電圧以外の故障もしくは異常状態を把握してもよい。このように制御部9は、過電圧検出部15および他の故障検出部により床下装置内の故障を把握可能に構成されている。   The control unit 9 receives the overvoltage detection signal from the overvoltage detection unit 15 to grasp that the voltage of the output capacitor 45 has become equal to or higher than a predetermined threshold voltage. The control unit 9 may grasp a failure or an abnormal state other than the overvoltage of the output capacitor 45 based on a notification from another failure detection unit (not shown). As described above, the control unit 9 is configured to be able to grasp the failure in the underfloor device by the overvoltage detection unit 15 and the other failure detection unit.

制御部9は、ゲートドライバ部2に制御信号Sinを出力して、過電圧抑制スイッチ素子30のオンオフ制御を行う。この制御部9は、ゲートオフ抵抗切替部10の切替スイッチ素子14のオンオフ制御も行う。後ほど詳しく説明するように、制御部9は、過電圧検出信号等の異常検出信号を受信したときに、切替スイッチ素子14をオンにした状態で過電圧抑制スイッチ素子30をオフにする。   The control unit 9 outputs a control signal Sin to the gate driver unit 2 to perform on / off control of the overvoltage suppression switch element 30. The control unit 9 also performs on / off control of the changeover switch element 14 of the gate-off resistance switching unit 10. As will be described in detail later, when receiving an abnormality detection signal such as an overvoltage detection signal, the control unit 9 turns off the overvoltage suppression switch element 30 with the changeover switch element 14 turned on.

また、制御部9は、過電圧抑制スイッチ素子30の制御端子に印加される信号をフィードバック信号として入力する。そして、フィードバック信号が制御信号Sinより所定の時間以上遅れる場合には制御異常と判定する。例えば、制御信号SinがHレベル(“1”)からLレベル(“0”)に変化する際、フィードバック信号の電圧VFBが所定の制限時間(例えば8〜10μSec)内にCFD(Commutation Failure Detection)検知レベルVCFDを下回らない場合に、制御部9は制御異常と判定する。 Moreover, the control part 9 inputs the signal applied to the control terminal of the overvoltage suppression switch element 30 as a feedback signal. When the feedback signal is delayed for a predetermined time or more than the control signal Sin, it is determined that the control is abnormal. For example, when the control signal Sin changes from the H level (“1”) to the L level (“0”), the feedback signal voltage V FB falls within a predetermined time limit (for example, 8 to 10 μSec), and CFD (Commutation Failure Detection). ) If the detection level VCFD is not below, the control unit 9 determines that the control is abnormal.

ゲートオフ抵抗切替部10は、ゲートオフ抵抗部11と、切替スイッチ素子14とを有する。ゲートオフ抵抗部11は、第3の抵抗12と、第3のダイオード13とを有する。第3の抵抗12は、一端がゲートオフ抵抗部6の出力端に第3のダイオード13を介して接続され、他端が切替スイッチ素子14のコレクタ端子に接続されている。第3の抵抗12の抵抗値は、第2の抵抗7よりも抵抗値がずっと小さく、第1の抵抗4とほぼ同じオーダ(数Ω〜数十Ω程度)である。   The gate-off resistance switching unit 10 includes a gate-off resistance unit 11 and a changeover switch element 14. The gate-off resistance unit 11 includes a third resistor 12 and a third diode 13. One end of the third resistor 12 is connected to the output end of the gate-off resistor unit 6 via the third diode 13, and the other end is connected to the collector terminal of the changeover switch element 14. The resistance value of the third resistor 12 is much smaller than that of the second resistor 7 and is almost the same order as the first resistor 4 (several Ω to several tens of Ω).

第3のダイオード13は、カソードが第3の抵抗12に接続され、アノードが過電圧抑制スイッチ素子30の制御端子に接続されている。なお、第3のダイオード13は省略可能であり、その場合、第3の抵抗12の一端はゲートオフ抵抗部6の出力端に直接接続される。   The third diode 13 has a cathode connected to the third resistor 12 and an anode connected to the control terminal of the overvoltage suppression switch element 30. Note that the third diode 13 can be omitted, and in this case, one end of the third resistor 12 is directly connected to the output end of the gate-off resistor section 6.

切替スイッチ素子14は、制御部9によりオンオフ制御される。この切替スイッチ素子14は、図2に示すように、一端(コレクタ端子)(出力端子)が正側電源電圧(+Vgg)および第3の抵抗12の他端に接続され、他端(エミッタ端子)が負側電源電圧(−Vgg)に接続されている。本実施形態では切替スイッチ素子14は、バイポーラトランジスタ、MOSFETまたはリレースイッチ(高速リレー等)であってもよい。   The changeover switch element 14 is ON / OFF controlled by the control unit 9. As shown in FIG. 2, the changeover switch element 14 has one end (collector terminal) (output terminal) connected to the positive power supply voltage (+ Vgg) and the other end of the third resistor 12, and the other end (emitter terminal). Is connected to the negative power supply voltage (-Vgg). In the present embodiment, the changeover switch element 14 may be a bipolar transistor, a MOSFET, or a relay switch (such as a high-speed relay).

過電圧検出部15は、出力コンデンサ45の電圧が所定の閾値電圧以上になったことを検出し、制御部9に通知する。   The overvoltage detection unit 15 detects that the voltage of the output capacitor 45 has become equal to or higher than a predetermined threshold voltage, and notifies the control unit 9 of it.

次に、図3のフローチャートおよび図4のグラフを参照して、上記スイッチ駆動装置1による過電圧抑制スイッチ素子30の故障判定方法について説明する。   Next, with reference to the flowchart of FIG. 3 and the graph of FIG. 4, a failure determination method for the overvoltage suppression switch element 30 by the switch drive device 1 will be described.

まず、制御部9が、出力コンデンサ45の過電圧等の故障もしくは異常状態(以下、「故障等」という。)を検出したか否かを判定する(ステップS1)。   First, the control unit 9 determines whether or not a failure or abnormal state (hereinafter referred to as “failure”) of the output capacitor 45 has been detected (step S1).

故障等が検出された場合(S1:Yes)、制御部9が、切替スイッチ素子14をオンにした状態で過電圧抑制スイッチ素子30をオフにする(ステップS2、時刻t1)。制御部9は、例えばゲートドライバ部2にLレベル(“0”)の制御信号Sinを出力することにより、過電圧抑制スイッチ素子30をオフにする。前述のように第3の抵抗12は第2の抵抗7に比べて抵抗値がずっと小さいことから、並列接続の関係にある第2の抵抗7と第3の抵抗12の合成抵抗は第3の抵抗12にほぼ等しくなる。このため、過電圧抑制スイッチ素子30からスイッチ駆動装置1に流入する電流は、第3のダイオード13、第3の抵抗12および切替スイッチ素子14を通って速やかに減衰する。これにより、所定の制限時間内にフィードバック信号の電圧VFBを前述のCFD検知レベルVCFDよりも小さくし、制御異常の検出(誤検知)を防止することができる。 When a failure or the like is detected (S1: Yes), the control unit 9 turns off the overvoltage suppression switch element 30 with the changeover switch element 14 turned on (step S2, time t1). For example, the control unit 9 outputs an L level (“0”) control signal Sin to the gate driver unit 2 to turn off the overvoltage suppression switch element 30. Since the resistance value of the third resistor 12 is much smaller than that of the second resistor 7 as described above, the combined resistance of the second resistor 7 and the third resistor 12 in the parallel connection relationship is the third resistor 12. It becomes almost equal to the resistor 12. For this reason, the current flowing from the overvoltage suppression switch element 30 into the switch driving device 1 is quickly attenuated through the third diode 13, the third resistor 12, and the changeover switch element 14. Thereby, the voltage V FB of the feedback signal can be made smaller than the aforementioned CFD detection level V CFD within a predetermined time limit, and detection of control abnormality (false detection) can be prevented.

そして、制御部9が、フィードバック信号の電圧VFBが所定の電圧値を下回った後、切替スイッチ素子14をオフにする(ステップS3、時刻t2)。これにより、過電圧抑制スイッチ素子30からスイッチ駆動装置1に流入する電流は、小抵抗の第3の抵抗12を流れることができなくなり、大抵抗の第2の抵抗7のみを流れるようになるため、電流の減衰速度は低下する。一方、第2の抵抗7と抵抗Rgeがほぼ同じオーダの抵抗値を有するため、フィードバック信号の電圧VFBをモニタして、第2の抵抗7と抵抗Rgeの分圧を検出することが可能となる。一般的に、ゲートオン抵抗やゲートオフ抵抗は、スイッチング損失を低減するために、数Ω〜数十Ω程度の抵抗が用いられる。このような場合は、過電圧抑制スイッチ素子が故障してゲート・エミッタ間抵抗Rgeが数kΩとなっても、ゲートオフ抵抗が相対的に小さいため、フィードバック信号に分圧比として現れない。実施形態のように、大抵抗の第2の抵抗12と小抵抗の第3の抵抗12とを組み合わせることにより、オフ動作の初期段階では小さい合成抵抗でCFD検知の時間遅れを満たすことができるとともに、その後、大抵抗の第2の抵抗7のみとすることで、過電圧抑制スイッチ素子のゲート・エミッタ間抵抗Rgeと大抵抗の第2の抵抗7との分圧比による現れる電圧を検出することができる。これにより、後述のように、過電圧抑制スイッチ素子30の故障判定を行うことができる。 Then, after the voltage V FB of the feedback signal falls below a predetermined voltage value, the control unit 9 turns off the changeover switch element 14 (step S3, time t2). As a result, the current flowing from the overvoltage suppression switch element 30 into the switch driving device 1 cannot flow through the third resistor 12 having a small resistance, and only flows through the second resistor 7 having a large resistance. The current decay rate decreases. On the other hand, since the second resistor 7 and the resistor Rge have substantially the same order of resistance values, it is possible to monitor the voltage V FB of the feedback signal and detect the divided voltage of the second resistor 7 and the resistor Rge. Become. In general, as the gate-on resistance and the gate-off resistance, a resistance of about several Ω to several tens of Ω is used in order to reduce switching loss. In such a case, even if the overvoltage suppression switch element breaks down and the gate-emitter resistance Rge becomes several kΩ, the gate-off resistance is relatively small, so that it does not appear as a voltage division ratio in the feedback signal. By combining the second resistor 12 having a large resistance and the third resistor 12 having a small resistance as in the embodiment, the time delay of CFD detection can be satisfied with a small combined resistance in the initial stage of the off operation. Thereafter, by using only the second resistor 7 having a large resistance, it is possible to detect a voltage that appears due to a voltage dividing ratio between the gate-emitter resistor Rge of the overvoltage suppressing switch element and the second resistor 7 having a large resistance. . Thereby, the failure determination of the overvoltage suppression switch element 30 can be performed as described later.

なお、本ステップS3において、制御部9は、過電圧抑制スイッチ素子30をオフにしてから所定の時間が経過した後に、切替スイッチ素子14をオフにするようにしてもよい。この場合、所定の時間としては、フィードバック信号の電圧VFBがCFD検知レベルVCFDを下回る時間より長い時間となるように予め制御部9に設定された時間を用いる。 In step S3, the control unit 9 may turn off the changeover switch element 14 after a predetermined time has elapsed since the overvoltage suppression switch element 30 was turned off. In this case, as the predetermined time, a time set in the control unit 9 in advance so as to be longer than the time when the voltage V FB of the feedback signal is lower than the CFD detection level V CFD is used.

切替スイッチ素子14をオフにしてから暫くすると、フィードバック信号の電圧VFBは、負側電源電圧(−Vgg)から0Vまでの値をとる。 After a while after the changeover switch element 14 is turned off, the voltage V FB of the feedback signal takes a value from the negative power supply voltage (−Vgg) to 0V.

その後、制御部9が、フィードバック信号の電圧VFBに基づいて過電圧抑制スイッチ素子30が故障しているか否かを判定する(時刻t3)。より詳しくは、フィードバック信号の電圧VFBが安定した後、制御部9が、フィードバック信号の電圧VFBが負側電源電圧(−Vgg)に略等しいか否かを判定する(ステップS4)。フィードバック信号の電圧VFBが負側電源電圧に略等しければ(S4:Yes)、オフ状態の抵抗Rgeが第2の抵抗7より十分大きいことが判明する。よって、過電圧抑制スイッチ素子30は正常であり、過電圧抑制スイッチ素子30以外の故障であると判定する(ステップS5)。一方、図4に示すように、フィードバック信号の電圧VFBが負側電源電圧に略等しくなければ(S4:No)、過電圧抑制スイッチ素子30の故障であると判定する(ステップS6)。 Thereafter, the control unit 9 determines whether or not the overvoltage suppression switch element 30 has failed based on the voltage VFB of the feedback signal (time t3). More specifically, after the voltage V FB of the feedback signal is stabilized, the control unit 9 determines whether or not the voltage V FB of the feedback signal is substantially equal to the negative power supply voltage (−Vgg) (step S4). If the feedback signal voltage V FB is substantially equal to the negative power supply voltage (S4: Yes), it is found that the off-state resistance Rge is sufficiently larger than the second resistance 7. Therefore, it is determined that the overvoltage suppression switch element 30 is normal and a failure other than the overvoltage suppression switch element 30 (step S5). On the other hand, as shown in FIG. 4, if the voltage VFB of the feedback signal is not substantially equal to the negative power supply voltage (S4: No), it is determined that the overvoltage suppression switch element 30 is in failure (step S6).

上記フローにより、電気車の床下装置内で故障が発生したときに過電圧抑制スイッチ素子30の故障か否かを判定することができる。   With the above flow, it is possible to determine whether or not the overvoltage suppression switch element 30 is in failure when a failure occurs in the underfloor device of the electric vehicle.

なお、上記実施形態の説明では、電気車の床下装置に設けられたインバータを保護するための過電圧抑制スイッチ素子が故障判定対象であったが、これに限るものではない。すなわち、電気車の床下装置に限らず、電力変換回路等の電気回路を有するパワーユニットに含まれる過電圧抑制スイッチ素子を故障判定対象としてもよい。   In the description of the above embodiment, the overvoltage suppression switch element for protecting the inverter provided in the underfloor device of the electric vehicle is a failure determination target, but is not limited thereto. That is, the overvoltage suppression switch element included in the power unit having an electric circuit such as a power conversion circuit is not limited to the underfloor device of the electric vehicle, and may be a failure determination target.

以上説明した少なくとも一つの実施形態によれば、パワーユニット内で故障が発生したときに過電圧抑制スイッチ素子の故障か否かを判定することが可能なスイッチ駆動装置、およびスイッチ駆動装置による故障判定方法を提供することができる。   According to at least one embodiment described above, there is provided a switch drive device capable of determining whether or not an overvoltage suppression switch element has failed when a failure occurs in the power unit, and a failure determination method using the switch drive device. Can be provided.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the equivalents thereof.

1 スイッチ駆動装置
2 ゲートドライバ部
2a,2b スイッチ素子
3 ゲートオン抵抗部
4 第1の抵抗
5 第1のダイオード
6 ゲートオフ抵抗部
7 第2の抵抗
8 第2のダイオード
9 制御部
10 ゲートオフ抵抗切替部
11 ゲートオフ抵抗部
12 第3の抵抗
13 第3のダイオード
14 切替スイッチ素子
15 過電圧検出部
30 過電圧抑制スイッチ素子
31 還流ダイオード
40 コンバータ
41,42 入力端子
43,44 出力端子
45 出力コンデンサ
50 インバータ(電気回路)
51,52 入力端子
53,54,55 出力端子
60 誘導電動機
70 パンタグラフ
80 トランス
100 過電圧抑制装置
200 架線
FB フィードバック信号の電圧
CFD CFD検知レベル
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Switch drive device 2 Gate driver part 2a, 2b Switch element 3 Gate-on resistance part 4 1st resistance 5 1st diode 6 Gate-off resistance part 7 2nd resistance 8 2nd diode 9 Control part 10 Gate-off resistance switching part 11 Gate-off resistance unit 12 Third resistor 13 Third diode 14 Changeover switch element 15 Overvoltage detection unit 30 Overvoltage suppression switch element 31 Freewheeling diode 40 Converter 41, 42 Input terminal 43, 44 Output terminal 45 Output capacitor 50 Inverter (electric circuit)
51, 52 Input terminals 53, 54, 55 Output terminal 60 Induction motor 70 Pantograph 80 Transformer 100 Overvoltage suppression device 200 Overhead line V FB Feedback signal voltage V CFD CFD detection level

Claims (10)

電気回路に過電圧が印加されることを抑制するための過電圧抑制スイッチ素子を駆動するスイッチ駆動装置であって、
制御信号を入力し、前記制御信号に基づくゲート信号を出力するゲートドライバ部と、
一端が前記ゲートドライバ部の出力端に接続され、他端が前記過電圧抑制スイッチ素子の制御端子に接続されたゲートオン抵抗部であって、第1の抵抗と、前記第1の抵抗に直列接続され、前記一端側から前記他端側に電流を流す第1のダイオードとを有する、ゲートオン抵抗部と、
一端が前記ゲートドライバ部の出力端に接続され、他端が前記制御端子に接続されたゲートオフ抵抗部であって、第2の抵抗と、前記第2の抵抗に直列接続され、前記他端側から前記一端側に電流を流す第2のダイオードとを有する、ゲートオフ抵抗部と、
前記ゲートドライバ部に前記制御信号を出力するとともに、前記過電圧抑制スイッチ素子の制御端子に印加される信号をフィードバック信号として入力する制御部と、
一端が前記ゲートオフ抵抗部の出力端に接続され、前記第2の抵抗よりも抵抗値が小さい第3の抵抗と、出力端が前記第3の抵抗の他端に接続された切替スイッチ素子とを有するゲートオフ抵抗切替部と、を備え、
前記制御部は、前記切替スイッチ素子をオンにした状態で前記過電圧抑制スイッチ素子をオフにし、前記フィードバック信号の電圧が所定の電圧値を下回った後、前記切替スイッチ素子をオフにし、その後、前記フィードバック信号の電圧に基づいて前記過電圧抑制スイッチ素子が故障しているか否かを判定することを特徴とするスイッチ駆動装置。
A switch driving device for driving an overvoltage suppression switch element for suppressing overvoltage from being applied to an electric circuit,
A gate driver unit that inputs a control signal and outputs a gate signal based on the control signal;
One end is connected to the output terminal of the gate driver unit, and the other end is a gate-on resistance unit connected to the control terminal of the overvoltage suppression switch element, and is connected in series to the first resistor and the first resistor. A gate-on resistance portion having a first diode that allows current to flow from the one end side to the other end side;
One end is connected to the output terminal of the gate driver section, and the other end is a gate-off resistance section connected to the control terminal, and is connected in series to a second resistor and the second resistor, and the other end side. A gate-off resistance section, and a second diode for passing a current from the first end to the one end side;
A control unit that outputs the control signal to the gate driver unit and inputs a signal applied to a control terminal of the overvoltage suppression switch element as a feedback signal;
A third resistor having one end connected to the output end of the gate-off resistor section and having a resistance value smaller than that of the second resistor, and a changeover switch element having an output end connected to the other end of the third resistor. A gate-off resistance switching unit having
The control unit turns off the overvoltage suppression switch element in a state where the changeover switch element is turned on, and turns off the changeover switch element after the voltage of the feedback signal falls below a predetermined voltage value. A switch driving device characterized in that it is determined whether or not the overvoltage suppression switch element has failed based on a voltage of a feedback signal.
前記過電圧抑制スイッチ素子は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタまたはMOSFETであることを特徴とする請求項1に記載のスイッチ駆動装置。   2. The switch driving device according to claim 1, wherein the overvoltage suppression switch element is an insulated gate bipolar transistor, a thyristor, a gate turn-off thyristor, or a MOSFET. 前記切替スイッチ素子は、バイポーラトランジスタ、MOSFETまたはリレースイッチであることを特徴とする請求項1または2に記載のスイッチ駆動装置。   The switch drive device according to claim 1, wherein the changeover switch element is a bipolar transistor, a MOSFET, or a relay switch. 前記制御部は、異常検出信号を受信したときに、前記切替スイッチ素子をオンにした状態で前記過電圧抑制スイッチ素子をオフにすることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のスイッチ駆動装置。   The switch according to any one of claims 1 to 3, wherein when the abnormality detection signal is received, the control unit turns off the overvoltage suppression switch element with the changeover switch element turned on. Drive device. 前記所定の電圧値はCFD検知レベルであり、前記制御部は、所定の制限時間内に前記フィードバック信号の電圧が前記CFD検知レベルを下回らない場合には制御異常と判定することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のスイッチ駆動装置。   The predetermined voltage value is a CFD detection level, and the control unit determines that the control is abnormal when the voltage of the feedback signal does not fall below the CFD detection level within a predetermined time limit. Item 5. The switch driving device according to any one of Items 1 to 4. 前記制御部は、前記過電圧抑制スイッチ素子をオフにしてから所定の時間が経過した後に、前記切替スイッチ素子をオフにすることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のスイッチ駆動装置。   5. The switch driving device according to claim 1, wherein the control unit turns off the changeover switch element after a predetermined time has elapsed since the overvoltage suppression switch element was turned off. . 前記所定の時間は、前記フィードバック信号の電圧がCFD検知レベルを下回る時間よりも長い時間であり、前記制御部は、所定の制限時間内に前記フィードバック信号の電圧が前記CFD検知レベルを下回らない場合には制御異常と判定することを特徴とする請求項6に記載のスイッチ駆動装置。   The predetermined time is a time longer than a time when the voltage of the feedback signal falls below the CFD detection level, and the control unit is configured such that the voltage of the feedback signal does not fall below the CFD detection level within a predetermined time limit. The switch driving device according to claim 6, wherein the switch is determined to be abnormal in control. 前記電気回路は、直流電力を交流電力に変換し、得られた交流電力を電気車の動力源である誘導電動機に供給するインバータであり、前記過電圧抑制スイッチ素子は、前記インバータの入力端子に並列接続されることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のスイッチ駆動装置。   The electric circuit is an inverter that converts direct current power into alternating current power and supplies the obtained alternating current power to an induction motor that is a power source of the electric vehicle, and the overvoltage suppression switch element is in parallel with an input terminal of the inverter The switch driving device according to claim 1, wherein the switch driving device is connected. 前記第2の抵抗の抵抗値は、オフ状態の前記過電圧抑制スイッチ素子の故障時における、前記過電圧抑制スイッチ素子の主端子のうち接地される端子と前記制御端子との間の抵抗値と同じオーダであることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のスイッチ駆動装置。   The resistance value of the second resistor is in the same order as the resistance value between the grounded terminal and the control terminal of the main terminals of the overvoltage suppression switch element when the overvoltage suppression switch element in the off state is faulty. The switch drive device according to claim 1, wherein the switch drive device is a switch drive device. 電気回路に過電圧が印加されることを抑制するための過電圧抑制スイッチ素子を駆動するスイッチ駆動装置による、前記過電圧抑制スイッチ素子の故障判定方法であって、
前記スイッチ駆動装置は、
制御信号を入力し、前記制御信号に基づくゲート信号を出力するゲートドライバ部と、
一端が前記ゲートドライバ部の出力端に接続され、他端が前記過電圧抑制スイッチ素子の制御端子に接続されたゲートオン抵抗部であって、第1の抵抗と、前記第1の抵抗に直列接続され、前記一端側から前記他端側に電流を流す第1のダイオードとを有する、ゲートオン抵抗部と、
一端が前記ゲートドライバ部の出力端に接続され、他端が前記制御端子に接続されたゲートオフ抵抗部であって、第2の抵抗と、前記第2の抵抗に直列接続され、前記他端側から前記一端側に電流を流す第2のダイオードとを有する、ゲートオフ抵抗部と、
前記ゲートドライバ部に前記制御信号を出力するとともに、前記過電圧抑制スイッチ素子の制御端子に印加される信号をフィードバック信号として入力する制御部と、
一端が前記ゲートオフ抵抗部の出力端に接続され、前記第2の抵抗よりも抵抗値が小さい第3の抵抗と、出力端が前記第3の抵抗の他端に接続された切替スイッチ素子とを有するゲートオフ抵抗切替部と、を備えており、
前記切替スイッチ素子をオンにした状態で前記過電圧抑制スイッチ素子をオフにするステップと、
前記フィードバック信号の電圧が所定の電圧値を下回った後、前記切替スイッチ素子をオフにするステップと、
その後、前記フィードバック信号の電圧に基づいて前記過電圧抑制スイッチ素子が故障しているか否かを判定するステップと、
を備えることを特徴とする故障判定方法。
A failure determination method for the overvoltage suppression switch element by a switch driving device that drives an overvoltage suppression switch element for suppressing application of an overvoltage to an electric circuit,
The switch driving device includes:
A gate driver unit that inputs a control signal and outputs a gate signal based on the control signal;
One end is connected to the output terminal of the gate driver unit, and the other end is a gate-on resistance unit connected to the control terminal of the overvoltage suppression switch element, and is connected in series to the first resistor and the first resistor. A gate-on resistance portion having a first diode that allows current to flow from the one end side to the other end side;
One end is connected to the output terminal of the gate driver section, and the other end is a gate-off resistance section connected to the control terminal, and is connected in series to a second resistor and the second resistor, and the other end side. A gate-off resistance section, and a second diode for passing a current from the first end to the one end side;
A control unit that outputs the control signal to the gate driver unit and inputs a signal applied to a control terminal of the overvoltage suppression switch element as a feedback signal;
A third resistor having one end connected to the output end of the gate-off resistor section and having a resistance value smaller than that of the second resistor, and a changeover switch element having an output end connected to the other end of the third resistor. A gate-off resistance switching unit having
Turning off the overvoltage suppression switch element with the changeover switch element on;
Turning off the changeover switch element after the voltage of the feedback signal falls below a predetermined voltage value;
Thereafter, determining whether or not the overvoltage suppression switch element has failed based on the voltage of the feedback signal;
A failure determination method comprising:
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WO2021203699A1 (en) * 2020-04-10 2021-10-14 青岛中加特电气股份有限公司 Frequency converter igbt drive control method and control apparatus

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