JP2017149244A - Semiconductor device and operation method thereof, and electronic control system - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態は、半導体装置およびその動作方法、および電子制御システムに関する。 The present embodiment relates to a semiconductor device, an operation method thereof, and an electronic control system.
自動車に搭載されるあらゆる部品のための安全機能（例えば、フェールセーフ、異常検出、安全停止などの機能）の規格が見直されつつある。特に、車載用の機器の多くは、電気的／電子的に制御されており、高性能化・高機能化だけでなく、安全性の確保も重要なニーズとなっている。 Standards for safety functions (for example, fail-safe functions, abnormality detection functions, safety stop functions, etc.) for all parts mounted on automobiles are being reviewed. In particular, many in-vehicle devices are electrically / electronically controlled, and not only high performance and high functionality but also safety are important needs.
安全な車載用機器の開発手法や管理方式等を体系的にまとめた国際基準規格ＩＳＯ２６２６２が策定されている（例えば、非特許文献１参照。）。 An international standard ISO 26262 that systematically summarizes development methods and management methods for safe in-vehicle devices has been formulated (for example, see Non-Patent Document 1).
車載用の機器などに電源電圧を供給する電源供給用装置において、特に「時間軸に対してある傾きを持って電源電圧を供給する」電源供給用装置においては、システム的な重大事故を事前に回避するために、装置内の劣化や故障をいち早く検知することが求められる。 For power supply devices that supply power voltage to in-vehicle devices, etc., especially for power supply devices that supply power voltage with a certain inclination with respect to the time axis In order to avoid this, it is required to quickly detect deterioration or failure in the apparatus.
本実施の形態は、電源電圧の供給開始時における電圧変化を監視し、異常の兆候をいち早く検知することができる半導体装置およびその動作方法、および電子制御システムを提供する。 The present embodiment provides a semiconductor device, an operation method thereof, and an electronic control system capable of monitoring a voltage change at the start of supply of a power supply voltage and quickly detecting an abnormality sign.
本実施形態の一態様によれば、電源電圧の供給動作を開始するためのスタート信号を出力するコントロール回路と、前記コントロール回路からのスタート信号に呼応して電源電圧の供給を開始する電源供給部と、前記コントロール回路からの前記スタート信号に呼応して、時間をカウントしてカウント値を逐次出力するタイマと、第１の所定の電圧値と前記電源供給部から供給される電圧値とを比較して比較結果を第１の比較信号として出力する第１の電圧コンパレータと、第２の所定の電圧値と前記電源供給部から供給される電圧値とを比較して比較結果を第２の比較信号として出力する第２の電圧コンパレータと、前記タイマからの前記カウント値と、前記第１の電圧コンパレータからの前記第１の比較信号と、前記第２の電圧コンパレータからの前記第２の比較信号とに基づいて、異常の有無を検知する異常判定部とを備える半導体装置が提供される。 According to one aspect of the present embodiment, a control circuit that outputs a start signal for starting a power supply voltage supply operation, and a power supply unit that starts supplying the power supply voltage in response to the start signal from the control circuit In response to the start signal from the control circuit, a timer that counts time and sequentially outputs a count value is compared with a first predetermined voltage value and a voltage value supplied from the power supply unit The first voltage comparator that outputs the comparison result as the first comparison signal, the second predetermined voltage value and the voltage value supplied from the power supply unit are compared, and the comparison result is compared with the second comparison value. A second voltage comparator to output as a signal, the count value from the timer, the first comparison signal from the first voltage comparator, and the second voltage comparator. Based on the second comparison signal from the motor, the semiconductor device and an abnormality determination unit for detecting the presence or absence of abnormality is provided.
本実施形態の他の態様によれば、コントロール回路からのスタート信号に呼応して、電源供給部が外部の機器に対して電源の供給を開始するステップと、タイマが前記スタート信号に呼応してタイマ動作を開始し、カウント値を逐次出力するステップと、第１の電圧コンパレータが、前記電源供給部からの電圧値と、第１の所定の電圧とを比較して比較結果を第１の比較信号として出力するステップと、第２の電圧コンパレータが、前記電源供給部からの電圧値と、第２の所定の電圧とを比較して比較結果を第２の比較信号として出力するステップと、異常判定部が、前記タイマからの前記カウント値と、前記第１の電圧コンパレータからの前記第１の比較信号と、前記第２の電圧コンパレータからの前記第２の比較信号とに基づいて、異常の有無を検知するステップとを有する半導体装置の動作方法が提供される。 According to another aspect of the present embodiment, in response to a start signal from the control circuit, a step in which the power supply unit starts supplying power to an external device, and a timer in response to the start signal The timer operation is started and the count value is sequentially output, and the first voltage comparator compares the voltage value from the power supply unit with the first predetermined voltage and compares the result with the first comparison. A step of outputting as a signal, a step in which the second voltage comparator compares the voltage value from the power supply unit with a second predetermined voltage, and outputs a comparison result as a second comparison signal; The determination unit detects an abnormality based on the count value from the timer, the first comparison signal from the first voltage comparator, and the second comparison signal from the second voltage comparator. Operation method of a semiconductor device having a step for detecting the presence or absence is provided.
本実施形態の他の態様によれば、１つの半導体チップ上に必要とされるシステムを集積したＳｏＣと、ＳｏＣシステムバスを介して前記ＳｏＣに接続されたマイクロコンピュータと、前記マイクロコンピュータに接続された電源供給部を構成する半導体装置と、前記半導体装置から電源電圧を供給されるパワーＩＣとを備える電子制御システムであって、前記半導体装置は、前記電源電圧の供給動作を開始するためのスタート信号を出力するコントロール回路と、前記コントロール回路からのスタート信号に呼応して、前記パワーＩＣへの電源電圧の供給を開始する電源供給部と、前記コントロール回路からの前記スタート信号に呼応して時間をカウントしながらカウント値を逐次出力するタイマと、第１の所定の電圧値と前記電源供給部から供給される電圧値とを比較して比較結果を第１の比較信号として出力する第１の電圧コンパレータと、第２の所定の電圧値と前記電源供給部から供給される電圧値とを比較して比較結果を第２の比較信号として出力する第２の電圧コンパレータと、前記タイマからの前記カウント値と、前記第１の電圧コンパレータからの前記第１の比較信号と、前記第２の電圧コンパレータからの前記第２の比較信号とに基づいて、異常の有無を検知する異常判定部とを備える電子制御システムが提供される。 According to another aspect of the present embodiment, a SoC in which required systems are integrated on a single semiconductor chip, a microcomputer connected to the SoC via a SoC system bus, and a microcomputer connected to the microcomputer. An electronic control system comprising a semiconductor device constituting a power supply unit and a power IC to which a power supply voltage is supplied from the semiconductor device, wherein the semiconductor device starts to start supplying the power supply voltage A control circuit for outputting a signal, a power supply unit for starting supply of power supply voltage to the power IC in response to a start signal from the control circuit, and a time in response to the start signal from the control circuit A timer that sequentially outputs a count value while counting the first predetermined voltage value and the power supply unit A first voltage comparator that compares a supplied voltage value and outputs a comparison result as a first comparison signal; and compares a second predetermined voltage value with a voltage value supplied from the power supply unit. A second voltage comparator that outputs a comparison result as a second comparison signal, the count value from the timer, the first comparison signal from the first voltage comparator, and the second voltage comparator. An electronic control system including an abnormality determination unit that detects the presence or absence of an abnormality based on the second comparison signal from is provided.
本実施の形態によれば、電源電圧の供給開始時における電圧変化を監視し、異常の兆候をいち早く検知することができる半導体装置およびその動作方法、および電子制御システムを提供することができる。 According to the present embodiment, it is possible to provide a semiconductor device, an operation method thereof, and an electronic control system capable of monitoring a voltage change at the start of supply of a power supply voltage and quickly detecting an abnormality sign.
次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。 Next, embodiments will be described with reference to the drawings. In the following description of the drawings, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness and the planar dimensions, the ratio of the thickness of each layer, and the like are different from the actual ones. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined in consideration of the following description. Moreover, it is a matter of course that portions having different dimensional relationships and ratios are included between the drawings.
又、以下に示す実施の形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。 Further, the embodiment described below exemplifies an apparatus and a method for embodying the technical idea, and in this embodiment, the material, shape, structure, arrangement, etc. of the component parts are described below. It is not something specific. This embodiment can be modified in various ways within the scope of the claims.
［実施の形態］
（電源電圧の供給）
図１は、実施の形態に係る半導体装置１００における電源電圧の供給動作例を説明するための模式図である。
[Embodiment]
(Supply power supply)
FIG. 1 is a schematic diagram for explaining an example of a power supply voltage supply operation in the
本実施の形態における「時間軸に対してある傾きを持って電源電圧を供給する」動作の一例を説明する。図１に例示するように、時刻ｔ＝０で電源供給を開始して電源電圧Ｖｃｃを供給する供給動作において、時刻ｔ１でＶｃｃに達する場合、傾き（Ｖｃｃ／ｔ１）を持って電源電圧を供給する、と定義する。 An example of the operation of “supplying a power supply voltage with a certain inclination with respect to the time axis” in the present embodiment will be described. As illustrated in FIG. 1, in the supply operation of starting the power supply at time t = 0 and supplying the power supply voltage Vcc, when Vcc is reached at time t1, the power supply voltage is supplied with a slope (Vcc / t1). Is defined as
いま、傾きα１＝（Ｖｃｃ／ｔ１）で電圧を供給する半導体装置を考える。ここで、電圧Ｖｏｕｔが目標とする電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧（０．１×Ｖｃｃ）に到達する時刻をｔＡとし、電圧Ｖｏｕｔが目標とする電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧（０．９×Ｖｃｃ）に到達する時刻をｔＢとする。 Consider a semiconductor device that supplies a voltage with an inclination α1 = (Vcc / t1). Here, the time when the voltage Vout reaches 10% of the target power supply voltage Vcc (0.1 × Vcc) is tA, and the voltage Vout is 90% of the target power supply voltage Vcc (0.9%). XBcc) is assumed to be tB.
（半導体装置の構成）
図２に、実施の形態に係る半導体装置１００の内部構成を模式的に例示する。
(Configuration of semiconductor device)
FIG. 2 schematically illustrates an internal configuration of the
実施の形態に係る半導体装置１００は、電源電圧Ｖｃｃの供給動作を開始するためのスタート信号ＳＴを出力するコントロール回路２０と、コントロール回路２０からのスタート信号ＳＴに呼応して電源電圧Ｖｃｃの供給を開始する電源供給部１０と、コントロール回路２０からのスタート信号ＳＴに呼応して時間をカウントしながらカウント値ＴＭを逐次出力するタイマ３０と、第１の所定の電圧値と電源供給部１０から供給される電圧値とを比較して比較結果を比較信号ＣＭＰＡとして出力する電圧コンパレータＣ１と、第２の所定の電圧値と電源供給部１０から供給される電圧値とを比較して比較結果を比較信号ＣＭＰＢとして出力する電圧コンパレータＣ２と、タイマ３０からのカウント値ＴＭと、電圧コンパレータＣ１、Ｃ２からの比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢとに基づいて、異常の兆候の有無を検知する異常判定部４０とを備える。
The
異常判定部４０が異常を検知した場合、何らかの対策処理（異常時の対応処理）を実行する。異常時の対応処理としては、例えば、アラート（警告メッセージ、警告音など）を出力する、電源の供給を停止する、電源の供給を縮小する、などが想定される。
When the
平常時においては、例えば、外部のマイコンなどから電源供給機能を有効にする制御信号であるイネーブル信号がイネーブル端子ＥＮＴに対して供給される。 In normal times, for example, an enable signal that is a control signal for enabling the power supply function is supplied from an external microcomputer or the like to the enable terminal ENT.
また、異常時においては、例えば、外部のマイコンなどから電源供給機能を無効にする制御信号であるディスエーブル信号がイネーブル端子ＥＮＴに対して供給される。 Further, when an abnormality occurs, a disable signal, which is a control signal that disables the power supply function, is supplied from an external microcomputer or the like to the enable terminal ENT.
コントロール回路２０は、電源電圧Ｖｃｃの供給動作を開始するためのスタート信号ＳＴを電源供給部１０に出力する。電源供給部１０は、コントロール回路２０からのスタート信号ＳＴに呼応して、外部の機器に対して電源の供給（出力電圧Ｖｏｕｔ）を開始する。このスタート信号ＳＴは、タイマ３０にも出力される。タイマ３０は、スタート信号ＳＴを受信すると、タイマ動作を開始する。
The
電圧コンパレータＣ１は、電源供給部１０からの出力電圧Ｖｏｕｔと、第１の所定の電圧（例えば、電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧（０．１×Ｖｃｃ））とを比較する。比較の結果、電圧コンパレータＣ１は、出力電圧Ｖｏｕｔ≧電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧（０．１×Ｖｃｃ）であれば、比較信号ＣＭＰＡをＨｉｇｈレベル（「１」）とし、出力電圧Ｖｏｕｔ＜電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧（０．１×Ｖｃｃ）であれば、比較信号ＣＭＰＡをＬｏｗレベル（「０」）とする。
The voltage comparator C1 compares the output voltage Vout from the
電圧コンパレータＣ２は、電源供給部１０からの出力電圧Ｖｏｕｔと、第２の所定の電圧（例えば、電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧（０．９×Ｖｃｃ））とを比較する。比較の結果、電圧コンパレータＣ２は、出力電圧Ｖｏｕｔ≧電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧（０．９×Ｖｃｃ）であれば、比較信号ＣＭＰＢをＨｉｇｈレベル（「１」）とし、出力電圧Ｖｏｕｔ＜電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧（０．９×Ｖｃｃ）であれば、比較信号ＣＭＰＢをＬｏｗレベル（「０」）とする。
The voltage comparator C2 compares the output voltage Vout from the
タイマ３０は、スタート信号ＳＴを受信するとそれに呼応して、タイマ動作を開始し、時間を測りながら（カウント値ＴＭをカウントアップしながら）、カウント値ＴＭを出力する。なお、カウント値ＴＭが所定の固定値ＣＮＴ＿ＭＡＸまで到達すると、タイマ３０はタイマ動作を停止する。所定の固定値ＣＮＴ＿ＭＡＸは、実施の形態に係る半導体装置１００が電源の供給を開始してから電圧Ｖｃｃに達するまでの十分な時間に対応する値に設定する。
In response to receiving the start signal ST, the timer 30 starts a timer operation and outputs the count value TM while measuring the time (counting up the count value TM). Incidentally, the count value TM reaches the predetermined fixed value CNT _ MAX, the timer 30 stops the timer operation. A predetermined fixed value CNT _ MAX is set to a value which the
異常判定部４０は、電圧コンパレータＣ１、Ｃ２からそれぞれ出力される比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢと、タイマ３０から出力されるカウント値ＴＭとに基づいて、異常の（兆候の）有無を検知する。異常判定部４０が異常を検知した場合、半導体装置１００は、電源電圧の供給を停止する、などの対応処理を実行する。
The
異常判定部４０は、電源電圧Ｖｃｃの供給開始から第１の所定の電圧値に達するまでの時間軸に対する傾き（（０．１×Ｖｃｃ）／ｔＡ）と、電源電圧Ｖｃｃの供給開始から第２の所定の電圧値に達するまでの時間軸に対する傾き（（０．９×Ｖｃｃ）／ｔＢ）とに基づいて、常の有無を検知する。
なお、第１の所定の電圧を、電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧としたが、これに限定されず、例えば、電源電圧Ｖｃｃの約１％〜約５０％程度の範囲の中から適宜選択してもよい。また、第２の所定の電圧を、電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧としたが、これに限定されず、例えば、電源電圧Ｖｃｃの約５０％〜約９９％程度の範囲の中から適宜選択してもよい。 The first predetermined voltage is 10% of the power supply voltage Vcc, but is not limited to this. For example, the first predetermined voltage is appropriately selected from the range of about 1% to about 50% of the power supply voltage Vcc. May be. The second predetermined voltage is 90% of the power supply voltage Vcc. However, the second predetermined voltage is not limited to this. For example, the second predetermined voltage is appropriately selected from the range of about 50% to about 99% of the power supply voltage Vcc. May be.
（異常の有無の判定）
タイマ３０がカウントを開始してから（すなわち、電源供給部１０が電源電圧Ｖｃｃの供給を開始してから）、目標とする電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧（０．１×Ｖｃｃ）に到達する時刻ｔＡまでの期間に、タイマカウント設定値ＣＮＴＡを設定する。また、タイマ３０がカウントを開始してから電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧（０．９×Ｖｃｃ）に到達する時刻ｔＢまでの期間に、タイマカウント設定値ＣＮＴＢを設定する。つまり、正常な電圧の１０％立ち上がりの時刻ｔＡと、９０％立ち上がりの時刻ｔＢに対して、タイマ３０のカウント値ＴＭを設定する。
(Determining if there is an abnormality)
After the timer 30 starts counting (that is, after the
そして、タイマ３０のカウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達したときの比較信号ＣＭＰＡおよびＣＭＰＢの値と、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＢに到達したときの比較信号ＣＭＰＡおよびＣＭＰＢの値とから、正常／異常の判定を実行する。 Then, the values of the comparison signals CMPA and CMPB when the count value TM of the timer 30 reaches the timer count set value CNTA, and the values of the comparison signals CMPA and CMPB when the count value TM reaches the timer count set value CNTB The normal / abnormal judgment is executed.
図３は、実施の形態に係る半導体装置１００の電源電圧供給動作例（正常動作例）を概略的に示す。
FIG. 3 schematically shows a power supply voltage supply operation example (normal operation example) of the
図３に示す例では、時刻ｔ＝０で電源供給を開始し、時刻ｔＡにおいて目標とする電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧に到達している。したがって、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達したとき（時刻ｔＡ１）の比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢの値は、図４に示すように、それぞれ「１」、「０」である。その後、時刻ｔＢにおいて目標とする電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧に到達しているため、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＢに到達したときの比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢの値は、図４に示すように、それぞれ「１」、「１」である。そして、異常判定部４０は、比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢと、カウント値ＴＭに基づいて、異常の兆候はない、ということを検知する。
In the example shown in FIG. 3, power supply is started at time t = 0, and reaches 10% of the target power supply voltage Vcc at time tA. Therefore, the values of the comparison signals CMPA and CMPB when the count value TM reaches the timer count set value CNTA (time tA1) are “1” and “0”, respectively, as shown in FIG. Thereafter, since the voltage reaches 90% of the target power supply voltage Vcc at time tB, the values of the comparison signals CMPA and CMPB when the count value TM reaches the timer count set value CNTB are shown in FIG. Thus, they are “1” and “1”, respectively. Then, the
図５は、実施の形態に係る半導体装置１００の電源電圧供給動作例（異常動作例）を概略的に示す。
FIG. 5 schematically shows a power supply voltage supply operation example (abnormal operation example) of the
図５に示す例では、時刻ｔ＝０で電源供給を開始するが、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達する前に目標とする電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧に到達し、さらに、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＢに到達する前に目標とする電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧にも到達している。したがって、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達したときの比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢの値は、図６に示すように、それぞれ「１」、「１」であり、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＢに到達したときの比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢの値も、それぞれ「１」、「１」である。この場合、異常判定部４０は、「傾き」が急峻であるので何らかの異常が発生している、ということを検知し、何らかの対策処理（異常時の対応処理）を実行する。
In the example shown in FIG. 5, power supply is started at time t = 0, but the count value TM reaches 10% of the target power supply voltage Vcc before reaching the timer count set value CNTA. Before the count value TM reaches the timer count set value CNTB, the voltage reaches 90% of the target power supply voltage Vcc. Therefore, the values of the comparison signals CMPA and CMPB when the count value TM reaches the timer count setting value CNTA are “1” and “1”, respectively, as shown in FIG. 6, and the count value TM is set to the timer count setting. The values of the comparison signals CMPA and CMPB when reaching the value CNTB are also “1” and “1”, respectively. In this case, the
図７は、実施の形態に係る半導体装置１００の電源電圧供給動作例（異常動作の別の例）を示す概略タイミングチャート。
FIG. 7 is a schematic timing chart showing an example of power supply voltage supply operation (another example of abnormal operation) of the
図７に示す例では、時刻ｔ＝０で電源供給を開始したはずであるものの、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達しても、出力電圧Ｖｏｕｔは、ゼロレベルのままである。さらに、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＢに到達しても、出力電圧Ｖｏｕｔは、ゼロレベルのままである。したがって、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達したときの比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢの値は、図８に示すように、それぞれ「０」、「０」であり、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＢに到達したときの比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢの値も、それぞれ「０」、「０」である。この場合、異常判定部４０は、電源供給が行われていないので何らかの異常が発生している、ということを検知し、何らかの対策処理（異常時の対応処理）を実行する。
In the example shown in FIG. 7, although power supply should have started at time t = 0, the output voltage Vout remains at the zero level even when the count value TM reaches the timer count set value CNTA. Further, even when the count value TM reaches the timer count set value CNTB, the output voltage Vout remains at the zero level. Therefore, the values of the comparison signals CMPA and CMPB when the count value TM reaches the timer count setting value CNTA are “0” and “0”, respectively, as shown in FIG. 8, and the count value TM is set to the timer count setting. The values of the comparison signals CMPA and CMPB when reaching the value CNTB are also “0” and “0”, respectively. In this case, the
（異常判定部の構成）
図９は、実施の形態に係る半導体装置１００の異常判定部４０の内部構成例を模式的に示す。また、図１０は、図９に例示した異常判定部の動作例を概略的に示す。
(Configuration of abnormality determination unit)
FIG. 9 schematically illustrates an internal configuration example of the
異常判定部４０は、カウント値コンパレータ４１Ａ、４１Ｂと、ＯＲゲート４３と、マルチプレクサ（ＭＵＸ）４４Ａ、４４Ｂと、フリップフロップ４５Ａ、４５Ｂと、シフトレジスタ部４７と、コントロール部４６とを備える。
The
タイマ３０は、電源供給の開始とともにカウントアップを開始し、カウント値ＴＭを異常判定部４０内に逐次供給している。
The timer 30 starts counting up with the start of power supply, and sequentially supplies the count value TM into the
カウント値コンパレータ４１Ａは、カウント値ＴＭの値とタイマカウント設定値ＣＮＴＡとを比較し、カウント値ＴＭの値がタイマカウント設定値ＣＮＴＡと一致すると、比較結果信号ＴＡをＨｉｇｈレベル（「１」）にする。比較結果信号ＴＡがＨｉｇｈレベル（「１」）になると、ＯＲゲート４３は、取得指示信号ｇｅｔ＿ｓｉｇをＨｉｇｈレベル（「１」）とし、ＭＵＸ４４Ａは、その時の比較信号ＣＭＰＡの値を選択し、フリップフロップ４５Ａは、比較信号ＣＭＰＡの値（Ｑ１）を保持する。
The
また、カウント値コンパレータ４１Ｂは、カウント値ＴＭの値とタイマカウント設定値ＣＮＴＢとを比較し、カウント値ＴＭの値がタイマカウント設定値ＣＮＴＢと一致すると、比較結果信号ＴＢをＨｉｇｈレベル（「１」）にする。比較結果信号ＴＢがＨｉｇｈレベル（「１」）になると、ＯＲゲート４３は、取得指示信号ｇｅｔ＿ｓｉｇをＨｉｇｈレベル（「１」）とし、ＭＵＸ４４Ｂは、その時の比較信号ＣＭＰＢの値を選択し、フリップフロップ４５Ｂは、比較信号ＣＭＰＢの値（Ｑ２）を保持する。
The
また、比較結果信号ＴＡがＨｉｇｈレベル（「１」）になるか、または比較結果信号ＴＢがＨｉｇｈレベル（「１」）になると、フリップフロップ４５Ａ、４５Ｂがそれぞれ保持していたデータＱ１、Ｑ２が、シフトレジスタ部４７内のフリップフロップ４５Ｃ（Ｑ３）、フリップフロップ４５Ｄ（Ｑ４）にそれぞれ転送される。すなわち、比較結果信号ＴＡがＨｉｇｈレベル（「１」）になると、データＱ１がフリップフロップ４５Ｃ（Ｑ３）に転送され（データＱＡ１、ＱＡ２）、比較結果信号ＴＢがＨｉｇｈレベル（「１」）になると、データＱ２がフリップフロップ４５Ｄ（Ｑ４）に転送される（データＱＢ１、ＱＢ２）。
Further, when the comparison result signal TA becomes the high level (“1”) or the comparison result signal TB becomes the high level (“1”), the data Q1 and Q2 held by the flip-
異常判定部４０内のコントロール部４６は、データＱＡ１、ＱＡ２、ＱＢ１、ＱＢ２のそれぞれの値を用いて、正常であるか異常であるかの判定を実行する。
The
（車載用電子制御システム）
図１１は、実施の形態に係る半導体装置１００を適用した車載用の電子制御システムの構成例を模式的に示す。
(Electronic control system for vehicles)
FIG. 11 schematically shows a configuration example of an in-vehicle electronic control system to which the
車載用の電子制御システムは、１つの半導体チップ上に必要とされるシステムを集積したＳｏＣ（System-on-Chip）２００と、ＳｏＣシステムバス９０を介してそれぞれＳｏＣ２００に接続されたマイコン（マイクロコンピュータ）Ａ（５０Ａ）、マイコンＢ（５０Ｂ）、マイコンＣ（５０Ｃ）と、マイコンＡ（５０Ａ）、マイコンＢ（５０Ｂ）、マイコンＣ（５０Ｃ）にそれぞれ接続された電源供給部Ａ（１００Ａ）、電源供給部Ｂ（１００Ｂ）、電源供給部Ｃ（１００Ｃ）とを備える。
The in-vehicle electronic control system includes an SoC (System-on-Chip) 200 in which necessary systems are integrated on one semiconductor chip, and a microcomputer (microcomputer) connected to the
電源供給部Ａ（１００Ａ）は、パワーＩＣ（１Ａ）に電圧Ｖ１を供給し、パワーＩＣ（２Ａ）に電圧Ｖ２を供給し、パワーＩＣ（３Ａ）に電圧Ｖ３を供給する。同様に、電源供給部Ｂ（１００Ｂ）は、パワーＩＣ（１Ｂ）に電圧Ｖ１を供給し、パワーＩＣ（２Ｂ）に電圧Ｖ２を供給し、パワーＩＣ（３Ｂ）に電圧Ｖ３を供給する。電源供給部Ｃ（１００Ｃ）は、パワーＩＣ（１Ｃ）に電圧Ｖ１を供給し、パワーＩＣ（２Ｃ）に電圧Ｖ２を供給し、パワーＩＣ（３Ｃ）に電圧Ｖ３を供給する。 The power supply unit A (100A) supplies the voltage V1 to the power IC (1A), supplies the voltage V2 to the power IC (2A), and supplies the voltage V3 to the power IC (3A). Similarly, the power supply unit B (100B) supplies the voltage V1 to the power IC (1B), supplies the voltage V2 to the power IC (2B), and supplies the voltage V3 to the power IC (3B). The power supply unit C (100C) supplies the voltage V1 to the power IC (1C), supplies the voltage V2 to the power IC (2C), and supplies the voltage V3 to the power IC (3C).
ここで、電圧Ｖ１は、例えば３．３Ｖであり、電圧Ｖ２は、例えば１．８Ｖであり、電圧Ｖ３は、例えば１．２Ｖである。 Here, the voltage V1 is, for example, 3.3V, the voltage V2 is, for example, 1.8V, and the voltage V3 is, for example, 1.2V.
電源供給部Ａ（１００Ａ）、電源供給部Ｂ（１００Ｂ）、電源供給部Ｃ（１００Ｃ）は、それぞれ、電源供給部１０と、コントロール回路２０と、タイマ３０と、電圧コンパレータＣ１、Ｃ２と、異常判定部４０とを備える。
The power supply unit A (100A), the power supply unit B (100B), and the power supply unit C (100C) are respectively connected to the
平常時においては、マイコンＡ（５０Ａ）、マイコンＢ（５０Ｂ）、マイコンＣ（５０Ｃ）は、それぞれ、電源供給部Ａ（１００Ａ）、電源供給部Ｂ（１００Ｂ）、電源供給部Ｃ（１００Ｃ）のイネーブル端子ＥＮに対して、電源供給機能を有効にする制御信号であるイネーブル信号ＥＮＡ、ＥＮＢ、ＥＮＣを出力する。 In normal times, the microcomputer A (50A), the microcomputer B (50B), and the microcomputer C (50C) are respectively connected to the power supply unit A (100A), the power supply unit B (100B), and the power supply unit C (100C). Enable signals ENA, ENB, and ENC, which are control signals for enabling the power supply function, are output to the enable terminal EN.
また、電源供給部Ａ（１００Ａ）、Ｂ（１００Ｂ）、Ｃ（１００Ｃ）は、電源供給動作中に異常（の兆候）を検出すると、マイコンＡ（５０Ａ）、Ｂ（５０Ｂ）、Ｃ（５０Ｃ）に対して、異常発生を報告する異常発生報告信号（図示せず）を出力する。異常発生報告信号に呼応して、マイコンＡ（５０Ａ）、Ｂ（５０Ｂ）、Ｃ（５０Ｃ）は、ＳｏＣ２００に対して、割り込み信号ＩＲＱを出力するとともに、電源供給部Ａ（１００Ａ）、Ｂ（１００Ｂ）、Ｃ（１００Ｃ）に対して、電源供給機能を無効にする制御信号であるディスエーブル信号（図示せず）を出力する。ディスエーブル信号を受信した電源供給部Ａ（１００Ａ）、Ｂ（１００Ｂ）、Ｃ（１００Ｃ）は、パワーＩＣ（１Ａ・２Ａ・３Ａ）、（１Ｂ・２Ｂ・３Ｂ）、（１Ｃ・２Ｃ・３Ｃ）に対する電源供給を停止する。
Further, when the power supply units A (100A), B (100B), and C (100C) detect an abnormality (a sign) during the power supply operation, the microcomputers A (50A), B (50B), and C (50C) In response to this, an abnormality occurrence report signal (not shown) for reporting the occurrence of the abnormality is output. In response to the abnormality occurrence report signal, the microcomputers A (50A), B (50B), and C (50C) output the interrupt signal IRQ to the
図１２は、実施の形態に係る半導体装置（スイッチング電源）１００をＩ２Ｃバスに適用した構成例を模式的し示し、図１２（ａ）は、正常動作時の電源電圧供給動作例、図１２（ｂ）は、異常動作時の電源電圧供給動作例である。 FIG. 12 schematically shows a configuration example in which the semiconductor device (switching power supply) 100 according to the embodiment is applied to an I2C bus. FIG. 12A shows an example of a power supply voltage supply operation during normal operation, and FIG. b) is an example of a power supply voltage supply operation during an abnormal operation.
スイッチング電源１００は、電源供給部（Ｖｃｃ）１０と、コントロール回路２０と、タイマ３０（図示せず）と、電圧コンパレータＣ（Ｃ１、Ｃ２）と、異常判定部（異常判定ブロック）４０とを備える。スイッチング電源１００は、Ｉ２Ｃバスを介して、パワーＩＣ１、ＩＣ２に電源を供給する。
The switching
スイッチング電源１００は、図１２（ａ）に例示するように、正常動作時にはパワーＩＣ１、ＩＣ２に電源を供給する。
As illustrated in FIG. 12A, the switching
異常判定ブロック４０が異常を検知すると、図１２（ｂ）に例示するように、パワーＩＣ１、ＩＣ２への電源の供給を停止する。
When the
図１３は、実施の形態に係る半導体装置１００を、負荷１５に電源を供給するシステムに適用した例を模式的に示す。電源供給システムは、エンジンコントロールユニット（ＥＣＵ：Engine Control Unit）マイコン５０と、コントロール回路２０と、電源供給部１０と、ローパスフィルタ（Ｌ１・Ｃo）と、例えばスピーカなどの負荷１５とを備える。図１３におけるコントロール回路２０が、実施の形態に係る半導体装置１００に対応する。コントロール回路２０の出力は、コンパレータ１１の正（＋）入力に接続されており、一方、コンパレータ１１の負（−）入力には、基準電圧ＶREFとして、出力電圧が供給される。
FIG. 13 schematically illustrates an example in which the
電源供給部１０は、コンパレータ１１と、ＰＷＭ変調器１２と、ドライバ１３と、ドライバ出力段１４とを備える。
The
平常時においては、ＥＣＵマイコン５０は、コントロール回路２０に対して、電源供給機能を有効にする制御信号であるイネーブル信号ＥＮＳをイネーブル端子ＥＮから出力する。イネーブル信号ＥＮＳを受信したコントロール回路２０は、電源供給機能を有効にする制御信号をコンパレータ１１に供給する。
In normal times, the
また、コントロール回路２０は、電源供給動作中に異常（の兆候）を検出すると、ＥＣＵマイコン５０に対して、異常発生を報告する異常発生報告信号（図示せず）を出力する。異常発生報告信号に呼応して、ＥＣＵマイコン５０は、コントロール回路２０に対して、電源供給機能を無効にする制御信号であるディスエーブル信号（図示せず）を出力する。ディスエーブル信号を受信したコントロール回路２０は、電源供給機能を無効にする制御信号をコンパレータ１１に供給することで、電源供給を停止する。
When the
（半導体装置の処理動作例）
図１４は、実施の形態に係る半導体装置１００の処理動作例を概略的に示す。
(Processing operation example of semiconductor device)
FIG. 14 schematically shows a processing operation example of the
ステップＳ１０１において、コントロール回路２０は、電源電圧Ｖｃｃの供給動作を開始するためのスタート信号ＳＴを電源供給部１０に出力し、電源供給部１０は、コントロール回路２０からのスタート信号ＳＴに呼応して、外部の機器に対して電源の供給（出力電圧Ｖｏｕｔ）を開始する。
In step S101, the
スタート信号ＳＴは、タイマ３０にも出力され、タイマ３０は、スタート信号ＳＴを受信すると、タイマ動作を開始する（ステップＳ１０２）。タイマ３０は、カウント値ＴＭをカウントアップし、カウント値ＴＭを異常判定部４０内に逐次供給する。
次に、電圧コンパレータＣ１は、電源供給部１０からの出力電圧Ｖｏｕｔと、第１の所定の電圧（例えば、電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧（０．１×Ｖｃｃ））とを比較する（ステップＳ１０３）。
The start signal ST is also output to the timer 30. When the timer 30 receives the start signal ST, the timer operation is started (step S102). The timer 30 counts up the count value TM and sequentially supplies the count value TM into the
Next, the voltage comparator C1 compares the output voltage Vout from the
ステップＳ１０３における比較の結果、出力電圧Ｖｏｕｔ＜電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧（０．１×Ｖｃｃ）であれば、電圧コンパレータＣ１は、ステップＳ１０４において、比較信号ＣＭＰＡをＬｏｗレベル（「０」）とする。 As a result of the comparison in step S103, if output voltage Vout <10% of power supply voltage Vcc (0.1 × Vcc), voltage comparator C1 sets comparison signal CMPA to low level (“0”) in step S104. And
ステップＳ１０３における比較の結果、出力電圧Ｖｏｕｔ≧電源電圧Ｖｃｃの１０％の電圧（０．１×Ｖｃｃ）であれば、電圧コンパレータＣ１は、ステップＳ１０５において、比較信号ＣＭＰＡをＨｉｇｈレベル（「１」）とする。 As a result of the comparison in step S103, if the output voltage Vout ≧ the voltage of 10% of the power supply voltage Vcc (0.1 × Vcc), the voltage comparator C1 sets the comparison signal CMPA to the high level (“1”) in step S105. And
カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達するまで、ステップＳ１０３、Ｓ１０４、Ｓ１０５が行われ、異常判定部４０は、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達すると（ステップＳ１０６）、比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢを比較する（ステップＳ１０７）。
Until the count value TM reaches the timer count set value CNTA, steps S103, S104, and S105 are performed. When the count value TM reaches the timer count set value CNTA (step S106), the
その一方で、電圧コンパレータＣ２は、電源供給部１０からの出力電圧Ｖｏｕｔと、第２の所定の電圧（例えば、電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧（０．９×Ｖｃｃ））とを比較する（ステップＳ１０８）。
On the other hand, the voltage comparator C2 compares the output voltage Vout from the
ステップＳ１０８における比較の結果、出力電圧Ｖｏｕｔ＜電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧（０．９×Ｖｃｃ）であれば、電圧コンパレータＣ２は、ステップＳ１０９において、比較信号ＣＭＰＢをＬｏｗレベル（「０」）とする。 As a result of the comparison in step S108, if the output voltage Vout <90% of the power supply voltage Vcc (0.9 × Vcc), the voltage comparator C2 sets the comparison signal CMPB to the low level (“0”) in step S109. And
ステップＳ１０８における比較の結果、出力電圧Ｖｏｕｔ≧電源電圧Ｖｃｃの９０％の電圧（０．９×Ｖｃｃ）であれば、電圧コンパレータＣ２は、ステップＳ１１４において、比較信号ＣＭＰＢをＨｉｇｈレベル（「１」）とする。 As a result of the comparison in step S108, if the output voltage Vout ≧ 90% of the power supply voltage Vcc (0.9 × Vcc), the voltage comparator C2 sets the comparison signal CMPB to the high level (“1”) in step S114. And
カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＢに到達するまで、ステップＳ１０８、Ｓ１０９、Ｓ１１４が行われ、異常判定部４０は、カウント値ＴＭがタイマカウント設定値ＣＮＴＡに到達すると（ステップＳ１１０）、比較信号ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢを比較する（ステップＳ１１１）。
Steps S108, S109, and S114 are performed until the count value TM reaches the timer count set value CNTB. When the count value TM reaches the timer count set value CNTA (step S110), the
異常判定部４０は、ステップＳ１０７における比較の結果と、ステップＳ１１１における比較の結果とに基づいて、異常（の兆候）有無を検知し、異常（の兆候）を検知した場合（ステップＳ１１２）、異常時の対応処理を実行する（ステップＳ１１３）。逆に、異常（の兆候）が検知されなければ、異常検知処理を終了する。
以上説明したように、本実施の形態によれば、電源電圧の供給開始時における電圧変化を監視し、異常の兆候をいち早く検知することができる半導体装置およびその動作方法、および電子制御システムを提供することができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to monitor a voltage change at the start of supply of a power supply voltage, and to provide a semiconductor device capable of quickly detecting an abnormality sign, an operating method thereof, and an electronic control system. can do.
［その他の実施の形態］
上記のように、実施の形態について記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
[Other embodiments]
While the embodiments have been described as described above, the discussion and drawings that form part of this disclosure are illustrative and should not be construed as limiting. From this disclosure, various alternative embodiments, examples and operational techniques will be apparent to those skilled in the art.
例えば、実施の形態においては、車載用の電子機器などに電源を供給する電源供給用装置（半導体装置１００）について説明したが、半導体装置１００が電源電圧を供給するのは車載用の電子機器に限らず、様々な用途に用いられる電子機器に電源を供給することができる。
For example, in the embodiments, a power supply device (semiconductor device 100) that supplies power to a vehicle-mounted electronic device or the like has been described. However, the
このように、ここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。 As described above, various embodiments that are not described herein are included.
本実施の形態は、例えば、自動車、航空機、船舶、鉄道、ロケット、医療機器、産業機械、ロボットなど様々な分野の電子機器類などに適用可能である。 This embodiment can be applied to electronic devices in various fields such as automobiles, airplanes, ships, railways, rockets, medical equipment, industrial machines, robots, and the like.
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、２、２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ…パワーＩＣ
１０…電源供給部（Ｖｃｃ）
１１…コンパレータ
１２…ＰＷＭ変調器
１３…ドライバ
１４…ドライバ出力段
１５…負荷
２０…コントロール回路
３０…タイマ
４０…異常判定部（異常判定ブロック）
４１Ａ、４１Ｂ…カウント値コンパレータ
４３…ＯＲゲート
４４Ａ、４４Ｂ…マルチプレクサ（ＭＵＸ）
４５Ａ、４５Ｂ、４５Ｃ、４５Ｄ…フリップフロップ
４７…シフトレジスタ部
４６…コントロール部
５０…エンジンコントロールユニット（ＥＣＵ：Engine Control Unit）マイコン
５０Ａ…マイコン（マイクロコンピュータ）Ａ
５０Ｂ…マイコン（マイクロコンピュータ）Ｂ
５０Ｃ…マイコン（マイクロコンピュータ）Ｃ
９０…ＳｏＣシステムバス
１００…半導体装置（スイッチング電源）
１００Ａ…電源供給部Ａ
１００Ｂ…電源供給部Ｂ
１００Ｃ…電源供給部Ｃ
２００…ＳｏＣ（System-on-Chip）
Ｃ、Ｃ１、Ｃ２…電圧コンパレータ
ＣＭＰＡ、ＣＮＴＢ…比較信号
ＣＮＴＡ、ＣＮＴＢ…タイマカウント設定値
ＣＮＴ＿ＭＡＸ…固定値
ＣＭＰＡ、ＣＭＰＢ…比較信号
ＥＮ、ＥＮＴ…イネーブル端子
ＥＮＡ、ＥＮＢ、ＥＮＣ、ＥＮＳ…イネーブル信号
ｇｅｔ＿ｓｉｇ…取得指示信号
（Ｌ１・Ｃo）…ローパスフィルタ
ＩＲＱ…割り込み信号
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、ＱＡ１、ＱＡ２、ＱＢ１、ＱＢ２…データ
ＳＴ…スタート信号
ＴＡ、ＴＢ…比較結果信号
ＴＭ…カウント値
ｔ、ｔ１、ｔＡ、ｔＢ、ｔＡ１…時刻
Ｖｃｃ…電圧（電源電圧）
Ｖｏｕｔ…電圧（出力電圧）
α１…傾き
1, 1A, 1B, 1C, 2, 2A, 2B, 2C, 3A, 3B, 3C ... Power IC
10 ... Power supply unit (Vcc)
DESCRIPTION OF
41A, 41B ...
45A, 45B, 45C, 45D ... flip-
50B ... Microcomputer B
50C ... microcomputer (microcomputer) C
90 ...
100A ... Power supply unit A
100B ... Power supply unit B
100C ... Power supply unit C
200 ... SoC (System-on-Chip)
C, C1, C2 ... voltage comparator CMPA, CNTB ... comparison signal CNTA, CNTB ... timer count set value CNT _ MAX ... fixed value CMPA, CMPB ... comparison signal EN, ENT ... enable terminal ENA, ENB, ENC, ENS ... enable signal get_sig ... acquisition instruction signal (L1 · C o ) ... low-pass filter IRQ ... interrupt signals Q1, Q2, Q3, Q4, QA1, QA2, QB1, QB2 ... data ST ... start signal TA, TB ... comparison result signal TM ... count value t, t1, tA, tB, tA1 ... time Vcc ... voltage (power supply voltage)
Vout ... Voltage (output voltage)
α1 ... tilt
Claims (15)
前記コントロール回路からのスタート信号に呼応して電源電圧の供給を開始する電源供給部と、
前記コントロール回路からの前記スタート信号に呼応して、時間をカウントしてカウント値を逐次出力するタイマと、
第１の所定の電圧値と前記電源供給部から供給される電圧値とを比較して比較結果を第１の比較信号として出力する第１の電圧コンパレータと、
第２の所定の電圧値と前記電源供給部から供給される電圧値とを比較して比較結果を第２の比較信号として出力する第２の電圧コンパレータと、
前記タイマからの前記カウント値と、前記第１の電圧コンパレータからの前記第１の比較信号と、前記第２の電圧コンパレータからの前記第２の比較信号とに基づいて、異常の有無を検知する異常判定部と
を備えることを特徴とする半導体装置。 A control circuit that outputs a start signal for starting the supply operation of the power supply voltage;
A power supply unit for starting supply of power supply voltage in response to a start signal from the control circuit;
In response to the start signal from the control circuit, a timer that counts time and sequentially outputs a count value;
A first voltage comparator that compares a first predetermined voltage value with a voltage value supplied from the power supply unit and outputs a comparison result as a first comparison signal;
A second voltage comparator that compares a second predetermined voltage value with a voltage value supplied from the power supply unit and outputs a comparison result as a second comparison signal;
Based on the count value from the timer, the first comparison signal from the first voltage comparator, and the second comparison signal from the second voltage comparator, the presence or absence of abnormality is detected. A semiconductor device comprising: an abnormality determination unit.
タイマが前記スタート信号に呼応してタイマ動作を開始し、カウント値を逐次出力するステップと、
第１の電圧コンパレータが、前記電源供給部からの電圧値と、第１の所定の電圧とを比較して比較結果を第１の比較信号として出力するステップと、
第２の電圧コンパレータが、前記電源供給部からの電圧値と、第２の所定の電圧とを比較して比較結果を第２の比較信号として出力するステップと、
異常判定部が、前記タイマからの前記カウント値と、前記第１の電圧コンパレータからの前記第１の比較信号と、前記第２の電圧コンパレータからの前記第２の比較信号とに基づいて、異常の有無を検知するステップと
を有することを特徴とする半導体装置の動作方法。 In response to a start signal from the control circuit, the power supply unit starts supplying power to an external device; and
A timer starts timer operation in response to the start signal, and sequentially outputs count values;
A first voltage comparator comparing a voltage value from the power supply unit with a first predetermined voltage and outputting a comparison result as a first comparison signal;
A second voltage comparator comparing a voltage value from the power supply unit with a second predetermined voltage and outputting a comparison result as a second comparison signal;
An abnormality determination unit detects an abnormality based on the count value from the timer, the first comparison signal from the first voltage comparator, and the second comparison signal from the second voltage comparator. And a step of detecting the presence or absence of the semiconductor device.
前記半導体装置は、
前記電源電圧の供給動作を開始するためのスタート信号を出力するコントロール回路と、
前記コントロール回路からのスタート信号に呼応して、前記パワーＩＣへの電源電圧の供給を開始する電源供給部と、
前記コントロール回路からの前記スタート信号に呼応して時間をカウントしながらカウント値を逐次出力するタイマと、
第１の所定の電圧値と前記電源供給部から供給される電圧値とを比較して比較結果を第１の比較信号として出力する第１の電圧コンパレータと、
第２の所定の電圧値と前記電源供給部から供給される電圧値とを比較して比較結果を第２の比較信号として出力する第２の電圧コンパレータと、
前記タイマからの前記カウント値と、前記第１の電圧コンパレータからの前記第１の比較信号と、前記第２の電圧コンパレータからの前記第２の比較信号とに基づいて、異常の有無を検知する異常判定部と
を備える
ことを特徴とする電子制御システム。 A SoC in which required systems are integrated on one semiconductor chip, a microcomputer connected to the SoC via a SoC system bus, and a semiconductor device constituting a power supply unit connected to the microcomputer; An electronic control system comprising a power IC supplied with a power supply voltage from the semiconductor device,
The semiconductor device includes:
A control circuit for outputting a start signal for starting the supply operation of the power supply voltage;
In response to a start signal from the control circuit, a power supply unit for starting supply of a power supply voltage to the power IC;
A timer that sequentially outputs a count value while counting time in response to the start signal from the control circuit;
A first voltage comparator that compares a first predetermined voltage value with a voltage value supplied from the power supply unit and outputs a comparison result as a first comparison signal;
A second voltage comparator that compares a second predetermined voltage value with a voltage value supplied from the power supply unit and outputs a comparison result as a second comparison signal;
Based on the count value from the timer, the first comparison signal from the first voltage comparator, and the second comparison signal from the second voltage comparator, the presence or absence of abnormality is detected. An electronic control system comprising: an abnormality determination unit.
前記マイクロコンピュータは、前記異常発生報告信号に呼応して、前記ＳｏＣに対して割り込み信号を出力するとともに、前記半導体装置に対して、電源供給機能を無効にするディスエーブル信号を出力することを特徴とする請求項１１に記載の電子制御システム。 The semiconductor device outputs an abnormality occurrence report signal to the microcomputer when the abnormality determination unit detects an abnormality,
In response to the abnormality occurrence report signal, the microcomputer outputs an interrupt signal to the SoC and outputs a disable signal for invalidating a power supply function to the semiconductor device. The electronic control system according to claim 11.
Priority Applications (1)
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