JP2017117836A - 光電変換素子及び光電変換モジュール - Google Patents
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Abstract
Description
図5は、本発明の第1変形例に係る光電変換素子1Bの平面図である。光電変換素子1Bと上記実施形態との相違点は、受光面における第1のピクセル11及び第2のピクセル12の配置である。本変形例の受光部3Bにおいては、K1個(K1は2以上の整数、図ではK1=16の場合を例示)の第1のピクセル11をそれぞれ含む複数の第1の領域A1と、K2個(K2は2以上の整数、図ではK2=16の場合を例示)の第2のピクセル12をそれぞれ含む複数の第2の領域A2とが、受光部3Bにおいて混在して二次元状(マトリクス状)に配列されている。図5に示される例では、第1の領域A1と第2の領域A2とが市松模様のごとく配置されている。
図8は、本発明の第2変形例に係る光電変換モジュール2Bの平面図である。光電変換モジュール2Bと上記実施形態との相違点は、抵抗41,42の配置である。すなわち、上記実施形態では抵抗41,42が読出回路5Aに含まれているが、光電変換モジュール2Bでは、読出回路5Bが抵抗41,42を有しておらず、光電変換素子1Cが抵抗41,42を有する。なお、抵抗41,42の配置を除く光電変換素子1C及び読出回路5Bの構成は、上記実施形態の光電変換素子1A及び読出回路5Aと同様である。
Claims (3)
- 共通の半導体基板に形成され、共通のバイアス電圧により動作するアバランシェフォトダイオードをそれぞれ含む複数のピクセルと、
前記半導体基板上に形成されて前記複数のピクセルに含まれる二以上の第1のピクセルと電気的に接続され、前記二以上の第1のピクセルからの出力電流を一括して取り出す第1の配線と、
前記半導体基板上に形成されて前記複数のピクセルに含まれる二以上の第2のピクセルと電気的に接続され、前記二以上の第2のピクセルからの出力電流を一括して取り出す第2の配線と、
前記第1の配線と定電位線との間に接続され、前記二以上の第1のピクセルからの出力電流を第1の電圧信号に変換する第1の抵抗と、
前記第2の配線と定電位線との間に接続され、前記二以上の第2のピクセルからの出力電流を第2の電圧信号に変換する第2の抵抗と、を備え、
前記第2の抵抗の抵抗値が前記第1の抵抗の抵抗値よりも小さい、光電変換素子。 - 光電変換素子と、前記光電変換素子からの出力電流を読み出す読出回路とを備える光電変換モジュールであって、
前記光電変換素子は、
共通の半導体基板に形成され、共通のバイアス電圧により動作するアバランシェフォトダイオードをそれぞれ含む複数のピクセルと、
前記半導体基板上に形成されて前記複数のピクセルに含まれる二以上の第1のピクセルと電気的に接続され、前記二以上の第1のピクセルからの出力電流を一括して取り出す第1の配線と、
前記半導体基板上に形成されて前記複数のピクセルに含まれる二以上の第2のピクセルと電気的に接続され、前記二以上の第2のピクセルからの出力電流を一括して取り出す第2の配線と、を有し、
前記読出回路または前記光電変換素子は、
前記第1の配線と定電位線との間に接続され、前記二以上の第1のピクセルからの出力電流を第1の電圧信号に変換する第1の抵抗と、
前記第2の配線と定電位線との間に接続され、前記二以上の第2のピクセルからの出力電流を第2の電圧信号に変換する第2の抵抗と、を有し、
前記第2の抵抗の抵抗値が前記第1の抵抗の抵抗値よりも小さい、光電変換モジュール。 - 前記読出回路は、
前記第1の電圧信号に基づいて、前記二以上の第1のピクセルから出力される電流パルスをカウントするフォトンカウンティング回路と、
前記第2の電圧信号に対応するデジタル信号を生成するA/Dコンバータと、を有する、請求項2に記載の光電変換モジュール。
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