JP2017109929A - アミノカルバゾール化合物及びその用途 - Google Patents

Abstract

【課題】 従来材料以上に高効率を発現する有機ＥＬ用材料を提供する。【解決手段】 一般式（１）【化１】（式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立して、フェニル基又はナフチル基（これらの基は、メチル基、フェニル基、ビフェニリル基、又は９−カルバゾリル基を置換基として有していてもよい）を表す。ｎは０又は１を表す。）で表されるアミノカルバゾール化合物を、有機ＥＬ素子の発光層、正孔輸送層及び正孔注入層のいずれか一層以上に用いる。【選択図】 図１

Description

本発明は、新規なアミノカルバゾール化合物及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に関するものである。本発明におけるアミノカルバゾール化合物は、感光材料、有機光導電材料として使用でき、具体的には、平面光源や表示に使用される有機ＥＬ素子若しくは電子写真感光体等の正孔輸送材料、正孔注入材料及び発光材料として有用である。

近年、有機ＥＬ素子は、次世代の薄型平面ディスプレイとして現在盛んに研究されており、既に携帯電話のディスプレイや、テレビ、照明等へ実用化も始まっている。しかし、有機ＥＬ素子の特性は未だ満足のいくものではなく、より低駆動電圧化し高効率な材料（正孔輸送材、電子輸送材、発光材等）が求められている。

有機ＥＬ材料用の正孔輸送材としては、例えば、特許文献１で開示されたアミノカルバゾール化合物が報告されている。

特開２０１１−００１３４９

本発明は、従来公知のアミノカルバゾール化合物と比較して、有機ＥＬ素子を低駆動電圧化させ、発光効率（電流効率）を向上させ、かつ素子寿命を向上させる特定のアミノカルバゾール化合物を提供することをその目的とする。また、本発明は、当該特定のアミノカルバゾール化合物を用いてなる低駆動電圧化、発光効率（電流効率）、素子寿命に優れた有機ＥＬ素子を提供することをその目的とする。

本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、下記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物を正孔輸送材料として用いた有機ＥＬ素子が、従来公知の材料を用いたときに比べて、顕著に優れることを見いだし、本発明を完成するに至った。

すなわち本発明は、下記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物及びそれを含有する有機ＥＬ素子に関するものである。

（式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、フェニル基又はナフチル基（これらの基は、メチル基、フェニル基、ビフェニリル基、又は９−カルバゾリル基を置換基として有していてもよい）を表す。ｎは０又は１を表す。）
より具体的には、本願の一般式（１）に示したような特定の位置に３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基を有することを特徴とした化合物が、その構造的特徴に基づいて課題を解決するものである。

本発明のアミノカルバゾール化合物は、従来公知のアミノカルバゾール化合物に比べて、正孔輸送材料又は正孔注入材料として用いた場合に有機ＥＬ素子を低駆動電圧化させ、発光効率（電流効率）を向上させ、かつ素子寿命を向上させるという効果を奏する。

以下、本発明を詳細に説明する。

一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物において、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、フェニル基又はナフチル基（これらの基は、メチル基、フェニル基、ビフェニリル基、又は９−カルバゾリル基を置換基として有していてもよい）を表す。これらのうち、有機ＥＬ素子の発光効率に優れる点で、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ビフェニリル基、４−（カルバゾール−９−イル）フェニル基、又はターフェニル基であることが好ましい。

ｎは、０又は１の整数を表す。ｎが１の場合、当該フェニレン基としては、１，２−フェニレン基、１，３−フェニレン基、又は１，４−フェニレン基が挙げられる。これらのうち、有機ＥＬ素子の発光効率に優れる点で、１，４−フェニレン基が好ましい。

なお、一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物については、有機ＥＬ素子の発光効率に優れる点で、下記一般式（２）で表されるアミノカルバゾール化合物が好ましい。

（式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、及びｎの定義及び好ましい範囲については、一般式（１）と同じ。） 一般式（１）で示されるアミノカルバゾール化合物の具体例としては、以下のＡ０１からＡ４０を例示できるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

これらＡ０１からＡ４０で表される化合物の内、正孔輸送能力に優れ、有機ＥＬ素子の高効率化が達成できる点で、Ａ０３、Ａ０６、Ａ０９、Ａ１２、Ａ１５、Ａ１８、Ａ２７又はＡ３０で表される化合物が特に好ましい。

本願の一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物は、有機ＥＬ素子用の発光ホスト材料、正孔輸送材料、及び／又は正孔注入材料として好ましく使用することができる。本願の一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物は正孔輸送能に優れることから、正孔輸送層及び／又は正孔注入層として使用した際に、有機ＥＬ素子の高性能化を実現することができる。

前記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物を有機ＥＬ素子の正孔注入層及び／又は正孔輸送層として使用する際の発光層には、従来から使用されている公知の蛍光若しくは燐光発光材料を使用することができる。発光層は１種類の発光材料のみで形成されていても、ホスト材料中に１種類以上の発光材料がドープされていてもよい。

前記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物からなる正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成する際には、必要に応じて２種類以上の材料を含有若しくは積層させてもよく、例えば、酸化モリブデン等の酸化物、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン等の公知の電子受容性材料を含有若しくは積層させてもよい。

また、本発明の前記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物は、有機ＥＬ素子の発光層としても使用することができる。前記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物を有機ＥＬ素子の発光層として使用する場合には、アミノカルバゾール化合物を単独で使用、公知の発光ホスト材料にドープして使用、又は公知の発光ドーパントをドープして使用することができる。

前記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物を含有する正孔注入層、正孔輸送層又は発光層を形成する方法としては、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法等の公知の方法を適用することができる。

本発明の効果が得られる有機ＥＬ素子の基本的な構造としては、基板、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び陰極を含むものが好ましく、一部の層が省略されていても、また逆に追加されていてもよい。

有機ＥＬ素子の陽極及び陰極は、電気的な導体を介して電源に接続されている。陽極と陰極との間に電位を加えることにより、有機ＥＬ素子は作動する。

正孔は陽極から有機ＥＬ素子内に注入され、電子は陰極で有機ＥＬ素子内に注入される。

有機ＥＬ素子は典型的には基板に被せられ、陽極又は陰極は基板と接触することができる。基板と接触する電極は便宜上、下側電極と呼ばれる。一般的には、下側電極は陽極であるが、本発明の有機ＥＬ素子においては、そのような形態に限定されるものではない。

基板は、意図される発光方向に応じて、光透過性又は不透明であってもよい。光透過特性は、基板を通してエレクトロルミネッセンス発光により確認できる。一般的には、透明ガラス又はプラスチックがこのような場合に基板として採用される。基板は、多重の材料層を含む複合構造であってもよい。

エレクトロルミネッセンス発光を、陽極を通して確認する場合、陽極は当該発光を通すか又は実質的に通すもので形成される。

本発明において使用される一般的な透明アノード（陽極）材料は、特に限定するものではないが、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、又は酸化錫等が挙げられる。その他の金属酸化物、例えばアルミニウム又はインジウム・ドープ型酸化錫、マグネシウム−インジウム酸化物、又はニッケル−タングステン酸化物も使用可能である。これらの酸化物に加えて、金属窒化物である、例えば窒化ガリウム、金属セレン化物である、例えばセレン化亜鉛、又は金属硫化物である、例えば硫化亜鉛を陽極として使用することができる。

陽極は、プラズマ蒸着されたフルオロカーボンで改質することができる。陰極を通してだけエレクトロルミネッセンス発光が確認される場合、陽極の透過特性は重要ではなく、透明、不透明又は反射性の任意の導電性材料を使用することができる。この用途のための導体の一例としては、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム、白金等が挙げられる。

陽極と発光層の間には、正孔注入層や正孔輸送層といった正孔輸送性の層を複数層設けることができる。正孔注入層や正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、これらの層を陽極と発光層の間に介在させることにより、より低い電界で多くの正孔を発光層に注入することができる。

本発明の有機ＥＬ素子において、正孔輸送層及び／又は正孔注入層は、前記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物を含むものである。

正孔輸送層及び／又は正孔注入層には、前記一般式（１）で表されるアミノカルバゾール化合物と共に、公知の正孔輸送材料及び／又は正孔注入材料の中から任意のものを選択して組み合わせて用いることができる。

公知の正孔注入材料、正孔輸送材料としては、例えばトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、又、導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。正孔注入材料、正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。

上記芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、４，４’−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、４，４’，４’’−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）などがあげられる。

又、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣなどの無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。正孔注入層、正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよく、同一組成又は異種組成の複数層からなる積層構造であってもよい。

有機ＥＬ素子の発光層は、燐光材料又は蛍光材料を含み、この領域で電子・正孔対が再結合された結果として発光を生ずる。

発光層は、低分子及びポリマー双方を含む単一材料から成っていてもよいが、より一般的には、ゲスト化合物でドーピングされたホスト材料から成っており、発光は主としてドーパントから生じ、任意の色を有することができる。

発光層のホスト材料としては、例えば、ビフェニル基、フルオレニル基、トリフェニルシリル基、カルバゾール基、ピレニル基、又はアントラニル基を有する化合物が挙げられる。例えば、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）−１，１’−ビフェニル）、ＢＣｚＶＢｉ（４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）１，１’−ビフェニル）、ＴＢＡＤＮ（２−ターシャルブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）、ＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）、ＣＢＰ（４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）、ＣＤＢＰ（４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル）、又は９，１０−ビス（ビフェニル）アントラセン等が挙げられる。

発光層内のホスト材料としては、下記に定義する電子輸送材料、上記に定義する正孔輸送材料、正孔・電子再結合を助ける（サポート）別の材料、又はこれら材料の組み合わせであってもよい。

蛍光ドーパントの一例としては、アントラセン、ピレン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレンピラン化合物、チオピラン化合物、ポリメチン化合物、ピリリウム又はチアピリリウム化合物、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）アミンホウ素化合物、ビス（アジニル）メタン化合物、カルボスチリル化合物等が挙げられる。

燐光ドーパントの一例としては、イリジウム、白金、パラジウム、オスミウム等の遷移金属の有機金属錯体が挙げられる。

ドーパントの一例として、Ａｌｑ_３（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム））、ＤＰＡＶＢｉ（４，４’−ビス［４−（ジ−パラ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル）、ペリレン、Ｉｒ（ＰＰｙ）_３（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）、又はＦｌｒＰｉｃ（ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。

電子輸送性材料としては、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、土類金属錯体等が挙げられる。アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体、又は土類金属錯体としては、例えば、８−ヒドロキシキノリナートリチウム（Ｌｉｑ）、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）銅、ビス（８−ヒドロキシキノリナート）マンガン、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）クロロガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）−１−ナフトラートアルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）−２−ナフトラートガリウム等が挙げられる。

発光層と電子輸送層との間に、キャリアバランスを改善させる目的で、正孔阻止層を設けてもよい。正孔素子層として望ましい化合物は、ＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、Ｂｐｈｅｎ（４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）、ＢＡｌｑ（ビス（２−メチル−８−キノリノラート）−４−（フェニルフェノラート）アルミニウム）、又はビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム）等が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子においては、電子注入性を向上させ、素子特性（例えば、発光効率、定電圧駆動、又は高耐久性）を向上させる目的で、電子注入層を設けてもよい。

電子注入層として望ましい化合物としては、フルオレノン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、チオピランジオキシド、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、ペリレンテトラカルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等が挙げられる。また、上記に記した金属錯体やアルカリ金属酸化物、アルカリ土類酸化物、希土類酸化物、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類ハロゲン化物、希土類ハロゲン化物、ＳｉＯ_２、ＡｌＯ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＯＮ、ＧｅＯ、ＬｉＯ、ＬｉＯＮ、ＴｉＯ、ＴｉＯＮ、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＮ、Ｃなどの各種酸化物、窒化物、及び酸化窒化物のような無機化合物等も使用できる。

発光が陽極を通してのみ確認される場合、本発明において使用される陰極は、任意の導電性材料から形成することができる。望ましい陰極材料としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。

素子実施例−１等で作製した有機電界発光素子の断面図模式図である。

１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．電荷発生層
４．正孔輸送層
５．第二正孔輸送層
６．発光層
７．電子輸送層
８．電子注入層
９．陰極層

以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定して解釈されるものではない。

なお、本実施例で用いた分析機器及び測定方法を以下に列記する。

［材料純度測定（ＨＰＬＣ分析）］
測定装置：東ソー製 マルチステーションＬＣ−８０２０
測定条件：カラム Ｉｎｅｒｔｓｉｌ ＯＤＳ−３Ｖ（４．６ｍｍΦ×２５０ｍｍ）
検出器 ＵＶ検出（波長 ２５４ｎｍ）
溶離液 メタノール／テトラヒドロフラン＝９／１（ｖ／ｖ比）
［ＮＭＲ測定］
測定装置：バリアン社製 Ｇｅｍｉｎｉ２００
［質量分析］
質量分析装置：日立製作所 Ｍ−８０Ｂ
測定方法：ＦＤ−ＭＳ分析

合成例１ 化合物Ｂ０１の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた１０００ｍＬの４つ口フラスコ中に、２−クロロカルバゾール ７１．２ｇ（３５３ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン １００．０ｇ（３７１ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン ３５６ｇ、酢酸パラジウム ７９２ｍｇ（３．５３ｍｍｏｌ）、及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン ２．１４ｇ（１０．６ｍｍｏｌ）を加え、５５℃で１０分間攪拌した。次いで、この溶液に、炭酸カリウム ７３．２ｇ（５３０ｍｍｏｌ）を加え、１３５℃で４時間攪拌した。次いで、反応液を室温まで冷却した後、純水３００ｍＬを加え抽出した。次いで飽和食塩水で洗浄し、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮した。得られた濃縮残渣をｎ−ブタノールで再結晶することにより、白色結晶 ８０．５ｇを得た（収率 ５８％、純度 ９９．６％）。^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１３Ｃ−ＮＭＲ分析から、得られた白色結晶は目的の化合物Ｂ０１であることを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝１．３９（ｓ １８Ｈ）， ７．２２〜７．５２（ｍ ８Ｈ）， ８．０２〜８．５２（ｄ １Ｈ）， ８．０９〜８．１１（ｄ １Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝３１．７３， ３５．４２， １１０．３３， １１０．３９， １２０．３９， １２０．４１， １２０．４９， １２１．３７， １２１．４４， １２１．９４， １２２．０５， １２２．９２， １２６．４０， １３１．９０， １３６．６７， １４１．６７， １４１．８５， １５３．１２
実施例１ 化合物Ａ０７の合成
窒素雰囲気下、攪拌装置を備えた２００ｍＬの４つ口フラスコに、化合物Ｂ０１ ５．００ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）、フェニルビフェニルアミン ３．１４ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）、ｏ−キシレン ５０ｍＬ、酢酸パラジウム ２８．７ｍｇ（０．１２８ｍｍｏｌ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン ７７．７ｍｇ（０．３８４ｍｍｏｌ）、及びｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム １．４８ｇ（１５．４ｍｍｏｌ）を加え、１４０℃に加熱した。１５時間後、加熱を終了し、室温まで放冷した。この反応溶液を、純水、次いで飽和食塩水で洗浄分液し、得られた有機層を減圧濃縮して溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、更にトルエン／ｎ−ブタノール混合溶媒で再結晶することにより白色粉末 ５．９９ｇを得た（収率 ７８％、純度 ９９．０％）。^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１３Ｃ−ＮＭＲ分析から、得られた白色粉末は目的の化合物Ａ０７であることを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝１．２６（ｓ １８Ｈ）， ６．９６〜７．５７（ｍ ２２Ｈ）， ８．００〜８．０７（ｍ ２Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝３１．６３， ３５．２９， １０６．９０， １１０．１０， １１８．３３， １１９．５７， １２０．０３， １２０．２２， １２０．８６， １２１．１３， １２２．９３， １２３．６５， １２３．９９， １２４．４１， １２５．４８， １２６．９０， １２７．００， １２８．００， １２８．９８， １２９．５１， １３５．１１， １３６．９９， １４０．９９， １４１．３８， １４２．０２， １４６．６５， １４７．９４， １４８．３８， １５２．７２
実施例２ 化合物Ａ０９の合成
実施例１において、フェニルビフェニルアミン ３．１４ｇの代わりにビス（４−ビフェニリル）アミン ４．１２ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様の実験操作を行って、白色粉末を５．４０ｇ得た（収率 ６３％、純度 ９９．４％）。^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１３Ｃ−ＮＭＲ分析から、得られた白色粉末は目的の化合物Ａ０９であることを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝１．２５（ｓ １８Ｈ）， ７．１３〜７．５８（ｍ ２６Ｈ）， ８．０３〜８．０９（ｍ ２Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝３１．６０， ３５．２８， １０７．１５， １１０．１４， １１８．４７， １１９．７７， １２０．０９， １２０．２７， １２０．８４， １２１．１３， １２１．２１， １２３．６４， １２４．２３， １２５．５６， １２６．９２， １２７．０５， １２８．０６， １２９．００， １３５．３６， １３６．９９， １４０．９５， １４１．３９， １４２．０３， １４６．４６， １４７．７４， １５２．７４
実施例３ 化合物Ａ１２の合成
実施例１において、フェニルビフェニルアミン ３．１４ｇの代わりにＮ−［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−ビフェニリル）アミン ５．２５ｇ（１２．８ｍｍｏｌ）を用いた以外は、実施例１と同様の実験操作を行って、白色粉末を７．７０ｇ得た（収率 ７８．７％、純度 ９９．１％）。^１Ｈ−ＮＭＲ及び^１３Ｃ−ＮＭＲ分析から、得られた白色粉末は目的の化合物Ａ１２であることを確認した。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝１．２７（ｓ １８Ｈ）， ７．１９〜７．５９（ｍ ２７Ｈ）， ８．０８〜８．１５（ｍ ４Ｈ）
^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝３１．６８， ３５．３４， １０７．５５， １１０．２０， １１８．８０， １２０．０１， １２０．１９， １２０．３６， １２０．５５， １２０．９５， １２１．２４， １２１．４６， １２３．５１， １２３．５７， １２４．０２， １２４．７１， １２５．７６， １２６．１１， １２６．９９， １２７．１９， １２８．１３， １２８．２５， １２９．０５， １３１．５２， １３５．９４， １３７．０１， １４０．８８， １４１．３６， １４１．５２， １４２．１３， １４６．１５， １４７．６０， １５２．８６
次に素子評価について記載する。

素子評価に用いた化合物の構造式及びその略称を以下に示す。

素子比較例−１
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜（膜厚１１０ｎｍ）がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図１に示すような発光面積４ｍｍ^２有機ＥＬ素子有機ＥＬ素子を作製した。なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜した。

まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０^−４Ｐａまで減圧した。

その後、図１の１で示すＩＴＯ透明電極付きガラス基板上に有機化合物層として、正孔注入層２、電荷発生層３、正孔輸送層４、第二正孔輸送層５、発光層６、電子輸送層７、電子注入層８、及び陰極層９を、この順番に積層させながら、いずれも真空蒸着で成膜した。

正孔注入層２としては、昇華精製したＨＩＬを０．１５ｎｍ／秒の速度で５５ｎｍ成膜した。

電荷発生層３としては、ＨＡＴを０．０５ｎｍ／秒の速度で５ｎｍ成膜した。

正孔輸送層４としては、ＨＴＬを０．１５ｎｍ／秒の速度で１５ｎｍ成膜した。

第二正孔輸送層５としては、ＨＴＬを０．０５ｎｍ／秒の速度で５ｎｍ成膜した。

発光層６としては、ＥＭＬ−１とＥＭＬ−２を９７：３の割合で２５ｎｍ成膜した（成膜速度０．１８ｎｍ／秒）。

電子輸送層７としては、ＥＴＬを０．１５ｎｍ／秒の速度で３０ｎｍ成膜した。

電子注入層８としては、Ｌｉｑを０．００５ｎｍ／秒の速度で０．５ｎｍ成膜した。

最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層９を成膜した。陰極層９は、銀／マグネシウム（重量比１／１０）と銀を、この順番に、それぞれ８０ｎｍ（成膜速度０．５ｎｍ／秒）と２０ｎｍ（成膜速度０．２ｎｍ／秒）で製膜し、２層構造とした。

それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。

さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止には、ガラス製の封止キャップとエポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。

上記のようにして作製した有機ＥＬ素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ^２を流した時の電圧（Ｖ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）を測定し、連続点灯時の素子寿命（ｈ）を測定した。なお、素子寿命（ｈ）は、作製した素子を初期輝度８００ｃｄ／ｍ^２で駆動したときの連続点灯時の輝度減衰時間を測定し、輝度（ｃｄ／ｍ^２）が２０％減じるまでに要した時間を測定した。素子寿命は、本素子比較例−１における素子寿命（ｈ）を基準値（１００）とした。結果を下表に示す。

素子実施例−１
素子比較例−１において、第二正孔輸送層５にＨＴＬの代わりに実施例−１で合成した化合物Ａ０７を用いた以外は、素子比較例−１と同じ方法で有機ＥＬ素子有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を下表に示す。なお、素子寿命については、素子寿命（ｈ）を測定したうえで、素子比較例−１の素子寿命を１００とした相対値で表した。

素子実施例−２
素子比較例−１において、第二正孔輸送層５にＨＴＬの代わりに実施例−２で合成した化合物Ａ０９を用いた以外は、素子比較例−１と同じ方法で有機ＥＬ素子有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を下表に示す。なお、素子寿命については、素子寿命（ｈ）を測定したうえで、素子比較例−１の素子寿命を１００とした相対値で表した。

素子実施例−３
素子比較例−１において、第二正孔輸送層５にＨＴＬの代わりに実施例−３で合成した化合物Ａ１２を用いた以外は、素子比較例−１と同じ方法で有機ＥＬ素子有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を下表に示す。なお、素子寿命については、素子寿命（ｈ）を測定したうえで、素子比較例−１の素子寿命を１００とした相対値で表した。

素子参考例−１
素子比較例−１において、第二正孔輸送層５にＨＴＬの代わりに下記化合物Ｃ０１を用いた以外は、素子比較例−１と同じ方法で有機ＥＬ素子有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を下表に示す。なお、素子寿命については、素子寿命（ｈ）を測定したうえで、素子比較例−１の素子寿命を１００とした相対値で表した。

本発明のアミノカルバゾール化合物は、有機ＥＬ素子の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光層のホスト材料として利用可能であり、従来の材料以上に高効率、低電圧駆動となる材料となることが期待される。さらには、有機ＥＬ素子又は電子写真感光体の正孔注入材料、正孔輸送材料又は発光材料としてのみでなく、光電変換素子、太陽電池、又はイメージセンサー等の有機光導電材料への分野にも応用可能である。

Claims (4)

1. 一般式（１）
   

   

   （式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、フェニル基又はナフチル基（これらの基は、メチル基、フェニル基、ビフェニリル基、又は９−カルバゾリル基を置換基として有していてもよい）を表す。ｎは０又は１を表す。）で表されるアミノカルバゾール化合物。
2. 一般式（２）
   

   

   （式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、それぞれ独立して、フェニル基又はナフチル基（これらの基は、メチル基、フェニル基、ビフェニリル基、又は９−カルバゾリル基を置換基として有していてもよい）を表す。ｎは０又は１を表す。）で表される請求項１に記載のアミノカルバゾール化合物。
3. 下記Ａ０３、Ａ０６、Ａ０９、Ａ１２、Ａ１５、Ａ１８、Ａ２７又はＡ３０で表される、請求項１に記載のアミノカルバゾール化合物。
   

   
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載のアミノカルバゾール化合物を含んでなる、発光ホスト材料、又は正孔輸送材料及び正孔注入材料。

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