JP2017085062A - 半導体装置、電源装置、増幅器及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10の上に形成された第1の半導体層12と、第1の半導体層12の上の一部に形成された複数個のコンタクト層13と、第1の半導体層12の上及びコンタクト層13の側面に形成された第2の半導体層15と、複数個のコンタクト層13の上の各々に形成されたソース電極32及びドレイン電極33と、第2の半導体層15の上に形成されたゲート電極31と、を有する。第1の半導体層12は、GaNを含む材料により形成されており、第2の半導体層15は、Inx1Aly1Ga1−x1−y1N、(0<x1≦0.2、0<y1<1)により形成されており、コンタクト層13は、GaNを含む材料により形成されている。
【選択図】図2
Description
(半導体装置)
第1の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図2に示されるように、半絶縁性SiC基板等の基板10の上に、核形成層11、電子走行層12が形成されている。電子走行層12の上のソース電極32及びドレイン電極33が形成される領域の各々には、コンタクト層13が形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33は、各々のコンタクト層13の上に形成されている。コンタクト層13が形成されていない領域の電子走行層12の上及びコンタクト層13の側面13aには、スペーサ層14、電子供給層15が順に積層されており、これにより、電子走行層12において、スペーサ層14との界面近傍には2DEG12aが生成される。また、コンタクト層13が形成されていない領域における電子供給層15の上には、ゲート電極31が形成されている。コンタクト層13は、ソース電極32及びドレイン電極33が形成される領域よりも広く形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33が形成されていない領域のコンタクト層13の上にも、スペーサ層14、電子供給層15が順に積層されていてもよい。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図5及び図6に基づき説明する。
(半導体装置)
次に、第2の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図7に示されるように、半絶縁性SiC基板等の基板10の上に、核形成層11、電子走行層12が形成されている。電子走行層12の上のソース電極32及びドレイン電極33が形成される領域の各々には、コンタクト層13が形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33は、各々のコンタクト層13の上に形成されている。コンタクト層13が形成されていない領域の電子走行層12の上及びコンタクト層13の側面13aには、電子供給層15が形成されており、これにより、電子走行層12において、電子供給層15との界面近傍には2DEG12aが生成される。また、コンタクト層13が形成されていない領域における電子供給層15の上には、ゲート電極31が形成されている。コンタクト層13は、ソース電極32及びドレイン電極33が形成される領域よりも広く形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33が形成されていない領域のコンタクト層13の上にも、電子供給層15が形成されていてもよい。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図8及び図9に基づき説明する。
(半導体装置)
次に、第3の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図10に示されるように、半絶縁性SiC基板等の基板10の上に、核形成層11、電子走行層12、スペーサ層114が形成されている。スペーサ層114の上のソース電極32及びドレイン電極33が形成される領域の各々には、コンタクト層13が形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33は、各々のコンタクト層13の上に形成されている。コンタクト層13が形成されていない領域のスペーサ層114の上及びコンタクト層13の側面13aには、電子供給層15が形成されており、コンタクト層13が形成されていない領域における電子供給層15の上には、ゲート電極31が形成されている。尚、電子走行層12において、スペーサ層114との界面近傍には2DEG12aが生成される。コンタクト層13は、ソース電極32及びドレイン電極33が形成される領域よりも広く形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33が形成されていない領域のコンタクト層13の上にも、電子供給層15が形成されていてもよい。従って、本実施の形態における半導体装置においては、電子走行層12と電子供給層15との間、及び、電子走行層12とコンタクト層13との間に、スペーサ層114が形成されている。尚、スペーサ層114はAlNにより形成されている。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図11及び図12に基づき説明する。
(半導体装置)
次に、第4の実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図13に示されるように、半絶縁性SiC基板等の基板10の上に、核形成層11、電子走行層12、スペーサ層214が形成されている。スペーサ層214は、コンタクト層13が形成されていない領域に形成されている第1の領域214aとコンタクト層13が形成されている領域に形成されている第2の領域214bとを有している。スペーサ層214の第2の領域214bの上には、コンタクト層13が形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33は、各々のコンタクト層13の上に形成されている。スペーサ層214の第1の領域214aの上及びコンタクト層13の側面13aには、電子供給層15が形成されており、スペーサ層214の第1の領域214aにおける電子供給層15の上には、ゲート電極31が形成されている。尚、電子走行層12において、スペーサ層214との界面近傍には2DEG12aが生成される。コンタクト層13は、ソース電極32及びドレイン電極33が形成される領域よりも広く形成されており、ソース電極32及びドレイン電極33が形成されていない領域のコンタクト層13の上にも、電子供給層15が形成されていてもよい。従って、本実施の形態における半導体装置においては、電子走行層12と電子供給層15との間に、スペーサ層214の第1の領域214aが形成されており、電子走行層12とコンタクト層13との間に、スペーサ層214の第2の領域214bが形成されている。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図14及び図15に基づき説明する。
次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、半導体デバイス、電源装置及び高周波増幅器である。
(付記1)
基板の上に形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上の一部に形成された複数個のコンタクト層と、
前記第1の半導体層の上及び前記コンタクト層の側面に形成された第2の半導体層と、
複数個の前記コンタクト層の上の各々に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極と、
を有し、
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、Inx1Aly1Ga1−x1−y1N、(0<x1≦0.2、0<y1<1)により形成されており、
前記コンタクト層は、GaNを含む材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。
(付記2)
前記第2の半導体層は、Inx1Aly1Ga1−x1−y1N、(0.1≦x1≦0.2、0<y1≦0.9)により形成されていることを特徴とする付記1の半導体装置。
(付記3)
前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の間には、第3の半導体層が形成されており、
前記第3の半導体層は、Inx2Aly2Ga1−x2−y2N、(0≦x2≦0.05、0<y2≦1)であることを特徴とする付記1または2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記コンタクト層と前記第2の半導体層との間にも、前記第3の半導体層が形成されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記5)
前記第1の半導体層と前記コンタクト層の間にも、前記第3の半導体層が形成されていることを特徴とする付記3に記載の半導体装置。
(付記6)
前記第3の半導体層は、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の領域と、前記第1の半導体層と前記コンタクト層との間に形成された第2の領域と、を有し、
前記第1の領域は、Inx3Aly3Ga1−x3−y3N、(0≦x3≦0.05、0<y3≦1)であり、
前記第2の領域は、Inx4Aly4Ga1−x4−y4N、(0≦x4≦0.05、0<y4≦1)であって、
y3>y4であることを特徴とする付記5に記載の半導体装置。
(付記7)
前記第1の領域は、前記第2の領域よりも膜厚が薄いことを特徴とする付記6に記載の半導体装置。
(付記8)
前記コンタクト層の側面は、前記基板に向かって広がるテーパー形状であることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置。
(付記9)
前記コンタクト層には、n型となる不純物元素が含まれていることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置。
(付記10)
付記1から9のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
(付記11)
付記1から9のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
(付記12)
基板の上に、GaNを含む第1の半導体層、GaN膜を順に形成する工程と、
GaN膜の一部を前記第1の半導体層が露出するまで除去し、残存する前記GaN膜によりコンタクト層を形成する工程と、
露出している前記第1の半導体層及び前記コンタクト層の上に、Inx1Aly1Ga1−x1−y1N、(0<x1≦0.2、0<y1<1)により形成される第2の半導体層を形成する工程と、
前記コンタクト層の上の前記第2の半導体層を除去し、前記コンタクト層を露出させ、前記コンタクト層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記13)
基板の上に、GaNを含む第1の半導体層、GaN膜を順に形成する工程と、
GaN膜の一部を前記第1の半導体層が露出するまで除去し、残存する前記GaN膜によりコンタクト層を形成する工程と、
露出している前記第1の半導体層及び前記コンタクト層の上に、Inx2Aly2Ga1−x2−y2N、(0≦x2≦0.05、0<y2≦1)により形成される第3の半導体層(14)、Inx1Aly1Ga1−x1−y1N、(0<x1≦0.2、0<y1<1)により形成される第2の半導体層を順に積層する工程と、
前記コンタクト層の上の前記第2の半導体層及び前記第3の半導体層を除去し、前記コンタクト層を露出させ、前記コンタクト層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記14)
基板の上に、GaNを含む第1の半導体層、Inx2Aly2Ga1−x2−y2N、(0≦x2≦0.05、0<y2≦1)により形成される第3の半導体層、GaN膜を順に形成する工程と、
GaN膜の一部を前記第3の半導体層が露出するまで除去し、残存する前記GaN膜によりコンタクト層を形成する工程と、
露出している前記第1の半導体層及び前記コンタクト層の上に、Inx1Aly1Ga1−x1−y1N、(0<x1≦0.2、0<y1<1)により形成される第2の半導体層を形成する工程と、
前記コンタクト層の上の前記第2の半導体層を除去し、前記コンタクト層を露出させ、前記コンタクト層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記コンタクト層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記15)
前記GaN膜の除去する工程は、ドライエッチングを行った後、サーマルエッチングを行うことを特徴とする付記14に記載の半導体装置の製造方法。
11 核形成層
12 電子走行層(第1の半導体層)
12a 2DEG
13 コンタクト層
14 スペーサ層(第3の半導体層)
15 電子供給層(第2の半導体層)
31 ゲート電極
32 ソース電極
33 ドレイン電極
Claims (10)
- 基板の上に形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上の一部に形成された複数個のコンタクト層と、
前記第1の半導体層の上及び前記コンタクト層の側面に形成された第2の半導体層と、
複数個の前記コンタクト層の上の各々に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極と、
を有し、
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されており、
前記第2の半導体層は、Inx1Aly1Ga1−x1−y1N、(0<x1≦0.2、0<y1<1)により形成されており、
前記コンタクト層は、GaNを含む材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層の間には、第3の半導体層が形成されており、
前記第3の半導体層は、Inx2Aly2Ga1−x2−y2N、(0≦x2≦0.05、0<y2≦1)であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記コンタクト層と前記第2の半導体層との間にも、前記第3の半導体層が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1の半導体層と前記コンタクト層の間にも、前記第3の半導体層が形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第3の半導体層は、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に形成された第1の領域と、前記第1の半導体層と前記コンタクト層との間に形成された第2の領域と、を有し、
前記第1の領域は、Inx3Aly3Ga1−x3−y3N、(0≦x3≦0.05、0<y3≦1)であり、
前記第2の領域は、Inx4Aly4Ga1−x4−y4N、(0≦x4≦0.05、0<y4≦1)であって、
y3>y4であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記第1の領域は、前記第2の領域よりも膜厚が薄いことを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記コンタクト層の側面は、前記基板に向かって広がるテーパー形状であることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。
- 請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
- 請求項1から7のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
- 基板の上に、GaNを含む第1の半導体層、GaN膜を順に形成する工程と、
GaN膜の一部を前記第1の半導体層が露出するまで除去し、残存する前記GaN膜によりコンタクト層を形成する工程と、
露出している前記第1の半導体層及び前記コンタクト層の上に、Inx1Aly1Ga1−x1−y1N、(0<x1≦0.2、0<y1<1)により形成される第2の半導体層を形成する工程と、
前記コンタクト層の上の前記第2の半導体層を除去し、前記コンタクト層を露出させ、前記コンタクト層の上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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