JP2017078764A

JP2017078764A - Method for manufacturing photomask, photomask, and method for manufacturing display device

Info

Publication number: JP2017078764A
Application number: JP2015206073A
Authority: JP
Inventors: 錫薫李; Seok Hun Lee; 台勲金; Tae-Hoon Kim
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2015-10-20
Filing date: 2015-10-20
Publication date: 2017-04-27
Anticipated expiration: 2035-10-20
Also published as: JP6586344B2; CN106597807A; TW201715291A; KR20170046050A; CN106597807B; TWI598681B; KR101771341B1

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a photomask having a transfer pattern with higher CD accuracy.SOLUTION: A method for manufacturing a photomask includes: a step of preparing a photomask blank having a light-shielding film formed on a transparent substrate; a step of patterning the light-shielding film to form a light-shielding part; a step of forming a translucent film on the patterned light-shielding film; and a step of patterning the translucent film to form a first translucent part made of a translucent film on the transparent substrate, a second translucent part made of a translucent film having a smaller film thickness than that of the translucent film in the first translucent part on the transparent substrate, and a light-transmitting part where the transparent substrate is exposed. The translucent film is formed of a material to be etched by the same etchant used for the light-shielding film. In the step of patterning the translucent film, substantially only the translucent film is etched.SELECTED DRAWING: Figure 3

Description

本発明は、液晶表示装置や有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置に代表される表示装置の製造に有用なフォトマスク及びその製造方法、並びに、フォトマスクを用いた表示装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a photomask useful for manufacturing a display device represented by a liquid crystal display device or an organic EL (electroluminescence) display device, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a display device using the photomask.

従来、透明基板上に形成された遮光膜及び半透光膜がそれぞれパターニングされてなる転写用パターンを備えた、多階調のフォトマスクが知られている。例えば、特許文献１には、４階調のフォトマスクとその製造方法が記載されている。また、特許文献２には、レジストパターンの減膜を利用することで、描画及び現像の回数を削減する、多階調フォトマスクの製造方法が記載されている。以下に、各特許文献に記載のフォトマスクの製造方法について順に説明する。 Conventionally, a multi-tone photomask having a transfer pattern obtained by patterning a light-shielding film and a semi-transparent film formed on a transparent substrate is known. For example, Patent Document 1 describes a four-tone photomask and a manufacturing method thereof. Further, Patent Document 2 describes a method for manufacturing a multi-tone photomask in which the number of times of drawing and developing is reduced by using a film reduction of a resist pattern. Below, the manufacturing method of the photomask described in each patent document is demonstrated in order.

図７は特許文献１に記載された４階調フォトマスクの製造方法を示す工程図である。
この製造方法では、最終的に図７（Ｉ）に示すように、透光部１４０、遮光部１３０、第１半透光部１５０Ａ及び第２半透光部１５０Ｂを含む転写用パターンを備える４階調フォトマスク１００が得られる。以下、各工程について説明する。 FIG. 7 is a process diagram showing a method for manufacturing a four-tone photomask described in Patent Document 1.
In this manufacturing method, finally, as shown in FIG. 7I, a transfer pattern including a translucent part 140, a light shielding part 130, a first semi-translucent part 150A, and a second semi-translucent part 150B is provided. A gradation photomask 100 is obtained. Hereinafter, each step will be described.

まず、図７（Ａ）に示すように、透光性基板１６０上に、互いのエッチングに対して耐性を有する材料からなる第１半透光膜１７０Ａと遮光膜１８０とが順次成膜されたフォトマスクブランク２００を準備する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、フォトマスクブランク２００の遮光膜１８０上に、透光部１４０及び第２半透光部１５０Ｂを開口領域とした第１レジストパターン２１０を形成する。 First, as shown in FIG. 7A, a first semi-transparent film 170A and a light-shielding film 180 made of materials having resistance to mutual etching were sequentially formed on a translucent substrate 160. A photomask blank 200 is prepared.
Next, as shown in FIG. 7B, a first resist pattern 210 is formed on the light-shielding film 180 of the photomask blank 200 with the light transmitting portion 140 and the second semi-light transmitting portion 150B as opening regions.

次に、図７（Ｃ）に示すように、第１レジストパターン２１０をマスクとして遮光膜１８０をエッチングする。
次に、図７（Ｄ）に示すように、第１レジストパターン２１０を除去（剥離）する。 Next, as shown in FIG. 7C, the light shielding film 180 is etched using the first resist pattern 210 as a mask.
Next, as shown in FIG. 7D, the first resist pattern 210 is removed (peeled).

次に、図７（Ｅ）に示すように、遮光膜１８０をマスクとして第１半透光膜１７０Ａをエッチングする。
次に、図７（Ｆ）に示すように、透光性基板１６０及び遮光膜１８０上に第２半透光膜１７０Ｂを成膜する。 Next, as shown in FIG. 7E, the first semi-transmissive film 170A is etched using the light shielding film 180 as a mask.
Next, as illustrated in FIG. 7F, a second semi-transmissive film 170 </ b> B is formed over the light-transmitting substrate 160 and the light-shielding film 180.

次に、図７（Ｇ）に示すように、第２半透光膜１７０Ｂ上に、透光部１４０及び第１半透光部１５０Ａを開口領域とした第２レジストパターン２５０を形成する。
次に、図７（Ｈ）に示すように、第２レジストパターン２５０をマスクとして第２半透光膜１７０Ｂ及び遮光膜１８０をエッチングした後、図７（Ｉ）に示すように、第２レジストパターン２５０を除去する。
以上の製造工程により、上述した４階調フォトマスク１００が得られる。 Next, as shown in FIG. 7G, a second resist pattern 250 is formed on the second semi-transparent film 170B with the translucent part 140 and the first semi-transparent part 150A as open regions.
Next, as shown in FIG. 7H, the second semi-transparent film 170B and the light shielding film 180 are etched using the second resist pattern 250 as a mask, and then, as shown in FIG. The pattern 250 is removed.
Through the above manufacturing process, the above-described four-tone photomask 100 is obtained.

図８は特許文献２に記載された多階調フォトマスクの製造方法を示す工程図である。
この製造方法では、最終的に図８（Ｆ）に示すように、透光部３２０、遮光部３１０及び半透光部３１５を含む転写用パターンを備える多階調フォトマスク３００が得られる。以下、各工程について説明する。 FIG. 8 is a process diagram showing a method for manufacturing a multi-tone photomask described in Patent Document 2.
In this manufacturing method, finally, as shown in FIG. 8F, a multi-tone photomask 300 having a transfer pattern including a light transmitting portion 320, a light shielding portion 310, and a semi-light transmitting portion 315 is obtained. Hereinafter, each step will be described.

まず、図８（Ａ）に示すように、透明基板３０１上に半透光膜３０２及び遮光膜３０３がこの順に形成され、最上層にレジスト膜３０４が形成されたフォトマスクブランク４００を準備する。半透光膜３０２は、モリブデン（Ｍｏ）やタンタル（Ｔａ）等の金属材料とシリコン（Ｓｉ）とを含む材料からなり、フッ素（Ｆ）系のエッチング液でエッチング可能である。遮光膜３０３は、クロム用エッチング液を用いてエッチング可能な材料で構成されている。 First, as shown in FIG. 8A, a photomask blank 400 is prepared in which a semi-transparent film 302 and a light-shielding film 303 are formed in this order on a transparent substrate 301, and a resist film 304 is formed as the uppermost layer. The translucent film 302 is made of a material containing a metal material such as molybdenum (Mo) or tantalum (Ta) and silicon (Si), and can be etched with a fluorine (F) -based etchant. The light shielding film 303 is made of a material that can be etched using a chromium etching solution.

次に、図８（Ｂ）に示すように、フォトマスクブランク４００に対してレーザー描画及び現像を施すことにより、遮光部３１０の形成領域及び半透光部３１５の形成領域を覆う第１レジストパターン３０４ｐを形成する。第１レジストパターン３０４ｐは、半透光部３１５の形成領域におけるレジスト膜３０４の厚さが、遮光部３１０の形成領域におけるレジスト膜３０４の厚さよりも薄くなるよう形成されている。 Next, as shown in FIG. 8B, the first resist pattern that covers the formation region of the light-shielding portion 310 and the formation region of the semi-transparent portion 315 by performing laser drawing and development on the photomask blank 400. 304p is formed. The first resist pattern 304p is formed such that the thickness of the resist film 304 in the formation region of the semi-transparent portion 315 is thinner than the thickness of the resist film 304 in the formation region of the light shielding portion 310.

次に、図８（Ｃ）に示すように、第１レジストパターン３０４ｐをマスクとして遮光膜３０３をエッチングすることにより遮光膜パターン３０３ｐを形成する。その後更に、第１レジストパターン３０４ｐをマスクとして半透光膜３０２をエッチングすることにより半透光膜パターン３０２ｐを形成し、これによって透明基板３０１を部分的に露出させる。遮光膜３０３のエッチングは、先述のクロム用エッチング液を用いて行う。また、半透光膜３０２のエッチングは、フッ素（Ｆ）系のエッチング液（又はエッチングガス）を用いて行う。 Next, as shown in FIG. 8C, the light shielding film 303p is formed by etching the light shielding film 303 using the first resist pattern 304p as a mask. Thereafter, the semi-transparent film 302 is formed by etching the semi-transparent film 302 using the first resist pattern 304p as a mask, whereby the transparent substrate 301 is partially exposed. Etching of the light shielding film 303 is performed using the above-described chromium etching solution. The semi-transparent film 302 is etched using a fluorine (F) -based etchant (or etching gas).

次に、図８（Ｄ）に示すように、第１レジストパターン３０４ｐを減膜することにより、半透光部３１５の形成領域において遮光膜３０３を露出させる。このとき、レジスト膜３０４の厚い遮光部３１０の形成領域にはレジスト膜３０４が残る。これにより、遮光部３１０の形成領域を覆う第２レジストパターン３０４ｐが形成される。 Next, as shown in FIG. 8D, the light shielding film 303 is exposed in the formation region of the semi-translucent portion 315 by reducing the thickness of the first resist pattern 304p. At this time, the resist film 304 remains in the formation region of the thick light-shielding portion 310 of the resist film 304. As a result, a second resist pattern 304p that covers the formation region of the light shielding portion 310 is formed.

次に、図８（Ｅ）に示すように、第２レジストパターン３０４ｐをマスクとして遮光膜３０３を更にエッチングして半透光膜３０２を露出させる。遮光膜３０３のエッチングは、上記同様にクロム用エッチング液を用いて行う。 Next, as shown in FIG. 8E, the light-shielding film 303 is further etched using the second resist pattern 304p as a mask to expose the semi-transparent film 302. Next, as shown in FIG. Etching of the light shielding film 303 is performed using an etching solution for chromium as described above.

次に、図８（Ｆ）に示すように、第２レジストパターン３０４ｐを除去する。
以上の製造工程により、上述した多階調フォトマスク３００が得られる。 Next, as shown in FIG. 8F, the second resist pattern 304p is removed.
Through the above manufacturing process, the multi-tone photomask 300 described above is obtained.

特開２００７−２４９１９８号公報JP 2007-249198 A 特開２０１２−８５４５号公報JP 2012-8545 A

表示装置の製造工程においては、最終的に得ようとするデバイスの設計に基づいた転写用パターンを備えるフォトマスクが多く利用される。デバイスとして、スマートフォンやタブレット端末などに搭載されている液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置には、画面が明るく、省電力性能に優れ、動作速度が速いというだけでなく、高解像度、広視野角などの高い画質が要求される。このため、上述の用途に使用されるフォトマスクの転写用パターンに対して、益々の微細化、高密度化の要求が生じる動向にある。 In the manufacturing process of a display device, a photomask having a transfer pattern based on the design of a device to be finally obtained is often used. As a device, liquid crystal display devices and organic EL display devices mounted on smartphones and tablet terminals not only have a bright screen, excellent power saving performance, and high operating speed, but also high resolution, wide viewing angle, etc. High image quality is required. For this reason, there is a trend that demands for further miniaturization and higher density have arisen with respect to photomask transfer patterns used in the above-mentioned applications.

ところで、表示装置等の電子デバイスは、パターンが形成された複数の薄膜（レイヤ：Ｌａｙｅｒ）の積層によって立体的に形成される。したがって、これら複数のレイヤのそれぞれにおける座標精度の向上、及び互いの座標の整合が肝要になる。すなわち、個々のレイヤのパターン座標精度が、すべて所定レベルを充足していなければ、完成したデバイスにおいて誤動作などの不都合を招くおそれがある。そして、各レイヤにおけるパターンの構造は益々微細化、高密度化する傾向にある。したがって、各レイヤに求められる座標ずれの許容範囲は益々厳しくなる方向にある。 Incidentally, an electronic device such as a display device is three-dimensionally formed by stacking a plurality of thin films (layers) on which patterns are formed. Therefore, improvement of coordinate accuracy in each of the plurality of layers and matching of the coordinates of each other are important. In other words, if the pattern coordinate accuracy of each layer does not satisfy a predetermined level, there is a risk of inconvenience such as malfunction in the completed device. And the structure of the pattern in each layer tends to become finer and higher density. Therefore, the allowable range of coordinate deviation required for each layer is becoming increasingly severe.

例えば、液晶表示装置に適用されるカラーフィルタにおいては、より明るい表示画面を実現するために、ブラックマトリックス（ＢＭ）や、メインフォトスペーサ及びサブフォトスペーサのようなフォトスペーサ（ＰＳ）の配置面積をより狭くする方向にある。また、ブラックマトリックス上にフォトスペーサを重ねて配置すれば、それらを別々に配置する場合に比べて、明るさや消費電力の点で、より有利なカラーフィルタを製造することができる。そこで、フォトマスクが備える転写用パターンにおいては、ＣＤ（Critical Dimension：以下、「パターン幅」の意味で用いる）精度、及び、位置精度の向上が必要になる。 For example, in a color filter applied to a liquid crystal display device, in order to realize a brighter display screen, an arrangement area of a photo matrix (PS) such as a black matrix (BM), a main photo spacer, and a sub photo spacer is set. The direction is narrower. In addition, if the photo spacers are arranged on the black matrix, a color filter that is more advantageous in terms of brightness and power consumption can be manufactured as compared with the case where they are arranged separately. Therefore, in the transfer pattern provided in the photomask, it is necessary to improve CD (Critical Dimension: hereinafter referred to as “pattern width”) accuracy and positional accuracy.

上述したブラックマトリックスとフォトスペーサを被転写体（表示パネル基板など）に形成する方法として、それぞれに適合する転写用パターンを備えた２枚のフォトマスクを順次露光装置に取り付けて露光することにより、各々のフォトマスクの転写用パターンを被転写体に転写する方法がある。ただし、このように２枚のフォトマスクの転写用パターンを被転写体に重ね合わせて転写する方法では、アライメントずれが生じやすい。そこで、このアライメントずれを解消するために、それぞれの転写用パターンを１枚のフォトマスク上に形成し、１回の露光工程で被転写体上に転写する方法が考えられる。この方法を採用した場合は、重ね合わせ位置精度（いわゆるOverlay精度）が高くなるだけでなく、コスト的にも有利になる。 As a method of forming the black matrix and the photo spacer as described above on a transfer target (display panel substrate or the like), two photomasks each having a transfer pattern suitable for each are attached to an exposure apparatus in order, and exposed. There is a method of transferring a transfer pattern of each photomask to a transfer target. However, in the method of transferring the transfer patterns of the two photomasks on the transfer target in this way, misalignment is likely to occur. Therefore, in order to eliminate this misalignment, a method of forming each transfer pattern on a single photomask and transferring the pattern onto a transfer object in one exposure step is conceivable. When this method is adopted, not only the overlay position accuracy (so-called Overlay accuracy) is increased, but also the cost is advantageous.

ただし、その場合は、ブラックマトリックス形成用のパターンと、フォトマスク形成用のパターンとを併せ持つ転写用パターンを１枚のフォトマスクに形成する必要がある。このため、露光に使用するフォトマスクの転写用パターンは、より複雑なものとなる。また、上述した１回の露光工程では、フォトマスク形成用のパターンとして、メイン及びサブのフォトスペーサに対応してそれぞれ異なった光透過率を有するパターンを含む、多階調の転写用パターンを備えるフォトマスクを使用することが望まれる。具体的には、転写用パターンとして、透光部と遮光部のほかに、第１半透光部と第２半透光部を備えた、４階調のフォトマスクを使用することが考えられる。 However, in that case, it is necessary to form a transfer pattern having both a black matrix forming pattern and a photomask forming pattern on one photomask. For this reason, the photomask transfer pattern used for exposure becomes more complicated. Further, in the one-time exposure process described above, a multi-tone transfer pattern including patterns having different light transmittances corresponding to the main and sub photo spacers is provided as the photo mask formation pattern. It is desirable to use a photomask. Specifically, it is conceivable to use a four-tone photomask having a first semi-transmissive part and a second semi-transmissive part in addition to the light-transmitting part and the light-shielding part as the transfer pattern. .

上述した特許文献１には、このような４階調のフォトマスクの製造方法が記載されている。ただし、この製造方法にも、解決すべき課題があることに本発明者らは着目した。以下、説明する。 Patent Document 1 described above describes a method for manufacturing such a four-tone photomask. However, the present inventors have noted that this manufacturing method also has problems to be solved. This will be described below.

まず、上記図７（Ｇ）〜（Ｈ）に示す工程では、第２レジストパターン２５０をマスクとして第２半透光膜１７０Ｂ及び遮光膜１８０という２つの膜をエッチングしている。具体的には、透光部１４０に対応する領域（以下、「第１領域」という。）では、透光性基板１６０上に形成された第２半透光膜１７０Ｂをエッチングにより除去して透光性基板１６０を露出させている。また、第１半透光部１５０Ａに対応する領域（以下、「第２領域」という。）では、透光性基板１６０上において、第１半透光膜１７０Ａ上の第２半透光膜１７０Ｂと遮光膜１８０とを順次エッチングにより除去して、第１半透光膜１７０Ａを露出させている。この場合、第１領域及び第２領域では、エッチングが同時に併行して進行することになる。 First, in the steps shown in FIGS. 7G to 7H, the second semi-transparent film 170B and the light shielding film 180 are etched using the second resist pattern 250 as a mask. Specifically, in a region corresponding to the translucent part 140 (hereinafter referred to as “first region”), the second semi-transparent film 170B formed on the translucent substrate 160 is removed by etching to transmit the light. The optical substrate 160 is exposed. In a region corresponding to the first semi-transparent portion 150A (hereinafter referred to as “second region”), the second semi-transparent film 170B on the first semi-transparent film 170A on the translucent substrate 160. And the light shielding film 180 are sequentially removed by etching to expose the first semi-transparent film 170A. In this case, in the first region and the second region, etching proceeds concurrently.

ただし、第１領域と第２領域では、実際にエッチングが終了するまでの所要時間は異なる。その理由は、第１領域では、第２半透光膜１７０Ｂの膜厚に応じたエッチング時間が経過すれば、必要なエッチングは完了して透光性基板１６０が露出するのに対し、第２領域では、この後更に遮光膜１８０をエッチングするための時間が必要になるからである。結局、第２領域のエッチングが完了した時点では、第１領域でサイドエッチングが進んだ状態になるため、パターン幅（ＣＤ）が変わってしまう。特に、等方性エッチングの性質をもつウェットエッチングにおいては、この挙動が顕著である。更に、一般には、遮光膜のエッチング所要時間の方が半透光膜のそれよりも長くなる。 However, the time required until the actual etching is different between the first region and the second region. The reason is that in the first region, when the etching time corresponding to the film thickness of the second semi-transparent film 170B elapses, the necessary etching is completed and the translucent substrate 160 is exposed, whereas the second region is exposed. This is because, in the region, time for further etching of the light shielding film 180 is required thereafter. Eventually, when the etching of the second region is completed, the side etching proceeds in the first region, so that the pattern width (CD) changes. In particular, this behavior is remarkable in wet etching having the property of isotropic etching. Further, generally, the time required for etching the light shielding film is longer than that of the semi-transparent film.

したがって、例えば、第２領域で第１半透光部１５０Ａを形成するためのエッチングを行っている途中で、第１領域を透光部１４０とするためのジャストエッチング時間が完了し、それ以降は、第２領域のエッチングが終了するまで、透光部１４０の端部（ここでは右端）を画定する第２半透光膜１７０Ｂのサイドエッチングが進行する。その結果、透光部１４０の寸法が設計値と異なってしまう。また、エッチング時間が長くなるに伴い、フォトマスク面内全体で生じるＣＤばらつきが大きくなるため、最終的に得られるパターンのＣＤ精度が、要求されるレベルを満たさないおそれがある。 Therefore, for example, during the etching for forming the first semi-translucent portion 150A in the second region, the just etching time for making the first region the translucent portion 140 is completed, and thereafter Until the etching of the second region is completed, the side etching of the second semi-transparent film 170B that defines the end portion (here, the right end) of the translucent portion 140 proceeds. As a result, the dimension of the translucent part 140 differs from the design value. Further, as the etching time becomes longer, CD variation occurring in the entire photomask surface becomes larger, so that the CD accuracy of the finally obtained pattern may not satisfy the required level.

一方、特許文献２に記載の方法では、１回の描画及び現像によって多階調フォトマスクを形成できる点で有利である。ただし、３階調の転写用パターンを形成するために、互いにエッチング選択性のある半透光膜３０２と遮光膜３０３を用いる必要がある。このため、膜材料の選択に制限が生じる上、異質の材料を成膜したりエッチングしたりするための装置の負荷も大きくなる。また、図８（Ｅ）に示す工程で遮光膜３０３をエッチングにより除去する場合は、その前の工程でエッチングを完了した遮光膜３０３の側面や半透光膜３０２の側面が透光部３２０の周縁に露出した状態になるため、各々の側面でサイドエッチングが進行する。このため、転写用パターンのＣＤ精度を維持することが困難となる。 On the other hand, the method described in Patent Document 2 is advantageous in that a multi-tone photomask can be formed by one drawing and development. However, in order to form a three-tone transfer pattern, it is necessary to use a semi-transparent film 302 and a light-shielding film 303 that are selective to each other. For this reason, the selection of the film material is restricted, and the load on the apparatus for depositing or etching a foreign material is also increased. 8E, when the light shielding film 303 is removed by etching, the side surface of the light shielding film 303 or the side surface of the semi-transparent film 302 that has been etched in the previous process is formed on the light transmitting portion 320. Since it will be in the state exposed to the periphery, side etching will advance on each side. This makes it difficult to maintain the CD accuracy of the transfer pattern.

以上のことから、高精度品を製造するための微細な転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法としては、いまだ改良の余地があり、この知見に基づいて本発明者らは鋭意検討し、本発明に至った。 From the above, there is still room for improvement as a method of manufacturing a photomask having a fine transfer pattern for manufacturing a high-precision product. Invented.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、その主たる目的は、よりＣＤ精度の高い転写用パターンを備えるフォトマスクを実現することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object thereof is to realize a photomask having a transfer pattern with higher CD accuracy.

（第１の態様）
本発明の第１の態様は、透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、透光部、遮光部、第１半透光部及び第２半透光部を含み、前記第１半透光部と前記第２半透光部の光透過率が互いに異なる転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する準備工程と、
前記遮光膜をパターニングして遮光部を形成する遮光膜パターニング工程と、
前記パターニングされた遮光膜上に半透光膜を形成する半透光膜形成工程と、
前記半透光膜をパターニングすることにより、前記透明基板上に半透光膜によって形成された第１半透光部と、前記透明基板上に前記第１半透光部における半透光膜よりも膜厚の小さい半透光膜によって形成された第２半透光部と、前記透明基板が露出する透光部とを形成する半透光膜パターニング工程と、を有し、
前記半透光膜形成工程では、前記遮光膜と同じエッチング剤によってエッチングされる材料で前記半透光膜を形成し、
前記半透光膜パターニング工程では、実質的に前記半透光膜のみをエッチングする
ことを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
（第２の態様）
本発明の第２の態様は、透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、透光部、遮光部、第１半透光部及び第２半透光部を含み、前記第１半透光部と前記第２半透光部の光透過率が互いに異なる転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する準備工程と、
前記遮光膜をパターニングする遮光膜パターニング工程と、
前記パターニングされた遮光膜上に半透光膜を形成する半透光膜形成工程と、
前記半透光膜上にレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜を描画及び現像することにより、レジストが除去された開口部、レジストが残存する第１残膜部、及び前記第１残膜部よりもレジストが薄く残存する第２残膜部を有する第１レジストパターンであって、前記開口部が前記透光部の領域に対応し、前記第１残膜部が前記遮光部及び第１半透光部の領域に対応し、前記第２残膜部が前記第２半透光部に対応する第１レジストパターンを形成する第１レジストパターン形成工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして、前記開口部に露出する前記半透光膜をエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１レジストパターンの膜厚を減少させることにより、前記第２残膜部に対応する領域で前記半透光膜が新たに露出する第２レジストパターンを形成する第２レジストパターン形成工程と、
前記新たに露出した部分の前記半透光膜をエッチングして、前記半透光膜の膜厚を減少させる第２エッチング工程と、
を有することを特徴とする、フォトマスクの製造方法である。
（第３の態様）
本発明の第３の態様は、前記遮光膜と前記半透光膜は、同一の金属を含有することを特徴とする、上記第１又は第２の態様に記載のフォトマスクの製造方法である。
（第４の態様）
本発明の第４の態様は、前記第１エッチング工程のエッチングレートをＲ１、前記第２エッチング工程のエッチングレートをＲ２とするとき、Ｒ１＞Ｒ２の条件を満たすことを特徴とする、上記第２又は第３の態様に記載のフォトマスクの製造方法である。
（第５の態様）
本発明の第５の態様は、前記第１レジストパターン形成工程では、前記第２半透光部となる領域の寸法に対し、アライメントマージンを基にしたサイジングを施した描画データを用いて、前記レジスト膜を描画することを特徴とする、上記第２〜第４の態様のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
（第６の態様）
本発明の第６の態様は、前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部と前記遮光部とが隣接することを特徴とする、上記第１〜第５の態様のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
（第７の態様）
本発明の第７の態様は、前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれることを特徴とする、上記第１〜第６の態様のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法である。
（第８の態様）
本発明の第８の態様は、透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、少なくとも４階調の転写用パターンを備えるフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、
前記透明基板が露出してなる透光部と、
前記透明基板上に前記半透光膜によって形成された第１半透光部と、
前記透明基板上に、前記半透光膜と同じ成分の半透光膜であって、かつ、前記第１半透光部より膜厚が小さい半透光膜によって形成された第２半透光部と、
前記透明基板上に遮光膜と半透光膜がこの順に積層されてなる遮光部とを有し、
前記遮光膜と前記半透光膜は、同じエッチング剤によってエッチングされる材料からなる、
ことを特徴とする、フォトマスクである。
（第９の態様）
本発明の第９の態様は、前記遮光部は、前記第２半透光部と隣接する部分を有するとともに、前記第２半透光部と隣接するエッジ部分に、前記第１半透光部より膜厚が薄い半透光膜が積層されていることを特徴とする、上記第８の態様に記載のフォトマスクである。
（第１０の態様）
本発明の第１０の態様は、前記転写用パターンは、前記第１半透光部と前記第２半透光部とが隣接部を有していないことを特徴とする、上記第８又は第９の態様に記載のフォトマスクである。
（第１１の態様）
本発明の第１１の態様は、前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれていることを特徴とする、上記第８〜第１０の態様のいずれかに記載のフォトマスクである。
（第１２の態様）
本発明の第１２の態様は、前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれるとともに、前記第２半透光部に対して、対向する位置にある前記遮光部の幅をそれぞれＷ１（μｍ）、Ｗ２（μｍ）とするときに、前記Ｗ１と前記Ｗ２の差異が０．１（μｍ）以下であることを特徴とする、上記第８〜第１１の態様のいずれかに記載のフォトマスクである。
（第１３の態様）
本発明の第１３の態様は、前記遮光部は、前記透光部と隣接する部分を有するとともに、前記透光部と隣接するエッジ部分で前記遮光膜の膜厚が一部減少していることを特徴とする、上記第８〜第１２の態様のいずれかに記載のフォトマスクである。
（第１４の態様）
本発明の第１４の態様は、表示装置の製造方法において、露光装置を用いて、上記第１〜第７の態様のいずれかに記載の製造方法によるフォトマスク、又は、上記第８〜第１３の態様のいずれかに記載のフォトマスクに露光光を照射し、前記フォトマスクが備える転写用パターンを被転写体上に転写する工程を含む、
ことを特徴とする、表示装置の製造方法である。
（第１５の態様）
本発明の第１５の態様は、前記露光装置を用いて前記フォトマスクに露光光を照射する場合に、ｉ線、ｈ線、およびｇ線を含む波長域の露光光を適用することを特徴とする、上記第１４の態様に記載の表示装置の製造方法である。 (First aspect)
According to a first aspect of the present invention, a translucent part, a light-shielding part, a first semi-transparent part, and a second semi-transparent part obtained by patterning a semi-transparent film and a light-shielding film on a transparent substrate, respectively. In the manufacturing method of the photomask provided with the pattern for transfer from which the light transmittance of the 1st semi-transmission part and the 2nd semi-transmission part differs mutually,
Preparing a photomask blank having a light shielding film formed on the transparent substrate;
A light shielding film patterning step of patterning the light shielding film to form a light shielding portion;
A semi-transparent film forming step of forming a semi-transparent film on the patterned light-shielding film;
By patterning the semi-transparent film, a first semi-transparent part formed by the semi-transparent film on the transparent substrate, and a semi-transparent film in the first semi-transparent part on the transparent substrate A semi-transparent film patterning step for forming a second semi-transparent part formed by a semi-transparent film having a small thickness and a translucent part from which the transparent substrate is exposed,
In the semi-transparent film forming step, the semi-transparent film is formed of a material that is etched by the same etchant as the light-shielding film,
In the semi-transparent film patterning step, substantially only the semi-transparent film is etched.
(Second aspect)
According to a second aspect of the present invention, a translucent part, a light-shielding part, a first semi-translucent part, and a second semi-transparent part obtained by patterning a semi-transparent film and a light-shielding film on a transparent substrate, respectively. In the manufacturing method of the photomask provided with the pattern for transfer from which the light transmittance of the 1st semi-transmission part and the 2nd semi-transmission part differs mutually,
Preparing a photomask blank having a light shielding film formed on the transparent substrate;
A light shielding film patterning step of patterning the light shielding film;
A semi-transparent film forming step of forming a semi-transparent film on the patterned light-shielding film;
After forming the resist film on the semi-translucent film, the resist film is drawn and developed, thereby opening the resist removed, the first remaining film portion where the resist remains, and the first remaining film portion A first resist pattern having a second remaining film portion where the resist remains thinner than the opening, the opening corresponds to a region of the light transmitting portion, and the first remaining film portion corresponds to the light shielding portion and the first half portion. A first resist pattern forming step for forming a first resist pattern corresponding to a region of the light transmitting portion and the second remaining film portion corresponding to the second semi-light transmitting portion;
Using the first resist pattern as a mask, a first etching step of etching the semi-transparent film exposed in the opening;
A second resist pattern forming step of forming a second resist pattern in which the semi-transparent film is newly exposed in a region corresponding to the second remaining film portion by reducing the film thickness of the first resist pattern;
Etching the semi-transparent film in the newly exposed portion to reduce the thickness of the semi-transparent film; and
It is a manufacturing method of the photomask characterized by having.
(Third aspect)
According to a third aspect of the present invention, in the photomask manufacturing method according to the first or second aspect, the light shielding film and the semi-transparent film contain the same metal. .
(Fourth aspect)
The fourth aspect of the present invention is characterized in that when the etching rate of the first etching step is R1 and the etching rate of the second etching step is R2, the condition of R1> R2 is satisfied. Or it is the manufacturing method of the photomask as described in a 3rd aspect.
(5th aspect)
According to a fifth aspect of the present invention, in the first resist pattern forming step, the drawing data obtained by performing sizing based on an alignment margin for the dimension of the region to be the second semi-transparent portion is used. The method for producing a photomask according to any one of the second to fourth aspects, wherein a resist film is drawn.
(Sixth aspect)
According to a sixth aspect of the present invention, in the transfer pattern, the second semi-transparent portion and the light shielding portion are adjacent to each other. It is a manufacturing method of a photomask.
(Seventh aspect)
According to a seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects, in the transfer pattern, the second semi-translucent portion is surrounded adjacent to the light shielding portion. The manufacturing method of the photomask as described in above.
(Eighth aspect)
An eighth aspect of the present invention is a photomask having a transfer pattern of at least four gradations obtained by patterning a translucent film and a light-shielding film on a transparent substrate,
The transfer pattern is:
A transparent portion formed by exposing the transparent substrate;
A first semi-transparent portion formed by the semi-transparent film on the transparent substrate;
A second semi-transparent film formed on the transparent substrate by a semi-transparent film having the same component as the semi-transparent film and having a thickness smaller than that of the first semi-transparent portion. And
A light-shielding part in which a light-shielding film and a semi-transparent film are laminated in this order on the transparent substrate;
The light shielding film and the semi-transparent film are made of a material that is etched by the same etching agent.
This is a photomask characterized by the above.
(Ninth aspect)
In a ninth aspect of the present invention, the light-shielding portion has a portion adjacent to the second semi-transparent portion, and the first semi-transparent portion is adjacent to the edge portion adjacent to the second semi-transparent portion. The photomask according to the eighth aspect, wherein a semi-transparent film having a smaller thickness is laminated.
(Tenth aspect)
According to a tenth aspect of the present invention, in the transfer pattern, the first semi-transparent portion and the second semi-transparent portion do not have an adjacent portion. The photomask according to the ninth aspect.
(Eleventh aspect)
According to an eleventh aspect of the present invention, in the transfer pattern, the second semi-transparent portion is surrounded adjacent to the light shielding portion. Any one of the photomasks.
(Twelfth aspect)
According to a twelfth aspect of the present invention, in the transfer pattern, the second semi-transparent portion is surrounded by the light-shielding portion and is opposed to the second semi-transparent portion. The difference between the W1 and the W2 is 0.1 (μm) or less when the width of the light-shielding part is W1 (μm) and W2 (μm), respectively. The photomask according to any one of 11 aspects.
(13th aspect)
In a thirteenth aspect of the present invention, the light shielding portion has a portion adjacent to the light transmitting portion, and the film thickness of the light shielding film is partially reduced at an edge portion adjacent to the light transmitting portion. The photomask according to any one of the eighth to twelfth aspects.
(14th aspect)
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the method for manufacturing a display device, a photomask according to the manufacturing method according to any one of the first to seventh aspects or the eighth to thirteenth aspects using an exposure apparatus. Irradiating the photomask according to any one of the aspects with exposure light, and transferring a transfer pattern provided in the photomask onto a transfer target.
This is a method for manufacturing a display device.
(15th aspect)
A fifteenth aspect of the present invention is characterized by applying exposure light in a wavelength region including i-line, h-line, and g-line when irradiating the photomask with exposure light using the exposure apparatus. A method for manufacturing a display device according to the fourteenth aspect.

本発明によれば、よりＣＤ精度の高い転写用パターンを備えるフォトマスクを実現することができる。また、このフォトマスクを利用することで、高品質の表示装置を製造することができる。 According to the present invention, a photomask having a transfer pattern with higher CD accuracy can be realized. Further, by using this photomask, a high-quality display device can be manufactured.

本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの構成を示すもので、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）は平面図である。The structure of the photomask which concerns on 1st Embodiment of this invention is shown, (A) is a sectional side view, (B) is a top view. （Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す工程図（その１）である。(A)-(F) are process drawings (the 1) which show the manufacturing method of the photomask which concerns on 1st Embodiment of this invention. （Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す工程図（その２）である。(A)-(E) are process drawings (the 2) which show the manufacturing method of the photomask which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの構成を示すもので、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）は平面図である。The structure of the photomask which concerns on 2nd Embodiment of this invention is shown, (A) is a sectional side view, (B) is a top view. （Ａ）〜（Ｆ）は本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す工程図（その１）である。(A)-(F) is process drawing (the 1) which shows the manufacturing method of the photomask which concerns on 2nd Embodiment of this invention. （Ａ）〜（Ｅ）は本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法を示す工程図（その２）である。(A)-(E) are process drawings (the 2) which show the manufacturing method of the photomask which concerns on 2nd Embodiment of this invention. （Ａ）〜（Ｉ）は特許文献１に記載された４階調フォトマスクの製造方法を示す工程図である。(A)-(I) is process drawing which shows the manufacturing method of the 4-tone photomask described in patent document 1. FIG. （Ａ）〜（Ｆ）特許文献２に記載された多階調フォトマスクの製造方法を示す工程図である。(A)-(F) It is process drawing which shows the manufacturing method of the multi-tone photomask described in patent document 2. FIG.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

＜１．第１実施形態に係るフォトマスクの構成＞
図１は本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの構成を示すもので、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）は平面図である。なお、図１の（Ｂ）では便宜上、（Ａ）の側断面図との対応関係が理解しやすいように、（Ａ）と同様のハッチング処理を施している。
図示したフォトマスク１０は、透光部１１と、遮光部１２と、第１半透光部１３と、第２半透光部１４とを含む４階調の転写用パターンを備えるものである。透光部１１は、透明基板１５を部分的に露出させた状態で形成されている。遮光部１２は、透明基板１５上に遮光膜１６と後述の半透光膜１７が形成されてなる。また、第１半透光部１３は透明基板１５上に第１半透光膜１７ａが形成されてなり、第２半透光部１４は透明基板上１５上に第２半透光膜１７ｂが形成されてなる。第１半透光膜１７ａと第２半透光膜１７ｂとは、互いに同じ成分の半透光膜となっている。本明細書では、第１半透光膜１７ａと第２半透光膜１７ｂを特に区別しない場合は、単に「半透光膜１７」と記載する。遮光膜１６と半透光膜１７は、同じエッチング剤（エッチング液）によってエッチングされる材料で構成されている。 <1. Configuration of Photomask According to First Embodiment>
1A and 1B show a configuration of a photomask according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a side sectional view and FIG. 1B is a plan view. In FIG. 1B, for the sake of convenience, the same hatching process as in FIG. 1A is performed so that the correspondence with the side sectional view of FIG.
The illustrated photomask 10 includes a four-tone transfer pattern including a translucent portion 11, a light shielding portion 12, a first semi-transparent portion 13, and a second semi-transparent portion 14. The translucent part 11 is formed in a state where the transparent substrate 15 is partially exposed. The light shielding portion 12 is formed by forming a light shielding film 16 and a semi-transparent film 17 described later on a transparent substrate 15. The first semi-transparent portion 13 is formed by forming a first semi-transparent film 17 a on a transparent substrate 15, and the second semi-transparent portion 14 is formed by forming a second semi-transparent film 17 b on the transparent substrate 15. Formed. The first semi-transmissive film 17a and the second semi-transmissive film 17b are semi-transmissive films having the same components. In the present specification, the first semi-transmissive film 17a and the second semi-transmissive film 17b are simply referred to as “semi-transmissive film 17” unless otherwise distinguished. The light shielding film 16 and the semi-transparent film 17 are made of a material that is etched by the same etching agent (etching solution).

第１半透光部１３を構成する第１半透光膜１７ａの膜厚と、第２半透光部１４を構成する第２半透光膜１７ｂの膜厚とは、互いに異なっている。具体的には、第１半透光膜１７ａの膜厚は、第２半透光膜１７ｂの膜厚よりも大きくなっている。このため、フォトマスク１０に照射される露光光の代表波長に対する光透過率（以下、単に「光透過率」ともいう。）も、第１半透光部１３と第２半透光部１４で異なっている。 The film thickness of the first semi-transmissive film 17a constituting the first semi-transmissive part 13 and the film thickness of the second semi-transmissive film 17b constituting the second semi-transmissive part 14 are different from each other. Specifically, the film thickness of the first semi-transmissive film 17a is larger than the film thickness of the second semi-transmissive film 17b. For this reason, the light transmittance (hereinafter also simply referred to as “light transmittance”) with respect to the representative wavelength of the exposure light applied to the photomask 10 is also the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14. Is different.

また、遮光部１２においては、透明基板１５上に遮光膜１６と半透光膜１７とがこの順に積層されている。第１半透光部１３は、これに隣接する遮光部１２によって囲まれている。第２半透光部１４も、これに隣接する遮光部１２によって囲まれている。また、第１半透光部１３と第２半透光部１４との間には遮光部１２が介在し、この遮光部１２によって第２半透光部１４が囲まれている。このため、図示したフォトマスク１０の転写用パターンは、第１半透光部１３と第２半透光部１４の隣接部を有しない構成となっている。また、第１半透光部１３に隣接してこれを囲む遮光部１２では、遮光膜１６上に半透光膜１７ａのみが存在している。これに対して、第２半透光部１４に隣接してこれを囲む遮光部１２では、遮光膜１６上に第１半透光膜１７ａ及び第２半透光膜１７ｂの両方が存在している。このうち、第２半透光膜１７ｂは、遮光膜１６のパターン幅方向で第２半透光部１４側（内側）のエッジ部分Ｅ１に位置している。 In the light shielding part 12, a light shielding film 16 and a semi-transparent film 17 are laminated in this order on the transparent substrate 15. The first semi-transparent part 13 is surrounded by the light shielding part 12 adjacent thereto. The second semi-translucent portion 14 is also surrounded by the light shielding portion 12 adjacent thereto. Further, a light shielding portion 12 is interposed between the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14, and the second semi-transmissive portion 14 is surrounded by the light shielding portion 12. For this reason, the illustrated transfer pattern of the photomask 10 has a configuration in which the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14 are not adjacent to each other. Further, in the light shielding part 12 adjacent to and surrounding the first semi-transparent part 13, only the semi-transparent film 17 a exists on the light shielding film 16. On the other hand, in the light shielding part 12 adjacent to and surrounding the second semi-transparent part 14, both the first semi-transparent film 17a and the second semi-transparent film 17b exist on the light shielding film 16. Yes. Among these, the second semi-transparent film 17b is located at the edge portion E1 on the second semi-transparent portion 14 side (inner side) in the pattern width direction of the light shielding film 16.

＜２．第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法＞
次に、本発明の第１実施形態に係るフォトマスクの製造方法について、図２及び図３を用いて説明する。本実施形態に係るフォトマスクの製造方法（製造工程）は、準備工程と、遮光膜パターニング工程と、第１レジスト除去工程と、半透光膜形成工程と、半透光膜パターニング工程と、第２レジスト除去工程と、を含む。このうち、遮光膜パターニング工程は、レジストパターニング工程と、遮光膜エッチング工程と、を含む。また、半透光膜パターニング工程は、レジスト膜形成工程と、第１レジストパターン形成工程と、第１エッチング工程と、第２レジストパターン形成工程と、第２エッチング工程と、を含む。以下、各工程について順に説明する。 <2. Photomask Manufacturing Method According to First Embodiment>
Next, a photomask manufacturing method according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The photomask manufacturing method (manufacturing process) according to the present embodiment includes a preparation process, a light shielding film patterning process, a first resist removing process, a semi-translucent film forming process, a semi-translucent film patterning process, 2 resist removal process. Among these, the light shielding film patterning step includes a resist patterning step and a light shielding film etching step. The translucent film patterning step includes a resist film forming step, a first resist pattern forming step, a first etching step, a second resist pattern forming step, and a second etching step. Hereinafter, each process is demonstrated in order.

［準備工程］
まず、準備工程では、図２（Ａ）に示すように、透明基板１５上に遮光膜１６が形成されるとともに、遮光膜１６の表面にレジスト膜１８が形成されたレジスト付のフォトマスクブランク２０を用意する。遮光膜１６の成膜方法としては、スパッタ法等の公知の手段を用いることができる。遮光膜１６の膜厚は、１０００〜１５００Å程度とすることができる。レジスト膜１８の形成は、塗布法を用いることができ、スピンコータ、スリットコータなど公知のコータを使用することが可能である。レジスト膜１８の膜厚は、３０００〜１００００Å程度とすることができる。 [Preparation process]
First, in the preparation step, as shown in FIG. 2A, a photomask blank 20 with a resist in which a light shielding film 16 is formed on a transparent substrate 15 and a resist film 18 is formed on the surface of the light shielding film 16. Prepare. As a method for forming the light shielding film 16, known means such as a sputtering method can be used. The thickness of the light shielding film 16 can be about 1000 to 1500 mm. The resist film 18 can be formed by a coating method, and a known coater such as a spin coater or a slit coater can be used. The film thickness of the resist film 18 can be about 3000 to 10,000 mm.

また、透明基板１５としては、石英ガラス等の透明材料を平坦かつ平滑に研磨したものを用いることができる。表示装置製造用のフォトマスクに使用する透明基板としては、主表面が一辺３００〜１５００ｍｍの四角形であって、厚みが５〜１３ｍｍのものを用いることが好ましい。 Further, as the transparent substrate 15, a flat and smooth polished material such as quartz glass can be used. As a transparent substrate used for a photomask for manufacturing a display device, it is preferable to use a substrate having a main surface of a rectangle having a side of 300 to 1500 mm and a thickness of 5 to 13 mm.

遮光膜１６の材料は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）などを含有する膜材料とすることができ、これらの単体又は化合物（酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物など）から適切なものを選択することもできる。また、図示はしないが、遮光膜１６の表面側（透明基板１５と反対側）またはその裏面側の表層には、反射防止層やエッチング速度調整層などの機能層を設けることができる。遮光膜１６の表面側に反射防止層を設けた場合は、レジスト膜１８の描画に用いる光の反射を抑えることで描画精度を高めることができる。また、遮光膜１６の表面側に、エッチング減速層として機能するエッチング速度調整層を設けた場合は、このエッチング速度調整層によりエッチング速度を減速させることで、所定の膜厚を維持する機能をもたせることができる。 The material of the light shielding film 16 can be, for example, a film material containing Cr (chromium), Ta (tantalum), Zr (zirconium), Mo (molybdenum), W (tungsten), etc., and these simple substances or compounds An appropriate material can be selected from oxides, nitrides, carbides, oxynitrides, oxynitride carbides, and the like. Although not shown, functional layers such as an antireflection layer and an etching rate adjusting layer can be provided on the surface side of the light shielding film 16 (on the side opposite to the transparent substrate 15) or on the surface layer on the back side thereof. When an antireflection layer is provided on the surface side of the light shielding film 16, the drawing accuracy can be improved by suppressing reflection of light used for drawing the resist film 18. In addition, when an etching rate adjusting layer that functions as an etching rate reducing layer is provided on the surface side of the light shielding film 16, the etching rate is reduced by the etching rate adjusting layer so as to have a function of maintaining a predetermined film thickness. be able to.

上記反射防止層は、例えば遮光膜１６に含有される金属（例えばＣｒ）の酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物の少なくともいずれか一種を含む層として設けることができる。また、反射防止層及び／又はエッチング減速層は、遮光膜１６の深さ方向において、表層部分の組成が内側部分と異なって形成されたものとすることができる。その場合は、遮光膜１６の表層部分と内側部分との間に明確な境界があってもよいし、遮光膜１６の深さ方向に連続的又は段階的に組成が変化していくものであってもよい。また、遮光膜１６の露光光に対する光学濃度（ＯＤ：optical density）は、好ましくは３．０以上、より好ましくは４．０以上とするのがよい。 The antireflection layer can be provided, for example, as a layer containing at least one of oxides, nitrides, carbides, oxynitrides, and carbonitrides of metal (for example, Cr) contained in the light shielding film 16. Further, the antireflection layer and / or the etching deceleration layer may be formed in the depth direction of the light shielding film 16 so that the composition of the surface layer portion is different from that of the inner portion. In that case, there may be a clear boundary between the surface layer portion and the inner portion of the light shielding film 16, and the composition changes continuously or stepwise in the depth direction of the light shielding film 16. May be. Moreover, the optical density (OD: optical density) with respect to the exposure light of the light shielding film 16 is preferably 3.0 or more, more preferably 4.0 or more.

ちなみに、本実施形態においては、透明基板１５上に積層する遮光膜１６に関して、Ｃｒを主成分とし、その表面側に、ＣｒＯからなる反射防止層を形成した遮光膜１６を採用するものとする。また、レジスト膜１８に適用するレジストは、フォトレジストとする。このフォトレジストは、ポジ型のフォトレジストでもよいし、ネガ型のフォトレジストでもよい。本実施形態では、レジスト膜１８がポジ型のフォトレジストによって形成されたものとして説明する。この点は、後述するレジスト膜形成工程で用いるレジストについても同様とする。 By the way, in the present embodiment, the light shielding film 16 laminated on the transparent substrate 15 is composed of the light shielding film 16 having Cr as a main component and an antireflection layer made of CrO formed on the surface side. The resist applied to the resist film 18 is a photoresist. This photoresist may be a positive type photoresist or a negative type photoresist. In the present embodiment, description will be made assuming that the resist film 18 is formed of a positive type photoresist. The same applies to the resist used in the resist film forming step described later.

［遮光膜パターニング工程］
次に、遮光膜１６をパターニングする遮光膜パターニング工程を行う。遮光膜パターニング工程では、レジストパターン形成工程と、遮光膜エッチング工程と、を順に行う。 [Shading film patterning process]
Next, a light shielding film patterning step for patterning the light shielding film 16 is performed. In the light shielding film patterning step, a resist pattern forming step and a light shielding film etching step are sequentially performed.

（レジストパターン形成工程）
レジストパターン形成工程では、図２（Ｂ）に示すように、上記のレジスト膜１８を描画及び現像することにより、透明基板１５の遮光膜１６上にレジストパターン１８ｐを形成する。このレジストパターン１８ｐは、上記のフォトマスクブランク２０のレジスト膜１８に対して、図示しない描画装置を用いて所望のパターンを描画し、その後、現像することにより得られる。描画装置としては、例えば、電子ビームを用いるもの、あるいはレーザーを用いるものがあるが、いずれを用いてもよい。本実施形態ではレーザー描画を適用する。この点は、後述する第１レジストパターン形成工程においても同様とする。 (Resist pattern formation process)
In the resist pattern forming step, as shown in FIG. 2B, the resist pattern 18p is formed on the light shielding film 16 of the transparent substrate 15 by drawing and developing the resist film 18 described above. The resist pattern 18p is obtained by drawing a desired pattern on the resist film 18 of the photomask blank 20 using a drawing apparatus (not shown) and then developing the pattern. Examples of the drawing apparatus include an apparatus using an electron beam and an apparatus using a laser, and any of them may be used. In this embodiment, laser drawing is applied. This also applies to the first resist pattern forming process described later.

レジストパターン１８ｐは、最終的に得ようとするフォトマスク１０の転写用パターンにおいて、遮光部１２を形成するためのものである。そのため、描画装置は、最終的なフォトマスク１０において（図１を参照）、遮光部１２と、その他の領域とを画定するための描画データを用いてレジスト膜１８を描画する。その後、レジスト膜１８を現像することにより、レジスト膜１８の露光部が除去されてレジストパターン１８ｐが得られる。このとき、レジスト膜１８が除去された部分では、遮光膜１６が露出した状態となる。 The resist pattern 18p is for forming the light shielding portion 12 in the transfer pattern of the photomask 10 to be finally obtained. Therefore, the drawing apparatus draws the resist film 18 using drawing data for demarcating the light-shielding portion 12 and other regions in the final photomask 10 (see FIG. 1). Thereafter, by developing the resist film 18, the exposed portion of the resist film 18 is removed, and a resist pattern 18p is obtained. At this time, the light shielding film 16 is exposed at the portion where the resist film 18 is removed.

（遮光膜エッチング工程）
遮光膜エッチング工程では、図２（Ｃ）に示すように、上記のレジストパターン１８ｐをマスクとして遮光膜１６をエッチングすることにより、透明基板１５上に遮光膜１６のパターンを形成する。以降の説明では、パターニングされた遮光膜１６を遮光膜パターン１６ｐという。この遮光膜パターン１６ｐは、最終的に得ようとするフォトマスク１０の転写用パターンにおいて、遮光部１２の領域を画定するものとなる。本実施形態では、遮光膜１６のエッチングにウェットエッチングを適用する。また、エッチング剤（エッチング液）として、硝酸第二セリウムアンモニウムを用いる。 (Light shielding film etching process)
In the light shielding film etching step, the pattern of the light shielding film 16 is formed on the transparent substrate 15 by etching the light shielding film 16 using the resist pattern 18p as a mask, as shown in FIG. In the following description, the patterned light shielding film 16 is referred to as a light shielding film pattern 16p. The light shielding film pattern 16p defines the region of the light shielding portion 12 in the transfer pattern of the photomask 10 to be finally obtained. In this embodiment, wet etching is applied to the etching of the light shielding film 16. Further, ceric ammonium nitrate is used as an etching agent (etching solution).

なお、本実施形態においては、エッチングの対象は、遮光膜１６のみ（単一膜）である。このエッチングの所要時間は、遮光膜１６の組成と膜厚に依存する。よって、エッチングの所要時間は、実験的にあるいはシミュレーション等によって予め求めておくことができる。 In this embodiment, the object of etching is only the light shielding film 16 (single film). The time required for this etching depends on the composition and film thickness of the light shielding film 16. Therefore, the time required for etching can be obtained in advance experimentally or by simulation or the like.

[第１レジスト除去工程]
第１レジスト除去工程では、図２（Ｄ）に示すように、上記のレジストパターン１８ｐを除去（剥離）する。これにより、透明基板１５の主表面に遮光膜パターン１６ｐのみが形成された状態となる。また、透明基板１５の主表面において、遮光膜パターン１６ｐで覆われない部分は、透明基板１５が露出した状態となる。 [First resist removal process]
In the first resist removing step, as shown in FIG. 2D, the resist pattern 18p is removed (peeled). As a result, only the light shielding film pattern 16p is formed on the main surface of the transparent substrate 15. Further, the portion of the main surface of the transparent substrate 15 that is not covered with the light shielding film pattern 16p is in a state where the transparent substrate 15 is exposed.

[半透光膜形成工程]
半透光膜形成工程では、図２（Ｅ）に示すように、主表面に遮光膜パターン１６ｐが形成された透明基板１５上に、所定の成膜方法によって半透光膜１７を形成する。半透光膜１７の成膜方法としては、上述した遮光膜１６と同様にスパッタ法などを用いることができる。これにより、透明基板１５の露出部分と遮光膜パターン１６ｐの上に、半透光膜１７が積層された状態となる。 [Translucent film forming process]
In the semi-transparent film forming step, as shown in FIG. 2E, the semi-transparent film 17 is formed by a predetermined film formation method on the transparent substrate 15 having the light shielding film pattern 16p formed on the main surface. As a method for forming the semi-transparent film 17, a sputtering method or the like can be used similarly to the light shielding film 16 described above. As a result, the semi-transparent film 17 is laminated on the exposed portion of the transparent substrate 15 and the light shielding film pattern 16p.

半透光膜１７の材料は、例えば、Ｃｒ（クロム）、Ｔａ（タンタル）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｓｉ（シリコン）などを含有する膜材料とすることができ、これらの化合物（酸化物、窒化物、炭化物など）から適切なものを選択することもできる。Ｓｉ含有膜としては、Ｓｉの化合物（ＳｉＯＮなど）、又は遷移金属シリサイド（ＭｏＳｉなど）や、その化合物を用いることができる。遷移金属シリサイドの化合物としては、酸化物、窒化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物などが挙げられ、好ましくは、ＭｏＳｉの酸化物、窒化物、酸化窒化物、酸化窒化炭化物などが例示される。半透光膜１７をＣｒ含有膜とする場合は、Ｃｒの化合物（酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、炭化窒化物、酸化窒化炭化物）を好適に使用することができる。 The material of the translucent film 17 can be a film material containing, for example, Cr (chromium), Ta (tantalum), Zr (zirconium), Si (silicon), etc., and these compounds (oxide, nitridation) It is also possible to select an appropriate material from a product, a carbide, etc. As the Si-containing film, a Si compound (SiON or the like), a transition metal silicide (MoSi or the like), or a compound thereof can be used. Examples of the transition metal silicide compound include oxides, nitrides, oxynitrides, oxynitride carbides, and the like, and preferable examples include MoSi oxides, nitrides, oxynitrides, oxynitride carbides, and the like. When the translucent film 17 is a Cr-containing film, a Cr compound (oxide, nitride, carbide, oxynitride, carbonitride, oxynitride carbide) can be preferably used.

本実施形態では、遮光膜１６及び半透光膜１７の両方に、Ｃｒを含有する膜を用いる。このように２つの膜が同一の金属を含む場合は、成膜工程などを効率的に行うことができるうえに、遮光膜１６と半透光膜１７の材料を選択する際に、双方の材料が互いにエッチング選択性を有する（互いのエッチング剤に対して耐性をもつ）必要がない。すなわち、遮光膜１６及び半透光膜１７の材料として、同一のエッチング剤によってエッチングされる材料、あるいは同一成分を含むエッチング剤によってエッチングされる材料を用いることができる点で、素材の制約を緩和できる利点がある。このような共通のエッチング特性をもつ膜によって、４階調のフォトマスクを形成することができる。もちろん、互いにエッチング選択性のある素材を用いても構わない。たとえば、エッチング選択性のある素材とは、一方の膜（Ａ膜）のエッチング剤に対して、他方の膜（Ｂ膜）の示すエッチングレートが、Ａ膜のエッチングレートの１／１００以下である場合とすることができる。なお、本明細書において、「エッチングレート」とは、エッチングによって単位時間あたりに溶出する膜の厚さをいう。 In the present embodiment, a film containing Cr is used for both the light shielding film 16 and the semi-transparent film 17. When the two films contain the same metal as described above, the film forming process can be performed efficiently, and the materials for both the light shielding film 16 and the semi-transparent film 17 can be selected. Need not be etch selective to each other (resistant to each other's etchant). That is, as the material of the light-shielding film 16 and the semi-transparent film 17, a material that is etched by the same etching agent or a material that is etched by an etching agent containing the same component can be used, thereby relaxing the restriction on the material. There are advantages you can do. With a film having such common etching characteristics, a four-tone photomask can be formed. Of course, materials having etching selectivity with each other may be used. For example, a material having etching selectivity is that the etching rate of the other film (B film) is 1/100 or less of the etching rate of the A film with respect to the etching agent of one film (A film). It can be the case. In this specification, “etching rate” refers to the thickness of a film eluted per unit time by etching.

一方、半透光膜１７の光学特性としては、例えば露光光の透過率が１０〜８０％のものを使用することができる。より好ましくは、露光光の透過率が１０〜６０％、更に好ましくは、１０〜４０％のものを使用することができる。
半透光膜１７の厚みは、目的とする光透過率によって適宜決定し、例えば、２０〜４００Å程度とすることができる。ただし、本発明において、半透光膜１７の膜厚は、第１半透光部１３となる領域の露光光の透過率をもとに決定される。また、この半透光膜１７は、後段する第２エッチング工程で半透光膜１７の膜厚を減少（減膜）させることで、第１半透光部１３よりも光透過率の高い第２半透光部１４を形成するため、この減膜量も勘案して半透光膜１７の膜厚を決定することが好ましい。
また、半透光膜１７は、露光光に対する位相シフト量φ（度）が、３≦φ≦９０の低位相シフト膜とすることが好ましい。より好ましくは、３≦φ≦６０である。
また、半透光膜１７は、露光光に対する位相シフト量φ（度）が、９０＜φ≦２７０となる、いわゆる位相シフト膜とすることもできる。なお、本実施形態では、半透光膜１７が低位相シフト膜であるものとして説明する。 On the other hand, as the optical characteristics of the semi-transparent film 17, for example, those having a transmittance of exposure light of 10 to 80% can be used. More preferably, the exposure light transmittance is 10 to 60%, more preferably 10 to 40%.
The thickness of the semi-transparent film 17 is appropriately determined depending on the desired light transmittance, and can be set to about 20 to 400 mm, for example. However, in the present invention, the film thickness of the semi-transparent film 17 is determined based on the transmittance of the exposure light in the region that becomes the first semi-transparent portion 13. In addition, the semi-transparent film 17 has a light transmittance higher than that of the first semi-transparent portion 13 by reducing (decreasing) the film thickness of the semi-transparent film 17 in a second etching step to be performed later. In order to form the two semi-translucent portion 14, it is preferable to determine the film thickness of the semi-transparent film 17 in consideration of the amount of film reduction.
The semi-transparent film 17 is preferably a low phase shift film having a phase shift amount φ (degree) with respect to the exposure light of 3 ≦ φ ≦ 90. More preferably, 3 ≦ φ ≦ 60.
Further, the semi-transparent film 17 may be a so-called phase shift film in which the phase shift amount φ (degree) with respect to the exposure light is 90 <φ ≦ 270. In the present embodiment, description will be made assuming that the semi-transparent film 17 is a low phase shift film.

ちなみに、露光光とは、本実施形態のフォトマスク１０を用いて露光する際に使用する露光装置の照射光であって、ｉ線、ｈ線、ｇ線のいずれかを含むものが挙げられる。このうち複数の波長、好ましくはｉ線、ｈ線、ｇ線のすべてを含む波長域の光源を用いることで、より大きな照射量を得ることができる。その場合は、波長域に含まれる代表波長（例えばｉ線）を基準とし、これに対する光透過率及び位相シフト量を、上記範囲内として、フォトマスク１０の設計をすることができる。上記３波長について、すべて上記範囲内であればより好ましい。 Incidentally, the exposure light is irradiation light of an exposure apparatus used when exposure is performed using the photomask 10 of the present embodiment, and includes any of i-line, h-line, and g-line. By using a light source in a wavelength region including all of a plurality of wavelengths, preferably i-line, h-line, and g-line, a larger dose can be obtained. In that case, the photomask 10 can be designed with reference to a representative wavelength (for example, i-line) included in the wavelength range, and the light transmittance and phase shift amount with respect to this are within the above ranges. It is more preferable that the above three wavelengths are all within the above range.

［半透光膜パターニング工程］
次に、半透光膜１７をパターニングする半透光膜パターニング工程を行う。半透光膜パターニング工程では、レジスト膜形成工程と、第１レジストパターン形成工程と、第１エッチング工程と、第２レジストパターン形成工程と、第２エッチング工程と、を順に行う。また、半透光膜パターニング工程では、実質的に半透光膜１７のみをエッチングする。 [Semi-transparent film patterning process]
Next, a semi-transparent film patterning step for patterning the semi-transparent film 17 is performed. In the semi-transparent film patterning step, a resist film forming step, a first resist pattern forming step, a first etching step, a second resist pattern forming step, and a second etching step are sequentially performed. In the semi-transparent film patterning step, substantially only the semi-transparent film 17 is etched.

（レジスト膜形成工程）
レジスト膜形成工程では、図２（Ｆ）に示すように、半透光膜１７が形成された透明基板１５上に、半透光膜１７を覆う状態でレジスト膜１９を形成する。レジスト膜１９の形成方法やこれに用いるレジストの種類については、上述したレジスト膜１８の場合と同様とする。 (Resist film formation process)
In the resist film forming step, as shown in FIG. 2F, a resist film 19 is formed on the transparent substrate 15 on which the semi-transparent film 17 is formed so as to cover the semi-transparent film 17. The method for forming the resist film 19 and the type of resist used for the resist film 19 are the same as those for the resist film 18 described above.

（第１レジストパターン形成工程）
第１レジストパターン形成工程では、図３（Ａ）に示すように、上記のレジスト膜１９を描画及び現像することにより、レジストパターン１９ｐを形成する。ここでの描画及び現像によって得られるレジストパターン１９ｐは、第１レジストパターンに相当するものである。レジストパターン１９ｐは、領域によって、レジスト残膜の厚みが異なる段差形状をもつ。すなわち、レジストパターン１９ｐは、レジスト残膜が実質的にゼロである開口部２１と、レジストが残存する第１残膜部２２と、この第１残膜部２２よりもレジストが薄く残存する第２残膜部２３と、を有する。 (First resist pattern forming step)
In the first resist pattern forming step, as shown in FIG. 3A, a resist pattern 19p is formed by drawing and developing the resist film 19 described above. The resist pattern 19p obtained by drawing and development here corresponds to the first resist pattern. The resist pattern 19p has a step shape in which the thickness of the resist remaining film varies depending on the region. That is, the resist pattern 19p includes an opening 21 where the resist residual film is substantially zero, a first residual film part 22 where the resist remains, and a second resist where the resist remains thinner than the first residual film part 22. And a remaining film portion 23.

開口部２１は、上記のレジスト膜１９を描画及び現像することにより、レジストが除去されて開口した部分である。開口部２１は、透光部１１に対応する領域となる。第１残膜部２２は、最も残膜厚みの大きい部分であって、遮光部１２及び第１半透光部１３に対応する領域となる。第２残膜部２３は、上記第１残膜部より膜厚が小さい部分であり、第２半透光部１４に対応する領域となる。このようなレジストパターン１９ｐは、例えば以下のような方法によって形成することが可能である。 The opening 21 is a portion opened by drawing and developing the resist film 19 and removing the resist. The opening 21 is a region corresponding to the translucent part 11. The first remaining film portion 22 is a portion having the largest remaining film thickness and is a region corresponding to the light shielding portion 12 and the first semi-transmissive portion 13. The second remaining film portion 23 is a portion having a smaller film thickness than the first remaining film portion, and is a region corresponding to the second semi-transmissive portion 14. Such a resist pattern 19p can be formed by the following method, for example.

すなわち、レジスト膜１９に対して、描画装置を用いて、描画すべき領域ごとに照射エネルギーが異なる描画方法（ここでは、便宜的に「階調描画法」とよぶ）を使用する。例えば、レーザー描画装置を用いて描画する場合は、所望のパターンの領域に応じて、異なるドーズ量（照射量）を適用してレーザーを照射し、レジストを感光させる。具体的には、開口部２１には、レジスト膜１９を完全に感光させるドーズ量を適用し、第２残膜部２３には、レジスト膜１９を完全に感光させる場合よりも少ないドーズ量を適用する。 That is, for the resist film 19, using a drawing apparatus, a drawing method with different irradiation energy for each region to be drawn (here, referred to as “gradation drawing method” for convenience) is used. For example, when drawing using a laser drawing apparatus, a different dose (irradiation amount) is applied in accordance with a desired pattern region to irradiate a laser to expose the resist. Specifically, a dose amount that completely exposes the resist film 19 is applied to the opening portion 21, and a dose amount that is smaller than the case where the resist film 19 is completely exposed is applied to the second remaining film portion 23. To do.

レジスト膜１９をレーザービームの走査によって描画する方法では、予め描画データを分離することにより、１回の描画工程のなかでレーザービームの走査を複数回に分けて行うとともに、領域ごとに異なる走査回数を適用することによって、領域ごとの照射量を調整する。これにより、階調描画法を実施することができる。例えば、レーザービームの照射を２回に分けて行う場合に、レジスト膜１９を十分（完全）に感光させるドーズ量を１００％とするときは、５０％程度のドーズ量で２回の走査を行う。これにより、２回の走査のうち１回しか走査されなかった部分（第２残膜部２３に対応する部分）は、５０％程度のドーズ量の照射を受けた部分となり、２回走査された部分（開口部２１に対応する部分）は、１００％のドーズ量の照射を受けた部分となり、１回も走査されなかった部分は、レーザーの照射を受けない部分（第１残膜部２２に対応する部分）となる。なお、ここでは５０％ずつのドーズ量でレーザービームの照射を２回に分けて行うとしているが、これに限らず、複数回のレーザービームの照射による合計のドーズ量が１００％となる条件で行えばよい。具体的には、例えば、各回のレーザービームの照射を３０％のドーズ量と７０％のドーズ量で順に行ってもよいし、それ以外のドーズ量の組み合わせで行ってもよい。 In the method of drawing the resist film 19 by laser beam scanning, the drawing data is separated in advance, so that the laser beam scan is divided into a plurality of times in one drawing process, and the number of times of scanning is different for each region. Is applied to adjust the irradiation amount for each region. Thereby, the gradation drawing method can be implemented. For example, when the laser beam irradiation is performed twice, and the dose amount for sufficiently (completely) exposing the resist film 19 is 100%, the scan is performed twice with a dose amount of about 50%. . As a result, the portion of the two scans that was scanned only once (the portion corresponding to the second remaining film portion 23) became a portion that was irradiated with a dose of about 50% and was scanned twice. The portion (the portion corresponding to the opening 21) is a portion that has been irradiated with a dose of 100%, and the portion that has not been scanned once is the portion that is not irradiated with the laser (the first remaining film portion 22). Corresponding part). Here, the laser beam irradiation is performed in two doses with a dose amount of 50% each time. However, the present invention is not limited to this, and the total dose amount by a plurality of laser beam irradiations is 100%. Just do it. Specifically, for example, each irradiation with a laser beam may be performed sequentially with a dose amount of 30% and a dose amount of 70%, or may be performed with a combination of other dose amounts.

また、これ以外にも、１回の走査中に、領域によってドーズ量の変更を行うことによって、階調描画法を実施してもよい。いずれの場合も、レーザーの照射を受けたレジストの部分は、そのときのレーザーの照射エネルギーに応じて感光し、感光の度合いに応じて現像時に溶出する。そのため、現像後には、領域によってレジスト残膜の厚みが異なるレジストパターン（いわば、段差をもつレジストパターン）が形成される。
以上の方法により、１回の描画・現像工程によって、後述の第１エッチング工程及び第２エッチング工程といった２回のパターニングに適用可能なレジストパターン１９ｐを形成することが可能となる。 In addition, the gradation drawing method may be performed by changing the dose amount depending on the region during one scan. In either case, the portion of the resist that has been irradiated with the laser is exposed in accordance with the irradiation energy of the laser at that time, and is eluted during development in accordance with the degree of exposure. Therefore, after development, a resist pattern (that is, a resist pattern having a step) in which the thickness of the resist remaining film varies depending on the region is formed.
By the above method, it is possible to form a resist pattern 19p applicable to two patterning processes such as a first etching process and a second etching process described later by one drawing / developing process.

なお、複数回の走査によって階調描画法を実施する場合、描画装置にフォトマスク基板を載置した状態のままとすれば、載置ごとに生じるアライメントずれをゼロとすることができる。本明細書では、描画装置にフォトマスク基板（本形態例では透明基板１５）を載置したままで行う描画を「１回の描画」とする。このため、例えば、描画装置にフォトマスク基板を載置して、ある描画データにしたがって描画を行った後、そのフォトマスク基板を描画装置から取り外すことなく、別の描画データにしたがって再び描画を行った場合でも「１回の描画」とする。 Note that when the gradation drawing method is performed by scanning a plurality of times, if the photomask substrate is placed on the drawing apparatus, the misalignment caused by each placement can be made zero. In this specification, the drawing performed with the photomask substrate (the transparent substrate 15 in this embodiment) placed on the drawing apparatus is referred to as “one drawing”. For this reason, for example, after placing a photomask substrate on a drawing apparatus and drawing according to certain drawing data, drawing is performed again according to other drawing data without removing the photomask substrate from the drawing apparatus. Even in the case of the drawing, “one drawing” is set.

上述したように階調描画法によってレジスト膜１９の描画を行うことにより、半透光膜１７に対するパターニング複数回分の描画を、１回の描画で行うことができる。このため、多階調フォトマスクの製造工程で生じやすい描画のアライメントずれを解消できるという利点がある。 As described above, the resist film 19 is drawn by the gradation drawing method, so that a plurality of patterns can be drawn on the semi-transparent film 17 by one drawing. For this reason, there is an advantage that the misalignment of the drawing that is likely to occur in the manufacturing process of the multi-tone photomask can be eliminated.

ただし、本工程でレジスト膜１９を描画する場合と、図２（Ｂ）に示す工程でレジスト膜１８を描画する場合との間には、アライメントずれを生じる可能性がある。一般に、フォトマスク基板を描画装置に載置する場合は、アライメントマーク等を用いてフォトマスク基板の位置合わせを行う。ただし、複数回の描画においては、フォトマスク基板の載置精度等により、アライメントずれを完全にゼロとすることは困難である。 However, misalignment may occur between the case where the resist film 19 is drawn in this step and the case where the resist film 18 is drawn in the step shown in FIG. In general, when a photomask substrate is placed on a drawing apparatus, alignment of the photomask substrate is performed using an alignment mark or the like. However, in multiple drawing, it is difficult to completely eliminate the alignment deviation due to the mounting accuracy of the photomask substrate.

そこで、本実施形態では、レジスト膜１９の描画に適用する描画データに関して、描画（レーザー照射）の対象とする第２残膜部２３の寸法を次のように補正している。すなわち、遮光膜１６によって規定される第２半透光部１４の寸法に対して、アライメントマージンαを考慮（基に）したサイジングを描画データに施すことにより、描画すべき第２残膜部２３の寸法Ｌ１を第２半透光部１４となる領域の寸法Ｌ２よりも大きく設定している。アライメントマージンαは、上記のアライメントずれとして生じる可能性がある最大のずれ量をδとすると、第２半透光部１４となる領域の寸法Ｌ２に対して、少なくとも上記ずれ量δを加えた寸法にするとよい。このようなサイジングを描画データに施してレジスト膜１９を描画することにより、レジスト膜１８の描画とレジスト膜１９の描画との間で生じる、アライメントずれに起因するパターン精度の劣化を防止することができる。アライメントマージンαとしては、例えば、第２半透光部１４の１つ（片側）のエッジに対して、α＝０．２５〜０．７５μｍのサイジングを施すことができる。又は、アライメントに優れた描画装置においては、このアライメントマージンαを０．２〜０．５μｍとすることができる。 Therefore, in the present embodiment, with respect to the drawing data applied to the drawing of the resist film 19, the dimensions of the second remaining film portion 23 to be drawn (laser irradiation) are corrected as follows. That is, the second remaining film portion 23 to be drawn is subjected to sizing in consideration of (based on) the alignment margin α with respect to the dimension of the second semi-transparent portion 14 defined by the light shielding film 16. The dimension L1 is set larger than the dimension L2 of the region to be the second semi-translucent portion 14. The alignment margin α is a dimension obtained by adding at least the shift amount δ to the dimension L2 of the region to be the second semi-transparent portion 14, where δ is the maximum shift amount that may occur as the alignment shift. It is better to By drawing the resist film 19 by applying such sizing to the drawing data, it is possible to prevent the deterioration of the pattern accuracy caused by the misalignment caused between the drawing of the resist film 18 and the drawing of the resist film 19. it can. As the alignment margin α, for example, sizing of α = 0.25 to 0.75 μm can be performed on one edge (one side) of the second semi-transmissive portion 14. Alternatively, in a drawing apparatus excellent in alignment, the alignment margin α can be set to 0.2 to 0.5 μm.

（第１エッチング工程）
第１エッチング工程では、図３（Ｂ）に示すように、レジストパターン１９ｐをマスクとして半透光膜１７をエッチングする。これにより、上記の開口部２１で露出している半透光膜１７がエッチングによって除去される。その結果、開口部２１で透明基板１５が露出した状態となる。 (First etching process)
In the first etching step, as shown in FIG. 3B, the semi-transparent film 17 is etched using the resist pattern 19p as a mask. As a result, the semi-transparent film 17 exposed at the opening 21 is removed by etching. As a result, the transparent substrate 15 is exposed at the opening 21.

本実施形態では、半透光膜１７が遮光膜１６と同様にＣｒ含有膜になっているため、上記の遮光膜１６のエッチングに適用したエッチング剤（エッチング液）と同成分のものを用いて、半透光膜１７をウェットエッチングすることができる。この工程でも、エッチング対象は半透光膜１７のみ（単一膜）となる。このため、エッチングの所要時間は、半透光膜１７の組成と膜厚に依存する。よって、エッチングの所要時間は、実験的にあるいはシミュレーション等によって予め求めておくことができる。 In this embodiment, since the semi-transparent film 17 is a Cr-containing film like the light shielding film 16, the same component as the etching agent (etching solution) applied to the etching of the light shielding film 16 is used. The semi-transparent film 17 can be wet etched. Even in this process, the etching target is only the semi-transparent film 17 (single film). For this reason, the time required for etching depends on the composition and film thickness of the semi-transparent film 17. Therefore, the time required for etching can be obtained in advance experimentally or by simulation or the like.

また、本実施形態では、上述のように半透光膜１７をエッチングすることにより、透明基板１５が部分的に露出し、この露出部分が透光部１１となる。また、この透光部１１を囲む半透光膜１７の部分が第１半透光部１３となる。このため、最終的に得られるフォトマスク１０の転写用パターンは、透光部１１と第１半透光部１３とが隣接する部分をもつことになる。ただし、半透光膜１７の膜厚は上述のとおり十分に薄く、ウェットエッチングに起因するサイドエッチングの量は非常に小さい。このため、実質的にパターニング精度への影響はほとんどない。また、このような僅かなサイドエッチングまでも問題とするような高いＣＤ精度を得たい場合には、上記レジスト膜１９の描画に適用する描画データにおいて、描画すべき開口部２１の寸法を補正すればよい。すなわち、最終的に得ようとする透光部１１の寸法Ｌ３に対して、サイドエッチングを考慮としたエッチングマージンβ（図３（Ａ）を参照）を見込み、このエッチングマージンβの分だけ開口部２１の寸法Ｌ４が小さくなるように、描画データにサイジングを施す。これにより、半透光膜１７のエッチングによって透光部１１を形成する際に、半透光膜１７にサイドエッチングが生じても、透光部１１を所望の寸法に精度良く合わせることができる。 Further, in the present embodiment, the transparent substrate 15 is partially exposed by etching the semi-transparent film 17 as described above, and this exposed portion becomes the light transmitting portion 11. Further, the portion of the semi-transparent film 17 surrounding the translucent part 11 becomes the first semi-transparent part 13. Therefore, the finally obtained transfer pattern of the photomask 10 has a portion where the light transmitting portion 11 and the first semi-light transmitting portion 13 are adjacent to each other. However, the film thickness of the semi-transparent film 17 is sufficiently thin as described above, and the amount of side etching resulting from wet etching is very small. For this reason, there is almost no influence on the patterning accuracy. Further, in order to obtain such a high CD accuracy as to cause even a slight side etching, the dimension of the opening 21 to be drawn should be corrected in the drawing data applied to the drawing of the resist film 19. That's fine. That is, an etching margin β (see FIG. 3A) in consideration of side etching is expected with respect to the dimension L3 of the translucent portion 11 to be finally obtained, and an opening portion corresponding to the etching margin β is expected. The drawing data is sized so that the dimension L4 of 21 is reduced. Thereby, when the translucent part 11 is formed by etching the semi-transparent film 17, even if side etching occurs in the semi-transparent film 17, the translucent part 11 can be accurately adjusted to a desired dimension.

このように本工程においては、半透光膜１７のエッチング除去により、透光部１１が形成される。ただし、本工程では半透光膜１７を完全に除去せず、この段階で一部の膜厚分を残留させることもできる。その場合は、後述の第２エッチング工程で半透光膜１７をエッチングする際に、上記残留させた膜を、同様のエッチング液によって更にエッチングし、最終的に完全に除去すればよい。 Thus, in this step, the translucent portion 11 is formed by etching and removing the semi-transparent film 17. However, in this step, the semi-transparent film 17 is not completely removed, and a part of the film thickness can be left at this stage. In that case, when the semi-transparent film 17 is etched in the second etching step described later, the remaining film may be further etched with the same etching solution and finally completely removed.

（第２レジストパターン形成工程）
第２レジストパターン形成工程では、図３（Ｃ）に示すように、上記のレジストパターン１９ｐの膜厚を最表面から所定量だけ減少させる処理（以下、「レジスト減膜処理」ともいう。）を行うことにより、レジストパターン１９ｐ’を形成する。レジストパターン１９ｐ’は、第２レジストパターンに相当するものである。レジスト減膜処理は、第１残膜部２２ではレジストが半透光膜１７を覆ったまま残存し、第２残膜部２３ではレジストが完全に除去される条件で行う。このような条件でレジスト減膜処理を行うことにより、第２残膜部２３ではレジストが除去されて開口し、この開口部分に半透光膜１７（すなわち、第２半透光部１４の形成領域）が新たに露出した状態のレジストパターン１９ｐ’が得られる。また、上述のように第２残膜部２３において、アライメントマージンαを見込んで描画データにサイジングを施した場合は、そのアライメントマージンαを見込んだ遮光膜パターン１６ｐのエッジ部分にも半透光膜１７の一部が新たに露出した状態となる。 (Second resist pattern forming step)
In the second resist pattern forming step, as shown in FIG. 3C, a process of reducing the film thickness of the resist pattern 19p by a predetermined amount from the outermost surface (hereinafter also referred to as “resist film reducing process”). As a result, a resist pattern 19p ′ is formed. The resist pattern 19p ′ corresponds to the second resist pattern. The resist thinning process is performed under the condition that the resist remains while covering the semi-transparent film 17 in the first remaining film portion 22 and the resist is completely removed in the second remaining film portion 23. By performing the resist thinning process under such conditions, the resist is removed and opened in the second remaining film portion 23, and the semi-transparent film 17 (that is, the formation of the second semi-transparent portion 14) is formed in this opening portion. Thus, the resist pattern 19p ′ in which the region is newly exposed is obtained. Further, as described above, in the second remaining film portion 23, when sizing is performed on the drawing data in anticipation of the alignment margin α, the semi-transparent film is also formed on the edge portion of the light shielding film pattern 16p in consideration of the alignment margin α. A part of 17 is newly exposed.

レジスト減膜処理は、例えば、レジストパターン１９ｐに対して、アッシングなどを施すことにより行う。具体的には、例えばプラズマアッシング、あるいはオゾンアッシング（オゾンガス、又はオゾン水によるアッシング）などを適用することができる。またこれ以外にも、例えば現像液によってレジストパターン１９ｐを減膜してもよい。 The resist thinning process is performed, for example, by ashing the resist pattern 19p. Specifically, for example, plasma ashing or ozone ashing (ashing with ozone gas or ozone water) can be applied. In addition to this, the resist pattern 19p may be reduced by a developer, for example.

（第２エッチング工程）
第２エッチング工程では、図３（Ｄ）に示すように、上記のレジスト減膜処理によって新たに露出した半透光膜１７をエッチングして、半透光膜１７の膜厚を減少させる処理（以下、「半透光膜減膜処理」ともいう。）を行う。半透光膜減膜処理では、レジストパターン１９ｐ’をマスクとして、上記と同様のエッチング剤（エッチング液）を作用させることにより、半透光膜１７の膜厚を減少させる。そして、第２半透光部１４に求められる露光光の透過率としての所望値を示す減膜量となったところで、エッチングを停止する。
なお、上述した開口部２１に露出する半透光膜１７の部分をエッチングする際に用いるエッチング剤と、本工程で半透光膜１７の部分をエッチングするのに用いるエッチング剤とは、同一のものを使用することができるが、異なるものを使用してもかまわない。 (Second etching process)
In the second etching step, as shown in FIG. 3D, the newly exposed semi-transparent film 17 is etched by the resist thinning process to reduce the thickness of the semi-transparent film 17 ( Hereinafter, it is also referred to as “semi-transmissive film reduction process”. In the semi-transparent film reduction process, the thickness of the semi-transparent film 17 is reduced by applying the same etching agent (etching solution) as described above using the resist pattern 19p ′ as a mask. Then, the etching is stopped when the film thickness reaches a desired value as the exposure light transmittance required for the second semi-translucent portion 14.
Note that the etching agent used when etching the portion of the semi-transparent film 17 exposed in the opening 21 is the same as the etching agent used for etching the portion of the semi-transparent film 17 in this step. Things can be used, but different ones can be used.

本実施形態では、半透光膜１７がＣｒ系の膜で構成されているため、Ｃｒ用のエッチング剤を用いたエッチング液を使用可能である。ただし、エッチング液の組成は、上記第１エッチング工程と第２エッチング工程で、必ずしも同一でなくてもよい。例えば、第１エッチング工程で半透光膜１７をエッチングするときのエッチングレートをＲ１とし、第２エッチング工程で半透光膜１７をエッチングするときのエッチングレートをＲ２とすると、Ｒ１＞Ｒ２の条件で半透光膜１７をエッチングすることが望ましい。これにより、半透光膜減膜処理における半透光膜１７のエッチングが相対的に遅く進行することになる。このため、半透光膜減膜処理による半透光膜１７の減膜量を目標値に対して正確に合わせることが容易になる。 In this embodiment, since the translucent film 17 is composed of a Cr-based film, an etching solution using an etching agent for Cr can be used. However, the composition of the etching solution is not necessarily the same between the first etching step and the second etching step. For example, if the etching rate when the semi-transparent film 17 is etched in the first etching step is R1, and the etching rate when the semi-transparent film 17 is etched in the second etching step is R2, the condition of R1> R2 is satisfied. It is desirable to etch the semi-transparent film 17 with. Thereby, the etching of the semi-transparent film 17 in the semi-transparent film reduction process proceeds relatively slowly. For this reason, it becomes easy to match | combine exactly the amount of film reduction of the semi-transmissive film 17 by a semi-transmissive film reduction process with respect to a target value.

上述のように２つの工程で異なるエッチングレートを実現するためには、例えば、次のような手段を用いることができる。すなわち、２つの工程で同一成分のエッチング液を用いる場合は、一方の工程で用いるエッチング液の濃度を、他方の工程で用いるエッチング液の濃度と異なるものとする。具体的には、エッチングレートを大きくする工程では、相対的に高い濃度のエッチング液を用い、エッチングレートを小さくする工程では、相対的に低い濃度のエッチング液を用いる。また、これ以外にも、各工程に用いるエッチング液の温度を異なるものとしてもよい。あるいは、各工程に用いるエッチング液の成分を一部または全部異なるものとしてもよい。さらに、エッチングレートを異ならせる手段としては、半透光膜１７の組成を、半透光膜１７の上表面側と下表面側とで異なるものとして、半透光膜１７を成膜する方法を適用してもよい。
より好ましくは、半透光膜１７の組成を均一とし、上記第１エッチング工程で用いるエッチング剤と第２エッチング工程で用いるエッチング剤の、材料又は組成比を互いに異ならせることにより、好ましくは、Ｒ２×１００＞Ｒ１＞Ｒ２×１０、更に好ましくは、Ｒ２×８０＞Ｒ１＞Ｒ２×１５となる条件で、半透光膜１７のエッチングを行うとよい。 In order to realize different etching rates in the two steps as described above, for example, the following means can be used. That is, when using the same component etching solution in two steps, the concentration of the etching solution used in one step is different from the concentration of the etching solution used in the other step. Specifically, a relatively high concentration etching solution is used in the step of increasing the etching rate, and a relatively low concentration etching solution is used in the step of decreasing the etching rate. In addition to this, the temperature of the etching solution used in each step may be different. Alternatively, some or all of the components of the etching solution used in each step may be different. Further, as a means for varying the etching rate, a method of forming the semi-transparent film 17 by changing the composition of the semi-transparent film 17 between the upper surface side and the lower surface side of the semi-transparent film 17 is used. You may apply.
More preferably, the composition of the semi-transparent film 17 is made uniform, and the materials or composition ratios of the etching agent used in the first etching step and the etching agent used in the second etching step are preferably made different from each other. The semi-transparent film 17 may be etched under the conditions of × 100>R1> R2 × 10, more preferably R2 × 80>R1> R2 × 15.

本工程により、レジスト減膜処理前に第２残膜部２３であった部分では、透明基板１５を直接覆っている半透光膜１７だけでなく、第２半透光部１４に隣接する遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１を覆っている半透光膜１７も一緒に減膜される。また、本工程では、半透光膜１７の減膜処理を行ったときに、減膜される部分と減膜されない部分が存在する。このうち、減膜されない半透光膜１７の部分は第１半透光膜１７ａとなり、減膜される半透光膜１７の部分は第２半透光膜１７ｂとなる。これにより、第２残膜部２３であった部分には、第２半透光膜１７ｂによって第２半透光部１４が形成される。また、第２半透光部１４に隣接する遮光膜１６上には、膜厚が異なる第１半透光膜１７ａと第２半透光膜１７ｂとが並存した状態となる。 By this step, in the portion that was the second remaining film portion 23 before the resist thinning process, not only the semi-transparent film 17 directly covering the transparent substrate 15 but also the light shielding adjacent to the second semi-transparent portion 14. The semi-transparent film 17 covering the edge portion E1 of the film 16 is also reduced together. Further, in this step, there are a portion where the film is reduced and a portion where the film is not reduced when the film reduction treatment of the semi-transparent film 17 is performed. Among these, the part of the semi-transparent film 17 that is not reduced becomes the first semi-transparent film 17a, and the part of the semi-transparent film 17 that is reduced becomes the second semi-transparent film 17b. As a result, the second semi-transparent portion 14 is formed by the second semi-transparent film 17 b in the portion that was the second remaining film portion 23. Further, on the light shielding film 16 adjacent to the second semi-transparent portion 14, the first semi-transparent film 17a and the second semi-transparent film 17b having different film thicknesses coexist.

［第２レジスト除去工程］
第２レジスト除去工程では、図３（Ｅ）に示すように、レジストパターン１９ｐ’を除去（剥離）する。これにより、第１残膜部２２であった部分には、上記半透光膜減膜処理で減膜されなかった第１半透光膜１７ａが新たに露出した状態となる。また、第１残膜部２２であった部分には、透明基板１５を直接覆う第１半透光膜１７ａによって第１半透光部１３が形成される。 [Second resist removal step]
In the second resist removing step, as shown in FIG. 3E, the resist pattern 19p ′ is removed (peeled). As a result, the first semi-transparent film 17a that has not been reduced by the semi-transparent film reduction process is newly exposed in the portion that was the first remaining film portion 22. Further, the first semi-transparent portion 13 is formed in the portion that was the first remaining film portion 22 by the first semi-transparent film 17 a that directly covers the transparent substrate 15.

以上の工程により、透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４を含む４階調の転写用パターンを備えたフォトマスク１０（図１を参照）が完成する。 Through the above steps, the photomask 10 having a four-tone transfer pattern including the light transmitting portion 11, the light shielding portion 12, the first semi-light transmitting portion 13, and the second semi-light transmitting portion 14 (see FIG. 1). Is completed.

このフォトマスク１０がもつ転写用パターンは、以下の構成を備えるものとなる。
すなわち、転写用パターンは、透明基板１５を露出してなる透光部１１と、透明基板１５上に第１半透光膜１７ａによって形成された第１半透光部１３と、透明基板１５上に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂによって形成された第２半透光部１４と、透明基板１５に遮光膜１６と半透光膜１７がこの順に積層されてなる遮光部１２とを有し、かつ、遮光膜１６と半透光膜１７は、同じエッチング剤によってエッチングされる材料によって構成される。 The transfer pattern of the photomask 10 has the following configuration.
That is, the transfer pattern includes the transparent portion 11 that exposes the transparent substrate 15, the first semi-transmissive portion 13 formed on the transparent substrate 15 by the first semi-transmissive film 17 a, and the transparent substrate 15. In addition, a second semi-transparent film having the same component as that of the first semi-transparent portion 13 and having a smaller film thickness than the first semi-transparent portion 13 is formed. The light portion 14 and the light-shielding portion 12 in which the light-shielding film 16 and the semi-transparent film 17 are laminated in this order on the transparent substrate 15, and the light-shielding film 16 and the semi-transparent film 17 are made of the same etching agent Consists of the material to be etched.

なお、上述した構成のなかで、「透明基板１５上に第１半透光膜１７ａによって形成された第１半透光部１３」とは、透明基板１５上に第１半透光膜１７ａが形成され、かつ、遮光膜１６が形成されていない第１半透光部１３を意味する。同様に、「透明基板１５上に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂによって形成された第２半透光部１４」とは、透明基板１５に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂが形成され、なおかつ、遮光膜１６が形成されていない第２半透光部１４を意味する。 In the configuration described above, “the first semi-transparent portion 13 formed by the first semi-transparent film 17 a on the transparent substrate 15” means that the first semi-transparent film 17 a is formed on the transparent substrate 15. It means the first semi-transparent portion 13 that is formed and in which the light shielding film 16 is not formed. Similarly, “a second semi-transparent film 17 b which is a semi-transparent film having the same component as the first semi-transparent part 13 and has a smaller film thickness than the first semi-transparent part 13 on the transparent substrate 15. The second semi-transparent part 14 ”formed by the above is a semi-transparent film having the same component as the first semi-transparent part 13 on the transparent substrate 15, and is a film formed from the first semi-transparent part 13. It means the second semi-transparent portion 14 in which the second semi-transparent film 17b having a small thickness is formed and the light-shielding film 16 is not formed.

第１半透光部１３と第２半透光部１４とは、第１半透光膜１７ａと第２半透光膜１７ｂとの膜厚差に応じて、露光光の代表波長に対する光透過率が異なる。具体的には、第１半透光部１３は、第２半透光部１４よりも露光光の代表波長に対する光透過率が低くなっている。第１半透光部１３と第２半透光部１４の光透過率の差は、例えば、３〜１５％とすることができる。また、露光光の代表波長に対する第１半透光部１３の光透過率は、例えば、１５〜６０％とすることができ、第２半透光部１４の光透過率は、１８〜７５％とすることができる。 The first semi-transmissive part 13 and the second semi-transmissive part 14 transmit light with respect to the representative wavelength of the exposure light according to the film thickness difference between the first semi-transmissive film 17a and the second semi-transmissive film 17b. The rate is different. Specifically, the first semi-transmissive part 13 has a lower light transmittance with respect to the representative wavelength of the exposure light than the second semi-transmissive part 14. The difference in light transmittance between the first semi-transmissive part 13 and the second semi-transmissive part 14 can be 3 to 15%, for example. In addition, the light transmittance of the first semi-transmissive portion 13 with respect to the representative wavelength of the exposure light can be, for example, 15 to 60%, and the light transmittance of the second semi-transmissive portion 14 is 18 to 75%. It can be.

また、ここでは好ましい形態として、遮光部１２と第２半透光部１４とが隣接する部分を有している。また、第１半透光部１３と第２半透光部１４とは、両者の間に介在する遮光膜１６によって分離されている。そして、この遮光膜１６上に積層された半透光膜１７は、第１半透光部１３側に位置する第１半透光膜１７ａと第２半透光部１４側に位置する第２半透光膜１７ｂの両方を含んでいる。また、第２半透光部１４に隣接する遮光部１２を形成している遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１には、第１半透光膜１７ａよりも膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂが積層されており、当該遮光膜１６に隣接する第２半透光部１４にも、上記エッジ部分Ｅ１と同じ膜厚で第２半透光膜１７ｂが積層されている。また、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１に積層されている第２半透光膜１７ｂの寸法Ｌ５（図３（Ｄ）を参照）は、上述した描画データのサイジングに適用したアライメントマージンα（図３（Ａ）を参照）に対応する寸法となる。 Here, as a preferred embodiment, the light shielding portion 12 and the second semi-transparent portion 14 have adjacent portions. Moreover, the 1st semi-transparent part 13 and the 2nd semi-transparent part 14 are isolate | separated by the light shielding film 16 interposed between both. The semi-transparent film 17 laminated on the light shielding film 16 includes a first semi-transparent film 17a located on the first semi-transparent part 13 side and a second semi-transparent part 14 side. Both of the semi-translucent films 17b are included. Further, the second semi-transparent film 17b having a smaller film thickness than the first semi-transparent film 17a is formed at the edge portion E1 of the light-shielding film 16 forming the light-shielding part 12 adjacent to the second semi-transparent part 14. The second semi-transparent film 17b having the same thickness as the edge portion E1 is also laminated on the second semi-transparent portion 14 adjacent to the light shielding film 16. The dimension L5 (see FIG. 3D) of the second semi-transparent film 17b laminated on the edge portion E1 of the light shielding film 16 is the alignment margin α (see FIG. 3) applied to the sizing of the drawing data described above. (See (A)).

また、他の好ましい形態として、第１半透光部１３と第２半透光部１４とは互いに隣接する部分を有していない。具体的には、第１半透光部１３と第２半透光部１４との間には遮光部１２（遮光膜１６）が介在し、この遮光部１２によって第１半透光部１３と第２半透光部１４とが分離されている。このような構成であれば、第１半透光部１３と遮光部１２との境界や、第２半透光部１４と遮光部１２との境界が、遮光部１２によって画定される。また、この遮光部１２は、単一の膜からなる遮光膜１６によって形成されている。このため、第２半透光部１４が遮光部１２に隣接し、この遮光部１２によって第２半透光部１４が囲まれている形態の転写用パターンに本実施形態の製造方法を適用すれば、より高くＣＤ精度を維持できるという利点が得られる。その理由は、次のとおりである。 As another preferred embodiment, the first semi-transmissive part 13 and the second semi-transmissive part 14 do not have a portion adjacent to each other. Specifically, a light shielding portion 12 (light shielding film 16) is interposed between the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14, and the first semi-transmissive portion 13 and the light shielding portion 12 are interposed therebetween. The second semi-transparent portion 14 is separated. With such a configuration, the boundary between the first semi-transmissive portion 13 and the light shielding portion 12 and the boundary between the second semi-transmissive portion 14 and the light shielding portion 12 are defined by the light shielding portion 12. The light shielding portion 12 is formed of a light shielding film 16 made of a single film. For this reason, the manufacturing method of this embodiment is applied to a transfer pattern in which the second semi-transparent portion 14 is adjacent to the light-shielding portion 12 and the second semi-transparent portion 14 is surrounded by the light-shielding portion 12. Thus, there is an advantage that the CD accuracy can be maintained higher. The reason is as follows.

まず、上記図３（Ａ）に示す第１レジストパターン形成工程において、第２残膜部２３を形成するための描画時の照射エネルギーは、通常の描画時に適用する照射エネルギーよりも相対的に小さくなる。このため、第１残膜部２２と第２残膜部２３との間のドーズ量の差が小さく、第２残膜部２３のレジストパターン断面の垂直性が低くなりやすい（断面の倒れが顕著になりやすい）。したがって、ＣＤを決定するためのレジストの減膜を厳密に行う必要がある。これに対して、本実施形態では、第２半透光部１４に対して、第１半透光部１３が隣接せず、遮光部１２が隣接して配置されている。このようなパターンであれば、遮光膜パターニング工程で遮光膜１６をパターニングする際に、第２半透光部１４と遮光部１２の境界が既に画定されているため、ＣＤ精度が劣化するリスクを低減することができる。このため、より高くＣＤ精度を維持できることになる。
更に、上記第１レジストパターン形成工程では、遮光膜１６をパターニングして得られる遮光膜パターン１６ｐのパターン幅内にアライメントマージンαを設定している。このため、レジスト膜１８の描画とレジスト膜１９の描画との間で生じる可能性のあるアライメントずれをアライメントマージンαによって吸収することができる。したがって、遮光部１２の領域を遮光膜１６によって正確に画定したうえで、第２半透光部１４の領域を正確に画定することができる。 First, in the first resist pattern forming step shown in FIG. 3A, the irradiation energy at the time of drawing for forming the second remaining film portion 23 is relatively smaller than the irradiation energy applied at the time of normal drawing. Become. For this reason, the difference in dose amount between the first remaining film portion 22 and the second remaining film portion 23 is small, and the perpendicularity of the resist pattern cross section of the second remaining film portion 23 tends to be low (the cross-sectional collapse is remarkable). ). Therefore, it is necessary to strictly perform resist film reduction for determining the CD. On the other hand, in the present embodiment, the first semi-transparent portion 13 is not adjacent to the second semi-transparent portion 14 and the light shielding portion 12 is adjacent to the second semi-transparent portion 14. With such a pattern, when the light shielding film 16 is patterned in the light shielding film patterning step, the boundary between the second semi-transparent portion 14 and the light shielding portion 12 is already defined, and thus there is a risk that the CD accuracy is deteriorated. Can be reduced. For this reason, the CD accuracy can be maintained higher.
Further, in the first resist pattern forming step, the alignment margin α is set within the pattern width of the light shielding film pattern 16p obtained by patterning the light shielding film 16. For this reason, the misalignment that may occur between the drawing of the resist film 18 and the drawing of the resist film 19 can be absorbed by the alignment margin α. Therefore, the region of the light-shielding part 12 can be accurately defined by the light-shielding film 16 and the region of the second semi-transparent part 14 can be accurately defined.

また、例えば上記図１に示すように、第２半透光部１４が遮光部１２に隣接し、この遮光部１２によって第２半透光部１４が囲まれているパターンは、特にＣＤ精度を高く維持することができるため、より好ましいものとなる。 Further, for example, as shown in FIG. 1 above, a pattern in which the second semi-transparent portion 14 is adjacent to the light-shielding portion 12 and the second semi-transparent portion 14 is surrounded by the light-shielding portion 12 has particularly high CD accuracy. Since it can maintain high, it becomes more preferable.

更に、本実施形態に係るフォトマスク１０の転写用パターンでは、透光部１１が第１半透光部１３に隣接し、この第１半透光部１３によって透光部１１が囲まれている。 Furthermore, in the transfer pattern of the photomask 10 according to the present embodiment, the translucent portion 11 is adjacent to the first semi-transparent portion 13, and the translucent portion 11 is surrounded by the first semi-transparent portion 13. .

ここで、上記図１に示す転写用パターンにおいて、第２半透光部１４に隣接する遮光部１２のうち、第２半透光部１４の両側でこれに隣接する遮光部１２の２つのパターン部分、すなわち第２半透光部１４を間に挟んで線対称な位置であって、第２半透光部１４を介して互いに対向する位置にある２つのパターン部分のパターン幅（ＣＤ）をそれぞれＷ１（μｍ）、Ｗ２（μｍ）とする。そうした場合、Ｗ１及びＷ２は、描画データの段階で同一寸法に形成（設定）している。ただし、描画データの段階では同一寸法に形成したパターンであっても、複数回の描画や、複数回のエッチングにより形成されるパターンであれば、設計どおりに同一寸法として形成することは容易でない。すなわち、複数回の描画を行う場合には、相対的なアライメントずれが生じ、このアライメントずれを完全に防止することはできない。また、複数回のエッチングを行う場合には、エッチングによってパターニングが行われた後に、更に、エッチング作用のある液との接触を受けた膜の端面が、サイドエッチングによって後退する。したがって、最終的なパターンＣＤ寸法を非対称に変動させる要素があり得ることから、上記のＷ１及びＷ２を設計どおりに同一寸法として形成することは容易ではない。 Here, in the transfer pattern shown in FIG. 1, of the light shielding portions 12 adjacent to the second semi-transparent portion 14, two patterns of the light shielding portions 12 adjacent to both sides of the second semi-transparent portion 14. The pattern width (CD) of two pattern portions that are line symmetrical with respect to each other, that is, with the second semi-transparent portion 14 therebetween, and that are opposed to each other with the second semi-transparent portion 14 interposed therebetween. They are W1 (μm) and W2 (μm), respectively. In such a case, W1 and W2 are formed (set) with the same dimensions at the stage of drawing data. However, even if the pattern is formed with the same size at the stage of drawing data, it is not easy to form the pattern with the same size as designed as long as it is a pattern formed by multiple times of drawing and multiple times of etching. That is, when drawing is performed a plurality of times, a relative misalignment occurs, and this misalignment cannot be completely prevented. Further, in the case of performing etching a plurality of times, after patterning is performed by etching, the end face of the film that has been contacted with the liquid having an etching action is further retracted by side etching. Therefore, since there may be an element that varies the final pattern CD dimension asymmetrically, it is not easy to form the above W1 and W2 as the same dimension as designed.

ただし、本実施形態では、上述した製造工程の説明からも明らかなとおり、遮光部１２の領域は、遮光膜１６のパターニングによって画定する。更に、半透光膜１７のパターニングにおいては、半透光膜１７のみがエッチング対象となる。このため、確定した遮光部１２のＣＤに影響が無い。したがって、設計上、上記のＷ１とＷ２が等しいパターンであるとき、被転写体上においても、Ｗ１とＷ２が実質的に等しく、たとえそれらの間に誤差（差異）が生じるとしても、｜Ｗ１−Ｗ２｜≦０．１μｍとなる。これは、例えばフォトマスク主表面の面積（表示装置製造用のフォトマスク主表面は、一辺が３００ｍｍ以上の四角形が主である）におけるパターニング面内ばらつきが生じた場合と考えられる。 However, in the present embodiment, as is apparent from the above description of the manufacturing process, the region of the light shielding portion 12 is defined by patterning of the light shielding film 16. Furthermore, in the patterning of the semi-transparent film 17, only the semi-transparent film 17 is an object to be etched. For this reason, there is no influence on the confirmed CD of the light shielding portion 12. Therefore, by design, when W1 and W2 are the same pattern, even if W1 and W2 are substantially equal on the transfer target, even if an error (difference) occurs between them, | W1- W2 | ≦ 0.1 μm. This is considered to be a case where, for example, patterning in-plane variation occurs in the area of the main surface of the photomask (the main surface of the photomask for manufacturing a display device is mainly a rectangle having a side of 300 mm or more).

＜３．第２実施形態に係るフォトマスクの構成＞
図４は本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの構成を示すもので、（Ａ）は側断面図、（Ｂ）は平面図である。なお、図４の（Ｂ）では便宜上、（Ａ）の側断面図との対応関係が理解しやすいように、（Ａ）と同様のハッチング処理を施している。また、本実施形態では、上記第１実施形態と同様の部分に同じ符号を付し、重複する説明はできるだけ省略する。
図示したフォトマスク１０は、透光部１１と、遮光部１２と、第１半透光部１３と、第２半透光部１４とを含む４階調の転写用パターンを備えるものである。この転写用パターンは、上記第１実施形態の場合と比較して、以下の点が異なる。すなわち、第２実施形態のフォトマスク１０が備える転写用パターンでは、透光部１１に遮光部１２が隣接し、この遮光部１２によって透光部１１が囲まれている。また、透光部１１と第２半透光部１４とは、それぞれ異なる遮光部１２のパターンによって囲まれている。 <3. Configuration of Photomask According to Second Embodiment>
4A and 4B show a configuration of a photomask according to the second embodiment of the present invention, in which FIG. 4A is a side sectional view and FIG. 4B is a plan view. In FIG. 4B, for the sake of convenience, the same hatching process as in FIG. 4A is performed so that the correspondence with the side sectional view of FIG. Moreover, in this embodiment, the same code | symbol is attached | subjected to the part similar to the said 1st Embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted as much as possible.
The illustrated photomask 10 includes a four-tone transfer pattern including a translucent portion 11, a light shielding portion 12, a first semi-transparent portion 13, and a second semi-transparent portion 14. This transfer pattern is different from the first embodiment in the following points. That is, in the transfer pattern provided in the photomask 10 of the second embodiment, the light-shielding portion 12 is adjacent to the light-transmitting portion 11, and the light-transmitting portion 11 is surrounded by the light-shielding portion 12. Moreover, the translucent part 11 and the second semi-translucent part 14 are surrounded by different patterns of the light shielding part 12.

＜４．第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法＞
次に、本発明の第２実施形態に係るフォトマスクの製造方法について、図５及び図６を用いて説明する。本実施形態に係るフォトマスクの製造方法（製造工程）は、上記第１実施形態と同様に、準備工程と、遮光膜パターニング工程（レジストパターニング工程、遮光膜エッチング工程）と、第１レジスト除去工程と、半透光膜形成工程と、半透光膜パターニング工程（レジスト膜形成工程、第１レジストパターン形成工程、第１エッチング工程、第２レジストパターン形成工程、第２エッチング工程）と、第２レジスト除去工程と、を含む。以下、各工程について順に説明する。 <4. Photomask Manufacturing Method According to Second Embodiment>
Next, a photomask manufacturing method according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The photomask manufacturing method (manufacturing process) according to this embodiment includes a preparation process, a light shielding film patterning process (resist patterning process, light shielding film etching process), and a first resist removal process, as in the first embodiment. A semi-transparent film forming step, a semi-transparent film patterning step (resist film forming step, first resist pattern forming step, first etching step, second resist pattern forming step, second etching step), second And a resist removal step. Hereinafter, each process is demonstrated in order.

［準備工程］
まず、準備工程では、図５（Ａ）に示すように、透明基板１５上に遮光膜１６が形成されるとともに、遮光膜１６の表面にレジスト膜１８が形成されたレジスト付のフォトマスクブランク２０を用意する。 [Preparation process]
First, in the preparation step, as shown in FIG. 5A, a light-shielding film 16 is formed on the transparent substrate 15 and a resist-coated photomask blank 20 in which a resist film 18 is formed on the surface of the light-shielding film 16. Prepare.

（レジストパターン形成工程）
レジストパターン形成工程では、図５（Ｂ）に示すように、上記のレジスト膜１８を描画及び現像することにより、透明基板１５の遮光膜１６上にレジストパターン１８ｐを形成する。 (Resist pattern formation process)
In the resist pattern forming step, as shown in FIG. 5B, the resist film 18 is drawn and developed to form a resist pattern 18p on the light shielding film 16 of the transparent substrate 15.

（遮光膜エッチング工程）
遮光膜エッチング工程では、図５（Ｃ）に示すように、上記のレジストパターン１８ｐをマスクとして遮光膜１６をエッチングすることにより、透明基板１５上に遮光膜パターン１６ｐを形成する。 (Light shielding film etching process)
In the light shielding film etching step, as shown in FIG. 5C, the light shielding film 16 is etched using the resist pattern 18p as a mask to form the light shielding film pattern 16p on the transparent substrate 15.

[第１レジスト除去工程]
第１レジスト除去工程では、図５（Ｄ）に示すように、上記のレジストパターン１８ｐを除去（剥離）する。 [First resist removal process]
In the first resist removing step, as shown in FIG. 5D, the resist pattern 18p is removed (peeled).

[半透光膜形成工程]
半透光膜形成工程では、図５（Ｅ）に示すように、主表面に遮光膜パターン１６ｐが形成された透明基板１５上に、所定の成膜方法によって半透光膜１７を形成する。 [Translucent film forming process]
In the semi-transparent film forming step, as shown in FIG. 5E, the semi-transparent film 17 is formed by a predetermined film formation method on the transparent substrate 15 having the light shielding film pattern 16p formed on the main surface.

（レジスト膜形成工程）
レジスト膜形成工程では、図５（Ｆ）に示すように、半透光膜１７が形成された透明基板１５上に、半透光膜１７を覆う状態でレジスト膜１９を形成する。 (Resist film formation process)
In the resist film forming step, as shown in FIG. 5F, a resist film 19 is formed on the transparent substrate 15 on which the semi-transparent film 17 is formed so as to cover the semi-transparent film 17.

ここまでの工程では、透光部１１に隣接する遮光部１２に対応する領域に遮光膜パターン１６ｐを残すように遮光膜１６をパターニングする以外は、上記第１実施形態と同様である。 The steps so far are the same as those in the first embodiment except that the light shielding film 16 is patterned so that the light shielding film pattern 16p is left in the region corresponding to the light shielding part 12 adjacent to the light transmitting part 11.

（第１レジストパターン形成工程）
第１レジストパターン形成工程では、図６（Ａ）に示すように、上記のレジスト膜１９を描画及び現像することにより、レジストパターン１９ｐを形成する。レジスト膜１９は描画装置を用いて描画するが、この描画には上記第１実施形態で述べた階調描画法を適用する。これにより、図示のような段差形状をもつレジストパターン（第１レジストパターン）１９ｐが得られる。 (First resist pattern forming step)
In the first resist pattern formation step, as shown in FIG. 6A, the resist film 19 is drawn and developed to form a resist pattern 19p. The resist film 19 is drawn using a drawing apparatus, and the gradation drawing method described in the first embodiment is applied to this drawing. As a result, a resist pattern (first resist pattern) 19p having a stepped shape as shown is obtained.

ここで、本工程でレジスト膜１９を描画する場合と、図５（Ｂ）に示す工程でレジスト膜１８を描画する場合との間には、アライメントずれを生じる可能性がある。そこで、このアライメントずれを生じる可能性を排除するため、レジスト膜１９の描画に適用する描画データにサイジングを施す。具体的には、上記第１実施形態と同様に、遮光膜１６によって規定される第２半透光部１４の寸法に対して、アライメントマージンαを加味したサイジングを描画データに施すことにより、描画すべき第２残膜部２３の寸法Ｌ１を第２半透光部１４となる領域の寸法Ｌ２よりも大きく設定している。 Here, misalignment may occur between the case where the resist film 19 is drawn in this step and the case where the resist film 18 is drawn in the step shown in FIG. Therefore, in order to eliminate the possibility of this misalignment, sizing is performed on the drawing data applied to the drawing of the resist film 19. Specifically, as in the first embodiment, the drawing data is subjected to sizing with the alignment margin α added to the dimensions of the second semi-transparent portion 14 defined by the light-shielding film 16, thereby rendering the drawing data. The dimension L1 of the second remaining film portion 23 to be set is set larger than the dimension L2 of the region to be the second semi-transparent portion 14.

また、本実施形態では、最終的に得ようとする転写用パターンにおいて、透光部１１と第１半透光部１３とが隣接する部分を有しないため、上記第１実施形態で述べたエッチングマージンβ（図３（Ａ）を参照）を加味する必要はない。ただし、透光部１１には遮光部１２が隣接している。そこで本実施形態では、遮光膜１６によって規定される透光部１１の寸法に対しても、アライメントマージンαを加味したサイジングを描画データに施すことにより、描画すべき開口部２１の寸法Ｌ６を透光部１１となる領域の寸法Ｌ７よりも大きく設定している。 Further, in the present embodiment, the transfer pattern to be finally obtained does not have a portion where the light transmitting portion 11 and the first semi-light transmitting portion 13 are adjacent to each other. Therefore, the etching described in the first embodiment is performed. It is not necessary to consider the margin β (see FIG. 3A). However, the light-shielding part 12 is adjacent to the translucent part 11. Therefore, in the present embodiment, the dimension L6 of the opening 21 to be drawn is made transparent by performing sizing on the drawing data in consideration of the alignment margin α with respect to the dimension of the light transmitting part 11 defined by the light shielding film 16. It is set to be larger than the dimension L7 of the region to be the light portion 11.

（第１エッチング工程）
第１エッチング工程では、図６（Ｂ）に示すように、レジストパターン１９ｐをマスクとして半透光膜１７をエッチングする。これにより、上記の開口部２１で露出している半透光膜１７がエッチングによって除去される。その結果、開口部２１で透明基板１５が露出した状態となる。 (First etching process)
In the first etching step, as shown in FIG. 6B, the semi-transparent film 17 is etched using the resist pattern 19p as a mask. As a result, the semi-transparent film 17 exposed at the opening 21 is removed by etching. As a result, the transparent substrate 15 is exposed at the opening 21.

また、本実施形態では、上述したように開口部２１の寸法Ｌ６にアライメントマージンαを加味している。このため、開口部２１では、透明基板１５上に直接積層された半透光膜１７だけなく、遮光膜１６上に積層された半透光膜１７の一部もエッチングによって除去される。したがって、エッチング後は、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ２が開口部２１に直接露出した状態となる。このエッジ部分Ｅ２の領域は、描画データのサイジングに適用したアライメントマージンαの寸法に基づいて形成される。 In the present embodiment, the alignment margin α is added to the dimension L6 of the opening 21 as described above. Therefore, in the opening 21, not only the semi-transparent film 17 directly laminated on the transparent substrate 15 but also a part of the semi-transparent film 17 laminated on the light shielding film 16 is removed by etching. Therefore, after the etching, the edge portion E2 of the light shielding film 16 is directly exposed to the opening 21. The region of the edge portion E2 is formed based on the dimension of the alignment margin α applied to drawing data sizing.

また、本実施形態では、遮光膜１６と半透光膜１７がいずれもＣｒを含有する膜になっている。このため、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ２で遮光膜材料がエッチング液に接触することにより、その表面部分が僅かにエッチングされることがある。そうした場合、エッジ部分Ｅ２で遮光膜１６の表面が僅かに損傷したり、その膜厚が僅かに減少したりすることがあるが、遮光膜１６としての遮光性能には影響を与えない。また、遮光膜１６の表面がエッチングの影響を受ける場合にも、その膜厚の減少量は、エッジ部分Ｅ２以外の遮光膜１６の膜厚に対して、１／５以下である。より好ましくは１／１０００〜１／１０、更に好ましくは、１／１００〜１／１０とすることができる。 In the present embodiment, the light shielding film 16 and the semi-transparent film 17 are both films containing Cr. For this reason, when the light shielding film material comes into contact with the etching solution at the edge portion E2 of the light shielding film 16, the surface portion may be slightly etched. In such a case, the surface of the light shielding film 16 may be slightly damaged or the film thickness may be slightly reduced at the edge portion E2, but the light shielding performance as the light shielding film 16 is not affected. Even when the surface of the light shielding film 16 is affected by the etching, the amount of decrease in the film thickness is 1/5 or less of the film thickness of the light shielding film 16 other than the edge portion E2. More preferably, it can be set to 1/1000 to 1/10, and more preferably 1/100 to 1/10.

したがって、遮光膜１６が半透光膜１７のエッチング液による影響を受ける場合においても、遮光膜１６がエッチング除去されるのではなく、その膜厚の一部が減少するだけである。つまり、エッチング除去の対象となるのは半透光膜１７のみである。本発明では、このようなエッチングを含めて、実質的に単一膜のエッチングとする。このため、特許文献１に採用されているような、２つの膜を連続してエッチング除去する工程は、本発明のフォトマスクの製造方法に適用する必要がない。 Accordingly, even when the light shielding film 16 is affected by the etching solution of the semi-transparent film 17, the light shielding film 16 is not removed by etching, but only a part of the film thickness is reduced. That is, only the semi-transparent film 17 is subject to etching removal. In the present invention, a single film etching is substantially performed including such etching. For this reason, it is not necessary to apply to the photomask manufacturing method of the present invention the process of successively removing the two films as employed in Patent Document 1.

ここで、対象膜をエッチングによって除去するのに要する時間を「エッチング所要時間」と定義し、遮光膜１６のエッチング所要時間をＴ１、半透光膜１７（図６（Ｄ）において減膜する前のもの）のエッチング所要時間をＴ２とすると、Ｔ１＞Ｔ２、好ましくは、Ｔ２／Ｔ１＝１／４〜１／２０であることが好ましい。このような場合は、上記のエッジ部分Ｅ２で遮光膜１６の表面が一部エッチングされても、遮光膜１６の遮光性を、より完全な状態に維持することができる。また、遮光膜１６の遮光性の維持という観点からすると、フォトマスクブランク２０における遮光膜１６の膜厚を、半透光膜１７の膜厚の５倍〜５０倍とすることが好ましい。また、遮光部１２のうち、上記のエッジ部分Ｅ２の遮光性については、遮光膜１６の光学濃度（ＯＤ）が、エッジ部分Ｅ２においても２．０以上であり、より好ましくは３．０以上、更に好ましくは４．０以上であるのがよい。 Here, the time required to remove the target film by etching is defined as “required etching time”, and the required etching time of the light shielding film 16 is T1, before the film is reduced in the semi-transparent film 17 (FIG. 6D). T1> T2, preferably T2 / T1 = 1/4 to 1/20, where T2 is the required etching time. In such a case, even if the surface of the light shielding film 16 is partially etched at the edge portion E2, the light shielding property of the light shielding film 16 can be maintained in a more complete state. From the viewpoint of maintaining the light shielding property of the light shielding film 16, the thickness of the light shielding film 16 in the photomask blank 20 is preferably 5 to 50 times the film thickness of the semi-transparent film 17. In addition, regarding the light shielding property of the edge portion E2 in the light shielding portion 12, the optical density (OD) of the light shielding film 16 is 2.0 or more in the edge portion E2, more preferably 3.0 or more. More preferably, it is 4.0 or more.

（第２レジストパターン形成工程）
第２レジストパターン形成工程では、図６（Ｃ）に示すように、上記のレジストパターン１９ｐの膜厚を最表面から所定量だけ減少させる処理（レジスト減膜処理）を行うことにより、第２レジストパターンとなるレジストパターン１９ｐ’を形成する。これにより、第２残膜部２３ではレジストが除去されて開口し、この開口部分に半透光膜１７（すなわち、第２半透光部１４の形成領域）が新たに露出した状態となる。 (Second resist pattern forming step)
In the second resist pattern forming step, as shown in FIG. 6C, the second resist is formed by reducing the film thickness of the resist pattern 19p by a predetermined amount from the outermost surface (resist thinning process). A resist pattern 19p ′ to be a pattern is formed. As a result, the resist is removed and opened in the second remaining film portion 23, and the semi-transparent film 17 (that is, the formation region of the second semi-transparent portion 14) is newly exposed in this opening portion.

（第２エッチング工程）
第２エッチング工程では、図６（Ｄ）に示すように、上記のレジスト減膜処理によって新たに露出した半透光膜１７をエッチングして、半透光膜１７の膜厚を減少させる処理（半透光膜減膜処理）を行う。半透光膜減膜処理では、レジストパターン１９ｐ’をマスクとして、上記第１実施形態と同様のエッチング剤（エッチング液）を作用させることにより、半透光膜１７の膜厚を減少させる。そして、第２半透光部１４に求められる光透過率としての所望値を示す減膜量となったところで、エッチングを停止する。その際、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１を覆っている半透光膜１７も一緒に減膜される。これにより、半透光膜１７は、本工程で減膜されない第１半透光膜１７ａと、本工程で減膜される第２半透光膜１７ｂとに分かれる。また、第２残膜部２３であった部分には、第２半透光膜１７ｂによって第２半透光部１４が形成される。 (Second etching process)
In the second etching process, as shown in FIG. 6D, the semi-transparent film 17 newly exposed by the resist thinning process is etched to reduce the thickness of the semi-transparent film 17 ( Semi-translucent film reduction process) is performed. In the semi-transparent film reduction process, the film thickness of the semi-transparent film 17 is reduced by applying the same etching agent (etching solution) as in the first embodiment using the resist pattern 19p ′ as a mask. Then, the etching is stopped when the amount of film reduction that shows a desired value as the light transmittance required for the second semi-translucent portion 14 is reached. At that time, the semi-transparent film 17 covering the edge portion E1 of the light shielding film 16 is also reduced. Thus, the semi-transparent film 17 is divided into a first semi-transparent film 17a that is not reduced in this process and a second semi-transparent film 17b that is reduced in this process. The second semi-transparent portion 14 is formed by the second semi-transparent film 17b in the portion that was the second remaining film portion 23.

また、本工程においては、エッジ部分Ｅ２に露出している遮光膜１６においても、エッチング液と接触することとなる。また、本実施形態では、遮光膜１６と半透光膜１７がいずれもＣｒを含有する膜であるため、同じエッチング液によってエッチングの作用を受けやすい。ただし、本工程は、半透光膜１７をエッチングによって除去するのではなく、半透光膜１７の膜厚を減少させる工程であって、エッチング時間はわずかである。このため、上記図６（Ｂ）の第１エッチング工程で受けるエッチングの影響と合わせても、遮光性能への影響は無い。 In this step, the light shielding film 16 exposed at the edge portion E2 is also in contact with the etching solution. In the present embodiment, since both the light shielding film 16 and the semi-transparent film 17 are films containing Cr, they are easily affected by the etching with the same etching solution. However, this process does not remove the semi-transparent film 17 by etching but reduces the film thickness of the semi-transparent film 17, and the etching time is short. For this reason, even if it combines with the influence of the etching received in the first etching step of FIG.

［第２レジスト除去工程］
第２レジスト除去工程では、図６（Ｅ）に示すように、レジストパターン１９ｐ’を除去（剥離）する。これにより、第１残膜部２２であった部分には、上記半透光膜減膜処理で減膜されなかった第１半透光膜１７ａが新たに露出した状態となる。また、第１残膜部２２であった部分には、透明基板１５を直接覆う第１半透光膜１７ａによって第１半透光部１３が形成される。 [Second resist removal step]
In the second resist removing step, as shown in FIG. 6E, the resist pattern 19p ′ is removed (peeled). As a result, the first semi-transparent film 17a that has not been reduced by the semi-transparent film reduction process is newly exposed in the portion that was the first remaining film portion 22. Further, the first semi-transparent portion 13 is formed in the portion that was the first remaining film portion 22 by the first semi-transparent film 17 a that directly covers the transparent substrate 15.

以上の工程により、透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４を含む４階調の転写用パターンを備えたフォトマスク１０（図４を参照）が完成する。 Through the above steps, the photomask 10 having the four-tone transfer pattern including the light transmitting portion 11, the light shielding portion 12, the first semi-light transmitting portion 13, and the second semi-light transmitting portion 14 (see FIG. 4). Is completed.

このフォトマスク１０がもつ転写用パターンは、上記第１実施形態と同様に、以下の構成を備えるものとなる。
すなわち、転写用パターンは、透明基板１５を露出してなる透光部１１と、透明基板１５上に第１半透光膜１７ａによって形成された第１半透光部１３と、透明基板１５上に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂによって形成された第２半透光部１４と、透明基板１５に遮光膜１６と半透光膜１７がこの順に積層されてなる遮光部１２とを有し、かつ、遮光膜１６と半透光膜１７は、同じエッチング剤によってエッチングされる材料によって構成される。 Similar to the first embodiment, the transfer pattern of the photomask 10 has the following configuration.
That is, the transfer pattern includes the transparent portion 11 that exposes the transparent substrate 15, the first semi-transmissive portion 13 formed on the transparent substrate 15 by the first semi-transmissive film 17 a, and the transparent substrate 15. In addition, a second semi-transparent film having the same component as that of the first semi-transparent portion 13 and having a smaller film thickness than the first semi-transparent portion 13 is formed. The light portion 14 and the light-shielding portion 12 in which the light-shielding film 16 and the semi-transparent film 17 are laminated in this order on the transparent substrate 15, and the light-shielding film 16 and the semi-transparent film 17 are made of the same etching agent Consists of the material to be etched.

また、本実施形態においても、「透明基板１５上に第１半透光膜１７ａによって形成された第１半透光部１３」とは、透明基板１５上に第１半透光膜１７ａが形成され、かつ、遮光膜１６が形成されていない第１半透光部１３を意味する。同様に、「透明基板１５上に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂによって形成された第２半透光部１４」とは、透明基板１５に、第１半透光部１３と同じ成分の半透光膜であって、かつ、第１半透光部１３より膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂが形成され、なおかつ、遮光膜１６が形成されていない第２半透光部１４を意味する。 Also in the present embodiment, the “first semi-transparent portion 13 formed by the first semi-transparent film 17 a on the transparent substrate 15” means that the first semi-transparent film 17 a is formed on the transparent substrate 15. In addition, it means the first semi-transparent portion 13 in which the light shielding film 16 is not formed. Similarly, “a second semi-transparent film 17 b which is a semi-transparent film having the same component as the first semi-transparent part 13 and has a smaller film thickness than the first semi-transparent part 13 on the transparent substrate 15. The second semi-transparent part 14 ”formed by the above is a semi-transparent film having the same component as the first semi-transparent part 13 on the transparent substrate 15, and is a film formed from the first semi-transparent part 13. It means the second semi-transparent portion 14 in which the second semi-transparent film 17b having a small thickness is formed and the light-shielding film 16 is not formed.

ただし、本実施形態においては、透光部１１と第２半透光部１４がそれぞれ遮光部１２と隣接し、かつ、遮光部１２によって囲まれている点で、上記第１実施形態とは異なる。また、本実施形態のフォトマスク１０がもつ転写用パターンにおいては、第１半透光部１３と第２半透光部１４とが互いに隣接する隣接部を有していないことが好ましい。この場合は、転写用パターン上に存在する透光部１１、遮光部１２、および半透光部（１３，１４）の各々の領域が、すべて遮光膜パターニング工程によって確定される。したがって、遮光膜１６のパターニングと半透光膜１７のパターニングとの重ね合わせ（Overlay）精度が極めて高いという利点がある。 However, the present embodiment is different from the first embodiment in that the light transmitting portion 11 and the second semi-light transmitting portion 14 are adjacent to the light shielding portion 12 and surrounded by the light shielding portion 12, respectively. . In addition, in the transfer pattern of the photomask 10 of the present embodiment, it is preferable that the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14 do not have adjacent portions adjacent to each other. In this case, the regions of the light transmitting portion 11, the light shielding portion 12, and the semi-light transmitting portions (13, 14) existing on the transfer pattern are all determined by the light shielding film patterning step. Therefore, there is an advantage that the overlay accuracy between the patterning of the light shielding film 16 and the patterning of the semi-transparent film 17 is extremely high.

また、遮光部１２と第２半透光部１４とが隣接する部分において、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１には、第１半透光膜１７ａよりも膜厚が小さい第２半透光膜１７ｂが積層されており、当該遮光膜１６に隣接する第２半透光部１４にも、上記エッジ部分Ｅ１と同じ膜厚で第２半透光膜１７ｂが積層されている。また、遮光膜１６のエッジ部分Ｅ１に積層されている第２半透光膜１７ｂの寸法Ｌ５（図６（Ｄ）を参照）は、上述した描画データのサイジングに適用したアライメントマージンα（図６（Ａ）を参照）に対応する寸法となる。 Further, in a portion where the light shielding portion 12 and the second semi-transmissive portion 14 are adjacent to each other, the edge portion E1 of the light shielding film 16 has a second semi-transmissive film 17b having a thickness smaller than that of the first semi-transmissive film 17a. The second semi-transparent film 17b having the same thickness as the edge portion E1 is also laminated on the second semi-transparent portion 14 adjacent to the light shielding film 16. The dimension L5 (see FIG. 6D) of the second semi-transparent film 17b laminated on the edge portion E1 of the light shielding film 16 is the alignment margin α (see FIG. 6) applied to the sizing of the drawing data described above. (See (A)).

一方、透光部１１に隣接する遮光部１２のエッジ部分Ｅ２においては、遮光膜１６上に積層した半透光膜１７が除去され、遮光膜１６が露出している。透光部１１と隣接する遮光部１２のエッジ部分Ｅ２では、その遮光部１２を形成する遮光膜１６の膜厚が一部減少している。この点は、上記第１実施形態と異なる。エッジ部分Ｅ２の遮光膜１６の表面は、膜厚の一部分がエッチングにより失われていてもよい。その場合であっても、エッジ部分Ｅ２を含む遮光膜１６の光学濃度（ＯＤ）は、２．０以上に維持されている。 On the other hand, in the edge part E2 of the light shielding part 12 adjacent to the light transmitting part 11, the semi-transparent film 17 laminated on the light shielding film 16 is removed, and the light shielding film 16 is exposed. At the edge portion E2 of the light shielding portion 12 adjacent to the light transmitting portion 11, the thickness of the light shielding film 16 forming the light shielding portion 12 is partially reduced. This point is different from the first embodiment. A part of the film thickness of the surface of the light shielding film 16 at the edge portion E2 may be lost by etching. Even in that case, the optical density (OD) of the light shielding film 16 including the edge portion E2 is maintained at 2.0 or more.

また、本実施形態においても、第２半透光部１４に隣接する遮光部１２のパターン構成上、第２半透光部１４を間に挟んで線対称な位置であって、第２半透光部１４を介して互いに対向する位置にある２つのパターン部分のパターン幅（ＣＤ）、すなわちＷ１及びＷ２は、描画データの段階で同一寸法に形成（設定）している。そして、上記の製造工程の説明からも明らかなとおり、遮光部１２の領域は遮光膜パターニング工程によって画定している。また、半透光膜パターニング工程においては、半透光膜１７のみをエッチングの対象としている。このため、遮光膜パターニング工程で画定した遮光部１２のパターン幅Ｗ１及びＷ２は、半透光膜パターニング工程の影響を受けない。したがって、被転写体上においても、Ｗ１とＷ２が実質的に等しく、たとえそれらの間に誤差（差異）が生じるとしても、｜Ｗ１−Ｗ２｜≦０．１μｍとなる。この点は、透光部１１に隣接する遮光部１２のパターン幅Ｗ３，Ｗ４についても同様である。 Also in the present embodiment, the second semi-transparent portion 14 is located symmetrically with the second semi-transparent portion 14 in between because of the pattern configuration of the light-shielding portion 12 adjacent to the second semi-transparent portion 14. The pattern widths (CD) of the two pattern portions at positions facing each other through the optical part 14, that is, W1 and W2, are formed (set) to the same dimension at the stage of drawing data. As is apparent from the above description of the manufacturing process, the area of the light shielding portion 12 is defined by the light shielding film patterning process. Further, in the semi-transparent film patterning step, only the semi-transparent film 17 is an object to be etched. For this reason, the pattern widths W1 and W2 of the light shielding part 12 defined in the light shielding film patterning step are not affected by the semi-transparent film patterning step. Accordingly, W1 and W2 are also substantially equal on the transfer target, and even if an error (difference) occurs between them, | W1−W2 | ≦ 0.1 μm. This also applies to the pattern widths W3 and W4 of the light shielding part 12 adjacent to the light transmitting part 11.

＜５．第１実施形態と第２実施形態に共通する事項＞
続いて、上述した第１実施形態と第２実施形態に共通な事項について述べる。
本発明に係る４階調のフォトマスク１０において、第１半透光部１３は、第２半透光部１４よりも露光光の代表波長に対する光透過率が低く、その差は、例えば、３〜１５％とすることができる。例えば、第１半透光部１３の光透過率は、１５〜６０％、第２半透光部１４の光透過率は、１８〜７５％とすることができる。 <5. Matters common to the first and second embodiments>
Subsequently, matters common to the first embodiment and the second embodiment described above will be described.
In the four-tone photomask 10 according to the present invention, the first semi-transmissive portion 13 has a lower light transmittance with respect to the representative wavelength of the exposure light than the second semi-transmissive portion 14, and the difference is, for example, 3 -15%. For example, the light transmittance of the first semi-transmissive portion 13 can be 15 to 60%, and the light transmittance of the second semi-transmissive portion 14 can be 18 to 75%.

また、本発明に係るフォトマスクの製造方法においては、すべてのエッチング工程において、実質的に単一の膜を対象にエッチング除去を実施する。このため、エッチング除去の対象となる膜のジャストエッチング時間に基づいてエッチング終点を決定することができる。すなわち、本発明に係るフォトマスクの製造方法によれば、従来の技術にみられた、エッチング終了後も膜の断面がエッチング液に曝されて、サイドエッチングによるＣＤ精度の劣化を生じる不都合が解消される。このため、本発明は、高精度品のフォトマスクを実現するうえできわめて有利である。 Moreover, in the photomask manufacturing method according to the present invention, etching removal is performed on substantially a single film in all etching processes. For this reason, the etching end point can be determined based on the just etching time of the film to be etched. That is, according to the photomask manufacturing method of the present invention, the disadvantage of the conventional technique that the cross section of the film is exposed to the etching solution even after the etching and the CD accuracy is deteriorated due to the side etching is eliminated. Is done. Therefore, the present invention is extremely advantageous for realizing a high-precision photomask.

また、本発明に係るフォトマスクの利点として、第１半透光部１３を形成する第１半透光膜１７ａと第２半透光部１４を形成する第２半透光膜１７ｂは、もともと同じ成分の半透光膜１７であるため、同じ成膜工程において成膜されたものとすることができる。すなわち、１回の半透光膜１７の成膜によって、光透過率の異なる２つの半透光部（１３，１４）を形成することができる。その場合、成膜工程で膜厚方向に組成傾斜が生じる場合には、第１半透光部１３と第２半透光部１４において、組成比が完全に一致しないこともあるが、本発明に係るフォトマスクは、そのような場合を排除するものではない。 In addition, as an advantage of the photomask according to the present invention, the first semi-transparent film 17a that forms the first semi-transparent portion 13 and the second semi-transparent film 17b that forms the second semi-transparent portion 14 are originally provided. Since the translucent film 17 has the same component, it can be formed in the same film forming process. That is, two semi-transparent portions (13, 14) having different light transmittances can be formed by forming the semi-transparent film 17 once. In that case, when the composition gradient occurs in the film thickness direction in the film forming process, the composition ratio may not completely match in the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14, but the present invention. The photomask according to the above does not exclude such a case.

換言すると、本発明では、露光光透過率の異なる２種類の半透光部を形成するに際して、組成の異なる２種類の半透光膜を成膜する必要がない。また、本発明では、それぞれの半透光部に所望の光透過率を得るために、半透光膜を積層（複数回にわたって成膜）する必要がない。このため、所望の電子デバイスを製造するためのフォトマスクの設計において、第１半透光部１３及び第２半透光部１４の光透過率を自由に設定することができる。また、目標とする光透過率に適合するように第１半透光部１３及び第２半透光部１４を正確に形成することができる。 In other words, in the present invention, it is not necessary to form two types of semi-transparent films having different compositions when forming two types of semi-transparent portions having different exposure light transmittances. Further, in the present invention, it is not necessary to laminate (form multiple times) a semi-transparent film in order to obtain a desired light transmittance in each semi-transparent part. For this reason, in the design of a photomask for manufacturing a desired electronic device, the light transmittance of the first semi-transmissive part 13 and the second semi-transmissive part 14 can be freely set. In addition, the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14 can be accurately formed so as to match the target light transmittance.

また、本発明に係るフォトマスクの製造方法によれば、膜のサイドエッチングによる寸法精度の劣化を抑止し、極めて精緻なパターン寸法をもって転写用パターンを形成することができる。その理由は、エッチング工程におけるエッチング時間に関して、それぞれの膜のジャストエッチング時間を基に、最適なエッチング終点を適用できるからである。更に、半透光膜１７のエッチング時間は短いため、面内のＣＤばらつきを抑えることができる。 Further, according to the photomask manufacturing method of the present invention, it is possible to suppress the deterioration of dimensional accuracy due to side etching of the film, and to form a transfer pattern with extremely fine pattern dimensions. The reason is that the optimum etching end point can be applied to the etching time in the etching process based on the just etching time of each film. Further, since the etching time of the semi-transparent film 17 is short, in-plane CD variation can be suppressed.

また、本発明のフォトマスク１０が備える転写用パターンは、第１半透光部１３と第２半透光部１４とが互いに直接隣接せず、両者の間に遮光部１２が介在している。更に、透光部１１と第２半透光部１４とが互いに直接隣接していない。このような転写用パターンをもつフォトマスク１０を、本発明のフォトマスクの製造方法によって製造する場合は、遮光膜パターニング工程でパターニングされた遮光膜１６（遮光膜パターン１６ｐ）により、透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４の各領域が画定する。このため、複数回の描画による相対的なアライメントずれの影響を受けないものとすることができる点で好ましい。 Further, in the transfer pattern provided in the photomask 10 of the present invention, the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14 are not directly adjacent to each other, and the light shielding portion 12 is interposed therebetween. . Further, the light transmitting portion 11 and the second semi-light transmitting portion 14 are not directly adjacent to each other. When the photomask 10 having such a transfer pattern is manufactured by the photomask manufacturing method of the present invention, the light-transmitting portion 11 is formed by the light-shielding film 16 (light-shielding film pattern 16p) patterned in the light-shielding film patterning step. The regions of the light shielding portion 12, the first semi-transmissive portion 13 and the second semi-transmissive portion 14 are defined. For this reason, it is preferable at the point which can not be influenced by the relative misalignment by multiple drawing.

また、本発明に係るフォトマスク１０は、透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４をもつ、４階調のフォトマスクである。もちろん、本発明の効果を妨げない限りにおいて、更に異なる階調や、位相シフタなどを備えたフォトマスクであってもよい。また、本発明の効果を妨げない範囲で、遮光膜１６、第１半透光膜１７ａ、第２半透光膜１７ｂ以外の膜、例えば、光学膜（反射防止膜や位相シフト膜など）や機能膜（エッチングマスク膜、エッチングストッパ膜など）を有していてもよい。 In addition, the photomask 10 according to the present invention is a four-tone photomask having a light transmitting portion 11, a light shielding portion 12, a first semi-light transmitting portion 13, and a second semi-light transmitting portion 14. Of course, as long as the effects of the present invention are not hindered, a photomask having further different gradations, phase shifters, and the like may be used. Further, a film other than the light shielding film 16, the first semi-transmissive film 17a, and the second semi-transmissive film 17b, for example, an optical film (an antireflection film, a phase shift film, etc.) A functional film (such as an etching mask film or an etching stopper film) may be included.

本発明に係るフォトマスク１０の用途には特に制限はないものの、本発明は、例えば液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等の表示装置の製造用のフォトマスクにおいて、パターン高集積化、精細化を図るうえで有利に適用することができる。また本発明は、転写用パターンのデザインにも特に制限はない。すなわち、本発明は、上記図１及び図４に例示するホールパターンのほかにも、例えばドットパターン、ライン・アンド・スペース・パターンなどにも適用可能である。 Although there is no particular limitation on the use of the photomask 10 according to the present invention, the present invention provides high pattern integration and refinement in photomasks for manufacturing display devices such as liquid crystal display devices and organic EL display devices. It can be advantageously applied in planning. In the present invention, the design of the transfer pattern is not particularly limited. That is, the present invention can be applied to, for example, a dot pattern, a line and space pattern, etc., in addition to the hole patterns exemplified in FIGS.

また、本発明のフォトマスクはＣＤ精度が極めて良好であることから、本発明は、例えば、転写用パターンに含まれる最小パターンの線幅（ＣＤ）が、３μｍ以下のフォトマスクの製造に適用して有利であり、更には、最小パターンの線幅が２．５μｍ未満、より先端品としては、２μｍ未満のものにも適用可能である。なお、最小パターンの線幅は通常０．５μｍ以上である。 Further, since the photomask of the present invention has very good CD accuracy, the present invention is applied to, for example, the manufacture of a photomask having a minimum pattern line width (CD) of 3 μm or less included in the transfer pattern. Furthermore, the present invention can be applied to a case where the line width of the minimum pattern is less than 2.5 μm, and more advanced products are less than 2 μm. The line width of the minimum pattern is usually 0.5 μm or more.

＜６．表示装置の製造方法＞
次に、本発明に係る表示装置の製造方法について説明する。
まず、本発明に係るフォトマスクの用途には上述したとおり制限はない。また、本発明に係るフォトマスクは、特に、複数のレイヤを積層して構成される表示装置用基板において、１枚のマスクで複数のレイヤのパターニングを可能とする、多階調のフォトマスクに有利に適用することができる。
その場合、本発明の表示装置の製造方法は、次の２つの工程を含むものとなる。すなわち、上述した本発明のフォトマスクの製造方法によって得られるフォトマスク、または本発明のフォトマスクを用意する工程と、用意したフォトマスクに露光装置を用いて露光光を照射することにより、そのフォトマスクが備える転写用パターンを被転写体上に転写する工程と、を含み、更にその他の必要な種々の工程を経ることにより、表示装置を製造することができる。 <6. Manufacturing method of display device>
Next, a method for manufacturing a display device according to the present invention will be described.
First, the use of the photomask according to the present invention is not limited as described above. In addition, the photomask according to the present invention is a multi-tone photomask that enables patterning of a plurality of layers with a single mask, particularly in a display device substrate formed by stacking a plurality of layers. It can be advantageously applied.
In that case, the display device manufacturing method of the present invention includes the following two steps. That is, a step of preparing a photomask obtained by the above-described method for producing a photomask of the present invention or a photomask of the present invention, and irradiating the prepared photomask with exposure light using an exposure apparatus, the photomask A display device can be manufactured through a process including transferring a transfer pattern included in the mask onto a transfer target, and through various other necessary processes.

本発明のフォトマスクは、少なくとも透光部１１、遮光部１２、第１半透光部１３及び第２半透光部１４を含む４階調、またはそれ以上の多階調のフォトマスクであるため、例えばこれ１枚の使用によって２つのレイヤのパターニングが可能である。このため、例えば、本発明のフォトマスクを液晶表示装置の製造方法に適用すれば、ブラックマトリクス形成用のパターンと、メイン及びサブフォトスペーサ用のパターンを、１枚のフォトマスクの使用によって形成することができる。したがって、本発明のフォトマスクを利用することは、表示装置の生産効率を高めたりコストを低減したりする点でメリットが大きい。 The photomask of the present invention is a four-tone or more multi-tone photomask including at least the light-transmitting portion 11, the light-shielding portion 12, the first semi-light-transmitting portion 13, and the second semi-light-transmitting portion 14. Therefore, for example, by using this one sheet, patterning of two layers is possible. For this reason, for example, if the photomask of the present invention is applied to a method of manufacturing a liquid crystal display device, a pattern for forming a black matrix and a pattern for main and sub-photo spacers are formed by using a single photomask. be able to. Therefore, the use of the photomask of the present invention has a great merit in increasing the production efficiency of the display device and reducing the cost.

また、本発明のフォトマスクは、液晶表示装置（ＬＣＤ）用、或いは平面型表示装置（ＦＰＤ）用等として知られる露光装置を用いて露光することができる。その場合の露光装置としては、例えば、ｉ線、ｈ線、およびｇ線を含む露光光を用い、開口数（ＮＡ）が０．０８〜０．１５、コヒーレントファクタ（σ）が０．７〜０．９程度の等倍光学系をもつ、等倍露光のプロジェクション露光装置を用いることができる。露光には通常照明（ゼロ次光がフォトマスクに垂直に入射する照明）が使用できるが、輪帯照明などいわゆる変形照明を適用しても良い。もちろん、これ以外にも、例えば、プロキシミティ露光用のフォトマスクとして用いることもできる。 The photomask of the present invention can be exposed using an exposure apparatus known for liquid crystal display devices (LCD), flat panel display devices (FPD) and the like. As an exposure apparatus in that case, for example, using exposure light including i-line, h-line, and g-line, numerical aperture (NA) is 0.08 to 0.15, and coherent factor (σ) is 0.7 to It is possible to use a projection exposure apparatus of the same magnification exposure having an equal magnification optical system of about 0.9. Although normal illumination (illumination in which zero-order light is perpendicularly incident on the photomask) can be used for exposure, so-called modified illumination such as annular illumination may be applied. Of course, other than this, for example, it can also be used as a photomask for proximity exposure.

また、多階調のフォトマスクの使用は、表示装置などのデバイスの製造に必要なフォトマスクの枚数を低減し、これによって表示装置などのデバイスを低コストで製造できることが利点であるが、本発明では、このような利点に加えて、次のような利点もある。
本発明では、４階調の転写用パターンを形成するための描画回数が２回のみであり、描画装置の占有時間が小さく、短納期で生産できるという、コストメリットが加わる。すなわち、本発明のフォトマスクは、２回の描画と現像工程のみによって形成された被ウェットエッチング断面により、各領域が確定されている。この条件下で、アライメントずれのない理想的なフォトマスクを製造できる点は、産業上大きな意義がある。 In addition, the use of a multi-tone photomask is advantageous in that the number of photomasks necessary for manufacturing a device such as a display device can be reduced, and thus a device such as a display device can be manufactured at a low cost. In addition to such advantages, the invention also has the following advantages.
In the present invention, the number of times of drawing for forming a transfer pattern of four gradations is only two times, and the cost advantage that the occupying time of the drawing apparatus is small and the production can be made in a short delivery time is added. That is, each region of the photomask of the present invention is determined by a wet etching cross section formed only by two drawing and development processes. The fact that an ideal photomask with no misalignment can be manufactured under these conditions is significant in industry.

なお、本発明におけるフォトマスクは、４階調の転写用パターンを備えるものに限らず、４階調よりも多い多階調の転写用パターンを備えるものも含む。例えば、更に他の半透光膜を用いたもの、或いは、露光時に解像不可能な微細パターンを用いることによって、中間調としたものなどにおいても、本発明の効果を全部又は一部奏する限りにおいて、本発明から排除されない。 Note that the photomask in the present invention is not limited to one having a four-tone transfer pattern, but also includes one having a multi-tone transfer pattern having more than four gradations. For example, as long as the effect of the present invention is fully or partially achieved even in another half-transparent film, or in a halftone by using a fine pattern that cannot be resolved at the time of exposure. However, it is not excluded from the present invention.

１０…フォトマスク
１１…透光部
１２…遮光部
１３…第１半透光部
１４…第２半透光部
１５…透明基板
１６…遮光膜
１７…半透光膜
１８…レジスト膜
１９…レジスト膜
２０…フォトマスクブランク
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Photomask 11 ... Translucent part 12 ... Light-shielding part 13 ... 1st semi-transparent part 14 ... 2nd semi-transparent part 15 ... Transparent substrate 16 ... Light-shielding film 17 ... Semi-transparent film 18 ... Resist film 19 ... Resist Film 20 ... Photomask blank

Claims

透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、透光部、遮光部、第１半透光部及び第２半透光部を含み、前記第１半透光部と前記第２半透光部の光透過率が互いに異なる転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する準備工程と、
前記遮光膜をパターニングして遮光部を形成する遮光膜パターニング工程と、
前記パターニングされた遮光膜上に半透光膜を形成する半透光膜形成工程と、
前記半透光膜をパターニングすることにより、前記透明基板上に半透光膜によって形成された第１半透光部と、前記透明基板上に前記第１半透光部における半透光膜よりも膜厚の小さい半透光膜によって形成された第２半透光部と、前記透明基板が露出する透光部とを形成する半透光膜パターニング工程と、を有し、
前記半透光膜形成工程では、前記遮光膜と同じエッチング剤によってエッチングされる材料で前記半透光膜を形成し、
前記半透光膜パターニング工程では、実質的に前記半透光膜のみをエッチングする
ことを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 The first semi-light-transmitting part includes a light-transmitting part, a light-shielding part, a first semi-light-transmitting part, and a second semi-light-transmitting part obtained by patterning a semi-light-transmitting film and a light-shielding film on the transparent substrate. In the manufacturing method of a photomask provided with a pattern for transfer in which the light transmittance of the part and the second semi-transparent part is different from each other,
Preparing a photomask blank having a light shielding film formed on the transparent substrate;
A light shielding film patterning step of patterning the light shielding film to form a light shielding portion;
A semi-transparent film forming step of forming a semi-transparent film on the patterned light-shielding film;
By patterning the semi-transparent film, a first semi-transparent part formed by the semi-transparent film on the transparent substrate, and a semi-transparent film in the first semi-transparent part on the transparent substrate A semi-transparent film patterning step for forming a second semi-transparent part formed by a semi-transparent film having a small thickness and a translucent part from which the transparent substrate is exposed,
In the semi-transparent film forming step, the semi-transparent film is formed of a material that is etched by the same etchant as the light-shielding film,
In the semi-transparent film patterning step, substantially only the semi-transparent film is etched. A method for manufacturing a photomask, comprising:

透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、透光部、遮光部、第１半透光部及び第２半透光部を含み、前記第１半透光部と前記第２半透光部の光透過率が互いに異なる転写用パターンを備えるフォトマスクの製造方法において、
前記透明基板上に遮光膜が形成されたフォトマスクブランクを用意する準備工程と、
前記遮光膜をパターニングする遮光膜パターニング工程と、
前記パターニングされた遮光膜上に半透光膜を形成する半透光膜形成工程と、
前記半透光膜上にレジスト膜を形成した後、前記レジスト膜を描画及び現像することにより、レジストが除去された開口部、レジストが残存する第１残膜部、及び前記第１残膜部よりもレジストが薄く残存する第２残膜部を有する第１レジストパターンであって、前記開口部が前記透光部の領域に対応し、前記第１残膜部が前記遮光部及び第１半透光部の領域に対応し、前記第２残膜部が前記第２半透光部に対応する第１レジストパターンを形成する第１レジストパターン形成工程と、
前記第１レジストパターンをマスクとして、前記開口部に露出する前記半透光膜をエッチングする第１エッチング工程と、
前記第１レジストパターンの膜厚を減少させることにより、前記第２残膜部に対応する領域で前記半透光膜が新たに露出する第２レジストパターンを形成する第２レジストパターン形成工程と、
前記新たに露出した部分の前記半透光膜をエッチングして、前記半透光膜の膜厚を減少させる第２エッチング工程と、
を有することを特徴とする、フォトマスクの製造方法。 The first semi-light-transmitting part includes a light-transmitting part, a light-shielding part, a first semi-light-transmitting part, and a second semi-light-transmitting part obtained by patterning a semi-light-transmitting film and a light-shielding film on the transparent substrate. In the manufacturing method of a photomask provided with a pattern for transfer in which the light transmittance of the part and the second semi-transparent part is different from each other,
Preparing a photomask blank having a light shielding film formed on the transparent substrate;
A light shielding film patterning step of patterning the light shielding film;
A semi-transparent film forming step of forming a semi-transparent film on the patterned light-shielding film;
After forming the resist film on the semi-translucent film, the resist film is drawn and developed, thereby opening the resist removed, the first remaining film portion where the resist remains, and the first remaining film portion A first resist pattern having a second remaining film portion where the resist remains thinner than the opening, the opening corresponds to a region of the light transmitting portion, and the first remaining film portion corresponds to the light shielding portion and the first half portion. A first resist pattern forming step for forming a first resist pattern corresponding to a region of the light transmitting portion and the second remaining film portion corresponding to the second semi-light transmitting portion;
Using the first resist pattern as a mask, a first etching step of etching the semi-transparent film exposed in the opening;
A second resist pattern forming step of forming a second resist pattern in which the semi-transparent film is newly exposed in a region corresponding to the second remaining film portion by reducing the film thickness of the first resist pattern;
Etching the semi-transparent film in the newly exposed portion to reduce the thickness of the semi-transparent film; and
A method for producing a photomask, comprising:

前記遮光膜と前記半透光膜は、同一の金属を含有することを特徴とする、請求項１又は２に記載のフォトマスクの製造方法。 The method for manufacturing a photomask according to claim 1, wherein the light shielding film and the semi-translucent film contain the same metal.

前記第１エッチング工程のエッチングレートをＲ１、前記第２エッチング工程のエッチングレートをＲ２とするとき、Ｒ１＞Ｒ２の条件を満たすことを特徴とする、請求項２又は３に記載のフォトマスクの製造方法。 4. The photomask manufacturing method according to claim 2, wherein R1> R2 is satisfied, where R1 is an etching rate in the first etching step and R2 is an etching rate in the second etching step. Method.

前記第１レジストパターン形成工程では、前記第２半透光部となる領域の寸法に対し、アライメントマージンを基にしたサイジングを施した描画データを用いて、前記レジスト膜を描画することを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 In the first resist pattern forming step, the resist film is drawn using drawing data obtained by performing sizing based on an alignment margin with respect to the dimension of the region serving as the second semi-transparent portion. The manufacturing method of the photomask in any one of Claims 2-4.

前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部と前記遮光部とが隣接することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 6. The method of manufacturing a photomask according to claim 1, wherein in the transfer pattern, the second semi-transparent portion and the light shielding portion are adjacent to each other.

前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法。 The method for manufacturing a photomask according to claim 1, wherein in the transfer pattern, the second semi-transparent portion is surrounded adjacent to the light shielding portion.

透明基板上に、半透光膜及び遮光膜がそれぞれパターニングされて得られた、少なくとも４階調の転写用パターンを備えるフォトマスクであって、
前記転写用パターンは、
前記透明基板が露出してなる透光部と、
前記透明基板上に前記半透光膜によって形成された第１半透光部と、
前記透明基板上に、前記半透光膜と同じ成分の半透光膜であって、かつ、前記第１半透光部より膜厚が小さい半透光膜によって形成された第２半透光部と、
前記透明基板上に遮光膜と半透光膜がこの順に積層されてなる遮光部とを有し、
前記遮光膜と前記半透光膜は、同じエッチング剤によってエッチングされる材料からなる、
ことを特徴とする、フォトマスク。 A photomask having a transfer pattern of at least four gradations obtained by patterning a translucent film and a light shielding film on a transparent substrate,
The transfer pattern is:
A transparent portion formed by exposing the transparent substrate;
A first semi-transparent portion formed by the semi-transparent film on the transparent substrate;
A second semi-transparent film formed on the transparent substrate by a semi-transparent film having the same component as the semi-transparent film and having a thickness smaller than that of the first semi-transparent portion. And
A light-shielding part in which a light-shielding film and a semi-transparent film are laminated in this order on the transparent substrate;
The light shielding film and the semi-transparent film are made of a material that is etched by the same etching agent.
A photomask characterized by that.

前記遮光部は、前記第２半透光部と隣接する部分を有するとともに、前記第２半透光部と隣接するエッジ部分に、前記第１半透光部より膜厚が薄い半透光膜が積層されていることを特徴とする、請求項８に記載のフォトマスク。 The light-shielding portion has a portion adjacent to the second semi-transparent portion, and a semi-transparent film having a thickness smaller than that of the first semi-transparent portion at an edge portion adjacent to the second semi-transparent portion. The photomask according to claim 8, wherein: is laminated.

前記転写用パターンは、前記第１半透光部と前記第２半透光部とが隣接部を有していないことを特徴とする、請求項８又は９記載のフォトマスク。 10. The photomask according to claim 8, wherein the transfer pattern has the first semi-transparent portion and the second semi-transparent portion that do not have an adjacent portion.

前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれていることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれかに記載のフォトマスク。 11. The photomask according to claim 8, wherein in the transfer pattern, the second semi-transparent portion is surrounded adjacent to the light shielding portion.

前記転写用パターンにおいて、前記第２半透光部は、前記遮光部に隣接して囲まれるとともに、前記第２半透光部に対して、対向する位置にある前記遮光部の幅をそれぞれＷ１（μｍ）、Ｗ２（μｍ）とするときに、前記Ｗ１と前記Ｗ２の差異が０．１（μｍ）以下であることを特徴とする、請求項８〜１１のいずれかに記載のフォトマスク。 In the transfer pattern, the second semi-transparent portion is surrounded adjacent to the light-shielding portion, and the width of the light-shielding portion at a position facing the second semi-transparent portion is set to W1. The photomask according to any one of claims 8 to 11, wherein the difference between W1 and W2 is 0.1 (µm) or less when (µm) and W2 (µm).

前記遮光部は、前記透光部と隣接する部分を有するとともに、前記透光部と隣接するエッジ部分で前記遮光膜の膜厚が一部減少していることを特徴とする、請求項８〜１２のいずれかに記載のフォトマスク。 The said light shielding part has a part adjacent to the said light transmission part, and the film thickness of the said light shielding film is partially reduced in the edge part adjacent to the said light transmission part, The 8th-characterized by the above-mentioned. The photomask according to any one of 12 above.

表示装置の製造方法において、露光装置を用いて、請求項１〜７のいずれかに記載の製造方法によるフォトマスク、又は、請求項８〜１３のいずれかに記載のフォトマスクに露光光を照射し、前記フォトマスクが備える転写用パターンを被転写体上に転写する工程を含む、
ことを特徴とする、表示装置の製造方法。 In the manufacturing method of a display apparatus, exposure light is irradiated to the photomask by the manufacturing method in any one of Claims 1-7, or the photomask in any one of Claims 8-13 using an exposure apparatus. And a step of transferring a transfer pattern provided on the photomask onto a transfer target,
A method for manufacturing a display device.

前記露光装置を用いて前記フォトマスクに露光光を照射する場合に、ｉ線、ｈ線、およびｇ線を含む波長域の露光光を適用することを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置の製造方法。 15. The display according to claim 14, wherein exposure light in a wavelength region including i-line, h-line, and g-line is applied when irradiating the photomask with exposure light using the exposure apparatus. Device manufacturing method.