JP2017073577A - 光の増幅のための素子及びその製造方法 - Google Patents
光の増幅のための素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017073577A JP2017073577A JP2017011884A JP2017011884A JP2017073577A JP 2017073577 A JP2017073577 A JP 2017073577A JP 2017011884 A JP2017011884 A JP 2017011884A JP 2017011884 A JP2017011884 A JP 2017011884A JP 2017073577 A JP2017073577 A JP 2017073577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- refractive index
- boundary region
- light
- filament
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
- C03C3/325—Fluoride glasses
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C4/00—Compositions for glass with special properties
- C03C4/0071—Compositions for glass with special properties for laserable glass
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094038—End pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
- H01S3/09415—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
- H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
- H01S3/1616—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth thulium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/16—Solid materials
- H01S3/17—Solid materials amorphous, e.g. glass
- H01S3/173—Solid materials amorphous, e.g. glass fluoride glass, e.g. fluorozirconate or ZBLAN [ ZrF4-BaF2-LaF3-AlF3-NaF]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Lasers (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
Description
本発明の第1の態様により定義される素子と、
構造体内の光を共振させるように配置された反射部分と、
を備えたレーザー発振器が提供される。
0.22モル%のHoF3及び1.96モル%のTmF3でドープした50gのZBLANガラスブロックを作製し、長方形の部分又は断片(長さ9mm、幅8mm及び高さ2.7mm)にダイスカットして、上面、下面及び端面を光学等級に研磨した。このドープしたガラスに、超高速光パルスを用いてWG(導波路)を書き込んだ。2つのWGを含む研磨した端面の顕微鏡画像を図27に示す。導波路の中心間距離は、450マイクロメートルである。各WGは、24個の部分的に重なり合う直接書き込まれた長手方向フィラメントにより形成されて「W」型の屈折率分布を示し、バルクガラス及び未修正の内部(コア)に比べて−0.0016±0.003の測定されたクラッディングΔn、及び〜32μmの境界領域(クラッディング)幅を有する。隣接するWG間の間隔を150μmから450μmに増やすことにより、間隔が狭い導波路の場合には問題となり得る応力破損の兆候を示さずに単一のガラス片内に複数のWGが作製された。導波路間隔は、少なくとも300マイクロメートルであれば、応力破損を回避することができる。作製されたHo3+、Tm3+のWGデバイスは、WGのコア直径が15μm〜45μmの15個の陥凹クラッディングWGを含んでいた。研磨したHo、Tm:ZBLANサンプルの測定された吸収作用を図28に示す(CARY5000分光光度計)。
図33に、顕微鏡を用いて撮影した、素子260の実施形態における構造例262の端面図を示す。素子260は、3マイクロメートル付近の中間赤外で動作するように構成される。この素子は、(5マイクロメートルまで延びる)中間赤外波長において実質的に透明な、2モル%のHoでドープしたZBLANガラス片を含む。この素子は、3マイクロメートル付近の波長の光を導くように構成された構造を有する。この構造を、図21の装置を使用してガラスに書き込んだ。
・比較的効率の高い低閾値の中赤外レーザーを実現することができる。
・固有の励起モードとレーザーモードの重なりを有する直接書き込まれた導波路が、レーザー閾値、特に3準位遷移に関するレーザー閾値を低下させることができる。
・回折が制限されたビーム品質を達成することができる。
・最小限に準備されたドープガラス内に、導波路を素早く安価に加工することができる。
・応力破損を伴わずにガラス片内に複数の導波路を形成することができる。
・赤外レーザー放射の小型光源を実現することができる。
・いくつかの実施形態の矩形平面素子が、集積回路、電子回路基板、光チップデバイス及び固有の平面形状を有するその他の構造とともに使用するのに適することができる。
・中間赤外波長で動作するレーザー及び増幅器を実現することができる。
12 構造体
14 ガラス片
15 ガラス片の表面
18 ガラス片14の大部分
20 センタ
Claims (29)
- 放射の誘導放出による光の増幅のための素子であって、
ガラス片と、
前記ガラス片内に存在して前記光を導き、前記ガラス片の大部分の平均屈折率よりも低い平均屈折率の境界領域を有する管状構造体と、
前記ガラス片内に存在して前記光が増幅されるように導かれた場合に前記光を増幅する複数のセンタと、
を備え、前記増幅は、前記センタが別の光により照射された場合の放射の誘導放出によるものである、
ことを特徴とする素子。 - 前記管状構造体の内部の屈折率は、前記境界領域の屈折率よりも高い、
ことを特徴とする請求項1に記載の素子。 - 前記境界領域は、少なくとも1つのフィラメントを含む、
ことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の素子。 - 前記少なくとも1つのフィラメントは線である、
ことを特徴とする請求項3に記載の素子。 - 前記少なくとも1つのフィラメントはらせん形である、
ことを特徴とする請求項3及び請求項4のいずれか1項に記載の素子。 - 前記少なくとも1つのフィラメントは、複数のフィラメントである、
ことを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の素子。 - 前記複数のフィラメントの少なくとも2つは重なり合う、
ことを特徴とする請求項6に記載の素子。 - 前記境界領域は、内側部分及び外側部分を含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の素子。 - 前記内側部分と前記外側部分は重なり合う、
ことを特徴とする請求項8に記載の素子。 - 前記外側部分は、複数のフィラメントを含み、前記内側部分は、別の複数のフィラメントを含み、前記複数のフィラメントの少なくとも1つは、前記別の複数のフィラメントの少なくとも1つと重なり合う、
ことを特徴とする請求項8及び請求項9のいずれか一方に記載の素子。 - 前記ガラス片は、フッ化物ガラスである、
ことを特徴とする請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の素子。 - 前記ガラス片は、ZrF4、BaF2、LaF3、AlF3及びNaFを含む、
ことを特徴とする請求項11に記載の素子。 - 前記ガラス片は、インジウム及びフッ素を含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の素子。 - 前記センタは、希土類イオンを含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項13のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界領域の厚みは、10マイクロメートルよりも大きい、
ことを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界領域の厚みは、40マイクロメートルよりも小さい、
ことを特徴とする請求項1から請求項15のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界領域の厚みは、20マイクロメートルと30マイクロメートルの間である、
ことを特徴とする請求項1から請求項16のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界領域の厚みは、約25マイクロメートルである、
ことを特徴とする請求項1から請求項17のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界又は前記フィラメントのいずれか一方の前記平均屈折率は、前記ガラス片の大部分の平均屈折率よりも低い0.0001と0.01の間である、
ことを特徴とする請求項1から請求項18のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界又は前記フィラメントのいずれか一方の前記平均屈折率は、前記ガラス片の大部分の平均屈折率よりも低い0.001と0.005の間である、
ことを特徴とする請求項1から請求項19のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界又は前記フィラメントのいずれか一方の前記平均屈折率は、前記ガラス片の大部分の平均屈折率よりも低い0.001と0.0025の間である、
ことを特徴とする請求項1から請求項20のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界又は前記フィラメントのいずれか一方の前記平均屈折率は、前記ガラス片の大部分の平均屈折率よりも低い約0.0016である、
ことを特徴とする請求項1から請求項21のいずれか1項に記載の素子。 - 前記境界領域の厚みは、該境界領域の屈折率と前記ガラス片の大部分の屈折率との差分を考慮して選択されたものである、
ことを特徴とする請求項1から請求項22のいずれか1項に記載の素子。 - 請求項1から請求項23のいずれか1項に記載の素子を備える、
ことを特徴とする光の増幅器。 - 請求項1から請求項23のいずれか1項に記載の素子と、
前記構造体内の前記光を共振させるように配置された反射部分と、
を備えることを特徴とするレーザー発振器。 - 放射の誘導放出による光の増幅のための素子の製造方法であって、電磁放射の焦点をガラス片に対して移動させて、光を導くことができる構造体を前記ガラス片内に形成するステップを含み、前記管状構造体は、前記ガラス片の大部分の平均屈折率よりも低い平均屈折率の境界領域を有し、該境界領域の前記屈折率は、少なくとも部分的に前記電磁放射の前記焦点と前記ガラス片との間の相互作用により決定される、
ことを特徴とする素子の製造方法。 - 前記焦点は、一連の線に沿って相対的に移動して、前記構造体の前記境界領域を少なくとも部分的に定めるフィラメントを形成する、
ことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 前記焦点は、少なくとも1つのらせん経路に沿って移動して、前記構造体の前記境界領域を少なくとも部分的に定める少なくとも1つのらせん形フィラメントを形成する、
ことを特徴とする請求項26に記載の方法。 - 前記構造体は、管状構造体である、
ことを特徴とする請求項17から請求項19のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AU2010905322 | 2010-12-03 | ||
AU2010905322A AU2010905322A0 (en) | 2010-12-03 | Element for the amplification of a light and method of making the same | |
AU2010905408A AU2010905408A0 (en) | 2010-12-08 | Element for the amplification of a light and method of making the same | |
AU2010905408 | 2010-12-08 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013541153A Division JP2013544441A (ja) | 2010-12-03 | 2011-12-02 | 光の増幅のための素子及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017073577A true JP2017073577A (ja) | 2017-04-13 |
Family
ID=46171097
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013541153A Pending JP2013544441A (ja) | 2010-12-03 | 2011-12-02 | 光の増幅のための素子及びその製造方法 |
JP2017011884A Pending JP2017073577A (ja) | 2010-12-03 | 2017-01-26 | 光の増幅のための素子及びその製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013541153A Pending JP2013544441A (ja) | 2010-12-03 | 2011-12-02 | 光の増幅のための素子及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8837534B2 (ja) |
EP (1) | EP2647089A4 (ja) |
JP (2) | JP2013544441A (ja) |
AU (1) | AU2011335892B2 (ja) |
WO (1) | WO2012071622A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2017276812A1 (en) * | 2016-06-09 | 2019-01-24 | Macquarie University | Voltage-controllable laser output coupler for integrated photonic devices |
US11770172B2 (en) * | 2018-05-10 | 2023-09-26 | Qualcomm Incorporated | Dynamic antenna selection in millimeter wave systems |
CN116235091A (zh) | 2020-12-01 | 2023-06-06 | 富士通株式会社 | 量子电路、量子计算机和量子电路的制造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002365456A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-18 | Hitachi Cable Ltd | 光アクティブ伝送路及びその製造方法 |
JP2003014965A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Hitachi Cable Ltd | レーザ直接描画導波路及びその製造方法 |
JP2003512998A (ja) * | 1999-11-01 | 2003-04-08 | ショット、グラス、テクノロジーズ、インコーポレイテッド | 材料の低温接合 |
JP2003315608A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 光部品接合部の光伝送路の結合方法 |
JP2003321252A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-11 | Japan Science & Technology Corp | ガラス内部への分相領域の形成方法 |
US20030215204A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Schroeder Joseph F. | Laser-written cladding for waveguide formations in glass |
JP2004029613A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nitto Denko Corp | 三次元光導波路 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4044315A (en) * | 1962-01-16 | 1977-08-23 | American Optical Corporation | Means for producing and amplifying optical energy |
US3599106A (en) * | 1968-11-06 | 1971-08-10 | American Optical Corp | High intensity-high coherence laser system |
US5541947A (en) * | 1995-05-10 | 1996-07-30 | The Regents Of The University Of Michigan | Selectively triggered, high contrast laser |
US6768850B2 (en) * | 2001-08-16 | 2004-07-27 | Translume, Inc. | Method of index trimming a waveguide and apparatus formed of the same |
WO2008025076A1 (en) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Macquarie University | An optical amplifier, a laser and methods of manufacture thereof |
US7298547B1 (en) * | 2006-09-07 | 2007-11-20 | Np Photonics Inc. | 2-μm fiber amplified spontaneous emission (ASE) source |
-
2011
- 2011-12-02 AU AU2011335892A patent/AU2011335892B2/en active Active
- 2011-12-02 WO PCT/AU2011/001563 patent/WO2012071622A1/en active Application Filing
- 2011-12-02 JP JP2013541153A patent/JP2013544441A/ja active Pending
- 2011-12-02 EP EP11844601.2A patent/EP2647089A4/en not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-06-03 US US13/908,442 patent/US8837534B2/en active Active
-
2017
- 2017-01-26 JP JP2017011884A patent/JP2017073577A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003512998A (ja) * | 1999-11-01 | 2003-04-08 | ショット、グラス、テクノロジーズ、インコーポレイテッド | 材料の低温接合 |
JP2002365456A (ja) * | 2001-06-05 | 2002-12-18 | Hitachi Cable Ltd | 光アクティブ伝送路及びその製造方法 |
JP2003014965A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Hitachi Cable Ltd | レーザ直接描画導波路及びその製造方法 |
JP2003315608A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-06 | Matsushita Electric Works Ltd | 光部品接合部の光伝送路の結合方法 |
JP2003321252A (ja) * | 2002-04-25 | 2003-11-11 | Japan Science & Technology Corp | ガラス内部への分相領域の形成方法 |
US20030215204A1 (en) * | 2002-05-16 | 2003-11-20 | Schroeder Joseph F. | Laser-written cladding for waveguide formations in glass |
JP2004029613A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nitto Denko Corp | 三次元光導波路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013544441A (ja) | 2013-12-12 |
AU2011335892A1 (en) | 2013-07-11 |
AU2011335892B2 (en) | 2015-05-14 |
US8837534B2 (en) | 2014-09-16 |
US20130343416A1 (en) | 2013-12-26 |
EP2647089A4 (en) | 2017-12-20 |
WO2012071622A1 (en) | 2012-06-07 |
EP2647089A1 (en) | 2013-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Otto et al. | Impact of photodarkening on the mode instability threshold | |
Gross et al. | Ultrafast laser inscription in soft glasses: a comparative study of athermal and thermal processing regimes for guided wave optics | |
Falconi et al. | Dysprosium-doped chalcogenide master oscillator power amplifier (MOPA) for mid-IR emission | |
EP2371043B1 (en) | Improved cladding-pumped optical waveguide | |
Fernandez et al. | Femtosecond laser written optical waveguide amplifier in phospho-tellurite glass | |
Lancaster et al. | Versatile large-mode-area femtosecond laser-written Tm: ZBLAN glass chip lasers | |
Vu et al. | 980nm pumped erbium doped tellurium oxide planar rib waveguide laser and amplifier with gain in S, C and L band | |
Falconi et al. | Design of an efficient pulsed Dy 3+: ZBLAN fiber laser operating in gain switching regime | |
US20090262416A1 (en) | Cascade laser | |
Palmer et al. | High slope efficiency and high refractive index change in direct-written Yb-doped waveguide lasers with depressed claddings | |
Peters et al. | Ion-exchanged waveguide lasers in Er 3+/Yb 3+ codoped silicate glass | |
JP2017073577A (ja) | 光の増幅のための素子及びその製造方法 | |
Khalid et al. | Microchip and ultra-fast laser inscribed waveguide lasers in Yb 3+ germanate glass | |
US20070263974A1 (en) | Laser Inscription of Optical Structures in Crystals | |
Furusawa et al. | Efficient low-threshold lasers based on an erbium-doped holey fiber | |
Long et al. | Laser action from a femtosecond laser written Yb: phosphate glass waveguide | |
Lancaster et al. | Er 3+ Active Yb 3+ Ce 3+ Co-Doped Fluorozirconate Guided-Wave Chip Lasers | |
Wang et al. | Industrial, Medical and Military Applications of Fluoride and Chalcogenide Glass Fibers | |
AU2009200094A1 (en) | Cascade laser | |
Irannejad et al. | Erbium‐Ion‐Doped Tellurite Glass Fibers and Waveguides—Devices and Future Prospective: Part II | |
Ng et al. | Air-clad Holmium-doped silica fiber laser | |
Li et al. | Three-level Nd3+ luminescence enhancement in all-solid silicate glass photonic bandgap fiber | |
CN111740313A (zh) | 基于锥形双包层拉曼增益光纤的中红外全光纤激光振荡器及产生中红外激光的方法 | |
BAI et al. | 2.05-µm Tm, Ho: YLF waveguide lasers | |
Rehman | An integrated hybrid-chip-fibre platform for the generation of mid-infrared light |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170126 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180111 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180411 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180801 |